WO2022202120A1

WO2022202120A1 - テープカートリッジ、テープカートリッジの製造方法およびテープリール

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Publication number: WO2022202120A1
Application number: PCT/JP2022/008221
Authority: WO
Inventors: 祐司岩橋; 実山鹿; 一元谷田部
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2021-03-26
Filing date: 2022-02-28
Publication date: 2022-09-29
Also published as: JPWO2022202120A1; US20240170020A1

Abstract

本技術の一形態に係るテープカートリッジは、第１のテープリールと、磁気テープと、リーダーピンと、第２のテープリールとを具備する。前記磁気テープは、前記第１のテープリールに巻回される。前記リーダーピンは、前記磁気テープの端部に取り付けられ、テープ幅方向に平行な軸部を有する。前記第２のテープリールは、円筒形状のリールハブと、第１のフランジと、第２のフランジとを有する。前記リールハブは、内周面と外周面とを有し、前記内周面または前記外周面に前記リーダーピンを収容可能な収容部が設けられる。前記第１のフランジは、前記リールハブの一端部に設けられる。前記第２のフランジは、前記リールハブの他端部に設けられ、前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する。

Description

テープカートリッジ、テープカートリッジの製造方法およびテープリール

　本技術は、２リールタイプのテープカートリッジおよびその製造方法、並びに、テープリールに関する。

　２リールタイプのテープカートリッジは、カートリッジケースの内部に回転可能に収容された２つのテープリールを備える。２つのテープリールのうち、一方は磁気テープを巻装したサプライリールと称され、他方は磁気テープを巻き取るテイクアップリールとも称される。磁気テープは、その長さ方向の両端がサプライリールとテイクアップリールの各リールハブにクランパ等の固定部材を用いて固定されることで、２つのテープリールの間においてその全長にわたって走行可能に支持される（例えば特許文献１参照）。

特開２００５－３１７０５５号公報

　特許文献１に記載のようにクランパ等の固定手段を用いて磁気テープの端部をリールハブの外周面に固定する構造では、リールハブの外周面とクランパの表面との間に生じた段差が磁気テープに転写されて、磁気テープの磁性層に悪影響を及ぼす場合がある。特に近年においては磁気テープの薄厚化が進み、リールハブの外周面に生じた段差による磁気テープの変形はより顕著となるため、当該段差をより小さくすることが要求されている。

　以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、リールハブの外周面に生じる段差を低減することができるテープカートリッジおよびその製造方法、並びにテープリールを提供することにある。μ

　本技術の一形態に係るテープカートリッジは、第１のテープリールと、磁気テープと、リーダーピンと、第２のテープリールとを具備する。
　前記磁気テープは、前記第１のテープリールに巻回される。
　前記リーダーピンは、前記磁気テープの端部に取り付けられ、テープ幅方向に平行な軸部を有する。
　前記第２のテープリールは、円筒形状のリールハブと、第１のフランジと、第２のフランジとを有する。前記リールハブは、内周面と外周面とを有し、前記内周面または前記外周面に前記リーダーピンを収容可能な収容部が設けられる。前記第１のフランジは、前記リールハブの一端部に設けられる。前記第２のフランジは、前記リールハブの他端部に設けられ、前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する。

　本技術の一形態に係るテープカートリッジの製造方法は、
　第１のテープリールに磁気テープを巻回し、
　第２のテープリールの第１のフランジ部と第２のフランジ部との間に、前記第１のフランジ部に形成されたスリット部を通して前記磁気テープを配置し、
　前記第２のテープリールのリールハブの内周面または外周面に形成された収容部に、前記磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容し、
　前記第２のテープリールのリールハブに前記磁気テープを巻き付ける。

　本技術の一形態に係るテープリールは、リールハブと、第１のフランジと、第２のフランジとを具備する。
　前記リールハブは、内周面と外周面とを有し、磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容可能な収容部が前記内周面または前記外周面に設けられる。
　前記第１のフランジは、前記リールハブの一端部に設けられる。
　前記第２のフランジは、前記リールハブの他端部に設けられ、前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する。

本技術の一実施形態に係るテープカートリッジを示す概略斜視図である。第１のテープリールの平面図である。第１のテープリールの側断面図である。磁気テープを側方から見た模式図である。リーダーピンが組付けられた第２のテープリールの平面図である。上記第２のテープリールの側断面図である。上記第２のテープリールにおける収容部の詳細を示すリールハブの要部の拡大平面図である。図７の側断面図である。他の実施形態における第２のテープリールの平面図である。図９の側断面図である。上記第２のテープリールにおけるリールハブの要部の拡大平面図である。磁気テープ１が巻回された様子を示す上記リールハブの平面図である。本技術の他の実施形態におけるテープカートリッジの要部の側断面図である。磁性粉である六方晶フェライトの粒子形状の説明図である。

　以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

＜第１の実施形態＞
［テープカートリッジ］
　図１は、本技術の一実施形態に係るテープカートリッジ１００を示す概略斜視図である。テープカートリッジ１００は、カートリッジケース１０と、第１のテープリール２１と、第２のテープリール２２とを備える。

　カートリッジケース１０は、直方体形状であり、浅皿形状の上シェル１１および下シェル１２との２分割構造を有する。上シェル１１および下シェル１２は、典型的には、合成樹脂材料の射出成形体で形成され、複数のネジ等を用いて相互に結合される。

　第１のテープリール２１および第２のテープリール２２は、カートリッジケース１０内に回転可能に収容される。第１のテープリール２１は、磁気テープ１が巻回されたサプライリールであり、第２のテープリール２２は、第１のテープリール２１に巻回された磁気テープ１を巻取可能なテイクアップリールである。カートリッジケース１０の内部には、第１のテープリール２１と第２のテープリール２２との間で磁気テープ１の走行をガイドする一対のガイドピン３１，３２が配置される。

　本実施形態のテープカートリッジ１００は、例えば、記録再生用ドライブ装置（図示略）へ装填されたとき、磁気テープ１が上記記録再生装置内にローディングされる際に開放されるリッド機構を備える。上記記録再生装置は、第１および第２のテープリール２１，２２を回転させるリール駆動軸と、テープカートリッジ１００からローディングされた磁気テープ１に対して情報の記録または再生を行うドライブヘッド等を備える。

　あるいは、本実施形態のテープカートリッジ１００は、カートリッジケース１０の内部に配置された記録再生用のドライブヘッドをさらに備えてもよい。ドライブヘッドは、例えば、一対のガイドピン３１，３２の間に架け渡される磁気テープ１の磁性層に対向する位置に配置される。この場合、テープカートリッジ１００は、第１および第２のテープリール２１，２２を回転させるリール駆動軸を備えたドライブ装置に装填されることで、ドライブヘッドによる磁気テープ１に対する情報の記録再生が行われる。

　続いて、第１のテープリール２１および第２のテープリール２２の詳細について説明する。

［第１のテープリール］
　図２は第１のテープリール２１の平面図、図３は第１のテープリール２１の側断面図である。

　第１のテープリール２１は、円筒形状のリールハブ２１０と、リールハブ２１０の下端部に一体形成された円板形状の下フランジ２１１と、リールハブ２１０の上端部に超音波溶着法等により接合された円板形状の上フランジ２１２とを有する。上フランジ２１２は、リールハブ２１０と一体成形されてもよい。リールハブ２１０の内周面または底面には、ドライブ装置のリール駆動軸と係合する係合部（図示略）が設けられる。

　リールハブ２１０および下フランジ２１１は、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）などの合成樹脂材料を用いて一体成形される。上フランジ２１２も同様に、ＰＣ、ＡＢＳなどの合成樹脂材料を用いて成形される。リールハブ２１０および下フランジ２１１の成形材料には、強度の向上を目的として、上記合成樹脂材料にガラスフィラー等の無機質フィラーを添加した複合材料が用いられてもよい。
　なお、上フランジ２１２がリールハブ２１０と一体成形される場合も同様に、リールハブ２１０、下フランジ２１１および上フランジ２１２は、ＰＣ、ＡＢＳなどの合成樹脂材料を用いて一体成形され、これらの樹脂材料には無機質フィラーを添加した複合材料が用いられてもよい。

　磁気テープ１は、リールハブ２１０の外周面に巻回される。磁気テープ１は、その巻き始め側（内周側）の端部をアルコール等の適宜の揮発性液体を用いてリールハブ２１０の外周面に仮止めした後、リールハブ２１０へ巻き付けられる。磁気テープ１の長さは特に限定されず、例えば、３００ｍ以上１５００ｍ以下である。

　リールハブ２１０に巻回された磁気テープ１の先端部（巻き終わり側（外周側）の端部）には、図２および図３に示すようにリーダーピン５０が取り付けられている。リーダーピン５０は、図３に示すように、磁気テープ１のテープ幅方向（図中上下方向）に平行な軸部５１と、軸部５１に磁気テープ１の先端を固定するクランプ部材５２とを有する。

　軸部５１は、磁気テープ１のテープ幅よりも大きい長さを有する金属製の部品であり、その両端部には円盤状の拡径部５１ｅがそれぞれ設けられている。拡径部５１ｅは、軸部５１の直径よりも大きな外径を有する。クランプ部材５２は、磁気テープ１のテープ幅よりも大きく軸部５１よりも短い長さを有する合成樹脂製の部品であり、軸部５１に平行な切欠き部を有する断面略Ｃ字形状の部分円筒形状に形成される。クランプ部材５２は、磁気テープ１の先端部を挟んで軸部５１に組み付けられる。

　図４は、磁気テープ１を側方から見た模式図である。図４に示すように、磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材４１と、基材４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基材４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを含む。なお、バック層４４は、必要に応じて設けられればよく、このバック層４４は省略されてもよい。磁気テープ１は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。なお、磁気テープ１の詳細については後述する。

［第２のテープリール］
　続いて、第２のテープリール２２について説明する。図５は、リーダーピン５０が組付けられた第２のテープリール２２の平面図、図６はその側断面図である。

　本実施形態の第２のテープリール２２は、第１のテープリール２１と同様に、円筒形状のリールハブ２２０と、リールハブ２２０の一端部（下端部）に設けられた円板形状の下フランジ２２１（第１のフランジ）と、リールハブ２２０の他端部（上端部）に設けられた円板形状の上フランジ２２２（第２のフランジ）とを有する。リールハブ２２０の内周面または底面には、ドライブ装置のリール駆動軸と係合する係合部（図示略）が設けられる。

　上フランジ２２２は、リールハブ２２０と同心的な中心孔２２２ａと、磁気テープ１が通過可能なスリット部２２２ｓを有する。中心孔２２２ａは、リールハブ２２０の内径と略同一の内径を有する。スリット部２２２ｓは、中心孔２２２ａから上フランジ２２２の外周縁部にわたって、径方向に直線的に形成される。スリット部２２２ｓの中心孔２２２ａ側の端部には、リーダーピン５０の上端部を収容する開口部２２２ｂが設けられている。

　リールハブ２２０および下フランジ２２１は、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）などの合成樹脂材料を用いて一体成形される。リールハブ２２０および下フランジ２２１の成形材料には、強度の向上を目的として、上記合成樹脂材料にガラスフィラー等の無機質フィラーを添加した複合材料が用いられてもよい。

　上フランジ２２２も同様に、ＰＣ、ＡＢＳなどの合成樹脂材料を用いて成形される。上フランジ２２２は、リールハブ２２０の上端部と超音波溶着法等により接合される。リールハブ２２０、下フランジ２２１および上フランジ２２２は、第１のテープリール２１のリールハブ２１０、下フランジ２１１および上フランジ２１２とそれぞれ同一の大きさに形成される。

　リールハブ２２０は、内周面２２０ａと外周面２２０ｂとを有し、内周面２２０ａには、リーダーピン５０を収容可能な収容部６０が設けられる。収容部６０は、磁気テープ１の先端に取り付けられたリーダーピン５０をリールハブ２２０へ位置決めし、第２のテープリール２２の回転により磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面２２０ｂへ巻き付けることを可能にする。

　図７は、収容部６０の詳細を示すリールハブ２２０の要部の拡大平面図、図８はその側断面図である。

　図７に示すように、収容部６０は、リールハブ２２０の内周面２２０ａに、リールハブ２２０の軸方向に沿って形成された、リーダーピン５０を支持する部分円筒状の凹溝部６０１を有する。凹溝部６０１の底部は、リーダーピン５０のクランプ部材５２の外周面に対応する形状に形成され、リーダーピン５０をリールハブ２２０の周方向に位置決めする。凹溝部６０１は、上フランジ２２２の開口部２２２ｂと軸方向に対向する位置に設けられる。

　収容部６０は、リーダーピン５０の最大外径よりも大きな深さＤ１で形成される。本実施形態においてリーダーピン５０の最大外径は、その軸部５１の両端部に設けられた拡径部５１ｅ（図３参照）の外径に相当する。このように収容部６０がリーダーピン６０の最大外径よりも大きな深さＤ１で形成されることにより、リールハブ２２０の内周面２２０ａに径内方に向かって突出する凸部の形成が回避される。このため、ドライブ装置のリール駆動軸（図示略）がリールハブ２２０の内部に挿通されるように構成される場合においても、リール駆動軸とリーダーピン５０との干渉を防止できる。

　収容部６０はさらに、凹溝部６０１とリールハブ２２０の外周面２２０ｂとの間を連絡し磁気テープ１が通過可能なスリット状の通路部６０２を有する。通路部６０２は、凹溝部６０１の底部に、凹溝部６０１よりも狭い開口幅で形成される。通路部６０２は、上フランジ２２２のスリット部２２２ｓとリールハブ２２０の軸方向に対向しており、スリット部２２２ｓを通過する磁気テープ１を収容可能に形成される。これにより、磁気テープ１の先端部に取り付けられたリーダーピン５０を上フランジ２２２の中心孔２２２ａ介して収容部６０へ向けて組み付けることが可能となる。

　リールハブ２２０は、図７に示すように、収容部６０の通路部６０２とリールハブ２２０の外周面２２０ｂとの境界部に形成された曲面部Ｅ１０をさらに有する。曲面部Ｅ１０は、磁気テープ１を挟んでリールハブ２２０の周方向に相互に対向する通路部６０２の開口縁部に形成され、通路部６０２から径外方側へ引き出された磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面２２０ｂへ巻き付ける際に、当該開口縁部との接触による磁気テープ１のダメージを抑えるための面取り部に相当する。このような目的を達成するため、曲面部Ｅ１０を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。

　また、磁気テープ１の巻圧によるテープダメージを小さくするため、リールハブ２２０の外周面２２０ｂは平滑な円筒面であることが好ましい。例えば、リールハブ２２０の外周面２２０ｂの表面粗さは、Ｒｚ（最大高さ）で１２μｍ以下、かつ、Ｒａ（算術平均粗さ）で２μｍ以下であることが好ましい。なお、第１のテープリール２１についても同様に、そのリールハブの外周面の表面粗さは、Ｒｚ１２μｍ以下、かつ、Ｒａ２μｍ以下であることが好ましい。

　リーダーピン５０は、図８に示すように第２のテープリール２２の軸方向に沿った厚み寸法よりも大きな長さを有し、その両端の拡径部５１ｅは、下フランジ２２１および上フランジ２２２よりも軸方向外側へ突出している。リールハブ２２０に対するリーダーピン５０の軸方向における位置決めのために、収容部６０は、リーダーピン５０の両端の拡径部５１ｅに対してリールハブ２２０の軸方向に係合可能な一対の係合部６０３，６０４を有する。

　一対の係合部６０３，６０４のうち、一方の係合部６０３は、凹溝部６０１の下フランジ２２１側にリーダーピン５０に向かって突出する突起部で形成され、リーダーピン５０の下端側の拡径部５１ｅとクランプ部材５２の下端部との間の環状凹部５０ｃに係合する。また、他方の係合部６０４は、上フランジ２２２の開口部２２２ｂからリーダーピン５０に向かって突出する突起部で形成され、リーダーピン５０の上端側の拡径部５１ｅとクランプ部材５２の上端部との間の環状凹部５０ｃに係合する。これにより、リールハブ２２０に対するリーダーピン５０の軸方向の位置ずれを防ぐことができる。

　さらに図８に示すように、下フランジ２２１の内面および上フランジ２２２の内面は、第２のテープリール２２の径外方に向かって各内面どうしの距離が漸次大きくなる方向に傾斜する傾斜面で形成されている。これにより、磁気テープ１の走行時における磁気テープ１と各フランジ２２１，２２２との間の接触を防止して、磁気テープ１のエッジダメージを回避することができる。下フランジ２２１および下フランジ２２２の各内面の傾斜勾配は、好ましくは、２μｍ／ｍｍ以上である。なお、第１のテープリール２１における各フランジ２１１，２１２の内面形状についても上述と同様に形成されてもよい。

　以上のように構成される本実施形態のテープカートリッジ１００においては、第２のテープリール２２のリールハブ２２０の内周面２２０ａに、リーダーピン５０を収容する収容部６０が設けられているため、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに形成される段差を磁気テープ１の厚み分以下の大きさに低減できる。これにより、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに形成される段差を極力小さくすることができるため、リールハブ２２０への巻き付け時における磁気テープ１の変形を抑制できる。したがって、磁気テープ１の薄厚化にも対応可能となり、磁気テープ１の磁性層４３に及ぼす悪影響を防ぐことができる。

　また、本実施形態によれば、リーダーピン５０を第２のテープリール２２の収容部６０へ収容するだけで、第２のテープリール２２のリールハブ２２０に対する磁気テープ１の固定が可能である。このため、第２のテープリール２２に対する磁気テープ１の組み付け作業を容易に行うことができる。

　さらに本実施形態によれば、第２のテープリール２２から第１のテープリール２１への磁気テープ１の巻き取り時において、ドライブ装置側のテープエンド検出動作に誤作動が生じたとしても、収容部６０におけるリーダーピン５０の保持作用により、第２のテープリール２２からの磁気テープ１の抜けを防ぐことができる。

［テープカートリッジの製造方法］
　続いて、本実施形態のテープカートリッジ１００の製造方法（組立方法）について説明する。
　まず、第１のテープリール２１のリールハブ２１０に所定長さの磁気テープ１を巻き付ける。続いて、磁気テープ１の先端部にリーダーピン５０を組み付ける（図２参照）。そして、リーダーピン５０を第２のテープリール２２に組み付ける。

　第２のテープリール２２へのリーダーピン５０の組み付けに際しては、磁気テープ１にある程度のテンションをかけて直線的に引き出した状態で、磁気テープ１を上フランジ２２２のスリット部２２２ｓおよびリールハブ２２０の通路部６０２に挿通させる。これにより、リーダーピン５０が上フランジ２２２の中央孔２２２ａを介してリールハブ２２０の内部に配置されるとともに、磁気テープ１が上フランジ２２２と下フランジ２２１との間に配置される（図５，６参照）。

　続いて、磁気テープ１を第２のテープリール２２の径外方側へ引っ張ることで、リーダーピン５０をリールハブ２２０の内周面２２０ａの収容部６０へ収容する。この際、リーダーピン５０の上下の環状凹部５０ｃを一対の係合部６０３，６０４に係合させる（図８参照）。その後、磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面に所定長さだけ巻き付ける。
　続いて、第１のテープリール２１および第２のテープリール２２を磁気テープ１とともにカートリッジケース１０内へ収容する。
　以上のようにして、テープカートリッジ１００が組み立てられる。

＜第２の実施形態＞
　続いて、本技術の第２の実施形態について説明する。図９は、本実施形態における第２のテープリール２２Ａの平面図、図１０はその側断面図である。

　本実施形態では、第２のテープリール２２Ａの構成が上述の第１の実施形態と異なる。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

　本実施形態の第２のテープリール２２Ａは、第１の実施形態と同様に、円筒形状のリールハブ２２０と、リールハブ２２０の一端部（下端部）に設けられた円板形状の下フランジ２２１（第１のフランジ）と、リールハブ２２０の他端部（上端部）に設けられた円板形状の上フランジ２２２（第２のフランジ）とを有する。

　リールハブ２２０は、内周面２２０ａと外周面２２０ｂとを有し、外周面２２０ｂには、リーダーピン５０を収容可能な収容部６１が設けられる。収容部６１は、磁気テープ１の先端に取り付けられたリーダーピン５０をリールハブ２２０へ位置決めし、第２のテープリール２２Ａの回転により磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面２２０ｂへ巻き付けることを可能にする。

　図１１、収容部６０の詳細を示すリールハブ２２０の要部の拡大平面図、図１２は磁気テープ１が巻回された様子を示すリールハブ２２０の平面図である。

　図１１に示すように、収容部６１は、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに、リールハブ２２０の軸方向に沿って形成された、リーダーピン５０を支持する部分円筒状の凹溝部６１１を有する。凹溝部６１１は、リーダーピン５０のクランプ部材５２を収容し、リーダーピン５０をリールハブ２２０の周方向に位置決めする。

　収容部６１は、リーダーピン５０の最大外径よりも大きな深さＤ２で形成される。リーダーピン５０の最大外径は、その軸部５１の両端部に設けられた拡径部５１ｅの外径に相当する。このように収容部６１がリーダーピン６０の最大外径よりも大きな深さＤ２で形成されることにより、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに径外方に向かって突出する凸部の形成が回避される。このため、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに形成される段差を極力小さくすることができるため、図１２に示すように、磁気テープ１の巻き付け時における磁気テープ１の変形を抑制できる。

　リールハブ２２０は、図１１に示すように、収容部６１とリールハブ２２０の外周面２２０ｂとの境界部に形成された曲面部Ｅ２０をさらに有する。曲面部Ｅ２０は、磁気テープ１を挟んでリールハブ２２０の周方向に相互に対向する収容部６１（凹溝部６１１）の開口縁部に形成され、収容部６１から径外方側へ引き出された磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面２２０ｂへ巻き付ける際に、当該開口縁部との接触による磁気テープ１のダメージを抑えるための面取り部に相当する。このような目的を達成するため、曲面部Ｅ２０を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。

　上フランジ２２２は、リールハブ２２０と同心的な中心孔２２２ａと、磁気テープ１およびリーダーピン５０が通過可能なスリット部２２２ｐを有する。スリット部２２２ｐは、リーダーピン５０の外径以上の大きさの幅で形成される。スリット部２２２ｐは、リールハブ２２０の外周面２２０ｂの収容部６１に対向する位置から上フランジ２２２の外周縁部にわたって、径方向に直線的に形成される。

　下フランジ２２１についても同様に、磁気テープ１およびリーダーピン５０が通過可能なスリット部２２１ｐを有する。スリット部２２１ｐは、リーダーピン５０の外径以上の大きさの幅で形成される。スリット部２２１ｐは、リールハブ２２０の外周面２２０ｂの収容部６１に対向する位置から下フランジ２２１の外周縁部にわたって、径方向に直線的に形成される。下フランジ２２１のスリット部２２１ｐおよび上フランジ２２２のスリット部２２２ｐは、リールハブ２２０の軸方向に相互に対向して配置される。

　リーダーピン５０は、図１０に示すように第２のテープリール２２Ａの軸方向に沿った厚み寸法よりも大きな長さを有し、その両端の拡径部５１ｅは、下フランジ２２１および上フランジ２２２よりも軸方向外側へ突出している。リールハブ２２０に対するリーダーピン５０の軸方向における位置決めのために、収容部６１は、リーダーピン５０の両端の拡径部５１ｅに対してリールハブ２２０の軸方向に係合可能な一対の係合部６０５，６０６を有する。

　一対の係合部６０５，６０６のうち、一方の係合部６０５は、収容部６１の下フランジ２２１側にリーダーピン５０に向かって突出する突起部で形成され、リーダーピン５０の下端側の拡径部５１ｅとクランプ部材５２の下端部との間の環状凹部５０ｃに係合する。また、他方の係合部６０６は、上フランジ２２２の中心孔２２２ａとスリット部２２２ｐとの間に形成され、リーダーピン５０の上端側の拡径部５１ｅとクランプ部材５２の上端部との間の環状凹部５０ｃに係合する。これにより、リールハブ２２０に対するリーダーピン５０の軸方向の位置ずれを防ぐことができる。

　なお、本実施形態においても第１の実施形態と同様に、下フランジ２２１の内面および上フランジ２２２の内面は、第２のテープリール２２Ａの径外方に向かって各内面どうしの距離が漸次大きくなる方向に傾斜する傾斜面で形成されている。これにより、磁気テープ１の走行時における磁気テープ１と各フランジ２２１，２２２との間の接触を防止して、磁気テープ１のエッジダメージを回避することができる。下フランジ２２１および下フランジ２２２の各内面の傾斜勾配は、好ましくは、２μｍ／ｍｍ以上である。

　本実施形態の形態においても第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。本実施形態によれば、第２のテープリール２２Ａのリールハブ２２０の外周面２２０ｂに、リーダーピン５０を収容する収容部６１が設けられているため、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに形成される段差を磁気テープ１の厚み分以下の大きさに低減できる。これにより、リールハブ２２０の外周面２２０ｂに形成される段差を極力小さくすることができるため、リールハブ２２０への巻き付け時における磁気テープ１の変形を抑制できる。これにより、磁気テープ１の薄厚化にも対応可能となり、磁気テープ１の磁性層４３に及ぼす悪影響を防ぐことができる。

　また、本実施形態によれば、リーダーピン５０を第２のテープリール２２Ａの収容部６１へ収容するだけで、第２のテープリール２２Ａのリールハブ２２０に対する磁気テープ１の固定が可能である。このため、第２のテープリール２２Ａに対する磁気テープ１の組み付け作業を容易に行うことができる。

　第２のテープリール２２Ａへのリーダーピン５０の組み付けに際しては、第２のテープリール２２Ａの下フランジ２２１および上フランジ２２２に形成されたスリット部２２１ｐ，２２２ｐを通してリーダーピン５０をリールハブ２２０の外周部２２０ｂの収容部６１へ組み付ける。これにより、リーダーピン５０および磁気テープ１が上フランジ２２２と下フランジ２２１との間に配置される。この際、リーダーピン５０の上下の環状凹部５０ｃを一対の係合部６０５，６０６に係合させる（図９，１０参照）。
　続いて、磁気テープ１をリールハブ２２０の外周面に所定長さだけ巻き付ける（図１２参照）。その後、第１のテープリール２１および第２のテープリール２２Ａは、磁気テープ１とともにカートリッジケース１０内へ収容される。

　なお、リーダーピン５０は、下フランジ２２１および上フランジ２２２に形成されたスリット部２２１ｐ、２２２ｐのうち、いずれか一方のスリット部（例えば、スリット部２２１ｐ）のみを通してリーダーピン５０をリールハブ２２０の収容部６１へ組み付けられてもよい。この場合、他方のスリット部（例えば、スリット部２２２ｐ）の形成は省略されてもよい。

＜第３の実施形態＞
　続いて、本技術の第３の実施形態について説明する。図１３は、本実施形態におけるテープカートリッジ３００の要部の側断面図である。
　以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

　本実施形態のテープカートリッジ３００は、第１のテープリール２１を回転させるドライブ装置のリール駆動軸ＤＳを押さえ付ける支持部材７１を備える点で、上述の第１の実施形態と異なる。

　図１３に示すように、カートリッジケース１０の下シェル１２には、第１のテープリール２１の直下に、リールハブ２１０の内部へリール駆動軸ＤＳを挿通させるための円形の挿通孔２１１ｗが形成される。リールハブ２１０の内周面には、リール駆動軸ＤＳと係合する係合爪が設けられる。

　なお図示せずとも、下シェル１２には、第２のテープリール２２の直下にも、リールハブ２２０の内部へリール駆動軸を挿通させるための円形の挿通孔が形成される。以下の説明では、第１のテープリール２１について主に説明するが、第２のテープリール２２についても同様に適用されてもよい。

　支持部材７１は、リールハブ２１０に挿通されたリール駆動軸ＤＳの先端部に当接するリールハブ２１０の内部に配置される。支持部材７１は、リールハブ２１０の内径よりも小さい外径を有する円筒形状の部材であり、その一部が、上フランジ２１１の中心孔２１２ａおよびリールハブ２１０の内部に配置される。支持部材７１の底面部には、リール駆動軸ＤＳの先端部に当接する半球状の当接部７１ａが設けられる。これにより、リール駆動軸ＤＳに対する押圧面積を一定にして押圧力の一定化を図ることができる。

　テープカートリッジ３００はさらに、支持部材７１と上シェル１１との間に配置された弾性部材７２をさらに備える。弾性部材７２は、コイルスプリングであり、支持部材７１をリール駆動軸ＤＳの先端部に向けて押圧する。上シェル１１の内面には、弾性部材７２の一端（上端）を収容するとともに、支持部材７１をリールハブ２１０の軸方向へ移動可能に支持するガイド部１１ａを有する。ガイド部１１ａは、上シェル１１の内面に形成された、支持部材７１の外形よりも大きい内径を有する環状の突出部である。

　なお、支持部材７１の周面には、第１のテープリール２１（上フランジ２１２）とガイド部１１ａとの間に位置するストッパ部７１ｂが設けられる。ストッパ部７１ｂは、支持面７１の周面に形成された突出部であり、リール駆動軸ＤＳが挿通孔２１１ｗに挿通されていないカートリッジ非使用時において、弾性部材７２の付勢力を受けて上フランジ２１２の中心孔２１２ａの周縁部に当接する。

　以上のように構成される本実施形態のテープカートリッジ３００においては、挿通孔２１１ｗを介して第１のテープリール２１にリール駆動軸ＤＳが挿通されると、リール駆動軸ＤＳとの当接により支持部材７１が上シェル１１側に持ち上げられて、ストッパ部７１ｂと上フランジ２１２とが非接触の状態とされる。リール駆動軸ＤＳは、支持部材７１に対して軸周りに相対的に回転することで、第１のテープリール２１を回転させる。これにより、第１のテープリール２１から第２のテープリール２２へ、あるいは、第２のテープリール２２から第１のテープリール２１へ磁気テープ１が巻き取られる。

　本実施形態によれば、リール駆動軸ＤＳの先端部を軸方向へ押圧する支持部材７１を備えているため、テープカートリッジ３００とリール駆動軸ＤＳとの間の一体性が高まり、リール駆動軸の駆動力を第１のテープリール２１へ安定に伝達させることができる。また、第１のテープリール２１から磁気テープ１を引き出す際に、磁気テープ１のテンションによるリール駆動軸ＤＳの軸振れを抑えることがきるため、磁気テープ１を安定に走行させることができる。

［磁気テープの詳細］
　続いて、本実施形態に用いられる磁気テープ１の詳細について説明する。
　なお以下の説明において、測定方法の説明に関して測定環境が特に記載のない場合、測定は２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境下にて行われるものとする。

　図４に示すように、磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。

　磁気テープ１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材４１と、基材４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基材４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを含む。なお、バック層４４は、必要に応じて設けられればよく、このバック層４４は省略されてもよい。磁気テープ１は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。

　磁気テープ１は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層４３の表面が、図示しない記録再生装置が備える磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気テープ１は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープ１は、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

（基材）
　基材４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基材４１は、長尺のフィルム状を有する。基材４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基材４１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基材４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基材４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基材４１の強度低下を抑制することができる。

　基材４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。本明細書において、"磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向"という場合の"長手方向"とは、リーダーピン５０側の一端からそれとは反対側の他端に向かう方向を意味する。

　続いて、サンプルの基材４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基材４１）の厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基材４１の平均厚みを算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープ１の長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基材４１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含む。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ(オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、基材４１を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えば基材４１の主たる成分がポリエステルであることは、基材４１中のポリエステルの含有割合が例えば基材４１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、基材４１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。
　この実施態様において、基材４１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
　本技術の好ましい実施態様に従い、基材４１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

　基材４１にポリエステルが含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基材４１の平均厚みの測定方法と同様に、磁気テープ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製した後、サンプルの基材４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基材４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基材４１にポリエステルが含まれていることを確認することができる。

　基材４１は、ポリエステルを含むことが好ましい。基材４１がポリエステルを含むことで、基材４１の長手方向のヤング率を、好ましくは２．５ＧＰａ以上７．８ＧＰａ以下、より好ましくは３．０ＧＰａ以上７．０ＧＰａ以下に低減することができる。したがって、走行時における磁気テープ１の長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープ１の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。基材４１の長手方向のヤング率の測定方法については後述する。

　本技術の他の実施態様において、基材４１は、ポリエステル以外の樹脂から形成されていてもよい。基材４１を形成する樹脂は、例えばポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。基材４１は、これら樹脂のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は積層されていてもよい。

　ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

　その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

　基材４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基材４１に含まれる高分子樹脂は、基材４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
　磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、磁性材料の塗布膜で構成される場合に限られず、磁性材料のスパッタ膜や蒸着膜で構成されてもよい。

　磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａは、２．０ｎｍ以下、好ましくは１．８ｎｍ以下、より好ましくは１．６ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．０ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上である。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。

　算術平均粗さＲａは次のようにして求められる。まず、磁性層４３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００～４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２、１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～２６２、１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２、１４４））／２６２、１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ"（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）－Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ"（１）＋Ｚ"（２）＋・・・＋Ｚ"（２６２、１４４））／２６２、１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flattenorder2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製SPMプローブNCH ノーマルタイプPointProbe L
(カンチレバー長)＝１２５μｍ

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ１は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に１０ｍ、３０ｍ、５０ｍの３か所の位置からプラス１０ｍの間でそれぞれ磁気テープ１を２５０ｍｍの長さに切り出し３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長手方向に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（TransmissionElectron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００、０００倍

　次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気テープ１の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定する。なお、各薄片化サンプルの１０点の測定位置は、磁気テープ１の長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれる。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_m［ｎｍ］とする。なお、上記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

　（磁性粉）
　磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープ１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

　（六方晶フェライト粒子）
　六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１２ｎｍ以上１９ｎｍ以下、最も好ましくは１２ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．３以上２．８以下、さらにより好ましくは１．６以上２．７以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を切り出す。続いて、測定対象となる磁気テープ１をＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＴＥＭ写真を撮影する。ＴＥＭ写真は、下記で示す板径ＤＢおよび板厚ＤＡ（図１４参照）を測定できる粒子を５０個抽出できる枚数準備する。

　本明細書では、六方晶フェライトの粒子のサイズ（以下、「粒子サイズ」という。）は、上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の形状が、図１４に示すように、板状または柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）である場合には、その板面または底面の長径を板径ＤＢの値とする。上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡの値とする。ＴＥＭ写真において観察される粒子の板面または底面が六角形状である場合には、長径は、最長の対角距離を意味する。一粒子内にて粒子の厚さまたは高さが一定でない場合には、最大の粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡとする。

　次に、撮影したＴＥＭ写真から抽出する５０個の粒子を、下記の基準に基づき選び出す。粒子の一部がＴＥＭ写真の視野の外にはみだしている粒子は測定せず、輪郭がはっきりしており、孤立して存在している粒子を測定する。粒子同士に重なりがある場合は、両者の境界が明瞭で、粒子全体の形状も判断可能な粒子は、それぞれの粒子を単独粒子として測定するが、境界がはっきりせず、粒子の全形も判らない粒子は、粒子の形状が判断できないものとして測定しない。

　選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_aveを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_aveを求める。平均板径ＤＢ_aveが、平均粒子サイズである。そして、平均最大板厚ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ave／ＤＡ_ave）を求める。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、さらに好ましくは５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が２５００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１３ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均長軸長ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

　（ε酸化鉄粒子）
　ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープ１の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

　コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ2Ｏ3からなるものがより好ましい。

　第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

　第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

　第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

　ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁性粒子の保磁力と磁束密度を調整することができる。

　ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

　ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

　具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープ１では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープ１）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を切り出す。続いて、測定対象となる磁気テープ１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

　磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープ１のノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

　ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を切り出す。続いて、切り出された磁気テープ１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープ１の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ１の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ１の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

　（コバルトフェライト粒子）
　コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープ１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
　Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが１６ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ１において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．０以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６００ｎｍ３以上２０００ｎｍ３以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを１６ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

　（結着剤）
　結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

　熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

　上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ₃Ｍ、－ＯＳＯ₃Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^-はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1～１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2～１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

　（潤滑剤）
　潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープ１の走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープ１の磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープ１の走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

　脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープ１を繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

　（帯電防止剤）
　帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

　（研磨剤）
　研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

　（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

　（防錆剤）
　防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

　（非磁性補強粒子）
　非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
　下地層４２は、基材４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

　下地層４２の平均厚みｔ_２は、好ましくは０．３μｍ以上１．２μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上０．９μｍ以下、０．３μｍ以上０．６μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みｔ_２は、磁性層４３の平均厚みｔ_１と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みｔ_２が１．２μｍ以下であると、外力による磁気テープ１の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープ１の幅の調整がさらに容易となる。

　（非磁性粉）
　非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

　（結着剤、潤滑剤）
　結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

　（添加剤）
　帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
　バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

　非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープ１の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層４２や基材４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープ１の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

　バック層４４の平均厚みｔ_bは以下のようにして求められる。まず、磁気テープ１の平均厚みｔ_Tを測定する。平均厚みｔ_Tの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を２５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。次に、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_B［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_b［μｍ］を求める。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープ１の長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
　ｔ_b［μｍ］＝ｔ_T［μｍ］－ｔ_B［μｍ］

　バック層４４は、多数の突部が設けられた表面を有している。多数の突部は、磁気テープ１をロール状に巻き取った状態において、磁性層４３の表面に多数の孔部を形成するためのものである。多数の孔部は、例えば、バック層４４の表面から突出された多数の非磁性粒子により構成されている。

（磁気テープの平均厚み）
　磁気テープ１の平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔの上限値が、好ましくは５．２μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．６μｍ以下、特に好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープ１の平均厚みｔ_Ｔが５．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープ１の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

　磁気テープ１の平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均厚みｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープ１の長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ）
　磁気テープ１の長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

　磁気テープ１の長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

　上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を切り出し、磁気テープ１の長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ１の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープ１の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ１全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープ１の塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基材４１のみを残す。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の長手方向（磁気テープ１の長手方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１の長手方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（角形比）
　磁気テープ１の垂直方向（厚み方向）における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁気テープ１の垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を切り出し、磁気テープ１の長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ１の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープ１の垂直方向（磁気テープ１の垂直方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ１全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープ１の塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基材４１のみを残す。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の垂直方向（磁気テープ１の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ１の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられ
る。
　角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

　磁気テープ１の長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープ１および基材４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（バック面の表面粗度Ｒb）
　バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_bが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　バック面の表面粗度Ｒ_ｂは以下のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍの位置で磁気テープ１を１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ２０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ　２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_ｂを求める。
　測定条件は以下のとおりである。
　装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
　対物レンズ：２０倍
　測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
　測定モード：ｐｈａｓｅ
　波長フィルター：５２０ｎｍ
　ＣＣＤ：１／３インチ
　ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
　面補正：２次多項式近似面にて補正
　測定ソフトウエア：VS-Measure　Version5.5.2
　解析ソフトウエア：VS-viewer　Version5.5.5

　上記のようにして、磁気テープ１の長手方向に５点の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ｂ（ｎｍ）とする。

　磁気テープ１の長手方向のヤング率の上限値は、好ましくは９．０ＧＰａ以下、より好ましくは８．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープ１の長手方向のヤング率が９．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープ１の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープ１の幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープ１に記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。磁気テープ１の長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは３．０ＧＰａ以上、より好ましくは４．０ＧＰａ以上である。磁気テープ１の長手方向のヤング率の下限値が３．０ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　磁気テープ１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープ１の長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープ１は長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープ１は長手方向に伸縮しやすい。

　なお、磁気テープ１の長手方向のヤング率は、磁気テープ１の長手方向に関する値であるが、磁気テープ１の幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープ１の長手方向のヤング率は、上記のように小さく、９．０ＧＰａ以下であることが有利である。

　ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を１８０ｍｍの長さに切り出し測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
　Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
　ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
　Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
　Δｘ：伸び量（ｍｍ）
　Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
上記測定サンプル１０Ｓの断面積Ｓは、引張動作前の断面積であり、測定サンプル１０Ｓの幅（１／２インチ）と測定サンプル１０Ｓの厚さとの積で求められる。測定を行う際の引張応力の範囲は、磁気テープ１の厚み等に応じて線形領域の引張応力の範囲を設定する。ここでは、応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記のヤング率の測定は、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。

（基材の長手方向のヤング率）
　基材４１の長手方向のヤング率は、好ましくは７．８ＧＰａ以下、より好ましくは７．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは６．６ＧＰａ以下、特に好ましくは６．４ＧＰａ以下である。基材４１の長手方向のヤング率が７．８ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープ１の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープ１の幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープ１に記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。基材４１の長手方向のヤング率の下限値は、好ましくは２．５ＧＰａ以上、より好ましくは３．０ＧＰａ以上である。基材４１の長手方向のヤング率の下限値が２．５ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　上記の基材４１の長手方向のヤング率は、次のようにして求められる。まず、カートリッジケース１０に収容された磁気テープ１を巻き出し、磁気テープ１とリーダーピン５０との接続部から長手方向に３０ｍ以上、プラス１０ｍの間の位置で磁気テープ１を１８０ｍｍの長さに切り出す。続いて、切り出した磁気テープ１から下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基材４１を得る。この基材４１を用いて、上記の磁気テープ１の長手方向のヤング率と同様の手順で基材４１の長手方向のヤング率を求める。

　基材４１の厚さは、磁気テープ１の全体の厚さの半分以上を占めている。したがって、基材４１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープ１の伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮しやすい。

　なお、基材４１の長手方向のヤング率は、磁気テープ１の長手方向に関する値であるが、磁気テープ１の幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープ１は外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基材４１の長手方向のヤング率は、上記のように小さく、７．８ＧＰａ以下であることが有利である。

　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）　第１のテープリールと、
　前記第１のテープリールに巻回された磁気テープと、
　前記磁気テープの端部に取り付けられ、テープ幅方向に平行な軸部を有するリーダーピンと、
　内周面と外周面とを有し、前記内周面または前記外周面に前記リーダーピンを収容可能な収容部が設けられた円筒形状のリールハブと、前記リールハブの一端部に設けられた第１のフランジと、前記リールハブの他端部に設けられ前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する第２のフランジと、を有する第２のテープリールと
　を具備するテープカートリッジ。
（２）上記（１）に記載のテープカートリッジであって、
　前記リーダーピンは、前記軸部の両端部に設けられ前記軸部の直径より大きな外径を有する拡径部をさらに有し、
　前記収容部は、前記リーダーピンを収容可能な凹溝部と、前記拡径部に対して前記リールハブの軸方向に係合可能な係合部と、を有する
　テープカートリッジ。
（３）上記（２）に記載のテープカートリッジであって、
　前記収容部は、前記内周面に設けられ、
　前記収容部は、前記凹溝部と前記外周面との間を連絡し前記磁気テープが通過可能な通路部をさらに有する
　テープカートリッジ。
（４）上記（３）に記載のテープカートリッジであって、
　前記第２のフランジは、前記リールハブと同心的な中心孔をさらに有し、
　前記スリット部は、前記中心孔から前記第２のフランジの外周縁部にわたって径方向に直線的に形成される
　テープカートリッジ。
（５）上記（３）又は（４）に記載のテープカートリッジであって、
　前記リールハブは、前記通路部と前記外周面との境界部に形成された曲面部をさらに有する
　テープカートリッジ。
（６）上記（５）に記載のテープカートリッジであって、
　前記曲面部を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
（７）上記（２）に記載のテープカートリッジであって、
　前記収容部は、前記外周面に設けられ、
　前記スリット部は、前記リーダーピンが通過可能な幅で前記第２のフランジの径方向に直線的に形成される
　テープカートリッジ。
（８）上記（７）に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のフランジは、前記リーダーピンが通過可能な幅で前記第２のフランジの径方向に直線的に形成されるスリット部をさらに有し、
　前記第１のフランジの前記スリット部および前記第２のフランジの前記スリット部は、前記軸方向に互いに対向して配置される
　テープカートリッジ。
（９）上記（８）又は（９）に記載のテープカートリッジであって、
　前記リールハブは、前記収容部と前記外周面との境界部に形成された曲面部をさらに有する
　テープカートリッジ。
（１０）上記（９）に記載のテープカートリッジであって、
　前記曲面部を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
（１１）上記（２）～（１０）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記凹溝部は、前記リーダーピンの最大外径よりも大きな深さで形成される
　テープカートリッジ。
（１２）上記（１）～（１１）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記外周面の表面粗さは、Ｒｚ１２μｍ以下であり、かつ、Ｒａ２μｍ以下である
　テープカートリッジ。
（１３）上記（１）～（１２）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のフランジの内面および前記第２のフランジの内面は、前記第２のテープリールの径外方に向かって前記内面どうしの距離が漸次大きくなる方向に傾斜する傾斜面であり、その傾斜勾配は、２μｍ／ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
（１４）上記（１）～（１３）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記磁気テープの磁性層は、磁性材料の塗布膜またはスパッタ膜である
　テープカートリッジ。
（１５）上記（１）～（１４）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記磁気テープの平均厚みは、５．６μｍ以下である
　テープカートリッジ。
（１６）上記（１）～（１５）のいずれか１つに記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のテープリールおよび前記第２のテープリールを収容するカートリッジケースと、
　前記第１のテープリールのリールハブの内部に配置され、前記第１のテープリールのリールハブに挿通された記録再生装置の駆動軸の先端部に当接する支持部材と、
　前記支持部材と前記カートリッジケースとの間に配置され、前記支持部材を前記駆動軸の先端部に向けて押圧する弾性部材と
　をさらに具備するテープカートリッジ。
（１７）上記（１６）に記載のテープカートリッジであって、
　前記カートリッジケースは、前記支持部材を前記第１のテープリールのリールハブの軸方向へ移動可能に支持するガイド部を有する
　テープカートリッジ。
（１８）上記（１６）又は（１７）に記載のテープカットリッジであって、
　前記支持部材は、前記駆動軸の先端部と当接可能な半球状の当接部を有する
　テープカートリッジ。
（１９）　第１テープリールに磁気テープを巻回し、
　第２テープリールの第１のフランジ部と第２のフランジ部との間に、前記第１のフランジ部に形成されたスリット部を通して前記磁気テープを配置し、
　前記第２のテープリールのリールハブの内周面または外周面に形成された収容部に、前記磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容し、
　前記第２のテープリールのリールハブに前記磁気テープを巻き付ける
　テープカートリッジの製造方法。
（２０）　内周面と外周面とを有し、磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容可能な収容部が前記内周面または前記外周面に設けられた円筒形状のリールハブと、
　前記リールハブの一端部に設けられた第１のフランジと、
　前記リールハブの他端部に設けられ、前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する第２のフランジと
　を具備するテープリール。

　１…磁気テープ
　１０…カートリッジケース
　２１…第１のテープリール
　２２，２２Ａ…第２のテープリール
　５０…リーダーピン
　６０，６１…収容部
　７１…支持部材
　７２…弾性部材
　１００，３００…テープカートリッジ
　２１０，２２０…リールハブ
　２１１，２２１…下フランジ
　２１１ｐ…スリット部
　２１２，２２２…上フランジ
　２２２ｓ，２２２ｐ…スリット部
　６０１，６１１…凹溝部
　６０２…通路部
　ＤＳ…リール駆動軸

Claims

　第１のテープリールと、
　前記第１のテープリールに巻回された磁気テープと、
　前記磁気テープの端部に取り付けられ、テープ幅方向に平行な軸部を有するリーダーピンと、
　内周面と外周面とを有し、前記内周面または前記外周面に前記リーダーピンを収容可能な収容部が設けられた円筒形状のリールハブと、前記リールハブの一端部に設けられた第１のフランジと、前記リールハブの他端部に設けられ前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する第２のフランジと、を有する第２のテープリールと
　を具備するテープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記リーダーピンは、前記軸部の両端部に設けられ前記軸部の直径より大きな外径を有する拡径部をさらに有し、
　前記収容部は、前記リーダーピンを収容可能な凹溝部と、前記拡径部に対して前記リールハブの軸方向に係合可能な係合部と、を有する
　テープカートリッジ。
　請求項２に記載のテープカートリッジであって、
　前記収容部は、前記内周面に設けられ、
　前記収容部は、前記凹溝部と前記外周面との間を連絡し前記磁気テープが通過可能な通路部をさらに有する
　テープカートリッジ。
　請求項３に記載のテープカートリッジであって、
　前記第２のフランジは、前記リールハブと同心的な中心孔をさらに有し、
　前記スリット部は、前記中心孔から前記第２のフランジの外周縁部にわたって径方向に直線的に形成される
　テープカートリッジ。
　請求項３に記載のテープカートリッジであって、
　前記リールハブは、前記通路部と前記外周面との境界部に形成された曲面部をさらに有する
　テープカートリッジ。
　請求項５に記載のテープカートリッジであって、
　前記曲面部を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
　請求項２に記載のテープカートリッジであって、
　前記収容部は、前記外周面に設けられ、
　前記スリット部は、前記リーダーピンが通過可能な幅で前記第２のフランジの径方向に直線的に形成される
　テープカートリッジ。
　請求項７に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のフランジは、前記リーダーピンが通過可能な幅で前記第２のフランジの径方向に直線的に形成されるスリット部をさらに有し、
　前記第１のフランジの前記スリット部および前記第２のフランジの前記スリット部は、前記軸方向に互いに対向して配置される
　テープカートリッジ。
　請求項７に記載のテープカートリッジであって、
　前記リールハブは、前記収容部と前記外周面との境界部に形成された曲面部をさらに有する
　テープカートリッジ。
　請求項９に記載のテープカートリッジであって、
　前記曲面部を形成する円弧の曲率半径は、０．１ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
　請求項２に記載のテープカートリッジであって、
　前記凹溝部は、前記リーダーピンの最大外径よりも大きな深さで形成される
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記外周面の表面粗さは、Ｒｚ１２μｍ以下であり、かつ、Ｒａ２μｍ以下である
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のフランジの内面および前記第２のフランジの内面は、前記第２のテープリールの径外方に向かって前記内面どうしの距離が漸次大きくなる方向に傾斜する傾斜面であり、その傾斜勾配は、２μｍ／ｍｍ以上である
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記磁気テープの磁性層は、磁性材料の塗布膜またはスパッタ膜である
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記磁気テープの平均厚みは、５．６μｍ以下である
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のテープカートリッジであって、
　前記第１のテープリールおよび前記第２のテープリールを収容するカートリッジケースと、
　前記第１のテープリールのリールハブの内部に配置され、前記第１のテープリールのリールハブに挿通された記録再生装置の駆動軸の先端部に当接する支持部材と、
　前記支持部材と前記カートリッジケースとの間に配置され、前記支持部材を前記駆動軸の先端部に向けて押圧する弾性部材と
　をさらに具備するテープカートリッジ。
　請求項１６に記載のテープカートリッジであって、
　前記カートリッジケースは、前記支持部材を前記第１のテープリールのリールハブの軸方向へ移動可能に支持するガイド部を有する
　テープカートリッジ。
　請求項１６に記載のテープカットリッジであって、
　前記支持部材は、前記駆動軸の先端部と当接可能な半球状の当接部を有する
　テープカートリッジ。
　第１テープリールに磁気テープを巻回し、
　第２テープリールの第１のフランジ部と第２のフランジ部との間に、前記第１のフランジ部に形成されたスリット部を通して前記磁気テープを配置し、
　前記第２のテープリールのリールハブの内周面または外周面に形成された収容部に、前記磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容し、
　前記第２のテープリールのリールハブに前記磁気テープを巻き付ける
　テープカートリッジの製造方法。
　内周面と外周面とを有し、磁気テープの端部に取り付けられたリーダーピンを収容可能な収容部が前記内周面または前記外周面に設けられた円筒形状のリールハブと、
　前記リールハブの一端部に設けられた第１のフランジと、
　前記リールハブの他端部に設けられ、前記磁気テープが通過可能なスリット部を有する第２のフランジと
　を具備するテープリール。