WO2023074153A1 - 半導体製造テープ用基材フィルム - Google Patents

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base film
stress
elongation
less
film
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享之 石本
陽介 味口
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タキロンシーアイ株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Definitions

  • the present invention relates to a base film for semiconductor manufacturing tapes (hereinafter sometimes simply referred to as "base film”).
  • a wafer circuit in which a circuit is formed on a substantially disk-shaped semiconductor wafer is divided by dicing on a semiconductor manufacturing tape for wafers (dicing tape), and then divided into individual pieces.
  • dicing tape is widely used to obtain semiconductor devices of After dicing, for example, the dicing tape is stretched to form a gap between the semiconductor devices (that is, expanded), and then each semiconductor device is picked up by a robot or the like.
  • a dicing die attach film in which an adhesive layer is laminated on the adhesive layer of the dicing tape described above is used, and a wafer circuit is diced on the dicing die attach film. After splitting, the dicing die attach film is stretched to form a gap between the semiconductor devices, then the adhesive layer is photo-cured, and the semiconductor devices are peeled off from the adhesive layer and picked up while the adhesive layer is attached. be.
  • Dicing tapes and dicing die attach films are generally composed of an adhesive layer for fixing a wafer and a base film containing polyolefin or the like.
  • the base film contains propylene and/or 1-butene components.
  • Polyolefin layer intermediate layer containing 30 to 100% by weight of amorphous polyolefin with a content of 50% by weight or more, 0 to 70% by weight of crystalline polypropylene resin, and 0 to 70% by weight of polyethylene resin and a polyethylene-based resin layer (surface layer) composed of a polyethylene-based resin such as low-density polyethylene laminated on both sides of the polyolefin layer.
  • a random copolymer of propylene and ethylene and/or an ⁇ -olefin having 4 to 8 carbon atoms wherein the content of ethylene and/or ⁇ -olefin having 4 to 8 carbon atoms is 6% by weight or more
  • the content of ethylene and / or ⁇ -olefin having 4 to 8 carbon atoms is less than that of the surface layer and the surface layer is composed of a high density propylene-based random copolymer ( ⁇ ) as a main component.
  • a substrate film has been proposed (see, for example, Patent Document 3).
  • JP-A-11-323273 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-232683 JP 2018-65327 A
  • an object of the present invention is to provide a base film for a semiconductor manufacturing tape that is excellent in uniform stretchability, rigidity and processing stability.
  • the base film for a semiconductor manufacturing tape of the present invention contains at least a homopolymer of 1-butene, and has an elongation rate of 0% to 100% under the condition of a tensile speed of 300 mm / min. It is characterized by having no yield point during elongation and having a stress (at 25% elongation) of 5 MPa or more and 20 MPa or less.
  • a base film for a semiconductor manufacturing tape that is excellent in uniform extensibility, rigidity, and processing stability.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a base film for a semiconductor manufacturing tape according to a second embodiment of the present invention
  • 5 is an MD SS curve (stress-strain curve) of the base film of Example 1.
  • FIG. 1 is an SS curve (stress-strain curve) of TD in the base film of Example 1.
  • FIG. It is an SS curve (stress-strain curve) of MD in the base film of Example 10.
  • TD SS curve stress-strain curve
  • the base film for semiconductor manufacturing tape of the present invention will be specifically described below.
  • the present invention is not limited to the following embodiments, and can be appropriately modified and applied without changing the gist of the present invention.
  • the base film of this embodiment is a film formed of a polyolefin resin and contains at least a homopolymer of 1-butene.
  • ⁇ Homopolymer of 1-butene> a homopolymer obtained by polymerizing 1-butene alone is used as polybutene.
  • This homopolymer of 1-butene has a high molecular weight and a bulky side chain. As in the case of , the uniform elongation of the base film can be improved.
  • the 1-butene homopolymer used in this embodiment can have a weight average molecular weight (Mw) of about 500,000 to 1,500,000.
  • the "weight-average molecular weight” mentioned above is calculated according to JIS K 7252-1:2016.
  • the 1-butene homopolymer used in the present embodiment has a high molecular weight, it has low surface tackiness and can be used as a surface layer, and has high rigidity compared to amorphous polyolefin. , it is possible to provide a base film having a high rigidity that allows the base film to be unwound in the manufacturing process of the base film.
  • the homopolymer of 1-butene used in the present embodiment has a high molecular weight, it can be molded with a general-purpose extruder. Adhesion to the transport roll when transporting the material film can be suppressed, blocking when winding the base film, and draw resonance when forming the base film can be suppressed, The processing stability of the base film can be improved.
  • the base film of the present embodiment contains low-density polyethylene having a density of 0.930 g/cm 3 or less.
  • the density of the low-density polyethylene is 0.930 g/cm 3 or less, an excessive increase in crystallinity is suppressed and the flexibility is improved, so that the isotropy of the base film can be improved.
  • the density of the low-density polyethylene is higher than 0.930 g/cm 3 , the degree of crystallinity increases excessively, which may reduce the isotropy. The pick-up property of the device may deteriorate, and the semiconductor device may be damaged.
  • the density of the low-density polyethylene is preferably 0.860 g/cm 3 or more, more preferably 0.880 g/cm 3 or more.
  • linear low-density polyethylene has side chain branches in the linear structure of high-density polyethylene, the degree of crystallinity does not become too high compared to high-density polyethylene, and it has excellent flexibility.
  • linear low-density polyethylene produced using a metallocene catalyst or a Ziegler catalyst may be used.
  • melt mass flow rate (MFR) of linear low-density polyethylene is preferably 0.5 to 7.5 g/10 minutes, more preferably 1.0 to 6.0 g/10 minutes, and 2.0 ⁇ 5.0 g/10 minutes is more preferred.
  • MFR melt mass flow rate
  • the melt mass flow rate (MFR) of the linear low-density polyethylene is 0.5 g/10 minutes or more, the molecular weight is not too large, and flexibility and workability can be improved. This is because when the melt mass flow rate (MFR) of the density polyethylene is 7.5 g/10 minutes or less, the molecular weight is not too small and the processing stability can be improved.
  • the above melt mass flow rate can be obtained by measuring in accordance with JIS K7210:1999.
  • the flexibility and isotropy of the base film can be improved.
  • ⁇ Base film> stress (25% during elongation) is 5 MPa or more and 20 MPa or less. If the stress in MD and TD is greater than 20 MPa, the rigidity becomes too large, and the pick-up property of the semiconductor device may deteriorate and the semiconductor device may be damaged. If the stress in MD and TD is less than 5 MPa. Since the rigidity is low, unwinding of the substrate becomes difficult in the production process of the substrate film, and the coatability of the pressure-sensitive adhesive may deteriorate.
  • the base film can be unwound and has excellent rigidity. can be done.
  • the stress in MD and TD is preferably 6 MPa or more and 15 MPa or less, more preferably 7 MPa or more and 13 MPa or less.
  • the base film of this embodiment does not have a yield point during elongation from 0% to 100% under the condition that the tensile speed is 300 mm/min. Therefore, it is possible to provide a base film having excellent uniform stretchability.
  • stress (at 20% elongation) relative to stress (at 40% elongation) is preferably 1 or more and 2 or less, more preferably 1.05 or more and 1.8 or less, and even more preferably 1.1 or more and 1.7 or less. If the elongation rate of the base film is greater than 2, it may become difficult to hold the expanding ring due to excessive stress increase, and if the elongation rate of the base film is less than 1, necking may occur. uniform expansion may be difficult.
  • the ratio of the stress in MD (at 25% elongation) to the stress in TD (at 25% elongation) is preferably 0.8 or more and 1.3 or less, more preferably 0.85 or more and 1.15 or less, and further preferably 0.9 or more and 1.1 or less.
  • stress refers to stress measured in accordance with JIS K7161-2:2014.
  • the thickness of the base film is preferably 50-300 ⁇ m, more preferably 80-150 ⁇ m. If the thickness of the base film is 50 ⁇ m or more, the handleability can be improved, and if the thickness of the base film is 300 ⁇ m or less, the flexibility (expandability) can be improved. In the case of a substrate film for wafers, the thickness of the substrate film is preferably 50-150 ⁇ m, more preferably 70-100 ⁇ m.
  • the base film of the present embodiment uses a resin material containing the above-mentioned 1-butene homopolymer and low-density polyethylene having a density of 0.93 g/cm 3 or less, and is extruded with a T-die, for example. It is manufactured by extruding the above resin material at a predetermined temperature using a machine. In addition, you may manufacture the base film of this embodiment with a well-known calender method or the inflation method.
  • the base film of the present embodiment is a base film composed of a laminate of at least one intermediate layer containing the above-described 1-butene homopolymer and surface layers laminated on both sides of the intermediate layer. be.
  • a base film having this multilayer structure for example, as shown in FIG. / A substrate film 1 having a three-layer structure laminated in order of surface layers.
  • Examples of the surface layer include those containing the 1-butene homopolymer described in the first embodiment and those containing polypropylene homopolymer.
  • a homopolymer of polypropylene is a homopolypropylene obtained by polymerizing propylene alone.
  • This homopolymer of polypropylene has high stereoregularity and a high degree of crystallinity that contributes to the melting point, and is therefore excellent in heat resistance.
  • the degree of crystallinity is high, the rigidity is high, but by mixing with the linear low-density polyethylene described above, flexibility that contributes to the expandability of the base film can be obtained.
  • examples of the intermediate layer include those containing the above-described 1-butene homopolymer and an olefinic elastomer.
  • the olefin-based elastomer is composed of an olefin-based material conforming to the definition of elastomer terms in JIS K 6200. More specifically, materials composed of amorphous or low-crystalline ⁇ -olefin copolymers correspond to olefin-based elastomers, and those mainly composed of polyethylene are mainly ethylene-based elastomers and polypropylene. These are called propylene elastomers.
  • the ethylene-based elastomer is available under the trade name of "Tafmer (registered trademark)” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • the propylene-based elastomer is available under the trade name of "Vistamax (registered trademark)” manufactured by ExxonMobil.
  • the density of the olefin elastomer is preferably 0.850-0.900 g/cm 3 , more preferably 0.860-0.890 g/cm 3 .
  • the stress in MD and TD (at 25% elongation) is 5 MPa or more and 20 MPa or less. If the stress in MD and TD is greater than 20 MPa, the rigidity becomes too large, and the pick-up property of the semiconductor device may deteriorate and the semiconductor device may be damaged. If the stress in MD and TD is less than 5 MPa. Since the rigidity is low, unwinding of the substrate becomes difficult in the production process of the substrate film, and the coatability of the pressure-sensitive adhesive may deteriorate.
  • the base film can be unwound and has excellent rigidity. can be done.
  • the base film of this embodiment does not have a yield point during elongation from 0% to 100% under the condition that the tensile speed is 300 mm/min. Therefore, it is possible to provide a base film having excellent uniform stretchability.
  • the stress (at 20% elongation) relative to the stress ( 40% elongation) ratio is preferably 1 or more and 2 or less, more preferably 1.05 or more and 1.8 or less, and 1.1 or more and 1.7 or less More preferred.
  • the isotropy of the base film during expansion suppresses the occurrence of slack, and from the viewpoint of suppressing the occurrence of slack, the stress in TD (at 25% elongation) MD
  • the ratio of stress (at 25% elongation) in is preferably 0.8 or more and 1.3 or less, and 0.85 or more and 1.15 or less It is more preferably 0.9 or more and 1.1 or less.
  • the mass ratio of the 1-butene homopolymer and the low-density polyethylene in the base film constituting the surface layer is 1-butene homopolymer: low Density polyethylene is preferably in the range of 10:90 to 70:30.
  • the thickness of the base film having a multilayer structure in this embodiment is preferably 50 to 300 ⁇ m, more preferably 80 to 150 ⁇ m, as in the first embodiment.
  • the thickness of the substrate film is preferably 50-150 ⁇ m, more preferably 70-100 ⁇ m.
  • the thickness of the surface layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 15 ⁇ m, more preferably 8 to 10 ⁇ m.
  • the thickness of the intermediate layer is not particularly limited, but is preferably 40-120 ⁇ m, more preferably 50-80 ⁇ m.
  • the ratio of the intermediate layer to the entire substrate film is 40 to 95 from the viewpoint of workability and low cost. % is preferred, and 50-90% is more preferred.
  • ⁇ Manufacturing method> when manufacturing a substrate film having a three-layer structure in which surface layer/intermediate layer/surface layer are laminated in this order, first, a resin material for forming the surface layer and a resin material for forming the intermediate layer are prepared. .
  • the resin material for forming the surface layer and the resin material for forming the intermediate layer are simultaneously extruded at a predetermined temperature to form the intermediate layer and the intermediate layer.
  • a substrate film having a multilayer structure of the present embodiment which is composed of a laminate with a laminated surface layer, is produced.
  • the base film of the present invention may contain various additives.
  • additives known additives that are commonly used in semiconductor manufacturing tapes can be used. coloring agents, and the like.
  • these additives may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the cross-linking aid examples include triallyl isocyanurate and the like.
  • the content of the cross-linking aid in the base film is It is preferably 0.05 to 5 parts by mass, more preferably 1 to 3 parts by mass, based on 100 parts by mass of the resin.
  • the substrate film having a three-layer structure in which the surface layer/intermediate layer/surface layer are laminated in this order was described as an example.
  • the film is not limited to a three-layer structure, and may be, for example, a substrate film having a five-layer structure in which surface layer/intermediate layer/intermediate layer/intermediate layer/surface layer are laminated in this order.
  • LLDPE-1 linear low density polyethylene, melting point: 120° C., density: 0.913 g/cm 3 , MFR: 2.0 g/10 min
  • LLDPE-2 linear low density polyethylene, Melting point: 108°C, density: 0.921 g/cm 3 , MFR: 2.5 g/10 min
  • LLDPE-3 linear low density polyethylene, melting point: 93°C, density: 0.903 g/cm 3 , MFR: 2.0 g/10 min
  • LLDPE-4 linear low density polyethylene, melting point: 124° C., density: 0.936 g/cm 3 , MFR: 2.0 g/10 min
  • LLDPE-5 Linear low-density polyethylene, density: 0.923 g/cm 3 , MFR: 0.5 g/10 min (manufactured by Primpolymer, trade name: ULTZEX (registered trademark) 2005HC)
  • Example 1 ⁇ Preparation of base film> First, each material shown in Table 1 was blended to prepare a resin material of Example 1 having the composition (parts by mass) shown in Table 1. Next, this resin material is extruded with a T-die using a three-kind three-layer co-extruder under the conditions of a die temperature of 180 to 200 ° C. and a chill roll temperature of 40 ° C., thereby having the thickness shown in Table 1. A base film was obtained.
  • the MD and TD SS curves (stress-strain curves) of the base film of this example are shown in FIGS. As shown in FIGS. 2 and 3, in the MD and TD SS curves (stress-strain curves), it can be seen that there is no yield point during elongation from 0% to 100%. .
  • ⁇ Measurement of stress in MD and TD> Using the produced base film, a sample for measurement was obtained in accordance with JIS K7161-2:2014. Next, the obtained measurement sample is set in a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: AG-5000A) so that the distance between the grips is 40 mm, and is set in accordance with JIS K7161-2: 2014. , a temperature of 23° C. and a relative humidity of 40%, and a tensile test was performed at a tensile speed of 300 mm/min.
  • a tensile tester manufactured by Shimadzu Corporation, product name: AG-5000A
  • the stress at 20% elongation (20% stress) and the stress at 40% elongation (40% stress) were measured, and the stress in MD (20%
  • the ratio of stress (at 40% elongation) to stress (at 40% elongation) in MD i.e., the elongation of the substrate film in MD
  • the ratio of stress (at 40% elongation) to stress (at 20% elongation) in TD was calculated. Table 1 shows the above results.
  • Processing stability was evaluated using the produced base film. More specifically, it is possible to suppress adhesion to the transport roll when transporting the base film, blocking when winding the base film, and draw resonance when forming the base film. The case where it is possible to prevent thickness fluctuation due to The case where the transport and winding of the substrate film was difficult, or the case where the variation in thickness due to draw resonance during molding of the substrate film was large was evaluated as x (poor processing stability of the substrate film). Table 1 shows the above results.
  • Examples 2-9, Comparative Examples 1-3 Base films having thicknesses shown in Tables 1 and 3 were produced in the same manner as in Example 1 above, except that the composition of the resin component was changed to the composition (parts by mass) shown in Tables 1 and 3. .
  • each material shown in Tables 2 and 4 was blended to obtain a resin material for forming a surface layer and an intermediate layer having compositions (parts by weight) shown in Tables 2 and 4.
  • a resin material for forming was prepared.
  • the resin material for forming the surface layer and the resin material for forming the intermediate layer are simultaneously extruded under conditions of 180 to 200°C and a chill roll temperature of 40°C.
  • it has the thicknesses shown in Tables 2 and 4 (that is, the ratio of the intermediate layer to the entire base film is 80%), and a three-layer structure in which the surface layer/intermediate layer/surface layer are laminated in this order.
  • the MD and TD SS curves (stress-strain curves) of the base film of Example 10 are shown in FIGS. As shown in FIGS. 4 and 5, in the MD and TD SS curves (stress-strain curves), it can be seen that there is no yield point during elongation from 0% to 100%. .
  • the base films of Examples 1 to 15 contained at least a homopolymer of 1-butene and had an elongation rate of 0% to 100 under the condition that the tensile speed was 300 mm/min. % and the stress (at 25% elongation) is 5 MPa or more and 20 MPa or less.
  • the base film of Comparative Example 5 does not contain a 1-butene homopolymer, and the stress in TD (at 25% elongation) is less than 5 MPa. In the manufacturing process of the base film, unwinding of the base material becomes unstable and the rigidity is poor.
  • the base film of Comparative Example 6 did not contain a 1-butene homopolymer, and in MD and TD, the stress (40% Since the ratio of (during elongation) is less than 1, the yield point is confirmed and it can be seen that the uniform elongation is poor.
  • the stress in MD and TD (at 25% elongation) is less than 5 MPa, unwinding of the substrate becomes unstable in the manufacturing process of the substrate film, and the stiffness is poor.
  • the surface of the film is highly tacky, the base film sticks to the transport roll when the base film is transported, making it difficult to transport and wind the base film, resulting in poor processing stability. I understand.
  • the ratio of the stress in MD (at 25% elongation) to the stress in TD (at 25% elongation) is greater than 1.3. It can be seen that the directionality is lacking.
  • the ratio of stress (at 40% elongation) to stress (at 20% elongation) is less than 1, a yield point is confirmed, indicating poor uniform elongation.
  • the present invention is suitable for base films for semiconductor manufacturing tapes.

Abstract

半導体製造テープ用基材フィルムは、１－ブテンのホモポリマーを少なくとも含み、引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有さず、応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である。

Description

半導体製造テープ用基材フィルム
　本発明は、半導体製造テープ用基材フィルム（以下、単に「基材フィルム」という場合がある。）に関する。
　ＩＣチップ等の半導体デバイスの製造方法としては、例えば、略円板形状の半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を、ウエハ用の半導体製造テープ（ダイシングテープ）上でダイシングにより分割し、個々の半導体デバイスを得る方法が広く用いられている。そして、ダイシング後は、例えば、ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成した（すなわち、エキスパンド）後、各半導体デバイスがロボット等でピックアップされる。
　また、ウエハ用の半導体製造テープとして、上述のダイシングテープの粘着層上に接着層が積層されたダイシング・ダイアタッチフィルム（ＤＤＡＦ）が使用されており、ダイシング・ダイアタッチフィルム上でウエハ回路をダイシングにより分割後、ダイシング・ダイアタッチフィルムを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成し、その後、粘着層を光硬化させて、接着層が接着された状態で半導体デバイスが粘着層から剥離されてピックアップされる。
　ダイシングテープやダイシング・ダイアタッチフィルムは、一般に、ウエハを固定する粘着層とポリオレフィン等を含有する基材フィルムとにより構成されており、例えば、基材フィルムが、プロピレン及び／又は１－ブテン成分の含有率が５０重量％以上の非晶質ポリオレフィンを３０～１００重量％と、結晶性ポリプロピレン系樹脂を０～７０重量％と、ポリエチレン系樹脂を０～７０重量％含有するポリオレフィン層（中間層）と、当該ポリオレフィン層の両面に積層され、低密度ポリエチレンなどのポリエチレン系樹脂で構成されたポリエチレン系樹脂層（表面層）との積層体により構成された基材フィルムを備えたダイシングテープが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　また、エチレン、プロピレン、１－ブテンからなる群から選ばれる少なくとも１成分を４０質量％以上含有する非晶質ポリオレフィンを含む中間層と、当該中間層の両面に積層され、結晶性ポリエチレンを主成分とする表面層との積層体により構成された基材フィルムが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
　また、プロピレンとエチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンとのランダム共重合体であって、エチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンの含有量が６重量％以上、ＡＳＴＭ　Ｄ１５０５に準拠して測定される密度が８８５ｋｇ／ｍ３以下のプロピレン系ランダム共重合体（β）を主成分とする中間層と、当該中間層の両面に積層され、プロピレン系ランダム共重合体（β）より、エチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンの含有量が少なく、密度が高いプロピレン系ランダム共重合体（α）を主成分とする表面層との積層体により構成された基材フィルムが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
特開平１１－３２３２７３号公報 特開２００１－２３２６８３号公報 特開２０１８－６５３２７号公報
　しかし、上記特許文献１に記載の基材フィルムにおいては、非晶性のブテンコポリマーに対して、結晶性のランダムポリプロピレンを同量以上添加しているため、基材フィルムを伸長する際にネッキングが発生し、基材フィルムの均一伸長性（均一なエキスパンド性）が不十分であるという問題があった。また、低粘度のブテンコポリマーを使用しているため、基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスなどの吐出変動による厚みの変動が大きくなり、基材フィルムの加工安定性が不十分であるという問題があった。
　また、上記特許文献２に記載の基材フィルムにおいては、基材フィルムの剛性が不十分であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となるという問題があった。
　また、上記特許文献３に記載の基材フィルムにおいては、非晶性ではなく半晶性の樹脂を用いているため、基材フィルムを成形する際にネッキングが発生し、基材フィルムの均一伸長性が不十分であるという問題があった。また、基材フィルムの剛性が不十分であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となるという問題があった。また、基材フィルムの表面が高粘着性であるため、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着して、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難になるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキングが発生し、加工安定性が不十分であるという問題があった。
　そこで、本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、均一伸長性と剛性と加工安定性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムは、１－ブテンのホモポリマーを少なくとも含み、引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有さず、応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることを特徴とする。
　本発明によれば、均一伸長性と剛性と加工安定性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することが可能になる。
本発明の第２の実施形態に係る半導体製造テープ用基材フィルムを示す断面図である。 実施例１の基材フィルムにおけるＭＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。 実施例１の基材フィルムにおけるＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。 実施例１０の基材フィルムにおけるＭＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。 実施例１０の基材フィルムにおけるＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。
　以下、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムについて具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して適用することができる。
　（第１の実施形態）
　本実施形態の基材フィルムは、ポリオレフィン系樹脂により形成されたフィルムであり、少なくとも１－ブテンのホモポリマーを含んでいる。
　＜１－ブテンのホモポリマー＞
　本実施形態においては、ポリブテンとして、１－ブテンを単独で重合したホモポリマーが使用される。この１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であって嵩高い側鎖を有しており、この嵩高い側鎖による強い分子間力により、結晶性高分子であるにも関わらず、非晶性の場合と同様に、基材フィルムの均一伸長性を向上させることができる。
　また、本実施形態で使用する１－ブテンのホモポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０万～１５０万のものを使用することができる。
　なお、上記「重量平均分子量」とは、ＪＩＳ　Ｋ　７２５２－１：２０１６に準拠して算出されるものを言う。
　そして、本実施形態で使用する１－ブテンのホモポリマーは高分子量であるため、表面粘着性が低く、表面層として使用することができ、また、非晶性ポリオレフィンに比し、剛性が高いため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な高い剛性を有する基材フィルムを提供することができる。
　また、本実施形態で使用する１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であるにも関わらず、汎用の押出機で成形が可能であり、高分子量成分によりフィルムの表面粘着性が低いため、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキング、及び基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスを抑制することができ、基材フィルムの加工安定性を向上させることができる。
　以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、１－ブテンのホモポリマーを使用することにより、基材フィルムの均一伸長性と剛性と加工安定性を向上させることができる。
　＜低密度ポリエチレン＞
　また、本実施形態の基材フィルムは、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンを含んでいる。低密度ポリエチレンの密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３以下の場合は、結晶化度の過度な上昇を抑制して柔軟性が向上するため、基材フィルムの等方性を向上させることができる。なお、低密度ポリエチレンの密度が０．９３０ｇ／ｃｍ３よりも大きい場合は、結晶化度が過度に上昇するため、等方性が低下する場合があり、また、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合がある。
　また、加工安定性を向上させるとの観点から、低密度ポリエチレンの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましく、０．８８０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。
　また、直鎖状低密度ポリエチレンは、高密度ポリエチレンの直鎖構造に側鎖分岐を有しているため、高密度ポリエチレンと比較して、結晶化度が高くなり過ぎず、柔軟性に優れている。
　なお、強度の点から、メタロセン系触媒またはチグラー触媒を用いて製造された直鎖状低密度ポリエチレンを使用してもよい。
　また、直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）は、０．５～７．５ｇ／１０分であることが好ましく、１．０～６．０ｇ／１０分がより好ましく、２．０～５．０ｇ／１０分がさらに好ましい。直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が０．５ｇ／１０分以上の場合は、分子量が大き過ぎず、柔軟性と加工性を向上させることができるためであり、直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が７．５ｇ／１０分以下の場合は、分子量が小さ過ぎず、加工安定性を向上させることができるためである。
　なお、上記のメルトマスフローレートは、ＪＩＳ　Ｋ７２１０：１９９９の規定に準拠して測定することで得られる。
　以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、密度が０．９３ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンを使用することにより、基材フィルムの柔軟性と等方性を向上させることができる。
　＜基材フィルム＞
　本実施形態の基材フィルムにおいては、基材フィルムの機械軸（長手）方向（以下、「ＭＤ」という。）及び、これと直交する方向（以下、「ＴＤ」という。）における応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である。ＭＤ、及びＴＤにおける応力が２０ＭＰａよりも大きい場合は、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合があり、ＭＤ、及びＴＤにおける応力が５ＭＰａ未満の場合は、剛性が低くなるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが困難になるとともに、粘着剤の塗工性が低下する場合がある。
　すなわち、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な剛性に優れた基材フィルムを提供することができる。
　なお、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）は、６ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下が好ましく、７ＭＰａ以上１３ＭＰａ以下がより好ましい。
　また、本実施形態の基材フィルムは、引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有していない。従って、均一伸長性に優れた基材フィルムを提供することができる。
　本実施形態の基材フィルムにおける１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比は、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０の範囲であることが好ましい。１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比を、この範囲に設定することにより、基材フィルムを成形する際のネッキングの発生を防止して、エキスパンドがより一層均一になるとともに、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しがより一層可能になる。さらに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキングの発生と、基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動を防止することが可能になる。従って、均一伸長性と剛性と加工安定性により一層優れた基材フィルムを提供することが可能になる。
　また、本実施形態の基材フィルムにおいては、基材フィルムの均一伸長性をより一層向上させるとの観点から、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、基材フィルムの伸び率）が、１以上２以下であることが好ましく、１．０５以上１．８以下がより好ましく、１．１以上１．７以下がさらに好ましい。基材フィルムの伸び率が２よりも大きい場合は、過剰な応力増大に伴い、エキスパンドリングの保持が困難になる場合があり、基材フィルムの伸び率が１未満の場合は、ネッキングが発生して、均一なエキスパンドが困難になる場合がある。
　また、エキスパンド時における基材フィルムの等方性が優れ、弛みの発生を抑制するとの観点から、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比（すなわち、２５％伸長時における基材フィルムの応力比）が、０．８以上１．３以下であることが好ましく、０．８５以上１．１５以下がより好ましく、０．９以上１．１以下がさらに好ましい。
　なお、上記「応力」とは、ＪＩＳ　Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して測定される応力のことを言う。
　基材フィルムの厚みは、５０～３００μｍが好ましく、８０～１５０μｍがより好ましい。基材フィルムの厚みが５０μｍ以上であれば、ハンドリング性が向上し、基材フィルムの厚みが３００μｍ以下であれば、柔軟性（エキスパンド性）を向上させることができる。なお、ウエハ用の基材フィルムの場合は、基材フィルムの厚みが５０～１５０μｍが好ましく、７０～１００μｍがより好ましい。
　＜製造方法＞
　本実施形態の基材フィルムは、上述の１－ブテンのホモポリマーと、密度が０．９３ｇ／ｃｍ３以下である低密度ポリエチレンとを含有する樹脂材料を用いて、例えば、Ｔダイを備える押出機により、所定の温度で上記樹脂材料を押し出し成形することにより製造される。なお、公知のカレンダー法やインフレーション法により、本実施形態の基材フィルムを製造してもよい。
　（第２の実施形態）
　本実施形態の基材フィルムは、上述の１－ブテンのホモポリマーを含む少なくとも１層の中間層と、当該中間層の両面に積層される表面層との積層体により構成された基材フィルムである。
　この多層構造を有する基材フィルムとしては、例えば、図１に示すように、中間層２と、中間層２の両面に積層された表面層３との積層体により構成され、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルム１が挙げられる。
　表面層としては、例えば、上述の第１の実施形態において説明した１－ブテンのホモポリマーを含有するものや、ポリプロピレンのホモポリマーを含有するものが挙げられる。
　＜ポリプロピレンのホモポリマー＞
　ポリプロピレンのホモポリマーは、プロピレンを単独で重合したホモポリプロピレンであり、このポリプロピレンのホモポリマーは、立体規則性が高く、融点に寄与する結晶化度が大きいため、耐熱性に優れている。また、結晶化度が大きいため、剛性が大きいが、上述の直鎖状低密度ポリエチレンと混合することで、基材フィルムのエキスパンド性に寄与する柔軟性を得ることができる。
　また、中間層としては、例えば、上述の１－ブテンのホモポリマーと、オレフィン系エラストマーとを含有するものが挙げられる。
　＜オレフィン系エラストマー＞
　オレフィン系エラストマーは、ＪＩＳ　Ｋ　６２００におけるエラストマーの用語の定義に準ずるオレフィン系材料で構成される。より具体的には、非晶性もしくは低結晶性のα－オレフィンの共重合体で構成される材料がオレフィン系エラストマーに該当し、ポリエチレンが主体となるものをエチレン系エラストマー、ポリプロピレンが主体となるものをプロピレン系エラストマーという。例えば、エチレン系エラストマーとしては、三井化学社製の商品名「タフマー（登録商標）」、プロピレン系エラストマーとしてエクソンモービル社製の商品名「ビスタマックス（登録商標）」が該当する。
　なお、オレフィン系エラストマーの密度は、０．８５０～０．９００ｇ／ｃｍ３であることが好ましく、０．８６０～０．８９０ｇ／ｃｍ３であることがより好ましい。
　また、加工性とコスト性の観点から、中間層における１－ブテンのホモポリマーとオレフィン系エラストマーとの質量比は、１－ブテンのホモポリマー：オレフィン系エラストマー＝６０：４０～９０：１０の範囲が好ましい。
　＜基材フィルム＞
　本実施形態の基材フィルムにおいては、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である。ＭＤ、及びＴＤにおける応力が２０ＭＰａよりも大きい場合は、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合があり、ＭＤ、及びＴＤにおける応力が５ＭＰａ未満の場合は、剛性が低くなるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが困難になるとともに、粘着剤の塗工性が低下する場合がある。
　すなわち、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な剛性に優れた基材フィルムを提供することができる。
　また、本実施形態の基材フィルムは、引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有していない。従って、均一伸長性に優れた基材フィルムを提供することができる。
　また、上述の第１の実施形態における基材フィルムと同様に、基材フィルムの均一伸長性をより一層向上させるとの観点から、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、基材フィルムの伸び率）が、１以上２以下であることが好ましく、１．０５以上１．８以下がより好ましく、１．１以上１．７以下がさらに好ましい。
　また、上述の第１の実施形態における基材フィルムと同様に、エキスパンド時における基材フィルムの等方性により、弛みの発生を抑制するとの観点から、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比（すなわち、２５％伸長時における基材フィルムの応力比）が、０．８以上１．３以下であることが好ましく、０．８５以上１．１５以下がより好ましく、０．９以上１．１以下であることがさらに好ましい。
　また、上述の第１の実施形態における基材フィルムと同様に、表面層を構成する基材フィルムにおける１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比は、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０の範囲であることが好ましい。
　本実施形態における多層構造を有する基材フィルムの厚みは、上述の第１の実施形態の場合と同様に、５０～３００μｍが好ましく、８０～１５０μｍがより好ましい。なお、ウエハ用の基材フィルムの場合は、基材フィルムの厚みが５０～１５０μｍが好ましく、７０～１００μｍがより好ましい。
　また、例えば、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムの場合、表面層の厚みは特に限定されないが、５～１５μｍが好ましく、８～１０μｍがより好ましい。また、中間層の厚みは特に限定されないが、４０～１２０μｍが好ましく、５０～８０μｍがより好ましい。
　また、例えば、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムの場合、加工性と低コストの観点から、基材フィルム全体に対する中間層の比率は４０～９５％が好ましく、５０～９０％がより好ましい。
　＜製造方法＞
　例えば、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを製造する場合、まず、表面層形成用の樹脂材料と、中間層形成用の樹脂材料とを用意する。
　次に、Ｔダイを備える押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料および中間層形成用の樹脂材料を所定の温度で同時に押し出して成形することにより、中間層と、当該中間層の両面に積層された表面層との積層体により構成された本実施形態の多層構造を有する基材フィルムが製造される。なお、公知のカレンダー法やインフレーション法により、本実施形態の基材フィルムを製造してもよい。
　＜他の形態＞
　本発明の基材フィルムには、各種添加剤が含有されていてもよい。添加剤としては、半導体製造テープに通常用いられる公知の添加剤を用いることができ、例えば、架橋助剤、帯電防止剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤、着色剤等が挙げられる。なお、これらの添加剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、架橋助剤としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられ、基材フィルムが架橋助剤を含有する場合、基材フィルム中の架橋助剤の含有量は、基材フィルムを形成する樹脂１００質量部に対して、０．０５～５質量部が好ましく、１～３質量部がより好ましい。
　また、上記第２の実施形態においては、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを例に挙げて説明したが、本発明の多層構造を有する基材フィルムは、３層構造に限定されず、例えば、表面層／中間層／中間層／中間層／表面層の順に積層された５層構造を有する基材フィルムであってもよい。
　以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。
　基材フィルムの作製に使用した材料を以下に示す。
（１）ＬＬＤＰＥ－１：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２０℃、密度：０．９１３ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（２）ＬＬＤＰＥ－２：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１０８℃、密度：０．９２１ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．５ｇ／１０分
（３）ＬＬＤＰＥ－３：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：９３℃、密度：０．９０３ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（４）ＬＬＤＰＥ－４：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２４℃、密度：０．９３６ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（５）ＬＬＤＰＥ－５：直鎖状低密度ポリエチレン、密度：０．９２３ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分（プリムポリマー社製、商品名：ウルトゼックス（登録商標）　２００５ＨＣ）
（６）ＬＤＰＥ－１：低密度ポリエチレン、融点：１０８℃、密度：０．９１８ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：７．５ｇ／１０分（宇部丸善ＰＥ社製、商品名：ＵＢＥポリエチレン　Ｌ７１９）
（７）ＬＤＰＥ－２：低密度ポリエチレン、融点：１１０℃、密度：０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：５．０ｇ／１０分（宇部丸善ＰＥ社製、商品名：ＵＢＥポリエチレン　Ｆ５２２Ｎ）
（８）ＰＰエラストマー１：プロピレン系エラストマー、密度：０．８８９ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：８．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率４％（エクソン社製、商品名：ビスタマックス（登録商標）　３５８８ＦＬ）
（９）ＰＰエラストマー２：プロピレン系エラストマー、密度：０．８６２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：３．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率：１６％（エクソン社製、商品名：ビスタマックス（登録商標）　６１０２ＦＬ）
（１０）ＰＰエラストマー３：プロピレン系エラストマー、融点：１６０℃、密度：０．８６８ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：６．０ｇ／１０分（２３０℃）
（１１）非晶質ポリオレフィン＋結晶性ポリプロピレン（１－ブテン・プロピレン共重合体：結晶性ポリプロピレン＝５０：５０）：密度：０．８８０ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：１１．７ｇ／１０分（大日精化社製、商品名：ペリコン　ＣＡＰ３５０Ｓ）
（１２）１－Ｂｕ：１－ブテンのホモポリマー、融点：１２８℃、密度：０．９２０ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分
（１３）ＰＥエラストマー：エチレン系エラストマー、融点：５０℃未満、密度：０．８６４ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：６．７ｇ／１０分（２３０℃）
（１４）ｈ－ＰＰ：ポリプロピレンのホモポリマー、融点：１６３℃、密度：０．９００ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分
　（実施例１）
　＜基材フィルムの作製＞
　まず、表１に示す各材料をブレンドして、表１に示す組成（質量部）を有する実施例１の樹脂材料を用意した。次に、この樹脂材料を、三種三層の共押出機を用いて、Ｔダイスにより、ダイス温度が１８０～２００℃、チルロール温度が４０℃の条件で押出すことにより、表１の厚みを有する基材フィルムを得た。
　＜降伏点の有無の評価＞
　作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ　Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ　Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、３００ｍｍ／分の引張速度で引張試験を行った。
　そして、ＭＤ，及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点が確認されなかったもの（ネッキングが発生せず、均一なエキスパンドが可能なもの）を〇とし、降伏点が確認されたもの（ネッキングが発生し、均一なエキスパンドが不可能なもの）を×とした。以上の結果を表１に示す。
　なお、本実施例の基材フィルムにおけるＭＤ及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）を図２～図３に示す。図２～図３に示すように、ＭＤ、及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有していないことが分かる。
　＜ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定＞
　作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ　Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ　Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて引張試験を行った。
　そして、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、２５％伸長時の応力（２５％応力）を測定するとともに、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比（すなわち、２５％伸長時における基材フィルムの応力比）を算出した。以上の結果を表１に示す。
　また、同様に、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、２０％伸長時の応力（２０％応力）と４０％伸長時の応力（４０％応力）を測定するとともに、ＭＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＭＤにおける基材フィルムの伸び率）と、ＴＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＴＤにおける基材フィルムの伸び率）を算出した。以上の結果を表１に示す。
　＜剛性評価＞
　作製した基材フィルムを用いて、剛性を評価した。より具体的には、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な場合を〇（基材フィルムの剛性が優れている）とし、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定な場合を×（基材フィルムの剛性が乏しい）とした。以上の結果を表１に示す。
　＜加工安定性評価＞
　作製した基材フィルムを用いて、加工安定性を評価した。より具体的には、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキング、及び基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動を防止することが可能な場合を〇（基材フィルムの加工安定性が優れている）とし、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着し、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難な場合、または基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動が大きい場合を×（基材フィルムの加工安定性が乏しい）とした。以上の結果を表１に示す。
　（実施例２～９、比較例１～３）
　樹脂成分の組成を表１、表３に示す組成（質量部）に変更したこと以外は、上述の実施例１と同様にして、表１、表３に示す厚みを有する基材フィルムを作製した。
　そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、剛性評価、及び加工安定性評価を行った。以上の結果を表１、表３に示す。
　（実施例１０～１５、比較例４～８）
　まず、各実施例、及び各比較例において、表２、表４に示す各材料をブレンドして、表２、表４に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料と中間層形成用の樹脂材料とを用意した。
　次に、Ｔダイを備える三種三層用の共押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料および中間層形成用の樹脂材料を１８０～２００℃、チルロール温度が４０℃の条件で同時に押し出して成形することにより、表２、表４の厚みを有する（すなわち、基材フィルム全体に対する中間層の比率が８０％である）とともに、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを得た。
　そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、剛性評価、及び加工安定性評価を行った。以上の結果を表２、表４に示す。
　なお、実施例１０の基材フィルムにおけるＭＤ及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）を図４～図５に示す。図４～図５に示すように、ＭＤ、及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有していないことが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表１～表２に示すように、実施例１～１５の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーを少なくとも含み、引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有さず、応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であるため、均一伸長性に優れるとともに、剛性と加工安定性に優れていることが分かる。
　一方、表３に示すように、比較例１の基材フィルムにおいては、結晶性の１－ブテンのホモポリマーを過剰量添加しているため、降伏点が確認されるとともに、ＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であり、均一伸長性に乏しいことが分かる。
　また、表３に示すように、比較例２の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれていないため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しく、また、加工安定性も乏しいことが分かる。
　また、表３に示すように、比較例３の基材フィルムにおいては、高密度で結晶性の高い直鎖状低密度ポリエチレンを使用しているため、降伏点が確認されるとともに、ＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であり、均一伸長性に乏しいことが分かる。
　また、表４に示すように、比較例４の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれていないため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しいことが分かる。また、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比が１．３よりも大きいため、等方性に乏しいことが分かる。また、低粘度のブテンコポリマーを使用しているため、基材フィルムを成形する際にドローレゾナンスによる厚みの変動が大きくなり、加工安定性に乏しいことが分かる。
　また、表４に示すように、比較例５の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれておらず、また、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ未満であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となり、剛性に乏しいことが分かる。
　また、表４に示すように、比較例６の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれておらず、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であるため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しいことが分かる。また、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ未満であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となり、剛性に乏しいことが分かる。また、フィルムの表面が高粘着性であるため、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着し、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難になり、加工安定性に乏しいことが分かる。
　また、表４に示すように、比較例７の基材フィルムにおいては、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ未満であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となり、剛性に乏しいことが分かる。
　また、表４に示すように、比較例８の基材フィルムにおいては、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比が１．３よりも大きいため、等方性に乏しいことが分かる。また、ＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であるため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しいことが分かる。
　以上説明したように、本発明は、半導体製造テープ用基材フィルムに適している。
　１　　基材フィルム
　２　　中間層
　３　　表面層
 

Claims (4)

  1. 　１－ブテンのホモポリマーを少なくとも含み、
    　引張速度が３００ｍｍ／分の条件下で、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有さず、
    　応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体製造テープ用基材フィルム。
  2. 　応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が、１以上２以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
  3. 　ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比が、０．８以上１．３以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
  4. 　単層または多層構造であることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
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