WO2023127817A1 - 基板処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

基板処理方法及びプラズマ処理装置 Download PDF

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WO2023127817A1
WO2023127817A1 PCT/JP2022/047973 JP2022047973W WO2023127817A1 WO 2023127817 A1 WO2023127817 A1 WO 2023127817A1 JP 2022047973 W JP2022047973 W JP 2022047973W WO 2023127817 A1 WO2023127817 A1 WO 2023127817A1
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WO
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film
gas
region
substrate
plasma
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PCT/JP2022/047973
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English (en)
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隆幸 勝沼
昌伸 本田
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Definitions

  • Exemplary embodiments of the present disclosure relate to substrate processing methods and plasma processing apparatuses.
  • Patent Document 1 discloses a technique of forming a film on a mask, then forming a reaction layer on the surface of a substrate, and then removing the reaction layer.
  • Patent Document 2 discloses a method of etching a silicon-containing film with plasma generated from a gas containing carbon fluoride. In this method, first, the silicon-containing film is partially etched. Thereafter, a carbon-containing film is formed on the silicon-containing film without generating plasma. After that, the silicon-containing film on which the carbon-containing film is formed is further etched.
  • the present disclosure provides a technique for adjusting the shape of regions that provide openings in a substrate.
  • a substrate processing method includes step (a) of preparing a substrate.
  • the substrate includes a first region and a second region overlying the first region and providing an opening over the first region.
  • the substrate processing method further includes step (b) of forming a top deposit preferentially on top of the second region using a first plasma generated from the first gas.
  • the substrate processing method further includes a step (c) of forming a first film having a decreasing thickness along the depth direction of the opening on the surface of the top deposit and the sidewall surfaces defining the opening.
  • FIG. 4 illustrates a substrate processing method according to one exemplary embodiment
  • Each of FIGS. 2a-2d is a partially enlarged cross-sectional view of an example substrate produced in corresponding steps of a substrate processing method according to one exemplary embodiment.
  • Each of FIGS. 3a and 3b is a partially enlarged cross-sectional view of an example substrate produced in corresponding steps of a substrate processing method according to one exemplary embodiment.
  • 1 is a diagram for explaining a configuration example of a plasma processing system
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a configuration example of a capacitively coupled plasma processing apparatus
  • FIG. 1 illustrates a substrate processing system in accordance with one exemplary embodiment
  • FIG. FIG. 7 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 8 is a flowchart of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of an example substrate to which the method of FIG. 8 can be applied.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing one step of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing one step of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing one step of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing one step of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of an example substrate with deposits comprising a first deposit and a second deposit.
  • FIG. 15 is a diagram showing examples of cross sections of the substrate before and after deposits are formed in the first to fourth experiments.
  • FIG. 16 is a graph showing examples of the dimensions and depths of the recesses before and after the protective film was formed in the first to fifth experiments.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of a cross section of the substrate after etching in the first to fifth experiments.
  • FIG. 18 is a graph showing examples of dimensions and depths of recesses before and after etching in the first to fifth experiments.
  • FIG. 19 is a graph showing examples of etching rates normalized in the first to fifth experiments.
  • FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing method according to one exemplary embodiment. Each of FIGS. 2(a)-2(d), 3(a), and 3(b) is produced in corresponding steps of a substrate processing method according to one exemplary embodiment.
  • 1 is a partially enlarged cross-sectional view of an example substrate; FIG.
  • the substrate processing method (hereinafter referred to as “method MT”) shown in FIG. 1 includes steps STa to STc.
  • Method MT may further include step STd.
  • Method MT may further include step STe.
  • the method MT may further include a step STbt.
  • a substrate W is prepared in the step STa.
  • the substrate W prepared in step STa includes a first region R1 and a second region R2.
  • the second region R2 is provided on the first region R1.
  • the second region R2 provides an opening OP over the first region R1.
  • Opening OP is defined by sidewall surface SW of second region R2.
  • the width of the opening OP decreases along its depth direction. That is, side wall surface SW has an inclined angle with respect to the vertical direction.
  • the first region R1 is exposed in the opening OP.
  • the substrate W may further include an underlying region UR, and the first region R1 may be provided on the underlying region UR.
  • the second region R2 can function as a mask when etching the first region R1. Therefore, the second region R2 is made of a material having an etching rate lower than that of the first region R1 in the etching of the first region R1.
  • the first region R1 is a silicon-containing film or an organic film.
  • the silicon-containing film forming the first region R1 is, for example, a silicon film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film containing a silicon oxide film and a silicon nitride film.
  • the organic film forming the first region R1 is, for example, an amorphous carbon film.
  • the second region R2 is, for example, a polycrystalline silicon film, an organic film, or a resist film.
  • the first region R1 is a silicon film and the second region R2 is a silicon oxide film.
  • the first region R1 is a silicon oxide film and the second region R2 is an organic film.
  • the first region R1 is an organic film and the second region R2 is a silicon oxide film.
  • the process STb is performed after the process STa.
  • the top deposit TD is preferentially formed on the top TP of the second region R2 using plasma generated from the deposition process gas.
  • the top deposit TD is formed by plasma CVD, for example.
  • the top deposit TD can be formed of a material having an etch rate lower than that of the material forming the second region R2 in the etching of the first region R1 in the step STe. If the first region R1 is a silicon-containing film, as in the first and second examples of substrate W described above, the top deposit TD contains carbon, boron, or metal. If the first region R1 is an organic film, as in the third example of the substrate W described above, the top deposit TD contains boron or metal. Metals included in the top deposit TD may include tungsten, tin, or molybdenum.
  • the deposition process gas may contain carbon and be fluorine free.
  • Deposition process gases include, for example, carbon monoxide gas (CO gas), carbonyl sulfide gas (COS gas), or hydrocarbon gas.
  • the hydrocarbon gas is, for example , C2H2 gas, C2H4 gas , CH4 gas , or C2H6 gas.
  • the first process gas may not contain hydrogen.
  • the first processing gas may further contain hydrogen gas (H 2 gas) as an additive gas.
  • the first processing gas may further contain a noble gas such as argon gas or helium gas.
  • the gas for the first process may further contain an inert gas such as nitrogen gas ( N2 gas) in addition to or instead of the noble gas.
  • the deposition process gas may include a first component gas and a second component gas.
  • the first component gas is a gas containing carbon and not containing fluorine, such as CO gas or COS gas. That is, the deposition process gas may include a first component that contains carbon and does not contain fluorine.
  • the first component is, for example, carbon monoxide (CO) or carbonyl sulfide.
  • the second component gas is a gas containing carbon and fluorine or hydrogen, such as a hydrofluorocarbon gas, a fluorocarbon gas, or a hydrocarbon gas. That is, the deposition process gas may further include a second component that includes carbon and fluorine or hydrogen.
  • the second component is, for example, a hydrofluorocarbon, fluorocarbon, or hydrocarbon.
  • the hydrofluorocarbon gas is , for example, CHF3 gas, CH3F gas, CH2F2 gas, or the like. Fluorocarbon gas is, for example, C 4 F 6 gas.
  • the second component gas containing carbon and hydrogen is, for example, CH4 gas.
  • the flow rate of the first component gas or first component may be greater than the flow rate of the second component gas or second component.
  • the deposition process gas may include boron trichloride gas (BCl 3 gas).
  • the deposition process gas may further contain noble gases such as argon gas and helium gas.
  • the deposition process gas may further include a nitrogen-containing gas such as N2 gas.
  • the deposition process gas contains tungsten.
  • the deposition process gas may further include at least one of carbon and hydrogen.
  • the deposition process gas may further contain fluorine.
  • the deposition process gas may include at least one of a carbon-containing gas, a hydrogen-containing gas, and a tungsten-containing gas. Fluorine may be included in the carbon-containing gas, the hydrogen-containing gas, or the tungsten-containing gas.
  • the carbon- containing gases are CH4 gas, C2H2 gas, C2H4 gas, CH3F gas, CH2F2 gas , CHF3 gas and CO gas .
  • the hydrogen-containing gas may include at least one of H2 gas, SiH4 gas and NH3 gas.
  • a tungsten-containing gas may include a tungsten halide gas.
  • the tungsten halide gas may include at least one of tungsten hexafluoride (WF 6 ) gas, tungsten hexabromide (WBr 6 ) gas, tungsten hexachloride (WCl 6 ) gas, and WF 5 Cl gas.
  • the tungsten-containing gas may include hexacarbonyl tungsten (W(CO) 6 ) gas.
  • the deposition process gas may further include noble gases such as argon gas, helium gas, xenon gas, or neon gas.
  • the first processing gas may further include nitrogen (N 2 ) gas, for example.
  • the flow ratio of the tungsten-containing gas may be smaller than the flow ratio of at least one of the carbon-containing gas and the hydrogen-containing gas.
  • the flow ratio of the noble gas may be greater than the flow ratio of at least one of the carbon-containing gas and the hydrogen-containing gas.
  • the flow rate ratio of each gas is the ratio (% by volume) of the flow rate of each gas to the total flow rate of the process gas.
  • the deposition process gas includes a first component gas.
  • the deposition process gas may further include a second component gas.
  • the first component gas contains a tin-containing material.
  • the second component gas is H 2 O, H 2 O 2 , O 2 , O 3 , N 2 O 4 , nitrogen-containing inorganic compounds, sulfur-containing inorganic compounds, halogen compounds, carbon-containing substances, or silicon It can contain inclusions.
  • the second component gas may include at least one of N2 and an oxygen containing material.
  • the oxygen containing substance can be NO or CO2 .
  • Tin-containing substances are, for example, stannane compounds, oxygen-containing tin compounds, nitrogen-containing tin compounds, or halogenated tin compounds.
  • Stannane compounds are, for example, stannane, tetramethylstannane, tributylstannane, phenyltrimethylstannane, tetravinylstannane, dimethyldichlorostannane, butyltrichlorostannane, trichlorophenylstannane, and the like.
  • Oxygen-containing tin compounds are, for example, tributyltin methoxide, tert-butoxide tin, dibutyltin diacetate, triphenyltin acetate, tributyltin oxide, triphenyltin acetate, triphenyltin hydroxide, butylchlorotin dihydroxide, acetyl Acetonatotin and the like.
  • Nitrogen-containing tin compounds include, for example, dimethylaminotrimethyltin, tris(dimethylamino)tert-butyltin, azidotrimethyltin, tetrakis(dimethylamino)tin, N,N'-di-tert-butyl-2,3-diamidobutane Tin (II) and the like.
  • Halogenated tin compounds are, for example, tin chloride, tin bromide, tin iodide, dimethyltin dichloride, butyltin trichloride, phenyltin trichloride, and the like.
  • the halogenated tin compound may be tetravalent tin chloride, tin bromide, or tin iodide.
  • the inorganic compounds containing nitrogen are, for example, NH 3 , N 2 O 4 and the like.
  • Inorganic compounds containing sulfur are for example H2S , SO2 , COS or CS2 .
  • Halogen compounds include CF 4 , F 2 , CCl 4 and the like.
  • the carbon-containing substance is a hydrocarbon, a fluorocarbon, an organic compound having a hydroxyl group, a carboxylic acid, a carboxylic acid anhydride, or a carboxylic acid halide.
  • Hydrocarbons are, for example, methane or propylene.
  • a fluorocarbon is for example CF 4 or C 4 F 6 .
  • Organic compounds having a hydroxyl group are, for example, alcohols such as methanol and ethylene glycol, or phenols.
  • Carboxylic acids are, for example, acetic acid or oxalic acid.
  • Silicon-containing substances are, for example, silicon chloride or aminosilanes.
  • the deposition process gas contains a molybdenum-containing material.
  • Deposition process gases include, for example, molybdenum halides. Molybdenum halides are, for example, molybdenum hexafluoride (MoF 6 ) or molybdenum hexachloride (MoCl 6 ).
  • the deposition process gas may further contain noble gases such as argon gas and helium gas.
  • the deposition process gas may further include a hydrogen-containing gas such as H2 gas.
  • the process STc is performed.
  • the first film F1 is formed along the surface of the top deposit TD and the side wall surface SW defining the opening OP, as shown in FIG. 2(c).
  • the first film F1 is a subconformal film.
  • the thickness of the first film F1 decreases along the depth direction of the opening OP.
  • the first film F1 is formed so as to increase the verticality of the sidewall surfaces defining the opening OP in the substrate W after its formation.
  • the first film F1 can be a silicon oxide film, a carbon-containing film or a metal-containing film.
  • the first film F1 may be formed by an unsaturated ALD method or a CVD method.
  • unsaturated ALD method unsaturated atomic layer deposition method
  • a cycle including the first to fourth steps is repeated as in the ALD method.
  • the substrate W is supplied with a first gas (precursor gas).
  • the chamber in which the substrate W is housed is purged.
  • the substrate W is supplied with a second gas (reactive gas).
  • a plasma may be generated from the second gas.
  • the chamber in which the substrate W is housed is purged.
  • the first gas includes, for example, an aminosilane-based gas, SiCl4 gas, or SiF4 gas
  • the second gas includes, for example, an oxygen-containing gas such as O2 gas.
  • Including gas when the first film F1 is a carbon-containing film, the first gas contains, for example, an organic compound gas.
  • Organic compound gases include, for example, epoxides, carboxylic acids, carboxylic acid halides, carboxylic anhydrides, isocyanates and phenols.
  • the second gas is, for example, an inorganic compound gas having an N—H bond, an inert gas, water vapor (H 2 O gas), nitrogen gas, and hydrogen gas. and a mixed gas of hydrogen gas and oxygen gas.
  • the unsaturated ALD method is performed by either the first technique or the second technique.
  • the first method is to adsorb the precursor contained in the first gas to the entire surface of the substrate W in the first step, and prevent the second gas from spreading over the entire surface of the substrate W in the third step. to control the supply of the second gas. That is, the first technique utilizes local reactions.
  • a second method is to adsorb the precursor to only a part of the surface of the substrate W in the first step, and supply the second gas to the entire surface of the substrate W in the third step. That is, the second approach utilizes local adsorption of precursors.
  • the local reaction and local adsorption depend on the temperature of the substrate supporting portion that supports the substrate W, the pressure in the chamber, the flow rate and supply time of the first gas (precursor gas), the second gas (reactive gas). It is performed by controlling one or more of the flow rate and supply time of and processing time. Also, when plasma is used in the unsaturated ALD method, the power level of the RF power supplied for plasma generation may be adjusted.
  • the process STd is performed after the process STc.
  • step STd as shown in FIG. 2D, the precursor is adsorbed on the substrate W, and the precursor on the substrate W is modified to form the second film F2.
  • Modification of the precursor proceeds, for example, by reaction between the precursor derived from the precursor gas and the reactive substance derived from the reactive gas.
  • the second film F2 may be formed on the substrate W by atomic layer deposition (ALD).
  • the second film F2 is conformally formed on the surface of the substrate W.
  • the second film F2 may be a subconformal film. In this case, the thickness of the second film F2 decreases along the depth direction of the opening OP.
  • the second film F2 can be formed by an unsaturated ALD method.
  • the second film F2 is, for example, a tungsten-containing film, a tin-containing film, an aluminum-containing film, or a hafnium-containing film.
  • a cycle including first to fourth steps is repeated.
  • the substrate W is supplied with a first gas (precursor gas).
  • the chamber in which the substrate W is housed is purged.
  • the substrate W is supplied with a second gas (reactive gas).
  • the chamber in which the substrate W is housed is purged.
  • the first gas includes, for example, WF 6 , WCl 5 , and WCl 6
  • the second gas includes, for example, a hydrogen-containing gas and an oxygen-containing gas. including at least one.
  • the hydrogen-containing gas may be, for example, hydrogen gas ( H2 gas).
  • the oxygen-containing gas may be, for example, oxygen gas ( O2 gas).
  • a hydrogen-containing gas may include, for example, nitrogen. Examples of hydrogen-containing gas containing nitrogen include ammonia gas and mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas.
  • the first gas includes, for example, SnCl 4 , SnBr 4 and SnI 4
  • the second gas includes, for example, the hydrogen-containing gas and the oxygen-containing gas.
  • the first gas contains trimethylaluminum gas, for example, and the second gas contains water vapor (H 2 O gas), for example.
  • the first gas contains HfCl4 , for example, and the second gas contains water vapor ( H2O gas), for example.
  • the process STbt is performed between the process STd and the process STe.
  • step STbt as shown in FIG. 3A, the second film F2 is partially removed. That is, the second film F2 is removed on the first region R1, that is, on the bottom of the opening OP.
  • a recess may be formed in the first region R1 by etching the first region R1.
  • the second film F2 may be partially removed by generating plasma from the removing gas.
  • the removing gas contains, for example, fluorocarbon gas.
  • the removal gas includes, for example, a hydrogen-containing gas (such as hydrogen gas).
  • the removal gas is, for example, a halogen-containing gas ( BCl3 gas, Cl2 gas) and an oxygen-containing gas ( O2 gas, CO gas, CO 2 gas, N 2 O gas).
  • a bias signal such as a bias RF signal or a pulsed DC signal may be supplied to the substrate supporting portion that supports the substrate W within the chamber 10 . If the second film F2 is a subconformal film, the step STbt may not be performed because the second film F2 is not formed on the bottom of the opening OP.
  • the process STe is performed after the process STd.
  • the first region R1 is etched as shown in FIG. 3(b).
  • the first region R1 may be etched by generating plasma from the etching gas.
  • the etching gas may contain a halogen-containing gas such as HBr or Cl2 gas.
  • the etching gas may be a fluorocarbon gas, a hydrofluorocarbon gas, a nitrogen trifluoride gas, or a hexafluorocarbon gas.
  • the etching gas may contain one or more fluorine-containing gases, such as sulfur fluoride gas.
  • the etching gas may contain an oxygen-containing gas such as O2 gas.
  • the etching gas may contain N2 gas and H2 gas.
  • a bias signal such as a bias RF signal or a pulsed DC signal may be supplied to the substrate support that supports the substrate W within the chamber 10 .
  • the top deposit TD is preferentially formed on the top TP of the second region R2 to increase the thickness of the region providing the opening over the first region R1.
  • the first film F1 and the second film F2 increase the verticality of the side wall surfaces that define the opening OP. Therefore, according to the method MT, the shape of the region providing the opening OP in the substrate W is adjusted. Further, in the method MT, the etching resistance of the mask in the etching of the first region R1 in the step STe is enhanced by the top deposit TD and the second film F2.
  • a plasma processing apparatus and a substrate processing system according to various exemplary embodiments used in the method MT will be described below.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of a plasma processing system.
  • a plasma processing system includes a plasma processing apparatus 1 and a controller 2 .
  • the plasma processing system is an example of a substrate processing system
  • the plasma processing apparatus 1 is an example of a substrate processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10 , a substrate support section 11 and a plasma generation section 12 .
  • Plasma processing chamber 10 has a plasma processing space.
  • the plasma processing chamber 10 also has at least one gas inlet for supplying at least one process gas to the plasma processing space and at least one gas outlet for exhausting gas from the plasma processing space.
  • the gas supply port is connected to a gas supply section 20, which will be described later, and the gas discharge port is connected to an exhaust system 40, which will be described later.
  • the substrate support 11 is arranged in the plasma processing space and has a substrate support surface for supporting the substrate.
  • the plasma generation unit 12 is configured to generate plasma from at least one processing gas supplied into the plasma processing space.
  • the plasma formed in the plasma processing space includes capacitively coupled plasma (CCP), inductively coupled plasma (ICP), ECR plasma (Electron-Cyclotron-resonance plasma), helicon wave excited plasma (HWP). Wave Plasma), surface wave plasma (SWP: Surface Wave Plasma), or the like.
  • various types of plasma generators may be used, including AC (Alternating Current) plasma generators and DC (Direct Current) plasma generators.
  • the AC signal (AC power) used in the AC plasma generator has a frequency within the range of 100 kHz to 10 GHz. Therefore, AC signals include RF (Radio Frequency) signals and microwave signals.
  • the RF signal has a frequency within the range of 100 kHz-150 MHz.
  • the controller 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various steps described in this disclosure. Controller 2 may be configured to control elements of plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the controller 2 may be included in the plasma processing apparatus 1 .
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a storage unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is implemented by, for example, a computer 2a.
  • Processing unit 2a1 can be configured to perform various control operations by reading a program from storage unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the storage unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when necessary.
  • the acquired program is stored in the storage unit 2a2, read from the storage unit 2a2 and executed by the processing unit 2a1.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the storage unit 2a2 may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination thereof.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a configuration example of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the capacitively coupled plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply section 20, a power supply 30 and an exhaust system 40. Further, the plasma processing apparatus 1 includes a substrate support section 11 and a gas introduction section. The gas introduction is configured to introduce at least one process gas into the plasma processing chamber 10 .
  • the gas introduction section includes a showerhead 13 .
  • a substrate support 11 is positioned within the plasma processing chamber 10 .
  • the showerhead 13 is arranged above the substrate support 11 . In one embodiment, showerhead 13 forms at least a portion of the ceiling of plasma processing chamber 10 .
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10 s defined by a showerhead 13 , side walls 10 a of the plasma processing chamber 10 and a substrate support 11 . Plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the showerhead 13 and substrate support 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10 .
  • the substrate support section 11 includes a body section 111 and a ring assembly 112 .
  • the body portion 111 has a central region 111 a for supporting the substrate W and an annular region 111 b for supporting the ring assembly 112 .
  • a wafer is an example of a substrate W;
  • the annular region 111b of the body portion 111 surrounds the central region 111a of the body portion 111 in plan view.
  • the substrate W is arranged on the central region 111 a of the main body 111
  • the ring assembly 112 is arranged on the annular region 111 b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111 a of the main body 111 .
  • the central region 111a is also referred to as a substrate support surface for supporting the substrate W
  • the annular region 111b is also referred to as a ring support surface for supporting the ring assembly 112.
  • the body portion 111 includes a base 1110 and an electrostatic chuck 1111 .
  • Base 1110 includes a conductive member.
  • a conductive member of the base 1110 can function as a bottom electrode.
  • An electrostatic chuck 1111 is arranged on the base 1110 .
  • the electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member 1111a and an electrostatic electrode 1111b disposed within the ceramic member 1111a.
  • Ceramic member 1111a has a central region 111a. In one embodiment, the ceramic member 1111a also has an annular region 111b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 1111, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may have the annular region 111b.
  • the ring assembly 112 may be placed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be placed on both the electrostatic chuck 1111 and the annular insulating member.
  • at least one RF/DC electrode coupled to an RF power source 31 and/or a DC power source 32, described below, may be disposed within the ceramic member 1111a.
  • at least one RF/DC electrode functions as the bottom electrode. If a bias RF signal and/or a DC signal, described below, is applied to at least one RF/DC electrode, the RF/DC electrode is also called a bias electrode.
  • the conductive member of the base 1110 and at least one RF/DC electrode may function as a plurality of lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 1111b may function as a lower electrode. Accordingly, the substrate support 11 includes at least one bottom electrode.
  • Ring assembly 112 includes one or more annular members.
  • the one or more annular members include one or more edge rings and at least one cover ring.
  • the edge ring is made of a conductive material or an insulating material
  • the cover ring is made of an insulating material.
  • the substrate supporter 11 may include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 112, and the substrate to a target temperature.
  • the temperature control module may include heaters, heat transfer media, channels 1110a, or combinations thereof.
  • channels 1110 a are formed in base 1110 and one or more heaters are positioned in ceramic member 1111 a of electrostatic chuck 1111 .
  • the substrate support 11 may also include a heat transfer gas supply configured to supply a heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a.
  • the showerhead 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the showerhead 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas introduction ports 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s through a plurality of gas introduction ports 13c.
  • showerhead 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas introduction part may include one or more side gas injectors (SGI: Side Gas Injector) attached to one or more openings formed in the side wall 10a.
  • SGI Side Gas Injector
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22 .
  • gas supply 20 is configured to supply at least one process gas from respective gas sources 21 through respective flow controllers 22 to showerhead 13 .
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure controlled flow controller.
  • gas supply 20 may include at least one flow modulation device for modulating or pulsing the flow rate of at least one process gas.
  • Power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • RF power supply 31 can function as at least part of the plasma generator 12 .
  • a bias RF signal to at least one lower electrode, a bias potential is generated in the substrate W, and ion components in the formed plasma can be drawn into the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generator 31a and a second RF generator 31b.
  • the first RF generator 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency within the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generator 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies.
  • One or more source RF signals generated are provided to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode.
  • the second RF generator 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency lower than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency within the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generator 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • One or more bias RF signals generated are provided to at least one bottom electrode. Also, in various embodiments, at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • Power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to plasma processing chamber 10 .
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to the at least one bottom electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first DC signal is applied to at least one bottom electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to the at least one top electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to at least one top electrode.
  • the first and second DC signals may be pulsed.
  • a sequence of voltage pulses is applied to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode.
  • the voltage pulses may have rectangular, trapezoidal, triangular, or combinations thereof pulse waveforms.
  • a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from a DC signal is connected between the first DC generator 32a and the at least one bottom electrode. Therefore, the first DC generator 32a and the waveform generator constitute a voltage pulse generator.
  • the second DC generator 32b and the waveform generator constitute a voltage pulse generator, the voltage pulse generator is connected to at least one upper electrode.
  • the voltage pulse may have a positive polarity or a negative polarity.
  • the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses in one cycle.
  • the first and second DC generators 32a and 32b may be provided in addition to the RF power supply 31, and the first DC generator 32a may be provided instead of the second RF generator 31b. good.
  • the exhaust system 40 may be connected to a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10, for example.
  • Exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump.
  • the pressure regulating valve regulates the pressure in the plasma processing space 10s.
  • Vacuum pumps may include turbomolecular pumps, dry pumps, or combinations thereof.
  • All steps of the method MT can be performed in the plasma processing apparatus 1.
  • Each step of the method MT can be brought about by controlling each part of the plasma processing apparatus 1 by the controller 2 .
  • step STa the substrate W is placed on the substrate supporting portion 11 .
  • Gases used in each of steps STb to STe of method MT are supplied from gas supply unit 20 into chamber 10 .
  • the pressure in chamber 10 is adjusted to a specified pressure by exhaust system 40 .
  • the plasma is generated in the chamber 10 in each of the steps STb to STe of the method MT, the plasma is generated by the plasma generator 12 .
  • plasma is generated by supplying a source RF signal from the first RF generator 31a.
  • the bias signal is supplied from at least one of the second RF generator 31b and the first DC generator 32a. supplied to at least one bottom electrode.
  • the bias signal is at least one of a bias RF signal and a pulsed first DC signal.
  • FIG. 6 is a diagram of a substrate processing system according to one exemplary embodiment.
  • the substrate processing system PS shown in FIG. 6 can be used in method MT.
  • the substrate processing system PS includes tables LP1 to LP4, containers FP1 to FP4, a loader module LM, an aligner AN, load lock modules LL1 and LL2, process modules PM1 to PM6, a transfer module TM, and a controller MC.
  • the number of tables, the number of containers, and the number of load lock modules in the substrate processing system PS may be one or more.
  • the number of process modules in the substrate processing system PS may be any number of two or more.
  • the platforms LP1-LP4 are arranged along one edge of the loader module LM. Each of the platforms LP1-LP4 is, for example, a load port. Containers FP1-FP4 are mounted on platforms LP1-LP4, respectively. Each of the containers FP1 to FP4 is, for example, a container called a FOUP (Front Opening Unified Pod). Each of the containers FP1-FP4 is configured to accommodate a substrate W therein.
  • FOUP Front Opening Unified Pod
  • the loader module LM has a chamber. The pressure inside the chamber of the loader module LM is set to atmospheric pressure.
  • the loader module LM has a transport device TU1.
  • the transport device TU1 is, for example, a transport robot, and is controlled by the controller MC.
  • the transport device TU1 is configured to transport the substrate W through the chamber of the loader module LM.
  • the transport device TU1 is arranged between each of the containers FP1 to FP4 and the aligner AN, between the aligner AN and each of the load lock modules LL1 and LL2, and between each of the load lock modules LL1 and LL2 and each of the containers FP1 to FP4. In between, a substrate W may be transported.
  • the aligner AN is connected to the loader module LM.
  • the aligner AN is configured to adjust the position and/or orientation of the substrate W (position calibration).
  • Each of the load lock module LL1 and the load lock module LL2 is provided between the loader module LM and the transport module TM.
  • Each of load lock module LL1 and load lock module LL2 provides a pre-decompression chamber.
  • the transport module TM is connected to each of the load lock module LL1 and the load lock module LL2 via gate valves.
  • the transfer module TM has a transfer chamber TC whose internal space is configured to be decompressible.
  • the transport module TM has a transport device TU2.
  • the transport device TU2 is, for example, a transport robot, and is controlled by the controller MC.
  • the transport device TU2 is configured to transport the substrate W through the transport chamber TC.
  • the transport device TU2 can transport substrates W between each of the load lock modules LL1 and LL2 and each of the process modules PM1 to PM6 and between any two process modules among the process modules PM1 to PM6. .
  • Each of the process modules PM1 to PM6 is an apparatus configured to perform dedicated substrate processing.
  • Each of the process modules PM1-PM6 may be a plasma processing apparatus like the plasma processing apparatus 1.
  • FIG. The plasma generated by the plasma generator of each of the process modules PM1-PM6 may be capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, ECR plasma, helicon wave excited plasma, surface wave plasma, or the like.
  • the controller MC is configured to control each part of the substrate processing system PS.
  • the control unit MC can be a computer including a processor, storage device, input device, display device, and the like.
  • the controller MC executes a control program stored in the storage device and controls each part of the substrate processing system PS based on the recipe data stored in the storage device.
  • Each step of the method MT can be brought about by controlling each part of the substrate processing system PS by the control part MC.
  • the substrate W may be transported by the transport apparatus TU1 and the transport apparatus TU2 to one of the process modules PM1 to PM6 used in the process STb.
  • the process STb, the process STc, and the process STd may be performed in one of the process modules PM1 to PM6.
  • the process STbt and the process STe may be performed in another one of the process modules PM1 to PM6, or in two different process modules.
  • the step STb may be performed in one process module among the process modules PM1 to PM6, and the step STc and the step STd may be performed in another one of the process modules PM1 to PM6. may be broken. In this case, the process STbt and the process STe may be performed in another one of the process modules PM1 to PM6, or in two different process modules.
  • the process STb, the process STc, and the process STd may each be performed in three process modules out of the process modules PM1 to PM6.
  • the process STbt and the process STe may be performed in another one of the process modules PM1 to PM6, or in two different process modules.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment.
  • the plasma processing apparatus 1 of FIG. 5 may further include an optical observation device OC.
  • Optical viewing device OC may include a chamber communicable with plasma processing chamber 10 .
  • the substrate W can be moved between the plasma processing chamber 10 and the chamber of the optical observation apparatus OC by a transfer robot.
  • the substrate W is accommodated in the chamber of the optical observation device OC by the transport robot, and alignment of the substrate W can be performed in the chamber of the optical observation device OC.
  • the optical observation device OC can measure the dimension (CD: Critical Dimension) of the recess RS (see FIG. 10) of the substrate W.
  • the optical observation device OC may measure the thickness of the protective film PR of the substrate W (see FIG. 12). Measurement results can be transmitted from the optical observation device OC to the control unit 2 .
  • FIG. 8 is a flowchart of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • An etching method MT1 (hereinafter referred to as "method MT1") shown in FIG. 8 can be performed by the plasma processing apparatus 1 of the above embodiment.
  • Method MT1 may be applied to substrate W.
  • Method MT1 is an example of a substrate processing method.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of an example substrate to which the method of FIG. 8 can be applied.
  • the substrate W has a film to be etched RE and a mask MK over the film to be etched RE.
  • the etching target film RE may be provided on the base film UR1.
  • the mask MK may have at least one opening OP1.
  • the etching target film RE may include at least one of a silicon-containing film and an organic film.
  • the silicon-containing film may include at least one of a silicon film, a silicon germanium film, a silicon oxide film and a silicon nitride film.
  • the silicon-containing film may be a laminated film in which a silicon oxide film and a silicon nitride film are alternately laminated.
  • the organic film may be an amorphous carbon film.
  • the etching target film RE may be a film for memory devices such as DRAM or 3D-NAND.
  • the mask MK may contain at least one of a silicon-containing substance, an organic substance, and a metal.
  • the silicon-containing material may include polysilicon.
  • the organic material may include at least one of photoresist and SOC (Spin On Carbon).
  • the etching target layer RE includes a silicon-containing layer
  • the mask MK may include at least one of a second silicon-containing material different from the first silicon-containing material forming the silicon-containing layer, an organic material, and a metal.
  • the mask MK may include at least one of a silicon-containing material, a second organic layer different from the first organic layer forming the organic layer, and a metal.
  • the base film UR1 may contain a material different from that of the etching target film RE.
  • the underlayer UR1 may include at least one of a silicon-containing film, an organic film, and a metal-containing film.
  • FIGS. 10-13 are cross-sectional views showing one step of an etching method according to one exemplary embodiment.
  • the method MT1 can be executed in the plasma processing apparatus 1 by controlling each section of the plasma processing apparatus 1 by the control unit 2 .
  • a substrate W on a substrate support 11 (substrate supporter) placed in a plasma processing chamber 10 is processed.
  • method MT1 may include steps ST1 to ST7. Steps ST1 to ST7 may be performed in order. Method MT1 may not include at least one of step ST2, step ST3, step ST6, and step ST7. Step ST5 may be performed after step ST3 and before step ST4.
  • a substrate W shown in FIG. 9 is provided.
  • a substrate W may be provided in the plasma processing chamber 10 .
  • a substrate W may be supported by a substrate support 11 within the plasma processing chamber 10 .
  • the etching target film RE is etched by the first plasma PL1 generated from the first processing gas to form the recesses RS.
  • the recess RS may correspond to the opening OP1 of the mask MK.
  • the dimension of the recess RS at the upper end of the recess RS may be 100 nm or less.
  • the dimensions of the recess RS may gradually decrease from the top to the bottom of the recess RS.
  • the aspect ratio of the recess RS may be 5 or more.
  • the bottom of the recess RS may or may not reach the base film UR1.
  • the recess RS may be an opening.
  • the first processing gas may include a halogen-containing gas.
  • the halogen-containing gas may include at least one of fluorine-containing gas and chlorine-containing gas.
  • the etching target film RE may contain a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the etching target film RE may contain a silicon film or a silicon germanium film.
  • fluorine- containing gases include fluorocarbon ( CxFy ) gas, hydrofluorocarbon ( CxHyFz ) gas and nitrogen trifluoride ( NF3 gas). x, y and z are natural numbers.
  • the first process gas may contain an oxygen-containing gas.
  • the first processing gas may include an oxygen-containing gas.
  • oxygen-containing gases include oxygen gas, carbon monoxide gas, carbonyl sulfide (COS) gas and sulfur oxide ( SO2 ) gas.
  • the process ST2 can be performed as follows. First, the gas supply unit 20 supplies the first processing gas into the plasma processing chamber 10 . Next, the plasma generator 12 generates the first plasma PL1 from the first processing gas in the plasma processing chamber 10 . The control unit 2 controls the gas supply unit 20 and the plasma generation unit 12 so that the etching target film RE is etched by the first plasma PL1 to form the recess RS.
  • the process ST2 may be performed simultaneously with the process ST1.
  • the base film UR1 constitutes a first region.
  • the etching target layer RE and the mask MK constitute a second region.
  • the opening OP1 (first opening) of the mask MK and the recess RS (second opening) of the etching target film RE constitute the opening OP.
  • step ST3 deposits adhering to the mask MK in step ST2 are removed by the fourth plasma generated from the fourth processing gas.
  • the film to be etched RE includes a silicon-containing film
  • the deposits may contain fluorine and carbon.
  • the fourth process gas may contain an oxygen-containing gas. Examples of oxygen-containing gases include oxygen gas. If the etching target film RE includes an organic film, the deposit may not adhere to the mask MK in step ST2. In this case, step ST3 may be omitted.
  • the process ST3 can be performed as follows. First, the gas supply unit 20 supplies the fourth processing gas into the plasma processing chamber 10 . Next, the fourth plasma is generated from the fourth processing gas in the plasma processing chamber 10 by the plasma generator 12 . The control unit 2 controls the gas supply unit 20 and the plasma generation unit 12 so as to remove deposits adhering to the mask MK with the fourth plasma.
  • a deposit DP is formed on the upper surface MKt of the mask MK by the second plasma PL2 generated from the second processing gas.
  • the deposit DP may not be formed on the side walls of the opening OP1 of the mask MK.
  • Deposits DP are top deposits preferentially formed on top of mask MK.
  • the deposit DP may contain at least one of silicon, carbon, boron and metal.
  • metals include titanium, tungsten and tin.
  • the second process gas may include at least one of a silicon-containing gas, a carbon-containing gas, a boron-containing gas, and a metal-containing gas.
  • silicon-containing gases include SiCl4 gas, SiF4 gas and Si2Cl6 gas.
  • carbon - containing gases include hydrocarbon gases such as CH4 gas, C2H2 gas or C3H6 gas.
  • boron-containing gases include BCl3 gas.
  • the metal-containing gas may include at least one of a tungsten-containing gas and a tin-containing gas. Examples of tungsten-containing gases include tungsten hexafluoride (WF 6 ) gas.
  • tin-containing gases examples include TDMASn (tetrakisdimethylaminotin (IV)) gas, SnCl4 gas, SnBr4 gas and SnI4 gas.
  • the second process gas may include hydrogen gas.
  • the second process gas may contain a noble gas.
  • the process ST4 can be performed as follows. First, the gas supply unit 20 supplies the second processing gas into the plasma processing chamber 10 . Next, the plasma generator 12 generates the second plasma PL2 from the second processing gas in the plasma processing chamber 10 . The control unit 2 controls the gas supply unit 20 and the plasma generation unit 12 so that the deposit DP is formed on the upper surface MKt of the mask MK by the second plasma PL2.
  • a protective film PR is formed on the sidewall RSa of the recess RS.
  • the protective film PR may also be formed on the sidewalls of the opening OP1.
  • the protective film PR may also be formed on the upper surface DPt of the deposit DP.
  • the protective film PR may also be formed on the side surfaces of the deposit DP.
  • the protective film PR may have a first thickness at the top surface DPt of the deposit DP.
  • the protective film PR may have a second thickness at the sidewall RSa of the recess RS. The second thickness is less than the first thickness.
  • the thickness of the protective film PR may gradually decrease from the upper surface DPt of the deposit DP toward the bottom of the recess RS.
  • the protective film PR is a non-conformal film (sub-conformal film).
  • the protective film PR may not be formed on the bottom of the recess RS.
  • the protective film PR can be formed on the upper surface MKt of the mask MK.
  • the deposit DP can be formed on the protective film PR on the upper surface MKt of the mask MK.
  • the protective film PR may contain the same material as the deposit DP, or may contain a material different from the deposit DP.
  • the protective film PR may include at least one of a silicon-containing film, an organic film, and a metal-containing film.
  • the silicon-containing film may include at least one of a silicon oxide film and a silicon nitride film.
  • the protective film PR may be formed using the fifth processing gas.
  • the fifth process gas may include at least one of a silicon-containing gas, a carbon-containing gas, and a metal-containing gas.
  • the protective film PR can be formed by ALD or CVD.
  • ALD methods include thermal ALD and PE (Plasma Enhanced)-ALD.
  • the step ST5 includes an adsorption step of supplying the precursor (fifth processing gas) to the sidewall RSa of the recess RS and an activation step of activating the adsorbed precursor. Activation may be performed by a plasma generated from the process gas. The adsorption and activation steps can be alternately repeated. A purge step may be performed between the adsorption step and the activation step.
  • the thickness of the protective film PR may be adjusted by controlling the precursor not to adhere to a portion of the surface of the substrate W (for example, the bottom of the recess) in the adsorption step.
  • the adsorption position can be controlled by forming a factor that inhibits adsorption of the precursor on a part of the substrate W surface.
  • the thickness of the protective film PR may be adjusted by controlling the plasma not to reach a part of the surface of the substrate W (for example, the bottom of the recess).
  • a silicon-containing gas is used as a precursor in the adsorption step.
  • examples of silicon-containing gas include aminosilane gas, SiCl4 gas and SiF4 gas.
  • An oxygen-containing gas is used as the process gas in the activation process. Examples of oxygen-containing gases include oxygen gas.
  • examples of silicon-containing gas include aminosilane gas, SiCl4 gas, dichlorosilane gas and hexachlorodisilane gas.
  • a nitrogen-containing gas is used as the process gas in the activation process. Examples of nitrogen-containing gases include nitrogen gas and ammonia gas.
  • an organic gas is used as a precursor in the adsorption step.
  • organic gases include epoxides, carboxylic acids, carboxylic acid halides, carboxylic anhydrides, isocyanates and phenols.
  • gases are used as process gases in the activation process.
  • examples of various gases include an inorganic compound gas having an NH bond, an inert gas, water vapor (H 2 O gas), a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas, and a mixed gas of hydrogen gas and oxygen gas. include.
  • the metal-containing gas may contain at least one of oxygen-containing metal compounds, nitrogen-containing metal compounds, sulfur-containing metal compounds and metal halides.
  • metal halides include TiCl4 , WF6 , WCl5 , WCl6 , SnCl4 , SnBr4 and SnI4 .
  • At least one of a hydrogen-containing gas and an oxygen-containing gas is used as the process gas in the activation process.
  • a hydrogen-containing gas is used, the protective film PR becomes a metal-containing film.
  • the oxygen-containing gas is used, the protective film PR becomes a metal oxide film.
  • the hydrogen-containing gas may contain nitrogen. In this case, the protective film PR becomes a metal nitride film.
  • hydrogen-containing gas containing nitrogen include ammonia gas, mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas.
  • the process ST5 can be performed as follows. First, the gas supply unit 20 supplies the fifth processing gas into the plasma processing chamber 10 . Next, plasma is generated from the processing gas in the plasma processing chamber 10 by the plasma generator 12 . The control unit 2 controls the gas supply unit 20 and the plasma generation unit 12 so as to form the protective film PR on the sidewall RSa of the recess RS by plasma.
  • step ST6 the recess RS is etched by the third plasma PL3 generated from the third processing gas.
  • the protective film PR, deposit DP and mask MK may also be etched.
  • the sidewall RSa of the recess RS is mainly etched in step ST6. In this case, etching progresses in the lateral direction, so the dimension of the recess RS increases.
  • the bottom of the recess RS does not reach the base film UR1 in step ST2, the bottom of the recess RS is mainly etched in step ST6. In this case, since etching proceeds in the vertical direction, the depth of the recess RS increases.
  • the dimensions of the recess RS (opening OP) may be measured by the optical observation device OC or calculated from the SEM image.
  • the third processing gas may contain the same gas as the first processing gas.
  • the third processing gas may include a halogen-containing gas.
  • the third processing gas may include an oxygen-containing gas.
  • the process ST6 can be performed as follows. First, the gas supply unit 20 supplies the third processing gas into the plasma processing chamber 10 . Next, the plasma generator 12 generates the third plasma PL3 from the third processing gas in the plasma processing chamber 10 . The control unit 2 controls the gas supply unit 20 and the plasma generation unit 12 so as to etch the recess RS with the third plasma PL3.
  • step ST7 steps ST3 to ST6 are repeated.
  • the mask MK is protected by the deposit DP formed on the upper surface MKt of the mask MK when the recess RS is etched in the process ST6. Therefore, a high etching selectivity with respect to the mask MK is obtained when etching the recess RS in step ST6.
  • the side wall RSa of the recess RS is protected by the protective film PR, etching of the side wall RSa of the recess RS in step ST6 can be suppressed. Therefore, the shape abnormality (bowing) of the concave portion RS can be suppressed.
  • the protective film PR When the protective film PR is formed on the upper surface DPt of the deposit DP, the protective film PR protects the deposit DP and the mask MK. Therefore, when etching the recess RS, a higher etching selectivity with respect to the mask MK can be obtained.
  • the protective film PR may have a first thickness on the top surface DPt of the deposit DP and a second thickness on the sidewall RSa of the recess RS, and the second thickness may be smaller than the first thickness. In this case, the protective film PR can protect the deposit DP and the mask MK while suppressing the clogging of the recess RS.
  • the deposit DP can be formed on the upper surface MKt of the mask MK with the deposit removed.
  • the etching amount of the recess RS can be increased.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of an example substrate with deposits including a first deposit and a second deposit.
  • the deposit DP may include a first deposit DP1 formed on the upper surface MKt of the mask MK and a second deposit DP2 formed on the first deposit DP1.
  • the second deposit DP2 may contain a different material than the first deposit DP1. Examples of materials for the first deposit DP1 and the second deposit DP2 are the same as those for the deposit DP.
  • the first deposit DP1 may contain carbon and the second deposit DP2 may contain tungsten.
  • the material of the first deposit DP1 and the material of the second deposit DP2 are determined in consideration of the materials of the etching target film RE and the mask MK. A suitable combination can be selected.
  • first experiment In the first experiment, a substrate W having a film to be etched RE and a mask MK was prepared.
  • the etching target film RE has a SiO 2 film and a SiN film on the SiO 2 film.
  • a mask MK is provided on the SiN film.
  • Mask MK includes polysilicon.
  • the substrate W was provided in the plasma processing chamber 10 of the plasma processing apparatus 1 (step ST1).
  • step ST2 the SiN film and the SiO 2 film were etched by the first plasma PL1 generated from the first processing gas containing the fluorocarbon gas to form the recesses RS.
  • deposits adhering to the mask MK were removed by a fourth plasma generated from a fourth processing gas containing oxygen gas (step ST3).
  • Deposits contain carbon and fluorine.
  • a deposit DP was formed on the upper surface MKt of the mask MK by a second plasma PL2 generated from a second processing gas containing SiCl 4 gas, hydrogen gas, and argon gas (step ST4).
  • the deposit DP contains silicon.
  • a silicon-containing gas was adsorbed on the side wall RSa of the recess RS, and a protective film PR was formed on the side wall RSa of the recess RS by plasma generated from the processing gas containing the oxygen-containing gas (step ST5).
  • the protective film PR was also formed on the upper surface of the deposit DP.
  • the protective film PR was a silicon-containing film.
  • the protective film PR was formed by the ALD method.
  • the protective film PR had a first thickness on the upper surface DPt of the deposit DP and a second thickness on the sidewall RSa of the recess RS. The second thickness is less than the first thickness.
  • the recesses RS were etched with a third plasma PL3 generated from a third processing gas containing fluorocarbon gas (step ST6).
  • steps ST3 to ST6 were repeated (step ST7).
  • step ST4 was not performed. Therefore, no deposit DP is formed.
  • FIG. 15 is a diagram showing examples of cross sections of the substrate before and after deposits are formed in the first to fourth experiments.
  • BF shows an example of a cross-section of the substrate before deposits were formed in Experiments 1-4.
  • EX1-EX4 respectively show examples of cross-sections of the substrates after deposits were formed in the first to fourth experiments.
  • the thickness of the deposit DP was 41 nm.
  • the thickness of the deposit DP was 40 nm.
  • the thickness of the deposit DP was 44 nm.
  • the thickness of deposit DP was 48 nm.
  • the thickness of the deposit DP did not change even when the protective film PR was formed in step ST5.
  • the thickness of the deposit DP was 22 nm. It is presumed that this is because the deposit DP is etched by plasma generated from oxygen gas in the activation process when the protective film PR is formed by the ALD method.
  • FIG. 16 is a graph showing examples of the dimensions and depths of the recesses before and after the protective film was formed in the first to fifth experiments.
  • FIG. 16(a) shows the graph of the fifth experiment.
  • FIG. 16(b) shows the graph of the first experiment.
  • FIG. 16(c) shows the graph of the second experiment.
  • FIG. 16(d) shows the graph of the third experiment.
  • FIG. 16(e) shows the graph of the fourth experiment.
  • the vertical axis indicates the depth of the recess RS.
  • the depth range of 0-0.3 ⁇ m corresponds to the mask MK.
  • the depth range of 0.3-0.5 ⁇ m corresponds to the SiN film.
  • the depth range of 0.5-2.0 ⁇ m corresponds to the SiO 2 film.
  • the horizontal axis indicates the dimension (CD: Critical Dimension) of the recess RS.
  • the depth and dimensions of the recess RS can be calculated from the SEM image.
  • a dashed-dotted line RF1 indicates the dimension of the recess RS before the protective film PR is formed.
  • Solid lines E1 to E5 indicate the dimensions of the recess RS after the protective film PR is formed in the first to fifth experiments, respectively. From each graph, it can be seen that the dimension of the recess RS becomes smaller due to the protective film PR.
  • the thickness of the protective film PR is almost the same as in the fifth experiment.
  • the thickness of the protective film PR is smaller in the third experiment than in the fifth experiment.
  • the thickness of the protective film PR is smaller than in the third experiment. Since the opening OP1 of the mask MK is narrowed by the deposit DP, it becomes difficult to form the protective film PR in the recess RS, so it is presumed that the thickness of the protective film PR is reduced. However, the thickness of the protective film PR is not reduced in the second experiment. It is presumed that this is because the opening OP1 of the mask MK is difficult to narrow because the thickness of the deposit DP is small.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of a cross section of the substrate after etching in the first to fifth experiments.
  • EX1 to EX5 show examples of cross sections of substrates after etching in the first to fifth experiments, respectively.
  • the residual thickness of mask MK was 208 nm.
  • the residual thickness of mask MK was 218 nm.
  • the residual thickness of mask MK was 231 nm.
  • the residual thickness of mask MK was 230 nm.
  • the residual thickness of mask MK was 263 nm.
  • the remaining thickness of the mask MK was larger than in the fifth experiment.
  • the remaining thickness of the mask MK was larger than in the first experiment.
  • the remaining thickness of the mask MK was larger than in the second and third experiments. As the remaining thickness of the mask MK increases, the etching selectivity with respect to the mask MK increases.
  • FIG. 18 is a graph showing examples of dimensions and depths of recesses before and after etching in the first to fifth experiments.
  • FIG. 18(a) shows the graph of the fifth experiment.
  • FIG. 18(b) shows the graph of the first experiment.
  • FIG. 18(c) shows the graph of the second experiment.
  • (d) of FIG. 18 shows the graph of the third experiment.
  • FIG. 18(e) shows the graph of the fourth experiment.
  • the vertical axis indicates the depth of the recess RS.
  • the depth range of 0-0.3 ⁇ m corresponds to the mask MK.
  • the depth range of 0.3-0.5 ⁇ m corresponds to the SiN film.
  • the depth range of 0.5-2.0 ⁇ m corresponds to the SiO 2 film.
  • the horizontal axis indicates the dimensions of the recess RS.
  • the dashed-dotted line RF2 indicates the dimension of the recess RS before etching.
  • Solid lines E11 to E15 indicate the dimensions of the recesses RS after etching in the first to fifth experiments, respectively. From each graph, it can be seen that etching increases the dimension of the recess RS.
  • the dimension of the recess RS at the maximum point P1 at the deep position and the dimension of the recess RS at the maximum point P2 at the shallow position difference BB was 13 nm.
  • the difference BB was similarly calculated for the first to fourth experiments. In the first to fourth experiments, the difference BB was 9.3 nm, 9.9 nm, 9.6 nm and 10.0 nm respectively after etching was performed. Therefore, it can be seen that in the first to fourth experiments, the degree of bowing after etching is smaller than in the fifth experiment.
  • FIG. 19 is a graph showing examples of etching rates normalized in the first to fifth experiments.
  • the vertical axis indicates the etching rate normalized by setting the etching rate of the mask MK in the fifth experiment to 1.
  • the etching rates of the first to fourth experiments are calculated by dividing the total etching amount of the deposit DP and the mask MK by the etching time. From the graph, it can be seen that the etching resistance of the deposit DP of the fourth experiment is higher than that of the deposit DP of the second experiment. It can be seen that the etching resistance of the deposit DP of the second experiment is higher than that of the deposit DP of the third experiment. It can be seen that the etching resistance of the deposit DP of the third experiment is higher than that of the deposit DP of the first experiment.
  • [E1] (a) providing a substrate, the substrate having a first region and a second region overlying the first region and providing an opening over the first region; and (b) forming a top deposit preferentially on top of said second region using a gas-generated plasma; (c) forming a first film having a decreasing thickness along the depth of the opening on the surface of the top deposit and on sidewall surfaces defining the opening; (d) after (c), forming a second film on the substrate by adsorbing a precursor onto the substrate and modifying the precursor on the substrate; including wherein the first region is a silicon-containing film and the top deposit contains carbon, boron, or metal, or the first region is an organic film and the top deposit contains boron or metal; Substrate processing method.
  • the first film is formed so as to increase the verticality of sidewall surfaces defining the opening in the substrate after the formation thereof, any one of [E1] to [E3].
  • the first region according to any one of [E1] to [E9], wherein the first region is a silicon film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a laminated film containing a silicon oxide film and a silicon nitride film, or an amorphous carbon film.
  • the control unit controls the gas supply unit and the plasma generation unit to (e) after (d), etching the first region;
  • the plasma processing apparatus of [E11] further configured to provide:
  • the control unit controls the plurality of process modules and the transfer module to (a) providing a substrate, the substrate having a first region and a second region overlying the first region and providing an opening over the first region; and (b) forming a top deposit preferentially on top of said second region using a first plasma generated from a first gas; (c) forming a first film having a decreasing thickness along the depth of the opening on the surface of the top deposit and on sidewall surfaces defining the opening; (d) after (c), forming a second film on the substrate by adsorbing a precursor onto the substrate and modifying the precursor on the substrate; is configured to provide wherein the first region is a silicon-containing film and the top deposit contains carbon, boron,
  • control unit controls at least one of the plurality of process modules and the transfer module to (e) after (d), etching the first region;
  • [E15] (a) providing a substrate having a film to be etched and a mask on the film to be etched; (b) after (a), etching the etching target film with a first plasma generated from a first process gas to form a recess; (c) after (b), forming a deposit on the upper surface of the mask with a second plasma generated from a second process gas; (d) forming a protective film on the sidewall of the recess after (b); (e) after (c) and (d), etching the recess with a third plasma generated from a third process gas;
  • a method of etching comprising:
  • the mask is protected by deposits formed on the upper surface of the mask when etching the concave portion. Therefore, when etching the concave portion, a high etching selectivity with respect to the mask can be obtained.
  • deposits can be formed on the upper surface of the mask with the deposits removed.
  • the film to be etched comprises a silicon-containing film;
  • the film to be etched includes an organic film;
  • the etching amount of the concave portion can be increased.
  • the deposits include a first deposit formed on the top surface of the mask and a second deposit formed on the first deposit, wherein the second deposit is the first deposit.
  • the etching method according to any one of [E15] to [E19], which contains a material different from the
  • an appropriate combination of the material of the first deposit and the material of the second deposit can be selected in consideration of the film to be etched and the material of the mask.
  • the film to be etched comprises a silicon-containing film;
  • the film to be etched includes an organic film;
  • the deposit and mask are protected by the protective film. Therefore, when etching the concave portion, a higher etching selectivity with respect to the mask can be obtained.
  • the protective film is formed using a fifth process gas;
  • the film to be etched comprises a silicon-containing film;
  • the film to be etched includes an organic film;
  • the mask is protected by deposits formed on the upper surface of the mask when etching the concave portion. Therefore, when etching the concave portion, a high etching selectivity with respect to the mask can be obtained.
  • [E35] (a) providing a substrate, the substrate having a first region and a second region overlying the first region and providing an opening over the first region; and (b) forming a top deposit preferentially on top of said second region using a gas-generated plasma; (c) forming a first film having a decreasing thickness along the depth of the opening on the surface of the top deposit and sidewall surfaces defining the opening; Substrate processing method.
  • the first film is formed so as to increase the verticality of sidewall surfaces defining the opening in the substrate after the formation thereof, any one of [E35] to [E39].
  • the first region is a base film
  • the second region includes a film to be etched on the base film, and a mask on the film to be etched, and the opening is the base film. including a first opening in the mask and a second opening in the film to be etched;
  • [E47] According to any one of [E35] to [E46], wherein the first region is a silicon film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a laminated film containing a silicon oxide film and a silicon nitride film, or an amorphous carbon film.
  • a chamber a chamber; a substrate support provided within the chamber; a gas supply configured to supply gas into the chamber; a plasma generator configured to generate a plasma from a gas within the chamber; a control unit configured to control the gas supply unit and the plasma generation unit; with The control unit controls the gas supply unit and the plasma generation unit to (a) providing a substrate, the substrate having a first region and a second region overlying the first region and providing an opening over the first region; and (b) forming a top deposit preferentially on top of said second region using a first plasma generated from a first gas; (c) forming a first film having a decreasing thickness along the depth of the opening on the surface of the top deposit and on sidewall surfaces defining the opening; is configured to bring about Plasma processing equipment.
  • SYMBOLS 1 Plasma processing apparatus, 2... Control part, 10... Chamber, 11... Substrate support part, 12... Plasma generation part, 20... Gas supply part, W... Substrate, R1... 1st area

Abstract

開示される基板処理方法は、基板を準備する工程を含む。基板は、第１の領域と、該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む。基板処理方法は、第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程を更に含む。基板処理方法は、頂部堆積物の表面及び開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程を更に含む。

Description

基板処理方法及びプラズマ処理装置
　本開示の例示的実施形態は、基板処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
　基板処理では、マスクの形状が調整されることがある。下記の特許文献１は、マスク上に膜を形成し、次いで、基板の表面に反応層を形成し、しかる後に反応層を除去する技術を開示している。
　特許文献２は、フッ化炭素を含むガスから生成されたプラズマにより、シリコン含有膜をエッチングする方法を開示する。この方法では、まず、シリコン含有膜を途中までエッチングする。その後、シリコン含有膜上にプラズマを生成せずにカーボン含有膜を成膜する。その後、カーボン含有膜が形成されたシリコン含有膜を更にエッチングする。
特開２０２０－０８８３５５号公報 特開２０１６－２１５４６号公報
　本開示は、基板において開口を提供する領域の形状を調整する技術を提供する。
　一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、基板を準備する工程（ａ）を含む。基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む。基板処理方法は、第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程（ｂ）を更に含む。基板処理方法は、頂部堆積物の表面及び開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程（ｃ）を更に含む。
　一つの例示的実施形態によれば、基板において開口を提供する領域の形状を調整することが可能となる。
一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 図２の（ａ）～図２の（ｄ）の各々は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の対応の工程において作成される一例の基板の部分拡大断面図である。 図３の（ａ）及び図３の（ｂ）の各々は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の対応の工程において作成される一例の基板の部分拡大断面図である。 プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。 図７は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図８は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法のフローチャートである。 図９は、図８の方法が適用され得る一例の基板の断面図である。 図１０は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法の一工程を示す断面図である。 図１１は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法の一工程を示す断面図である。 図１２は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法の一工程を示す断面図である。 図１３は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法の一工程を示す断面図である。 図１４は、第１堆積物及び第２堆積物を含む堆積物を備える一例の基板の断面図である。 図１５は、第１実験～第４実験において堆積物が形成される前及び堆積物が形成された後の基板の断面の例を示す図である。 図１６は、第１実験～第５実験において保護膜が形成される前及び保護膜が形成された後の凹部の寸法及び深さの例を示すグラフである。 図１７は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われた後の基板の断面の例を示す図である。 図１８は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われる前及びエッチングが行われた後の凹部の寸法及び深さの例を示すグラフである。 図１９は、第１実験～第５実験において規格化されたエッチングレートの例を示すグラフである。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す図である。図２の（ａ）～図２の（ｄ）、図３の（ａ）、及び図３の（ｂ）の各々は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法の対応の工程において作成される一例の基板の部分拡大断面図である。図１に示す基板処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）は、工程ＳＴａ～工程ＳＴｃを含む。方法ＭＴは、工程ＳＴｄを更に含んでいてもよい。方法ＭＴは、工程ＳＴｅを更に含んでいてもよい。また、方法ＭＴは、工程ＳＴｂｔを更に含んでいてもよい。
　工程ＳＴａでは、基板Ｗが準備される。図２の（ａ）に示すように、工程ＳＴａで準備される基板Ｗは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含む。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１上に設けられている。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１上で開口ＯＰを提供している。開口ＯＰは、第２の領域Ｒ２の側壁面ＳＷによって画成されている。開口ＯＰの幅は、その深さ方向に沿って減少している。即ち、側壁面ＳＷは、垂直方向に対して傾斜した角度を有している。第１の領域Ｒ１は、開口ＯＰにおいて露出されている。基板Ｗは、下地領域ＵＲを更に含んでいてもよく、第１の領域Ｒ１は、下地領域ＵＲ上に設けられていてもよい。
　第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１をエッチングする際にマスクとして機能し得る。したがって、第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１のエッチングにおいて、第１の領域Ｒ１のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料から形成される。第１の領域Ｒ１は、シリコン含有膜であるか、有機膜である。第１の領域Ｒ１を構成するシリコン含有膜は、例えば、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む積層膜である。第１の領域Ｒ１を構成する有機膜は、例えば、アモルファスカーボン膜である。第２の領域Ｒ２は、例えば多結晶シリコン膜、有機膜、又はレジスト膜である。
　基板Ｗの第１例において、第１の領域Ｒ１は、シリコン膜であり、第２の領域Ｒ２は、シリコン酸化膜である。基板Ｗの第２例において、第１の領域Ｒ１は、シリコン酸化膜であり、第２の領域Ｒ２は、有機膜である。基板Ｗの第３例において、第１の領域Ｒ１は、有機膜であり、第２の領域Ｒ２は、シリコン酸化膜である。
　工程ＳＴｂは、工程ＳＴａの後に行われる。工程ＳＴｂでは、図２の（ｂ）に示すように、堆積処理ガスから生成されたプラズマを用いて、頂部堆積物ＴＤが、第２の領域Ｒ２の頂部ＴＰ上に優先的に形成される。頂部堆積物ＴＤは、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成される。
　頂部堆積物ＴＤは、工程ＳＴｅにおける第１の領域Ｒ１のエッチングにおいて、第２の領域Ｒ２を構成する材料のエッチングレートよりも低いエッチグレートを有する材料から形成され得る。上述した基板Ｗの第１例及び第２例のように第１の領域Ｒ１がシリコン含有膜である場合には、頂部堆積物ＴＤは炭素、ホウ素、又は金属を含有する。上述した基板Ｗの第３例のように第１の領域Ｒ１が有機膜である場合には、頂部堆積物ＴＤはホウ素又は金属を含有する。頂部堆積物ＴＤに含まれる金属は、タングステン、スズ、又はモリブデンを含み得る。
　頂部堆積物ＴＤが炭素を含有する場合には、堆積処理ガスは、炭素を含みフッ素を含まなくてもよい。堆積処理ガスは、例えば一酸化炭素ガス（ＣＯガス）、硫化カルボニルガス（ＣＯＳガス）、又は炭化水素ガスを含む。炭化水素ガスは、例えば、Ｃ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＣＨ４ガス、又はＣ２Ｈ６ガスである。第１処理のガスは、水素を含んでいなくてもよい。第１処理のガスは、添加ガスとして、水素ガス（Ｈ２ガス）を更に含んでいてもよい。第１処理のガスは、アルゴンガス、ヘリウムガスのような貴ガスを更に含んでいてもよい。第１処理のガスは、貴ガスに加えて、或いは貴ガスの代わりに、窒素ガス（Ｎ２ガス）のような不活性ガスを更に含んでいてもよい。
　頂部堆積物ＴＤが炭素を含有する場合には、堆積処理ガスは、第１の成分ガス及び第２の成分ガスを含んでいてもよい。第１の成分ガスは、炭素を含みフッ素を含まないガスであり、例えば、ＣＯガス又はＣＯＳガスである。即ち、堆積処理ガスは、炭素を含みフッ素を含まない第１の成分を含んでいてもよい。第１の成分は、例えば、一酸化炭素（ＣＯ）又は硫化カルボニルである。第２の成分ガスは、炭素とフッ素又は水素とを含むガスであり、例えば、ハイドロフルオロカーボンガス、フルオロカーボンガス、又は炭化水素ガスである。即ち、堆積処理ガスは、炭素とフッ素又は水素とを含む第２の成分を更に含んでいてもよい。第２の成分は、例えば、ハイドロフルオロカーボン、フルオロカーボン、又は炭化水素である。ハイドロフルオロカーボンガスは、例えばＣＨＦ３ガス、ＣＨ３Ｆガス、ＣＨ２Ｆ２ガス等である。フルオロカーボンガスは、例えばＣ４Ｆ６ガス等である。炭素と水素を含む第２の成分ガスは、例えば、ＣＨ４ガスである。第１の成分ガス又は第１の成分の流量は、第２の成分ガス又は第２の成分の流量よりも多くてもよい。
　頂部堆積物ＴＤがホウ素を含有する場合には、堆積処理ガスは、三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ３ガス）を含んでいてもよい。堆積処理ガスは、アルゴンガス、ヘリウムガスのような貴ガスを更に含んでいてもよい。堆積処理ガスは、Ｎ２ガスのような窒素含有ガスを更に含んでいてもよい。
　頂部堆積物ＴＤがタングステンを含有する場合には、堆積処理ガスは、タングステンを含有する。堆積処理ガスは、炭素及び水素のうち少なくとも一つを更に含んでいてもよい。堆積処理ガスは、フッ素を更に含んでいてもよい。堆積処理ガスは、炭素含有ガス及び水素含有ガスのうち少なくとも一つと、タングステン含有ガスとを含んでもよい。フッ素は、炭素含有ガスに含まれてもよいし、水素含有ガスに含まれてもよいし、タングステン含有ガスに含まれてもよい。
　頂部堆積物ＴＤがタングステンを含有する場合において、炭素含有ガスは、ＣＨ４ガス、Ｃ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＣＨ３Ｆガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、ＣＨＦ３ガス及びＣＯガスのうち少なくとも一つを含んでもよい。水素含有ガスは、Ｈ２ガス、ＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスのうち少なくとも一つを含んでもよい。タングステン含有ガスは、ハロゲン化タングステンガスを含んでもよい。ハロゲン化タングステンガスは、六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガス、六臭化タングステン（ＷＢｒ６）ガス、六塩化タングステン（ＷＣｌ６）ガス及びＷＦ５Ｃｌガスの少なくとも一つを含んでもよい。タングステン含有ガスは、ヘキサカルボニルタングステン（Ｗ（ＣＯ）６）ガスを含んでもよい。堆積処理ガスは、例えばアルゴンガス、ヘリウムガス、キセノンガス又はネオンガス等の貴ガスを更に含んでもよい。第１処理ガスは、例えば窒素（Ｎ２）ガスを更に含んでもよい。
　タングステン含有ガスの流量比は、炭素含有ガス及び水素含有ガスのうち少なくとも一つの流量比より小さくてもよい。貴ガスの流量比は、炭素含有ガス及び水素含有ガスのうち少なくとも一つの流量比より大きくてもよい。本開示において、各ガスの流量比は、処理ガスの全流量に対する各ガスの流量の比率（体積％）である。
　頂部堆積物ＴＤがスズを含有する場合には、堆積処理ガスは、第１の成分ガスを含む。堆積処理ガスは、第２の成分ガスを更に含んでいてもよい。第１の成分ガスは、スズ含有物質を含む。第２の成分ガスは、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ４、窒素を含有する無機化合物、硫黄を含有する無機化合物、ハロゲン化合物、炭素含有物質、又はシリコン含有物質を含み得る。或いは、第２の成分ガスは、Ｎ２及び酸素含有物質のうち少なくとも一つを含み得る。酸素含有物質は、ＮＯ又はＣＯ２であり得る。
　スズ含有物質は、例えば、スタンナン化合物、酸素含有スズ化合物、窒素含有スズ化合物、又はハロゲン化スズ化合物である。
　スタンナン化合物は、例えば、スタンナン、テトラメチルスタンナン、トリブチルスタンナン、フェニルトリメチルスタンナン、テトラビニルスタンナン、ジメチルジクロロスタンナン、ブチルトリクロロスタンナン、トリクロロフェニルスタンナン等である。
　酸素含有スズ化合物は、例えば、トリブチルスズメトキシド、ｔｅｒｔ－ブトキシドスズ、ジブチルスズジアセタート、トリフェニルスズアセタート、トリブチルスズオキシド、トリフェニルスズアセタート、トリフェニルスズヒドロキシド、ブチルクロロスズジヒドロキシド、アセチルアセトナトスズ等である。
　窒素含有スズ化合物は、例えば、ジメチルアミノトリメチルスズ、トリス（ジメチルアミノ）ｔｅｒｔ－ブチルスズ、アジドトリメチルスズ、テトラキス(ジメチルアミノ)スズ、Ｎ，Ｎ’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，３－ジアミドブタンスズ（ＩＩ）等である。
　ハロゲン化スズ化合物は、例えば、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ、ジメチルスズジクロリド、ブチルスズトリクロリド、フェニルスズトリクロリド等である。なお、ハロゲン化スズ化合物は、４価の塩化スズ、臭化スズ、又はヨウ化スズであり得る。
　頂部堆積物ＴＤがスズを含有する場合において、窒素を含有する無機化合物は、例えば、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ４等である。硫黄を含有する無機化合物は、例えばＨ２Ｓ、ＳＯ２、ＣＯＳ、又はＣＳ２である。ハロゲン化合物は、ＣＦ４、Ｆ２、ＣＣｌ４等である。炭素含有物質は、炭化水素、フッ化炭素、水酸基を有する有機化合物、カルボン酸、無水カルボン酸、又はカルボン酸ハロゲン化物である。炭化水素は、例えばメタン又はプロピレンである。フッ化炭素は、例えばＣＦ４又はＣ４Ｆ６である。水酸基を有する有機化合物は、例えば、メタノール、エチレングリコールといったアルコール類又はフェノール類である。カルボン酸は、例えば酢酸又はシュウ酸である。シリコン含有物質は、例えば塩化ケイ素又はアミノシランである。
　頂部堆積物ＴＤがモリブデンを含有する場合には、堆積処理ガスは、モリブデン含有物質を含む。堆積処理ガスは、例えばハロゲン化モリブデンを含む。ハロゲン化モリブデンは、例えば六フッ化モリブデン（ＭｏＦ６）又は六塩化モリブデン（ＭｏＣｌ６）である。堆積処理ガスは、アルゴンガス、ヘリウムガスのような貴ガスを更に含んでいてもよい。堆積処理ガスは、Ｈ２ガスのような水素含有ガスを更に含んでいてもよい。
　工程ＳＴｂの後には、工程ＳＴｃが行われる。工程ＳＴｃでは、第１の膜Ｆ１が、図２の（ｃ）に示すように、頂部堆積物ＴＤの表面及び開口ＯＰを画成する側壁面ＳＷに沿って形成される。第１の膜Ｆ１は、サブコンフォーマルな膜である。第１の膜Ｆ１の厚さは、開口ＯＰの深さ方向に沿って減少している。工程ＳＴｃにおいて、第１の膜Ｆ１は、その形成後の基板Ｗにおいて開口ＯＰを画成する側壁面の垂直性を高めるように形成される。第１の膜Ｆ１は、シリコン酸化膜、炭素含有膜又は金属含有膜であり得る。
　工程ＳＴｃにおいて、第１の膜Ｆ１は、不飽和ＡＬＤ法又はＣＶＤ法により形成されてもよい。不飽和ＡＬＤ法（不飽和原子層堆積法）では、ＡＬＤ法と同様に、第１～第４の工程を含むサイクルが繰り返される。第１の工程では、基板Ｗに対して第１のガス（前駆体ガス）が供給される。第２の工程では、基板Ｗがその中に収容されているチャンバのパージが行われる。第３の工程では、基板Ｗに第２のガス（反応性ガス）が供給される。第３の工程では、第２のガスからプラズマが生成されてもよい。第４の工程では、基板Ｗがその中に収容されているチャンバのパージが行われる。第１の膜Ｆ１がシリコン酸化膜である場合には、第１のガスは、例えばアミノシラン系ガス、ＳｉＣｌ４ガス、又はＳｉＦ４ガスを含み、第２のガスは、例えばＯ２ガスのような酸素含有ガスを含む。第１の膜Ｆ１が炭素含有膜である場合には、第１のガスは、例えば有機化合物ガスを含む。有機化合物ガスは、例えば、エポキシド、カルボン酸、カルボン酸ハロゲン化物、無水カルボン酸、イソシアネート及びフェノール類を含む。第１の膜Ｆ１が炭素含有膜である場合には、第２のガスは、例えばＮ－Ｈ結合を有する無機化合物ガス、不活性ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス、及び水素ガスと酸素ガスとの混合ガスを含む。
　不飽和ＡＬＤ法は、第１の手法又は第２の手法のうち何れかによって行われる。第１の手法は、第１の工程において第１のガスに含まれる前駆体を基板Ｗの表面全体に吸着させ、第３の工程において第２のガスが基板Ｗの表面全体にいきわたらないように第２のガスの供給を制御する。即ち、第１の手法は、局所的反応を利用する。第２の手法は、第１の工程において前駆体を基板Ｗの表面の一部のみに吸着させ、第３の工程において第２のガスを基板Ｗの表面全体に供給する。即ち、第２の手法は、前駆体の局所的吸着を利用する。局所的反応及び局所的吸着は、基板Ｗを支持する基板支持部の温度、チャンバ内の圧力、第１のガス（前駆体ガス）の流量の流量及び供給時間、第２のガス（反応ガス）の流量及び供給時間、並びに処理時間等のうち一つ以上を制御することにより、行われる。また、不飽和ＡＬＤ法においてプラズマが利用される場合には、プラズマ生成のために供給される高周波電力のパワーレベルが調整されてもよい。
　工程ＳＴｄは、工程ＳＴｃの後に行われる。工程ＳＴｄでは、図２の（ｄ）に示すように、基板Ｗ上に前駆体を吸着させ、基板Ｗ上の当該前駆体を改質することにより、第２の膜Ｆ２が形成される。前駆体の改質は、例えば、前駆体ガス由来の前駆体と、反応性ガス由来の反応性物質との反応により進行する。第２の膜Ｆ２は原子層堆積法（ＡＬＤ法）により基板Ｗ上に形成されてもよい。第２の膜Ｆ２は、基板Ｗの表面上でコンフォーマルに形成される。第２の膜Ｆ２は、サブコンフォーマルな膜であってもよい。この場合、第２の膜Ｆ２の厚さは、開口ＯＰの深さ方向に沿って減少する。第２の膜Ｆ２は、不飽和ＡＬＤ法により形成され得る。第２の膜Ｆ２は、例えばタングステン含有膜、スズ含有膜、アルミニウム含有膜、又はハフニウム含有膜である。ＡＬＤ法では、第１～第４の工程を含むサイクルが繰り返される。第１の工程では、基板Ｗに対して第１のガス（前駆体ガス）が供給される。第２の工程では、基板Ｗがその中に収容されているチャンバのパージが行われる。第３の工程では、基板Ｗに第２のガス（反応性ガス）が供給される。第４の工程では、基板Ｗがその中に収容されているチャンバのパージが行われる。
　第２の膜Ｆ２が、タングステン含有膜である場合には、第１のガスは、例えばＷＦ６、ＷＣｌ５、ＷＣｌ６を含み、第２のガスは、例えば水素含有ガス及び酸素含有ガスのうち少なくとも１つを含む。水素含有ガスは、例えば、水素ガス（Ｈ２ガス）であってもよい。酸素含有ガスは、例えば、酸素ガス（Ｏ２ガス）であってもよい。水素含有ガスは、例えば、窒素を含んでもよい。窒素を含む水素含有ガスの例は、アンモニアガスや、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを含む。第２の膜Ｆ２が、スズ含有膜である場合には、第１のガスは、例えばＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４及びＳｎＩ４を含み、第２のガスは、例えば前記水素含有ガス及び前記酸素含有ガスのうち少なくとも１つを含む。第２の膜Ｆ２が、アルミニウム含有膜である場合には、第１のガスは、例えばトリメチルアルミニウムガスを含み、第２のガスは、例えば水蒸気（Ｈ２Ｏガス）を含む。第２の膜Ｆ２が、ハフニウム含有膜である場合には、第１のガスは、例えばＨｆＣｌ４を含み、第２のガスは、例えば水蒸気（Ｈ２Ｏガス）を含む。
　工程ＳＴｂｔは、工程ＳＴｄと工程ＳＴｅの間で行われる。工程ＳＴｂｔでは、図３の（ａ）に示すように、第２の膜Ｆ２が部分的に除去される。即ち、第１の領域Ｒ１上、即ち開口ＯＰの底部において、第２の膜Ｆ２が除去される。工程ＳＴｂｔにおいて、第１の領域Ｒ１がエッチングされることによって、第１の領域Ｒ１に凹部が形成されてもよい。工程ＳＴｂｔでは、除去ガスからプラズマを生成することにより第２の膜Ｆ２が部分的に除去されてもよい。第２の膜Ｆ２が、タングステン含有膜である場合には、除去ガスは、例えばフルオロカーボンガスを含む。第２の膜Ｆ２が、スズ含有膜である場合には、除去ガスは、例えば水素含有ガス（水素ガスなど）を含む。第２の膜Ｆ２が、アルミニウム含有膜又はハフニウム含有膜である場合には、除去ガスは、例えばハロゲン含有ガス(ＢＣｌ３ガス、Ｃｌ２ガス)に酸素含有ガス（Ｏ２ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、Ｎ２Ｏガス）を混合した処理ガスを含む。なお、工程ＳＴｂｔでは、チャンバ１０内で基板Ｗを支持する基板支持部にバイアスＲＦ信号又はパルス化されたＤＣ信号のようなバイアス信号が供給されてもよい。第２の膜Ｆ２がサブコンフォーマルな膜である場合、開口ＯＰの底部に第２の膜Ｆ２が形成されないので、工程ＳＴｂｔを行わなくてもよい。
　工程ＳＴｅは、工程ＳＴｄの後に行われる。工程ＳＴｅでは、図３の（ｂ）に示すように、第１の領域Ｒ１がエッチングされる。第１の領域Ｒ１は、エッチングガスからプラズマを生成することにより、エッチングされてもよい。第１の領域Ｒ１がシリコン膜である場合には、エッチングガスは、ＨＢｒ、Ｃｌ２ガスのようなハロゲン含有ガスを含んでいてもよい。第１の領域Ｒ１がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む積層膜である場合には、エッチングガスは、フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、三フッ化窒素ガス、六フッ化硫黄ガスのような一つ以上のフッ素含有ガスを含んでいてもよい。第１の領域Ｒ１が有機膜である場合には、エッチングガスは、Ｏ２ガスのような酸素含有ガスを含んでいてもよい。或いは、第１の領域Ｒ１が有機膜である場合には、エッチングガスは、Ｎ２ガス及びＨ２ガスを含んでいてもよい。なお、工程ＳＴｅでは、チャンバ１０内で基板Ｗを支持する基板支持部にバイアスＲＦ信号又はパルス化されたＤＣ信号のようなバイアス信号が供給されてもよい。
　方法ＭＴでは、頂部堆積物ＴＤが優先的に第２の領域Ｒ２の頂部ＴＰ上に形成されて、第１の領域Ｒ１上で開口を提供する領域の厚さが増加される。また、第１の膜Ｆ１及び第２の膜Ｆ２により、開口ＯＰを画成する側壁面の垂直性が高められる。したがって、方法ＭＴによれば、基板Ｗにおいて開口ＯＰを提供する領域の形状が調整される。また、方法ＭＴでは、頂部堆積物ＴＤ及び第２の膜Ｆ２により、工程ＳＴｅにおける第１の領域Ｒ１のエッチングにおけるマスクのエッチング耐性が高められる。
　以下、方法ＭＴにおいて用いられる種々の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置及び基板処理システムについて説明する。
　図４は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図５は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　方法ＭＴの全ての工程は、プラズマ処理装置１において行われ得る。方法ＭＴの各工程は、制御部２によるプラズマ処理装置１の各部の制御によりもたらされ得る。工程ＳＴａでは、基板Ｗが基板支持部１１上に載置される。方法ＭＴの工程ＳＴｂ～工程ＳＴｅの各々において用いられるガスは、ガス供給部２０からチャンバ１０内に供給される。方法ＭＴの工程ＳＴｂ～工程ＳＴｅの各々において、チャンバ１０内の圧力は、指定された圧力に排気システム４０によって調整される。方法ＭＴの工程ＳＴｂ～工程ＳＴｅの各々においてチャンバ１０内でプラズマが生成される場合には、プラズマはプラズマ生成部１２によって生成される。例えば、プラズマは、第１のＲＦ生成部３１ａからソースＲＦ信号を供給することにより生成される。また、方法ＭＴの工程ＳＴｂ～工程ＳＴｅの各々においてプラズマからのイオンを基板Ｗに引き込む場合には、バイアス信号が、第２のＲＦ生成部３１ｂ及び第１のＤＣ生成部３２ａのうち少なくとも一方から少なくとも一つの下部電極に供給される。バイアス信号は、バイアスＲＦ信号及びパルス化された第１のＤＣ信号のうちの少なくとも一方である。
　以下、図６を参照する。図６は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。図６に示す基板処理システムＰＳは、方法ＭＴにおいて用いられ得る。基板処理システムＰＳは、台ＬＰ１～ＬＰ４、容器ＦＰ１～ＦＰ４、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、搬送モジュールＴＭ、及び制御部ＭＣを備えている。なお、基板処理システムＰＳにおける台の個数、容器の個数、ロードロックモジュールの個数は一つ以上の任意の個数であり得る。また、基板処理システムＰＳにおけるプロセスモジュールの個数は、二つ以上の任意の個数であり得る。
　台ＬＰ１～ＬＰ４は、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。台ＬＰ１～ＬＰ４の各々は、例えば、ロードポートである。容器ＦＰ１～ＦＰ４はそれぞれ、台ＬＰ１～ＬＰ４上に搭載される。容器ＦＰ１～ＦＰ４の各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ　Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）と称される容器である。容器ＦＰ１～ＦＰ４の各々は、その内部に基板Ｗを収容するように構成されている。
　ローダモジュールＬＭは、チャンバを有する。ローダモジュールＬＭのチャンバ内の圧力は、大気圧に設定される。ローダモジュールＬＭは、搬送装置ＴＵ１を有する。搬送装置ＴＵ１は、例えば搬送ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、ローダモジュールＬＭのチャンバを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。搬送装置ＴＵ１は、容器ＦＰ１～ＦＰ４の各々とアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と容器ＦＰ１～ＦＰ４の各々との間で、基板Ｗを搬送し得る。アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭに接続されている。アライナＡＮは、基板Ｗの位置及び／又は基板Ｗの向きの調整（位置の較正）を行うように構成されている。
　ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭと搬送モジュールＴＭとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。
　搬送モジュールＴＭは、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々にゲートバルブを介して接続されている。搬送モジュールＴＭは、その内部空間が減圧可能に構成された搬送チャンバＴＣを有している。搬送モジュールＴＭは、搬送装置ＴＵ２を有している。搬送装置ＴＵ２は、例えば搬送ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、搬送チャンバＴＣを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュールの間において、基板Ｗを搬送し得る。
　プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、専用の基板処理を行うように構成された装置である。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、プラズマ処理装置１のようなプラズマ処理装置であってもよい。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々のプラズマ生成部によって生成されるプラズマは、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、ＥＣＲプラズマ、ヘリコン波励起プラズマ、又は表面波プラズマ等であってもよい。
　制御部ＭＣは、基板処理システムＰＳの各部を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいて基板処理システムＰＳの各部を制御する。方法ＭＴの各工程は、制御部ＭＣによる基板処理システムＰＳの各部の制御によりもたらされ得る。
　工程ＳＴａでは、基板Ｗが、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち工程ＳＴｂで用いられる一つのプロセスモジュールに搬送装置ＴＵ１及び搬送装置ＴＵ２によって搬送されてもよい。
　一実施形態において、工程ＳＴｂ、工程ＳＴｃ、及び工程ＳＴｄは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち一つのプロセスモジュールで行われてもよい。この場合において、工程ＳＴｂｔ及び工程ＳＴｅは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち別の一つのプロセスモジュールで行われてもよく、別の二つのプロセスモジュールでそれぞれ行われてもよい。
　別の実施形態において、工程ＳＴｂは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち一つのプロセスモジュールで行われてもよく、工程ＳＴｃ及び工程ＳＴｄは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち別の一つのプロセスモジュールで行われてもよい。この場合において、工程ＳＴｂｔ及び工程ＳＴｅは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち別の一つのプロセスモジュールで行われてもよく、別の二つのプロセスモジュールでそれぞれ行われてもよい。
　更に別の実施形態において、工程ＳＴｂ、工程ＳＴｃ、及び工程ＳＴｄは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち三つのプロセスモジュールでそれぞれ行われてもよい。この場合において、工程ＳＴｂｔ及び工程ＳＴｅは、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち別の一つのプロセスモジュールで行われてもよく、別の二つのプロセスモジュールでそれぞれ行われてもよい。
　図７は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図７に示されるように、図５のプラズマ処理装置１は、光学観察装置ＯＣを更に備えてもよい。光学観察装置ＯＣは、プラズマ処理チャンバ１０と連通可能なチャンバを含んでもよい。基板Ｗは、搬送ロボットによって、プラズマ処理チャンバ１０と光学観察装置ＯＣのチャンバとの間で移動され得る。基板Ｗは、搬送ロボットによって光学観察装置ＯＣのチャンバ内に収容され、光学観察装置ＯＣのチャンバ内において基板Ｗの位置合わせが行われ得る。その後、光学観察装置ＯＣは、基板Ｗの凹部ＲＳ（図１０参照）の寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を測定することができる。光学観察装置ＯＣは、基板Ｗの保護膜ＰＲ（図１２参照）の厚みを測定してもよい。測定結果は、光学観察装置ＯＣから制御部２に送信され得る。
　図８は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法のフローチャートである。図８に示されるエッチング方法ＭＴ１（以下、「方法ＭＴ１」という）は、上記実施形態のプラズマ処理装置１により実行され得る。方法ＭＴ１は、基板Ｗに適用され得る。方法ＭＴ１は、基板処理方法の一例である。
　図９は、図８の方法が適用され得る一例の基板の断面図である。図９に示されるように、一実施形態において、基板Ｗは、エッチング対象膜ＲＥとエッチング対象膜ＲＥ上のマスクＭＫとを有する。エッチング対象膜ＲＥは、下地膜ＵＲ１上に設けられてもよい。マスクＭＫは少なくとも１つの開口ＯＰ１を有してもよい。
　エッチング対象膜ＲＥは、シリコン含有膜及び有機膜のうち少なくとも１つを含んでもよい。シリコン含有膜は、シリコン膜、シリコンゲルマニウム膜、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうち少なくとも１つを含んでもよい。シリコン含有膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に積層された積層膜であってもよい。有機膜は、アモルファスカーボン膜であってもよい。エッチング対象膜ＲＥは、例えばＤＲＡＭ又は３Ｄ－ＮＡＮＤ等のメモリデバイスのための膜であってもよい。
　マスクＭＫは、シリコン含有物質、有機物及び金属のうち少なくとも１つを含んでもよい。シリコン含有物質はポリシリコンを含んでもよい。有機物は、フォトレジスト及びＳＯＣ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｃａｒｂｏｎ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。エッチング対象膜ＲＥがシリコン含有膜を含む場合、マスクＭＫは、シリコン含有膜を構成する第１シリコン含有物質と異なる第２シリコン含有物質、有機物及び金属のうち少なくとも１つを含んでもよい。エッチング対象膜ＲＥが有機膜を含む場合、マスクＭＫは、シリコン含有物質、有機膜を構成する第１有機物と異なる第２有機物及び金属のうち少なくとも１つを含んでもよい。
　下地膜ＵＲ１は、エッチング対象膜ＲＥと異なる材料を含んでもよい。下地膜ＵＲ１は、シリコン含有膜、有機膜及び金属含有膜のうち少なくとも１つを含んでもよい。
　以下、方法ＭＴ１について、方法ＭＴ１が上記実施形態のプラズマ処理装置１を用いて基板Ｗに適用される場合を例にとって、図８～図１３を参照しながら説明する。図１０～図１３のそれぞれは、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法の一工程を示す断面図である。プラズマ処理装置１が用いられる場合には、制御部２によるプラズマ処理装置１の各部の制御により、プラズマ処理装置１において方法ＭＴ１が実行され得る。方法ＭＴ１では、図７に示されるように、プラズマ処理チャンバ１０内に配置された基板支持部１１（基板支持器）上の基板Ｗを処理する。
　図８に示されるように、方法ＭＴ１は、工程ＳＴ１～工程ＳＴ７を含み得る。工程ＳＴ１～工程ＳＴ７は順に実行され得る。方法ＭＴ１は、工程ＳＴ２、工程ＳＴ３、工程ＳＴ６及び工程ＳＴ７のうち少なくとも１つを含まなくてもよい。工程ＳＴ５は、工程ＳＴ３の後、工程ＳＴ４の前に行われてもよい。
　工程ＳＴ１では、図９に示される基板Ｗを提供する。基板Ｗは、プラズマ処理チャンバ１０内に提供され得る。基板Ｗは、プラズマ処理チャンバ１０内において基板支持部１１により支持され得る。
　工程ＳＴ２では、図１０に示されるように、第１処理ガスから生成される第１プラズマＰＬ１により、エッチング対象膜ＲＥをエッチングして凹部ＲＳを形成する。凹部ＲＳは、マスクＭＫの開口ＯＰ１に対応し得る。凹部ＲＳの上端における凹部ＲＳの寸法は、１００ｎｍ以下であってもよい。凹部ＲＳの寸法は、凹部ＲＳの上端から底に向かって徐々に小さくなってもよい。凹部ＲＳのアスペクト比は、５以上であってもよい。凹部ＲＳの底は、下地膜ＵＲ１に到達してもよいし、到達しなくてもよい。凹部ＲＳは開口であってもよい。
　エッチング対象膜ＲＥがシリコン含有膜を含む場合、第１処理ガスはハロゲン含有ガスを含んでもよい。ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガス及び塩素含有ガスのうち少なくとも１つを含んでもよい。第１処理ガスがフッ素含有ガスを含む場合、エッチング対象膜ＲＥはシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を含んでもよい。第１処理ガスが塩素含有ガスを含む場合、エッチング対象膜ＲＥはシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜を含んでもよい。フッ素含有ガスの例は、フルオロカーボン（ＣｘＦｙ）ガス、ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＨｙＦｚ）ガス及び三フッ化窒素（ＮＦ３ガス）を含む。ｘ、ｙ及びｚは自然数である。第１処理ガスは酸素含有ガスを含んでもよい。
　エッチング対象膜ＲＥが有機膜を含む場合、第１処理ガスは酸素含有ガスを含んでもよい。酸素含有ガスの例は酸素ガス、一酸化炭素ガス、硫化カルボニル（ＣＯＳ）ガス及び酸化硫黄（ＳＯ２）ガスを含む。
　工程ＳＴ２は以下のように行われ得る。まず、ガス供給部２０により、第１処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に供給する。次に、プラズマ生成部１２により、プラズマ処理チャンバ１０内で第１処理ガスから第１プラズマＰＬ１を生成する。制御部２は、第１プラズマＰＬ１によりエッチング対象膜ＲＥをエッチングして凹部ＲＳを形成するように、ガス供給部２０及びプラズマ生成部１２を制御する。
　工程ＳＴ２は、工程ＳＴ１と同時に行われてもよい。下地膜ＵＲ１は第１の領域を構成する。エッチング対象膜ＲＥ及びマスクＭＫが第２の領域を構成する。マスクＭＫの開口ＯＰ１（第１開口）及びエッチング対象膜ＲＥの凹部ＲＳ（第２開口）は開口ＯＰを構成する。
　工程ＳＴ３では、第４処理ガスから生成される第４プラズマにより、工程ＳＴ２においてマスクＭＫに付着した付着物を除去する。エッチング対象膜ＲＥがシリコン含有膜を含む場合、付着物は、フッ素及び炭素を含み得る。第４処理ガスは酸素含有ガスを含んでもよい。酸素含有ガスの例は、酸素ガスを含む。エッチング対象膜ＲＥが有機膜を含む場合、工程ＳＴ２においてマスクＭＫに付着物が付着しないことがある。この場合、工程ＳＴ３は省略され得る。
　工程ＳＴ３は以下のように行われ得る。まず、ガス供給部２０により、第４処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に供給する。次に、プラズマ生成部１２により、プラズマ処理チャンバ１０内で第４処理ガスから第４プラズマを生成する。制御部２は、第４プラズマによりマスクＭＫに付着した付着物を除去するように、ガス供給部２０及びプラズマ生成部１２を制御する。
　工程ＳＴ４では、図１１に示されるように、第２処理ガスから生成される第２プラズマＰＬ２により、マスクＭＫの上面ＭＫｔに堆積物ＤＰを形成する。堆積物ＤＰは、マスクＭＫの開口ＯＰ１の側壁に形成されなくてもよい。堆積物ＤＰは、マスクＭＫの頂部に優先的に形成される頂部堆積物である。
　堆積物ＤＰは、シリコン、炭素、ホウ素及び金属のうち少なくとも１つを含んでもよい。金属の例は、チタン、タングステン及び錫を含む。
　第２処理ガスは、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、ホウ素含有ガス及び金属含有ガスのうち少なくとも１つを含んでもよい。シリコン含有ガスの例は、ＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＦ４ガス及びＳｉ２Ｃｌ６ガスを含む。炭素含有ガスの例は、例えばＣＨ４ガス、Ｃ２Ｈ２ガス又はＣ３Ｈ６ガス等の炭化水素ガスを含む。ホウ素含有ガスの例は、ＢＣｌ３ガスを含む。金属含有ガスはタングステン含有ガス及び錫含有ガスのうち少なくとも１つを含んでもよい。タングステン含有ガスの例は、六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガスを含む。錫含有ガスの例は、ＴＤＭＡＳｎ（テトラキスジメチルアミノ錫（ＩＶ））ガス、ＳｎＣｌ４ガス、ＳｎＢｒ４ガス及びＳｎＩ４ガスを含む。第２処理ガスは水素ガスを含んでもよい。第２処理ガスは貴ガスを含んでもよい。
　工程ＳＴ４は以下のように行われ得る。まず、ガス供給部２０により、第２処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に供給する。次に、プラズマ生成部１２により、プラズマ処理チャンバ１０内で第２処理ガスから第２プラズマＰＬ２を生成する。制御部２は、第２プラズマＰＬ２によりマスクＭＫの上面ＭＫｔに堆積物ＤＰを形成するように、ガス供給部２０及びプラズマ生成部１２を制御する。
　工程ＳＴ５では、図１２に示されるように、凹部ＲＳの側壁ＲＳａに保護膜ＰＲを形成する。保護膜ＰＲは、開口ＯＰ１の側壁にも形成され得る。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの上面ＤＰｔにも形成され得る。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの側面にも形成され得る。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの上面ＤＰｔにおいて第１厚みを有してもよい。保護膜ＰＲは、凹部ＲＳの側壁ＲＳａにおいて第２厚みを有してもよい。第２厚みは第１厚みよりも小さい。保護膜ＰＲの厚さは、堆積物ＤＰの上面ＤＰｔから凹部ＲＳの底に向かって徐々に小さくなってもよい。この場合、保護膜ＰＲは、コンフォーマルではない膜（サブコンフォーマルな膜）である。保護膜ＰＲは、凹部ＲＳの底に形成されなくてもよい。工程ＳＴ５が工程ＳＴ４の前に行われる場合、保護膜ＰＲは、マスクＭＫの上面ＭＫｔ上に形成され得る。工程ＳＴ３では、マスクＭＫの上面ＭＫｔ上において、堆積物ＤＰが保護膜ＰＲ上に形成され得る。
　保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰと同じ材料を含んでもよいし、堆積物ＤＰと異なる材料を含でもよい。保護膜ＰＲは、シリコン含有膜、有機膜及び金属含有膜のうち少なくとも１つを含んでもよい。シリコン含有膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうち少なくとも１つを含んでもよい。
　保護膜ＰＲは、第５処理ガスを用いて形成されてもよい。第５処理ガスは、シリコン含有ガス、炭素含有ガス及び金属含有ガスのうち少なくとも１つを含んでもよい。
　保護膜ＰＲは、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法によって形成され得る。ＡＬＤ法の例は、熱ＡＬＤ法及びＰＥ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ）－ＡＬＤ法を含む。ＡＬＤ法により保護膜ＰＲを形成する場合、工程ＳＴ５は、プリカーサ（第５処理ガス）を凹部ＲＳの側壁ＲＳａに供給する吸着工程と、吸着したプリカーサのアクティベーションを行うアクティベーション工程とを含む。アクティベーションは、処理ガスから生成されたプラズマにより行われ得る。吸着工程及びアクティベーション工程は交互に繰り返され得る。吸着工程とアクティベーション工程との間においてパージ工程が行われてもよい。吸着工程においてプリカーサが基板Ｗの表面の一部（例えば凹部の底）に吸着しないように制御することによって、保護膜ＰＲの厚みを調整してもよい。例えば、プリカーサの吸着を阻害する因子を基板Ｗの表面の一部に形成することによって、吸着位置を制御できる。あるいは、アクティベーション工程において、基板Ｗの表面の一部（例えば凹部の底）にプラズマが到達しないように制御することによって、保護膜ＰＲの厚みを調整してもよい。
　保護膜ＰＲがシリコン含有膜を含む場合、吸着工程において、プリカーサとしてシリコン含有ガスが用いられる。保護膜ＰＲがシリコン酸化膜を含む場合、シリコン含有ガスの例は、アミノシランガス、ＳｉＣｌ４ガス及びＳｉＦ４ガスを含む。アクティベーション工程において、処理ガスとして酸素含有ガスが用いられる。酸素含有ガスの例は、酸素ガスを含む。保護膜ＰＲがシリコン窒化膜を含む場合、シリコン含有ガスの例は、アミノシランガス、ＳｉＣｌ４ガス、ジクロロシランガス及びヘキサクロロジシランガスを含む。アクティベーション工程において、処理ガスとして窒素含有ガスが用いられる。窒素含有ガスの例は、窒素ガス及びアンモニアガスを含む。
　保護膜ＰＲが有機膜を含む場合、吸着工程において、プリカーサとして有機ガスが用いられる。有機ガスの例は、エポキシド、カルボン酸、カルボン酸ハロゲン化物、無水カルボン酸、イソシアネート及びフェノール類を含む。アクティベーション工程において、処理ガスとして種々のガスが用いられる。種々のガスの例は、Ｎ－Ｈ結合を有する無機化合物ガス、不活性ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス、及び水素ガスと酸素ガスとの混合ガスを含む。
　保護膜ＰＲが金属膜を含む場合、吸着工程において、プリカーサとして金属含有ガスが用いられる。金属含有ガスは、酸素含有金属化合物、窒素含有金属化合物、硫黄含有金属化合物及びハロゲン化金属のうち少なくとも１つを含有してもよい。ハロゲン化金属の例は、ＴｉＣｌ４、ＷＦ６、ＷＣｌ５、ＷＣｌ６、ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４及びＳｎＩ４を含む。アクティベーション工程において、処理ガスとして水素含有ガス及び酸素含有ガスのうち少なくとも１つが用いられる。水素含有ガスを用いる場合、保護膜ＰＲは金属含有膜となる。酸素含有ガスを用いる場合、保護膜ＰＲは金属酸化膜となる。水素含有ガスは、窒素を含んでもよい。この場合、保護膜ＰＲは金属窒化膜となる。窒素を含む水素含有ガスの例は、アンモニアガス、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを含む。
　工程ＳＴ５は以下のように行われ得る。まず、ガス供給部２０により、第５処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に供給する。次に、プラズマ生成部１２により、プラズマ処理チャンバ１０内で処理ガスからプラズマを生成する。制御部２は、プラズマにより凹部ＲＳの側壁ＲＳａに保護膜ＰＲを形成するように、ガス供給部２０及びプラズマ生成部１２を制御する。
　工程ＳＴ６では、図１３に示されるように、第３処理ガスから生成される第３プラズマＰＬ３により、凹部ＲＳをエッチングする。工程ＳＴ６では、保護膜ＰＲ、堆積物ＤＰ及びマスクＭＫもエッチングされ得る。工程ＳＴ２において凹部ＲＳの底が下地膜ＵＲ１に到達する場合、工程ＳＴ６では、凹部ＲＳの側壁ＲＳａが主にエッチングされる。この場合、横方向のエッチングが進むので、凹部ＲＳの寸法が大きくなる。工程ＳＴ２において凹部ＲＳの底が下地膜ＵＲ１に到達しない場合、工程ＳＴ６では、凹部ＲＳの底が主にエッチングされる。この場合、縦方向のエッチングが進むので、凹部ＲＳの深さが大きくなる。凹部ＲＳ（開口ＯＰ）の寸法は、光学観察装置ＯＣによって測定されてもよいし、ＳＥＭ画像から算出されてもよい。
　第３処理ガスは、第１処理ガスと同じガスを含んでもよい。エッチング対象膜ＲＥがシリコン含有膜を含む場合、第３処理ガスはハロゲン含有ガスを含んでもよい。エッチング対象膜ＲＥが有機膜を含む場合、第３処理ガスは酸素含有ガスを含んでもよい。
　工程ＳＴ６は以下のように行われ得る。まず、ガス供給部２０により、第３処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に供給する。次に、プラズマ生成部１２により、プラズマ処理チャンバ１０内で第３処理ガスから第３プラズマＰＬ３を生成する。制御部２は、第３プラズマＰＬ３により凹部ＲＳをエッチングするように、ガス供給部２０及びプラズマ生成部１２を制御する。
　工程ＳＴ７では、工程ＳＴ３～工程ＳＴ６を繰り返す。
　上述のプラズマ処理装置１及び方法ＭＴ１によれば、工程ＳＴ６において凹部ＲＳをエッチングする際に、マスクＭＫの上面ＭＫｔに形成された堆積物ＤＰによってマスクＭＫが保護される。そのため、工程ＳＴ６において凹部ＲＳをエッチングする際に、マスクＭＫに対して高いエッチング選択比が得られる。
　さらに、保護膜ＰＲによって凹部ＲＳの側壁ＲＳａが保護されるので、工程ＳＴ６において凹部ＲＳの側壁ＲＳａがエッチングされることを抑制できる。よって、凹部ＲＳの形状異常（ボーイング）を抑制できる。
　保護膜ＰＲが堆積物ＤＰの上面ＤＰｔに形成される場合、保護膜ＰＲによって堆積物ＤＰ及びマスクＭＫが保護される。そのため、凹部ＲＳをエッチングする際に、マスクＭＫに対して更に高いエッチング選択比が得られる。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの上面ＤＰｔにおいて第１厚みを有し、凹部ＲＳの側壁ＲＳａにおいて第２厚みを有し、第２厚みは第１厚みより小さくてもよい。この場合、保護膜ＰＲによって堆積物ＤＰ及びマスクＭＫを保護しながら凹部ＲＳの閉塞を抑制できる。
　方法ＭＴ１が工程ＳＴ３を含む場合、付着物が除去された状態でマスクＭＫの上面ＭＫｔに堆積物ＤＰを形成できる。
　方法ＭＴ１が工程ＳＴ７を含む場合、凹部ＲＳのエッチング量を大きくできる。
　図１４は、第１堆積物及び第２堆積物を含む堆積物を備える一例の基板の断面図である。図１４に示されるように、堆積物ＤＰは、マスクＭＫの上面ＭＫｔに形成された第１堆積物ＤＰ１と、第１堆積物ＤＰ１上に形成された第２堆積物ＤＰ２とを含んでもよい。第２堆積物ＤＰ２は、第１堆積物ＤＰ１と異なる材料を含んでもよい。第１堆積物ＤＰ１及び第２堆積物ＤＰ２の材料の例は、堆積物ＤＰの材料の例と同じである。第１堆積物ＤＰ１が炭素を含み、第２堆積物ＤＰ２がタングステンを含んでもよい。
　堆積物ＤＰが第１堆積物ＤＰ１及び第２堆積物ＤＰ２を含む場合、エッチング対象膜ＲＥ及びマスクＭＫの材料を考慮して、第１堆積物ＤＰ１の材料と第２堆積物ＤＰ２の材料との適切な組み合わせを選択できる。
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　以下、方法ＭＴ１の評価のために行った種々の実験について説明する。以下に説明する実験は、本開示を限定するものではない。
（第１実験）
　第１実験では、エッチング対象膜ＲＥ及びマスクＭＫを有する基板Ｗを準備した。エッチング対象膜ＲＥは、ＳｉＯ２膜と、ＳｉＯ２膜上のＳｉＮ膜とを有する。マスクＭＫはＳｉＮ膜に設けられる。マスクＭＫはポリシリコンを含む。次に、プラズマ処理装置１のプラズマ処理チャンバ１０内に基板Ｗを提供した（工程ＳＴ１）。
　次に、フルオロカーボンガスを含む第１処理ガスから生成される第１プラズマＰＬ１により、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜をエッチングして凹部ＲＳを形成した（工程ＳＴ２）。
　次に、酸素ガスを含む第４処理ガスから生成される第４プラズマにより、マスクＭＫに付着した付着物を除去した（工程ＳＴ３）。付着物は炭素及びフッ素を含む。
　次に、ＳｉＣｌ４ガスと水素ガスとアルゴンガスとを含む第２処理ガスから生成される第２プラズマＰＬ２により、マスクＭＫの上面ＭＫｔに堆積物ＤＰを形成した（工程ＳＴ４）。堆積物ＤＰはシリコンを含む。
　次に、シリコン含有ガスを凹部ＲＳの側壁ＲＳａに吸着させ、酸素含有ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマにより、凹部ＲＳの側壁ＲＳａに保護膜ＰＲを形成した（工程ＳＴ５）。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの上面にも形成された。保護膜ＰＲはシリコン含有膜であった。保護膜ＰＲは、ＡＬＤ法により形成された。保護膜ＰＲは、堆積物ＤＰの上面ＤＰｔにおいて第１厚みを有し、凹部ＲＳの側壁ＲＳａにおいて第２厚みを有していた。第２厚みは第１厚みよりも小さい。
　次に、フルオロカーボンガスを含む第３処理ガスから生成される第３プラズマＰＬ３により、凹部ＲＳをエッチングした（工程ＳＴ６）。
　次に、工程ＳＴ３～ＳＴ６を繰り返した（工程ＳＴ７）。
（第２実験）
　第２実験では、工程ＳＴ４において、ＳｉＣｌ４ガスに代えてＣＨ４ガスを用いたこと以外は第１実験の方法と同じ方法を実行した。堆積物ＤＰは炭素を含む。
（第３実験）
　第３実験では、工程ＳＴ４において、ＳｉＣｌ４ガス及び水素ガスに代えてＢＣｌ３ガスを用いたこと以外は第１実験の方法と同じ方法を実行した。堆積物ＤＰはホウ素を含む。
（第４実験）
　第４実験では、工程ＳＴ４において、ＳｉＣｌ４ガス及び水素ガスに代えてＷＦ６ガス及びＣＨ４ガスを用いたこと以外は第１実験の方法と同じ方法を実行した。堆積物ＤＰはタングステンを含む。
（第５実験）
　第５実験では、工程ＳＴ４を行わなかったこと以外は第１実験の方法と同じ方法を実行した。よって、堆積物ＤＰは形成されない。
（堆積物の厚み）
　図１５は、第１実験～第４実験において堆積物が形成される前及び堆積物が形成された後の基板の断面の例を示す図である。ＢＦは、第１実験～第４実験において堆積物が形成される前の基板の断面の例を示す。ＥＸ１～ＥＸ４は、第１実験～第４実験において堆積物が形成された後の基板の断面の例をそれぞれ示す。第１実験において、堆積物ＤＰの厚みは４１ｎｍであった。第２実験において、堆積物ＤＰの厚みは４０ｎｍであった。第３実験において、堆積物ＤＰの厚みは４４ｎｍであった。第４実験において、堆積物ＤＰの厚みは４８ｎｍであった。第１実験では、第２実験及び第３実験に比べて堆積物ＤＰによるマスクＭＫの開口ＯＰ１の閉塞が抑制されていた。第２実験及び第３実験では、第４実験に比べて堆積物ＤＰによるマスクＭＫの開口ＯＰ１の閉塞が抑制されていた。
　第１実験、第３実験及び第４実験では、工程ＳＴ５において保護膜ＰＲを形成しても堆積物ＤＰの厚みは変わらなかった。第２実験では、工程ＳＴ５において保護膜ＰＲを形成した後、堆積物ＤＰの厚みは２２ｎｍであった。これは、保護膜ＰＲをＡＬＤ法により形成する際のアクティベーション工程において、酸素ガスから生成されたプラズマにより、堆積物ＤＰがエッチングされるからであると推測される。
（保護膜の厚み）
　図１６は、第１実験～第５実験において保護膜が形成される前及び保護膜が形成された後の凹部の寸法及び深さの例を示すグラフである。図１６の（ａ）は第５実験のグラフを示す。図１６の（ｂ）は第１実験のグラフを示す。図１６の（ｃ）は第２実験のグラフを示す。図１６の（ｄ）は第３実験のグラフを示す。図１６の（ｅ）は第４実験のグラフを示す。各グラフにおいて、縦軸は凹部ＲＳの深さを示す。深さ０～０．３μｍの範囲はマスクＭＫに対応する。深さ０．３～０．５μｍの範囲はＳｉＮ膜に対応する。深さ０．５～２．０μｍの範囲はＳｉＯ２膜に対応する。横軸は凹部ＲＳの寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を示す。凹部ＲＳの深さ及び寸法はＳＥＭ画像から算出され得る。各グラフにおいて、一点鎖線ＲＦ１は、保護膜ＰＲが形成される前の凹部ＲＳの寸法を示す。実線Ｅ１～Ｅ５は、第１実験～第５実験において保護膜ＰＲが形成された後の凹部ＲＳの寸法をそれぞれ示す。各グラフから、保護膜ＰＲにより凹部ＲＳの寸法が小さくなることが分かる。
　図１６の（ａ）～（ｃ）に示されるように、第１実験及び第２実験では、保護膜ＰＲの厚みは第５実験とほぼ同じである。一方、図１６の（ｄ）に示されるように、第３実験では、第５実験に比べて保護膜ＰＲの厚みが小さい。図１６の（ｅ）に示されるように、第４実験では、第３実験に比べて保護膜ＰＲの厚みが小さい。堆積物ＤＰによりマスクＭＫの開口ＯＰ１が狭くなることにより、凹部ＲＳ内において保護膜ＰＲが形成され難くなるので、保護膜ＰＲの厚みが小さくなると推測される。ただし、第２実験では保護膜ＰＲの厚みが小さくなっていない。これは、堆積物ＤＰの厚みが小さいので、マスクＭＫの開口ＯＰ１が狭くなり難いからであると推測される。
（マスクの残り厚さ）
　図１７は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われた後の基板の断面の例を示す図である。ＥＸ１～ＥＸ５は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われた後の基板の断面の例をそれぞれ示す。第５実験において、マスクＭＫの残り厚さは２０８ｎｍであった。第１実験において、マスクＭＫの残り厚さは２１８ｎｍであった。第２実験において、マスクＭＫの残り厚さは２３１ｎｍであった。第３実験において、マスクＭＫの残り厚さは２３０ｎｍであった。第４実験において、マスクＭＫの残り厚さは２６３ｎｍであった。第１実験では、第５実験に比べてマスクＭＫの残り厚さが大きくなっていた。第２実験及び第３実験では、第１実験に比べてマスクＭＫの残り厚さが大きくなっていた。第４実験では、第２実験及び第３実験に比べてマスクＭＫの残り厚さが大きくなっていた。マスクＭＫの残り厚さが大きくなる程、マスクＭＫに対するエッチング選択比が高くなる。
（凹部の寸法及び深さ）
　図１８は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われる前及びエッチングが行われた後の凹部の寸法及び深さの例を示すグラフである。図１８の（ａ）は第５実験のグラフを示す。図１８の（ｂ）は第１実験のグラフを示す。図１８の（ｃ）は第２実験のグラフを示す。図１８の（ｄ）は第３実験のグラフを示す。図１８の（ｅ）は第４実験のグラフを示す。各グラフにおいて、縦軸は凹部ＲＳの深さを示す。深さ０～０．３μｍの範囲はマスクＭＫに対応する。深さ０．３～０．５μｍの範囲はＳｉＮ膜に対応する。深さ０．５～２．０μｍの範囲はＳｉＯ２膜に対応する。横軸は凹部ＲＳの寸法を示す。各グラフにおいて、一点鎖線ＲＦ２は、エッチングが行われる前の凹部ＲＳの寸法を示す。実線Ｅ１１～Ｅ１５は、第１実験～第５実験においてエッチングが行われた後の凹部ＲＳの寸法をそれぞれ示す。各グラフから、エッチングにより凹部ＲＳの寸法が大きくなることが分かる。
　図１８の（ａ）に示されるように、第５実験では、エッチングが行われた後において、深い位置における極大点Ｐ１の凹部ＲＳの寸法と、浅い位置における極大点Ｐ２の凹部ＲＳの寸法との差ＢＢは１３ｎｍであった。差ＢＢが大きい程、ボーイングの程度が大きい。第１実験～第４実験についても同様に差ＢＢを算出した。第１実験～第４実験では、エッチングが行われた後において、差ＢＢはそれぞれ９．３ｎｍ、９．９ｎｍ、９．６ｎｍ及び１０．０ｎｍであった。よって、第１実験～第４実験では、エッチングが行われた後において、第５実験に比べてボーイングの程度が小さいことが分かる。
（エッチングレート）
　図１９は、第１実験～第５実験において規格化されたエッチングレートの例を示すグラフである。グラフにおいて、縦軸は、第５実験におけるマスクＭＫのエッチングレートを１として規格化されたエッチングレート示す。第１実験～第４実験のエッチングレートは、堆積物ＤＰ及びマスクＭＫの合計エッチング量をエッチング時間で除することによって算出される。グラフから、第４実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性は、第２実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性よりも高いことが分かる。第２実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性は、第３実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性よりも高いことが分かる。第３実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性は、第１実験の堆積物ＤＰのエッチング耐性よりも高いことが分かる。
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ４９］に記載する。
［Ｅ１］
　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
　（ｂ）ガスから生成されたプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、
　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記基板上に前駆体を吸着させ、該基板上の該前駆体を改質することにより、前記基板上に第２の膜を形成する工程と、
を含み、
　前記第１の領域はシリコン含有膜であり前記頂部堆積物は炭素、ホウ素、又は金属を含有するか、前記第１の領域は有機膜であり前記頂部堆積物はホウ素又は金属を含有する、
基板処理方法。
［Ｅ２］
　（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の領域をエッチングする工程を更に含む、［Ｅ１］に記載の基板処理方法。
［Ｅ３］
　前記頂部堆積物は、前記（ｅ）における前記第１の領域のエッチングにおいて、前記第２の領域を構成する材料よりも低いエッチグレートを有する材料から形成される、［Ｅ２］に記載の基板処理方法。
［Ｅ４］
　前記（ｃ）において、前記第１の膜は、その形成後の前記基板において前記開口を画成する側壁面の垂直性を高めるように形成される、［Ｅ１］～［Ｅ３］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ５］
　前記（ｂ）において前記頂部堆積物は、プラズマＣＶＤ法により形成される、［Ｅ１］～［Ｅ４］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ６］
　前記（ｃ）において前記第１の膜は、不飽和ＡＬＤ法により形成される、［Ｅ１］～［Ｅ５］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ７］
　前記第１の膜は、シリコン酸化膜又は炭素含有膜である、［Ｅ１］～［Ｅ６］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ８］
　前記第２の膜は、タングステン含有膜、スズ含有膜、アルミニウム含有膜、又はハフニウム含有膜である、［Ｅ１］～［Ｅ７］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ９］
　前記第２の領域は、多結晶シリコン膜、有機膜、又はレジスト膜である、［Ｅ１］～［Ｅ８］の何れか一項の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ１０］
　前記第１の領域は、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む積層膜、又はアモルファスカーボン膜である、［Ｅ１］～［Ｅ９］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ１１］
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
　前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
　前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
　前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御するように構成された制御部と、
を備え、
　前記制御部は、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御することにより、
　　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
　　（ｂ）第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
　　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、
　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記基板上に前駆体を吸着させ、該基板上の該前駆体を改質することにより、前記基板上に第２の膜を形成する工程と、
　をもたらすように構成されており、
　前記第１の領域はシリコン含有膜であり前記頂部堆積物は炭素、ホウ素、又は金属を含有するか、前記第１の領域は炭素含有膜であり前記頂部堆積物はホウ素又は金属を含有する、
プラズマ処理装置。
［Ｅ１２］
　前記制御部は、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御することにより、
　　（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の領域をエッチングする工程、
　を更にもたらすように構成されている、［Ｅ１１］に記載のプラズマ処理装置。
［Ｅ１３］
　複数のプロセスモジュールと、
　前記複数のプロセスモジュールの各々に接続可能且つ減圧可能なチャンバ及び該チャンバ内に設けられており基板を搬送するように構成された搬送装置を含む搬送モジュールと、
　前記複数のプロセスモジュール及び前記搬送モジュールを制御するように構成された制御部と、
　前記制御部は、前記複数のプロセスモジュール及び前記搬送モジュールを制御することにより、
　　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
　　（ｂ）第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
　　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、
　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記基板上に前駆体を吸着させ、該基板上の該前駆体を改質することにより、前記基板上に第２の膜を形成する工程と、
　をもたらすように構成されており、
　前記第１の領域はシリコン含有膜であり前記頂部堆積物は炭素、ホウ素、又は金属を含有するか、前記第１の領域は炭素含有膜であり前記頂部堆積物はホウ素又は金属を含有する、
基板処理システム。
［Ｅ１４］
　前記制御部は、前記複数のプロセスモジュールのうち少なくとも一つ及び前記搬送モジュールを制御することにより、
　　（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の領域をエッチングする工程、
　を更にもたらすように構成されている、［Ｅ１３］に記載の基板処理システム。
［Ｅ１５］
　（ａ）エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
　（ｂ）前記（ａ）の後、第１処理ガスから生成される第１プラズマにより、前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成する工程と、
　（ｃ）前記（ｂ）の後、第２処理ガスから生成される第２プラズマにより、前記マスクの上面に堆積物を形成する工程と、
　（ｄ）前記（ｂ）の後、前記凹部の側壁に保護膜を形成する工程と、
　（ｅ）前記（ｃ）及び前記（ｄ）の後、第３処理ガスから生成される第３プラズマにより、前記凹部をエッチングする工程と、
を含む、エッチング方法。
　上記エッチング方法［Ｅ１５］によれば、凹部をエッチングする際に、マスクの上面に形成された堆積物によってマスクが保護される。そのため、凹部をエッチングする際に、マスクに対して高いエッチング選択比が得られる。
［Ｅ１６］
　（ｆ）前記（ｂ）の後、第４処理ガスから生成される第４プラズマにより、前記（ｂ）において前記マスクに付着した付着物を除去する工程を更に含む、［Ｅ１５］に記載のエッチング方法。
　この場合、付着物が除去された状態でマスクの上面に堆積物を形成できる。
［Ｅ１７］
　前記堆積物が、シリコン、炭素、ホウ素及び金属のうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］又は［Ｅ１６］に記載のエッチング方法。
［Ｅ１８］
　前記エッチング対象膜が、シリコン含有膜を含み、
　前記マスクが、前記シリコン含有膜を構成する第１シリコン含有物質と異なる第２シリコン含有物質、有機物及び金属のうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ１７］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ１９］
　前記エッチング対象膜が、有機膜を含み、
　前記マスクが、シリコン含有物質、前記有機膜を構成する第１有機物と異なる第２有機物及び金属のうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ１７］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ１９］
　（ｇ）前記（ｅ）の後、前記（ｃ）～前記（ｅ）を繰り返す工程を更に含む、［Ｅ１５］～［Ｅ１８］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
　この場合、凹部のエッチング量を大きくできる。
［Ｅ２０］
　前記堆積物が、前記マスクの前記上面に形成された第１堆積物と、前記第１堆積物上に形成された第２堆積物とを含み、前記第２堆積物は、前記第１堆積物と異なる材料を含む、［Ｅ１５］～［Ｅ１９］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
　この場合、エッチング対象膜及びマスクの材料を考慮して、第１堆積物の材料と第２堆積物の材料との適切な組み合わせを選択できる。
［Ｅ２１］
　前記エッチング対象膜がシリコン含有膜を含み、
　前記第１処理ガスがハロゲン含有ガスを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２０］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２２］
　前記エッチング対象膜が有機膜を含み、
　前記第１処理ガスが酸素含有ガスを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２０］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２３］
　前記第２処理ガスが、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、ホウ素含有ガス及び金属含有ガスのうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２２］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２４］
　前記保護膜が、前記堆積物の上面に形成される、［Ｅ１５］～［Ｅ２３］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
　この場合、保護膜によって堆積物及びマスクが保護される。そのため、凹部をエッチングする際に、マスクに対して更に高いエッチング選択比が得られる。
［Ｅ２５］
　前記保護膜が、前記堆積物の上面において第１厚みを有し、前記凹部の前記側壁において第２厚みを有し、前記第２厚みは前記第１厚みよりも小さい、［Ｅ２４］に記載のエッチング方法。
　この場合、保護膜によって堆積物及びマスクを保護しながら凹部の閉塞を抑制できる。
［Ｅ２６］
　前記保護膜が、ＡＬＤ法又はＣＶＤ法により形成される、［Ｅ１５］～［Ｅ２５］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２７］
　前記保護膜が、シリコン含有膜、有機膜及び金属含有膜のうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２６］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２８］
　前記保護膜が、前記堆積物と同じ材料を含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２７］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ２９］
　前記保護膜が、前記堆積物と異なる材料を含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２７］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ３０］
　前記保護膜が、第５処理ガスを用いて形成され、
　前記第５処理ガスが、シリコン含有ガス、炭素含有ガス及び金属含有ガスのうち少なくとも１つを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ２９］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ３１］
　前記エッチング対象膜がシリコン含有膜を含み、
　前記第３処理ガスがハロゲン含有ガスを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ３０］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ３２］
　前記エッチング対象膜が有機膜を含み、
　前記第３処理ガスが酸素含有ガスを含む、［Ｅ１５］～［Ｅ３０］のいずれか一項に記載のエッチング方法。
［Ｅ３３］
　チャンバと、
　前記チャンバ内において基板を支持するための基板支持器であり、前記基板は、エッチング対象膜と前記エッチング対象膜上のマスクとを有する、基板支持器と、
　第１処理ガス、第２処理ガス及び第３処理ガスを前記チャンバ内に供給するように構成されたガス供給部と、
　前記チャンバ内で前記第１処理ガス、第２処理ガス及び第３処理ガスから第１プラズマ、第２プラズマ及び第３プラズマをそれぞれ生成するように構成されたプラズマ生成部と、
　制御部と、
を備え、
　前記制御部は、
　　前記第１プラズマにより、前記エッチング対象膜をエッチングして凹部を形成し、
　　前記凹部を形成した後、前記第２プラズマにより、前記マスクの上面に堆積物を形成し、
　　前記凹部を形成した後、前記凹部の側壁に保護膜を形成し、
　　前記堆積物及び前記保護膜を形成した後、前記第３プラズマにより、前記凹部をエッチングするように、
　前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御するように構成される、プラズマ処理装置。
　上記プラズマ処理装置［Ｅ３３］によれば、凹部をエッチングする際に、マスクの上面に形成された堆積物によってマスクが保護される。そのため、凹部をエッチングする際に、マスクに対して高いエッチング選択比が得られる。
［Ｅ３４］
　前記凹部の寸法を測定するための光学観察装置を更に備える、［Ｅ３３］に記載のプラズマ処理装置。
［Ｅ３５］
　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
　（ｂ）ガスから生成されたプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、を含む、
基板処理方法。
［Ｅ３６］
　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記基板上に前駆体を吸着させ、該基板上の該前駆体を改質することにより、前記基板上に第２の膜を形成する工程を更に含み、
　前記第１の領域はシリコン含有膜であり前記頂部堆積物は炭素、ホウ素、又は金属を含有するか、前記第１の領域は有機膜であり前記頂部堆積物はホウ素又は金属を含有する、［Ｅ３５］に記載の基板処理方法。
［Ｅ３７］
　（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の領域をエッチングする工程を更に含む、［Ｅ３６］に記載の基板処理方法。
［Ｅ３８］
　前記頂部堆積物は、前記（ｅ）における前記第１の領域のエッチングにおいて、前記第２の領域を構成する材料よりも低いエッチグレートを有する材料から形成される、［Ｅ３７］に記載の基板処理方法。
［Ｅ３９］
　前記第２の膜は、タングステン含有膜、スズ含有膜、アルミニウム含有膜、又はハフニウム含有膜である、［Ｅ３６］～［Ｅ３８］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４０］
　前記（ｃ）において、前記第１の膜は、その形成後の前記基板において前記開口を画成する側壁面の垂直性を高めるように形成される、［Ｅ３５］～［Ｅ３９］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４１］
　前記（ａ）において、前記第１の領域は下地膜であり、前記第２の領域は、前記下地膜上のエッチング対象膜と、前記エッチング対象膜上のマスクとを含み、前記開口は、前記マスクの第１開口と、前記エッチング対象膜の第２開口とを含み、
　前記（ａ）は、前記第１開口を介して前記エッチング対象膜をエッチングすることにより前記第２開口を形成する工程を含む、［Ｅ３５］～［Ｅ４０］に記載の基板処理方法。
［Ｅ４２］
　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記第２開口を画成する側壁面をエッチングする工程を更に含む、［Ｅ４１］に記載の基板処理方法。
［Ｅ４３］
　前記（ｂ）において前記頂部堆積物は、プラズマＣＶＤ法により形成される、［Ｅ３５］～［Ｅ４２］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４４］
　前記（ｃ）において前記第１の膜は、不飽和ＡＬＤ法又はＣＶＤ法により形成される、［Ｅ３５］～［Ｅ４３］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４５］
　前記第１の膜は、シリコン酸化膜、炭素含有膜又は金属含有膜である、［Ｅ３５］～［Ｅ４４］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４６］
　前記第２の領域は、多結晶シリコン膜、有機膜、又はレジスト膜である、［Ｅ３５］～［Ｅ４５］の何れか一項の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４７］
　前記第１の領域は、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む積層膜、又はアモルファスカーボン膜である、［Ｅ３５］～［Ｅ４６］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４８］
　前記頂部堆積物が、シリコン、炭素、ホウ素及び金属のうち少なくとも１つを含む、［Ｅ３５］～［Ｅ４７］の何れか一項に記載の基板処理方法。
［Ｅ４９］
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
　前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
　前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
　前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御するように構成された制御部と、
を備え、
　前記制御部は、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御することにより、
　　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
　　（ｂ）第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
　　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、
　をもたらすように構成されている、
プラズマ処理装置。
　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
　１…プラズマ処理装置、２…制御部、１０…チャンバ、１１…基板支持部、１２…プラズマ生成部、２０…ガス供給部、Ｗ…基板、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域、ＴＤ…頂部堆積物、Ｆ１…第１の膜、Ｆ２…第２の膜。

Claims (15)

  1. 　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
    　（ｂ）ガスから生成されたプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
    　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、を含む、
    基板処理方法。
  2. 　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記基板上に前駆体を吸着させ、該基板上の該前駆体を改質することにより、前記基板上に第２の膜を形成する工程を更に含み、
    　前記第１の領域はシリコン含有膜であり前記頂部堆積物は炭素、ホウ素、又は金属を含有するか、前記第１の領域は有機膜であり前記頂部堆積物はホウ素又は金属を含有する、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　（ｅ）前記（ｄ）の後に、前記第１の領域をエッチングする工程を更に含む、請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記頂部堆積物は、前記（ｅ）における前記第１の領域のエッチングにおいて、前記第２の領域を構成する材料よりも低いエッチグレートを有する材料から形成される、請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 　前記第２の膜は、タングステン含有膜、スズ含有膜、アルミニウム含有膜、又はハフニウム含有膜である、請求項２～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  6. 　前記（ｃ）において、前記第１の膜は、その形成後の前記基板において前記開口を画成する側壁面の垂直性を高めるように形成される、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  7. 　前記（ａ）において、前記第１の領域は下地膜であり、前記第２の領域は、前記下地膜上のエッチング対象膜と、前記エッチング対象膜上のマスクとを含み、前記開口は、前記マスクの第１開口と、前記エッチング対象膜の第２開口とを含み、
    　前記（ａ）は、前記第１開口を介して前記エッチング対象膜をエッチングすることにより前記第２開口を形成する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  8. 　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記第２開口を画成する側壁面をエッチングする工程を更に含む、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 　前記（ｂ）において前記頂部堆積物は、プラズマＣＶＤ法により形成される、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  10. 　前記（ｃ）において前記第１の膜は、不飽和ＡＬＤ法又はＣＶＤ法により形成される、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  11. 　前記第１の膜は、シリコン酸化膜、炭素含有膜又は金属含有膜である、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  12. 　前記第２の領域は、多結晶シリコン膜、有機膜、又はレジスト膜である、請求項１～４の何れか一項の何れか一項に記載の基板処理方法。
  13. 　前記第１の領域は、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を含む積層膜、又はアモルファスカーボン膜である、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  14. 　前記頂部堆積物が、シリコン、炭素、ホウ素及び金属のうち少なくとも１つを含む、請求項１～４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  15. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
    　前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    　前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
    　前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御するように構成された制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記ガス供給部及び前記プラズマ生成部を制御することにより、
    　　（ａ）基板を準備する工程であって、該基板は、第１の領域と、該第１の領域上に設けられており該第１の領域上で開口を提供する第２の領域と、を含む、該工程と、
    　　（ｂ）第１のガスから生成された第１のプラズマを用いて、前記第２の領域の頂部上に優先的に頂部堆積物を形成する工程と、
    　　（ｃ）前記頂部堆積物の表面及び前記開口を画成する側壁面に該開口の深さ方向に沿ってその厚さが減少する第１の膜を形成する工程と、
    　をもたらすように構成されている、
    プラズマ処理装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020119918A (ja) * 2019-01-18 2020-08-06 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法
JP2021077843A (ja) * 2019-02-28 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2021118315A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム
JP2021534589A (ja) * 2018-08-24 2021-12-09 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 高アスペクト比エッチングのための金属含有パシベーション

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021534589A (ja) * 2018-08-24 2021-12-09 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 高アスペクト比エッチングのための金属含有パシベーション
JP2020119918A (ja) * 2019-01-18 2020-08-06 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法
JP2021077843A (ja) * 2019-02-28 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2021118315A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム

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