WO2022070871A1 - ネガ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a negative photosensitive resin composition.
  • Patent Document 1 describes a cyclic olefin resin having a functional group having a polymerizable double bond in a side chain and a polymerization initiator. A resin composition containing the same has been proposed.
  • the photosensitive resin composition is required to be excellent in pattern forming property by development. Further, the resin film obtained by using the photosensitive resin composition is required to be excellent in electrical properties such as dielectric loss tangent, chemical resistance, and extensibility.
  • the conventional photosensitive resin composition as described in Patent Document 1 improves the pattern forming property by development, lowers the dielectric loss tangent of the obtained resin film, and further improves the chemical resistance and extensibility. There was room for improvement in terms of making it work.
  • the present invention is a negative photosensitive resin capable of improving the pattern forming property by development, reducing the dielectric loss tangent of the obtained resin film, and further improving the chemical resistance and extensibility. It is an object of the present invention to provide a composition.
  • the present inventor has made diligent studies to achieve the above object. Then, the present inventor can improve the pattern forming property by development by using a resin composition containing a polymer containing a predetermined structural unit and a photoradical generator as a negative photosensitive resin composition. I found it possible. It has also been found that by forming a resin film using the resin composition, the dielectric loss tangent of the obtained resin film can be reduced, and chemical resistance and extensibility can be improved. Then, based on these findings, the present invention was completed.
  • the present invention is intended to advantageously solve the above problems, and the negative photosensitive resin composition of the present invention contains a polymer and a photoradical generator, and the polymer is ,
  • the structural unit (I) represented by the following formula (I) and the structural unit (II) represented by the following formula (II) are included.
  • R 1 to R 3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic ring group, and R 1 to R 3 may be bonded to form a ring, and R 4 may be formed. Indicates a hydrogen atom or an alkyl group, X indicates an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and m indicates 0, 1 or 2.
  • R 5 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic ring group, and R 5 to R 8 may be bonded to form a ring, where n is. Indicates 0, 1 or 2.
  • the pattern forming property by development can be improved. ..
  • the photoradical generator is an acylphosphine oxide-based or oxime ester-based photoradical generator. If an acylphosphine oxide-based or oxime ester-based photoradical generator is used as the photoradical generator, the pattern forming property by development can be further improved, and the dielectric loss tangent of the obtained resin film can be further lowered. can.
  • the content of the photoradical generator is preferably more than 0.5 parts by mass and 25 parts by mass or less per 100 parts by mass of the polymer.
  • the content of the photoradical generator is not less than the above lower limit, the cross-linking reaction of the functional group of the structural unit of the above formula (I) can be sufficiently proceeded, so that the pattern forming property by development is further excellent. Can be.
  • the content of the photoradical generator is not more than the above upper limit, the dielectric loss tangent of the obtained resin film can be further reduced.
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is preferably 3 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is within the above range, the extensibility of the obtained resin film becomes excellent.
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is not less than the above lower limit, the chemical resistance of the resin film can be improved, and when it is not more than the above upper limit, the dielectric loss tangent of the resin film is increased. It can be suppressed.
  • the "content ratio of structural units” can be measured by using a nuclear magnetic resonance (NMR) method such as 1 H-NMR or 13 C-NMR.
  • a negative photosensitive resin capable of improving pattern formation by development, reducing the dielectric loss tangent of the obtained resin film, and improving chemical resistance and extensibility.
  • the composition can be provided.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and is used when forming a resin film that can be provided for electronic components such as integrated circuit elements, organic EL elements, and semiconductor packages. Can be done.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention can be particularly preferably used when producing an insulating organic film such as an organic EL or a semiconductor package.
  • the active energy ray used when patterning the resin film formed by using the negative photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and is a single beam such as ultraviolet rays, g-rays, h-rays, and i-rays.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention can be particularly preferably used in the wavelength range of 200 nm to 500 nm, for example.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention needs to contain a polymer containing the structural units described below and a photoradical generator, and may optionally contain a solvent and an additive component. Further, according to the negative photosensitive resin composition of the present invention, the pattern forming property by development can be improved, and the dielectric loss tangent of the resin film formed by using the negative photosensitive resin composition is lowered. And it is possible to improve chemical resistance and extensibility.
  • the polymer contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention is a polymer having a functional group in which a cross-linking reaction can proceed by radicals generated by irradiation with active energy rays in the presence of a photoradical generator.
  • the polymer of the present invention contains a structural unit (I) represented by the following formula (I) and a structural unit (II) represented by the following formula (II).
  • the polymer may contain a structural unit other than the structural unit (I) and the structural unit (II).
  • R 1 to R 3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic ring group, and R 1 to R 3 are bonded and rings. May be formed.
  • the alkyl group that can form R 1 to R 3 is not particularly limited, and examples thereof include an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Of these, as the alkyl group that can constitute R 1 to R 3 , a methyl group or an ethyl group is preferable.
  • the aromatic ring group that can form R 1 to R 3 is not particularly limited, and examples thereof include aromatic rings having 4 to 30 carbon atoms, and examples thereof include a benzene ring and a naphthalene ring.
  • the ring formed by combining R 1 to R 3 may be a monocyclic ring or a polycyclic ring.
  • X represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the alkylene group having 1 to 10 carbon atoms that can constitute X is not particularly limited, but is a chain having 1 to 6 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an n-butylene group, and an isobutylene group.
  • An alkylene group is preferable, a linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group and an n-butylene group is more preferable, and a linear alkylene group having 1 to 3 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group and a propylene group is more preferable.
  • the linear alkylene group of the above is more preferable, and the methylene group is particularly preferable.
  • m represents 0, 1 or 2, and is more preferably 0 or 1.
  • R4 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the alkyl group that can constitute R 4 is not particularly limited, and examples thereof include an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Of these, as the alkyl group that can constitute R 4 , a methyl group or an ethyl group is preferable.
  • the structural unit (I) is a functional group because the substituted or unsubstituted acryloyl group as a functional group is bonded to the cyclic olefin structure via the alkylene group represented by X.
  • the motility of is enhanced. Therefore, the polymer containing the structural unit (I) having such a functional group improves the cross-linking reactivity of the functional group in the presence of radicals.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention containing the polymer containing the structural unit (I) and the above-mentioned structural unit (II) and the photoradical generator can improve the pattern forming property by development. At the same time, it is possible to reduce the dielectric loss tangent of the obtained resin film and improve the extensibility of the resin film.
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is preferably 3 mol% or more, preferably 10 mol%, based on the total of 100 mol% of the structural unit (I) and the structural unit (II).
  • the above is more preferable, 15 mol% or more is further preferable, 70 mol% or less is preferable, 50 mol% or less is more preferable, and 40 mol% or less is further preferable. ..
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is within the above range, the extensibility of the obtained resin film is excellent.
  • the content ratio of the structural unit (I) in the polymer is not less than the above lower limit, the chemical resistance of the resin film can be improved, and when it is not more than the above upper limit, the dielectric loss tangent of the resin film is increased. It can be suppressed.
  • R 5 to R 8 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic ring group, and R 4 to R 8 are bonded and rings. May be formed.
  • the alkyl group that can form R 4 to R 8 is not particularly limited, and examples thereof include the same alkyl groups that can form R 1 to R 3 .
  • the aromatic ring group that can form R 4 to R 8 is not particularly limited, and examples thereof include the same aromatic ring groups that can form R 1 to R 3 .
  • the ring formed by binding R 4 to R 8 is not particularly limited, and examples thereof include the same ring formed by binding R 1 to R 3 .
  • n 0, 1 or 2, and is preferably 0 or 1.
  • the content ratio of the structural unit (II) in the polymer is preferably 3 mol% or more, preferably 5 mol%, based on the total of 100 mol% of the structural unit (I) and the structural unit (II). More preferably, it is more preferably 10 mol% or more, further preferably 30 mol% or more, further preferably 50 mol% or more, and particularly preferably 60 mol% or more. It is preferably 97 mol% or less, more preferably 90 mol% or less, still more preferably 85 mol% or less.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the above-mentioned polymer is preferably 3000 or more, more preferably 5000 or more, further preferably 10,000 or more, preferably 500,000 or less, and preferably 300,000. It is more preferably less than or equal to, and even more preferably 100,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the polymer is at least the above lower limit, the mechanical properties can be improved. Further, when the weight average molecular weight of the polymer is not more than the above upper limit, the solvent solubility can be improved.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the above-mentioned polymer is preferably 4 or less, more preferably 3 or less, and even more preferably 2 or less. If the molecular weight distribution of the polymer is not more than the upper limit, the resolution can be improved.
  • the "molecular weight distribution (Mw / Mn)" refers to the ratio of the weight average molecular weight (Mw) to the number average molecular weight (Mn). Then, in the present invention, the weight average molecular weight of the polymer is determined as a polystyrene-equivalent value by gel permeation chromatography (GPC).
  • the method for preparing the above-mentioned polymer is not particularly limited, and for example, a ring-opening polymer is synthesized by a ring-opening polymerization reaction of a norbornene-based monomer, and the obtained ring-opening polymer is hydrogenated.
  • Ring-opening polymer hydrogenation is carried out by performing a modification reaction with the step of obtaining the ring-opening polymer hydrogen additive (hereinafter referred to as "ring-opening polymerization step") and the obtained ring-opening polymer hydrogen additive. It can be efficiently synthesized by a method including a step of obtaining a modified product of a substance (hereinafter, referred to as a "modification step").
  • a modification step a modified product of a substance
  • a norbornene-based monomer (I) capable of forming the above-mentioned structural unit (I) and a norbornene-based monomer (II) capable of forming the above-mentioned structural unit (II) are used.
  • a ring-opening polymer is synthesized by a ring-opening polymerization reaction.
  • Examples of the norbornene-based monomer (I) include 2-norbornene-5-methanol, 2-methyl-2-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, and 2,3-ene.
  • Dodeca-9-ene 4-hydroxymethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 .
  • the norbornene-based monomer (I) can be used alone or in combination of two or more.
  • Nonbornene-based monomer (II) examples include tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7 , 10] Dodeca-3-ene (trivial name: tetracyclododecene), 8-ethylidene-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
  • dodeca-3-ene (trivial name: ethylidenetetracyclododecene), tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-3,8-diene (trivial name: dicyclopentadiene), 1,4-Metano-1,4,4a-9a-Tetrahydrofluorene (trivial name: methanotetrahydrofluorene), 5-Etylidene bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (trivial name: etylidene norbornene), Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (also referred to as "norbornene”), 5-ethyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.
  • the derivative refers to a derivative having a substituent in the ring structure.
  • the substituent that can be contained in the ring structure include an alkyl group, an alkylene group, a vinyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkylidene group.
  • the ring structure of the derivative may have one or more of these substituents.
  • the norbornene-based monomer (II) can be used alone or in combination of two or more.
  • the ring-opening polymerization reaction can be carried out in a solvent according to a known method.
  • the solvent is not particularly limited, and for example, an organic solvent such as tetrahydrofuran or toluene can be used.
  • an organic solvent such as tetrahydrofuran or toluene
  • the ring-opening polymerization catalyst a metal catalyst containing a metal such as molybdenum, tungsten, or ruthenium can be used, and among them, a metal catalyst containing ruthenium is preferable.
  • the ring-opening polymerization time is usually 1 hour or more and 10 hours or less, and preferably 2 hours or more and 5 hours or less.
  • the ring-opening polymerization temperature is usually 20 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, preferably 90 ° C. or lower.
  • the hydrogenation reaction can be carried out according to a known method.
  • the hydrogenation reaction time, hydrogenation reaction temperature, and hydrogenation pressure in the hydrogenation reaction are not particularly limited, but the hydrogenation reaction time is usually 1 hour or more and 10 hours, preferably 5 hours or less. ..
  • the hydrogenation reaction temperature is usually 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower.
  • the hydrogenation pressure is usually 1 MPa or more and 10 MPa or less, preferably 5 MPa or less.
  • the terminal portion of the ring-opening polymer hydrogenated product obtained in the ring-opening polymerization step is subjected to a modification reaction using a modifying agent to carry out a modification reaction of the ring-opening polymer hydrogenated product (that is, that is).
  • the polymer containing the structural unit (I) and the structural unit (II) described above) is synthesized.
  • the denaturing agent for example, a compound having a methacryloyl group or an acryloyl group can be used.
  • the compound having a methacrylic acid group include methacrylic acid chloride, methacrylic acid anhydride and the like.
  • the compound having an acryloyl group include acrylic acid chloride and acrylic acid anhydride. Among these, it is more preferable to use methacrylic acid chloride or acrylic acid chloride from the viewpoint of efficiently performing the modification reaction.
  • the modification reaction is not particularly limited, and for example, the modification reaction can be carried out by reacting the ring-opening polymer hydrogen additive and the modification agent in a solvent in the presence of a modification reaction catalyst.
  • the modification reaction catalyst is not particularly limited, and for example, triethylamine, pyridine and the like can be used.
  • the solvent is not particularly limited, and for example, the same solvent as that used in the ring-opening polymerization reaction can be used.
  • the denaturation reaction temperature and the denaturation reaction time are not particularly limited, but the denaturation reaction temperature is usually ⁇ 10 ° C. or higher and 15 ° C. or lower, and the denaturation reaction time is usually 1 hour or longer and 15 hours or lower.
  • an acylphosphine oxide-based, oxime ester-based, aromatic ketone-based photoradical generator or the like can be used.
  • the photoradical generator may be used alone or in combination of two or more.
  • an acylphosphine oxide-based or oxime ester-based photoradical generator is used from the viewpoint of further improving the pattern forming property by development and further reducing the dielectric loss tangent of the obtained resin film. It is preferable to use it.
  • acylphosphine oxide-based photoradical generator examples include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide, and 2,4. 6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide and the like can be used.
  • Examples of the oxime ester-based photoradical generator include 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl]-, 2- (o-benzoyloxime), etanone, 1- [9-ethyl. -6- (2-Methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), etc. can be used.
  • aromatic ketone radical generator examples include benzophenone, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one, and 1-hydroxycyclohexylphenylketone. , 2,2-Dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1- Phenyl-Propane-1-one, 2-Methyl-1 [4-Methylthio] phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, o-Methyl benzoyl benzoate, [4- (Methylphenylthio) phenyl] Phenylmethane , 1,4 dibenzoylbenzene, 2-benzoylnaphthalene, 4-benzoylbiphenyl, 4-benzoyldiphenyl ether, benzyl
  • the content of the photoradical generator is usually 0.3 parts by mass or more, preferably more than 0.5 parts by mass, and preferably 1 part by mass or more per 100 parts by mass of the polymer. It is more preferably 25 parts by mass or less, preferably less than 20 parts by mass, more preferably 15 parts by mass or less, still more preferably 10 parts by mass or less.
  • the content of the photoradical generator is not less than the above lower limit, the cross-linking reaction of the functional groups in the above-mentioned structural unit (I) can be sufficiently proceeded, so that the pattern forming property by development is further excellent. can do.
  • the content of the photoradical generator in the negative photosensitive resin composition is not more than the above upper limit, the dielectric loss tangent of the obtained resin film can be further reduced.
  • the solvent that can be contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and is, for example, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, 1,2,4-trimethylbenzene, 1 , 3,5-trimethylbenzene, aromatic solvents such as tetralin, hydrocarbons such as cyclohexane and decalin, ether solvents such as dibutyl ether, diisoamyl ether, tetrahydrofuran, cyclopentylmethyl ether, butyl acetate, hexyl acetate, propylene glycol.
  • ester solvents such as monomethyl ether acetate
  • ketone solvents such as methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone and cyclopentanone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the total mass of the solvent in the negative photosensitive resin composition other than the solvent is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, based on the total mass of the negative photosensitive resin composition.
  • the amount is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less.
  • the additive component that can be contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a surfactant, an antioxidant, a sensitizer, and an adhesion aid. These additive components may be used alone or in combination of two or more. Above all, from the viewpoint of improving the coatability of the negative photosensitive resin composition of the present invention and further improving the uniformity of the film thickness of the obtained resin film, a surfactant may be contained as an additive component. preferable.
  • the surfactant is not particularly limited, and a known silicone-based surfactant, fluorine-based surfactant, or the like can be used.
  • the content ratio of the surfactant in the negative photosensitive resin composition is preferably 0.1% by mass or less, preferably 0.05% by mass or less, based on the total mass of the negative photosensitive resin composition. Is more preferable.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention can be prepared by mixing the above-mentioned essential components and various optional components by a known method.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is used as a negative photosensitive resin composition obtained by dissolving each component in a solvent and filtering the components, for example.
  • a known mixer such as a stirrer, a ball mill, a sand mill, a bead mill, a pigment disperser, a grinder, an ultrasonic disperser, a homogenizer, a planetary mixer, or a fill mix can be used.
  • a general filtration method using a filter medium such as a filter can be adopted.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention can be used to form a resin film by using a known film forming method (see, for example, International Publication No. 2015/033901). Then, the obtained resin film is not particularly limited, and is desired by performing an exposure step of irradiating an arbitrary active energy ray, for example, an exposure light having a wavelength of 200 nm or more and 500 nm or less, and a development step. It is possible to form a resin film having the pattern of. Further, if necessary, the pre-bake step may be carried out prior to the exposure step, or the post-exposure bake (PEB) step may be carried out at a desired timing after the start of the exposure step.
  • PEB post-exposure bake
  • a post-baking step may be carried out after the development step is completed.
  • the developing solution used in the above-mentioned developing step is not particularly limited, and for example, those listed as the solvent that can be contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention may be used as the developing solution. can.
  • One of these developers can be used alone, or two or more of them can be used in combination.
  • ⁇ Dissipation factor> Resin composition prepared in each Example and each comparative example on a 4-inch silicon wafer on which an aluminum film having a film thickness of 50 nm was formed using a sputtering device (“i-Miller CFS-4EP-LL” manufactured by Shibaura Eletech). After spin-coating the material, it was prebaked at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a resin film composed of the resin composition. Then, after exposure with a mask aligner (manufactured by Canon, "PLA501F”) using a g-hi mixed line at an irradiation amount of 1000 mJ / cm 2 , the resin film is cured by heating in nitrogen at 180 ° C. for 1 hour.
  • a mask aligner manufactured by Canon, "PLA501F”
  • a silicon wafer with a resin film having a thickness of 10 ⁇ m was obtained.
  • the obtained silicon wafer with a resin film was immersed in a 0.1 mol% hydrochloric acid aqueous solution for 12 hours to etch aluminum, whereby the resin film was peeled off from the silicon wafer. After drying in an oven at 110 ° C. for 1 hour, the dried resin film was cut into strips having a width of 2 mm and a length of 50 mm to form test pieces, and the dielectric loss tangent at 10 GHz was measured for this test piece by the cavity resonator method. gone.
  • C Dissipation factor is 0.01 or more
  • ⁇ Development residual film ratio> The resin compositions prepared in each Example and each Comparative Example were applied onto a silicon wafer by a spin coating method, and heated and dried (prebaked) at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to obtain a film thickness of 5.0 ⁇ m. A resin film was formed. Then, using a mask aligner (“PLA501F” manufactured by Canon Inc.), the g—i mixed line was exposed to an irradiation amount of 1000 mJ / cm 2 through a photomask having a line and space pattern of 100 ⁇ m.
  • PLA501F mask aligner
  • a laminate consisting of a resin film having a line-and-space pattern and a silicon wafer was obtained by performing a developing treatment using toluene as a developing solution for 60 seconds and then shaking off and drying.
  • the film thickness of the line pattern portion of the resin film after the development process was measured using an optical interferometry film thickness measuring device (“Lambda Ace VM-1210” manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.), and the developed residual film ratio was measured according to the following formula. (%) Was calculated.
  • the larger the value of the development residual film ratio the better the pattern formation property by development, which is preferable.
  • Development residual film ratio (%) (film thickness of line pattern portion of resin film after development treatment) / (film thickness of resin film before development) ⁇ 100
  • ⁇ Tensile elongation rate> Resin composition prepared in each Example and each comparative example on a 4-inch silicon wafer on which an aluminum film having a film thickness of 50 nm was formed using a sputtering device (“i-Miller CFS-4EP-LL” manufactured by Shibaura Eletech). After spin-coating the material, it was prebaked at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a resin film composed of the resin composition. Then, using a mask aligner (“PLA501F” manufactured by Canon Inc.), the g—i mixed line was exposed with an irradiation amount of 1000 mJ / cm 2 . Then, the resin film was cured by heating in nitrogen at 180 ° C.
  • a sputtering device (“i-Miller CFS-4EP-LL” manufactured by Shibaura Eletech). After spin-coating the material, it was prebaked at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a resin film composed of the resin
  • the obtained silicon wafer with a resin film is immersed in a 0.1 mol% hydrochloric acid aqueous solution for 12 hours to etch aluminum to peel off the resin film from the wafer with a resin film, and then placed in an oven at 110 ° C. for 1 hour. It was dried. The dried resin film was cut into strips having a width of 5 mm and a length of 40 mm to form test pieces, and a tensile test was performed on the test pieces to measure the tensile elongation of the resin film. Specifically, a tensile test was performed at 23 ° C.
  • modified ring-opening polymer hydrogenated product 200 parts of tetrahydrofuran as a solvent was added to the reaction solution, the mixture was cooled to 0 ° C., and 0.5 times by mass of methanol was added to the reaction solution while keeping the temperature of the reaction solution at 10 ° C. or lower. The temperature was raised to room temperature at 0 ° C. for 1 hour, and the mixture was further stirred for 1 hour. The reaction solution was added dropwise to 8000 parts of methanol, and the generated precipitate was recovered by filtration. The precipitate is washed with methanol three times and then dried under reduced pressure at 50 ° C. to modify the hydrogenated ring-opening polymer (hereinafter referred to as "modified ring-opening polymer hydrogenated product”) (B-1.
  • modified ring-opening polymer hydrogenated product hereinafter referred to as "modified ring-opening polymer hydrogenated product
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-1) measured by GPC was 14600, and the molecular weight distribution was 1.7.
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-1) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-1) was found.
  • the content was confirmed to be 65 mol%.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-1) has a structural unit represented by the following formula (I-1) of 65 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-1). It was confirmed that the polymer contained 35 mol%.
  • Synthesis Example 2 The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that NBMOH was changed to 40 mol%, TCD was changed to 60 mol% and the solvent was changed to toluene in Synthesis Example 1 to obtain a ring-opening polymer hydrogenated product (A-2). Then, the hydrogenated ring-opening polymer (A-1) was changed to the hydrogenated ring-opening polymer (A-2), triethylamine was 229.9 parts, methacrylic acid chloride was 176.2 parts, and the solvent was toluene. The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that the hydrogenation was changed to the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2).
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2) measured by GPC was 13,800, and the molecular weight distribution was 1.6.
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-2) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2) was found. The content was confirmed to be 40 mol%.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2) has a structural unit represented by the following formula (I-2) in an amount of 40 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-2) in an amount of 40 mol%. It was confirmed that the polymer contained 60 mol%.
  • Synthesis Example 3 The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that NBMOH was changed to 5 mol%, TCD was changed to 95 mol% and the solvent was changed to toluene in Synthesis Example 1 to obtain a ring-opening polymer hydrogenated product (A-3). Then, the hydrogenated ring-opening polymer (A-1) was changed to the hydrogenated ring-opening polymer (A-3), 22.4 parts of triethylamine, 19.8 parts of methacrylic acid chloride, and the solvent were toluene. The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that the hydrogenation was changed to the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-3).
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-3) measured by GPC was 13,500, and the molecular weight distribution was 1.6.
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-3) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-3) was found. The content was confirmed to be 5 mol%.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-3) has a structural unit represented by the following formula (I-3) in an amount of 5 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-3) in an amount of 5 mol%. It was confirmed that the polymer contained 95 mol%.
  • Synthesis Example 4 NBMOH was changed from 15 mol% and TCD was changed from 90 mol% to 85 mol% ethylidenetetracyclododecene (hereinafter abbreviated as "ETD"), and 3.0 parts of 1,5-hexadiene was changed to 1 part.
  • ETD ethylidenetetracyclododecene
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-4) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-4) was found. The content was confirmed to be 15 mol%. Further, the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-4) has a structural unit represented by the following formula (I-4) in an amount of 15 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-4) in an amount of 15 mol%. It was confirmed that the polymer contained 85 mol%.
  • Synthesis Example 5 In Synthesis Example 1, the same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that NBMOH was changed from 10 mol% to 30 mol% and TCD 90 mol% was changed to ETD 70 mol%, and the ring-opening polymer hydrogenated product (A-5) was carried out. ) was obtained. Then, except that the hydrogenated ring-opening polymer (A-1) was changed to the hydrogenated ring-opening polymer (A-5), triethylamine was changed to 126.4 parts, and methacrylic acid chloride was changed to 111.2 parts. Performed the same operation as in Synthesis Example 1 to obtain a modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5).
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5) measured by GPC was 14700, and the molecular weight distribution was 1.7. 1
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-5) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5) was found. The content was confirmed to be 30 mol%.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5) has a structural unit represented by the following formula (I-5) in an amount of 30 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-5) in an amount of 30 mol%. It was confirmed that the polymer contained 70 mol%.
  • Synthesis Example 6 In Synthesis Example 1, the same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that NBMOH was changed from 10 mol% to 25 mol%, TCD 90 mol% was changed to dicyclopentadiene 75 mol%, and the solvent was changed to toluene. (A-6) was obtained. Then, the hydrogenated ring-opening polymer (A-1) was changed to the hydrogenated ring-opening polymer (A-6), and the triethylamine was 136.0 parts, the methacrylic acid chloride was 120.4 parts, and the solvent was toluene. The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that the hydrogenation was changed to the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6).
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6) measured by GPC was 15,000, and the molecular weight distribution was 1.6.
  • the methacryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-6) was 100%, and the methacryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6) was found. The content was confirmed to be 25 mol%.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6) has a structural unit represented by the following formula (I-6) in an amount of 25 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-6) in an amount of 25 mol%. It was confirmed that the polymer contained 75 mol%.
  • Synthesis Example 7 In Synthesis Example 1, the same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that NBMOH was changed from 10 mol% to 35 mol% and TCD 90 mol% was changed to ETD 65 mol%, and the ring-opening polymer hydrogenated product (A-7) was carried out. ) Was obtained. Then, the hydrogenated ring-opening polymer (A-1) was changed to the hydrogenated ring-opening polymer (A-7), and triethylamine was changed to 136.0 parts and methacrylic acid chloride was changed to 120.4 parts of acrylic acid chloride. The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except for the change, to obtain a modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-7).
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-7) measured by GPC was 13300, and the molecular weight distribution was 1.6. 1 From the H-NMR measurement, the acryloyl modification rate of the ring-opening polymer hydrogenated product (A-7) was 100%, and the acryloyl-modified NBMOH in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-7) was found. The content was confirmed to be 35 mol%. Further, in the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-7), the structural unit represented by the following formula (I-7) is 35 mol%, and the structural unit 65 represented by the following formula (II-7). It was confirmed that the polymer contained mol%.
  • Synthesis Example 8 Same as Synthesis Example 1 except that NBMOH was changed from 10 mol% to 40 mol% and TCD 90 mol% to 30 mol% of etilidennobornene (ENB) and 30 mol% of methanotetrahydrofluorene (MTF) in Synthesis Example 1.
  • a ring-opening polymer hydrogenated product (A-8) was obtained. Then, except that the ring-opening polymer hydrogenated product (A-1) was changed to the ring-opened polymer hydrogenated product (A-8), triethylamine was changed to 201.8 parts, and methacrylic acid chloride was changed to 154.7 parts.
  • the structural unit represented by the following formula (I-8) is 40 mol%
  • the structural unit 30 represented by the following formula (II-8a) is 30. It was confirmed that the polymer contained mol% and 30 mol% of the structural unit represented by the following formula (II-8b).
  • Synthesis Example 9 In Synthesis Example 1, 10 mol% of NBMOH was changed to 40 mol% of norborneneol, 90 mol% of TCD was changed to 60 mol%, 3.0 parts of 1,5-hexadien was changed to 1.0 part, and the solvent was changed. The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that the toluene was changed, to obtain a ring-opening polymer hydrogenated product (A-9). Then, the ring-opening polymer hydrogenated product (A-1) was changed to the ring-opened polymer hydrogenated product (A-9), triethylamine was changed to 326.4 parts, and methacrylic acid chloride was changed to 250.3 parts.
  • the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-9) has a structural unit represented by the following formula (I-9) in an amount of 40 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-9) in an amount of 60 mol%. It was confirmed that the polymer contained mol%.
  • a norbornene / norbornene methanol copolymer as an addition polymer was synthesized by an addition polymerization reaction of norbornene (NB) as a norbornene-based monomer and NBMOH.
  • NB norbornene
  • the NB / NBMOH copolymer was synthesized according to the method described in Macromolecules 29,2761 (1996) except that the scale was increased by 20 times. Further, by 1 H-NMR measurement, the content of NBMOH in the NB / NBMOH copolymer was 15 mol%.
  • the ring-opening polymer hydrogenated additive (A-1) was changed to the addition polymer (A-10), triethylamine was added to 107.7 parts, methacrylic acid chloride to 82.6 parts, and the reaction solvent was totoluene.
  • the same operation as in Synthesis Example 1 was carried out except that the modification was changed to, to obtain a modified addition polymer (B-10).
  • the methacryloyl modification rate of the addition polymer (A-10) is 100%, and the content of methacryloyl-modified NBMOH in the modified addition polymer (B-10) is 15 mol%. It was confirmed that.
  • the weight average molecular weight of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-9) measured by GPC was 28100, and the molecular weight distribution was 1.8. Further, the modified addition polymer (B-10) has a structural unit represented by the following formula (I-10) in an amount of 15 mol% and a structural unit represented by the following formula (II-10) in an amount of 85 mol%. It was confirmed that the polymer contained.
  • a surfactant manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.
  • surfactant (1) a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.45 ⁇ m
  • Example 2 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2) obtained in Synthesis Example 2, 5 parts of the oxime ester-based photoradical generator (1), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-3) obtained in Synthesis Example 3, 5 parts of the oxime ester-based photoradical generator (1), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% based on the total weight of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-4) obtained in Synthesis Example 4 and an oxime ester-based photoradical generator (BASF, "IrgacureOEX02", chemical formula: etanone, 1- [9-ethyl -6- (2-Methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), hereinafter referred to as "oxime ester-based photoradical generator (2)”) 5 parts , And toluene as a solvent (amount in which the total amount other than the solvent is 30% with respect to the total amount of the resin composition) was mixed and dissolved.
  • BASF "IrgacureOEX02"
  • etanone 1- [9-ethyl -6- (2-Methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), hereinafter referred to as "oxi
  • a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 5 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5) obtained in Synthesis Example 5, an acylphosphine oxide-based photoradical generator (BASF, "Omnirad 819", chemical formula: bis (2, 4,) 10 parts of 6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide) and toluene as a solvent (amount in which the total amount other than the solvent is 30% with respect to the total amount of the resin composition) were mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through a filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 6 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-5) obtained in Synthesis Example 5, 20 parts of the oxime ester-based photoradical generator (1), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 7 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6) obtained in Synthesis Example 6, 5 parts of the oxime ester-based photoradical generator (2), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% by weight based on the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 8 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-6) obtained in Synthesis Example 6, 0.5 part of the oxime ester-based photoradical generator (2), and toluene as a solvent (total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 9 100 parts of the modified open cyclic polymer hydrogenated product (B-7) obtained in Synthesis Example 7, 3 parts of the oxime ester-based photoradical generator (1), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 10 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-2) obtained in Synthesis Example 2, 5 parts of benzophenone as an aromatic ketone-based photoradical generator, and toluene as a solvent (in the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • Example 11 100 parts of the modified ring-opening polymer hydrogenated product (B-8) obtained in Synthesis Example 8, 5 parts of the oxime ester-based photoradical generator (2), and toluene as a solvent (relative to the total amount of the resin composition). (Amount in which the total amount other than the solvent is 30%) was mixed and dissolved. Next, a surfactant (1) was added so as to be 0.03% with respect to the total amount of the resin composition, and then the mixture was filtered through the filter (1) to prepare a resin composition. Then, various evaluations were carried out according to the above using the obtained resin composition. The results are shown in Table 1.
  • the resin compositions (negative photosensitive resin compositions) of Examples 1 to 11 containing the polymer containing a predetermined structural unit and the photoradical generator have dielectric loss tangent, development residual film ratio, and resistance to development. It can be seen that it is excellent in both chemical properties and tensile elongation. On the other hand, even if the polymer contains a structural unit having a functional group, the resin of Comparative Example 1 using a polymer having a structure in which the functional group is directly bonded to the ring-opening polymer hydrogenated product. It can be seen that the composition could not increase both the development residual film ratio and the tensile elongation.
  • a resin composition can be provided.

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Abstract

ネガ型感光性樹脂組成物を提供する。ネガ型感光性樹脂組成物は、重合体と、光ラジカル発生剤とを含み、重合体は、下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）と、下記式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）とを含む。式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ１～Ｒ３は結合して環を形成していてもよく、Ｒ４は水素原子又はアルキル基を示し、Ｘは、炭素数１～１０のアルキレン基を示し、ｍは０、１又は２を示す。式（ＩＩ）中、Ｒ５～Ｒ８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ５～Ｒ８は結合して環を形成していてもよく、ｎは０、１又は２を示す。

Description

ネガ型感光性樹脂組成物
　本発明は、ネガ型感光性樹脂組成物に関するものである。
　近年、集積回路素子や有機ＥＬ素子等の電子部品には、部品自体の劣化や損傷を防止するための保護膜、素子表面や配線を平坦化するための平坦化膜、電気絶縁性を保つための電気絶縁膜、発光部を分離する画素分離膜、光を集光、拡散させる光学膜等として種々の樹脂膜が設けられている。
　従来、上述のような樹脂膜を形成可能な感光性樹脂組成物として、例えば特許文献１には、側鎖に重合性二重結合を有する官能基を有する環状オレフィン系樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物が提案されている。
特開２００６－１５６８２１号公報
　ここで、感光性樹脂組成物は、現像によるパターン形成性に優れることが求められている。また、感光性樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、誘電正接などの電気的特性や、耐薬品性、伸張性などの特性に優れることが求められている。
　しかし、特許文献１に記載のような従来の感光性樹脂組成物は、現像によるパターン形成性を向上させるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させ、さらには耐薬品性及び伸張性を向上させる点において改善の余地があった。
　そこで、本発明は、現像によるパターン形成性を向上させることができるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させ、さらには耐薬品性及び伸張性を向上させることが可能なネガ型感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
　本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。そして、本発明者は、所定の構造単位を含む重合体と、光ラジカル発生剤とを含む樹脂組成物をネガ型感光性樹脂組成物として用いることで、現像によるパターン形成性を向上させることが可能であることを見出した。また、当該樹脂組成物を用いて樹脂膜を形成することで、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させることができ、かつ、耐薬品性及び伸張性を向上させることができることを見出した。そしてこれらの知見に基づいて、本発明を完成させた。
　すなわち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、重合体と、光ラジカル発生剤とを含み、前記重合体は、下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）と、下記式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）とを含むことを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ１～Ｒ３は結合して環を形成していてもよく、Ｒ４は水素原子又はアルキル基を示し、Ｘは、炭素数１～１０のアルキレン基を示し、ｍは０、１又は２を示す。
　式（ＩＩ）中、Ｒ５～Ｒ８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ５～Ｒ８は結合して環を形成していてもよく、ｎは０、１又は２を示す。）
　このように、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を含む重合体と、光ラジカル発生剤とを含むネガ型感光性樹脂組成物によれば、現像によるパターン形成性を向上させることができる。加えて、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させるとともに、樹脂膜の耐薬品性及び伸張性を向上させることができる。
　ここで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、前記光ラジカル発生剤がアシルフォスフィンオキサイド系又はオキシムエステル系光ラジカル発生剤であることが好ましい。光ラジカル発生剤として、アシルフォスフィンオキサイド系又はオキシムエステル系光ラジカル発生剤を用いれば、現像によるパターン形成性をより向上させることができるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接をさらに低下させることができる。
　また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、前記光ラジカル発生剤の含有量が、前記重合体１００質量部当たり０．５質量部超２５質量部以下であることが好ましい。光ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上であれば、上記式（Ｉ）の構造単位が有する官能基の架橋反応を十分に進行させることができるため、現像によるパターン形成性を更に優れたものとすることができる。また、光ラジカル発生剤の含有量が上記上限以下であれば、得られる樹脂膜の誘電正接をより一層低下させることができる。
　さらに、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、前記重合体中の前記構造単位（Ｉ）の含有割合が３モル％以上７０モル％以下であることが好ましい。重合体中の構造単位（Ｉ）の含有割合が上記範囲内であれば、得られる樹脂膜の伸張性が優れたものになる。そして、重合体中の構造単位（Ｉ）の含有割合が上記下限以上であれば、樹脂膜の耐薬品性を向上させることができ、上記上限以下であれば、樹脂膜の誘電正接の上昇を抑制することができる。
　なお、本発明において、「構造単位の含有割合」は、１Ｈ－ＮＭＲや１３Ｃ－ＮＭＲなどの核磁気共鳴（ＮＭＲ）法を用いて測定することができる。
　本発明によれば、現像によるパターン形成性を向上させることができるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させ、かつ、耐薬品性及び伸張性を向上させることが可能なネガ型感光性樹脂組成物を提供することができる。
　ここで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、特に限定されることなく、集積回路素子や有機ＥＬ素子、半導体パッケージ等の電子部品等に備えられ得る樹脂膜を形成する際に用いることができる。特に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、有機ＥＬ、半導体パッケージ等の絶縁性有機膜を製造する際等に、特に好適に用いられ得る。また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成した樹脂膜のパターニング時に用いる活性エネルギー線としては、特に限定されることなく、紫外線、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の単一波長の光線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光等の光線、及び電子線のような粒子線を挙げることができる。中でも、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例えば、波長２００ｎｍ～５００ｎｍの範囲で特に好適に用いることができる。
（ネガ型感光性樹脂組成物）
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、以下に説明する構造単位を含む重合体と、光ラジカル発生剤とを含むことを必要とし、任意に、溶媒及び添加成分を含み得る。そして、本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、現像によるパターン形成性を向上させることができるとともに、当該ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜の誘電正接を低下させ、かつ、耐薬品性及び伸張性を向上させることができる。
＜重合体＞
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物に含まれる重合体は、光ラジカル発生剤の存在下、活性エネルギー線を照射することで発生するラジカルによって架橋反応が進行し得る官能基を有する重合体である。そして、本発明の重合体は、下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）と、下記式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）とを含有する。ここで重合体は構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）以外の構造単位を含んでいてもよい。
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［構造単位（Ｉ）］
　そして、構造単位（Ｉ）において、上記式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を表し、Ｒ１～Ｒ３は結合して環を形成していてもよい。
　ここで、Ｒ１～Ｒ３を構成し得るアルキル基としては、特に限定されることなく、例えば、非置換の炭素数１～５のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ１～Ｒ３を構成し得るアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。
　また、Ｒ１～Ｒ３を構成し得る芳香環基としては、特に限定されることなく、例えば、炭素数４～３０の芳香環が挙げられ、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。
　さらに、Ｒ１～Ｒ３が結合して形成される環は、単環であっても、多環であってもよい。
　また、式（Ｉ）中、Ｘは、炭素数１～１０のアルキレン基を表す。ここで、Ｘを構成し得る炭素数１～１０のアルキレン基としては、特に限定されないが、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基などの炭素数１～６の鎖状アルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ｎ－ブチレン基などの炭素数１～６の直鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基などの炭素数１～３の直鎖状アルキレン基が更に好ましく、メチレン基が特に好ましい。
　さらに、式（Ｉ）中、ｍは０、１又は２を示し、０又は１であることがより好ましい。
　そして、式（Ｉ）中、Ｒ４は、水素原子又はアルキル基を示す。ここで、Ｒ４を構成し得るアルキル基としては、特に限定されず、例えば、非置換の炭素数１～５のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ４を構成し得るアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。
　そして、構造単位（Ｉ）は、式（Ｉ）に示すように、官能基として置換又は非置換のアクリロイル基がＸで示されるアルキレン基を介して環状オレフィン構造に結合しているため、官能基の運動性が高められている。したがって、このような官能基を有する構造単位（Ｉ）を含む重合体は、ラジカルの存在下、官能基の架橋反応性が向上する。これにより、構造単位（Ｉ）及び上記した構造単位（ＩＩ）とを含む重合体と、光ラジカル発生剤と含む本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、現像によるパターン形成性を向上させることができるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接を低下させて、樹脂膜の伸張性を向上させることができる。
　そして、重合体中の構造単位（Ｉ）の含有割合は、構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）との合計１００モル％に対して、３モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、１５モル％以上であることが更に好ましく、７０モル％以下であることが好ましく、５０モル％以下であることがより好ましく、４０モル％以下であることが更に好ましい。重合体中の構造単位（Ｉ）の含有割合が上記範囲内であれば、得られる樹脂膜の伸張性が優れたものとなる。また、重合体中の構造単位（Ｉ）の含有割合が上記下限以上であれば、樹脂膜の耐薬品性を向上させることができ、上記上限以下であれば、樹脂膜の誘電正接の上昇を抑制することができる。
［構造単位（ＩＩ）］
　また、構造単位（ＩＩ）において、上記式（ＩＩ）中、Ｒ５～Ｒ８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を表し、Ｒ４～Ｒ８は結合して環を形成していてもよい。
　ここで、Ｒ４～Ｒ８を構成し得るアルキル基としては、特に限定されることなく、例えば、Ｒ１～Ｒ３を構成し得るアルキル基と同様のものが挙げられる。
　また、Ｒ４～Ｒ８を構成し得る芳香環基としては、特に限定されることなく、例えば、Ｒ１～Ｒ３を構成し得る芳香環基と同様のものが挙げられる。
　さらに、Ｒ４～Ｒ８が結合して形成される環としては、特に限定されることなく、例えば、Ｒ１～Ｒ３が結合することで形成される環と同様のものが挙げられる。
　さらに、式（ＩＩ）中、ｎは０、１又は２を表し、０又は１であることが好ましい。
　そして、重合体中の構造単位（ＩＩ）の含有割合は、構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）との合計１００モル％に対して、３モル％以上であることが好ましく、５モル％以上であることがより好ましく、１０モル％以上であることが更に好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましく、５０モル％以上であることが更に好ましく、６０モル％以上であることが特に好ましく、９７モル％以下であることが好ましく、９０モル％以下であることがより好ましく、８５モル％以下であることが更に好ましい。
［重合体の性状］
－重量平均分子量－
　さらに、上述した重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０００以上であることが好ましく、５０００以上であることがより好ましく、１００００以上であることが更に好ましく、５０００００以下であることが好ましく、３０００００以下であることがより好ましく、１０００００以下であることが更に好ましい。重合体の重量平均分子量が上記下限以上であれば、機械特性を向上させることができる。また、重合体の重量平均分子量が上記上限以下であれば、溶剤溶解性を向上させることができる。
－分子量分布－
　上述した重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は４以下が好ましく、３以下がより好ましく、２以下が更に好ましい。重合体の分子量分布が上限以下であれば解像性を向上させることができる。なお、発明において、「分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）」とは、数平均分子量（Ｍｎ）に対する重量平均分子量（Ｍｗ）の比を指す。そして、本発明において、重合体の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリスチレン換算値として求められる。
（重合体の合成方法）
　上述した重合体の調製方法は、特に限定されず、例えば、ノルボルネン系単量体の開環重合反応により開環重合体を合成し、得られる開環重合体に水素添加反応を行なうことで開環重合体水素添加物を得る工程（以下、「開環重合工程」と称する。）と、得られた開環重合体水素添加物に対して変性反応を行なうことで、開環重合体水素添加物の変性物を得る工程（以下、「変性工程」と称する。）とを含む方法により効率的に合成することができる。以下、各工程について詳細に説明する。
＜開環重合工程＞
　開環重合工程では、はじめに、上記した構造単位（Ｉ）を形成し得るノルボルネン系単量体（Ｉ）と、上記した構造単位（ＩＩ）を形成し得るノルボルネン系単量体（ＩＩ）との開環重合反応により開環重合体を合成する。
［ノルボルネン系単量体（Ｉ）］
　ここで、ノルボルネン系単量体（Ｉ）としては、例えば、２－ノルボルネン－５－メタノール、２－メチル－２－ヒドロキシメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン、２，３－ジヒドロキシメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン、３－ヒドロキシトリシクロ［５．２．１．０２，６］デカ－４，８－ジエン、３－ヒドロキシメチルトリシクロ［５．２．１．０２，６］デカ－４，８－ジエン、４－ヒドロキシテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－９－エン、４－ヒドロキシメチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－９－エン、４，５－ジヒドロキシメチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－９－エンなどが挙げられる。ノルボルネン系単量体（Ｉ）は、１種を単独で、又は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
［ノルボルネン系単量体（ＩＩ）］
　ノルボルネン系単量体（ＩＩ）としては、例えば、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ－３－エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、８－エチリデン－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ－３－エン（慣用名：エチリデンテトラシクロドデセン）、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカ－３，８－ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、１，４－メタノ－１，４，４ａ－９ａ－テトラヒドロフルオレン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン）、５－エチリデンビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：エチリデンノボルネン）、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（「ノルボルネン」ともいう。）、５－エチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン、５－ブチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン、５－メチリデン－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン、５－ビニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン、テトラシクロ［１０．２．１．０２，１１．０４，９］ペンタデカ－４，６，８，１３－テトラエン、９－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、９－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、９－メチリデン－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、９－エチリデン－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、９－ビニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、９－プロペニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、ペンタシクロ［９．２．１．１３，９．０２，１０．０４，８］ペンタデカ－５，１２－ジエン、９－フェニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ－４－エン、テトラシクロ［９．２．１．０２，１０．０３，８］テトラデカ－３，５，７，１２－テトラエン、ペンタシクロ［９．２．１．１３，９．０２，１０．０４，８］ペンタデカ－１２－エン及びこれらの誘導体などが挙げられる。なお、誘導体とは、環構造中に置換基を有するものを指す。そして、環構造中に有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、アルキレン基、ビニル基、アルコキシカルボニル基、アルキリデン基が挙げられる。そして、誘導体の環構造は、これら置換基を１種有していてもよく、２種以上有していてもよい。
　そして、ノルボルネン系単量体（ＩＩ）は、１種を単独で、又は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
　開環重合反応は、溶媒中、公知の方法に従って行うことができる。その際、溶媒としては、特に限定されず、例えばテトラヒドロフラン、トルエン等の有機溶媒を用いることができる。また、分子量調整剤として、エチレン；プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ブテン、３－メチル－１－ペンテン、３－エチル－１－ペンテン、４－メチル－１－ペンテン、４－メチル－１－ヘキセン、４，４－ジメチル－１－ヘキセン、４，４－ジメチル－１－ペンテン、４－エチル－１－ヘキセン、３－エチル－１－ヘキセン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセン、１－エイコセン等の炭素原子数３以上２０以下のα－オレフィン；１，４－ヘキサジエン、１，５－ヘキサジエン、４－メチル－１，４－ヘキサジエン、５－メチル－１，４－ヘキサジエン、１，７－オクタジエン等の非共役ジエン、およびこれらの誘導体；等を用いてもよい。また、開環重合触媒としては、モリブデン、タングステン、ルテニウム等の金属を含む金属触媒を用いることができ、中でも、ルテニウムを含む金属触媒ことが好ましい。さらに、開環重合時間は、通常は、１時間以上１０時間以下であり、２時間以上５時間以下であることが好ましい。そして、開環重合温度は、通常は、２０℃以上１００℃以下であり、９０℃以下であることが好ましい。
　それから、得られた開環重合体に対して水素添加反応を行い、開環重合体水素添加物を合成する。
　その際、水素添加反応は、公知の方法に従って行うことができる。また、水素化反応における水素化反応時間、水素化反応温度及び水素化圧力は、特に限定されないが、水素化反応時間は、通常、１時間以上１０時間であり、５時間以下であることが好ましい。また、水素化反応温度は、通常、１００℃以上２００℃以下であり、１８０℃以下であることが好ましい。そして、水素化圧力は、通常、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であり、５ＭＰａ以下であることが好ましい。
＜変性工程＞
　変性工程では、開環重合工程で得られた開環重合体水素添加物の末端部に対して、変性剤を用いて変性反応を行うことで、開環重合体水素添加物の変性物（すなわち、上記した構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を含む重合体）を合成する。ここで、変性剤としては、例えば、メタクリロイル基又はアクリロイル基を有する化合物を用いることができる。メタクリロイル基を有する化合物としては、例えば、メタクリル酸クロライド、メタクリル酸無水物等が挙げられる。また、アクリロイル基を有する化合物としては、例えば、アクリル酸クロライド、アクリル酸無水物が挙げられる。これらの中でも、変性反応を効率的に行う観点からは、メタクリル酸クロライド又はアクリル酸クロライドを用いることがより好ましい。
　ここで、変性反応は、特に限定されず、例えば、変性反応触媒の存在下、開環重合体水素添加物と、変性剤とを溶媒中で反応させて行うことができる。その際、変性反応触媒としては、特に限定されず、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等を使用することができる。また、溶媒としては、特に限定されず、例えば、開環重合反応で用いた溶媒と同様のものを用いることができる。また、変性反応温度及び変性反応時間は、特に限定されないが、変性反応温度は、通常、－１０℃以上１５℃以下であり、変性反応時間は、通常、１時間以上１５時間以下である。
＜光ラジカル発生剤＞
　光ラジカル発生剤としては、アシルフォスフィンオキサイド系、オキシムエステル系、又は芳香族ケトン系光ラジカル発生剤等を用いることができる。光ラジカル発生剤は、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、現像によるパターン形成性をより向上させるとともに、得られる樹脂膜の誘電正接をさらに低下させることができる観点から、光ラジカル発生剤として、アシルフォスフィンオキサイド系又はオキシムエステル系光ラジカル発生剤を用いることが好ましい。
　そして、アシルフォスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤としては、例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド、ジフェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド等を用いることができる。
　また、オキシムエステル系光ラジカル発生剤としては、例えば、１，２－オクタンジオン，１－[４-(フェニルチオ)フェニル]－，２－(ｏ－ベンゾイルオキシム)、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）、等を用いることができる。
　また、芳香族ケトン系ラジカル発生剤としては、ベンゾフェノン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタノン－１、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２－メチル－１［４－メチルチオ］フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、［４－（メチルフェニルチオ）フェニル］フェニルメタン、１，４ジベンゾイルベンゼン、２－ベンゾイルナフタレン、４－ベンゾイルビフェニル、４－ベンゾイルジフェニルエーテル、ベンジル等を用いることができる。
［光ラジカル発生剤の含有量］
　そして、光ラジカル発生剤の含有量は、重合体１００質量部当たり、通常は、０．３質量部以上であり、０．５質量部超であることが好ましく、１質量部以上であることがより好ましく、通常は２５質量部以下であり、２０質量部未満であることが好ましく、１５質量部以下であることがより好ましく、１０質量部以下であることが更に好ましい。光ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上であれば、上記した構造単位（Ｉ）中の官能基の架橋反応を十分に進行させることができるため、現像によるパターン形成性を更に優れたものとすることができる。また、ネガ型感光性樹脂組成物中の光ラジカル発生剤の含有量が上記上限以下であれば、得られる樹脂膜の誘電正接をより一層低下させることができる。
＜溶媒＞
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物が含み得る溶媒としては、特に限定されることなく、例えば、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、１，２，４－トリメチルベンゼン、１,３,５-トリメチルベンゼン、テトラリンなどの芳香族系溶媒、シクロヘキサン、デカリンなどの炭化水素、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、酢酸ブチル、酢酸ヘキシル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノンなどのケトン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で、又は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
　そして、ネガ型感光性樹脂組成物中の溶媒の含有量は、ネガ型感光性樹脂組成物の全質量に対して溶媒以外の合計が、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上であり、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下となる量とすることが好ましい。
＜添加成分＞
　また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物が含み得る添加成分としては、特に限定されることなく、例えば、界面活性剤、酸化防止剤、増感剤、密着助剤等が挙げられる。これらの添加成分は、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、本発明のネガ型感光性樹脂組成物の塗工性を向上させて、得られる樹脂膜の膜厚の均一性をより一層向上させる観点から、添加成分として、界面活性剤を含むことが好ましい。
　界面活性剤としては、特に限定されることなく、公知のシリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などを用いることができる。そして、ネガ型感光性樹脂組成物中の界面活性剤の含有割合は、ネガ型感光性樹脂組成物の全質量に対して０．１質量％以下であることが好ましく、０．０５質量％以下であることがより好ましい。
＜ネガ型感光性樹脂組成物の調製方法＞
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、上述した必須の各成分及び各種の任意成分を既知の方法により混合することで、調製することができる。ここで、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例えば、各成分を溶媒に対して溶解し、濾過して得られるネガ型感光性樹脂組成物として使用に供される。溶媒への溶解に際して、スターラー、ボールミル、サンドミル、ビーズミル、顔料分散機、らい潰機、超音波分散機、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー、フィルミックスなどの既知の混合機を用いることができる。また、濾過に際して、フィルター等のろ材を用いた一般的なろ過方法を採用することができる。
＜樹脂膜の製造方法＞
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、既知の膜形成方法（例えば、国際公開第２０１５／０３３９０１号参照）にて用いることで、樹脂膜を形成することができる。そして、得られた樹脂膜に対して、特に限定されることなく、任意の活性エネルギー線、例えば、波長２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の露光光を照射する露光工程と、現像工程とを行うことで、所望のパターンを有する樹脂膜を形成することができる。また、必要に応じて、露光工程に先立ってプリベーク工程を実施する、あるいは、露光工程の開始後所望のタイミングにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）工程を実施しても良い。さらにまた、必要に応じて、現像工程の終了後に、ポストベーク工程を実施しても良い。
　ここで、上記した現像工程において用いられる現像液としては、特に限定されることなく、例えば、本発明のネガ型感光性樹脂組成物が含み得る溶媒として挙げたものなどを現像液として用いることができる。それらの現像液は、１種を単独で、又は、２種以上を組み合わせて用いることができる。
　以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、特に断らない限り、質量基準である。
　実施例及び比較例において、誘電正接、現像残膜率、耐薬品性及び引張伸び率、並びに、重合体の重量平均分子量及び分子量分布は、それぞれ以下の方法を使用して測定又は評価した。
＜誘電正接＞
　スパッタリング装置（芝浦エレテック社製、「ｉ-Miller CFS-4EP-LL」）を用いて５０ｎｍ膜厚のアルミ膜を形成した４インチシリコンウエハ上に、各実施例及び各比較例において調製した樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークして、樹脂組成物よりなる樹脂膜を形成した。次いでマスクアライナー（キャノン社製、「ＰＬＡ５０１Ｆ」）でｇ－ｈ－ｉ混合線を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光後、窒素中において１８０℃で１時間加熱することにより樹脂膜を硬化して、１０μｍ厚の樹脂膜付きシリコンウエハを得た。得られた樹脂膜付きシリコンウエハを０．１ｍｏｌ％の塩酸水溶液に１２時間浸漬してアルミのエッチングを行うことで、シリコンウエハから樹脂膜を剥離させた。１１０℃のオーブンで１時間乾燥させた後、乾燥後の樹脂膜を幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状に切り出して試験片とし、この試験片について空洞共振器法により１０ＧＨｚにおける誘電正接の測定を行った。
Ａ：誘電正接が０．００７５未満
Ｂ：誘電正接が０．００７５以上０．０１未満
Ｃ：誘電正接が０．０１以上
＜現像残膜率＞
　シリコンウエハ上に、各実施例及び各比較例において調製した樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて９０℃で２分間加熱乾燥（プリベーク）して、膜厚５．０μｍの樹脂膜を形成した。次いで、マスクアライナー（キャノン社製、「ＰＬＡ５０１Ｆ」）を用いて、１００μｍのラインアンドスペースパターンを有するフォトマスクを介してｇ－ｈ－ｉ混合線を１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光した。
　次いで、現像液としてトルエンを用いて、６０秒間、現像処理を行った後、振り切り乾燥することにより、ラインアンドスペースパターンを有する樹脂膜と、シリコンウエハとからなる積層体を得た。現像処理後の樹脂膜のラインパターン部の膜厚を光干渉式膜厚測定装置（大日本スクリーン社製、「ラムダエース ＶＭ－１２１０」）を用いて測定し、以下の式に従って現像残膜率（％）を算出した。現像残膜率の値が大きいほど、現像によるパターン形成性に優れるため、好ましい。
現像残膜率（％）＝（現像処理後の樹脂膜のラインパターン部の膜厚）／（現像前の樹脂膜の膜厚）×１００
Ａ：現像残膜率が８０％以上
Ｂ：現像残膜率が５０％以上８０％未満
Ｃ：現像残膜率が５０％未満
＜耐薬品性＞
　シリコンウエハ上に、各実施例及び各比較例において調製した樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークして樹脂組成膜よりなる樹脂膜を形成した。次いで、マスクアライナー（キャノン社製、「ＰＬＡ５０１Ｆ」）を用い、ｇ－ｈ－ｉ混合線を１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光後、窒素中において１８０℃で１時間加熱することにより樹脂膜を硬化して、１０μｍ厚の樹脂膜付きシリコンウエハを得た。
　得られた樹脂膜付きシリコンウエハを２３℃においてフラックス洗浄液（東ソー社製ＨＣ－ＦＸ－５０）に１５分浸漬し、以下の式に従って膜厚変化を算出した。
（膜厚変化（％）＝（浸漬後の樹脂膜の膜厚－浸漬前の樹脂膜の膜厚）／浸漬前の膜厚×１００）
　算出した膜厚変化の値（％）に基づいて、下記の基準に従って樹脂膜の耐薬品性を評価した。膜にクラックや剥がれがなく、膜厚変化が小さいほど、樹脂膜は耐薬品性に優れる。
Ａ：膜にクラックや剥がれがなく、膜厚変化が３％未満 
Ｂ：膜にクラックや剥がれがなく、膜厚変化が３％以上
Ｃ：膜にクラックや剥がれが発生
＜引張伸び率＞
　スパッタリング装置（芝浦エレテック社製、「ｉ‐Ｍｉｌｌｅｒ ＣＦＳ‐4ＥＰ‐ＬＬ」）を用いて５０ｎｍ膜厚のアルミ膜を形成した４インチシリコンウエハ上に、各実施例及び各比較例において調製した樹脂組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークして、樹脂組成物よりなる樹脂膜を形成した。次いで、マスクアライナー（キャノン社製、「ＰＬＡ５０１Ｆ」）を用い、ｇ－ｈ－ｉ混合線を１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光した。次いで、窒素中において１８０℃で１時間加熱することにより樹脂膜を硬化して、１０μｍ厚の樹脂膜付きシリコンウエハを得た。得られた樹脂膜付きシリコンウエハを０．１ｍｏｌ％の塩酸水溶液に１２時間浸漬してアルミのエッチングを行うことで、樹脂膜付きウエハから樹脂膜を剥離させた後、１１０℃のオーブンで１時間乾燥させた。
　乾燥後の樹脂膜を幅５ｍｍ、長さ４０ｍｍの短冊状に切り出して試験片とし、この試験片について引張試験を行うことで、樹脂膜の引張伸び率を測定した。具体的には、引張試験機（島津製作所社製、「ＡＧＳ－１０ｋＮＸ」）で２３℃において、つかみ具間隔２０ｍｍ、引張速度２ｍｍ／分で引張試験を行い、破断点における伸び率を測定した。８本の試験片について試験を行い、上位３点の平均値を各実施例及び各比較例で得られた樹脂組成物を用いて形成した樹脂膜の引張伸び率とした。引張伸び率の値が大きいほど、樹脂膜の伸長性が高いことを意味する。そして、樹脂膜の伸長性が高いほど、温度サイクル試験や落下衝撃試験の際にクラックや剥離を生じ難いため、好ましい。
Ａ：引張伸び率が１０％以上
Ｂ：引張伸び率が５％以上１０％未満
Ｃ：引張伸び率が５％未満
＜重量平均分子量及び分子量分布＞
　実施例及び比較例で得られた重合体についてゲル浸透クロマトグラフィーを用いて重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
　具体的には、ゲル浸透クロマトグラフ（東ソー製、ＨＬＣ－８２２０）を使用し、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて、重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を標準ポリスチレン換算値として求めた。そして、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出した。
（合成例１）
＜開環重合工程＞
　ノルボルネン系単量体（Ｉ）としての２－ノルボルネン－５－メタノール（以下、「ＮＢＭＯＨ」と略す。）６５モル％と、ノルボルネン系単量体（ＩＩ）としてのテトラシクロドデセン（以下、「ＴＣＤ」と略す。）３５モル％とからなる単量体混合物１００部、分子量調整剤としての１，５－ヘキサジエン３．０部、開環重合触媒としての（１，３－ジメシチルイミダゾリン－２－イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド］（Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，第１巻，９５３頁，１９９９年に記載された方法で合成した）０．０２５部、及び溶媒としてのテトラヒドロフラン３００部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しながら８０℃にて４時間反応させて重合反応液を得た。
　得られた重合反応液をオートクレーブに入れて、１５０℃、水素圧４ＭＰａで、５時間攪拌して水素添加反応を行った後、反応溶液に溶媒としてのテトラヒドロフラン３００部を加えた。これをメタノール８０００部に滴下し、生成した沈殿物をろ過により回収して５０℃で減圧乾燥することで開環重合体水素添加物（Ａ－１）を得た。
＜変性工程＞
　攪拌翼及び温度計を取り付けた３つ口フラスコを窒素置換し、開環重合体水素添加物（Ａ－１）１００部、変性反応触媒としてのとしてのトリエチルアミン３３６．５部、及び溶媒としてのテトラヒドロフラン４００部を仕込み、反応溶液を氷浴で０℃に冷却した。反応溶液の温度を１０℃以下に保ちながら、変性剤としてのメタクリル酸クロライド２９８．０部を滴下して２時間攪拌した。さらに反応溶液を室温に昇温し、１２時間攪拌を続けた。次いで反応溶液に溶媒としてのテトラヒドロフラン２００部を加えた後、０℃に冷却し、メタクリル酸クロライドに対して０．５倍の質量部のメタノールを反応溶液の温度を１０℃以下に保ちながら加え、０℃で１時間、室温に昇温してさらに１時間攪拌した。
　反応液をメタノール８０００部に滴下し、生成した沈殿物をろ過により回収した。沈殿物をメタノールで３回洗浄した後、５０℃で減圧乾燥することで開環重合体水素添加物の変性物（以下、「変性開環重合体水素添加物」と称する。）（Ｂ－１）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－１）の重量平均分子量は１４６００、分子量分布は１．７であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－１）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－１）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は６５モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－１）は、下記式（Ｉ－１）で表される構造単位を６５モル％と、下記式（ＩＩ－１）で表される構造単位を３５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
（合成例２）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを４０モル％、ＴＣＤを６０モル％、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－２）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－２）に変更し、トリエチルアミンを２２９．９部、メタクリル酸クロライドを１７６．２部、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）の重量平均分子量は１３８００、分子量分布は１．６であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－２）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は４０モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）は、下記式（Ｉ－２）で表される構造単位を４０モル％と、下記式（ＩＩ－２）で表される構造単位を６０モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
（合成例３）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを５モル％、ＴＣＤを９５モル％、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－３）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－３）に変更し、トリエチルアミンを２２．４部、メタクリル酸クロライドを１９．８部、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－３）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－３）の重量平均分子量は１３５００、分子量分布は１．６であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－３）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－３）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は５モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－３）は、下記式（Ｉ－３）で表される構造単位を５モル％と、下記式（ＩＩ－３）で表される構造単位を９５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
（合成例４）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを１５モル％、及びＴＣＤを９０モル％からエチリデンテトラシクロドデセン（以下、「ＥＴＤ」と略す。）８５モル％に変更し、１，５－ヘキサジエン３．０部を１．０部に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－４）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－４）に変更し、トリエチルアミンを６０．０部、メタクリル酸クロライドを５３．２部に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－４）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－４）の重量平均分子量は２９０００、分子量分布は１．４であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－４）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－４）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は１５モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－４）は、下記式（Ｉ－４）で表される構造単位を１５モル％と、下記式（ＩＩ－４）で表される構造単位を８５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
（合成例５）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを１０モル％から３０モル％に変更し、ＴＣＤ９０モル％をＥＴＤ７０モル％に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－５）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－５）に変更し、トリエチルアミンを１２６．４部、メタクリル酸クロライドを１１１．２部に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）の重量平均分子量は１４７００、分子量分布は１．７であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－５）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は３０モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）は、下記式（Ｉ－５）で表される構造単位を３０モル％と、下記式（ＩＩ－５）で表される構造単位を７０モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
（合成例６）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを１０モル％から２５モル％、ＴＣＤ９０モル％をジシクロペンタジエン７５モル％、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－６）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－６）に変更し、トリエチルアミンを１３６．０部、メタクリル酸クロライドを１２０．４部、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）の重量平均分子量は１５０００、分子量分布は１．６であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－６）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は２５モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）は、下記式（Ｉ－６）で表される構造単位を２５モル％と、下記式（ＩＩ－６）で表される構造単位を７５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
（合成例７）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを１０モル％から３５モル％に変更し、ＴＣＤ９０モル％をＥＴＤ６５モル％に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－７）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－７）に変更し、トリエチルアミンを１３６．０部、メタクリル酸クロライドをアクリル酸クロライド１２０．４部に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－７）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－７）の重量平均分子量は１３３００、分子量分布は１．６であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定より、開環重合体水素添加物（Ａ－７）のアクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－７）中のアクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は３５モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－７）は、下記式（Ｉ－７）で表される構造単位を３５モル％と、下記式（ＩＩ－７）で表される構造単位６５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
（合成例８）
　合成例１においてＮＢＭＯＨを１０モル％から４０モル％、及びＴＣＤ９０モル％に替えてエチリデンノボルネン（ＥＮＢ）３０モル％とメタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）３０モル％に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－８）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－８）に変更し、トリエチルアミンを２０１．８部、メタクリル酸クロライドを１５４．７部に変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－８）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－８）の重量平均分子量は１４１００、分子量分布は１．７であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定より、開環重合体水素添加物（Ａ－８）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－８）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は４０モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－８）は、下記式（Ｉ－８）で表される構造単位を４０モル％と、下記式（ＩＩ－８ａ）で表される構造単位３０モル％と、下記式（ＩＩ－８ｂ）で表される構造単位３０モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
（合成例９）
　合成例１においてＮＢＭＯＨ１０モル％をノルボルネンオール４０モル％に変更し、ＴＣＤを９０モル％から６０モル％に変更し、１，５－ヘキサジエン３．０部を１．０部に変更し、溶媒をトルエン変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、開環重合体水素添加物（Ａ－９）を得た。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を開環重合体水素添加物（Ａ－９）に変更し、トリエチルアミンを３２６．４部、メタクリル酸クロライドを２５０．３部に変更し、溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）を得た。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）の重量平均分子量は３１０００、分子量分布は１．７であった。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、開環重合体水素添加物（Ａ－９）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は４０モル％であることが確認された。また、変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）は、下記式（Ｉ－９）で表される構造単位を４０モル％と、下記式（ＩＩ－９）で表される構造単位６０モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
（合成例１０）
　ノルボルネン系単量体としてのノルボルネン（ＮＢ）とＮＢＭＯＨとの付加重合反応により、付加重合体（Ａ－１０）としてのノルボルネン／ノルボルネンメタノール共重合体を合成した。具体的には、スケールを２０倍にした点を除き、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２９，２７６１（１９９６）に記載されている方法に従い、ＮＢ／ＮＢＭＯＨ共重合体を合成した。また１Ｈ－ＮＭＲ測定により、ＮＢ／ＮＢＭＯＨ共重合体中におけるＮＢＭＯＨの含有量は１５モル％であった。
　そして、開環重合体水素添加物（Ａ－１）を付加重合体（Ａ－１０）に変更し、トリエチルアミンを１０７．７部、メタクリル酸クロライドを８２．６部に、さらに、反応溶媒をトルエンに変更した以外は合成例１と同様の操作を行い、変性付加重合体（Ｂ－１０）を得た。
　１Ｈ－ＮＭＲ測定により、付加重合体（Ａ－１０）のメタクリロイル変性率は１００％であり、変性付加重合体（Ｂ－１０）中のメタクリロイル変性されたＮＢＭＯＨの含有量は１５モル％であることが確認された。ＧＰＣ測定による変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）の重量平均分子量は２８１００、分子量分布は１．８であった。また、変性付加重合体（Ｂ－１０）は、下記式（Ｉ－１０）で表される構造単位を１５モル％と、下記式（ＩＩ－１０）で表される構造単位８５モル％とを含む重合体であることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
（実施例１）
＜樹脂組成物の調製＞
　合成例１で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－１）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（ＢＡＳＦ社製、「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＥＸ０１」、化学式：１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－，２－（ｏ－ベンゾイルオキシム、以下、オキシムエステル系ラジカル発生剤（１）」と称する。）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全質量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（信越シリコーン社製、「ＫＰ－３４１」、以下「界面活性剤（１）」と称する。）を加えた後、孔径０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルター（以下、「フィルター（１）」と称する。）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例２）
　合成例２で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（１）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例３）
　合成例３で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－３）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（１）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全重量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例４）
　合成例４で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－４）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（ＢＡＳＦ社製、「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＥＸ０２」、化学式：エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）、以下、「オキシムエステル系光ラジカル発生剤（２）」と称する。）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例５）
　合成例５で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）１００部と、アシルフォスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤（ＢＡＳＦ社製、「Ｏｍｎｉｒａｄ８１９」、化学式：ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド）１０部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例６）
　合成例５で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－５）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（１）２０部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例７）
　合成例６で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（２）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３量％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例８）
　合成例６で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－６）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（２）０．５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例９）
　合成例７で得られた変性開環状重合体水素添加物（Ｂ－７）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（１）３部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例１０）
　合成例２で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）１００部と、芳香族ケトン系光ラジカル発生剤としてのベンゾフェノン５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（実施例１１）
　合成例８で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－８）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（２）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。
　そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（比較例１）
　合成例９で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－９）１００部と、実施例５で用いたアシルフォスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤１０部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（比較例２）
　合成例２で得られた変性開環重合体水素添加物（Ｂ－２）１００部と、熱ラジカル発生剤としてパーオキサイド系熱ラジカル発生剤であるジクミルパーオキサイド１０部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
（比較例３）
　合成例１０で得られた変性付加重合体（Ｂ－１０）１００部と、オキシムエステル系光ラジカル発生剤（１）５部と、溶媒としてのトルエン（樹脂組成物の全量に対して溶媒以外の合計が３０％となる量）とを混合し、溶解させた。次いで、樹脂組成物の全量に対して０．０３％となるように界面活性剤（１）を加えた後、フィルター（１）でろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物を用いて上記に従って各種評価を行った。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　表１より、所定の構造単位を含む重合体と、光ラジカル発生剤とを含む実施例１～１１の樹脂組成物（ネガ型感光性樹脂組成物）は、誘電正接、現像残膜率、耐薬品性、引張伸び率の全てにおいて優れていることがわかる。
　これに対して、官能基を有する構造単位を含む重合体であっても、当該官能基が直接的に開環重合体水素添加物に結合した構造を有する重合体を用いた比較例１の樹脂組成物では、現像残膜率及び引張伸び率の双方を高めることができなかったことがわかる。
　また、ラジカル発生剤として熱ラジカル発生剤を使用した比較例２の樹脂組成物では、誘電正接を低くするとともに、現像残膜率を高めることができなかったことがわかる。
　また、変性付加重合体を用いた比較例３の樹脂組成物では、耐薬品性及び引張伸び率の双方を高めることができなかったことがわかる。
　本発明によれば、現像によるパターン形成性を向上させることが可能であり、得られる樹脂膜の誘電正接を低下し、かつ、耐薬品性及び伸張性を向上させることが可能なネガ型感光性樹脂組成物を提供することができる。
 

Claims (4)

  1. 　重合体と、
    　光ラジカル発生剤とを含み、
    　前記重合体は、下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）と、下記式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）とを含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ１～Ｒ３は結合して環を形成していてもよく、Ｒ４は水素原子又はアルキル基を示し、Ｘは、炭素数１～１０のアルキレン基を示し、ｍは０、１又は２を示す。
    式（ＩＩ）中、Ｒ５～Ｒ８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又は芳香環基を示し、Ｒ５～Ｒ８は結合して環を形成していてもよく、ｎは０、１又は２を示す。）
  2. 　前記光ラジカル発生剤が、アシルフォスフィンオキサイド系又はオキシムエステル系光ラジカル発生剤である、請求項１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  3. 　前記光ラジカル発生剤の含有量が、前記重合体１００質量部当たり０．５質量部超２５質量部以下である、請求項１又は２に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  4. 　前記重合体中の前記構造単位（Ｉ）の含有割合が３モル％以上７０モル％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
     
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023053976A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 日本ゼオン株式会社 樹脂組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158022A (ja) * 1997-09-29 1999-06-15 Espe Dental Ag 開環複分解重合オリゴマー類とポリマー類を基剤とする歯科用組成物
JP2006106530A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示体装置カラーフィルター用感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示装置、表示体装置の製造方法
JP2006139284A (ja) * 2005-11-10 2006-06-01 Jsr Corp 半導体デバイス製造用感放射線性樹脂組成物
JP2008026600A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP2011154264A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Shibaura Institute Of Technology イオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2012132150A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 日本ゼオン株式会社 熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂組成物、熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルム、熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂組成物の製造方法及び熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムの製造方法
JP2017525836A (ja) * 2014-08-07 2017-09-07 テルヌ エスアーエスＴｅｌｅｎｅ Ｓａｓ 硬化性組成物及びその組成物を含む成形品

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156821A (ja) 2004-11-30 2006-06-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂層、樹脂層付きキャリア材料および回路基板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11158022A (ja) * 1997-09-29 1999-06-15 Espe Dental Ag 開環複分解重合オリゴマー類とポリマー類を基剤とする歯科用組成物
JP2006106530A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示体装置カラーフィルター用感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示装置、表示体装置の製造方法
JP2006139284A (ja) * 2005-11-10 2006-06-01 Jsr Corp 半導体デバイス製造用感放射線性樹脂組成物
JP2008026600A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP2011154264A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Shibaura Institute Of Technology イオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2012132150A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 日本ゼオン株式会社 熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂組成物、熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルム、熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂組成物の製造方法及び熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムの製造方法
JP2017525836A (ja) * 2014-08-07 2017-09-07 テルヌ エスアーエスＴｅｌｅｎｅ Ｓａｓ 硬化性組成物及びその組成物を含む成形品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023053976A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 日本ゼオン株式会社 樹脂組成物

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