WO2022265138A1 - 디스플레이 장치 - Google Patents

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WO2022265138A1
WO2022265138A1 PCT/KR2021/007676 KR2021007676W WO2022265138A1 WO 2022265138 A1 WO2022265138 A1 WO 2022265138A1 KR 2021007676 W KR2021007676 W KR 2021007676W WO 2022265138 A1 WO2022265138 A1 WO 2022265138A1
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light
color
conversion layer
dominant wavelength
color filter
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PCT/KR2021/007676
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English (en)
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유영길
홍근영
김민성
김경필
강보경
백승미
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엘지전자 주식회사
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    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Definitions

  • the embodiment relates to a display device.
  • a display device displays a high-quality image by using a self-light emitting device such as a light emitting diode as a light source of a pixel.
  • a self-light emitting device such as a light emitting diode as a light source of a pixel.
  • Light emitting diodes exhibit excellent durability even under harsh environmental conditions, and are in the limelight as a light source for next-generation display devices because of their long lifespan and high luminance.
  • a color conversion layer is provided to implement a color image by converting short wavelength light generated from the light source into a longer wavelength light.
  • the color conversion layer includes a green conversion layer disposed on a green pixel to convert light generated from a light source into green light, and a blue conversion layer disposed on a red pixel to convert light generated by a light source into blue light.
  • excitation efficiency of the color conversion layer increases as the wavelength of light generated from the light source decreases.
  • the excitation spectrum increases as the wavelength decreases. Accordingly, the smaller the wavelength of the light generated from the light source, the higher the excitation efficiency, thereby increasing the amount of light of a desired color in the color conversion layer.
  • a light emitting diode that generates blue light or ultraviolet light has been conventionally used as a light source.
  • a triangle is constituted by a blue vertex 1, a green vertex 3, and a red vertex 5 according to the BT.2020 standard.
  • the dominant wavelength of the conventional light source is positioned away from the blue vertex 1 outside the triangle of the BT.2020 standard.
  • the dominant wavelength of the conventional light source should be located at the blue apex 1 of the BT.2020 standard.
  • Embodiments are aimed at solving the foregoing and other problems.
  • Another object of the embodiments is to provide a display device capable of improving color gamut.
  • Another object of the embodiments is to provide a display device conforming to the color gamut standard.
  • a display device for displaying a color image having a color gamut standard defined by a triangle connecting a first color vertex, a second color vertex, and a third color vertex is a substrate, ; a light source disposed on the substrate and generating first light of a first dominant wavelength corresponding to a first color coordinate located outside the triangle and spaced apart from the first color vertex; a conversion layer disposed on the substrate to convert the first light into a plurality of lights having different dominant wavelengths; and a color filter layer disposed on the conversion layer.
  • the light source includes a plurality of semiconductor light emitting elements disposed on a plurality of color regions of the substrate.
  • the conversion layer is disposed on at least one first color region among the plurality of color regions of the substrate, and transmits the first light to a second dominant wavelength corresponding to a second color coordinate of the first color vertex.
  • a first conversion layer that converts light into light and outputs the first light and the second light; It is disposed on at least one second color region among the plurality of color regions of the substrate to convert the first light into a third light having a third dominant wavelength corresponding to the third color coordinate of the second color vertex.
  • a second conversion layer outputting the first light and the third light; and disposed on at least one third color region among the plurality of color regions of the substrate to convert the first light into a fourth light having a fourth dominant wavelength corresponding to a fourth color coordinate of a vertex of the third color. and a second conversion layer outputting the first light and the fourth light.
  • the first conversion layer and the second conversion layer include the same material.
  • the first light may be blue light
  • each of the second and third lights may be a mixed light of blue light and green light.
  • the first conversion layer and the second conversion layer may include a green phosphor.
  • the first conversion layer and the second conversion layer may include green quantum dots.
  • the color filter layer may include a first color filter disposed on the first conversion layer and configured to output the second light; a second color filter disposed on the second conversion layer to output the third light; and a third color filter disposed on the third conversion layer to output the fourth light.
  • the semiconductor light-emitting device may include one of a micrometer-level semiconductor light-emitting device and a nanometer-level semiconductor light-emitting device.
  • Embodiments provide a display device capable of displaying a color image by using red light, green light, and blue light.
  • the first dominant wavelength of the short-wavelength light that is, the first light 410 is converted into a second dominant wavelength, and as shown in FIG. 15, the second dominant wavelength is converted.
  • the color reproduction rate can be improved compared to the prior art (see Table 3).
  • the first conversion layer 330 may be provided to convert the first dominant wavelength of the first light 410 into the second dominant wavelength.
  • the first conversion layer 330 and the second conversion layer 340 may include a green conversion material.
  • the green conversion material may include a green phosphor or a green quantum dot.
  • the density of the green conversion material of the first conversion layer 330 may be lower than the density of the green conversion material of the second conversion layer 340 .
  • the first conversion layer 330 and the second conversion layer 340 may include blue light 412 and 414 and green light 413 and 415 . Therefore, the density of the green conversion material of the first conversion layer 330 is low, so that only a small amount of blue light 411 is converted into green light 413 in the first conversion layer 330, and most of the remaining The blue light 411 of may be output as it is.
  • the first color filter 360 may pass both the blue light 412 and the green light 413 to output the second light 420 that is a mixed light of the blue light 412 and the green light 413 .
  • the second dominant wavelength of the second light 420 is made greater than the first dominant wavelength of the first light 410 by the green conversion material included in the first conversion layer 330, so that the second light 420 ) is positioned at the first color vertex 451 of the triangle of the BT.2020 standard, the color reproduction rate can be improved compared to the prior art.
  • the second dominant wavelength of the second light 420 can be located at the first color vertex of various other standards other than the BT.2020 standard. , can conform to various color gamut standards.
  • 1 shows an excitation spectrum and a light emission spectrum according to wavelength.
  • FIG. 2 shows a state in which the dominant wavelength of light out of the color gamut standard is located in the related art.
  • FIG 3 illustrates a living room of a house in which a display device 100 according to an exemplary embodiment is disposed.
  • FIG. 4 is a schematic block diagram of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel of FIG. 4 .
  • FIG. 6 is a plan view showing the display panel of FIG. 4 in detail.
  • FIG. 7 is an enlarged view of a first panel area in the display device of FIG. 3 .
  • FIG. 8 is an enlarged view of area A2 of FIG. 7 .
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the display panel of FIG. 4 .
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 11 illustrates how light is output from each of a light source, a conversion layer, and a color filter.
  • FIG 13 illustrates second light output from the first conversion layer and the first color filter layer according to the first embodiment.
  • FIG 14 illustrates second light output from the first conversion layer and the first color filter layer according to the second embodiment.
  • 15 shows the position of the dominant wavelength of light in the prior art and in the embodiment.
  • 16 illustrates distributions according to wavelengths of first to fourth lights according to an embodiment.
  • FIG 17 illustrates a transmission section according to a wavelength of a color filter according to an embodiment.
  • the display devices described in this specification include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation devices, slate PCs, Tablet PCs, ultra-books, digital TVs, desktop computers, and the like may be included.
  • PDAs personal digital assistants
  • PMPs portable multimedia players
  • navigation devices slate PCs, Tablet PCs, ultra-books, digital TVs, desktop computers, and the like may be included.
  • slate PCs slate PCs
  • Tablet PCs ultra-books
  • digital TVs desktop computers, and the like
  • the configuration according to the embodiment described in this specification can be applied to a device capable of displaying even a new product type to be developed in the future.
  • FIG 3 illustrates a living room of a house in which a display device according to an exemplary embodiment is disposed.
  • the display device 100 of the embodiment can display the status of various electronic products such as the washing machine 101, the robot cleaner 102, and the air purifier 103, can communicate with each electronic product based on IOT, and can provide user It is also possible to control each electronic product based on the setting data of the .
  • the display device 100 may include a flexible display fabricated on a thin and flexible substrate.
  • a flexible display can be bent or rolled like paper while maintaining characteristics of a conventional flat panel display.
  • a unit pixel means a minimum unit for implementing one color.
  • a unit pixel of the flexible display may be implemented by a light emitting device.
  • the light emitting device may be a Micro-LED or a Nano-LED, but is not limited thereto.
  • FIG. 4 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment
  • FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel of FIG. 4 .
  • a display device may include a display panel 10 , a driving circuit 20 , a scan driving unit 30 and a power supply circuit 50 .
  • the display device 100 may drive a light emitting element in an active matrix (AM) method or a passive matrix (PM) method.
  • AM active matrix
  • PM passive matrix
  • the driving circuit 20 may include a data driver 21 and a timing controller 22 .
  • the display panel 10 may be formed in a rectangular shape, but is not limited thereto. That is, the display panel 10 may be formed in a circular or elliptical shape. At least one side of the display panel 10 may be formed to be bent with a predetermined curvature.
  • the display panel 10 may be divided into a display area DA and a non-display area NDA disposed around the display area DA.
  • the display area DA is an area where the pixels PX are formed to display an image.
  • the display panel 10 includes data lines (D1 to Dm, where m is an integer greater than or equal to 2), scan lines (S1 to Sn, where n is an integer greater than or equal to 2) crossing the data lines (D1 to Dm), and a high potential voltage. It may include pixels PXs connected to a high-potential voltage line supplied thereto, a low-potential voltage line supplied with a low-potential voltage, data lines D1 to Dm, and scan lines S1 to Sn.
  • Each of the pixels PX may include a first sub-pixel PX1 , a second sub-pixel PX2 , and a third sub-pixel PX3 .
  • the first sub-pixel PX1 emits light of a first color of a first main wavelength
  • the second sub-pixel PX2 emits light of a second color of a second main wavelength
  • the third sub-pixel PX3 emits light of a second color.
  • a third color light having a third main wavelength may be emitted.
  • the first color light may be red light
  • the second color light may be green light
  • the third color light may be blue light, but are not limited thereto.
  • FIG. 4 it is illustrated that each of the pixels PX includes three sub-pixels, but is not limited thereto. That is, each of the pixels PX may include four or more sub-pixels.
  • Each of the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 includes at least one of the data lines D1 to Dm, at least one of the scan lines S1 to Sn, and a high voltage signal. It can be connected to the above voltage line.
  • the first sub-pixel PX1 may include light emitting elements LD, a plurality of transistors for supplying current to the light emitting elements LD, and at least one capacitor Cst.
  • each of the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 may include only one light emitting element LD and at least one capacitor Cst. may be
  • Each of the light emitting elements LD may be a semiconductor light emitting diode including a first electrode, a plurality of conductive semiconductor layers, and a second electrode.
  • the first electrode may be an anode electrode and the second electrode may be a cathode electrode, but is not limited thereto.
  • the plurality of transistors may include a driving transistor DT supplying current to the light emitting elements LD and a scan transistor ST supplying a data voltage to a gate electrode of the driving transistor DT.
  • the driving transistor DT has a gate electrode connected to the source electrode of the scan transistor ST, a source electrode connected to a high potential voltage line to which a high potential voltage is applied, and a drain connected to the first electrodes of the light emitting elements LD. electrodes may be included.
  • the scan transistor ST has a gate electrode connected to the scan line (Sk, k is an integer satisfying 1 ⁇ k ⁇ n), a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor DT, and data lines Dj, j an integer that satisfies 1 ⁇ j ⁇ m).
  • the capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT.
  • the storage capacitor Cst charges a difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT.
  • the driving transistor DT and the scan transistor ST may be formed of thin film transistors.
  • the driving transistor DT and the scan transistor ST are formed of P-type MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), but the present invention is not limited thereto.
  • the driving transistor DT and the scan transistor ST may be formed of N-type MOSFETs. In this case, positions of the source and drain electrodes of the driving transistor DT and the scan transistor ST may be changed.
  • each of the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 includes one driving transistor DT, one scan transistor ST, and one capacitor ( 2T1C (2 Transistor - 1 capacitor) having Cst) is illustrated, but the present invention is not limited thereto.
  • Each of the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 may include a plurality of scan transistors ST and a plurality of capacitors Cst.
  • the second sub-pixel PX2 and the third sub-pixel PX3 may be expressed with substantially the same circuit diagram as the first sub-pixel PX1 , a detailed description thereof will be omitted.
  • the driving circuit 20 outputs signals and voltages for driving the display panel 10 .
  • the driving circuit 20 may include a data driver 21 and a timing controller 22 .
  • the data driver 21 receives digital video data DATA and a source control signal DCS from the timing controller 22 .
  • the data driver 21 converts the digital video data DATA into analog data voltages according to the source control signal DCS and supplies them to the data lines D1 to Dm of the display panel 10 .
  • the timing controller 22 receives digital video data DATA and timing signals from the host system.
  • the timing signals may include a vertical sync signal, a horizontal sync signal, a data enable signal, and a dot clock.
  • the host system may be an application processor of a smart phone or tablet PC, a monitor, a system on chip of a TV, and the like.
  • the timing controller 22 generates control signals for controlling operation timings of the data driver 21 and the scan driver 30 .
  • the control signals may include a source control signal DCS for controlling the operation timing of the data driver 21 and a scan control signal SCS for controlling the operation timing of the scan driver 30 .
  • the driving circuit 20 may be disposed in the non-display area NDA provided on one side of the display panel 10 .
  • the driving circuit 20 may be formed of an integrated circuit (IC) and mounted on the display panel 10 using a chip on glass (COG) method, a chip on plastic (COP) method, or an ultrasonic bonding method.
  • COG chip on glass
  • COP chip on plastic
  • ultrasonic bonding method The present invention is not limited to this.
  • the driving circuit 20 may be mounted on a circuit board (not shown) instead of the display panel 10 .
  • the data driver 21 may be mounted on the display panel 10 using a chip on glass (COG) method, a chip on plastic (COP) method, or an ultrasonic bonding method, and the timing controller 22 may be mounted on a circuit board. there is.
  • COG chip on glass
  • COP chip on plastic
  • the scan driver 30 receives the scan control signal SCS from the timing controller 22 .
  • the scan driver 30 generates scan signals according to the scan control signal SCS and supplies them to the scan lines S1 to Sn of the display panel 10 .
  • the scan driver 30 may include a plurality of transistors and be formed in the non-display area NDA of the display panel 10 .
  • the scan driver 30 may be formed as an integrated circuit, and in this case, it may be mounted on a gate flexible film attached to the other side of the display panel 10 .
  • the circuit board may be attached to pads provided on one edge of the display panel 10 using an anisotropic conductive film. Due to this, the lead lines of the circuit board may be electrically connected to the pads.
  • the circuit board may be a flexible printed circuit board, a printed circuit board, or a flexible film such as a chip on film. The circuit board may be bent under the display panel 10 . Accordingly, one side of the circuit board may be attached to one edge of the display panel 10 and the other side may be disposed under the display panel 10 and connected to a system board on which a host system is mounted.
  • the power supply circuit 50 may generate voltages necessary for driving the display panel 10 from the main power supplied from the system board and supply the voltages to the display panel 10 .
  • the power supply circuit 50 generates a high potential voltage (VDD) and a low potential voltage (VSS) for driving the light emitting elements (LD) of the display panel 10 from the main power supply to generate the display panel 10. of high-potential voltage lines and low-potential voltage lines.
  • the power supply circuit 50 may generate and supply driving voltages for driving the driving circuit 20 and the scan driving unit 30 from the main power.
  • FIG. 6 is a plan view showing the display panel of FIG. 4 in detail. 6, for convenience of description, data pads (DP1 to DPp, where p is an integer greater than or equal to 2), floating pads FP1 and FP2, power pads PP1 and PP2, and floating lines FL1 and FL2. , low potential voltage line VSSL, data lines D1 to Dm, first pad electrodes 210 and second pad electrodes 220 are shown.
  • data lines D1 to Dm, first pad electrodes 210, second pad electrodes 220, and pixels PX are provided in the display area DA of the display panel 10. can be placed.
  • the data lines D1 to Dm may extend long in the second direction (Y-axis direction). One sides of the data lines D1 to Dm may be connected to the driving circuit ( 20 in FIG. 4 ). For this reason, the data voltages of the driving circuit 20 may be applied to the data lines D1 to Dm.
  • the first pad electrodes 210 may be spaced apart from each other at predetermined intervals in the first direction (X-axis direction). For this reason, the first pad electrodes 210 may not overlap the data lines D1 to Dm.
  • the first pad electrodes 210 disposed on the right edge of the display area DA may be connected to the first floating line FL1 in the non-display area NDA.
  • the first pad electrodes 210 disposed on the left edge of the display area DA may be connected to the second floating line FL2 in the non-display area NDA.
  • Each of the second pad electrodes 220 may extend long in the first direction (X-axis direction). For this reason, the second pad electrodes 220 may overlap the data lines D1 to Dm. Also, the second pad electrodes 220 may be connected to the low potential voltage line VSSL in the non-display area NDA. For this reason, the low potential voltage of the low potential voltage line VSSL may be applied to the second pad electrodes 220 .
  • a pad part PA, a driving circuit 20, a first floating line FL1, a second floating line FL2, and a low potential voltage line VSSL are disposed in the non-display area NDA of the display panel 10. It can be.
  • the cap head part PA may include data pads DP1 to DPp, floating pads FP1 and FP2, and power pads PP1 and PP2.
  • the pad part PA may be disposed on one edge of the display panel 10, for example, on the lower edge.
  • the data pads DP1 to DPp, the floating pads FP1 and FP2, and the power pads PP1 and PP2 may be disposed side by side in the first direction (X-axis direction) of the pad part PA.
  • a circuit board may be attached to the data pads DP1 to DPp, the floating pads FP1 and FP2, and the power pads PP1 and PP2 using an anisotropic conductive film. Accordingly, the circuit board, the data pads DP1 to DPp, the floating pads FP1 and FP2, and the power pads PP1 and PP2 may be electrically connected.
  • the driving circuit 20 may be connected to the data pads DP1 to DPp through link lines.
  • the driving circuit 20 may receive digital video data DATA and timing signals through the data pads DP1 to DPp.
  • the driving circuit 20 may convert the digital video data DATA into analog data voltages and supply them to the data lines D1 to Dm of the display panel 10 .
  • the low potential voltage line VSSL may be connected to the first power pad PP1 and the second power pad PP2 of the pad part PA.
  • the low potential voltage line VSSL may extend long in the second direction (Y-axis direction) in the non-display area NDA outside the left and right sides of the display area DA.
  • the low potential voltage line VSSL may be connected to the second pad electrode 220 . Due to this, the low potential voltage of the power supply circuit 50 is applied to the second pad electrode 220 through the circuit board, the first power pad PP1 , the second power pad PP2 and the low potential voltage line VSSL. may be authorized.
  • the first floating line FL1 may be connected to the first floating pad FP1 of the pad part PA.
  • the first floating line FL1 may extend long in the second direction (Y-axis direction) in the non-display area NDA outside the left and right outside of the display area DA.
  • the first floating pad FP1 and the first floating line FL1 may be dummy pads and dummy lines to which no voltage is applied.
  • the second floating line FL2 may be connected to the second floating pad FP2 of the pad part PA.
  • the first floating line FL1 may extend long in the second direction (Y-axis direction) in the non-display area NDA outside the left and right outside of the display area DA.
  • the second floating pad FP2 and the second floating line FL2 may be dummy pads and dummy lines to which no voltage is applied.
  • the light emitting elements since the light emitting elements (LDs in FIG. 5 ) have a very small size, they are mounted on the first sub-pixel PX1 , the second sub-pixel PX2 , and the third sub-pixel PX3 of each of the pixels PX. is very difficult.
  • the first sub-pixel PX1, second sub-pixel PX2 and An electric field may be formed in the third sub-pixel PX3 .
  • the first sub-pixel PX1, the second sub-pixel PX2 and the th may be aligned in each of the three sub-pixels PX3 .
  • the first pad electrodes 210 are spaced apart at predetermined intervals in the first direction (X-axis direction), but during the manufacturing process, the first pad electrodes 210 are separated in the first direction (X-axis direction). direction), and can be extended and arranged long.
  • the first pad electrodes 210 may be connected to the first floating line FL1 and the second floating line FL2 during the manufacturing process. Therefore, the first pad electrodes 210 may receive a ground voltage through the first floating line FL1 and the second floating line FL2. Therefore, after aligning the light emitting devices 310, 320, and 330 using a dielectrophoretic method during the manufacturing process, the first pad electrodes 210 are disconnected in the first direction (X-axis) by disconnecting the first pad electrodes 210. direction) may be spaced apart from each other at predetermined intervals.
  • first floating line FL1 and the second floating line FL2 are lines for applying a ground voltage during a manufacturing process, and no voltage may be applied in a completed display device.
  • ground voltage may be applied to the first floating line FL1 and the second floating line FL2 to prevent static electricity or to drive the light emitting elements 310, 320, and 330 in the finished display device.
  • FIG. 7 is an enlarged view of a first panel area in the display device of FIG. 3 .
  • the display device 100 of the embodiment may be manufactured by mechanically and electrically connecting a plurality of panel areas such as the first panel area A1 by tiling.
  • the first panel area A1 may include a plurality of light emitting elements 150 arranged for each unit pixel (PX in FIG. 4 ).
  • the unit pixel PX may include a first sub-pixel PX1 , a second sub-pixel PX2 , and a third sub-pixel PX3 .
  • the first sub-pixel PX1 can output red light
  • the second sub-pixel PX2 can output green light
  • the third sub-pixel PX3 can output blue light.
  • the unit pixel PX may further include a fourth sub-pixel in which no light emitting element is disposed, but is not limited thereto.
  • FIG. 8 is an enlarged view of area A2 of FIG. 7 .
  • a display device 100 may include a substrate 200 , wiring electrodes 201 and 202 , an insulating layer 206 , and a plurality of light emitting elements 150 . More components than this may be included.
  • the wiring electrode may include a first wiring electrode 201 and a second wiring electrode 202 spaced apart from each other.
  • the first wire electrode 201 and the second wire electrode 202 may be provided to generate dielectrophoretic force to assemble the light emitting element 150 .
  • the first wire electrode 201 and the second wire electrode 202 generate dielectrophoretic force so that the light emitting element 150 can be easily assembled.
  • the substrate 200 may be formed of glass or polyimide.
  • the substrate 200 may include a flexible material such as polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene terephthalate (PET).
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the substrate 200 may be a transparent material, but is not limited thereto.
  • the insulating layer 206 may include an insulating and flexible material such as polyimide, PEN, PET, or the like, and may be integrally formed with the substrate 200 to form a single substrate.
  • the insulating layer 206 may be a conductive adhesive layer having adhesiveness and conductivity, and the conductive adhesive layer may have flexibility and thus enable a flexible function of the display device.
  • the insulating layer 206 may be an anisotropy conductive film (ACF) or a conductive adhesive layer such as an anisotropic conductive medium or a solution containing conductive particles.
  • the conductive adhesive layer may be a layer that is electrically conductive in a direction perpendicular to the thickness but electrically insulating in a direction horizontal to the thickness.
  • the insulating layer 206 may include an assembly hole 203 into which the light emitting device 150 is inserted. Therefore, during self-assembly, the light emitting element 150 can be easily inserted into the assembly hole 203 of the insulating layer 206 .
  • the assembly hole 203 may be called an insertion hole, a fixing hole, an alignment hole, or the like.
  • an image may be displayed using a light emitting element.
  • the light-emitting device of the embodiment is a self-emitting device that emits light by itself when electricity is applied, and may be a semiconductor light-emitting device. Since the light emitting element of the embodiment is made of an inorganic semiconductor material, it is resistant to deterioration and has a semi-permanent lifespan, so it can contribute to realizing high-quality and high-definition images in a display device by providing stable light.
  • a display device may use a light emitting element as a light source, include a color generator on the light emitting element, and display an image by the color generator.
  • the display device may display projections through a display panel in which each of a plurality of light emitting elements generating light of different colors is arranged in a pixel.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the display panel of FIG. 4 .
  • the display panel 10 of the embodiment may include a first substrate 40 , a light emitting unit 41 , a color generating unit 42 , and a second substrate 46 .
  • the display panel 10 of the embodiment may include more components than these, but is not limited thereto.
  • the first substrate 40 may be the substrate 200 shown in FIG. 8 .
  • One or more insulating layers may be disposed, but is not limited thereto.
  • the first substrate 40 may support the light emitting unit 41 , the color generating unit 42 , and the second substrate 46 .
  • the first substrate 40 includes various elements as described above, for example, as shown in FIG. 4 , data lines (D1 to Dm, where m is an integer greater than or equal to 2), scan lines S1 to Sn, and high potential voltage line and low potential voltage line, as shown in FIG. 5, a plurality of transistors ST and DT and at least one capacitor Cst, and as shown in FIG. 6, a first pad electrode 210 and a second pad An electrode 220 may be provided.
  • the first substrate 40 may be formed of glass or a flexible material, but is not limited thereto.
  • the light emitting unit 41 may provide light to the color generating unit 42 .
  • the light emitting unit 41 may include a plurality of light sources that emit light by themselves when electricity is applied.
  • the light source may include light emitting elements ( 150 in FIG. 7 , 310 , 320 , and 330 in FIG. 14 ).
  • the plurality of light emitting devices 150 are separately disposed for each sub-pixel of a pixel and independently emit light by controlling each sub-pixel.
  • the plurality of light emitting elements 150 may be disposed regardless of pixel division and simultaneously emit light from all sub-pixels.
  • the light emitting device 150 of the embodiment may emit blue light, but is not limited thereto.
  • the light emitting device 150 of the embodiment may emit white light or purple light.
  • the light emitting device 150 may emit red light, green light, and blue light for each sub-pixel.
  • a red light emitting element emitting red light is disposed in a first sub-pixel, that is, a red sub-pixel
  • a green light emitting element emitting green light is disposed in a second sub-pixel, that is, a green sub-pixel.
  • a blue light emitting device emitting blue light may be disposed in the three sub-pixels, that is, the blue sub-pixel.
  • each of the red light emitting device, the green light emitting device, and the blue light emitting device may include a group II-IV compound or a group III-V compound, but is not limited thereto.
  • the group III-V compound may be a binary element compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof;
  • it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of AlGaInP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPS
  • the color generating unit 42 may generate light of a different color from the light provided by the light emitting unit 41 .
  • the color generator 42 may include a first color generator 43 , a second color generator 44 , and a third color generator 45 .
  • the first color generating unit 43 corresponds to the first sub-pixel PX1 of the pixel
  • the second color generating unit 44 corresponds to the second sub-pixel PX2 of the pixel
  • the third color generating unit ( 45) may correspond to the third sub-pixel PX3 of the pixel.
  • the first color generating unit 43 generates first color light based on the light provided from the light emitting unit 41
  • the second color generating unit 44 generates second color light based on the light provided from the light emitting unit 41.
  • Color light is generated
  • the third color generator 45 may generate third color light based on light provided from the light emitting unit 41 .
  • the first color generating unit 43 outputs blue light from the light emitting unit 41 as red light
  • the second color generating unit 44 outputs blue light from the light emitting unit 41 as green light.
  • the third color generating unit 45 may output blue light from the light emitting unit 41 as it is.
  • the first color generator 43 includes a first color filter
  • the second color generator 44 includes a second color filter
  • the third color generator 45 includes a third color filter.
  • the first color filter, the second color filter, and the third color filter may be formed of a transparent material through which light can pass.
  • At least one of the first color filter, the second color filter, and the third color filter may include a quantum dot.
  • the quantum dot of the embodiment may be selected from a group II-IV compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and a combination thereof.
  • the II-VI compound is a binary element compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof;
  • Group III-V compound is a binary element compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof;
  • it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of AlGaInP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb
  • Group IV-VI compounds are SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and a binary element compound selected from the group consisting of mixtures thereof; a ternary compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And it may be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof.
  • Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof.
  • the group IV compound may be a binary element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.
  • quantum dots may have a full width of half maximum (FWHM) of an emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, and light emitted through the quantum dots may be emitted in all directions. Accordingly, the viewing angle of the light emitting display device may be improved.
  • FWHM full width of half maximum
  • quantum dots may have a shape such as spherical, pyramidal, multi-arm, or cubic nanoparticles, nanotubes, nanowires, nanofibers, nanoplatelet particles, etc., but are not limited thereto. does not
  • the first color filter may include red quantum dots
  • the second color filter may include green quantum dots.
  • the third color filter may not include quantum dots, but is not limited thereto.
  • blue light from the light emitting device 150 is absorbed by the first color filter, and the absorbed blue light is wavelength-shifted by red quantum dots to output red light.
  • blue light from the light emitting device 150 is absorbed by the second color filter, and the wavelength of the absorbed blue light is shifted by green quantum dots to output green light.
  • blue light from a foot and an element may be absorbed by the third color filter, and the absorbed blue light may be emitted as it is.
  • the light emitting device 150 when the light emitting device 150 emits white light, not only the first color filter and the second color filter, but also the third color filter may include quantum dots. That is, the wavelength of white light of the light emitting device 150 may be shifted to blue light by the quantum dots included in the third color filter.
  • At least one of the first color filter, the second color filter, and the third color filter may include a phosphor.
  • some of the first color filters, the second color filters, and the third color filters may include quantum dots, and others may include phosphors.
  • each of the first color filter and the second color filter may include a phosphor and a quantum dot.
  • at least one of the first color filter, the second color filter, and the third color filter may include scattering particles. Since the blue light incident on each of the first color filter, the second color filter, and the third color filter is scattered by the scattering particles and the color of the scattered blue light is shifted by the corresponding quantum dots, light output efficiency may be improved.
  • the first color generator 43 may include a first color conversion layer and a first color filter.
  • the second color generator 44 may include a second color converter and a second color filter.
  • the third color generator 45 may include a third color conversion layer and a third color filter.
  • Each of the first color conversion layer, the second color conversion layer, and the third color conversion layer may be disposed adjacent to the light emitting unit 41 .
  • the first color filter, the second color filter and the third color filter may be disposed adjacent to the second substrate 46 .
  • the first color filter may be disposed between the first color conversion layer and the second substrate 46 .
  • the second color filter may be disposed between the second color conversion layer and the second substrate 46 .
  • the third color filter may be disposed between the third color conversion layer and the second substrate 46 .
  • the first color filter may contact the upper surface of the first color conversion layer and have the same size as the first color conversion layer, but is not limited thereto.
  • the second color filter may contact the upper surface of the second color conversion layer and have the same size as the second color conversion layer, but is not limited thereto.
  • the third color filter may contact the upper surface of the third color conversion layer and have the same size as the third color conversion layer, but is not limited thereto.
  • the first color conversion layer may include red quantum dots
  • the second color conversion layer may include green quantum dots.
  • the third color conversion layer may not include quantum dots.
  • the first color filter includes a red-based material that selectively transmits the red light converted in the first color conversion layer
  • the second color filter includes green light that selectively transmits the green light converted in the second color conversion layer.
  • a blue-based material may be included
  • the third color filter may include a blue-based material that selectively transmits blue light transmitted as it is through the third color conversion layer.
  • the third color conversion layer as well as the first color conversion layer and the second color conversion layer may also include quantum dots. That is, the wavelength of white light of the light emitting device 150 may be shifted to blue light by the quantum dots included in the third color filter.
  • the second substrate 46 may be disposed on the color generator 42 to protect the color generator 42 .
  • the second substrate 46 may be formed of glass, but is not limited thereto.
  • the second substrate 46 may be called a cover window, cover glass, or the like.
  • the second substrate 46 may be formed of glass or a flexible material, but is not limited thereto.
  • the embodiment provides a display device capable of displaying a color image by using red light, green light, and blue light.
  • Each of the plurality of pixels may include a first sub-pixel outputting blue light, a second sub-pixel outputting green light, and a third sub-pixel outputting red light.
  • a semiconductor light emitting device generating first light may be used as a light source.
  • the first light may include ultraviolet light or blue light.
  • the semiconductor light emitting device may be disposed in each of the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel, but is not limited thereto.
  • a first conversion layer and a first color filter may be provided in the first sub-pixel to output second light using the first light generated by the semiconductor light emitting device.
  • a second conversion layer and a second color filter may be provided in the second sub-pixel to output third light using the first light generated by the semiconductor light emitting device.
  • a third conversion layer and a third color filter may be provided in the third sub-pixel to output fourth light using the first light generated by the semiconductor light emitting device.
  • the second light may include blue light
  • the third light may include green light
  • the fourth light may include red light.
  • the color gamut can be remarkably improved.
  • the first light may have a first dominant wavelength located outside of a triangle constructed by the color gamut standard.
  • the second light may have a second dominant wavelength corresponding to a color coordinate of a first color vertex of a corresponding triangle.
  • the third light may have a third dominant wavelength corresponding to a color coordinate of a second color vertex of a corresponding triangle.
  • the fourth light may have a fourth dominant wavelength corresponding to a color coordinate of a third color vertex of a corresponding triangle.
  • the first color vertex may be a blue vertex
  • the second color vertex may be a green vertex
  • the third color vertex may be a red vertex.
  • the dominant wavelength of the second light is located at or near the first color vertex
  • the dominant wavelength of the third light is located at or around the second color vertex
  • the fourth light The dominant wavelength should be located at or near the third color vertex.
  • the dominant wavelength may be defined as a point where a straight line passing through two points, the color coordinates of the display device, that is, the white point and the color coordinates (x, y) of the object, meets the pure wavelength in the color coordinate system.
  • a semiconductor light emitting device that generates first light of a first dominant wavelength located outside a triangle formed by a color gamut standard may be used as a light source.
  • the first dominant wavelength of the first light may be set in the range of 380 nm to 460 nm.
  • the second dominant wavelength corresponding to the color coordinates of the first color vertices of the triangle formed by the color gamut standard may be set in the range of 460 nm to 480 nm.
  • the first dominant wavelength of the first light may have a shorter wavelength than the first dominant wavelength.
  • the reason why the semiconductor light emitting device generating short-wavelength light is used as a light source is that excitation efficiency of materials of the second conversion layer and the third converter layer increases as the light of shorter wavelength increases.
  • the dominant wavelength of the corresponding light that is, the blue light is located away from the first color vertex of the triangle of the color gamut standard, so that the second sub-pixel
  • the dominant wavelength of the corresponding light that is, the blue light is located away from the first color vertex of the triangle of the color gamut standard, so that the second sub-pixel
  • all colors defined in the color gamut standard cannot be expressed by the blue light, the green light, and the red light, and thus the color gamut may be degraded.
  • a first conversion layer is disposed in the first sub-pixel, and the first light generated from the semiconductor light emitting device through the first conversion layer is the second light corresponding to the color coordinates of the first color vertices of the triangle of the color gamut standard.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • a display device 300 may include a substrate 310, a light source 320, conversion layers 330 to 350, and color filter layers 360 to 380. Although not shown, the display device 300 according to an embodiment may include more components than these. Descriptions omitted below may be replaced with descriptions or known technologies related to FIGS. 8 and 9 .
  • At least one layer may be disposed between the substrate 310 and the light source 320 and/or between the light source 320 and the conversion layers 330 to 350 .
  • the layer may be an insulating layer, but is not limited thereto.
  • the substrate 310 may support the light source 320 , the conversion layers 330 to 350 , and the color filter layers 360 to 380 .
  • the substrate 310 includes various elements, for example, as shown in FIG. 4 , data lines (D1 to Dm, where m is an integer greater than or equal to 2), scan lines S1 to Sn, high potential voltage lines, and A low potential voltage line, as shown in FIG. 5, a plurality of transistors ST and DT and at least one capacitor Cst, and as shown in FIG. 6, a first pad electrode 210 and a second pad electrode ( 220) may be provided.
  • the light source 320 may provide the first light 410 to the conversion layers 330 to 350 .
  • the light source 320 may include a plurality of semiconductor light emitting devices 321 that emit first light 410 by themselves by electric signals.
  • the semiconductor light emitting device 321 of the embodiment may be the semiconductor light emitting device 150 shown in FIG. 7 .
  • the first light 410 may have, for example, a dominant wavelength of 460 nm or less.
  • the semiconductor light emitting device 321 may be a micrometer-level semiconductor light-emitting device or a nanometer-level semiconductor light-emitting device depending on its size.
  • the semiconductor light emitting device 321 may be a horizontal semiconductor light emitting device, a flip semiconductor light emitting device, or a vertical semiconductor light emitting device according to the arrangement of electrodes.
  • the semiconductor light emitting device 321 may have a rectangular shape or a circular shape depending on the shape.
  • the semiconductor light emitting device 321 may have a plate shape.
  • a plurality of unit pixels may be defined on the substrate 310 .
  • a unit pixel may include a plurality of color areas.
  • a unit pixel may include a first color area, a second color area, and a third color area.
  • the first color area may be a blue sub-pixel PX_B
  • the second color area may be a green sub-pixel PX_G
  • the third color area may be a blue sub-pixel PX_R.
  • Each of the plurality of semiconductor light emitting devices 321 , 322 , and 323 may be disposed in each sub-pixel PX_B, PX_G, and PX_R.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 321 , 322 , and 323 disposed in each of the sub-pixels PX_B, PX_G, and PX_R may emit light of the same color.
  • each of the plurality of semiconductor light emitting devices 321 , 322 , and 323 disposed in each of the sub-pixels PX_B, PX_G, and PX_R may emit blue light 411 .
  • the plurality of semiconductor light emitting elements 321 , 322 , and 323 disposed in each of the sub-pixels PX_B, PX_G, and PX_R may simultaneously emit blue light 411 .
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 321 , 322 , and 323 disposed in each of the sub-pixels PX_B, PX_G, and PX_R may emit blue light 411 in a scanning unit.
  • a scanning unit may mean each of the scan lines S1 to Sn shown in FIG. 4 .
  • each of the sub-pixels PX_B, PX_G, and PX_R connected to the first scan line S1 may be selected.
  • each sub-pixel PX_B, PX_G, and PX_R connected to the first scan line S1 is selected by the scan control signal SCS, each sub-pixel PX_B, PX_G connected to the first scan line S1 , PX_R), the semiconductor light emitting devices 321 , 322 , and 323 disposed on each may simultaneously emit blue light 411 .
  • the semiconductor light emitting devices 321, 322, and 323 may emit purple light or ultraviolet light.
  • the semiconductor light emitting devices 321, 322, and 323 may emit purple light or ultraviolet light.
  • the dominant wavelength of blue light 411 emitted from the semiconductor light emitting devices 321, 322, and 323 of the embodiment may be the same as the dominant wavelength of blue light emitted from a conventional light source (see FIG. 2). there is.
  • the color coordinates of the dominant wavelength of the blue light 411 emitted from the semiconductor light emitting devices 321, 322, and 323 of the embodiment are the color coordinates of the first color vertex 451 of the BT.2020 standard and the second color vertex 452 ) and the color coordinates of the third color vertex 453.
  • the color coordinates of the dominant wavelengths of the blue light 411 emitted from the semiconductor light emitting devices 321, 322, and 323 of the embodiment may be spaced apart from the color coordinates of the first color vertex 451 of the BT.2020 standard.
  • the dominant wavelength of the blue light 411 emitted from the semiconductor light emitting device 321 using the first conversion layer 330 corresponds to the color coordinates of the first color vertex 451 of the BT.2020 standard or its vicinity. Color reproducibility can be improved by converting to the dominant wavelength.
  • the conversion layers 330 to 350 and the color filter layer may be integrally formed and attached to the substrate 310 using an adhesive member 325 .
  • at least one layer may be provided on the light source 320 .
  • the corresponding layer may be a planarization layer.
  • the conversion layers 330 to 350 may be attached to the planarization layer using the adhesive member 325 .
  • color filter layers 360 to 380 are provided, and conversion layers 330 to 350 are formed on the color filter layers 360 to 380 so that the color filter layers 360 to 380 and the conversion layers 330 to 350 are integrally formed.
  • the conversion layers 330 to 350 may be attached to the planarization layer using the adhesive member 325 .
  • the conversion layers 330 to 350 of the embodiment may be disposed on the light source 320 .
  • the conversion layers 330 to 350 may convert the first light 410 output from the light source 320 into a plurality of lights having different dominant wavelengths.
  • the conversion layer may include a first conversion layer 330 , a second conversion layer 340 and a third conversion layer 350 .
  • the first conversion layer 330 converts the first light 410 output from the light source 320, that is, the blue light 411 into blue light 412 and green light 413, as shown in FIG. can do.
  • the second conversion layer 340 may convert the blue light 411 output from the light source 320 into blue light 414 and green light 415 .
  • the third conversion layer 350 may convert the blue light 411 output from the light source 320 into blue light 416 and red light 417 .
  • the first conversion layer 330 may be disposed on the first semiconductor light emitting device 321 . As shown in FIG. 11 , the first conversion layer 330 may convert blue light 411 into blue light 412 and green light 413 . The blue light 411 emitted from the first semiconductor light emitting element 321 is excited in the first conversion layer 330, and a part of the blue light 411 is output as blue light 412 as it is, and the blue light 411 Another part of may be converted to green light 413.
  • the second conversion layer 340 may be disposed on the second semiconductor light emitting device 322 . As shown in FIG. 11 , the second conversion layer 340 may convert blue light 411 into blue light 414 and green light 415 . The blue light 411 emitted from the second semiconductor light emitting element 322 is excited in the first conversion layer 330, and a part of the blue light 411 is output as blue light 414 as it is, and the blue light 411 Another portion of may be converted to green light 415 .
  • each arrow represents light, and the size of each arrow may mean the intensity of each light.
  • each of the first conversion layer 330 and the second conversion layer 340 may output light including blue light 412 and 414 and green light 413 and 415 .
  • the intensity of blue light 412 output from the first conversion layer 330 is greater than the intensity of green light 413
  • the intensity of blue light 414 output from the second conversion layer 340 is green light. (415) may be smaller.
  • the intensity of the green light 413 output from the first conversion layer 330 may be 1% to 1% of the intensity of the blue light 412 output from the first conversion layer 330 .
  • the intensity of the blue light 412 output from the first conversion layer 330 is greater than the intensity of the blue light 414 output from the second conversion layer 340, and the green light output from the first conversion layer 330
  • the intensity of the light 413 may be less than the intensity of the green light 415 output from the second conversion layer 340 .
  • the blue light 411 emitted from the first and second semiconductor light emitting devices 321 and 322 may have the same intensity.
  • only a partial amount of blue light 411 may be converted into green light 413 in the first conversion layer 330 and the remaining amount of light may be output as blue light 412 as it is.
  • the second conversion layer 340 most of the blue light 411 is converted into green light 415, and the remaining very small amount of light is output as blue light 414 as it is.
  • the first and second conversion layers 330 and 340 may include a green conversion material.
  • the green conversion material may be a green phosphor or a green quantum dot.
  • the green phosphor may include LuAG, Ga-YAG, ⁇ -SiAlON, silicate, and the like.
  • the wavelength waveform of the green light 413 is slightly different.
  • blue light 412 and green light 413 output from the first conversion layer 330 may be filtered by the first color filter 360 and output as second light 420 .
  • the first color filter 360 may be designed to pass a wavelength band of blue light 412 (471, P in FIG. 16) and a wavelength band of green light 413 (P, 472 in FIG. 16).
  • the dominant wavelength of the second light 420 may be the same as or close to the dominant wavelength corresponding to the color coordinates of the first color vertex 451 of the triangle of the BT.2020 standard.
  • the first conversion layer 330 transmits the first light 410 to a second wavelength having a second dominant wavelength equal to or close to the dominant wavelength corresponding to the color coordinates of the first color vertex 451 of the triangle of the BT.2020 standard. 2 light 420 can be converted.
  • the excitation efficiency of the first conversion layer 330 may vary depending on the type or density of the material of the first conversion layer 330 .
  • the density of the green conversion material of the first conversion layer 330 may be lower than the density of the green conversion material of the second conversion layer 340 .
  • Excitation efficiency of the blue light 411 output from the first semiconductor light emitting device 321 may decrease as the density of the green conversion material decreases.
  • the density of the green conversion material of the first conversion layer 330 is low, so that only a small amount of blue light 411 is converted into green light 413 in the first conversion layer 330, and most of the remaining The blue light 411 of may be output as it is.
  • the first color filter 360 may pass both the blue light 412 and the green light 413 to output the second light 420 that is a mixed light of the blue light 412 and the green light 413 .
  • the second color filter 370 blocks blue light 414 from among blue light 414 and green light 415 and passes only green light 415 to generate third light 430 including only green light 415. can be output.
  • Table 1 shows the wavelength characteristics of the first light 410 and the second light 420 .
  • the corresponding wavelength characteristics were output with CS-2000, a type of PL measuring equipment.
  • the first light 410 may have optical characteristics measured by disposing an arbitrary color filter on the first semiconductor light emitting device.
  • the color coordinates shown in FIG. 15 are U'V' color coordinates. Therefore, in Table 1, x values and y values can be converted into U'V' color coordinates by a known conversion formula to be applied to FIG. 15 .
  • the first light 410 having a first dominant wavelength of 452 nm is replaced by the second light 420 having a second dominant wavelength of 462 nm.
  • the xy color coordinates are (0.1497, 0.0472), and when converted to U'V' color coordinates, (0.1497, 0.0472) is the second color of the first color vertex 451 of the triangle of BT.2020, as shown in FIG. It may be a color coordinate or a color coordinate near the second color coordinate.
  • the first light 410 having a first dominant wavelength of 452 nm may be converted into the second light 420 having a second dominant wavelength of 458.5 nm.
  • the xy color coordinates are (0.1535, 0.0393), and when converted to U'V' color coordinates, (0.1535, 0.0393) is the second color of the first color vertex 451 of the triangle of BT.2020, as shown in FIG. It may be a color coordinate or a color coordinate near the second color coordinate.
  • Table 2 shows xy color coordinates of the third light 430 and the fourth light 440 of the embodiment.
  • Fourth light 440 x y x y 0.2204 0.6851 0.6805 0.2996
  • the third light 430 is a triangle of BT.2020 shown in FIG. It may be the third color coordinate of the second color vertex 452 of or a color coordinate near the third color coordinate.
  • the fourth light 440 is a triangle of BT.2020 shown in FIG. It may be the fourth color coordinate of the third color vertex 453 or a color coordinate near the fourth color coordinate.
  • Table 3 shows the color gamut in various standards.
  • the DCI-P3 overlap rate is 95%, whereas in the embodiment, the second light ( 420) is 96.3% or 95.2% when blue light is used to implement a color image, and a higher overlap rate is shown in the embodiment than in the prior art, so a better color reproduction rate can be obtained.
  • the BT.2020 overlap rate is 82.9%
  • the second light ( 420) is 83.2% when blue light is used to implement a color image, and a higher overlap ratio is shown in the embodiment than in the prior art, so a better color gamut can be obtained.
  • the third conversion layer 350 may be disposed on the third semiconductor light emitting device 323 .
  • the third conversion layer 350 may include a red conversion material.
  • the red conversion material may include red phosphors or red quantum dots.
  • Blue light 411 may be emitted from the third semiconductor light emitting device 323 .
  • the third conversion layer 350 most of the blue light 411 is converted into red light 417, and a very small amount of light is output as blue light 416.
  • the third color filter 380 blocks blue light 416 from among blue light 416 and red light 417 and passes only red light 417 to generate fourth light 440 including only red light 417. can output
  • the first light 410 is light output from the light source 320 and may be located outside the triangle of the BT.2020 standard (a part conventionally indicated).
  • the second conversion layer 340 may be disposed on the second semiconductor light emitting device 322 and the third conversion layer 350 may be disposed on the third semiconductor light emitting device 323 .
  • the third dominant wavelength corresponding to the third color coordinate of the second color vertex 452 of the triangle of the BT.2020 standard or a dominant wavelength adjacent to the third dominant wavelength of the first light 410 by the second conversion layer 340 It can be covered with the second light 420 having .
  • the first light 410 by the third conversion layer 350 has a fourth dominant wavelength corresponding to the fourth color coordinate of the third color vertex 453 of the triangle of the BT.2020 standard or a dominant wavelength adjacent to the fourth dominant wavelength. It can be converted into the fourth light 440 having .
  • the first conversion layer 330 may be disposed on the first semiconductor light emitting device 321 .
  • the first light 410 by the first conversion layer 330 has a second dominant wavelength corresponding to the second color coordinates of the first color vertex 451 of the triangle of the BT.2020 standard or a dominant wavelength adjacent to the second dominant wavelength It can be converted into the second light 420 having .
  • the color filter layers 360 to 380 may be disposed on the conversion layers 330 to 350.
  • the color filter layers 360 to 380 may output only a specific wavelength band of light output from the conversion layers 330 to 350 and block other wavelength bands.
  • the color filter layer may include a first color filter 360 , a second color filter 370 and a third color filter 380 .
  • the first color filter 360 may transmit blue light (412 in FIG. 11 ) and green light 413 output from the first conversion layer 330 as they are and output them as second light 420 . That is, the first color filter 360 selectively filters the blue light (412 in FIG. 11 ) and the green light 413 output from the first conversion layer 330 to obtain a first color vertex of a BT.2020 standard triangle.
  • the second light 420 having a second frequency corresponding to the second color coordinate of 451 or a frequency adjacent to the second frequency may be output.
  • the second color filter 370 outputs green light 415 as third light 430 among blue light (414 in FIG. 11 ) and green light 415 output from the second conversion layer 340 .
  • the second color filter 370 selectively filters the blue light (414 in FIG. 11 ) and the green light 415 output from the second conversion layer 340 to obtain a second color vertex of a triangle of the BT.2020 standard.
  • the second light 420 having a third frequency corresponding to the third color coordinate of 452 or a frequency adjacent to the third frequency may be output.
  • the third color filter 380 outputs red light 417 as fourth light 440 from among blue light (416 in FIG. 11 ) and red light 417 output from the third conversion layer 350 .
  • the third color filter 380 selectively filters blue light (416 in FIG. 11 ) and red light 417 output from the third conversion layer 350 to obtain a third color vertex of a BT.2020 standard triangle.
  • the fourth light 440 having a fourth frequency corresponding to the fourth color coordinate of (453) or a frequency adjacent to the fourth frequency may be output.
  • the second light 420 has a second dominant wavelength corresponding to the second color coordinates of the first color vertex 451 of the triangle of the BT.2020 standard or a main wavelength adjacent to the second dominant wavelength.
  • the second light 420 may have a third dominant wavelength corresponding to the third color coordinates of the second color vertex 452 of the triangle of the BT.2020 standard or may have a dominant wavelength adjacent to the third dominant wavelength.
  • the fourth light 440 may have a fourth dominant wavelength corresponding to a fourth color coordinate of a third color vertex 453 of a triangle of the BT.2020 standard or may have a dominant wavelength adjacent to the fourth dominant wavelength.
  • the second dominant wavelength may be greater than the first dominant wavelength
  • the third dominant wavelength may be greater than the second dominant wavelength
  • the fourth dominant wavelength may be greater than the third dominant wavelength.
  • the first dominant wavelength may be set in the range of 380 nm to 460 nm
  • the second dominant wavelength may be set in the range of 460 nm to 480 nm
  • the third dominant wavelength may be set in the range of 520 nm to 550 nm
  • the fourth dominant wavelength may be set in the range of 600 nm to 640 nm.
  • the BT.2020 standard is taken as an example, but the embodiment can also be applied to the NTSC standard, the DCI-P3 standard, and the BT.709 standard.
  • BT.709 can be called Rec.709
  • BT.2020 can be called Rec.2020.
  • the first color filter 360, the second color filter 370, and the third color filter 380 may be formed of a transparent material through which light can pass.
  • At least one of the first color filter 360, the second color filter 370, and the third color filter 380 may include quantum dots.
  • the quantum dot of the embodiment may be selected from a group II-IV compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV element, a group IV compound, and a combination thereof.
  • the color filter layer may include a black matrix 390 .
  • the black matrix 390 may surround each of the first color filter 360 , the second color filter 370 and the third color filter 380 .
  • the black matrix 390 has a light absorption function, and second to fourth lights 420, 430, and 440 output from the first color filter 360, the second color filter 370, and the third color filter 380 are emitted. ), it is possible to improve the contrast ratio by preventing crosstalk between them.
  • a substrate 310 may be disposed on the color filter layers 360 to 380 to protect the color filter layers 360 to 380 .
  • the substrate 310 may be formed of glass or a resin material, but is not limited thereto.
  • the substrate 310 may be called a cover window, a cover glass, or the like.
  • the first light 410 may have a first wavelength band having a first lower limit value 161 and a first upper limit value 462 .
  • the second light 420 may have a second wavelength band having a second lower limit value 471 and a second upper limit value 472 .
  • the second wavelength band may include the first wavelength band.
  • the second wavelength band may have a critical wavelength value P, which is an inflection point of the wavelength, between the second lower limit value 471 and the second upper limit value 472 .
  • the 2-1st wavelength band between the second lower limit value 471 of the second wavelength band and the critical wavelength value P is the same as the first wavelength band of the first light 410, and the first conversion layer 330 ) may be a wavelength band of the first light 410 output as it is without conversion of the first light 410.
  • the 2-2nd wavelength band between the critical wavelength value P of the second wavelength band and the second upper limit value 472 some light quantity of the first light 410 is converted in the first conversion layer 330 and output. may be a wavelength band.
  • the light of the 2-1 wavelength band may be blue light 412
  • the ball of the 2-2 wavelength band may be green light 413
  • the intensity of the green light 413 of the second light 420 may be 1% to 10% of the intensity of the blue light 412 of the second light 420 .
  • the first dominant wavelength of the first light 410 output from the first semiconductor light emitting device 321 by the light of the 2-2nd wavelength band is generated by the first conversion layer 330 and the first color filter 360. It may be converted into the second dominant wavelength of the second light 420 . That is, as shown in FIG. 15, the first conversion layer 330 is located at the color coordinate corresponding to the first dominant wavelength of the first light 410 output from the first semiconductor light emitting device 321 in the prior art.
  • the first dominant wavelength of the first light 410 is converted into the second dominant wavelength of the second light 420 by the first conversion layer 330, and the first color vertex 451 of the BT.2020 standard triangle ) may be located at the second color coordinates. Therefore, the color gamut can be improved by the first conversion layer 330 of the embodiment.
  • the second light 420 may have a third wavelength band having a third lower limit value 491 and a third upper limit value 492 .
  • the second upper limit value 472 of the second wavelength band of the second light 420 may be greater than the first upper limit value 462 of the first wavelength band of the first light 410 .
  • the critical wavelength value P of the second wavelength band of the second light 420 may be the same as the upper limit value 462 of the first wavelength band of the first light 410 . Therefore, in the second wavelength band of the second light 420, the first dominant wavelength of the first light 410 is determined by the 2-2nd wavelength band corresponding to between the critical wavelength value P and the second upper limit value 472. The second dominant wavelength of the second light 420 may be converted.
  • the third wavelength band of the second light 420 may overlap the second wavelength band of the second light 420 .
  • the third upper limit value 482 of the third wavelength band of the second light 420 may be greater than the second upper limit value 472 of the second wavelength band of the second light 420 .
  • FIG 17 illustrates a transmission section according to a wavelength of a color filter according to an embodiment.
  • each of the first color filter 360, the second color filter 370, and the third color filter 380 may be designed to have a transmittance of 50% to 50%, but for this Not limited.
  • the first color filter 360 filters blue light 412 and green light 413 output from the first conversion layer 330, and may transmit light having a wavelength of 539 nm or less. That is, the first color filter 360 may have an upper limit value of 539 nm. The lower limit value of the first color filter 360 may or may not exist. Accordingly, the first color filter 360 may transmit the blue light 412 and the green light 413 output from the first conversion layer 330 as they are and output them as the second light 420 .
  • the second color filter 370 filters blue light 414 and green light 415 output from the second conversion layer 340, and transmits light having a wavelength corresponding to 480 nm to 597 nm.
  • the second color filter 370 may have a lower limit value of 480 nm and an upper limit value of 597 nm. Accordingly, the second color filter 370 blocks blue light having a wavelength of less than 480 nm among the blue light 414 and green light 415 output from the second conversion layer 340 and green light having a wavelength of 480 nm or more. Green light having a wavelength of 480 nm or more may be output as the second light 420 by passing light therethrough.
  • the third color filter 380 filters blue light 416 and red light 417 output from the third conversion layer 350, and may transmit light having a wavelength of 606 nm or more. That is, the third color filter 380 may have a lower limit of 606 nm. An upper limit value of the third color filter 380 may or may not exist.
  • the third color filter 380 outputs red light having a wavelength of 606 nm or more among the blue light 416 and the red light 417 output from the third conversion layer 350 as the fourth light 440 .
  • the first light 410 transmitted by the first color filter 360 is located at the second color coordinate of the first color vertex 451 of the triangle of BT.2020
  • the second light 420 transmitted by the second color filter 370 is located at the third color coordinate of the second color vertex 452 of the triangle of BT.2020, and transmitted by the third color filter 380.
  • the second light 420 is positioned by the fourth color coordinates of the third color vertex 453 of the triangle of BT.2020, thereby improving color reproducibility.
  • the embodiment may be adopted in the display field for displaying images or information.
  • the embodiment can be adopted in the display field for displaying images or information using a semiconductor light emitting device.

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Abstract

디스플레이 장치는 제1 광을 생성하는 광원과, 제1 광을 이용하여 복수의 광을 출력하는 컨버전층 및 컬러 필터층을 포함한다. 컨버전층은 제1 내지 제3 컨버전층을 포함하고, 컬러 필터층은 제1 내지 제3 컬러 필터를 포함한다. 제1 컨버전층 및 제2 컨버전층은 동일 물질을 포함할 수 있다. 제1 컨버전층 및 제1 컬러 필터는 제1 광의 제1 주파장을 컨버전시켜 제2 주파수를 갖는 제2 광을 출력할 수 있다. 제2 광의 제2 주파장은 색 재현율 규격의 제1 컬러 꼭지점에 위치될 수 있다.

Description

디스플레이 장치
실시예는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 발광 다이오드(Light Emitting Diode)와 같은 자발광 소자를 화소의 광원으로 이용하여 고화 질의 영상을 표시한다. 발광 다이오드는 열악한 환경 조건에서도 우수한 내구성을 나타내며, 장수명 및 고휘도가 가능하여 차세대 디스플레이 장치의 광원으로 각광받고 있다.
최근, 신뢰성이 높은 반도체 재료를 이용하여 발광 소자를 제조하고, 이를 디스플레이 장치의 패널(이하, "디스플레이 패널"이라 함)에 배치하여 차세대 화소 광원으로 이용하기 위한 연구가 진행되고 있다. 즉, 고해상도를 구현하기 위해서 점차 화소의 사이즈가 작아지고 있고, 이와 같이 작아진 사이즈의 화소에 발광 소자가 정렬되어야 하므로, 마이크로 또는 나노 스케일 정도로 작은 초소형 발광 소자의 제조에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
한편, 발광 다이오드를 광원으로 사용하는 디스플레이 패널의 경우, 광원에서 생성된 단파장 광을 보다 큰 장파장으로 변환하여 컬러 영상을 구현하기 위해 컬러 변환층이 구비된다. 예컨대, 컬러 변환층은 녹색 화소에 배치되어 광원에서 생성된 광을 녹색 광으로 변환하는 녹색 변환층과 적색 화소에 배치되어 광원에서 생성된 광을 청색 광으로 변환하는 청색 변환층을 포함한다.
통상 광원에서 생성되는 광의 파장이 작을수록 컬러 변환층의 여기 효율이 증가된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 여기 스펙트럼(excitation spectrum)이 파장이 작을수록 커짐을 알 수 있다. 따라서, 광원에서 생성되는 광의 파장이 작을수록 여기 효율이 증가하여 컬러 변환층에서 원하는 컬러 광의 양이 증가된다.
이에 따라, 종래에 광원으로 청색 광이나 자외선 광을 생성하는 발광 다이오드가 사용되었다.
한편, 자연색에 근접한 영상을 구현하기 위해서는 색 재현율이 높아야 하고, 이를 위해 다양한 다양한 규격이 제정되었다. 다양한 규격에 맞는 색 재현율을 얻기 위해서는 해당 규격의 삼각형의 각 컬러 꼭지점에 적색 광, 녹색 광 및 청색 광이 위치되어야 한다.
하지만, 종래와 같은 단파장 광이 사용되는 경우, 해당 광의 주파장이 규격의 삼각형을 벗어나게 되어 원하는 색 재현율을 얻을 수 없는 문제점이 있다.
즉, 도 2에 도시한 바와 같이, BT.2020 규격에 따라 청색 꼭지점(1), 녹색 꼭지점(3) 및 적색 꼭지점(5)에 의해 삼각형이 구성된다. 이러한 경우, 종래의 광원의 주파장은 BT.2020 규격의 삼각형 외측에서 청색 꼭지점(1)으로부터 이격되어 위치된다. 이러한 경우, BT.2020 규격의 청색 꼭지점(1) 주변의 컬러에 대한 색재현을 할 수 없는 문제가 있다. 즉, 바람직하게는 종래의 광원의 주파장이 BT.2020 규격의 청색 꼭지점(1)에 위치되어야 한다.
하지만, 컬러 변환층에서의 여기 효율을 높이기 위해 더욱 더 단파장을 갖는 광원이 사용되었고, 이에 따라 해당 광원의 주파장이 Bt.2020의 규격의 청색 꼭지점(1)으로부터 더욱 더 멀리 이격되어, 색 재현율이 더욱 더 저하되는 문제가 있다.
실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
실시예의 다른 목적은 색 재현율을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
또한 실시예의 또 다른 목적은 색 재현율 규격에 부합하는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예에 따르면, 제1 컬러 꼭지점, 제2 컬러 꼭지점 및 제3 컬러 꼭지점을 연결한 삼각형으로 정의된 색 재현율 규격을 갖는 컬러 영상을 디스플레이하기 위한 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되어, 상기 삼각형의 외측에서 상기 제1 컬러 꼭지점으로부터 이격되어 위치된 제1 색좌표에 상응하는 제1 주파장의 제1 광을 생성하는 광원; 상기 기판 상에 배치되어, 상기 제1 광을 서로 상이한 주파장을 갖는 복수의 광으로 컨버전하는 컨버전층; 및 상기 컨버전층 상에 배치되는 컬러 필터층을 포함한다. 상기 광원은, 상기 기판의 복수의 컬러 영역 상에 배치되는 복수의 반도체 발광 소자를 포함한다. 상기 컨버전층은, 상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제1 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제1 컬러 꼭지점의 제2 색좌표에 상응하는 제2 주파장의 제2 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제2 광을 출력하는 제1 컨버전층; 상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제2 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제2 컬러 꼭지점의 제3 색좌표에 상응하는 제3 주파장의 제3 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제3 광을 출력하는 제2 컨버전층; 및 상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제3 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제3 컬러 꼭지점의 제4 색좌표에 상응하는 제4 주파장의 제4 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제4 광을 출력하는 제2 컨버전층을 포함한다. 상기 제1 컨버전층 및 상기 제2 컨버전층은 동일 물질을 포함한다.
상기 제1 광은 청색 광이고, 상기 제2 및 제3 광 각각은 청색 광 및 녹색 광의 혼합 광일 수 있다.
상기 제1 컨버전층과 상기 제2 컨버전층은 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
상기 제1 컨버전층과 상기 제2 컨버전층은 녹색 양자점을 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터층은, 상기 제1 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제2 광을 출력하는 제1 컬러 필터; 상기 제2 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제3 광을 출력하는 제2 컬러 필터; 및 상기 제3 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제4 광을 출력하는 제3 컬러 필터를 포함할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터급 반도체 발광 소자 및 나노미터급 반도체 발광 소자 중 하나를 포함할 수 있다.
실시예는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광에 의해 컬러 영상을 디스플레이할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.
종래에 여기 효율을 좋게 하기 위해 단파장의 광이 광원을 사용되었다. 하지만, 광원의 여기 효율이 증가되어 녹색 변환 효율과 적색 변환 효율이 향상되었다. 종래에는 단파장의 광을 상기 변환된 녹색 광과 상기 변환된 적색 광과 함께 컬러 영상을 구현하는데 사용하였다. 이러한 경우, 단파장의 광은 도 1에 도시한 바와 같이 예컨대, BT.2020 규격의 삼각형의 외측에 위치되므로, 색 재현율이 저하되는 문제가 있다.
실시예에 따르면, 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 단파장의 광, 즉 제1 광(410)의 제1 주파장을 제2 주파장으로 컨버전시켜, 도 15에 도시한 바와 같이 제2 주파장의 제2 광(420)이 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)에 위치되도록 함으로써, 종래보다 색 재현율이 향상될 수 있다(표 3 참조)
실시예에 따르면, 제1 광(410)의 제1 주파장을 제 주파장으로 컨버전시키기 위해 제1 컨버전층(330)이 구비될 수 있다. 제1 컨버전층(330) 및 제2 컨버전층(340)은 녹색 변환 물질을 포함할 수 있다. 녹색 변환 물질은 녹색 형광체 또는 녹색 양자점을 포함할 수 있다.
제1 컨버전층(330)의 녹색 변환 물질의 밀도는 제2 컨버전층(340)의 녹색 변환 물질의 밀도보다 낮을 수 있다. 제1 컨버전층(330) 및 제2 컨버전층(340)은 청색 광(412, 414) 및 녹색 광(413, 415)을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 컨버전층(330)의 녹색 변환 물질의 밀도는 낮게 하여, 제1 컨버전층(330)에서 청색 광(411)의 일부 극소수의 광량만이 녹색 광(413)으로 컨버전되고, 나머지 대부분의 청색 광(411)은 그대로 출력될 수 있다. 제1 컬러 필터(360)는 청색 광(412) 및 녹색 광(413) 모두 통과시켜 청색 광(412) 및 녹색 광(413)의 혼합 광인 제2 광(420)을 출력될 수 있다. 따라서, 제1 컨버전층(330)에 포함된 녹색 변환 물질에 의해 제1 광(410)의 제1 주파장보다 제2 광(420)의 제2 주파장을 더 크게 하여, 제2 광(420)의 제2 주파장이 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)에 위치되도록 함으로써, 종래보다 색 재현율이 향상될 수 있다.
제1 컨버전층(330)에 포함된 녹색 변환 물질의 밀도를 조절함으로써, 제2 광(420)의 제2 주파장이 BT.2020 규격 이외에 다양한 다른 규격의 제1 컬러 꼭지점에 위치되도록 할 수 있어, 다양한 색 재현율 규격에 부합할 수 있다.
실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 파장에 따른 여기 스펙트럼 및 광 방출 스펙트럼을 도시한다.
도 2는 종래에 색 재현율 규격에 벗어난 광의 주파장이 위치된 모습을 도시한다.
도 3은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 배치된 주택의 거실을 도시한다.
도 4는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다.
도 5는 도 4의 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다.
도 6은 도 4의 디스플레이 패널을 상세히 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 3의 디스플레이 장치에서 제1 패널영역의 확대도이다.
도 8은 도 7의 A2 영역의 확대도이다.
도 9는 도 4의 디스플레이 패널을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 10은 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다.
도 11은 광원, 컨버전층 및 컬러 필터 각각에서 광이 출력되는 모습을 도시한다.
도 12는 반도체 발광 소자에서 방출되는 제1 광을 도시한다.
도 13은 제1 실시예에 따라 제1 컨버전층 및 제1 컬러 필터층에서 출력되는 제2 광을 도시한다.
도 14는 제2 실시예에 따라 제1 컨버전층 및 제1 컬러 필터층에서 출력되는 제2 광을 도시한다.
도 15는 종래와 실시예에서의 광의 주파장의 위치를 도시한다.
도 16은 실시예에 따른 제1 내지 제4 광의 파장에 따른 분포를 도시한다.
도 17은 실시예에 따른 컬러필터의 파장에 따른 투과 구간을 도시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 '모듈' 및 '부'는 명세서 작성의 용이함이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트(Slate) PC, 태블릿(Tablet) PC, 울트라 북(Ultra-Book), 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에도 적용될 수 있다.
이하 실시예에 따른 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 대해 설명한다.
도 3은 실시예에 따른 디스플레이 장치가 배치된 주택의 거실을 도시한다.
실시예의 디스플레이 장치(100)는 세탁기(101), 로봇 청소기(102), 공기 청정기(103) 등의 각종 전자 제품의 상태를 표시할 수 있고, 각 전자 제품들과 IOT 기반으로 통신할 수 있으며 사용자의 설정 데이터에 기초하여 각 전자 제품들을 제어할 수도 있다.
실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 포함할 수 있다. 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나 말릴 수 있다.
플렉서블 디스플레이에서 시각정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(unit pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현될 수 있다. 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다. 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 실시예에서 발광 소자는 Micro-LED나 Nano-LED일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이고, 도 5는 도 4의 화소의 일 예를 보여주는 회로도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 디스플레이 장치는 디스플레이 패널(10), 구동 회로(20), 스캔 구동부(30) 및 전원 공급 회로(50)를 포함할 수 있다.
실시예의 디스플레이 장치(100)는 액티브 매트릭스(AM, Active Matrix)방식 또는 패시브 매트릭스(PM, Passive Matrix) 방식으로 발광 소자를 구동할 수 있다.
구동 회로(20)는 데이터 구동부(21)와 타이밍 제어부(22)를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(10)은 직사각형으로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 디스플레이 패널(10)은 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 디스플레이 패널(10)의 적어도 일 측은 소정의 곡률로 구부러지도록 형성될 수 있다.
디스플레이 패널(10)은 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변에 배치된 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 화소(PX)들이 형성되어 영상을 디스플레이하는 영역이다. 디스플레이 패널(10)은 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 정수), 데이터 라인들(D1~Dm)과 교차되는 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 정수), 고전위 전압이 공급되는 고전위 전압 라인, 저전위 전압이 공급되는 저전위 전압 라인 및 데이터 라인들(D1~Dm)과 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속된 화소(PX)들을 포함할 수 있다.
화소(PX)들 각각은 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 제1 주 파장의 제1 컬러 광을 발광하고, 제2 서브 화소(PX2)는 제2 주 파장의 제2 컬러 광을 발광하며, 제3 서브 화소(PX3)는 제3 주 파장의 제3 컬러 광을 발광할 수 있다. 제1 컬러 광은 적색 광, 제2 컬러 광은 녹색 광, 제3 컬러 광은 청색 광일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 4에서는 화소(PX)들 각각이 3 개의 서브 화소들을 포함하는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 화소(PX)들 각각은 4 개 이상의 서브 화소들을 포함할 수 있다.
제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 적어도 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 적어도 하나 및 고전위 전압 라인에 접속될 수 있다. 제1 서브 화소(PX1)는 도 5과 같이 발광 소자(LD)들과 발광 소자(LD)들에 전류를 공급하기 위한 복수의 트랜지스터들과 적어도 하나의 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
도면에 도시되지 않았지만, 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 단지 하나의 발광 소자(LD)와 적어도 하나의 커패시터(Cst)를 포함할 수도 있다.
발광 소자(LD)들 각각은 제1 전극, 복수의 도전형 반도체층 및 제2 전극을 포함하는 반도체 발광 다이오드일 수 있다. 여기서, 제1 전극은 애노드 전극, 제2 전극은 캐소드 전극일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
복수의 트랜지스터들은 도 5과 같이 발광 소자(LD)들에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 데이터 전압을 공급하는 스캔 트랜지스터(ST)를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)는 스캔 트랜지스터(ST)의 소스 전극에 접속되는 게이트 전극, 고전위 전압이 인가되는 고전위 전압 라인에 접속되는 소스 전극 및 발광 소자(LD)들의 제1 전극들에 접속되는 드레인 전극을 포함할 수 있다. 스캔 트랜지스터(ST)는 스캔 라인(Sk, k는 1≤k≤n을 만족하는 정수)에 접속되는 게이트 전극, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되는 소스 전극 및 데이터 라인(Dj, j는 1≤j≤m을 만족하는 정수)에 접속되는 드레인 전극을 포함할 수 있다.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차이값을 충전한다.
구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)는 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 5에서는 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)가 P 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)는 N 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(DT)와 스캔 트랜지스터(ST)들 각각의 소스 전극과 드레인 전극의 위치는 변경될 수 있다.
또한, 도 5에서는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각이 하나의 구동 트랜지스터(DT), 하나의 스캔 트랜지스터(ST) 및 하나의 커패시터(Cst)를 갖는 2T1C (2 Transistor - 1 capacitor)를 포함하는 것을 예시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각은 복수의 스캔 트랜지스터(ST)들과 복수의 커패시터(Cst)들을 포함할 수 있다.
제2 서브 화소(PX2)와 제3 서브 화소(PX3)는 제1 서브 화소(PX1)와 실질적으로 동일한 회로도로 표현될 수 있으므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.
구동 회로(20)는 디스플레이 패널(10)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 출력한다. 이를 위해, 구동 회로(20)는 데이터 구동부(21)와 타이밍 제어부(22)를 포함할 수 있다.
데이터 구동부(21)는 타이밍 제어부(22)로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 소스 제어 신호(DCS)를 입력 받는다. 데이터 구동부(21)는 소스 제어 신호(DCS)에 따라 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 디스플레이 패널(10)의 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급한다.
타이밍 제어부(22)는 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal) 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다. 호스트 시스템은 스마트폰 또는 태블릿 PC의 어플리케이션 프로세서, 모니터, TV의 시스템 온 칩 등일 수 있다.
타이밍 제어부(22)는 데이터 구동부(21)와 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 제어신호들은 데이터 구동부(21)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 소스 제어 신호(DCS)와 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어 신호(SCS)를 포함할 수 있다.
구동 회로(20)는 디스플레이 패널(10)의 일 측에 마련된 비표시 영역(NDA)에서 배치될 수 있다. 구동 회로(20)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 디스플레이 패널(10) 상에 장착될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 구동 회로(20)는 디스플레이 패널(10)이 아닌 회로 보드(미도시) 상에 장착될 수 있다.
데이터 구동부(21)는 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 디스플레이 패널(10) 상에 장착되고, 타이밍 제어부(22)는 회로 보드 상에 장착될 수 있다.
스캔 구동부(30)는 타이밍 제어부(22)로부터 스캔 제어 신호(SCS)를 입력 받는다. 스캔 구동부(30)는 스캔 제어 신호(SCS)에 따라 스캔 신호들을 생성하여 디스플레이 패널(10)의 스캔 라인들(S1~Sn)에 공급한다. 스캔 구동부(30)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 디스플레이 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에 형성될 수 있다. 또는, 스캔 구동부(30)는 집적 회로로 형성될 수 있으며, 이 경우 디스플레이 패널(10)의 다른 일 측에 부착되는 게이트 연성 필름 상에 장착될 수 있다.
회로 보드는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 디스플레이 패널(10)의 일 측 가장자리에 마련된 패드들 상에 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드의 리드 라인들은 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 보드는 연성 인쇄 회로 보드(flexible printed circuit board), 인쇄 회로 보드(printed circuit board) 또는 칩온 필름(chip on film)과 같은 연성 필름(flexible film)일 수 있다. 회로 보드는 디스플레이 패널(10)의 하부로 벤딩(bending)될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드의 일 측은 디스플레이 패널(10)의 일 측 가장자리에 부착되며, 타 측은 디스플레이 패널(10)의 하부에 배치되어 호스트 시스템이 장착되는 시스템 보드에 연결될 수 있다.
전원 공급 회로(50)는 시스템 보드로부터 인가되는 메인 전원으로부터 디스플레이 패널(10)의 구동에 필요한 전압들을 생성하여 디스플레이 패널(10)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 전원 공급 회로(50)는 메인 전원으로부터 디스플레이 패널(10)의 발광 소자(LD)들을 구동하기 위한 고전위 전압(VDD)과 저전위 전압(VSS)을 생성하여 디스플레이 패널(10)의 고전위 전압 라인과 저전위 전압 라인에 공급할 수 있다. 또한, 전원 공급 회로(50)는 메인 전원으로부터 구동 회로(20)와 스캔 구동부(30)를 구동하기 위한 구동 전압들을 생성하여 공급할 수 있다.
도 6은 도 4의 디스플레이 패널을 상세히 보여주는 평면도이다. 도 6에서는 설명의 편의를 위해, 데이터 패드들(DP1~DPp, p는 2 이상의 정수), 플로팅 패드들(FP1, FP2), 전원 패드들(PP1, PP2), 플로팅 라인들(FL1, FL2), 저전위 전압 라인(VSSL), 데이터 라인들(D1~Dm), 제1 패드 전극(210)들 및 제2 패드 전극(220)들만을 도시하였다.
도 6을 참조하면, 디스플레이 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 데이터 라인들(D1~Dm), 제1 패드 전극(210)들, 제2 패드 전극(220)들 및 화소(PX)들이 배치될 수 있다.
데이터 라인들(D1~Dm)은 제2 방향(Y축 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 데이터 라인들(D1~Dm)의 일 측들은 구동 회로(도 4의 20)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 데이터 라인들(D1~Dm)에는 구동 회로(20)의 데이터 전압들이 인가될 수 있다.
제1 패드 전극(210)들은 제1 방향(X축 방향)으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 이로 인해, 제1 패드 전극(210)들은 데이터 라인들(D1~Dm)과 중첩되지 않을 수 있다. 제1 패드 전극(210)들 중 표시 영역(DA)의 우측 가장자리에 배치된 제1 패드 전극(210)들은 비표시 영역(NDA)에서 제1 플로팅 라인(FL1)에 접속될 수 있다. 제1 패드 전극(210)들 중 표시 영역(DA)의 좌측 가장자리에 배치된 제1 패드 전극(210)들은 비표시 영역(NDA)에서 제2 플로팅 라인(FL2)에 접속될 수 있다.
제2 패드 전극(220)들 각각은 제1 방향(X축 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 이로 인해, 제2 패드 전극(220)들은 데이터 라인들(D1~Dm)과 중첩될 수 있다. 또한, 제2 패드 전극(220)들은 비표시 영역(NDA)에서 저전위 전압 라인(VSSL)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 제2 패드 전극(220)들에는 저전위 전압 라인(VSSL)의 저전위 전압이 인가될 수 있다.
디스플레이 패널(10)의 비표시 영역(NDA)에는 패드부(PA), 구동 회로(20), 제1 플로팅 라인(FL1), 제2 플로팅 라인(FL2) 및 저전위 전압 라인(VSSL)이 배치될 수 있다. 패두부(PA)는 데이터 패드들(DP1~DPp), 플로팅 패드들(FP1, FP2) 및 전원 패드들(PP1, PP2)을 포함할 수 있다.
패드부(PA)는 표시패널(10)의 일 측 가장자리, 예를 들어 하측 가장자리에 배치될 수 있다. 데이터 패드들(DP1~DPp), 플로팅 패드들(FP1, FP2) 및 전원 패드들(PP1, PP2)은 패드부(PA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 나란하게 배치될 수 있다.
데이터 패드들(DP1~DPp), 플로팅 패드들(FP1, FP2) 및 전원 패드들(PP1, PP2) 상에는 회로 보드가 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드와 데이터 패드들(DP1~DPp), 플로팅 패드들(FP1, FP2) 및 전원 패드들(PP1, PP2)은 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 회로(20)는 링크 라인들을 통해 데이터 패드들(DP1~DPp)에 연결될 수 있다. 구동 회로(20)는 데이터 패드들(DP1~DPp)을 통해 디지털 비디오 데이터(DATA)와 타이밍 신호들을 입력 받을 수 있다. 구동 회로(20)는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 디스플레이 패널(10)의 데이터 라인들(D1~Dm)에 공급할 수 있다.
저전위 전압 라인(VSSL)은 패드부(PA)의 제1 전원 패드(PP1)와 제2 전원 패드(PP2)에 연결될 수 있다. 저전위 전압 라인(VSSL)은 표시 영역(DA)의 좌측 바깥쪽과 우측 바깥쪽의 비표시 영역(NDA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 저전위 전압 라인(VSSL)은 제2 패드 전극(220)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 전원 공급 회로(50)의 저전위 전압은 회로 보드, 제1 전원 패드(PP1), 제2 전원 패드(PP2) 및 저전위 전압 라인(VSSL)을 통해 제2 패드 전극(220)에 인가될 수 있다.
제1 플로팅 라인(FL1)은 패드부(PA)의 제1 플로팅 패드(FP1)에 연결될 수 있다. 제1 플로팅 라인(FL1)은 표시 영역(DA)의 좌측 바깥쪽과 우측 바깥쪽의 비표시 영역(NDA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 제1 플로팅 패드(FP1)와 제1 플로팅 라인(FL1)은 어떠한 전압도 인가되지 않는 더미 패드와 더미 라인일 수 있다.
제2 플로팅 라인(FL2)은 패드부(PA)의 제2 플로팅 패드(FP2)에 연결될 수 있다. 제1 플로팅 라인(FL1)은 표시 영역(DA)의 좌측 바깥쪽과 우측 바깥쪽의 비표시 영역(NDA)에서 제2 방향(Y축 방향)으로 길게 연장될 수 있다. 제2 플로팅 패드(FP2)와 제2 플로팅 라인(FL2)은 어떠한 전압도 인가되지 않는 더미 패드와 더미 라인일 수 있다.
한편, 발광 소자(도 5의 LD)들은 매우 작은 사이즈를 가지므로 화소(PX)들 각각의 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)에 장착하기가 매우 어렵다.
이러한 문제를 해소하기 위해, 유전영동(dielectrophoresis) 방식을 이용한 정렬 방법이 제안되었다.
즉, 디스플레이 패널(10)의 제조 공정 중에 발광 소자(도 14의 310, 320, 330)들을 정렬하기 위해 화소(PX)들 각각의 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)에 전기장을 형성할 수 있다. 구체적으로, 제조 공정 중에 유전영동 방식을 이용하여 발광 소자(310, 320, 330)들에 유전영동힘(Dielectrophoretic Force)을 가함으로써 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3) 각각에 발광 소자(310, 320, 330)들을 정렬시킬 수 있다.
그러나, 제조 공정 중에는 박막 트랜지스터들을 구동하여 제1 패드 전극(210)들에 그라운드 전압을 인가하기 어렵다.
따라서, 완성된 디스플레이 장치에서는 제1 패드 전극(210)들이 제1 방향(X축 방향)으로 소정의 간격으로 이격되어 배치되나, 제조 공정 중에 제1 패드 전극(210)들은 제1 방향(X축 방향)으로 단선되지 않고, 길게 연장 배치될 수 있다.
이로 인해, 제조 공정 중에는 제1 패드 전극(210)들이 제1 플로팅 라인(FL1) 및 제2 플로팅 라인(FL2)과 연결될 수 있다. 그러므로, 제1 패드 전극(210)들은 제1 플로팅 라인(FL1) 및 제2 플로팅 라인(FL2)을 통해 그라운드 전압을 인가받을 수 있다. 따라서, 제조 공정 중에 유전영동 방식을 이용하여 발광 소자(310, 320, 330)들을 정렬시킨 후에, 제1 패드 전극(210)들을 단선함으로써, 제1 패드 전극(210)들이 제1 방향(X축 방향)으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
한편, 제1 플로팅 라인(FL1)과 제2 플로팅 라인(FL2)은 제조 공정 중에 그라운드 전압을 인가하기 위한 라인이며, 완성된 디스플레이 장치에서는 어떠한 전압도 인가되지 않을 수 있다. 또는, 완성된 디스플레이 장치에서 정전기 방지용으로 또는 발광 소자(310, 320, 330) 구동용으로 제1 플로팅 라인(FL1)과 제2 플로팅 라인(FL2)에는 그라운드 전압이 인가될 수도 있다.
도 7은 도 3의 디스플레이 장치에서 제1 패널영역의 확대도이다.
도 7에 의하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 제1 패널영역(A1)과 같은 복수의 패널영역들이 타일링에 의해 기구적, 전기적 연결되어 제조될 수 있다.
제1 패널영역(A1)은 단위 화소(도 4의 PX) 별로 배치된 복수의 발광 소자(150)를 포함할 수 있다.
예컨대, 단위 화소(PX)는 제1 서브 화소(PX1), 제2 서브 화소(PX2) 및 제3 서브 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 서브 화소(PX1)는 적색 광을 출력하고, 제2 서브 화소(PX2)는 녹색 광을 출력하며, 제3 서브 화소(PX3)는 청색 광을 출력할 수 있다. 단위 화소(PX)는 발광 소자가 배치되지 않는 제4 서브 화소를 더 포함할 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
도 8은 도 7의 A2 영역의 확대도이다.
도 8을 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 기판(200), 배선 전극(201, 202), 절연층(206) 및 복수의 발광 소자(150)를 포함할 수 있다. 이보다 더 많은 구성 요소들이 포함될 수 있다.
배선 전극은 서로 이격된 제1 배선 전극(201) 및 제2 배선 전극(202)을 포함할 수 있다. 제1 배선 전극(201) 및 제2 배선 전극(202)은 발광 소자(150)를 조립하기 위해 유전영동힘을 생성하기 위해 구비될 수 있다. 제1 배선 전극(201)과 제2 배선 전극(202)은 유전영동힘을 발생시켜 발광 소자(150)가 용이하게 조립되도록 한다.
기판(200)은 유리나 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있다. 또한 기판(200)은 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등의 유연성 있는 재질을 포함할 수 있다. 또한, 기판(200)은 투명한 재질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
절연층(206)은 폴리이미드, PEN, PET 등과 같이 절연성과 유연성 있는 재질을 포함할 수 있으며, 기판(200)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수도 있다.
절연층(206)은 접착성과 전도성을 가지는 전도성 접착층일 수 있고, 전도성 접착층은 연성을 가져서 디스플레이 장치의 플렉서블 기능을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 절연층(206)은 이방성 전도성 필름(ACF, anisotropy conductive film)이거나 이방성 전도매질, 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등의 전도성 접착층일 수 있다. 전도성 접착층은 두께에 대해 수직방향으로는 전기적으로 전도성이나, 두께에 대해 수평방향으로는 전기적으로 절연성을 가지는 레이어일 수 있다.
절연층(206)은 발광 소자(150)가 삽입되기 위한 조립 홀(203)을 포함할 수 있다. 따라서, 자가 조립시, 발광 소자(150)가 절연층(206)의 조립 홀(203)에 용이하게 삽입될 수 있다. 조립 홀(203)은 삽입 홀, 고정 홀, 정렬 홀 등으로 불릴 수 있다.
한편, 실시예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광 소자를 이용하여 영상을 디스플레이할 수 있다. 실시예의 발광 소자는 전기의 인가에 의해 스스로 광을 발산하는 자발광 소자로서, 반도체 발광 소자일 수 있다. 실시예의 발광 소자는 무기질 반도체 재질로 이루어지므로, 열화에 강하고 수명이 반영구적이어서 안정적인 광을 제공하여 디스플레이 장치가 고품질과 고화질의 영상을 구현하는데 기여할 수 있다.
예컨대, 디스플레이 장치는 발광 소자를 광원으로 이용하고, 발광 소자 상에 컬러 생성부를 구비하여 이 컬러 생성부에 의해 영상을 디스플레이할 수 있다.
도시되지 않았지만, 디스플레이 장치는 서로 상이한 컬러 광을 생성하는 복수의 발광 소자 각각을 화소에 배치한 디스플레이 패널을 통해 영사을 디스플레이할 수도 있다.
도 9는 도 4의 디스플레이 패널을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 실시예의 디스플레이 패널(10)은 제1 기판(40), 발광부(41), 컬러 생성부(42) 및 제2 기판(46)를 포함할 수 있다. 실시예의 디스플레이 패널(10)은 이보다 더 많은 구성을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 제1 기판(40)은 도 8에 도시된 기판(200)일 수 있다.
도시되지 않았지만, 제1 기판(40)과 발광부(41) 사이, 발광부(41)와 컬러 생성부(42) 사이 및/또는 컬러 생성부(42)와 제2 기판(46) 사이에 적어도 하나 이상의 절연층이 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
제1 기판(40)은 발광부(41), 컬러 생성부(42) 및 제2 기판(46)을 지지할 수 있다. 제1 기판(40)은 상술한 바와 같은 다양한 소자들, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn), 고전위 전압 라인 및 저전위 전압 라인, 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 트랜지스터들(ST, DT)과 적어도 하나의 커패시터(Cst) 그리고 도 6에 도시된 바와 같이 제1 패드 전극(210) 및 제2 패드 전극(220)이 구비될 수 있다.
제1 기판(40)은 유리나 플렉서블 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
발광부(41)는 광을 컬러 생성부(42)로 제공할 수 있다. 발광부(41)는 전기의 인가에 의해 스스로 빛을 발산하는 복수의 광원을 포함할 수 있다. 예컨대, 광원은 발광 소자(도 7의 150, 도 14의 310, 320, 330)를 포함할 수 있다.
일 예로, 복수의 발광 소자(150)는 화소의 각 서브 화소 별로 구분되어 배치되어 개별적인 각 서브 화소의 제어에 의해 독립적으로 발광할 수 있다.
다른 예로, 복수의 발광 소자(150)는 화소의 구분에 관계없이 배치되어 모든 서브 화소에서 동시에 발광할 수 있다.
실시예의 발광 소자(150)는 청색 광을 발광할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 실시예의 발광 소자(150)는 백색 광이나 자주색 광을 발광할 수도 있다.
한편, 발광 소자(150)는 각 서브 화소별로 적색 광, 녹색 광 및 청색 광을 발광할 수도 있다. 이를 위해, 예컨대, 제1 서브 화소, 즉 적색 서브 화소에 적색 광을 발광하는 적색 발광 소자가 배치되고, 제2 서브 화소, 즉 녹색 서브 화소에 녹색 광을 발광하는 녹색 발광 소자가 배치되며, 제3 서브 화소, 즉 청색 서브 화소에 청색 광을 발광하는 청색 발광 소자가 배치될 수 있다.
예컨대, 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자 및 청색 발광 소자 각각은 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 또는 III-V족 화합물을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlInP, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 AlGaInP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
컬러 생성부(42)는 발광부(41)에서 제공된 광과 상이한 컬러 광을 생성할 수 있다.
예컨대, 컬러 생성부(42)는 제1 컬러 생성부(43), 제2 컬러 생성부(44) 및 제3 컬러 생성부(45)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 생성부(43)는 화소의 제1 서브 화소(PX1)에 대응되고, 제2 컬러 생성부(44)는 화소의 제2 서브 화소(PX2)에 대응되며, 제3 컬러 생성부(45)는 화소의 제3 서브 화소(PX3)에 대응될 수 있다.
제1 컬러 생성부(43)는 발광부(41)에서 제공된 광에 기초하여 제1 컬러 광을 생성하고, 제2 컬러 생성부(44)는 발광부(41)에서 제공된 광에 기초하여 제2 컬러 광을 생성하며, 제3 컬러 생성부(45)는 발광부(41)에서 제공된 광에 기초하여 제3 컬러 광을 생성할 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 생성부(43)는 발광부(41)의 청색 광을 적색 광으로 출력하고, 제2 컬러 생성부(44)는 발광부(41)의 청색 광을 녹색 광으로 출력하며, 제3 컬러 생성부(45)는 발광부(41)의 청색 광을 그대로 출력할 수 있다.
일 예로, 제1 컬러 생성부(43)는 제1 컬러 필터를 포함하고, 제2 컬러 생성부(44)는 제2 컬러 필터를 포함하며, 제3 컬러 생성부(45)는 제3 컬러 필터를 포함할 수 있다.
제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터는 빛이 투과할 수 있는 투명한 재질로 형성될 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터 중 적어도 하나 이상은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다.
실시예의 양자점은 Ⅱ-Ⅳ족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
Ⅱ-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlInP, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 AlGaInP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이러한 양자점은 대략 45nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출될 수 있다. 이에 따라, 발광 표시 장치의 시야각이 향상될 수 있다.
한편, 양자점은 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
예컨대, 발광 소자(150)가 청색 광을 발광하는 경우, 제1 컬러 필터는 적색 양자점을 포함하고, 제2 컬러 필터는 녹색 양자점을 포함할 수 있다. 제3 컬러 필터는 양자점을 포함하지 않을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 발광 소자(150)의 청색 광이 제1 컬러 필터에 흡수되고, 이 흡수된 청색 광이 적색 양자점에 의해 파장 쉬트프되어 적색 광이 출력될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(150)의 청색 광이 제2 컬러 필터에 흡수되고, 이 흡수된 청색 광이 녹색 양자점에 의해 파장 쉬프트되어 녹색 광이 출력될 수 있다. 예컨대, 발과 소자의 청색 광이 제3 컬러 필터에 흡수되고, 이 흡수된 청색 광이 그대로 출사될 수 있다.
한편, 발광 소자(150)가 백색 광인 경우, 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터뿐만 아니라 제3 컬러 필터 또한 양자점을 포함할 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터에 포함된 양자점에 의해 발광 소자(150)의 백색 광이 청색 광으로 파장 쉬프트될 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터 중 적어도 하나 이상은 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터 중 일부 컬러 필터는 양자점을 포함하고, 다른 일부는 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 필터 및 제2 컬러 필터 각각은 형광체와 양자점을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터 중 적어도 하나 이상은 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자에 의해 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터 각각으로 입사된 청색 광이 산란되고 산란된 청색 광이 해당 양자점에 의해 컬러 쉬프트되므로, 광 출력 효율이 향상될 수 있다.
다른 예로, 제1 컬러 생성부(43)는 제1 컬러 변환층 및 제1 컬러 필터를 포함할 수 있다. 제2 컬러 생성부(44)는 제2 컬러 변환부 및 제2 컬러 필터를 포함할 수 있다. 제3 컬러 생성부(45)는 제3 컬러 변환층 및 제3 컬러 필터를 포함할 수 있다. 제1 컬러 변환층, 제2 컬러 변환층 및 제3 컬러 변환층 각각은 발광부(41)에 인접하여 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터, 제2 컬러 필터 및 제3 컬러 필터는 제2 기판(46)에 인접하여 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터는 제1 컬러 변환층과 제2 기판(46) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 컬러 필터는 제2 컬러 변환층과 제2 기판(46) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 제3 컬러 필터는 제3 컬러 변환층과 제2 기판(46) 사이에 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터는 제1 컬러 변환층의 상면과 접하고 제1 컬러 변환층과 동일한 사이즈를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 제2 컬러 필터는 제2 컬러 변환층의 상면과 접하고, 제2 컬러 변환층과 동일한 사이즈를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 제3 컬러 필터는 제3 컬러 변환층의 상면과 접하고, 제3 컬러 변환층과 동일한 사이즈를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
예컨대, 제1 컬러 변환층은 적색 양자점을 포함하고, 제2 컬러 변환층은 녹색 양자점을 포함할 수 있다. 제3 컬러 변환층은 양자점을 포함하지 않을 수 있다. 예대, 제1 컬러 필터는 제1 컬러 변환층에서 변환된 적색 광을 선택적으로 투과시키는 적색 계열 재질을 포함하고, 제2 컬러 필터는 제2 컬러 변환층에서 변환된 녹색 광을 선택적으로 투과시키는 녹색 계열 재질을 포함하며, 제3 컬러 필터는 제3 컬러 변환층에서 그대로 투과한 청색 광을 선택적으로 투과시키는 청색 계열 재질을 포함할 수 있다.
한편, 발광 소자(150)가 백색 광인 경우, 제1 컬러 변환층 및 제2 컬러 변환층뿐만 아니라 제3 컬러 변환층 또한 양자점을 포함할 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터에 포함된 양자점에 의해 발광 소자(150)의 백색 광이 청색 광으로 파장 쉬프트될 수 있다.
다시 도 9를 참조하면, 제2 기판(46)은 컬러 생성부(42) 상에 배치되어, 컬러 생성부(42)를 보호할 수 있다. 제2 기판(46)은 유리로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
제2 기판(46)은 커버 윈도우, 커버 글라스 등으로 불릴 수 있다.
제2 기판(46)은 유리나 플렉서블 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
한편, 실시예는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광에 의해 컬러 영상을 디스플레이할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.
복수의 화소 각각은 청색 광을 출력하는 제1 서브 화소, 녹색 광을 출력하는 제2 서브 화소 및 적색 광을 출력하는 제3 서브 화소를 포함할 수 있다. 이를 위해, 예컨대, 제1 광을 생성하는 반도체 발광 소자가 광원으로 사용될 수 있다. 제1 광은 자외선 광 또는 청색 광을 포함할 수 있다. 반도체 발광 소자는 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 각각에 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 아울러, 반도체 발광 소자에서 생성된 제1 광을 이용하여 제2 광을 출력하도록 제1 서브 화소에 제1 컨버전층 및 제1 컬러 필터가 구비될 수 있다. 반도체 발광 소자에서 생성된 제1 광을 이용하여 제3 광을 출력하도록 제2 서브 화소에 제2 컨버전층 및 제2 컬러 필터가 구비될 수 있다. 반도체 발광 소자에서 생성된 제1 광을 이용하여 제4 광을 출력하도록 제3 서브 화소에 제3 컨버전층 및 제3 컬러 필터가 구비될 수 있다. 예컨대, 제2 광은 청색 광을 포함하고, 제3 광은 녹색 광을 포함하며, 제4 광은 적색 광을 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 제2 광, 제3 광 및 제4 광이 색 재현율 규격에 부합하므로, 색 재현율이 현저하게 향상될 수 있다. 예컨대, 제1 광은 색 재현율 규격에 의해 구성된 삼각형의 외측에 위치된 제1 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 제2 광은 해당 삼각형의 제1 컬러 꼭지점의 색좌표에 상응하는 제2 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 제3 광은 해당 삼각형의 제2 컬러 꼭지점의 색좌표에 상응하는 제3 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 제4 광은 해당 삼각형의 제3 컬러 꼭지점의 색좌표에 상응하는 제4 주파장을 가질 수 있다. 제1 컬러 꼭지점은 청색 꼭지점이고, 제2 컬러 꼭지점은 녹색 꼭지점이며, 제3 컬러 꼭지점은 적색 꼭지점일 수 있다. 최소한 색 재현율 규격에서 정의된 모든 색을 구현하기 위해서는 제2 광의 주파장이 제1 컬러 꼭지점이나 그 근처에 위치되고, 제3 광의 주파장이 제2 컬러 꼭지점이나 그 주변에 위치되며, 제4 광의 주파장이 제3 컬러 꼭지점이나 그 근처에 위치되어야 한다.
여기서, 주파장이란 디스플레이 장치의 색좌표, 즉 백색 지점(white point)과 물체의 색좌표(x,y) 두 점을 지나는 직선과 색 표계에서의 순수 파장과 만나는 지점으로 정의될 수 있다.
실시예에 따르면, 색 재현율 규격에 의해 구성된 삼각형의 외측에 위치된 제1 주파장의 제1 광을 생성하는 반도체 발광 소자가 광원으로 사용될 수 있다. 예컨대, 제1 광의 제1 주파장은 380nm 내지 460nm 범위에서 설정될 수 있다. 하지만, 색 재현율 규격에 의해 구성된 삼각형의 제1 컬러 꼭지점의 색좌표에 상응하는 제2 주파장은 460nm 내지 480nm 범위에서 설정될 수 있다. 이와 같이, 제1 광의 제1 주파장은 제1 주파장보다 작은 단파장을 가질 수 있다. 이와 같이 단파장 광을 생성하는 반도체 발광 소자가 광원으로 사용되는 이유는 단파장의 광일수록 제2 컨버전층 및 제3 컬버터층의 물질에 대한 여기(excitation) 효율이 증가되기 때문이다.
하지만, 광원에서 생성되는 광이 단파장일수록 해당 광이 제1 서브 화소에서 출력될 때, 해당 광, 즉 청색 광의 주파장이 색 재현율 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점으로부터 이격되어 위치되므로, 제2 서브 화소에서 녹색 광이 출력되고, 제3 서브 화소에서 적색 광이 출력되더라도, 청색 광, 녹색 광 및 적색 광에 의해 색 재현율 규격에서 정의된 색을 모두 표현하지 못해 색 재현율이 저하될 수 있다.
실시예는 제1 서브 화소에 제1 컨버전층을 배치하고, 해당 제1 컨버전층을 통해 반도체 발광 소자에서 생성된 제1 광이 색 재현율 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점의 색좌표에 상응하는 제2 주파장의 제2 광으로 컨버전함으로써, 색 재현율 규격에 부합하도록 하여 색 재현율을 향상시킬 수 있다.
이하에서, 색 재현율을 향상시키기 위한 다양한 실시예나 변형 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 10은 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)는 기판(310), 광원(320), 컨버전층(330 내지 350) 및 컬러 필터층(360 내지 380)을 포함할 수 있다. 도시되지 않았지만, 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)는 이보다 더 많은 구성 요소를 포함할 수 있다. 이하에서 누락된 설명은 도 8 및 도 9와 관련된 설명이나 공지 기술로 대체될 수 있다.
도시되지 않았지만, 기판(310)과 광원(320) 사이 및/또는 광원(320)과 컨버전층(330 내지 350) 사이에 적어도 하나 이상의 층이 배치될 수 있다. 해당 층은 절연층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
기판(310)은 광원(320), 컨버전층(330 내지 350) 및 컬러 필터층(360 내지 380)을을 지지할 수 있다. 기판(310)은 상술한 바와 같이 다양한 소자들, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn), 고전위 전압 라인 및 저전위 전압 라인, 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 트랜지스터들(ST, DT)과 적어도 하나의 커패시터(Cst) 그리고 도 6에 도시된 바와 같이 제1 패드 전극(210) 및 제2 패드 전극(220)이 구비될 수 있다.
광원(320)은 도 11에 도시한 바와 같이, 제1 광(410)을 컨버전층(330 내지 350)으로 제공할 수 있다. 광원(320)은 전기적 신호에 의해 스스로 제1 광(410)을 발광하는 복수의 반도체 발광 소자(321)를 포함할 수 있다. 실시예의 반도체 발광 소자(321)는 도 7에 도시된 반도체 발광 소자(150)일 수 있다. 도 12에 도시한 바와 같이, 제1 광(410)은 예컨대, 460nm 이하의 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 반도체 발광 소자(321)는 크기에 따라 마이크로미터급 반도체 발광 소자 또는 나노미터급 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 반도체 발광 소자(321)는 전극의 배치 형태에 따라 수평형 반도체 발광 소자, 플립형 반도체 발광 소자 또는 수직형 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 반도체 발광 소자(321)는 형상에 따라, 사각형, 원형일 수 있다. 예컨대, 반도체 발광 소자(321)는 플레이트 형상을 가질 수 있다.
기판(310) 상에 복수의 단위 화소가 정의될 수 있다. 단위 화소는 복수의 컬러 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 단위 화소는 제1 컬러 영역, 제2 컬러 영역 및 제3 컬러 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 영역은 청색 서브 화소(PX_B)이고, 제2 컬러 영역은 녹색 서브 화소(PX_G)이며, 제3 컬러 영역은 청색 서브 화소(PX_R)일 수 있다.
복수의 반도체 발광 소자(321, 322, 323) 각각은 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)에 배치될 수 있다. 예컨대, 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)에 배치된 복수의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)는 동일 컬러 광을 발광할 수 있다. 예컨대, 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)에 배치된 복수의 반도체 발광 소자(321, 322, 323) 각각은 청색 광(411)을 발광할 수 있다.
예컨대, 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)에 배치된 복수의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)는 청색 광(411)을 동시에 발광할 수 있다. 예컨대 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)에 배치된 복수의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)는 청색 광(411)을 스캐닝 단위로 발광할 수 있다. 스캐닝 단위는 도 4에 도시된 스캔 라인들(S1~Sn) 각각을 의미할 수 있다. 예컨대, 제1 스캔 라인(S1)으로 스캔 제어 신호(SCS)가 공급되어, 제1 스캔 라인(S1)에 연결된 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)가 선택될 수 있다. 예컨대, 스캔 제어 신호(SCS)에 의해 제1 스캔 라인(S1)에 연결된 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R)가 선택될 때, 제1 스캔 라인(S1)에 연결된 각 서브 화소(PX_B, PX_G, PX_R) 각각에 배치된 반도체 발광 소자(321, 322, 323)가 청색 광(411)을 동시에 발광될 수 있다.
예컨대, 반도체 발광 소자(321, 322, 323)는 자주색 광, 자외선 광 등을 발광할 수도 있다. 예컨대,
실시예의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)에서 발광된 청색 광(411)의 주파장은 도 15에 도시한 바와 같이 종래의 광원(도 2 참조)에서 발광된 청색 광의 주파장과 동일할 수 있다. 이러한 경우, 실시예의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)에서 발광된 청색 광(411)의 주파장의 색좌표는 BT.2020 규격의 제1 컬러 꼭지점(451)의 색좌표, 제2 컬러 꼭지점(452) 및 제3 컬러 꼭지점(453)의 색좌표에 의해 구성된 삼각형의 외측에 위치될 수 있다. 특히, 실시예의 반도체 발광 소자(321, 322, 323)에서 발광된 청색 광(411)의 주파장의 색좌표는 BT.2020 규격의 제1 컬러 꼭지점(451)의 색좌표로부터 이격되어 위치될 수 있다.
만일 실시예에서 청색 광(411)과 관련하여 별도의 컬러 변환없이 청색 광(411)을 이용하여 컬러 영상을 구현하는 경우, 해당 청색 광(411)의 주파장의 색좌표가 삼각형의 외측에 위치되어 색 재현율이 저하되는 문제가 있다.
실시예는 제1 컨버전층(330)을 이용하여 반도체 발광 소자(321)에서 발광된 청색 광(411)의 주파장을 BT.2020 규격의 제1 컬러 꼭지점(451)의 색좌표나 그 근처에 상응하는 주파장으로 컨버전함으로써, 색 재현율을 향상시킬 수 있다.
컨버전층(330 내지 350), 컬러 필터 층은 일체로 형성되어, 접착 부재(325)를 이용하여 기판(310)에 부착될 수 있다. 도시되지 않았지만, 광원(320) 상에 적어도 하나 이상의 층이 구비될 수 있다. 예컨대, 해당 층은 평탄화층일 수 있다. 이러한 경우, 컨버전층(330 내지 350)이 접착 부재(325)를 이용하여 평탄화층에 부착될 수 있다.
예컨대, 컬러 필터층(360 내지 380)이 마련되고, 컬러 필터층(360 내지 380) 상에 컨버전층(330 내지 350)이 형성되어, 컬러 필터층(360 내지 380)과 컨버전층(330 내지 350)이 일체로 형성될 수 있다. 이후, 접착 부재(325)를 이용하여 컨버전층(330 내지 350)이 평탄화층에 부착될 수 있다.
실시예의 컨버전층(330 내지 350)은 광원(320) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 컨버전층(330 내지 350)은 광원(320)에서 출력된 제1 광(410)을 서로 상이한 주파장을 갖는 복수의 광으로 컨버전할 수 있다.
예컨대, 컨버전층은 제1 컨버전층(330), 제2 컨버전층(340) 및 제3 컨버전층(350)을 포함할 수 있다.
제1 컨버전층(330)은 광원(320)에서 출력된 제1 광(410), 즉 청색 광(411)을 도 11에 도시한 바와 같이, 청색 광(412) 및 녹색 광(413)으로 컨버전할 수 있다. 제2 컨버전층(340)은 광원(320)에서 출력된 청색 광(411)을 청색 광(414) 및 녹색 광(415)으로 컨버전할 수 있다. 제3 컨버전층(350)은 광원(320)에서 출력된 청색 광(411)을 청색 광(416) 및 적색 광(417)으로 컨버전할 수 있다.
제1 컨버전층(330)은 제1 반도체 발광 소자(321) 상에 배치될 수 있다. 제1 컨버전층(330)은 도 11에 도시한 바와 같이, 청색 광(411)을 청색 광(412) 및 녹색 광(413)으로 컨버전할 수 있다. 제1 반도체 발광 소자(321)에서 발광된 청색 광(411)은 제1 컨버전층(330)에서 여기되어 청색 광(411)의 일부는 그대로 청색 광(412)으로 출력되고, 청색 광(411)의 다른 일부는 녹색 광(413)으로 컨버전될 수 있다.
제2 컨버전층(340)은 제2 반도체 발광 소자(322) 상에 배치될 수 있다. 제2 컨버전층(340)은 도 11에 도시한 바와 같이, 청색 광(411)을 청색 광(414) 및 녹색 광(415)으로 컨버전할 수 있다. 제2 반도체 발광 소자(322)에서 발광된 청색 광(411)은 제1 컨버전층(330)에서 여기되어 청색 광(411)의 일부는 그대로 청색 광(414)으로 출력되고, 청색 광(411)의 다른 일부는 녹색 광(415)으로 컨버전될 수 있다.
도 11에서, 각 화살표는 광을 도시하는 것으로서, 각 화살표의 크기는 각 광의 세기를 의미할 수 있다.
따라서, 제1 컨버전층(330) 및 제2 컨버전층(340) 각각은 청색 광(412, 414) 및 녹색 광(413, 415)을 포함하는 광을 출력할 수 있다. 예컨대, 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412)의 세기는 녹색 광(413)의 세기보다 크고, 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색 광(414)의 세기는 녹색 광(415)의 세기보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 컨버전층(330)에서 출력된 녹색 광(413)의 세기는 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412)의 세기의 1% 내지 1%일 수 있다.
예컨대, 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412)의 세기는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색광(414)의 세기보다 크고, 제1 컨버전층(330)에서 출력된 녹색 광(413)의 세기는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 녹색 광(415)의 세기보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 반도체 발광 소자(321, 322)에서 발광된 청색 광(411)은 동일한 세기를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 컨버전층(330)에서 청색 광(411)의 일부 광량만이 녹색 광(413)으로 컨버전되고 나머지 광량은 그대로 청색 광(412)로 출력될 수 있다. 이에 반해, 제2 컨버전층(340)에서 청색 광(411)의 대두분의 광량이 녹색 광(415)으로 컨버전되고 나머지 극소수의 광량이 그대로 청색 광(414)으로 출력될 수 있다.
이를 위해, 제1 및 제2 컨버전층(330, 340)은 녹색 변환 물질을 포함할 수 있다.
예컨대, 녹색 변환 물질은 녹색 형광체 또는 녹색 양자점일 수 있다. 예컨대, 녹색 형광체는 LuAG, Ga-YAG, β-SiAlON, 실리케이트 등을 포함할 수 있다.
녹색 형광쳉와 녹색 양자점일 때, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 녹색 광(413)의 파장 파형이 다소 상이하다.
도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 제1 반도체 발광 소자(321)에서 발광된 청색 광(411)의 일부 광량만이 여기되어 세기가 낮은 녹색 광(413)으로 출력되고, 나머지 대부분의 광량은 그대로 청색 광(412)으로 출력될 수 있다. 나중에 설명하겠지만, 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412) 및 녹색 광(413)으로 제1 컬러 필터(360)에 의해 필터링되어 제2 광(420)으로 출력될 수 있다. 예컨대, 제1 컬러 필터(360)은 청색 광(412)의 파장 대역(도 16의 471, P)과 녹색 광(413)의 파장 대역(도 16의 P, 472)을 통과시킬 수 있도록 설계될 수 있다.
제2 광(420)의 주파장은 도 15에 도시한 바와 같이, BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 색좌표에 상응하는 주파장과 동일하거나 이에 근접할 수 있다.
따라서, 제1 컨버전층(330)은 제1 광(410)을 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 색좌표에 상응하는 주파장과 동일하거나 이에 근접한 제2 주파장을 갖는 제2 광(420)으로 컨버전할 수 있다.
제1 컨버전층(330)의 물질의 종류나 물질의 밀도에 따라 제1 컨버전층(330)에서 여기되는 여기 효율이 달라질 수 있다.
도 10에 도시한 바와 같이, 제1 컨버전층(330)의 녹색 변환 물질의 밀도는 제2 컨버전층(340)의 녹색 변환 물질의 밀도보다 낮을 수 있다. 녹색 변환 물질의 밀도가 낮을수록 제1 반도체 발광 소자(321)에서 출력된 청색 광(411)의 여기 효율이 낮아질 수 있다.
따라서, 제1 컨버전층(330)의 녹색 변환 물질의 밀도는 낮게 하여, 제1 컨버전층(330)에서 청색 광(411)의 일부 극소수의 광량만이 녹색 광(413)으로 컨버전되고, 나머지 대부분의 청색 광(411)은 그대로 출력될 수 있다. 제1 컬러 필터(360)는 청색 광(412) 및 녹색 광(413) 모두 통과시켜 청색 광(412) 및 녹색 광(413)의 혼합 광인 제2 광(420)을 출력될 수 있다.
아울러, 제2 컨버전층(340)의 녹색 변환 물질의 밀도는 높게 하여, 제2 컨버전층(340)에서 청색 광(411)의 대부분의 광량이 녹색 광(415)으로 컨버전되고, 나머지 극소수의 광량이 청색 광(414)으로 출력될 수 있다. 제2 컬러 필터(370)는 청색 광(414) 및 녹색 광(415) 중에서 청색 광(414)을 차단시키고 녹색 광(415)만을 통과시켜 녹색 광(415)만을 포함하는 제3 광(430)을 출력될 수 있다.
표 1은 제1 광(410) 및 제2 광(420)의 파장 특성을 나타낸다. 해당 파장 특성은 PL 측정장비의 일종인 CS-2000로 출력되었다.
컬러필터 투과 후 광특성
주파장(nm) FWHM(nm) x y
제1 광(410) 452 15.6 0.1564 0.0209
제2 광(420)(녹색 형광체) 462 17.5 0.1497 0.0472
제2 광(420)(녹색 양자점) 458.5 18.3 0.1535 0.0393
표 1에서, 제1 광(410)은 제1 반도체 발광소자 상에 임의의 컬러필터를 배치하여 측정된 광특성일 수 있다.
도 15에 도시된 색좌표는 U'V' 색좌표이다. 따라서, 표 1에서, x값과 y값이 도 15에 적용되기 위해 공지된 변환 공식에 의해 U'V' 색좌표로 변환될 수 있다.
표 1에 나타낸 바와 같이, 녹색 형광체가 제1 컨버전층(330)에 포함된 경우, 452nm의 제1 주파장을 갖는 제1 광(410)이 462nm의 제2 주파장을 갖는 제2 광(420)으로 컨버전될 수 있다. 이때, xy 색좌표는 (0.1497, 0.0472)으로서, U'V' 색좌표로 변환한 경우 (0.1497, 0.0472)는 도 15에 도시한 바와 같이 BT.2020의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표나 제2 색좌표 근처의 색좌표일 수 있다.
녹색 양자점이 제1 컨버전층(330)에 포함된 경우, 452nm의 제1 주파장을 갖는 제1 광(410)이458.5nm의 제2 주파장을 갖는 제2 광(420)으로 컨버전될 수 있다. 이때, xy 색좌표는 (0.1535, 0.0393)으로서, U'V' 색좌표로 변환한 경우 (0.1535, 0.0393)는 도 15에 도시한 바와 같이 BT.2020의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표나 제2 색좌표 근처의 색좌표일 수 있다.
표 2는 실시예의 제3 광(430) 및 제4 광(440)의 xy 색좌표를 나타낸다.
제3 광(430) 제4 광(440)
x y x y
0.2204 0.6851 0.6805 0.2996
표 2에 나타낸 바와 같이, 제3 광(430)에 의한 색좌표인 (0.2204, 0.6851)이 U'V' 색좌표로 변환한 경우, 제3 광(430)은 도 15에 도시된 BT.2020의 삼각형의 제2 컬러 꼭지점(452)의 제3 색좌표나 제3 색좌표 근처의 색좌표일 수 있다. 표 2에 나타낸 바와 같이, 제3 광(430)에 의한 색좌표인 (0.6805, 0.2996)이 U'V' 색좌표로 변환한 경우, 제4 광(440)은 도 15에 도시된 BT.2020의 삼각형의 제3 컬러 꼭지점(453)의 제4 색좌표나 제4 색좌표 근처의 색좌표일 수 있다.
표 3은 다양한 규격에서의 색 재현율을 나타낸다.
NTSC
색재현 면적비		 색재현율
(DCI-P3 중첩율)		 색재현율
(BT.2020 중첩율)
제1 광(410) 144.5% 95.0% 82.9%
제2 광(420)(녹색 형광체) 126.2% 96.3% 82.9%
제2 광(420)(녹색 양자점) 126.2% 95.2% 83.2%
표 3에 나타낸 바와 같이, 종래와 같이 제1 광(410)을 청색 광으로 하여 컬러 영상을 구현하기 위해서 사용하는 경우 DCI-P3 중첩율이 95%인데 반해, 실시예에서와 같이 제2 광(420)을 청색 광으로 하여 컬러 영상을 구현하기 위해서 사용하는 경우 96.3% 또는 95.2%로서, 종래에 비해 실시예에서 더 많은 중접율을 보이므로 더 우수한 색 재현율을 얻을 수 있다. 표 3에 나타낸 바와 같이, 종래와 같이 제1 광(410)을 청색 광으로 하여 컬러 영상을 구현하기 위해서 사용하는 경우 BT.2020 중첩율이 82.9%인데 반해, 실시예에서와 같이 제2 광(420)을 청색 광으로 하여 컬러 영상을 구현하기 위해서 사용하는 경우 83.2%로서, 종래에 비해 실시예에서 더 많은 중접율을 보이므로 더 우수한 색 재현율을 얻을 수 있다.
한편, 제3 컨버전층(350)은 제3 반도체 발광 소자(323) 상에 배치될 수 있다. 제3 컨버전층(350)은 적색 변환 물질을 포함할 수 있다. 적색 변환 물질은 적색 형광체 또는 적색 양자점을 포함할 수 있다.
제3 반도체 발광 소자(323)에서 청색 광(411)이 발광될 수 있다.
제3 컨버전층(350)에서 청색 광(411)의 대부분의 광량이 적색 광(417)으로 컨버전되고, 일부 극소수의 광량이 청색 광(416)으로 출력될 수 있다. 제3 컬러 필터(380)는 청색 광(416) 및 적색 광(417) 중에서 청색 광(416)을 차단시키고 적색 광(417)만을 통과시켜 적색 광(417)만을 포함하는 제4 광(440)을 출력할 수 있다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제1 광(410)은 광원(320)에서 출력된 광으로서, BT.2020 규격의 삼각형의 외측에 위치될 수 있다(종래로 표시된 부분).
실시예에 따르면, 제2 반도체 발광 소자(322) 상에 제2 컨버전층(340)이 배치되고, 제3 반도체 발광 소자(323) 상에 제3 컨버전층(350)이 배치될 수 있다. 제2 컨버전층(340)에 의해 제1 광(410)이 BT.2020 규격의 삼각형의 제2 컬러 꼭지점(452)의 제3 색좌표에 상응하는 제3 주파장이나 제3 주파장에 인접한 주파장을 갖는 제2 광(420)으로 커버전될 수 있다. 제3 컨버전층(350)에 의해 제1 광(410)이 BT.2020 규격의 삼각형의 제3 컬러 꼭지점(453)의 제4 색좌표에 상응하는 제4 주파장이나 제4 주파장에 인접한 주파장을 갖는 제4 광(440)으로 컨버전될 수 있다.
특히, 실시예에 따르면, 제1 반도체 발광 소자(321) 상에 제1 컨버전층(330)이 배치될 수 있다. 제1 컨버전층(330)에 의해 제1 광(410)이 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표에 상응하는 제2 주파장이나 제2 주파장에 인접한 주파장을 갖는 제2 광(420)으로 컨버전될 수 있다.
따라서, 제1 컨버전층(330), 제2 컨버전층(340) 및 제3 컨버전층(350)에 의해 BT.2020 규격의 삼각형의 각 컬러 꼭지점의 각 색좌표에 상응하는 주파장의 컬러 광이 출력됨으로써, 완벽한 색 재현율을 얻을 수 있다.
한편, 컬러 필터층(360 내지 380)은 컨버전층(330 내지 350) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(360 내지 380)은 컨버전층(330 내지 350)에서 출력된 광의 특정 파장 대역만을 출력시키고 그 이외의 파장 대역은 차단시킬 수 있다.
예컨대, 컬러 필터층은 제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380)를 포함할 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터(360)는 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(도 11의 412) 및 녹색 광(413)을 그대로 통과시켜 제2 광(420)으로 출력할 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(360)는 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(도 11의 412) 및 녹색 광(413)을 선택적으로 필터링하여 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표에 상응하는 제2 주파수나 제2 주파수에 인접한 주파수를 갖는 제2 광(420)을 출력할 수 있다.
예컨대, 제2 컬러 필터(370)는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색 광(도 11의 414) 및 녹색 광(415) 중에서 녹색 광(415)을 제3 광(430)으로 출력할 수 있다. 즉, 제2 컬러 필터(370)는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색 광(도 11의 414) 및 녹색 광(415)을 선택적으로 필터링하여 BT.2020 규격의 삼각형의 제2 컬러 꼭지점(452)의 제3 색좌표에 상응하는 제3 주파수나 제3 주파수에 인접한 주파수를 갖는 제2 광(420)을 출력할 수 있다.
예컨대, 제3 컬러 필터(380)는 제3 컨버전층(350)에서 출력된 청색 광(도 11의 416) 및 적색 광(417) 중에서 적색 광(417)을 제4 광(440)으로 출력할 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터(380)는 제3 컨버전층(350)에서 출력된 청색 광(도 11의 416) 및 적색 광(417)울 선택적으로 필터링하여 BT.2020 규격의 삼각형의 제3 컬러 꼭지점(453)의 제4 색좌표에 상응하는 제4 주파수나 제4 주파수에 인접한 주파수를 갖는 제4 광(440)을 출력할 수 있다.
한편, 도 15에 도시한 바와 같이, 제2 광(420)은 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표에 상응하는 제2 주파장이거나 제2 주파장에 인접한 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 제2 광(420)은 BT.2020 규격의 삼각형의 제2 컬러 꼭지점(452)의 제3 색좌표에 상응하는 제3 주파장이거나 제3 주파장에 인접한 주파장을 가질 수 있다. 예컨대, 제4 광(440)은 BT.2020 규격의 삼각형의 제3 컬러 꼭지점(453)의 제4 색좌표에 상응하는 제4 주파장이거나 제4 주파장에 인접한 주파장을 가질 수 있다.
제2 주파장은 제1 주파장보다 크고, 제3 주파장은 제2 주파장보다 크며, 제4 주파장은 제3 주파장보다 클 수 있다. 예컨대, 제1 주파장은 380nm 내지 460nm 범위에서 설정되고, 제2 주파장은 460nm 내지 480nm 범위에서 설정될 수 있다. 제3 주파장은 520nm 내지 550nm 범위에서 설정되고, 제4 주파장은 600nm 내지 640nm 범위에서 설정될 수 있다.
이상에서는 BT.2020 규격을 예로 들고 있지만, 실시예는 NTSC 규격, DCI-P3 규격, BT.709에도 적용될 수 있다. BT.709는 Rec.709로 불리고, BT.2020은 Rec.2020으로 불릴 수 있다.
제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380)는 빛이 투과할 수 있는 투명한 재질로 형성될 수 있다.
예컨대, 제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380) 중 적어도 하나 이상은 양자점을 포함할 수 있다.
실시예의 양자점은 Ⅱ-Ⅳ족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
컬러 필터층은 블랙 매트릭스(390)를 포함할 수 있다. 예컨대, 블랙 매트릭스(390)는 제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380) 각각을 둘러쌀 수 있다. 블랙 매트릭스(390)는 광 흡수 기능을 가져, 제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380)으로부터 출력된 제2 내지 제4 광(420, 430, 440) 간의 크로스토크(crosstalk)을 방지하여 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 컬러 필터층(360 내지 380) 상에 기판(310)이 배치되어, 컬러 필터층(360 내지 380)을 보호할 수 있다. 기판(310)은 유리나 수지재로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 기판(310)은 커버 윈도우, 커버 글라스 등으로 불릴 수 있다.
도 16에 도시한 바와 같이, 실시예에서 제1 광(410)은 제1 하한값(161)과 제1 상한값(462)을 갖는 제1 파장 대역을 가질 수 있다.
실시예에서 제2 광(420)은 제2 하한값(471)과 제2 상한값(472)를 갖는 제2 파장 대역을 가질 수 있다. 예컨대, 제2 파장 대역은 제1 파장 대역을 포함할 수 있다. 제2 파장 대역은 제2 하한값(471)과 제2 상한값(472) 사이에 파장의 변곡점인 임계 파장값(P)을 가질 수 있다.
예컨대, 제2 파장 대역의 제2 하한값(471)과 임계 파장값(P) 사이의 제2-1 파장 대역은 제1 광(410)의 제1 파장 대역과 동일한 것으로서, 제1 컨버전층(330)에서 제1 광(410)의 컨버전없이 그대로 출력된 제1 광(410)의 파장 대역일 수 있다. 예컨대, 제2 파장 대역의 임계 파장값(P)와 제2 상한값(472) 사이의 제2-2 파장 대역은 제1 컨버전층(330)에서 제1 광(410)의 일부 광량이 컨버전되어 출력된 파장 대역일 수 있다.
예컨대, 제2-1 파장 대역의 광은 청색 광(412)이고, 제2-2 파장 대역의 공은 녹색 광(413)일 수 있다. 이러한 경우, 제2 광(420)의 녹색 광(413)의 세기는 제2 광(420)의 청색 광(412)의 세기의 1% 내지 10%일 수 있다. 제2-2 파장 대역의 광에 의해 제1 반도체 발광 소자(321)에서 출력된 제1 광(410)의 제1 주파장은 제1 컨버전층(330) 및 제1 컬러 필터(360)에 의해 제2 광(420)의 제2 주파장으로 컨버전될 수 있다. 즉, 도 15에 도시한 바와 같이, 제1 컨버전층(330)이 없는 종래에 제1 반도체 발광 소자(321)에서 출력된 제1 광(410)의 제1 주파장에 상응하는 색좌표에 위치될 때, 제1 컨버전층(330)에 의해 제1 광(410)의 제1 주파장이 제2 광(420)의 제2 주파장으로 컨버전되어 BT.2020 규격의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표에 위치될 수 있다. 따라서, 실시예의 제1 컨버전층(330)에 의해 색 재현율이 향상될 수 있다.
실시예에서 제2 광(420)은 제3 하한값(491)과 제3 상한값(492)를 갖는 제3 파장 대역을 가질 수 있다.
예컨대, 제2 광(420)의 제2 파장 대역의 제2 상한값(472)은 제1 광(410)의 제1 파장 대역의 제1 상한값(462)보다 클 수 있다. 예컨대, 제2 광(420)의 제2 파장 대역의 임계 파장값(P)은 제1 광(410)의 제1 파장 대역의 상한값(462)와 동일할 수 있다. 따라서, 제2 광(420)의 제2 파장 대역에서 임계 파장값(P)와 제2 상한값(472) 사이에 해당하는 제2-2 파장 대역에 의해 제1 광(410)의 제1 주파장이 제2 광(420)의 제2 주파장으로 컨버전될 수 있다.
예컨대, 제2 광(420)의 제3 파장 대역은 제2 광(420)의 제2 파장 대역과 중첩될 수 있다. 예컨대, 제2 광(420)의 제3 파장 파장 대역의 제3 상한값(482)는 제2 광(420)의 제2 파장 대역의 제2 상한값(472)보다 클 수 있다.
도 17은 실시예에 따른 컬러필터의 파장에 따른 투과 구간을 도시한다.
예컨대, 도 17에 도시한 바와 같이, 제1 컬러 필터(360), 제2 컬러 필터(370) 및 제3 컬러 필터(380) 각각은 50%50%의 투과율을 갖도록 설계될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.
예컨대, 제1 컬러 필터(360)는 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412) 및 녹색 광(413)을 필터링하는 것으로서, 예컨대 539nm 이하의 파장을 갖는 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(360)는 539nm의 상한값을 가질 수 있다. 제1 컬러 필터(360)의 하한값은 존재할 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 이에 따라, 제1 컬러 필터(360)는 제1 컨버전층(330)에서 출력된 청색 광(412) 및 녹색 광(413)을 그대로 통과시켜 제2 광(420)으로 출력할 수 있다.
예컨대, 제2 컬러 필터(370)는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색 광(414) 및 녹색 광(415)을 필터링하는 것으로서, 예컨대 480nm 내지 597nm에 대응하는 파장을 갖는 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 제2 컬러 필터(370)는 480nm의 하한값과 597nm의 상한값을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 컬러 필터(370)는 제2 컨버전층(340)에서 출력된 청색 광(414) 및 녹색 광(415) 중에서 480nm 미만의 파장을 갖는 청색 광을 차단시키고 480nm 이상의 파장을 갖는 녹색 광을 통과시켜 480nm 이상의 파장을 갖는 녹색 광을 제2 광(420)으로 출력할 수 있다.
예컨대, 제3 컬러 필터(380)는 제3 컨버전층(350)에서 출력된 청색 광(416) 및 적색 광(417)을 필터링하는 것으로서, 예컨대 606nm 이상의 파장을 갖는 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 제3 컬러 필터(380)는 606nm의 하한값을 가질 수 있다. 제3 컬러 필터(380)의 상한값은 존재할 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
이에 따라, 제3 컬러 필터(380)는 제3 컨버전층(350)에서 출력된 청색 광(416) 및 적색 광(417) 중에서 606nm 이상의 파장을 갖는 적색 광을 제4 광(440)으로 출력할 수 있다.
도 15 및 도 17에 도시한 바와 같이, 제1 컬러 필터(360)에 의해 투과된 제1 광(410)은 BT.2020의 삼각형의 제1 컬러 꼭지점(451)의 제2 색좌표에 위치되고, 제2 컬러 필터(370)에 의해 투과된 제2 광(420)은 BT.2020의 삼각형의 제2 컬러 꼭지점(452)의 제3 색좌표에 위치되며, 제3 컬러 필터(380)에 의해 투과된 제2 광(420)은 BT.2020의 삼각형의 제3 컬러 꼭지점(453)의 제4 색좌표에 의해 위치됨으로써, 색 재현율을 향상시킬 수 있다.
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.
실시예는 영상이나 정보를 디스플레이하는 디스플레이 분야에 채택될 수 있다.
실시예는 반도체 발광 소자를 이용한 영상이나 정보를 디스플레이하는 디스플레이 분야에 채택될 수 있다.

Claims (19)

  1. 제1 컬러 꼭지점, 제2 컬러 꼭지점 및 제3 컬러 꼭지점을 연결한 삼각형으로 정의된 색 재현율 규격을 갖는 컬러 영상을 디스플레이하기 위한 디스플레이 장치에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되어, 상기 삼각형의 외측에서 상기 제1 컬러 꼭지점으로부터 이격되어 위치된 제1 색좌표에 상응하는 제1 주파장의 제1 광을 생성하는 광원;
    상기 기판 상에 배치되어, 상기 제1 광을 서로 상이한 주파장을 갖는 복수의 광으로 컨버전하는 컨버전층; 및
    상기 컨버전층 상에 배치되는 컬러 필터층을 포함하고,
    상기 광원은,
    상기 기판의 복수의 컬러 영역 상에 배치되는 복수의 반도체 발광 소자를 포함하고,
    상기 컨버전층은,
    상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제1 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제1 컬러 꼭지점의 제2 색좌표에 상응하는 제2 주파장의 제2 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제2 광을 출력하는 제1 컨버전층;
    상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제2 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제2 컬러 꼭지점의 제3 색좌표에 상응하는 제3 주파장의 제3 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제3 광을 출력하는 제2 컨버전층; 및
    상기 기판의 상기 복수의 컬러 영역 중 적어도 하나 이상의 제3 컬러 영역 상에 배치되어, 상기 제1 광을 상기 제3 컬러 꼭지점의 제4 색좌표에 상응하는 제4 주파장의 제4 광으로 컨버전하여 상기 제1 광과 상기 제4 광을 출력하는 제2 컨버전층을 포함하고,
    상기 제1 컨버전층 및 상기 제2 컨버전층은 동일 물질을 포함하는
    디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광은 청색 광이고,
    상기 제2 및 제3 광 각각은 청색 광 및 녹색 광의 혼합 광인 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 광에서 상기 청색 광의 세기가 상기 녹색 광의 세기보다 크고,
    상기 제3 광에서 상기 녹색 광의 세기가 상기 청색 광의 세기보다 큰 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 광에서 상기 녹색 광의 세기는 상기 청색 광의 세기의 1% 내지 10%인 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 광의 제2 파장 대역의 제2 상한값은 상기 제1 광의 제1 파장 대역의 제1 상한값보다 큰 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 광의 제3 파장 대역은 상기 제2 광의 상기 제2 파장 대역과 중첩되는 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 광의 상기 제3 파장 대역의 상한값은 상기 제2 광의 상기 제2 파장 대역의 상기 상한값보다 큰 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컨버전층과 상기 제2 컨버전층은 녹색 형광체를 포함하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 컨버전층의 녹색 형광체의 밀도는 상기 제2 컨버전층의 녹색 형광체의 밀도보다 낮은 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 색좌표는 (0.1497, 0.0472)인 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 컨버전층과 상기 제2 컨버전층은 녹색 양자점을 포함하는 디스플레이 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 컨버전층의 녹색 양자점의 밀도는 상기 제2 컨버전층의 녹색 양자점의 밀도보다 낮은 디스플레이 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2 색좌표는 (0.1535, 0.0393)인 디스플레이 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주파장은 상기 제1 주파장보다 크고,
    상기 제3 주파장은 상기 제2 주파장보다 크며,
    상기 제4 주파장은 상기 제3 주파장보다 큰 디스플레이 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주파장은 380nm 내지 460nm 범위에서 설정되고,
    상기 제2 주파장은 460nm 내지 480nm 범위에서 설정되고,
    상기 제3 주파장은 520nm 내지 550nm 범위에서 설정되며,
    상기 제4 주파장은 600nm 내지 640nm 범위에서 설정되는 디스플레이 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 컬러 필터층은,
    상기 제1 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제2 광을 출력하는 제1 컬러 필터;
    상기 제2 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제3 광을 출력하는 제2 컬러 필터; 및
    상기 제3 컨버전층 상에 배치되어, 상기 제4 광을 출력하는 제3 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터는 539nm의 상한값을 가지고,
    상기 제2 컬러 필터는 480nm의 하한값과 597nm의 상한값을 갖는 디스플레이 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터급 반도체 발광 소자 및 나노미터급 반도체 발광 소자 중 하나를 포함하는 디스플레이 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 색 재현율 규격은 NTSC 규격, DCI-P3 규격, BT.709(또는 Rec. 709) 규격 및 BT.2020(또는 Rec. 2020) 규격 중 하나인 디스플레이 장치.
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