WO2022191003A1 - Iii族窒化物結晶、iii族窒化物半導体、iii族窒化物基板、及びiii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物結晶、iii族窒化物半導体、iii族窒化物基板、及びiii族窒化物結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022191003A1 WO2022191003A1 PCT/JP2022/008951 JP2022008951W WO2022191003A1 WO 2022191003 A1 WO2022191003 A1 WO 2022191003A1 JP 2022008951 W JP2022008951 W JP 2022008951W WO 2022191003 A1 WO2022191003 A1 WO 2022191003A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- nitride crystal
- crystal
- dislocation density
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 234
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 210
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 19
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
図8及び図9を参照して、実施の形態1に係るIII族窒化物結晶の製造方法について詳細に説明する。
本実施の形態1では、III族窒化物種基板101として、Naフラックス法により作製したGaN結晶種基板を用いる。GaN結晶種基板は、Naフラックス法により作製したGaNインゴットを成形、研磨し、表面を化学機械研磨処理(CMP処理)することで形成できる。本実施形態で用いたGaN結晶種基板の膜厚は400μmであるがこれに限られず、例えば、300μm以上2000μm以下であってよい。
図8に本実施の形態1に係るIII族窒化物結晶の製造方法に用いるIII族窒化物結晶の製造装置100の概略図を示す。このIII族窒化物結晶の製造装置100は、III族窒化物結晶を成長させるためのIII族窒化物種基板101が配置される反応室110と、III族系反応ガスを反応室110へ導入する第1ノズル111と、V族系反応ガスを反応室110内へ導入する第2ノズル112と、キャリアガスを反応室110内へ導入する第3ノズル113と、を備える。III族系反応ガスは、III族金属が配置されたIII族原料室114に塩化物系ガス導入ノズル115から塩化物系ガスを導入することで生成され、第1ノズル111よりIII族窒化物種基板101へと供給される。反応室110内に配置されている基板101はサセプタ116にて保持されており、サセプタ116は、III族窒化物種基板101よりもサイズが大きい。サセプタ116は、更に加熱機構、回転機構等を有していてよい。反応室110に導入されたガスは排気部117より排気される。
図9に本実施の形態1に係るIII族窒化物結晶の成長シーケンスを示す。図9に示す通り、III族窒化物結晶の製造方法は、表面処理工程と、初期育成工程及び本育成工程を有する成長工程と、を含む。
熱処理工程では、III族窒化物種基板101表面の酸化膜等の酸化物及びカーボンなどの汚れを除去し、表面をきれいな結晶表面にする。しかしながら、III族窒化物種基板101内のNaインクルージョンの破裂を抑制する必要がある。本実施の形態1では、720℃以上900℃以下で表面処理を行うことで、Naインクルージョンの破裂を抑制できるとともに、III族窒化物種基板101の表面状態を十分に向上させることができる。表面処理の温度が720℃より低いと、H2でのエッチング効果、及びNH3の分解が十分でないため、III族窒化物種基板101の表面を十分にクリーニングすることができない。また、表面処理の温度が900℃よりも高いと、III族窒化物種基板101の育成温度を超えてしまうため、Naインクルージョンの破裂を十分に抑制できない。そこで、表面処理工程は、720℃以上800℃以下の温度で行うことがさらに好ましく、720℃以上750℃以下の温度で行うことが最も好ましい。
初期育成工程は、高い結晶性を持つIII族窒化物種基板101の結晶性を引継いで、III族窒化物種基板101上に高品質のIII族窒化物結晶を成長させるために必要である。初期育成工程は、III族窒化物種基板101の上へIII族窒化物結晶を気相成長させる工程であって、950℃以上970℃以下の温度で行う。すなわち、成長工程の開始温度を950℃以上970℃以下とする。初期育成工程では、III族窒化物種基板101の表面にまだIII族窒化物結晶が成長しておらず、III族窒化物種基板101の表面がむき出しであるため、970℃よりも高温にしてしまうと、III族窒化物種基板101の面内のNaインクルージョンが破裂する恐れがある。一方、950℃よりも低い温度では、III族窒化物種基板101上へのIII族窒化物結晶の成長を開始することができない。初期育成工程は、950℃以上970℃以下の温度で行うことで、Naインクルージョンの破裂を防止するとともに、III族窒化物結晶の成長を開始させることができる。初期育成工程は、III族窒化物種基板101上に成長するIII族窒化物結晶の膜厚が30μm以上となるまで行うことが好ましく、膜厚が100μm以上となるまで行うことがより好ましい。初期育成工程を経て、III族窒化物種基板101上にIII族窒化物結晶の初期育成結晶102が形成される。これによって、表面に露出したNaインクルージョンを埋めることができると共に、その後の本育成において成長温度をある程度高くした場合にもNaインクルージョンの破裂を抑制できるものと考えられる。
本育成工程は、950℃以上1020℃以下の温度で行う。III族窒化物種基板101上に成長したIII族窒化物結晶を切り出してウェハとする場合には、育成膜厚0.5mm以上になるように本成長を行うことが望ましい。本育成工程の育成時間を伸長することで、所望の育成膜厚を実現することが可能である。たとえば、10mm程度の膜厚のIII族窒化物結晶の成長を得ることもできる。0.5mm以上の厚膜育成を実現させるためには、結晶成長の効率の観点から、100μm/時以上の育成レートで本成長を行うことが好ましく、150μm/時以上の育成レートがより好ましい。
本実施の形態1に係るIII族窒化物基板では、成長したIII族窒化物結晶がIII族窒化物種基板101の特性を引き継ぐ。このため、Naインクルージョンの破裂が抑制された高品質のIII族窒化物種基板101を用いることで、III族窒化物結晶の品質を高めることができる。本実施の形態1では、III族窒化物種基板101上のIII族窒化物結晶は、主面及び裏面の平均転位密度が6.0×105cm-2以下であり、主面及び裏面の平均転位密度の差が5.0×104cm-2以下であり、さらに曲率半径30m以上という高い品質を実現している。しかも、直径2インチ以上のサイズであっても、このような高品質で0.5mm以上の厚膜のIII族窒化物結晶を得ることが可能である。また、III族窒化物種基板101の上のIII族窒化物結晶の主面及び裏面の平均転位密度が3.0×105cm-2以下というさらに高品質を実現することも可能である。
本実施の形態1では、III族窒化物結晶の製造方法は、III族窒化物種基板101の上に成長したIII族窒化物結晶をスライスし、研磨する加工工程をさらに含んでもよい。III族窒化物結晶は、研削機やワイヤーソー等を用いてIII族窒化物基板から切り出すことができる。そして、必要に応じて、切り出したIII族窒化物結晶の表面に、オリフラ加工、鏡面研磨加工、化学機械研磨処理等を施すことで、III族窒化物結晶を得ることができる。
このようにして得られたIII族窒化物結晶のウェハは、主面及び裏面の転位密度が6.0×105cm-2以下であり、主面及び裏面の平均転位密の差が5.0×104cm-2以下であり、更に曲率半径30m以上という高品質を実現している。しかも、直径2インチ以上のサイズであっても、このような高品質で0.3mm以上1.0mm以下の厚膜のIII族窒化物結晶のウェハを作製できる。III族窒化物結晶の主面及び裏面の転位密度が2.0×105cm-2以下、かつ主面及び裏面の平均転位密の差が2.0×104cm-2以下というさらに高品質のIII族窒化物結晶を実現することも可能である。
上記で得られたIII族窒化物結晶のウェハ上に、III族窒化物半導体素子を積層することで、III族窒化物半導体を作製することができる。
Naフラックス法でサファイア基板にGaN薄膜を成長させたテンプレート基板を用いてGaN結晶種基板を作製した。
実施例に使用したのと同じ表面転位密度が2.0×105cm-2の液相成長させたGaN結晶種基板上に、実施例と同じ条件で740℃での熱処理を行い、その後950℃での110μm厚の初期育成後に、初期育成条件での育成を保持しながら10℃/分にて1035℃へと昇温させた。その後、HClガス0.26slm、NH3ガス1.8slm、キャリアガスのN2ガス44.0slm、H2ガス10.5slmへと変化させて供給し、1.1mm厚のGaN結晶を育成した。育成レートは200μm/時、回転数は500rpmであった。
101 III族窒化物種基板
102 初期育成結晶
103 本育成結晶
110 反応室
111 第1ノズル
112 第2ノズル
113 第3ノズル
114 III族原料室
115 塩化物系ガス導入ノズル
116 サセプタ
117 排気部
Claims (12)
- 主面及び前記主面とは反対側の裏面を有し、
前記主面の平均転位密度及び前記裏面の平均転位密度が6.0×105cm-2以下であり、
前記主面の平均転位密度及び前記裏面の平均転位密度の差が5.0×104cm-2以下であり、
前記主面の結晶軸の反りが曲率半径30m以上である、
III族窒化物結晶。 - 前記主面の平均転位密度及び前記裏面の平均転位密度が2.0×105cm-2以下であり、
前記主面の平均転位密度及び前記裏面の平均転位密度の差が2.0×104cm-2以下である、
請求項1に記載のIII族窒化物結晶。 - 前記III族窒化物結晶の厚さは、0.3mm以上1.0mm以下である、
請求項1又は2に記載のIII族窒化物結晶。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の前記III族窒化物結晶と、
前記III族窒化物結晶の上に積層されたIII族窒化物半導体素子と、
を有する、
III族窒化物半導体。 - Naを含むIII族窒化物種基板と、
前記III族窒化物種基板の上に積層された、請求項1から3のいずれか1項に記載の前記III族窒化物結晶と、
を含む、
III族窒化物基板。 - 前記III族窒化物結晶の膜厚が0.5mm以上である、
請求項5に記載のIII族窒化物基板。 - Naを含むIII族窒化物種基板を準備する準備工程と、
前記III族窒化物種基板の上に気相成長によってIII族窒化物結晶を成長させる成長工程と、を有し、
前記成長工程の開始温度は、950℃以上970℃以下であり、
前記成長工程での前記III族窒化物結晶の成長は、950℃以上1020℃以下の温度で行う、
III族窒化物結晶の製造方法。 - 前記Naを含むIII族窒化物種基板を720℃以上900℃以下の温度で表面処理する表面処理工程をさらに有する、
請求項7に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記表面処理工程が、720℃以上750℃以下で行われる、
請求項8に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記成長工程での前記III族窒化物結晶の成長は、原料ガスの供給量及び前記III族窒化物結晶の温度を制御して100μm/時以上の育成レートで行う、
請求項7から9のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記成長工程は、前記III族窒化物結晶の膜厚が0.5mm以上になるまで行う、
請求項7から10のいずれか1項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記III族窒化物種基板の上に成長したIII族窒化物結晶をスライスし、研磨する加工工程をさらに含む、
請求項7から11のいずれか1項に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023505349A JPWO2022191003A1 (ja) | 2021-03-09 | 2022-03-02 | |
CN202280017444.9A CN116997691A (zh) | 2021-03-09 | 2022-03-02 | Iii族氮化物晶体、iii族氮化物半导体、iii族氮化物衬底、和iii族氮化物晶体的制造方法 |
US18/457,440 US20230399770A1 (en) | 2021-03-09 | 2023-08-29 | Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-037565 | 2021-03-09 | ||
JP2021037565 | 2021-03-09 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US18/457,440 Continuation US20230399770A1 (en) | 2021-03-09 | 2023-08-29 | Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2022191003A1 true WO2022191003A1 (ja) | 2022-09-15 |
Family
ID=83227150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/008951 WO2022191003A1 (ja) | 2021-03-09 | 2022-03-02 | Iii族窒化物結晶、iii族窒化物半導体、iii族窒化物基板、及びiii族窒化物結晶の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230399770A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2022191003A1 (ja) |
CN (1) | CN116997691A (ja) |
WO (1) | WO2022191003A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003277195A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nec Corp | Iii−v族窒化物系半導体基板およびその製造方法 |
JP2009023853A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにiii−v族窒化物系半導体デバイス |
JP2017117972A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶積層体、該積層体の製造方法、及び該積層体を利用した半導体素子の製造方法 |
WO2021132491A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物単結晶基板およびその製造方法 |
-
2022
- 2022-03-02 JP JP2023505349A patent/JPWO2022191003A1/ja active Pending
- 2022-03-02 WO PCT/JP2022/008951 patent/WO2022191003A1/ja active Application Filing
- 2022-03-02 CN CN202280017444.9A patent/CN116997691A/zh active Pending
-
2023
- 2023-08-29 US US18/457,440 patent/US20230399770A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003277195A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nec Corp | Iii−v族窒化物系半導体基板およびその製造方法 |
JP2009023853A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Cable Ltd | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにiii−v族窒化物系半導体デバイス |
JP2017117972A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶積層体、該積層体の製造方法、及び該積層体を利用した半導体素子の製造方法 |
WO2021132491A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物単結晶基板およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2022191003A1 (ja) | 2022-09-15 |
US20230399770A1 (en) | 2023-12-14 |
CN116997691A (zh) | 2023-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6578570B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 | |
JP4741506B2 (ja) | 大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス | |
JP4696935B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びiii−v族窒化物系発光素子 | |
US20070138505A1 (en) | Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same | |
KR20070058465A (ko) | Ga 함유 질화물 반도체 단결정, 그 제조 방법, 그리고 그결정을 사용한 기판 및 디바이스 | |
JP2006332570A (ja) | Iii族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子 | |
JP2007246331A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
JP2011256082A (ja) | GaN結晶自立基板およびその製造方法 | |
JP5333374B2 (ja) | GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス | |
US9896780B2 (en) | Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate | |
JP2006290677A (ja) | 窒化物系化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物系化合物半導体基板の製造方法 | |
WO2012043885A1 (ja) | Iii族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法、iii族窒化物半導体自立基板またはiii族窒化物半導体素子の製造方法、およびiii族窒化物成長用基板 | |
WO2016136548A1 (ja) | 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法、並びにエピタキシャルウエハ | |
JP2013173648A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶および半導体装置 | |
EP2641996A1 (en) | Method for growing magnesium-zinc-oxide-based crystal | |
WO2022191003A1 (ja) | Iii族窒化物結晶、iii族窒化物半導体、iii族窒化物基板、及びiii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2007137763A (ja) | 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法 | |
EP3951025A1 (en) | Gan substrate wafer and method for manufacturing gan substrate wafer | |
JP2023532799A (ja) | 窒化された界面層を有する半導体基板 | |
JP2004035360A (ja) | GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
JP2020200223A (ja) | Iii族元素窒化物結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2015193519A (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法及び13族窒化物結晶 | |
JP2006232571A (ja) | 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法 | |
WO2024004576A1 (ja) | Iii族窒化物基板およびその製造方法 | |
KR20060101585A (ko) | 질화물계 반도체 단결정 기판의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 22766962 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2023505349 Country of ref document: JP |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 202280017444.9 Country of ref document: CN |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 22766962 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |