JP2001044177A - 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 - Google Patents
半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法Info
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- JP2001044177A JP2001044177A JP11214867A JP21486799A JP2001044177A JP 2001044177 A JP2001044177 A JP 2001044177A JP 11214867 A JP11214867 A JP 11214867A JP 21486799 A JP21486799 A JP 21486799A JP 2001044177 A JP2001044177 A JP 2001044177A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ステージ上に落下した異物を自動
的に検知して除去しステージ上の異物により発生する装
置的異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッ
チング処理の安定化を図る半導体製造装置およびドライ
エッチング時の異物検査・除去方法を提供することを課
題とする。 【解決手段】 ドライエッチング処理を行う反応室に光
センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａ、赤外線カメラ１ｃ）
を設置し、不活性ガスを噴射するためのノズルおよび当
該ノズルをＥＳＣステージ１３の上方へ移動させるため
のロボットを当該反応室に隣接した室内に設置する。
的に検知して除去しステージ上の異物により発生する装
置的異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッ
チング処理の安定化を図る半導体製造装置およびドライ
エッチング時の異物検査・除去方法を提供することを課
題とする。 【解決手段】 ドライエッチング処理を行う反応室に光
センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａ、赤外線カメラ１ｃ）
を設置し、不活性ガスを噴射するためのノズルおよび当
該ノズルをＥＳＣステージ１３の上方へ移動させるため
のロボットを当該反応室に隣接した室内に設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
係り、特にステージ上に落下した異物を自動的に検知し
て除去しステージ上の異物により発生する装置的異常に
主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング処理
の安定化を図る半導体製造装置およびドライエッチング
時の異物検査・除去方法に関する。
係り、特にステージ上に落下した異物を自動的に検知し
て除去しステージ上の異物により発生する装置的異常に
主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング処理
の安定化を図る半導体製造装置およびドライエッチング
時の異物検査・除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工程においては、製
造中の異物（ゴミ）を極力排除しなくてはならない。ウ
ェハー上の異物排除は当然であるが、デバイス製造中の
装置に異物が付着する場合でも、設計通りに製造加工が
行われず、歩留まりを低下させる原因の１つになる。異
物が発生して製造装置のステージに付着する原因は様々
であるが、付着原因の１つは、半導体デバイス製造工程
中の製造装置に起因するものである。
造中の異物（ゴミ）を極力排除しなくてはならない。ウ
ェハー上の異物排除は当然であるが、デバイス製造中の
装置に異物が付着する場合でも、設計通りに製造加工が
行われず、歩留まりを低下させる原因の１つになる。異
物が発生して製造装置のステージに付着する原因は様々
であるが、付着原因の１つは、半導体デバイス製造工程
中の製造装置に起因するものである。
【０００３】例えば、半導体デバイス製造工程中に異物
を発生するような製造装置の１つにドライエッチング装
置がある。図６は従来の一般的なドライエッチング装置
の反応室内の断面図である。図６において、８ｐは下部
電極、９ｐはフォーカスリング、１０ｐは上部電極、１
１ｐはシールドリング、１２ｐはウェハー、１３ｐはＥ
ＳＣステージ、１４ｐはガス孔、１５ｐは冷却用Ｈｅ
（ヘリウム）ガス導入配管を示している。図６に示すド
ライエッチング装置は、デバイス製造にあたり不必要な
膜を除去するために、導入したプロセス用ガスに高電圧
を印加してプラズマを発生させ、プロセスガスを活性な
状態にして膜と反応させて除去（エッチング）するもの
である。このようなドライエッチング装置では、エッチ
ングの進行過程において生じる反応生成物はプロセスガ
スと共に排気されるように構成されている。
を発生するような製造装置の１つにドライエッチング装
置がある。図６は従来の一般的なドライエッチング装置
の反応室内の断面図である。図６において、８ｐは下部
電極、９ｐはフォーカスリング、１０ｐは上部電極、１
１ｐはシールドリング、１２ｐはウェハー、１３ｐはＥ
ＳＣステージ、１４ｐはガス孔、１５ｐは冷却用Ｈｅ
（ヘリウム）ガス導入配管を示している。図６に示すド
ライエッチング装置は、デバイス製造にあたり不必要な
膜を除去するために、導入したプロセス用ガスに高電圧
を印加してプラズマを発生させ、プロセスガスを活性な
状態にして膜と反応させて除去（エッチング）するもの
である。このようなドライエッチング装置では、エッチ
ングの進行過程において生じる反応生成物はプロセスガ
スと共に排気されるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術には以下に掲げる問題点があった。まず第１に、実際
の半導体デバイス製造工程においては反応生成物のすべ
てが排気されるわけではなく、反応生成物の一部は堆積
物となってウェハー１２ｐ上または装置内部の部品など
に付着し、ウェハー１２ｐ上または装置内部の部品など
に付着した堆積物は繰り返しプラズマに晒されているう
ちに一部がエッチングされ、落下する場合があり、特
に、上部電極１０ｐまたは下部電極８ｐ周辺に付着した
堆積物はＥＳＣステージ１３ｐ上に落下して異物とな
り、このような異物は目視で確認でき、ウェハー１２ｐ
とＥＳＣステージ１３ｐの密着性を悪化させるに十分な
大きさを持つものが少なくないという問題点があった。
また第２に、ＥＳＣステージ１３ｐ上に落下した異物
が、しばしば、エッチング処理時にウェハー吸着異常、
ウェハー温度制御異常を引き起こし、製品異常を発生さ
せるという問題があった。そして第３に、上記製品異常
から装置を正常状態へ回復させるために、量産装置とし
ては長時間の損失が生じるという問題点があった。その
理由は、従来のドライエッチング装置では、ＥＳＣステ
ージ１３ｐ上に落下した異物は、エッチング処理時の装
置的な異常または製品的な異常により検知されるまで、
確認する方法が無く、その除去には、真空反応室を大気
開放し人為的に清掃を行う他に方法が無いからである。
術には以下に掲げる問題点があった。まず第１に、実際
の半導体デバイス製造工程においては反応生成物のすべ
てが排気されるわけではなく、反応生成物の一部は堆積
物となってウェハー１２ｐ上または装置内部の部品など
に付着し、ウェハー１２ｐ上または装置内部の部品など
に付着した堆積物は繰り返しプラズマに晒されているう
ちに一部がエッチングされ、落下する場合があり、特
に、上部電極１０ｐまたは下部電極８ｐ周辺に付着した
堆積物はＥＳＣステージ１３ｐ上に落下して異物とな
り、このような異物は目視で確認でき、ウェハー１２ｐ
とＥＳＣステージ１３ｐの密着性を悪化させるに十分な
大きさを持つものが少なくないという問題点があった。
また第２に、ＥＳＣステージ１３ｐ上に落下した異物
が、しばしば、エッチング処理時にウェハー吸着異常、
ウェハー温度制御異常を引き起こし、製品異常を発生さ
せるという問題があった。そして第３に、上記製品異常
から装置を正常状態へ回復させるために、量産装置とし
ては長時間の損失が生じるという問題点があった。その
理由は、従来のドライエッチング装置では、ＥＳＣステ
ージ１３ｐ上に落下した異物は、エッチング処理時の装
置的な異常または製品的な異常により検知されるまで、
確認する方法が無く、その除去には、真空反応室を大気
開放し人為的に清掃を行う他に方法が無いからである。
【０００５】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、ステージ上に落下
した異物を自動的に検知して除去しステージ上の異物に
より発生する装置的異常に主因する異常エッチングを未
然に防止しエッチング処理の安定化を図る半導体製造装
置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法を提
供する点にある。
のであり、その目的とするところは、ステージ上に落下
した異物を自動的に検知して除去しステージ上の異物に
より発生する装置的異常に主因する異常エッチングを未
然に防止しエッチング処理の安定化を図る半導体製造装
置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法を提
供する点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明の
要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的に検知して
除去しステージ上の異物により発生する装置的異常に主
因する異常エッチングを未然に防止しエッチング処理の
安定化を図る半導体製造装置であって、ドライエッチン
グ処理を行う反応室に設けられた光センサーと、不活性
ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノ
ズルと、前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活
性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるため
の不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前
記ステージ上に落下した異物を前記光センサーを用いて
自動的に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロ
ボットアームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルを
ステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルか
ら前記不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知
した異物を除去する装置のコントローラを有することを
特徴とする半導体製造装置に存する。また、請求項２に
記載の発明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理され
て前記ステージから脱離する毎に、または連続して複数
枚の各ウェハーがエッチング処理されて前記ステージか
ら脱離する毎に、反応室内に取り付けられた前記光セン
サーを用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ
上に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前
記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動
し、不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記
ステージを前記光センサーを用いてスキャンし、異物が
ガスの噴射により前記ステージから除去できたか否かを
検査する異物検査・除去処理を実行するように構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置に存する。また、請求項３に記載の発明の要旨は、ス
テージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステ
ージ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常
エッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図
る半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行
う反応室に設けられたＣＣＤカメラと、不活性ガスをス
テージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、
前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前記ステー
ジ上に落下した異物を前記ＣＣＤカメラを用いて自動的
に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボット
アームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルをステー
ジの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記
不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知した異
物を除去する装置のコントローラを有することを特徴と
する半導体製造装置に存する。また、請求項４に記載の
発明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラ
を用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ上に
異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前記不
活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動し、
不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して噴射
し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステ
ージを前記ＣＣＤカメラを用いてスキャンし、異物がガ
スの噴射により前記ステージから除去できたか否かを検
査する異物検査・除去処理を実行するように構成されて
いることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置
に存する。また、請求項５に記載の発明の要旨は、ステ
ージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステー
ジ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常エ
ッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図る
半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行う
反応室に設けられた赤外線カメラと、不活性ガスをステ
ージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、前
記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴射
用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性ガ
ス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前記ステージ
上に落下した異物を前記赤外線カメラを用いて自動的に
検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットア
ームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルをステージ
の上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記不
活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知した異物
を除去する装置のコントローラを有することを特徴とす
る半導体製造装置に存する。また、請求項６に記載の発
明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理されて前記ス
テージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各ウ
ェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離す
る毎に、反応室内に取り付けられた前記赤外線カメラを
用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ上に異
物が検知された時は、反応室に取り付けられた前記不活
性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動し、不
活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して噴射
し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステ
ージを前記赤外線カメラを用いてスキャンし、異物がガ
スの噴射により前記ステージから除去できたか否かを検
査する異物検査・除去処理を実行するように構成されて
いることを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置
に存する。また、請求項７に記載の発明の要旨は、ステ
ージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステー
ジ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常エ
ッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図る
半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行う
反応室に設けられたＣＣＤカメラおよび赤外線カメラ
と、不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガ
ス噴射用ノズルと、前記反応室に隣接した室内に設置さ
れ前記不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動
させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットア
ームと、前記ステージ上に落下した異物を前記ＣＣＤカ
メラおよび赤外線カメラを用いて自動的に検知し、前記
不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操作し
て前記不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動
し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記不活性ガスを当
該ステージ上に噴射して当該検知した異物を除去する装
置のコントローラを有することを特徴とする半導体製造
装置に存する。また、請求項８に記載の発明の要旨は、
各ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて前記ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラおよび赤外線カ
メラを用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ
上に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前
記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動
し、不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記
ステージを前記ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用い
てスキャンし、異物がガスの噴射により前記ステージか
ら除去できたか否かを検査する異物検査・除去処理を実
行するように構成されていることを特徴とする請求項７
に記載の半導体製造装置に存する。また、請求項９に記
載の発明の要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的
に検知して除去しステージ上の異物により発生する装置
的異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチ
ング処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査
・除去方法であって、ドライエッチング処理を行う反応
室に設けられた光センサーと、不活性ガスをステージ上
に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、当該反応
室に隣接した室内に設置され当該不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動させるための不活性ガス噴射
用ノズル移動用ロボットアームと、当該ステージ上に落
下した異物を当該光センサーを用いて自動的に検知し、
当該不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操
作して当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ
移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから当該不活性ガス
を当該ステージ上に噴射して当該検知した異物を除去す
る装置のコントローラを有する半導体製造装置に対し
て、各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージか
ら脱離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーが
エッチング処理されて当該ステージから脱離する毎に、
反応室内に取り付けられた当該光センサーを用いて当該
ステージをスキャンし、当該ステージ上に異物が検知さ
れた時は、反応室に取り付けられた当該不活性ガス噴射
用ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活性ガスを
当該ステージに所定時間以上連続して噴射し、当該不活
性ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージを当該光
センサーを用いてスキャンし、異物がガスの噴射により
当該ステージから除去できたか否かを検査する異物検査
・除去処理を、異物が当該ステージ上から検知されなく
なるまで繰り返し、所定回だけガス噴射を繰り返しても
異物が当該ステージから除去されずに当該光センサーを
用いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に装
置異常として装置を停止することを特徴とするドライエ
ッチング時の異物検査・除去方法に存する。また、請求
項１０に記載の発明の要旨は、ステージ上に落下した異
物を自動的に検知して除去しステージ上の異物により発
生する装置的異常に主因する異常エッチングを未然に防
止しエッチング処理の安定化を図るドライエッチング時
の異物検査・除去方法であって、ドライエッチング処理
を行う反応室に設けられたＣＣＤカメラと、不活性ガス
をステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズル
と、当該反応室に隣接した室内に設置され当該不活性ガ
ス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不
活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、当該ス
テージ上に落下した異物を当該ＣＣＤカメラを用いて自
動的に検知し、当該不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームを操作して当該不活性ガス噴射用ノズルをス
テージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから
当該不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知し
た異物を除去する装置のコントローラを有する半導体製
造装置に対して、各ウェハーがエッチング処理されて当
該ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の
各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、反応室内に取り付けられた当該ＣＣＤカメ
ラを用いて当該ステージをスキャンし、当該ステージ上
に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた当該
不活性ガス噴射用ノズルが当該ステージの上方に移動
し、不活性ガスを当該ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び当該
ステージを当該ＣＣＤカメラを用いてスキャンし、異物
がガスの噴射により当該ステージから除去できたか否か
を検査する異物検査・除去処理を、異物が当該ステージ
上から検知されなくなるまで繰り返し、所定回だけガス
噴射を繰り返しても異物が当該ステージから除去されず
に当該ＣＣＤカメラを用いて検知される時は一定の回数
まで繰り返した後に装置異常として装置を停止すること
を特徴とするドライエッチング時の異物検査・除去方法
に存する。また、請求項１１に記載の発明の要旨は、ス
テージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステ
ージ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常
エッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図
るドライエッチング時の異物検査・除去方法であって、
ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた赤外線
カメラと、不活性ガスをステージ上に噴射するための不
活性ガス噴射用ノズルと、当該反応室に隣接した室内に
設置され当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方
へ移動させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームと、当該ステージ上に落下した異物を当該赤
外線カメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴
射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不活性
ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不活性
ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステージ上
に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコントロ
ーラを有する半導体製造装置に対して、各ウェハーがエ
ッチング処理されて当該ステージから脱離する毎に、ま
たは連続して複数枚の各ウェハーがエッチング処理され
て当該ステージから脱離する毎に、反応室内に取り付け
られた当該赤外線カメラを用いて当該ステージをスキャ
ンし、当該ステージ上に異物が検知された時は、反応室
に取り付けられた当該不活性ガス噴射用ノズルが当該ス
テージの上方に移動し、不活性ガスを当該ステージに所
定時間以上連続して噴射し、当該不活性ガスの噴射が終
了した後、再び当該ステージを当該赤外線カメラを用い
てスキャンし、異物がガスの噴射により当該ステージか
ら除去できたか否かを検査する異物検査・除去処理を、
異物が当該ステージ上から検知されなくなるまで繰り返
し、所定回だけガス噴射を繰り返しても異物が当該ステ
ージから除去されずに当該赤外線カメラを用いて検知さ
れる時は一定の回数まで繰り返した後に装置異常として
装置を停止することを特徴とするドライエッチング時の
異物検査・除去方法に存する。また、請求項１２に記載
の発明の要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的に
検知して除去しステージ上の異物により発生する装置的
異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチン
グ処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・
除去方法であって、ドライエッチング処理を行う反応室
に設けられたＣＣＤカメラおよび赤外線カメラと、不活
性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用
ノズルと、当該反応室に隣接した室内に設置され当該不
活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるた
めの不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、
当該ステージ上に落下した異物を当該ＣＣＤカメラおよ
び赤外線カメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガ
ス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不
活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不
活性ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステー
ジ上に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコン
トローラを有する半導体製造装置に対して、各ウェハー
がエッチング処理されて当該ステージから脱離する毎
に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッチング処
理されて当該ステージから脱離する毎に、反応室内に取
り付けられた当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用
いて当該ステージをスキャンし、当該ステージ上に異物
が検知された時は、反応室に取り付けられた当該不活性
ガス噴射用ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活
性ガスを当該ステージに所定時間以上連続して噴射し、
当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージ
を当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用いてスキャ
ンし、異物がガスの噴射により当該ステージから除去で
きたか否かを検査する異物検査・除去処理を、異物が当
該ステージ上から検知されなくなるまで繰り返し、所定
回だけガス噴射を繰り返しても異物が当該ステージから
除去されずに当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用
いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に装置
異常として装置を停止することを特徴とするドライエッ
チング時の異物検査・除去方法に存する。
要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的に検知して
除去しステージ上の異物により発生する装置的異常に主
因する異常エッチングを未然に防止しエッチング処理の
安定化を図る半導体製造装置であって、ドライエッチン
グ処理を行う反応室に設けられた光センサーと、不活性
ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノ
ズルと、前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活
性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるため
の不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前
記ステージ上に落下した異物を前記光センサーを用いて
自動的に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロ
ボットアームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルを
ステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルか
ら前記不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知
した異物を除去する装置のコントローラを有することを
特徴とする半導体製造装置に存する。また、請求項２に
記載の発明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理され
て前記ステージから脱離する毎に、または連続して複数
枚の各ウェハーがエッチング処理されて前記ステージか
ら脱離する毎に、反応室内に取り付けられた前記光セン
サーを用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ
上に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前
記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動
し、不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記
ステージを前記光センサーを用いてスキャンし、異物が
ガスの噴射により前記ステージから除去できたか否かを
検査する異物検査・除去処理を実行するように構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置に存する。また、請求項３に記載の発明の要旨は、ス
テージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステ
ージ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常
エッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図
る半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行
う反応室に設けられたＣＣＤカメラと、不活性ガスをス
テージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、
前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前記ステー
ジ上に落下した異物を前記ＣＣＤカメラを用いて自動的
に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボット
アームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルをステー
ジの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記
不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知した異
物を除去する装置のコントローラを有することを特徴と
する半導体製造装置に存する。また、請求項４に記載の
発明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラ
を用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ上に
異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前記不
活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動し、
不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して噴射
し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステ
ージを前記ＣＣＤカメラを用いてスキャンし、異物がガ
スの噴射により前記ステージから除去できたか否かを検
査する異物検査・除去処理を実行するように構成されて
いることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置
に存する。また、請求項５に記載の発明の要旨は、ステ
ージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステー
ジ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常エ
ッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図る
半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行う
反応室に設けられた赤外線カメラと、不活性ガスをステ
ージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、前
記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴射
用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性ガ
ス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、前記ステージ
上に落下した異物を前記赤外線カメラを用いて自動的に
検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットア
ームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズルをステージ
の上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記不
活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知した異物
を除去する装置のコントローラを有することを特徴とす
る半導体製造装置に存する。また、請求項６に記載の発
明の要旨は、各ウェハーがエッチング処理されて前記ス
テージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各ウ
ェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離す
る毎に、反応室内に取り付けられた前記赤外線カメラを
用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ上に異
物が検知された時は、反応室に取り付けられた前記不活
性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動し、不
活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して噴射
し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステ
ージを前記赤外線カメラを用いてスキャンし、異物がガ
スの噴射により前記ステージから除去できたか否かを検
査する異物検査・除去処理を実行するように構成されて
いることを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置
に存する。また、請求項７に記載の発明の要旨は、ステ
ージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステー
ジ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常エ
ッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図る
半導体製造装置であって、ドライエッチング処理を行う
反応室に設けられたＣＣＤカメラおよび赤外線カメラ
と、不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガ
ス噴射用ノズルと、前記反応室に隣接した室内に設置さ
れ前記不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動
させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットア
ームと、前記ステージ上に落下した異物を前記ＣＣＤカ
メラおよび赤外線カメラを用いて自動的に検知し、前記
不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操作し
て前記不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動
し当該不活性ガス噴射用ノズルから前記不活性ガスを当
該ステージ上に噴射して当該検知した異物を除去する装
置のコントローラを有することを特徴とする半導体製造
装置に存する。また、請求項８に記載の発明の要旨は、
各ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて前記ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラおよび赤外線カ
メラを用いて前記ステージをスキャンし、前記ステージ
上に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた前
記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージの上方に移動
し、不活性ガスを前記ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記
ステージを前記ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用い
てスキャンし、異物がガスの噴射により前記ステージか
ら除去できたか否かを検査する異物検査・除去処理を実
行するように構成されていることを特徴とする請求項７
に記載の半導体製造装置に存する。また、請求項９に記
載の発明の要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的
に検知して除去しステージ上の異物により発生する装置
的異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチ
ング処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査
・除去方法であって、ドライエッチング処理を行う反応
室に設けられた光センサーと、不活性ガスをステージ上
に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、当該反応
室に隣接した室内に設置され当該不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動させるための不活性ガス噴射
用ノズル移動用ロボットアームと、当該ステージ上に落
下した異物を当該光センサーを用いて自動的に検知し、
当該不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操
作して当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ
移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから当該不活性ガス
を当該ステージ上に噴射して当該検知した異物を除去す
る装置のコントローラを有する半導体製造装置に対し
て、各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージか
ら脱離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーが
エッチング処理されて当該ステージから脱離する毎に、
反応室内に取り付けられた当該光センサーを用いて当該
ステージをスキャンし、当該ステージ上に異物が検知さ
れた時は、反応室に取り付けられた当該不活性ガス噴射
用ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活性ガスを
当該ステージに所定時間以上連続して噴射し、当該不活
性ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージを当該光
センサーを用いてスキャンし、異物がガスの噴射により
当該ステージから除去できたか否かを検査する異物検査
・除去処理を、異物が当該ステージ上から検知されなく
なるまで繰り返し、所定回だけガス噴射を繰り返しても
異物が当該ステージから除去されずに当該光センサーを
用いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に装
置異常として装置を停止することを特徴とするドライエ
ッチング時の異物検査・除去方法に存する。また、請求
項１０に記載の発明の要旨は、ステージ上に落下した異
物を自動的に検知して除去しステージ上の異物により発
生する装置的異常に主因する異常エッチングを未然に防
止しエッチング処理の安定化を図るドライエッチング時
の異物検査・除去方法であって、ドライエッチング処理
を行う反応室に設けられたＣＣＤカメラと、不活性ガス
をステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用ノズル
と、当該反応室に隣接した室内に設置され当該不活性ガ
ス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不
活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、当該ス
テージ上に落下した異物を当該ＣＣＤカメラを用いて自
動的に検知し、当該不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームを操作して当該不活性ガス噴射用ノズルをス
テージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズルから
当該不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検知し
た異物を除去する装置のコントローラを有する半導体製
造装置に対して、各ウェハーがエッチング処理されて当
該ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の
各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、反応室内に取り付けられた当該ＣＣＤカメ
ラを用いて当該ステージをスキャンし、当該ステージ上
に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた当該
不活性ガス噴射用ノズルが当該ステージの上方に移動
し、不活性ガスを当該ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び当該
ステージを当該ＣＣＤカメラを用いてスキャンし、異物
がガスの噴射により当該ステージから除去できたか否か
を検査する異物検査・除去処理を、異物が当該ステージ
上から検知されなくなるまで繰り返し、所定回だけガス
噴射を繰り返しても異物が当該ステージから除去されず
に当該ＣＣＤカメラを用いて検知される時は一定の回数
まで繰り返した後に装置異常として装置を停止すること
を特徴とするドライエッチング時の異物検査・除去方法
に存する。また、請求項１１に記載の発明の要旨は、ス
テージ上に落下した異物を自動的に検知して除去しステ
ージ上の異物により発生する装置的異常に主因する異常
エッチングを未然に防止しエッチング処理の安定化を図
るドライエッチング時の異物検査・除去方法であって、
ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた赤外線
カメラと、不活性ガスをステージ上に噴射するための不
活性ガス噴射用ノズルと、当該反応室に隣接した室内に
設置され当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方
へ移動させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームと、当該ステージ上に落下した異物を当該赤
外線カメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴
射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不活性
ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不活性
ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステージ上
に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコントロ
ーラを有する半導体製造装置に対して、各ウェハーがエ
ッチング処理されて当該ステージから脱離する毎に、ま
たは連続して複数枚の各ウェハーがエッチング処理され
て当該ステージから脱離する毎に、反応室内に取り付け
られた当該赤外線カメラを用いて当該ステージをスキャ
ンし、当該ステージ上に異物が検知された時は、反応室
に取り付けられた当該不活性ガス噴射用ノズルが当該ス
テージの上方に移動し、不活性ガスを当該ステージに所
定時間以上連続して噴射し、当該不活性ガスの噴射が終
了した後、再び当該ステージを当該赤外線カメラを用い
てスキャンし、異物がガスの噴射により当該ステージか
ら除去できたか否かを検査する異物検査・除去処理を、
異物が当該ステージ上から検知されなくなるまで繰り返
し、所定回だけガス噴射を繰り返しても異物が当該ステ
ージから除去されずに当該赤外線カメラを用いて検知さ
れる時は一定の回数まで繰り返した後に装置異常として
装置を停止することを特徴とするドライエッチング時の
異物検査・除去方法に存する。また、請求項１２に記載
の発明の要旨は、ステージ上に落下した異物を自動的に
検知して除去しステージ上の異物により発生する装置的
異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチン
グ処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・
除去方法であって、ドライエッチング処理を行う反応室
に設けられたＣＣＤカメラおよび赤外線カメラと、不活
性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴射用
ノズルと、当該反応室に隣接した室内に設置され当該不
活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動させるた
めの不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、
当該ステージ上に落下した異物を当該ＣＣＤカメラおよ
び赤外線カメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガ
ス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不
活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不
活性ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステー
ジ上に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコン
トローラを有する半導体製造装置に対して、各ウェハー
がエッチング処理されて当該ステージから脱離する毎
に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッチング処
理されて当該ステージから脱離する毎に、反応室内に取
り付けられた当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用
いて当該ステージをスキャンし、当該ステージ上に異物
が検知された時は、反応室に取り付けられた当該不活性
ガス噴射用ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活
性ガスを当該ステージに所定時間以上連続して噴射し、
当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージ
を当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用いてスキャ
ンし、異物がガスの噴射により当該ステージから除去で
きたか否かを検査する異物検査・除去処理を、異物が当
該ステージ上から検知されなくなるまで繰り返し、所定
回だけガス噴射を繰り返しても異物が当該ステージから
除去されずに当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用
いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に装置
異常として装置を停止することを特徴とするドライエッ
チング時の異物検査・除去方法に存する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に示す各実施の形態の特徴
は、ドライエッチング処理を行う反応室に光センサー
（ＣＣＤカメラ、赤外線カメラ）を設置し、不活性ガス
を噴射するためのノズルおよび当該ノズルをＥＳＣステ
ージ（ステージ）の上方へ移動させるためのノズル移動
用ロボットアームを当該反応室に隣接した室内に設置す
ることにより、ＥＳＣステージ（ステージ）上に落下し
た異物を自動的に検知して除去できることにある。以
下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。
は、ドライエッチング処理を行う反応室に光センサー
（ＣＣＤカメラ、赤外線カメラ）を設置し、不活性ガス
を噴射するためのノズルおよび当該ノズルをＥＳＣステ
ージ（ステージ）の上方へ移動させるためのノズル移動
用ロボットアームを当該反応室に隣接した室内に設置す
ることにより、ＥＳＣステージ（ステージ）上に落下し
た異物を自動的に検知して除去できることにある。以
下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。
【０００８】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。図１において、１ａはＣＣＤカメ
ラ、１ｂは不活性ガス噴射用ノズル、２はバルブ、３は
ノズル移動用ロボットアーム、４はケーブル、５はコン
ピュータ、６は装置のコントローラ、７はケーブル、８
は下部電極、９はフォーカスリング、１０は上部電極、
１１はシールドリング、１２はウェハー、１３はＥＳＣ
ステージ、１４はガス孔、１５は冷却用Ｈｅ（ヘリウ
ム）ガス導入配管、３０は平行平板型リアクティブイオ
ンエッチング装置（半導体製造装置）を示している。図
１を参照すると、本実施の形態の平行平板型リアクティ
ブイオンエッチング装置３０は、酸化膜をエッチングす
るための半導体製造装置であって、ＣＣＤカメラ１ａ、
不活性ガス噴射用ノズル１ｂ、バルブ２、ノズル移動用
ロボットアーム３、ケーブル４、コンピュータ５、装置
のコントローラ６、ケーブル７、下部電極８、フォーカ
スリング９、上部電極１０、シールドリング１１、ウェ
ハー１２、ＥＳＣステージ１３（ステージ）、ガス孔１
４、冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を備えて
いる。
１の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。図１において、１ａはＣＣＤカメ
ラ、１ｂは不活性ガス噴射用ノズル、２はバルブ、３は
ノズル移動用ロボットアーム、４はケーブル、５はコン
ピュータ、６は装置のコントローラ、７はケーブル、８
は下部電極、９はフォーカスリング、１０は上部電極、
１１はシールドリング、１２はウェハー、１３はＥＳＣ
ステージ、１４はガス孔、１５は冷却用Ｈｅ（ヘリウ
ム）ガス導入配管、３０は平行平板型リアクティブイオ
ンエッチング装置（半導体製造装置）を示している。図
１を参照すると、本実施の形態の平行平板型リアクティ
ブイオンエッチング装置３０は、酸化膜をエッチングす
るための半導体製造装置であって、ＣＣＤカメラ１ａ、
不活性ガス噴射用ノズル１ｂ、バルブ２、ノズル移動用
ロボットアーム３、ケーブル４、コンピュータ５、装置
のコントローラ６、ケーブル７、下部電極８、フォーカ
スリング９、上部電極１０、シールドリング１１、ウェ
ハー１２、ＥＳＣステージ１３（ステージ）、ガス孔１
４、冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を備えて
いる。
【０００９】本実施の形態において、ＣＣＤカメラ１ａ
は、反応室側壁にＥＳＣステージ１３（ステージ）より
も上方に位置するように固定されている。不活性ガス噴
射用ノズル１ｂは、バルブ２を隔てて反応室に隣接した
室内のノズル移動用ロボットアーム３に固定されてい
る。バルブ２は、通常、反応室内でエッチング処理が行
われている時は閉まっており、不活性ガス噴射用ノズル
１ｂおよびノズル移動用ロボットアーム３が反応室内の
影響を受けないようになっている。不活性ガス噴射用ノ
ズル１ｂは、バルブ２の開閉、ノズル移動用ロボットア
ーム３の伸縮・回転運動により、ＥＳＣステージ１３
（ステージ）の上方へ移動可能である。ＣＣＤカメラ１
ａは、ケーブル４によりコンピュータ５に接続されてお
り、ＣＣＤカメラ１ａが取り込んだ画像データはコンピ
ュータ５により処理され、不活性ガス噴射の実行の合否
が判定される。また、コンピュータ５は、装置のコント
ローラ６へケーブル７により接続されており、コンピュ
ータ５で判定された信号は、装置のコントローラ６へ送
信される。装置のコントローラ６は、判定された信号を
受信後、バルブ２を開け、ノズル移動用ロボットアーム
３の駆動および不活性ガスの噴射を実行する。下部電極
８の周りはフォーカスリング９により覆われ、上部電極
１０には、シールドリング１１が固定されている。フォ
ーカスリング９およびシールドリング１１は発生したプ
ラズマを安定に保つもので、通常石英やセラミックなど
の絶縁物をその材料とする。
は、反応室側壁にＥＳＣステージ１３（ステージ）より
も上方に位置するように固定されている。不活性ガス噴
射用ノズル１ｂは、バルブ２を隔てて反応室に隣接した
室内のノズル移動用ロボットアーム３に固定されてい
る。バルブ２は、通常、反応室内でエッチング処理が行
われている時は閉まっており、不活性ガス噴射用ノズル
１ｂおよびノズル移動用ロボットアーム３が反応室内の
影響を受けないようになっている。不活性ガス噴射用ノ
ズル１ｂは、バルブ２の開閉、ノズル移動用ロボットア
ーム３の伸縮・回転運動により、ＥＳＣステージ１３
（ステージ）の上方へ移動可能である。ＣＣＤカメラ１
ａは、ケーブル４によりコンピュータ５に接続されてお
り、ＣＣＤカメラ１ａが取り込んだ画像データはコンピ
ュータ５により処理され、不活性ガス噴射の実行の合否
が判定される。また、コンピュータ５は、装置のコント
ローラ６へケーブル７により接続されており、コンピュ
ータ５で判定された信号は、装置のコントローラ６へ送
信される。装置のコントローラ６は、判定された信号を
受信後、バルブ２を開け、ノズル移動用ロボットアーム
３の駆動および不活性ガスの噴射を実行する。下部電極
８の周りはフォーカスリング９により覆われ、上部電極
１０には、シールドリング１１が固定されている。フォ
ーカスリング９およびシールドリング１１は発生したプ
ラズマを安定に保つもので、通常石英やセラミックなど
の絶縁物をその材料とする。
【００１０】次に平行平板型リアクティブイオンエッチ
ング装置３０（半導体製造装置）の動作（方法）につい
て説明する。図１を参照すると、平行平板型リアクティ
ブイオンエッチング装置３０（半導体製造装置）では、
まず、ＣＶＤ（化学的気相成長薄膜形成）法を用いて酸
化膜を１μｍ程度成長させた後にレジストパターニング
したものサンプルウェハーとして作成する。次いで、圧
力を５００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを８５０Ｗ、ＣＨＦ
３のガス流量を３０ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガスのガス流量を
１０ｓｃｃｍ、Ａｒガスのガス流量を２００ｓｃｃｍ、
上部電極１０の温度を４０℃、反応室側壁温度を４０
℃、下部電極８の温度を１０℃、ウェハーエッジ側のウ
ェハー裏面冷却用Ｈｅガスのガス圧を８Ｔｏｒｒ、セン
ター側のウェハー裏面冷却用Ｈｅガスのガス圧を５Ｔｏ
ｒｒ、２分の条件で、このサンプルウェハーのエッチン
グを行う。
ング装置３０（半導体製造装置）の動作（方法）につい
て説明する。図１を参照すると、平行平板型リアクティ
ブイオンエッチング装置３０（半導体製造装置）では、
まず、ＣＶＤ（化学的気相成長薄膜形成）法を用いて酸
化膜を１μｍ程度成長させた後にレジストパターニング
したものサンプルウェハーとして作成する。次いで、圧
力を５００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを８５０Ｗ、ＣＨＦ
３のガス流量を３０ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガスのガス流量を
１０ｓｃｃｍ、Ａｒガスのガス流量を２００ｓｃｃｍ、
上部電極１０の温度を４０℃、反応室側壁温度を４０
℃、下部電極８の温度を１０℃、ウェハーエッジ側のウ
ェハー裏面冷却用Ｈｅガスのガス圧を８Ｔｏｒｒ、セン
ター側のウェハー裏面冷却用Ｈｅガスのガス圧を５Ｔｏ
ｒｒ、２分の条件で、このサンプルウェハーのエッチン
グを行う。
【００１１】このとき、各ウェハー１２がエッチング処
理されてＥＳＣステージ１３（ステージ）から脱離する
毎に、または連続して複数枚のウェハー１２がエッチン
グ処理されてＥＳＣステージ１３（ステージ）から脱離
する毎に、ＥＳＣステージ１３（ステージ）は、反応室
内に取り付けられたＣＣＤカメラ１ａを用いてスキャン
される。そして、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に
異物が検知された時は、反応室に取り付けられた不活性
ガス噴射用ノズル１ｂがＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）の上方に移動し、不活性ガス（例えば、Ｎ２ガスや
Ｈｅなどの不活性ガス、Ｎｅ、Ａｒなどの希ガスなど）
をＥＳＣステージ１３（ステージ）に１０秒以上連続し
て噴射する。次いで、不活性ガスの噴射が終了した後、
再びＥＳＣステージ１３（ステージ）をＣＣＤカメラ１
ａを用いてスキャンし、異物がガスの噴射によりＥＳＣ
ステージ１３（ステージ）から除去できたか否かを検査
する。以上の動作を、異物がＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）上から検知されなくなるまで繰り返した後に、次
の処理対象のウェハー１２をＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）上へ搬送し、エッチングを開始する。複数回、ガ
ス噴射を繰り返しても異物がＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）から除去されずに、ＣＣＤカメラ１ａを用いて検
知される時は、一定の回数まで繰り返した後に装置異常
として装置を停止する。
理されてＥＳＣステージ１３（ステージ）から脱離する
毎に、または連続して複数枚のウェハー１２がエッチン
グ処理されてＥＳＣステージ１３（ステージ）から脱離
する毎に、ＥＳＣステージ１３（ステージ）は、反応室
内に取り付けられたＣＣＤカメラ１ａを用いてスキャン
される。そして、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に
異物が検知された時は、反応室に取り付けられた不活性
ガス噴射用ノズル１ｂがＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）の上方に移動し、不活性ガス（例えば、Ｎ２ガスや
Ｈｅなどの不活性ガス、Ｎｅ、Ａｒなどの希ガスなど）
をＥＳＣステージ１３（ステージ）に１０秒以上連続し
て噴射する。次いで、不活性ガスの噴射が終了した後、
再びＥＳＣステージ１３（ステージ）をＣＣＤカメラ１
ａを用いてスキャンし、異物がガスの噴射によりＥＳＣ
ステージ１３（ステージ）から除去できたか否かを検査
する。以上の動作を、異物がＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）上から検知されなくなるまで繰り返した後に、次
の処理対象のウェハー１２をＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）上へ搬送し、エッチングを開始する。複数回、ガ
ス噴射を繰り返しても異物がＥＳＣステージ１３（ステ
ージ）から除去されずに、ＣＣＤカメラ１ａを用いて検
知される時は、一定の回数まで繰り返した後に装置異常
として装置を停止する。
【００１２】さらに詳しく、平行平板型リアクティブイ
オンエッチング装置３０（半導体製造装置）の動作（方
法）を説明する。図２は、シールドリング１１の内側に
おける堆積物１６の付着状態を説明するための反応室断
面図である。図２において、９はフォーカスリング、１
１はシールドリング、１３はＥＳＣステージ、１６は堆
積物、１７は堆積物（異物）を示している。図１を参照
すると、本実施の形態において、ウェハー１２は反応室
内において静電吸着によりＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）に吸着される。プロセスガスはガス孔１４を通り反
応室内部に供給される。冷却用Ｈｅガスは、下部電極８
の下方から冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を
通り、ＥＳＣステージ１３（ステージ）に吸着されたウ
ェハー１２の裏面へ一定圧力で供給される。プロセスガ
スを反応室に導入し圧力制御を行った後、下部電極８に
高電圧を印加しプロセスガスを反応性の高いプラズマ状
態とし、ウェハー１２上の膜をエッチング除去する。エ
ッチングの進行過程においては、反応生成物が生じる
が、プロセスガスと共に排気される。しかしながら、実
際には反応生成物のすべてが排気されるわけではなく、
その一部はウェハー１２上または装置内部の部品などに
付着する。特にフォーカスリング９およびシールドリン
グ１１の内側には、図２に示すように堆積物１６となっ
て付着する。堆積物１６は繰り返しプラズマに晒されて
いるうちにその一部分がエッチングされて、ＥＳＣステ
ージ１３（ステージ）上へ落下する場合がある。
オンエッチング装置３０（半導体製造装置）の動作（方
法）を説明する。図２は、シールドリング１１の内側に
おける堆積物１６の付着状態を説明するための反応室断
面図である。図２において、９はフォーカスリング、１
１はシールドリング、１３はＥＳＣステージ、１６は堆
積物、１７は堆積物（異物）を示している。図１を参照
すると、本実施の形態において、ウェハー１２は反応室
内において静電吸着によりＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）に吸着される。プロセスガスはガス孔１４を通り反
応室内部に供給される。冷却用Ｈｅガスは、下部電極８
の下方から冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を
通り、ＥＳＣステージ１３（ステージ）に吸着されたウ
ェハー１２の裏面へ一定圧力で供給される。プロセスガ
スを反応室に導入し圧力制御を行った後、下部電極８に
高電圧を印加しプロセスガスを反応性の高いプラズマ状
態とし、ウェハー１２上の膜をエッチング除去する。エ
ッチングの進行過程においては、反応生成物が生じる
が、プロセスガスと共に排気される。しかしながら、実
際には反応生成物のすべてが排気されるわけではなく、
その一部はウェハー１２上または装置内部の部品などに
付着する。特にフォーカスリング９およびシールドリン
グ１１の内側には、図２に示すように堆積物１６となっ
て付着する。堆積物１６は繰り返しプラズマに晒されて
いるうちにその一部分がエッチングされて、ＥＳＣステ
ージ１３（ステージ）上へ落下する場合がある。
【００１３】本実施の形態においては、図１に示される
ような構造であるため、ＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）上へ落下した堆積物（異物）１７は、自動的にＣＣ
Ｄカメラ１ａで検知される。その後、コンピュータ５か
ら発信された信号を受信した装置のコントローラ６は、
バルブ２を開け、ノズル移動用ロボットアーム３を駆動
させることにより、不活性ガス噴射不活性ガス噴射用ノ
ズル１ｂを反応室内のＥＳＣステージ１３（ステージ）
上方まで移動させて、不活性ガスの噴射を行う。これに
より、異物１７は、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上
から除去される。
ような構造であるため、ＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）上へ落下した堆積物（異物）１７は、自動的にＣＣ
Ｄカメラ１ａで検知される。その後、コンピュータ５か
ら発信された信号を受信した装置のコントローラ６は、
バルブ２を開け、ノズル移動用ロボットアーム３を駆動
させることにより、不活性ガス噴射不活性ガス噴射用ノ
ズル１ｂを反応室内のＥＳＣステージ１３（ステージ）
上方まで移動させて、不活性ガスの噴射を行う。これに
より、異物１７は、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上
から除去される。
【００１４】以上説明したように第１の実施の形態によ
れば、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に落下した異
物を自動的に検知して除去できるようになるため、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上の異物（ゴミ）により発
生するウェハー１２の吸着不良や冷却用Ｈｅガスの圧力
制御不良などの装置的異常に主因する異常エッチングが
未然に防止でき、安定したエッチング処理を実現でき、
特に、エッチング加工精度がウェハー１２温度に著しく
依存する場合は、より大きな異常エッチングの防止の効
果が得られることが期待できる。上記の装置的異常が未
然に防止可能な理由は、ＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）上に落下した堆積物１６が自動的に検知され、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上から除去されるからであ
る。
れば、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に落下した異
物を自動的に検知して除去できるようになるため、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上の異物（ゴミ）により発
生するウェハー１２の吸着不良や冷却用Ｈｅガスの圧力
制御不良などの装置的異常に主因する異常エッチングが
未然に防止でき、安定したエッチング処理を実現でき、
特に、エッチング加工精度がウェハー１２温度に著しく
依存する場合は、より大きな異常エッチングの防止の効
果が得られることが期待できる。上記の装置的異常が未
然に防止可能な理由は、ＥＳＣステージ１３（ステー
ジ）上に落下した堆積物１６が自動的に検知され、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上から除去されるからであ
る。
【００１５】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図３において、１ｂは不
活性ガス噴射用ノズル、１ｃは赤外線カメラ、２はバル
ブ、３はノズル移動用ロボットアーム、４はケーブル、
５はコンピュータ、６は装置のコントローラ、７はケー
ブル、８は下部電極、９はフォーカスリング、１０は上
部電極、１１はシールドリング、１２はウェハー、１３
はＥＳＣステージ、１４はガス孔、１５は冷却用Ｈｅ
（ヘリウム）ガス導入配管、３０は平行平板型リアクテ
ィブイオンエッチング装置（半導体製造装置）を示して
いる。図３を参照すると、本実施の形態の平行平板型リ
アクティブイオンエッチング装置（半導体製造装置）３
０は、不活性ガス噴射用ノズル１ｂ、赤外線カメラ１
ｃ、バルブ２、ノズル移動用ロボットアーム３、ケーブ
ル４、コンピュータ５、装置のコントローラ６、ケーブ
ル７、下部電極８、フォーカスリング９、上部電極１
０、シールドリング１１、ウェハー１２、ＥＳＣステー
ジ１３（ステージ）、ガス孔１４、冷却用Ｈｅ（ヘリウ
ム）ガス導入配管１５を備えている。
２の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図３において、１ｂは不
活性ガス噴射用ノズル、１ｃは赤外線カメラ、２はバル
ブ、３はノズル移動用ロボットアーム、４はケーブル、
５はコンピュータ、６は装置のコントローラ、７はケー
ブル、８は下部電極、９はフォーカスリング、１０は上
部電極、１１はシールドリング、１２はウェハー、１３
はＥＳＣステージ、１４はガス孔、１５は冷却用Ｈｅ
（ヘリウム）ガス導入配管、３０は平行平板型リアクテ
ィブイオンエッチング装置（半導体製造装置）を示して
いる。図３を参照すると、本実施の形態の平行平板型リ
アクティブイオンエッチング装置（半導体製造装置）３
０は、不活性ガス噴射用ノズル１ｂ、赤外線カメラ１
ｃ、バルブ２、ノズル移動用ロボットアーム３、ケーブ
ル４、コンピュータ５、装置のコントローラ６、ケーブ
ル７、下部電極８、フォーカスリング９、上部電極１
０、シールドリング１１、ウェハー１２、ＥＳＣステー
ジ１３（ステージ）、ガス孔１４、冷却用Ｈｅ（ヘリウ
ム）ガス導入配管１５を備えている。
【００１６】本実施の形態は、光センサーとして、ＣＣ
Ｄカメラ１ａの代わりに赤外線カメラ１ｃを用いること
により、反応室内部に十分な光量が無い場合でも、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上の異物を検知するように
構成した点に特徴を有している。本実施の形態の平行平
板型リアクティブイオンエッチング装置３０（半導体製
造装置）の動作は第１の実施の形態の平行平板型リアク
ティブイオンエッチング装置３０（半導体製造装置）の
動作と同様なので省略する。
Ｄカメラ１ａの代わりに赤外線カメラ１ｃを用いること
により、反応室内部に十分な光量が無い場合でも、ＥＳ
Ｃステージ１３（ステージ）上の異物を検知するように
構成した点に特徴を有している。本実施の形態の平行平
板型リアクティブイオンエッチング装置３０（半導体製
造装置）の動作は第１の実施の形態の平行平板型リアク
ティブイオンエッチング装置３０（半導体製造装置）の
動作と同様なので省略する。
【００１７】（第３の実施の形態）図４は、本発明の第
３の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室上面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図４において、１ａはＣ
ＣＤカメラ、１ｂは不活性ガス噴射用ノズル、１ｃは赤
外線カメラ、１ｄは光センサー、２はバルブ、３はノズ
ル移動用ロボットアーム、４はケーブル、５はコンピュ
ータ、６は装置のコントローラ、７はケーブル、９はフ
ォーカスリング、１３はＥＳＣステージ、１７は堆積物
（異物）、３０は平行平板型リアクティブイオンエッチ
ング装置（半導体製造装置）を示している。
３の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室上面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図４において、１ａはＣ
ＣＤカメラ、１ｂは不活性ガス噴射用ノズル、１ｃは赤
外線カメラ、１ｄは光センサー、２はバルブ、３はノズ
ル移動用ロボットアーム、４はケーブル、５はコンピュ
ータ、６は装置のコントローラ、７はケーブル、９はフ
ォーカスリング、１３はＥＳＣステージ、１７は堆積物
（異物）、３０は平行平板型リアクティブイオンエッチ
ング装置（半導体製造装置）を示している。
【００１８】本実施の形態は、複数の光センサー１ｄ
（ＣＣＤカメラ１ａまたは赤外線カメラ１ｃ）を、反応
室内部に設置することにより、異物の存在確認だけでな
く、その異物のＥＳＣステージ１３（ステージ）上にお
ける位置（座標）が判るように構成した点に特徴を有し
ている。これにより、不活性ガスのノズルを異物の位置
近傍へ移動させてガスを噴射することが可能となり、そ
の結果、異物除去率を向上できるようになるといった効
果を奏する。本実施の形態の平行平板型リアクティブイ
オンエッチング装置３０（半導体製造装置）の動作は第
１の実施の形態の平行平板型リアクティブイオンエッチ
ング装置３０（半導体製造装置）の動作と同様なので省
略する。
（ＣＣＤカメラ１ａまたは赤外線カメラ１ｃ）を、反応
室内部に設置することにより、異物の存在確認だけでな
く、その異物のＥＳＣステージ１３（ステージ）上にお
ける位置（座標）が判るように構成した点に特徴を有し
ている。これにより、不活性ガスのノズルを異物の位置
近傍へ移動させてガスを噴射することが可能となり、そ
の結果、異物除去率を向上できるようになるといった効
果を奏する。本実施の形態の平行平板型リアクティブイ
オンエッチング装置３０（半導体製造装置）の動作は第
１の実施の形態の平行平板型リアクティブイオンエッチ
ング装置３０（半導体製造装置）の動作と同様なので省
略する。
【００１９】（第４の実施の形態）図５は、本発明の第
４の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図５において、１ａはＣ
ＣＤカメラ、１ｃは赤外線カメラ、１ｄは光センサー、
４はケーブル、５はコンピュータ、６は装置のコントロ
ーラ、７はケーブル、８は下部電極、９はフォーカスリ
ング、１０は上部電極、１１はシールドリング、１２は
ウェハー、１３はＥＳＣステージ、１４はガス孔、１５
は冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管、３０は平行平
板型リアクティブイオンエッチング装置（半導体製造装
置）を示している。図５を参照すると、本実施の形態の
平行平板型リアクティブイオンエッチング装置（半導体
製造装置）３０は、光センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａ
または赤外線カメラ１ｃ）、ケーブル４、コンピュータ
５、装置のコントローラ６、ケーブル７、下部電極８、
フォーカスリング９、上部電極１０、シールドリング１
１、ウェハー１２、ＥＳＣステージ１３、ガス孔１４、
冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を備えてい
る。
４の実施の形態に係る平行平板型リアクティブイオンエ
ッチング装置３０（半導体製造装置）を説明するための
反応室断面図である。なお、上記実施の形態において既
に記述したものと同一の部分については、同一符号を付
し、重複した説明は省略する。図５において、１ａはＣ
ＣＤカメラ、１ｃは赤外線カメラ、１ｄは光センサー、
４はケーブル、５はコンピュータ、６は装置のコントロ
ーラ、７はケーブル、８は下部電極、９はフォーカスリ
ング、１０は上部電極、１１はシールドリング、１２は
ウェハー、１３はＥＳＣステージ、１４はガス孔、１５
は冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管、３０は平行平
板型リアクティブイオンエッチング装置（半導体製造装
置）を示している。図５を参照すると、本実施の形態の
平行平板型リアクティブイオンエッチング装置（半導体
製造装置）３０は、光センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａ
または赤外線カメラ１ｃ）、ケーブル４、コンピュータ
５、装置のコントローラ６、ケーブル７、下部電極８、
フォーカスリング９、上部電極１０、シールドリング１
１、ウェハー１２、ＥＳＣステージ１３、ガス孔１４、
冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管１５を備えてい
る。
【００２０】本実施の形態は、装置のアラームとしての
みに用いる際に有効な装置構成であって、１個または複
数個の光センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａまたは赤外線
カメラ１ｃ）を反応室内部に設置し、不活性ガス噴射用
ノズル１ｂの設置を省略した点に特徴を有している。こ
の動作はほとんど第１の実施の形態と同じであるが、異
なる点は、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に異物が
検知された時に装置が異常として停止し、次のウェハー
１２のエッチング処理が行われない点である。
みに用いる際に有効な装置構成であって、１個または複
数個の光センサー１ｄ（ＣＣＤカメラ１ａまたは赤外線
カメラ１ｃ）を反応室内部に設置し、不活性ガス噴射用
ノズル１ｂの設置を省略した点に特徴を有している。こ
の動作はほとんど第１の実施の形態と同じであるが、異
なる点は、ＥＳＣステージ１３（ステージ）上に異物が
検知された時に装置が異常として停止し、次のウェハー
１２のエッチング処理が行われない点である。
【００２１】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また上記構
成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。また、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、ステージ上に落下した異物を自動的に検知して除去
できるようになるため、ステージ上の異物（ゴミ）によ
り発生するウェハー吸着不良や冷却用Ｈｅガスの圧力制
御不良等の装置的異常に主因する異常エッチングが未然
に防止でき、安定したエッチング処理を実現でき、特
に、エッチング加工精度がウェハー温度に著しく依存す
る場合は、より大きな異常エッチングの防止の効果が得
られることが期待できる。上記の装置的異常が未然に防
止可能な理由は、ステージ上に落下した堆積物が自動的
に検知され、ステージ上から除去されるからである。
で、ステージ上に落下した異物を自動的に検知して除去
できるようになるため、ステージ上の異物（ゴミ）によ
り発生するウェハー吸着不良や冷却用Ｈｅガスの圧力制
御不良等の装置的異常に主因する異常エッチングが未然
に防止でき、安定したエッチング処理を実現でき、特
に、エッチング加工精度がウェハー温度に著しく依存す
る場合は、より大きな異常エッチングの防止の効果が得
られることが期待できる。上記の装置的異常が未然に防
止可能な理由は、ステージ上に落下した堆積物が自動的
に検知され、ステージ上から除去されるからである。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置を説明するための反応室断面図である。
置を説明するための反応室断面図である。
【図２】シールドリングの内側における堆積物の付着状
態を説明するための反応室断面図である。
態を説明するための反応室断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装
置を説明するための反応室断面図である。
置を説明するための反応室断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造装
置を説明するための反応室上面図である。
置を説明するための反応室上面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る半導体製造装
置を説明するための反応室断面図である。
置を説明するための反応室断面図である。
【図６】従来の一般的なドライエッチング装置の反応室
内の断面図である。
内の断面図である。
１ａ…ＣＣＤカメラ（光センサー） １ｂ…不活性ガス噴射用ノズル １ｃ…赤外線カメラ（光センサー） １ｄ…光センサー ２…バルブ ３…ノズル移動用ロボットアーム ４…ケーブル ５…コンピュータ ６…装置のコントローラ ７…ケーブル ８…下部電極 ９…フォーカスリング １０…上部電極 １１…シールドリング １２…ウェハー １３…ＥＳＣステージ（ステージ） １４…ガス孔 １５…冷却用Ｈｅ（ヘリウム）ガス導入配管 １６…堆積物 １７…堆積物（異物） ３０…平行平板型リアクティブイオンエッチング装置
（半導体製造装置）
（半導体製造装置）
Claims (12)
- 【請求項１】 ステージ上に落下した異物を自動的に検
知して除去しステージ上の異物により発生する装置的異
常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング
処理の安定化を図る半導体製造装置であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた光セン
サーと、 不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴
射用ノズルと、 前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、 前記ステージ上に落下した異物を前記光センサーを用い
て自動的に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動用
ロボットアームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズル
をステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズル
から前記不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該検
知した異物を除去する装置のコントローラを有すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記光センサーを
用いて前記ステージをスキャンし、 前記ステージ上に異物が検知された時は、反応室に取り
付けられた前記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージ
の上方に移動し、不活性ガスを前記ステージに所定時間
以上連続して噴射し、 当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステージ
を前記光センサーを用いてスキャンし、異物がガスの噴
射により前記ステージから除去できたか否かを検査する
異物検査・除去処理を実行するように構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 ステージ上に落下した異物を自動的に検
知して除去しステージ上の異物により発生する装置的異
常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング
処理の安定化を図る半導体製造装置であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられたＣＣＤ
カメラと、 不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴
射用ノズルと、 前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、 前記ステージ上に落下した異物を前記ＣＣＤカメラを用
いて自動的に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動
用ロボットアームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズ
ルから前記不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該
検知した異物を除去する装置のコントローラを有するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラ
を用いて前記ステージをスキャンし、 前記ステージ上に異物が検知された時は、反応室に取り
付けられた前記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージ
の上方に移動し、不活性ガスを前記ステージに所定時間
以上連続して噴射し、 当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステージ
を前記ＣＣＤカメラを用いてスキャンし、異物がガスの
噴射により前記ステージから除去できたか否かを検査す
る異物検査・除去処理を実行するように構成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 ステージ上に落下した異物を自動的に検
知して除去しステージ上の異物により発生する装置的異
常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング
処理の安定化を図る半導体製造装置であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた赤外線
カメラと、 不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴
射用ノズルと、 前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、 前記ステージ上に落下した異物を前記赤外線カメラを用
いて自動的に検知し、前記不活性ガス噴射用ノズル移動
用ロボットアームを操作して前記不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズ
ルから前記不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該
検知した異物を除去する装置のコントローラを有するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記赤外線カメラ
を用いて前記ステージをスキャンし、 前記ステージ上に異物が検知された時は、反応室に取り
付けられた前記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージ
の上方に移動し、不活性ガスを前記ステージに所定時間
以上連続して噴射し、 当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステージ
を前記赤外線カメラを用いてスキャンし、異物がガスの
噴射により前記ステージから除去できたか否かを検査す
る異物検査・除去処理を実行するように構成されている
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 ステージ上に落下した異物を自動的に検
知して除去しステージ上の異物により発生する装置的異
常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング
処理の安定化を図る半導体製造装置であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられたＣＣＤ
カメラおよび赤外線カメラと、 不活性ガスをステージ上に噴射するための不活性ガス噴
射用ノズルと、 前記反応室に隣接した室内に設置され前記不活性ガス噴
射用ノズルをステージの上方へ移動させるための不活性
ガス噴射用ノズル移動用ロボットアームと、 前記ステージ上に落下した異物を前記ＣＣＤカメラおよ
び赤外線カメラを用いて自動的に検知し、前記不活性ガ
ス噴射用ノズル移動用ロボットアームを操作して前記不
活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不
活性ガス噴射用ノズルから前記不活性ガスを当該ステー
ジ上に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコン
トローラを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項８】 各ウェハーがエッチング処理されて前記
ステージから脱離する毎に、または連続して複数枚の各
ウェハーがエッチング処理されて前記ステージから脱離
する毎に、反応室内に取り付けられた前記ＣＣＤカメラ
および赤外線カメラを用いて前記ステージをスキャン
し、 前記ステージ上に異物が検知された時は、反応室に取り
付けられた前記不活性ガス噴射用ノズルを前記ステージ
の上方に移動し、不活性ガスを前記ステージに所定時間
以上連続して噴射し、 当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び前記ステージ
を前記ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用いてスキャ
ンし、異物がガスの噴射により前記ステージから除去で
きたか否かを検査する異物検査・除去処理を実行するよ
うに構成されていることを特徴とする請求項７に記載の
半導体製造装置。 - 【請求項９】 ステージ上に落下した異物を自動的に検
知して除去しステージ上の異物により発生する装置的異
常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチング
処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・除
去方法であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた光セン
サーと、不活性ガスをステージ上に噴射するための不活
性ガス噴射用ノズルと、当該反応室に隣接した室内に設
置され当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方へ
移動させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボッ
トアームと、当該ステージ上に落下した異物を当該光セ
ンサーを用いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴射用
ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不活性ガス
噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不活性ガス
噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステージ上に噴
射して当該検知した異物を除去する装置のコントローラ
を有する半導体製造装置に対して、 各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて当該ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた当該光センサーを用いて当該ステ
ージをスキャンし、当該ステージ上に異物が検知された
時は、反応室に取り付けられた当該不活性ガス噴射用ノ
ズルが当該ステージの上方に移動し、不活性ガスを当該
ステージに所定時間以上連続して噴射し、当該不活性ガ
スの噴射が終了した後、再び当該ステージを当該光セン
サーを用いてスキャンし、異物がガスの噴射により当該
ステージから除去できたか否かを検査する異物検査・除
去処理を、異物が当該ステージ上から検知されなくなる
まで繰り返し、所定回だけガス噴射を繰り返しても異物
が当該ステージから除去されずに当該光センサーを用い
て検知される時は一定の回数まで繰り返した後に装置異
常として装置を停止することを特徴とするドライエッチ
ング時の異物検査・除去方法。 - 【請求項１０】 ステージ上に落下した異物を自動的に
検知して除去しステージ上の異物により発生する装置的
異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチン
グ処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・
除去方法であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられたＣＣＤ
カメラと、不活性ガスをステージ上に噴射するための不
活性ガス噴射用ノズルと、当該反応室に隣接した室内に
設置され当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方
へ移動させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームと、当該ステージ上に落下した異物を当該Ｃ
ＣＤカメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴
射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不活性
ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不活性
ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステージ上
に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコントロ
ーラを有する半導体製造装置に対して、 各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて当該ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた当該ＣＣＤカメラを用いて当該ス
テージをスキャンし、当該ステージ上に異物が検知され
た時は、反応室に取り付けられた当該不活性ガス噴射用
ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活性ガスを当
該ステージに所定時間以上連続して噴射し、当該不活性
ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージを当該ＣＣ
Ｄカメラを用いてスキャンし、異物がガスの噴射により
当該ステージから除去できたか否かを検査する異物検査
・除去処理を、異物が当該ステージ上から検知されなく
なるまで繰り返し、所定回だけガス噴射を繰り返しても
異物が当該ステージから除去されずに当該ＣＣＤカメラ
を用いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に
装置異常として装置を停止することを特徴とするドライ
エッチング時の異物検査・除去方法。 - 【請求項１１】 ステージ上に落下した異物を自動的に
検知して除去しステージ上の異物により発生する装置的
異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチン
グ処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・
除去方法であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられた赤外線
カメラと、不活性ガスをステージ上に噴射するための不
活性ガス噴射用ノズルと、当該反応室に隣接した室内に
設置され当該不活性ガス噴射用ノズルをステージの上方
へ移動させるための不活性ガス噴射用ノズル移動用ロボ
ットアームと、当該ステージ上に落下した異物を当該赤
外線カメラを用いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴
射用ノズル移動用ロボットアームを操作して当該不活性
ガス噴射用ノズルをステージの上方へ移動し当該不活性
ガス噴射用ノズルから当該不活性ガスを当該ステージ上
に噴射して当該検知した異物を除去する装置のコントロ
ーラを有する半導体製造装置に対して、 各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて当該ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた当該赤外線カメラを用いて当該ス
テージをスキャンし、当該ステージ上に異物が検知され
た時は、反応室に取り付けられた当該不活性ガス噴射用
ノズルが当該ステージの上方に移動し、不活性ガスを当
該ステージに所定時間以上連続して噴射し、当該不活性
ガスの噴射が終了した後、再び当該ステージを当該赤外
線カメラを用いてスキャンし、異物がガスの噴射により
当該ステージから除去できたか否かを検査する異物検査
・除去処理を、異物が当該ステージ上から検知されなく
なるまで繰り返し、所定回だけガス噴射を繰り返しても
異物が当該ステージから除去されずに当該赤外線カメラ
を用いて検知される時は一定の回数まで繰り返した後に
装置異常として装置を停止することを特徴とするドライ
エッチング時の異物検査・除去方法。 - 【請求項１２】 ステージ上に落下した異物を自動的に
検知して除去しステージ上の異物により発生する装置的
異常に主因する異常エッチングを未然に防止しエッチン
グ処理の安定化を図るドライエッチング時の異物検査・
除去方法であって、 ドライエッチング処理を行う反応室に設けられたＣＣＤ
カメラおよび赤外線カメラと、不活性ガスをステージ上
に噴射するための不活性ガス噴射用ノズルと、当該反応
室に隣接した室内に設置され当該不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動させるための不活性ガス噴射
用ノズル移動用ロボットアームと、当該ステージ上に落
下した異物を当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用
いて自動的に検知し、当該不活性ガス噴射用ノズル移動
用ロボットアームを操作して当該不活性ガス噴射用ノズ
ルをステージの上方へ移動し当該不活性ガス噴射用ノズ
ルから当該不活性ガスを当該ステージ上に噴射して当該
検知した異物を除去する装置のコントローラを有する半
導体製造装置に対して、 各ウェハーがエッチング処理されて当該ステージから脱
離する毎に、または連続して複数枚の各ウェハーがエッ
チング処理されて当該ステージから脱離する毎に、反応
室内に取り付けられた当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カ
メラを用いて当該ステージをスキャンし、当該ステージ
上に異物が検知された時は、反応室に取り付けられた当
該不活性ガス噴射用ノズルが当該ステージの上方に移動
し、不活性ガスを当該ステージに所定時間以上連続して
噴射し、当該不活性ガスの噴射が終了した後、再び当該
ステージを当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カメラを用い
てスキャンし、異物がガスの噴射により当該ステージか
ら除去できたか否かを検査する異物検査・除去処理を、
異物が当該ステージ上から検知されなくなるまで繰り返
し、所定回だけガス噴射を繰り返しても異物が当該ステ
ージから除去されずに当該ＣＣＤカメラおよび赤外線カ
メラを用いて検知される時は一定の回数まで繰り返した
後に装置異常として装置を停止することを特徴とするド
ライエッチング時の異物検査・除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21486799A JP3271618B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21486799A JP3271618B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044177A true JP2001044177A (ja) | 2001-02-16 |
| JP3271618B2 JP3271618B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=16662884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP21486799A Expired - Fee Related JP3271618B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3271618B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333091A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
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| US7921804B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| US7976672B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-07-12 | Saian Corporation | Plasma generation apparatus and work processing apparatus |
| US8035057B2 (en) | 2004-07-07 | 2011-10-11 | Amarante Technologies, Inc. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| WO2022138847A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法 |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP21486799A patent/JP3271618B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2022138847A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法 |
| KR20230118995A (ko) * | 2020-12-25 | 2023-08-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 메인터넌스 장치, 진공 처리 시스템 및 메인터넌스 방법 |
| CN116711051A (zh) * | 2020-12-25 | 2023-09-05 | 东京毅力科创株式会社 | 维护装置、真空处理系统和维护方法 |
| JP7376733B2 (ja) | 2020-12-25 | 2023-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | メンテナンス装置、真空処理システム及びメンテナンス方法 |
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| JP3271618B2 (ja) | 2002-04-02 |
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