WO2022196194A1

WO2022196194A1 - テープリール、テープカートリッジおよびテープリールの製造装置

Info

Publication number: WO2022196194A1
Application number: PCT/JP2022/005104
Authority: WO
Inventors: 丈齋藤; 達雄鈴木
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2021-03-17
Filing date: 2022-02-09
Publication date: 2022-09-22
Also published as: US20240161781A1; JP2022143432A; CN116997964A

Abstract

本技術の一形態に係るテープリールは、第１のフランジと、第２のフランジと、円筒状のリールハブとを具備する。前記リールハブは、前記第１のフランジと一体的に形成される第１の端部と、前記第２のフランジが接合される第２の端部と、磁気テープが巻装される外周面とを有する。前記リールハブの外周面は、第１の外周領域と、第２の外周領域とを有する。前記第１の外周領域は、前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する。前記第２の外周領域は、前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記ハブ部の径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する。

Description

テープリール、テープカートリッジおよびテープリールの製造装置

　本技術は、円筒状のリールハブを有するテープリール及びこれを備えたテープカートリッジ、並びに、テープリールの製造装置に関する。

　コンピュータ等の外部記録媒体として使用されている磁気テープカートリッジには、磁気テープを巻装した単一のテープリールをカートリッジケース内に回転自在に収容したタイプのものが知られている。テープリールは、磁気テープが巻装される円筒状のリールハブと、リールハブの両端にそれぞれ配置された上フランジ及び下フランジとを有する。テープリールとしては、下フランジがリールハブと一体的に形成され、上フランジがリールハブの上端に超音波接合等により固定される形態が一般的である。

　近年におけるテープカートリッジの高記録容量化に伴い、磁気テープの薄厚化やテープ長の拡大が進められているため、リールハブに加わる磁気テープの巻き締まり（巻圧）は増加傾向にある。さらに、高温高湿度環境下におけるテープカートリッジの長期保管の影響により、リールハブに加わる巻圧はさらに上昇し、このためリールハブの変形量はますます大きくなる傾向にある。

　例えば、リールハブが下フランジと一体成形されるリール構造では、上フランジに固定されるリールハブの上端部が内側に倒れるように変形することで、リールハブの両端部間における外径差が大きくなる。その結果、下フランジに対向する磁気テープの下エッジ部に、上フランジに対向する磁気テープの上エッジよりも長くなるような変形が生じ、これが原因で磁気テープの記録再生特性が悪化するおそれがある。

　このような問題を解消するため、例えば下記特許文献１には、記録テープが巻回されるハブと、ハブの両端部に設けられたフランジとを備え、ハブに、その両端部側の径よりも大きい径とされた大径部を形成したテープリールが開示されている。

　また、下記特許文献２には、円筒状に形成されたハブに円筒状の補強リングが装着され、ハブの下端部からハブの上端部にかけてハブの外径が大きくなるようにハブの外周面がテーパ形状に形成されたテープリールが開示されている。

特開２００８－２４３２９４号公報特開２００９－４８６９２号公報

　しかしながら、特許文献１に記載の構造では、ハブ外周面の大径部に巻き付けられるテープの中央領域の変形が問題になる場合がある。例えば、高温高湿度の保管環境下においては、テープに加わる収縮応力が大きくなるため、ハブ外周面の大径部に巻き付けられる磁気テープの中央領域がテープエッジ部に比べて過剰に変形し、安定した記録再生特性に悪影響を及ぼすおそれがある。

　また、特許文献２に記載の構造では、ハブ外周面のテーパ形状が、ハブの下端部から上端部にかけて下フランジに対する傾斜角が徐々に大きくなるように形成されている。このため、リールハブが下フランジと一体成形される場合、リールハブの外周面を成形する金型の抜き勾配を確保することが困難になる等の製造上のデメリットがある。

　以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、磁気テープの巻き締まりや保管環境に起因するリールハブの変形を抑えることができるテープリール及びこれを備えたテープカートリッジ、並びに、テープリールの製造装置を提供することにある。

　本技術の一形態に係るテープリールは、第１のフランジと、第２のフランジと、円筒状のリールハブとを具備する。
　前記リールハブは、前記第１のフランジと一体的に形成される第１の端部と、前記第２のフランジが接合される第２の端部と、磁気テープが巻装される外周面とを有する。
　前記リールハブの外周面は、第１の外周領域と、第２の外周領域とを有する。
　前記第１の外周領域は、前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する。
　前記第２の外周領域は、前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記ハブ部の径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する。

　本技術の一形態に係るテープカートリッジは、第１のフランジと、第２のフランジと、前記第１のフランジに接続される第１の端部と前記第２のフランジに接続される第２の端部と磁気テープが巻装される外周面とを有する円筒状のリールハブと、を有するテープリールを具備する。
　前記リールハブの外周面は、
　前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する第１の外周領域と、
　前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記リールハブの径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する第２の外周領域と、を有する。

　本技術の一形態に係るテープリールの製造装置は、前記リールハブの外周面を成形する第１の金型と、前記リールハブの内周面を成形する第２の金型とを具備する。
　前記第１の金型は、前記第１の外周領域を形成するテーパ面で構成された第１成形面と、前記第２の外周領域を形成する円筒面で構成された第２成形面と、を有する。

本技術の一実施形態に係るテープカートリッジ１の全体斜視図であって、Ａは上面側から見たときの斜視図、Ｂは下面側から見たときの斜視図である。上記テープカートリッジの分解斜視図である。上記テープカートリッジの分解側断面図である。本技術の一実施形態に係るテープリールの概略側断面図である。典型的なテープリールの作用を説明する模式断面図である。図５に示すテープリールの変形に伴う問題点を説明する磁気テープの要部の模式図である。本技術の一実施形態に係るテープリールを構成するリール半体の側断面図である。上記テープリールにおけるリールハブの要部の拡大断面図である。上記テープリールの作用を説明する模式断面図である。図７に示すリール半体の製造装置である金型装置の側断面図である。リールハブ外周面の勾配測定方法を説明する図である。図１０に示す金型装置を用いて成形されたリールハブ外周面の勾配測定結果を示す図である。図５に示したテープリールのリールハブ外周面の勾配測定結果を示す図である。磁気テープを側方から見た模式図である。

　以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

　図１は、本技術の一実施形態に係るテープカートリッジ１の全体斜視図であって、Ａは上面（上シェル２）側から見たときの斜視図、Ｂは下面（下シェル３）側から見たときの斜視図である。図２はテープカートリッジ１の分解斜視図、図３はその分解側断面図である。

［テープカートリッジの全体構成］
　本実施形態のテープカートリッジ１は、上シェル２と下シェル３とを複数本のネジ部材により結合して形成されるカートリッジケース４の内部に、磁気テープ２２を巻装した単一のテープリール５を回転可能に収納した構成を有している。以下、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準ずる磁気テープカートリッジを例に挙げて、本実施形態のテープカートリッジ１を説明する。

　テープリール５は、有底円筒形状のリールハブ６と、リールハブ６の下端部に一体形成された下フランジ７と、リールハブ６の上端部に接合された上フランジ８とを有し、それぞれ合成樹脂材料の射出成形体で形成されている。

　テープリール５の下面中央には、テープドライブ装置のリール回転駆動軸と係合するチャッキングギヤ９が環状に形成されており、図１Ｂに示すように、下シェル３の中央に設けられた開口部１０を介して外部へ露出している。このチャッキングギヤ９の内周側には、上記リール回転駆動軸と磁気吸着する環状の金属プレート１１がインサート成形によりリールハブ６の底部外面に固着されている。

　リールハブ６の内部には、テープカートリッジ１の非使用時におけるテープリール５の回転を抑止するためのリールロック機構が設けられている。リールロック機構は、図３に示すように、リールハブ６の底部６０の上面に立設された複数のギヤ形成壁１２と、ギヤ形成壁１２の上面に形成されたギヤ部１２ａに噛合する係合歯１３ａを有するリールロック部材１３と、ギヤ形成壁１２とリールロック部材１３との係合を解除するためのリールロック解除部材１４と、上シェル２の内面とリールロック部材１３の上面との間に設けられたリールスプリング１５とを含む。リールスプリング１５は、コイルスプリングであり、リールロック部材１３を介してテープリール５を下シェル３側へ付勢する。

　ギヤ形成壁１２は円弧状を有し、リールハブ６の底部６０の上面であって、リールハブ６の軸心のまわりの同一円周上に３カ所等間隔に形成されている。ギヤ形成壁１２のギヤ部１２ａに対向するリールロック部材１３の係合歯１３ａは、リールロック部材１３の下面に環状に形成されており、リールスプリング１５を受けて常時、ギヤ部１２ａと係合する方向に付勢されている。リールロック部材１３の上面には、嵌合凸部１３ｃが形成されているとともに、上シェル２の内面略中央部には、この嵌合凸部１３ｃに嵌合する嵌合凹部２ａが形成されている。

　リールロック解除部材１４は略三角形状を有し、リールハブ６の底部６０とリールロック部材１３との間に配置されている。リールロック解除部材１４の下面には、その略三角形状の各々の頂点部付近から下方へ向けて計３本の脚１４ａが突出形成されており、これらの脚は、カートリッジ非使用時、リールハブ６の底部６０に形成された挿通孔６ａを介してチャッキングギヤ９のギヤ間に位置している。

　リールロック解除部材１４の各脚１４ａは、カートリッジ使用時、チャッキングギヤ９に係合するテープドライブ装置のリール回転駆動軸により上方へ押圧されることで、リールロック部材１３をリールスプリング１５の付勢力に抗してロック解除位置へ移動させる。そして、テープリール５とともにリールロック部材１３に対して回転可能に構成される。リールロック解除部材１４の上面略中央部には、リールロック部材１３の下面略中央部に突出形成された断面円弧状の摺接部１３ｂを支持する支持面１４ｂが設けられている。

　カートリッジケース４の一側壁２６には、磁気テープ２２の一端を外部へ引き出すための引出口２７が設けられている。側壁２６の内方には、引出口２７を開閉するスライドドア２９が配置されている。スライドドア２９は、テープドライブ装置のテープローディング機構（図示略）との係合によりトーションバネ５７の付勢力に抗して引出口２７を開放する方向にスライドするように構成される。

　磁気テープ２２の一端部には、リーダーピン３１が固定されている。リーダーピン３１は、引出口２７の内方側に設けられたピン保持部３３に対して着脱可能に構成される。ピン保持部３３は、上シェル２の内面及び下シェル３の内面にそれぞれ取り付けられており、リーダーピン３１の上端部及び下端部をそれぞれ弾性的に保持することが可能に構成される。

　そして、カートリッジケース４の内部には、磁気テープ２２に記録された情報の誤消去防止用のセイフティタブ２５のほか、磁気テープ２２に記録された情報に関する内容を非接触で読み書き可能なカートリッジメモリ５４が配置されている。カートリッジメモリ５４は、基板上にアンテナコイル、ＩＣチップ等が搭載された非接触通信媒体で構成される。

［テープリール］
　続いて、テープリール５の詳細について説明する。

　テープリール５は、上述したように、リールハブ６と、第１のフランジとしての下フランジ７と、第２のフランジとしての上フランジ８とを有する。本実施形態において、下フランジ７は、リールハブ６の下端部（第１の端部）と一体的に形成され、上フランジ８は、リールハブ６の上端部（第２の端部）に超音波接合法等により接合される。リールハブ６は概ね円筒形状を有し、その軸方向の高さは、磁気テープ２２の幅（１２．６５ｍｍ）よりもやや大きく、約１３ｍｍ（１２．８７ｍｍ）である。リールハブ６の内径は、約４０ｍｍ（３９．６ｍｍ）であり、その径方向に厚み寸法である肉厚は、約２ｍｍである。

　リールハブ６および下フランジ７は、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）などの合成樹脂材料を用いて一体成形される。上フランジ８も同様に、ＰＣ、ＡＢＳなどの合成樹脂材料を用いて成形される。リールハブ６および下フランジ７の成形材料には、強度の向上を目的として、上記合成樹脂材料にガラスフィラー等の無機質フィラーを添加した複合材料が用いられてもよい。ガラスフィラーの重量比は特に限定されず、例えば、ベースとなる合成樹脂材料の重量比で約１０％以上３０％以下である。本実施形態では、ポリカーボネート樹脂にガラスフィラーを重量比で１０％以上２０％以下含有する複合材料がリールハブ６の成形用材料として用いられる。

（リールハブの基本構成）
　図４は、テープリール５の概略側断面図である。リールハブ６は、下フランジ７と一体的に形成される下端部６ａから上フランジ８に接合される上端部６ｂにわたって厚みが一定な円筒形状を有する。上フランジ８は、中央に設けられた開口部８ａの周縁に沿って形成された環状凸部８ｂをリールハブ６の上端部６ｂの内周面に嵌合させることで位置決めされる。リールハブ６は、上端部６ｂの直上にて上フランジ８に超音波接合される。

　リールハブ６の外周面６ｃは、磁気テープ２２が巻装される巻き付け面として機能する。外周面６ｃは、典型的には、平坦な円筒面である。リールハブ６は、磁気テープ２２の巻き締まり（巻圧）により、外周面６ｃが径内方側に向けて押圧される。リールハブ６が下フランジ７と一体成形されるリール構造では、リールハブ６の下端部６ａ側よりも上端部６ｂ側の剛性が低いため、図５にやや誇張して示すように、磁気テープ２２の巻圧は、リールハブ８に対しその上端部６ｂを径内方側（矢印Ａ参照）に倒し込む押圧力として働く。この押圧力を受けてリールハブ６の上端部６ｂが径内方側に変形すると、リールハブ６の両端部間における外径差が大きくなり、図６に模式的に示すように、下フランジ７に対向する磁気テープ２２の下エッジ部２２ａが、上フランジ８に対向する磁気テープの上エッジ２２ｂよりも長くなるように変形する場合がある。この場合、下エッジ２２ａに変形皺Ｄを発生させ、これが原因で磁気テープ２２の下エッジ側の領域とドライブヘッドとの接触が不十分となり、データの安定した読み書きができなくなるおそれがある。

　特に近年においては、テープカートリッジの高記録容量化に伴い、磁気テープの薄厚化やテープ長の拡大が進められているため、リールハブに加わる巻圧は増加傾向にある。さらに、高温高湿度環境下におけるテープカートリッジの長期保管の影響により、リールハブに加わる巻圧はさらに上昇し、このためリールハブ６の上端部６ｂの変形量がますます増加しやすくなる。

　本発明者らは、リールハブ６の外周面を平坦な円筒面ではなく、後述するような形状にすることで、磁気テープ２２の巻圧によるリールハブ６の上端部６ｂの変形を抑えられることを見出した。以下、その詳細について説明する。

（リールハブの外周面形状）
　図７は、本実施形態のリールハブ６および下フランジ７が一体形成されたリール半体６７の側断面図、図８はリールハブ６の要部の拡大断面図である。
　図７に示すように、リールハブ６は、下フランジ７（第１のフランジ）と一体的に形成される下端部６ａ（第１の端部）と、上フランジ８が接合される上端部６ｂ（第２の端部）と、磁気テープ２２が巻装される外周面６ｄと、内周面６ｅとを有する。
　リールハブ６の外周面６ｄは、図８に拡大して示すように、第１の外周領域６ｄ１と、第２の外周領域６ｄ２とを有する。一方、リールハブ６の内周面６ｅは、典型的には、平坦な円筒面形状を有する。

　第１の外周領域６ｄ１は、リールハブ６の下端部６ａから上端部６ｂに向かって拡径する領域である。第１の外周領域６ｄ１は、リールハブ６の下端部６ａから上端部６ｂに向かって拡径する形態であれば、その形状は特に限定されない。例えば、第１の外周領域６ｄ１は、直線的なテーパ面であってもよいし、湾曲面で形成されてもよい。湾曲面の形状は、リールハブ６の径外方に向かって凸なる形状の膨出面であってもよいし、リールハブ６の径内方に向かって凸なる形状の陥没面であってもよいし、これら膨出面と陥没面とを含む複合曲面であってもよい。つまり、第１の外周領域６ｄ１の表面形状は、リールハブ６の成形条件（成形材料、成形温度、成形金型の表面性状など）に応じて任意に調整可能である。

　第２の外周領域６ｄ２は、第１の外周領域６ｄ１からリールハブ６の上端部６ｂにわたって拡径する領域であり、第１の外周領域６ｄ１との境界上に稜線部６ｄ３を形成する。

　第２の外周領域６ｄ２は、稜線部６ｄ３からリールハブ６の上端部６ｂに向かって拡径する形態であれば、その形状は特に限定されない。例えば、第２の外周領域６ｄ２は、直線的なテーパ面であってもよいし、湾曲面で形成されてもよい。湾曲面の形状は、リールハブ６の径外方に向かって凸なる形状の膨出面であってもよいし、リールハブ６の径内方に向かって凸なる形状の陥没面であってもよいし、これら膨出面と陥没面とを含む複合曲面であってもよい。第１の外周領域６ｄ１と同様に、第２の外周領域６ｄ２の表面形状は、リールハブ６の成形条件（成形材料、成形温度、成形金型の表面性状など）に応じて任意に調整可能である。

　稜線部６ｄ３は、リールハブ６の径外方に向かって凸なる形状を有する。つまり、図８に示すように、第１の外周領域６ｄ１のテーパ角（軸心Ｃ１に対するリールハブ６の下端部６ａの外周縁部Ｐ１と稜線部６ｄ３とを結ぶ線分のなす角）をθ１、第２の外周領域６ｄ２のテーパ角（軸心Ｃ１に対するリールハブ６の上端部６ｂ外周縁部Ｐ２と稜線部６ｄ３とを結ぶ線分のなす角）をθ２とすると、θ１＞θ２の関係を満たす。

　稜線部６ｄ３は、テーパ角がθ１である第１の外周領域６ｄ１とテーパ角がθ２である第２の外周領域６ｄ２との間を連結する傾斜変曲点に相当する。稜線部６ｄ３の軸心Ｃ１方向に沿った断面形状は特に限定されず、第１の外周領域６ｄ１と第２の外周領域６ｄ２との間に形成された角部であってもよいし、それらの間に形成された湾曲面であってもよい。

　リールハブ６の外周面６ｄに第１の外周領域６ｄ１が設けられることで、リールハブ６の下端部６ａの半径がその上端部６ｂの半径よりも小さくなる。つまり、下端部６ａの肉厚は、上端部６ｂの肉厚よりも小さくすることができる。このため、リールハブ６に磁気テープ２２の巻圧が作用したとき、あるいは、高温高湿度環境下での長期間にわたる保管時において、リールハブ６の下端部６ａと下フランジ７との接続領域を支点とする曲げ応力でリールハブ６がその高さ方向全域にわたって径内方側へ変形しやすくなる。よって、図５に示したようなリールハブ６の上端部６ｂの径内方側への倒れ込みが抑制され、図９に示すようにリールハブ６の高さ方向の中央部を径内方側に凸なる湾曲形状となるように変形させることができる。これにより、リールハブ６の両端部間における外径差を小さくできるので、磁気テープ２２の下エッジ部２２ａに図６に示したような変形皺の発生を防いで磁気テープ２２の安定した記録再生特性を確保することができる。

　また、リールハブ６の外周面６ｄに第２の外周領域６ｄ２が設けられることで、リールハブ６の下端部６ａと上端部６ｂとの間の外径差を一定の範囲内に収めることができる。これにより、リールハブ６への磁気テープ２２の巻き取り開始時における磁気テープ２２の巻姿の乱れを抑制し、下フランジ７あるいは上フランジ８との干渉による磁気テープ２２のエッジ部へのダメージを低減できる。

　また、リールハブ６の外周面６ｄに第２の外周領域６ｄ２が設けられることで、リールハブ６に磁気テープ２２の巻圧による変形が生じた際、リールハブ６の第２の外周領域６ｄ２を軸心Ｃ１と平行な状態に近づけることができる。これにより、磁気テープ２２の巻姿がより安定になり、磁気テープ２２のエッジ部へのダメージをより一層低減することが可能となる。

　ここで、稜線部６ｄ３は、リールハブ６の高さＨ（１２．８７ｍｍ）の中心よりもリールハブ６の下端部６ａ側に位置するのが好ましい。本実施形態では、リールハブ６の下端部６ａからの高さＨ１は、３ｍｍ以上５ｍｍ以下である。高さＨ１が３ｍｍ未満の場合、上述した本実施形態の作用を効果的に生じさせることができない場合がある。また、高さＨ１が５ｍｍを超えると、後述するように、リールハブ６の外周面６ｄを形成する成形用金型の離型性が低下するおそれがある。高さＨ１を３ｍｍ以上５ｍｍ以下にすることで、リールハブ６の良好な成形性を確保しつつ、テープカートリッジ１の高温高湿度環境下における長期保管時においてリールハブ６の上端部６ｂが径内方へ倒れ込むような変形（図５参照）を阻止することができる。

　また本実施形態では、図８に示すように、軸心Ｃ１を中心とする稜線部６ｄ３の半径と外周縁部Ｐ１の半径との差ΔＲ１は、５μｍ以上２５μｍ以下である。つまり、稜線部１６ｄ３の外径とリールハブ６の下端部６ａの外径との差は、１０μｍ以上５０μｍ以下である。これにより、高さＨ１の位置に稜線部６ｄ３を安定に形成することができる。

　さらに、軸心Ｃ１を中心とするリールハブ６の下端部６ａの半径とリールハブ６の上端部６ｂの半径との差ΔＲ２は、１５μｍ以上４５μｍ以下である。つまり、リールハブ６の下端部６ａの外径とリールハブ６の上端部６ａの外径との差は、３０μｍ以上９０μｍ以下である。これにより、テープカートリッジ１の高温高湿度環境下における長期保管時におけるリールハブ６の上端部６ｂが径内方へ倒れ込みを効果的に阻止することができる。

　なお、高さＨ１、半径差ΔＲ１およびΔＲ２の大きさは上記の例に限られず、リールハブ６の高さ、肉厚、成形用材料の種類等に応じて任意に設定可能である。例えば、成形材料にガラスフィラーを含有する合成樹脂材料が用いられる場合、合成樹脂材料の種類やガラスフィラーの含有量などによってリールハブ６の剛性が変化する。このため、リールハブ６の剛性に応じて、上記各寸法を最適化するのが好ましい。

［リールハブの製造装置］
　図１０は、図７に示すリール半体６７の製造装置である金型装置７０の側断面図である。金型装置７０は、リールハブ６の外周面６ｄおよび下フランジ７の内面を成形する第１の金型７１と、リールハブ６の内周面６ｅおよびリールハブ６の内部底面を成形する第２の金型７２と、下フランジ７の外面を成形する第３の金型７３とを有する。

　第１の金型７１は、第２の金型７２と第３の金型７３との間に、成形用材料が充填されるキャビティ７０Ｃを形成する。第１の金型７１は、リールハブ６の第１の外周領域６ｄ１を形成する第１成形面７１１と、リールハブ６の第２の外周領域６ｄ２を形成する第２成形面７１２と、下フランジ７の内面を形成する第３成形面と、リールハブ６の上端部６ｂを形成する第４成形面７１４とを有する。

　第１成形面７１１は、軸心Ｃ２に対して角度θ１で傾斜する逆円錐台状のテーパ面である。第２成形面７１２は、軸心Ｃ２に平行な円筒面である。本実施形態において、第１成形面７１１の高さＨ２は、３μｍ以上５μｍ以下である。軸心Ｃ２を中心とする第１成形面７１１の最小半径（第１成形面７１１の下端部の半径）と第１成形面７１１の最大半径（第２成形面７１２の半径）との差ΔＴは、７μｍ以上１５μｍ以下である。

　これにより、図８に示す形状の第１の外周領域６ｄ１を安定に形成することができる。なお、Ｈ２が５μｍ、ΔＴが１５μｍをそれぞれ超える場合、成形後における第１の外周領域６ｄ１の熱収縮を利用した第１の金型７１の離型性が損なわれるおそれがある。したがって、これらの値の上限は、使用する成形用材料の種類に応じて適宜調整されるのが好ましい。

　リール半体６７は、図示しないゲートよりキャビティ７０Ｃに成形用材料（ポリカーボネートとガラスフィラーの複合材料）が射出されることで成形される。これにより、図７に示したような第１の外周領域６ｄ１および第２の外周領域６ｄ２を含む外周面６ｄを有するリールハブ６を形成することができる。また、成形後における成形用材料の熱収縮により、第２成形面７１２によって形成される第２の外周領域６ｄ２が、図８に示すテーパ角θ２をもった傾斜面になる。

　本発明者らは、図１１に示すように、成形後のリールハブ６の外周面６ｄの勾配を測定した。測定機には、株式会社ミツトヨ製「Mitutoyo Roundtest RA-2100」を用いた。測定の手順は以下のとおりである。

　まず、図示しない回転テーブル上の治具（マスターギヤ）にリールハブ６の底部のチャッキングギヤ９（図１Ｂ参照）をセットし、リール半体６７を回転可能に支持する。リール半体６７を停止させた状態で、測定子８１（直径１．６ｍｍ）をリールハブ６の外周面６ｄに接触させ、測定子８１を上下にトレースして外周面６ｄの勾配を測定した。なお、測定子８１の破損回避を目的として、測定の原点をリールハブ６の下端部６ａから１ｍｍ上の位置とし、測定長は１１ｍｍとした。
　測定子８１のトレース後、回転テーブルを３０°回転させた後、上述と同様の測定を行った。この操作を１２回繰り返すことで、リールハブ６の全周方向１２箇所の測定を行った。得られた１２箇所の測定波形の平均値を勾配波形ＴＲ１として図１２（図中左側）に示す。

　続いて、リール半体６７に上フランジ８を接合することでテープリール５を作製した後、このテープリール５に長さ１０００ｍの磁気テープ２２を０．５５Ｎの張力で巻き付けてテープカートリッジ１を作製した。このテープカートリッジ１を、加速度試験条件である温度４９℃、相対湿度８０％に維持された恒温槽に一週間保管した。その後、温度が２３℃±２℃、相対湿度が４０～６０％の常温環境に２４時間放置した。そして、このテープカートリッジ１からテープリール５を抜き出し、磁気テープ２２を取り除いた後のリールハブ６の外周面の勾配を、上述と同様の方法で測定した。その結果を勾配波形ＴＲ２として図１２（図中右側）に示す。

　成形直後のリールハブ６の外周面６ｄの勾配波形ＴＲ１には、第１の領域６ｄ１および第２の勾配領域６ｄ２の境界部に稜線部６ｄ３（図８参照）に相当する傾斜角の変曲点が確認された（図１２の円Ａで示す領域参照）。また、リールハブ６の両端部（６ａ，６ｂ）間の半径の差は約３５μｍであった。

　一方、加速試験後のリールハブ６の外周面６ｄの勾配波形ＴＲ２によれば、リールハブ６の上端部６ｂの径内方側への倒れ込みが抑えられ、下端部６ａと上端部６ｂとの中間領域が径内方側へ湾曲するように変形している様子が確認された。また、リールハブ６の下端部６ａの半径に対する上端部６ｂの半径の差分は約７μｍであった。
　なお、リールハブ６の変形に起因する磁気テープ２２のエッジ部での変形皺を防止するためには、加速度試験後におけるリールハブ６の半径差は、１０μｍ以下であることが好ましいことが、本発明者らの実験により確認された。

　比較例として、第１の外周領域６ｄ１および第２の外周領域６ｄ２を有してない、平坦な円筒面からなる外周面６ｃ（図４参照）を有するリールハブについて、上述と同様な方法でハブ外周面の勾配波形を測定した結果を図１３に示す。図１３において、左側は、成形直後における外周面６ｃの勾配波形ＴＲ３であり、右側は、上記加速度試験後における外周面６ｃの勾配波形ＴＲ４である。同図に示すように、加速度試験後におけるリールハブの両端部間の半径差は２５μｍ～３０μｍであった。

［磁気テープの詳細］
　続いて、本実施形態に用いられる磁気テープ２２の詳細について説明する。
　図１４は、磁気テープ２２を側方から見た模式図である。図１４に示すように、磁気テープ２２は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。

　磁気テープ２２は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材４１と、基材４１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基材４１の他方の主面上に設けられたバック層４４とを含む。なお、バック層４４は、必要に応じて設けられればよく、このバック層４４は省略されてもよい。磁気テープ２２は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。

　磁気テープ２２は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層４３の表面が、図示しない記録再生装置が備える磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気テープ２２は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープ２２は、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

（基材）
　基材４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基材４１は、長尺のフィルム状を有する。基材４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基材４１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基材４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基材４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基材４１の強度低下を抑制することができる。

　基材４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープ２２を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基材４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基材４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基材４１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基材４１は、ポリエステルを含む。基材４１がポリエステルを含むことで、基材４１の長手方向のヤング率を低減することができる。したがって、走行時における磁気テープ２２の長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープ２２の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。

　ポリエステルは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート（ＰＥＢ）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。基材４１が２種以上のポリエステルを含む場合、それらの２種以上のポリエステルは混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステルの末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

　基材４１にポリエステルが含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基材４１の平均厚みの測定方法と同様にして、サンプルの基材４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基材４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基材４１にポリエステルが含まれていることを確認することができる。

　基材４１は、ポリエステル以外に、例えば、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドおよびポリアミドイミドのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよいし、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ポリアミドは、芳香族ポリアミド（アラミド）であってもよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。ポリアミドイミドは、芳香族ポリアミドイミドであってもよい。

　基材４１が、ポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、基材４１はポリエステルを主成分とすることが好ましい。ここで、主成分とは、基材４１に含まれる高分子樹脂のうち、最も含有量（質量比率）が多い成分を意味する。基材４１がポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、ポリエステルと、ポリエステル以外の高分子樹脂は、混合されていてもよいし、共重合されていてもよい。

　基材４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基材４１に含まれる高分子樹脂は、基材４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
　磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、磁性材料の塗布膜で構成される場合に限られず、磁性材料のスパッタ膜や蒸着膜で構成されてもよい。

　磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａは、２．０ｎｍ以下、好ましくは１．８ｎｍ以下、より好ましくは１．６ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．０ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上である。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。

　算術平均粗さＲａは次のようにして求められる。まず、磁性層４３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００～４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２、１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～２６２、１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２、１４４））／２６２、１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ"（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）－Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ"（１）＋Ｚ"（２）＋・・・＋Ｚ"（２６２、１４４））／２６２、１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flattenorder2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製SPMプローブNCH ノーマルタイプPointProbe L
(カンチレバー長)＝１２５μｍ

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みｔ_mは以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープ２２をＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ２２の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ２２の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ２２の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（TransmissionElectron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００、０００倍

　次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気テープ２２の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_m［ｎｍ］とする。なお、上記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

　（磁性粉）
　磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープ２２の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

　（六方晶フェライト粒子）
　六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１２ｎｍ以上１９ｎｍ以下、最も好ましくは１２ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ２２において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．３以上２．８以下、さらにより好ましくは１．６以上２．７以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープ２２をＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ２２の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ２２の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ２２の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており、且つ、粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。その厚みを明らかに確認できる選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_aveを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_aveを求める。平均板径ＤＢ_aveが、平均粒子サイズである。そして、平均最大板厚ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ave／ＤＡ_ave）を求める。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは３４００ｎｍ³以下、より好ましくは４００ｎｍ³以上２６００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは４００ｎｍ³以上１７００ｎｍ³以下、特に好ましくは４００ｎｍ³以上１２００ｎｍ³以下、最も好ましくは４００ｎｍ³以上１０００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が３４００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均長軸長ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

　（ε酸化鉄粒子）
　ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープ２２の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

　コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ2Ｏ3からなるものがより好ましい。

　第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

　第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

　第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

　ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープ２２の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープ２２の特性劣化を抑制することができる。

　ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

　ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

　具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

　磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、例えば２２ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープ２２では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ２２（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープ２２）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープ２２をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープ２２の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープ２２の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ２２の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

　磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ³以下、より好ましくは２５０ｎｍ³以上４２００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ³以上３０００ｎｍ³以下、特に好ましくは６００ｎｍ³以上２２００ｎｍ³以下、最も好ましくは６００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。一般的に磁気テープ２２のノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

　ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。磁気テープ２２をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープ２２の磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープ２２の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープ２２の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500、000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

　（コバルトフェライト粒子）
　コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープ２２の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
　Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、２２ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープ２２において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

　磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

　磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ³以下、より好ましくは２５０ｎｍ³以上４２００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ³以上３０００ｎｍ³以下、特に好ましくは６００ｎｍ³以上２２００ｎｍ³以下、最も好ましくは６００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

　（結着剤）
　結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

　熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

　上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ₃Ｍ、－ＯＳＯ₃Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^-はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1～１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2～１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

　（潤滑剤）
　潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープ２２の走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープ２２の磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープ２２の走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

　脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープ２２を繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

　（帯電防止剤）
　帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

　（研磨剤）
　研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

　（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

　（防錆剤）
　防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

　（非磁性補強粒子）
　非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
　下地層４２は、基材４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

　下地層４２の平均厚みは、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みは、磁性層４３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みが２．０μｍ以下であると、外力による磁気テープ２２の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープ２２の幅の調整がさらに容易となる。

　（非磁性粉）
　非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

　（結着剤、潤滑剤）
　結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

　（添加剤）
　帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
　バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

　非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープ２２の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層４２や基材４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープ２２の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

　バック層４４の平均厚みｔ_bは以下のようにして求められる。まず、磁気テープ２２の平均厚みｔ_Tを測定する。平均厚みｔ_Tの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_B［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_b［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
　ｔ_b［μｍ］＝ｔ_T［μｍ］－ｔ_B［μｍ］

　バック層４４は、多数の突部が設けられた表面を有している。多数の突部は、磁気テープ２２をロール状に巻き取った状態において、磁性層４３の表面に多数の孔部を形成するためのものである。多数の孔部は、例えば、バック層４４の表面から突出された多数の非磁性粒子により構成されている。

（磁気テープの平均厚み）
　磁気テープ２２の平均厚み（平均全厚）ｔ_Tの上限値が、５．６μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープ２２の平均厚みｔ_Tが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープ２２の平均厚みｔ_Tの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。なお、磁気テープ２２の全長は、９６０ｍ以上である。

　磁気テープ２２の平均厚みｔ_Tは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープ２２を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_T［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ）
　磁気テープ２２の長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

　磁気テープ２２の長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

　上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、磁気テープ２２が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ２２の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープ２２の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ２２全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基材４１のみが残される。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の垂直方向（磁気テープ２２の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

　測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ２２の長手方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（角形比）
　磁気テープ２２の垂直方向（厚み方向）における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、磁気テープ２２が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープ２２の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気テープ２２の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基材４１のみが残される。そして、得られた基材４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いて基材４１の垂直方向（磁気テープ２２の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープ２２の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基材４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープ２２の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられ
る。
　角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

　磁気テープ２２の長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープ２２および基材４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（バック面の表面粗度Ｒb）
　バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_bが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

［変形例］
　以上の実施形態では、ＬＴＯ規格に準拠したテープカートリッジ用のテープリールを例に挙げて説明したが、ＬＴＯ以外の規格に準拠したテープカートリッジ用のテープリールおよびこれを備えたテープカートリッジにも本技術は適用可能である。

　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）　第１のフランジと、
　第２のフランジと、
　前記第１のフランジと一体的に形成される第１の端部と、前記第２のフランジが接合される第２の端部と、磁気テープが巻装される外周面とを有する円筒状のリールハブと
　を具備し、
　前記リールハブの外周面は、
　前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する第１の外周領域と、
　前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記リールハブの径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する第２の外周領域と、を有する
　テープリール。
（２）上記（１）に記載のテープリールであって、
　前記稜線部は、前記リールハブの高さの中心よりも前記第１の端部側に位置する
　テープリール。
（３）上記（１）又は（２）に記載のテープリールであって、
　前記稜線部の外径と前記第１の端部の外径との差は、１０μｍ以上５０μｍ以下であり、
　前記第１の端部の外径と前記第２の端部の外径との差は、３０μｍ以上９０μｍ以下である
　テープリール。
（４）上記（３）に記載のテープリールであって、
　前記第１のフランジおよび前記リールハブは、合成樹脂材料にガラスフィラーを含有した複合材料の成形体である
　テープリール。
（５）上記（４）に記載のテープリールであって、
　前記合成樹脂材料はポリカーボネート樹脂であり、前記ガラスフィラーの含有量は前記ポリカーボネート樹脂に対する重量比で１０％以上２０％以下である
　テープリール。
（６）上記（１）～（５）のいずれか１つに記載のテープリールであって、
　前記リールハブの高さは略１３ｍｍであり、
　前記第１の端部から前記稜線部までの長さは、３ｍｍ以上５ｍｍ以下である
　テープリール。
（７）　第１のフランジと、第２のフランジと、前記第１のフランジに接続される第１の端部と前記第２のフランジに接続される第２の端部と磁気テープが巻装される外周面とを有する円筒状のリールハブと、を有するテープリール
　を具備し、
　前記リールハブの外周面は、
　前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する第１の外周領域と、
　前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記リールハブの径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する第２の外周領域と、を有する
　テープカートリッジ。
（８）上記（７）に記載のテープカートリッジであって、
　前記テープリールに前記磁気テープが巻装された状態で、温度４９℃、相対湿度８０％の環境中に前記テープカートリッジを１週間保管した後における、前記第１の端部と前記第２の端部の半径差が１０μｍ以下である
　テープカートリッジ。
（９）上記（７）又は（８）に記載のテープリールであって、
　前記磁気テープは、厚みが５．６μｍ以下、長さが９６０ｍ以上である
　テープカートリッジ。
（１０）上記（１）に記載のリールハブを備えたテープリールの製造装置であって、
　前記リールハブの外周面を成形する第１の金型と、
　前記リールハブの内周面を成形する第２の金型と
　を具備し、
　前記第１の金型は、
　前記第１の外周領域を形成するテーパ面で構成された第１成形面と、
　前記第２の外周領域を形成する円筒面で構成された第２成形面と、を有する
　テープリールの製造装置。

　１…テープカートリッジ
　５…テープリール
　６…リールハブ
　６ａ…下端部
　６ｂ…上端部
　６ｄ…外周面
　６ｄ１…第１の外周領域
　６ｄ２…第２の外周領域
　６ｄ３…稜線部
　７…下フランジ
　８…上フランジ
　２２…磁気テープ

Claims

　第１のフランジと、
　第２のフランジと、
　前記第１のフランジと一体的に形成される第１の端部と、前記第２のフランジが接合される第２の端部と、磁気テープが巻装される外周面とを有する円筒状のリールハブと
　を具備し、
　前記リールハブの外周面は、
　前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する第１の外周領域と、
　前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記リールハブの径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する第２の外周領域と、を有する
　テープリール。
　請求項１に記載のテープリールであって、
　前記稜線部は、前記リールハブの高さの中心よりも前記第１の端部側に位置する
　テープリール。
　請求項１に記載のテープリールであって、
　前記稜線部の外径と前記第１の端部の外径との差は、１０μｍ以上５０μｍ以下であり、
　前記第１の端部の外径と前記第２の端部の外径との差は、３０μｍ以上９０μｍ以下である
　テープリール。
　請求項３に記載のテープリールであって、
　前記第１のフランジおよび前記リールハブは、合成樹脂材料にガラスフィラーを含有した複合材料の成形体である
　テープリール。
　請求項４に記載のテープリールであって、
　前記合成樹脂材料はポリカーボネート樹脂であり、前記ガラスフィラーの含有量は前記ポリカーボネート樹脂に対する重量比で１０％以上２０％以下である
　テープリール。
　請求項１に記載のテープリールであって、
　前記リールハブの高さは略１３ｍｍであり、
　前記第１の端部から前記稜線部までの長さは、３ｍｍ以上５ｍｍ以下である
　テープリール。
　第１のフランジと、第２のフランジと、前記第１のフランジに接続される第１の端部と前記第２のフランジに接続される第２の端部と磁気テープが巻装される外周面とを有する円筒状のリールハブと、を有するテープリール
　を具備し、
　前記リールハブの外周面は、
　前記第１の端部から前記第２の端部に向かって拡径する第１の外周領域と、
　前記第１の外周領域から前記第２の端部にわたって拡径し、前記第１の外周領域との境界上に前記リールハブの径外方に向かって凸なる形状の稜線部を形成する第２の外周領域と、を有する
　テープカートリッジ。
　請求項７に記載のテープカートリッジであって、
　前記テープリールに前記磁気テープが巻装された状態で、温度４９℃、相対湿度８０％の環境中に前記テープカートリッジを１週間保管した後における、前記第１の端部と前記第２の端部の半径差が１０μｍ以下である
　テープカートリッジ。
　請求項７に記載のテープリールであって、
　前記磁気テープは、厚みが５．６μｍ以下、長さが９６０ｍ以上である
　テープカートリッジ。
　請求項１に記載のリールハブを備えたテープリールの製造装置であって、
　前記リールハブの外周面を成形する第１の金型と、
　前記リールハブの内周面を成形する第２の金型と
　を具備し、
　前記第１の金型は、
　前記第１の外周領域を形成するテーパ面で構成された第１成形面と、
　前記第２の外周領域を形成する円筒面で構成された第２成形面と、を有する
　テープリールの製造装置。