WO2022244166A1 - 温度推定装置及びコンバータシステム - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a temperature estimation device and a converter system.
  • a converter and an inverter are power conversion devices that convert DC power to AC power or power conversion from AC power to DC power.
  • the AC power supplied from the AC power supply is converted into DC power by a converter and sent to the DC link.
  • the DC power in the DC link is converted into AC power by an inverter, and this AC power is supplied as driving power to the motor provided for each drive shaft.
  • the DC link refers to a circuit portion that electrically connects the DC output side of the converter and the DC input side of the inverter. It is sometimes called a "DC intermediate circuit".
  • the method of grasping the temperature of the power semiconductor element or the vicinity of the power semiconductor element in the converter and inverter the method of estimating the junction temperature of the power semiconductor element by calculation, the case temperature of the power semiconductor element (mold surface temperature and base plate surface temperature)
  • the method of measuring the temperature a method of measuring the temperature of a radiator in contact with the power semiconductor element, and the like.
  • the method of estimating the junction temperature of the power semiconductor element by calculation is based on the current value flowing through the power semiconductor element and the thermal equivalent circuit, and the temperature of the junction part of the power semiconductor element is calculated by calculation processing by the arithmetic processing unit. It estimates a certain junction temperature.
  • a converter that converts AC voltage to DC voltage
  • an inverter that converts the DC voltage to AC voltage and drives a motor
  • a speed control unit that generates a torque command based on the speed command and the motor speed
  • the torque command and a torque control unit that generates a PWM signal based on the motor current and drives the inverter
  • a current detection unit that detects the motor current
  • an inverter temperature detection unit that detects the temperature of the inverter and generates an inverter temperature signal
  • the overload protection section receives the motor current from the inverter.
  • a junction temperature estimating unit that estimates a junction temperature based on the power element estimated loss and the inverter temperature; and a motor loss that is estimated from the motor current and the motor speed.
  • a motor control device characterized by comprising a section and a section (see, for example, Patent Document 1).
  • an elevator control device having an inverter device that drives and controls an AC motor that vertically drives an elevator car, a switching loss calculator that calculates an instantaneous switching loss when switching a semiconductor power element in the inverter device, an on-loss calculator that calculates an instantaneous on-loss when the semiconductor power element is turned on and a constant current is flowing;
  • a switching loss calculator that calculates an instantaneous switching loss when switching a semiconductor power element in the inverter device
  • an on-loss calculator that calculates an instantaneous on-loss when the semiconductor power element is turned on and a constant current is flowing
  • a temperature detecting means for detecting the temperature of a case in which the power element is mounted; calculating an increase in temperature difference between the junction temperature of each power element and the case temperature; A temperature estimating means for estimating the junction temperature of each power element, the junction temperature of each power element, and the allowable operating temperature of each power element are compared and calculated on the basis of the calculation results obtained by adding the temperatures of the case.
  • overheating abnormality determining means for determining that the power element is in an overheated state and outputting an overheating abnormality signal when the junction temperature is higher than the allowable operating temperature as a result of the calculation; and power cutoff signal output means for outputting a power cutoff signal for cutting off the gate of the power element when an overheating abnormality signal is input (for example, , see Patent Document 3.).
  • the voltage or current unbalance rate is small, so there is little variation in the junction temperatures of the multiple power semiconductor devices in the converter. Therefore, even if the junction temperature of the power semiconductor element is estimated based on one thermal equivalent circuit for the purpose of reducing the ratio of the junction temperature estimation process (for example, the CPU usage rate) in the arithmetic processing of the arithmetic processing unit, the calculation There is little divergence between the estimated value of the junction temperature and the true value of the junction temperature of each power semiconductor device.
  • the junction temperature estimation process of the power semiconductor element based on one thermal equivalent circuit allows the arithmetic processing unit to calculate It is possible to achieve both a reduction in processing load and highly accurate temperature estimation.
  • the voltage or current unbalance rate will increase. Variation in individual junction temperatures of a plurality of existing power semiconductor devices also increases.
  • the calculated estimated value of the junction temperature is It deviates greatly from the true value of the junction temperature for That is, a power semiconductor device appears that has a true value of junction temperature that greatly deviates from the calculated estimated value of junction temperature.
  • a temperature estimation device capable of calculating the junction temperature estimation value of the power semiconductor element provided in the converter with high accuracy, and the same. Realization of a converter system that includes
  • a temperature estimation device that calculates an estimated junction temperature value of a power semiconductor element provided in a converter that performs power conversion between AC power on a three-phase AC power supply side and DC power on a DC side is a current detection unit that detects the value of the current flowing through the power semiconductor element, a provisional junction temperature value calculated based at least on the value of the current detected by the current detection unit, and an impedance of the three-phase AC power supply connected to the converter.
  • a junction temperature estimating unit that calculates an estimated junction temperature of the power semiconductor element based on the balance ratio.
  • the converter system is provided with the temperature estimating device and a power semiconductor element, and the power semiconductor element turns on and off to generate alternating current power on the three-phase alternating current power supply side and direct current power on the direct current side.
  • a converter that performs power conversion with electric power, and the junction temperature estimator calculates an estimated junction temperature value of the power semiconductor element.
  • the unbalance factor of the three-phase AC power supply when the power quality of the three-phase AC power supply connected to the converter is poor, or when an abnormality such as an open phase occurs in the three-phase AC power supply, the unbalance factor of the three-phase AC power supply It is possible to realize a temperature estimating device and a converter system including the same that can calculate the junction temperature estimated value of the power semiconductor element provided in the converter with high accuracy even when the temperature is high. That is, according to one aspect of the present disclosure, since the ratio of the junction temperature estimation process (for example, the CPU usage rate) in the arithmetic processing of the arithmetic processing device is reduced, other arithmetic operations other than the temperature estimation processing are performed in the arithmetic processing device. The influence on processing can be suppressed.
  • the ratio of the junction temperature estimation process for example, the CPU usage rate
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a temperature estimating device and a converter system including the same according to first and fourth embodiments of the present disclosure
  • FIG. FIG. 4 is a diagram showing a modification of the unbalance rate calculator in the temperature estimating device and the converter system including the same according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the unbalance rate k calculated by the second calculation method of the temperature compensation coefficient and the temperature compensation coefficient A
  • 4 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the first embodiment of the present disclosure
  • FIG. 6 is a diagram showing a temperature estimating device and a converter system including the same according to a second embodiment of the present disclosure
  • 9 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the second embodiment of the present disclosure
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a temperature estimating device and a converter system including the same according to a third embodiment of the present disclosure
  • FIG. 11 is a flow chart showing an operation flow of a temperature estimation device according to a fourth embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 11 is a flow chart showing an operation flow of a temperature estimation device according to a fourth embodiment of the present disclosure
  • the load on the DC side of the converter system including the temperature estimation device includes a set of an inverter and an AC motor, a DC motor, and the like.
  • Machines provided with AC motors or DC motors include, for example, machine tools, press machines, injection molding machines, industrial machines, and various robots.
  • the type of AC motor is not particularly limited, and may be, for example, an induction motor or a synchronous motor.
  • the number of phases of the AC motor does not particularly limit the embodiments of the present disclosure, and may be three-phase or single-phase, for example. Note that the following description is similarly applicable to a case where a DC motor is provided as a load on the DC side of a converter system that includes a temperature estimating device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a diagram showing a temperature estimating device according to first and fourth embodiments of the present disclosure and a converter system including the same.
  • the temperature estimating device shown in FIG. 1 and the connection relationship of each element in the converter system including the same can also be applied to a fourth embodiment described later.
  • the converter system 100 includes a temperature estimation device 1 according to the first embodiment of the present disclosure, a converter 2, and a converter control device 3.
  • a three-phase AC power supply 4 is connected to the AC side of the converter 2 via, for example, a magnetic contactor (MCC) and a three-phase AC reactor.
  • MCC magnetic contactor
  • Examples of the three-phase AC power supply 4 include a three-phase AC 400V power supply, a three-phase AC 200V power supply, a three-phase AC 600V power supply, and the like.
  • the converter 2 in the converter system 100 includes a three-phase bridge circuit 31, a smoothing capacitor 32, a DC link capacitor 33, a precharging circuit 34, and a temperature detection element 35.
  • the three-phase bridge circuit 31 in the converter 2 can convert AC power to DC power. rectifier circuit, etc.
  • the three-phase bridge circuit 31 is a PWM switching control type rectifier circuit or a synchronous rectification type rectifier circuit.
  • the three-phase bridge circuit 31 has three legs corresponding to each of the three phases. Each leg has an upper arm and a lower arm.
  • each upper arm and each lower arm of the three-phase bridge circuit 31 includes a semiconductor switching element and an anti-parallel semiconductor switching element.
  • a power semiconductor component is provided comprising a diode connected to the Examples of semiconductor switching devices include IGBTs, FETs, thyristors, GTOs, and transistors.
  • each upper arm and each lower arm of the three-phase bridge circuit 31 is provided with a power semiconductor element composed of a diode.
  • the smoothing capacitor 32 is provided on the DC side of the three-phase bridge circuit 31 and has the function of suppressing the pulsation of the DC output from the three-phase bridge circuit 31 .
  • Examples of the smoothing capacitor 32 include, for example, an electrolytic capacitor and a film capacitor.
  • the DC link capacitor 33 is provided between the smoothing capacitor 32 and the DC side of the inverter 5, and has a function of accumulating DC power.
  • Examples of the DC link capacitor 33 include, for example, electrolytic capacitors and film capacitors.
  • a preliminary charging circuit (initial charging circuit) 34 is provided for preliminary charging (initial charging) of the DC link capacitor 33 before the inverter 5 starts operating.
  • the precharging circuit 34 has a switch that opens and closes the electric path between the three-phase bridge circuit 31 and the DC link capacitor 33, and a charging resistor that is connected in parallel with the switch. The switch is opened (turned off) during the pre-charging period from immediately after the inverter 5 is activated (immediately after the power is turned on) to before the normal operation of the inverter 5 starts.
  • the switch Since the switch is kept open during the pre-charging period, the current output from the three-phase bridge circuit 31 flows into the DC link capacitor 33 as a charging current through the charging resistor, and the DC link capacitor 33 is charged (pre-charged). ) is done. During the pre-charging period, the current output from the three-phase bridge circuit 31 flows through the charging resistor, thus preventing the occurrence of rush current.
  • the switch When the DC link capacitor 33 is charged to a predetermined voltage, the switch is switched from open to closed, completing precharging by the precharging circuit 34 . After the preliminary charging is completed, the current output from the three-phase bridge circuit 31 flows through the closed switch to the inverter 5 and the DC link capacitor 33 connected to the DC link.
  • the temperature detection element 35 is an element that is provided near the power semiconductor element and whose output changes as the temperature of the temperature detection element 35 changes. A signal output from the temperature detection element 35 is sent to the ambient temperature detection section 14 in the temperature estimation device 1, which will be described later.
  • Examples of the temperature detection element 35 include, for example, a PTC thermistor, an NTC thermistor, and a platinum resistance thermometer.
  • the converter control device 3 in the converter system 100 includes a switching control section 41 and a DC link section voltage detection section 42 .
  • the DC link section voltage detection section 42 detects the DC link capacitor voltage value, which is the potential difference between both ends of the DC link capacitor 33 .
  • This capacitor voltage value corresponds to the DC link voltage value. That is, the value of the potential difference between the positive potential appearing at the positive terminal on the DC output side of the three-phase bridge circuit 31 and the negative potential appearing at the negative terminal on the DC output side of the three-phase bridge circuit 31 is the DC link capacitor voltage. value.
  • the DC link capacitor voltage value detected by the DC link section voltage detection section 42 is sent to the switching control section 41 and also sent to a host control device (not shown) for controlling the inverter 5 .
  • the switching control unit 41 receives a drive command from a host controller (not shown), a DC link capacitor voltage value detected by a DC link voltage detection unit 42, and a converter 2 detected by a current detection unit 11, which will be described later. Based on the value of the input current (the value of the current flowing through the power semiconductor element) and the value of the voltage across the terminals on the three-phase AC power supply side of the converter 2 detected by the voltage detection unit 13 described later, the three-phase bridge A switching command is generated to instruct the semiconductor switching element of each power semiconductor element in the circuit 31 to turn on and off. The generated switching command is sent to a drive circuit (not shown) for the semiconductor switching element. The drive circuit applies a gate voltage to each semiconductor switching element for turning on/off the semiconductor switching element according to the content of the switching command.
  • the current detection unit 11 and the voltage detection unit 13 are shared by the temperature estimation device 1 and the converter control device 3 .
  • temperature estimation device 1 and converter control device 3 may be provided with separate current detection units and voltage detection units.
  • An arithmetic processing unit (processor) is provided in the converter control device 3 .
  • This arithmetic processing unit has the switching control section 41 and the DC link section voltage detection section 42 described above.
  • Each of these units of the arithmetic processing unit is, for example, a functional module realized by a computer program executed on the processor.
  • the switching control section 41 and the DC link section voltage detection section 42 are constructed in the form of a computer program, the function of each section can be realized by operating the arithmetic processing unit according to this computer program.
  • a computer program for executing each process of the switching control section 41 and the DC link section voltage detection section 42 is provided in a form recorded in a computer-readable recording medium such as a semiconductor memory, a magnetic recording medium, or an optical recording medium.
  • the switching control section 41 and the DC link section voltage detection section 42 may be realized as a semiconductor integrated circuit into which a computer program for realizing the function of each section is written.
  • An inverter 5 is connected to the DC side of the converter 2 .
  • the inverter 5 is composed of a switching element and a diode bridge circuit connected in antiparallel thereto. Examples of switching elements include IGBTs, FETs, thyristors, GTOs, and transistors, but other semiconductor elements may also be used.
  • the motor 6 is a three-phase AC motor, so the inverter 5 is configured with a three-phase bridge circuit. If the motor 6 is a single-phase AC motor, the inverter 5 is configured with a single-phase bridge circuit.
  • the on/off operation of internal switching elements is PWM-controlled based on commands from a host control device (not shown), thereby converting DC power in the DC link into AC power to drive the motor 6 on the AC input/output side. , the AC power regenerated by the deceleration of the motor 6 is converted into DC power and returned to the DC link.
  • the motor 6 has its speed, torque, or rotor position controlled based on the AC power supplied from the inverter 5 .
  • a host controller that controls the inverter 5 may be composed of a combination of an analog circuit and an arithmetic processing unit, or may be composed of only an arithmetic processing unit. Arithmetic processing devices that can constitute a host controller that controls the inverter 5 include, for example, ICs, LSIs, CPUs, MPUs, and DSPs.
  • the temperature estimation device 1 calculates the junction temperature estimated value of the power semiconductor element provided in the three-phase bridge circuit 31 inside the converter 2 .
  • Temperature estimating device 1 includes current detector 11 , junction temperature estimator 12 , voltage detector 13 , ambient temperature detector 14 , temperature comparator 15 , and alarm output unit 16 .
  • the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor elements provided in the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 (the value of the current input to the converter 2).
  • the current value detected by the current detection unit 11 is sent to the provisional value calculation unit 23 in the junction temperature estimation unit 12 and the switching control unit 41 in the converter control device 3 .
  • Current detection unit 11 may be shared with the current detection unit provided in converter control device 3 .
  • the voltage detection unit 13 detects the value of the inter-terminal voltage (line voltage) on the three-phase AC power supply 4 side of the converter 2 .
  • the value of the inter-terminal voltage detected by voltage detection unit 13 is sent to provisional value calculation unit 23 and unbalance rate calculation unit 21 in junction temperature estimation unit 12 and switching control unit 41 in converter control device 3 .
  • Voltage detection unit 13 may be shared with the voltage detection unit provided in converter control device 3 .
  • the ambient temperature detection unit 14 detects the ambient temperature of the power semiconductor element based on the signal sent from the temperature detection element 35 provided near the power semiconductor element.
  • the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detector 14 is sent to the provisional value calculator 23 in the junction temperature estimator 12 .
  • junction temperature estimator 12 calculates the power based on the junction temperature provisional value calculated based at least on the value of the current detected by current detector 11 and the unbalance rate of three-phase AC power supply 4 connected to converter 2. A junction temperature estimate of a semiconductor device is calculated. Therefore, the junction temperature estimator 12 has an unbalance rate calculator 21 , a temperature compensation coefficient calculator 22 , a provisional value calculator 23 , and an estimated value calculator 24 .
  • the provisional value calculation unit 23 calculates the current value detected by the current detection unit 11, the terminal voltage value detected by the voltage detection unit 13, and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14. Based on this, the provisional junction temperature value of the power semiconductor element is calculated.
  • the junction temperature provisional value is the value of the junction temperature estimated when the three-phase AC power supply 4 is in equilibrium, that is, the value estimated without considering the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 .
  • a provisional junction temperature value T j1 of the power semiconductor element can be expressed as shown in Equation (1).
  • W be the power generated by the current flowing through the power semiconductor element.
  • the predetermined unit reference power of the power semiconductor element is W 0
  • the temperature rise rate per unit reference power W 0 of the power semiconductor element is defined as " ⁇ T/W 0 " (constant).
  • Ta is the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14
  • is the thermal time constant, and the time during which power is generated in the power semiconductor element (current is not flowing in the power semiconductor element time) is t.
  • the ambient temperature Ta of the power semiconductor element in Equation 1 is substantially constant
  • setting the ambient temperature Ta of the power semiconductor element in Equation 1 as a constant allows the ambient temperature
  • the temperature detection section 14 and the temperature detection element 35 may be omitted.
  • the unbalance rate calculator 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 .
  • the unbalance rate calculator 21 calculates the voltage unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 based on the value of the terminal voltage (line voltage) detected by the voltage detector 13. do.
  • the unbalance rate of the voltage of the three-phase AC power supply 4 can be calculated according to a known formula.
  • two methods for calculating the unbalance rate of the voltage of the three-phase AC power supply 4 are listed as examples.
  • the sources of the two calculation methods are the website of the Japan Electrical Engineers Association (https://jeea.or.jp/course/contents/05102/).
  • the first method of calculating the unbalance rate of the voltage of the three-phase AC power supply 4 is as follows.
  • the inter-terminal voltage average value E avg can be expressed as shown in Equation 2.
  • the positive-sequence voltage E 1 can be expressed as in Equation 3.
  • the negative-sequence voltage E 2 can be expressed as in Equation 4.
  • the three-phase AC power supply 4 voltage unbalance rate k can be expressed as in Equation 5.
  • the second method of calculating the unbalance rate of the voltage of the three-phase AC power supply 4 is as follows.
  • Equation 2 the terminal voltage average value E avg is given by Equation 2 above.
  • Equation (6) the maximum value E diffmax of the absolute values of the differences between the terminal voltages ERS , E ST and E TR and the terminal voltage average value E avg.
  • Equation 7 the three-phase AC power supply 4 can be expressed as Equation 7.
  • the unbalance rate calculation unit 21 calculates the voltage unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 based on the value of the terminal voltage detected by the voltage detection unit 13, for example, according to Equation 5 or Equation 7 described above. .
  • the unbalance rate calculation unit 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 based on the value of the current detected by the current detection unit 11 (the value of the current input to the converter 2).
  • the current imbalance rate of the power supply 4 may be calculated.
  • FIG. 2 is a diagram showing a modification of the unbalance rate calculator in the temperature estimating device and the converter system including the same according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the current value detected by the current detector 11 is sent to the unbalance rate calculator 21 .
  • the unbalance rate calculator 21 calculates the current unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 based on the current value detected by the current detector 11 .
  • the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 calculated by the unbalance rate calculator 21 is sent to the temperature compensation coefficient calculator 22 .
  • a temperature compensation coefficient calculator 22 calculates a temperature compensation coefficient based on the unbalance rate.
  • the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculator 22 is sent to the estimated value calculator 24 .
  • the estimated value calculator 24 outputs a value obtained by multiplying the junction temperature provisional value and the temperature compensation coefficient as the junction temperature estimated value of the power semiconductor element.
  • junction temperature provisional value the junction temperature provisional value
  • temperature compensation coefficient the junction temperature estimated value
  • the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 according to Equation 1 is the value of the junction temperature estimated when the three-phase AC power supply 4 is balanced (not unbalanced). Calculated according to Equation 1 based on the value of the current detected by the current detection unit 11 and the value of the voltage detected by the voltage detection unit 13 under the condition that the three-phase AC power supply 4 is balanced (not unbalanced) Since the provisional junction temperature value is a value close to the true value of the junction temperature, even if the provisional value of the junction temperature is estimated as the junction temperature of the power semiconductor element as it is (that is, even if it is used as the junction temperature estimation value), there is no error. Few.
  • the junction calculated according to Equation 1 based on the current value detected by the current detection unit 11 and the voltage value detected by the voltage detection unit 13 under the condition that the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 is large The provisional temperature value deviates greatly from the true value of the junction temperature for some of the plurality of power semiconductor devices. Therefore, in the first embodiment of the present disclosure, the divergence between the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 and the true value of the junction temperature under the condition that the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 is large is A temperature compensation coefficient that reflects the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 is calculated as a parameter for reducing the junction temperature of the power semiconductor device. Confirm as a value.
  • the first method of calculating the temperature compensation coefficient is as follows.
  • the unbalance rate k is calculated by the second method of calculating the unbalance rate of the voltage of the three-phase AC power supply 4 described above.
  • ERS is the minimum value among the inter-terminal voltages ERS , EST , and ETR in Equation 6, Equation 8 holds.
  • Equation 9 is obtained.
  • Equation 10 The power W RS generated in the R-phase or S-phase power semiconductor element when the voltage E RS is applied between the R-phase and the S-phase when the voltage of the three-phase AC power supply 4 is unbalanced is given by Equation 10. can be expressed as
  • Equation 11 the power W RS generated in the R-phase or S-phase power semiconductor element when the voltage E RS is applied between the R-phase and the S-phase when the voltage of the three-phase AC power supply 4 is balanced is given by Equation 11: can be expressed as
  • Equation 11 If the power W RS when the voltage of the three-phase AC power supply 4 shown in Equation 11 is balanced is multiplied by the coefficient A shown in Equation 12, the power W RS when the voltage of the three-phase AC power supply 4 is unbalanced shown in Equation 10 is I know you can get it.
  • the coefficient A shown in Equation 12 is used to reduce the divergence between the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 and the true value of the junction temperature under the condition that the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 is large. Used as a temperature compensation coefficient. For example, when the unbalance rate k is 0%, the temperature compensation coefficient A is 1.
  • the temperature compensation coefficient calculator 22 calculates the temperature compensation coefficient A using the unbalance rate k calculated by the unbalance rate calculator 21 according to Equation 12, and sends the temperature compensation coefficient A to the estimated value calculator 24. .
  • the estimated value calculation unit 24 estimates the junction temperature of the power semiconductor element by multiplying the junction temperature provisional value shown in Equation 1 by the temperature compensation coefficient A calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22, for example. Output as a value.
  • the second method of calculating the temperature compensation coefficient is as follows.
  • a second method of calculating the temperature compensation coefficient is an experimental three-phase AC power supply capable of outputting a line-to-line voltage with an arbitrary unbalance rate of 0% to 100% through experiments prior to the actual operation of converter system 100. is operated to obtain the relational expression between the unbalance rate and the temperature compensation coefficient.
  • the junction temperature of each power semiconductor element in the three-phase bridge circuit 31 was actually measured by outputting a line voltage with a specific unbalance rate between 0% and 100% from the experimental three-phase AC power supply.
  • the temperature compensation coefficient A for the particular unbalance rate is calculated.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between the unbalance rate k calculated by the second calculation method of the temperature compensation coefficient and the temperature compensation coefficient A.
  • black circles indicate temperature compensation coefficients A corresponding to unbalance ratios k of 0% to 30% obtained by experiments.
  • An approximate expression representing the relationship between the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A is obtained from the values of the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A obtained by experiment.
  • the relationship between the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A is obtained by linear approximation (linear function), but a function other than the linear function may be used as the approximate expression.
  • the approximation expression representing the relationship between the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A may be calculated with one interval from 0% to 100% of the unbalance rate.
  • the range from 0% to 100% of the unbalance rate may be divided into a plurality of sections, and an approximation expression showing the relationship between the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A may be obtained for each section.
  • An approximate expression representing the relationship between the unbalance rate k and the temperature compensation coefficient A obtained by experiment is stored in advance in the temperature compensation coefficient calculator 22 .
  • the temperature compensation coefficient calculation unit 22 calculates the temperature compensation coefficient A corresponding to the unbalance rate k calculated by the unbalance rate calculation unit 21 according to the approximate expression, and sends the temperature compensation coefficient A to the estimated value calculation unit 24. .
  • the estimated value calculation unit 24 estimates the junction temperature of the power semiconductor element by multiplying the junction temperature provisional value shown in Equation 1 by the temperature compensation coefficient A calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22, for example. Output as a value.
  • the junction temperature estimated value of the power semiconductor element is obtained by multiplying the junction temperature provisional value shown in Equation 1 by the temperature compensation coefficient A calculated by the temperature compensation coefficient calculator 22 . That is, the junction temperature estimated value T j2 of the power semiconductor element can be expressed as shown in Equation (13).
  • the electric power W generated in the power semiconductor element is multiplied by the value obtained by squaring the current detected by the current detection unit 11 and the value of the resistance component of the power semiconductor element. I'm looking for it.
  • the current value detected by the current detector 11 may be multiplied by the forward voltage Vf of the power semiconductor or the collector-emitter saturation voltage V CE (sat).
  • Equation 14 the temperature rise rate ⁇ T, the resistance R of the power semiconductor element, and the reference power W 0 of the power semiconductor element are assumed to be constant values for simplifying the calculation, and the constant M shown in Equation 15 is introduced.
  • Equation 15 Substituting Equation 15 into Equation 14 yields the junction temperature provisional value T j1 given by Equation 16.
  • the provisional value calculation unit 23 calculates the provisional junction temperature of the power semiconductor element based on the value of the current detected by the current detection unit 11 and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14 according to Equation 16. value can be calculated. Therefore, the junction temperature estimated value T j2 can be expressed as shown in Equation (17).
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 as described above is displayed on, for example, a display unit (not shown).
  • the display unit include a stand-alone display device, a display device attached to the host controller, a display device attached to the temperature estimation device 1, a display device attached to the converter system 100, and a display device attached to the motor drive device equipped with the converter system 100. and display devices attached to personal computers and mobile terminals.
  • the junction temperature estimated value calculated by the temperature estimation device 1 may be output by sound from an acoustic device (not shown).
  • the operator can accurately and accurately grasp the junction temperature estimation value of the power semiconductor device.
  • junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 as described above is sent to the temperature comparator 15 .
  • the temperature comparison unit 15 compares the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculation unit 24 in the junction temperature estimation unit 12 with a predetermined temperature threshold. A result of the comparison by the temperature comparison section 15 is sent to the alarm output section 16 .
  • the temperature threshold is, for example, a temperature several tens of percent lower than the temperature at which the power semiconductor device is destroyed by overheating, a temperature several tens of percent lower than the temperature at which the converter system 100 is destroyed by overheating the power semiconductor device, or The temperature may be set to a temperature several tens of percent higher than the rated temperature predetermined for the power semiconductor element or the converter system.
  • the numerical values given here are only examples, and other numerical values may be used.
  • the converter system 100 is operated by experiment or actual operation, or the relationship between the application environment of the converter system 100 and the presence or absence of alarm output by the alarm output unit 16 is determined in advance by computer simulation.
  • the temperature threshold may be set.
  • the set temperature threshold is stored in a storage unit (not shown). Note that a storage unit (not shown) that stores the temperature threshold can be rewritten by an external device, so that even after the temperature threshold has been set once, it can be changed to an appropriate value as necessary.
  • the alarm output unit 16 outputs an alarm when the comparison result by the temperature comparison unit 15 indicates that the junction temperature estimated value is equal to or higher than the temperature threshold.
  • the alarm output from the alarm output unit 16 is sent to, for example, a display unit (not shown), and the display unit displays, for example, "overheating of the power semiconductor element" to notify the operator.
  • Examples of the display unit include a stand-alone display device, a display device attached to the host controller, a display device attached to the temperature estimation device 1, a display device attached to the converter system 100, and a display device attached to the motor drive device equipped with the converter system 100. and display devices attached to personal computers and mobile terminals.
  • the alarm output from the alarm output unit 16 is sent to, for example, audio equipment (not shown).
  • the alarm output from the alarm output unit 16 is sent to a light-emitting device (not shown) such as an LED or a lamp, and the light-emitting device emits light when receiving the alarm, thereby telling the operator, "The power semiconductor element overheating”.
  • the alarm output from the alarm output unit 16 is sent to, for example, an audio device (not shown), and the audio device emits a sound such as voice, speaker, buzzer, chime, etc. when receiving the alarm.
  • the operator is notified of "overheating of the power semiconductor element". Thereby, the operator can reliably and easily grasp the overheating of the power semiconductor element. For example, the operator can easily take action such as emergency stopping of converter system 100 or replacement of the power semiconductor element.
  • the alarm output from alarm output unit 16 may be used for protective operation of converter system 100 , or may be used for protective operation of a motor drive device including converter system 100 .
  • FIG. 4 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimation process of the power semiconductor element in the temperature estimation device 1 according to the first embodiment of the present disclosure and the converter system 100 including the same is performed when the converter system 100 is connected to the three-phase AC power supply 4 and actually operated. cyclically.
  • step S101 the voltage detection unit 13 detects the value of the inter-terminal voltage of the converter 2 on the three-phase AC power supply 4 side.
  • the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor element provided in the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 (the value of the current input to the converter 2).
  • the ambient temperature detection unit 14 detects the ambient temperature of the power semiconductor element based on the signal sent from the temperature detection element 35 .
  • the unbalance rate calculator 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4.
  • the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 to be calculated may be a voltage unbalance rate or a current unbalance rate.
  • step S103 the temperature compensation coefficient calculator 22 uses the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculator 21 to calculate the temperature compensation coefficient.
  • step S104 the provisional value calculation unit 23 calculates the value of the current detected by the current detection unit 11, the value of the inter-terminal voltage detected by the voltage detection unit 13, and the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14.
  • a provisional junction temperature value of the power semiconductor device is calculated based on the ambient temperature.
  • step S105 the estimated value calculation unit 24 multiplies the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 by the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22, Output as the junction temperature estimate of the device.
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 is sent to the temperature comparator 15 .
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 may be displayed on, for example, a display unit (not shown), or may be output by sound from an acoustic device (not shown).
  • step S106 the temperature comparator 15 compares the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 with a predetermined temperature threshold. If it is determined in step S106 that the estimated junction temperature is equal to or higher than the temperature threshold, the process proceeds to step S107, and if it is determined that the estimated junction temperature is less than the temperature threshold, the process returns to step S101.
  • step S107 the alarm output unit 16 outputs an alarm.
  • steps S101 to S107 described above are periodically and repeatedly executed until an alarm is output by the alarm output unit 16 in step S107.
  • a value obtained by multiplying the junction temperature provisional value and the temperature compensation coefficient is output as the junction temperature estimation value or the junction temperature It switches whether to output the temperature provisional value as it is as the junction temperature estimated value.
  • FIG. 5 is a diagram showing a temperature estimating device and a converter system including the same according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimating device 1 according to the second embodiment of the present disclosure is obtained by adding a current comparing section 25 to the junction temperature estimating section 12 in the temperature estimating device 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 or FIG. . That is, the junction temperature estimator 12 further has a current comparator 25 .
  • the current value detected by the current detection unit 11 is sent to the current comparison unit 25 in addition to the provisional value calculation unit 23 in the junction temperature estimation unit 12 and the switching control unit 41 in the converter control device 3 .
  • the current comparator 25 compares the current value detected by the current detector 11 with a predetermined current threshold. A result of comparison by the current comparator 25 is sent to the estimated value calculator 24 .
  • the current threshold is set to, for example, 60% of the rated current of the power semiconductor device, but the numerical values given here are only examples, and other numerical values may be used. Further, for example, the converter system 100 is operated by experiment or actual operation, or the relationship between the application environment of the converter system 100 and the presence or absence of alarm output by the alarm output unit 16 is determined in advance by computer simulation. , the current threshold may be set. The set current threshold is stored in a storage unit (not shown). A storage unit (not shown) that stores the current threshold can be rewritten by an external device, so that even after the current threshold has been set once, it can be changed to an appropriate value as necessary.
  • the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 is considered to be close to the true value. Therefore, in the second embodiment of the present disclosure, when the current flowing through the power semiconductor element is small, the unbalance rate calculator 21 and the temperature compensation coefficient calculator 22 are not operated, and the junction temperature provisional value is used as the junction temperature estimator. By determining, the calculation load of the arithmetic processing unit that constitutes the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is reduced.
  • the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 deviates greatly from the true value. it is conceivable that. Therefore, in the second embodiment of the present disclosure, when the current flowing through the power semiconductor element is large, the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 and the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22 By determining the value obtained by multiplying by as the junction temperature estimated value, priority is given to improving the accuracy of the temperature estimation process over reducing the calculation load.
  • the estimated value calculator 24 calculates the junction temperature provisionally calculated by the provisional value calculator 23. A value obtained by multiplying the value by the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculator 22 is output as the junction temperature estimated value. If the comparison result by the current comparator 25 indicates that the value of the current detected by the current detector 11 is less than the current threshold, the estimated value calculator 24 determines the junction calculated by the provisional value calculator 23. Output the temperature provisional value as it is as the junction temperature estimated value.
  • the configuration and operation other than the current detecting unit 11, the estimated value calculating unit 24, and the current comparing unit 25 are described with reference to FIG. Since the configuration and operation are the same as those described above, the description is omitted.
  • FIG. 6 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimation process of the power semiconductor element in the temperature estimation device 1 according to the second embodiment of the present disclosure and the converter system 100 including the same is performed when the converter system 100 is connected to the three-phase AC power supply 4 and actually operated. cyclically.
  • step S201 the voltage detection unit 13 detects the value of the inter-terminal voltage of the converter 2 on the three-phase AC power supply 4 side.
  • the ambient temperature detection unit 14 detects the ambient temperature of the power semiconductor element based on the signal sent from the temperature detection element 35 .
  • the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor elements provided in the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 (the value of the current input to the converter 2).
  • step S203 the current comparator 25 compares the current value detected by the current detector 11 with a predetermined current threshold. If it is determined in step S203 that the value of the current detected by the current detection unit 11 is equal to or greater than the current threshold, the process proceeds to step S204. If so, the process proceeds to step S208.
  • the unbalance rate calculator 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4.
  • the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 to be calculated may be a voltage unbalance rate or a current unbalance rate.
  • step S205 the temperature compensation coefficient calculator 22 uses the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculator 21 to calculate the temperature compensation coefficient.
  • step S ⁇ b>206 the provisional value calculation unit 23 calculates the value based on the value of the current detected by the current detection unit 11 , the value of the resistance component of the power semiconductor element, and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14 . to calculate a provisional junction temperature value of the power semiconductor element.
  • step S207 the estimated value calculation unit 24 multiplies the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 by the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22, and calculates the value obtained by multiplying the temperature compensation coefficient by the temperature compensation coefficient calculation unit 22. Output as the junction temperature estimate of the device.
  • step S203 determines whether the value of the current detected by the current detection unit 11 is less than the current threshold.
  • the provisional value calculation unit 23 calculates the current value detected by the current detection unit 11 in step S208.
  • a temporary junction temperature value of the power semiconductor element is calculated based on the value, the value of the resistance component of the power semiconductor element, and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14 .
  • step S209 the estimated value calculator 24 outputs the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculator 23 as the junction temperature estimated value of the power semiconductor element.
  • junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in steps S207 and S209 is sent to the temperature comparator 15 .
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 may be displayed on, for example, a display unit (not shown), or may be output by sound from an acoustic device (not shown).
  • step S210 the temperature comparator 15 compares the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 with a predetermined temperature threshold. If it is determined in step S210 that the estimated junction temperature is greater than or equal to the temperature threshold, the process proceeds to step S211, and if it is determined that the estimated junction temperature is less than the temperature threshold, the process returns to step S201.
  • step S211 the alarm output unit 16 outputs an alarm.
  • steps S201 to S211 described above are periodically and repeatedly executed until an alarm is output by the alarm output unit 16 in step S211.
  • the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 do not operate. Calculation load of the arithmetic processing unit constituting the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is reduced. Therefore, compared to the first embodiment, the second embodiment of the present disclosure reduces the ratio of the junction temperature estimation process (for example, the CPU usage rate) in the arithmetic processing of the arithmetic processing unit, while reducing the accuracy of the junction temperature estimated value. can increase In steps S206 and S208, the junction temperature provisional value of the power semiconductor element is calculated as the resistance component of the power semiconductor element based on the forward voltage V f and the collector-emitter saturation voltage V CE (sat) of the power semiconductor element. may
  • a value obtained by multiplying a provisional junction temperature value and a temperature compensation coefficient according to the magnitude of the current flowing through the power semiconductor element and the unbalance rate of the three-phase AC power supply is used as the junction. It switches between outputting the temperature estimated value and outputting the junction temperature provisional value as it is as the junction temperature estimated value.
  • FIG. 7 is a diagram showing a temperature estimating device and a converter system including the same according to a third embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimating device 1 according to the third embodiment of the present disclosure has the junction temperature estimating unit 12 in the temperature estimating device 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 26 is added. That is, the junction temperature estimator 12 further includes a current comparator 25 and an unbalance rate comparator 26 .
  • the current value detected by the current detection unit 11 is sent to the current comparison unit 25 in addition to the provisional value calculation unit 23 in the junction temperature estimation unit 12 and the switching control unit 41 in the converter control device 3 .
  • the current comparator 25 compares the current value detected by the current detector 11 with a predetermined current threshold.
  • the current threshold is set to, for example, 60% of the rated current of the power semiconductor device, but the numerical values given here are only examples, and other numerical values may be used.
  • a result of comparison by the current comparator 25 is sent to the estimated value calculator 24 .
  • the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculator 21 is sent to the unbalance rate comparator 26 in addition to the temperature compensation coefficient calculator 22 .
  • the unbalance rate comparison unit 26 compares the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculation unit 21 with a predetermined unbalance rate threshold. A result of comparison by the unbalance rate comparing section 26 is sent to the estimated value calculating section 24 .
  • the imbalance rate threshold is set to, for example, 2%, but the numerical values given here are merely examples, and other numerical values may be used. Further, for example, the converter system 100 is operated by experiment or actual operation, or the relationship between the application environment of the converter system 100 and the presence or absence of alarm output by the alarm output unit 16 is determined in advance by computer simulation. may set the imbalance rate threshold.
  • the set imbalance rate threshold is stored in a storage unit (not shown). A storage unit (not shown) that stores the unbalanced rate threshold can be rewritten by an external device, so that even after the unbalanced rate threshold has been set once, it can be changed to an appropriate value as necessary. be able to.
  • the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 is considered to be close to the true value. Therefore, in the third embodiment of the present disclosure, when the current flowing through the power semiconductor element is small, the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 are not operated, and the junction temperature provisional value is used as the junction temperature estimated value. , the calculation load of the arithmetic processing unit constituting the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is reduced.
  • the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is not operated and the junction temperature provisional value is calculated. By determining the junction temperature estimated value as it is, the calculation load of the arithmetic processing unit constituting the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is reduced.
  • the junction temperature provisional value deviated greatly from the true value. Therefore, in the third embodiment of the present disclosure, when the current flowing through the power semiconductor element is large, the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 and the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22 By determining the value obtained by multiplying by as the junction temperature estimated value, priority is given to improving the accuracy of the temperature estimation process over reducing the calculation load.
  • the estimated value calculation unit 24 indicates that the comparison result by the current comparison unit 25 indicates that the value of the current detected by the current detection unit 11 is equal to or greater than the current threshold, and the comparison result by the unbalance rate comparison unit 26 indicates that the unbalance rate is calculated.
  • the unbalance rate calculated by the section indicates that the unbalance rate is equal to or higher than the unbalance rate threshold
  • the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation section 23 and the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation section 22 are combined. is output as the junction temperature estimate. If the comparison result by the current comparator 25 indicates that the value of the current detected by the current detector 11 is less than the current threshold, the estimated value calculator 24 determines the junction calculated by the provisional value calculator 23.
  • the estimated value calculation unit 24 indicates that the comparison result by the current comparison unit 25 indicates that the value of the current detected by the current detection unit 11 is equal to or greater than the current threshold, and the unbalance calculated by the unbalance ratio comparison unit 26 If the ratio is less than the unbalance rate threshold value, the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculator 23 is directly output as the junction temperature estimated value.
  • the current detection unit 11 the unbalance rate calculation unit 21, the estimated value calculation unit 24, the current comparison unit 25, and the unbalance rate comparison unit
  • the configuration and operation other than 26 are the same as the configuration and operation described with reference to FIG. 1, so description thereof will be omitted.
  • FIG. 8 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimation process of the power semiconductor element in the temperature estimation device 1 according to the third embodiment of the present disclosure and the converter system 100 including the same is performed when the converter system 100 is connected to the three-phase AC power supply 4 and actually operated. cyclically.
  • step S301 the voltage detection unit 13 detects the value of the inter-terminal voltage of the converter 2 on the three-phase AC power supply 4 side.
  • the ambient temperature detection unit 14 detects the ambient temperature of the power semiconductor element based on the signal sent from the temperature detection element 35 .
  • the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor elements provided in the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 (the value of the current input to the converter 2).
  • step S303 the current comparator 25 compares the current value detected by the current detector 11 with a predetermined current threshold. If it is determined in step S303 that the value of the current detected by the current detection unit 11 is equal to or greater than the current threshold, the process proceeds to step S304. If so, the process proceeds to step S309.
  • step S ⁇ b>304 the unbalance rate calculator 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 .
  • the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 to be calculated may be a voltage unbalance rate or a current unbalance rate.
  • step S305 the unbalance rate comparison unit 26 compares the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculation unit 21 with a predetermined unbalance rate threshold. If it is determined in step S305 that the unbalanced rate calculated by the unbalanced rate calculator 21 is equal to or greater than the unbalanced rate threshold, the process proceeds to step S306, where the unbalanced rate calculated by the unbalanced rate calculator 21 is If it is determined that the imbalance rate is less than the threshold, the process proceeds to step S309.
  • step S306 the temperature compensation coefficient calculation unit 22 uses the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculation unit 21 to calculate the temperature compensation coefficient.
  • step S ⁇ b>307 the provisional value calculation unit 23 calculates the value based on the value of the current detected by the current detection unit 11 , the value of the resistance component of the power semiconductor element, and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14 . to calculate a provisional junction temperature value of the power semiconductor element.
  • step S308 the estimated value calculation unit 24 multiplies the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculation unit 23 by the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22, and calculates the power semiconductor Output as the junction temperature estimate of the device.
  • step S303 determines whether the value of the current detected by the current detection unit 11 is less than the current threshold, or if the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculation unit 21 in step S305 is less than the unbalance rate threshold .
  • step S309 the provisional value calculation unit 23 calculates the current value detected by the current detection unit 11, the terminal voltage value detected by the voltage detection unit 13, and the ambient temperature detection unit A provisional junction temperature value of the power semiconductor element is calculated based on the ambient temperature of the power semiconductor element detected by 14 .
  • step S310 the estimated value calculator 24 outputs the junction temperature provisional value calculated by the provisional value calculator 23 as the junction temperature estimated value of the power semiconductor element.
  • junction temperature estimated values calculated by the estimated value calculator 24 in steps S308 and S310 are sent to the temperature comparator 15 .
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 may be displayed on, for example, a display unit (not shown), or may be output by sound from an acoustic device (not shown).
  • step S311 the temperature comparator 15 compares the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 with a predetermined temperature threshold. If it is determined in step S311 that the estimated junction temperature is equal to or higher than the temperature threshold, the process proceeds to step S312, and if it is determined that the estimated junction temperature is less than the temperature threshold, the process returns to step S301.
  • step S312 the alarm output unit 16 outputs an alarm.
  • steps S301 to S312 described above are periodically and repeatedly executed until an alarm is output by the alarm output unit 16 in step S311.
  • the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 do not operate. Calculation load of the arithmetic processing unit constituting the unbalance rate calculation unit 21 and the temperature compensation coefficient calculation unit 22 is reduced. Therefore, compared to the first embodiment, the third embodiment of the present disclosure reduces the ratio of the junction temperature estimation process (for example, the CPU usage rate) in the arithmetic processing of the arithmetic processing unit, while reducing the accuracy of the junction temperature estimated value.
  • the junction temperature estimation process for example, the CPU usage rate
  • step S305 If it is determined in step S305 that the unbalanced rate calculated by the unbalanced rate calculator 21 is less than the unbalanced rate threshold value, the temperature compensation coefficient calculator 22 does not operate, and the temperature compensation coefficient calculator 22 is The calculation load of the constituent arithmetic processing unit is reduced. Therefore, compared to the second embodiment, the third embodiment of the present disclosure reduces the ratio of the junction temperature estimation process (for example, the CPU usage rate) in the arithmetic processing of the arithmetic processing unit, while reducing the accuracy of the junction temperature estimated value. can increase
  • the fourth embodiment of the present disclosure detects the value of the current flowing through the power semiconductor element for each phase of the converter, and calculates the junction temperature estimation value of the power semiconductor element through which the maximum current flows.
  • connection relationship of each element in the temperature estimating device and the converter system including the same according to the fourth embodiment of the present disclosure is the connection of each element in the temperature estimating device and the converter system including the same according to the first embodiment shown in FIG. Same as relationship.
  • each operation of the provisional value calculation unit 23 and the estimated value calculation unit 24 in the current detection unit 11 and the junction temperature estimation unit 12 according to the fourth embodiment of the present disclosure is the same as that of the current detection unit 11 and the current detection unit 24 according to the first embodiment.
  • the operations of the provisional value calculator 23 and the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 are different. Specifically, it is as follows.
  • the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor elements of the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 for each phase of the converter. That is, the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the R-phase power semiconductor element, the value of the current flowing through the S-phase power semiconductor element, and the current flowing through the T-phase power semiconductor element of the three-phase bridge circuit 31. Detect value. The current value of each phase detected by the current detector 11 is sent to the provisional value calculator 23 .
  • the junction temperature estimating unit 12 estimates the maximum current value based on the junction temperature provisional value calculated based at least on the maximum value among the current values of the respective phases detected by the current detecting unit 11 and the unbalance rate. Calculates the junction temperature estimation value of the power semiconductor element through which the current flows.
  • the operations of the provisional value calculator 23 and the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 are described in more detail below.
  • the provisional value calculator 23 identifies the maximum current value among the phase currents detected by the current detector 11, and compares the maximum current value and the current detected by the voltage detector 13. Based on the value of the inter-terminal voltage and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14, a provisional junction temperature value of the power semiconductor element through which the maximum current flows is calculated.
  • the estimated value calculator 24 multiplies the provisional value of the junction temperature of the power semiconductor element through which the maximum current calculated by the provisional value calculation unit 23 flows by the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22. The obtained value is output as the junction temperature estimation value of the power semiconductor element through which the maximum current flows.
  • thermoestimating device 1 In the temperature estimating device 1 according to the fourth embodiment of the present disclosure and the converter system 100 including the same, configurations and operations other than the current detecting unit 11 and the provisional value calculating unit 23 and the estimated value calculating unit 24 in the junction temperature estimating unit 12 is the same as the configuration and operation described with reference to FIG. 1, so description thereof will be omitted.
  • FIG. 9 is a flow chart showing the operation flow of the temperature estimation device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • the temperature estimation process of the power semiconductor element in the temperature estimation device 1 and the converter system 100 including the temperature estimation device 1 according to the fourth embodiment of the present disclosure is performed when the converter system 100 is connected to the three-phase AC power supply 4 and actually operated. cyclically.
  • step S401 the voltage detection unit 13 detects the value of the inter-terminal voltage of the converter 2 on the three-phase AC power supply 4 side.
  • the ambient temperature detection unit 14 detects the ambient temperature of the power semiconductor element based on the signal sent from the temperature detection element 35 .
  • step S402 the current detection unit 11 detects the value of the current flowing through the power semiconductor element of the three-phase bridge circuit 31 of the converter 2 (the value of the current of each phase input to the converter 2) as described above. Detect for each phase of the converter. The current value of each phase detected by the current detector 11 is sent to the provisional value calculator 23 .
  • step S403 the provisional value calculator 23 identifies the maximum current value among the phase currents detected by the current detector 11 .
  • step S404 the unbalance rate calculator 21 calculates the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4.
  • the unbalance rate of the three-phase AC power supply 4 to be calculated may be a voltage unbalance rate or a current unbalance rate.
  • step S405 the temperature compensation coefficient calculation unit 22 uses the unbalance rate calculated by the unbalance rate calculation unit 21 to calculate the temperature compensation coefficient.
  • step S403 The order of the processing in step S403 and the processing in steps S404 and S405 may be changed.
  • step S ⁇ b>406 the provisional value calculation unit 23 calculates the maximum current value specified in step S ⁇ b>403 , the value of the resistance component of the power semiconductor element, and the ambient temperature of the power semiconductor element detected by the ambient temperature detection unit 14 . Based on this, the provisional junction temperature value of the power semiconductor element through which the current having the maximum value flows is calculated.
  • the estimated value calculation unit 24 calculates the junction temperature provisional value of the power semiconductor element through which the maximum current calculated by the provisional value calculation unit 23 flows, and the temperature compensation coefficient calculated by the temperature compensation coefficient calculation unit 22. A value obtained by multiplying is output as an estimated junction temperature value of the power semiconductor device through which the current having the maximum value flows.
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in step S ⁇ b>407 is sent to the temperature comparator 15 .
  • the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 may be displayed on, for example, a display unit (not shown), or may be output by sound from an acoustic device (not shown).
  • step S408 the temperature comparator 15 compares the junction temperature estimated value calculated by the estimated value calculator 24 in the junction temperature estimator 12 with a predetermined temperature threshold. If it is determined in step S408 that the estimated junction temperature is greater than or equal to the temperature threshold, the process proceeds to step S409, and if it is determined that the estimated junction temperature is less than the temperature threshold, the process returns to step S401.
  • step S409 the alarm output unit 16 outputs an alarm.
  • steps S401 to S409 described above are periodically and repeatedly executed until an alarm is output by the alarm output unit 16 in step S408.
  • the power semiconductor element provided in the phase through which the maximum current flows has the greatest heat generation, and is highly likely to be damaged and shortened in life.
  • whether or not to output an alarm is determined based on the estimated junction temperature of the power semiconductor device through which the maximum current flows, so the power semiconductor device is more reliably protected from overheating. It is possible to reduce the possibility of damage and shortening of the life of the power semiconductor element.
  • An arithmetic processing device is provided in the temperature estimation device 1 according to the first to fourth embodiments.
  • This arithmetic processing unit has the current detection unit 11, the junction temperature estimation unit 12, the voltage detection unit 13, the ambient temperature detection unit 14, the temperature comparison unit 15, and the alarm output unit 16 described above.
  • Each of these units of the arithmetic processing unit is, for example, a functional module realized by a computer program executed on the processor.
  • the arithmetic processing unit is By operating according to the program, the function of each part can be realized.
  • a computer program for executing each process of the current detection unit 11, the junction temperature estimation unit 12, the voltage detection unit 13, the ambient temperature detection unit 14, the temperature comparison unit 15, and the alarm output unit 16 includes a semiconductor memory and a magnetic recording medium. Alternatively, it may be provided in a form recorded on a computer-readable recording medium such as an optical recording medium.
  • the current detection unit 11, the junction temperature estimation unit 12, the voltage detection unit 13, the ambient temperature detection unit 14, the temperature comparison unit 15, and the alarm output unit 16 are implemented by a semiconductor integrated circuit in which a computer program for realizing the functions of each unit is written. It may be realized as a circuit.

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Abstract

三相交流電源側の交流電力と直流側における直流電力との間で電力変換を行うコンバータに設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する温度推定装置は、パワー半導体素子に流れる電流の値を検出する電流検出部と、電流検出部により検出された電流の値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値とコンバータに接続される三相交流電源の不平衡率とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出するジャンクション温度推定部と、を備える。

Description

温度推定装置及びコンバータシステム
 本発明は、温度推定装置及びコンバータシステムに関する。
 コンバータ及びインバータは、直流電力から交流電力への変換または交流電力から直流電力への電力変換を行う電力変換装置である。例えば工作機械、鍛圧機械、射出成形機、産業機械、あるいは各種ロボット内のモータを駆動するモータ駆動装置においては、交流電源から供給される交流電力をコンバータにて直流電力に変換してDCリンクへ出力し、さらにインバータにてDCリンクにおける直流電力を交流電力に変換して、この交流電力を駆動軸ごとに設けられたモータに駆動電力として供給している。ここで、DCリンクとは、コンバータの直流出力側とインバータの直流入力側とを電気的に接続する回路部分のことを指し、「DCリンク部」、「直流リンク」、「直流リンク部」または「直流中間回路」などとも称されることもある。
 コンバータ及びインバータ内に設けられたパワー半導体素子に電流が流れると、コンバータ及びインバータは発熱する。特に、PWM制御方式のコンバータ及びインバータにおいては、パワー半導体素子の定常損失や、パワー半導体素子のスイッチング動作に起因するスイッチング損失と逆回復損失により、パワー半導体素子が発熱することで、パワー半導体素子の温度が上昇する。パワー半導体素子の温度が定格温度を超えて過熱状態になると、コンバータ及びインバータ内のパワー半導体素子の破損や寿命短縮をもたらす。このため、コンバータ及びインバータの運用にあたってはパワー半導体素子またはパワー半導体素子近傍の温度をできるだけ正確に把握し、パワー半導体素子を過熱から保護することが求められている。
 コンバータ及びインバータ内のパワー半導体素子またはパワー半導体素子近傍の温度を把握する方法として、パワー半導体素子のジャンクション温度を計算により推定する方法、パワー半導体素子のケース温度(モールド表面温度及びベースプレート表面温度)を測定する方法、パワー半導体素子と接触している放熱器の温度を測定する方法などがある。
 このうち、パワー半導体素子のジャンクション温度を計算により推定する方法は、パワー半導体素子に流れる電流値と熱等価回路とに基づいて、演算処理装置による計算処理により、パワー半導体素子のジャンクション部の温度であるジャンクション温度を推定するものである。
 例えば、交流電圧を直流電圧に変換するコンバータと、前記直流電圧を交流電圧に変換しモータを駆動するインバータと、速度指令とモータ速度に基づいてトルク指令を生成する速度制御部と、前記トルク指令とモータ電流に基づいてPWM信号を生成しインバータを駆動するトルク制御部と、前記モータ電流を検出する電流検出部と、前記インバータの温度を検出しインバータ温度信号を生成するインバータ温度検出部と、モータ温度信号と前記インバータ温度信号と前記モータ電流と前記モータ速度に基づいてトルク制限信号を生成する過負荷保護部とを備えるモータ制御装置において、前記過負荷保護部は、前記モータ電流から前記インバータのパワー素子推定ロスを生成するパワー素子ロス推定部と、前記パワー素子推定ロスと前記インバータ温度に基づいてジャンクション温度を推定するジャンクション温度推定部と、前記モータ電流と前記モータ速度からモータロスを推定するモータロス推定部と、前記モータ推定ロスと前記モータ温度信号からコイル温度を推定するコイル温度推定部と、前記ジャンクション推定温度と前記コイル推定温度に基づいてトルク制限信号またはアラーム信号を生成する過負荷処理部と、を備えることを特徴とするモータ制御装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
 例えば、エレベータかごを上下方向に運転する交流電動機を駆動制御するインバータ装置を有するエレベータ制御装置において、前記インバータ装置内半導体パワー素子のスイッチングする時の瞬時のスイッチングロスを演算するスイッチングロス演算器と、前記半導体パワー素子がオンし、一定電流が流れている時の瞬時のオンロスを演算するオンロス演算器と、を備え、これらスイッチングロス及びオンロスより瞬時のジャンクション温度上昇を推定し、このジャンクション温度に応じて前記パワー素子に対する負荷を軽減するようにしたことを特徴とするエレベータ制御装置が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
 直流を所望の交流に変換するインバータを用いて、PWM制御によって負荷を駆動する駆動装置に備えられ、前記インバータを構成する複数のパワー素子の過熱を保護するパワー素子過熱保護装置において、前記複数のパワー素子を被装するケースの温度を検出する温度検出手段と、前記パワー素子毎のジャンクション温度と前記ケース温度との間の温度差の上昇分を演算し、得られる温度差の上昇分に前記ケースの温度を加算し、演算の結果により、前記パワー素子毎のジャンクション温度を推定する温度推定手段と、前記パワー素子毎のジャンクション温度と、前記パワー素子毎の許容動作温度とをそれぞれ比較演算し、演算の結果により、ジャンクション温度が許容動作温度に比べて高いとき、パワー素子が過熱状態であると判定し、過熱異常信号を出力する過熱異常判定手段と、前記過熱異常判定手段から少なくとも1つの過熱異常信号を入力した場合には、前記パワー素子のゲートを遮断する電力遮断信号を出力する電力遮断信号出力手段と、を備えることを特徴とするパワー素子過熱保護装置が知られている(例えば、特許文献3参照。)。
特開2009-261078号公報 特開平11-255442号公報 特開2008-131722号公報
 一般に、コンバータに接続される三相交流電源が正常であれば電圧または電流の不平衡率が小さいことから、コンバータ内に存在する複数のパワー半導体素子の個々のジャンクション温度のばらつきは少ない。したがって、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)を軽減することを目的として1つの熱等価回路に基づいてパワー半導体素子のジャンクション温度を推定したとしても、算出されたジャンクション温度の推定値と各パワー半導体素子が有するジャンクション温度の真値との乖離は少ない。このように、コンバータに接続される三相交流電源の電圧または電流の不平衡率が小さい場合は、1つの熱等価回路に基づくパワー半導体素子のジャンクション温度の推定処理にて、演算処理装置の計算処理の負担の軽減と高精度の温度推定とを両立することができる。
 しかしながら、コンバータに接続される三相交流電源の電力品質が劣っている場合や三相交流電源に欠相などの異常が発生した場合は電圧または電流の不平衡率が大きくなるので、コンバータ内に存在する複数のパワー半導体素子の個々のジャンクション温度のばらつきも大きくなる。三相交流電源の不平衡率が大きい状況の下で1つの熱等価回路に基づいてパワー半導体素子のジャンクション温度を推定すると、算出されたジャンクション温度の推定値は、複数のパワー半導体素子のいくつかについてのジャンクション温度の真値から大きく乖離したものとなる。すなわち、算出されたジャンクション温度の推定値から大きく外れたジャンクション温度の真値を有するパワー半導体素子が出現してしまう。複数のパワー半導体素子の各々のジャンクション温度を正確に推定するために各パワー半導体素子ごとに熱等価回路を設定してジャンクション温度推定処理を実行することも考えられるが、この場合、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)が大きくなり、ジャンクション温度推定処理以外の他の演算処理に影響を与えてしまう可能性がある。また、他の演算処理への影響を抑えるために、高性能の演算処理装置を用いることが考えられるが、そのような演算処理装置は高価である。したがって、コンバータに接続される三相交流電源の不平衡率が高い場合においても、コンバータ内に設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を高精度に算出することができる温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムの実現が望まれている。
 本開示の一態様によれば、三相交流電源側の交流電力と直流側における直流電力との間で電力変換を行うコンバータに設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する温度推定装置は、パワー半導体素子に流れる電流の値を検出する電流検出部と、電流検出部により検出された電流の値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値とコンバータに接続される三相交流電源の不平衡率とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出するジャンクション温度推定部とを備える。
 また、本開示の一態様によれば、コンバータシステムは、上記温度推定装置と、パワー半導体素子が設けられ、パワー半導体素子がオンオフ動作することにより三相交流電源側の交流電力と直流側における直流電力との間で電力変換を行うコンバータと、を備え、ジャンクション温度推定部は、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する。
 本開示の一態様によれば、コンバータに接続される三相交流電源の電力品質が劣っている場合や三相交流電源に欠相などの異常が発生した場合など三相交流電源の不平衡率が高い場合においても、コンバータ内に設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を高精度に算出することができる温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを実現することができる。すなわち、本開示の一態様によれば、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)を軽減されるので、当該演算処理装置において温度推定処理以外の他の演算処理への影響を抑えることができる。
本開示の第1及び第4の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。 本開示の第1の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムにおける不平衡率算出部の変形例を示す図である。 温度補償係数の第2の算出方法により算出された不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を例示する図である。 本開示の第1の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。 本開示の第2の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。 本開示の第2の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。 本開示の第3の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。 本開示の第4の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。 本開示の第4の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。
 以下図面を参照して、温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムについて説明する。理解を容易にするために、図面は縮尺を適宜変更している。また、図面に示される形態は実施するための一つの例であり、図示された形態に限定されるものではない。
 本開示の実施形態による温度推定装置を備えるコンバータシステムの直流側の負荷としては、インバータと交流モータとからなる組、及び、直流モータなどがある。交流モータまたは直流モータが設けられる機械には、例えば、工作機械、鍛圧機械、射出成形機、産業機械、あるいは各種ロボットなどが含まれる。
 以下、一例として、本開示の実施形態による温度推定装置を備えるコンバータシステムの直流側の負荷として、インバータ及び交流モータが設けられる例について説明する。交流モータの種類は特に限定されず、例えば誘導モータであっても同期モータであってもよい。また、交流モータの相数は本開示の実施形態を特に限定するものではなく、例えば三相であっても単相であってもよい。なお、本開示の実施形態による温度推定装置を備えるコンバータシステムの直流側の負荷として直流モータが設けられる場合についても、以下の説明は同様に適用可能である。
 まず、本開示の第1の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムについて説明する。
 図1は、本開示の第1及び第4の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。図1に示す温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムにおける各要素の接続関係は、後述する第4の実施形態にも適用可能である。
 コンバータシステム100は、本開示の第1の実施形態による温度推定装置1と、コンバータ2と、コンバータ制御装置3とを備える。コンバータ2の交流側には、例えば電磁接触器(MCC)及び三相交流リアクトルを介して、三相交流電源4が接続される。三相交流電源4の一例を挙げると、三相交流400V電源、三相交流200V電源、三相交流600V電源などがある。
 コンバータシステム100内のコンバータ2は、三相ブリッジ回路31と、平滑コンデンサ32と、DCリンクコンデンサ33と、予備充電回路34と、温度検出素子35とを備える。
 コンバータ2内の三相ブリッジ回路31は、交流電力を直流電力に変換することができるものであればよく、例えば、PWMスイッチング制御方式の整流回路、同期整流方式の整流回路、及びダイオード整流方式の整流回路などがある。図1に示す例では、一例として、三相ブリッジ回路31を、PWMスイッチング制御方式の整流回路または同期整流方式の整流回路としている。
 三相ブリッジ回路31は、三相の各相に対応する3つのレグを有する。各レグは、上アーム及び下アームを有する。コンバータ2がPWMスイッチング制御方式の整流回路または同期整流方式の整流回路で構成される場合、三相ブリッジ回路31の各上アーム及び各下アームには、半導体スイッチング素子とこの半導体スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとからなるパワー半導体素子が設けられる。半導体スイッチング素子の例としては、IGBT、FET、サイリスタ、GTO、及びトランジスタなどがある。コンバータ2がダイオード整流方式の整流回路で構成される場合、三相ブリッジ回路31の各上アーム及び各下アームには、ダイオードからなるパワー半導体素子が設けられる。
 平滑コンデンサ32は、三相ブリッジ回路31の直流側に設けられ、三相ブリッジ回路31からの直流出力の脈動分を抑える機能を有する。平滑コンデンサ32の例としては、例えば電解コンデンサやフィルムコンデンサなどがある。
 DCリンクコンデンサ33は、平滑コンデンサ32とインバータ5の直流側との間に設けられ、直流電力を蓄積する機能を有する。DCリンクコンデンサ33の例としては、例えば電解コンデンサやフィルムコンデンサなどがある。
 インバータ5の動作開始前までにDCリンクコンデンサ33を予備充電(初期充電)するために、予備充電回路(初期充電回路)34が設けられる。予備充電回路34は、三相ブリッジ回路31とDCリンクコンデンサ33との間の電路を開閉するスイッチとスイッチに並列接続された充電抵抗とを有する。インバータ5の起動直後(電源投入直後)からインバータ5の通常動作開始前までの予備充電期間中、スイッチは開放(オフ)する。予備充電期間中は、スイッチは開状態を維持するので、三相ブリッジ回路31から出力される電流は充電抵抗を介して充電電流としてDCリンクコンデンサ33へ流れ込み、DCリンクコンデンサ33は充電(予備充電)される。予備充電期間中は、三相ブリッジ回路31から出力される電流は充電抵抗を流れるので、突入電流の発生を防ぐことができる。DCリンクコンデンサ33が所定の電圧まで充電されると、スイッチは開から閉に切り替えられ、予備充電回路34による予備充電を完了する。予備充電完了後は、三相ブリッジ回路31から出力される電流は、閉状態にあるスイッチを通じて、DCリンクに接続されたインバータ5及びDCリンクコンデンサ33へ向けて流れることになる。
 温度検出素子35は、パワー半導体素子の近傍に設けられ、温度検出素子35の温度変化に伴い出力が変化する素子である。温度検出素子35から出力された信号は、後述する温度推定装置1内の周囲温度検出部14に送られる。温度検出素子35の例としては、例えば、PTCサーミスタ、NTCサーミスタ、及び白金測温抵抗体などがある。
 コンバータシステム100内のコンバータ制御装置3は、スイッチング制御部41とDCリンク部電圧検出部42とを備える。
 DCリンク部電圧検出部42は、DCリンクコンデンサ33の両端の電位差であるDCリンクコンデンサ電圧値を検出する。このコンデンサ電圧値は、直流リンク電圧値に相当する。すなわち、三相ブリッジ回路31の直流出力側の正側端子に現れる正電位と三相ブリッジ回路31の直流出力側の負側端子に現れる負電位との間の電位差の値が、DCリンクコンデンサ電圧値である。DCリンク部電圧検出部42により検出されたDCリンクコンデンサ電圧値は、スイッチング制御部41に送られ、また、インバータ5を制御するための上位制御装置(図示せず)にも送られる。
 スイッチング制御部41は、上位制御装置(図示せず)から受信した駆動指令、DCリンク部電圧検出部42により検出されたDCリンクコンデンサ電圧値、後述する電流検出部11により検出されたコンバータ2に入力される電流の値(パワー半導体素子に流れる電流の値)、及び後述する電圧検出部13により検出されたコンバータ2の三相交流電源側の端子間電圧の値などに基づいて、三相ブリッジ回路31内の各パワー半導体素子の半導体スイッチング素子に対してオン及びオフを指令するスイッチング指令を生成する。生成されたスイッチング指令は、半導体スイッチング素子のドライブ回路(図示せず)に送られる。ドライブ回路は、スイッチング指令の内容に応じて半導体スイッチング素子をオンオフするためのゲート電圧を各半導体スイッチング素子に印加する。
 なお、図1に示す例では、電流検出部11及び電圧検出部13については、温度推定装置1とコンバータ制御装置3とで共用している。この代替例として、温度推定装置1とコンバータ制御装置3とで別々に電流検出部及び電圧検出部を設けてもよい。
 コンバータ制御装置3内には演算処理装置(プロセッサ)が設けられる。この演算処理装置は、上述したスイッチング制御部41及びDCリンク部電圧検出部42を有する。演算処理装置が有するこれらの各部は、例えば、プロセッサ上で実行されるコンピュータプログラムにより実現される機能モジュールである。例えば、スイッチング制御部41及びDCリンク部電圧検出部42をコンピュータプログラム形式で構築する場合は、演算処理装置をこのコンピュータプログラムに従って動作させることで、各部の機能を実現することができる。スイッチング制御部41及びDCリンク部電圧検出部42の各処理を実行するためのコンピュータプログラムは、半導体メモリ、磁気記録媒体または光記録媒体といった、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録された形で提供されてもよい。またあるいは、スイッチング制御部41及びDCリンク部電圧検出部42を、各部の機能を実現するコンピュータプログラムを書き込んだ半導体集積回路として実現してもよい。
 コンバータ2の直流側には、インバータ5が接続される。インバータ5は、スイッチング素子及びこれに逆並列に接続されたダイオードのフリッジ回路からなる。スイッチング素子の例としては、IGBT、FET、サイリスタ、GTO、及びトランジスタなどがあるが、その他の半導体素子であってもよい。図1に示す例では、モータ6を三相交流モータとしたので、インバータ5は三相ブリッジ回路で構成される。モータ6が単相交流モータである場合は、インバータ5は単相ブリッジ回路で構成される。インバータ5は、上位制御装置(図示せず)の指令に基づき内部のスイッチング素子のオンオフ動作がPWM制御されることで、DCリンクにおける直流電力を交流電力に変換して交流入出力側のモータ6へ供給するとともに、モータ6の減速により回生された交流電力を直流電力に変換してDCリンクへ戻す。モータ6は、インバータ5から供給される交流電力に基づいて、速度、トルクまたは回転子の位置が制御される。インバータ5を制御する上位制御装置は、アナログ回路と演算処理装置との組み合わせで構成されてもよく、あるいは演算処理装置のみで構成されてもよい。インバータ5を制御する上位制御装置を構成し得る演算処理装置には、例えばIC、LSI、CPU、MPU、DSPなどがある。
 本開示の第1の実施形態による温度推定装置1は、コンバータ2内の三相ブリッジ回路31に設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する。温度推定装置1は、電流検出部11と、ジャンクション温度推定部12と、電圧検出部13と、周囲温度検出部14と、温度比較部15と、アラーム出力部16とを備える。
 電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31内に設けられたパワー半導体素子に流れる電流の値(コンバータ2に入力される電流の値)を検出する。電流検出部11により検出された電流の値は、ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及びコンバータ制御装置3内のスイッチング制御部41に送られる。なお、電流検出部11は、コンバータ制御装置3に設けられる電流検出部と共用であってもよい。
 電圧検出部13は、コンバータ2の三相交流電源4側の端子間電圧(線間電圧)の値を検出する。電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値は、ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及び不平衡率算出部21並びにコンバータ制御装置3内のスイッチング制御部41に送られる。なお、電圧検出部13は、コンバータ制御装置3に設けられる電圧検出部と共用であってもよい。
 周囲温度検出部14は、パワー半導体素子の近傍に設けられた温度検出素子35から送られてきた信号に基づいてパワー半導体素子の周囲温度を検出する。周囲温度検出部14によって検出されたパワー半導体素子の周囲温度は、ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23に送られる。
 ジャンクション温度推定部12は、電流検出部11により検出された電流の値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値とコンバータ2に接続される三相交流電源4の不平衡率とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する。このため、ジャンクション温度推定部12は、不平衡率算出部21と、温度補償係数算出部22と、暫定値算出部23と、推定値算出部24と、を有する。
 暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値と電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。ジャンクション温度暫定値は、三相交流電源4が平衡である状態において推定されるジャンクション温度の値であり、すなわち三相交流電源4の不平衡率については考慮せずに推定される値である。
 パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値Tj1は、式1のように表すことができる。式1において、パワー半導体素子に電流が流れることにより生じる電力をWとする。また、式1において、予め規定されたパワー半導体素子の単位基準電力をW0とし、パワー半導体素子の単位基準電力W0当たりの温度上昇率を「ΔT/W0」(定数)と定義する。また、式1において、周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度をTa、熱時定数をτ、パワー半導体素子に電力が生じている時間(パワー半導体素子に電流が流れている時間)をtとしている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 式1において、パワー半導体素子に生じる電力Wは、電流検出部11により検出された電流の値の二乗とパワー半導体素子の抵抗成分の値とを乗算することによって求めることができる。例えば、パワー半導体素子の抵抗をR、パワー半導体素子に流れる電流をIとしたとき、パワー半導体素子に生じる電力Wは、「W=R×I2」となる。よって、暫定値算出部23は、式1に従って、電流検出部11により検出された電流の値と電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。なお、例えばコンバータ2の設置場所の温度がほぼ一定であるような場合には、式1においてパワー半導体素子の周囲温度Taを定数(すなわちコンバータ2の設置場所の温度)とすることで、周囲温度検出部14及び温度検出素子35を省略してもよい。
 不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率を算出する。図1に示す例では、不平衡率算出部21は、電圧検出部13により検出された端子間電圧(線間電圧)の値に基づいて、三相交流電源4の電圧の不平衡率を算出する。
 三相交流電源4の電圧の不平衡率は、公知の式に従って算出することができる。ここで、三相交流電源4の電圧の不平衡率の算出方法について、一例として2つ列記する。2つの算出方法の出典元は、公益社団法人日本電気技術者協会のホームページ(https://jeea.or.jp/course/contents/05102/)である。
 三相交流電源4の電圧の不平衡率の第1の算出方法について説明すると次の通りである。
 電圧検出部13により検出された三相RSTの端子間電圧(線間電圧)の値をERS、EST及びETRとすると、端子間電圧平均値Eavgは式2のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 正相電圧E1は、式3のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 逆相電圧E2は、式4のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 よって、三相交流電源4の電圧の不平衡率の第1の算出方法によれば、式3に示す正相電圧E1及び式4に示す逆相電圧E2を用いて、三相交流電源4の電圧の不平衡率kは、式5のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
 三相交流電源4の電圧の不平衡率の第2の算出方法について説明すると次の通りである。
 電圧検出部13により検出された三相RSTの端子間電圧(線間電圧)の値をERS、EST、及びETRとすると、端子間電圧平均値Eavgは上述の式2のように表すことができる。このとき、各端子間電圧ERS、EST及びETRと端子間電圧平均値Eavgとの差の絶対値の最大値Ediffmaxは式6のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
 よって、三相交流電源4の電圧の不平衡率の第2の算出方法によれば、式2に示す端子間電圧平均値Eavg及び式6に示すEdiffmaxを用いて、三相交流電源4の電圧の不平衡率kは、式7のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
 不平衡率算出部21は、例えば、上述した式5または式7に従って、電圧検出部13により検出された端子間電圧の値に基づいて、三相交流電源4の電圧の不平衡率を算出する。
 なお、不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率として、電流検出部11により検出された電流の値(コンバータ2に入力される電流の値)に基づいて、三相交流電源4の電流の不平衡率を算出してもよい。図2は、本開示の第1の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムにおける不平衡率算出部の変形例を示す図である。電流検出部11により検出された電流の値は、不平衡率算出部21に送られる。不平衡率算出部21は、電流検出部11により検出された電流の値に基づいて、三相交流電源4の電流の不平衡率を算出する。三相交流電源4の電流の不平衡率を算出にあたっては、例えば、上述した式5または式7の「電圧の値」を「電流の値」に置き換えた式を用いればよい。図2において、不平衡率算出部21以外の回路構成要素については図1に示す回路構成要素と同様であるので、同一の回路構成要素には同一符号を付して当該回路構成要素についての詳細な説明は省略する。
 不平衡率算出部21により算出された三相交流電源4の不平衡率は、温度補償係数算出部22に送られる。温度補償係数算出部22は、不平衡率に基づいて温度補償係数を算出する。温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数は、推定値算出部24に送られる。推定値算出部24は、ジャンクション温度暫定値と温度補償係数とを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 ここで、ジャンクション温度暫定値、温度補償係数、及びジャンクション温度推定値について、より詳細に説明する。
 上述したように、式1に従って暫定値算出部23によって算出されたジャンクション温度暫定値は、三相交流電源4が平衡である(不平衡ではない)状況において推定されるジャンクション温度の値である。三相交流電源4が平衡である(不平衡ではない)状況の下で電流検出部11により検出された電流の値及び電圧検出部13により検出された電圧の値に基づいて式1に従って算出されたジャンクション温度暫定値は、ジャンクション温度の真値に近い値であるので、当該ジャンクション温度暫定値をそのままパワー半導体素子のジャンクション温度と推定しても(すなわちジャンクション温度推定値として用いても)誤差は少ない。
 しかしながら、三相交流電源4の不平衡率が大きい状況の下で電流検出部11により検出された電流の値及び電圧検出部13により検出された電圧の値に基づいて式1に従って算出されたジャンクション温度暫定値は、複数のパワー半導体素子のいくつかについてのジャンクション温度の真値から大きく乖離したものとなる。そこで、本開示の第1の実施形態では、三相交流電源4の不平衡率が大きい状況の下で暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値とジャンクション温度の真値との乖離を小さくするためのパラメータとして三相交流電源4の不平衡率を反映した温度補償係数を算出し、ジャンクション温度暫定値と温度補償係数とを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として確定する。
 ここで、温度補償係数の算出方法について、一例として2つ列記する。
 温度補償係数の第1の算出方法について説明すると次の通りである。
 例えば、上述した三相交流電源4の電圧の不平衡率の第2の算出方法にて不平衡率kを算出する。このとき、式6において、端子間電圧ERS、EST及びETRのうち、最小値がERSであると仮定すると、式8が成り立つ。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
 式8について式7を用いて変形すると、式9が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
 三相交流電源4の電圧の不平衡時おいてR相とS相との間に電圧ERSが印加されるときにR相またはS相のパワー半導体素子に生じる電力WRSは、式10のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 一方、三相交流電源4の電圧の平衡時おいてR相とS相との間に電圧ERSが印加されるときにR相またはS相のパワー半導体素子に生じる電力WRSは、式11のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
 式11に示す三相交流電源4の電圧の平衡時の電力WRSに式12に示す係数Aを乗算すれば、式10に示す三相交流電源4の電圧の不平衡時の電力WRSが得られることが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 式12に示す係数Aを、三相交流電源4の不平衡率が大きい状況の下で暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値とジャンクション温度の真値との乖離を小さくするための温度補償係数として用いる。例えば不平衡率kが0%のときは温度補償係数Aは1となる。温度補償係数算出部22は、式12に従って、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率kを用いて温度補償係数Aを算出し、この温度補償係数Aを推定値算出部24へ送る。推定値算出部24は、例えば、式1で示されるジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数Aとを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 温度補償係数の第2の算出方法について説明すると次の通りである。
 温度補償係数の第2の算出方法は、コンバータシステム100の実際の運用前の実験により、0%~100%の任意の不平衡率の線間電圧を出力することができる実験用三相交流電源を接続したコンバータシステム100を動作させて不平衡率と温度補償係数との関係式を求めるものである。実験では、実験用三相交流電源から0%~100%のうちの特定の不平衡率の線間電圧を出力させて三相ブリッジ回路31内の各パワー半導体素子のジャンクション温度を実測し、実測したジャンクション温度のうちの最大値を、式1に示すジャンクション温度推定値で除算することで、当該特定の不平衡率のときの温度補償係数Aを算出する。図3は、温度補償係数の第2の算出方法により算出された不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を例示する図である。図3では、実験により得られた0%~30%の不平衡率kに対応する温度補償係数Aを黒丸で示している。実験により得られた不平衡率kと温度補償係数Aとの値から、不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を示す近似式を求める。図3では、一例として、不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を直線近似(1次関数)により求めたが、1次関数以外の関数を近似式に用いてもよい。また、不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を示す近似式は、不平衡率0%から100%までを一区間とするものを求めてもよい。あるいは、不平衡率0%から100%までの間を複数の区間に分割し、区間ごとに不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を示す近似式を求めてもよい。実験により求められた不平衡率kと温度補償係数Aとの関係を示す近似式は、温度補償係数算出部22に予め格納される。温度補償係数算出部22は、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率kに対応する温度補償係数Aを当該近似式に従って算出し、この温度補償係数Aを推定値算出部24へ送る。推定値算出部24は、例えば、式1で示されるジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数Aとを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 このように、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値は、式1で示されるジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数Aとを乗算して得られる。すなわち、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値Tj2は、式13のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
 なお、式1に従ってジャンクション温度暫定値を算出する際は、パワー半導体素子に生じる電力Wを、電流検出部11により検出された電流を二乗した値とパワー半導体素子の抵抗成分の値とを乗算することによって求めている。代替方法として、パワー半導体の順方向電圧Vfやコレクタエミッタ間飽和電圧VCE(sat)を電流検出部11により検出された電流値に乗算して求めてもよい。パワー半導体素子の抵抗をR、パワー半導体素子に流れる電流をIとしたとき、パワー半導体素子に生じる電力Wは、「W=R×I2」であるので、式1は、式14のように変形することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
 式14において、温度上昇率ΔT、パワー半導体素子の抵抗R、及びパワー半導体素子の基準電力W0は演算の簡略化のために一定値とみなし、式15に示す定数Mを導入する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
 式14に式15を代入すると、式16で示されるジャンクション温度暫定値Tj1が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000016
 暫定値算出部23は、式16に従って、電流検出部11により検出された電流の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出することができる。よって、ジャンクション温度推定値Tj2は、式17のように表すことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000017
 上述のように推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、例えば表示部(図示せず)に表示される。表示部の例としては、単体のディスプレイ装置、上位制御部に付属のディスプレイ装置、温度推定装置1に付属のディスプレイ装置、コンバータシステム100に付属のディスプレイ装置、コンバータシステム100を備えるモータ駆動装置に付属のディスプレイ装置、並びに、パソコン及び携帯端末に付属のディスプレイ装置などがある。またあるいは、表示部に代えて、温度推定装置1により算出されたジャンクション温度推定値を、音響機器(図示せず)により音声にて出力させてもよい。これにより、三相交流電源4の電力品質が劣っている場合や三相交流電源4に欠相などの異常が発生した場合など三相交流電源4の不平衡率が高い場合においても、作業者は、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を正確かつに把握することができる。
 また、上述のように推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、温度比較部15へ送られる。
 温度比較部15は、ジャンクション温度推定部12内の推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する。温度比較部15による比較結果は、アラーム出力部16に送られる。温度閾値は、例えば、パワー半導体素子が過熱により破壊される温度よりも数十%程度低い温度、パワー半導体素子の過熱によりコンバータシステム100が破壊される温度よりも数十%程度低い温度、または、パワー半導体素子もしくはコンバータシステムについて予め規定された定格温度よりも数十%程度高い温度などに設定すればよい。ここで挙げた数値はあくまでも一例であって、これ以外の数値であってもよい。また、例えば実験もしくは実際の運用によりコンバータシステム100を動作させたりまたはコンピュータによるシミュレーションにより、コンバータシステム100の適用環境やアラーム出力部16によるアラームの出力の有無との関係性などを事前に求めたうえで、温度閾値を設定してもよい。設定された温度閾値は、記憶部(図示せず)に記憶される。なお、温度閾値を記憶する記憶部(図示せず)は外部機器によって書き換え可能とすることで、温度閾値を一旦設定した後であっても必要に応じて適切な値に変更することができる。
 アラーム出力部16は、温度比較部15による比較結果がジャンクション温度推定値が温度閾値以上であることを示す場合は、アラームを出力する。アラーム出力部16から出力されたアラームは、例えば表示部(図示せず)に送られ、表示部は、例えば「パワー半導体素子の過熱」を作業者に通知する表示を行う。表示部の例としては、単体のディスプレイ装置、上位制御部に付属のディスプレイ装置、温度推定装置1に付属のディスプレイ装置、コンバータシステム100に付属のディスプレイ装置、コンバータシステム100を備えるモータ駆動装置に付属のディスプレイ装置、並びに、パソコン及び携帯端末に付属のディスプレイ装置などがある。またあるいは、アラーム出力部16から出力されたアラームは、例えば音響機器(図示せず)に送られる。また例えば、アラーム出力部16から出力されたアラームは、例えばLEDやランプなどの発光機器(図示せず)に送られ、発光機器はアラーム受信時に発光することで、作業者に「パワー半導体素子の過熱」を通知する。また例えば、アラーム出力部16から出力されたアラームは、例えば音響機器(図示せず)に送られ、音響機器はアラーム受信時に例えば音声、スピーカ、ブザー、チャイムなどのような音を発することで、作業者に「パワー半導体素子の過熱」を通知する。これにより、作業者は、パワー半導体素子の過熱を、確実かつ容易に把握することができる。作業者は、例えば、コンバータシステム100を緊急停止させたり、パワー半導体素子を交換するといった対応をとることも容易となる。また、アラーム出力部16から出力されたアラームは、コンバータシステム100の保護動作に用いられてもよく、あるいはコンバータシステム100を備えるモータ駆動装置の保護動作に用いられてもよい。
 図4は、本開示の第1の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。
 本開示の第1の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100におけるパワー半導体素子の温度推定処理は、コンバータシステム100が三相交流電源4に接続されて実際に運用されているときに周期的に実行される。
 ステップS101において、電圧検出部13は、コンバータ2の三相交流電源4側の端子間電圧の値を検出する。また、図4では図示を省略したが、電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31に設けられたパワー半導体素子に流れる電流の値(コンバータ2に入力される電流の値)を検出し、周囲温度検出部14は、温度検出素子35から送られてきた信号に基づいてパワー半導体素子の周囲温度を検出する。
 ステップS102において、不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率を算出する。算出する三相交流電源4の不平衡率は、電圧の不平衡率であっても電流の不平衡率であってもよい。
 ステップS103において、温度補償係数算出部22は、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率を用いて温度補償係数を算出する。
 ステップS104において、暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値と電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS105において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、温度比較部15へ送られる。また、推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値については、例えば表示部(図示せず)に表示してもよく、音響機器(図示せず)により音声にて出力してもよい。
 ステップS106において、温度比較部15は、ジャンクション温度推定部12内の推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する。ステップS106において、ジャンクション温度推定値が温度閾値以上であると判定された場合はステップS107へ進み、ジャンクション温度推定値が温度閾値未満であると判定された場合はステップS101へ戻る。
 ステップS107において、アラーム出力部16は、アラームを出力する。
 上述したステップS101~S107の処理は、ステップS107においてアラーム出力部16によりアラームが出力されるまで、周期的に繰り返し実行される。
 続いて、本開示の第2の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムについて説明する。
 本開示の第2の実施形態は、パワー半導体素子に流れる電流の大きさに応じて、ジャンクション温度暫定値と温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として出力するかあるいはジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として出力するかを切り替えるものである。
 図5は、本開示の第2の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。
 本開示の第2の実施形態による温度推定装置1は、図1または図2に示す第1の実施形態による温度推定装置1内のジャンクション温度推定部12において電流比較部25を追加したものである。すなわち、ジャンクション温度推定部12は、電流比較部25をさらに有する。
 電流検出部11により検出された電流の値は、ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及びコンバータ制御装置3内のスイッチング制御部41に加えて、電流比較部25にも送られる。
 電流比較部25は、電流検出部11により検出された電流の値と所定の電流閾値とを比較する。電流比較部25による比較結果は、推定値算出部24に送られる。電流閾値は、例えばパワー半導体素子の定格電流の60%に設定されるが、ここで挙げた数値はあくまでも一例であって、これ以外の数値であってもよい。また、例えば実験もしくは実際の運用によりコンバータシステム100を動作させたりまたはコンピュータによるシミュレーションにより、コンバータシステム100の適用環境やアラーム出力部16によるアラームの出力の有無との関係性などを事前に求めたうえで、電流閾値を設定してもよい。設定された電流閾値は、記憶部(図示せず)に記憶される。なお、電流閾値を記憶する記憶部(図示せず)は外部機器によって書き換え可能とすることで、電流閾値を一旦設定した後であっても必要に応じて適切な値に変更することができる。
 パワー半導体素子に流れる電流が小さい場合は、三相交流電源4の不平衡率が及ぼす影響は小さいので暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値は真値に近いと考えられる。そこで、本開示の第2の実施形態では、パワー半導体素子に流れる電流が小さい場合は、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22は動作させずジャンクション温度暫定値をジャンクション温度推定部として確定することで、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷を軽減する。一方、パワー半導体素子に流れる電流が大きい場合は、三相交流電源4の不平衡率が及ぼす影響は大きいので、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値は真値から大きく乖離したものと考えられる。そこで、本開示の第2の実施形態では、パワー半導体素子に流れる電流が大きい場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として確定することで、計算負荷の軽減よりも温度推定処理の精度の向上を優先する。
 推定値算出部24は、電流比較部25による比較結果が電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値以上であることを示す場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として出力する。また、推定値算出部24は、電流比較部25による比較結果が電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であることを示す場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として出力する。
 本開示の第2の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100において、電流検出部11、推定値算出部24及び電流比較部25以外の構成及び動作は、図1を参照して説明した構成及び動作と同様であるので、説明は省略する。
 図6は、本開示の第2の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。
 本開示の第2の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100におけるパワー半導体素子の温度推定処理は、コンバータシステム100が三相交流電源4に接続されて実際に運用されているときに周期的に実行される。
 ステップS201において、電圧検出部13は、コンバータ2の三相交流電源4側の端子間電圧の値を検出する。また、図6では図示を省略したが、周囲温度検出部14は、温度検出素子35から送られてきた信号に基づいてパワー半導体素子の周囲温度を検出する。
 ステップS202において、電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31に設けられたパワー半導体素子に流れる電流の値(コンバータ2に入力される電流の値)を検出する。
 ステップS203において、電流比較部25は、電流検出部11により検出された電流の値と所定の電流閾値とを比較する。ステップS203において、電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値以上であると判定された場合はステップS204へ進み、電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合はステップS208へ進む。
 ステップS204において、不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率を算出する。算出する三相交流電源4の不平衡率は、電圧の不平衡率であっても電流の不平衡率であってもよい。
 ステップS205において、温度補償係数算出部22は、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率を用いて温度補償係数を算出する。
 ステップS206において、暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値とパワー半導体素子の抵抗成分の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS207において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 一方、ステップS203において電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合は、ステップS208において、暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値とパワー半導体素子の抵抗成分の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS209において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 ステップS207及びステップS209において推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、温度比較部15へ送られる。また、推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値については、例えば表示部(図示せず)に表示してもよく、音響機器(図示せず)により音声にて出力してもよい。
 ステップS210において、温度比較部15は、ジャンクション温度推定部12内の推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する。ステップS210において、ジャンクション温度推定値が温度閾値以上であると判定された場合はステップS211へ進み、ジャンクション温度推定値が温度閾値未満であると判定された場合はステップS201へ戻る。
 ステップS211において、アラーム出力部16は、アラームを出力する。
 上述したステップS201~S211の処理は、ステップS211においてアラーム出力部16によりアラームが出力されるまで、周期的に繰り返し実行される。
 上述のように、ステップS203において電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合は、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22は動作せず、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷が軽減される。したがって、本開示の第2の実施形態は第1の実施形態に比べ、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)を軽減しつつ、ジャンクション温度推定値の精度を高めることができる。なお、ステップS206及びステップS208において、パワー半導体素子の抵抗成分として、パワー半導体の順方向電圧Vfやコレクタエミッタ間飽和電圧VCE(sat)に基づいてパワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出してもよい。
 続いて、本開示の第3の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムについて説明する。
 本開示の第3の実施形態は、パワー半導体素子に流れる電流の大きさ及び三相交流電源の不平衡率に応じて、ジャンクション温度暫定値と温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として出力するかあるいはジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として出力するかを切り替えるものである。
 図7は、本開示の第3の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムを示す図である。
 本開示の第3の実施形態による温度推定装置1は、図1または図2に示す第1の実施形態による温度推定装置1内のジャンクション温度推定部12において電流比較部25及び不平衡率比較部26を追加したものである。すなわち、ジャンクション温度推定部12は、電流比較部25及び不平衡率比較部26をさらに有する。
 電流検出部11により検出された電流の値は、ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及びコンバータ制御装置3内のスイッチング制御部41に加えて、電流比較部25にも送られる。
 電流比較部25は、電流検出部11により検出された電流の値と所定の電流閾値とを比較する。電流閾値は、例えばパワー半導体素子の定格電流の60%に設定されるが、ここで挙げた数値はあくまでも一例であって、これ以外の数値であってもよい。電流比較部25による比較結果は、推定値算出部24に送られる。
 不平衡率算出部21により算出された不平衡率は、温度補償係数算出部22に加えて、不平衡率比較部26にも送られる。
 不平衡率比較部26は、不平衡率算出部21により算出された不平衡率と所定の不平衡率閾値とを比較する。不平衡率比較部26による比較結果は、推定値算出部24に送られる。不平衡率閾値は、例えば2%に設定されるが、ここで挙げた数値はあくまでも一例であって、これ以外の数値であってもよい。また、例えば実験もしくは実際の運用によりコンバータシステム100を動作させたりまたはコンピュータによるシミュレーションにより、コンバータシステム100の適用環境やアラーム出力部16によるアラームの出力の有無との関係性などを事前に求めたうえで、不平衡率閾値を設定してもよい。設定された不平衡率閾値は、記憶部(図示せず)に記憶される。なお、不平衡率閾値を記憶する記憶部(図示せず)は外部機器によって書き換え可能とすることで、不平衡率閾値を一旦設定した後であっても必要に応じて適切な値に変更することができる。
 パワー半導体素子に流れる電流が小さい場合は、三相交流電源4の不平衡率が及ぼす影響は小さいので暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値は真値に近いと考えられる。そこで、本開示の第3の実施形態では、パワー半導体素子に流れる電流が小さい場合は、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22は動作させずジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として確定することで、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷を軽減する。また、パワー半導体素子に流れる電流が大きい場合であっても三相交流電源4の不平衡率が小さい場合は、三相交流電源4の不平衡率が及ぼす影響は小さいので暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値は真値に近いと考えられる。そこで、本開示の第3の実施形態では、パワー半導体素子に流れる電流が小さくかつ三相交流電源4の不平衡率が小さい場合は、温度補償係数算出部22は動作させずジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として確定することで、温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷を軽減する。また、パワー半導体素子に流れる電流が大きくかつ三相交流電源4の不平衡率が大きい場合は、三相交流電源4の不平衡率が及ぼす影響は大きいので、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値は真値から大きく乖離したものと考えられる。そこで、本開示の第3の実施形態では、パワー半導体素子に流れる電流が大きい場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として確定することで、計算負荷の軽減よりも温度推定処理の精度の向上を優先する。
 推定値算出部24は、電流比較部25による比較結果が電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値以上であることを示しかつ不平衡率比較部26による比較結果が不平衡率算出部により算出された不平衡率が不平衡率閾値以上であることを示す場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値をジャンクション温度推定値として出力する。また、推定値算出部24は、電流比較部25による比較結果が電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であることを示す場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として出力する。また、推定値算出部24は、電流比較部25による比較結果が電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値以上であることを示しかつ不平衡率比較部26により算出された不平衡率が不平衡率閾値未満であることを示す場合は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値をそのままジャンクション温度推定値として出力する。
 本開示の第3の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100において、電流検出部11、不平衡率算出部21、推定値算出部24、電流比較部25及び不平衡率比較部26以外の構成及び動作は、図1を参照して説明した構成及び動作と同様であるので、説明は省略する。
 図8は、本開示の第3の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。
 本開示の第3の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100におけるパワー半導体素子の温度推定処理は、コンバータシステム100が三相交流電源4に接続されて実際に運用されているときに周期的に実行される。
 ステップS301において、電圧検出部13は、コンバータ2の三相交流電源4側の端子間電圧の値を検出する。また、図8では図示を省略したが、周囲温度検出部14は、温度検出素子35から送られてきた信号に基づいてパワー半導体素子の周囲温度を検出する。
 ステップS302において、電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31に設けられたパワー半導体素子に流れる電流の値(コンバータ2に入力される電流の値)を検出する。
 ステップS303において、電流比較部25は、電流検出部11により検出された電流の値と所定の電流閾値とを比較する。ステップS303において、電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値以上であると判定された場合はステップS304へ進み、電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合はステップS309へ進む。
 ステップS304において、不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率を算出する。算出する三相交流電源4の不平衡率は、電圧の不平衡率であっても電流の不平衡率であってもよい。
 ステップS305において、不平衡率比較部26は、不平衡率算出部21により算出された不平衡率と所定の不平衡率閾値とを比較する。ステップS305において、不平衡率算出部21により算出された不平衡率が不平衡率閾値以上であると判定された場合はステップS306へ進み、不平衡率算出部21により算出された不平衡率が不平衡率閾値未満であると判定された場合はステップS309へ進む。
 ステップS306において、温度補償係数算出部22は、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率を用いて温度補償係数を算出する。
 ステップS307において、暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値とパワー半導体素子の抵抗成分の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS308において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 一方、ステップS303において電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合またはステップS305において不平衡率算出部21により算出された不平衡率が不平衡率閾値未満であると判定された場合は、ステップS309において、暫定値算出部23は、電流検出部11により検出された電流の値と電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、パワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS310において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出されたジャンクション温度暫定値を、パワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 ステップS308及びステップS310において推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、温度比較部15へ送られる。また、推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値については、例えば表示部(図示せず)に表示してもよく、音響機器(図示せず)により音声にて出力してもよい。
 ステップS311において、温度比較部15は、ジャンクション温度推定部12内の推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する。ステップS311において、ジャンクション温度推定値が温度閾値以上であると判定された場合はステップS312へ進み、ジャンクション温度推定値が温度閾値未満であると判定された場合はステップS301へ戻る。
 ステップS312において、アラーム出力部16は、アラームを出力する。
 上述したステップS301~S312の処理は、ステップS311においてアラーム出力部16によりアラームが出力されるまで、周期的に繰り返し実行される。
 上述のように、ステップS303において電流検出部11により検出された電流の値が電流閾値未満であると判定された場合は、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22は動作せず、不平衡率算出部21及び温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷が軽減される。したがって、本開示の第3の実施形態は第1の実施形態に比べ、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)を軽減しつつ、ジャンクション温度推定値の精度を高めることができる。またステップS305において不平衡率算出部21により算出された不平衡率が不平衡率閾値未満であると判定された場合は、温度補償係数算出部22は動作せず、温度補償係数算出部22を構成する演算処理装置の計算負荷が軽減される。したがって、本開示の第3の実施形態は第2の実施形態に比べ、演算処理装置の演算処理においてジャンクション温度推定処理が占める割合(例えばCPU使用率)を軽減しつつ、ジャンクション温度推定値の精度を高めることができる。
 続いて、本開示の第4の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムについて説明する。
 本開示の第4の実施形態は、パワー半導体素子に流れる電流の値をコンバータの各相ごとに検出し、最大値の電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出するものである。
 本開示の第4の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムにおける各要素の接続関係は、図1に示す第1の実施形態による温度推定装置及びこれを備えるコンバータシステムにおける各要素の接続関係と同じである。ただし、本開示の第4の実施形態における電流検出部11並びにジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及び推定値算出部24の各動作は、第1の実施形態における電流検出部11並びにジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及び推定値算出部24の各動作とは異なる。具体的には次の通りである。
 電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31のパワー半導体素子に流れる電流の値を、前記コンバータの各相ごとに検出する。すなわち、電流検出部11は、三相ブリッジ回路31の、R相のパワー半導体素子に流れる電流の値、S相のパワー半導体素子に流れる電流の値、及びT相のパワー半導体素子に流れる電流の値を検出する。電流検出部11により検出された各相の電流の値は、暫定値算出部23に送られる。
 ジャンクション温度推定部12は、電流検出部11により検出された各相の電流の値のうちの最大値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値と不平衡率とに基づいて、最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する。ジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及び推定値算出部24の動作をより詳細に説明すると次の通りである。
 暫定値算出部23は、電流検出部11が検出した各相の電流の中から、最大値となる電流の値を特定し、当該最大値となる電流の値と電圧検出部13によって検出された端子間電圧の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出された最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値を、最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のパワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。
 本開示の第4の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100において、電流検出部11並びにジャンクション温度推定部12内の暫定値算出部23及び推定値算出部24以外の構成及び動作は、図1を参照して説明した構成及び動作と同様であるので、説明は省略する。
 図9は、本開示の第4の実施形態による温度推定装置の動作フローを示すフローチャートである。
 本開示の第4の実施形態による温度推定装置1及びこれを備えるコンバータシステム100におけるパワー半導体素子の温度推定処理は、コンバータシステム100が三相交流電源4に接続されて実際に運用されているときに周期的に実行される。
 ステップS401において、電圧検出部13は、コンバータ2の三相交流電源4側の端子間電圧の値を検出する。また、図9では図示を省略したが、周囲温度検出部14は、温度検出素子35から送られてきた信号に基づいてパワー半導体素子の周囲温度を検出する。
 ステップS402において、電流検出部11は、電流検出部11は、コンバータ2の三相ブリッジ回路31のパワー半導体素子に流れる電流の値(コンバータ2に入力される各相の電流の値)を、前記コンバータの各相ごとに検出する。電流検出部11により検出された各相の電流の値は、暫定値算出部23に送られる。
 ステップS403において、暫定値算出部23は、電流検出部11が検出した各相の電流の中から、最大値となる電流の値を特定する。
 ステップS404において、不平衡率算出部21は、三相交流電源4の不平衡率を算出する。算出する三相交流電源4の不平衡率は、電圧の不平衡率であっても電流の不平衡率であってもよい。
 ステップS405において、温度補償係数算出部22は、不平衡率算出部21によって算出された不平衡率を用いて温度補償係数を算出する。
 なお、ステップS403における処理とステップS404及びS405における処理とは、順序を入れ替えて実行してもよい。
 ステップS406において、暫定値算出部23は、ステップS403で特定した最大値となる電流の値とパワー半導体素子の抵抗成分の値と周囲温度検出部14により検出されたパワー半導体素子の周囲温度とに基づいて、最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度暫定値を算出する。
 ステップS407において、推定値算出部24は、暫定値算出部23により算出された最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のジャンクション温度暫定値と温度補償係数算出部22により算出された温度補償係数とを乗算して得られる値を、最大値となる電流が流れるパワー半導体素子のパワー半導体素子のジャンクション温度推定値として出力する。ステップS407において推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値は、温度比較部15へ送られる。また、推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値については、例えば表示部(図示せず)に表示してもよく、音響機器(図示せず)により音声にて出力してもよい。
 ステップS408において、温度比較部15は、ジャンクション温度推定部12内の推定値算出部24により算出されたジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する。ステップS408において、ジャンクション温度推定値が温度閾値以上であると判定された場合はステップS409へ進み、ジャンクション温度推定値が温度閾値未満であると判定された場合はステップS401へ戻る。
 ステップS409において、アラーム出力部16は、アラームを出力する。
 上述したステップS401~S409の処理は、ステップS408においてアラーム出力部16によりアラームが出力されるまで、周期的に繰り返し実行される。
 三相ブリッジ回路31において、最大の電流が流れる相に設けられるパワー半導体素子は発熱が最も大きくなり破損の可能性が高く寿命も短縮される可能性が高い。本開示の第4の実施形態によれば、最大値となる電流流れるパワー半導体素子のジャンクション温度推定値に基づいてアラームの出力の有無が決定されるので、より確実にパワー半導体素子を過熱から保護することができ、パワー半導体素子の破損及び寿命短縮の可能性を低減することができる。
 第1~第4の実施形態による温度推定装置1内には、演算処理装置(プロセッサ)が設けられる。この演算処理装置は、上述した電流検出部11、ジャンクション温度推定部12、電圧検出部13、周囲温度検出部14、温度比較部15、及びアラーム出力部16を有する。演算処理装置が有するこれらの各部は、例えば、プロセッサ上で実行されるコンピュータプログラムにより実現される機能モジュールである。例えば、電流検出部11、ジャンクション温度推定部12、電圧検出部13、周囲温度検出部14、温度比較部15、及びアラーム出力部16をコンピュータプログラム形式で構築する場合は、演算処理装置をこのコンピュータプログラムに従って動作させることで、各部の機能を実現することができる。電流検出部11、ジャンクション温度推定部12、電圧検出部13、周囲温度検出部14、温度比較部15、及びアラーム出力部16の各処理を実行するためのコンピュータプログラムは、半導体メモリ、磁気記録媒体または光記録媒体といった、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録された形で提供されてもよい。またあるいは、電流検出部11、ジャンクション温度推定部12、電圧検出部13、周囲温度検出部14、温度比較部15、及びアラーム出力部16を、各部の機能を実現するコンピュータプログラムを書き込んだ半導体集積回路として実現してもよい。
 1  温度推定装置
 2  コンバータ
 3  コンバータ制御装置
 4  三相交流電源
 5  インバータ
 6  モータ
 11  電流検出部
 12  ジャンクション温度推定部
 13  電圧検出部
 14  周囲温度検出部
 15  温度比較部
 16  アラーム出力部
 21  不平衡率算出部
 22  温度補償係数算出部
 23  暫定値算出部
 24  推定値算出部
 25  電流比較部
 26  不平衡率比較部
 31  三相ブリッジ回路
 32  平滑コンデンサ
 33  DCリンクコンデンサ
 34  予備充電回路
 35  温度検出素子
 41  スイッチング制御部
 42  DCリンク部電圧検出部

Claims (11)

  1.  三相交流電源側の交流電力と直流側における直流電力との間で電力変換を行うコンバータに設けられたパワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する温度推定装置であって、
     前記パワー半導体素子に流れる電流の値を検出する電流検出部と、
     前記電流検出部により検出された前記電流の値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値と前記コンバータに接続される前記三相交流電源の不平衡率とに基づいて、前記パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出するジャンクション温度推定部と、
    を備える、温度推定装置。
  2.  前記ジャンクション温度推定部は、
     前記不平衡率を算出する不平衡率算出部と、
     前記不平衡率に基づいて温度補償係数を算出する温度補償係数算出部と、
     前記ジャンクション温度暫定値を算出する暫定値算出部と、
     前記ジャンクション温度暫定値と前記温度補償係数とを乗算して得られる値を、前記ジャンクション温度推定値として出力する推定値算出部と、
    を有する、請求項1に記載の温度推定装置。
  3.  前記暫定値算出部は、前記電流検出部により検出された前記電流の値と前記パワー半導体素子の抵抗成分の値とに少なくとも基づいて、前記ジャンクション温度暫定値を算出する、請求項2に記載の温度推定装置。
  4.  前記パワー半導体素子の周囲温度を検出する周囲温度検出部をさらに備え、
     前記暫定値算出部は、前記電流検出部により検出された前記電流の値と前記周囲温度とに少なくとも基づいて、前記ジャンクション温度暫定値を算出する、請求項2または3に記載の温度推定装置。
  5.  前記コンバータの三相交流電源側の端子間電圧の値を検出する電圧検出部をさらに備え、
     前記不平衡率算出部は、前記電圧検出部によって検出された前記端子間電圧の値に基づいて前記不平衡率を算出する、請求項2に記載の温度推定装置。
  6.  前記不平衡率算出部は、前記電流検出部によって検出された前記電流の値に基づいて前記不平衡率を算出する、請求項2に記載の温度推定装置。
  7.  前記ジャンクション温度推定部は、前記電流検出部によって検出された前記電流の値と所定の電流閾値とを比較する電流比較部をさらに有し、
     前記推定値算出部は、前記電流検出部により検出された前記電流の値が前記電流閾値以上である場合は、前記ジャンクション温度暫定値と前記温度補償係数とを乗算して得られる値を前記ジャンクション温度推定値として出力し、前記電流検出部により検出された前記電流の値が前記電流閾値未満である場合は、前記ジャンクション温度暫定値を前記ジャンクション温度推定値として出力する、請求項2~6のいずれか一項に記載の温度推定装置。
  8.  前記ジャンクション温度推定部は、前記電流検出部によって検出された前記電流の値と所定の電流閾値とを比較する電流比較部と、前記不平衡率と所定の不平衡率閾値とを比較する不平衡率電流比較部と、をさらに有し、
     前記推定値算出部は、前記電流検出部により検出された前記電流の値が前記電流閾値以上かつ前記不平衡率が前記不平衡率閾値以上である場合は、前記ジャンクション温度暫定値と前記温度補償係数とを乗算して得られる値を前記ジャンクション温度推定値として出力し、前記電流検出部により検出された前記電流の値が前記電流閾値未満である場合または前記電流検出部により検出された前記電流の値が前記電流閾値以上かつ前記不平衡率が前記不平衡率閾値未満である場合は、前記ジャンクション温度暫定値を前記ジャンクション温度推定値として出力する、請求項2~6のいずれか一項に記載の温度推定装置。
  9.  前記電流検出部は、前記パワー半導体素子に流れる電流の値を、前記コンバータの各相ごとに検出し、
     前記ジャンクション温度推定部は、前記電流検出部により検出された各相の前記電流の値のうちの最大値に少なくとも基づいて算出したジャンクション温度暫定値と前記不平衡率とに基づいて、前記最大値となる電流が流れる前記パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する、請求項1~8のいずれか一項に記載の温度推定装置。
  10.  前記ジャンクション温度推定部により算出された前記ジャンクション温度推定値と所定の温度閾値とを比較する温度比較部と、
     前記ジャンクション温度推定値が前記温度閾値以上である場合、アラームを出力するアラーム出力部と、
    をさらに備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の温度推定装置。
  11.  請求項1~9のいずれか一項に記載の温度推定装置と、
     前記パワー半導体素子が設けられ、前記パワー半導体素子がオンオフ動作することにより三相交流電源側の交流電力と直流側における直流電力との間で電力変換を行う前記コンバータと、
    を備え、
     前記ジャンクション温度推定部は、前記パワー半導体素子のジャンクション温度推定値を算出する、コンバータシステム。
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