WO2022138847A1 - メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法 - Google Patents

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隆 道菅
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東京エレクトロン株式会社
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2205/00—Details of machines or methods for cleaning by the use of gas or air flow

Definitions

  • This disclosure relates to maintenance equipment, vacuum processing systems and maintenance methods.
  • a vacuum processing apparatus in which a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") is arranged in a processing container in a vacuum state to perform various substrate processing.
  • wafer a substrate such as a semiconductor wafer
  • it is required to clean the inside of the processing container without opening it to the atmosphere.
  • Patent Document 1 in addition to the first gate used for loading and unloading the substrate, a second gate to which a maintenance device having a suction unit can be mounted is provided in the processing container, and the suction unit does not need to be inside the processing container.
  • a technique for cleaning the inside of a processing container by adsorbing an object is disclosed.
  • This disclosure provides a technique that enables highly efficient cleaning of the inside of a processing container without opening it to the atmosphere.
  • the maintenance device has a size corresponding to the second gate of the vacuum processing device in which the first gate used for loading and unloading the substrate and the second gate different from the first gate are provided in the processing container.
  • a case in which the opening is formed and the opening can be attached to the second gate airtightly, a decompression mechanism for depressurizing the inside of the case, and a decompression mechanism arranged inside the case, via the opening. It has a suction mechanism that enters the processing container and sucks the deposits of the object in the processing container.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a maintenance device according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing details of the suction mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the arrangement of the suction port, the supply port, the irradiation unit, and the image pickup unit according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing another example of the arrangement of the suction port, the supply port, the irradiation unit, and the image pickup unit according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart showing an example of the processing operation of the vacuum processing system according to the embodiment.
  • FIG. 7A is a diagram for explaining an example of an operation when the edge ring is carried out from the processing container and the mounting table is cleaned.
  • FIG. 7B is a diagram for explaining an example of an operation when the edge ring is carried out from the processing container and the mounting table is cleaned.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a process of cleaning the mounting table.
  • FIG. 9A is a diagram for explaining an example of an operation when the edge ring is carried into the processing container.
  • FIG. 9B is a diagram for explaining an example of an operation when the edge ring is carried into the processing container.
  • FIG. 9C is a diagram for explaining an example of an operation when the edge ring is carried into the processing container.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of a process of correcting the position of the edge ring after carrying in.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of an imaging position in the imaging unit.
  • the maintenance target device that the maintenance device targets for maintenance will be described.
  • the maintenance target device is a vacuum processing device that arranges a substrate such as a wafer in a processing container in a vacuum state and performs predetermined substrate processing.
  • a case where the maintenance target device is a plasma etching device that performs plasma etching on a substrate will be described as an example.
  • the equipment subject to maintenance is not limited to the plasma etching equipment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment.
  • the plasma etching apparatus 10 has a processing container 30 that is airtightly configured and has an electrically ground potential.
  • the processing container 30 has a cylindrical shape and is made of, for example, aluminum or the like having an anodized film formed on its surface.
  • the processing container 30 defines a processing space in which plasma is generated.
  • a mounting table 31 that horizontally supports the wafer W is housed in the processing container 30.
  • the mounting table 31 has a substantially columnar shape with the bottom surface facing in the vertical direction, and the upper surface is the mounting surface 36d.
  • the mounting surface 36d of the mounting table 31 has a size slightly smaller than that of the wafer W.
  • the mounting table 31 includes a base 33 and an electrostatic chuck 36.
  • the base 33 is made of a conductive metal such as aluminum.
  • the base 33 functions as a lower electrode.
  • the base 33 is supported by a support base 34 of an insulator, and the support base 34 is installed at the bottom of the processing container 30.
  • the electrostatic chuck 36 has a convex substrate mounting portion formed in the upper center portion thereof, and the upper surface of the substrate mounting portion is a mounting surface 36d on which the wafer W is mounted.
  • the electrostatic chuck 36 is provided in the center of the mounting table 31 in a plan view.
  • the electrostatic chuck 36 is an example of a mounting portion on which a substrate can be mounted.
  • the electrostatic chuck 36 has an electrode 36a and an insulator 36b.
  • the electrode 36a is provided inside the insulator 36b, and a DC power supply 42 is connected to the electrode 36a.
  • the electrostatic chuck 36 is configured to attract the wafer W by Coulomb force when a DC voltage is applied to the electrode 36a from the DC power supply 42.
  • the electrostatic chuck 36 is provided with a heater 36c inside the insulator 36b. Electric power is supplied to the heater 36c via a power feeding mechanism described later, and the temperature of the wafer W is controlled.
  • an outer peripheral portion formed of an insulator 36b and lower than the mounting surface 36d is provided, and an edge ring 35 is mounted on the upper surface of the outer peripheral portion.
  • the ER mounting surface is 36f.
  • An edge ring 35 made of, for example, single crystal silicon is provided on the ER mounting surface 36f of the mounting table 31.
  • the electrostatic chuck 36 has a pair of electrodes 36g and 36h at positions overlapping with the edge ring 35 in terms of top view. The pair of electrodes 36g and 36h are provided inside the insulator 36b.
  • the electrostatic chuck 36 is configured to attract the edge ring 35 by Coulomb force when a DC voltage is applied to the pair of electrodes 36g and 36h from a DC power source (not shown).
  • a DC power source not shown.
  • a pair of electrodes 36g and 36h are provided in the electrostatic chuck 36
  • a pair of electrodes 36g and 36g are provided in a ring-shaped dielectric body which is separate from the electrostatic chuck 36. 36h may be provided.
  • the pair of electrodes 36g and 36h form a bipolar electrode is shown, but a unipolar electrode may be used instead of the pair of electrodes 36g and 36h.
  • a cylindrical inner wall member 37 made of, for example, quartz is provided so as to surround the mounting table 31 and the support table 34.
  • a power supply rod 50 is connected to the base 33.
  • the first RF power supply 40a is connected to the feeding rod 50 via the first matching unit 41a
  • the second RF power supply 40b is connected to the feeding rod 50 via the second matching unit 41b.
  • the first RF power source 40a is a power source for plasma generation, and is configured such that high frequency power of a predetermined frequency is supplied from the first RF power source 40a to the base 33 of the mounting table 31.
  • the second RF power supply 40b is a power supply for ion attraction (for bias), and from the second RF power supply 40b, high frequency power having a predetermined frequency lower than that of the first RF power supply 40a is the basis of the mounting table 31. It is configured to be supplied to the table 33.
  • a flow path 33d is formed inside the base 33.
  • the heat transfer fluid inlet pipe 33b is connected to one end of the flow path 33d, and the heat transfer fluid outlet pipe 33c is connected to the other end.
  • the plasma etching apparatus 10 has a configuration in which the temperature of the mounting table 31 can be controlled by circulating a heat transfer fluid such as a highly insulating and low-viscosity fluorine-based inert liquid or pure water in the flow path 33d. Has been done.
  • the plasma etching apparatus 10 separately provides a flow path inside the base 33 corresponding to the region where the wafer W and the edge ring 35 are placed, and controls the temperatures of the wafer W and the edge ring 35 individually. It may be a possible configuration.
  • the plasma etching apparatus 10 may be configured to supply heat transfer gas to the back surface side of the wafer W or the edge ring 35 so that the temperature can be individually controlled.
  • a gas supply pipe for supplying a heat transfer gas (backside gas) such as helium gas may be provided on the back surface of the wafer W so as to penetrate the mounting table 31 or the like.
  • the gas supply pipe is connected to the gas supply source.
  • a shower head 46 having a function as an upper electrode is provided so as to face the mounting table 31 in parallel.
  • the shower head 46 and the mounting table 31 function as a pair of electrodes (upper electrode and lower electrode).
  • the shower head 46 is provided on the top wall portion of the processing container 30.
  • the shower head 46 includes a main body portion 46a and an upper top plate 46b forming an electrode plate, and is supported on the upper portion of the processing container 30 via an insulating member 47.
  • the main body 46a is made of a conductive material, for example, aluminum having an anodic oxide film formed on the surface thereof, and is configured to be able to detachably support the upper top plate 46b under the conductive material.
  • a gas diffusion chamber 46c is provided inside the main body 46a, and a large number of gas flow holes 46d are formed at the bottom of the main body 46a so as to be located at the lower part of the gas diffusion chamber 46c. Further, the upper top plate 46b is provided with a gas introduction hole 46e so as to penetrate the upper top plate 46b in the thickness direction so as to overlap with the gas flow hole 46d described above. With such a configuration, the processing gas supplied to the gas diffusion chamber 46c is dispersed and supplied in a shower shape in the processing container 30 through the gas flow hole 46d and the gas introduction hole 46e.
  • the main body 46a is formed with a gas introduction port 46g for introducing the processing gas into the gas diffusion chamber 46c.
  • One end of the gas supply pipe 45a is connected to the gas introduction port 46g.
  • a processing gas supply source 45 for supplying the processing gas is connected to the other end of the gas supply pipe 45a.
  • the gas supply pipe 45a is provided with a mass flow controller (MFC) 45b and an on-off valve V2 in this order from the upstream side.
  • MFC mass flow controller
  • V2 on-off valve
  • a variable DC power supply 48b is electrically connected to the shower head 46 as the upper electrode described above via a low-pass filter (LPF) 48a.
  • the variable DC power supply 48b is configured to be able to turn on / off the power supply by the on / off switch 48c.
  • the current / voltage of the variable DC power supply 48b and the on / off of the on / off switch 48c are controlled by the control unit 90 described later.
  • the control unit 90 turns on the plasma as necessary.
  • the off switch 48c is turned on, and a predetermined DC voltage is applied to the shower head 46 as the upper electrode.
  • a cylindrical ground conductor 30a is provided so as to extend above the height position of the shower head 46 from the side wall of the processing container 30.
  • the cylindrical ground conductor 30a has a top wall on its upper part.
  • An exhaust port 81 is formed at the bottom of the processing container 30, and an exhaust device 83 is connected to the exhaust port 81 via an exhaust pipe 82.
  • the exhaust device 83 has a vacuum pump, and is configured to be able to reduce the pressure inside the processing container 30 to a predetermined degree of vacuum by operating the vacuum pump.
  • a first gate 84 used for loading and unloading the wafer W is provided on the side wall in the processing container 30.
  • the first gate 84 is provided with a gate valve G that opens and closes the first gate 84.
  • the first gate 84 is connected to the vacuum transfer chamber via a gate valve G while maintaining airtightness, and the wafer W can be carried in and out of the vacuum transfer chamber while maintaining a vacuum atmosphere.
  • a depot shield 86 is provided along the inner wall surface inside the side portion of the processing container 30.
  • the depot shield 86 prevents the reaction product (depot) generated by the etching process using plasma from adhering to the processing container 30.
  • the depot shield 86 is configured to be removable.
  • the operation of the plasma etching apparatus 10 having the above configuration is collectively controlled by the control unit 90.
  • the control unit 90 is, for example, a computer and controls each unit of the plasma etching apparatus 10.
  • the operation of the plasma etching apparatus 10 is collectively controlled by the control unit 90.
  • reaction products, fine particles, and the like are cumulatively adhered to the processing container 30 as deposits, so that the inside of the processing container 30 is periodically cleaned.
  • a considerable amount of time (downtime) is required until the etching process for the wafer W is restarted in order to adjust the temperature and control the moisture content in the processing container 30. It takes.
  • the productivity of the plasma etching apparatus 10 decreases. Therefore, from the viewpoint of reducing downtime, it is preferable to clean the inside of the processing container 30 without opening it to the atmosphere.
  • the plasma etching apparatus 10 there are consumable parts that are gradually consumed by repeatedly performing the etching process using plasma.
  • the consumable part is, for example, an edge ring 35 provided on the outer periphery of the wafer W mounted on the mounting surface 36d of the mounting table 31.
  • the edge ring 35 is exposed to plasma and scraped, so that it is replaced regularly.
  • Such replacement of consumable parts is generally performed by opening the processing container 30 to the atmosphere.
  • downtime occurs when the processing container 30 is opened to the atmosphere and consumable parts are replaced. Therefore, from the viewpoint of reducing downtime, it is preferable to replace consumable parts without opening them to the atmosphere.
  • the processing container 30 is provided with a gate for cleaning the inside of the processing container 30 and for replacing consumable parts. ..
  • a second gate 95 is provided on the side opposite to the first gate 84 with respect to the mounting table 31 on which the wafer W is placed.
  • the second gate 95 is airtightly closed by the lid 96.
  • a maintenance device 100 which will be described later, is detachably attached to the second gate 95.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the maintenance device 100 according to the embodiment.
  • FIG. 2 shows a state in which the maintenance device 100 is attached to the plasma etching device 10.
  • the plasma etching apparatus 10 is shown in a simplified manner.
  • the configuration of the maintenance device 100 will be appropriately described along with the flow of cleaning the mounting table 31 as an object in the processing container 30 and replacing the edge ring 35 as a consumable part.
  • the maintenance device 100 has a case 101 in which an opening 101A having a size corresponding to the second gate 95 of the plasma etching device 10 is formed.
  • the size corresponding to the second gate 95 is a size that allows the suction mechanism 110 and the edge ring 35, which will be described later, to be moved or carried in and out between the case 101 and the processing container 30 via the second gate 95.
  • the size corresponding to the second gate 95 may be any size as long as the suction mechanism 110 and the edge ring 35 can be moved or carried in and out between the case 101 and the processing container 30.
  • the case 101 is provided with a sealing member such as an O-ring at a portion in contact with the plasma etching apparatus 10 around the opening 101A.
  • the case 101 is mounted on the transportation vehicle 102.
  • the maintenance device 100 is transported to the position of the plasma etching device 10 by the transport vehicle 102, and is arranged so that the opening 101A of the case 101 corresponds to the second gate 95. Then, the opening 101A of the case is airtightly attached to the second gate 95 by screwing or the like.
  • the case 101 is composed of a first case 101B and a second case 101C communicating with the first case 101B via an openable / closable shutter member 101D.
  • the suction mechanism 110 which will be described later, is housed in the first case 101B.
  • An opening 101A is formed in the second case 101C.
  • the first pipe 103A provided with the first valve 104A is connected to the first case 101B.
  • a second pipe 103B provided with a second valve 104B is connected to the second case 101C.
  • the first pipe 103A and the second pipe 103B are connected to the vacuum pump 103 via the common pipe 103C.
  • the vacuum pump 103 is mounted on a loading platform 102A provided on the transportation vehicle 102.
  • the leak pipe 103D is branched on the way to the common pipe 103C.
  • the leak pipe 103D is provided with a leak valve 104D.
  • the vacuum pump 103, the first pipe 103A, the second pipe 103B, and the common pipe 103C construct a decompression mechanism for depressurizing the inside of the case 101.
  • the maintenance device 100 decompresses the inside of the case 101 to a predetermined degree of vacuum by a depressurizing mechanism, makes the pressure equivalent to that in the processing container 30, and removes the lid 96 to open the case 101 and the processing container 30 with the opening 101A and the processing container 30. It can be communicated through the second gate 95.
  • the maintenance device 100 has a suction mechanism 110 inside the case 101 (first case 101B) for sucking the deposits of the mounting table 31 in the processing container 30.
  • FIG. 3 is a diagram showing details of the suction mechanism 110 according to the embodiment.
  • the suction mechanism 110 includes a robot arm 111, a suction port 112 provided at the tip of the robot arm 111, a supply port 113, an irradiation unit 114, and an image pickup unit 115.
  • the robot arm 111 includes an arm portion 121 in which two arm elements are connected by joints, a support portion 122 that rotatably and vertically supports the arm portion 121, and a head portion 123 provided at the tip of the arm portion 121. It is composed of.
  • the robot arm 111 can be expanded and contracted by extending the two arm elements of the arm portion 121 in a straight line or by overlapping them with each other.
  • the robot arm 111 can move the head portion 123 at the tip of the arm portion 121 in the vertical direction by raising and lowering the arm portion 121 by the support portion 122.
  • the robot arm 111 can extend the two arm elements of the arm portion 121 toward the opening 101A, and bring the head portion 123 closer to the mounting table 31 via the opening 101A.
  • the operation of the robot arm 111 is collectively controlled by a control unit (not shown).
  • the control unit has a user interface that accepts various operation instructions and displays an operating status.
  • the operator gives an operation instruction to the user interface.
  • the operation instruction is, for example, an operation instruction for individually designating the movement of the robot arm 111.
  • the operation instruction may specify a series of movements.
  • the operation instruction may specify a series of movements of the robot arm 111 when sucking the deposits on the mounting table 31 as a suction instruction.
  • the head unit 123 is provided with a suction port 112, a supply port 113, an irradiation unit 114, and an imaging unit 115.
  • the arrangement positions of the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 will be described later.
  • the suction port 112 sucks the deposits on the mounting table 31 by the head portion 123 approaching the mounting table 31. That is, the suction port 112 is connected to the exhaust device 131 on the loading platform 102A via the exhaust pipe 131A provided with the valve 131B and penetrating the robot arm 111, and the mounting table 31 is based on the exhaust operation by the exhaust device 131. Aspirate deposits.
  • the supply port 113 supplies gas to the mounting table 31 when the head portion 123 approaches the mounting table 31.
  • the gas supplied from the supply port 113 is an inert gas, a gas that reacts with the deposits to facilitate suction of the deposits on the mounting table 31, or a gas that reacts with the deposits to gasify the deposits.
  • the inert gas for example, Ar, N2, dry air or the like is used.
  • the gas flow rate is appropriately set so as to blow off the deposits adhering to the mounting table 31.
  • the gas that reacts with the deposits to facilitate the suction of the deposits from the mounting table 31 or the gas that reacts with the deposits to gasify the deposits is nitrogen trifluoride gas (NF3).
  • the suction port 112 sucks the deposit together with the gas supplied from the supply port 113.
  • the supply port 113 is connected to a gas supply source (not shown) via a pipe penetrating the robot arm 111, and supplies gas supplied from the gas supply source to the mounting table 31.
  • the irradiation unit 114 irradiates the mounting table 31 with plasma when the head unit 123 approaches the mounting table 31, and removes deposits from the mounting table 31.
  • the irradiation unit 114 can reduce the adhesive force of the deposit or gasify the deposit by reacting the ions and radicals in the plasma with the deposit.
  • the deposit with reduced adhesive force or the gasified deposit is separated from the mounting table 31 and sucked from the suction port 112.
  • the irradiation unit 114 applies high-frequency power to a gas such as an oxygen-containing gas (O2, CO2, etc.), a gas containing oxygen-containing gas and a rare gas (gas containing O2 and Ar, etc.), and a fluorine-containing gas (CF4, etc.).
  • a gas such as an oxygen-containing gas (O2, CO2, etc.), a gas containing oxygen-containing gas and a rare gas (gas containing O2 and Ar, etc.), and a fluorine-containing gas (CF4, etc.).
  • the applied plasma is applied to the mounting table 31.
  • the irradiation unit 114 may irradiate the mounting table 31 with a laser, or may irradiate the mounting table 31 with plasma and a laser.
  • the laser may be a laser that heats the deposit and reduces the adhesion force of the deposit.
  • the laser may be a laser having a wavelength that gasifies the deposits. For example, a semiconductor laser having a wavelength of 808 nm, a laser spot area of 0.5 to 3 mm, and a laser power of 200 W may be used.
  • the irradiation unit 114 irradiates the mounting table 31 with a laser in an environment in which a gas (for example, ozone gas or the like) having an action of reducing the adhesive force of the deposit and a function of gasifying the deposit exists. You may.
  • a gas for example, ozone gas or the like
  • the image pickup unit 115 is, for example, an image sensor, and the head unit 123 approaches the mounting table 31 to take an image of the mounting table 31.
  • the image pickup unit 115 may take an image of the mounting table 31 while irradiating the mounting table 31 with light as needed.
  • the operation of the image pickup unit 115 is collectively controlled by a control unit (not shown).
  • the image pickup unit 115 outputs the captured image obtained by imaging the mounting table 31 to the control unit.
  • the control unit detects the presence or absence of deposits on the mounting table 31 from the captured image. When the deposit is detected from the captured image, the control unit controls the exhaust device 131 to start sucking the deposit from the suction port 112.
  • the exhaust pipe 131A is provided with a measuring instrument 132.
  • the measuring instrument 132 measures the diameter and number of fine particles flowing in the exhaust pipe 131A, and outputs information on the number of each predetermined particle size category and information on the total number of fine particles to a control unit (not shown).
  • the control unit monitors whether or not the number of each predetermined particle size category obtained from the measuring instrument 132 and the total number of fine particles are equal to or less than a predetermined threshold value when suction is performed from the suction port 112.
  • the control unit controls the exhaust device 131 to stop the suction from the suction port 112.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the arrangement of the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 according to the embodiment.
  • FIG. 4 shows a view of the head portion 123 of the robot arm 111 as viewed from below.
  • the head portion 123 is formed in a rectangular shape in which a pair of short sides are arranged so as to sandwich the arm portion 121 in a plan view.
  • the suction port 112 is provided at a position inside the pair of short sides of the head portion 123 along each short side.
  • the supply port 113 is provided at a position adjacent to one of the two suction ports 112, and the irradiation unit 114 is provided at a position adjacent to the other of the two suction ports 112.
  • the image pickup unit 115 is provided corresponding to the position of the long side of the pair of long sides of the head unit 123 on the side opposite to the arm unit 121.
  • the arrangement positions of the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 shown in FIG. 4 are examples, and are not limited thereto.
  • the suction port 112 may be provided at a position inside the pair of short sides of the head portion 123 and at a position surrounding the outer periphery of each of the supply port 113 and the irradiation portion 114. ..
  • FIG. 5 is a diagram showing another example of the arrangement of the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 according to the embodiment.
  • the maintenance device 100 has a transport mechanism 140 inside the case 101 for carrying out the edge ring 35 from the processing container 30 and carrying the edge ring 35 into the processing container 30.
  • the transport mechanism 140 is composed of an articulated arm portion 141, a support portion 142 that rotatably and vertically supports the arm portion 141, and a fork portion 143 provided at the tip of the arm portion 141.
  • the transport mechanism 140 can be expanded and contracted by extending the arm portion 141 in a straight line or overlapping the arm portions 141 with each other.
  • the transport mechanism 140 can move the fork portion 143 at the tip of the arm portion 141 in the vertical direction by raising and lowering the arm portion 141 by the support portion 142.
  • the operation of the transport mechanism 140 is collectively controlled by a control unit (not shown).
  • the control unit has a user interface that accepts various operation instructions and displays an operating status.
  • the operator gives an operation instruction to the user interface.
  • the operation instruction is, for example, an operation instruction for individually designating the movement of the transport mechanism 140.
  • the operation instruction may specify a series of movements.
  • the operation instruction may specify a series of movements of the transport mechanism 140 when carrying in and out the edge ring 35 as a transport instruction.
  • a three-stage support base 105 is provided at a height of a predetermined interval.
  • Replacement edge rings 35 are mounted on two of the three-stage support bases 105, respectively. The remaining one support base 105 is emptied for mounting the used edge ring 35.
  • the replacement edge ring 35 is, for example, a new edge ring that has not been used. Further, the replacement edge ring 35 may be a used edge ring that has been used but has a relatively small amount of consumption.
  • FIG. 6 is a flowchart showing an example of the processing operation of the vacuum processing system according to the embodiment.
  • the processing operation shown in FIG. 6 is mainly executed according to the control by the control unit (not shown).
  • the processing container 30 is dry-cleaned with the edge ring 35 mounted on the mounting table 21 (step S101).
  • the maintenance device 100 is attached to the plasma etching device 10 (step S102).
  • the edge ring 35 is carried out from the processing container 30 (step S103).
  • step S104 the mounting table 31 in the processing container 30 is cleaned by the maintenance device 100.
  • step S105 the replacement edge ring 35 is carried into the processing container 30 (step S105).
  • step S106 the position of the edge ring 35 is corrected.
  • FIGS. 7A, 7B, and 8 an example of an operation when the edge ring 35 is carried out from the processing container 30 and the mounting table 31 is cleaned will be described.
  • 6A and 6B are diagrams for explaining an example of an operation when the edge ring 35 is carried out from the processing container 30 and the mounting table 31 is cleaned.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a process of cleaning the mounting table 31. Note that FIG. 8 corresponds to the process of step S104 in FIG.
  • the worker moves the transportation vehicle 102 and transports the maintenance device 100 to the position of the plasma etching device 10.
  • the first valve 104A is controlled to be in the open state.
  • the vacuum pump 103 depressurizes the inside of the first case 101B with the shutter member 101D closed.
  • the maintenance device 100 may be configured to be automatically transported to the position of the plasma etching device 10 based on an instruction from the control unit 90 or a remote instruction. Subsequently, the opening 101A of the case 101 (second case 101C) is airtightly attached to the second gate 95.
  • the first valve 104A is switched from the open state to the closed state, and the second valve 104B is controlled to the open state.
  • the vacuum pump 106 depressurizes the inside of the second case 101C.
  • both the inside of the first case 101B and the inside of the second case 101C that is, the entire inside of the case 101 is decompressed.
  • the shutter member 101D is opened, and the first case 101B and the second case 101C communicate with each other.
  • the second valve 104B is switched from the open state to the closed state.
  • the maintenance device 100 has a removal unit (not shown) for removing the lid 96 of the plasma etching device 10 inside the case 101.
  • the removal unit removes the lid 96 from the second gate 95 and retracts the removed lid 96 to the retracted position inside the case 101. ..
  • the case 101 and the processing container 30 communicate with each other through the opening 101A and the second gate 95.
  • a lift pin protrudes from the mounting table 31, and the edge ring 35 is arranged above the mounting table 31.
  • the transport mechanism 140 moves the fork portion 143 at the tip of the arm portion 141 to a height corresponding to the opening 101A by the support portion 142.
  • the transport mechanism 140 extends the arm portion 141 toward the opening 101A, and moves the fork portion 143 below the edge ring 35 via the opening 101A.
  • the transport mechanism 140 receives the edge ring 35 supported on the lift pin by the fork portion 143.
  • the transport mechanism 140 contracts the arm portion 141 while holding the edge ring 35, and carries out the edge ring 35 from the processing container 30.
  • the transport mechanism 140 moves the fork portion 143 holding the edge ring 35 to a height corresponding to the vacant support base 105.
  • the transport mechanism 140 moves the arm portion 141 toward the vacant support base 105, and moves the edge ring 35 above the vacant support base 105.
  • the transport mechanism 140 lowers the arm portion 141 and stores the edge ring 35 in the vacant support base 105.
  • the robot arm 111 moves the head portion 123 at the tip of the arm portion 121 to a height corresponding to the opening 101A by the support portion 122.
  • the robot arm 111 extends the arm portion 121 toward the opening 101A, and brings the head portion 123 closer to the mounting table 31 via the opening 101A.
  • the image pickup unit 115 takes an image of the mounting table 31 from above and outputs the obtained captured image to a control unit (not shown) (step S111). That is, the image pickup unit 115 outputs the captured image obtained by imaging the mounting surface 36d, the outer peripheral surface 36e, the ER mounting surface 36f, etc. of the electrostatic chuck 36 to the control unit.
  • the control unit detects the presence or absence of deposits on the mounting table 31 by comparing the captured image with the reference image obtained by preliminarily imaging the cleaned or new mounting table 31 (step S112).
  • the control unit moves the suction port 112 to the position of the deposit, controls the exhaust device 131, and starts suction by the suction port 112.
  • the deposits on the mounting table 31 that is, the deposits remaining on the mounting surface 36d, the outer peripheral surface 36e, the ER mounting surface 36f, etc. of the electrostatic chuck 36
  • the suction port 112 that is, the deposits remaining on the mounting surface 36d, the outer peripheral surface 36e, the ER mounting surface 36f, etc. of the electrostatic chuck 36
  • the control unit sucks, for example, the deposit remaining on the outer peripheral surface 36e of the electrostatic chuck 36 from the suction port 112.
  • the suction port 112 may suck the deposits on the mounting table 31 in a state where the inert gas is supplied from the shower head 46 of the plasma etching apparatus 10 to the inside of the processing container 30 and the inside of the case 101.
  • the inert gas for example, Ar, N2, dry air or the like is used.
  • the source of the inert gas is not limited to the shower head 46, and may be, for example, a purge port (not shown) that supplies the gas when the inside of the processing container 30 is opened to the atmosphere.
  • the control unit monitors whether or not the number of fine particles and the total number of fine particles for each predetermined particle size category obtained from the measuring instrument 132 are equal to or less than a predetermined threshold value when suction is performed from the suction port 112. do. When the number of fine particles is equal to or less than a predetermined threshold value, the control unit controls the exhaust device 131 to stop the suction from the suction port 112.
  • the imaging unit 115 re-images the mounting table 31 from above and outputs the obtained captured image to the control unit (step S115).
  • the control unit detects the presence or absence of deposits on the mounting table 31 by comparing the captured image with the reference image obtained by preliminarily imaging the cleaned or new mounting table 31 (step S116).
  • the control unit controls the exhaust device 131 to start suction by the suction port 112.
  • the supply port 113 supplies gas to the mounting table 31 (step S118).
  • the suction port 112 sucks the deposit together with the gas supplied from the supply port 113.
  • the control unit controls the exhaust device 131 to stop the suction from the suction port 112.
  • the imaging unit 115 re-images the mounting table 31 from above and outputs the obtained captured image to the control unit (step S119).
  • the control unit detects the presence or absence of deposits on the mounting table 31 by comparing the captured image with the reference image obtained by preliminarily imaging the cleaned or new mounting table 31 (step S120).
  • the control unit controls the exhaust device 131 to start suction by the suction port 112.
  • the irradiation unit 114 irradiates the mounting table 31 with plasma, a laser, or both plasma and a laser to remove deposits from the mounting table 31 (step S122).
  • the suction port 112 sucks the deposits removed from the mounting table 31.
  • the control unit may irradiate the mounting table 31 with one or both of the plasma and the laser by the irradiation unit 114, and then suck the deposits by the suction port 112.
  • the control unit controls the exhaust device 131 to stop the suction from the suction port 112.
  • the imaging unit 115 re-images the mounting table 31 from above and outputs the obtained captured image to the control unit (step S123).
  • the control unit detects the presence or absence of deposits on the mounting table 31 by comparing the captured image with the reference image obtained by preliminarily imaging the cleaned or new mounting table 31 (step S124).
  • the control unit notifies the operator of the vacuum processing system of an alert (step S126). Upon receiving the alert notification, the operator opens the processing container 30 to the atmosphere and performs maintenance including cleaning work of the mounting table 31.
  • step S113 If no deposit is detected from the captured image (step S113: No, step S117: No, step S121: No, step S125: No), the control unit ends the process of cleaning the mounting table 31. In this way, the mounting table 31 is cleaned.
  • the robot arm 111 contracts the arm portion 121 to return the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 to their original positions inside the case 101.
  • FIGS. 9A to 9C are diagrams for explaining an example of the operation when the edge ring 35 is carried into the processing container 30.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of a process of correcting the position of the edge ring 35 after carrying in. Note that FIG. 10 corresponds to the process of step S106 in FIG.
  • the transport mechanism 140 When the replacement edge ring 35 is carried into the processing container 30, as shown in FIG. 9A, the transport mechanism 140 has a fork portion at a height corresponding to the support base 105 on which the replacement edge ring 35 is placed. Move 143. The transport mechanism 140 moves the arm portion 141 toward the replacement edge ring 35, and the fork portion 143 holds the replacement edge ring 35. The transport mechanism 140 moves the arm portion 141 toward the opening 101A while holding the replacement edge ring 35.
  • the transport mechanism 140 moves the fork portion 143 to the height corresponding to the opening 101A.
  • the transport mechanism 140 extends the arm portion 141 toward the opening 101A, and carries the replacement edge ring 35 above the mounting table 31 via the opening 101A.
  • a lift pin protrudes from the mounting table 31, and the replacement edge ring 35 is handed over from the fork portion 143 to the lift pin.
  • the transport mechanism 140 contracts the arm portion 121 and returns the fork portion 143 to the original position inside the case 101.
  • the lift pin that supports the replacement edge ring 35 is lowered, and the replacement edge ring 35 is mounted on the outer peripheral portion of the mounting table 31.
  • the robot arm 111 moves the head portion 123 to a height corresponding to the opening 101A.
  • the robot arm 111 extends the arm portion 121 toward the opening 101A, and brings the head portion 123 closer to the mounting table 31 via the opening 101A.
  • the imaging unit 115 images the gap between the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31 at each of the plurality of circumferential positions (step S131). For example, the imaging unit 115 sequentially creates a gap between the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31 at a plurality of imaging positions set at equal intervals in the circumferential direction of the mounting table 31. Take an image.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of an imaging position in the imaging unit 115.
  • FIG. 11 corresponds to a top view of the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31 as viewed from above.
  • the mounting surface 36d of the mounting table 31 is shown in a disk shape
  • the replacement edge ring 35 is shown in a ring shape around the mounting surface 36d.
  • Four image pickup positions P in the image pickup unit 115 are set at equal intervals at 90 degree angles with respect to the circumferential direction of the mounting table 31.
  • the imaging position may be set to 3 or less with respect to the circumferential direction of the mounting table 31, and may be set to 5 or more. Further, the image pickup unit 115 may collectively image the gap between the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31.
  • the image pickup unit 115 outputs the captured image obtained by imaging the gap between the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31 at each of the plurality of positions in the circumferential direction to a control unit (not shown). do.
  • the control unit compares the captured image with the correction reference image obtained by preliminarily capturing the edge ring 35 in a state where there is no deviation (step S132), and a plurality of circumferential directions.
  • the amount of deviation between the width of the gap and the reference width is calculated for each position (step S133).
  • the reference width is, for example, the width of the gap measured in advance when the center of the replacement edge ring 35 and the center of the electrostatic chuck 36 coincide with each other.
  • the control unit determines whether or not the calculated deviation amount is within the allowable value (step S134).
  • the control unit controls the transport mechanism 140 to correct the position of the replacement edge ring 35 by the calculated deviation amount (step S135). That is, when a lift pin (not shown) protrudes from the mounting table 31 and the replacement edge ring 35 is arranged above the mounting table 31, the transport mechanism 140 corresponds to the fork portion 143 to the opening 101A as shown in FIG. 9C. Move to the height you want. Then, the transport mechanism 140 extends the arm portion 141 toward the opening 101A, and moves the fork portion 143 below the replacement edge ring 35 via the opening 101A.
  • the transport mechanism 140 When the lift pin is lowered, the transport mechanism 140 receives the replacement edge ring 35 supported on the lift pin by the fork portion 143. The transport mechanism 140 moves the arm portion 141 in the horizontal direction while holding the replacement edge ring 35 so that the calculated deviation amount becomes zero. When the replacement edge ring 35 moves and the displacement amount becomes 0, the lift pin protrudes from the mounting table 31, and the replacement edge ring 35 is handed over from the fork portion 143 to the lift pin. When the replacement edge ring 35 is handed over from the fork portion 143 to the lift pin, the transport mechanism 140 contracts the arm portion 121 and returns the fork portion 143 to the original position inside the case 101.
  • the lift pin that supports the replacement edge ring 35 is lowered, and the replacement edge ring 35 is mounted on the outer peripheral portion of the mounting table 31.
  • the control unit After correcting the deviation amount, the control unit returns the process to step S131, and the image pickup unit 115 images the gap between the replacement edge ring 35 and the electrostatic chuck 36 of the mounting table 31, and the deviation amount is increased. It may be confirmed that the value is within the permissible value (steps S131 to S134). Further, when the deviation amount is out of the allowable value, the control unit may perform correction again so that the deviation amount of the replacement edge ring 35 becomes 0 as described above (step S135). ..
  • step S134 when the calculated deviation amount is within the allowable value (step S134: Yes), the control unit ends the process. As a result, the replacement edge ring 35 is carried into the processing container 30.
  • the maintenance device 100 controls the removal unit and attaches the lid 96 to the second gate 95. Then, with the shutter member 101D closed, the leak valve 104D is opened to open the second case 101C to the atmosphere. After the maintenance in the processing container 30 is performed in this order, the operator moves the transportation vehicle 102 to separate the maintenance device 100 from the plasma etching device 10.
  • the maintenance device 100 may be configured to be automatically separated from the plasma etching device 10 and automatically transported to a predetermined position based on an instruction from the control unit 90 or a remote instruction.
  • the opening 101A having a size corresponding to the second gate 95 of the plasma etching apparatus 10 is formed, and the opening 101A can be airtightly attached to the second gate 95. It has a case 101. Further, the maintenance device 100 is arranged inside the case 101, enters the processing container 30 through the opening 101A, and sucks the deposits of the object (as an example, the mounting table 31) in the processing container 30. It has a mechanism 110. As a result, the maintenance device 100 can efficiently clean the inside of the processing container 30 without opening it to the atmosphere.
  • the suction mechanism 110 has a robot arm 111 whose tip can approach the object in the processing container 30 through the opening 101A. Further, the suction mechanism 110 is provided at the tip of the robot arm 111 (for example, the head portion 123), and has a suction port 112 for sucking the deposits of the object in the processing container 30. As a result, the maintenance device 100 can suck the adhered matter by the suction port 112 in the vicinity of the object in the processing container 30.
  • the suction port 112 sucks the deposits in a state where the inert gas is supplied into the processing container 30.
  • the maintenance device 100 can suck the deposit together with the inert gas through the suction port 112.
  • the suction mechanism 110 is provided at the tip of the robot arm 111, and further has a supply port 113 for supplying gas to the object in the processing container 30.
  • the maintenance device 100 can suck the deposit together with the inert gas through the suction port 112 while blowing the deposit from the object in the processing container 30 with the inert gas.
  • the suction mechanism 110 is provided at the tip of the robot arm 111, and irradiates one or both of the plasma and the laser on the object in the processing container 30 to remove the deposit from the object in the processing container 30. Further has an irradiation unit 114 to be used. As a result, the maintenance device 100 can suck the deposits removed from the object in the processing container 30 by the suction port 112.
  • the suction mechanism 110 is provided at the tip of the robot arm 111, and further has an image pickup unit 115 for imaging an object in the processing container 30.
  • the maintenance device 100 can obtain an image captured image used for detecting the presence or absence of deposits.
  • the maintenance device 100 further includes an exhaust device 131 connected to the suction port 112 via the exhaust pipe 131A, and a measuring instrument 132 for measuring the number of fine particles flowing in the exhaust pipe 131A.
  • the exhaust device 131 stops suction from the suction port 112 when the number of fine particles and the total number of fine particles for each predetermined particle size category measured by the measuring instrument 132 are equal to or less than a predetermined threshold value.
  • the maintenance device 100 can stop the suction from the suction port 112 at an appropriate timing.
  • the object in the processing container 30 is a mounting table 31 having an electrostatic chuck 36 on which the wafer W can be mounted and an outer peripheral portion on which the edge ring 35 can be mounted
  • the maintenance device 100 is a transport mechanism 140. Further have.
  • the transport mechanism 140 is arranged inside the case 101, and carries out the edge ring 35 from the processing container 30 and carries in the edge ring 35 into the processing container 30 through the opening 101A. As a result, the maintenance device 100 can clean the inside of the processing container 30 and replace the edge ring 35 without opening to the atmosphere.
  • the suction port 112 sucks the deposits on the outer peripheral surface of the mounting portion (for example, the electrostatic chuck 36) of the mounting table 31 in a state where the edge ring 35 is carried out from the processing container 30 by the transport mechanism 140. ..
  • the maintenance device 100 can clean the outer peripheral surface of the mounting portion of the mounting table 31, which is exposed when the edge ring 35 is carried out.
  • the transport mechanism 140 carries the replacement edge ring 35 into the processing container 30 and mounts it on the outer peripheral portion of the mounting table 31.
  • the maintenance device 100 further includes a control unit.
  • the control unit uses the image pickup unit 115 provided at the tip of the robot arm 111 to take an image of the gap between the replacement edge ring 35 and the mounting portion of the mounting table 31 at each of the plurality of circumferential positions.
  • the control unit calculates the amount of deviation between the width of the gap and the reference width for each of the plurality of positions in the circumferential direction based on the obtained captured image.
  • the control unit controls the transport mechanism 140 to correct the position of the replacement edge ring 35 by the calculated deviation amount.
  • the maintenance device 100 can appropriately correct the position of the replacement edge ring 35 mounted on the outer peripheral portion of the mounting table 31.
  • the maintenance device 100 may clean parts other than the mounting table 31 as long as the parts are located in the processing container 3. Further, the control unit compares the captured image obtained by imaging the parts in the processing container 30 with the imaging unit 115 and the captured image obtained by imaging a new component with the imaging unit 115, and compares the surface state. , The abnormality of the parts in the processing container 30 may be determined based on at least one of the shape and size. Further, the control unit may output a component replacement instruction when it is determined that an abnormality has occurred in the component in the processing container 30.
  • the edge ring 35 is replaced as a consumable part
  • the consumable part to be replaced may be a cover ring (not shown) or the like arranged on the outer peripheral side of the edge ring 35 in addition to the edge ring 35, and may be carried into the processing container 30 by a transfer mechanism such as a robot arm. And any part that can be carried out from the processing container 30.
  • the suction mechanism 110 has the suction port 112, the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit 115 at the tip of the robot arm 111 has been described, but the supply port 113, the irradiation unit 114, and the image pickup unit have been described.
  • the portion 115 does not have to be set with the suction port 112.
  • the suction mechanism 110 and the transport mechanism 140 are provided inside the case 101
  • the disclosed technique is not limited to this.
  • only the suction mechanism 110 may be provided inside the case 101, and a part of the robot arm 111 of the suction mechanism 110 may be replaced with a pick for replacing the edge ring.
  • only the suction mechanism 110 may be provided inside the case 101, and a pick for replacing the edge ring may be attached to the robot arm 111 of the suction mechanism 110.
  • the edge ring 35 may be replaced by using a pick for replacing the edge ring.
  • the picks may be replaced or the picks may be attached by an operator, or may be realized by automatic replacement.
  • Plasma etching equipment 30 Processing container 31 Mounting table 35 Edge ring 36 Electrostatic chuck 84 First gate 95 Second gate 100 Maintenance equipment 101 Case 101A Opening 110 Suction mechanism 111 Robot arm 112 Suction port 113 Supply port 114 Irradiation unit 115 Imaging Part 131 Exhaust device 131A Exhaust pipe 132 Measuring instrument 140 Conveyance mechanism

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Abstract

メンテナンス装置は、基板の搬入出に使用される第１ゲート及び第１ゲートとは異なる第２ゲートが処理容器に設けられた真空処理装置の第２ゲートに対応するサイズの開口部が形成され、第２ゲートに対して気密に開口部を取り付け可能なケースと、ケース内部を減圧する減圧機構と、ケース内部に配置され、開口部を介して処理容器内に進入し、処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引機構とを有する。

Description

メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法
　本開示は、メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法に関する。
　半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）等の基板を真空状態の処理容器内に配置して、各種の基板処理を実施する真空処理装置が知られている。このような真空処理装置では、ダウンタイムを削減する観点から、処理容器内の清掃を、大気開放することなく行うことが求められる。
　この点、特許文献１では、基板の搬入出に使用される第１ゲートとは別に、吸着ユニットを有するメンテナンス装置を装着可能な第２ゲートを処理容器に設け、吸着ユニットに処理容器内の不要物を吸着させることで、処理容器内を清掃する技術が開示されている。
特開２０１８－１３３４６４号公報
　本開示は、大気開放することなく処理容器内を高効率に清掃することができる技術を提供する。
　本開示の一態様によるメンテナンス装置は、基板の搬入出に使用される第１ゲート及び第１ゲートとは異なる第２ゲートが処理容器に設けられた真空処理装置の前記第２ゲートに対応するサイズの開口部が形成され、前記第２ゲートに対して気密に前記開口部を取り付け可能なケースと、前記ケース内部を減圧する減圧機構と、前記ケース内部に配置され、前記開口部を介して前記処理容器内に進入し、前記処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引機構とを有する。
　本開示によれば、大気開放することなく処理容器内を高効率に清掃することができるという効果を奏する。
図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置を概略的に示す図である。 図２は、実施形態に係るメンテナンス装置を概略的に示す断面図である。 図３は、実施形態に係る吸引機構の詳細を示す図である。 図４は、実施形態に係る吸引口、供給口、照射部及び撮像部の配置の一例を示す図である。 図５は、実施形態に係る吸引口、供給口、照射部及び撮像部の配置の他の一例を示す図である。 図６は、実施形態に係る真空処理システムの処理動作の一例を示すフローチャートである。 図７Ａは、処理容器からエッジリングを搬出し、載置台を清掃する際の動作の一例を説明するための図である。 図７Ｂは、処理容器からエッジリングを搬出し、載置台を清掃する際の動作の一例を説明するための図である。 図８は、載置台を清掃する処理の一例を示すフローチャートである。 図９Ａは、処理容器内へエッジリングを搬入する際の動作の一例を説明するための図である。 図９Ｂは、処理容器内へエッジリングを搬入する際の動作の一例を説明するための図である。 図９Ｃは、処理容器内へエッジリングを搬入する際の動作の一例を説明するための図である。 図１０は、搬入後のエッジリングの位置を補正する処理の一例を示すフローチャートである。 図１１は、撮像部における撮像位置の一例を示す図である。
　以下、図面を参照して本願の開示するメンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。また、本実施形態により、開示する処理装置が限定されるものではない。
　［メンテナンス対象装置の構成］
　メンテナンス装置がメンテナンスの対象とするメンテナンス対象装置について説明する。メンテナンス対象装置は、ウエハ等の基板を真空状態である処理容器内に配置して、所定の基板処理を行う真空処理装置である。本実施形態では、メンテナンス対象装置を、基板に対するプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置とした場合を例に説明する。なお、メンテナンス対象装置は、プラズマエッチング装置に限定されるものではない。
　図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置を概略的に示す図である。プラズマエッチング装置１０は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器３０を有している。処理容器３０は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム等から構成されている。処理容器３０は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器３０内には、ウエハＷを水平に支持する載置台３１が収容されている。
　載置台３１は、上下方向に底面を向けた略円柱状を呈しており、上側の面が載置面３６ｄとされている。載置台３１の載置面３６ｄは、ウエハＷよりも若干小さいサイズとされている。載置台３１は、基台３３と、静電チャック３６とを含んでいる。
　基台３３は、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されている。基台３３は、下部電極として機能する。基台３３は、絶縁体の支持台３４に支持されており、支持台３４が処理容器３０の底部に設置されている。
　静電チャック３６は、その上側中央部に凸状の基板載置部が形成されており、この基板載置部の上面がウエハＷの載置される載置面３６ｄとされている。静電チャック３６は、平面視において載置台３１の中央に設けられている。静電チャック３６は、基板を載置可能な載置部の一例である。静電チャック３６は、電極３６ａ及び絶縁体３６ｂを有している。電極３６ａは、絶縁体３６ｂの内部に設けられており、電極３６ａには直流電源４２が接続されている。静電チャック３６は、電極３６ａに直流電源４２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷを吸着するように構成されている。また、静電チャック３６は、絶縁体３６ｂの内部にヒータ３６ｃが設けられている。ヒータ３６ｃは、後述する給電機構を介して電力が供給され、ウエハＷの温度を制御する。
　また、載置台３１の載置面３６ｄの周囲には、絶縁体３６ｂにより形成され、載置面３６ｄよりも低い外周部が設けられており、この外周部の上面はエッジリング３５を載置するＥＲ載置面３６ｆとされている。載置台３１のＥＲ載置面３６ｆ上には、例えば単結晶シリコンで形成されたエッジリング３５が設けられている。静電チャック３６は、エッジリング３５と上面視で重複する位置に一対の電極３６ｇ，３６ｈを有している。一対の電極３６ｇ，３６ｈは、絶縁体３６ｂの内部に設けられている。静電チャック３６は、一対の電極３６ｇ，３６ｈに不図示の直流電源から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってエッジリング３５を吸着するように構成されている。なお、図１の例では、静電チャック３６内に一対の電極３６ｇ，３６ｈが設けられる場合を示したが、静電チャック３６とは別体であるリング状の誘電体内に一対の電極３６ｇ，３６ｈが設けられてもよい。また、図１の例では、一対の電極３６ｇ，３６ｈが双極型電極を構成する場合を示したが、一対の電極３６ｇ，３６ｈに代えて単極型電極が用いられてもよい。さらに、載置台３１及び支持台３４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３７が設けられている。
　基台３３には、給電棒５０が接続されている。給電棒５０には、第１の整合器４１ａを介して第１のＲＦ電源４０ａが接続され、また、第２の整合器４１ｂを介して第２のＲＦ電源４０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源４０ａは、プラズマ発生用の電源であり、この第１のＲＦ電源４０ａからは所定の周波数の高周波電力が載置台３１の基台３３に供給されるように構成されている。また、第２のＲＦ電源４０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）の電源であり、この第２のＲＦ電源４０ｂからは第１のＲＦ電源４０ａより低い所定周波数の高周波電力が載置台３１の基台３３に供給されるように構成されている。
　基台３３の内部には、流路３３ｄが形成されている。流路３３ｄは、一方の端部に伝熱流体入口配管３３ｂが接続され、他方の端部に伝熱流体出口配管３３ｃが接続されている。プラズマエッチング装置１０は、流路３３ｄの中に伝熱流体、例えば高絶縁性で粘度が低いフッ素系不活性液体や純水等を循環させることによって、載置台３１の温度を制御可能な構成とされている。なお、プラズマエッチング装置１０は、ウエハＷとエッジリング３５がそれぞれ載置される領域に対応して、基台３３の内部に流路を別に設け、ウエハＷとエッジリング３５の温度を個別に制御可能な構成としてもよい。また、プラズマエッチング装置１０は、ウエハＷやエッジリング３５の裏面側に伝熱ガスを供給して温度を個別に制御可能な構成としてもよい。例えば、載置台３１等を貫通するように、ウエハＷの裏面にヘリウムガス等の伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管が設けられてもよい。ガス供給管は、ガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台３１の上面に静電チャック３６によって吸着保持されたウエハＷを、所定の温度に制御する。
　一方、載置台３１の上方には、載置台３１に平行に対面するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド４６が設けられている。シャワーヘッド４６と載置台３１は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
　シャワーヘッド４６は、処理容器３０の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド４６は、本体部４６ａと、電極板をなす上部天板４６ｂとを備えており、絶縁性部材４７を介して処理容器３０の上部に支持される。本体部４６ａは、導電性材料、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム等からなり、その下部に上部天板４６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
　本体部４６ａの内部には、ガス拡散室４６ｃが設けられ、このガス拡散室４６ｃの下部に位置するように、本体部４６ａの底部には、多数のガス通流孔４６ｄが形成されている。また、上部天板４６ｂには、当該上部天板４６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔４６ｅが、上記したガス通流孔４６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室４６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔４６ｄ及びガス導入孔４６ｅを介して処理容器３０内にシャワー状に分散されて供給される。
　本体部４６ａには、ガス拡散室４６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口４６ｇが形成されている。このガス導入口４６ｇには、ガス供給配管４５ａの一端が接続されている。このガス供給配管４５ａの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源４５が接続される。ガス供給配管４５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。そして、処理ガス供給源４５からプラズマエッチングのための処理ガスが、ガス供給配管４５ａを介してガス拡散室４６ｃに供給され、このガス拡散室４６ｃから、ガス通流孔４６ｄ及びガス導入孔４６ｅを介して処理容器３０内にシャワー状に分散されて供給される。
　上記した上部電極としてのシャワーヘッド４６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）４８ａを介して可変直流電源４８ｂが電気的に接続されている。この可変直流電源４８ｂは、オン・オフスイッチ４８ｃにより給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源４８ｂの電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ４８ｃのオン・オフは、後述する制御部９０によって制御される。なお、後述のように、第１のＲＦ電源４０ａ、第２のＲＦ電源４０ｂから高周波が載置台３１に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ４８ｃがオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド４６に所定の直流電圧が印加される。
　また、処理容器３０の側壁からシャワーヘッド４６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体３０ａが設けられている。この円筒状の接地導体３０ａは、その上部に天壁を有している。
　処理容器３０の底部には、排気口８１が形成されており、この排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器３０内を所定の真空度まで減圧することができるように構成されている。
　一方、処理容器３０内の側壁には、ウエハＷの搬入出に使用される第１ゲート８４が設けられている。第１ゲート８４には、当該第１ゲート８４を開閉するゲートバルブＧが設けられている。第１ゲート８４は、ゲートバルブＧを介して真空搬送室に気密性を保ちつつ接続されており、真空雰囲気の状態のまま真空搬送室からウエハＷの搬入出が可能とされている。
　処理容器３０の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器３０にプラズマを用いたエッチング処理により発生する反応生成物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド８６は、着脱自在に構成されている。
　上記構成のプラズマエッチング装置１０は、制御部９０によって、動作が統括的に制御される。制御部９０は、例えば、コンピュータであり、プラズマエッチング装置１０の各部を制御する。プラズマエッチング装置１０は、制御部９０によって、動作が統括的に制御される。
　ところで、プラズマエッチング装置１０では、反応生成物や微粒子等が付着物として処理容器３０内に累積的に付着するため、処理容器３０内の清掃が定期的に行われる。プラズマエッチング装置１０では、処理容器３０を大気開放して清掃を行った場合、処理容器３０内の温度調整、水分コントロールのため、ウエハＷに対するエッチング処理を再開するまで相当な時間（ダウンタイム）を要する。その結果、プラズマエッチング装置１０の生産性が低下する。このため、ダウンタイムを削減する観点から、処理容器３０内の清掃を、大気開放することなく行うことが好ましい。
　また、プラズマエッチング装置１０では、プラズマを用いたエッチング処理を繰り返し行うことで徐々に消耗する消耗部品が存在する。消耗部品は、例えば、載置台３１の載置面３６ｄに載置されるウエハＷの外周に設けられるエッジリング３５である。エッジリング３５は、プラズマに晒されて削られるため、定期的に交換される。このような消耗部品の交換は、処理容器３０を大気開放して行われるのが一般的である。しかしながら、プラズマエッチング装置１０では、処理容器３０を大気開放して消耗部品の交換を行った場合、ダウンタイムが発生する。このため、ダウンタイムを削減する観点から、消耗部品の交換を、大気開放することなく行うことが好ましい。
　そこで、プラズマエッチング装置１０では、ウエハＷの搬入出に使用される第１ゲート８４とは別に、処理容器３０内の清掃用で且つ消耗部品の交換用のゲートが処理容器３０に設けられている。例えば、プラズマエッチング装置１０では、図１に示すように、ウエハＷが載置される載置台３１に対して第１ゲート８４とは反対側に、第２ゲート９５が設けられている。第２ゲート９５は、蓋体９６により気密に閉塞されている。また、第２ゲート９５には、後述するメンテナンス装置１００が脱着可能に取り付けられる。作業者は、処理容器３０内の清掃や消耗部品の交換等のメンテナンスを実施する場合、メンテナンスの対象のプラズマエッチング装置１０に対して、メンテナンス装置１００を取り付ける。
　［メンテナンス装置の構成］
　次に、実施形態に係るメンテナンス装置１００の構成について説明する。図２は、実施形態に係るメンテナンス装置１００を概略的に示す断面図である。図２は、プラズマエッチング装置１０にメンテナンス装置１００を取り付けた状態を示している。なお、以下の各図では、プラズマエッチング装置１０を簡略化して示す。また、以下では、処理容器３０内の対象物として載置台３１を清掃し且つ消耗部品としてエッジリング３５を交換する流れに沿って、メンテナンス装置１００の構成を適宜説明する。
　メンテナンス装置１００は、プラズマエッチング装置１０の第２ゲート９５に対応するサイズの開口部１０１Ａが形成されたケース１０１を有する。第２ゲート９５に対応するサイズとは、第２ゲート９５を介して後述する吸引機構１１０やエッジリング３５をケース１０１と処理容器３０との間で移動あるいは搬出入可能なサイズである。なお、第２ゲート９５に対応するサイズは、吸引機構１１０やエッジリング３５をケース１０１と処理容器３０との間で移動あるいは搬出入可能なサイズであればどのようなサイズであってもよい。ケース１０１は、開口部１０１Ａの周囲の、プラズマエッチング装置１０と接触する部分にオーリング等の封止部材が設けられている。ケース１０１は、輸送用車両１０２上に搭載されている。メンテナンス装置１００は、輸送用車両１０２によりプラズマエッチング装置１０の位置まで輸送され、第２ゲート９５にケース１０１の開口部１０１Ａを対応させて配置される。そして、ケースの開口部１０１Ａが、ねじ止め等によって、第２ゲート９５に対して気密に取り付けられる。
　ケース１０１は、第１ケース１０１Ｂと、開閉可能なシャッタ部材１０１Ｄを介して第１ケース１０１Ｂに連通する第２ケース１０１Ｃとから構成されている。第１ケース１０１Ｂには、後述する吸引機構１１０が収容される。第２ケース１０１Ｃには、開口部１０１Ａが形成される。
　第１ケース１０１Ｂには、第１バルブ１０４Ａが設けられた第１配管１０３Ａが接続されている。第２ケース１０１Ｃには、第２バルブ１０４Ｂが設けられた第２配管１０３Ｂが接続されている。第１配管１０３Ａ及び第２配管１０３Ｂは、共通配管１０３Ｃを介して真空ポンプ１０３に接続されている。真空ポンプ１０３は、輸送用車両１０２に設けられた荷台１０２Ａ上に搭載されている。第２配管１０３Ｂは、共通配管１０３Ｃに至る途中で、リーク用配管１０３Ｄが分岐している。リーク用配管１０３Ｄには、リーク用バルブ１０４Ｄが設けられている。真空ポンプ１０３、第１配管１０３Ａ、第２配管１０３Ｂ及び共通配管１０３Ｃは、ケース１０１内部を減圧する減圧機構を構築する。メンテナンス装置１００は、減圧機構によりケース１０１内部を所定の真空度まで減圧し、処理容器３０内と同等の圧力にして蓋体９６を取り外すことで、ケース１０１と処理容器３０とを開口部１０１Ａ及び第２ゲート９５を介して連通させることができる。
　また、メンテナンス装置１００は、ケース１０１（第１ケース１０１Ｂ）内部に、処理容器３０内の載置台３１の付着物を吸引する吸引機構１１０を有する。
　図３は、実施形態に係る吸引機構１１０の詳細を示す図である。吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１と、ロボットアーム１１１の先端に設けられた吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５とを有する。
　ロボットアーム１１１は、関節により２つのアーム要素が接続されたアーム部１２１と、アーム部１２１を回転可能及び昇降可能に支持する支持部１２２と、アーム部１２１の先端に設けられたヘッド部１２３とにより構成されている。ロボットアーム１１１は、アーム部１２１の２つのアーム要素を直線状に伸ばしたり、互いに重ねたりすることで伸縮可能とされている。ロボットアーム１１１は、支持部１２２によりアーム部１２１を昇降させることにより、アーム部１２１の先端のヘッド部１２３を上下方向に移動させることができる。ロボットアーム１１１は、アーム部１２１の２つのアーム要素を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介してヘッド部１２３を載置台３１に接近させることができる。ロボットアーム１１１は、不図示の制御部によって、動作が統括的に制御される。制御部は、各種の操作指示の受け付けや、動作状態の表示を行うユーザインタフェースを有する。作業者は、ユーザインタフェースに対して操作指示を行う。操作指示は、例えば、ロボットアーム１１１の動きを個別に指定する操作指示である。なお、操作指示は、一連の動きを指定するものであってもよい。例えば、操作指示は、載置台３１の付着物を吸引する際のロボットアーム１１１の一連の動きを吸引指示として指定するものであってもよい。
　ヘッド部１２３には、吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５が設けられている。吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５の配置位置については、後述する。
　吸引口１１２は、ヘッド部１２３が載置台３１に接近することにより、載置台３１の付着物を吸引する。すなわち、吸引口１１２は、バルブ１３１Ｂが設けられ且つロボットアーム１１１を貫通する排気管１３１Ａを介して、荷台１０２Ａ上の排気装置１３１に接続され、排気装置１３１による排気動作に基づき、載置台３１の付着物を吸引する。
　供給口１１３は、ヘッド部１２３が載置台３１に接近することにより、載置台３１に対してガスを供給する。供給口１１３から供給されるガスは、不活性ガス、付着物と反応して載置台３１の付着物の吸引を容易化するガス、又は、付着物と反応して付着物をガス化させるガスである。不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｎ２又はドライエアー等が用いられる。不活性ガスが用いられる場合には、載置台３１に付着した付着物を吹き飛ばすように、ガス流量が適宜設定される。付着物と反応して載置台３１からの付着物の吸引を容易化するガス、又は、付着物と反応して付着物をガス化させるガスとしては、例えば、三フッ化窒素ガス（ＮＦ３）、フッ素ガス（Ｆ２）等が挙げられる。吸引口１１２は、供給口１１３から供給されるガスとともに付着物を吸引する。供給口１１３は、ロボットアーム１１１を貫通する配管を介して、不図示のガス供給源に接続され、ガス供給源から供給されるガスを載置台３１に対して供給する。
　照射部１１４は、ヘッド部１２３が載置台３１に接近することにより、載置台３１に対してプラズマを照射して、載置台３１から付着物を除去する。照射部１１４は、プラズマ中のイオンやラジカルと付着物とを反応させることにより、付着物の付着力を低減する、或いは、付着物をガス化することができる。付着力の低減された付着物、或いは、ガス化された付着物は、載置台３１から離脱して吸引口１１２から吸引される。照射部１１４は、例えば、酸素含有ガス（Ｏ２、ＣＯ２等）、酸素含有ガスと希ガスを含むガス（Ｏ２とＡｒを含むガス等）、フッ素含有ガス（ＣＦ４等）等のガスに高周波電力を印加して得られるプラズマを載置台３１に対して照射する。なお、照射部１１４は、載置台３１に対してレーザを照射してもよく、載置台３１に対してプラズマ及びレーザを照射してもよい。レーザは、付着物を加熱して、付着物の付着力を低減させるレーザであればよい。レーザは、付着物をガス化させる波長のレーザであってもよい。例えば、波長が８０８ｎｍ、レーザースポットエリアが０．５乃至３ｍｍ、レーザーパワーが２００Ｗの半導体レーザを用いてもよい。また、照射部１１４は、付着物の付着力を低減させる作用や付着物をガス化させる作用を有するガス（例えば、オゾンガス等）が存在する環境下で、載置台３１に対してレーザを照射してもよい。
　撮像部１１５は、例えば、イメージセンサであり、ヘッド部１２３が載置台３１に接近することにより、載置台３１を撮像する。なお、撮像部１１５は、必要に応じて光を照射しながら載置台３１を撮像してもよい。撮像部１１５は、不図示の制御部によって、動作が統括的に制御される。撮像部１１５は、載置台３１を撮像して得られた撮像画像を制御部へ出力する。制御部は、撮像画像から、載置台３１上の付着物の有無を検出する。制御部は、撮像画像から付着物が検出された場合、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２から付着物の吸引を開始する。
　また、排気管１３１Ａには、計測器１３２が設けられている。計測器１３２は、排気管１３１Ａ内を流れる微粒子の径と数を計測し、所定の粒子径区分ごとの数の情報と総微粒子数の情報を不図示の制御部へ出力する。制御部は、吸引口１１２からの吸引が行われる際、計測器１３２から得られる所定の粒子径区分ごとの数と総微粒子数が予め定められた閾値以下となるか否かを監視する。制御部は、所定の粒子径区分ごとの数と総微粒子数が予め定められた閾値以下となる場合、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２からの吸引を停止させる。
　図４は、実施形態に係る吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５の配置の一例を示す図である。図４には、ロボットアーム１１１のヘッド部１２３を下側から見た図が示されている。ヘッド部１２３は、平面視で一対の短辺がアーム部１２１を挟むように配置される矩形状に形成されている。吸引口１１２は、ヘッド部１２３の一対の短辺の内側の位置に、各短辺に沿って設けられている。供給口１１３は、２つの吸引口１１２の一方に隣接する位置に設けられ、照射部１１４は、２つの吸引口１１２の他方に隣接する位置に設けられている。撮像部１１５は、ヘッド部１２３の一対の長辺のうち、アーム部１２１とは反対側の長辺の位置に対応して設けられている。なお、図４に示した吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５の配置位置は、一例であり、これに限定されるものではない。例えば、吸引口１１２は、図５に示すように、ヘッド部１２３の一対の短辺の内側の位置であって、供給口１１３及び照射部１１４の各々の外周を囲む位置に設けられてもよい。図５は、実施形態に係る吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５の配置の他の一例を示す図である。
　図２に戻る。メンテナンス装置１００は、ケース１０１内部に、処理容器３０からのエッジリング３５の搬出、及び処理容器３０内へのエッジリング３５の搬入を行う搬送機構１４０を有する。搬送機構１４０は、多関節のアーム部１４１と、アーム部１４１を回転可能及び昇降可能に支持する支持部１４２と、アーム部１４１の先端に設けられたフォーク部１４３とにより構成されている。搬送機構１４０は、アーム部１４１を直線状に伸ばしたり、互いに重ねたりすることで伸縮可能とされている。搬送機構１４０は、支持部１４２によりアーム部１４１を昇降させることにより、アーム部１４１の先端のフォーク部１４３を上下方向に移動させることができる。搬送機構１４０は、不図示の制御部によって、動作が統括的に制御される。制御部は、各種の操作指示の受け付けや、動作状態の表示を行うユーザインタフェースを有する。作業者は、ユーザインタフェースに対して操作指示を行う。操作指示は、例えば、搬送機構１４０の動きを個別に指定する操作指示である。なお、操作指示は、一連の動きを指定するものであってもよい。例えば、操作指示は、エッジリング３５の搬入及び搬出を行う際の搬送機構１４０の一連の動きを搬送指示として指定するものであってもよい。
　ケース１０１内部には、一例として、所定間隔の高さで３段の支持台１０５が設けられている。３段の支持台１０５のうちの２つの支持台１０５には、交換用のエッジリング３５がそれぞれ載置されている。残りの１つの支持台１０５は、使用済みのエッジリング３５を載置するために、空とされている。なお、交換用のエッジリング３５は、例えば、未使用である新規のエッジリングである。また、交換用のエッジリング３５は、使用済みの中古ではあるが、消耗量が比較的に少ないエッジリングであってもよい。
　次に、図６を参照して、プラズマエッチング装置１０とメンテナンス装置１００とを有する真空処理システムによる具体的な処理動作を説明する。図６は、実施形態に係る真空処理システムの処理動作の一例を示すフローチャートである。図６に示す処理動作は、主として、不図示の制御部による制御に従って、実行される。
　まず、載置台２１上にエッジリング３５が載置されている状態で処理容器３０に対するドライクリーニングが行われる（ステップＳ１０１）。
　ドライクリーニングが完了すると、メンテナンス装置１００がプラズマエッチング装置１０に取り付けられる（ステップＳ１０２）。
　メンテナンス装置１００の取付けが完了すると、処理容器３０からエッジリング３５が搬出される（ステップＳ１０３）。
　続いて、処理容器３０内の載置台３１がメンテナンス装置１００によって清掃される（ステップＳ１０４）。
　清掃が完了すると、処理容器３０内へ交換用のエッジリング３５が搬入される（ステップＳ１０５）。
　その後、エッジリング３５の位置が補正される（ステップＳ１０６）。
　次に、図７Ａ、図７Ｂ及び図８を参照して、処理容器３０からエッジリング３５を搬出し、載置台３１を清掃する際の動作の一例を説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、処理容器３０からエッジリング３５を搬出し、載置台３１を清掃する際の動作の一例を説明するための図である。図８は、載置台３１を清掃する処理の一例を示すフローチャートである。なお、図８は、図６におけるステップＳ１０４の処理に相当する。
　作業者は、輸送用車両１０２を移動させて、メンテナンス装置１００をプラズマエッチング装置１０の位置まで輸送する。このとき、第１バルブ１０４Ａが開状態に制御される。そして、真空ポンプ１０３は、シャッタ部材１０１Ｄが閉じられた状態で第１ケース１０１Ｂ内部を減圧する。なお、メンテナンス装置１００は、制御部９０からの指示又はリモートからの指示に基づき、プラズマエッチング装置１０の位置まで自動で輸送されるように構成されてもよい。続いて、ケース１０１（第２ケース１０１Ｃ）の開口部１０１Ａが、第２ゲート９５に対して気密に取り付けられる。ケース１０１（第２ケース１０１Ｃ）の開口部１０１Ａが第２ゲート９５に取り付けられると、第１バルブ１０４Ａが開状態から閉状態へ切り替えられ、第２バルブ１０４Ｂが開状態に制御される。そして、真空ポンプ１０６は、第２ケース１０１Ｃ内部を減圧する。これにより、第１ケース１０１Ｂ内部及び第２ケース１０１Ｃ内部の両方、すなわち、ケース１０１内部の全体が減圧される。続いて、シャッタ部材１０１Ｄが開かれて、第１ケース１０１Ｂと第２ケース１０１Ｃとが連通する。そして、第２バルブ１０４Ｂが開状態から閉状態へ切り替えられる。
　メンテナンス装置１００は、ケース１０１内部に、プラズマエッチング装置１０の蓋体９６を取り外す取外ユニット（不図示）を有する。処理容器３０からエッジリング３５を搬出する場合、図６Ａに示すように、取外ユニットは、第２ゲート９５から蓋体９６を取り外し、取り外した蓋体９６をケース１０１内部の退避位置に退避させる。これにより、ケース１０１と処理容器３０とが開口部１０１Ａ及び第２ゲート９５を介して連通する。ケース１０１と処理容器３０とが連通すると、載置台３１から不図示のリフトピンが突出し、エッジリング３５を載置台３１の上方に配置する。なお、エッジリング３５が静電吸着されている場合には、静電吸着を解除した後にリフトピンが突出し、エッジリング３５を載置台３１の上方に配置する。搬送機構１４０は、支持部１４２によりアーム部１４１の先端のフォーク部１４３を開口部１０１Ａに対応する高さに移動させる。搬送機構１４０は、アーム部１４１を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介してフォーク部１４３をエッジリング３５の下方に移動させる。リフトピンが下降すると、搬送機構１４０は、リフトピン上に支持されたエッジリング３５をフォーク部１４３で受け取る。搬送機構１４０は、エッジリング３５を保持した状態でアーム部１４１を収縮させて、処理容器３０からエッジリング３５を搬出する。
　次に、図７Ａの破線で示すように、搬送機構１４０は、エッジリング３５を保持したフォーク部１４３を空いている支持台１０５に対応する高さに移動させる。搬送機構１４０は、アーム部１４１を空いている支持台１０５側へ移動させて、エッジリング３５を空いている支持台１０５の上方に移動させる。搬送機構１４０は、アーム部１４１を下降させて、エッジリング３５を空いている支持台１０５に格納する。
　次に、図７Ｂに示すように、ロボットアーム１１１は、支持部１２２によりアーム部１２１の先端のヘッド部１２３を開口部１０１Ａに対応する高さに移動させる。ロボットアーム１１１は、アーム部１２１を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介してヘッド部１２３を載置台３１に接近させる。図８に示すように、撮像部１１５は、載置台３１を上方から撮像し、得られた撮像画像を不図示の制御部へ出力する（ステップＳ１１１）。すなわち、撮像部１１５は、静電チャック３６の載置面３６ｄ、外周面３６ｅ及びＥＲ載置面３６ｆ等を撮像して得られた撮像画像を制御部へ出力する。制御部は、撮像画像と、清掃済み又は新品の載置台３１を予め撮像して得られた基準画像とを比較することにより、載置台３１上の付着物の有無を検出する（ステップＳ１１２）。制御部は、撮像画像から付着物が検出された場合（ステップＳ１１３：Ｙｅｓ）、付着物の位置に吸引口１１２を移動させ、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２による吸引を開始する。これにより、載置台３１上の付着物（つまり、静電チャック３６の載置面３６ｄ、外周面３６ｅ及びＥＲ載置面３６ｆ等に残存する付着物）が吸引口１１２により吸引される（ステップＳ１１４）。例えば、載置台３１上にエッジリング３５が載置されている状態でドライクリーニングが実施された場合、静電チャック３６の外周面３６ｅにおいて反応生成物が完全には除去されずに付着物として残存する。かかる場合に、制御部は、例えば、静電チャック３６の外周面３６ｅに残存している付着物を吸引口１１２から吸引する。
　なお、吸引口１１２は、プラズマエッチング装置１０のシャワーヘッド４６から処理容器３０内とケース１０１内部とに不活性ガスが供給された状態で、載置台３１上の付着物を吸引してもよい。不活性ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｎ２又はドライエアー等が用いられる。なお、不活性ガスの供給元は、シャワーヘッド４６に限らず、例えば、処理容器３０内を大気開放する際にガスを供給するパージポート（不図示）であってもよい。
　制御部は、吸引口１１２からの吸引が行われる際、計測器１３２から得られる所定の粒子径区分ごとの微粒子の数と総微粒子数が、予め定められた閾値以下となるか否かを監視する。制御部は、微粒子の数が予め定められた閾値以下となる場合、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２からの吸引を停止させる。
　吸引口１１２からの吸引が停止されると、撮像部１１５は、載置台３１を上方から再び撮像し、得られた撮像画像を制御部へ出力する（ステップＳ１１５）。制御部は、撮像画像と、清掃済み又は新品の載置台３１を予め撮像して得られた基準画像とを比較することにより、載置台３１上の付着物の有無を検出する（ステップＳ１１６）。制御部は、撮像画像から付着物が再び検出された場合（ステップＳ１１７：Ｙｅｓ）、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２による吸引を開始する。このとき、供給口１１３は、載置台３１に対してガスを供給する（ステップＳ１１８）。吸引口１１２は、供給口１１３から供給されるガスとともに付着物を吸引する。制御部は、計測器１３２から得られる所定の粒子径区分ごとの微粒子の数と総微粒子数が閾値以下となる場合、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２からの吸引を停止させる。
　吸引口１１２からの吸引が停止されると、撮像部１１５は、載置台３１を上方から再び撮像し、得られた撮像画像を制御部へ出力する（ステップＳ１１９）。制御部は、撮像画像と、清掃済み又は新品の載置台３１を予め撮像して得られた基準画像とを比較することにより、載置台３１上の付着物の有無を検出する（ステップＳ１２０）。制御部は、撮像画像から付着物が再び検出された場合（ステップＳ１２１：Ｙｅｓ）、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２による吸引を開始する。このとき、照射部１１４は、載置台３１に対してプラズマ、レーザ、又はプラズマ及びレーザの両方を照射して、載置台３１から付着物を除去する（ステップＳ１２２）。吸引口１１２は、載置台３１から除去された付着物を吸引する。なお、制御部は、照射部１１４によって載置台３１に対してプラズマ及びレーザの一方又は両方を照射した後に、吸引口１１２によって付着物を吸引してもよい。制御部は、計測器１３２から得られる微粒子の数が閾値以下となる場合、排気装置１３１を制御して、吸引口１１２からの吸引を停止させる。
　吸引口１１２からの吸引が停止されると、撮像部１１５は、載置台３１を上方から再び撮像し、得られた撮像画像を制御部へ出力する（ステップＳ１２３）。制御部は、撮像画像と、清掃済み又は新品の載置台３１を予め撮像して得られた基準画像とを比較することにより、載置台３１上の付着物の有無を検出する（ステップＳ１２４）。制御部は、撮像画像から付着物が再び検出された場合（ステップＳ１２５：Ｙｅｓ）、真空処理システムのオペレータにアラートを通知する（ステップＳ１２６）。アラートの通知を受けたオペレータは、処理容器３０を大気開放し、載置台３１の清掃作業を含むメンテナンスを行う。
　また、撮像画像から付着物が検出されない場合（ステップＳ１１３：Ｎｏ、ステップＳ１１７：Ｎｏ、ステップＳ１２１：Ｎｏ、ステップＳ１２５：Ｎｏ）、制御部は、載置台３１を清掃する処理を終了する。このようにして、載置台３１が清掃される。
　ロボットアーム１１１は、載置台３１の清掃が終了すると、アーム部１２１を収縮させて、吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５をケース１０１内部の元の位置に戻す。
　次に、図９Ａ～図９Ｃを参照して、処理容器３０内へ交換用のエッジリング３５を搬入する際の動作の一例を説明する。図９Ａ～図９Ｃは、処理容器３０内へエッジリング３５を搬入する際の動作の一例を説明するための図である。図１０は、搬入後のエッジリング３５の位置を補正する処理の一例を示すフローチャートである。なお、図１０は、図６におけるステップＳ１０６の処理に相当する。
　処理容器３０内へ交換用のエッジリング３５を搬入する場合、図９Ａに示すように、搬送機構１４０は、交換用のエッジリング３５が載置された支持台１０５に対応する高さにフォーク部１４３を移動させる。搬送機構１４０は、アーム部１４１を交換用のエッジリング３５側へ移動させて、フォーク部１４３で交換用のエッジリング３５を保持する。搬送機構１４０は、交換用のエッジリング３５を保持した状態でアーム部１４１を開口部１０１Ａ側へ移動させる。
　次に、図９Ａの破線に示すように、搬送機構１４０は、フォーク部１４３を開口部１０１Ａに対応する高さに移動させる。搬送機構１４０は、アーム部１４１を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介して交換用のエッジリング３５を載置台３１の上方へ運ぶ。
　交換用のエッジリング３５を保持するフォーク部１４３が載置台３１の上方へ到達すると、載置台３１から不図示のリフトピンが突出し、交換用のエッジリング３５がフォーク部１４３からリフトピンへ受け渡される。交換用のエッジリング３５がフォーク部１４３からリフトピンへ受け渡されると、搬送機構１４０は、アーム部１２１を収縮させ、フォーク部１４３をケース１０１内部の元の位置に戻す。交換用のエッジリング３５を支持するリフトピンは下降し、交換用のエッジリング３５は、載置台３１の外周部上に載置される。
　次に、図９Ｂに示すように、ロボットアーム１１１は、ヘッド部１２３を開口部１０１Ａに対応する高さに移動させる。ロボットアーム１１１は、アーム部１２１を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介してヘッド部１２３を載置台３１に接近させる。図１０に示すように、撮像部１１５は、交換用のエッジリング３５と載置台３１の静電チャック３６との間の隙間を周方向の複数の位置それぞれについて撮像する（ステップＳ１３１）。例えば、撮像部１１５は、載置台３１の円周方向に均等な間隔で設定された複数の撮像位置において、交換用のエッジリング３５と載置台３１の静電チャック３６との間の隙間を順次撮像する。
　図１１は、撮像部１１５における撮像位置の一例を示す図である。図１１は、交換用のエッジリング３５及び載置台３１の静電チャック３６を上方からみた上面図に相当する。図８には、円板状に載置台３１の載置面３６ｄが示され、且つ載置面３６ｄの周囲にリング状に交換用のエッジリング３５が示されている。撮像部１１５における撮像位置Ｐは、載置台３１の円周方向に対して、９０度の角度毎に、均等な間隔で４つ設定されている。なお、撮像位置は、載置台３１の円周方向に対して、３つ以下に設定されてよく、５つ以上設定されてもよい。また、撮像部１１５は、交換用のエッジリング３５と載置台３１の静電チャック３６との間の隙間を一括で撮像してもよい。
　図９Ｂに戻る。撮像部１１５は、交換用のエッジリング３５と載置台３１の静電チャック３６との間の隙間を周方向の複数の位置それぞれについて撮像して得られた撮像画像を不図示の制御部へ出力する。図１０に示すように、制御部は、撮像画像と、ずれが無い状態でのエッジリング３５を予め撮像して得られた補正用基準画像とを比較し（ステップＳ１３２）、周方向の複数の位置それぞれについて隙間の幅と基準幅とのずれ量を算出する（ステップＳ１３３）。基準幅とは、例えば、交換用のエッジリング３５の中心と静電チャック３６の中心とが一致する際に予め測定された、隙間の幅である。
　次に、制御部は、算出したずれ量が許容値内であるか否かを判定する（ステップＳ１３４）。制御部は、算出したずれ量が許容値外である場合（ステップＳ１３４：Ｎｏ）、搬送機構１４０を制御して交換用のエッジリング３５の位置を算出したずれ量だけ補正する（ステップＳ１３５）。すなわち、載置台３１から不図示のリフトピンが突出し、交換用のエッジリング３５を載置台３１の上方に配置すると、搬送機構１４０は、図９Ｃに示すように、フォーク部１４３を開口部１０１Ａに対応する高さに移動させる。そして、搬送機構１４０は、アーム部１４１を開口部１０１Ａ側へ伸長させて、開口部１０１Ａを介してフォーク部１４３を交換用のエッジリング３５の下方に移動させる。リフトピンが下降すると、搬送機構１４０は、リフトピン上に支持された交換用のエッジリング３５をフォーク部１４３で受け取る。搬送機構１４０は、算出したずれ量が０となるように、交換用のエッジリング３５を保持した状態でアーム部１４１を水平方向に移動させる。交換用のエッジリング３５が移動してずれ量が０となると、載置台３１からリフトピンが突出し、交換用のエッジリング３５がフォーク部１４３からリフトピンへ受け渡される。交換用のエッジリング３５がフォーク部１４３からリフトピンへ受け渡されると、搬送機構１４０は、アーム部１２１を収縮させ、フォーク部１４３をケース１０１内部の元の位置に戻す。交換用のエッジリング３５を支持するリフトピンは下降し、交換用のエッジリング３５は、載置台３１の外周部上に載置される。ずれ量を補正した後、制御部は、処理をステップＳ１３１に戻し、撮像部１１５により交換用のエッジリング３５と載置台３１の静電チャック３６との間の隙間を撮像して、ずれ量が許容値内であることを確認してもよい（ステップＳ１３１～Ｓ１３４）。また、制御部は、ずれ量が許容値外である場合には、再度、上記のように交換用のエッジリング３５のずれ量が０となるように補正が行われてもよい（ステップＳ１３５）。
　また、制御部は、算出したずれ量が許容値内である場合（ステップＳ１３４：Ｙｅｓ）、処理を終了する。これにより、処理容器３０内への交換用のエッジリング３５を搬入が完了する。
　なお、処理容器３０内へのエッジリング３５の搬入が完了すると、メンテナンス装置１００は、取外ユニットを制御して、第２ゲート９５に蓋体９６を取り付ける。その後、シャッタ部材１０１Ｄが閉じられた状態で、リーク用バルブ１０４Ｄが開かれることによって、第２ケース１０１Ｃが大気開放される。作業者は、このような順序で処理容器３０内のメンテナンスが行われた後、輸送用車両１０２を移動させて、メンテナンス装置１００をプラズマエッチング装置１０から離間させる。なお、メンテナンス装置１００は、制御部９０からの指示又はリモートからの指示に基づき、プラズマエッチング装置１０から自動で離間され、所定の位置まで自動で輸送されるように構成されてもよい。
　このように、実施形態に係るメンテナンス装置１００は、プラズマエッチング装置１０の第２ゲート９５に対応するサイズの開口部１０１Ａが形成され、第２ゲート９５に対して気密に開口部１０１Ａを取り付け可能なケース１０１を有する。また、メンテナンス装置１００は、ケース１０１内部に配置され、開口部１０１Ａを介して処理容器３０内に進入し、処理容器３０内の対象物（一例として、載置台３１）の付着物を吸引する吸引機構１１０を有する。これにより、メンテナンス装置１００は、大気開放することなく処理容器３０内を効率的に清掃することができる。
　また、吸引機構１１０は、先端が開口部１０１Ａを介して処理容器３０内の対象物に接近可能なロボットアーム１１１を有する。また、吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１の先端（一例として、ヘッド部１２３）に設けられ、処理容器３０内の対象物の付着物を吸引する吸引口１１２を有する。これにより、メンテナンス装置１００は、処理容器３０内の対象物近傍で吸引口１１２により付着物を吸引することができる。
　また、吸引口１１２は、処理容器３０内に不活性ガスが供給された状態で、付着物を吸引する。これにより、メンテナンス装置１００は、吸引口１１２により不活性ガスとともに付着物を吸引することができる。
　また、吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１の先端に設けられ、処理容器３０内の対象物に対してガスを供給する供給口１１３をさらに有する。これにより、メンテナンス装置１００は、不活性ガスで処理容器３０内の対象物から付着物を吹き飛ばしつつ、吸引口１１２により不活性ガスとともに付着物を吸引することができる。
　また、吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１の先端に設けられ、処理容器３０内の対象物に対してプラズマ及びレーザの一方又は両方を照射して、処理容器３０内の対象物から付着物を除去する照射部１１４をさらに有する。これにより、メンテナンス装置１００は、処理容器３０内の対象物から除去された付着物を吸引口１１２により吸引することができる。
　また、吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１の先端に設けられ、処理容器３０内の対象物を撮像する撮像部１１５をさらに有する。これにより、メンテナンス装置１００は、付着物の有無の検出に利用される撮像画像を得ることができる。
　また、メンテナンス装置１００は、吸引口１１２に排気管１３１Ａを介して接続された排気装置１３１と、排気管１３１Ａ内を流れる微粒子の数を計測する計測器１３２とをさらに有する。排気装置１３１は、計測器１３２により計測される所定の粒子径区分ごとの微粒子の数と総微粒子数が、予め定められた閾値以下となる場合に、吸引口１１２からの吸引を停止させる。これにより、メンテナンス装置１００は、適切なタイミングで吸引口１１２からの吸引を停止させることができる。
　また、処理容器３０内の対象物は、ウエハＷを載置可能な静電チャック３６とエッジリング３５を載置可能な外周部とを有する載置台３１であり、メンテナンス装置１００は、搬送機構１４０をさらに有する。搬送機構１４０は、ケース１０１内部に配置され、開口部１０１Ａを介して、処理容器３０からのエッジリング３５の搬出、及び処理容器３０内へのエッジリング３５の搬入を行う。これにより、メンテナンス装置１００は、大気開放することなく処理容器３０内を清掃し且つエッジリング３５を交換することができる。
　また、吸引口１１２は、搬送機構１４０によって処理容器３０からエッジリング３５が搬出された状態で、載置台３１の載置部（一例として、静電チャック３６）の外周面の付着物を吸引する。これにより、メンテナンス装置１００は、エッジリング３５が搬出されることで露出する、載置台３１の載置部の外周面を清掃することができる。
　また、搬送機構１４０は、処理容器３０内へ交換用のエッジリング３５を搬入して載置台３１の外周部に載置する。メンテナンス装置１００は、制御部をさらに有する。制御部は、ロボットアーム１１１の先端に設けられた撮像部１１５により交換用のエッジリング３５と載置台３１の載置部との間の隙間を周方向の複数の位置それぞれについて撮像する。制御部は、得られた撮像画像に基づき、周方向の複数の位置それぞれについて隙間の幅と基準幅とのずれ量を算出する。制御部は、搬送機構１４０を制御して、交換用のエッジリング３５の位置を算出したずれ量だけ補正する。これにより、メンテナンス装置１００は、載置台３１の外周部に載置された、交換用のエッジリング３５の位置を適切に補正することができる。
　（変形例）
　上記実施形態では、処理容器３０内の対象物として載置台３１を清掃する場合を例に説明したが、開示技術はこれに限定されない。メンテナンス装置１００は、処理容器３内に位置する部品であれば、載置台３１以外の部品を清掃してもよい。また、制御部は、撮像部１１５により処理容器３０内の部品を撮像して得られた撮像画像と、撮像部１１５により新品の部品を撮像して得られた撮像画像とを比較し、表面状態、形状及びサイズの少なくとも１つに基づき、処理容器３０内の部品の異常を判定してもよい。また、制御部は、処理容器３０内の部品の異常が発生していると判定した場合に、部品交換指示を出力してもよい。
　また、上記実施形態では、消耗部品としてエッジリング３５を交換する場合を例に説明したが、開示技術はこれに限定されない。交換対象の消耗部品は、エッジリング３５の他、エッジリング３５の外周側に配置されるカバーリング（不図示）等であってもよく、ロボットアーム等の搬送機構により処理容器３０内への搬入及び処理容器３０からの搬出が可能な任意の部品であってもよい。
　また、上記実施形態では、吸引機構１１０は、ロボットアーム１１１の先端に吸引口１１２、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５を有する場合を説明したが、供給口１１３、照射部１１４及び撮像部１１５は、吸引口１１２とセットでなくてもよい。例えば、吸引口１１２と供給口１１３、吸引口１１２と照射部１１４、吸引口１１２と撮像部１１５、吸引口１１２と供給口１１３と照射部１１４、吸引口１１２と供給口１１３と撮像部１１５、吸引口１１２と照射部１１４と撮像部１１５の組合せのうち、いずれか一つの組合せがロボットアーム１１１の先端に設けられてもよい。
　また、上記実施形態では、吸引機構１１０と搬送機構１４０の両方がケース１０１内部に設けられる場合を説明したが、開示技術はこれに限られない。例えば、吸引機構１１０のみがケース１０１内部に設けられ、且つ吸引機構１１０のロボットアーム１１１の一部がエッジリング交換用のピックに付け替えられてもよい。また、例えば、吸引機構１１０のみがケース１０１内部に設けられ、且つ吸引機構１１０のロボットアーム１１１にエッジリング交換用のピックが取り付けられてもよい。かかる場合、エッジリング交換用のピックを用いて、エッジリング３５の交換を行ってもよい。なお、ピックの付け替えやピックの取り付けは、作業者によって行われてもよいし、自動交換により実現されてもよい。
　なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１０　プラズマエッチング装置
３０　処理容器
３１　載置台
３５　エッジリング
３６　静電チャック
８４　第１ゲート
９５　第２ゲート
１００　メンテナンス装置
１０１　ケース
１０１Ａ　開口部
１１０　吸引機構
１１１　ロボットアーム
１１２　吸引口
１１３　供給口
１１４　照射部
１１５　撮像部
１３１　排気装置
１３１Ａ　排気管
１３２　計測器
１４０　搬送機構

Claims (12)

  1. 　基板の搬入出に使用される第１ゲート及び第１ゲートとは異なる第２ゲートが処理容器に設けられた真空処理装置の前記第２ゲートに対応するサイズの開口部が形成され、前記第２ゲートに対して気密に前記開口部を取り付け可能なケースと、
    　前記ケース内部を減圧する減圧機構と、
    　前記ケース内部に配置され、前記開口部を介して前記処理容器内に進入し、前記処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引機構と
    　を有する、メンテナンス装置。
  2. 　前記吸引機構は、
    　先端が前記開口部を介して前記処理容器内の対象物に接近可能なアームと、
    　前記アームの先端に設けられ、前記処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引口と
    　を有する、請求項１に記載のメンテナンス装置。
  3. 　前記吸引口は、前記処理容器内に不活性ガスが供給された状態で、前記付着物を吸引する、請求項２に記載のメンテナンス装置。
  4. 　前記吸引機構は、
    　前記アームの先端に設けられ、前記処理容器内の対象物に対してガスを供給する供給口をさらに有する、請求項２又は３に記載のメンテナンス装置。
  5. 　前記吸引機構は、
    　前記アームの先端に設けられ、前記処理容器内の対象物に対してプラズマ及びレーザの一方又は両方を照射して、前記処理容器内の対象物から前記付着物を除去する照射部をさらに有する、請求項２～４のいずれか一つに記載のメンテナンス装置。
  6. 　前記吸引機構は、
    　前記アームの先端に設けられ、前記処理容器内の対象物を撮像する撮像部をさらに有する、請求項２～５のいずれか一つに記載のメンテナンス装置。
  7. 　前記吸引口に排気管を介して接続された排気装置と、
    　前記排気管内を流れる微粒子の数を計測する計測器と
    　をさらに有し、
    　前記排気装置は、前記計測器により計測される微粒子の数が予め定められた閾値以下となる場合に、前記吸引口からの吸引を停止させる、請求項２～６のいずれか一つに記載のメンテナンス装置。
  8. 　前記処理容器内の対象物は、基板を載置可能な載置部とエッジリングを載置可能な外周部とを有する載置台であり、
    　前記ケース内部に配置され、前記開口部を介して、前記処理容器からのエッジリングの搬出、及び前記処理容器内へのエッジリングの搬入を行う搬送機構をさらに有する、請求項２～７のいずれか一つに記載のメンテナンス装置。
  9. 　前記吸引口は、前記搬送機構によって前記処理容器からエッジリングが搬出された状態で、前記載置台の載置部の外周面の付着物を吸引する、請求項８に記載のメンテナンス装置。
  10. 　前記搬送機構は、前記処理容器内へ交換用のエッジリングを搬入して前記載置台の外周部に載置し、
    　前記アームの先端に設けられた撮像部により前記交換用のエッジリングと前記載置台の載置部との間の隙間を周方向の複数の位置それぞれについて撮像し、得られた撮像画像に基づき、周方向の複数の位置それぞれについて前記隙間の幅と基準幅とのずれ量を算出し、前記搬送機構を制御して、前記交換用のエッジリングの位置を算出した前記ずれ量だけ補正する制御部をさらに有する、請求項８又は９に記載のメンテナンス装置。
  11. 　真空処理装置と、メンテナンス装置とを有する真空処理システムであって、
    　前記真空処理装置は、
    　処理容器と、
    　前記処理容器に設けられ、基板の搬入出に使用される第１ゲートと、
    　前記処理容器に設けられ、前記メンテナンス装置が脱着可能に取り付けられる第２ゲートと
    　を有し、
    　前記メンテナンス装置は、
    　前記第２ゲートに対応するサイズの開口部が形成され、前記第２ゲートに対して気密に前記開口部を取り付け可能なケースと、
    　前記ケース内部を減圧する減圧機構と、
    　前記ケース内部に配置され、前記開口部を介して前記処理容器内に進入し、前記処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引機構と
    　を有する、真空処理システム。
  12. 　基板の搬入出に使用される第１ゲート及び第１ゲートとは異なる第２ゲートが処理容器に設けられた真空処理装置の前記第２ゲートに対応するサイズの開口部が形成されたケースであって、前記処理容器内の対象物の付着物を吸引する吸引機構が内部に配置された前記ケースの前記開口部を前記第２ゲートに対して気密に取り付ける工程と、
    　前記ケース内部を減圧機構により減圧する工程と、
    　前記減圧機構により前記ケース内部が減圧された状態で、前記吸引機構を前記開口部を介して前記処理容器内に進入させる工程と、
    　前記処理容器内の対象物の付着物を前記吸引機構により吸引する工程と、
    　を含む、メンテナンス方法。
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