WO2022239576A1 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

表示装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2022239576A1
WO2022239576A1 PCT/JP2022/016810 JP2022016810W WO2022239576A1 WO 2022239576 A1 WO2022239576 A1 WO 2022239576A1 JP 2022016810 W JP2022016810 W JP 2022016810W WO 2022239576 A1 WO2022239576 A1 WO 2022239576A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display device
cathode electrode
layer
light emitting
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2022/016810
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
昌志 内田
崇 山崎
忠之 木村
利章 白岩
直也 笠原
大輔 濱下
昌也 小倉
正永 深沢
義史 財前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to KR1020237037086A priority Critical patent/KR20240005709A/ko
Priority to JP2023520923A priority patent/JP7833454B2/ja
Priority to CN202280033123.8A priority patent/CN117322134A/zh
Priority to DE112022002521.2T priority patent/DE112022002521T5/de
Priority to US18/553,091 priority patent/US20240196714A1/en
Publication of WO2022239576A1 publication Critical patent/WO2022239576A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/06—Electrode terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/82—Interconnections, e.g. terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers

Definitions

  • the present disclosure includes (1) an anode electrode, an organic light-emitting layer, and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic light-emitting layer, and the first cathode electrode are separated for each subpixel.
  • a plurality of light emitting elements having a plurality of protective layers respectively covering the plurality of light emitting elements; a second cathode electrode provided on the plurality of protective layers; a connecting portion that electrically connects the second cathode electrode and the first cathode electrode; with The connecting portion is in contact with a sidewall of the protective film, It is a display device.
  • FIG. 27A and 27B are a cross-sectional view and a plan view for explaining an example of the display device according to the fifth embodiment
  • FIG. 28A and 28B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the display device according to the fifth embodiment
  • 29A and 29B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the display device according to the fifth embodiment
  • 30A and 30B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the display device according to the fifth embodiment.
  • 31A and 31B are a cross-sectional view and a plan view for explaining a modification of the display device according to the fifth embodiment;
  • 37A and 37B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the modification of the display device according to the fifth embodiment.
  • 38A and 38B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the modification of the display device according to the fifth embodiment.
  • 39A and 39B are cross-sectional views and plan views for explaining the manufacturing method of the modification of the display device according to the fifth embodiment.
  • 40A and 40B are cross-sectional views and plan views for explaining a manufacturing method of a modified example of the display device according to the fifth embodiment.
  • 41A to 41D are cross-sectional views for explaining the manufacturing method of the display device according to the sixth embodiment.
  • 42A and 42B are plan views for explaining the display device according to the sixth embodiment.
  • the Z-axis direction is the vertical direction (the upper side is the +Z direction and the lower side is the -Z direction)
  • the X-axis direction is the front-back direction (the front side is the +X direction and the rear side is the -X direction)
  • the Y-axis direction. is the left-right direction (the right side is the +Y direction and the left side is the -Y direction), and the description will be made based on this.
  • one pixel is formed by combining a plurality of sub-pixels 101 corresponding to a plurality of color types.
  • three colors of red, green, and blue are defined as a plurality of color types
  • three types of sub-pixels 101R, 101G, and 101B are provided as the sub-pixels 101 .
  • a sub-pixel 101R, a sub-pixel 101G, and a sub-pixel 101B are a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, respectively, and display red, green, and blue, respectively.
  • FIG. 1 Structure of sub-pixel
  • the display device 10A is not limited to having a plurality of sub-pixels 101 corresponding to a plurality of color types.
  • One type of color may be used, and one sub-pixel may form one pixel.
  • the wavelengths of light corresponding to each color of red, green, and blue can be defined as wavelengths in the ranges of 610 nm to 650 nm, 510 nm to 590 nm, and 440 nm to 480 nm, respectively.
  • the sub-pixels 101R, 101G, and 101B are arranged in the region of the display surface 110A.
  • the layout of the sub-pixels 101R, 101G, and 101B is a horizontal stripe layout in one pixel in the example of FIG.
  • the pixels are arranged in a matrix in the plane direction of the display surface 110A.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the display surface 110A of the display device 10A.
  • the sub-pixels 101R, 101G, and 101B are collectively referred to as the sub-pixel 101 when the sub-pixels 101R, 101G, and 101B are not particularly distinguished.
  • a first surface of the driving substrate 11 is provided with a plurality of contact plugs (not shown) for connecting the light emitting elements 13 and various circuits provided on the substrate 11A.
  • the light emitting element 13G includes an anode electrode 130 provided on the driving substrate 11, an organic layer 131G provided on the anode electrode 130, and a first cathode electrode 132 provided on the organic layer 131G.
  • the light emitting element 13B includes an anode electrode 130 provided on the driving substrate 11, an organic layer 131B provided on the anode electrode 130, and a first cathode electrode 132 provided on the organic layer 131B.
  • the organic layers 131R, 131G, and 131B are collectively referred to as the organic layer 131 when the organic layers 131R, 131G, and 131B are not particularly distinguished.
  • the light-emitting region P of the light-emitting element 13 is defined as the anode electrode 130 on the first surface side of the first cathode electrode 132 with the thickness direction of the light-emitting element 13 as the viewing direction, as shown in FIG. , the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 overlap each other.
  • the metal oxide layer contains, for example, at least one of a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZO), and titanium oxide (TiO).
  • ITO indium oxide and tin oxide
  • IZO indium oxide and zinc oxide
  • TiO titanium oxide
  • the organic layer 131 is provided between the anode electrode 130 and the first cathode electrode 132 .
  • the organic layer 131 is provided in a state of being electrically separated (divided) for each sub-pixel 101 .
  • organic layers 131R, 131G, and 131B are provided.
  • the organic layers 131R, 131G, and 131B are of colors corresponding to the emission colors of the sub-pixels 101, and emit red, blue, and green, respectively.
  • the organic layer 131 has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the anode electrode 130 toward the first cathode electrode 132 .
  • the structure of the organic layer 131 is not limited to this, and layers other than the light emitting layer are provided as necessary.
  • the light-emitting layer is an organic light-emitting layer containing an organic light-emitting material.
  • the thickness of the organic layer 131 may be the same between different colors of the sub-pixels 101, or may have different values.
  • the organic layers 131R, 131G, and 131B corresponding to the sub-pixels 101R, 101G, and 101B may have different thicknesses.
  • the thicknesses of the organic layers 131R, 131G, and 131B are different among the sub-pixels 101 of different colors.
  • the metal layer may be provided on the organic layer 131 side, or the metal oxide layer may be provided on the organic layer 131 side. From the viewpoint of placing the layer having the function adjacent to the organic layer 131, the metal layer is preferably provided on the organic layer 131 side.
  • the insulating layer 14 is provided on the first surface side of the drive substrate 11, as shown in FIG.
  • the insulating layer 14 is provided between adjacent anode electrodes 130 and electrically isolates each anode electrode 130 for each light emitting element 13 (that is, for each subpixel 101).
  • the insulating layer 14 has a plurality of openings 14A, and the first surface of the anode electrode 130 (the surface facing the first cathode electrode 132) is exposed from the openings 14A. In the example of FIG.
  • the insulating layer 14 is made of, for example, an organic material or an inorganic material.
  • the organic material includes, for example, at least one of polyimide and acrylic resin.
  • the inorganic material includes, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and aluminum oxide.
  • the lower protective layer 17 is a protective layer formed below the second cathode electrode 134 (on the second surface side of the second cathode electrode 134), and protects the first cathode electrode 132 and the organic layer 131. Protect. In the example of FIG. 1, the lower protective layer 17 has a portion covering the first cathode electrode 132 and a portion formed between adjacent light emitting elements 13 . A portion covering the first cathode electrode 132 is called an element protection layer 15 as described below. A portion formed between adjacent light emitting elements 13 is called a side wall protection layer 16 .
  • the element protection layer 15 is made of an insulating material.
  • the insulating material for example, a thermosetting resin can be used.
  • the insulating material may be SiO, SiON, AlO, TiO, or the like.
  • a CVD film containing SiO, SiON, etc. an ALD film containing AlO, TiO, SiO, etc. can be exemplified.
  • the element protective layer 15 may be formed of a single layer, or may be formed by laminating a plurality of layers.
  • the first protective layer is provided on the first cathode electrode 132, and the second protective layer is provided so as to cover the first protective layer, the first protection
  • the layers are formed of CVD films and the second protective layer is formed of ALD films.
  • a CVD film indicates a film formed using a chemical vapor deposition method.
  • ALD film refers to a film formed using atomic layer deposition.
  • the upper protective layer 19 is a protective layer covering the second cathode electrode 134 .
  • the upper protective layer 19 protects the second cathode electrode 134 .
  • the upper protective layer 19 prevents moisture from reaching the second cathode electrode 134 from the external environment.
  • the upper protective layer 19, like the lower protective layer 17, also prevents moisture from entering the light emitting element 13 from the external environment. That is, the upper protective layer 19 reinforces protection of the light emitting element 13 by the lower protective layer 17 .
  • the upper protective layer 19 may have the function of suppressing oxidation of this metal layer.
  • the filling resin layer 20 and the counter substrate 21 are described for convenience of explanation. are omitted.
  • the illustration of the upper protective layer 19 may be omitted in the drawings.
  • the color filter 23 is provided on the first surface side (upper side, +Z direction side) of the upper protective layer 19 . Also, the color filter 23 shown in FIG. 5 is an on-chip color filter (OCCF). Examples of the color filter 23 include a red color filter (red filter 23R), a green color filter (green filter 23G), and a blue color filter (blue filter 23B), as shown in the example of FIG. . The red filter 23R, the green filter 23G, and the blue filter 23B are provided facing the light emitting element 13W.
  • OCCF on-chip color filter
  • the lower protective layer 17 is provided as a protective layer, and in the example of FIG. , and side wall protective layers 16 are provided between adjacent light emitting elements.
  • the device protection layer 15 is formed in the light emitting region P of the light emitting device 13 for each sub-pixel 101 when the Z-axis direction is the viewing direction.
  • FIG. 12 one of the sub-pixels 101 is extracted and the main part is described. The same applies to FIGS. 13 to 15 as well.
  • the via 31 is defined as a conductive hole-like structure.
  • the via 31 shown in Modification 2 of the second embodiment has a hole-like structure extending from the second cathode electrode 134 side to the first cathode electrode 132 .
  • the via 31 has a structure in which the second cathode electrode 134 extends along the inner peripheral surface and the bottom surface (the first surface of the first cathode electrode 132) of the hole formed in the lower protective layer 17. have Therefore, when the connecting portion 30 is formed by the via 31, the outer peripheral portion 30A is formed by the second cathode electrode 134.
  • the via array 32 is formed by providing the vias 31 serving as the connecting portions 30 so as to surround the light emitting surfaces of the light emitting elements 13. ing. Accordingly, an equivalent structure is formed at any position surrounding the light emitting surface (an omnidirectionally equivalent structure is formed), and variations in viewing angle characteristics can be suppressed.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of the display device according to the third embodiment. Note that unlike the first embodiment, the insulating layer 14 between the adjacent anode electrodes 130 is omitted in the display device 10C according to the third embodiment illustrated in FIG. may be
  • connection portion 35 that electrically connects the second cathode electrode 134 and the first cathode electrode 132 together.
  • the connection portion 35 shown in FIG. 16 is an upright wall portion that is erected toward the second cathode electrode 134 with the outer edge of the first cathode electrode 132 as a base end, and is part of the first cathode electrode 132. is making Further, the tip (upper end) of the connection portion 35 shown in this example is electrically connected to the lower surface (second surface) of the second cathode electrode 134 .
  • an organic layer 131 (for example, a layer with a thickness of about 1000 nm) is formed along the surface on the first surface side using a vapor deposition method or the like, and a first cathode electrode 132 is further formed.
  • the formation of the first cathode electrode 132 can be realized by forming an IZO film (for example, a film having a thickness of about 50 nm) on the first surface side using, for example, a reactive sputtering method. .
  • the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 are also formed on the side surface portion 160A formed in the opening portion 160 of the side wall protective layer 16 .
  • an element protection layer 15 is formed on the first surface side (FIG. 17B).
  • the formation of the device protection layer 15 is realized by forming a PSiN film (for example, a film having a thickness of about 2000 nm) or the like using a low-temperature PCVD method or the like.
  • dry etching is performed to remove the element protection layer 15 above the upper surface position of the side wall protection layer 16 .
  • the upper surface position of the side wall protective layer 16 and the upper surface position of the element protective layer 15 are approximately the same, they do not have to be completely the same.
  • a sidewall protective layer 16 is further formed on the first surface side using a low-temperature PCVD method or the like.
  • the thickness of the portion of the side wall protective layer 16 additionally formed in this step is, for example, about 50 nm.
  • the end surface of the connecting portion 35 exposed on the first surface side and the side wall protective layer 16 formed on the element protective layer 15 are removed by dry etching or the like.
  • the side wall protective layer 16 is formed so as to cover the portion of the first cathode electrode 132 that will become the connecting portion 35 (FIG. 18B).
  • the first refractive index portion 33 and the second refractive index portion 33 having different refractive indexes and the second refractive index portion 33 and the second refractive index portion 33 having different refractive indexes are provided in the side wall protective layer 16 at the side portion of the light emitting element 13 for each sub-pixel 101 .
  • a refractive index portion 34 is formed. Since the first refractive index portion 33 and the second refractive index portion 34 can be formed on the sides of the light emitting element 13 so as to surround the light emitting element 13, total reflection can occur.
  • the second cathode electrode 134 is formed along the sidewall protective layer 16 as a protective layer, and the hanging portions 42 are formed along the wall surfaces of the sidewall protective layer 16 at positions corresponding to the respective sub-pixels 101 .
  • the lower end of the hanging portion 42 is connected to the first cathode electrode. Therefore, a connecting portion 35 is formed at a portion corresponding to the hanging portion 42 .
  • a side area MA of the anode electrode 130 indicates a range from the position of the side wall 130B of the anode electrode 130 to a predetermined position toward the outside.
  • a layer 37 is formed on the first surface with a material that forms the third refractive index portion 36 .
  • the material forming the third refractive index portion 36 may be, for example, a PSiO film (plasma silicon oxide film).
  • a thickness of this layer 37 for example, a thickness of about 2000 nm can be exemplified.
  • a resist 40 having a pattern corresponding to the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 is formed on the first surface of the layer 37 (FIG. 20A), and dry etching is performed (FIG. 20B).
  • a laminated structure of the anode electrode 130 , the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 is formed for each sub-pixel 101 .
  • a layer 37 is also left on the first cathode electrode 132 .
  • the resist 40 is removed, and the layer 38 of the material forming the side wall protective layer 16 and the layer 39 of the material forming the third refractive index portion 36 are sequentially laminated (FIG. 20C).
  • This lamination can be realized by using a low-temperature PCVD method or the like.
  • a low-temperature PCVD method or the like is used to combine PSiN with a predetermined thickness (for example, a thickness of 50 nm) and PSiO with a predetermined thickness (for example, a thickness of 100 nm). and are sequentially formed.
  • these layers 38 and 39 are formed along the first surface, and are also formed on the sidewall surfaces of the laminated structure of the anode electrode 130 , the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 .
  • the layer 38 of the material forming the side wall protective layer 16 and the layer 39 forming the third refractive index portion 36 are partially removed by dry etching or the like (FIG. 21A). At this time, the portions of the layers 38 and 39 formed on the side wall surfaces of the laminated structure of the anode electrode 130, the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 are left.
  • a layer 41 of a material for forming the side wall protective layer 16 is formed to a predetermined thickness (for example, a thickness of 3000 nm) on the entire surface of the first surface by using a low-temperature PCVD method or the like. do. Then, by removing part of the layer 41 by dry etching or the like, the upper end face (first face side end face) of the layer 37 and the layer 39 (for example, PSiO film) of the material forming the third refractive index portion 36 is removed. expose the
  • dry etching is performed to selectively remove portions of the layers 37 and 39 of the material forming the third refractive index portion 36 that are exposed on the first surface side.
  • the layer 37 formed on the surface of the first cathode electrode 132 and the portion of the layer 39 adjacent to the layer 37 with the layer 38 interposed therebetween form a space.
  • the layer 37 formed around the anode electrode 130 remains buried in the layer 41 .
  • a space formed by the layer 39 is the second refractive index portion 34 .
  • the portion of the layer 38 sandwiched between the space formed by the portion of the layer 37 and the second refractive index portion 34 becomes the first refractive index portion 33 (FIG. 21C).
  • a second cathode electrode 134 is formed with a predetermined thickness (for example, a thickness of 100 nm) on the entire surface of the first surface by sputtering or the like (FIG. 19).
  • a predetermined thickness for example, a thickness of 100 nm
  • a film of IZO is formed by sputtering or the like.
  • the second cathode electrode 134 is formed along the side wall of the layer 39 up to the surface of the first cathode electrode 132 in the space on the first surface of the first cathode electrode 132 . 132 is electrically connected.
  • the portion connected to the first cathode electrode 132 and the portion formed along the side wall of the layer 39 up to the surface of the first cathode electrode 132 are attached to the hanging portion 42 of the second cathode electrode 134 . handle.
  • the formation of the second cathode electrode 134 in the space that becomes the second refractive index portion 34 can be avoided depending on the conditions of the sputtering method using the material of the second cathode electrode 134 .
  • the display device 10C according to Modification 1 of the third embodiment can be obtained in the same manner as the manufacturing method of the display device 10A described in the first embodiment. .
  • FIG. 22A As in the display device 10A according to the first embodiment, a protective layer is formed on the first cathode electrode 132 for each sub-pixel 101. element protection layer 15 (lower protection layer 17) is formed.
  • element protection layer 15 lower protection layer 17
  • the sidewall protection layer 16 between adjacent sub-pixels 101 is omitted. However, this does not prohibit the placement of the side wall protective layer 16, and the side wall protective layer 16 may be formed as in the first embodiment.
  • the connecting portion 45 is formed by part of the second cathode electrode 134 .
  • the second cathode electrode 134 is formed along the outer peripheral surface of the device protection layer 15 .
  • a portion of the second cathode electrode 134 that extends along the side wall 15A of the device protection layer 15 toward the side wall 132B of the first cathode electrode 132 forms a connecting portion 45.
  • the second cathode electrode 134 is connected to the side wall 132B of the first cathode electrode 132 on the lower end side of the connecting portion 45 .
  • the second cathode electrode 134 has a connecting portion 47 that connects the lower end portions of the adjacent connecting portions 45 to each other, and functions as a common electrode common to the sub-pixels 101 as a whole.
  • the metal layer 46 is filled between adjacent connection portions 45 connected to adjacent first cathode electrodes 132 as described above.
  • the metal layer 46 is formed so as to be in contact with the connecting portion 47 and the adjacent connecting portion 45 .
  • the material of the metal layer 46 is light reflective and conductive, and examples thereof include group 1, 2 and 13 to 16 metals and transition metals. From the viewpoint of light reflectivity and conductivity, aluminum, silver, alloys containing these, and the like can be suitably used as the material of the metal layer 46 . At this time, AlCu, AlSi, or the like can be exemplified as the alloy that is the material of the metal layer 46 .
  • the upper end of the metal layer 46 (the end on the first surface side) is located at or near the upper end of the side wall 15A of the element protection layer 15, and the lower end of the metal layer 46 (the end on the first surface side) 2) is preferably positioned at or near the position where the connecting portion 47 of the second cathode electrode 134 is formed.
  • the upper end of the metal layer 46 may extend further upward than the upper end of the side wall 15A of the element protective layer 15 or its vicinity, and may further extend from the upper surface of the upper protective layer 19. good too.
  • the metal layer 46 in the example of FIG. 22A is embedded inside the upper protective layer 19 as described later, but the metal layer 46 is located on the lower protective layer 17 side depending on the shape of the second cathode electrode 134 . may be provided in
  • the material of the element protection layer 15 is not particularly limited, and the materials described in the first embodiment can be used.
  • the material of the device protective layer 15 can be SiN or the like.
  • the element protective layer 15 may be a single layer or may have a multilayer structure.
  • the element protection layer 15 may have a laminated structure of a layer made of SiN and an AlOx film formed by ALD (atomic layer deposition).
  • the anode electrode 130 and the insulating layer 14 are formed on the driving substrate 11, and then the organic layer 131, the first cathode electrode 132, and the device protection layer 15 are formed.
  • a second cathode electrode 134 is then formed on the first surface.
  • a method for forming the second cathode electrode 134 it is preferable to use a method such as ALD, which has excellent film coverage.
  • the second cathode electrode 134 covers the first cathode electrode 132 on the upper surface side of the device protection layer 15 . Further, the second cathode electrode 134 forms a connecting portion 45 at a portion extending toward the drive substrate 11 side along the side wall 15A of the element protection layer 15 .
  • the connecting portion 45 formed on the second cathode electrode 134 is connected to the side wall 132B of the first cathode electrode 132 at a predetermined position on the lower end side thereof. Adjacent connecting portions 45 connected to adjacent first cathode electrodes 132 are connected, and a portion connecting the connecting portions 45 forms a connecting portion 47 .
  • the upper protective layer 19 is formed on the first surface side, and the upper protective layer 19 and the opposing substrate 21 are fixed via the filling resin layer 20 .
  • the display device 10D is obtained.
  • the layout of the sub-pixels 101R, 101G, and 101B is not limited in the display device 10D of the fourth embodiment.
  • the layout of the sub-pixels 101 may be a striped pattern as shown in the example of FIG. 26B, but may be other patterns as in Modification 2 of the display device 10A of the first embodiment. That is, in the display device 10D of the fourth embodiment, the layout pattern of the sub-pixels 101 may be, for example, a delta pattern as shown in FIG. 26C or a square arrangement pattern as shown in FIG. 26A. .
  • the delta shape indicates an arrangement in which the centers of the three sub-pixels 101R, 101G, and 101B are connected to form a triangle.
  • the outer edge portion 51 is the portion of the laminated structure 52 outside the peripheral inner portion 50 .
  • a predetermined portion of the laminated structure 52 including the raised portion 53 becomes the outer edge portion 51 . Since the outer edge portion 51 is prevented from being connected to the second cathode electrode 134 , it is possible to prevent the organic layer 131 formed on the raised portion 53 from contributing to light emission in the sub-pixels 101 .
  • a second cathode electrode 134 serving as a common electrode common to the sub-pixels 101 is formed on the lower protective layer 17.
  • a contact hole (contact hole 55 ) connected to the first cathode electrode 132 in the inner peripheral edge 50 is formed at a predetermined position of the lower protective layer 17 , and the second cathode electrode 134 is formed in the contact hole 55 . It has an extended portion 56 extending from the upper surface (first surface) of the lower protective layer 17 to the first surface of the first cathode electrode 132 along the peripheral surface.
  • the covering structure of the peripheral portion 130A of the anode electrode 130 with the insulating layer 14 may be omitted.
  • the insulating layer 14 is omitted and the arrangement of the outer edge portion 51 is omitted.
  • 31A and 31B are a cross-sectional view and a plan view showing an example of a display device according to modification 1 of the fifth embodiment.
  • the contact holes 55 are formed in the lower protective layer 17 at predetermined positions determined for each sub-pixel 101, and the second contact holes 55 are formed.
  • the cathode electrode 134 By forming the cathode electrode 134 , the first cathode electrode 132 and the second cathode electrode 134 are connected at the extension portion 56 forming the connection portion 57 .
  • the upper protective layer 19, the filling resin layer 20, and the counter substrate 21 are provided, and the first modification of the fifth embodiment is performed.
  • a display device 10E can be obtained.
  • a display device 10E according to Modification 2 of the fifth embodiment can be manufactured, for example, as follows.
  • a concave portion 111 is formed at a predetermined position on the driving substrate 11, an anode electrode 130 and an insulating layer 14 are formed, an organic layer 131, a first cathode electrode 132, and a lower protective layer 17 are formed (FIGS. 37A and 37B). ).
  • a portion of the anode electrode 130 formed on the concave portion 111 becomes the curved portion 65 .
  • the curved portion 65 is formed at a position avoiding the peripheral edge portion 130A of the anode electrode 130 (a predetermined position inside the peripheral edge portion 130A of the anode electrode 130).
  • a lower protective layer 17 is additionally formed on the entire surface of the first surface (FIGS. 39A and 39B).
  • the contact holes 55 are formed in predetermined positions determined for each sub-pixel 101 in the lower protective layer 17, and the second By forming the cathode electrode 134, the first cathode electrode 132 and the second cathode electrode 134 are connected at the extension portion 56 forming the connection portion 57 (FIGS. 40A and 40B). Then, as described in the manufacturing method of the display device 10E according to the fifth embodiment, the upper protective layer 19, the filling resin layer 20, and the counter substrate 21 are provided, and the display according to the modification 2 of the fifth embodiment is provided. A device 10E can be obtained.
  • the laminated structure 52 of the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 is formed in the region of the curved portion 65, the curved portion 65 It is possible to eliminate the need for uniformity of light emission between the bottom portion and the edge position of the curved portion 65 itself. Also, the laminated structure 52 can be formed at a position avoiding a step at the opening edge 140 . Therefore, in the display device 10E according to Modification 2 of the fifth embodiment, the reliability of the light emitting state of the display device 10E can be improved.
  • the shape of the curved portion 65 is a hemispherical curved shape in the fifth embodiment and its modified examples 2 to 3, the shape of the curved portion 65 is not limited to this. As shown in FIG. 36C, the curved portion 65 may have a curved surface with a plurality of unevenness.
  • a state such as that shown in FIG. 42A occurs, for example.
  • the position of the inner peripheral edge 50 is less likely to deviate from the center position of the opening 14A, and the area of the inner peripheral edge 50 is less likely to become smaller than necessary.
  • raised portions 54 are also formed on the upper surface of the lower protective layer 17 formed on the laminated structure 52 at positions corresponding to the raised portions 53 . Then, a resist 70 is applied all over the first surface side of the lower protective layer 17 (FIG. 41A).
  • the thickness of the lower protective layer 17 laminated on the first cathode electrode 132 is such that the raised portion 54 can also be formed in the lower protective layer 17 above the position of the opening edge 140 of the opening 14A.
  • the step (anode electrode) it is preferable that the thickness of the lower protective layer 17 is approximately three times the height of the step formed by the insulating layer 14 that runs over the surface 130 . For example, if the height of the step at the position of the opening edge 140 of the opening 14A is 100 nm, the thickness of the lower protective layer 17 is preferably about 300 nm.
  • dry etching is performed to gradually remove the resist 70 . Dry etching is performed until the raised ends of raised portions 54 in lower protective layer 17 begin to be exposed (FIG. 41B).
  • a method of specifying whether the raised portion 54 is exposed or not for example, it can be realized by monitoring the end point. In addition, for example, it can also be realized by performing time management of dry etching.
  • the lower protective layer 17, the first cathode electrode 132 and the organic layer 131 are removed by dry etching (FIG. 41C).
  • the resist 70 left on the lower protective layer 17 and used as a mask is removed by ashing or the like (FIG. 41D).
  • the laminate structure 52 of the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 is in a state of being separated into a peripheral inner portion 50 and an outer peripheral portion 51 .
  • a method similar to the manufacturing method of the display device 10E according to the fifth embodiment is performed after the peripheral edge inner forming step.
  • the display device according to the sixth embodiment is obtained.
  • the total thickness of the organic layer 131, the first cathode electrode 132, and the lower protective layer 17 is made uniform at the position of the outer peripheral edge of the inner peripheral edge 50. be able to.
  • a step portion 71 may be formed on the first surface of the drive substrate 11 at the position of the side wall 130B of the anode electrode 130 (modification example ).
  • the step portion 71 can be formed by etching not only the anode electrode 130 but also the drive substrate 11 side when patterning the anode electrode 130 for each sub-pixel 101 .
  • the adjacent anode electrodes The position of the first surface of the insulating layer 14 formed when the insulating layer 14 was formed between 130 and the position of the first surface of the insulating layer 14 running over the peripheral edge portion 130A of the anode electrode 130.
  • the difference H vertical difference
  • the portion covering the opening edge 140 in the state where the laminated structure 52 of the organic layer 131 and the first cathode electrode 132 is formed in the inner peripheral edge forming process can be made more conspicuous. can. Therefore, even when the lower protective layer 17 is formed, the protuberances 54 can be made more conspicuous.
  • the protruding portion 54 is conspicuous, it becomes easy to recognize the protruding end of the protruding portion 54 in the lower protective layer 17 during the dry etching of the resist.
  • the display device 10A according to the first embodiment and its modifications may be a combination of the second to sixth embodiments (seventh embodiment).
  • the seventh embodiment is a combination of the second to sixth embodiments with the first embodiment, this does not limit the combination of each embodiment herein.
  • the display device 10A according to the first embodiment may be combined with the display device 10C according to the third embodiment and its first modification. That is, in the display device 10A according to the first embodiment, the side wall protective layer 16 includes the first refractive index portion 33 and the first A second refractive index portion 34 having a lower refractive index may be formed outside the first refractive index portion 33 . As in the third embodiment, the display device 10A according to the first embodiment combined with the display device 10C according to the third embodiment also has the first refractive index portion 33 on the side of the light emitting element 13. The use efficiency of light can be improved by forming the second refractive index portion 34 .
  • the display device 10A according to the first embodiment combined with the display device 10D according to the fourth embodiment, similarly to the fourth embodiment, it is possible to suppress a defective conductive state due to a disconnection failure of the connection portion. can be done.
  • the method for manufacturing the display device according to the sixth embodiment may be implemented when the method for manufacturing the display device 10A according to the first embodiment combined with the fifth embodiment is implemented.
  • the display device 10 may be provided in various electronic devices. In particular, it is preferable to equip a video camera, an electronic viewfinder of a single-lens reflex camera, a head-mounted display, or the like, which requires a high resolution and is used in a magnified manner near the eye.
  • the display devices (display device 10A, etc.) according to the first to seventh embodiments are collectively referred to as display device 10 .
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back surface of the camera body 311 .
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314 . By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can view the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 any one of the display devices 10 according to the above-described embodiment and modifications can be used.
  • the display devices, manufacturing methods, and application examples according to the first to seventh embodiments and modifications of the present disclosure have been specifically described above.
  • the display device according to the seventh embodiment and each modified example and the application examples are not limited, and various modifications are possible based on the technical idea of the present disclosure.
  • the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like given in the display devices, manufacturing methods, and application examples according to the first to seventh embodiments and modifications described above are merely examples. , different configurations, methods, steps, shapes, materials, numerical values, etc. may be used as necessary.
  • the materials exemplified in the display devices, manufacturing methods, and applications according to the first to seventh embodiments and modifications described above may be used singly or in combination of two or more. can be used.
  • the emission color of each of the plurality of light emitting elements corresponds to a color type corresponding to each of the emission colors of the plurality of sub-pixels. In each of the sub-pixels, the emission color of the light-emitting element is a color type corresponding to the emission color of the sub-pixel.
  • the emission color of the plurality of light emitting elements is white. The display device according to any one of (1) to (4) above.
  • each of the plurality of light emitting elements and the second cathode electrode form a resonator structure;
  • the second cathode electrode includes a transflective layer;
  • the connecting portion is provided so as to surround each of the light emitting regions of the plurality of light emitting elements;
  • the inner portion of the connecting portion has a different refractive index from the refractive index of the element protection layer.
  • the inner part of the connecting part is a space, The display device according to (10) above.
  • the connecting portion is formed of a via
  • a via row is formed by arranging a plurality of the vias,
  • the pitch of the plurality of vias surrounding the light emitting regions of the individual light emitting elements is larger than the peak wavelength corresponding to the light emitted from the individual light emitting elements. smaller, The display device according to (12) above.
  • (14) comprising a sidewall protection layer continuous with the element protection layer; the via rows are arranged in a plurality of rows, The portion forming the side wall protective layer and the via are cyclically and repeatedly arranged with a period smaller than the peak wavelength of the light emitted from the light emitting element.
  • an insulating layer having an opening, disposed between the adjacent anode electrodes and covering the peripheral edge of the anode electrode; an opening edge of the opening is positioned above the anode electrode;
  • the laminated structure of the organic layer and the first cathode electrode is separated into a peripheral inner portion and an outer peripheral portion at a predetermined position inside the opening edge, the connecting portion is connected to the first cathode electrode inside the peripheral edge;
  • the display device according to any one of (1) to (17) above.
  • a laminated structure of the organic layer and the first cathode electrode is formed in a predetermined region inside an end portion of the anode electrode, A sidewall portion is formed on the sidewall surface side of the laminated structure,
  • the following configuration can also be adopted.
  • a plurality of light-emitting elements comprising an anode electrode, an organic layer, and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic layer, and the first cathode electrode are separated for each sub-pixel; a protective layer covering the light emitting element; a second cathode electrode provided on the protective layer; A connecting portion that electrically connects the second cathode electrode and the first cathode electrode is provided so as to surround a light emitting region of the light emitting element.
  • display device (22)
  • the inner portion of the connecting portion has a refractive index different from that of the protective layer.
  • connection part is a space part, The display device according to (21) above.
  • the connecting portion is formed of a via, A via row is formed by arranging a plurality of the vias, The display device according to any one of (21) to (23) above.
  • (25) having a plurality of sub-pixels respectively corresponding to a plurality of color types;
  • the connecting portion is provided for each sub-pixel, pitches of adjacent vias forming the via row differ according to color types of the sub-pixels;
  • a plurality of light emitting elements comprising an anode electrode, an organic layer and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic layer and the first cathode electrode are separated for each sub-pixel; a protective layer filling between the adjacent light emitting elements; a second cathode electrode provided on the protective layer; The second cathode electrode and the first cathode electrode are electrically connected, In the protective layer, a first refractive index portion, which is closer to the light emitting element, and a second refractive index portion having a lower refractive index than the first refractive index portion are provided at a side portion of the light emitting element.
  • the second refractive index portion is a space, The display device according to (30) above. (32) The direction of the light emitting surface of the light emitting element is the direction from the anode electrode to the first cathode electrode. The display device according to (30) or (31) above. (33) The protective layer has a third refractive index portion formed around the anode electrode. The display device according to any one of (30) to (32) above.
  • a plurality of light-emitting elements comprising an anode electrode, an organic layer and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic layer and the first cathode electrode are separated for each sub-pixel; a protective layer covering the light emitting element; a second cathode electrode provided on the protective layer; a connecting portion that electrically connects the second cathode electrode and the first cathode electrode; A metal layer is filled between the adjacent connection portions connected to the first cathode electrodes of the adjacent light emitting elements, display device. (35) The display device according to (34) above, wherein the metal halide forming the metal layer has a boiling point of 100° C. or lower under vacuum conditions.
  • a plurality of light emitting elements comprising an anode electrode, an organic layer and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic layer and the first cathode electrode are separated for each sub-pixel; a protective layer covering the light emitting element; a second cathode electrode provided on the protective layer; a connecting portion that electrically connects the second cathode electrode and the first cathode electrode; A laminated structure of the organic layer and the first cathode electrode is formed in a predetermined region inside an end portion of the anode electrode, A sidewall portion is formed on the sidewall surface side of the laminated structure, (38) The total thickness of the anode electrode, the organic layer, and the protective layer at the position of the outer peripheral edge inside the peripheral edge is constant.
  • the anode electrode has a planar contact surface between the anode electrode and the organic layer.
  • the anode electrode has a curved contact surface between the anode electrode and the organic layer.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

画素の発光状態の信頼性を向上することのできる表示装置及び電子機器を提供する。 表示装置が、複数の副画素と、アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が前記複数の副画素のそれぞれに分離されている複数の発光素子と、前記第１のカソード電極を覆う素子保護層と、前記素子保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部と、を備え、前記接続部は、前記素子保護層の側壁に沿って形成されている。

Description

表示装置及び電子機器
　本開示は、表示装置及びそれを用いた電子機器に関する。
　有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた表示装置として、画素毎に離隔して形成されたアノード電極の上に、少なくとも有機発光層を含む有機層および第１のカソード電極が積層された構造を有するものが提案されている。このとき、１つの画素は、ＲＧＢ等の複数の副画素で構成されていることがある。
　特許文献１では、上部電極が、第１の上部電極と、第１の上部電極上に直接設けられた第２の上部電極とにより構成された有機発光装置が提案されている。
特開２０１６－０２１３８０号公報
　特許文献１に開示された技術では、加工時のガス等による有機発光層へのダメージを抑制し、画素の発光状態の信頼性を向上する点で改善の余地がある。
　本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、画素の発光状態の信頼性を向上することのできる表示装置及び電子機器の提供を目的の一つとする。
　本開示は、例えば、（１）アノード電極と、有機発光層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機発光層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子をそれぞれに覆う複数の保護層と、
　前記複数の保護層上に設けられた第２のカソード電極と、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部と、
　を備え、
　前記接続部は、前記保護膜の側壁に接している、
表示装置である。
　また、本開示は、例えば、（２）上記（１）記載の表示装置を備えた電子機器であってもよい。
図１は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２Ａは、表示装置の実施例の一つを説明するための平面図である。図２Ｂは、図２Ａにおける破線で囲まれた領域ＸＳの部分を拡大した部分拡大平面図である。 図３Ａから図３Ｄは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を示す断面図である。 図４Ａから図４Ｃは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を示す断面図である。 図５は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す断面図である。 図６Ａから図６Ｃは、第１の実施形態にかかる表示装置の副画素のレイアウトの一実施例を説明するための平面図である。 図７Ａから図７Ｄは、第１の実施形態にかかる表示装置の副画素のレイアウトの一実施例を説明するための平面図である。 図８は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す断面図である。 図９は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す断面図である。 図１０は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を示す断面図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図１２は、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための平面図である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための平面図である。 図１５は、第２の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための平面図である。 図１６は、第３の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図１７Ａから図１７Ｃは、第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、第３の実施形態にかかる表示装置の製造方法の一実施例を説明するための断面図である。 図１９は、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図２０Ａから図２０Ｃは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図である。 図２１Ａから図２１Ｃは、第３の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図である。 図２２Ａ及び図２２Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２３Ａ及び図２３Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図２４は、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図２５Ａ及び図２５Ｂは、第４の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図２６Ａから図２６Ｃは、第４の実施形態にかかる表示装置の副画素のレイアウトの一実施例を説明するための平面図である。 図２７Ａ及び図２７Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図及び平面図である。 図２８Ａ及び図２８Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図２９Ａ及び図２９Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３０Ａ及び図３０Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３１Ａ及び図３１Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図及び平面図である。 図３２Ａ及び図３２Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３３Ａ及び図３３Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３４Ａ及び図３４Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３５Ａ及び図３５Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３６Ａから図３６Ｃは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図３７Ａ及び図３７Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３８Ａ及び図３８Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図３９Ａ及び図３９Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図４０Ａ及び図４０Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置の変形例の製造方法を説明するための断面図及び平面図である。 図４１Ａから図４１Ｄは、第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図４２Ａ及び図４２Ｂは、第６の実施形態にかかる表示装置を説明するための平面図である。 図４３Ａから図４３Ｄは、第６の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための断面図である。 図４４は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図４５は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図４６は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。
　以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．第５の実施形態
６．第６の実施形態
７．第７の実施形態
８．電子機器
　以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２の例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）とし、これに基づき説明を行う。これは、図３から図１３についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図２から図１６の各図についても同様である。
［１　第１の実施形態］
［１－１　表示装置の構成］
　図１は、本開示の一実施形態に係る有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置１０Ａ（以下、単に「表示装置１０Ａ」という。）の一構成例を示す断面図である。表示装置１０Ａは、複数の副画素１０１を有し、駆動基板１１と、複数の発光素子１３と、を備える。
　表示装置１０Ａは、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０Ａは、駆動基板１１が表示装置１０Ａの裏面側に位置し、駆動基板１１から発光素子１３に向かう方向（＋Ｚ方向）が表示装置１０Ａの表面側（表示面１１０Ａ側、上面側）方向となっている。以下の説明において、表示装置１０Ａを構成する各層において、表示装置１０Ａの表示面１１０Ａ側となる面を第１の面（上面）といい、表示装置１０Ａの裏面側となる面を第２の面（下面）という。なお、図　の例では、駆動基板１１上に、表示面１１０Ａの領域の周縁に周辺部１１０Ｂが設けられている。図２Ａは、表示装置１０Ａの表示面１１０Ａの一実施例を説明するための平面図である。このことは、第２の実施形態から第６の実施形態についても同様である。
　表示装置１０Ａは、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤまたはＭｉｃｒｏ－ＬＥＤ等の自発光素子をアレイ状に形成したマイクロディスプレイである。表示装置１０Ａは、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用もしくはＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）用の表示装置、電子ビューファインダ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｖｉｅｗ　Ｆｉｎｄｅｒ：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に対して好適に搭載できるものである。このことも、第２の実施形態から第６の実施形態についても同様である。
（副画素の構成）
　図１に示す表示装置１０Ａの例では、１つの画素が、複数の色種に対応した複数の副画素１０１の組み合わせで形成されている。この例では、複数の色種として赤色、緑色、青色の３色が定められ、副画素１０１として、副画素１０１Ｒ、副画素１０１Ｇ、副画素１０１Ｂの３種が設けられる。副画素１０１Ｒ、副画素１０１Ｇ、副画素１０１Ｂは、それぞれ赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素であり、それぞれ赤色、緑色、青色の表示を行う。ただし、図１の例は、一例であり、表示装置１０Ａを、複数の色種に対応した複数の副画素１０１を有する場合に限定するものではない。色種は１種類でもよいし、１つの副画素が１つの画素を形成してもよい。また、赤色、緑色、青色の各色種に対応する光の波長は、例えば、それぞれ６１０ｎｍから６５０ｎｍの範囲、５１０ｎｍから５９０ｎｍの範囲、４４０ｎｍから４８０ｎｍの範囲にある波長として定めることができる。
　また、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂが表示面１１０Ａの領域に配置される。副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、図１の例では１つの画素において横並びのストライプ状のレイアウトとなっている。画素は、表示面１１０Ａの面方向にマトリクス状に並ぶレイアウトとなっている。図２は、表示装置１０Ａの表示面１１０Ａを説明するための図である。
　以下の説明では、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを特に区別しない場合、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂは、副画素１０１という語で総称される。
（駆動基板）
　駆動基板１１は、基板１１Ａに複数の発光素子１３を駆動する各種回路を設けている。各種回路としては、発光素子１３の駆動を制御する駆動回路や、複数の発光素子１３に電力を供給する電源回路（いずれも図示せず）などを例示することができる。
　基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。
　駆動基板１１の第１の面には、発光素子１３と基板１１Ａに設けられた各種回路とを接続するための複数のコンタクトプラグ（図示せず）が設けられる。
（発光素子）
　表示装置１０Ａでは、駆動基板１１の第１の面上に、複数の発光素子１３が設けられている。発光素子１３は、副画素１０１ごとに設けられる。図１の例では、複数の発光素子１３として、個々の副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに対応するように個々の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが設けられる。この例に示す発光素子１３Ｒは、赤色光を放射可能に構成された赤色ＯＬＥＤである。発光素子１３Ｇは、緑色光を放射可能に構成された緑色ＯＬＥＤである。発光素子１３Ｂは、青色光を放射可能に構成された青色ＯＬＥＤである。発光素子１３は、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）またはＭｉｃｒｏ－ＬＥＤであってもよい。
　本明細書において、発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂといった種類が特に区別されない場合、発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、発光素子１３という語で総称される。複数の発光素子１３は、例えば、マトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。図２Ａの例では複数の発光素子１３は、副画素１０１の配置にあわせた所定の２方向（図２ＡではＸ軸方向及びＹ軸方向）に二次元的に配列したレイアウトとなっている。
　発光素子１３は、アノード電極１３０と、有機層１３１と、第１のカソード電極１３２とを備える。アノード電極１３０、有機層１３１および第１のカソード電極１３２は、駆動基板１１側から離れる方向に（＋Ｚ方向に沿って）、この順序で設けられる。図１の例では、発光素子１３Ｒは、駆動基板１１上に設けられたアノード電極１３０と、アノード電極１３０上に設けられた有機層１３１Ｒと、有機層１３１Ｒ上に設けられた第１のカソード電極１３２とを備える。発光素子１３Ｇは、駆動基板１１上に設けられたアノード電極１３０と、アノード電極１３０上に設けられた有機層１３１Ｇと、有機層１３１Ｇ上に設けられた第１のカソード電極１３２とを備える。発光素子１３Ｂは、駆動基板１１上に設けられたアノード電極１３０と、アノード電極１３０上に設けられた有機層１３１Ｂと、有機層１３１Ｂ上に設けられた第１のカソード電極１３２とを備える。なお、以下の説明において、有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂを特に区別しない場合には、有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂは、有機層１３１という語で総称される。
（発光素子の発光領域）
　発光素子１３の発光領域Ｐは、本明細書においては、図１に示すように、発光素子１３の厚み方向を視線方向として、第１のカソード電極１３２の第１の面側で、アノード電極１３０と、有機層１３１と、第１のカソード電極１３２との重なりあう領域であるものとする。
（アノード電極）
　表示装置１０Ａにおいて、アノード電極１３０は、駆動基板１１の第１の面側に、副画素１０１毎に電気的に分離された状態で、複数設けられる。図１の例では、アノード電極１３０は、後述する絶縁層１４で電気的に分離される。アノード電極１３０は、反射層としての機能も兼ねていることが好ましい。この観点を重視した場合、アノード電極１３０は、できるだけ反射率が高いことが好ましい。さらに、アノード電極１３０は、仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
　アノード電極１３０は、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。例えば、アノード電極１３０は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されていてもよい。アノード電極１３０が積層膜により構成されている場合、金属酸化物層が有機層１３１側に設けられていてもよいし、金属層が有機層１３１側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層を有機層１３１に隣接させる観点からすると、金属酸化物層が有機層１３１側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。
　金属酸化物層は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ）のうちの少なくとも１種を含む。
（有機層）
　有機層１３１は、アノード電極１３０と第１のカソード電極１３２の間に設けられている。有機層１３１は、副画素１０１ごとに電気的に分離（分断）された状態で設けられている。図　の例では、有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂが設けられている。有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ及び１３１Ｂは、副画素１０１の発光色に対応した色種となっており、それぞれ赤色、青色及び緑色を発光色とする。
　有機層１３１は、アノード電極１３０から第１のカソード電極１３２に向かって正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１３１の構成はこれに限定されるものではなく、発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。この発光層は、有機発光材料を含む有機発光層である。
　正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層と第１のカソード電極１３２との間には、電子注入層を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。
　なお、有機層１３１の厚みは、副画素１０１の異なる色種間で同じ厚みでもよいし、異なる値となっていてもよい。例えば、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに対応したそれぞれ有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂの厚みが互いに異なっていてもよい。図１の例では、副画素１０１の異なる色種間で、有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂの厚みが互いに異なっている。
（第１のカソード電極）
　第１のカソード電極１３２は、アノード電極１３０と対向して設けられている。第１のカソード電極１３２は、第２のカソード電極１３４と対向する。第１のカソード電極１３２は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。
　第１のカソード電極１３２は、有機層１３１で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、本明細書においては、透明電極の概念には、特に限定しない限り、透明導電層で形成されたもののみならず半透過性反射層およびそれらの組合せも含まれるものとする。第１のカソード電極１３２は、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第１のカソード電極１３２は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第１のカソード電極１３２が積層膜により構成されている場合、金属層が有機層１３１側に設けられてもよいし、金属酸化物層が有機層１３１側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機層１３１に隣接させる観点からすると、金属層が有機層１３１側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちの少なくとも１種を含む。
（第２のカソード電極）
　第２のカソード電極１３４は、表示面１１０Ａ内の領域においてすべての副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに共通の電極として設けられている。第２のカソード電極１３４は、後述する接続部１８を介して副画素１０１毎に分離された第１のカソード電極１３２に接続されている。第２のカソード電極１３４は、後述する下部保護層１７上に設けられている。図１の例では、第２のカソード電極１３４は、下部保護層１７上となる素子保護層１５上に、素子保護層１５の第１の面側を覆うように設けられている。
　第２のカソード電極１３４は、第１のカソード電極１３２と同様に、有機層１３１で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。また、第２のカソード電極１３４は、第１のカソード電極１３２と同様に、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。第２のカソード電極１３４で適用できる金属層および金属酸化物層については、第１のカソード電極１３２で適用できる金属層および金属酸化物層と同様である。
（絶縁層）
　表示装置１０Ａにおいては、図１に示すように、絶縁層１４が、駆動基板１１の第１の面側に設けられていることが好適である。絶縁層１４は、隣り合うアノード電極１３０の間に設けられており、各アノード電極１３０を発光素子１３毎（すなわち副画素１０１毎）に電気的に分離する。また、絶縁層１４は、複数の開口部１４Ａを有し、アノード電極１３０の第１の面（第１のカソード電極１３２との対向面）が開口部１４Ａから露出している。なお、図１等の例では、絶縁層１４は、分離されたアノード電極１３０の第１の面の周縁部１３０Ａから側面（端面または側壁と呼ぶことがある）にかけての領域を覆っている。そして、この場合、それぞれの開口部１４Ａは、それぞれのアノード電極１３０の第１の面上に配置され、開口部１４Ａの開口端縁１４０は、アノード電極１３０の端縁よりも内側に位置する。また、このとき、アノード電極１３０は、開口部１４Ａから露出し、この露出した領域が、発光素子１３の発光領域Ｐを規定する。本明細書において、アノード電極１３０の第１の面の周縁部１３０Ａとは、個々のアノード電極１３０の第１の面側の外周端縁からその第１の面の内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
　絶縁層１４は、例えば有機材料または無機材料により構成される。有機材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリル樹脂のうちの少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含む。
（下部保護層）
　下部保護層１７は、第２のカソード電極１３４よりも下側（第２のカソード電極１３４の第２の面側）に形成された保護層であり、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１を保護する。図１の例では、下部保護層１７は、第１のカソード電極１３２を被覆する部分と、隣り合う発光素子１３の間に形成された部分とを有する。次に説明するように第１のカソード電極１３２を被覆する部分を素子保護層１５と呼ぶ。隣り合う発光素子１３の間に形成された部分を側壁保護層１６と呼ぶ。
　本明細書においては、必要に応じて、保護層である素子保護層１５と保護層である側壁保護層１６を含む概念として下部保護層１７との言葉が用いられる。
（素子保護層）
　それぞれの第１のカソード電極１３２の第１の面上には、保護層として素子保護層１５がそれぞれに形成されており、第１のカソード電極１３２の第１の面を被覆する。素子保護層１５は、第１のカソード電極１３２を全面的に被覆してもよいし、第１のカソード電極１３２の一部の領域を避けた状態とされてもよい。素子保護層１５は、発光素子１３の上側に位置して、第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４の間に介在している。素子保護層１５は、発光素子１３を外気と遮断し、外部環境から発光素子１３への水分浸入を抑制する。素子保護層１５は、製造工程において、有機層１３１がプロセスガスや薬液等に曝されて、ダメージを受けることを抑制する。また、第１のカソード電極１３２が金属層により構成されている場合には、素子保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　素子保護層１５は、絶縁材料で形成される。絶縁材料としては、例えば、熱硬化性樹脂などを用いることができる。そのほかにも、絶縁材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＴｉＯ等でもよい。この場合、素子保護層１５として、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ等を含むＣＶＤ膜や、ＡｌＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ等を含むＡＬＤ膜等を例示することができる。素子保護層１５は、単層で形成されてもよいし、複数の層を積層した状態で形成されていてもよい。素子保護層１５が、２層の積層構造として、第１のカソード電極１３２に第１の保護層を備え、第１の保護層を覆うように第２の保護層を備える場合、第１の保護層は、ＣＶＤ膜で形成され、第２の保護層は、ＡＬＤ膜で形成されていることが好ましい。なお、ＣＶＤ膜は、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成された膜を示す。ＡＬＤ膜は、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ　ｌａｙｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成された膜を示す。
　素子保護層１５の上下方向（厚み方向）の形状は特に限定されず、素子保護層１５の側壁にテーパーをつけられていてもよいし、図１に示すように、非テーパー状として形成されてもよい。
　表示面１１０Ａの法線方向を視線方向した場合、素子保護層１５は、発光素子１３の形状に対応した形状とされ、発光素子１３の発光面を覆うことが、発光素子１３を保護する機能を効率的に発揮する観点及び後述する接続部１８を適切な位置に形成する観点からは、好適である。
　なお、素子保護層１５の厚みは、副画素１０１の異なる色種間で同じ厚みでもよいし、異なる値となっていてもよい。例えば、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに対応したそれぞれ有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂの厚みが互いに異なっている場合に、素子保護層１５の厚みを異ならせることで第２のカソード電極１３４を形成するための第１の面を平坦化することができる。
（側壁保護層）
　図１の例では、隣り合う発光素子１３の間で、第２のカソード電極１３４と絶縁層１４との間に、保護層として側壁保護層１６が形成されている。側壁保護層１６は、隣接する発光素子１３の間のスペースを埋め、接続部１８の側面を被覆して外部環境から水分が接続部１８に侵入することを抑制する。側壁保護層１６は、素子保護層１５と同様の材料で形成されてよい。
（上部保護層）
　上部保護層１９は、第２のカソード電極１３４を覆っている保護層である。上部保護層１９は、第２のカソード電極１３４を保護する。具体的には、上部保護層１９は、外部環境から第２のカソード電極１３４への水分の到達を抑制する。さらに、上部保護層１９は、下部保護層１７と同様に、外部環境から発光素子１３内部への水分浸入をも抑制する。すなわち、上部保護層１９は、下部保護層１７による発光素子１３の保護を補強する。第２のカソード電極１３４が金属層により構成されている場合には、上部保護層１９は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　上部保護層１９の材料は、素子保護層１５等の下部保護層１７と同様に、絶縁材料で形成される。絶縁材料の種類としては、素子保護層１５の説明で示したものと同様のものを挙げることができる。上部保護層１９についても、素子保護層１５と同様に、単層でも複数の層を積層した状態で形成されてもよい。
（接続部）
　接続部１８は、第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４とを電気的に接続する部分である。第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａにおいては、接続部１８は、第１のカソード電極１３２及び第２のカソード電極１３４とは別に設けられる。ただし、接続部１８の適用範囲については、第１のカソード電極１３２及び第２のカソード電極１３４とは別に接続部を設ける技術に限定されず、第１のカソード電極１３２の一部や第２のカソード電極１３４の一部が第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４を接続する部分として用いられる技術に接続部１８を適用することができる。
　接続部１８は、素子保護層１５の側壁に沿って形成されている。接続部１８は、素子保護層１５の側壁１５Ａの一部の面に沿って形成されてもよいが、図１、図２Ｂ等に示すように素子保護層１５の側壁１５Ａの全周に形成されていることが、第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４との接続を確保する観点からは好ましい。
　また、素子保護層１５が発光領域Ｐを被覆している場合、接続部１８は、発光領域Ｐの外側に設けられているようになり、接続部１８による発光状態への影響が抑制される。したがって、表示装置１０Ａの輝度低下を抑制することができる。
　接続部１８の基端１８Ａは、素子保護層１５の側壁１５Ａと第１のカソード電極１３２との接する位置となっており、接続部１８は、その基端１８Ａから素子保護層１５の側壁１５Ａに沿って第２のカソード電極１３４に向かって延びる。接続部１８の先端１８Ｂは、第２のカソード電極１３４の第２の面側に接触している。
　接続部１８は、導電性材料を含有する。接続部１８は、第１のカソード電極１３２の再生成物（いわゆるデポ）で形成されていることが、工程の簡易化の観点からは好ましい。この場合、接続部１８は、第１のカソード電極１３２を形成する元素（金属元素）を含むようになり、導電性材料を含有し、導電性を備えるようになる。また、接続部１８は、サイドウォールプロセスで新たに設けられてもよい。サイドウォールプロセスとは、リソグラフィー技術やＣＶＤやエッチング技術等を適宜組み合わせて側壁面等に層を形成する技術を示すものとする。
（充填樹脂層）
　上部保護層１９の第１の面側には、充填樹脂層２０が形成されていてもよい。充填樹脂層２０は、後述の対向基板２１を接着する接着層としての機能を有することができる。充填樹脂層２０は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。
（対向基板）
　対向基板２１は、充填樹脂層２０上に、駆動基板１１に対向させた状態で設けられている。対向基板２１は、充填樹脂層２０とともに発光素子１３を封止する。対向基板２１は、駆動基板１１を形成する基板１１Ａと同様の材料で形成されてよく、ガラス等の材料により構成されることが好ましい。
　なお、説明の便宜上、第１の実施形態について図２から図１１、及び第２の実施形態から第６の実施形態についての図１２から図４３については、充填樹脂層２０及び対向基板２１の記載は省略する。また、説明の便宜上、図面上において、さらに上部保護層１９の記載を省略することもある。
［１－２　製造方法］
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａの製造方法について、図３、図４を用いて説明する。図３、図４は、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａの製造方法の一実施例を示す図である。まず、駆動基板１１上にアノード電極１３０や絶縁層１４を形成し、有機層１３１、第１のカソード電極１３２、下部保護層１７（素子保護層１５）まで形成する（図３Ａ）。次に、副画素１０１ごとに素子保護層１５、第１のカソード電極１３２をパターニングする（図３Ｂ）。このとき、第１のカソード電極１３２の側端部が露出する。さらに、第１の面上に、第１のカソード電極１３２の材料で導電膜２２が形成される（図３Ｃ）。導電膜２２の成膜方法は、例えばＡＬＤ等、成膜被覆性に優れた手法を用いられることが好適である。導電膜２２は、第１のカソード電極１３２に接触する。そして、導電膜２２の全面にドライエッチング法等が施される（図３Ｄ）。このとき、素子保護層１５の側壁１５Ａに残された導電膜２２で接続部１８が形成される。また、有機層１３１が副画素１０１ごとに分断加工される。その後、側壁保護層１６を形成し（図４Ａ）、ドライエッチング法等を用いて平坦化処理が施される（図４Ｂ）。このとき、素子保護層１５と接続部１８の上端部が露出する。そして、第１の面上に全面的に第２のカソード電極１３４を形成する（図４Ｃ）。第２のカソード電極１３４は、第１のカソード電極１３２に対して接続部１８を介して電気的に接続された状態となる。そして、第２のカソード電極１３４上に上部保護層１９を形成され、上部保護層１９と対向基板２１とが充填樹脂層２０を介して固定される。こうして表示装置１０Ａが得られる。
［１－３　作用効果］
　第１の実施形態によれば、接続部１８は、素子保護層１５の側壁１５Ａに沿った位置でのセルフアライン構造とすることができるため、ビアの開口プロセスを省略することができる。また、接続部の確保の目的で副画素１０１の内部にある程度の大きさの領域を確保することなく、第２のカソード電極１３４と第１のカソード電極１３２との接続を実現することができるため、副画素１０１の高精細化にとって有利となる。
　また、表示装置１０Ａでは、素子保護層１５が、第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４の間に設けられている。これにより、有機層１３１および第１のカソード電極１３２のエッチング工程等において、有機層１３１がプロセスガスや薬液等に曝されることを素子保護層１５により抑制することができる。すなわち、有機層１３１がダメージを受けることを抑制することができる。したがって、表示装置１０Ａの発光状態の信頼性低下を抑制することができる。
　また、アノード電極１３０、有機層１３１および第１のカソード電極１３２が副画素１０１毎に分離され、絶縁性を有する側壁保護層１６が各副画素１０１の間に設けられている。これにより、隣接する副画素１０１間でのリーク電流を抑制することができる。したがって、混色を抑制し、色再現性や発光効率を向上することができるため、表示装置１０Ａの発光状態の信頼性を向上することができる。
［１－４　表示装置の変形例］
　次に、上記第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａの変形例について説明する。
（変形例１）
　第１の実施形態の説明では、有機層１３１の発光色が副画素１０１の発光色に対応した色種となっていたが、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａでは、発光素子１３の発光色が副画素１０１の発光色に対応した色種以外であってもよい。例えば、具体的に、副画素１０１の色種によらず発光色が白色であるような発光素子１３Ｗが設けられてもよい（図５）。図５は、第１の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ａの一実施例を示す断面図である。また、変形例１にかかる表示装置１０Ａでは、発光素子１３Ｗが設けられ、副画素１０１の色種に応じたカラーフィルタ２３が設けられている。これにより、副画素１０１の色種に応じた光が表示面１１０Ａに表示される。ただし、このことは副画素１０１の発光色に対応した発光素子１３を設けた場合にカラーフィルタ２３を設けることを規制するものではない。
（有機層）
　発光素子１３Ｗは、白色の光を放出する有機層１３１Ｗを有する。有機層１３１Ｗの構造は、上記に特に限定されず、例えば、発光層として、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の組み合わせを有するいわゆる１ｓｔａｃｋ構造を有するもの等を挙げることができる。なお副画素１０１ごとに、有機層１３１Ｗの厚みを同じとしても、異ならせてもよい。図５の例では、副画素１０１Ｇ、１０１Ｂ、１０１Ｒの間で、有機層１３１Ｗの厚みが揃えられている。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ２３は、上部保護層１９の第１の面側（上側、＋Ｚ方向側）に設けられている。また、図５に示すカラーフィルタ２３は、オンチップカラーフィルタ（Ｏｎ　Ｃｈｉｐ　Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ２３は、例えば、図５の例に示すように、赤色のカラーフィルタ（赤色フィルタ２３Ｒ）、緑色のカラーフィルタ（緑色フィルタ２３Ｇ）および青色のカラーフィルタ（青色フィルタ２３Ｂ）を挙げることができる。赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇ、青色フィルタ２３Ｂはそれぞれ、発光素子１３Ｗに対向して設けられている。これにより、赤色の副画素１０１Ｒ、緑色の副画素１０１Ｇ、青色の副画素１０１Ｂそれぞれにおける各発光素子１３Ｗから発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを通過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面１１０Ａから出射される。　　　
（変形例２）
　第１の実施形態の表示装置１０Ａにおいて、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、図２Ｂの例に示すようなストライプ状のパターン以外のパターンでもよい。例えば、図６Ｂ、図６Ｃに示すようなデルタ状のレイアウトのパターンでもよいし、図６Ａに示すような正方配置のパターンでもよい。なお、デルタ状とは、３つの副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの中心を結ぶと三角形となるような配置を示す。正方配置とは、４つの副画素（図３Ｂの例では副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、１０１Ｂ）の中心を結ぶと正方形となるような配置を示す。また、副画素１０１の色種数は３種に限定されない。例えば、図７Ａから図７Ｄに示すように、副画素１０１の色種が４種類でもよい。図７Ａから図７Ｄは、表示装置１０Ａが４種類の色種（赤色、緑色、青色及び白色）に対応した副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、１０１Ｗを有する場合のレイアウト例を示す図である。この場合でも、副画素１０１のレイアウトは特に限定されず、例えば、デルタ状（図７Ｃ、図７Ｄ）、正方配列（図７Ａ）、ストライプ配列（図７Ｂ）等であってもよい。
（変形例３）
　第１の実施形態の表示装置１０Ａにおいては、図８に示すように、副画素１０１が共振器構造２４を形成していてもよい（変形例３）。図８は、変形例３にかかる表示装置１０Ａの一実施例を示す断面図である。
　変形例３では、共振器構造２４が、第２のカソード電極１３４と発光素子１３とで形成されている。共振器構造２４は、所定波長の光を共振させる構造を示す。変形例３では、例えば、発光素子１３の第１のカソード電極１３２は透明電極で形成され、第２のカソード電極１３４は半透過反射層を含むことが好ましい。なお、半透過反射層を含む場合には、半透過反射層のみで形成される場合を含むものとする。またアノード電極１３０は光反射性を有することが好ましい。副画素１０１ごとに共振器構造２４が副画素１０１の色種に対応する光を共振させるように、第２のカソード電極１３４とアノード電極１３０との光学的距離が調整される。これは、例えば、図８に示すように、素子保護層１５の厚みを調整することで具体的に実現される。図８の例では、異なる色種に対応した副画素１０１の間で素子保護層１５が互いに異なる厚みとなっている。また、図８の例では、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに対応して、有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂが設けられる。この場合、共振器構造２４により有機層１３１Ｒ、１３１Ｇ、１３１Ｂそれぞれについて、赤色、緑色、青色をそれぞれより強調した光が表示面１１０Ａ側から出射されるようになり、色純度を向上することができる。なお、光学的距離とは、共振器構造２４を形成する各層の厚みと屈折率の積の総和であるものとする。
　表示装置１０Ａによれば、このように素子保護層１５が異なる厚みとなっていても、素子保護層１５の側壁１５Ａに接続部１８が形成されていることで、接続部１８で第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４とを効果的に接続することができる。
（変形例４）
　第１の実施形態の上記変形例３の表示装置１０Ａにおいては、図９に示すように、副画素１０１の色種によらず発光色を白色とする有機層１３１Ｗを有してもよい（変形例４）。変形例４の場合、共振器構造２４により、副画素１０１Ｂでは、有機層１３１Ｗから放出される光のうち青色の光が強調される。同様に、副画素１０１Ｇでは、有機層１３１Ｗから放出される光のうち緑色の光が強調される。また、同様に、副画素１０１Ｒでは、有機層１３１Ｗから放出される光のうち赤色の光が強調される。強調された光の色純度をより高める観点からは、図９に示すように、カラーフィルタ２３が形成されていることが好ましい。有機層１３１Ｗとカラーフィルタ２３は、変形例１と同様である。
（変形例５）
　第１の実施形態の表示装置１０Ａにおいては、図１０に示すように、隣り合う副画素１０１の間（隣り合う発光素子１３の間）に形成された側壁保護層１６内に空隙部２５が形成されてもよい（変形例５）。図１０に示す変形例５の表示装置１０Ａでは、空隙部２５がテーパー状に形成されているが、空隙部２５の形状はこれに限定されない。空隙部２５は、側壁保護層１６を形成するときの形成条件を調整することで形成することができる。
（変形例６）
　第１の実施形態の表示装置１０Ａにおいては、図１１に示すように、接続部１８の側面１８Ｃ（素子保護層１５との非対向面）が第２のカソード電極１３４に接続されてもよい（変形例６）。変形例６にかかる表示装置１０Ａは、次に示すようにして製造することができる。第１の実施形態の表示装置１０Ａの製造方法で説明したことと同様にして側壁保護層１６を形成し、側壁保護層１６を選択的にエッチングする。このとき接続部１８の側面１８Ｃが露出する（図１１Ａ）。その後、第２のカソード電極１３４を形成する（図１１Ｂ）。これにより、第２のカソード電極１３４が接続部１８の外側の側面１８Ｃに接続される。第２のカソード電極１３４の形成後については、第１の実施形態の表示装置１０Ａの製造方法と同様の方法を適用される。変形例６にかかる表示装置１０Ａによれば、接続部１８に部分的な断線が生じても第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４とを接続することができる。
［２　第２の実施形態］　　
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂについて説明する。表示装置１０Ｂは、図１２に示すように、アノード電極１３０と、有機層１３１と、第１のカソード電極１３２とを備え、アノード電極１３０、有機層１３１および第１のカソード電極１３２が副画素１０１毎に分離されている複数の発光素子１３と、第２のカソード電極１３４とを備える。これらの構成については、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａと同様であるので、同じ符号を用い、且つ、説明を省略する。表示装置１０Ｂが複数の副画素１０１を有する点についても、第１の実施形態と同様である。なお、これらの構成については、第３の実施形態から第６の実施形態についても同様である。そこで、これらの構成については、後述する第３の実施形態から第６の実施形態についても第２の実施形態と同様に、第１の実施形態で使用した符号を用い、且つ、説明を省略する。
　また、表示装置１０Ｂには、必要に応じて上部保護層１９、充填樹脂層２０、対向基板２１及びカラーフィルタ２３が設けられる。これらの構成については、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａと同様であるので、説明及び図示を省略する。これらの省略について、特に変形例等で採り上げない限り、第３の実施形態から第６の実施形態についても同様である。
　第１の実施形態の説明では、副画素１０１や有機層１３１等については色種を特に区別しない場合に総称で記載したが、このことは、第２の実施形態から第６の実施形態についても同様である。
　第２の実施形態及び、後述する第３の実施形態から第６の実施形態については、第１の実施形態に対して異なる構成を説明する。
［２－１　表示装置の構成］
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいては、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａと同様に、保護層として下部保護層１７を備えており、図１２の例では、複数の発光素子１３をそれぞれに覆う複数の素子保護層１５を備え、隣り合う発光素子の間に側壁保護層１６を備える。第２の実施形態では、Ｚ軸方向を視線方向とした場合に、素子保護層１５は、副画素１０１ごとに、発光素子１３の発光領域Ｐに形成される。図１２では、副画素１０１の一つを抜き出して要部を記載している。図１３から図１５についても同様である。
（接続部）
　表示装置１０Ｂには、図１２に示すように、第２のカソード電極１３４と第１のカソード電極１３２とを電気的に接続する接続部３０が設けられている。図１２に示す接続部３０は、第２のカソード電極１３４のうち第２のカソード電極１３４から第１のカソード電極１３２に向かって延びる延設部２６となっている。またこの例に示す、接続部３０の端部（延設部２６の延出端）は、第１のカソード電極１３２の上面（第１の面）の外周端部１３２Ａに接続されている。
　接続部３０は、表示面１１０Ａの平面視上（Ｚ軸方向を視線方向とした場合）、図１３Ａに示すように、発光素子１３の発光領域Ｐの周囲を取り囲むように、その領域の周囲の位置に設けられている。図１３Ａは、第２の実施形態の一実施例を示す平面図である。
　図１２の例に示す接続部３０は、第２のカソード電極１３４を形成する材料で利用可能なＩＴＯやＩＺＯ等の導電性材料で外周部３０Ａを形成しており、接続部３０の内側部３０Ｂを、保護層である素子保護層１５の屈折率とは異なる屈折率を有する部分としている。図１２の例では、内側部３０Ｂは、空間部となっている。この場合、接続部３０の内側部３０Ｂは、素子保護層１５の屈折率よりも低い屈折率の部分となっている。また、このとき、接続部３０は中空形状を有している。接続部３０の内側部３０Ｂを形成する空間部は、図１３Ａに示すように発光領域Ｐを取り囲む連続した空間で形成されている。
　接続部３０の形成位置は、特に限定されないが、Ｚ軸方向（発光素子１３の厚み方向）を視線方向とした場合に、開口部１４Ａの外周囲１４１の位置上に形成されていることが好ましい。この場合、接続部３０が発光素子１３の発光領域Ｐ内部に入り込んだ位置に配置されることを抑制することができる。開口部１４Ａの外周囲１４１とは、開口端縁１４０から外側所定範囲の領域を示すものとする。
［２－２　作用効果］
　この点、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂによれば、接続部３０の内側部３０Ｂを、下部保護層１７（素子保護層１５）の屈折率よりも低い屈折率の部分としていることで、接続部３０で有機層１３１からの斜め方向の出射光を全反射させることができ、隣接する副画素１０１への光の漏れを減じることができ、光の利用効率を高めることができる。
　また、接続部３０が発光領域Ｐの周囲を取り囲むように設けられている。これにより、第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４との接続構造として、発光面を取り囲むどの位置でも同等の構造が形成され（全方位的に同等な構造が形成され）、視野角特性のばらつきを抑制することができ、表示装置１０Ｂの発光状態の信頼性を向上することができる。
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂによれば、第１のカソード電極１３２や有機層１３１が素子保護層１５などの下部保護層１７で被覆されており、第２のカソード電極１３４の形成時における有機層１３１の劣化を抑制することができる。
［２－３　変形例］
　次に、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂの変形例について説明する。
（変形例１）
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいては、接続部３０は、図１４Ａに示すように、Ｚ軸方向を視線方向として、それぞれの副画素１０１の中心からそれぞれ外側に向かう方向（素子保護層１５の中心から外側に向かう方向）に互いに離間して複数配置されていてもよい（変形例１）。この場合、隣り合う接続部３０の間隔Ｗｐ１は、副画素１０１ごとに、発光素子１３からの出射光のピーク波長以下となるような値に定められていることが好ましく、ピーク波長の１／２以下となるような値であることがより好ましい。また、内側部３０Ｂの幅Ｗｓ１は、ピーク波長以下であることが好ましく、ピーク波長の１／２以下であることがより好ましい。
　このような第２の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｂでは、複数配置された接続部３０で、素子保護層１５の中心から外側に向かう方向に、側壁保護層１６を形成する部材と接続部３０の内側部３０Ｂとが、出射光のピーク波長よりも小さい周期で周期的に繰り返し並ぶ。したがって、表示装置１０Ｂでは、それぞれの副画素１０１について、発光素子１３の発光面の周囲に出射光の波長レベルで屈折率が周期的に変化する部分が形成されるため、斜め方向への出射光が接続部３０の位置から外側に漏れ出しにくくなる。
（変形例２）
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいては、接続部３０の内側部３０Ｂが、連続的な空間部で発光領域Ｐの周囲を取り囲むように形成されていたが、接続部３０はこれに限定されない。例えば、接続部３０は、図１３Ｂに示すように下部保護層１７に形成されるビア３１で形成され、複数のビア３１を配列したビア列３２が形成されてもよい。
（下部保護層）
　第２の実施形態の変形例２においては、隣り合うビア３１の間で素子保護層１５と側壁保護層１６とが繋がっており（連続しており）、図１３Ｂの例では、連続一体化した下部保護層１７となっている。第２の実施形態の変形例２においては、それぞれのビア３１の周面が下部保護層１７に囲まれた状態となっている。
（ビア）
　本明細書においては、ビア３１とは、導電性を有する孔状構造であるものとする。第２の実施形態の変形例２に示すビア３１は、第２のカソード電極１３４側から第１のカソード電極１３２に延びる孔状構造である。ビアは、ビア３１は、下部保護層１７に形成された孔部の内周面及び底面（第１のカソード電極１３２の第１の面）に沿って第２のカソード電極１３４を延設した構造を有する。したがって接続部３０がビア３１で形成される場合、第２のカソード電極１３４で外周部３０Ａが形成される。また接続部３０の内側部３０Ｂを形成するビア３１の内部は、下部保護層１７の屈折率よりも低い屈折率の部分としている。具体的に、図１３Ｂの例では、ビア３１は中空形状を有している。したがって接続部３０がビア３１で形成される場合、内側部３０Ｂは、空間部となっている。なお、ビア３１の立体形状は特に限定されず例えば円柱状でも角柱状でもよい。ただし、ビア３１の内部が中空である場合は一例であり、ビア３１の内部に下部保護層１７よりも屈折率の低い材料を充填されてもよい。この場合、内側部３０Ｂがその屈折率の低い材料で形成されていることになる。
（ビア列）
　複数のビア３１は、発光素子１３の発光領域Ｐを取り囲むように配列されており、ビア列３２を形成している。接続部３０は、ビア列３２で構成されている。
　第２の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｂによれば、接続部３０となるビア３１が発光素子１３の発光面の周囲を取り囲むように設けられていることでビア列３２が形成されている。これにより発光面を取り囲むどの位置でも同等の構造が形成され（全方位的に同等な構造が形成され）、視野角特性のばらつきを抑制することができる。
　また、表示装置１０Ｂでは、ビア列３２が形成されていることで、所定のビア３１に断線や、ビア３１の一部と第１のカソード電極１３２との接触不良が生じても、他のビア３１で第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４との接続を確保することができ、表示装置１０Ｂの信頼性を向上することができる。
（変形例３）
　第２の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｂにおいては、接続部３０を形成するビア列３２は、Ｚ軸方向を視線方向として、それぞれの副画素１０１の中心からそれぞれ外側に向かう方向（発光素子１３から離れる方向）に間隔を開けて複数列配置されていてもよい（変形例３）。
　第２の実施形態の変形例３では、隣り合う接続部３０の間隔Ｗｐ１（隣り合うビア列３２の間隔）は、副画素１０１ごとに、発光素子１３の出射光のピーク波長以下となるような値に定められていることが好ましく、ピーク波長の１／２以下となるような値であることがより好ましい。
　複数の発光素子１３を構成する個々の発光素子１３について、個々の発光素子１３からの出射光に対応したピーク波長よりも、個々の発光素子１３の発光領域Ｐを取り囲む複数のビアのピッチのほうが小さい、ことが好ましい。すなわち、具体例を記載すれば、発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂのうち例えば、発光素子１３Ｒについて、発光素子１３Ｒからの出射光である赤色光のピーク波長よりも、その発光素子１３Ｒの発光領域Ｐの周りに配置されたビア３１のピッチが小さいことが好ましい。ビア列３２において、隣接するビア３１の間隔Ｗｐ２（ピッチ）は、副画素１０１ごとに、発光素子１３の出射光のピーク波長以下となるような値に定められていることが好ましく、ピーク波長の１／２以下となるような値であることがより好ましい。また、個々のビア３１の内部に形成された空間部の幅は、ピーク波長以下であることが好ましく、ピーク波長の１／２以下であることがより好ましい。
　副画素１０１の色種に応じて発光素子１３の出射光のピーク波長が異なる。この点を鑑みれば、表示装置１０Ｂは、複数の色種にそれぞれ対応した複数の副画素１０１を備え、副画素１０１ごとに接続部３０が設けられている場合、ビア列３２を形成する隣り合うビア３１のピッチが、副画素１０１の色種に応じて異なることが好ましい。
　このような第２の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｂでは、ビア列３２内でのビア３１の整列方向及び複数のビア列３２の配列方向のいずれについても、ビア３１と下部保護層１７を形成する材料とが、出射光のピーク波長よりも小さい周期で周期的に繰り返し並ぶように、接続部３０が構成される。この場合、表示装置１０Ｂでは、それぞれの副画素１０１について、発光素子１３の発光領域Ｐの周囲に出射光の波長レベルで屈折率が周期的に変化する部分が形成されるため、斜め方向への出射光が接続部３０の位置から外側に漏れ出しにくくなる。したがって、第２の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｂによれば、光漏れをより効果的に抑制することができ、光の利用効率を向上させることができる。
（変形例４）
　第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂにおいては、接続部３０は、第１のカソード電極１３２の上面の外周端部１３２Ａに接続されている場合に限定されず、第１のカソード電極１３２の側壁１３２Ｂの位置で接続されてもよい。
［３　第３の実施形態］
［３－１　表示装置の構成］
　第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃについて説明する。第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、図１６に示すように、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａと同様に、隣り合う副画素１０１の間に、保護層として側壁保護層１６（下部保護層１７でもある）が形成されている。図１６は、第３の実施形態にかかる表示装置の一実施例を示す断面図である。なお、図１６に例示する第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃでは、第１の実施形態と異なり、隣り合うアノード電極１３０の間の絶縁層１４が省略されているが、絶縁層１４は設けられてもよい。
　また、第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいて、図１６に示すように、側壁保護層１６には、それぞれの発光素子１３の側部領域に、第１屈折率部３３と第２屈折率部３４が形成されている。第１屈折率部３３と第２屈折率部３４は、副画素１０１ごとに、発光素子１３に近いほうから発光素子１３の外側に向かう方向（発光素子１３から離れる方向）にこの順に並んでいる。発光素子１３の側部領域Ｍとは、発光素子１３の側壁１１３の位置から外側に向かった所定位置までの範囲を示す。
（第１屈折率部）
　第１屈折率部３３は、図１６の例では、後述する接続部３５の側面３５Ａと有機層１３１の側壁を覆う層として形成されている。第１屈折率部３３が、このように接続部３５の側面３５Ａと有機層１３１の側壁を被覆することで、外部環境から水分等が有機層１３１側に侵入することが抑制され、有機層１３１の劣化が抑制されている。第１屈折率部３３は、第１の実施形態で説明した側壁保護層１６を構成する材料で形成される。
（第２屈折率部）
　第２屈折率部３４は、第１屈折率部３３よりも低い屈折率を有する。第２屈折率部３４は、空間部であることが好ましい。空間部は、空気や希ガス等を充填した部分でもよいが、真空部であることが第２屈折率部３４の屈折率を低くする観点から好適である。第２屈折率部３４は、駆動基板１１側から発光素子１３に向かう方向に、発光素子１３の厚み方向に沿って延びる空間で形成されている。
（接続部）
　表示装置１０Ｃには、図１６に示すように、第２のカソード電極１３４と第１のカソード電極１３２とを電気的に接続する接続部３５が設けられている。図１６に示す接続部３５は、第１のカソード電極１３２の外縁を基端として第２のカソード電極１３４に向かって立設された立壁部となっており、第１のカソード電極１３２の一部をなしている。またこの例に示す、接続部３５の先端（上端）は、第２のカソード電極１３４の下面（第２の面）に電気的に接続されている。
［３－２　表示装置の製造方法］
　第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃの製造方法について説明する。ここでは、図　に示す表示装置１０Ｃの製造方法を説明する。ただし、第２屈折率部３４が空間部である場合を例とする。
　駆動基板１１の第１の面上に、副画素１０１ごとに分離されたアノード電極１３０を形成した後、ＰＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法）で、第１の面の全面に側壁保護層１６を形成し（例えば２０００ｎｍの厚みで層形成し）、さらにリソグラフィー法等を用いて副画素１０１ごとに開口部１６０を形成する（図１７Ａ）。このとき開口部１６０からアノード電極１３０の第１の面が露出する。上記した側壁保護層１６の形成は、例えば、ＰＣＶＤ法によりＰＳｉＯ膜（プラズマシリコン酸化膜）を形成することで実現できる。
　次に、蒸着法等を用いて第１の面側の面に沿って有機層１３１（例えば、厚さ１０００ｎｍ程度の層）を形成し、さらに第１のカソード電極１３２を形成する。第１のカソード電極１３２の形成は、例えば、反応性スパッタリング法などを用いて、第１の面側にＩＺＯの膜（例えば、厚さ５０ｎｍ程度の膜）を形成することで実現することができる。このとき、側壁保護層１６の開口部１６０に形成された側面部１６０Ａにも有機層１３１と第１のカソード電極１３２が形成される。
　その後、第１の面側に素子保護層１５を形成する（図１７Ｂ）。素子保護層１５の形成は、例えば低温ＰＣＶＤ法等を用いてＰＳｉＮ膜（例えば、厚さ２０００ｎｍ程度の膜）等を形成することで実現される。
　図１７Ｃに示すように、ドライエッチングを行い、側壁保護層１６の上面位置よりも上側の素子保護層１５を取り除く。側壁保護層１６の上面位置と素子保護層１５の上面位置は、おおよそ同等であることが好ましいが、完全な同位置とされていなくてもよい。
　さらに図１８Ａに示すように有機層１３１と第１のカソード電極１３２のうち側壁保護層１６の上面位置よりも上側に露出した部分について、有機層１３１と第１のカソード電極１３２との両方がドライエッチング法を用いて除去される。これは、エッチングガスなどの条件を選択することで実現することができる。そして、側壁保護層１６の開口部１６０に形成された側面部１６０Ａに沿って形成された有機層１３１が、ドライエッチング法を用いて除去される。これについても、エッチングガスなどの条件を選択することで実現することができる。
　次に、低温ＰＣＶＤ法等を用いて第１の面側に側壁保護層１６をさらに形成する。側壁保護層１６のうちこの工程でさらに追加的に形成された部分の厚みは、例えば５０ｎｍ程度である。そして、第１の面側に露出した接続部３５の端面や素子保護層１５上に形成された側壁保護層１６は、ドライエッチング法等により取り除かれる。このとき、接続部３５となる第１のカソード電極１３２の部分を覆うように側壁保護層１６が形成される（図１８Ｂ）。発光素子１３の厚み方向を視線方向として、発光素子１３の側部領域Ｍの位置に形成された側壁保護層１６の部分が第１屈折率部３３をなす。また、このとき、有機層１３１の側端面も側壁保護層１６で被覆され、発光素子１３の厚み方向視線方向として、発光素子１３の側部領域Ｍの位置には第１の面側に向かう空間部が形成される。この空間部が第２屈折率部３４となる。
　そして、図１６に示すように、スパッタリング法等を用いることにより、第２のカソード電極１３４を第１の面側に一面形成する。これは、例えばＩＺＯ等といった第２のカソード電極１３４の材料を用いたスパッタリングにより実現することができる。第２のカソード電極１３４は、厚さが１００ｎｍ程度でよい。なお、第２のカソード電極１３４の材料を用いたスパッタリング法の条件によって、第２屈折率部３４となる空間部内に第２のカソード電極１３４が形成されることを避けることができる。
　第２のカソード電極１３４の形成後については、第１の実施形態で説明した表示装置の製造方法と同様にして、表示装置１０Ｃを得ることができる。
　上記製造方法の説明では、第２屈折率部３４は空間部であったが、空間部に変えて他の材料が充填されてもよい。例えば、側壁保護層１６（及び第１屈折率部３３）を窒化シリコンとし、第２屈折率部３４をシリコン酸化膜としてもよい。
［３－３　作用効果］
　この点、第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、副画素１０１ごとの発光素子１３の側部の位置で、側壁保護層１６に互いに屈折率の異なる第１屈折率部３３と第２屈折率部３４が形成されている。第１屈折率部３３と第２屈折率部３４は、発光素子１３の側部に発光素子１３を取り囲むように形成することができるため、全反射を生じさせることができる。また、第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、第２のカソード電極１３４と第１のカソード電極１３２とを接続する接続部３５の構造も発光素子１３を取り囲むように形成することができるため、全方位的に構造的なばらつきも生じさせにくい。
　有機ＥＬ素子を用いた表示装置として、画素毎に離隔して形成されたアノード電極の上に、少なくとも有機発光層を含む有機層および第１のカソード電極が積層された構造を有するものでは、第１のカソード電極が副画素ごとに分離される。このため、第２のカソード電極を第の１カソード電極上に接続する表示装置が提案されている。このような表示装置では、構造的に接続箇所とそれ以外の場所で構造的ばらつき（非対称性）を生じることがある。上記のような表示装置１０Ｃにおいては、構造的ばらつきを解消し且つ光利用効率を向上させることで発光状態の信頼性を向上させることができる
［３－４　変形例］
（変形例１）
（変形例１の表示装置の構成）
　次に、第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃの変形例について説明する。第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、下部保護層１７における素子保護層１５上に第２のカソード電極１３４が設けられていたが、図１９に示すように、素子保護層１５は省略されてもよい（変形例１）。さらに、上記で説明した第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃにおいては、接続部３５が第１のカソード電極１３２の一部に形成されたが、図１９に示す変形例１にかかる表示装置１０Ｃでは、第２のカソード電極１３４に接続部３５が形成されている。具体的には、第２のカソード電極１３４が、保護層としての側壁保護層１６に沿って形成され、側壁保護層１６の壁面に沿ってそれぞれの副画素１０１に対応した位置に下垂部４２を形成しており、下垂部４２の下端部が第１のカソード電極に接続されている。したがって下垂部４２に対応する部分で接続部３５が形成されている。また、図１９に示す第３の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｃの例においては、副画素１０１ごとに、アノード電極１３０の側部領域ＭＡに第３屈折率部３６が形成されている。アノード電極１３０の側部領域ＭＡは、アノード電極１３０の側壁１３０Ｂの位置から外側に向かった所定位置までの範囲を示す。
（変形例１の表示装置の製造方法）
　表示装置１０Ｃの製造方法について、特に、第２屈折率部３４が空間部である場合を例として説明する。駆動基板１１の第１の面上に、副画素１０１ごとに分離されたアノード電極１３０を形成した後、真空蒸着法等を用いて有機層１３１を所定の厚みで（具体的には、例えば、厚み１０００ｎｍ程度に）形成する。さらに、有機層１３１を被覆するように第１のカソード電極１３２を所定の厚みで（具体的には、例えば、ＩＺＯの膜を厚み５０ｎｍ程度に）形成する。
　次に、第３屈折率部３６を形成する材料で、第１の面上に、層３７を形成する。第３屈折率部３６を形成する材料は、例えば、ＰＳｉＯの膜（プラズマシリコン酸化膜）を例示することができる。またこの層３７の厚みについては、例えば２０００ｎｍ程度の厚みを例示することができる。そして、この層３７の第１の面上に、有機層１３１及び第１のカソード電極１３２に応じたパターンのレジスト４０を形成し（図２０Ａ）、ドライエッチングを行う（図２０Ｂ）。このとき、副画素１０１ごとに、アノード電極１３０、有機層１３１及び第１のカソード電極１３２の積層構造が形成される。また第１のカソード電極１３２上に層３７が残されている。
　次に、レジスト４０を除去し、側壁保護層１６を形成する材料の層３８と第３屈折率部３６を形成する材料の層３９を順次、積層する（図２０Ｃ）。この積層は、低温ＰＣＶＤ法等を用いることで実現することができる。例えば、側壁保護層１６を形成する材料がＰＳｉＮである場合には、低温ＰＣＶＤ法等を用いで、所定厚み（例えば、厚みが５０ｎｍ）のＰＳｉＮと、所定厚み（例えば、厚みが１００ｎｍ）のＰＳｉＯとを順次、形成する。このとき、これらの層３８、層３９は、第１の面に沿って形成されており、アノード電極１３０、有機層１３１及び第１のカソード電極１３２の積層構造の側壁面にも形成される。
　さらに、ドライエッチング法等を用いて、側壁保護層１６を形成する材料の層３８と第３屈折率部３６を形成する層３９を部分的に除去する（図２１Ａ）。このとき、層３８、層３９は、アノード電極１３０、有機層１３１及び第１のカソード電極１３２の積層構造の側壁面上に形成された部分が残される。
　次に、図２１Ｂに示すように、低温ＰＣＶＤ法等を用いて、側壁保護層１６を形成する材料の層４１を所定の厚み（例えば、厚みが３０００ｎｍ）まで第１の面側の全面に形成する。そして、ドライエッチング等によって層４１の一部を削除することにより第３屈折率部３６を形成する材料の層３７、層３９（例えばＰＳｉＯの膜）の上端面（第１の面側の端面）を露出させる。
　さらに、ドライエッチングにより第３屈折率部３６を形成する材料の層３７、層３９のうち第１の面側に露出した層の部分を選択的に除去する。このとき、第１のカソード電極１３２面上に形成された層３７と、層３７に対して層３８を挟んで隣接する層３９の部分が空間部となる。なお、アノード電極１３０の周囲に形成された層３７は層４１に埋設された状態で残される。また、層３９の部分で形成された空間部が第２屈折率部３４となる。さらに層３７の部分で形成された空間部と第２屈折率部３４で挟まれた層３８の部分が第１屈折率部３３となる（図２１Ｃ）。
　そして、スパッタリング法等により第１の面側の全面に第２のカソード電極１３４を所定の厚み（例えば、厚みが１００ｎｍ）で形成する（図１９）。第２のカソード電極１３４を形成する材料がＩＺＯである場合、スパッタリング等でＩＺＯの膜が形成される。第２のカソード電極１３４は、第１のカソード電極１３２の第１の面上の空間部では、層３９の側壁に沿って第１のカソード電極１３２の面上まで形成され、第１のカソード電極１３２に電気的に接続される。このとき、第１のカソード電極１３２に接続された部分と、層３９の側壁に沿って第１のカソード電極１３２面上まで形成された部分とが、第２のカソード電極１３４の下垂部４２に対応する。
　なお、第２のカソード電極１３４の材料を用いたスパッタリング法の条件によって、第２屈折率部３４となる空間部内に第２のカソード電極１３４が形成されることを避けることができる。
　第２のカソード電極１３４の形成後については、第１の実施形態で説明した表示装置１０Ａの製造方法と同様にして、第３の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｃを得ることができる。
　なお、変形例１においては、アノード電極１３０の周囲に第３屈折率部３６が形成されていたが、第３屈折率部３６が省略されていてもよい。
（作用効果）
　この変形例１においても第３の実施形態で説明した効果と同様の効果を得ることができる。
［４　第４の実施形態］　
［４－１　表示装置の構成］
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄについて説明する。第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄにおいては、図２２Ａに示すように、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａと同様に、副画素１０１ごとに第１のカソード電極１３２上に保護層としての素子保護層１５（下部保護層１７）が形成されている。図２２Ａに示す第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄの例では、第１の実施形態と異なり、隣接する副画素１０１の間の側壁保護層１６は省略されている。ただし、このことは、側壁保護層１６の配置を禁止するものではなく、第１の実施形態と同様に、側壁保護層１６が形成されてもよい。図２２Ａは、第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄの一実施例を示す断面図である。また、図２２Ａの例では、１つの画素を形成する副画素１０１として、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの３種類が設けられている。
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄにおいては、隣り合う発光素子１３それぞれの第１のカソード電極１３２に接続される互いに隣り合う接続部４５の間に、金属層４６が充填されている。すなわち、それぞれの副画素１０１の第１のカソード電極１３２に接続される互いに隣り合う接続部４５の間に、金属が充填されており、充填された金属で金属層４６が形成されている。
（第２のカソード電極及び接続部）
　図２２Ａの例に示す第４の実施形態の表示装置１０Ｄでは、接続部４５は、第２のカソード電極１３４の一部で形成されている。第２のカソード電極１３４は、素子保護層１５の外周面に沿って形成されている。そして、第２のカソード電極１３４のうち、素子保護層１５の側壁１５Ａに沿って第１のカソード電極１３２の側壁１３２Ｂに向かって延びている部分が接続部４５をなしている。第２のカソード電極１３４は、接続部４５の下端部側で第１のカソード電極１３２の側壁１３２Ｂに接続される。また、第２のカソード電極１３４は、隣り合う接続部４５の下端部側を互いに連結する連結部４７を有し、全体として副画素１０１に共通する共通電極として機能する。
（金属層）
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄにおいては、上記したように隣り合う第１のカソード電極１３２に接続される隣り合う接続部４５の間に金属層４６が充填されている。図２２Ａの例では、金属層４６は、連結部４７及び隣り合う接続部４５に接するように形成されている。金属層４６の材料は、光反射性を有し且つ導電性を有するものが用いられ、例えば、１族、２族及び１３族から１６族の金属、遷移金属を例示することができる。また、光反射性や導電性の観点からは、金属層４６の材料としては、アルミニウム、銀、これらを含む合金などを好適に用いることができる。このとき、金属層４６の材料となる合金としては、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉ等を例示することができる。ただし、加工容易性の観点からは、金属層４６の材料は、ハロゲン化物（フッ化物等）の沸点が真空化で１００℃以下であるような材料であることが好ましい。この観点からは、金属層４６の材料は、アルミニウム及びアルミニウム合金から選ばれた１種類以上の金属材料であることが好ましい。
　金属層４６の上下方向の寸法については、金属層４６の上端（第１の面側の端部）が素子保護層１５の側壁１５Ａの上端またはその近傍に位置し、金属層４６の下端（第２の面側の端部）が第２のカソード電極１３４の連結部４７の形成位置またはその近傍に位置していることが好ましい。
　金属層４６の上端は、図２２Ｂに示すように、素子保護層１５の側壁１５Ａの上端またはその近傍よりもさらに上側に延び出ていてもよく、上部保護層１９の上面からさらに延び出ていてもよい。なお、図２２Ａの例における金属層４６は、後述するように上部保護層１９の内部に埋設されているが、金属層４６は、第２のカソード電極１３４の形状に応じて下部保護層１７側に設けられてもよい。
（素子保護層）
　素子保護層１５の材質は、特に限定されず、第１の実施形態で説明した材料を用いることができる。例えば、素子保護層１５の材料は、ＳｉＮ等を挙げることができる。また、素子保護層１５は、単層でもよいし、多層構造を有してもよい。例えば、素子保護層１５は、ＳｉＮで形成された層とＡＬＤ（原子層堆積）によるＡｌＯｘ膜との積層構造を有してもよい。
（上部保護層）
　第４の実施形態においては、第１の実施形態と同様に、第２のカソード電極１３４を覆うように上部保護層１９が形成される。図２２Ａの例では、上部保護層１９の内部に、金属層４６が埋設された状態となっている。上部保護層１９の材質は、素子保護層１５の材質と同様に第１の実施形態で説明した材料を用いることができる。また、上部保護層１９についても、素子保護層１５と同様に単層でもよいし多層構造を有してもよい。
［４－２　表示装置の製造方法］
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄの製造方法について説明する。ここでは、図　２２Ａに示す表示装置１０Ｄの製造方法を説明する。
　まず、駆動基板１１上にアノード電極１３０や絶縁層１４を形成し、有機層１３１、第１のカソード電極１３２、素子保護層１５まで形成する。次に、第１の面上に、第２のカソード電極１３４が形成される。第２のカソード電極１３４の形成方法は、例えばＡＬＤ等、成膜被覆性に優れた手法を用いられることが好適である。第２のカソード電極１３４は、素子保護層１５の上面側で第１のカソード電極１３２を覆う。また、第２のカソード電極１３４は、素子保護層１５の側壁１５Ａに沿って駆動基板１１側に向かって延びる部分で接続部４５を形成している。第２のカソード電極１３４に形成された接続部４５は、その下端部側の所定位置で第１のカソード電極１３２の側壁１３２Ｂに接続される。そして、隣り合う第１のカソード電極１３２に接続された隣り合う接続部４５が繋がっており、この接続部４５を繋げる部分が連結部４７をなす。
　次に、第２のカソード電極１３４を覆うように金属層４６が全面に形成される（図２３Ａ）。このとき、隣り合う接続部４５の間の隙間にも金属層４６を形成する金属が充填される。そして、金属層４６をエッチングし、第２のカソード電極１３４のうち素子保護層１５の上面の上に形成された部分を露出させる（図２３Ｂ）。このとき、隣り合う接続部４５の間の隙間に充填された金属層４６が残される。
　さらに、第１の面側に、上部保護層１９が形成され、上部保護層１９と対向基板２１とが充填樹脂層２０を介して固定される。こうして表示装置１０Ｄが得られる。
［４－３　作用効果］
　有機ＥＬ素子を用いた表示装置として、画素毎に離隔して形成されたアノード電極の上に、少なくとも有機発光層を含む有機層および第１のカソード電極が積層された構造を有するものでは、第１のカソード電極が副画素ごとに分離される。このため、第２のカソード電極を第の１カソード電極上に接続する表示装置が提案されている。このような表示装置では、第２カソード電極と第１のカソード電極との接続部は、成膜技術等を用いて形成されることがある。接続部の材質としてＩＴＯ等といった成膜されにくいものが用いられた場合には、十分な厚みを有する膜が形成されにくい。このため、接続部の材質として成膜されにくいものが用いられた場合でも接続部の断線不良を抑制し、表示装置の発光状態の信頼性を向上することが要請される。
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄにおいては、隣り合う接続部４５の隙間に金属層４６が充填されているため、接続部４５に断線不良を生じても導電性を維持することができ、表示装置１０Ｄの発光状態の信頼性を向上することができる。また、図２２Ａにも示すように、有機層１３１から斜め方向に出射した光が金属層４６で反射光ＬＷとなることで隣接する副画素１０１への光もれを抑制することもできる。
［４－４　変形例］
（変形例１）
　次に、第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄの変形例について説明する。
（変形例１の構成）
　第４の実施形態の説明では、有機層１３１の発光色が副画素１０１の発光色に対応した色種となっていたが、第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄでは、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａの変形例１と同様に、発光素子１３の発光色が副画素１０１の発光色に対応した色種以外であってもよい（変形例１）。例えば、第４の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｄでは、図２４の例に示すように、有機層１３１として副画素１０１の色種によらず白色を発光色とする有機層１３１Ｗを有する発光素子１３Ｗが設けられてよい。なお、図２４に示す第４の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｄの例では、第１の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ａと同様に、発光素子１３Ｗと副画素１０１の色種に応じたカラーフィルタ２３が設けられている。これにより、表示装置１０Ｄでは、副画素１０１の色種に応じた光が表示面１１０Ａに表示される。なお、発光素子１３Ｗ及びカラーフィルタ２３は、第１の実施形態の変形例１で説明したものと同様である。
（変形例２）
　第４の実施形態の表示装置１０Ｄにおいて、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、限定されない。例えば、副画素１０１のレイアウトは、図２６Ｂの例に示すようなストライプ状のパターンでもよいが、第１の実施形態の表示装置１０Ａの変形例２と同様に、その他のパターンでもよい。すなわち、第４の実施形態の表示装置１０Ｄでは、副画素１０１のレイアウトのパターンは、例えば、図２６Ｃに示すようなデルタ状のパターンでもよいし、図２６Ａに示すような正方配置のパターンでもよい。なお、デルタ状とは、３つの副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの中心を結ぶと三角形となるような配置を示す。正方配置とは、４つの副画素（図２６Ａの例では副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ、１０１Ｂ）の中心を結ぶと正方形となるような配置を示す。これらの場合においても、それぞれの副画素１０１の外周縁に第２のカソード電極１３４の接続部４５が形成され、隣り合う接続部４５の間に金属層４６が充填される。
（変形例３）
　第４の実施形態の表示装置１０Ｄにおいては、第１の実施形態の変形例３と同様に、図　２５Ａに示すように、副画素１０１が共振器構造２４を有していてもよい（変形例３）。図２５Ａは、第４の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｄの一実施例を示す断面図である。
　第４の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｄでは、共振器構造２４が、第２のカソード電極１３４と発光素子１３とで形成されている。共振器構造２４は、第１の実施形態の変形例３で説明したものと同様である。図２５Ａの例では、第１の実施形態の変形例３と同様に異なる色種に対応する副画素１０１の間では素子保護層１５が互いに異なる厚みとなっている。第４の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｄでは、副画素１０１の色種に応じた色を発光色とする発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂを備えており、共振器構造２４により、所定色の光（それぞれ赤色光（ＫＲ）、緑色光（ＫＧ）、青色光（ＫＢ））が強調され、副画素１０１の色種に応じた光の色純度を向上させることができる。
　表示装置１０Ｄによれば、このように素子保護層１５が異なる厚みとなっていても、隣り合う接続部４５の間に金属層４６が充填されていることで、第２のカソード電極１３４の接続部４５の断線不良による導電状態の不良を抑制することができる。
（変形例４）
　第４の実施形態の上記変形例３の表示装置１０Ｄにおいては、図２５Ｂに示すように、副画素１０１の色種によらず有機層１３１Ｗが設けられてもよい。有機層１３１Ｗは、第４の実施形態の変形例１と同様である。この場合においても、共振器構造２４により、副画素１０１の色種に応じた光が取り出される。
　第４の実施形態の上記変形例４の表示装置１０Ｄにおいては、図２５Ｂに示すように、カラーフィルタ２３が設けられていることが好ましい。カラーフィルタ２３が設けられていることで、色純度を向上させることができる。カラーフィルタ２３は、第４の実施形態の変形例１と同様である。
［５　第５の実施形態］　
［５－１　表示装置の構成］
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅについて説明する。図２７Ａ、図２７Ｂに示す第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの例では、隣り合うアノード電極１３０の間に配置され且つアノード電極１３０の周縁部１３０Ａを覆う絶縁層１４が設けられている。図２７Ａ、図２７Ｂは、第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの一実施例を示す断面図である。また、図２７Ａ、図２７Ｂの例では、１つの画素を形成する副画素１０１として、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの３種類が設けられている。
　図２７Ａに示す表示装置１０Ｅの例では、絶縁層１４の開口端縁１４０がアノード電極１３０上に位置しており、開口部１４Ａの開口端縁１４０の厚みによる段差がアノード電極１３０の周縁部１３０Ａの位置で形成される。また、この段差の形成部分を被覆しアノード電極１３０のうち開口部１４Ａから露出した部分と絶縁層１４を被覆するように有機層１３１が形成される。さらに、有機層１３１を被覆するように第１のカソード電極１３２が形成されている。また第１の実施形態等と同様に、有機層１３１と第１のカソード電極１３２は、副画素１０１ごとに分離形成されている。図２７Ａ、図２７Ｂに示す第５の実施形態の例では、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２は、開口部１４Ａの開口端縁１４０の位置上で隆起部５３を形成している。それぞれのアノード電極１３０のうち周縁部１３０Ａのさらに内側の所定位置（開口部１４Ａの開口端縁１４０よりも内側の所定位置）で、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２が、所定形状に分断されている。図２７Ｂの例では、積層構造５２が、周縁部１３０Ａの内側の矩形状の部分（周縁内部５０）とその外周縁部分（外縁部５１）に分離されている。アノード電極１３０の周縁部１３０Ａよりも内側とは、Ｚ軸方向を視線方向とした場合（発光素子１３の厚み方向を視線方向とする場合）において内側の領域に位置することを示す。
（周縁内部）
　周縁内部５０は、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２のうちアノード電極１３０の周縁部１３０Ａよりも内側に形成された部分であり、開口部１４Ａの開口端縁１４０よりも内側（中央側）の部分で形成される。図２７Ａに示す例では、周縁内部５０は、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２における隆起部５３を避けた部分となっている。図２７の例では、アノード電極１３０が平面状に形成されており、周縁内部５０は平面状に形成されやすくなっている。周縁内部５０に対しては、第２のカソード電極１３４が、周縁内部５０における第１のカソード電極に接続される。
（外縁部）
　外縁部５１は、積層構造５２のうち周縁内部５０の外側の部分である。積層構造５２のうち、隆起部５３を含む所定の部分が外縁部５１となる。外縁部５１は、第２のカソード電極１３４との接続を避けられているため、隆起部５３に形成された有機層１３１が副画素１０１における発光に寄与することを避けることができる。
（下部保護層）
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅにおいては、第１のカソード電極１３２を被覆するように下部保護層１７が形成されている。図２７Ｂの例に示す下部保護層１７では、第１のカソード電極１３２の第１の面上の部分と第１のカソード電極１３２の第１の面上から外れた部分のいずれについても一体的に形成されており、第１の実施形態にいう素子保護層１５と側壁保護層１６が一体をなしている。ただし、このことは、下部保護層１７が第１の実施形態に示すような素子保護層１５と側壁保護層１６に分離形成されることを禁止するものではない。下部保護層１７は、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａにおける素子保護層１５と同様の材料で形成されてよい。
（第２のカソード電極）
　図２７Ａの例に示す第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅにおいては、下部保護層１７の上に、副画素１０１に共通する共通電極となる第２のカソード電極１３４が形成されている。下部保護層１７の所定の位置に周縁内部５０の第１のカソード電極１３２に繋がるコンタクト用の孔部（コンタクトホール５５）が形成されており、第２のカソード電極１３４は、コンタクトホール５５の内周面に沿って下部保護層１７の上面（第１の面）から第１のカソード電極１３２の第１の面まで延設された延設部５６を有している。この第２のカソード電極１３４の延設部５６が接続部５７となる。第２のカソード電極１３４と第１のカソード電極１３２の接続は、延設部５６の延設端を第１のカソード電極１３２に接続することで実現されている。
［５－２　表示装置の製造方法］
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの製造方法について説明する。ここでは、図２７Ａ、図２７Ｂに示す表示装置１０Ｅの製造方法を説明する。
　駆動基板１１上にアノード電極１３０や絶縁層１４を形成し、有機層１３１Ｂ、第１のカソード電極１３２、下部保護層１７まで形成する（図２８Ａ、図２８Ｂ）。次に、副画素１０１Ｂのパターンに合わせて下部保護層１７、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１をパターニングする。このとき、副画素１０１Ｂにおいて、互いに分離された周縁内部５０と外縁部５１も形成される。これは、リソグラフィー及びエッチングを用いることで実現できる。すなわち、アノード電極１３０内の所定の位置でパターニングとドライエッチングを施すことで、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１に、周縁内部５０と外縁部５１とを分離する溝５８を形成する（図２９Ａ、図２９Ｂ）。これにより第１のカソード電極１３２及び有機層１３１の積層構造５２が、周縁内部５０と外縁部５１に分離される。周縁内部５０と外縁部５１の離間距離は、溝５８の幅に応じて適宜定めることができる。これを、副画素１０１Ｇ、１０１Ｒについても実施し、副画素１０１ごとに周縁内部５０と外縁部５１が形成される。以下、積層構造５２を周縁内部５０と外縁部５１に分離する工程を周縁内部形成工程と呼ぶ。
　周縁内部形成工程の後、さらに、第１の面側に下部保護層１７を追加形成し（図３０Ａ、図３０Ｂ）、下部保護層１７に対して副画素１０１ごとに定められた所定の位置にコンタクトホール５５を形成する。コンタクトホール５５は、リソグラフィー及びドライエッチングを用いて形成することができる。
　下部保護層１７の第１の面上に、第２のカソード電極１３４が一面に（全面に）形成される。第２のカソード電極１３４の形成方法は、例えばスパッタリング等を用いられることが好適である。コンタクトホール５５は、第２のカソード電極１３４を形成する材料（例えば、ＩＺＯ等）の膜が形成できるような形状及び口径とされており、コンタクトホール５５の内周面に沿って下部保護層１７の第１の面側から第１のカソード電極１３２の第１の面まで、第２のカソード電極１３４が延設される。このとき接続部５７としての延設部５６が形成される。また、接続部５７で第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４が接続される（図２７Ａ、図２７Ｂ）。
　そして、第１の実施形態等と同様に、第２のカソード電極１３４上に上部保護層１９を形成し、充填樹脂層２０を介して対向基板２１を配置することで表示装置１０Ｅが得られる（図示しない）。
［５－３　作用効果］
　有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、アノード電極の端部を絶縁層が被覆し、絶縁層に形成された開口部からアノード電極を露出させることがある。この場合、開口部の開口端縁の位置で、第１のカソード電極と有機層の積層構造が隆起する。副画素にこのような隆起が生じていると副画素の周縁で副画素の中心部とは異なる発光を生じること（エッジ発光）や、隣り合う副画素の発光を生じさせること（隣接画素発光）がある。そこで、表示装置の発光状態の信頼性を向上することが要請される。
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅにおいては、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２を周縁内部５０と外縁部５１に分離し、第２のカソード電極１３４が周縁内部５０の第１のカソード電極１３２に接続される。周縁内部で５０は、第１のカソード電極１３２と有機層１３１の積層構造５２の隆起部５３が含まれにくく、エッジ発光や隣接画素発光を抑制することができる。したがって、第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅによれば、発光状態の信頼性を向上することできる。またエッジ発光や隣接画素発光を抑制することができるため、表示装置１０Ｅの高輝度化や高精細化も容易となる。
［５－４　変形例］
（変形例１）
　次に、第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの変形例について説明する。
（変形例１の構成）
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅは、図３１Ａに示すように、絶縁層１４によるアノード電極１３０の周縁部１３０Ａの被覆構造が省略されてよい。図３１Ａ、図３１Ｂの例では、絶縁層１４が省略されており、外縁部５１の配置が省略されている。図３１Ａ、図３１Ｂは、第５の実施形態の変形例１にかかる表示装置の一実施例を示す断面図及び平面図である。
　図３１Ａに示す例ではアノード電極１３０が平坦面状に形成されており、このようなアノード電極１３０上に有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２が形成される。
　また、第５の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｅでは、第１の面側で駆動基板１１から離れる方向（＋Ｚ方向）に立ち上がるサイドウォール部６０が形成されている。サイドウォール部６０は、単層でもよいし複数層積層されていてもよい。図３１Ａ、図３１Ｂの例では、副画素１０１Ｒでは、サイドウォール部６０が単層で形成されており、副画素１０１Ｇ、１０１Ｂでは、サイドウォール部６０が、発光素子１３の厚み方向を視線方向として発光素子１３の中心から外側に向かう方向を積層方向として複数層されている。
（変形例１の表示装置の製造方法）
　次に、第５の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｅの製造方法について説明する。
まず駆動基板１１上にアノード電極１３０を形成し、有機層１３１Ｂ、第１のカソード電極１３２を形成し、さらに下部保護層１７を形成する材料の層６２を形成する（図３２Ａ、図３２Ｂ）。次に、副画素１０１Ｂのパターンに合わせて層６２、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１をパターニングする。これは、リソグラフィー及びエッチングを用いることで実現できる。さらに、下部保護層１７を形成する材料の層６１を第１の面側に全面的に形成する。このとき有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２の側壁５２Ａ及び層６２の側壁６２Ａにも層６１が形成される。ドライエッチング法などにより、積層構造５２の側壁５２Ａ及び側壁６２Ａを覆う層６１の部分以外を除去する。このとき、副画素１０１Ｂにおいて、積層構造５２の側壁５２Ａを被覆するサイドウォール部６０が形成される（図３３Ａ、図３３Ｂ）。
　副画素１０１Ｂの場合と同様にして、副画素１０１Ｇについてサイドウォール部６０を形成する。このとき副画素１０１Ｂについてサイドウォール部６０が積層される。さらに副画素１０１Ｒについても、サイドウォール部６０を形成する。このとき、副画素１０１Ｇ、１０１Ｂについてサイドウォール部６０が積層される（図３４Ａ、図３４Ｂ）。
　さらに、第１の面側の全面に、下部保護層１７を形成する材料の層６３を形成する（図３５Ａ、図３５Ｂ）。このとき必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われてもよい。このときサイドウォール部６０、層６２、層６３で下部保護層１７が形成される。
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの上記の製造方法で説明したように、下部保護層１７に対して副画素１０１ごとに定められた所定の位置にコンタクトホール５５を形成し、第２のカソード電極１３４を形成することで、接続部５７をなす延設部５６で第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４が接続される。そして第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの上記の製造方法で説明したように、上部保護層１９、充填樹脂層２０、対向基板２１を設けて、第５の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｅを得ることができる。
（変形例１の表示装置の作用効果）
　第５の実施形態の変形例１にかかる表示装置１０Ｅにおいても、上記第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの作用効果で示したことと同様の効果を得ることができる。
（変形例２）
　第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅでは、アノード電極１３０が平面状に形成されていたが、アノード電極１３０の形状はこれに限定されず、図３６Ａに示すように、湾曲状に形成されていてもよい（変形例２）。図３６Ａは、第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅの一実施例の要部を示す断面図である。図３６Ａでは、説明の便宜上、下部保護層１７、第２のカソード電極１３４、上部保護層１９、充填樹脂層２０、対向基板２１等についての記載を省略している。これは、図３６Ｂ、図３６Ｃについても同様である。
　アノード電極１３０には、その内側の所定領域に、凹状に湾曲した湾曲部６５が形成されている。アノード電極１３０の第１の面上且つ湾曲部６５の形成領域内に、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２が形成されて図３６Ａの例では、絶縁層１４がアノード電極１３０の周縁部１３０Ａを被覆する。開口部１４Ａの開口端縁１４０による段差が周縁部１３０Ａの位置に形成されている。積層構造５２は、この段差の形成部分を避けた位置に形成されている。第２のカソード電極１３４は、積層構造５２における第１のカソード電極１３２に接続されている。
（変形例２の表示装置の製造方法）
　第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅは、例えば次のように製造することができる。
　駆動基板１１上の所定位置に凹状部１１１を形成し、アノード電極１３０や絶縁層１４を形成し、有機層１３１、第１のカソード電極１３２、下部保護層１７まで形成する（図３７Ａ、図３７Ｂ）。アノード電極１３０のうち凹状部１１１上に形成された部分が湾曲部６５となる。湾曲部６５は、アノード電極１３０の周縁部１３０Ａを避けた位置（アノード電極１３０の周縁部１３０Ａよりも内側の所定位置）に形成されている。
　次に、副画素１０１のパターンに合わせて下部保護層１７、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１をパターニングする（図３８Ａ、図３８Ｂ）。このとき、副画素１０１において、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１の積層構造５２は、湾曲部６５の内側に形成された部分について残される。これは、リソグラフィー及びエッチングを用いることで実現できる。
　次いで、第１の面側の全面に、下部保護層１７を追加形成する（図３９Ａ、図３９Ｂ）。
　さらに第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの上記の製造方法で説明したように、下部保護層１７に対して副画素１０１ごとに定められた所定の位置にコンタクトホール５５を形成し、第２のカソード電極１３４を形成することで、接続部５７をなす延設部５６で第１のカソード電極１３２と第２のカソード電極１３４が接続される（図４０Ａ、図４０Ｂ）。そして第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの上記の製造方法で説明したように、上部保護層１９、充填樹脂層２０、対向基板２１を設けて第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅを得ることができる。
（変形例２の表示装置の作用効果）
　表示装置が湾曲したアノード電極を有する場合においては、湾曲部のうち湾曲開始位置から湾曲底部に向かって湾曲傾斜面となっているため、湾曲底部近傍よりも有機層の厚みが薄くなりやすく、湾曲底部と湾曲開始位置で発光状態の均一性がより要請される。また、アノード電極の周縁部に形成された開口縁部での段差による発光状態への影響を抑制することが要請される。
　第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅによれば、湾曲部６５の領域内に、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２が形成されるため、湾曲部６５の底部と湾曲部６５の端縁位置との間での発光状態の均一性を図る必要性の要請自体を取り除くことができる。また、上記開口端縁１４０での段差を避けた位置に積層構造５２を形成することができる。したがって、第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅにおいては、表示装置１０Ｅの発光状態の信頼性を向上することできる。
（変形例３）
　上記第５の実施形態の変形例２では、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１の積層構造５２は、湾曲部６５の外側の部分について取り除かれているが、図３６Ｂに示すように、湾曲部６５の領域の外側に形成された有機層１３１と第１のカソード電極１３２は除去されずに残されていてもよい（変形例３）。第５の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｅにおいては、湾曲部６５の領域の外側に形成された有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２の部分６６と、湾曲部６５の領域の内側に形成された有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２の部分６７とが分断部６８で分断されている。第２のカソード電極１３４は、部分６７の第１のカソード電極１３２に接続される。
　第５の実施形態の変形例３にかかる表示装置１０Ｅにおいては、積層構造５２の部分６６が、発光に寄与しないようにすることができるため、第５の実施形態の変形例２にかかる表示装置１０Ｅの作用効果と同様の効果を得ることができる。
（変形例４）
　上記第５の実施形態やその変形例２から変形例３では、湾曲部６５の形状が半球状に湾曲した形状となっていたが、湾曲部６５の形状はこれに限定されない。図３６Ｃに示すように、湾曲部６５は、複数の凹凸を有する湾曲面を有してもよい。
［６　第６の実施形態］
［６－１　表示装置の構成］
　第６の実施形態にかかる表示装置は、図４１Ｄに示すように、第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅにおいて、周縁内部５０の位置と領域を特定の位置と領域に定めたものである。
　上記第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅにおいては、その製造方法で説明したように、周縁内部５０と外縁部５１とを分離形成するための溝５８がリソグラフィー法やエッチング等を用いて形成される。そこでリソグラフィー法の実施時に溝５８の形成位置にずれを抑制することが要請される。また、溝５８の形成位置のずれを予め考慮してエッチングを施す位置が定められる場合に、有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２には、アノード電極１３０の第１の面上において必要以上に内側の位置で溝５８が形成されないように設計することが要請される。周縁内部５０の領域が開口部１４Ａの開口端縁１４０に対してずれた位置で必要以上に小さくなる状態では、例えば図４２Ａに示すような状態が生じる。第６の実施形態にかかる表示装置は、図４２Ｂに示すように、周縁内部５０の位置が開口部１４Ａの中心位置からずれにくく、周縁内部５０の領域が必要以上に小さくなりにくいものである。
［６－２　表示装置の製造方法］
　第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法について説明する。次に示すように周縁内部形成工程が実施される。第５の実施形態と同様に、駆動基板１１上にアノード電極１３０や絶縁層１４を形成し、有機層１３１、第１のカソード電極１３２、下部保護層１７まで形成する。このとき、第５の実施形態で説明したように、アノード電極１３０の周縁部１３０Ａの位置で開口端縁１４０による段差Ｔを覆うように第１のカソード電極１３２と有機層１３１の積層構造５２が隆起して隆起部５３が形成されている。このとき積層構造５２上に形成された下部保護層１７の上面にも隆起部５３に対応した位置に、隆起部５４が形成されている。そして下部保護層１７の第１の面側にレジスト７０を全面塗布する（図４１Ａ）。
　第１のカソード電極１３２上に積層された下部保護層１７の厚みは、開口部１４Ａの開口端縁１４０の位置上で、下部保護層１７にも隆起部５４を形成できる厚みとなっている。また、下部保護層１７とレジスト７０の材質にもよるが、後述する下部保護層１７のエッチング時の加工選択比を考慮して、開口部１４Ａの開口端縁１４０の位置での段差（アノード電極１３０に乗り上げる絶縁層１４によって形成された段差）の高さに対し、下部保護層１７の厚みはおおむね３倍程度であることが好ましい。例えば、開口部１４Ａの開口端縁１４０の位置での段差の高さが１００ｎｍである場合には、下部保護層１７の厚みは３００ｎｍ程度であることが好ましい。
　次にドライエッチングを実施し、レジスト７０を徐々に削除する。ドライエッチングは、下部保護層１７における隆起部５４の隆起端が露出し始めるまで実施される（図４１Ｂ）。隆起部５４の露出有無の特定方法としては、例えばエンドポイントのモニタリングを行うことで実現できる。その他にも、例えば、ドライエッチングの時間管理を行うことでも実現できる。
　エッチングされずに残されたレジスト７０の残部をマスクとして、下部保護層１７、第１のカソード電極１３２及び有機層１３１をドライエッチングによって取り除く（図４１Ｃ）。
　そして、下部保護層１７上に残されマスクとして用いたレジスト７０をアッシング等によって除去する（図４１Ｄ）。これにより有機層１３１と第１のカソード電極１３２の積層構造５２は、周縁内部５０と外縁部５１に分離された状態となる。周縁内部形成工程の後については、第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅの製造方法と同様の方法が実施される。これにより、第６の実施形態にかかる表示装置が得られる。
［６－３　作用効果］
　第６の実施形態にかかる表示装置においては、周縁内部５０は、開口端縁１４０よりも内側の範囲であることを維持しつつ、必要以上に小さくなることが抑制される。したがって表示装置は、画素の発光領域が必要以上に小さくなりすぎず、発光領域の面積を確保することができるため、高輝度化を容易に実現することができる。
　また、上記した第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法によれば、周縁内部５０の外縁位置を定めるための下部保護層１７のエッチングを施す位置がレジスト７０のエッチングによって隆起部５４の隆起端又は隆起端よりもやや内側に定められるため、図４２Ｂに示すように周縁内部５０が自己整合的にアノード電極１３０のおよそ中央に形成されるようになる。
　さらに、上記した第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法によれば、周縁内部５０の外周縁の位置で、有機層１３１と第１のカソード電極１３２及び下部保護層１７の合計厚みを揃えることができる。
［６－４　変形例］
　第６の実施形態にかかる表示装置は、図４３Ｄに示すように、アノード電極１３０の側壁１３０Ｂの位置で、駆動基板１１の第１の面に段差部７１が形成されていてもよい（変形例）。段差部７１は、アノード電極１３０を副画素１０１ごとにパターニングする際に、アノード電極１３０のみならず駆動基板１１側までエッチングすることで形成することができる。
　第６の実施形態の変形例にかかる表示装置によれば、図４３Ａ、図４３Ｂ、図４３Ｃに示すように、第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法の実施時において、隣り合うアノード電極１３０の間に絶縁層１４を形成した際に、形成された絶縁層１４の第１の面の位置と、アノード電極１３０の周縁部１３０Ａに乗り上げた絶縁層１４の第１の面の位置との差Ｈ（上下差）を大きくすることができる。また、この場合、図４３Ｄに示すように、周縁内部形成工程において有機層１３１、第１のカソード電極１３２の積層構造５２を形成した状態で開口端縁１４０を被覆する部分がより際立たせることができる。したがって、さらに下部保護層１７を形成した状態でも隆起部５４をより際立たせることができる。
　そして、隆起部５４が際立たされていることで、レジストのドライエッチング時に、下部保護層１７における隆起部５４の隆起端の認識することが容易となる。
［８　第７の実施形態］
　第１の実施形態及びその各変形例にかかる表示装置１０Ａは、第２の実施形態から第６の実施形態を組み合わされてもよい（第７の実施形態）。第７の実施形態は、第１の実施形態に第２から第６の実施形態を組み合わせたものあるが、このことは、本明細書において各実施形態の組み合わせを限定するものではない。
（第１の実施形態と第２の実施形態の組み合わせ）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａに対して、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂを組み合わされる場合、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａにおいて、接続部１８が、発光素子１３の発光領域Ｐの周囲を取り囲むように設けられ、隣り合う発光素子１３の間に、側壁保護層１６を備え、接続部１８の内側部は、側壁保護層１６の屈折率とは屈折率が異なるように構成される。また、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａに対して、第２の実施形態にかかる表示装置１０Ｂの変形例１から３を組み合わせてもよい。すなわち、例えば、接続部１８が、接続部３０と同様に、ビア３１で構成されてよい。
（第１の実施形態と第３の実施形態の組み合わせ）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａに対して、第３の実施形態及びその変形例１にかかる表示装置１０Ｃが組み合わされてもよい。すなわち、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａにおいて、側壁保護層１６には、発光素子１３の側部領域Ｍの位置に、発光素子１３に近いほうから第１屈折率部３３と、該第１屈折率部３３よりも外側に屈折率の低い第２屈折率部３４とが形成されてよい。第３の実施形態にかかる表示装置１０Ｃを組み合わされた第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａについても、第３の実施形態と同様に、発光素子１３の側部に第１屈折率部３３と第２屈折率部３４が形成されていることで、光の利用効率を向上させることができる。
（第１の実施形態と第４の実施形態の組み合わせ）
　また、第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａに対して、第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄを組み合わされてもよい。この場合も、隣り合う接続部１８の間に金属層４６が形成されていれば、金属層４６は、側壁保護層１６に埋設されてよい。
　第４の実施形態にかかる表示装置１０Ｄを組み合わされた第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａについても、第４の実施形態と同様に、接続部の断線不良による導電状態の不良を抑制することができる。
（第１の実施形態と第５の実施形態の組み合わせ）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａに対して第５の実施形態にかかる表示装置１０Ｅを組み合わされてもよい。この場合の一例を挙げると、素子保護層１５がアノード電極の内側に形成された周縁内部５０の第１の面上に形成され、その素子保護層１５の側壁１５Ａに沿って接続部１８が形成されればよい。
　第５の実施形態を組み合わせた第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａについても、第５の実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第１の実施形態と第６の実施形態の組み合わせ）
　　第５の実施形態を組み合わせた第１の実施形態にかかる表示装置１０Ａの製造方法の実施時に、第６の実施形態にかかる表示装置の製造方法が実施されてよい。
［７　応用例］
（電子機器）
　上述の一実施形態に係る表示装置１０は、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。なお、本応用例の説明においては、上記各実施形態１から７にかかる各表示装置（表示装置１０Ａ等）を表示装置１０と総称する。
（具体例１）
　図４４Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図４４Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。
（具体例２）
　図４５は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。
（具体例３）
　図４６は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかにより構成される。
　以上、本開示の第１の実施形態から第７の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、製造方法及び応用例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１の実施形態から第７の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、及び応用例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の第１の実施形態から第７の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、製造方法及び応用例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　上述の第１の実施形態から第７の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、製造方法及び応用例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　上述の第１の実施形態から第７の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、製造方法及び応用例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）複数の副画素と、
　アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が前記複数の副画素のそれぞれに分離されている複数の発光素子と、
　前記第１のカソード電極を覆う素子保護層と、
　前記素子保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部と、
　を備え、
　前記接続部は、前記素子保護層の側壁に沿って形成されている、
表示装置。
（２）前記接続部は、前記第１のカソード電極を形成する元素を含む、
　上記（１）に記載の表示装置。
（３）　前記素子保護層の前記側壁が非テーパー状である、
　上記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記接続部の側面が、前記第２のカソード電極に接続されている、
　上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）　複数の前記発光素子のそれぞれの発光色は、前記複数の副画素の発光色のそれぞれに応じた色種に対応している、
それぞれの前記副画素では、前記発光素子の発光色は、前記副画素の発光色に応じた色種である、
　上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）　前記複数の発光素子の発光色は、白色である、
　上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）さらにカラーフィルタ層を備える、
　上記（１）から（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）　前記複数の発光素子のそれぞれと前記第２のカソード電極とが共振器構造を形成している、
　上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）前記第２のカソード電極は、半透過反射層を含む、
　上記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記接続部が、前記複数の発光素子の発光領域のそれぞれの周囲を取り囲むように設けられ、
　前記接続部の内側部は、前記素子保護層の屈折率とは屈折率が異なる、
　上記（１）から（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）前記接続部の内側部は、空間部である、
　上記（１０）に記載の表示装置。
（１２）　前記接続部は、ビアで形成されており、
　前記ビアを複数配列したビア列が形成されている、
　上記（１０）または（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記複数の発光素子を構成する個々の発光素子について、前記個々の発光素子からの出射光に対応したピーク波長よりも、前記個々の発光素子の発光領域を取り囲む複数のビアのピッチのほうが小さい、
　上記（１２）に記載の表示装置。
（１４）前記素子保護層に対して連続する側壁保護層を備え、
前記ビア列が、複数列並べられており、
　前記側壁保護層を形成する部分と前記ビアが、前記発光素子からの前記出射光の前記ピーク波長よりも小さい周期で周期的に繰り返し並んでいる、
　上記（１３）に記載の表示装置。
（１５）隣り合う前記発光素子の間に、側壁保護層を備え、
　前記側壁保護層には、前記発光素子の側部領域に、前記発光素子に近いほうから第１屈折率部と、該第１屈折率部よりも外側に屈折率の低い第２屈折率部とが形成されている、
　上記（１）から（１４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１６）前記第２屈折率部が空間部である、
　上記（１５）に記載の表示装置。
（１７）隣り合う前記発光素子の前記第１のカソード電極に接続される隣り合う前記接続部の間に金属層が充填されている、
　上記（１）から（１６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１８）開口部を有し、隣り合う前記アノード電極に配置され且つ前記アノード電極の周縁部を覆う絶縁層を備え、
　前記開口部の開口端縁が、前記アノード電極の上に配置されており、
前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記開口端縁よりも内側の所定位置で、周縁内部と外縁部に分離されており、
前記接続部が、前記周縁内部の前記第１のカソード電極に接続されている、
　上記（１）から（１７）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１９）前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記アノード電極の端部よりも内側の所定の領域に形成されており、
前記積層構造の側壁面側にサイドウォール部が形成されている、
　上記（１）から（１７）のいずれか１項に記載の表示装置。
（２０）上記（１）から（１９）のいずれか１項に記載の表示装置を備えた、
　電子機器。
　また、本開示の第２の実施形態によれば、以下の構成を採用することもできる。
（２１）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、備え、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部が、前記発光素子の発光領域の周囲を取り囲むように設けられている、
表示装置。
（２２）前記接続部の内側部は、前記保護層の屈折率とは屈折率が異なる、
上記（２１）に記載の表示装置。
（２３）前記接続部の内側部は、空間部である、
上記（２１）に記載の表示装置。
（２４）前記接続部は、ビアで形成されており、
　前記ビアを複数配列したビア列が形成されている、
上記（２１）から（２３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（２５）複数の色種にそれぞれ対応した複数の副画素を備え、
　前記副画素ごとに前記接続部が設けられており、
　前記ビア列を形成する隣り合うビアのピッチが、前記副画素の色種に応じて異なる、
　上記（２４）に記載の表示装置。
（２６）前記複数の発光素子を構成する個々の発光素子について、前記個々の発光素子からの出射光に対応したピーク波長よりも、前記個々の発光素子の発光領域を取り囲む複数のビアのピッチのほうが小さい、
　上記（２５）に記載の表示装置。
（２７）前記ビア列が、複数列並べられている、
　上記（２４）から（２６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（２８）前記保護層を形成する部分と前記ビアが、前記発光素子からの出射光のピーク波長よりも小さい周期で周期的に繰り返し並んでいる、
　上記（２７）に記載の表示装置。
（２９）開口部を有し且つ隣り合う前記アノード電極に配置される絶縁層を備え、
　前記開口部は、前記アノードの電極の面上に形成されており、
　前記接続部が、前記開口部の開口端縁の位置上に形成されている、
　上記（２１）から（２８）のいずれか１項に記載の表示装置。
　また、本開示の第３の実施形態によれば、以下の構成を採用することもできる。
（３０）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記隣り合う発光素子の間を埋める保護層と、
　前記保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、備え、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とが電気的に接続されており、
　前記保護層には、前記発光素子の側部の位置に、前記発光素子に近いほうから第１屈折率部と、該第１屈折率部よりも外側に屈折率の低い第２屈折率部とが形成されている、
　表示装置。
（３１）前記第２屈折率部が空間部である、
　上記（３０）に記載の表示装置。
（３２）前記発光素子の発光面の向きは、前記アノード電極から前記第１のカソード電極へ向かう方向である、
　上記（３０）または（３１）に記載の表示装置。
（３３）前記保護層には、前記アノード電極の周囲に第３屈折率部が形成されている、
　上記（３０）から（３２）のいずれかに記載の表示装置。
　本開示の第４の実施形態によれば、以下の構成を採用することもできる。
（３４）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部とを備え、
　前記隣り合う発光素子の前記第１のカソード電極に接続される隣り合う前記接続部の間に金属層が充填されている、
　表示装置。
（３５）前記金属層を形成する金属のハロゲン化合物の沸点が真空条件下で１００℃以下である、上記（３４）に記載の表示装置。
　本開示の第５の実施形態及び第６の実施形態によれば、以下の構成を採用することもできる。
（３６）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　開口部を有し、隣り合う前記アノード電極に配置され且つ前記アノード電極の周縁部を覆う絶縁層と、
　前記発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部とを備え、
　前記開口部の開口端縁が、前記アノード電極の上に配置されており、
前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記開口端縁よりも内側の所定位置で、周縁内部と外縁部に分離されており、
前記接続部が、前記周縁内部の前記第１のカソード電極に接続されている、
　の表示装置。
（３７）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、
　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部とを備え、
　前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記アノード電極の端部よりも内側の所定の領域に形成されており、
前記積層構造の側壁面側にサイドウォール部が形成されている、
（３８）前記周縁内部の外周端部の位置におけるアノード電極と有機層と保護層の合計厚みが一定である、
　上記（３６）に記載の表示装置。
（３９）前記アノード電極は、該前記アノード電極と前記有機層との接触面が平面状である、
　上記（３６）から（３８）に記載の表示装置。
（４０）前記アノード電極は、該前記アノード電極と前記有機層との接触面が湾曲面状である、
　上記（３６）または（３７）に記載の表示装置。
（４１）アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極と、保護層とを順に形成する工程と、
　前記保護層上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストをエッチングする工程と、
　前記保護層が露出した段階で前記レジストのエッチングを停止する工程と、
　前記レジストをマスクとして前記有機層と、前記第１のカソード電極と、前記保護層とをエッチングする工程と、を備えた、
　表示装置の製造方法。
　本開示の第２の実施形態から第６の実施形態によれば、以下の構成を採用することもできる。
（４２）上記（２１）から（４１）のいずれか１項に記載の表示装置を備えた、
　電子機器。
１０Ａ　　：表示装置
１０Ｂ　　：表示装置
１０Ｃ　　：表示装置
１０Ｄ　　：表示装置
１０Ｅ　　：表示装置
１１　　　：駆動基板
１３　　　：発光素子
１４　　　：絶縁層
１４Ａ　　：開口部
１５　　　：素子保護層
１５Ａ　　：側壁
１６　　　：側壁保護層
１７　　　：下部保護層
１８　　　：接続部
１９　　　：上部保護層
２０　　　：充填樹脂層
２１　　　：対向基板
３１　　　：ビア
３２　　　：ビア列
３３　　　：第１屈折率部
３４　　　：第２屈折率部
４６　　　：金属層
５０　　　：周縁内部
５１　　　：外縁部
５２　　　：積層構造
５２Ａ　　：側壁
５３　　　：隆起部
５４　　　：隆起部
６０　　　：サイドウォール部
１０１　　：副画素
１３１　　：有機層
１３２　　：第１のカソード電極
１３２Ａ　：外周端部
１３２Ｂ　：側壁
１３４　　：第２のカソード電極
１４０　　：開口端縁
１４１　　：外周囲

Claims (20)

  1. 　複数の副画素と、
    　アノード電極と、有機層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機層および前記第１のカソード電極が前記複数の副画素のそれぞれに分離されている複数の発光素子と、
    　前記第１のカソード電極を覆う素子保護層と、
    　前記素子保護層の上に設けられた第２のカソード電極と、
    　前記第２のカソード電極と前記第１のカソード電極とを電気的に接続する接続部と、
    　を備え、
    　前記接続部は、前記素子保護層の側壁に沿って形成されている、
    表示装置。
  2. 　前記接続部は、前記第１のカソード電極を形成する元素を含む、
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記素子保護層の前記側壁が非テーパー状である、
    　請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記接続部の側面が、前記第２のカソード電極に接続されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  5. 　複数の前記発光素子のそれぞれの発光色は、前記複数の副画素の発光色のそれぞれに応じた色種に対応している、
    　請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記複数の発光素子の発光色は、白色である、
    　請求項１に記載の表示装置。
  7. 　さらにカラーフィルタ層を備える、
    　請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記複数の発光素子のそれぞれと前記第２のカソード電極とが共振器構造を形成している、
    　請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記第２のカソード電極は、半透過反射層を含む、
    　請求項８に記載の表示装置。
  10. 　前記接続部が、前記複数の発光素子の発光領域のそれぞれの周囲を個別に取り囲むように設けられ、
    　前記接続部の内側部は、前記素子保護層の屈折率とは屈折率が異なる、
    　請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記接続部の前記内側部は、空間部である、
    　請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記接続部は、ビアで形成されており、
    　前記ビアを複数配列したビア列が形成されている、
    　請求項１０に記載の表示装置。
  13. 　前記複数の発光素子を構成する個々の発光素子について、前記個々の発光素子からの出射光に対応したピーク波長よりも、前記個々の発光素子の発光領域を取り囲む複数のビアのピッチのほうが小さい、
    　請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　前記素子保護層に対して連続する側壁保護層を備え、
    　前記ビア列が、複数列並べられており、
    　前記側壁保護層を形成する部分と前記ビアが、前記発光素子からの前記出射光の前記ピーク波長よりも小さい周期で周期的に繰り返し並んでいる、
    　請求項１３に記載の表示装置。
  15. 　隣り合う前記発光素子の間に、側壁保護層を備え、
    　前記側壁保護層には、前記発光素子の側部領域に、前記発光素子に近いほうから第１屈折率部と、該第１屈折率部よりも外側に屈折率の低い第２屈折率部とが形成されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記第２屈折率部が空間部である、
    　請求項１５に記載の表示装置。
  17. 　隣り合う前記発光素子の前記第１のカソード電極に接続される隣り合う前記接続部の間に金属層が充填されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  18. 　開口部を有し、隣り合う前記アノード電極に配置され且つ前記アノード電極の周縁部を覆う絶縁層を備え、
    　前記開口部の開口端縁が、前記アノード電極の上に配置されており、
    　前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記開口端縁よりも内側の所定位置で、周縁内部と外縁部に分離されており、
    前記接続部が、前記周縁内部の前記第１のカソード電極に接続されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  19. 　前記有機層と前記第１のカソード電極の積層構造が、前記アノード電極の端部よりも内側の所定の領域に形成されており、
    前記積層構造の側壁面側にサイドウォール部が形成されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  20. 　請求項１記載の表示装置を備えた、
    　電子機器。
PCT/JP2022/016810 2021-05-11 2022-03-31 表示装置及び電子機器 Ceased WO2022239576A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237037086A KR20240005709A (ko) 2021-05-11 2022-03-31 표시 장치 및 전자 기기
JP2023520923A JP7833454B2 (ja) 2021-05-11 2022-03-31 表示装置及び電子機器
CN202280033123.8A CN117322134A (zh) 2021-05-11 2022-03-31 显示装置及电子设备
DE112022002521.2T DE112022002521T5 (de) 2021-05-11 2022-03-31 Anzeigevorrichtung und elektronische einrichtung
US18/553,091 US20240196714A1 (en) 2021-05-11 2022-03-31 Display device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-080633 2021-05-11
JP2021080633 2021-05-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022239576A1 true WO2022239576A1 (ja) 2022-11-17

Family

ID=84028215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/016810 Ceased WO2022239576A1 (ja) 2021-05-11 2022-03-31 表示装置及び電子機器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20240196714A1 (ja)
JP (1) JP7833454B2 (ja)
KR (1) KR20240005709A (ja)
CN (1) CN117322134A (ja)
DE (1) DE112022002521T5 (ja)
TW (1) TW202301668A (ja)
WO (1) WO2022239576A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025074562A1 (ja) * 2023-10-05 2025-04-10 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
WO2025206155A1 (ja) * 2024-03-29 2025-10-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および電子機器
WO2026070729A1 (ja) * 2024-09-30 2026-04-02 ソニーグループ株式会社 表示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20260007463A (ko) * 2024-07-05 2026-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208883A (ja) * 1996-11-20 1998-08-07 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 発光装置とその製造方法
US20160248039A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20170288093A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Led light source module and display device
JP2017224584A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置及びその製造方法
WO2018034040A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示素子、および発光素子の製造方法
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法
US20190181202A1 (en) * 2017-12-11 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6594013B2 (ja) 2014-06-17 2019-10-23 キヤノン株式会社 有機発光装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208883A (ja) * 1996-11-20 1998-08-07 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 発光装置とその製造方法
US20160248039A1 (en) * 2015-02-24 2016-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US20170288093A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Led light source module and display device
JP2017224584A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置及びその製造方法
WO2018034040A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示素子、および発光素子の製造方法
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法
US20190181202A1 (en) * 2017-12-11 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025074562A1 (ja) * 2023-10-05 2025-04-10 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
WO2025206155A1 (ja) * 2024-03-29 2025-10-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および電子機器
WO2026070729A1 (ja) * 2024-09-30 2026-04-02 ソニーグループ株式会社 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN117322134A (zh) 2023-12-29
JP7833454B2 (ja) 2026-03-19
TW202301668A (zh) 2023-01-01
US20240196714A1 (en) 2024-06-13
JPWO2022239576A1 (ja) 2022-11-17
KR20240005709A (ko) 2024-01-12
DE112022002521T5 (de) 2024-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11081529B2 (en) Display device
US7973470B2 (en) Led device having improved color
TWI897944B (zh) 顯示裝置及電子機器
WO2022239576A1 (ja) 表示装置及び電子機器
CN111384107B (zh) 显示装置
US11563066B2 (en) Organic light emitting display device including a grooved planarazation layer
JP7756111B2 (ja) 表示装置及び電子機器
JP2020057599A (ja) 表示装置
JP7704496B2 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法、並びに、表示装置を用いた電子機器
KR102728267B1 (ko) 표시장치
JP7691172B2 (ja) 表示装置及び電子機器
WO2023095663A1 (ja) 表示装置および電子機器
CN117396038A (zh) 一种显示面板及其显示装置
KR20200061624A (ko) 표시장치
US20240180002A1 (en) Display device, electronic device, and method of manufacturing display device
JP7773999B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP7742400B2 (ja) 発光装置、表示装置及び電子機器
KR20230036076A (ko) 표시 장치, 발광 장치 및 전자 기기
WO2025013622A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2023281853A1 (ja) 発光装置及び電子機器
WO2024090153A1 (ja) 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法
KR20200061182A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22807280

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023520923

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18553091

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280033123.8

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112022002521

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22807280

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1