显示基板和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请主张在2020年6月16日在中国提交的中国专利申请号No.202010550083.7的优先权,其全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)技术(即LED微缩技术),是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上,形成超小间距LED。Micro LED典型结构是一PN结二极管,由直接能隙半导体材料构成,当对Micro LED上下电极施加一正向偏压,致使电流通过时,电子、空穴对于主动区复合,发射出单一色光。Micro LED显示的驱动方式为电流驱动,Micro LED的亮度与流过Micro LED的电流正相关。
在相关技术中,包括微型发光二极管的像素电路在工作时,微型发光二极管的亮度偏低,通过分析发现导致微型发光二极管亮度偏低的一个因素:是由于驱动微型发光二极管发光的驱动晶体管的栅源电压较低,导致驱动晶体管的开启程度不足,驱动晶体管的漏源电流Ids未达到最大值导致,而驱动晶体管的栅源电压较低可能是存储电容(所述存储电容与驱动晶体管的栅极电连接)自举升压不足导致,需要通过增加存储电容的电容值来提升驱动晶体管的栅源电压。
发明内容
本公开的主要目的在于提供一种显示基板和显示装置。
为了达到上述目的,本公开提供了一种显示基板,包括像素电路,所述像素电路包括发光元件、驱动电路和电容电路,其中,
所述驱动电路用于驱动发光元件发光;
所述电容电路的第一端用于与所述驱动电路的控制端电连接,所述电容电路的第二端用于与数据写入节点电连接;
所述电容电路包括至少两个相互并联的电容。
可选地,所述像素电路设置在所述显示基板的衬底基板上,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层;所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部和第三绝缘部;
所述第一电极包括所述第一导电层,所述第二电极包括所述第二导电层,所述第三电极包括所述第三导电层,所述第一绝缘部包括所述第一绝缘层,所述第二绝缘部包括所述第二绝缘层的第一部分,以及所述第三绝缘部包括所述第二绝缘层的第二部分;
所述至少两个相互并联的电容包括第一电容和第二电容,所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部。
可选地,所述像素电路设置在所述显示基板的衬底基板上,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层;所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部和第四绝缘部;
所述第一电极包括所述第一导电层,所述第二电极包括所述第二导电层,所述第三电极包括所述第三导电层,所述第一绝缘部包括所述第一绝缘层,所述第二绝缘部包括所述第二绝缘层的第一部分、所述第三绝缘部包括所述第二绝缘层的第二部分,以及所述第四绝缘部包括所述第二绝缘层的第三部 分;
所述至少两个相互并联的电容包括第一电容和第二电容,所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部;
所述第一电极还通过第二导电连接部与所述第三电极电连接,所述第二导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第二过孔中,所述第二导电连接部与所述第二电极之间存在所述第四绝缘部。
可选地,所述第一导电连接部设置于所述第二电极的第一侧,所述第二导电连接部设置于所述第二电极的第二侧;
所述第一侧与所述第二侧为相对的两侧。
可选地,所述第一导电层为第一栅金属层、所述第二导电层为第二栅金属层,所述第三导电层为源漏金属层,所述第一绝缘层为第二栅绝缘层,所述第二绝缘层为层间介质层;或者,
所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层。
可选地,所述像素电路设置在所述显示基板的衬底基板上,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三导电层、第三绝缘层和第四导电层;
所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部和第五绝缘部;
所述第一电极包括所述第一导电层,所述第二电极包括所述第二导电层,所述第三电极包括所述第三导电层,所述第四电极包括第四导电层;
所述第一绝缘部包括第一绝缘层,所述第二绝缘部包括所述第二绝缘层的第一部分,所述第三绝缘部包括所述第三绝缘层的第一部分,所述第四绝缘部包括所述第三绝缘层的第二部分,所述第五绝缘部包括所述第二绝缘层的第二部分;
所述至少两个相互并联的电容包括第一电容、第二电容和第三电容,所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述第二电容,所述第三电极、所述第三绝缘部和所述第四电极组成所述第三电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第三绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第三导电连接部与所述第三电极电连接,所述第三导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第三过孔中;所述第三导电连接部与所述第二电极之间存在所述第五绝缘部;
所述第二电极通过第四导电连接部与所述第四电极电连接,所述第四导电连接部设置于贯穿所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第四过孔中,所述第四导电连接部与所述第三电极之间存在所述第四绝缘部。
可选地,所述第三导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第一侧,所述第四导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第二侧,所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。
可选地,所述像素电路设置在所述显示基板的衬底基板上,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三导电层、第三绝缘层和第四导电层;
所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝 缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部、第五绝缘部和第六绝缘部;
所述第二电极与所述第三电极电连接;
所述第一电极包括所述第一导电层,所述第二电极包括所述第二导电层,所述第三电极包括所述第三导电层,所述第四电极由所述第四导电层构成;
所述第一绝缘部包括所述第一绝缘层,所述第二绝缘部包括所述第三绝缘层的第一部分,所述第三绝缘部包括所述第二绝缘层的第一部分,所述第五绝缘部包括所述第二绝缘层的第二部分,所述第四绝缘部包括所述第三绝缘层的第二部分,以及所述第六绝缘部包括所述第三绝缘层的第三部分;
所述至少两个相互并联的电容包括第一电容和第二电容,所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述第一电容,所述第三电极、所述第二绝缘部和所述第四电极组成所述第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第五导电连接部与所述第四电极电连接,所述第五导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第五过孔中;所述第五导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部,所述第五导电连接部与所述第三电极之间存在所述第四绝缘部;
所述第一电极还通过第六导电连接部与所述第四电极电连接,所述第六导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第六过孔中;所述第六导电连接部与所述第二电极之间存在所述第五绝缘部,所述第六导电连接部与所述第三电极之间存在所述第六绝缘部。
可选地,所述第五导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第一侧,所述第六导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第二侧,所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。
可选地,所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层 为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第四导电层为源漏金属层;
所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层,所述第三绝缘层为层间介质层。
可选地,所述像素电路还包括补偿电路、数据写入电路、发光控制电路、初始化电路和测试电路;
所述驱动电路的第一端用于接入电源电压;
所述数据写入电路用于分别与设置在所述显示基板的衬底基板上的栅线和数据线、以及所述数据写入节点电连接,并用于在所述栅线提供的栅极驱动信号的控制下,将数据线上的数据电压写入所述数据写入节点;
所述发光控制电路用于分别与发光控制线、所述驱动电路的第二端、所述发光元件的第一极、所述数据写入节点、和参考电压输入端电连接,并用于在所述发光控制线提供的发光控制信号的控制下,控制所述驱动电路的第二端与所述发光元件的第一极电连接,并将参考电压写入所述数据写入节点,其中所述参考电压输入端用于输入参考电压,所述发光元件的第二极用于接入低电压;
所述初始化电路用于分别与复位端、所述参考电压输入端、初始化电压端、所述数据写入节点和所述驱动电路的第二端电连接,并用于在所述复位端提供的复位控制信号的控制下,将所述参考电压写入所述数据写入节点,并将所述初始化电压端提供的初始化电压写入所述驱动电路的控制端;
所述补偿电路用于分别与所述栅线、所述驱动电路的控制端和所述驱动电路的第二端电连接,并用于在所述栅极驱动信号的控制下,控制所述驱动电路的控制端与所述驱动电路的第二端电连接;
所述测试电路用于分别与测试控制端、所述发光元件的第一极和所述发光元件的第二极电连接,并用于在所述测试控制端提供的测试控制信号的控制下,控制所述发光元件的第一极和所述发光元件的第二极电连接。
可选地,所述驱动电路包括第三晶体管,所述至少两个相互并联的电容包括第一电容和第二电容,所述数据写入电路包括第四晶体管,所述发光控制电路包括第五晶体管和第六晶体管,所述初始化电路包括第一晶体管和第 七晶体管,所述补偿电路包括第二晶体管,所述测试电路包括第八晶体管,所述发光元件为微型发光二极管;
所述第一电容的第一端用于与所述第二电容的第一端电连接,所述第一电容的第二端用于与所述第二电容的第二端电连接;
所述第一电容的第一端用于与控制节点电连接,所述第二电容的第二端用于与所述数据写入节点电连接;
所述第三晶体管的栅极用于与所述控制节点电连接,所述第三晶体管的源极用于接入所述电源电压,所述第三晶体管的漏极用于与所述第六晶体管的源极电连接;
所述第四晶体管的栅极用于与所述栅线电连接,所述第四晶体管的源极用于接入所述数据线上的数据电压,所述第四晶体管的漏极用于与所述数据写入节点电连接;
所述第六晶体管的栅极用于与发光控制线电连接,所述第六晶体管的漏极用于与所述微型发光二极管的阳极电连接;
所述第五晶体管的栅极用于与所述发光控制线电连接,所述第五晶体管的源极用于接入参考电压,所述第五晶体管的漏极用于与所述数据写入节点电连接;
所述第七晶体管的栅极用于与复位端电连接,所述第七晶体管的源极用于接入所述参考电压,所述第七晶体管的漏极用于与所述数据写入节点电连接;
所述第一晶体管的栅极用于与所述复位端电连接,所述第一晶体管的源极用于接入初始化电压,所述第一晶体管的漏极用于与所述控制节点电连接;
所述第二晶体管的栅极用于与所述栅线电连接,所述第二晶体管的源极用于与所述控制节点电连接,所述第二晶体管的漏极用于与所述第三晶体管的漏极电连接;
所述第八晶体管的栅极用于与测试控制端电连接,所述第八晶体管的源极用于与所述微型发光二极管的阳极电连接,所述第八晶体管的漏极用于与所述微型发光二极管的阴极电连接;
所述微型发光二极管的阴极用于接入低电压。
本公开还提供了一种显示装置,包括上述的显示基板。
附图说明
图1是本公开实施例所述的显示基板中的像素电路的结构图;
图2是所述像素电路的一实施例的结构框图;
图3是所述像素电路的一具体实施例的电路图;
图4是自举电压Uc与时间常数t之间的关系示意图;
图5是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的一个具体实施例的结构图;
图6是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的另一个具体实施例的结构图;
图7是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的又一个具体实施例的结构图;
图8是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的又一个具体实施例的结构图;
图9是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的又一个具体实施例的结构图;
图10是本公开实施例所述的显示基板中的电容电路的又一个具体实施例的结构图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
本公开所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本公开实施例中,为区分晶体管除控制极之外的两极,将其中一极称为第一极,另一极称为第二极。
在实际操作时,当所述晶体管为三极管时,所述控制极可以为基极,所 述第一极可以为集电极,所述第二极可以发射极;或者,所述控制极可以为基极,所述第一极可以为发射极,所述第二极可以集电极。
在实际操作时,当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时,所述控制极可以为栅极,所述第一极可以为漏极,所述第二极可以为源极;或者,所述控制极可以为栅极,所述第一极可以为源极,所述第二极可以为漏极。
本公开实施例所述的显示基板包括设置于衬底基板上的像素电路,如图1所示,所述像素电路包括发光元件EL、驱动电路11和电容电路12,其中,
所述驱动电路11与所述发光元件EL电连接,用于驱动发光元件EL发光;
所述电容电路12的第一端与所述驱动电路11的控制端电连接,所述电容电路12的第二端与数据写入节点N1电连接;
所述电容电路12包括至少两个相互并联的电容。
根据电容的计算公式,虽然还可以通过降低第二栅绝缘层的厚度与将第二栅绝缘层的材料改为介电常数较大的材料以增加电容电路的电容值,但是如上两种方法实现难度较大;相比之下,在本公开实施例所述的显示基板中,所述电容电路12包括至少两个相互并联的电容,以在现有的时钟频率下增加电容电路的电容值,提升所述驱动电路11的控制端的电压,从而提升驱动电路11包括的驱动晶体管的栅源电压,进而提高流过发光元件EL的驱动电流,提升发光元件EL的亮度。在本公开实施例中,所述发光元件EL可以为Micro LED(微型发光二极管),但不以此为限。
在实际操作时,所述发光元件EL还可以为有机发光二极管或迷你发光二极管,但不以此为限。
在具体实施时,如图2所示,在图1所示的像素电路的实施例的基础上,所述像素电路还可以包括补偿电路10、数据写入电路13、发光控制电路14、初始化电路15和测试电路16;
所述驱动电路11的第一端接入电源电压VDD;
所述数据写入电路13分别与栅线G1、数据线和所述数据写入节点N1电连接,用于在所述栅线G1提供的栅极驱动信号的控制下,将数据线上的数据电压Vdata写入所述数据写入节点N1;
所述发光控制电路14分别与发光控制线EM、所述驱动电路11的第二端和所述发光元件EL的第一极、所述数据写入节点N1和参考电压输入端电连接,用于在所述发光控制线EM提供的发光控制信号的控制下,控制所述驱动电路11的第二端与所述发光元件EL的第一极之间连通,并将参考电压Vref写入所述数据写入节点N1;所述参考电压输入端用于输入参考电压Vref;
所述发光元件EL的第二极接入低电压VSS;
所述初始化电路15分别与复位端RESET、所述参考电压输入端、初始化电压端、所述数据写入节点N1和所述驱动电路11的第二端电连接,用于在所述复位端RESET提供的复位控制信号的控制下,将所述参考电压Vref写入所述数据写入节点N1,并将初始化电压Vint写入所述驱动电路11的控制端;所述初始化电压端用于提供初始化电压Vint;
所述补偿电路10分别与所述栅线G1、所述驱动电路11的控制端和所述驱动电路11的第二端电连接,用于在所述栅极驱动信号的控制下,控制所述驱动电路11的控制端与所述驱动电路11的第二端之间连通;
所述测试电路16与测试控制端TEST、所述发光元件EL的第一极和所述发光元件EL的第二极电连接,用于在所述测试控制端TEST提供的测试控制信号的控制下,控制所述发光元件EL的第一极和所述发光元件EL的第二极之间连通。
在图2所示的实施例中,控制节点N2与所述驱动电路11的控制端电连接。
在本公开实施例中,所述发光元件EL的第一极可以为阳极,所述发光元件EL的第二极可以为阴极,但不以此为限。
如图3所示,在图2所示的像素电路的实施例的基础上,在所述像素电路的一具体实施例中,所述驱动电路可以包括驱动晶体管T3,所述电容电路12可以包括相互并联的第一电容C1和第二电容C2;所述数据写入电路可以包括数据写入晶体管T4;所述发光控制电路可以包括第一发光控制晶体管T6和第二发光控制晶体管T5;所述初始化电路可以包括复位晶体管T7和初始化晶体管T1;所述补偿电路可以包括补偿晶体管T2;所述测试电路可以包括测试晶体管T8;所述发光元件可以为微型发光二极管Mled;
C1的第一端与C2的第一端电连接,C1的第二端与C2的第二端电连接;
C1的第一端与控制节点N2电连接,C2的第二端与数据写入节点N1电连接;
T3的栅极与N2电连接,T3的源极接入VDD,T3的漏极与T6的源极电连接;
T4的栅极与G1电连接,T4的源极接入Vdata,T4的漏极与N1电连接;
T6的栅极与EM电连接,T6的漏极与Mled的阳极电连接;
T5的栅极与EM电连接,T5的源极接入Vref,T5的漏极与N1电连接;
T7的栅极与RESET电连接,T7的源极接入Vref,T7的漏极与N1电连接;
T1的栅极与RESET电连接,T1的源极接入Vint,T1的漏极与N2电连接;
T2的栅极与G1电连接,T2的源极与N2电连接,T2的漏极与T3的漏极电连接;
T8的栅极与TEST电连接,T8的源极与Mled的阳极电连接,T8的漏极与Mled的阴极电连接;
Mled的阴极接入低电压VSS。
如图3所示的具体实施例中,当像素电路的在工作时,流过Mled的驱动电流I可以等于A(Vgs-Vth)
2;其中,Vth为T3的阈值电压,Vgs为T3的栅源电压,A为T3的电流参数,可知,驱动电流I受T3的栅源电压的影响。
在图3中,标号为Cgs的为驱动晶体管T3的栅源寄生电容。
在具体实施时,所述电容电路可以不仅包括两个相互并联的电容,而且还可以包括更多的相互并联的电容。
在本公开实施例中,所述电容电路包括至少两个相互并联的电容,进而能够增加电容电路的电容值,时间常数也会增加,因此N2的自举电压会相应的升高,进而能够提高流过Mled的电流,提升Mled的发光亮度。
如图4所示,横轴是时间常数t,纵轴是电容电路的自举电压Uc,当时间常数由τ变为2τ时,由图4可知,相应的自举电压升高。
在具体实施时,电容的自举效应是指利用电容两端电压不能突变的特性, 当电容两端保持有一定电压时,提高电容的第二端的电压,电容的第一端的电压仍保持与电容的第一端的原始压差,相当于电容的第一端的电压被负端举起来了。
在本公开实施例中,电容电路的电容值的设计与显示产品的分辨率、刷新率以及薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的特性有关,在满足充电率的情况下,所述电容电路的电容值越大,对驱动晶体管的栅极电压的保持特性越好,驱动电流越稳定。在对驱动电流要求高的电路设计中,还要考虑驱动晶体管的栅源寄生电容Cgs的影响,为保证N2的电压稳定,要求电容电路12的电容值与所述栅源寄生电容Cgs之间的比值大于预定比值,由于相关技术工艺路线下构成显示图形的各个膜层厚度和结构已确定,因此本公开通过增加电容包括的电极之间的正对面积来提升电容电路的电容值。
电容的电容值的计算公式如下:C=εS/(4πkd),其中,ε为极板间介质的介电常数,S为电容包括的电极之间的正对面积,d为电容包括的两个电极之间的距离,k是玻尔兹曼常量。由该计算公式可知,可以通过增加电容包括的电极之间的正对面积以提升电容的电容值。
根据一种具体实施方式,所述显示基板可以包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层;所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部和第三绝缘部;
所述第一电极由所述第一导电层构成,所述第二电极由所述第二导电层构成,所述第三电极由所述第三导电层构成,所述第一绝缘部由所述第一绝缘层构成,所述第二绝缘部和所述第三绝缘部由所述第二绝缘层构成;
所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部。
在具体实施时,所述电容电路可以包括相互并联的第一电容和第二电容,所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部和第三绝缘部,并且需要保证所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,并需要保证所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,以使得所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,并使得所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容。
并且,在本公开实施例中,所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部,这样,第一电极与第二电极之间存在第一正对面积,第二电极与第三电极之间存在第二正对面积,第一导电连接部与所述第二电极之间也存在第三正对面积,能够提升电容电路的电容值。
根据另一种具体实施方式,所述显示基板可以包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第三导电层;所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部和第四绝缘部;
所述第一电极由所述第一导电层构成,所述第二电极由所述第二导电层构成,所述第三电极由所述第三导电层构成,所述第一绝缘部由所述第一绝缘层构成,所述第二绝缘部、所述第三绝缘部和所述第四绝缘部由所述第二绝缘层构成;
所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部;
所述第一电极还通过第二导电连接部与所述第三电极电连接,所述第二导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第二过孔中,所述第二导电连接部与所述第二电极之间存在所述第四绝缘部。
在具体实施时,所述电容电路可以包括相互并联的第一电容和第二电容,所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部和第四绝缘部,并且需要保证所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,需要保证所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,以使得所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容。
并且,在本公开实施例中,所述第一电极通过第一导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一电极还通过第二导电连接部与所述第三电极电连接,所述第一导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部,所述第二导电连接部与所述第二电极之间存在所述第四绝缘部,这样,第一电极与第二电极之间存在第一正对面积,第二电极与第三电极之间存在第二正对面积,第一导电连接部与所述第二电极之间也存在第三正对面积,第二导电部与第二电极之间也存在第四正对面积,能够提升电容电路的电容值。
在具体实施时,所述第一导电连接部可以设置于所述第二电极的第一侧,所述第二导电连接部可以设置于所述第二电极的第二侧,所述第一侧与所述 第二侧为相对的两侧,但不以此为限。
例如,所述第一导电连接部可以设置于所述第二电极的左侧,所述第二导电连接部可以设置于所述第二电极的右侧,但不以此为限。
在本公开实施例中,所述第一导电层为第一栅金属层、所述第二导电层为第二栅金属层,所述第三导电层为源漏金属层,所述第一绝缘层为第二栅绝缘层,所述第二绝缘层为层间介质层;或者,
所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层。
下面通过具体实施例来说明本公开所述的显示基板中的电容电路的结构。
在一个实施例中,如图5所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于所述衬底基板50上的第一栅金属层、第二栅绝缘层、第二栅金属层、层间介质层和源漏金属层;
在图5所示的实施例中,所述电容电路可以包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2和第三绝缘部I3;
所述第一电极P1由所述第一栅金属层构成,所述第二电极P2由所述第二栅金属层构成,所述第三电极P3由所述源漏金属层构成,所述第一绝缘部I1由所述第二栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2和所述第三绝缘部I3由所述层间介质层构成;
所述至少两个相互并联的电容包括第一电容和第二电容,所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述第一电容,所述第二电极P2、所述第二绝缘部I2和所述第三电极P3组成所述第二电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第三电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第一导电连接部L1与所述第三电极P3电连接, 所述第一导电连接部L1设置于贯穿所述第二栅绝缘层层、所述第二栅金属层和所述层间介质层的第一过孔中,所述第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间存在所述第三绝缘部I3。
如图5所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容和第二电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积S1,第二电极P2与第三电极P3之间存在第二正对面积S2,第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间也存在第三正对面积S3,能够提升电容电路的电容值。
在图5所示的实施例中,所述电容电路的结构为三明治式电容结构。
在图5所示的实施例中,第一导电层为第一栅金属层,第二导电层为第二栅金属层,第三导电层为源漏金属层,第一绝缘层为第二栅绝缘层,第二绝缘层为层间介质层。
在另一个实施例中,如图6所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于衬底基板50上的第一栅金属层、第二栅绝缘层、第二栅金属层、层间介质层和源漏金属层;
在图6所示的实施例中,所述电容电路可以包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2、第三绝缘部I3和第四绝缘部I4;
所述第一电极P1由所述第一栅金属层构成,所述第二电极P2由所述第二栅金属层构成,所述第三电极P由所述源漏金属层构成,所述第一绝缘部I1由所述第二栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2、所述第三绝缘部I3和所述第四绝缘部I4均由所述层间介质层构成;
所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极P2、所述第二绝缘部I2和所述第三电极P2组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第三电极P3在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第一导电连接部L1与所述第三电极P3电连接,所述第一导电连接部L1设置于贯穿所述第二栅绝缘层、所述第二栅金属层和所述层间介质层的第一过孔中,所述第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间存在所述第三绝缘部I3;
所述第一电极P1还通过第二导电连接部L2与所述第三电极P3电连接,所述第二导电连接部L2设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第二过孔中,所述第二导电连接部L2与所述第二电极P2之间存在所述第四绝缘部I2。
如图6所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容和第二电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积S1,第二电极P2与第三电极P3之间存在第二正对面积S2,第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间也存在第三正对面积S3,第二导电连接部L2与所述第二电极P2之间也存在第四正对面积S4,能够提升电容电路的电容值。
在图6所示的实施例中,所述电容电路的结构为环绕式电容结构。
在图6所示的实施例中,第一导电层为第一栅金属层,第二导电层为第二栅金属层,第三导电层为源漏金属层,第一绝缘层为第二栅绝缘层,第二绝缘层为层间介质层。
在图5和图6中,所述衬底基板10与所述第一栅金属层之间还可以设置有源层和第一栅绝缘层。
如图7所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于所述衬底基板50上的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层和第二栅金属层;
在图7所示的实施例中,所述电容电路包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2和第三绝缘部I3;
所述第一电极P1由所述有源层的被导体化的部分构成,所述第二电极P2由所述第一栅金属层构成,所述第三电极P3由所述第二栅金属层构成,所述第一绝缘部I1由所述第一栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2和所述第三绝缘部I3均由所述第二栅绝缘层构成;
所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述电容 电路包括的第一电容,所述第二电极P2、所述第二绝缘部I2和所述第三电极P3组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第三电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第一导电连接部L1与所述第三电极P3电连接,所述第一导电连接部L1设置于贯穿所述第一栅绝缘层、所述第一栅金属层和所述第二栅绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间存在所述第三绝缘部I3。
如图7所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容和第二电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积S1,第二电极P2与第三电极P3之间存在第二正对面积S2,第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间也存在第三正对面积S3,能够提升电容电路的电容值。
在图7所示的实施例中,所述电容电路的结构为三明治式电容结构。
在图7所示的实施例中,第一导电层为有源层的被导体化的部分,第一导电层为第一栅金属层,第二导电层为第二栅金属层,第一绝缘层为第一栅绝缘层,第二绝缘层为第二栅介质层。
在图7所示的实施例中,由于第一栅绝缘层的厚度和第二栅绝缘层的厚度较小,因此可以使得电容电路的电容值更大。
如图8所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于衬底基板50上的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层和第二栅金属层;
在图8所示的具体实施例中,所述电容电路可以包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2、第三绝缘部I3和第四绝缘部I4;
所述第一电极P1由所述有源层的被导体化的部分构成,所述第二电极P2由所述第一栅金属层构成,所述第三电极P3由所述第二栅金属层构成, 所述第一绝缘部I1由所述第一栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2、所述第三绝缘部I3和所述第四绝缘部I4均由所述第二栅绝缘层构成;
所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极P2、所述第二绝缘部I2和所述第三电极P2组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第三电极P3在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第一导电连接部L1与所述第三电极P3电连接,所述第一导电连接部L1设置于贯穿所述第一栅绝缘层、所述第一栅金属层和所述第二栅绝缘层的第一过孔中,所述第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间存在所述第三绝缘部I3;
所述第一电极P1还通过第二导电连接部L2与所述第三电极P3电连接,所述第二导电连接部L2设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层和所述第二绝缘层的第二过孔中,所述第二导电连接部L2与所述第二电极P2之间存在所述第四绝缘部I2。
如图8所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容和第二电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积S1,第二电极P2与第三电极P3之间存在第二正对面积S2,第一导电连接部L1与所述第二电极P2之间也存在第三正对面积S3,第二导电连接部L2与所述第二电极P2之间也存在第四正对面积S4,能够提升电容电路的电容值。
在图8所示的实施例中,所述电容电路的结构为环绕式电容结构。
在图8所示的实施例中,第一导电层为有源层的被导体化的部分,第一导电层为第一栅金属层,第二导电层为第二栅金属层,第一绝缘层为第一栅绝缘层,第二绝缘层为第二栅介质层。
根据又一种具体实施方式,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三导电层、第 三绝缘层和第四导电层;
所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部和第五绝缘部;
所述第一电极由所述第一导电层构成,所述第二电极由所述第二导电层构成,所述第三电极由所述第三导电层构成,所述第四电极由第四导电层构成;
所述第一绝缘部由第一绝缘层构成,所述第二绝缘部由第二绝缘层构成,所述第三绝缘部由所述第三绝缘层构成,所述第四绝缘部由所述第三绝缘层构成,所述第五绝缘部由所述第二绝缘层构成;
所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容,所述第三电极、所述第三绝缘部和所述第四电极组成所述电容电路包括的第三电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第三绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第三导电连接部与所述第三电极电连接,所述第三导电连接部设置于贯穿所述第一栅绝缘层、所述第一栅金属层和所述第二栅绝缘层的第三过孔中;所述第三导电连接部与所述第二电极之间存在所述第五绝缘部;
所述第二电极通过第四导电连接部与所述第四电极电连接,所述第四导电连接部设置于贯穿所述第二栅绝缘层、所述第二栅金属层和所述层间介质层的第四过孔中,所述第四导电连接部与所述第三电极之间存在所述第四绝缘部。
在具体实施时,所述电容电路可以包括相互并联的第一电容、第二电容和第三电容,所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、 第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部和第五绝缘部,并且需要保证所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,并需要保证所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第三电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,需要保证所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第三绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,以使得所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极、所述第二绝缘部和所述第三电极组成所述电容电路包括的第二电容,所述第三电极、所述第三绝缘部和所述第四电极组成所述电容电路包括的第三电容。
并且,在本公开实施例中,所述第一电极通过第三导电连接部与所述第三电极电连接,所述第二电极通过第四导电连接部与所述第四电极电连接,第一电极与第二电极之间存在第一正对面积,第二电极与第三电极之间存在第二正对面积,第三电极与第四电极之间存在第三正对面积,第三导电连接部与所述第二电极之间也存在第四正对面积,第四导电连接部与所述第二电极之间也存在第五正对面积,能够提升电容电路的电容值。
可选地,所述第三导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的第一侧,所述第四导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的第二侧,所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。
例如,所述第三导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的左侧,所述第四导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的右侧,但不以此为限。
在本公开实施例中,所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第四导电层为源漏金属层;所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层,所述第三绝缘层为层间介质层,但不以此为限。
图9所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于所述衬底基板50上的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、 第二栅绝缘层、第二栅金属层、层间介质层和源漏金属层;
在图9所示的实施例中,所述电容电路可以包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第四电极P4、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2、第三绝缘部I3、第四绝缘部I4和第五绝缘部I5;
所述第一电极P1由所述有源层的被导体化的部分构成,所述第二电极P2由所述第一栅金属层构成,所述第三电极P3由所述第二栅金属层构成,所述第四电极P4由所述源漏金属层构成;
所述第一绝缘部I1由第一栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2由所述第二栅绝缘层构成,所述第三绝缘部I2由所述层间介质层构成,所述第四绝缘部I4由所述层间介质层构成,所述第五绝缘部I5由第二栅绝缘层构成;
所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述电容电路包括的第一电容,所述第二电极P2、所述第二绝缘部I2和所述第三电极P3组成所述电容电路包括的第二电容,所述第三电极P3、所述第三绝缘部I3和所述第四电极P4组成所述电容电路包括的第三电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第三电极P3在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第三电极P3在所述衬底基板50上的正投影、所述第三绝缘部I3在所述衬底基板50上的正投影和所述第四电极P4在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第三导电连接部L3与所述第三电极P3电连接,所述第三导电连接部L3设置于贯穿所述第一绝缘层I1、所述第二导电层P2和所述第二绝缘层I3的第三过孔中;所述第三导电连接部L3与所述第二电极P2之间存在所述第五绝缘部I5;
所述第二电极P2通过第四导电连接部L4与所述第四电极P4电连接,所述第四导电连接部L4设置于贯穿所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第四过孔中,所述第四导电连接部L4与所述第三电极P3之间存在所述第四绝缘部I4。
如图9所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容、第二电容和第三电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积S1,第二电极P2与第三电极P3之间存在第二正对面积S2,第三电极P3与第四电极P4之间存在第三正对面积S3,第三导电连接部L3与所述第二电极P2之间也存在第四正对面积S4,第四导电连接部L4与所述第三电极P3之间也存在第五正对面积S5,能够提升电容电路的电容值。
在图9所示的实施例中,所述电容电路的结构为交叉式四电极电容结构。
在图9所示的实施例中,所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第四导电层为源漏金属层;所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层,所述第三绝缘层为层间介质层。
根据再一种具体实施方式,所述显示基板包括依次设置于所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层、第三导电层、第三绝缘层和第四导电层;
所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部、第五绝缘部和第六绝缘部;
所述第二电极与所述第三电极电连接;
所述第一电极由所述第一导电层构成,所述第二电极由所述第二导电层构成,所述第三电极由所述第三导电层构成,所述第四电极由所述第四导电层构成;
所述第一绝缘部由所述第一绝缘层构成,所述第二绝缘部由所述第三绝缘层构成,所述第三绝缘部和所述第五绝缘部由所述第二绝缘层构成,所述第四绝缘部和所述第六绝缘部由所述第三绝缘层构成;
所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第三电极、所述第二绝缘部和所述第四电极组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板 上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极通过第五导电连接部与所述第四电极电连接,所述第五导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第五过孔中;所述第五导电连接部与所述第二电极之间存在所述第三绝缘部,所述第五导电连接部与所述第三电极之间存在所述第四绝缘部;
所述第一电极还通过第六导电连接部与所述第四电极电连接,所述第六导电连接部设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第六过孔中;所述第六导电连接部与所述第二电极之间存在所述第五绝缘部,所述第六导电连接部与所述第三电极之间存在所述第六绝缘部。
在具体实施时,所述电容电路可以包括相互并联的第一电容和第二电容,所述电容电路包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部、第五绝缘部和第六绝缘部,并且需要保证所述第一电极在所述衬底基板上的正投影、所述第一绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,并需要保证所述第三电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二绝缘部在所述衬底基板上的正投影和所述第四电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,以使得所述第一电极、所述第一绝缘部和所述第二电极组成所述电容电路包括的第一电容,所述第三电极、所述第二绝缘部和所述第四电极组成所述电容电路包括的第二电容。
并且,在本公开实施例中,所述第一电极通过第五导电连接部与所述第四电极电连接,所述第一电极还通过第六导电连接部与所述第四电极电连接,
第一电极与第二电极之间存在第一正对面积,第三电极与第四电极之间存在第二正对面积,第五导电连接部与所述第二电极之间存在第三正对面积,第五导电连接部与所述第三电极之间存在第四正对面积,第六导电连接部与所述第二电极之间也存在第五正对面积,第六导电连接部与所述第三电极之间也存在第六正对面积,能够提升电容电路的电容值。
可选地,所述第五导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第 一侧,所述第六导电连接部设置于所述第二电极和所述第三电极的第二侧,所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。
例如,所述第五导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的左侧,所述第六导电连接部可以设置于所述第二电极和所述第三电极的右侧,但不以此为限。
在本公开实施例中,所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第四导电层为源漏金属层;所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层,所述第三绝缘层为层间介质层,但不以此为限。
图10所示,所述显示基板可以包括按照距离所述衬底基板50由近到远的顺序依次设置于所述衬底基板50上的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层100、第二栅金属层、层间介质层和源漏金属层;
在图10所示的实施例中,所述电容电路可以包括第一电极P1、第二电极P2、第三电极P3、第四电极P4、第一绝缘部I1、第二绝缘部I2、第三绝缘部I3、第四绝缘部I4、第五绝缘部I5和第六绝缘层I6;
所述第一电极P1由所述有源层的被导体化的部分构成,所述第二电极P2由所述第一栅金属层构成、所述第三电极P3由所述第二栅金属层构成,所述第四电极P4由所述源漏金属层构成;
所述第一绝缘部I1由所述第一栅绝缘层构成,所述第二绝缘部I2由所述层间介质层构成,所述第三绝缘部I3和所述第五绝缘部I5由所述第二栅绝缘层100构成,所述第四绝缘部I4和所述第六绝缘部I6均由所述层间介质层构成;
所述第一电极P1、所述第一绝缘部I1和所述第二电极P2组成所述电容电路包括的第一电容,所述第三电极P3、所述第二绝缘部I2和所述第四电极P4组成所述电容电路包括的第二电容;
所述第一电极P1在所述衬底基板50上的正投影、所述第一绝缘部I1在所述衬底基板50上的正投影和所述第二电极P2在所述衬底基板50上的正投影至少部分交叠;所述第三电极P3在所述衬底基板50上的正投影、所述第二绝缘部I2在所述衬底基板50上的正投影和所述第四电极P4在所述衬底基 板50上的正投影至少部分交叠;
所述第一电极P1通过第五导电连接部L5与所述第四电极P4电连接,所述第五导电连接部L5设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第五过孔中;所述第五导电连接部L5与所述第二电极P2之间存在所述第三绝缘部I3,所述第五导电连接部L5与所述第三电极P3之间存在所述第四绝缘部I4;
所述第一电极P1还通过第六导电连接部L6与所述第四电极P4电连接,所述第六导电连接部L6设置于贯穿所述第一绝缘层、所述第二导电层、所述第二绝缘层、所述第三导电层和所述第三绝缘层的第六过孔中;所述第六导电连接部L6与所述第二电极P2之间存在所述第五绝缘部I5,所述第六导电连接部L6与所述第三电极P3之间存在所述第六绝缘部I6;
所述第二电极P2通过第七导电连接部L7和第八导电连接部L8与所述第三电极P3电连接;所述第七导电连接部L7设置于贯穿所述第二栅绝缘层100的第七过孔中,所述第八导电连接部L8设置于贯穿所述第二栅绝缘层100的第八过孔中。
如图10所示,所述电容电路包括相互并联的第一电容和第二电容,第一电极P1与第二电极P2之间存在第一正对面积,第三电极P3与第四电极P4之间存在第二正对面积,第五导电连接部L5与所述第二电极P2之间存在第三正对面积,第五导电连接部L5与所述第三电极P3之间存在第四正对面积,第六导电连接部L6与所述第二电极P2之间也存在第五正对面积,第六导电连接部L6与所述第三电极P3之间也存在第六正对面积,能够提升电容电路的电容值。
在图10所示的实施例中,所述电容电路的结构为回字形四电极式电容结构。
在图10所示的实施例中,所述第一导电层为有源层的被导体化的部分,所述第二导电层为第一栅金属层,所述第三导电层为第二栅金属层,所述第四导电层为源漏金属层;所述第一绝缘层为第一栅绝缘层,所述第二绝缘层为第二栅绝缘层,所述第三绝缘层为层间介质层。
本公开实施例所述的显示装置包括上述的显示基板。
本公开实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本公开的可选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。