WO2023048211A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2023048211A1
WO2023048211A1 PCT/JP2022/035326 JP2022035326W WO2023048211A1 WO 2023048211 A1 WO2023048211 A1 WO 2023048211A1 JP 2022035326 W JP2022035326 W JP 2022035326W WO 2023048211 A1 WO2023048211 A1 WO 2023048211A1
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WO
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identification mark
shield conductor
conductor
electronic component
interlayer connection
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PCT/JP2022/035326
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English (en)
French (fr)
Inventor
裕史 大家
昌弘 寺本
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H01F27/36—Electric or magnetic shields or screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/22—Electrostatic or magnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/24—Distinguishing marks, e.g. colour coding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component comprising a base body and an identification mark formed on the outer surface of the base body.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose electronic components with identification marks.
  • a laminate including a plurality of laminated dielectric layers includes a mark layer made of a conductor layer disposed on the top surface of the dielectric layer located at the top, and a mark layer. and a shield covering the layer.
  • a concave portion is formed on the top surface of a laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated.
  • a shield layer is formed on the top surface including the recess. The recess functions as an identification mark.
  • JP 2018-186205 A Japanese Patent No. 6863458
  • a mark layer is arranged in the laminate.
  • the following problems may occur. For example, if the laminate and the mark layer are both made of ceramic, diffusion between the ceramics may occur. If diffusion occurs, the dielectric properties of the laminate may deteriorate. Therefore, when the mark layer is arranged in a stack, the suitable material for the mark layer is limited.
  • an object of the present invention is to solve the above problems, and to provide an electronic component capable of improving the visibility of the identification mark while maintaining the strength of the base body.
  • An electronic component comprises an element body having a plurality of insulating substrates laminated in a thickness direction and having a pair of main surfaces facing opposite to each other and a side surface connecting the pair of main surfaces; an LC resonator having an inductor conductor formed on at least one of the plurality of substrates and a capacitor conductor formed on at least one of the plurality of substrates and electrically connected to the inductor conductor; a shield conductor formed on at least one of the pair of main surfaces and the side surfaces and electrically connected to a ground; and an identification mark formed on the surface of the shield conductor formed on one of the pair of main surfaces.
  • FIG. 2 is a sectional view showing the AA section of FIG. 1;
  • FIG. 3 is a sectional view showing a BB section of FIG. 2;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when an interlayer connection conductor is formed on a substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when internal electrodes are printed on a substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when a shield conductor is printed on a substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when an identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a base material formed by laminating a plurality of base materials in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when the element body is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a sectional view corresponding to the BB section of FIG.
  • FIG. 3 is a sectional view corresponding to the BB section of FIG. 2 in the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view corresponding to the AA section of FIG. 1 in an electronic component according to a modification of the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view corresponding to the AA section of FIG. 1 in an electronic component according to a modification of the first embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a cross-sectional view when an identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a cross-sectional view when the element body is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the element when an identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the modification of the third embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a part of the element when the element is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the modification of the third embodiment of the present invention
  • An electronic component comprises an element body having a plurality of insulating substrates laminated in a thickness direction and having a pair of main surfaces facing opposite to each other and a side surface connecting the pair of main surfaces; an LC resonator having an inductor conductor formed on at least one of the plurality of substrates and a capacitor conductor formed on at least one of the plurality of substrates and electrically connected to the inductor conductor; a shield conductor formed on at least one of the pair of main surfaces and the side surfaces and electrically connected to a ground; and an identification mark formed on the surface of the shield conductor formed on one of the pair of main surfaces.
  • the identification mark is formed on the surface of the shield conductor. Therefore, the visibility of the identification mark can be improved as compared with the configuration in which the identification mark is covered with the shield conductor.
  • the shield conductor is interposed between the identification mark and the element. Therefore, even if both the identification mark and the element body are made of ceramic, the occurrence of diffusion between ceramics can be prevented.
  • the identification mark pushes the shield conductor toward the base material.
  • the adhesion between the shield conductor and the element body can be improved.
  • the electronic component has an LC resonator.
  • the shield conductor is formed on at least one of the pair of main surfaces among the outer surfaces of the element body. Therefore, the electronic component can be configured such that the shield conductor is not formed on the other of the pair of main surfaces and at least one of the side surfaces. In this case, blocking of the magnetic flux of the LC resonator by the shield conductor can be reduced.
  • an interlayer connection conductor penetrating through the substrate may be formed on the substrate on which the shield conductor is formed, of the plurality of substrates, and the shield conductor may be the interlayer connection conductor. may be electrically connected to the ground via
  • an internal electrode formed on the main surface of the base material located inside the element body is electrically connected to the shield conductor formed on the side surface of the element body at the side edge of the base material. be.
  • the contact area between the internal electrode and the shield conductor depends on the thickness of the internal electrode. It is difficult to increase the thickness of the internal electrodes. Therefore, it is difficult to increase the contact area between the internal electrode and the shield conductor.
  • the interlayer connection conductor formed on the base material is electrically connected to the shield conductor.
  • the contact area between the interlayer connection conductor and the shield conductor depends on the size of the diameter of the through hole formed in the substrate and filled with the interlayer connection conductor. Increasing the diameter of the through-hole is easier than increasing the thickness of the internal electrode. Therefore, increasing the contact area of the interlayer connection conductor with the shield conductor is easier than increasing the contact area of the internal electrode with the shield conductor. Therefore, the connection reliability between the interlayer connection conductor and the shield conductor can be improved.
  • a plurality of the interlayer connection conductors may be formed on the substrate on which the shield conductor is formed among the plurality of substrates, and the shield conductor connects the plurality of the interlayer connection conductors. may be electrically connected to the ground through the
  • the number of interlayer connection conductors electrically connected to the shield conductor can be increased.
  • unwanted resonance in the LC resonator can be suppressed.
  • the identification mark may be formed at a position separated from the interlayer connection conductor when viewed in the thickness direction.
  • the identification mark is formed at a position overlapping the interlayer connection conductor when viewed from the thickness direction. That is, the stress caused by the protrusion of the interlayer connection conductor from the base material during the formation process of the interlayer connection conductor and the stress caused by the contraction of the base material during the firing process of the element body concentrate near the identification mark. As a result, cracks or the like may occur in the identification mark and the element around it.
  • the identification mark is formed at a position separated from the interlayer connection conductor when viewed in the thickness direction. Therefore, the stress is not concentrated near the identification mark. As a result, the possibility of cracks or the like occurring in the identification mark and the element body can be reduced.
  • the shield conductor may be formed on one of the pair of main surfaces and may not be formed on the other of the pair of main surfaces and the side surface.
  • the electronic component is equipped with an LC resonator.
  • the shield conductor is formed only on one of the pair of main surfaces of the outer surfaces of the element. In this case, blocking of the magnetic flux of the LC resonator by the shield conductor can be reduced.
  • the formation position of the LC resonator is limited to a position away from the side surface of the element body, for example, the central portion of the element body when viewed from the thickness direction. According to this configuration, since the shield conductor is not formed on the side surface of the element body, the LC resonator can be formed near the side surface of the element body. In other words, there is no restriction on the formation position of the LC resonator as described above.
  • the identification mark may be made of a non-metallic material.
  • Conductive shield conductors are usually made of metal such as copper or silver.
  • the identification mark is read by a camera, for example. If the identification mark were made of a metal material, both the identification mark and the shield conductor would reflect the light from the camera, so the visibility of the identification mark relative to the shield conductor would be reduced. According to this configuration, since the identification mark is made of a non-metallic material, it is possible to suppress deterioration in visibility as described above.
  • the identification mark may include at least a first powder having a first particle size and a second powder having a second particle size larger than the first particle size.
  • unevenness is more likely to be formed on the surface of the identification mark than when the identification mark is composed only of powder of the same particle size.
  • the irregularities on the surface of the identification mark enter the shield conductor. This increases the adhesion between the identification mark and the shield conductor.
  • unevenness is formed on the surface of the shield conductor as the unevenness on the surface of the identification mark sinks into the shield conductor. As the irregularities on the surface of the shield conductor sink into the element, the adhesion between the shield conductor and the element increases. As described above, according to this configuration, it is possible to improve the adhesion between the identification mark and the shield conductor and the adhesion between the shield conductor and the base body.
  • FIG. 1 is a plan view of an electronic component according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the AA cross section of FIG.
  • the electronic component has an identification mark provided on the base body.
  • an internal electrode, an external electrode, and a shield conductor are provided on the element body in addition to the identification mark.
  • Electronic components can be mounted on a mother board or the like via external electrodes.
  • the electronic component 10 includes a base body 20, an interlayer connection conductor 30, an internal electrode 40, an external electrode 50, a shield conductor 60, and an identification mark 70. and a plating layer 80 .
  • the element body 20 has a rectangular parallelepiped shape as a whole.
  • the shape of the element body 20 is not limited to a rectangular parallelepiped shape.
  • the element body 20 is formed by integrating the base materials 21 to 29 laminated in the thickness direction 100 . That is, in the first embodiment, the base body 20 is formed by integrating nine base materials. The number of base materials forming the base body 20 is not limited to nine.
  • Each of the substrates 21-29 is insulative and plate-shaped.
  • the element body 20 (each base material 21 to 29) is made of LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics).
  • the base body 20 is not limited to LTCC, and may be made of ceramics other than LTCC such as alumina, or may be made of resin such as glass epoxy, Teflon (registered trademark), or paper phenol.
  • the base body 20 has a pair of main surfaces 20A, 20B and a side surface 20C.
  • the main surface 20A is the main surface of the base material 21 and faces the outside of the element body 20 .
  • the main surface 20B is the main surface of the base material 29 and faces the outside of the element body 20 .
  • the principal surface 20B faces away from the principal surface 20A.
  • the side surface 20C is composed of the side surfaces of the substrates 21-29.
  • the side surface 20C connects the main surfaces 20A and 20B.
  • the principal surface 20B corresponds to one of the pair of principal surfaces
  • the principal surface 20A corresponds to the other of the pair of principal surfaces.
  • the pair of main surfaces 20A and 20B are orthogonal to the thickness direction 100.
  • the plan view of FIG. 1 is a diagram when the electronic component 10 is viewed from the thickness direction 100 (see FIG. 2).
  • the interlayer connection conductor 30 is formed inside the element body 20. As shown in FIG. 2, the interlayer connection conductor 30 can be formed on at least one of the substrates 21-29. In the first embodiment, the interlayer connection conductors 30 are formed on the substrates 21-29.
  • the interlayer connection conductor 30 has a through hole 20D that penetrates at least one of the plurality of base materials 21 to 29 in the thickness direction 100 and is filled with a conductive paste. morphology is co-fired with LTCC).
  • the conductive paste contains conductive powder such as copper.
  • the conductive powder contained in the conductive paste is not limited to copper, and may be silver, for example.
  • the interlayer connection conductor 30 is formed by plating a conductive metal made of copper or the like.
  • the through hole 20D is cylindrical, the interlayer connection conductor 30 is cylindrical.
  • the shape of the through-hole 20 ⁇ /b>D is not limited to a cylindrical shape, and may be, for example, a quadrangular prism shape.
  • the interlayer connection conductor 30 includes five interlayer connection conductors 31-35.
  • the interlayer connection conductors 31 and 32 are filled in the through holes 20D penetrating through the substrates 25-29.
  • the interlayer connection conductor 33 is filled in the through hole 20D penetrating through the substrates 21-24.
  • the interlayer connection conductor 34 is filled in the through hole 20 ⁇ /b>D passing through the substrates 21 and 22 .
  • the interlayer connection conductor 35 is filled in the through hole 20D penetrating through the substrates 21-23.
  • the number of interlayer connection conductors 30 is not limited to five.
  • the length in the thickness direction 100 of each of the interlayer connection conductors 31 to 35 (the number of substrates to be penetrated) is not limited to the length described above.
  • FIG. 3 is a sectional view showing the BB section of FIG.
  • the internal electrodes 40 are formed inside the element body 20 and are not exposed to the outside of the element body 20 .
  • the internal electrode 40 can be formed on at least one of the substrates 21-29. In the first embodiment, the internal electrodes 40 are formed on the substrates 23-25.
  • the internal electrodes 40 are formed by printing a conductive paste on the main surface of the substrate (the substrates 23 to 25 in the first embodiment), It is co-fired with the substrate.
  • the conductive paste is composed of copper or silver, for example.
  • the internal electrodes 40 are formed on the main surface of the base material by known means such as etching a metal foil.
  • the internal electrode 40 includes five internal electrodes 41-45.
  • the internal electrodes 41 are formed on the base material 25 .
  • the internal electrodes 42, 43, 45 are formed on the substrate 24 (see FIG. 3).
  • the internal electrodes 44 are formed on the base material 23 .
  • Each internal electrode 40 is electrically connected to another internal electrode 40 or external electrode 50 .
  • the internal electrode 41 is electrically connected to the shield conductor 60 via the interlayer connection conductors 31 and 32, and is electrically connected to the external electrode 51 via the interlayer connection conductor 33. electrically connected.
  • the internal electrode 42 is electrically connected to the external electrode 53 via the interlayer connection conductor 35 .
  • the internal electrodes 42 and 43 are electrically connected to each other via an internal electrode 45 .
  • the internal electrodes 44 are electrically connected to the external electrodes 52 via the interlayer connection conductors 34 .
  • the external electrode 50 is formed outside the element body 20 . That is, the external electrodes 50 are exposed outside the element body 20 .
  • the external electrodes 50 are formed on the main surface of the base material 21 (the main surface 20A of the element body 20).
  • the external electrode 50 is formed on at least one of the main surface 20B of the element body 20 and the side surface 20C of the element body 20 instead of or in addition to the main surface 20A of the element body 20.
  • the external electrode 50 is configured in the same manner as the internal electrode 40 . That is, in the first embodiment, the external electrodes 50 are formed by printing a conductive paste on the main surface 20A of the element body 20 and co-firing it with the substrates 21-29. In the first embodiment, the external electrode 50 comprises three external electrodes 51-53.
  • the external electrode 51 is electrically connected to the internal electrode 41 through the interlayer connection conductor 33
  • the external electrode 52 is electrically connected to the internal electrode 44 through the interlayer connection conductor 34
  • the external electrode 53 is electrically connected to the internal electrode 42 via the interlayer connection conductor 35 .
  • the external electrode 51 is grounded by being electrically connected to the ground.
  • the external electrode 51 is electrically connected to a ground potential electrode provided on another substrate (for example, a mother substrate) on which the electronic component 10 is mounted.
  • At least part of the internal electrode 40 and at least part of the interlayer connection conductor 30 constitute an LC resonator 91 having an inductor and a capacitor.
  • the internal electrodes 42 meander when viewed from the thickness direction 100 .
  • the internal electrode 42 forms a meandering coil and functions as an inductor.
  • the internal electrode 42 is an example of an inductor conductor.
  • the internal electrodes 43 and 44 face each other in the thickness direction 100 with the substrate 23 interposed therebetween. Thereby, the internal electrodes 43 and 44 form a capacitor and function as a capacitor.
  • the internal electrodes 43 and 44 are an example of capacitor conductors.
  • the internal electrode 42 forming the coil and the internal electrode 43 forming the capacitor are electrically connected via the internal electrode 45 .
  • the internal electrodes 42 to 45 constitute an LC resonator 91 in which the coil and the capacitor are electrically connected.
  • the inductor conductor (internal electrode 42) is formed on the substrate 24, and the capacitor conductors (internal electrodes 43, 44) are formed on the substrates 23, 24.
  • the inductor conductors and capacitor conductors may be formed on any of the substrates 21 to 29 included in the body 20.
  • FIG. In other words, the inductor conductor and the capacitor conductor need only be formed on at least one of the substrates 21 to 29 included in the element body 20 .
  • the shield conductor 60 is formed on the main surface 20B of the element body 20.
  • the shield conductor 60 is formed by printing in the same manner as the internal electrode 40 and the external electrode 50 . Formation of the shield conductor 60 is not limited to printing.
  • the shield conductor 60 may be formed by sputtering or vapor deposition.
  • the shield conductor 60 has conductivity. Typically, at least part of the shield conductor 60 is made of metal. In the first embodiment, the shield conductor 60 is made of a conductive member such as copper. A portion of the shield conductor 60 may be made of a conductive member. For example, the shield conductor 60 may be one in which a conductive material is contained in another material such as resin.
  • the shield conductor 60 is embedded in the element body 20 . Therefore, in FIG. 2, the shield conductor 60 forms part of the main surface 20B. Note that the shield conductor 60 does not have to be embedded in the element body 20 .
  • the shield conductor 60 may have a multilayer structure.
  • the shield conductor 60 includes an adhesive layer in contact with the base material 29, a conductive layer in contact with the adhesive layer and made of a metal with high conductivity, and a conductive layer in contact with the conductive layer, which is oxidized or corroded. It may have a rust prevention layer that prevents
  • the conductive layer has a function of shielding electromagnetic waves, and is made of, for example, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), or the like.
  • the adhesion layer is provided to improve adhesion between the base material 29 and the conductive layer, and is made of, for example, titanium (Ti), chromium (Cr), stainless steel (SUS), or the like.
  • the shield conductor 60 shields electromagnetic waves from the outside of the electronic component 10 via the main surface 20B. Therefore, the LC resonator 91 is less likely to be affected by electromagnetic waves from the outside through the main surface 20B. In addition, the shield conductor 60 shields the electromagnetic waves radiated by the LC resonator 91 from being radiated to the outside through the main surface 20B. Therefore, the electromagnetic waves radiated from the LC resonator 91 are less likely to affect other components outside the electronic component 10 .
  • the shield conductor 60 is not formed on the outer edge portion of the main surface 20B of the element body 20 when viewed from the thickness direction 100 . That is, in the first embodiment, the shield conductor 60 is formed on part of the principal surface 20B of the element body 20. As shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 1, the base material 29 is exposed at the outer edge portion of the main surface 20B of the base body 20 when viewed in the thickness direction 100 .
  • the shield conductor 60 is formed on the outer edge of the main surface 20B of the element body 20 viewed from the thickness direction 100, the shield conductor 60 positioned on the outer edge is likely to be scraped off. If the shield conductor 60 is shaved, the effect of the shield conductor 60 on the magnetic flux of the LC resonator 91 may change, and the characteristics of the LC resonator 91 may vary. In the first embodiment, the shield conductor 60 is not formed on the outer edge portion of the main surface 20B of the base body 20 when viewed from the thickness direction 100 . Therefore, scraping of the shield conductor 60 is suppressed. As a result, variations in the characteristics of the LC resonator 91 can be reduced.
  • the region where the shield conductor 60 is not formed is not limited to the outer edge portion of the main surface 20B of the element body 20 viewed from the thickness direction 100.
  • the region where the shield conductor 60 is not formed may be the central portion of the main surface 20B of the element body 20 viewed from the thickness direction 100.
  • the shield conductor 60 may be formed over the entire main surface 20B of the element body 20 .
  • the shield conductor 60 is not formed on the main surface 20A and the side surface 20C of the element body 20. Therefore, it is possible to prevent the magnetic flux of the inductor conductor (internal electrode 42 ) of the LC resonator 91 from being interrupted at the main surface 20 ⁇ /b>A and the side surface 20 ⁇ /b>C of the element body 20 .
  • the shield conductor 60 is electrically connected to the internal electrode 41 via the interlayer connection conductors 31 and 32 . Further, as described above, the internal electrode 41 is electrically connected to the external electrode 51 via the interlayer connection conductor 33, and the external electrode 51 is electrically connected to the ground. In other words, the shield conductor 60 is electrically connected to the ground through the interlayer connection conductors 31 to 33 and the internal electrode 41 .
  • the configuration in which the shield conductor 60 is electrically connected to the ground is not limited to the configuration via the interlayer connection conductors 31 to 33 and the internal electrode 41 .
  • the shield conductor 60 may be electrically connected to an external ground via a wire or the like.
  • the identification mark 70 is formed on the surface of the shield conductor 60 formed on the main surface 20B of the element body 20. As shown in FIG. The identification mark 70 is for indicating the posture and direction of the electronic component 10 .
  • the electronic component 10 has one identification mark 70 in the first embodiment, it may have a plurality of identification marks 70 .
  • the identification mark 70 has a rectangular shape when viewed from the thickness direction 100, but is not limited to a rectangular shape.
  • the color of the identification mark 70 is indicated by white or hatching, but the color of the identification mark 70 is not limited to white, and may be black, gray, red, or other colors.
  • the color of the identification mark 70 is preferably different from that of the surroundings of the identification mark 70 (the plating layer 80 in the first embodiment).
  • the identification mark 70 is made of a non-metallic material. This makes it possible to improve the identifiability of the identification mark 70 with respect to the plating layer 80 made of a metal material.
  • the identification mark 70 is made of LTCC, which is the same material as the element body 20 .
  • the material of the identification mark 70 is arbitrary on the condition that it can be distinguished from the surroundings of the identification mark 70 (plated layer 80 in the first embodiment).
  • the identification mark 70 may be made of resin.
  • the visibility of the identification mark 70 may be improved by coloring the identification mark 70 in a color different from that of the plating layer 80.
  • the identification mark 70 may be made of a material different from that of the base body 20 .
  • the identification mark 70 may be made of a mixture of multiple types of materials.
  • the identification mark 70 may include aluminum (Al), zinc (Zn), zirconium (Zr), titanium (Ti), cobalt (Co), magnesium (Mg), manganese (Mn), calcium (Ca), silicon (Si ), iron (Fe), nickel (Ni), chromium (Cr), barium (Ba), and tungsten (W).
  • the identification mark 70 is embedded in the shield conductor 60 and embedded in the base body 20 together with the shield conductor 60 . Note that the identification mark 70 does not have to enter the shield conductor 60 and the element body 20 .
  • the identification mark 70 is formed at a position separated from the interlayer connection conductor 30 when viewed in the thickness direction 100 .
  • the plating layer 80 covers the external electrodes 50 and the shield conductors 60 .
  • the plating layer 80 suppresses the influence of the atmosphere, moisture, etc. on the external electrodes 50 and the shield conductors 60 .
  • the plating layer 80 is a film made of, for example, Ni (nickel)--Sn (tin) or Ni (nickel)--electroless Au (gold).
  • the plating layer 80 comprises an inner layer 81 made of nickel and an outer layer 82 made of gold.
  • the inner layer 81 is formed on the surfaces of the external electrode 50 and the shield conductor 60 .
  • the outer layer 82 is formed on the opposite side of the inner layer 81 to the external electrode 50 and the shield conductor 60 .
  • the plating layer 80 is composed of two layers (the inner layer 81 and the outer layer 82), but the plating layer 80 may be composed of one layer or three or more layers.
  • the configuration of plating layer 80 can be determined based on the contrast with identification mark 70 .
  • the identification mark 70 is composed of a black ceramic paste containing zinc oxide (ZnO)
  • the outermost layer (for example, the outer layer 82) of the plating layer 80 is composed of gold.
  • the black identification mark 70 can ensure a contrast against the surrounding gold color.
  • the identification mark 70 is composed of a white ceramic paste containing aluminum oxide (Al 2 O 3 )
  • the outermost layer (for example, the outer layer 82) of the plating layer 80 is composed of gray tin.
  • the white identification mark 70 can ensure contrast with the surrounding gray. As described above, the visibility of the identification mark 70 can be improved.
  • the plating layer 80 is formed on the surface of the metal material. Therefore, the plating layer 80 is not formed on the surface of the identification mark 70 which is made of non-metallic material. Accordingly, identification mark 70 is exposed to the outside of electronic component 10 without being covered with plating layer 80 . Further, in the first embodiment, the thickness of the plating layer 80 (the length in the thickness direction 100) is thicker than the thickness of the identification mark 70. As shown in FIG. Further, the identification mark 70 is located at the inner part of the recess 83 formed by the plating layer 80 . As a result, when the electronic component 10 comes into contact with another component or the like, the possibility of the identification mark 70 coming into contact with the other component or the like can be reduced. As a result, the possibility of damaging the identification mark 70 can be reduced.
  • the plating layer 80 is thicker than the identification mark 70 , even if the identification mark 70 is not embedded in the shield conductor 60 , the identification mark 70 remains in the deep portion of the recess 83 .
  • the identification mark 70 is formed on the surface of the shield conductor 60 . Therefore, the visibility of the identification mark 70 can be improved compared to the configuration in which the identification mark 70 is covered with the shield conductor 60 .
  • the shield conductor 60 is interposed between the identification mark 70 and the base body 20. Therefore, even if both the identification mark 70 and the element body 20 are made of ceramic, the occurrence of diffusion between the ceramics can be prevented.
  • the recess for forming the identification mark 70 is not formed on the outer surface (for example, the main surface 20B) of the element body 20 . Therefore, the strength of the element body 20 can be increased as compared with the configuration in which the recess is formed.
  • the identification mark 70 pushes the shield conductor 60 toward the base material 29 when the laminated base materials 21 to 29 are crimped in the manufacturing process of the electronic component 10 . Thereby, the adhesion between the shield conductor 60 and the element body 20 can be improved.
  • an internal electrode formed on the main surface of the base material located inside the element body is electrically connected to the shield conductor formed on the side surface of the element body at the side edge of the base material. be.
  • the contact area between the internal electrode and the shield conductor depends on the thickness of the internal electrode. It is difficult to increase the thickness of the internal electrodes. Therefore, it is difficult to increase the contact area between the internal electrode and the shield conductor.
  • the interlayer connection conductors 31 and 32 formed on the base material 29 are electrically connected to the shield conductor 60 .
  • the contact area between the interlayer connection conductors 31 and 32 and the shield conductor 60 depends on the size of the diameter of the through hole formed in the substrate 29 and filled with the interlayer connection conductors 31 and 32 . Increasing the diameter of the through-hole is easier than increasing the thickness of the internal electrode 40 . Therefore, increasing the contact area between the interlayer connection conductors 31 and 32 and the shield conductor 60 is easier than increasing the contact area between the internal electrode 40 and the shield conductor 60 . Therefore, the connection reliability between the interlayer connection conductors 31 and 32 and the shield conductor 60 can be improved.
  • the number of interlayer connection conductors 30 electrically connected to the shield conductors 60 can be increased.
  • generation of unnecessary resonance in LC resonator 91 can be suppressed.
  • the identification mark 70 is formed at a position overlapping the interlayer connection conductor 30 when viewed from the thickness direction 100, the following problems may occur.
  • the stress caused by the protrusion of the interlayer connection conductor 30 from the substrates 21 to 29 during the formation process of the interlayer connection conductor 30 and the stress caused by the contraction of the substrates 21 to 29 during the firing process of the element body 20 are applied to the identification mark 70. concentrate near. As a result, cracks or the like may occur in the identification mark 70 and the element body 20 around it.
  • the identification mark 70 is formed at a position separated from the interlayer connection conductor 30 when viewed from the thickness direction 100 . Therefore, the stress is not concentrated near the identification mark 70 . Thereby, the possibility that the identification mark 70 and the base body 20 are cracked can be reduced.
  • the electronic component 10 has the LC resonator 91 .
  • the shield conductor 60 is formed on the main surface 20B of the element body 20, but is not formed on the main surface 20A and the side surfaces 20C of the element body 20. As shown in FIG. As a result, blocking of the magnetic flux of the LC resonator 91 by the shield conductor 60 can be reduced.
  • the shield conductor 60 were formed not only on the main surface 20B of the element body 20 but also on the side surface 20C of the element body 20, the magnetic flux of the LC resonator 91 would pass through the shield conductor 60 formed on the side surface 20C of the element body 20. blocked by Therefore, the formation position of the LC resonator 91 is limited to a position away from the side surface 20C of the element body 20, for example, the central portion of the element body 20 when viewed from the thickness direction 100.
  • FIG. According to the first embodiment, since the shield conductor 60 is not formed on the side surface 20C of the element body 20, the LC resonator 91 can be formed near the side surface 20C of the element body 20. FIG. In other words, there is no restriction on the formation position of the LC resonator 91 as described above.
  • the conductive shield conductor 60 is usually made of metal such as copper or silver.
  • the identification mark 70 is read by a camera, for example. If the identification mark 70 were made of a metal material, both the identification mark 70 and the shield conductor 60 would reflect the light from the camera. According to the first embodiment, since the identification mark 70 is made of a non-metallic material, it is possible to suppress the decrease in visibility as described above.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when an interlayer connection conductor is formed on a substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view when internal electrodes are printed on a substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view when the shield conductor is printed on the substrate in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view when the identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a base body formed by laminating a plurality of base materials in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view when the element body is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • the electronic component 10 is manufactured by singulating the laminate into a plurality of element bodies 20 .
  • the laminate is formed by integrating a plurality of element bodies 20 in an arrayed state. 4 to 9 show only a portion of the laminate corresponding to one element body 20 for convenience of explanation.
  • the method for manufacturing the electronic component 10 according to the first embodiment includes a sheet forming process, an interlayer connection conductor forming process, an electrode forming process, a shield conductor forming process, an identification mark forming process, an element forming process, a crimping process, and a singulation process. , a firing process, and a plating layer lamination process.
  • a sheet forming process is performed.
  • the base materials 21 to 29 shown in FIG. 2 are individually formed.
  • the base materials 21 to 29 formed in the sheet forming process are mixed with raw materials including a main agent, a plasticizer, a binder, and the like according to each base material 21 to 29 to form a slurry constituting each base material 21 to 29. produced.
  • Each of the substrates 21 to 29 at this stage is a green sheet made of slurry.
  • sinterable ceramic powder or the like is used as a main agent.
  • a plasticizer for example, a phthalate ester, di-n-butyl phthalate, or the like is used.
  • the binder for example, acrylic resin, polyvinyl butyral, or the like is used.
  • each of the base materials 21 to 29 is formed into a sheet on the carrier film 101 shown in FIG. 4 using, for example, a lip coater or doctor blade. That is, each of the nine substrates 21 to 29 is molded on each of the nine carrier films 101 .
  • the carrier film 101 for example, a PET (polyethylene terephthalate) film or the like is used.
  • the thickness of each base material 21-29 is, for example, 5-100 ( ⁇ m).
  • FIG. 4 shows the carrier film 101 and the substrate 28 molded on the carrier film 101.
  • through-holes 20D are formed through the substrates 21 to 29 and the carrier film 101 in the thickness direction.
  • the number of through holes 20D formed in each of the substrates 21 to 29 is not limited to two. Also, the number of through holes 20D formed in the base materials 21 to 29 may be the same or different. Further, the positions of the through holes 20D formed in the base materials 21 to 29 may be the same or different.
  • nine substrates 21 to 29 and the carrier film 101 are formed so that the element body 20 as shown in FIG. 2 is finally formed.
  • the number and positions of through holes 20D are determined.
  • interlayer connection conductor formation process Next, an interlayer connection conductor forming step is performed.
  • the through holes 20D formed in the base materials 21 to 29 and the carrier film 101 in the sheet forming process are filled with the conductive paste 102 (see FIG. 4).
  • the paste 102 filled in the through holes 20 ⁇ /b>D corresponds to the interlayer connection conductors 30 .
  • the paste 102 is produced, for example, by mixing raw materials including conductive powder, a plasticizer, and a binder.
  • Electrode forming step Next, an electrode forming process is performed. In the electrode forming process, the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 are formed.
  • the paste is formed by screen printing, inkjet printing, gravure printing, or the like, for example.
  • Other internal electrodes 40 internal electrodes 41, 44, 45
  • an external electrode 50 are also formed on each of the substrates 21 to 29 in the same manner as the internal electrodes 42, 43.
  • the pastes corresponding to the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 are prepared by mainly mixing raw materials including conductive powder, plasticizer, and binder, similarly to the paste 102 described above.
  • the paste corresponding to the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 may be made of the same material as the paste 102 or may be made of a material different from that of the paste 102 .
  • shield conductor forming process Next, a shield conductor forming step is performed. In the shield conductor forming process, the shield conductor 60 is formed.
  • paste corresponding to the shield conductor 60 is formed on the main surface of the base material 29 as shown in FIG.
  • the paste corresponding to the shield conductor 60 is formed by, for example, screen printing, inkjet printing, gravure printing, sputtering method, vapor deposition method, transfer method, or the like.
  • the shield conductor is printed after the identification mark is printed.
  • the paste corresponding to the shield conductor is prepared by mainly mixing raw materials including conductive powder, a plasticizer, and a binder, similarly to the above-described paste (the paste corresponding to the internal electrode 40 and the external electrode 50 and the paste 102). be done.
  • the paste corresponding to the shield conductor may be composed of the same material as the paste described above, or may be composed of a material different from the paste described above.
  • the shield conductor forming process may be performed before the electrode forming process, or may be performed in parallel with the electrode forming process.
  • an identification mark forming step is performed.
  • an identification mark 70 is formed.
  • paste corresponding to the identification mark 70 is formed on the shield conductor 60 formed on the main surface of the base material 29 in the shield conductor forming step. be done.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is formed by, for example, screen printing, inkjet printing, gravure printing, transfer method, or the like.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is made of the material forming the identification mark 70 described above.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is a paste of ceramic.
  • the transfer method an identification mark is printed on a transfer sheet, and then a shield conductor is printed on the transfer sheet over the identification mark. After that, in the element forming step described below, the transfer sheet is laminated on the base material 29 so that the shield conductor faces the base material 29 side.
  • a body forming step is performed.
  • the element forming step as shown in FIG. 8, each of the substrates 21 to 29 excluding the carrier film 101 is laminated. Thus, the base body 20 is obtained.
  • the nine base materials 21 to 29 are arranged in order from the base material with the smaller number to the base material with the larger number, specifically the base materials 21, 22, 23, 24, 25, 26, and 27. , 28 and 29 are stacked.
  • the main surface of the base material 21 becomes the main surface 20A of the element body 20
  • the main surface of the base material 29 becomes the main surface 20B of the element body 20 .
  • the side surfaces of the base materials 21 to 29 are the side surfaces 20C of the element body 20. As shown in FIG.
  • some of the nine base materials 21 to 29 are reversed and laminated with respect to base materials other than the part of the nine base materials 21 to 29. be done.
  • the substrates 21 to 25 are laminated with the carrier film 101 side facing upward, while the substrates 26 to 29 are laminated with the carrier film 101 side facing downward.
  • the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 formed on the substrates 21, 23 to 25 are positioned below the substrates 21, 23 to 25, respectively, and the electrodes formed on the substrate 29 are positioned below the respective substrates 21, 23 to 25.
  • a shielded conductor 60 is located above the substrate 29 .
  • the nine base materials 21 to 29 may be laminated without being reversed. For example, when the transfer method is used for printing shield conductors and identification marks, the nine substrates 21 to 29 are laminated without being reversed.
  • the identification mark 70 enters the shield conductor 60 and enters the substrate 29 together with the shield conductor 60 . Thereby, the shield conductor 60 and the identification mark 70 are embedded in the element body 20 .
  • a singulation process is performed.
  • a laminate in which a plurality of element bodies 20 are arranged is cut into a plurality of element bodies 20 .
  • a dicing saw, a guillotine cutter, a laser, or the like, for example, is used to cut the laminate.
  • the corners and edges of the blank 20 may be polished, such as by barreling (see FIG. 2). Said polishing may be performed after the firing step.
  • firing process Next, a firing process is performed.
  • the substrates 21 to 29 are fired to form the element body 20, which is a sintered body (see FIG. 2).
  • plating layer lamination process Next, a plating layer lamination process is performed.
  • the external electrodes 50 and the shield conductors 60 are subjected to a known plating process. Thereby, as shown in FIG. 2, the plating layer 80 is laminated so as to cover the external electrodes 50 and the shield conductors 60 .
  • the internal electrode 42 functioning as an inductor forms a meandering coil.
  • the inductor included in the LC resonator 91 is not limited to the meander coil.
  • the internal electrode 42 may be a spiral coil in plan view.
  • FIG. 10 is a sectional view corresponding to the BB section of FIG. 2 in the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • the internal electrode 42 may be a spiral coil in a side view.
  • FIG. 11 is a sectional view corresponding to the BB section of FIG. 2 in the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • the internal electrodes 42 indicated by dashed lines in FIG. 11 are formed on a base material (for example, the base material 23) different from the base material 24.
  • the internal electrodes 42 indicated by solid lines and the internal electrodes 42 indicated by dashed lines are electrically connected by interlayer connection conductors (not shown). Thereby, the internal electrode 42 shown in FIG. 11 constitutes a spiral coil.
  • the winding axis of the coil formed by the internal electrodes 42 extends in the thickness direction 100.
  • the winding axis of the coil may extend in directions other than the thickness direction 100 .
  • the winding axis of the coil formed by the internal electrodes 42 extends in the direction along the main surface of the base material 24 (in other words, the direction perpendicular to the thickness direction 100). .
  • the identification mark 70 is entirely embedded in the base body 20, and the identification mark 70 is positioned deep inside the recess 83 formed by the plating layer 80. As shown in FIG. However, the identification mark 70 may protrude from the plating layer 80 as shown in FIG. FIG. 12 is a sectional view corresponding to the AA section of FIG. 1 in the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • the configuration in which the identification mark 70 protrudes from the plating layer 80 is realized by forming the identification mark 70 thickly in the identification mark forming process.
  • the identification mark 70 is formed thickly by being printed multiple times in the identification mark forming process.
  • the shield conductor 60 is formed on the main surface 20B of the element body 20, but is not formed on the main surface 20A and the side surfaces 20C of the element body 20.
  • the shield conductor 60 may be formed on at least one of the main surface 20A and the side surface 20C of the element body 20 in addition to the main surface 20B of the element body 20 .
  • the shield conductor 60 should be formed at least on the main surface 20B of the outer surface of the element body 20.
  • the shield conductor 60 may include main surface conductors 60A formed on the main surface 20B of the element body 20 and side surface conductors 60B formed on the side surfaces 20C of the element body 20. good.
  • FIG. 13 is a sectional view corresponding to the AA section of FIG. 1 in the electronic component according to the modification of the first embodiment of the present invention.
  • the side conductors 60B are formed by known means such as a dipping method after the singulation process and before the firing process.
  • the main surface conductor 60A is formed in the shield conductor forming step.
  • the side conductors 60B are formed on the side surface 20C of the element body 20 and the outer edge of the main surface 20B of the element body 20 by known means such as the dipping method.
  • a side conductor 60B formed on the outer edge of the main surface 20B of the element body 20 is electrically connected to the main surface conductor 60A.
  • the external electrodes 50, the main surface conductors 60A, and the side surface conductors 60B are subjected to a known plating process in the plating layer lamination process.
  • the plating layer 80 is laminated so as to cover the external electrode 50, the main surface conductor 60A, and the side surface conductor 60B.
  • the two interlayer connection conductors 31 and 32 are formed on the substrates 25 to 29 including the substrate 29 on which the shield conductor 60 is formed. It is electrically connected to the ground through interlayer connection conductors 31 and 32 .
  • the number of interlayer connection conductors 30 formed on a substrate including the substrate 29 on which the shield conductor 60 is formed and electrically connecting the shield conductor 60 and the ground is not limited to two.
  • one interlayer connection conductor 30 may be formed on the substrate 29 on which the shield conductor 60 is formed, and the shield conductor 60 may be electrically connected to the ground via the one interlayer connection conductor 30.
  • FIG. 14 is a plan view of an electronic component according to a modification of the first embodiment of the invention.
  • the electronic component 10A shown in FIG. 14 includes six LC resonators 91. 14, seven interlayer connection conductors 30 are formed on the base material 29 of the electronic component 10A.
  • the shield conductor 60 is electrically connected to the seven interlayer connection conductors 30 .
  • the seven interlayer connection conductors 30 are electrically connected via at least one of the internal electrodes 40 and other interlayer connection conductors 30 to an external electrode 51 electrically connected to the ground. That is, in the electronic component 10A shown in FIG. 14, the shield conductor 60 is electrically connected to the ground through the seven interlayer connection conductors 30. As shown in FIG.
  • FIG. 15 is a plan view of an electronic component according to a second embodiment of the invention.
  • the electronic component 10B according to the second embodiment differs from the electronic component 10 according to the first embodiment in that the portion of the shield conductor 60 directly above the LC resonator 91 is not covered with the plating layer 80. be. Differences from the first embodiment will be described below. Points in common with the electronic component 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted in principle, and will be described as necessary.
  • the shield conductor 60 and the plated layer 80 covering the shield conductor 60 are formed in a part of the central portion of the main surface 20B of the base body 20 when viewed from the thickness direction 100. do not have. Therefore, the base material 29 is exposed in the inner region when viewed from the thickness direction 100 . When viewed from the thickness direction 100 , the inner region overlaps with the LC resonator 91 formed inside the element body 20 .
  • the region in which the shield conductor 60 is not formed and the substrate 29 is exposed when viewed in the thickness direction 100 is formed inside the element body 20 when viewed in the thickness direction 100. It overlaps with the LC resonator 91 that is formed. Therefore, blocking of the magnetic flux extending from the LC resonator 91 to the main surface 20B of the element body 20 by the shield conductor 60 can be reduced.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view when the identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view when the element body is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the third embodiment of the present invention.
  • the electronic component 10C according to the third embodiment is characterized in that the interface between the identification mark 70 and the shield conductor 60 is uneven. Characteristic points with respect to the third embodiment will be described below. Points in common with the electronic component 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted in principle, and will be described as necessary.
  • the identification mark 70 of the electronic component 10 ⁇ /b>C includes a film-like film portion 71 and a projecting portion 72 projecting from the film portion 71 .
  • the film part 71 is exposed to the outside of the electronic component 10C. Thereby, the film part 71 indicates the posture and direction of the electronic component 10 .
  • the projecting portion 72 is formed on the surface of the film portion 71 on the side of the base material 29 and projects from the film portion 71 toward the base material 29 .
  • the projecting portion 72 penetrates into the shield conductor 60 .
  • unevenness is formed at the interface between the identification mark 70 and the shield conductor 60 .
  • the adhesion between the identification mark 70 and the shield conductor 60 can be enhanced.
  • the portion of the shield conductor 60 in which the protruding portion 72 has entered penetrates closer to the base material 29 than the portion of the shield conductor 60 in which the protruding portion 72 has not entered. As a result, unevenness is formed at the interface between the shield conductor 60 and the base material 29 . As a result, the adhesion between the shield conductor 60 and the substrate 29 can be enhanced.
  • the position, size, and number of protrusions 72 are not limited to those shown in FIG.
  • the sizes of the protrusions 72 may be the same or different.
  • the identification mark 70 including the film portion 71 and the projecting portion 72 is formed, for example, as follows.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is formed multiple times.
  • the film portion 71 is formed in the first paste printing.
  • the protrusions 72 are formed in the second printing of the paste.
  • the projecting portion 72 is formed on the surface of the film portion 71 (the surface of the film portion 71 opposite to the shield conductor 60). The position, size, and number of protrusions 72 are appropriately set.
  • the identification mark 70 enters the shield conductor 60.
  • the position of the identification mark 70 where the projecting portion 72 is formed penetrates into the shield conductor 60 more than the position of the identification mark 70 where the projecting portion 72 is not formed.
  • the position of the projecting portion 72 changes from the surface of the film portion 71 opposite to the base material 29 to the surface of the film portion 71 facing the base material 29 .
  • the configuration in which the interface between the identification mark 70 and the shield conductor 60 is uneven can be realized by a configuration other than the configuration including the projecting portion 72 .
  • the identification mark 70 of the electronic component 10D may contain multiple types of powder with different sizes.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a part of the element when the identification mark is printed on the shield conductor in the manufacturing process of the electronic component according to the modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a part of the base when the base is crimped in the manufacturing process of the electronic component according to the modification of the third embodiment of the present invention.
  • the identification mark 70 includes three types of powders 70A, 70B and 70C with different diameters.
  • identification mark 70 includes powder 70A with particle size R1, powder 70B with particle size R2, and powder 70C with particle size R3.
  • Grain size R2 is larger than grain size R1.
  • Grain size R3 is larger than grain size R2.
  • the powder 70B corresponds to the second powder and the particle size R2 corresponds to the second particle size
  • the powder 70A corresponds to the first powder and the particle size R1 corresponds to the first particle size.
  • the powder 70C corresponds to the second powder and the particle size R3 corresponds to the second particle size
  • the powder 70A or the powder 70B corresponds to the first powder and the particle size R1 or the particle size R2 corresponds to the first particle size. do.
  • the surface of the identification mark 70 is uneven. As a result, the adhesion between the identification mark 70 and the shield conductor 60 can be enhanced.
  • the identification mark 70 containing the powders 70A, 70B, and 70C enters the shield conductor 60, unevenness is also formed at the interface between the shield conductor 60 and the base material 29. As a result, the adhesion between the shield conductor 60 and the substrate 29 can be enhanced.
  • the powders included in the identification mark 70 are not limited to three types. At least two types of powders may be included in the identification mark 70 .
  • the identification mark 70 including three types of powders 70A, 70B, 70C is formed in the same manner as in the first embodiment. However, in the identification mark forming process, the paste corresponding to the identification mark 70 formed on the shield conductor 60 formed on the main surface 20B contains three types of powders 70A, 70B, and 70C (see FIG. 18). In the subsequent crimping process, the identification mark 70 containing the three types of powders 70A, 70B, 70C enters the shield conductor 60 (see FIG. 19).
  • the irregularities on the surface of the identification mark 70 enter the shield conductor 60. This increases the adhesion between the identification mark 70 and the shield conductor 60 .
  • unevenness is formed on the surface of the shield conductor 60 by embedding the unevenness of the surface of the identification mark 70 into the shield conductor 60 .
  • the adhesion between the shield conductor 60 and the element body 20 is enhanced by the unevenness of the surface of the shield conductor 60 sinking into the element body. As described above, according to the third embodiment, the adhesion between the identification mark 70 and the shield conductor 60 and the adhesion between the shield conductor 60 and the element body 20 can be enhanced.

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Abstract

素体の強度を維持しつつ、識別マークの視認性を向上させることができる電子部品を提供する。電子部品は、厚み方向に積層された複数の絶縁性の基材を有し、一対の主面及び側面を有する素体と、複数の基材の少なくとも１つに形成されたインダクタ導体、及び複数の基材の少なくとも１つに形成され且つインダクタ導体と電気的に接続されたキャパシタ導体を有するＬＣ共振器と、主面に形成され且つグランドと電気的に接続されるシールド導体と、シールド導体の表面に形成された識別マークと、を備える。

Description

電子部品
　本発明は、素体と当該素体の外面に形成された識別マークとを備える電子部品に関する。
　識別マークを備える電子部品が特許文献１，２に開示されている。
　特許文献１に開示された積層型電子部品では、積層された複数の誘電体層を含む積層体が、最も上に位置する誘電体層の上面に配置された導体層よりなるマーク層と、マーク層を覆うシールドとを備える。
　特許文献２に開示された積層型電子部品では、複数のセラミック層が積層された積層体の天面に凹部が形成されている。凹部を含む天面に、シールド層が形成されている。凹部が識別マークとして機能する。
特開２０１８－１８６２０５号公報 特許第６８６３４５８号公報
　特許文献１に開示された積層型電子部品では、マーク層がシールドに覆われているため、マーク層の視認性が低下する。
　特許文献１に開示された積層型電子部品では、マーク層が積層体に配置される。このとき、積層体の材料とマーク層の材料との相性によっては、以下の問題が発生するおそれがある。例えば、積層体及びマーク層の材料が共にセラミックである場合、セラミック同士の拡散が発生するおそれがある。拡散が発生した場合、積層体の誘電体特性の劣化等が生じるおそれがある。そのため、マーク層が積層体に配置される場合、採用するに適したマーク層の材料が制限される。
　特許文献２に開示された積層型電子部品では、識別マークの視認性を向上させるために、識別マークとして機能する凹部の深さを深くしたり平面視における凹部の面積を大きくしたりする必要がある。つまり、凹部の容積を大きくする必要がある。しかし、凹部の容積が大きくされた分だけ、積層体の内部における内部回路形成のためのスペースが小さくなる。また、凹部の容積が大きくされると、積層体におけるクラック発生の可能性が高くなり、積層体の耐衝撃性が低下する。
　従って、本発明の目的は、前記課題を解決することにあって、素体の強度を維持しつつ、識別マークの視認性を向上させることができる電子部品を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
　本発明の一態様に係る電子部品は、
　厚み方向に積層された複数の絶縁性の基材を有し、互いに反対を向く一対の主面及び前記一対の主面を繋ぐ側面を有する素体と、
　複数の前記基材の少なくとも１つに形成されたインダクタ導体、及び複数の前記基材の少なくとも１つに形成され且つ前記インダクタ導体と電気的に接続されたキャパシタ導体を有するＬＣ共振器と、
　前記一対の主面及び前記側面のうちの少なくとも前記一対の主面の一方に形成され且つグランドと電気的に接続されるシールド導体と、
　前記一対の主面の一方に形成された前記シールド導体の表面に形成された識別マークと、を備える。
　本発明によれば、素体の強度を維持しつつ、識別マークの視認性を向上させることができる。
本発明の第１実施形態に係る電子部品の平面図。 図１のＡ－Ａ断面を示す断面図。 図２のＢ－Ｂ断面を示す断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材に層間接続導体が形成されたときの断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材に内部電極が印刷されたときの断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材にシールド導体が印刷されたときの断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において複数の基材が積層されて素体が形成されたときの断面図。 本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図。 本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図２のＢ－Ｂ断面に対応する断面図。 本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図２のＢ－Ｂ断面に対応する断面図。 本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図１のＡ－Ａ断面に対応する断面図。 本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図１のＡ－Ａ断面に対応する断面図。 本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品の平面図。 本発明の第２実施形態に係る電子部品の平面図。 本発明の第３実施形態に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの断面図。 本発明の第３実施形態に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図。 本発明の第３実施形態の変形例に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの素体の一部を示す断面図。 本発明の第３実施形態の変形例に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの素体の一部を示す断面図。
　本発明の一態様に係る電子部品は、
　厚み方向に積層された複数の絶縁性の基材を有し、互いに反対を向く一対の主面及び前記一対の主面を繋ぐ側面を有する素体と、
　複数の前記基材の少なくとも１つに形成されたインダクタ導体、及び複数の前記基材の少なくとも１つに形成され且つ前記インダクタ導体と電気的に接続されたキャパシタ導体を有するＬＣ共振器と、
　前記一対の主面及び前記側面のうちの少なくとも前記一対の主面の一方に形成され且つグランドと電気的に接続されるシールド導体と、
　前記一対の主面の一方に形成された前記シールド導体の表面に形成された識別マークと、を備える。
　この構成によれば、識別マークがシールド導体の表面に形成されている。そのため、識別マークがシールド導体に覆われている構成に比べて、識別マークの視認性を向上させることができる。
　この構成によれば、識別マークと素体との間にシールド導体が介在されている。そのため、識別マークと素体とが共にセラミックである場合でも、セラミック同士の拡散の発生を防止することができる。
　この構成によれば、素体の外面に識別マークを形成するための凹部が形成されていない。そのため、当該凹部が形成された構成に比べて、素体の強度を強くすることができる。
　この構成によれば、電子部品の製造過程において積層された各基材が圧着されるときに、識別マークがシールド導体を基材へ向けて押し込む。これにより、シールド導体と素体との密着性を高めることができる。
　この構成によれば、電子部品はＬＣ共振器を備えている。また、シールド導体は、素体の外面のうちの少なくとも一対の主面の一方に形成されている。そのため、シールド導体が一対の主面の他方及び側面の少なくとも一方に形成されないように、電子部品は構成され得る。この場合、シールド導体によるＬＣ共振器の磁束の遮断を低減することができる。
　前記電子部品において、複数の前記基材のうちの前記シールド導体が形成された前記基材に、前記基材を貫通する層間接続導体が形成されてもよく、前記シールド導体は、前記層間接続導体を介してグランドと電気的に接続されていてもよい。
　従来構成では、例えば、素体の内部に位置する基材の主面に形成された内部電極が、素体の側面に形成されたシールド導体と、基材の側縁部において電気的に接続される。この場合、内部電極のシールド導体との接触面積は、内部電極の厚みに依存する。内部電極の厚みを厚くすることは困難である。そのため、内部電極のシールド導体との接触面積を大きくすることは困難である。
　これに対して、この構成によれば、基材に形成された層間接続導体が、シールド導体と電気的に接続される。この場合、層間接続導体のシールド導体との接触面積は、基材に形成されて層間接続導体が充填される貫通孔の直径の大きさに依存する。貫通孔の直径を大きくすることは、内部電極の厚みを厚くするより容易である。そのため、層間接続導体のシールド導体との接触面積を大きくすることは、内部電極のシールド導体との接触面積を大きくすることより容易である。よって、層間接続導体とシールド導体との接続信頼性を高くすることができる。
　前記電子部品において、複数の前記基材のうちの前記シールド導体が形成された前記基材に、複数の前記層間接続導体が形成されてもよく、前記シールド導体は、複数の前記層間接続導体を介してグランドと電気的に接続されていてもよい。
　この構成によれば、シールド導体と電気的に接続される層間接続導体の数を多くすることができる。シールド導体と電気的に接続される層間接続導体の数を多くすることによって、ＬＣ共振器における不要な共振の発生を抑制することができる。
　前記電子部品において、前記識別マークは、前記厚み方向から見て前記層間接続導体から外れた位置に形成されていてもよい。
　仮に、厚み方向から見て識別マークが層間接続導体と重複する位置に形成されている場合、以下の問題が生じるおそれがある。つまり、層間接続導体の形成過程における層間接続導体の基材からの隆起によって生じる応力や、素体の焼成過程における基材の収縮によって生じる応力が、識別マーク付近に集中する。これにより、識別マーク及びその周辺の素体に亀裂等が生じるおそれがある。
　この構成によれば、厚み方向から見て識別マークが層間接続導体から外れた位置に形成されている。そのため、前記の応力が識別マーク付近に集中されない。これにより、識別マーク及び素体に亀裂等が生じる可能性を低くすることができる。
　前記電子部品において、前記シールド導体は、前記一対の主面の一方に形成されており、前記一対の主面の他方及び前記側面に形成されていなくてもよい。
　電子部品は、ＬＣ共振器を備えている。この構成によれば、シールド導体は、素体の外面のうちの一対の主面の一方のみに形成されている。この場合、シールド導体によるＬＣ共振器の磁束の遮断を低減することができる。
　仮に、シールド導体が素体の一対の主面の一方に加えて素体の側面にも形成されている場合、ＬＣ共振器の磁束が素体の側面に形成されたシールド導体によって遮断される。そのため、ＬＣ共振器の形成位置は、素体の側面から離れた位置、例えば厚み方向から見て素体の中央部に制限されてしまう。この構成によれば、素体の側面にシールド導体が形成されていないため、ＬＣ共振器を素体の側面の近傍に形成することができる。つまり、前述したようなＬＣ共振器の形成位置の制限はない。
　前記電子部品において、前記識別マークは、非金属の材料で構成されていてもよい。
　通常、導電性を有するシールド導体は、銅や銀等の金属で構成されている。識別マークは、例えばカメラによって読み取られる。仮に、識別マークが金属材料で構成されている場合、識別マーク及びシールド導体の双方がカメラの光を反射するため、シールド導体に対する識別マークの視認性が低下する。この構成によれば、識別マークは非金属の材料で構成されているため、前記のような視認性の低下を抑制することができる。
　前記電子部品において、前記識別マークは、少なくとも、第１粒径の第１粉末と、前記第１粒径より大きい第２粒径の第２粉末とを含んでいてもよい。
　この構成によれば、識別マークが同一粒径の粉末のみで構成されている場合より、識別マークの表面に凹凸が形成されやすい。電子部品の製造過程において積層された各基材が圧着されるときに、識別マークの表面の凹凸がシールド導体に入り込む。これにより、識別マークとシールド導体との密着性が高まる。また、識別マークの表面の凹凸がシールド導体にめり込むことによって、シールド導体の表面に凹凸が形成される。シールド導体の表面の凹凸が素体にめり込むことにより、シールド導体と素体との密着性が高まる。以上より、この構成によれば、識別マークとシールド導体との密着性、及びシールド導体と素体との密着性を高めることができる。
　＜第１実施形態＞
　図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ断面を示す断面図である。電子部品は、素体に識別マークが設けられたものである。第１実施形態に係る電子部品は、識別マークの他に内部電極と外部電極とシールド導体とが素体に設けられている。電子部品は、外部電極を介してマザー基板等に実装され得る。
　図１及び図２に示すように、第１実施形態に係る電子部品１０は、素体２０と、層間接続導体３０と、内部電極４０と、外部電極５０と、シールド導体６０と、識別マーク７０と、めっき層８０とを備える。
　素体２０は、全体として直方体形状である。素体２０の形状は、直方体形状に限らない。第１実施形態において、素体２０は、厚み方向１００に積層された基材２１～２９が一体化されたものである。つまり、第１実施形態において、素体２０は、９つの基材が一体化されたものである。素体２０を構成する基材の数は９つに限らない。基材２１～２９の各々は、絶縁性であり、板状である。第１実施形態において、素体２０（各基材２１～２９）は、ＬＴＣＣ(Low Temperature Co-fired Ceramics)で構成されている。素体２０は、ＬＴＣＣに限らず、例えばアルミナ等のＬＴＣＣ以外のセラミックで構成されていてもよいし、ガラスエポキシ、テフロン（登録商標）、紙フェノール等の樹脂で構成されていてもよい。
　図２に示すように、素体２０は、一対の主面２０Ａ，２０Ｂと側面２０Ｃとを備える。主面２０Ａは、基材２１の主面であって素体２０の外部に面している。主面２０Ｂは、基材２９の主面であって素体２０の外部に面している。主面２０Ｂは、主面２０Ａと反対を向いている。側面２０Ｃは、基材２１～２９の側面で構成されている。側面２０Ｃは、主面２０Ａ，２０Ｂを繋いでいる。第１実施形態において、主面２０Ｂは一対の主面の一方に相当し、主面２０Ａは一対の主面の他方に相当する。
　第１実施形態において、一対の主面２０Ａ，２０Ｂは、厚み方向１００に直交している。図１の平面図は、電子部品１０を厚み方向１００（図２参照）から見たときの図である。
　図２に示すように、層間接続導体３０は、素体２０の内部に形成されている。層間接続導体３０は、基材２１～２９の少なくとも１つに形成され得る。第１実施形態では、層間接続導体３０は、基材２１～２９に形成されている。
　層間接続導体３０は、複数の基材２１～２９の少なくとも１つを厚み方向１００に貫通する貫通孔２０Ｄに、導電性のペーストが充填され、素体２０の構成物であるセラミック（第１実施形態ではＬＴＣＣ）と共焼成されたものである。導電性のペーストは、例えば銅等の導電性粉末を含んでいる。導電性のペーストが含む導電性粉末は、銅に限らず、例えば銀でもよい。素体２０が樹脂で構成されている場合、層間接続導体３０は、銅などで構成された導電性金属がメッキ形成されたものである。第１実施形態では、貫通孔２０Ｄは円柱形状であるため、層間接続導体３０は円柱形状である。貫通孔２０Ｄの形状は、円柱形状に限らず、例えば四角柱等の形状であってもよい。
　図２では、層間接続導体３０は、５つの層間接続導体３１～３５を備えている。層間接続導体３１，３２は、基材２５～２９を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。層間接続導体３３は、基材２１～２４を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。層間接続導体３４は、基材２１，２２を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。層間接続導体３５は、基材２１～２３を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。層間接続導体３０の数は５つに限らない。各層間接続導体３１～３５の厚み方向１００の長さ（貫通する基材の数）は、前述した長さに限らない。
　図３は、図２のＢ－Ｂ断面を示す断面図である。図２及び図３に示すように、内部電極４０は、素体２０の内部に形成されており、素体２０の外部に露出していない。内部電極４０は、基材２１～２９の少なくとも１つに形成され得る。第１実施形態では、内部電極４０は、基材２３～２５に形成されている。
　第１実施形態のように素体２０がセラミックで構成されている場合、内部電極４０は、基材（第１実施形態では基材２３～２５）の主面に導電性のペーストを印刷し、基材と共焼成されたものである。導電性のペーストは、例えば銅や銀で構成されている。素体２０が樹脂で構成されている場合、内部電極４０は、金属箔をエッチング等の公知の手段によって、基材の主面に形成されている。
　第１実施形態では、内部電極４０は、５つの内部電極４１～４５を備えている。内部電極４１は、基材２５に形成されている。内部電極４２，４３，４５は、基材２４に形成されている（図３参照）。内部電極４４は、基材２３に形成されている。
　内部電極４０の各々は、他の内部電極４０または外部電極５０と電気的に接続されている。第１実施形態では、図２に示すように、内部電極４１は、層間接続導体３１，３２を介してシールド導体６０と電気的に接続されており、層間接続導体３３を介して外部電極５１と電気的に接続されている。また、内部電極４２は、層間接続導体３５を介して外部電極５３と電気的に接続されている。また、図３に示すように、内部電極４２，４３は、内部電極４５を介して互いに電気的に接続されている。また、図２に示すように、内部電極４４は、層間接続導体３４を介して外部電極５２と電気的に接続されている。
　外部電極５０は、素体２０の外部に形成されている。つまり、外部電極５０は、素体２０の外部に露出している。第１実施形態では、外部電極５０は、基材２１の主面（素体２０の主面２０Ａ）に形成されている。なお、外部電極５０は、素体２０の主面２０Ａの代わりにまたは素体２０の主面２０Ａに加えて、素体２０の主面２０Ｂ及び素体２０の側面２０Ｃの少なくとも一方に形成されていてもよい。
　外部電極５０は、内部電極４０と同様にして構成されている。つまり、第１実施形態では、外部電極５０は、素体２０の主面２０Ａに導電性のペーストを印刷し、基材２１～２９と共焼成されたものである。第１実施形態において、外部電極５０は、３つの外部電極５１～５３を備えている。
　前述したように、外部電極５１は層間接続導体３３を介して内部電極４１と電気的に接続されており、外部電極５２は層間接続導体３４を介して内部電極４４と電気的に接続されており、外部電極５３は層間接続導体３５を介して内部電極４２と電気的に接続されている。
　第１実施形態において、外部電極５１は、グランドと電気的に接続されることにより、接地されている。例えば、外部電極５１は、電子部品１０が実装される他の基板（例えば、マザー基板）に設けられた接地電位である電極と電気的に接続される。
　内部電極４０の少なくとも一部及び層間接続導体３０の少なくとも一部は、インダクタ及びキャパシタを有するＬＣ共振器９１を構成している。
　図３に示すように、厚み方向１００から見て、内部電極４２は蛇行している。これにより、内部電極４２は、ミアンダ型のコイルを形成しており、インダクタとして機能する。内部電極４２は、インダクタ導体の一例である。
　図２に示すように、内部電極４３，４４は、基材２３を挟んで厚み方向１００に対向している。これにより、内部電極４３，４４は、コンデンサを形成しており、キャパシタとして機能する。内部電極４３，４４は、キャパシタ導体の一例である。
　図３に示すように、コイルを形成する内部電極４２とコンデンサを形成する内部電極４３とは、内部電極４５を介して電気的に接続されている。つまり、内部電極４２～４５は、コイルとコンデンサとが電気的に接続されたＬＣ共振器９１を構成している。
　第１実施形態では、図２に示すように、インダクタ導体（内部電極４２）は基材２４に形成され、キャパシタ導体（内部電極４３，４４）は基材２３，２４に形成されているが、インダクタ導体及びキャパシタ導体は、素体２０が備える基材２１～２９の任意の基材に形成されてもよい。つまり、インダクタ導体及びキャパシタ導体は、素体２０が備える基材２１～２９の少なくとも１つに形成されていればよい。
　シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂに形成されている。シールド導体６０は、内部電極４０及び外部電極５０と同様にして、印刷によって形成されている。なお、シールド導体６０の形成は、印刷に限らない。例えば、シールド導体６０は、スパッタリング法または蒸着法により形成されてもよい。
　シールド導体６０は、導電性を有する。典型的には、シールド導体６０の少なくとも一部は、金属で構成されている。第１実施形態において、シールド導体６０は、銅等の導電性の部材で構成されている。シールド導体６０の一部が導電性の部材で構成されていてもよい。例えば、シールド導体６０は、導電性を有する材料が樹脂などの他の材料に含有されたものであってもよい。
　第１実施形態において、シールド導体６０は、素体２０に埋設されている。そのため、図２において、シールド導体６０は、主面２０Ｂの一部を構成している。なお、シールド導体６０は、素体２０に埋設されていなくてもよい。
　シールド導体６０は、多層構造を有していてもよい。例えば、シールド導体６０は、基材２９に接触する密着層と、密着層に接触しており導電率の高い金属で構成された導電層と、導電層に接触しており導電層の酸化または腐食を防止する防錆層とを有していてもよい。導電層は、電磁波をシールドする機能を有し、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などで構成される。密着層は、基材２９と導電層との密着性を高めるために設けられ、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などで構成される。
　シールド導体６０は、電子部品１０の外部から主面２０Ｂを介しての電磁波をシールドする。そのため、ＬＣ共振器９１は、外部から主面２０Ｂを介しての電磁波の影響を受けにくくなる。また、シールド導体６０は、ＬＣ共振器９１が輻射する電磁波が主面２０Ｂを介して外部へ輻射されることをシールドする。そのため、ＬＣ共振器９１から輻射された電磁波が電子部品１０の外部にある他の部品へ影響を及ぼしにくくなる。
　第１実施形態では、厚み方向１００から見て、素体２０の主面２０Ｂの外縁部に、シールド導体６０は形成されていない。つまり、第１実施形態では、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂの一部に形成されている。よって、図１に示すように、厚み方向１００から見て、素体２０の主面２０Ｂの外縁部では、基材２９が露出している。
　仮に、厚み方向１００から見た素体２０の主面２０Ｂの外縁部にシールド導体６０が形成されている場合、当該外縁部に位置するシールド導体６０は、削れやすい。シールド導体６０が削れると、シールド導体６０がＬＣ共振器９１の磁束に及ぼす影響が変化して、ＬＣ共振器９１の特性にばらつきが生じるおそれがある。第１実施形態では、厚み方向１００から見て、素体２０の主面２０Ｂの外縁部に、シールド導体６０は形成されていない。そのため、シールド導体６０が削れることが抑制される。これにより、ＬＣ共振器９１の特性のばらつきを低減することができる。
　なお、シールド導体６０が形成されない領域は、厚み方向１００から見た素体２０の主面２０Ｂの外縁部に限らない。例えば、シールド導体６０が形成されない領域は、厚み方向１００から見た素体２０の主面２０Ｂの中央部であってもよい。また、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂの全域に形成されていてもよい。
　第１実施形態では、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ａ及び側面２０Ｃに形成されていない。そのため、ＬＣ共振器９１のインダクタ導体（内部電極４２）の磁束が素体２０の主面２０Ａ及び側面２０Ｃにおいて遮断されることを防止することができる。
　図２に示すように、シールド導体６０は、層間接続導体３１，３２を介して内部電極４１と電気的に接続されている。また、前述したように、内部電極４１は層間接続導体３３を介して外部電極５１と電気的に接続されており、外部電極５１はグランドと電気的に接続されている。つまり、シールド導体６０は、層間接続導体３１～３３及び内部電極４１を介してグランドと電気的に接続されている。
　なお、シールド導体６０がグランドと電気的に接続される構成は、層間接続導体３１～３３及び内部電極４１を介する構成に限らない。例えば、シールド導体６０は、ワイヤ等を介して外部のグランドと電気的に接続されていてもよい。
　図２に示すように、識別マーク７０は、素体２０の主面２０Ｂに形成されたシールド導体６０の表面に形成されている。識別マーク７０は、電子部品１０の姿勢や方向を示すためのものである。
　第１実施形態では、電子部品１０は、１つの識別マーク７０を備えているが、複数の識別マーク７０を備えていてもよい。また、第１実施形態では、図１に示すように、厚み方向１００から見て、識別マーク７０は、長方形であるが、長方形に限らない。また、各図において、識別マーク７０の色は白またはハッチングで示されているが、識別マーク７０の色は白に限らず、黒、グレー、赤等の他の色であってもよい。識別マーク７０の色は、識別マーク７０の周囲のもの（第１実施形態ではめっき層８０）と異なる色であることが好ましい。
　識別マーク７０は、非金属の材料で構成されている。これにより、金属の材料で構成されためっき層８０に対して、識別マーク７０の識別性を向上させることができる。第１実施形態において、識別マーク７０は、素体２０と同材料であるＬＴＣＣで構成されている。
　なお、識別マーク７０の材料は、識別マーク７０の周囲のもの（第１実施形態ではめっき層８０）と識別可能であることを条件として任意である。例えば、識別マーク７０は、樹脂で構成されていてもよい。また、識別マーク７０がめっき層８０と同色または類似色の材料である場合に、識別マーク７０にめっき層８０と異なる色を着色することによって、識別マーク７０の視認性を向上させてもよい。また、識別マーク７０は、素体２０と異なる材料で構成されていてもよい。
　また、識別マーク７０には、複数種類の材料が混合されていてもよい。例えば、識別マーク７０に、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、タングステン（Ｗ）のいずれかの酸化物が含まれていてもよい。
　第１実施形態において、識別マーク７０は、シールド導体６０に入り込んでおり、シールド導体６０と共に素体２０に埋設されている。なお、識別マーク７０は、シールド導体６０及び素体２０に入り込んでいなくてもよい。
　図２に示すように、識別マーク７０の真下には、層間接続導体３０がない。厚み方向１００から見て、識別マーク７０と層間接続導体３０とは重複していない。言い換えると、識別マーク７０は、厚み方向１００から見て層間接続導体３０から外れた位置に形成されている。
　図２に示すように、めっき層８０は、外部電極５０及びシールド導体６０を覆っている。めっき層８０は、外部電極５０及びシールド導体６０に対する雰囲気や水分等の影響を抑制する。めっき層８０は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）－Ｓｎ（スズ）やＮｉ（ニッケル）－無電解Ａｕ（金）等で構成された膜である。第１実施形態において、めっき層８０は、ニッケルで構成された内層８１と、金で構成された外層８２とを備える。内層８１は、外部電極５０及びシールド導体６０の表面に形成されている。外層８２は、内層８１における外部電極５０及びシールド導体６０の反対側に形成されている。
　第１実施形態において、めっき層８０は、２層（内層８１及び外層８２）で構成されているが、めっき層８０は、１層または３層以上で構成されていてもよい。
　めっき層８０の構成は、識別マーク７０とのコントラストに基づいて決定可能である。例えば、識別マーク７０が酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む黒系セラミックペーストで構成されている場合、めっき層８０の最外層（例えば外層８２）が金で構成される。これにより、黒色の識別マーク７０は、周囲の金色に対してコントラストを確保できる。また、例えば、識別マーク７０が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含む白系セラミックペーストで構成されている場合、めっき層８０の最外層（例えば外層８２）が灰色のスズで構成される。これにより、白色の識別マーク７０は、周囲の灰色に対してコントラストを確保できる。以上により、識別マーク７０の視認性を向上することができる。
　めっき層８０は、金属材料の表面に構成される。そのため、めっき層８０は、非金属の材料である識別マーク７０の表面には形成されない。これにより、識別マーク７０は、めっき層８０に覆われることなく、電子部品１０の外部に露出している。また、第１実施形態では、めっき層８０の厚み（厚み方向１００の長さ）は、識別マーク７０の厚みより厚い。また、識別マーク７０は、めっき層８０によって形成された凹部８３の奥部に位置する。これにより、電子部品１０が他の部品等と接触した場合において、識別マーク７０が当該他の部品等と接触する可能性を低くすることができる。その結果、識別マーク７０が傷つく可能性を低くすることができる。
　なお、第１実施形態では、めっき層８０の厚みが識別マーク７０の厚みより厚いため、識別マーク７０がシールド導体６０に埋設されていない構成であっても、識別マーク７０は凹部８３の奥部に位置する。
　第１実施形態によれば、識別マーク７０がシールド導体６０の表面に形成されている。そのため、識別マーク７０がシールド導体６０に覆われている構成に比べて、識別マーク７０の視認性を向上させることができる。
　第１実施形態によれば、識別マーク７０と素体２０との間にシールド導体６０が介在されている。そのため、識別マーク７０と素体２０とが共にセラミックである場合でも、セラミック同士の拡散の発生を防止することができる。
　第１実施形態によれば、素体２０の外面（例えば主面２０Ｂ）に識別マーク７０を形成するための凹部が形成されていない。そのため、当該凹部が形成された構成に比べて、素体２０の強度を強くすることができる。
　第１実施形態によれば、電子部品１０の製造過程において積層された各基材２１～２９が圧着されるときに、識別マーク７０がシールド導体６０を基材２９へ向けて押し込む。これにより、シールド導体６０と素体２０との密着性を高めることができる。
　従来構成では、例えば、素体の内部に位置する基材の主面に形成された内部電極が、素体の側面に形成されたシールド導体と、基材の側縁部において電気的に接続される。この場合、内部電極のシールド導体との接触面積は、内部電極の厚みに依存する。内部電極の厚みを厚くすることは困難である。そのため、内部電極のシールド導体との接触面積を大きくすることは困難である。
　これに対して、第１実施形態によれば、基材２９に形成された層間接続導体３１，３２が、シールド導体６０と電気的に接続される。この場合、層間接続導体３１，３２のシールド導体６０との接触面積は、基材２９に形成されて層間接続導体３１，３２が充填される貫通孔の直径の大きさに依存する。貫通孔の直径を大きくすることは、内部電極４０の厚みを厚くするより容易である。そのため、層間接続導体３１，３２のシールド導体６０との接触面積を大きくすることは、内部電極４０のシールド導体６０との接触面積を大きくすることより容易である。よって、層間接続導体３１，３２とシールド導体６０との接続信頼性を高くすることができる。
　第１実施形態によれば、シールド導体６０と電気的に接続される層間接続導体３０の数を多くすることができる。シールド導体６０と電気的に接続される層間接続導体３０の数を多くすることによって、ＬＣ共振器９１における不要な共振の発生を抑制することができる。
　仮に、厚み方向１００から見て識別マーク７０が層間接続導体３０と重複する位置に形成されている場合、以下の問題が生じるおそれがある。つまり、層間接続導体３０の形成過程における層間接続導体３０の基材２１～２９からの隆起によって生じる応力や、素体２０の焼成過程における基材２１～２９の収縮によって生じる応力が、識別マーク７０付近に集中する。これにより、識別マーク７０及びその周辺の素体２０に亀裂等が生じるおそれがある。
　第１実施形態によれば、厚み方向１００から見て識別マーク７０が層間接続導体３０から外れた位置に形成されている。そのため、前記の応力が識別マーク７０付近に集中されない。これにより、識別マーク７０及び素体２０に亀裂等が生じる可能性を低くすることができる。
　第１実施形態によれば、電子部品１０はＬＣ共振器９１を備えている。また、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂに形成されている一方で、素体２０の主面２０Ａ及び側面２０Ｃに形成されていない。これにより、シールド導体６０によるＬＣ共振器９１の磁束の遮断を低減することができる。
　仮に、シールド導体６０が素体２０の主面２０Ｂに加えて素体２０の側面２０Ｃにも形成されている場合、ＬＣ共振器９１の磁束が素体２０の側面２０Ｃに形成されたシールド導体６０によって遮断される。そのため、ＬＣ共振器９１の形成位置は、素体２０の側面２０Ｃから離れた位置、例えば厚み方向１００から見て素体２０の中央部に制限されてしまう。第１実施形態によれば、素体２０の側面２０Ｃにシールド導体６０が形成されていないため、ＬＣ共振器９１を素体２０の側面２０Ｃの近傍に形成することができる。つまり、前述したようなＬＣ共振器９１の形成位置の制限はない。
　通常、導電性を有するシールド導体６０は、銅や銀等の金属で構成されている。識別マーク７０は、例えばカメラによって読み取られる。仮に、識別マーク７０が金属材料で構成されている場合、識別マーク７０及びシールド導体６０の双方がカメラの光を反射するため、シールド導体６０に対する識別マーク７０の視認性が低下する。第１実施形態によれば、識別マーク７０は非金属の材料で構成されているため、前記のような視認性の低下を抑制することができる。
　＜第１実施形態に係る電子部品の製造方法＞
　以下に、第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法が、図４～図９が参照されつつ説明される。図４は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材に層間接続導体が形成されたときの断面図である。図５は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材に内部電極が印刷されたときの断面図である。図６は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において基材にシールド導体が印刷されたときの断面図である。図７は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの断面図である。図８は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において複数の基材が積層されて素体が形成されたときの断面図である。図９は、本発明の実施形態に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図である。
　電子部品１０は、積層体を複数の素体２０に個片化することにより製造される。積層体は、複数の素体２０が配列された状態で一体化されたものである。図４～図９では、説明の便宜上、積層体のうち１つの素体２０に対応する部分のみが示される。第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法は、シート成形工程、層間接続導体形成工程、電極形成工程、シールド導体形成工程、識別マーク形成工程、素体形成工程、圧着工程、個片化工程、焼成工程、及びめっき層積層工程を含む。
　（シート成形工程）
　最初に、シート成形工程が実行される。シート成形工程では、図２に示す基材２１～２９が個別に成形される。シート成形工程において成形される基材２１～２９は、各基材２１～２９に応じた主剤、可塑剤、バインダ等を含む原料を混合することにより、各基材２１～２９を構成するスラリが作製される。この段階での各基材２１～２９は、スラリで構成されたグリーンシートである。
　各基材２１～２９には、主剤として、例えば焼結性セラミック粉末等が使用される。可塑剤としては、例えば、フタル酸エステルやジ－ｎ－ブチルフタレート等が使用される。バインダとしては、例えば、アクリル樹脂やポリビニルブチラール等が使用される。
　各基材２１～２９を構成するスラリは、例えばリップコータやドクターブレード等を用いて、図４に示すキャリアフィルム１０１上にシート状に成形される。つまり、９枚の基材２１～２９の各々が、９枚のキャリアフィルム１０１の各々の上に成形される。キャリアフィルム１０１としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等が使用される。各基材２１～２９の厚さは、例えば５～１００（μｍ）である。
　図４には、キャリアフィルム１０１と、キャリアフィルム１０１上に成形された基材２８とが示されている。
　次に、各基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１を厚み方向に貫通する貫通孔２０Ｄが形成される。
　なお、図４では、２つの貫通孔２０Ｄが基材２８及びキャリアフィルム１０１に形成されているが、各基材２１～２９に形成される貫通孔２０Ｄの数は２つに限らない。また、基材２１～２９に形成される貫通孔２０Ｄの数は、同数であってもよいし、異なる数であってもよい。また、基材２１～２９に形成される貫通孔２０Ｄの位置は、同じ位置であってもよいし、異なる位置であってもよい。
　第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、最終的に、図２に示すような素体２０が形成されるように、９枚の基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１に形成される貫通孔２０Ｄの数及び位置が決定される。
　（層間接続導体形成工程）
　次に、層間接続導体形成工程が実行される。層間接続導体形成工程では、シート成形工程において各基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１に形成された貫通孔２０Ｄに、導電性のペースト１０２が充填される（図４参照）。貫通孔２０Ｄに充填されたペースト１０２が、層間接続導体３０に対応する。
　ペースト１０２は、例えば、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を混合することにより作製される。
　（電極形成工程）
　次に、電極形成工程が実行される。電極形成工程では、内部電極４０及び外部電極５０が形成される。
　第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、例えば、図５に示すように、基材２４の主面に、内部電極４２，４３に対応するペーストが形成される。ペーストは、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等により形成される。なお、他の内部電極４０（内部電極４１，４４，４５）及び外部電極５０も、内部電極４２，４３と同様にして、各基材２１～２９に形成される。
　内部電極４０及び外部電極５０に対応するペーストは、前述したペースト１０２と同様に、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を主として混合することにより作製される。なお、内部電極４０及び外部電極５０に対応するペーストは、ペースト１０２と同じ原料で構成されていてもよいし、ペースト１０２と異なる原料で構成されていてもよい。
　（シールド導体形成工程）
　次に、シールド導体形成工程が実行される。シールド導体形成工程では、シールド導体６０が形成される。
　第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、図６に示すように、基材２９の主面に、シールド導体６０に対応するペーストが形成される。シールド導体６０に対応するペーストは、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、スパッタリング法、蒸着法、転写工法等により形成される。なお、転写工法の場合、後述するように、シールド導体の印刷は、識別マークの印刷の後に実行される。
　シールド導体に対応するペーストは、前述したペースト（内部電極４０及び外部電極５０に対応するペースト及びペースト１０２）と同様に、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を主として混合することにより作製される。なお、シールド導体に対応するペーストは、前述したペーストと同じ原料で構成されていてもよいし、前述したペーストと異なる原料で構成されていてもよい。
　シールド導体形成工程は、電極形成工程の前に実行されてもよいし、電極形成工程と並行して実行されてもよい。
　（識別マーク形成工程）
　次に、識別マーク形成工程が実行される。識別マーク形成工程では、識別マーク７０が形成される。
　第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、図７に示すように、シールド導体形成工程において基材２９の主面に形成されたシールド導体６０に、識別マーク７０に対応するペーストが形成される。識別マーク７０に対応するペーストは、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、転写工法等により形成される。識別マーク７０に対応するペーストは、前述した識別マーク７０を構成する材料よりなる。第１実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、識別マーク７０に対応するペーストは、セラミックがペースト状にされたものである。転写工法の場合、転写シート上に識別マークが印刷され、次に、識別マークの上からシールド導体が転写シート上に印刷される。その後、以下で説明する素体形成工程において、シールド導体が基材２９側となるように、転写シートが基材２９に積層される。
　（素体形成工程）
　次に、素体形成工程が実行される。素体形成工程では、図８に示すように、キャリアフィルム１０１を除いた各基材２１～２９が積層される。これにより、素体２０が得られる。
　素体形成工程では、９つの基材２１～２９が、数値の小さい基材から数値の大きい基材への順序で、具体的には基材２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９の順序で積層される。これにより、基材２１の主面が素体２０の主面２０Ａとなり、基材２９の主面が素体２０の主面２０Ｂとなる。また、基材２１～２９の側面が素体２０の側面２０Ｃとなる。
　第１実施形態では、９つの基材２１～２９のうちの一部の基材は、９つの基材２１～２９のうちの当該一部の基材以外の基材に対して反転して積層される。図８に示す例では、基材２１～２５がキャリアフィルム１０１側の面を紙面上向きとして積層される一方で、基材２６～２９がキャリアフィルム１０１側の面を紙面下向きとして積層される。これにより、図８に示すように、基材２１，２３～２５に形成された内部電極４０及び外部電極５０の各々が各基材２１，２３～２５の下方に位置し、基材２９に形成されたシールド導体６０が基材２９の上方に位置する。なお、９つの基材２１～２９は、反転することなく積層されてもよい。例えば、シールド導体及び識別マークの印刷に転写工法が用いられる場合、９つの基材２１～２９は、反転することなく積層される。
　（圧着工程）
　次に、圧着工程が実行される。圧着工程では、積層された各基材２１～２９が金型内で圧着される。
　各基材２１～２９が圧着されることによって、図９に示すように、内部電極４０が基材２３～２５内へ入り込み、外部電極５０が基材２１内へ入り込み、シールド導体６０が基材２９内へ入り込む。また、識別マーク７０が、シールド導体６０へ入り込み、シールド導体６０と共に基材２９内へ入り込む。これにより、シールド導体６０及び識別マーク７０は、素体２０に埋設される。
　（個片化工程）
　次に、個片化工程が実行される。個片化工程では、複数の素体２０が配列された積層体が、複数の素体２０に切断される。積層体の切断には、例えば、ダイシングソー、ギロチンカッタ、レーザ等が使用される。積層体の切断後、素体２０の角部および縁部は、例えばバレル加工等により研磨されてもよい（図２参照）。前記の研磨は、焼成工程後に実行されてもよい。
　（焼成工程）
　次に、焼成工程が実行される。焼成工程では、基材２１～２９が焼成されて、焼結体である素体２０が形成される（図２参照）。
　（めっき層積層工程）
　次に、めっき層積層工程が実行される。めっき層積層工程では、外部電極５０及びシールド導体６０に、公知のめっき処理が施される。これにより、図２に示すように、めっき層８０が、外部電極５０及びシールド導体６０を覆うように積層される。
　＜第１実施形態の変形例＞
　前述した実施形態では、インダクタとして機能する内部電極４２は、ミアンダ型のコイルを形成している。しかし、ＬＣ共振器９１が備えるインダクタは、ミアンダ型のコイルに限らない。例えば、図１０に示すように、内部電極４２は、平面視においてスパイラル型のコイルであってもよい。図１０は、本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図２のＢ－Ｂ断面に対応する断面図である。
　また、例えば、図１１に示すように、内部電極４２は、側面視においてスパイラル型のコイルであってもよい。図１１は、本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図２のＢ－Ｂ断面に対応する断面図である。なお、図１１において破線で示す内部電極４２は、基材２４とは異なる基材（例えば基材２３）に形成されている。図１１において実線で示す内部電極４２と破線で示す内部電極４２とは不図示の層間接続導体によって電気的に接続されている。これにより、図１１に示す内部電極４２は、スパイラル型のコイルを構成する。
　前述した実施形態では、内部電極４２によって構成されるコイルの巻回軸は、厚み方向１００に延びている。しかし、コイルの巻回軸は、厚み方向１００以外の方向に延びていてもよい。例えば、図１１に示す電子部品１０では、内部電極４２によって構成されるコイルの巻回軸は、基材２４の主面に沿った方向（言い換えると厚み方向１００と直交する方向）に延びている。
　前述した実施形態では、図２に示すように、識別マーク７０の全体が素体２０に入り込んでおり、識別マーク７０はめっき層８０によって形成された凹部８３の奥部に位置する。しかし、図１２に示すように、識別マーク７０は、めっき層８０から突出していてもよい。図１２は、本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図１のＡ－Ａ断面に対応する断面図である。
　識別マーク７０がめっき層８０から突出した構成は、識別マーク形成工程において、識別マーク７０が厚く形成されることによって実現される。例えば、識別マーク７０は、識別マーク形成工程において複数回重ねて印刷されることによって、厚く形成される。
　前述した実施形態では、図２に示すように、シールド導体６０は素体２０の主面２０Ｂに形成されている一方で素体２０の主面２０Ａ及び側面２０Ｃに形成されていない。しかし、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂに加えて、素体２０の主面２０Ａ及び側面２０Ｃの少なくとも一方に形成されていてもよい。つまり、シールド導体６０は、素体２０の外面のうちの少なくとも主面２０Ｂに形成されていればよい。
　例えば、図１３に示すように、シールド導体６０は、素体２０の主面２０Ｂに形成された主面導体６０Ａと、素体２０の側面２０Ｃに形成された側面導体６０Ｂとを備えていてもよい。図１３は、本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品において図１のＡ－Ａ断面に対応する断面図である。側面導体６０Ｂは、個片化工程の後且つ焼成工程の前に、ディップ工法等の公知の手段によって形成される。なお、シールド導体形成工程では、主面導体６０Ａが形成される。ディップ工法等の公知の手段によって、側面導体６０Ｂは、素体２０の側面２０Ｃと、素体２０の主面２０Ｂの外縁部とに形成される。素体２０の主面２０Ｂの外縁部に形成された側面導体６０Ｂが、主面導体６０Ａと電気的に接続される。
　図１３に示す電子部品１０では、めっき層積層工程において、外部電極５０、主面導体６０Ａ、及び側面導体６０Ｂに、公知のめっき処理が施される。これにより、図１３に示すように、めっき層８０が、外部電極５０、主面導体６０Ａ、及び側面導体６０Ｂを覆うように積層される。
　前述した実施形態では、図２に示すように、シールド導体６０が形成された基材２９を含む基材２５～２９に２つの層間接続導体３１，３２が形成され、シールド導体６０は、２つの層間接続導体３１，３２を介してグランドと電気的に接続されている。しかし、シールド導体６０が形成された基材２９を含む基材に形成されて、シールド導体６０とグランドとを電気的に接続する層間接続導体３０は２つに限らない。
　例えば、シールド導体６０が形成された基材２９に１つの層間接続導体３０が形成され、シールド導体６０は、当該１つの層間接続導体３０を介してグランドと電気的に接続されていてもよい。
　また、例えば、図１４に示すように、シールド導体６０が形成された基材２９に３つ以上の層間接続導体３０が形成され、シールド導体６０は、当該３つ以上の層間接続導体３０を介してグランドと電気的に接続されていてもよい。図１４は、本発明の第１実施形態の変形例に係る電子部品の平面図である。
　図１４に示す電子部品１０Ａは、６つのＬＣ共振器９１を備えている。また、図１４に破線で示すように、電子部品１０Ａの基材２９に、７つの層間接続導体３０が形成されている。シールド導体６０は、当該７つの層間接続導体３０と電気的に接続されている。当該７つの層間接続導体３０は、内部電極４０及び他の層間接続導体３０の少なくとも一方を介して、グランドと電気的に接続された外部電極５１と電気的に接続されている。つまり、図１４に示す電子部品１０Ａにおいて、シールド導体６０は、当該７つの層間接続導体３０を介してグランドと電気的に接続されている。
　＜第２実施形態＞
　図１５は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の平面図である。第２実施形態に係る電子部品１０Ｂが第１実施形態に係る電子部品１０と異なることは、シールド導体６０のうち、ＬＣ共振器９１の真上の部分がめっき層８０に覆われていないことである。以下、第１実施形態との相違点が説明される。第１実施形態に係る電子部品１０との共通点については、同一の符号が付された上で、その説明は原則省略され、必要に応じて説明される。
　図１５に示すように、電子部品１０Ｂにおいて、シールド導体６０とシールド導体６０を覆うめっき層８０とは、厚み方向１００から見て素体２０の主面２０Ｂの中央部の一部に形成されていない。そのため、厚み方向１００から見て、当該内側の領域において、基材２９が露出している。厚み方向１００から見て、当該内側の領域は、素体２０の内部に形成されたＬＣ共振器９１と重複している。
　第２実施形態によれば、厚み方向１００から見て、シールド導体６０が形成されておらずに基材２９が露出している領域は、厚み方向１００から見て、素体２０の内部に形成されたＬＣ共振器９１と重複している。そのため、ＬＣ共振器９１から素体２０の主面２０Ｂに延びた磁束をシールド導体６０が遮断することを低減することができる。
　　＜第３実施形態＞
　図１６は、本発明の第３実施形態に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの断面図である。図１７は、本発明の第３実施形態に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図である。第３実施形態に係る電子部品１０Ｃは、識別マーク７０とシールド導体６０との界面が凹凸状であることを特徴とする。以下、第３実施形態との特徴点が説明される。第１実施形態に係る電子部品１０との共通点については、同一の符号が付された上で、その説明は原則省略され、必要に応じて説明される。
　図１７に示すように、電子部品１０Ｃの識別マーク７０は、膜状の膜部７１と、膜部７１から突出した突出部７２とを備える。
　膜部７１は、電子部品１０Ｃの外部に露出している。これにより、膜部７１は、電子部品１０の姿勢や方向を示す。
　突出部７２は、膜部７１の基材２９側の面に形成されており、膜部７１から基材２９へ向けて突出している。突出部７２は、シールド導体６０へ入り込んでいる。これにより、識別マーク７０とシールド導体６０との界面には、凹凸が形成されている。その結果、識別マーク７０とシールド導体６０との密着性を高めることができる。
　シールド導体６０のうちの突出部７２が入り込んだ部分は、シールド導体６０うちの突出部７２が入り込んでいない部分より、基材２９側へ入り込んでいる。これにより、シールド導体６０と基材２９との界面には、凹凸が形成されている。その結果、シールド導体６０と基材２９との密着性を高めることができる。
　なお、突出部７２の位置、大きさ、及び個数は、図１７に示す位置、大きさ、及び個数に限らない。識別マーク７０が複数の突出部７２を有する場合に、各突出部７２の大きさいは互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
　膜部７１と突出部７２とを備える識別マーク７０は、例えば、以下のようにして形成される。
　識別マーク形成工程において、識別マーク７０に対応するペーストが複数回形成される。例えば、ペーストの１回目の印刷において、膜部７１が形成される。続いて、ペーストの２回目の印刷において、突出部７２が形成される。突出部７２は、膜部７１の表面（膜部７１におけるシールド導体６０とは反対側の面）に形成される。突出部７２の位置、大きさ、及び個数は、適宜設定される。
　その後の圧着工程において、識別マーク７０は、シールド導体６０に入り込む。このとき、識別マーク７０のうちの突出部７２が形成された位置は、識別マーク７０のうちの突出部７２が形成されていない位置より、シールド導体６０に大きく入り込む。これにより、図１７に示すように、突出部７２の位置が、膜部７１の基材２９と反対側の面から、膜部７１の基材２９側の面へ変わる。
　図１６及び図１７では、識別マーク７０が突出部７２を備えることによって、識別マーク７０とシールド導体６０との界面が凹凸状である構成が説明された。しかし、識別マーク７０とシールド導体６０との界面が凹凸状である構成は、突出部７２を備える構成以外によっても実現可能である。
　例えば、図１８及び図１９に示すように、電子部品１０Ｄの識別マーク７０は、大きさの異なる複数種類の粉末を含んでいてもよい。図１８は、本発明の第３実施形態の変形例に係る電子部品の製造過程においてシールド導体に識別マークが印刷されたときの素体の一部を示す断面図である。図１９は、本発明の第３実施形態の変形例に係る電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの素体の一部を示す断面図である。
　図１９に示すように、識別マーク７０は、直径の異なる３種類の粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを含む。言い換えると、識別マーク７０は、粒径Ｒ１の粉末７０Ａと、粒径Ｒ２の粉末７０Ｂと、粒径Ｒ３の粉末７０Ｃとを含む。粒径Ｒ２は粒径Ｒ１より大きい。粒径Ｒ３は粒径Ｒ２より大きい。粉末７０Ｂが第２粉末に相当し且つ粒径Ｒ２が第２粒径に相当する場合、粉末７０Ａが第１粉末に相当し且つ粒径Ｒ１が第１粒径に相当する。粉末７０Ｃが第２粉末に相当し且つ粒径Ｒ３が第２粒径に相当する場合、粉末７０Ａまたは粉末７０Ｂが第１粉末に相当し且つ粒径Ｒ１または粒径Ｒ２が第１粒径に相当する。
　互いに粒径の異なる３種類の粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃが不規則に混合されていることにより、識別マーク７０の表面に凹凸が形成されている。その結果、識別マーク７０とシールド導体６０との密着性を高めることができる。
　粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを含む識別マーク７０がシールド導体６０に入り込むことによって、シールド導体６０と基材２９との界面にも、凹凸が形成されている。その結果、シールド導体６０と基材２９との密着性を高めることができる。
　図１９によれば、識別マーク７０が同一粒径の粉末のみで構成されている場合より、識別マーク７０の表面に凹凸が形成されやすい。
　なお、識別マーク７０が含む粉末は３種類に限らない。識別マーク７０が含む粉末は少なくとも２種類あればよい。
　３種類の粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを含む識別マーク７０は、第１実施形態と同様にして形成される。但し、識別マーク形成工程において、主面２０Ｂに形成されたシールド導体６０に形成される識別マーク７０に対応するペーストは、３種類の粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを含む（図１８参照）。その後の圧着工程において、３種類の粉末７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃを含む識別マーク７０は、シールド導体６０に入り込む（図１９参照）。
　電子部品１０Ｃ，１０Ｄの製造過程において積層された各基材２１～２９が圧着されるときに、識別マーク７０の表面の凹凸がシールド導体６０に入り込む。これにより、識別マーク７０とシールド導体６０との密着性が高まる。また、識別マーク７０の表面の凹凸がシールド導体６０にめり込むことによって、シールド導体６０の表面に凹凸が形成される。シールド導体６０の表面の凹凸が素体にめり込むことにより、シールド導体６０と素体２０との密着性が高まる。以上より、第３実施形態によれば、識別マー７０クとシールド導体６０との密着性、及びシールド導体６０と素体２０との密着性を高めることができる。
　なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
　本発明は、適宜図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術に熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
　１０　電子部品
　２０　素体
２０Ａ　主面
２０Ｂ　主面
２０Ｃ　側面
　２１　基材
　２２　基材
　２３　基材
　２４　基材
　２５　基材
　２６　基材
　２７　基材
　２８　基材
　２９　基材
　３０　層間接続導体
　４２　内部電極（インダクタ導体）
　４３　内部電極（キャパシタ導体）
　４４　内部電極（キャパシタ導体）
　６０　シールド導体
　７０　識別マーク
７０Ａ　粉末（第１粉末）
７０Ｂ　粉末（第２粉末）
　９１　ＬＣ共振器
１００　厚み方向
　Ｒ１　粒径（第１粒径）
　Ｒ２　粒径（第２粒径）

Claims (7)

  1. 　厚み方向に積層された複数の絶縁性の基材を有し、互いに反対を向く一対の主面及び前記一対の主面を繋ぐ側面を有する素体と、
    　複数の前記基材の少なくとも１つに形成されたインダクタ導体、及び複数の前記基材の少なくとも１つに形成され且つ前記インダクタ導体と電気的に接続されたキャパシタ導体を有するＬＣ共振器と、
    　前記一対の主面及び前記側面のうちの少なくとも前記一対の主面の一方に形成され且つグランドと電気的に接続されるシールド導体と、
    　前記一対の主面の一方に形成された前記シールド導体の表面に形成された識別マークと、を備える電子部品。
  2. 　複数の前記基材のうちの前記シールド導体が形成された前記基材に、前記基材を貫通する層間接続導体が形成され、
    　前記シールド導体は、前記層間接続導体を介してグランドと電気的に接続されている請求項１に記載の電子部品。
  3. 　複数の前記基材のうちの前記シールド導体が形成された前記基材に、複数の前記層間接続導体が形成され、
    　前記シールド導体は、複数の前記層間接続導体を介してグランドと電気的に接続されている請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記識別マークは、前記厚み方向から見て前記層間接続導体から外れた位置に形成されている請求項２または３に記載の電子部品。
  5. 　前記シールド導体は、前記一対の主面の一方に形成されており、前記一対の主面の他方及び前記側面に形成されていない請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
  6. 　前記識別マークは、非金属の材料で構成されている請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品。
  7. 　前記識別マークは、少なくとも、第１粒径の第１粉末と、前記第１粒径より大きい第２粒径の第２粉末とを含む請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031833A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Kyocera Corp 電子部品
JP2004303946A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合電子部品
WO2018047488A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 電子部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031833A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Kyocera Corp 電子部品
JP2004303946A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合電子部品
WO2018047488A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社村田製作所 電子部品

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