WO2022182094A1 - 질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법 - Google Patents

질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2022182094A1
WO2022182094A1 PCT/KR2022/002571 KR2022002571W WO2022182094A1 WO 2022182094 A1 WO2022182094 A1 WO 2022182094A1 KR 2022002571 W KR2022002571 W KR 2022002571W WO 2022182094 A1 WO2022182094 A1 WO 2022182094A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
boron nitride
extreme ultraviolet
pellicle film
ultraviolet lithography
Prior art date
Application number
PCT/KR2022/002571
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
최재혁
조상진
우란
김청
이소윤
서경원
김경수
문성용
Original Assignee
주식회사 에프에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에프에스티 filed Critical 주식회사 에프에스티
Publication of WO2022182094A1 publication Critical patent/WO2022182094A1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13—Nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C01P2004/24—Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer

Definitions

  • the present invention relates to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising a boron nitride nano structure (BN nano structure) layer and a method for manufacturing the same.
  • a pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising a boron nitride nano structure (BN nano structure) layer and a method for manufacturing the same.
  • a method called photolithography is used to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display panel or the like.
  • photolithography a mask is used as a patterning original plate, and the pattern on the mask is transferred to various layers formed on a wafer or a liquid crystal substrate.
  • the transferred pattern is damaged because light is absorbed or reflected by the dust, and thus the performance or yield of a semiconductor device or a liquid crystal display panel is deteriorated.
  • the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and in lithography, the focus is on the pattern of the mask, so the dust on the pellicle is out of focus and is not transferred to the pattern.
  • the UV light source is UV light from g-ray (436 nm), I-ray (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm) to extreme ultraviolet (EUV, extreme Ultraviolet, 13.5 nm).
  • EUV extreme Ultraviolet
  • the conventional organic pellicle film has a problem in that the physical properties are changed by the exposure light source having high energy and it is difficult to be used in the pellicle for extreme ultraviolet light because the lifespan is short.
  • Various attempts are being made to solve these problems.
  • Korean Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
  • a pellicle for extreme ultraviolet light comprising a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, wherein an opening of 60% or more is formed in the base substrate.
  • a silicon single crystal film In the extreme ultraviolet pellicle disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 2009-0122114, a silicon single crystal film must be formed as a thin film for the transmission of extreme ultraviolet rays. Since such a silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate for supporting it is used. The reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and there is a problem in that the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
  • a method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
  • Korean Patent No. 1552940 filed and registered by the present applicant, discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an aqueous solution containing iron chloride. .
  • Korean Patent Nos. 1303795 and 1940791 applied and registered by the applicant of the present invention, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, an organic substrate A method of dissolving using a solvent to obtain a pellicle membrane is disclosed.
  • a silicon nitride layer is formed on both sides of a silicon substrate, and a single crystal or polycrystalline silicon layer, a silicon nitride layer, and a capping layer, which are core layers having high extreme ultraviolet transmittance, are sequentially formed on the silicon nitride layer on the upper surface of the silicon substrate.
  • a method of manufacturing a pellicle by applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the lower surface and then patterning, removing the center of the silicon nitride layer by dry etching, and removing the center of the silicon substrate by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted is also being used.
  • the silicon core layer has a problem in that the lifetime is very short due to limitations in thermal emissivity and thermo-mechanical stability.
  • silicon is etched by active hydrogen species such as radicals or charged hydrogen generated in an extreme UV exposure environment, a capping layer is absolutely necessary. There was also the problem that this was low.
  • the graphene layer is formed by injecting a mixed gas containing hydrocarbon into the substrate on which the transition metal catalyst layer is formed and heat treatment to adsorb carbon and then cooling the graphene layer. After separating the graphene layer from the substrate, silicon nitride It was transferred to a layered silicon substrate.
  • graphene had a problem in that it had to be made to a thickness of 20 nm or less because the extreme ultraviolet transmittance was lower than that of silicon.
  • Graphene material is expected to be produced as a thin film of 20 nm or less due to its excellent mechanical strength. It is known that the entire multilayer graphene does not show the expected mechanical properties of graphene.
  • the interlayer bonding force is not so strong that it is relatively weak in a multilayer structure.
  • graphene or graphite material has a problem of carbon itself that is etched when exposed to active hydrogen species, so a capping layer is necessarily required, and in this case, a problem of making the graphene thickness thinner occurs.
  • Korean Patent Application Laid-Open Nos. 2019-0013460 and 2018-0072786 disclose a method using a hexagonal boron nitride (h-BN) layer having a two-dimensional crystal structure as a core layer.
  • h-BN hexagonal boron nitride
  • the boron nitride layer having a two-dimensional crystal structure is a continuous solid film, the transmittance of extreme ultraviolet rays is low, so there is a limit in increasing the thickness. In order to achieve an extreme ultraviolet transmittance of 90% or more, the thickness should be adjusted to 20 to 30 nm or less. On the other hand, if the thickness of the boron nitride layer having a two-dimensional crystal structure is reduced to 40 ⁇ 50 nm or less, thermo-mechanical properties are also deteriorated, and there is a problem in that there is no choice but to be limited in production and use.
  • An object of the present invention is to provide a pellicle film for extreme ultraviolet lithography having a boron nitride nanostructured core layer and a method for manufacturing the same to improve the above-described problems.
  • the present invention provides a pellicle film for extreme ultraviolet lithography including a boron nitride nano structure (BN nano structure) layer.
  • a pellicle film for extreme ultraviolet lithography including a boron nitride nano structure (BN nano structure) layer.
  • the boron nitride nanostructure layer provides a pellicle film for extreme ultraviolet lithography having a porous structure.
  • the boron nitride nanostructure layer includes at least one boron nitride nanostructure selected from BN nanotube, BN nonorod, BN nanowalls, and BN nanosheet.
  • a pellicle film for extreme ultraviolet lithography which has an entangled structure.
  • the boron nitride nanostructure layer includes at least one nanostructure selected from BN nanotube, BN nonorod, BN nanowalls, and BN nanosheet with a solvent.
  • a pellicle film for extreme ultraviolet lithography prepared by mixing to prepare a coating solution, and drying the coating solution by applying the coating solution on a plane.
  • the boron nitride nanostructures further include a coating layer, the coating layer being graphene (Graphene), boron nitride (BN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), yttrium (Y) , yttrium oxide (YOx), yttrium nitride (YNx), boron (B), boron carbide (BC), boron nitride (BN), zirconium (Zr), zirconium carbide (ZrC), zirconium nitride (ZrN), metal silicide ( Metal Silicides), Molybdenum (Mo), Molybdenum Sulfide (MoS2), Ruthenium (Ru), Ruthenium Oxide (RuOx), Titanium (Ti), Titanium Oxide (TiOx), Titanium Nitride (TiNx), Titanium Boride (TiBx), Lantha Num
  • the boron nitride nanostructure layer provides a pellicle film for extreme ultraviolet lithography manufactured by forming a porous sacrificial layer on a substrate, depositing the boron nitride nanostructure, and then removing the porous sacrificial layer.
  • pellicle film for extreme ultraviolet lithography coupled to the opposite surface of the surface to which the boron nitride nanostructure layer of the support layer is bonded, and further comprising a hollow frame-shaped border.
  • the present invention provides a method of manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising the steps of forming a support layer on a substrate, and forming a boron nitride nanostructure layer on the support layer.
  • the step of forming the boron nitride nanostructure layer on the support layer is at least one of BN nanotube, BN nanorod, BN nanowalls, and BN nanosheet. It provides a method for producing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising the steps of preparing a coating solution by mixing with a liquid, and drying the coating solution after applying it on the support layer to obtain a boron nitride nanostructure layer.
  • the step of forming the boron nitride nanostructure layer on the support layer provides a method of manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography, which is a step of transferring the boron nitride nanostructure layer on the support layer.
  • forming a porous sacrificial layer on the support layer depositing a boron nitride nanostructure on the porous sacrificial layer, and removing the porous sacrificial layer It provides a method of manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography do.
  • a method of manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography further comprising the step of forming a window by removing the central portion of the substrate.
  • the present invention is a step of preparing a coating solution by mixing at least one of BN nanotube, BN nonorod, BN nanowalls, and BN nanosheet with a liquid And, it provides a method of manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising the step of applying the coating solution on a plane and then drying to obtain a boron nitride nano-structure layer.
  • the present invention provides a method for manufacturing a pellicle film for extreme ultraviolet lithography, comprising the steps of: forming a porous sacrificial layer on a plane; depositing a boron nitride nanostructure on the porous sacrificial layer; and removing the porous sacrificial layer.
  • the pellicle film for extreme ultraviolet lithography uses a boron nitride nanostructure layer as a core layer, it has high thermal stability and very high strength.
  • a separate capping layer for protecting the boron nitride nanostructure layer is not forced because it is very resistant to active hydrogen.
  • porous boron nitride nanostructure layer can be made thick due to high transmittance. Therefore, it is advantageous in several aspects, such as thermo-mechanical properties, production yield, and deflection by vacuum.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a state in which the pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. 1 is attached to a pellicle frame.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 1 .
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 4 .
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 6 .
  • FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. It is a cross section.
  • the pellicle frame 2 is in the shape of a hollow square cylinder supporting the pellicle film 1 for extreme ultraviolet lithography. Although not shown, on the long side of the pellicle frame 2, a wing portion to which a fixture coupled to a stud attached to the reticle is coupled may be formed. In addition, the pellicle frame may be provided with a vent for reducing the pressure difference between the inside and the outside of the pellicle.
  • the pellicle film 1 for extreme ultraviolet lithography is made of only a boron nitride nanostructure layer (film).
  • the boron nitride nanostructure layer may be formed of boron nitride nanostructures such as BN nanotube, BN nanorod, BN nanowalls, BN nanosheet, or the like. At least one of the boron nitride nanostructures on which the coating layer is formed is a tangled thin film layer.
  • the boron nitride nanostructure layer has a porous structure.
  • the porous boron nitride nanostructure layer has improved transmittance compared to a general solid boron nitride layer.
  • the transmittance is improved, the mechanical strength may be improved by making it thicker than the solid boron nitride layer.
  • the surface area is increased to improve the thermomechanical properties.
  • BN nanotubes are hexagonal nanotubes made of nitrogen and boron.
  • BN nanotubes are, for example, an arc discharge method for synthesizing BN nanotubes by forming high-voltage plasma, and laser melting/heating for synthesizing nanotubes by forming high-temperature boron or boron compound plasma using a laser beam. It can be manufactured by methods such as ablation/heating, chemical vapor deposition (CVD), and ball milling-heat treatment in which ball-milled boron or a boron compound is prepared as a precursor and then heat-treated.
  • CVD chemical vapor deposition
  • BN nanorods may be manufactured by, for example, an arc discharge method, laser melting, cold welding of boron particles mixed in a high-energy ball mill, and a mechanical alloying method in which crushing and re-welding are repeated.
  • BN nano-wall for example, borazine (B 3 N 3 H 6 ) It can be prepared by using a mixture of ammonia gas and plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method as a raw material. .
  • PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • the BN nanosheet is a two-dimensional crystal form of hexagonal boron nitride, and can be manufactured by chemical vapor deposition, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), mechanical exfoliation, or the like.
  • the boron nitride nanostructure layer may be formed by a coating method such as spray coating or spin coating using a coating solution prepared by mixing the above-described BN nanostructures with a solvent.
  • boron nitride nanostructures such as BN nanotube, BN nanorod, BN nanowall, BN nanosheet, etc. were obtained, and a coating solution was obtained by mixing it with a liquid. After that, it is thinly coated on a substrate such as a silicon wafer, quartz glass, or general glass having a smooth surface by spray coating or spin coating, and then dried to obtain a boron nitride nanostructure layer.
  • the coating layer is graphene, boron nitride (BN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), yttrium (Y), yttrium oxide.
  • YOx yttrium nitride
  • boron B
  • boron carbide BC
  • boron nitride BN
  • zirconium Zr
  • zirconium carbide ZrC
  • zirconium nitride ZrN
  • metal silicides metal silicides , molybdenum (Mo), molybdenum sulfide (MoS2), ruthenium (Ru), ruthenium oxide (RuOx), titanium (Ti), titanium oxide (TiOx), titanium nitride (TiNx), titanium boride (TiBx), lanthanum (La) ), lanthanum boride (LaBx), niobium (Nb), niobium carbide (NbC), hafnium (Hf), beryllium (Be), lanthanum (La), lanthanum sulfide (LaSx), carbon nanotubes (CNT), It may include at
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 1 .
  • the manufacturing method includes forming a boron nitride nanostructure layer on a substrate (S1) and separating the boron nitride nanostructure layer from the substrate (S2).
  • the boron nitride nanostructure layer is formed on the substrate by the above-described spray coating method, spin coating method, or the like.
  • the boron nitride nanostructure layer may be directly formed on the substrate, an intermediate layer for separating the boron nitride nanostructure layer may be formed on the substrate, and the boron nitride nanostructure layer may be formed thereon.
  • a porous boron nitride nanostructure layer is formed through the steps of forming a porous sacrificial layer on a plane, depositing a boron nitride nanostructure on the porous sacrificial layer, and removing the porous sacrificial layer. can also be formed.
  • the deposition may be performed by a method such as chemical vapor deposition (CVD).
  • the boron nitride nanostructure layer is separated from the substrate (S2).
  • the boron nitride nanostructure layer may be separated from the substrate by etching and removing the substrate, or the boron nitride nanostructure layer may be separated by removing the intermediate layer formed between the substrate and the boron nitride nanostructure layer.
  • the cellophane tape or the frame-shaped jig is lifted from one end using a hand or a tool.
  • the structural layer may be peeled off the substrate.
  • the boron nitride nanostructure layer thus obtained is pulled and taut, and then attached to the pellicle frame 2 coated with an adhesive such as acrylic resin, epoxy resin or fluororesin on one surface, and boron nitride exposed to the outside of the pellicle frame 2
  • the pellicle can be completed by cutting and removing the nanostructured layer.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to another embodiment of the present invention.
  • the pellicle film 20 for extreme ultraviolet lithography includes a boron nitride nanostructure layer 11 and a support layer 13 bonded to one surface of the boron nitride nanostructure layer 11 . do.
  • the support layer 13 may be formed of one layer or a plurality of layers.
  • the support layer 13 includes graphene, boron nitride (BN), silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), yttrium (Y), yttrium oxide (YOx), boron (B), Boron Carbide (BC), Zirconium (Zr), Zirconium Carbide (ZrC), Zirconium Nitride (ZrN), Metal Silicides, Molybdenum (Mo), Ruthenium (Ru), Ruthenium Oxide (RuOx), Titanium (Ti) , titanium oxide (TiOx), titanium nitride (TiNx), titanium boride (TiBx), lanthanum (La), lanthanum boride (LaBx), niobium (Nb), niobium carbide (NbC), hafnium (Hf), beryllium ( Be), lanthanum (La), carbon nanotubes (CNT), zirconium nit
  • the boron nitride (BN) layer is a general boron nitride layer such as a hexagonal boron nitride (h-BN) layer having a two-dimensional crystal structure, which is different from the boron nitride nanostructure layer in which the boron nitride nanostructures are intertwined.
  • the boron nitride layer may be formed by a conventional method such as chemical vapor deposition.
  • each layer includes at least one of the above materials.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 4 .
  • the present manufacturing method includes the steps of forming a support layer on a substrate (S11), forming a boron nitride nanostructure layer on the support layer (S12), and removing the support layer and the boron nitride nanostructure layer from the substrate. and separating (S13).
  • step (S11) of forming the support layer on the substrate will be described.
  • a silicon substrate or a substrate in which other layers such as a silicon oxide layer or a silicon nitride layer are formed on the silicon substrate may be used.
  • the support layer 13 may be formed by depositing through a CVD or PVD process, for example, a low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer doposition (ALD) process, a sputtering process, or the like.
  • LPCVD low-pressure chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer doposition
  • sputtering process or the like.
  • the support layer 13 may be formed directly on the substrate, or an intermediate layer for easily separating the support layer 13 may be formed on the substrate, and the support layer 13 may be formed thereon.
  • a boron nitride nanostructure layer 11 is formed on the support layer 13 (S12).
  • the boron nitride nanostructure layer 11 may be directly formed on the support layer 13 by the above-described spray coating method, spin coating method, or the like.
  • the boron nitride nanostructure layer 11 that is completed separately may be transferred on the support layer 13 .
  • the boron nitride nanostructure layer 11 formed on another substrate may be separated from the substrate by a method such as a spray coating method or a spin coating method, and then transferred onto the support layer 13 .
  • a porous boron nitride nanostructure layer may be formed on the support layer 13 by forming a porous sacrificial layer on the support layer 13, depositing a boron nitride nanostructure thereon, and then removing the porous sacrificial layer.
  • the support layer 13 and the boron nitride nanostructure layer 11 are separated from the substrate (S13).
  • the support layer 13 and the boron nitride nanostructure layer 11 may be separated from the substrate by etching and removing the substrate, and the support layer 13 and nitride are removed by removing the intermediate layer formed between the substrate and the support layer 13 .
  • the boron nanostructure layer 11 may be separated.
  • the pellicle can be completed by attaching the pellicle film 20 made of the support layer 13 and the boron nitride nanostructure layer 11 obtained in this way to the pellicle frame 2 .
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to another embodiment of the present invention.
  • the pellicle film 30 for extreme ultraviolet lithography has a support layer 23 and a support layer bonded to one surface of the boron nitride nanostructure layer 21 and the boron nitride nanostructure layer 21 . It includes a border (25, border) coupled to one side of (23).
  • the border 25 is in the form of a hollow rectangular frame.
  • the embodiment shown in FIG. 6 is different from the embodiment shown in FIG. 4 in that a portion of the substrate remains and serves as a border 25 supporting the support layer 23 and the boron nitride nanostructure layer 21 .
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the pellicle film shown in FIG. 6 .
  • the present manufacturing method comprises the steps of forming a support layer on the substrate (S21), forming a boron nitride nanostructure layer on the support layer (S22), and removing the center of the substrate to form a window. Step S23 is included.
  • step (S21) of forming the support layer 23 on the substrate (S21) and the step (S22) of forming the boron nitride nanostructure layer 21 on the support layer 23 are not different from the embodiment shown in FIG. omit
  • the step of forming the window by removing the central portion of the substrate S23
  • only the central portion of the substrate is etched and removed to form a window through which extreme ultraviolet rays can pass.
  • the periphery of the substrate remaining after etching becomes the supporting layer 23 and the border 25 supporting the boron nitride nanostructure layer 21 .
  • the support layer 23 and the boron nitride nanostructure layer 21 are sequentially formed on the upper surface of the silicon substrate on which the silicon nitride layer is formed on the lower surface, and the center of the silicon nitride layer is removed by a dry etching method, and then the silicon nitride layer is masked.
  • the pellicle film 30 on which the border 25 is formed can be manufactured by a method of wet etching the central portion of the silicon substrate.
  • the pellicle can be completed by attaching the border 25 of the pellicle film 30 obtained in this way to one surface of the pellicle frame 2 .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막은 질화 붕소 나노 구조 층을 코어 층으로 사용하므로, 열적 안정성이 높으며, 강도도 매우 높다. 또한, 활성 수소에 매우 강하여 질화 붕소 나노 구조 층을 보호하기 위한 별도의 캐핑 층이 강제되지 않는다는 장점도 있다.

Description

질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.
예를 들어, 한국공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.
그리고 한국공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다.
한국공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 한국등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 한국등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.
그런데 실리콘 코어 층은 열 방사율(radiation emissivity) 및 열 기계 안정성(thermo-mechanical stability)의 한계로 수명이 매우 짧다는 문제가 있었다. 그리고 실리콘은 극자외선 노광 환경에서 발생하는 수소 라디칼(radical)이나 하전 수소(charged hydrogen)와 같은 활성 수소 종(active hydrogen species)에 식각되기 때문에 반드시 캐핑 층이 필요한데 이러한 캐핑 층은 극자외선에 대한 투과율이 낮다는 문제점도 있었다.
또한, 코어 층으로 열전도도가 높고, 극자외선의 흡수율이 낮은 그래핀 층을 사용하는 방법도 연구되고 있다. 종래의 방법에서는 그래핀 층을 전이금속 촉매 층이 형성된 기판에 탄화수소를 포함한 혼합가스를 주입하여 열처리함으로써 탄소를 흡착시킨 후 냉각하는 방법으로 형성하였으며, 이 그래핀 층을 기판에서 분리한 후, 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판에 전사하였다.
그런데 이러한 방법으로 전사된 그래핀 층은 질화규소 층으로부터 쉽게 박리된다는 문제점이 있었다. 또한, 극자외선의 반사 등과 같이, 그래핀 층에 잔존하는 금속 촉매에 의한 악영향이 있을 수 있다는 문제점도 있었다.
또한, 그래핀은 실리콘에 비해 극자외선 투과율이 낮아서 두께를 20㎚ 이하로 만들어야 한다는 문제가 있었다. 그래핀 소재는 우수한 기계적 강도로 20㎚ 이하의 박막으로 제작할 수도 있을 것으로 기대되나, 다층 그래핀을 성장시키는 과정에서 성장되는 초반 몇 개 층을 제외하면 그 이후 형성되는 층은 그래핀 보다 흑연에 가까운 특성을 보이고, 전체 다층 그래핀은 예상했던 그래핀의 기계적 특성을 보이지 못하는 것으로 알려졌다. 또한, 층간 결합력이 그다지 강하지 않아 다층 구조에서 상대적으로 약하다는 단점도 있다.
또한, 그래핀 또는 흑연 소재는 활성 수소 종에 노출 시 식각된다는 탄소 자체의 문제가 있어서 반드시 캐핑 층이 필요하며, 이 경우 그래핀 두께를 더 얇게 만들어야 하는 문제가 발생한다.
또한, 한국공개특허 제2019-0013460호와 제2018-0072786호에는 코어 층으로 2차원 형상의 결정 구조를 갖는 육방정 질화 붕소(h-BN) 층을 사용하는 방법이 개시되어 있다.
그러나 2차원 형상의 결정 구조의 질화 붕소 층은 연속적인 솔리드 필름(continuous solid film)이므로, 극자외선의 투과율이　낮아서 두께를 두껍게 하는 데 한계가 있다. 극자외선 투과율을 90% 이상으로 하기 위해서는 20 ~ 30㎚ 이하로 두께를 조절해야 한다. 그런데 반대로 2차원 형상의 결정 구조의 질화 붕소 층의 두께가 40 ~ 50㎚ 이하로 얇아지면, 열-기계 특성도 나빠지고, 생산 및 사용에서도 제한을 받을 수밖에 없다는 문제가 있었다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
한국공개특허 제2019-0013460호
한국공개특허 제2018-0072786호
한국공개특허 제2009-0088396호
한국공개특허 제2009-0122114호
한국등록특허 제1552940호
한국등록특허 제1303795호
한국등록특허 제1940791호
한국공개특허 제2016-0086024호
한국공개특허 제2019-0005911호
한국공개특허 제2019-0107603호
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 질화 붕소 나노 구조 코어 층을 구비하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조 층은 다공성 구조인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조 층은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 질화 붕소 나노 구조물들이 얼기설기 얽혀 있는 구조인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조 층은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 나노 구조물들을 용매와 혼합하여 코팅액을 제조하고, 이 코팅액을 평면에 도포한 건조하는 방법으로 제조된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조물들은 코팅층을 더 포함하며, 상기 코팅층은 그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 질화 이트륨 (YNx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 질화 붕소 (BN), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 황화 몰리브덴 (MoS2), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La),　황화 란타넘 (LaSx), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조 층은 기판 위에 다공성 희생층을 형성한 후, 질화 붕소 나노 구조물을 증착한 후 상기 다공성 희생층을 제거하는 방법으로 제조된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 질화 붕소 나노 구조 층의 일면에 결합하며, 그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함하는 지지층을 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 상기 지지층의 상기 질화 붕소 나노 구조 층이 결합된 면의 반대 면에 결합하며, 중공의 틀 형태의 보더를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 위에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계는, BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 적어도 하나를 액체와 혼합하여, 코팅액을 제조하는 단계와, 상기 코팅액을 상기 지지층 위에 도포한 후에 건조하여 질화 붕소 나노 구조 층을 얻는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계는, 상기 질화 붕소 나노 구조 층을 상기 지지층 위에 전사하는 단계인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 지지층 위에 다공성 희생층을 형성하는 단계와, 상기 다공성 희생층 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착하는 단계와, 상기 다공성 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 기판의 중심부를 제거하여, 윈도우를 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 적어도 하나를 액체와 혼합하여, 코팅액을 제조하는 단계와, 상기 코팅액을 평면 위에 도포한 후에 건조하여 질화 붕소 나노 구조 층을 얻는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 평면 위에 다공성 희생층을 형성하는 단계와, 상기 다공성 희생층 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착하는 단계와, 상기 다공성 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막은 질화 붕소 나노 구조 층을 코어 층으로 사용하므로, 열적 안정성이 높으며, 강도도 매우 높다. 또한, 활성 수소에 매우 강하여 질화 붕소 나노 구조 층을 보호하기 위한 별도의 캐핑 층이 강제되지 않는다는 장점도 있다.
또한, 다공성 질화 붕소 나노 구조 층은 투과율이 높아서 두껍게 만들 수 있다. 따라서 열-기계 특성, 생산 수율, 진공에 의한 편향(deflection) 등　여러 가지 측면에서 유리하다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.
다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
펠리클 프레임(2)은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(1)을 지지하는 중공의 사각 통 형상이다. 도시하지 않았으나, 펠리클 프레임(2)의 장변에는 레티클에 부착된 스터드와 결합하는 픽스처가 결합하는 날개부가 형성될 수도 있다. 또한, 펠리클 프레임에는 펠리클 내부와 외부의 압력 차이를 줄이기 위한 통기구가 형성될 수도 있다.
본 실시예에서 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(1)는 질화 붕소 나노 구조 층(막)으로만 이루어진다.
질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nanorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 등의 질화 붕소 나노 구조들 또는 코팅층이 형성된 질화 붕소 나노 구조들 중에서 적어도 하나가 얼기설기 얽혀 있는 박막 층이다.
질화 붕소 나노 구조 층은 다공성(porous) 구조인 것이 바람직하다. 다공성 구조의 질화 붕소 나노 구조 층은 일반적인 솔리드(solid) 질화 붕소 층에 비해서 투과율이 향상된다. 또한, 투과율이 향상되므로, 솔리드(solid) 질화 붕소 층에 비해서 두껍게 만들어 기계적 강도를 향상시킬 수도 있다. 또한, 표면적이 넓어져서 열기계 특성(thermomechanical property)도 향상된다.
BN 나노 튜브는 질소와 붕소로 이루어진 육방정계 나노 튜브이다.
BN 나노 튜브는, 예를 들어, 고전압의 플라스마를 형성하여 BN 나노 튜브를 합성하는 아크 방전법, 레이저빔을 이용하여 고온의 붕소 또는 붕소화합물의 플라스마를 형성하여 나노 튜브를 합성하는 레이저 융발/가열법(Ablation/heating), 화학 기상 증착(CVD, chemical vapor deposition) 법, 볼 밀링한 붕소 또는 붕소화합물을 전구체로 제조한 후 이를 열처리하는 볼 밀링-열처리법 등의 방법으로 제조할 수 있다.
BN 나노 로드는, 예를 들어, 아크 방전법, 레이저 융발, 고 에너지 볼 밀에서 혼합된 붕소 입자의 냉간 용접, 파쇄 및 재 용접을 반복하는 기계적 합금법 등의 방법으로 제조할 수 있다.
BN 나노 월은, 예를 들어, 보라진(borazine, B3N3H6)과 암모니아 가스의 혼합물을 원료로 플라스마 보조 화학 기상 증착(PECVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 제조할 수 있다.
BN 나노 시트는 육방정 질화 붕소의 2차원 결정 형태로, 화학 기상 증착법, 저압 화학 기상 증착(LPCVD, low pressure chemical vapor deposition)법, 기계적 박리 방법 등으로 제조할 수 있다.
질화 붕소 나노 구조 층은 상술한 BN 나노 구조들을 용매와 혼합하여 제조한 코팅액을 이용한 스프레이 코팅, 스핀 코팅(spin coating) 등의 코팅 방법으로 형성할 수 있다.
즉, BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowall), BN 나노 시트(BN nanosheet) 등의 질화 붕소 나노 구조를 얻고, 이를 액체와 혼합하여 코팅액을 얻은 후, 이를 매끈한 표면을 가진 실리콘 웨이퍼, 석영 유리, 일반 유리 등의 기판에 스프레이 코팅이나 스핀 코팅 방법으로 얇게 도포한 후에 건조하여 질화 붕소 나노 구조 층을 얻을 수 있다.
코팅층이 형성된 질화 붕소 나노 구조를 사용하는 경우에 코팅층은 그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 질화 이트륨 (YNx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 질화 붕소 (BN), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 황화 몰리브덴 (MoS2), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La),　황화 란타넘 (LaSx), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 제조방법은 기판 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계(S1)와, 질화 붕소 나노 구조 층을 기판으로부터 분리하는 단계(S2)를 포함한다.
기판 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계(S1)에서는 상술한 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법 등의 방법으로 기판 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성한다. 기판 위에 직접 질화 붕소 나노 구조 층을 형성할 수도 있으며, 질화 붕소 나노 구조 층을 분리하기 위한 중간층을 기판 위에 형성하고, 그 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성할 수도 있다.
또한, 본 단계(S1)에서는 평면 위에 다공성 희생층을 형성하는 단계와, 다공성 희생층 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착하는 단계와, 다공성 희생층을 제거하는 단계를 거쳐서 다공성의 질화 붕소 나노 구조 층을 형성할 수도 있다. 증착하는 단계는 화학 기상 층착법(CVD) 등의 방법으로 진행할 수 있다.
다음, 질화 붕소 나노 구조 층을 기판으로부터 분리한다(S2).
기판을 에칭하여 제거하는 방법으로 질화 붕소 나노 구조 층을 기판으로부터 분리할 수도 있으며, 기판과 질화 붕소 나노 구조 층 사이에 형성된 중간층을 제거하는 방법으로 질화 붕소 나노 구조 층을 분리할 수도 있다.
또한, 질화 붕소 나노 구조 층에 셀로판테이프 또는 접착제가 도포된 틀 모양 치구(治具)를 부착한 후, 셀로판테이프나 틀 모양 치구를 손이나 도구를 이용하여 한 끝으로부터 들어올리는 방법으로 질화 붕소 나노 구조 층을 기판으로부터 떼어낼 수 있다.
이렇게 얻어진 질화 붕소 나노 구조 층을 잡아당겨서 팽팽하게 한 후 일면에 아크릴수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제가 도포된 펠리클 프레임(2)에 부착하고, 펠리클 프레임(2) 외측으로 노출된 질화 붕소 나노 구조 층을 절단하여 제거함으로써 펠리클을 완성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(20)은 질화 붕소 나노 구조 층(11)과 질화 붕소 나노 구조 층(11)의 일면에 결합한 지지층(13)을 포함한다.
지지층(13)은 하나의 층으로 이루어질 수도 있으며, 복수의 층으로 이루어질 수도 있다.
지지층(13)은 그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함한다.
여기서 질화 붕소(BN) 층은 2차원 형상의 결정 구조를 갖는 육방정 질화 붕소(h-BN) 층과 같은 일반적인 질화 붕소 층으로서, 질화 붕소 나노 구조들이 얼기설기 얽혀 있는 질화 붕소 나노 구조 층과는 차이가 있다. 이러한 질화 붕소 층은 화학 기상 증착법 등의 종래의 방법으로 형성할 수 있다.
지지층(13)이 복수의 층으로 이루어질 경우에는 각각의 층이 상기 물질 중 적어도 하나를 포함한다.
도 5는 도 4에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 제조방법은 기판 위에 지지층을 형성하는 단계(S11)와, 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계(S12)와, 지지층과 질화 붕소 나노 구조 층을 기판으로부터 분리하는 단계(S13)를 포함한다.
먼저, 기판 위에 지지층을 형성하는 단계(S11)에 대해서 설명한다.
기판으로는 실리콘 기판 또는 실리콘 기판에 산화 규소 층이나 질화 규소 층과 같은 다른 층들이 형성된 기판을 사용할 수 있다.
지지층(13)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.
기판 위에 직접 지지층(13)을 형성할 수도 있으며, 지지층(13)을 쉽게 분리하기 위한 중간층을 기판 위에 형성하고, 그 위에 지지층(13)을 형성할 수도 있다.
다음, 지지층(13) 위에 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 형성한다(S12).
질화 붕소 나노 구조 층(11)은 상술한 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법 등의 방법으로 지지층(13) 위에 직접 형성할 수 있다.
또한, 따로 완성된 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 지지층(13) 위에 전사(transfer)할 수도 있다.
즉, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법 등의 방법으로 다른 기판에 형성된 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 기판으로부터 분리한 후 지지층(13) 위에 전사할 수도 있다.
또한, 지지층(13) 위에 다공성 희생층을 형성하고, 그 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착한 후, 다공성 희생층을 제거하는 방법으로 지지층(13) 위에 다공성의 질화 붕소 나노 구조 층을 형성할 수도 있다.
다음, 지지층(13)과 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 기판으로부터 분리한다(S13).
기판을 에칭하여 제거하는 방법으로 지지층(13)과 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 기판으로부터 분리할 수도 있으며, 기판과 지지층(13) 사이에 형성된 중간층을 제거하는 방법으로 지지층(13)과 질화 붕소 나노 구조 층(11)을 분리할 수도 있다.
이렇게 얻어진 지지층(13)과 질화 붕소 나노 구조 층(11)으로 이루어진 펠리클 막(20)을 펠리클 프레임(2)에 부착으로써 펠리클을 완성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(30)은 질화 붕소 나노 구조 층(21)과 질화 붕소 나노 구조 층(21)의 일면에 결합한 지지층(23)과 지지층(23)의 일면에 결합한 보더(25, border)를 포함한다. 보더(25)는 중공의 사각 틀 형태이다.
도 6에 도시된 실시예는 기판의 일부가 남아서 지지층(23)과 질화 붕소 나노 구조 층(21)을 지지하는 보더(25) 역할을 한다는 점에서 도 4에 도시된 실시예와 차이가 있다.
도 7은 도 6에 도시된 펠리클 막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 제조방법은 기판 위에 지지층을 형성하는 단계(S21)와, 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계(S22)와, 기판의 중심부를 제거하여 윈도우를 형성하는 단계(S23)를 포함한다.
기판 위에 지지층(23)을 형성하는 단계(S21)와, 지지층(23) 위에 질화 붕소 나노 구조 층(21)을 형성하는 단계(S22)는 도 5에 도시된 실시예와 차이가 없으므로, 설명을 생략한다.
기판의 중심부를 제거하여 윈도우를 형성하는 단계(S23)에서는 기판의 중심부만을 에칭하여 제거하여 극자외선이 투과할 수 있는 윈도우를 형성한다. 에칭 후 남아 있는 기판의 둘레는 지지층(23)과 질화 붕소 나노 구조 층(21)을 지지하는 보더(25)가 된다.
예를 들어, 하면에 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판의 상면에 지지층(23)과 질화 붕소 나노 구조 층(21)을 순차적으로 형성하고, 질화규소 층의 중심부를 건식 에칭 방법으로 제거한 후, 질화규소 층을 마스크로 사용하여 실리콘 기판의 중심부를 습식 에칭하는 방법으로 보더(25)가 형성된 펠리클 막(30)을 제조할 수 있다.
이렇게 얻어진 펠리클 막(30)의 보더(25)를 펠리클 프레임(2)의 일면에 부착으로써 펠리클을 완성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
[부호의 설명]
1, 20, 30: 펠리클 막
2: 펠리클 프레임
11, 21: 질화 붕소 나노 구조 층
13, 23: 지지층
25: 보더

Claims (15)

  1. 질화 붕소 나노 구조(BN nano structure) 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층은 다공성 구조인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 질화 붕소 나노 구조물들이 얼기설기 얽혀 있는 구조인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층은 BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 나노 구조물들을 용매와 혼합하여 코팅액을 제조하고, 이 코팅액을 평면에 도포한 건조하는 방법으로 제조된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조물들은 코팅층을 더 포함하며,
    상기 코팅층은 그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 질화 이트륨 (YNx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 질화 붕소 (BN), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 황화 몰리브덴 (MoS2), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La),　황화 란타넘 (LaSx), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층은 기판 위에 다공성 희생층을 형성한 후, 질화 붕소 나노 구조물을 증착한 후 상기 다공성 희생층을 제거하는 방법으로 제조된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층의 일면에 결합하며,
    그래핀(Graphene), 질화 붕소(BN), 규소(Si), 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 이트륨(Y), 산화 이트륨(YOx), 붕소(B), 탄화 붕소(BC), 지르코늄(Zr), 탄화 지르코늄(ZrC), 질화 지르코늄(ZrN), 금속 실리사이드(Metal Silicides), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 산화 루테늄(RuOx), 타이타늄(Ti), 산화 타이타늄(TiOx), 질화 타이타늄(TiNx), 붕화 타이타늄(TiBx), 란타넘(La), 붕화 란타넘(LaBx), 니오븀(Nb), 탄화 니오븀(NbC), 하프늄(Hf), 베릴륨(Be), 란타넘(La), 탄소나노튜브(CNT), 질화 지르코늄(ZrN), 붕화 지르코늄(ZrBx) 중 적어도 하나를 포함하는 지지층을 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지층의 상기 질화 붕소 나노 구조 층이 결합된 면의 반대 면에 결합하며, 중공의 틀 형태의 보더를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막.
  9. 기판 위에 지지층을 형성하는 단계와,
    상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계는,
    BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 적어도 하나를 액체와 혼합하여, 코팅액을 제조하는 단계와,
    상기 코팅액을 상기 지지층 위에 도포한 후에 건조하여 질화 붕소 나노 구조 층을 얻는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 지지층 위에 질화 붕소 나노 구조 층을 형성하는 단계는,
    상기 질화 붕소 나노 구조 층을 상기 지지층 위에 전사하는 단계인 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 지지층 위에 다공성 희생층을 형성하는 단계와,
    상기 다공성 희생층 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착하는 단계와,
    상기 다공성 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 기판의 중심부를 제거하여, 윈도우를 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  14. BN 나노 튜브(BN nanotube), BN 나노 로드(BN nonorod), BN 나노 월(BN nanowalls), BN 나노 시트(BN nanosheet) 중에서 적어도 하나를 액체와 혼합하여, 코팅액을 제조하는 단계와,
    상기 코팅액을 평면 위에 도포한 후에 건조하여 질화 붕소 나노 구조 층을 얻는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
  15. 평면 위에 다공성 희생층을 형성하는 단계와,
    상기 다공성 희생층 위에 질화 붕소 나노 구조물을 증착하는 단계와,
    상기 다공성 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막의 제조방법.
PCT/KR2022/002571 2021-02-25 2022-02-22 질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법 WO2022182094A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0025772 2021-02-25
KR1020210025772A KR102482650B1 (ko) 2021-02-25 2021-02-25 질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022182094A1 true WO2022182094A1 (ko) 2022-09-01

Family

ID=83049464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2022/002571 WO2022182094A1 (ko) 2021-02-25 2022-02-22 질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102482650B1 (ko)
WO (1) WO2022182094A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170016159A (ko) * 2015-08-03 2017-02-13 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체
KR20180109498A (ko) * 2017-03-28 2018-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
KR20190012564A (ko) * 2017-07-27 2019-02-11 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클 조성물, 이로부터 형성된 포토마스크용 펠리클, 그 제조방법, 펠리클을 함유한 레티클 및 레티클을 포함하는 리소그래피용 노광장치
KR20190142105A (ko) * 2018-06-15 2019-12-26 삼성전자주식회사 포토 마스크용 펠리클 및 이의 제조 방법
US20200272047A1 (en) * 2019-02-22 2020-08-27 Applied Materials, Inc. Method of forming cnt-bnnt nanocomposite pellicle

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723704B2 (en) 2006-11-10 2010-05-25 Globalfoundries Inc. EUV pellicle with increased EUV light transmittance
JP4934099B2 (ja) 2008-05-22 2012-05-16 信越化学工業株式会社 ペリクルおよびペリクルの製造方法
KR101303795B1 (ko) 2011-12-26 2013-09-04 주식회사 에프에스티 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
KR101552940B1 (ko) 2013-12-17 2015-09-14 삼성전자주식회사 흑연-함유 박막을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막
KR102251999B1 (ko) 2015-01-09 2021-05-17 삼성전자주식회사 펠리클 및 이의 제조 방법
KR20180072786A (ko) 2015-10-22 2018-06-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치를 위한 펠리클 제조 방법, 리소그래피 장치를 위한 펠리클 장치, 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 펠리클 처리 장치, 및 펠리클 처리 방법
KR101792409B1 (ko) 2016-04-21 2017-11-21 한양대학교 산학협력단 Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
KR102189172B1 (ko) 2016-06-28 2020-12-09 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 펠리클막, 펠리클 프레임체, 펠리클 및 그 제조 방법
CN116594258A (zh) * 2016-07-05 2023-08-15 三井化学株式会社 防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法
JP7160825B2 (ja) * 2016-11-29 2022-10-25 ビイエヌエヌティ・エルエルシイ クライオポンプ及び他の大容量構造用の窒化ホウ素ナノチューブ材料の形成方法
KR101940791B1 (ko) 2017-05-19 2019-01-21 주식회사 에프에스티 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법
KR20190013460A (ko) 2017-07-31 2019-02-11 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클과 이를 포함하는 레티클 및 포토마스크용 펠리클의 제조방법
KR20190107603A (ko) 2019-04-22 2019-09-20 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170016159A (ko) * 2015-08-03 2017-02-13 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체
KR20180109498A (ko) * 2017-03-28 2018-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
KR20190012564A (ko) * 2017-07-27 2019-02-11 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클 조성물, 이로부터 형성된 포토마스크용 펠리클, 그 제조방법, 펠리클을 함유한 레티클 및 레티클을 포함하는 리소그래피용 노광장치
KR20190142105A (ko) * 2018-06-15 2019-12-26 삼성전자주식회사 포토 마스크용 펠리클 및 이의 제조 방법
US20200272047A1 (en) * 2019-02-22 2020-08-27 Applied Materials, Inc. Method of forming cnt-bnnt nanocomposite pellicle

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220121551A (ko) 2022-09-01
KR102482650B1 (ko) 2022-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018212604A1 (ko) 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법
WO2022010201A1 (ko) 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
WO2019019263A1 (zh) Oled柔性显示面板及其制作方法
WO2017131358A1 (ko) Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
WO2016171514A1 (ko) 펠리클 및 그 제조 방법
WO2010140792A2 (en) Method for manufacturing 3-dimensional structures using thin film with columnar nano pores and manufacture thereof
WO2022169170A2 (ko) 카르빈 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법
EP4002007B1 (en) Multilayer graphene direct growth method and method for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography using the same
WO2021194032A1 (ko) 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법
WO2022182094A1 (ko) 질화 붕소 나노 구조 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막 및 그 제조방법
WO2018032558A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法
WO2023195677A1 (ko) 펠리클 제조방법 및 이에 의해 제조된 펠리클
WO2017122975A1 (ko) Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법
WO2018226004A1 (ko) 펠리클 제조방법
WO2023085761A1 (ko) 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막
WO2014137180A1 (ko) 그래핀 산화물의 부분환원을 이용한 탄소기반 전자소자 및 이의 제조방법
JP7431288B2 (ja) 極端紫外線リソグラフィマスク用のマスクペリクル及びその製造方法
WO2013091306A1 (zh) 一种薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示装置
WO2022169171A2 (ko) 극자외선 리소그라피용 펠리클 프레임
WO2023249314A1 (ko) 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
WO2018048005A1 (ko) 마스크 보호 모듈, 이를 포함하는 펠리클, 및 이를 포함하는 리소그래피 장치
WO2016043536A1 (ko) 감광성 유리를 이용한 euv 리소그래피용 펠리클 제조방법
KR102546968B1 (ko) 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법
KR102514745B1 (ko) 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법
WO2019017693A1 (ko) 그래핀 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22760012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22760012

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1