WO2022118659A1 - 光学薄膜の製造方法及び光学薄膜 - Google Patents

Abstract

【課題】第１薄膜部と第２薄膜部とが分かれた光学薄膜を低廉に製造可能な光学薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】第１薄膜部１０、及びこれと膜構成が異なる第２薄膜部１２を有する光学薄膜１を、基材２の成膜面Ｆにおいて製造する方法であって、成膜面Ｆにおける第１成膜部分の上に第１薄膜部１０を形成する工程と、第１薄膜部１０の上に、毛羽状構造、ピラミッド群状構造、及び剣山状構造の少なくとも何れかを有するアルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方である洗浄時除去膜Ｗを形成する工程と、成膜面Ｆにおける第１成膜部分と異なる第２成膜部分の上、及び第１薄膜部１０と洗浄時除去膜Ｗとが形成された第１成膜部分の上に、第２薄膜部１２を形成する工程と、洗浄時除去膜Ｗ及びその上における第２薄膜部１２を洗浄により除去する工程と、を含んでいる。

Description

光学薄膜の製造方法及び光学薄膜

　本発明は、基材の面等に形成される光学薄膜、及びその光学薄膜の製造方法に関する。

　スマートフォン等の携帯端末、及びデジタルカメラ等の電子機器等に内蔵されるカメラモジュールは、被写体を撮像する撮像素子、及びこの撮像素子状に被写体の画像を結像するためのレンズユニットを備えている。
　そして、特に小型のレンズユニットは、環状の遮光部を形成するための遮光部材を含んでいることがある。遮光部材は、遮光部より内側において光の入射を許容し（透過部）、その周りの遮光部において光の一部又は全部をカットすることで、レンズユニット内への入射光の入射範囲を制限し、レンズユニット内における迷光の発生を抑制して、ハレーション、レンズフレア、ゴースト等の発生を防止し、画質の向上に寄与する。
　特許文献１（特開２０２０－１４０１３０号公報）には、かような遮光部材として、中央に貫通孔部が形成された金属薄板が開示されている。この金属薄板は、金属基材にレジストパターンを形成し、これをマスクとしたエッチングを行うことで製造される。

特開２０２０－１４０１３０号公報

　特許文献１の遮光部材は、金属薄板製であるため、透過部を貫通孔とする必要がある。貫通孔の形成には、レジストパターン工程及びエッチング工程が必要であり、製造コストが嵩む。又、特許文献１の遮光部材の透過部において、そのままでは光学薄膜等は配置され得ない。透過部に光学薄膜等が配置されるためには、光学薄膜が遮光部とは別の基材に形成された別の部材が、特許文献１の遮光部材の貫通孔部内に接着されることになる。この場合、構成が複雑になって、製造等のコストが嵩む。

　そこで、本発明の主な目的は、第１薄膜部と第２薄膜部とが分かれた光学薄膜を低廉に製造可能な光学薄膜の製造方法を提供することである。
　又、本発明の他の主な目的は、透過部等における第１薄膜部と遮光部等における第２薄膜部とがシンプルな構成において分かれて形成された光学薄膜を提供することである。

　請求項１に記載の発明は、第１薄膜部、及び前記第１薄膜部と膜構成が異なる第２薄膜部を有する光学薄膜を、基材の成膜面において、直接又は中間膜を介して製造する方法であって、前記成膜面における第１成膜部分の上に、前記第１薄膜部を形成する工程と、前記第１薄膜部の上に、毛羽状構造、ピラミッド群状構造、及び剣山状構造の少なくとも何れかを有するアルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方である洗浄時除去膜を形成する工程と、前記成膜面における前記第１成膜部分と異なる第２成膜部分の上、及び前記第１薄膜部と前記洗浄時除去膜とが形成された前記第１成膜部分の上に、前記第２薄膜部を形成する工程と、前記洗浄時除去膜及びその上における前記第２薄膜部を洗浄により除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
　請求項２に記載の発明は、上記発明において、前記第２薄膜部は、リング状又は枠状であることを特徴とするものである。
　請求項３に記載の発明は、上記発明において、前記洗浄時除去膜は、アルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方を材料とした物理蒸着法により形成した洗浄時除去ベース膜を、温水へ浸漬することにより形成されることを特徴とするものである。
　請求項４に記載の発明は、上記発明において、前記洗浄時除去膜及びその上における前記第２薄膜部は、流水及び超音波の少なくとも一方により洗浄されることを特徴とするものである。
　請求項５に記載の発明は、上記発明において、前記第２薄膜部は、可視光をカットする遮光膜であることを特徴とするものである。
　請求項６に記載の発明は、上記発明において、前記第１薄膜部は、可視光の反射を抑制する反射防止膜であることを特徴とするものである。
　請求項７に記載の発明は、上記発明において、前記第１薄膜部を形成する工程において、マスクにより、前記第１成膜部分の上のみに前記第１薄膜部を形成することを特徴とするものである。
　請求項８に記載の発明は、上記発明において、前記第１薄膜部を形成する工程において、前記第１成膜部分を一部に含む、前記成膜面又は前記中間膜の全体又は部分に前記第１薄膜部を形成した後、前記第１成膜部分以外の前記成膜面又は前記中間膜の部分の上における前記第１薄膜部を、レーザーにより除却することを特徴とするものである。

　請求項９に記載の発明は、第１薄膜部、及び前記第１薄膜部と膜構成が異なる第２薄膜部を有する光学薄膜であって、前記第２薄膜部は、前記第１薄膜部を囲んでおり、前記第１薄膜部に、レジストが残存していないことを特徴とするものである。
　請求項１０に記載の発明は、上記発明において、前記第２薄膜部は、可視光をカットする遮光膜であることを特徴とするものである。
　請求項１１に記載の発明は、上記発明において、前記第１薄膜部は、可視光の反射を抑制する反射防止膜であることを特徴とするものである。

　本発明の主な効果は、第１薄膜部と第２薄膜部とが分かれた光学薄膜を低廉に製造可能な光学薄膜の製造方法を提供することである。
　又、本発明の他の主な効果は、透過部等における第１薄膜部と遮光部等における第２薄膜部とがシンプルな構成において分かれて形成された光学薄膜を提供することである。

本発明の第１形態に係る光学薄膜が基材に形成されて成る遮光ＡＲレンズ部材の（Ａ）背面図，（Ｂ）側面図である。 本発明の第２形態に係る光学薄膜が基材に形成されて成る赤外線カット部材の（Ａ）背面図，（Ｂ）側面図である。 （Ａ）～（Ｋ）は、本発明の第１形態に対応する実施例１の製造方法を主に遮光ＡＲレンズ部材の側面側から示す模式図である。 （Ａ）～（Ｈ）は、実施例１の製造方法を主に遮光ＡＲレンズ部材の背面側から示す模式図である。 本発明に係る洗浄時除去膜の構造例を示す顕微鏡写真である。 ＳｉＯ_２の光学定数に係るグラフである。 ＴｉＯ_２の光学定数に係るグラフである。 Ｎｂ_２Ｏ_５の光学定数に係るグラフである。 Ｎｂ＋Ｓｉ（スパッタリングにおけるＮｂ，Ｓｉのスパッタ源投入電力が順に６ｋＷ，８．５ｋＷ）の光学定数に係るグラフである。 実施例１の第１薄膜部（ＡＲ膜）における反射率分布のグラフである。 実施例１の第２薄膜部（遮光膜）における反射率分布のグラフである。 実施例１の第２薄膜部（遮光膜）における透過率分布のグラフである。 （Ａ），（Ｂ）は、本発明に属さない比較例におけるリング状の遮光膜の製造に関する模式図であり、（Ｃ）は、比較例における遮光ＡＲレンズ部材ＬＺの背面図である。 実施例２の第１薄膜部（赤外線カット膜）における透過率分布のグラフである。 実施例２の第１薄膜部（赤外線カット膜）における反射率分布のグラフである。 （Ａ）～（Ｄ）は、本発明の第３形態に対応する実施例３の製造方法の前半を主に遮光ＡＲレンズ部材の側面側から示す模式図である。 実施例３と同様の製造方法で製造されたサンプルを示す写真である。 図１７における黒太十字形の右下部、及び白抜き太十字形の右上部の拡大図である。 図１７における黒小リング形部分の拡大図である。 図１９におけるリング下部内周部分の拡大図である。 図１７のサンプルにおける第１薄膜部（ＡＲ膜）及び第２薄膜部（遮光膜）における各反射率分布のグラフである。

　以下、本発明に係る実施の形態の例が、適宜図面を用いて説明される。
　尚、本発明は、以下の例に限定されない。

［第１形態］
　図１に示されるように、本発明の第１形態に係る光学薄膜１は、円板状である基材２の成膜面Ｆ上に形成されている。
　基材２の材料（材質）として、プラスチックが用いられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が用いられ、例えばポリウレタン樹脂、チオウレタン樹脂、エピスルフィド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリ４－メチルペンテン－１樹脂、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート樹脂、あるいはこれらの組合せが用いられる。尚、基材２の材料は、ガラス等、プラスチック以外であっても良い。
　光学薄膜１付きの基材２は、カメラモジュールのレンズユニットにおける遮光ＡＲレンズ部材Ｌとして用いられる。尚、光学薄膜１付きの基材２は、レンズユニット以外に用いられても良い。

　基材２は、光学薄膜１が形成される基材であり、特に板状の場合、基板である。基材２は、透光性を有しており、基材２の可視域（ここでは４００ｎｍ（ナノメートル）以上７５０ｎｍ以下）の波長を有する光である可視光の透過率は、ほぼ１００％となっている。基材２は、平板状のベース部２Ｂと、ベース部２Ｂにおける成膜面Ｆ（背面）側の中央において、ベース部２Ｂから膨出して凸レンズとなるレンズ部２Ｌと、を有している。
　ベース部２Ｂは、直径８ｍｍ（ミリメートル）程度の円板形状を呈している。
　レンズ部２Ｌの外形は、直径４ｍｍ程度の円形である。レンズ部２Ｌの表面には、鏡面加工が施されている。尚、鏡面加工は、省略されても良い。
　基材２におけるレンズ部２Ｌの周囲には、微細な凹凸（例えば数μｍ（マイクロメートル）程度の高さを有する凸体又は凹体）を有するシボ状で背面視リング状の粗面部２Ｒが形成されている。粗面部２Ｒは、通過する光を散乱させる。かような散乱により、粗面部２Ｒは、肉眼では曇って見える。更に、粗面部２Ｒの径方向外側には、背面視リング状であり平坦である周縁平坦部２Ｓが形成されている。粗面部２Ｒの幅は１ｍｍ程度である。
　尚、粗面部２Ｒは、微細な凹凸に対応する形状を内面に付与した金型により成形されても良いし、粒子を塗布して固着させて形成されても良い。粗面部２Ｒは、シボ状でなくても良いし、省略されても良い。あるいは、周縁平坦部２Ｓが省略され、基材の成膜面Ｆの周縁まで粗面部２Ｒとされても良い。レンズ部２Ｌは、膨出した凸レンズではなく、窪んだ凹レンズであっても良いし、複数設けられても良い。基材２の大きさ並びに基材２の部分の大きさ及び全体に対する位置の少なくとも何れかは、上述のものから変更されても良い。

　基材２における光学薄膜１付きの成膜面Ｆ及びレンズ部２Ｌは、レンズユニットの内部となるように配置される。又、ベース部２Ｂにおけるレンズ部２Ｌに対向する（成膜面Ｆと逆側の）面は、平坦であり、レンズユニットの外面となるように配置される。
　尚、遮光ＡＲレンズ部材Ｌは、レンズユニットにおいて、他の形態で配置されても良い。又、基材２と光学薄膜１との間に、１つ以上の中間膜が配置されても良い。光学薄膜１（成膜面Ｆ）は、レンズ部２Ｌ側の面に代えて、あるいはレンズ部２Ｌ側の面と共に、レンズ部２Ｌと逆側の面に配置されても良い。ベース部２Ｂにおける成膜面Ｆと逆側の面は、曲面形状であっても良い。

　光学薄膜１は、第１薄膜部１０と、第２薄膜部１２と、を有している。
　第１薄膜部１０は、レンズ部２Ｌの表面（第１成膜部分）に配置されている。第１薄膜部１０は、反射防止（Ａｎｔｉ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ，ＡＲ）機能を有する光学多層膜である。第１薄膜部１０には、レジスト等（第１薄膜部１０及び第２薄膜部１２を構成する材料以外の材料）は、残存していない。尚、第１薄膜部１０は、ＡＲ膜に限られない。
　第２薄膜部１２は、背面視リング状であり、粗面部２Ｒの表面及び周縁平坦部２Ｓの表面（第２成膜部分）に配置されている。第２薄膜部１２は、少なくとも可視光をカットする機能である光線カット機能を有する遮光膜である。第２薄膜部１２には、レジスト等は、残存していない。尚、第２薄膜部１２は、遮光膜に限られない。遮光膜は、単層の膜であっても良いし、複数の層を有する多層膜であっても良い。光線のカットは、透過率を可視域全域で略０％とする完全なカット、及び透過率を可視域内で１０％程度以下とする不完全なカット、及び透過率を透過前後で低減する部分的なカットを含む。
　第２薄膜部１２は、粗面部２Ｒ上の第２Ａ薄膜部１２Ａと、周縁平坦部２Ｓ上の第２Ｂ薄膜部１２Ｂと、を有する。第２Ａ薄膜部１２Ａと第２Ｂ薄膜部１２Ｂとにおいて、膜構成は同じであり、これらの相違は、粗面部２Ｒに載るかあるいは周縁平坦部２Ｓに載るかによる。尚、第１薄膜部１０及び第２薄膜部１２の配置は、かような背面視円板形の第１薄膜部１０の外側にリング状の第２薄膜部１２が接触するものに限られない。例えば、粗面部２Ｒにおいて、第１薄膜部１０と第２薄膜部１２とが重畳しあるいは離隔していても良い。又、周縁平坦部２Ｓの一部又は全部に、第２薄膜部１２が配置されなくても良い。

［第２形態］
　図２に例示されるように、本発明の第２形態に係る光学薄膜５１は、矩形板状でプラスチック製の基材５２の成膜面Ｆ（背面）上に形成されている。尚、第２形態は、適宜第１形態と同様の変更例を有する。例えば、基材５２は、ガラス製等であっても良い。
　光学薄膜５１付きの基材５２は、赤外線カット部材Ｒとして用いられる。尚、光学薄膜５１付きの基材５２は、赤外線カット部材Ｒ以外に用いられても良い。
　基材５２は、中央部５２Ｃと、矩形枠状の周縁部５２Ｒと、を有する。中央部５２Ｃの成膜面Ｆ側には、鏡面加工が施されている。又、周縁部５２Ｒの成膜面Ｆ側は、第１形態の粗面部２Ｒと同様に、粗面とされている。

　光学薄膜５１は、第１薄膜部６０と、第２薄膜部６２と、を有している。
　第１薄膜部６０は、背面視矩形状であり、中央部５２Ｃの背面（第１成膜部分）に配置されている。第１薄膜部６０は、赤外線カット機能を有する光学多層膜である。第１薄膜部６０には、レジスト等は、空気中で付着し得る水等の物質を除き、残存していない。尚、第１薄膜部６０は、赤外線カット膜に限られない。
　第２薄膜部６２は、背面視矩形枠状であり、周縁部５２Ｒの背面（第２成膜部分）に配置されている。第２薄膜部６２は、第１形態の第２薄膜部１２と、形状を除き、同様に成る。
　第２薄膜部６２における径方向内側の境界は、第１薄膜部６０の境界と接触している。尚、第１薄膜部６０及び第２薄膜部６２の配置は、かような背面視矩形の第１薄膜部６０の外側に枠状の第２薄膜部６２が接触するものに限られない。

［製造方法等］
　第１，第２形態の光学薄膜１，５１は、最終的に洗浄により除去される洗浄時除去膜Ｗ（図３，図４参照）を用いて製造される。洗浄時除去膜Ｗは、製造中形成され製造後残存しない製造中間体である。
　洗浄時除去膜Ｗは、アルミニウム、アルミニウム合金、又はアルミニウムの化合物である。アルミニウムの化合物は、好適には、アルミニウムを主成分とした化合物である。主成分は、他の成分に対して、重量比率で過半数となる成分であっても良いし、体積比率で過半数となる成分であっても良い。
　洗浄時除去膜Ｗは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）である。ＡｌＯＮでは、酸素原子と窒素原子の比率は、どのようなものであっても良く、ＡｌＯＮは、酸素原子が窒素原子に対して多数となりＡｌ_２Ｏ_３に近い性質を有するものであっても良いし、酸素原子が窒素原子に対して少数となりＡｌＮに近い性質を有するものであっても良いし、酸素原子と窒素原子とが同程度含まれたものであっても良い。
　洗浄時除去膜Ｗは、例えば図５（ＡｌＮ）に示されるような、微細な毛羽状構造、ピラミッド群状構造、及び剣山状構造の少なくとも何れか（以下適宜「毛羽状構造等」と呼ばれる）を有する。かような毛羽状構造等により、遮光膜等のその上への成膜が可能であり、且つ流水及び超音波の少なくとも一方等を用いた洗浄により剥離等の除去が可能である性質が、洗浄時除去膜Ｗに付与される。
　毛羽状構造等を有する洗浄時除去膜Ｗは、毛羽状構造等を有さないものの物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＶＤ），真空蒸着及びスパッタリング等）による直接の成膜に適した洗浄時除去ベース膜ＷＢから形成される。洗浄時除去膜Ｗは、例えば、洗浄時除去ベース膜ＷＢに対し、超音波を当てる超音波処理、及び温水に浸す温水浸漬処理の少なくとも一方を施して形成される。
　尚、洗浄時除去膜Ｗは、厳密には洗浄により完全に離脱せず、光学薄膜１の形成後において僅かに残存する場合がある。この場合であっても、残存する物質は、アルミニウム、アルミニウム合金、又はアルミニウムの化合物であり、光学薄膜１の光学特性に実質的な影響を及ぼさない。本発明は、かように洗浄時除去膜Ｗの一部が残存する場合を含んでいる。

　第１形態の光学薄膜１の製造は、例えば、レンズ部２Ｌ上に第１薄膜部１０が成膜され、第１薄膜部１０の上に洗浄時除去膜Ｗが成膜され、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上並びに洗浄時除去膜Ｗ上に第２薄膜部１２の遮光膜が成膜され、その後の洗浄により、洗浄時除去膜Ｗがその上に成膜された遮光膜と共に除去され、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上の遮光膜は洗浄を受けても残存して背面視リング状の第２薄膜部１２となることで行われる。

　第２形態の光学薄膜５１の製造は、例えば、成膜面Ｆ２の中央部上に第１薄膜部６０が成膜され、第１薄膜部６０の上に洗浄時除去膜Ｗが成膜され、第１薄膜部６０及び洗浄時除去膜Ｗ付きの成膜面Ｆ２の全面に第２薄膜部６２の遮光膜が成膜され、その後の洗浄により、洗浄時除去膜Ｗがその上に成膜された遮光膜と共に除去され、成膜面Ｆ周縁部上の遮光膜は洗浄を受けても残存して背面視矩形枠状の第２薄膜部６２となることで行われる。

［変更例等］
　上記の形態又は変更例を変更した更なる変更例が、以下説明される。
　第１形態において、成膜面Ｆの中央部に遮光膜が成膜され、周縁部にＡＲ膜が成膜されても良い。
　第２形態において、成膜面Ｆの中央部に遮光膜が成膜され、周縁部に赤外線カット膜が成膜されても良い。
　上記の形態及び変更例に限らず、本発明に係る洗浄時除去膜Ｗを用いた膜の製造は、様々な成膜面における複数部分に対する互いに異なる種類の膜部分の形成に適用可能である。例えば、成膜面Ｆ，Ｆ２の中央部と周縁部とで、互いに層構造が異なるＡＲ膜部分が、それぞれ形成されても良い。又、成膜面Ｆ，Ｆ２の中央部と周縁部とで、互いに層構造が異なるミラー膜部分が、それぞれ形成されても良い。成膜面Ｆ，Ｆ２の中央部にＡＲ膜部分が形成され、周縁部にミラー膜部分が形成されても良いし、その逆の配置で各膜部分が形成されても良い。成膜面Ｆ，Ｆ２の中央部にＡＲ膜部分が形成され、周縁部に赤外線カット膜部分が形成されても良いし、その逆の配置で各膜部分が形成されても良い。成膜面Ｆ，Ｆ２の中央部に赤外線カット膜部分が形成され、周縁部にミラー膜部分が形成されても良いし、その逆の配置で各膜部分が形成されても良い。各膜部分の配置は、中央部及び周縁部に限られない。本発明は、３種以上の膜部分を有する光学薄膜に適用されても良い。

［第３形態］
　本発明の第３形態に係る光学薄膜は、製造方法以外、第１形態と同様に成る。第１形態と同様に成る部材や部分等は、適宜、同じ符号が付され、説明が省略される。

　第３形態の光学薄膜１の製造は、例えば、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上並びにレンズ部２Ｌ上（成膜面Ｆ上）に第１薄膜部１０が成膜され、第１薄膜部１０の上に洗浄時除去膜Ｗが成膜され、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上の第１薄膜部１０及び洗浄時除去膜Ｗがレーザー照射等により除却される。
　そして、以後の製造方法は、第１形態と同様である。即ち、以後の製造は、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上並びに洗浄時除去膜Ｗ上に第２薄膜部１２の遮光膜が成膜され、その後の洗浄により、洗浄時除去膜Ｗがその上に成膜された遮光膜と共に除去され、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上の遮光膜は洗浄を受けても残存して背面視リング状の第２薄膜部１２となることで行われる。
　尚、第３形態は、第１形態及び第２形態と同様の変更例を、適宜有する。

　次いで、本発明の好適な実施例、及び本発明に属さない比較例が説明される。
　尚、本発明は、以下の実施例に限定されない。又、本発明の捉え方により、下記の実施例が実質的には比較例となったり、下記の比較例が実質的には実施例となったりすることがある。

［実施例１］
≪光学薄膜の構成等≫
　実施例１は、上述の第１形態（遮光ＡＲレンズ部材Ｌ）に対応する。
　実施例１において、光学薄膜１の第１薄膜部１０（ＡＲ膜）は、次の表１に示されるように、全５層の光学多層膜であって、低屈折率材料により形成された低屈折率層と高屈折率材料により形成された高屈折率層との交互膜となっている。より詳しくは、第１薄膜部１０は、基材２側から数えて１，３，５層目（奇数層）がＳｉＯ_２製の低屈折率層（ＳｉＯ_２層）であり、２，４層目（偶数層）がＴｉＯ_２製の高屈折率層（ＴｉＯ_２層）である。尚、表１には、６層目として、第１薄膜部１０の構成要素ではない洗浄時除去ベース膜ＷＢ（Ａｌ_２Ｏ_３）が記載されている。
　又、光学薄膜１の第２薄膜部１２（遮光膜）は、次の表２に示されるように、全９層の光学多層膜であって、低屈折率層と高屈折率層との交互膜となっている。より詳しくは、第１薄膜部１０は、基材２側から数えて１，３，５，７，９層目（奇数層）がＳｉＯ_２層であり、２層目（偶数層の一部）が酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）製の高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５層）であり、４，６，８層目（偶数層の他の一部）がニオブシリコン合金（Ｎｂ＋Ｓｉ）製の高屈折率層（Ｎｂ＋Ｓｉ層）である。Ｎｂ＋Ｓｉ層は、可視光を吸収する光吸収層であり、又その特性から高屈折率層と同様な挙動を呈するものである。
　尚、低屈折率材料は、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、あるいはＳｉＯ_２を含むこれらの二種以上の混合物であっても良い。又、高屈折率材料は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化セレン（ＣｅＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化イットリウム（ＹＯ_２）あるいはＴｉＯ_２を含むこれらの二種以上の混合物であっても良い。第１薄膜部１０に係る光学多層膜では、高屈折率材料及び低屈折率材料が１種ずつ用いられるため、膜設計が容易であり、成膜コストが低廉である。

≪光学薄膜の製造等≫
　次いで、実施例１を製造する方法が、説明される。
　尚、本発明に係る光学薄膜１の製造方法は、製造装置を含め、以下の形態に限定されない。

　実施例１の製造において、光学薄膜１の第１薄膜部１０、洗浄時除去ベース膜ＷＢ、及び第２薄膜部１２は、何れもＤＣスパッタ成膜装置でのＤＣスパッタにより形成される。実施例１の製造では、洗浄時除去ベース膜ＷＢとして、Ａｌ_２Ｏ_３が用いられる。
　次の表３に、各種のスパッタリングにおけるプロセス条件が示される。
　又、図６～図９に、各種材料の光学定数（可視域及び隣接域における屈折率分布及び消衰退係数）が示される。
　尚、第１薄膜部１０、洗浄時除去ベース膜ＷＢ、及び第２薄膜部１２の少なくとも何れかは、蒸着等、他の方法により成膜されても良い。又、ＤＣスパッタ成膜装置に代えて、ＲＦスパッタ成膜装置が用いられても良い。更に、各種の膜の層数及び各層の膜厚は、それぞれ適宜変更可能である。

　図４（Ａ）に示される、成膜面Ｆ（背面）を上方に向けた水平な状態でスパッタ成膜装置の真空引きされた成膜室に入れられた成膜前の基材２における成膜面Ｆ上方に、図３（Ａ），図４（Ｂ）に示されるように、マスクＭがセットされる。マスクＭは、板状のベースＭＢと、ベースＭＢの中央において、第１薄膜部１０の形状に対応した形状で開けられた貫通孔ＭＨと、を有する。マスクＭは、成膜ホルダーに、支持体を介して支持される。
　尚、光学薄膜１の製造方法において、各種の配置、設置数等は、上述のものに限定されない。例えば、基材２及びマスクＭは、鉛直姿勢とされても良い。基材２は複数縦横に並べられ、マスクＭはその並びに対応する複数の貫通孔を有しても良い。

　次に、図３（Ｂ），図４（Ｃ）に示されるように、第１薄膜部１０、次いで洗浄時除去ベース膜ＷＢが成膜される。尚、第１薄膜部１０と洗浄時除去ベース膜ＷＢとは、互いに別の装置で製造されても良い。
　即ち、まず、各種のターゲットがセットされて成膜室が真空引きされ、更に表３で「前処理」として示される通り、ラジカル源から、Ｏ_２ガスが、高周波電圧が印加されラジカル酸素となった状態で５００ｃｃｍの流量で３０秒間成膜室に供給されることで、基材２及びマスクＭのクリーニングが行われる。より詳しくは、かようなラジカル酸素の照射により、基材２及びマスクＭに有機物等が付着していたとしても、有機物等はラジカル酸素及びプラズマで発生する紫外線によって分解剥離される。かようなクリーニングにより、後に形成する膜の密着性が向上する。
　そして、第１薄膜部１０の１層目（ＳｉＯ_２層）が、上述のプロセス条件（表３）でスパッタされる。ここでは、Ｓｉのスパッタ源がアルゴンガス（Ａｒガス）の導入と共に作動し、ラジカル源として酸素ガス（Ｏ_２ガス）が成膜室に導入される。マスクＭは、基材２とスパッタ源との間に配置されている。次いで、第１薄膜部１０の２層目（ＴｉＯ_２層）が、同様にスパッタされる。ここでは、Ｔｉのスパッタ源が作動し、ラジカル源としてＯ_２ガスが成膜室に導入される。続いて、順次、３～５層目が同様にスパッタされ、第１薄膜部１０が成膜される。尚、スパッタ源に代えて、あるいはスパッタ源と共に、ラジカル源においてＡｒガスが導入されても良い。Ａｒガスは、Ａｒ外の希ガスに係るものとされても良い。かようなＡｒガスに係る変更は、他の成膜においても適宜行われても良い。
　次に、洗浄時除去ベース膜ＷＢ（Ａｌ_２Ｏ_３）が、上述のプロセス条件（表３）で、第１薄膜部１０の上にスパッタされる。ここでは、Ａｌのスパッタ源がＡｒガスの導入と共に作動し、ラジカル源は酸素ラジカルにおいて作動する。
　第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢは、マスクＭの貫通孔ＭＨにより、基材２のレンズ部２Ｌ上に成膜される。

　続いて、図３（Ｃ），図４（Ｄ）に示されるように、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢ付きの基材２が、スパッタ成膜装置から一旦取り出される。
　そして、図３（Ｄ）に示されるように、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢ付きの基材２は、水槽Ｔ中の温水ＨＷに浸漬される。すると、図３（Ｅ），図４（Ｅ）に示されるように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、毛羽状構造等を有する洗浄時除去膜Ｗとなる。即ち、洗浄時除去ベース膜ＷＢにおける均一に分布したＡｌ_２Ｏ_３の構造が、温水ＨＷへの溶解を伴いつつ、毛羽状構造等を呈するように変化する。換言すれば、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、温水ＨＷ中において、適宜一部溶解しつつ、多数の微細な毛羽、角錐、円錐、針状体等を膜厚方向に成長させ、徐々に洗浄時除去膜Ｗに変化する。洗浄時除去ベース膜ＷＢから洗浄時除去膜Ｗへの変化は、膜の強度が毛羽状構造等の具備により低下することから、エッチングと捉え得る。他方、温水ＨＷは、第１薄膜部１０に変形及び短期的脆弱化等の悪影響を及ぼさない。尚、浸漬時の基材２等の姿勢（向き）は、図３で示されるような鉛直姿勢に限られない。又、温水への浸漬に加え、温水への浸漬と共に、超音波を当てることによっても、同様にエッチングが可能である。
　温水ＨＷの温度は、毛羽状構造等をなるべく短時間で得る観点から、ここでは９０℃であって、好ましくは６０℃以上１００℃以下であり、より好ましくは８０℃以上１００℃以下であり、更に好ましくは９０℃以上１００℃以下である。１００℃以上とするには、加圧等の特殊な処理を水に施すか、水以外を用いるかしなければならず、手間がかかる。
　又、温水ＨＷへの浸漬時間は、毛羽状構造等をなるべく短時間で得る観点から、好ましくは２秒間以上１０分間以下であり、より好ましくは５秒間以上５分間以下であり、更に好ましくは１５秒間以上３分間以下である。浸漬時間が短いと、毛羽状構造等が十分に得られず、浸漬時間が長いと、処理時間が長くなり効率がその分悪くなる。

　その後、図３（Ｆ）に示されるように、第１薄膜部１０及び洗浄時除去膜Ｗ付きの基材２が水槽Ｔから取り出されてスパッタ成膜装置に戻され、図３（Ｇ），図４（Ｆ）に示されるように、成膜面Ｆの全体に第２薄膜部１２に係る遮光膜が成膜される。尚、第１薄膜部１０等と遮光膜とは、互いに別の装置で製造されても良い。
　即ち、まず、マスクＭ無しで、第２薄膜部１２の１層目（ＳｉＯ_２層）が、第１薄膜部１０のＳｉＯ_２層と同様にスパッタされる。次いで、第２薄膜部１２の２層目（Ｎｂ_２Ｏ_５層）が、上述のプロセス条件（表３）でスパッタされる。ここでは、Ｎｂのスパッタ源がＡｒガスの導入と共に作動し、ラジカル源としてＯ_２ガスが成膜室に導入される。続いて、第２薄膜部１２の３層目（ＳｉＯ_２層）が、同様にスパッタされる。次いで、第２薄膜部１２の４層目（Ｎｂ＋Ｓｉ層）が、同様にスパッタされる。Ｎｂ＋Ｓｉ層のスパッタでは、Ｎｂのスパッタ源とＳｉのスパッタ源とが同時に作動し、ラジカル源は作動しない。続いて、順次、５～７層目が同様にスパッタされ、第２薄膜部１２に係る遮光膜が、基材２の粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上、並びに洗浄時除去膜Ｗ上に成膜される。

　かような遮光膜の全面的な成膜の後、図３（Ｈ）に示されるように、遮光膜、洗浄時除去膜Ｗ及び第１薄膜部１０付きの基材２が、再び水槽Ｔに入れられて、温水ＨＷに浸漬される。
　すると、図３（Ｉ），図４（Ｇ）に示されるように、洗浄時除去膜Ｗ上の遮光膜は、クラックを有して脆弱化構造を有する脆弱化第２薄膜部１２Ｅとなる。洗浄時除去膜Ｗ上における第２薄膜部１２から脆弱化第２薄膜部１２Ｅへの変化は、エッチングと捉え得、２度目のエッチングであるから再エッチングと捉え得る。再エッチングにおいて、基材２上の第２薄膜部１２、及び第１薄膜部１０には、脆弱化等の悪影響は及ばず、第１薄膜部１０及び第２薄膜部１２の成膜面Ｆに対する密着性に変化は生じない。
　又、再エッチングにおいて、洗浄時除去膜Ｗの毛羽状構造等の更なる微細化、及び洗浄時除去膜Ｗの一部の溶解が進行する。
　尚、洗浄時除去膜Ｗに係る水槽Ｔと、第２薄膜部１２に係る水槽Ｔとは、互いに別に設けられても良い。又、これらの水槽Ｔ，Ｔにおいて、温水ＨＷの温度及び浸漬時間の少なくとも一方が互いに異なるものとされても良い。更に、再エッチングは、１回目のエッチングに係る変更例を適宜有し得る。例えば、再エッチングにおいて、温水浸漬処理に代えて、あるいは温水浸漬処理と共に、超音波処理が行われても良い。加えて、脆弱化第２薄膜部１２Ｅの脆弱化構造は、クラックに限られない。

　第１薄膜部１０、第２薄膜部１２、脆弱化第２薄膜部１２Ｅ及び洗浄時除去膜Ｗ付きの基材２は、水槽Ｔから取り出された後、図３（Ｊ）に示されるように、流水で洗浄される（矢印Ａ参照）。尚、流水に代えて、あるいは流水と共に、超音波により洗浄が行われても良い。
　すると、脆弱化第２薄膜部１２Ｅ及び洗浄時除去膜Ｗが、第１薄膜部１０上から分離され、図３（Ｋ），図４（Ｈ）に示されるように、第１薄膜部１０の周りに第２薄膜部１２が均一な膜厚で配置された光学薄膜１付きの基材２、即ち遮光ＡＲレンズ部材Ｌが完成する。即ち、洗浄時除去膜Ｗ及びその上における第２薄膜部１２が洗浄により除去され、第１薄膜部１０がレンズ部２Ｌ表面の上で出現し、第２薄膜部１２が、成膜面Ｆ全体に配置される状態から、粗面部２Ｒ表面及び周縁平坦部２Ｓ表面の上のみに配置される状態となる。
　かような光学薄膜１において、洗浄時除去膜Ｗに係るＡｌ_２Ｏ_３は、微細な毛羽状構造等によりその下の第１薄膜部１０に対する密着性が低下しているため、流水及び超音波の少なくとも一方による洗浄で完全に除去され、残存していない。又、クラックを有する脆弱化第２薄膜部１２Ｅ及び毛羽状構造等を有する洗浄時除去膜Ｗにより、遮光膜は、レンズ部２Ｌ上方の部分のみ選択的に除去される。第１薄膜部１０のレンズ部２Ｌ表面に対する密着性、及び第２薄膜部１２の粗面部２Ｒ表面及び周縁平坦部２Ｓ表面に対する密着性は、何れも確保されているため、当該各部分における第１薄膜部１０及び第２薄膜部１２は、流水及び超音波の少なくとも一方での洗浄により剥離せず、基材２から除去されない。尚、上述の通り、洗浄時除去膜Ｗは、僅かに残存したとしても、光学薄膜１等に多大な影響を及ぼさない。
　又、洗浄時除去膜Ｗは、有機溶剤を用いることなく除去可能であり、従って、光学薄膜１及び基材２並びに中間膜等における有機溶剤の影響の発生が防止される。特に、プラスチック製の基材２の多くは、有機溶剤に対して弱く、有機溶剤の作用により溶解及びクラックが発生してしまうところ、洗浄時除去膜Ｗの除去では、有機溶剤の不使用により、かような溶解及びクラックの発生が防止されることとなる。よって、洗浄時除去膜Ｗを用いた光学薄膜１の形成は、プラスチック製の基材２に対して特に有効である。
　流水に係る水温は、どのようなものであっても良く、取扱容易性の観点から、室温（水道の水温）程度であることが好ましい。
　流水の流量は、脆弱化第２薄膜部１２Ｅ及び洗浄時除去膜Ｗの全体が分離される量であればどのようなものであっても良い。超音波の出力に関しても、同様である。
　流水及び超音波の少なくとも一方で処理する時間である洗浄時間は、脆弱化第２薄膜部１２Ｅ及び洗浄時除去膜Ｗの全体が分離される時間であればどのようなものであっても良く、十分な洗浄を確保しつつ時間を短縮する観点から、好ましくは３０秒間以上１０分間以下であり、より好ましくは１分間以上５分間以下であり、更に好ましくは２分間以上３分間以下である。

≪実施例１の特性等≫
　図１０は、実施例１の第１薄膜部１０（ＡＲ膜）が形成されたレンズ部２Ｌ表面（中央点）における、可視域及び隣接域における反射率分布のグラフである。
　このグラフによれば、実施例１のレンズ部２Ｌにおいて、可視光に対する低反射が実現していることが分かる。
　レンズ部２Ｌの表面は鏡面加工されて第１薄膜部１０が付与されており、基材２は透光性を有するから、実施例１のレンズ部２Ｌは、可視光の大部分を透過する。

　図１１は、実施例１の第２薄膜部１２（遮光膜）が形成された粗面部２Ｒ表面に対する、空気中から入射して第２薄膜部１２（第２Ａ薄膜部１２Ａ）で反射する反射光の反射率（遮光膜上の反射率）、及び基材２側から入射して粗面部２Ｒ表面で反射する反射光の反射率（界面の反射率）に関する、可視域及び隣接域における反射率分布のグラフである。
　反射率は、反射率測定器から出た試験光が反射率測定器にどの割合で返ってくるかで測定されるところ、試験光は粗面部２Ｒの凹凸により散乱するから、実施例１における遮光膜上の反射率及び界面の反射率は、共に可視域全域で０．５％以下と、十分に低くなっている。
　図１２は、実施例１の第２薄膜部１２（遮光膜）が形成された粗面部２Ｒ表面における、可視域及び隣接域に係る透過率分布のグラフである。
　実施例１の粗面部２Ｒでは、可視域及び隣接域において、極めて低い透過率が実現される。かような第２薄膜部１２付きの粗面部２Ｒにより、実施例１の遮光ＡＲレンズ部材Ｌは、レンズユニット内における迷光の発生を十分に抑制するものとなる。

　以下、実施例１の第２薄膜部１２における膜厚の均一性が、比較例を挙げて説明される。
　図１３（Ａ），（Ｂ）は、比較例におけるリング状の遮光膜の製造に関する模式図であり、図１３（Ｃ）は、比較例における遮光ＡＲレンズ部材ＬＺの背面図である。
　比較例では、実施例１と同様にＡＲ膜１０Ｚを中央に形成した後、洗浄時除去ベース膜ＷＢを形成せず、ブリッジ付きマスクＭＺにより、ＡＲ膜１０Ｚの周りに遮光膜１２Ｚを成膜する。
　ブリッジ付きマスクＭＺは、ベースＭＺＢと、その中央において開けられた遮光ＡＲレンズ部材ＬＺと同様の大きさの円形の貫通孔ＭＺＨと、貫通孔ＭＺＨと同心で配置されておりレンズ部２ＬＺと同様の大きさの円板である中央マスクＭＺＣと、中央マスクＭＺＣを支持するためにベースＭＺＢにおける貫通孔ＭＺＨ外側部分から四方の何れかの内方に延びて中央マスクＭＺＣに達するブリッジＭＺＲと、を有する。
　ブリッジ付きマスクＭＺにおける中央マスクＭＺＣ部分を除いた貫通孔ＭＺＨにより、遮光膜１２Ｚがリング状に形成される。中央マスクＭＺＣにより、ＡＲ膜１０Ｚ上の遮光膜の形成が阻止される。
　しかし、遮光膜１２Ｚの形成時、中央マスクＭＺＣを支持する複数（４本）のブリッジＭＺＲが、膜材料の基材２Ｚへの到達を妨げるため、比較例の遮光膜１２Ｚは、ブリッジＭＺＲに対応した薄化部１２ＺＴを有することとなり、その膜厚はその分不均一となる。薄化部１２ＺＴでは、全く遮光膜１２Ｚの膜材料が存在しないこともある（未成膜部）。かような薄化部１２ＺＴは、中央マスクＭＺＣを支持可能な状態でブリッジＭＺＲを限界まで小さくしたとしても生じてしまう。
　これに対し、実施例１の第２薄膜部１２は、洗浄時除去膜Ｗにより、リング状でありながら、膜厚の均一性が極めて高い状態で形成される。
　尚、比較例では、ＡＲ膜１０Ｚ用のマスク及びブリッジ付きマスクＭＺの２種類のマスクが必要であるのに対し、実施例１では、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢ用のマスクＭ１つのみが必要であり、比較例に比べて実施例１は製造し易い。

≪洗浄時除去ベース膜の形成の変更例等≫
　次の表４に、洗浄時除去ベース膜ＷＢの形成の変更例に係る製造条件等が示される。
　尚、表４における最も上の製造条件等は、実施例１に係るものである。又、表４における「ＥＢ」は、電子ビームである。

　即ち、表４における上から２番目の製造条件等のように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、蒸着により形成されたＡｌ膜であっても良い。
　又、表４における上から３番目の製造条件等のように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、蒸着により形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜であっても良い。
　更に、表４における上から４番目の製造条件等のように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、スパッタにより形成されたＡｌ膜であっても良い。
　又更に、表４における上から５番目の製造条件等のように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、スパッタにより形成されたＡｌＮ膜であっても良い。尚、通常の蒸着では、ＡｌＮの成膜は困難である。
　加えて、表４における下から１番目の製造条件等のように、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、スパッタにより形成されたＡｌＯＮ膜であっても良い。尚、通常の蒸着では、ＡｌＯＮの成膜は困難である。
　あるいは、洗浄時除去ベース膜ＷＢは、Ａｌ単体を含むこれらの組合せであっても良い。
　これらの洗浄時除去ベース膜ＷＢは、実施例１の洗浄時除去ベース膜ＷＢのように、それぞれ、温水浸漬処理によって、微細な毛羽状構造等を発現させ、洗浄時除去膜Ｗとすることが可能である。

［実施例２］
≪光学薄膜の構成等≫
　実施例２は、上述の第２形態（赤外線カット部材Ｒ）に対応する。
　実施例２において、光学薄膜５１の第１薄膜部６０（赤外線カット膜）は、次の表５に示されるように、全４５層の光学多層膜であって、低屈折率層（ＳｉＯ_２層，奇数層）と高屈折率層（ＴｉＯ_２層，偶数層）との交互膜となっている。
　又、光学薄膜５１の第２薄膜部６２（遮光膜）は、実施例１の第２薄膜部１２と同様に成る。
　尚、実施例２は、その製造を含め、実施例１と同様の変更例を適宜有する。

≪光学薄膜の製造等≫
　次いで、実施例２を製造する方法が、説明される。
　尚、本発明に係る光学薄膜５１の製造方法は、製造装置を含め、以下の形態に限定されない。

　実施例２の製造において、光学薄膜５１の第１薄膜部６０、洗浄時除去ベース膜ＷＢ、及び第２薄膜部６２は、何れも、第１薄膜部６０の層数及びマスクＭの形状を除き、実施例１と同様にＤＣスパッタにより形成される。
　あるいは、光学薄膜５１の第１薄膜部６０は、蒸着により形成されても良い。この場合のプロセス条件が、次の表６に示される。
　かように第１薄膜部６０が蒸着により形成される場合、洗浄時除去ベース膜ＷＢも蒸着により形成すれば（表４における２，３番目の製造条件等参照）、第１薄膜部６０と洗浄時除去ベース膜ＷＢとが同じ装置で形成可能であり、製造の容易さが確保される。

　実施例２のＤＣスパッタによる製造は、実施例１と同様に行われる（図３，図４参照）。
　第１薄膜部６０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢが蒸着により形成される場合、図３（Ａ）～（Ｂ）が蒸着装置により、図３（Ｇ）がスパッタ装置によることになる。
　尚、エッチング（図３（Ｄ）～（Ｅ））及び再エッチング（図３（Ｈ）～（Ｉ））の少なくとも一方における浸漬時間等の各種条件は、第１薄膜部６０（赤外線カット膜）の特性に応じて調節されても良い。

≪実施例２の特性等≫
　図１４，図１５は、実施例２の第１薄膜部６０（赤外線カット膜）が形成された中央部５２Ｃ表面（中央点）における、可視域及び近赤外域（ここでは７５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下）並びに隣接域における透過率分布，反射率分布のグラフである。
　このグラフによれば、実施例２の中央部５２Ｃにおいて、近赤外光のカットが、主に反射により実現していることが分かる。

　実施例２の第２薄膜部６２（遮光膜）が形成された周縁部５２Ｒ表面における透過率等の性質は、実施例１の第２薄膜部１２が形成された粗面部２Ｒ表面における透過率等の性質と同様である（図１１，図１２参照）。
　よって、実施例２の周縁部５２Ｒでは、可視域及び隣接域において、極めて低い透過率が実現される。かような第２薄膜部１２付きの周縁部５２Ｒにより、実施例２の赤外線カット部材Ｒは、内部における迷光の発生を十分に抑制するものとなる。

≪まとめ等≫
　実施例１，２を製造する方法は、第１薄膜部１０，６０、及びこれと膜構成が異なる第２薄膜部１２，６２を有する光学薄膜１，５１を、基材２，５２の成膜面Ｆ，Ｆ２において製造する方法であって、成膜面Ｆ，Ｆ２における第１成膜部分の上に、第１薄膜部１０，６０を形成する工程と、第１薄膜部１０，６０の上に、毛羽状構造等を有するアルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方である洗浄時除去膜Ｗを形成する工程と、成膜面Ｆ，Ｆ２における第１成膜部分と異なる第２成膜部分の上、及び第１薄膜部１０，６０と洗浄時除去膜Ｗとが形成された第１成膜部分の上に、第２薄膜部１２，６２を形成する工程と、洗浄時除去膜Ｗ及びその上における第２薄膜部１２，６２を洗浄により除去する工程と、を含んでいる。
　よって、第１薄膜部と第２薄膜部とが分かれた光学薄膜が、レジスト、ブリッジ付きマスクＭＺ及び有機溶剤を用いることなく、高品質で低廉に製造される。
　尚、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分の「上」にという事項は、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分に接している状態と、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分に接しておらず、中間膜により離れているものの、それらの上方に有る状態と、を含むものである。

　又、実施例１，２を製造する方法において、第２薄膜部１２，６２は、リング状，枠状である。よって、従来低コスト且つ高品位に製造することが困難であったリング状又は枠状の薄膜部が、低コスト且つ高品位に製造される。
　更に、実施例１，２を製造する方法において、洗浄時除去膜Ｗは、アルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方を材料とした物理蒸着法により形成した洗浄時除去ベース膜ＷＢを、温水へ浸漬することにより形成される。よって、第１薄膜部１０，６０と分かれた第２薄膜部１２，６２の形成に必要な毛羽状構造等を有する洗浄時除去膜Ｗが、容易に形成される。
　又、実施例１，２を製造する方法において、洗浄時除去膜Ｗ及びその上における第２薄膜部１２，６２は、流水及び超音波の少なくとも一方により洗浄される。よって、洗浄工程が簡単に行える。

　更に、実施例１，２を製造する方法において、第２薄膜部１２，６２は、可視光をカットする遮光膜である。よって、レンズユニットにおける迷光対策用等のリング状又は枠状の遮光膜が、低コスト且つ高品位に形成されることとなる。
　又更に、実施例１，２を製造する方法において、第１薄膜部１０，６０は、可視光の反射を抑制するＡＲ膜である。よって、第１薄膜部１０，６０に対し、可視光の反射を抑制する機能が付与される。

　加えて、実施例１，２の光学薄膜１，５１は、第１薄膜部１０，６０、及びこれと膜構成が異なる第２薄膜部１２，６２を有しており、第２薄膜部１２，６２は、第１薄膜部１０，６０を囲んでおり、第１薄膜部１０，６０に、レジストが残存していない。
　よって、実施例１，２の光学薄膜１，５１では、上記特許文献１のもののようにレジストが残存することがなく、又上記比較例のように薄化部１２ＺＴが生じることがなく、第１薄膜部１０，６０と第２薄膜部１２，６２とが高品位な状態でシンプルに分かれた光学薄膜１，５１が提供される。

　又、実施例１，２の光学薄膜１，５１において、第２薄膜部１２，６２は、可視光をカットする遮光膜である。よって、レンズユニットにおける迷光対策用等のリング状又は枠状の遮光膜を有する光学薄膜１，５１が、高品位なものとなる。
　更に、実施例１，２の光学薄膜１，５１において、第１薄膜部１０，６０は、可視光の反射を抑制するＡＲ膜である。よって、第２薄膜部１２，６２に囲まれる第１薄膜部１０，６０において、可視光の反射が抑制されることとなる。
　加えて、実施例１，２の第１薄膜部１０，６０を形成する工程（図３（Ａ）～（Ｂ），図４（Ａ）～（Ｄ））において、マスクＭにより、第１成膜部分（レンズ部２Ｌの表面）の上のみに第１薄膜部１０，６０を形成する。よって、第１薄膜部１０，６０が、マスクＭの形状に対応した所望の形状で、容易に形成される。

［実施例３］
≪光学薄膜の構成等≫
　実施例３は、上述の第３形態（遮光ＡＲレンズ部材Ｌ）に対応する。
　実施例３において、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）の構成、及び第２薄膜部１２（遮光膜）は、何れも上述の実施例１と同様である。

≪光学薄膜の製造等≫
　次いで、実施例３を製造する方法が、説明される。
　尚、本発明に係る光学薄膜１の製造方法は、製造装置を含め、以下の形態に限定されない。

　実施例３の製造方法は、その前半を除き、実施例１と同様に成る。図１６は、実施例３の製造方法の前半を示す模式図である。
　図１６（Ａ）に示されるように、成膜前の基材２が、成膜面Ｆ（背面）を上方に向けた水平な状態で、スパッタ成膜装置の真空引きされた成膜室に入れられる。実施例３の製造方法では、実施例１の製造方法と異なり、マスクＭは用いられない。

　次に、図１６（Ｂ）に示されるように、第１薄膜部１０、次いで洗浄時除去ベース膜ＷＢが、マスクＭがないことを除き、実施例１と同様に成膜される。
　第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢは、基材２の成膜面Ｆ上に成膜される。

　続いて、図１６（Ｃ）に示されるように、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢ付きの基材２が、スパッタ成膜装置から一旦取り出され、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上の各第１薄膜部１０及び各洗浄時除去ベース膜ＷＢにレーザーＬＡが照射される。
　レーザーＬＡの照射により、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上の各第１薄膜部１０及び各洗浄時除去ベース膜ＷＢが除却される。第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢは、レンズ部２Ｌ上のみに配置される。
　レーザーＬＡの出力は、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢが除却され、且つ粗面部２Ｒ及び周縁平坦部２Ｓに所定程度を超える形状変更等の影響を及ぼさない大きさに設定される。レーザーＬＡの出力は、様々な態様で調整され得る。例えば、レーザーＬＡの出力は、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢの少なくとも一方の所定量以下の残存が許容される場合、完全に除却される出力より低くされても良い。又、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上に遮光膜が形成される場合のように、所定程度以下の形状変更（微細な傷の発生等）が、遮光機能を阻害しない（場合により遮光機能を高める）ために許容されるとき、レーザーＬＡの出力は、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢが除却される最小限の出力より大きくされても良い。かようにレーザーＬＡの出力が最小限の出力より大きくされれば、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢがより確実に除却される。
　レーザーＬＡは、スポット径の大きさに応じ、粗面部２Ｒ上及び周縁平坦部２Ｓ上をトレースする。例えば、レーザーＬＡは、スポット径（直径）と同じかあるいは僅かに小さい走査幅により、粗面部２Ｒ及び周縁平坦部２Ｓを走査する状態で照射される。かようなレーザーＬＡの照射により、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢの除却部分がパターニングされ、結果的に第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢの残存部分がパターニングされる（図１６（Ｄ））。

　そして、パターニングされた第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢを有する基材２は、実施例１の図３（Ｃ）と同様に成り、図３（Ｄ）以降と同じ各処理を施される。

≪実施例３の特性等≫
　実施例３の特性をより多様且つよりシンプルに調べるため、光学薄膜を、実施例３と同様の製造方法で、平行平板の基材２に形成したサンプルが作成された。サンプルの基材２は、ポリカーボネート製であり、そのサイズは、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍである。又、実施例３の製造方法は、実施例１の製造方法と同様の変更例を適宜有する。
　図１７は、当該サンプルの写真である。黒い部分は、第２薄膜部１２（遮光膜）及びその下の基材２であり、その他の部分は、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及びその下の基材２である。図１７に示されるように、黒丸形、黒十字形、白抜き十字形、黒太十字形、白抜き太十字形、黒小リング形、黒大リング形といった、様々な形状にパターニングされた光学薄膜１が形成されている。
　尚、本発明に係る光学薄膜１の製造方法は、当該サンプルの製造の形態に限定されない。又、当該サンプルの製造方法は、上述の他の各製造方法と同様の変更例を適宜有する。

　サンプルの製造が、更に説明される。
　平行平板の基材２の片面全体に、実施例１の上記表６の条件で、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）が蒸着される（図１６（Ａ）～（Ｂ）に対応）。第１薄膜部１０（ＡＲ膜）は、全７層であり、ＳｉＯ_２層（奇数層）とＴｉＯ_２層（偶数層）との交互膜である。第１薄膜部１０（ＡＲ膜）の膜構成が、次の表７に示される。

　更に、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）付き基材２の片面全体に、洗浄時除去ベース膜ＷＢとしてのＡｌ層が、表４の４行目の条件で、ＤＣスパッタにより形成される（図１６（Ｂ）に対応）。

　そして、レーザーＬＡの照射により、パターニングが行われる（図１６（Ｃ）～（Ｄ）に対応）。ここでは、レーザーＬＡの発出は、株式会社キーエンス製ＭＤ－Ｘ１５２０により、レーザーＬＡの波長が１．０６μｍであり、周波数が４０ｋＨｚ（キロヘルツ）であり、スポット径（直径）が８０μｍであり、走査速度が２０００ｍｍ／秒である状態で行われた。レーザーＬＡは、ＹＡＧによる。走査は、主にガルバノミラーの駆動による。
　パターニングは、第２薄膜部１２（遮光膜，黒い部分）に対応する形状がレーザーにより走査されることで行われる。
　尚、レーザーＬＡの種類及び各種の設定、並びにパターニングの形状の少なくとも何れかは、上述のものから変更されても良い。特に、レーザーＬＡの出力の大きさは、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び洗浄時除去ベース膜ＷＢが、（所定の残存量を適宜許容した状態で）除却できるものであれば良い。第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び第２薄膜部１２（遮光膜）の重なりが許容される場合、レーザーＬＡの出力の大きさは、洗浄時除去ベース膜ＷＢが除却できるものであれば良い。加えて、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び第２薄膜部１２（遮光膜）の重なりが許容され、更に洗浄時除去膜Ｗの特定量以下の残存が許容される場合、レーザーＬＡの出力の大きさは、洗浄時除去ベース膜ＷＢが特定量以下で残存する状態で除却（一部除却）できるものであれば良い。

　その後、図３（Ｄ）～（Ｆ）に示されるように、温水ＨＷへの浸漬により、洗浄時除去ベース膜ＷＢが、毛羽状構造等を有する洗浄時除去膜Ｗとされる。
　又、図３（Ｇ）に示されるように、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び洗浄時除去膜Ｗ付きの基材２の片面全体に、第２薄膜部１２（遮光膜）が形成される。ここでの第２薄膜部１２（遮光膜）の膜構成は、実施例１に係る上記表２で示される膜構成と同一である。
　そして、図３（Ｈ）～（Ｊ）に示されるように、温水ＨＷへの浸漬及び流水洗浄により、図３（Ｋ）に示されるように、第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び第２薄膜部１２（遮光膜）を有するサンプルが形成される。

　図１８は、図１７における黒太十字形の右下部、及び白抜き太十字形の右上部の拡大図である。図１９は、図１７における黒小リング形部分の拡大図である。図２０は、図１９におけるリング下部内周部分の拡大図（顕微鏡の明視野像）であり、図２０の上部は第１薄膜部１０（ＡＲ膜）で、図２０の下部は第２薄膜部１２（遮光膜）である。
　これらの図（写真）では、パターニングが一定程度以上の質で行われていることが示されている。又、パターニングの質は、レーザーＬＡのスポット径の小径化、及び走査速度の低速化の少なくとも一方等により、更に向上可能である。

　図２１は、当該サンプルの第１薄膜部１０（ＡＲ膜）及び第２薄膜部１２（遮光膜）における、可視域及び隣接域での各反射率分布のグラフである。
　このグラフによれば、可視域で透明性を有する第１薄膜部１０（ＡＲ膜）において、可視光に対する低反射が実現していることが分かる。又、光吸収による遮光機能を有する第２薄膜部１２（遮光膜）において、可視域及び隣接域で反射防止機能も具備することが分かる。

≪まとめ等≫
　実施例３（サンプル）を製造する方法は、第１薄膜部１０、及びこれと膜構成が異なる第２薄膜部１２を有する光学薄膜１を、基材２の成膜面Ｆにおいて製造する方法であって、成膜面Ｆにおける第１成膜部分の上に、第１薄膜部１０を形成する工程と、第１薄膜部１０の上に、毛羽状構造等を有するアルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方である洗浄時除去膜Ｗを形成する工程と、成膜面Ｆにおける第１成膜部分と異なる第２成膜部分の上、及び第１薄膜部１０と洗浄時除去膜Ｗとが形成された第１成膜部分の上に、第２薄膜部１２を形成する工程と、洗浄時除去膜Ｗ及びその上における第２薄膜部１２を洗浄により除去する工程と、を含んでいる。
　よって、第１薄膜部と第２薄膜部とが分かれた光学薄膜が、レジスト、ブリッジ付きマスクＭＺ及び有機溶剤を用いることなく、高品質で低廉に製造される。
　尚、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分の「上」にという事項は、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分に接している状態と、成膜面，第１成膜部分，第２成膜部分に接しておらず、中間膜により離れているものの、それらの上方に有る状態と、を含むものである。

　加えて、実施例３（サンプル）の第１薄膜部１０を形成する工程において、第１成膜部分を一部に含む成膜面Ｆの全体に第１薄膜部１０を形成（図１６（Ａ）～（Ｂ））した後、第１成膜部分以外の成膜面Ｆの部分（第２成膜部分）の上における第１薄膜部１０を、レーザーＬＡにより除却する（図１６（Ｃ）～（Ｄ））。
　よって、第１薄膜部１０（第２薄膜部１２）が、任意の形状においてパターニング可能である。又、第２薄膜部１２が遮光膜であるときのように、レーザーＬＡでの除却による第２成膜部分等の損傷（例えば白濁、表面の荒れ、表面の溶解、第１薄膜部１０及び洗浄時除去ベース膜ＷＢの少なくとも一方の残存等）が許容される場合、除却のためのレーザーＬＡの設定がより容易になり、光学薄膜１がより効率良く製造される。

　１，５１・・光学薄膜、２，５２・・基材、１０，６０・・第１薄膜部、１２，６２・・第２薄膜部、Ｆ，Ｆ２・・成膜面、Ｗ・・洗浄時除去膜、ＷＢ・・洗浄時除去ベース膜。

Claims (11)

1. 　第１薄膜部、及び前記第１薄膜部と膜構成が異なる第２薄膜部を有する光学薄膜を、基材の成膜面において、直接又は中間膜を介して製造する方法であって、
   　前記成膜面における第１成膜部分の上に、前記第１薄膜部を形成する工程と、
   　前記第１薄膜部の上に、毛羽状構造、ピラミッド群状構造、及び剣山状構造の少なくとも何れかを有するアルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方である洗浄時除去膜を形成する工程と、
   　前記成膜面における前記第１成膜部分と異なる第２成膜部分の上、及び前記第１薄膜部と前記洗浄時除去膜とが形成された前記第１成膜部分の上に、前記第２薄膜部を形成する工程と、
   　前記洗浄時除去膜及びその上における前記第２薄膜部を洗浄により除去する工程と、
   を含む
   ことを特徴とする光学薄膜の製造方法。
2. 　前記第２薄膜部は、リング状又は枠状である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光学薄膜の製造方法。
3. 　前記洗浄時除去膜は、アルミニウム及びアルミニウムの化合物の少なくとも一方を材料とした物理蒸着法により形成した洗浄時除去ベース膜を、温水へ浸漬することにより形成される
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学薄膜の製造方法。
4. 　前記洗浄時除去膜及びその上における前記第２薄膜部は、流水及び超音波の少なくとも一方により洗浄される
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れかに記載の光学薄膜の製造方法。
5. 　前記第２薄膜部は、可視光をカットする遮光膜である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れかに記載の光学薄膜の製造方法。
6. 　前記第１薄膜部は、可視光の反射を抑制する反射防止膜である
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れかに記載の光学薄膜の製造方法。
7. 　前記第１薄膜部を形成する工程において、マスクにより、前記第１成膜部分の上のみに前記第１薄膜部を形成する
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れかに記載の光学薄膜の製造方法。
8. 　前記第１薄膜部を形成する工程において、前記第１成膜部分を一部に含む、前記成膜面又は前記中間膜の全体又は部分に前記第１薄膜部を形成した後、前記第１成膜部分以外の前記成膜面又は前記中間膜の部分の上における前記第１薄膜部を、レーザーにより除却する
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項６の何れかに記載の光学薄膜の製造方法。
9. 　第１薄膜部、及び前記第１薄膜部と膜構成が異なる第２薄膜部を有する光学薄膜であって、
   　前記第２薄膜部は、前記第１薄膜部を囲んでおり、
   　前記第１薄膜部に、レジストが残存していない
   ことを特徴とする光学薄膜。
10. 　前記第２薄膜部は、可視光をカットする遮光膜である
    ことを特徴とする請求項９に記載の光学薄膜。
11. 　前記第１薄膜部は、可視光の反射を抑制する反射防止膜である
    ことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の光学薄膜。

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