WO2022065247A1 - 電子部品モジュール及びその製造方法 - Google Patents

電子部品モジュール及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022065247A1
WO2022065247A1 PCT/JP2021/034370 JP2021034370W WO2022065247A1 WO 2022065247 A1 WO2022065247 A1 WO 2022065247A1 JP 2021034370 W JP2021034370 W JP 2021034370W WO 2022065247 A1 WO2022065247 A1 WO 2022065247A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bump
electronic component
substrate
sealing resin
parts
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/034370
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
忠志 野村
了 小松
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202190000759.3U priority Critical patent/CN220189644U/zh
Publication of WO2022065247A1 publication Critical patent/WO2022065247A1/ja
Priority to US18/184,734 priority patent/US20230223355A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component module composed of a plurality of components and a method for manufacturing the same.
  • Patent Document 1 discloses an electronic component module in which the tips of bumps of each component are projected from the sealing resin and most of them are embedded in the sealing resin without providing a wiring board. According to this structure, it is possible to make it thinner and lighter than the conventional one.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component module having improved reliability of the bump connection portion of the bump component and a method for manufacturing the same.
  • the electronic component module as an example of the present disclosure encloses a plurality of components each having a terminal, a substrate that supports at least a part of the plurality of components, the plurality of components, and the substrate.
  • a sealing resin portion to be formed and a shield layer covering the outer surface of the sealing resin portion are provided, the plurality of components include bump components having bumps as the terminals, and the substrate includes an insulating layer, a ground layer and a ground layer.
  • the substrate is provided with a ground bump conducting to the ground layer, the substrate has an opening for supporting a portion other than the bump of the bump component, and the ground layer of the substrate is exposed on the side surface of the substrate and becomes the shield layer.
  • a component that projects a terminal from the opening is supported in the opening of a substrate having an opening, the substrate that supports the component, and terminals at both ends.
  • a component placement step of arranging a chip component having a A resin encapsulation step of forming a sealing resin portion, and an adhesive sheet peeling step of peeling the adhesive sheet from the encapsulating resin portion and exposing the terminals of the plurality of components on the peeled surface of the adhesive sheet.
  • the temporary encapsulant removing step for removing the temporary encapsulant, the shield layer forming step for forming a shield layer on the surface of the encapsulating resin portion, and the encapsulating resin portion being cut and separated into individual pieces. It is characterized by comprising an individualization process.
  • the bump of the bump component can be easily projected from the bump forming surface.
  • an electronic component module having improved reliability of the bump connection portion of the bump component can be obtained.
  • FIG. 1 (A) is a bottom view of the electronic component module 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 1 (A)
  • FIG. 1 (C) is a cross-sectional view. Is a cross-sectional view taken along the line YY in FIG. 1 (A).
  • FIG. 1 (D) is an enlarged view of a portion D in FIG. 1 (B).
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic component module 101 mounted on a mounting board.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of the electronic component module 101 in the component placement process.
  • 3 (B) is a plan view of the electronic component module 101 in the temporary sealing process
  • FIG. 3 (C) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 3 (B).
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the electronic component module 101 in the resin sealing process.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the electronic component module 101 in the adhesive sheet peeling process.
  • FIG. 4C is a cross-sectional view of the electronic component module 101 in the temporary encapsulant removing step.
  • 5 (A), 5 (B), and 5 (C) are cross-sectional views of the electronic component module 101 in the shield layer forming step.
  • 6 (A) is a bottom view of the electronic component module 102A according to the second embodiment
  • FIG. 6 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 6 (A)
  • FIG. 6 (C) is a cross-sectional view. Is an enlarged view of the C portion in FIG. 6 (B).
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of another electronic component module 102B of the second embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic component module 103 according to the third embodiment.
  • 9 (A) is a plan view of the electronic component module 103 in the temporary sealing step
  • FIG. 9 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 9 (A).
  • FIG. 10A is a plan view of the electronic component module 104 according to the fourth embodiment in the temporary sealing step during manufacturing.
  • 10 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 10 (A).
  • FIG. 11 (A) is a bottom view of the electronic component module 105 according to the fifth embodiment
  • FIG. 11 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 11 (A).
  • FIG. 12 shows a state in which a constricted portion 20C is formed in the bump when the electronic component module is mounted on the mounting board in a state where most of the solder bump 20B of the bump component 20 is fixed in shape by the sealing resin portion 4. It is a partial cross-sectional view which shows.
  • FIG. 1 (A) is a bottom view of the electronic component module 101 according to the first embodiment
  • FIG. 1 (B) is a cross-sectional view taken along the line XX in FIG. 1 (A)
  • FIG. 1 (C) is a cross-sectional view. Is a cross-sectional view of the YY portion in FIG. 1 (A).
  • FIG. 1 (D) is an enlarged view of a portion D in FIG. 1 (B).
  • the electronic component module 101 encapsulates a plurality of components each having a terminal and arranged along a plane, a frame substrate 9 that supports at least a part of the plurality of components, and the plurality of components and the substrate.
  • a sealing resin portion 4 to be formed and a shield layer 5 covering the outer surface of the sealing resin portion 4 are provided.
  • the electronic component module 101 includes bump components 21, 22, 23 having bumps as terminals.
  • the bump component 21 has nine solder bumps 21B, and the bump component 22 has four solder bumps 22B. Further, the bump component 23 has four solder bumps.
  • the electronic component module 101 includes chip components 11, 12, 13, 14, and 15 having terminals formed at both ends thereof.
  • the chip component 11 has terminals 11T1 and 11T2 at both ends.
  • the frame substrate 9 has openings 9H1, 9H2, 9H3, 9H4.
  • the opening 9H1 supports the peripheral portion of the bump parts 21 and 23, and the opening 9H2 supports the peripheral portion of the bump component 22.
  • the sealing resin portion 4 seals the chip parts 11 to 15 and the frame substrate 9.
  • the chip component 11 is located in the opening 9H3 of the frame substrate 9, but is not supported by the frame substrate 9.
  • the chip components 12 to 15 are located in the opening 9H4 of the frame substrate 9, but are not supported by the frame substrate 9.
  • Chip components 11 to 15 are, for example, chip resistors, chip capacitors, chip inductors, etc., and bump components 21, 22, 23 are, for example, SAW filters, semiconductor chips, etc.
  • Chip parts 11 to 15 also include parts such as LC filters in which capacitors and inductors are formed in ceramic elements, and land grid array parts in which electrode terminals are arranged only on the bottom surface of the parts.
  • the bump component also includes a bump grid array component in which the bump terminal is arranged only on the bottom surface of the component.
  • the frame substrate 9 includes an insulating layer 9A, a ground layer 9B, and a resist layer 9C.
  • the ground layer 9B is exposed on the side surface of the frame substrate 9 and conducts to the shield layer 5. Further, the ground bump 10 is formed in the exposed portion where the resist layer 9C is not formed.
  • the ground bump 10 is arranged at a position along the four sides of the sealing resin portion 4 of the electronic component module 101. Further, a ground bump array BA formed by a plurality of ground bumps 10 is formed between the chip component 11 and the bump component 22. The ground bump 10 of the ground bump array BA is located between the chip component 11 and the bump component 22, and between the bump component 23 and the bump component 22. Therefore, the chip component 11 and the bump component 22 are electromagnetically shielded by the ground bump array BA. Similarly, the bump component 23 and the bump component 22 are electromagnetically shielded by the ground bump array BA.
  • the shield layer 5 is a metal film formed by sputtering, plating, or the like, and may have a configuration in which a plurality of types of metals are laminated.
  • the shield layer 5 has, for example, a three-layer structure of an adhesion layer / a conductive layer / a rust preventive layer in order from the sealing resin portion 4.
  • the roles and characteristics of each layer are as follows.
  • the thickness of the adhesion layer is thinner than the film thickness of the conductive layer.
  • Ti, Cr, stainless steel (SUS) and the like can be used.
  • -It is composed of a metal with high conductivity and is thicker than the adhesion layer and the rust preventive layer (shielding performance is determined by the conductive layer).
  • a metal with high conductivity For example, copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al) and the like can be used.
  • the layer thickness of the rust preventive layer is several hundred nm to several ⁇ m, which is thinner than the film thickness of the conductive layer.
  • Ti, Cr, stainless steel (SUS) and the like can be used.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic component module 101 mounted on the mounting board 1.
  • An electrode for mounting the electronic component module 101 is formed on the mounting board 1.
  • the terminals (solder bumps 21B, 22B, terminals 11T1, 11T2, etc.) and ground bumps 10 of a plurality of components of the electronic component module 101 are exposed in a state of protruding from the flat surface of the sealing resin portion 4.
  • the terminals of a plurality of components protruding from the plane of the sealing resin portion 4 of the electronic component module 101 are connected to the electrodes of the mounting substrate 1, respectively.
  • the terminals 11T1 and 11T2 are connected to the electrodes of the mounting substrate 1 via a conductive member such as solder.
  • This conductive member enters the opening 9H3 (see FIG. 1A) of the chip component 11 formed in the sealing resin portion 4. Then, by appropriately setting the depth and the width of the opening 9H3, it is possible to adjust the wetting and spreading of the conductive member.
  • the terminals of the plurality of components protruding from the plane of the sealing resin portion 4 of the electronic component module 101 are used as they are as the mounting terminals of the electronic component module 101.
  • a millimeter-wave antenna and a millimeter-wave circuit are configured on the mounting board 1, and the electronic component module 101 is a millimeter-wave circuit module.
  • 3 (A) to 5 (C) are diagrams showing each process of the manufacturing method of the electronic component module 101. Each process will be described with reference to these figures.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 8 is composed of a base material 8B and a pressure-sensitive adhesive layer 8A that covers the surface of the base material 8B.
  • the base material 8B is, for example, a metal, an inorganic oxide such as glass or ceramic, or an organic material such as an epoxy resin
  • the pressure-sensitive adhesive layer 8A is, for example, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic-based pressure-sensitive adhesive, or a silicone-based pressure-sensitive adhesive.
  • the frame substrate 9 is mounted on the adhesive sheet 8.
  • a predetermined component is arranged in each opening of the frame substrate 9.
  • the solder bump 21B of the bump component 21 is adhered to the adhesive layer 8A
  • the solder bump 22B of the bump component 22 is adhered to the adhesive layer 8A
  • the chip component 11 is adhered to the adhesive layer 8A.
  • the bump components 21 and 22 are supported around the opening of the frame substrate 9. That is, a predetermined interval (standoff) is formed between the bump forming surface of the bump component 21 and the adhesive layer 8A.
  • a predetermined gap (standoff) is formed between the bump forming surface of the bump component 22 and the adhesive layer 8A.
  • FIG. 3B is a plan view of the electronic component module in the temporary sealing step
  • FIG. 3C is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 3B.
  • the openings 9H1 and 9H2 of the frame substrate 9 are sealed with the temporary sealing material 41. Further, the temporary sealing material 41 is applied to the terminals of the chip parts 11 to 15.
  • the temporary sealing material 41 is, for example, a photoresist material or a water-soluble resin. After the temporary sealing material 41 is applied, it is cured by UV irradiation, heat, or the like.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 8 is coated with the sealing resin layer 4S.
  • the sealing resin layer 4S is, for example, an epoxy resin containing a silica filler, and is coated with a liquid resin by a method such as a compression mold. Later, the sealing resin layer 4S becomes the sealing resin portion 4 by its solidification.
  • the adhesive sheet 8 is peeled off from the sealing resin portion 4.
  • the terminals of the plurality of parts are exposed on the surface of the sealing resin portion 4 from which the adhesive sheet 8 has been peeled off.
  • the solder bump 21B of the bump component 21 is exposed
  • the solder bump 22B of the bump component 22 is exposed
  • the terminals 11T1 and 11T2 of the chip component 11 are exposed.
  • Temporal encapsulant removal process As shown in FIG. 4C, the temporary sealing material 41 in the openings 9H1 and 9H2 of the frame substrate 9 is removed. Further, the temporary sealing material 41 adhering to the terminals of the chip parts 11 to 15 is removed. If the temporary encapsulant 41 is a water-soluble resin, it is removed with water, and if it is a photoresist material, it is removed with an alkaline aqueous solution or an organic solvent such as acetone.
  • a slit SL is formed at a portion (around the electronic component module 101 unit) which is later separated into individual pieces, and as shown in FIG. 5 (C), a sealing resin portion is formed.
  • the shield layer 5 is formed on the surface of 4.
  • stainless steel (SUS) is formed as an adhesion layer on the surface of the sealing resin portion 4 by sputtering or the like.
  • copper (Cu) is formed as a conductive layer on the surface of the adhesion layer by sputtering or the like.
  • stainless steel (SUS) is formed on the surface of the conductive layer as a rust preventive layer by sputtering or the like.
  • the electronic component module 101 is manufactured by the above steps.
  • the shield layer 5 was formed before the individualization, but the shield layer 5 may be formed after the individualization.
  • printing indicating information on the electronic component module may be performed on the upper surface of the sealing resin portion 4.
  • an interposer is not required, so that a low-profile electronic component module is configured as a whole. can.
  • Second Embodiment an electronic component module including a conductive member conductive to the ground bump will be illustrated.
  • FIG. 6 (A) is a bottom view of the electronic component module 102A according to the second embodiment
  • FIG. 6 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 6 (A)
  • FIG. 6 (C) is a cross-sectional view. Is an enlarged view of the C portion in FIG. 6 (B).
  • the electronic component module 102A encloses a plurality of components each having a terminal and arranged along a plane, a frame substrate 9 that supports at least a part of the plurality of components, and the plurality of components and the substrate.
  • a sealing resin portion 4 to be formed and a shield layer 5 covering the outer surface of the sealing resin portion 4 are provided.
  • the electronic component module 102A includes bump components 21, 22, 23 having bumps as terminals.
  • the bump component 21 has nine solder bumps 21B, and the bump component 22 has four solder bumps 22B. Further, the bump component 23 has four solder bumps.
  • a plurality of ground bumps 10 are arranged between the chip component 11 and the bump component 22, and a ground bump array BA is formed.
  • the conductive member 30 is conductive to each ground bump 10 of the ground bump array BA.
  • These conductive members 30 are formed by filling the holes formed in the sealing resin portion 4 with a conductor. Alternatively, it is formed by embedding a columnar conductor such as a metal pin or a metal wire.
  • a via conductor 31 conducting to the ground layer 9B is formed on the insulating layer 9A of the frame substrate 9.
  • the lower end of the conductive member 30 is conducting to the via conductor 31, and the upper end is conducting to the shield layer 5. Therefore, the conductive member 30 and the via conductor 31 act as conductive pillars having a ground potential.
  • the chip component 11 and the bump component 22 are electromagnetically shielded by these conductive pillars.
  • the bump component 23 and the bump component 22 are electromagnetically shielded by these conductive pillars.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of another electronic component module 102B of the second embodiment.
  • the frame substrate 9 on which the ground bump 10 is formed is a flexible substrate, is curved at a predetermined position, and the ground layer 9B of the frame substrate 9 is conductive on the upper surface of the shield layer 5. Therefore, the ground layer 9B of the frame substrate 9 acts as a conductive wall of the ground potential. In this way, the conductor wall may be formed by the substrate.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic component module 103 according to the third embodiment.
  • the electronic component module 103 encapsulates a plurality of components each having a terminal and arranged along a plane, a frame substrate 9 that supports at least a part of the plurality of components, and the plurality of components and the substrate.
  • a sealing resin portion 4 to be formed and a shield layer 5 covering the outer surface of the sealing resin portion 4 are provided.
  • the sealing resin portion 4 unlike the electronic component module 101 shown in FIG. 1 (B), not only the periphery of the terminal but also the prime field portion of the chip component 11 is sealed by the sealing resin portion 4.
  • FIG. 9 (A) is a plan view of the electronic component module 103 in the temporary sealing process
  • FIG. 9 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 9 (A).
  • this temporary sealing step the inside of the opening of the frame substrate 9 is sealed with the temporary sealing material 41.
  • Other configurations are as shown in the first embodiment.
  • the thickness of the temporary sealing material 41 may be adjusted according to the height of the chip parts 11 to 15. In particular, in the case of a low-profile chip component, by setting the thickness of the temporary sealing material 41 to be thin, the degree of embedding of the chip component in the encapsulating resin portion 4 can be ensured, and the chip component can be prevented from falling off.
  • FIG. 10A is a plan view of the electronic component module 104 according to the fourth embodiment in the temporary sealing step at the time of manufacturing.
  • 10 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 10 (A).
  • the chip components 12 to 15 are mounted on the frame substrate 9. Electrodes, wiring layers, vias, and bumps for electrically connecting chip components 12 to 15 are formed on the frame substrate 9.
  • the wiring layer is insulated from the ground layer 9B of the frame substrate 9.
  • the wiring layer may be formed in the same layer as the ground layer 9B, or may be formed in another layer. Other configurations are as shown in the first embodiment.
  • the low-profile chip components 12 to 15 may be mounted on the frame substrate 9.
  • FIG. 11 (A) is a bottom view of the electronic component module 105 according to the fifth embodiment
  • FIG. 11 (B) is a cross-sectional view of the XX portion in FIG. 11 (A).
  • the electronic component module 105 is different from the electronic component module 101 shown in the first embodiment in that it includes a module component 60.
  • the module component 60 is composed of a module board 61 and chip components 12 to 15 mounted on the module board 61.
  • One terminal of each of the chip components 12 to 15 is mounted on the electrode of the module board 61 via a solder bump.
  • Other configurations are the same as the configurations shown in the first embodiment.
  • the component included in the electronic component module is not limited to a single component such as a chip component or a bump component, but may be a module component.
  • the component included in the electronic component module 105 may have a structure in which one terminal of the chip components 12 to 15 having terminals formed at both ends thereof is exposed from the sealing resin portion 4.

Abstract

電子部品モジュール(101)は、端子を有し平面に沿って配置された複数の部品と、複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持するフレーム基板(9)と、複数の部品及びフレーム基板(9)を封止する封止樹脂部(4)と、封止樹脂部(4)の外面を覆うシールド層(5)と、を備える。フレーム基板(9)は、絶縁層(9A)、グランド層(9B)及びグランド層(9B)に導通するグランドバンプ(10)を備え、フレーム基板(9)は、バンプ部品(21,22)のはんだバンプ(21B,22B)以外の部分を支持する開口を有し、フレーム基板(9)のグランド層(9B)はフレーム基板(9)の側面に露出してシールド層(5)に導通する。複数の部品の端子及びグランドバンプ(10)は封止樹脂部(4)の平面(S0)から突出する状態で露出し、電子部品モジュールの実装端子として用いられる。

Description

電子部品モジュール及びその製造方法
 本発明は、複数の部品を備えて構成される電子部品モジュール及びその製造方法に関する。
 特許文献1には、配線基板を設けずに、各部品のバンプの先端を封止樹脂から突出させ、大部分を封止樹脂に埋没させた電子部品モジュールが示されている。この構造によれば、従来に比べて薄型、軽量化を図れる。
米国特許第10418341号明細書
 特許文献1に記載の電子部品モジュールでは、各部品のバンプの大部分が封止樹脂部で形状が固定されるため、電子部品モジュールを実装基板に実装したとき、バンプにくびれ部が形成される。その様子を部分断面図として図12に示す。図12において、バンプ部品20は封止樹脂部4に封止されている。この電子部品モジュール100が実装基板1に接続用はんだ20Sを介して接続されるとき、はんだバンプ20Bと接続用はんだ20Sとの間にくびれ部20Cが形成される。そのため、実装基板1への電子部品モジュール100の実装後、実装基板1と電子部品モジュール100との間に生じるひずみ応力はくびれ部20Cに集中して、その部分にクラックが入りやすくなる。つまり、はんだバンプの接続部の信頼性が低いという問題がある。
 そこで、本発明の目的は、バンプ部品のバンプ接続部の信頼性を高めた電子部品モジュール及びその製造方法を提供することにある。
(1)本開示の一例としての電子部品モジュールは、それぞれ端子を有する複数の部品と、前記複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持する基板と、前記複数の部品及び前記基板を封止する封止樹脂部と、前記封止樹脂部の外面を覆うシールド層と、を備え、前記複数の部品は、前記端子としてバンプを有するバンプ部品を含み、前記基板は、絶縁層、グランド層及び前記グランド層に導通するグランドバンプを備え、前記基板は、前記バンプ部品のバンプ以外の部分を支持する開口を有し、前記基板の前記グランド層は前記基板の側面に露出して前記シールド層に導通し、前記複数の部品の前記端子及び前記グランドバンプが前記封止樹脂部から突出する状態で露出し、前記封止樹脂部から突出する複数の部品の前記端子及び前記グランドバンプを電子部品モジュールの実装端子とすることを特徴する。
 上記構造により、接続用はんだが不要であって、部品のバンプで実装基板の電極に直接的に接続されるので、部品のバンプと接続用はんだとの間にくびれ部が生じることがない。
(2)本開示の一例としての電子部品モジュールの製造方法は、開口を有する基板の前記開口に、当該開口から端子を突出させる部品を支持させ、前記部品を支持する基板、及び両端部に端子を有するチップ部品を粘着シートに配置する部品配置工程と、前記基板の開口を仮封止材で封止する仮封止工程と、前記粘着シート上の前記複数の部品の周囲を樹脂封止して封止樹脂部を形成する樹脂封止工程と、前記封止樹脂部から前記粘着シートを剥がして、当該粘着シートを剥がした面に前記複数の部品の端子を露出させる、粘着シート剥がし工程と、前記仮封止材を除去する仮封止材除去工程と、前記封止樹脂部の表面にシールド層を形成するシールド層形成工程と、前記封止樹脂部を切断して個片に分離する個片化工程と、を備えることを特徴する。
 上記製造方法によれば、バンプ部品のバンプをバンプ形成面から容易に突出させることができる。
 本発明によれば、バンプ部品のバンプ接続部の信頼性を高めた電子部品モジュールが得られる。
図1(A)は第1の実施形態に係る電子部品モジュール101の下面図であり、図1(B)は図1(A)におけるX-X部分の断面図であり、図1(C)は図1(A)におけるY-Y部分における断面図である。図1(D)は図1(B)におけるD部分の拡大図である。 図2は電子部品モジュール101が実装基板に実装された状態での断面図である。 図3(A)は、部品配置工程における電子部品モジュール101の断面図である。図3(B)は、仮封止工程における電子部品モジュール101の平面図であり、図3(C)は図3(B)におけるX-X部分の断面図である。 図4(A)は樹脂封止工程における電子部品モジュール101の断面図である。図4(B)は粘着シート剥がし工程における電子部品モジュール101の断面図である。図4(C)は仮封止材除去工程における電子部品モジュール101の断面図である。 図5(A)、図5(B)、図5(C)はシールド層形成工程における電子部品モジュール101の断面図である。 図6(A)は第2の実施形態に係る電子部品モジュール102Aの下面図であり、図6(B)は図6(A)におけるX-X部分の断面図であり、図6(C)は図6(B)におけるC部分の拡大図である。 図7は第2の実施形態の他の電子部品モジュール102Bの部分断面図である。 図8は第3の実施形態に係る電子部品モジュール103の断面図である。 図9(A)は仮封止工程での電子部品モジュール103の平面図であり、図9(B)は図9(A)におけるX-X部分の断面図である。 図10(A)は第4の実施形態に係る電子部品モジュール104の製造時の仮封止工程での平面図である。図10(B)は図10(A)におけるX-X部分の断面図である。 図11(A)は第5の実施形態に係る電子部品モジュール105の下面図であり、図11(B)は図11(A)におけるX-X部分の断面図である。 図12は、バンプ部品20のはんだバンプ20Bの大部分が封止樹脂部4で形状が固定された状態で、電子部品モジュールを実装基板に実装したとき、バンプにくびれ部20Cが形成される様子を示す部分断面図である。
 以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第1の実施形態》
 図1(A)は第1の実施形態に係る電子部品モジュール101の下面図であり、図1(B)は図1(A)におけるX-X部分における断面図であり、図1(C)は図1(A)におけるY-Y部分の断面図である。また、図1(D)は図1(B)におけるD部分の拡大図である。
 この電子部品モジュール101は、それぞれ端子を有し平面に沿って配置された複数の部品と、複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持するフレーム基板9と、複数の部品及び基板を封止する封止樹脂部4と、封止樹脂部4の外面を覆うシールド層5と、を備える。
 電子部品モジュール101は、端子としてのバンプを有するバンプ部品21,22,23を備える。バンプ部品21は9個のはんだバンプ21Bを有し、バンプ部品22は4個のはんだバンプ22Bを有する。また、バンプ部品23は4個のはんだバンプを有する。
 また、電子部品モジュール101は、それぞれの両端部に端子が形成されたチップ部品11,12,13,14,15を備える。チップ部品11は両端に端子11T1,11T2を有する。
 フレーム基板9は開口9H1,9H2,9H3,9H4を有する。開口9H1はバンプ部品21,23の周辺部を支持し、開口9H2はバンプ部品22の周辺部を支持する。
 封止樹脂部4はチップ部品11~15及びフレーム基板9を封止する。チップ部品11はフレーム基板9の開口9H3内に位置するが、フレーム基板9には支持されていない。同様に、チップ部品12~15はフレーム基板9の開口9H4内に位置するが、フレーム基板9には支持されていない。
 チップ部品11~15は例えばチップ抵抗、チップキャパシタ、チップインダクタ等であり、バンプ部品21,22,23は例えばSAWフィルタ、半導体チップ等である。チップ部品11~15はセラミック素体内にキャパシタやインダクタを形成したLCフィルタなどの部品や、部品の底面のみに電極端子を配置したランドグリッドアレイ部品も含む。バンプ部品は部品の底面のみにバンプ端子を配置したバンプグリッドアレイ部品も含む。
 フレーム基板9は、絶縁層9A、グランド層9B及びレジスト層9Cを備える。このグランド層9Bはフレーム基板9の側面に露出してシールド層5に導通する。また、レジスト層9Cが形成されていない露出部にグランドバンプ10が形成されている。
 グランドバンプ10は電子部品モジュール101の封止樹脂部4の四側部に沿った位置に配置されている。また、チップ部品11とバンプ部品22との間に、複数のグランドバンプ10によるグランドバンプアレイBAが形成されている。このグランドバンプアレイBAのグランドバンプ10はチップ部品11とバンプ部品22との間、及びバンプ部品23とバンプ部品22との間に位置する。そのため、チップ部品11とバンプ部品22とはグランドバンプアレイBAによって電磁気的に遮蔽される。同様に、バンプ部品23とバンプ部品22とはグランドバンプアレイBAによって電磁気的に遮蔽される。
 シールド層5は、スパッタリングやめっきなどで形成した金属製の膜であり、複数種の金属を複数層積層した構成であってもよい。シールド層5は、例えば、封止樹脂部4から順に、密着層/導電層/防錆層の3層構造である。各層の役割および特徴は下記のとおりである。
[密着層]
・シールド層5を封止樹脂部4に密着させる。
・密着層の層厚は導電層の膜厚より薄い。例えば、Ti、Cr、ステンレス鋼(SUS)などを用いることができる。
[導電層]
・電磁干渉波をシールドする。
・導電率が高い金属で構成され、密着層及び防錆層より層厚が厚い(シールド性能は導電層で決まる)。例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などを用いることができる。
[防錆層]
・導電層が酸化または腐食するのを防止する。
・防錆層の層厚は数百nm~数μmであり、導電層の膜厚より薄い。例えば、Ti、Cr、ステンレス鋼(SUS)などを用いることができる。
 図2は電子部品モジュール101が実装基板1に実装された状態での断面図である。実装基板1には、電子部品モジュール101を実装するための電極が形成されている。電子部品モジュール101の複数の部品の端子(はんだバンプ21B,22B、端子11T1,11T2等)及びグランドバンプ10は封止樹脂部4の平面から突出する状態で露出している。
 図2に表れているように、電子部品モジュール101の封止樹脂部4の平面から突出する複数の部品の端子が実装基板1の電極にそれぞれ接続される。端子11T1、端子11T2は実装基板1の電極に対してはんだ等の導電性部材を介して接続される。この導電性部材は、封止樹脂部4に形成された、チップ部品11の開口9H3(図1(A)参照)に入り込む。そして、この開口9H3の深さや広さを適宜設定することで、導電性部材の濡れ上がりや濡れ広がりを調整することができる。
 このように、電子部品モジュール101の封止樹脂部4の平面から突出する複数の部品の端子は電子部品モジュール101の実装端子としてそのまま使用される。実装基板1には例えばミリ波アンテナやミリ波回路が構成されていて、電子部品モジュール101はミリ波回路モジュールである。
 次に電子部品モジュール101の製造方法について例示する。
 図3(A)から図5(C)は、電子部品モジュール101の製造方法の各工程を示す図である。これらの図を参照して、各工程について説明する。
[部品配置工程]
 図3(A)に示すように、粘着シート8に所定の複数の部品を整列配置する。粘着シート8は、基材8Bとこの基材8Bの表面を被覆する粘着層8Aとで構成されている。基材8Bは例えば金属、ガラスやセラミック等の無機酸化物、エポキシ樹脂等の有機材料であり、粘着層8Aは例えばゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤である。
 まず、粘着シート8にフレーム基板9を搭載する。次に、フレーム基板9の各開口に所定の部品を配置する。このことにより、バンプ部品21のはんだバンプ21Bは粘着層8Aに接着され、バンプ部品22のはんだバンプ22Bは粘着層8Aに接着され、チップ部品11は粘着層8Aに接着される。この状態で、バンプ部品21,22はフレーム基板9の開口の周囲で支持される。つまり、バンプ部品21のバンプ形成面と粘着層8Aとの間に所定の間隔(スタンドオフ)が形成される。同様に、バンプ部品22のバンプ形成面と粘着層8Aとの間に所定の間隔(スタンドオフ)が形成される。
[仮封止工程]
 図3(B)は仮封止工程での電子部品モジュールの平面図であり、図3(C)は図3(B)におけるX-X部分の断面図である。
 仮封止工程では、フレーム基板9の開口9H1,9H2を仮封止材41で封止する。また、チップ部品11~15の端子に仮封止材41を塗布する。この仮封止材41は例えばフォトレジスト材料や水溶性樹脂である。仮封止材41は塗布後、UV照射や熱などで硬化させる。
[樹脂封止工程]
 図4(A)に示すように、粘着シート8上に封止樹脂層4Sを被覆する。これにより、フレーム基板9及び粘着シート8上の複数の部品の周囲を封止樹脂層4Sで樹脂封止する。この封止樹脂層4Sは例えばシリカフィラー含有のエポキシ樹脂などであり、液状樹脂を塗布、コンプレッションモールドなどの方法で被覆する。後に、封止樹脂層4Sはその固化によって封止樹脂部4になる。
[粘着シート剥がし工程]
 図4(B)に示すように、封止樹脂部4から粘着シート8を剥がす。このことにより、封止樹脂部4の、粘着シート8を剥がした面に複数の部品の端子を露出させる。例えば、バンプ部品21のはんだバンプ21Bが露出し、バンプ部品22のはんだバンプ22Bが露出し、チップ部品11の端子11T1,11T2が露出する。
[仮封止材除去工程]
 図4(C)に示すように、フレーム基板9の開口9H1,9H2内の仮封止材41を除去する。また、チップ部品11~15の端子に付着した仮封止材41を除去する。仮封止材41が水溶性樹脂の場合は水で除去し、フォトレジスト材料の場合はアルカリ水溶液、アセトンなどの有機溶剤で除去する。
[シールド層形成工程]
 まず、図5(A)に示すように、上記仮封止材41を除去したシートをダイシングテープ81に貼り付ける。
 次に、図5(B)に示すように、後に個片に分離する箇所(電子部品モジュール101単位の周囲)にスリットSLを形成し、図5(C)に示すように、封止樹脂部4の表面にシールド層5を形成する。先ず、密着層としてステンレス鋼(SUS)を封止樹脂部4の表面にスパッタリング等により形成する。次に、密着層の表面に導電層として銅(Cu)をスパッタリング等により形成する。さらに、導電層の表面に防錆層としてステンレス鋼(SUS)をスパッタリング等により形成する。
[個片化工程]
 図5(C)に示す一点鎖線部分でダイシングテープ81を切断することにより、電子部品モジュール単位の個片に分離する。その後、ダイシングテープ81を剥離することによって、図1(A)、図1(B)に示した電子部品モジュール101を得る。
 以上の工程によって、電子部品モジュール101を製造する。
 以上に示した例では、個片化する前にシールド層5を形成したが、個片化の後にシールド層5を形成してもよい。
 なお、粘着シート剥がし工程の前に、必要に応じて、封止樹脂部4の上面に電子部品モジュールに関する情報を示す印字を行ってもよい。
 本実施形態によれば、次のような作用効果を奏する。
(1)接続用はんだが不要であって、部品のバンプが実装基板の電極に直接的に接続されるので、部品のバンプと接続用はんだとの間にくびれ部が生じることがない。そのため、バンプ部品のバンプ接続部の信頼性を高めた電子部品モジュールが得られる。
(2)バンプ部品のバンプの周囲は空洞であって低誘電率であるため、ミリ波帯での伝送損失を低減できる。
(3)フレーム基板9の一部をバンプ部品21,22の下に潜り込ませることにより、電子部品モジュール101の平面S0からバンプ部品21,22のバンプ形成面までの間隔(スタンドオフ)を安定化できる。
(4)電磁干渉する部品間にフレーム基板9を配置することで、その部品間の電磁シールドがなされる。また、グランドバンプ10を配置することでそのシールド性が更に向上する。
(5)複数の部品をインターポーザに実装し、そのインターポーザの上部を樹脂封止するような構造の電子部品モジュールに比較して、インターポーザが不要であるので、全体に低背の電子部品モジュールが構成できる。
(6)電子部品モジュール101の平面S0と実装基板1との間隙が全面に亘って適正に保たれるため、実装基板1の電極へのはんだ実装によるはんだ接合品質が高い。
(7)実装基板1と電子部品モジュール101との隙間が適正に保たれるので、実装基板1と電子部品モジュール101との間隙を十分に洗浄できる。
(8)実装基板1と電子部品モジュール101との隙間が適正に保たれるので、この実装基板1と電子部品モジュール101との間隙に樹脂を充填するとき、その樹脂充填性が高い。
《第2の実施形態》
 第2の実施形態では、グランドバンプに導通する導電部材を備える電子部品モジュールについて例示する。
 図6(A)は第2の実施形態に係る電子部品モジュール102Aの下面図であり、図6(B)は図6(A)におけるX-X部分の断面図であり、図6(C)は図6(B)におけるC部分の拡大図である。
 この電子部品モジュール102Aは、それぞれ端子を有し平面に沿って配置された複数の部品と、複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持するフレーム基板9と、複数の部品及び基板を封止する封止樹脂部4と、封止樹脂部4の外面を覆うシールド層5と、を備える。
 電子部品モジュール102Aは、端子としてのバンプを有するバンプ部品21,22,23を備える。バンプ部品21は9個のはんだバンプ21Bを有し、バンプ部品22は4個のはんだバンプ22Bを有する。また、バンプ部品23は4個のはんだバンプを有する。
 チップ部品11とバンプ部品22との間に、複数のグランドバンプ10が配列されて、グランドバンプアレイBAが形成されている。
 第1の実施形態において図1(A)、図1(B)に示した電子部品モジュール101とは異なり、電子部品モジュール102Aにおいては、グランドバンプアレイBAの各グランドバンプ10に導通する導電部材30を有する。これら導電部材30は封止樹脂部4に形成した孔内に導電体を充填することによって形成されている。または、金属ピンなどの柱状導体や金属ワイヤーを埋設することによって形成されている。
 図6(C)に表れているように、フレーム基板9の絶縁層9Aにはグランド層9Bに導通するビア導体31が形成されている。導電部材30の下端はビア導体31に導通していて、上端はシールド層5に導通している。したがって、導電部材30及びビア導体31はグランド電位の導電ピラーとして作用する。チップ部品11とバンプ部品22とはこれら導電ピラーによって電磁的に遮蔽される。同様に、バンプ部品23とバンプ部品22とはこれら導電ピラーによって電磁的に遮蔽される。
 図7は第2の実施形態の他の電子部品モジュール102Bの部分断面図である。この例では、グランドバンプ10が形成されたフレーム基板9はフレキシブル基板であり、所定箇所で湾曲し、フレーム基板9のグランド層9Bがシールド層5の上面に導通している。したがって、フレーム基板9のグランド層9Bはグランド電位の導電壁として作用する。このように、基板によって導体壁を形成してもよい。
《第3の実施形態》
 第3の実施形態では、チップ部品の端子周辺だけでなく、素体部分も封止樹脂部で保持されるようにした電子部品モジュールについて例示する。
 図8は第3の実施形態に係る電子部品モジュール103の断面図である。この電子部品モジュール103は、それぞれ端子を有し平面に沿って配置された複数の部品と、複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持するフレーム基板9と、複数の部品及び基板を封止する封止樹脂部4と、封止樹脂部4の外面を覆うシールド層5と、を備える。第1の実施形態において、図1(B)に示した電子部品モジュール101とは異なり、チップ部品11は端子の周辺だけでなく、素体部分も封止樹脂部4で封止されている。
 図9(A)は仮封止工程での電子部品モジュール103の平面図であり、図9(B)は図9(A)におけるX-X部分の断面図である。この仮封止工程では、フレーム基板9の開口内を仮封止材41で封止する。その他の構成は第1の実施形態で示したとおりである。
 仮封止材41の厚さは、チップ部品11~15の高さに応じて調整してもよい。特に低背のチップ部品の場合は、仮封止材41の厚さを薄く設定することで、封止樹脂部4に対するチップ部品の埋没度合いを確保でき、チップ部品の脱落を防止できる。
《第4の実施形態》
 第4の実施形態ではフレーム基板にチップ部品が実装された電子部品モジュールについて例示する。
 図10(A)は第4の実施形態に係る電子部品モジュール104の製造時の仮封止工程での平面図である。図10(B)は図10(A)におけるX-X部分の断面図である。チップ部品12~15はフレーム基板9に実装されている。フレーム基板9には、チップ部品12~15を電気的に接続するための電極、配線層、ビア、バンプを形成する。配線層はフレーム基板9のグランド層9Bとは絶縁する。配線層はグランド層9Bと同じ層に形成してもよいし、別の層に形成してもよい。その他の構成は第1の実施形態で示したとおりである。
 このように、複数の部品が低背のチップ部品を含む場合、この低背のチップ部品12~15はフレーム基板9上に実装してもよい。
《第5の実施形態》
 第5の実施形態では、両端部に端子が形成されたチップ部品の一方の端子が封止樹脂部から露出する電子部品モジュールについて例示する。また、モジュール部品を含む電子部品モジュールについて例示する。
 図11(A)は第5の実施形態に係る電子部品モジュール105の下面図であり、図11(B)は図11(A)におけるX-X部分の断面図である。この電子部品モジュール105は、モジュール部品60を備えている点で第1の実施形態で示した電子部品モジュール101とは異なる。このモジュール部品60は、モジュール基板61とこのモジュール基板61に実装されたチップ部品12~15とで構成される。モジュール基板61の電極にはチップ部品12~15のそれぞれ一方の端子がはんだバンプを介して実装されている。その他の構成は第1の実施形態で示した構成と同じである。このように、電子部品モジュールが備える部品は、チップ部品やバンプ部品のような単体部品に限らず、モジュール部品であってもよい。また、電子部品モジュール105が備える部品は、その両端部に端子が形成されたチップ部品12~15の一方の端子が封止樹脂部4から露出する構造であってもよい。
 最後に、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。当業者によって適宜変形及び変更が可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変形及び変更が含まれる。
BA…グランドバンプアレイ
S0…平面
SL…スリット
1…実装基板
4…封止樹脂部
4S…封止樹脂層
5…シールド層
8…粘着シート
8A…粘着層
8B…基材
9…フレーム基板
9A…絶縁層
9B…グランド層
9C…レジスト層
9H1,9H2,9H3,9H4…開口
10…グランドバンプ
11,12,13,14,15…チップ部品
11T1,11T2…端子
20…バンプ部品
20B…はんだバンプ
20C…くびれ部
21,22,23…バンプ部品
21B,22B…はんだバンプ
30…導電部材
31…ビア導体
41…仮封止材
60…モジュール部品
61…モジュール基板
81…ダイシングテープ
100,101,102A,102B,103,104,105…電子部品モジュール

Claims (9)

  1.  それぞれ端子を有する複数の部品と、
     前記複数の部品のうち少なくとも一部の部品を支持する基板と、
     前記複数の部品及び前記基板を封止する封止樹脂部と、
     前記封止樹脂部の外面を覆うシールド層と、
     を備え、
     前記複数の部品は、前記端子としてバンプを有するバンプ部品を含み、
     前記基板は、絶縁層、グランド層及び前記グランド層に導通するグランドバンプを備え、
     前記基板は、前記バンプ部品のバンプ以外の部分を支持する開口を有し、
     前記基板の前記グランド層は前記基板の側面に露出して前記シールド層に導通し、
     前記複数の部品の前記端子及び前記グランドバンプが前記封止樹脂部から突出する状態で露出し、前記封止樹脂部から突出する複数の部品の前記端子及び前記グランドバンプを電子部品モジュールの実装端子とする、
     電子部品モジュール。
  2.  前記基板に支持される前記部品は、一面に前記端子としての複数のバンプが形成されたバンプ部品を含み、当該バンプ部品は前記バンプの形成面の全面が前記封止樹脂部から露出する、
     請求項1に記載の電子部品モジュール。
  3.  前記複数の部品は、両端部に前記端子が形成されたチップ部品を含み、当該チップ部品は前記両端部の前記端子が前記封止樹脂部から露出する、
     請求項1又は2に記載の電子部品モジュール。
  4.  前記グランドバンプは前記複数の部品のうち部品と部品との間に形成されている、
     請求項1から3のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  5.  前記基板は前記グランドバンプに導通する導電部材を備える、
     請求項4に記載の電子部品モジュール。
  6.  前記基板に、両端部に端子が形成されたチップ部品が実装された、
     請求項1から5のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  7.  前記複数の部品は、モジュール基板と当該モジュール基板に実装された部品とで構成されるモジュール部品を含む、
     請求項1から6のいずれかに記載の電子部品モジュール。
  8.  開口を有する基板の前記開口に、当該開口から端子を突出させる部品を支持させ、前記部品を支持する基板、及び両端部に端子を有するチップ部品を粘着シートに配置する部品配置工程と、
     前記基板の開口を仮封止材で封止する仮封止工程と、
     前記粘着シート上の前記複数の部品の周囲を樹脂封止して封止樹脂部を形成する樹脂封止工程と、
     前記封止樹脂部から前記粘着シートを剥がして、当該粘着シートを剥がした面に前記複数の部品の端子を露出させる、粘着シート剥がし工程と、
     前記仮封止材を除去する仮封止材除去工程と、
     前記封止樹脂部の表面にシールド層を形成するシールド層形成工程と、
     前記封止樹脂部を切断して個片に分離する個片化工程と、
     を備える、電子部品モジュールの製造方法。
  9.  前記仮封止工程で、前記チップ部品の側部に前記仮封止材を付与する、
     請求項8に記載の電子部品モジュールの製造方法。
PCT/JP2021/034370 2020-09-25 2021-09-17 電子部品モジュール及びその製造方法 WO2022065247A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202190000759.3U CN220189644U (zh) 2020-09-25 2021-09-17 电子部件模块
US18/184,734 US20230223355A1 (en) 2020-09-25 2023-03-16 Electronic component module, and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-160702 2020-09-25
JP2020160702 2020-09-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/184,734 Continuation US20230223355A1 (en) 2020-09-25 2023-03-16 Electronic component module, and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022065247A1 true WO2022065247A1 (ja) 2022-03-31

Family

ID=80845341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/034370 WO2022065247A1 (ja) 2020-09-25 2021-09-17 電子部品モジュール及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230223355A1 (ja)
CN (1) CN220189644U (ja)
WO (1) WO2022065247A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207378A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2012059832A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法ならびに光学モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207378A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2012059832A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法ならびに光学モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN220189644U (zh) 2023-12-15
US20230223355A1 (en) 2023-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7246421B2 (en) Method for manufacturing surface acoustic wave device
TWI387070B (zh) 晶片封裝體及其製作方法
KR101057368B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US6774467B2 (en) Semiconductor device and process of production of same
US5939784A (en) Shielded surface acoustical wave package
KR100543481B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7374969B2 (en) Semiconductor package with conductive molding compound and manufacturing method thereof
US20040136123A1 (en) Circuit devices and method for manufacturing the same
JPH10200012A (ja) ボールグリッドアレイ半導体のパッケージ及び製造方法
WO1998056041A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2002184904A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100611291B1 (ko) 회로 장치, 회로 모듈 및 회로 장치의 제조 방법
JP2001118947A (ja) 半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置
JP2001160597A (ja) 半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法
JPH11204678A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100658120B1 (ko) 필름 기판을 사용한 반도체 장치 제조 방법
WO2022065247A1 (ja) 電子部品モジュール及びその製造方法
JPH11176885A (ja) 半導体装置及びその製造方法、フィルムキャリアテープ、回路基板並びに電子機器
CN105244327A (zh) 电子装置模块及其制造方法
KR101741648B1 (ko) 전자파 차폐 수단을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JPH06177315A (ja) 多層リードフレーム
JP4364181B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20020086000A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2002270711A (ja) 半導体装置用配線基板およびその製造方法
JP2002270725A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21872376

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21872376

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP