WO2021225341A1 - 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

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side wiring
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connection pad
tft
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강호석
정진우
이창준
이택모
허균
홍순민
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present disclosure relates to a display module and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a display module in which side wirings are formed in an edge region of a glass substrate, and a manufacturing method thereof.
  • the self-luminous display device displays an image without a color filter and a backlight, and an inorganic self-luminous LED device that emits light by itself may be used.
  • the display module expresses various colors while operating in units of pixels or sub-pixels made of LED inorganic light-emitting devices, and the operation of each pixel or sub-pixel is controlled by a TFT (Thin Film Transistor).
  • TFT Thin Film Transistor
  • a plurality of TFTs are arranged on a flexible substrate, a glass substrate or a plastic substrate, which is called a TFT substrate.
  • Such a TFT substrate is applied to large TVs ranging from small to several tens of inches, such as flexible devices and wearable devices (eg, Wearable Watch), and is utilized as a substrate for driving a display.
  • a display In order to drive the TFT substrate, it is connected to an external circuit (External IC) or a driver IC capable of applying a current to the TFT substrate.
  • the TFT substrate and each circuit are connected through COG (Chip on Glass) bonding or FOG (Film on Glass) bonding.
  • COG Chip on Glass
  • FOG Finm on Glass
  • An object of the present disclosure is to provide a display module capable of minimizing the disconnection rate of side wiring formed on a glass substrate and a method of manufacturing the same.
  • Another object of the present disclosure is to provide a display module including a structure capable of protecting side wiring formed on a glass substrate from external impact, and a method for manufacturing the same.
  • Another object of the present disclosure is to provide a display module in which side wirings can be stably coupled to a glass substrate by maximizing a contact area on the glass substrate.
  • the present disclosure provides a TFT (Thin Film Transistor) layer disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer disposed on a rear surface, and a first corresponding to the side surface.
  • a glass substrate including an edge region including one edge zone, a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to the side surface, and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface; a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate; a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through a plurality of first metal wirings; a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through a plurality of second metal wires; and a plurality of side wirings having one end completely covering the corresponding first connection pad and the other end completely
  • the insulating layer may be an organic insulating layer or an inorganic insulating layer formed on the front and back surfaces of the glass substrate.
  • the insulating layer may be disposed adjacent to the first connection pad or the second connection pad with a gap therebetween.
  • the insulating layer may cover a portion of the first connection pad or the second connection pad.
  • the first connection pad may be formed on the first metal wiring, and the second connection pad may be formed on the second metal wiring.
  • the glass substrate may have concavities and convexities formed in the second edge zone, and one end of the first metal wiring, the first connection pad, and the side wiring sequentially stacked on the concavities and convexities may have an uneven shape.
  • the first connection pad may have an uneven shape, and one end of the side wiring stacked on the unevenness may have an uneven shape.
  • the first connection pad may form an unevenness formed by a laser process or an etching process, and the side wiring may be formed on the glass substrate through a metal deposition process, and a portion of the side wiring formed on the unevenness may have an uneven shape. have.
  • a via structure made of an insulating material may be formed on the first connection pad, and a portion of the side wiring formed on the via structure may have a concave-convex shape and may be electrically connected to the first connection pad.
  • the glass substrate includes an edge region comprising a first edge zone corresponding to a side surface, a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to the side surface, and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface,
  • the plurality of side wirings are arranged at regular intervals, and each side wiring has a width of a first portion formed in the first edge zone, a width of a second portion formed in the second edge zone, and a width formed in the third edge zone It may be larger than the width of the third portion.
  • a distance between the first portions of the side interconnections adjacent to each other may be smaller than the respective widths of the second and third portions.
  • An interval between the first portions of the side wirings adjacent to each other may be smaller than a spacing between the second portions of the side wirings adjacent to each other and a distance between the third portions of the side wirings adjacent to each other.
  • the first portion of the side wiring gradually extends from the point connected to the second portion to a predetermined distance away from the second portion, and gradually from the point connected to the third portion to a predetermined distance away from the third portion. It may include a section extending to .
  • the first portion of the side wiring may include a section formed with a constant width between the extended sections on both sides.
  • the glass substrate may further include a first chamfered surface formed between the first and second edge zones and a second chamfered surface formed between the first and third edge zones.
  • the side wiring may be formed to extend along the second edge zone, the first chamfered surface, the first edge zone, the second chamfered surface, and the third edge zone.
  • a trench may be formed in the first edge zone of the glass substrate to increase the in-plane distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other.
  • the glass substrate may further include an insulating member coupled along the trench, and the insulating member may protrude higher than the first portion of the side wiring from a side surface of the glass substrate.
  • the glass substrate may further include a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
  • a thin film transistor (TFT) layer is disposed on a front surface and a driving circuit for driving the TFT layer is disposed on a rear surface, a first edge zone corresponding to the side surface and the a glass substrate including an edge region including a second edge zone corresponding to a portion of the front surface adjacent to a side surface and a third edge zone corresponding to a portion of the rear surface adjacent to the side surface; a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate; a plurality of first connection pads disposed at intervals in the second edge zone and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through a plurality of first metal wirings; a plurality of second connection pads disposed at intervals in the third edge zone and electrically connected to the driving circuit through a plurality of second metal wires; and a plurality of side wirings electrically connecting the plurality of first connection pads and the plurality of second connection pads, wherein one
  • the present disclosure includes the steps of forming a glass substrate provided with a TFT layer on the front surface and including at least one edge region; forming a mask layer formed to cover the front and rear surfaces of the glass substrate and covering portions of the front and rear surfaces of the glass substrate adjacent to the side surfaces of the glass substrate in a concave-convex shape; forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate; forming a plurality of side wirings at regular intervals by removing a portion of the thin conductive layer; and removing the mask layer, wherein the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is greater than the width of the second and third portions of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask.
  • the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate may be determined according to the width of the portion removed from the thin conductive layer.
  • the thin conductive layer may be deposited on the glass substrate by sputtering, and a portion of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate may be removed by laser trimming.
  • a trench may be formed in a portion from which a portion of the thin conductive layer formed on the side surface of the glass substrate is removed.
  • the method of manufacturing the display module may further include forming a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
  • the method of manufacturing the display module may further include forming an insulating member in the trench, wherein the insulating member may protrude higher than the first portion of the side wiring from a side surface of the glass substrate.
  • the method of manufacturing the display module may further include forming a protective layer covering the entire side surface of the glass substrate.
  • the manufacturing method of the display module may include: forming a first chamfered surface by processing an edge formed by meeting a front surface and a side surface of the glass substrate; and forming a second chamfered surface by processing an edge formed by meeting the rear surface and the side surface of the glass substrate.
  • the present disclosure includes the steps of: forming a glass substrate having a TFT layer provided on its front surface and including at least one edge region; forming a mask layer formed to cover the front and rear surfaces of the glass substrate and covering portions of the front and rear surfaces of the glass substrate adjacent to the side surfaces of the glass substrate in a concave-convex shape; forming fine mask lines at intervals on the side surfaces of the glass substrate; forming a thin conductive layer on a side surface of the glass substrate and on an area not covered by the mask layer on the front and rear surfaces of the glass substrate; and removing the mask layer and the fine mask line, wherein the width of the first portion of the side wiring formed on the side surface of the glass substrate is adjusted to the second and third widths of the side wiring formed by the concavo-convex shape of the mask.
  • a distance between the first portions of the side wirings adjacent to each other may be determined by a width of the fine mask line.
  • FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged in a TFT layer
  • FIG 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4A is a view illustrating an example in which a plurality of side wirings are formed at intervals along the side surface of the glass substrate according to an embodiment of the present disclosure, and is an enlarged perspective view of a part of the front surface of the glass substrate.
  • FIG. 4B is an enlarged perspective view of a portion of the rear surface of the glass substrate shown in FIG. 4A .
  • 5 and 6 are enlarged views illustrating a part of a side wiring formed on a side surface of a glass substrate.
  • FIG. 7 is a flowchart schematically illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
  • 9 to 16 are views sequentially illustrating a process of forming a side wiring.
  • FIG. 17 is a perspective view illustrating an example in which an insulating member is coupled to a trench formed on a side surface of a glass substrate.
  • FIG. 18 is a plan view illustrating an example in which a protective layer is formed on a side surface of a glass substrate.
  • 19 is a flowchart illustrating another example of a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
  • 20 is a cross-sectional view schematically illustrating an example in which side wiring covers up to a portion of the insulating layer formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • 21 is a plan view illustrating an example in which adjacent side wirings respectively cover corresponding connection pads.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line A-A shown in FIG. 21 .
  • FIG. 23 is a plan view illustrating an example in which one side wiring covers a plurality of adjacently arranged connection pads.
  • connection pads and side wirings are formed after forming concavities and convexities on a glass substrate.
  • connection pad and a side wiring are formed after irregularities are formed on the metal wiring.
  • 26 is a cross-sectional view illustrating an example in which side wiring is formed after a plurality of grooves are formed in a connection pad.
  • FIG. 27 is a perspective view illustrating the connection pad shown in FIG. 26;
  • connection pad 28 is a perspective view illustrating an example in which a plurality of protrusions are formed on a connection pad.
  • 29 is a cross-sectional view illustrating an example of forming a side wiring after forming a plurality of via holes in an organic insulating layer formed on an upper portion of a connection pad.
  • FIG. 30 is a plan view illustrating a welding area irradiated with a laser beam on a side wiring.
  • connection pad 31 is a plan view showing an example in which a part of the connection pad is covered by the insulating layer and the side wiring covers the connection pad and the edge portion of the insulating layer together.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line B-B shown in FIG. 31 .
  • the expression 'the same' means not only to completely match, but also includes differences in a degree taking into account the processing error range.
  • the display module may be a micro light emitting diode (microLED or ⁇ LED) display panel.
  • the display module is one of the flat panel display panels and is composed of a plurality of inorganic light emitting diodes (inorganic LEDs), each of which is less than 100 micrometers.
  • inorganic LEDs inorganic light emitting diodes
  • LCD liquid crystal display
  • microLED display modules offer better contrast, response time and energy efficiency.
  • Both organic light emitting diodes (organic LEDs) and micro LEDs, which are inorganic light emitting devices, have high energy efficiency, but micro LEDs have longer brightness, luminous efficiency, and longer lifespan than OLEDs.
  • a micro LED may be a semiconductor chip that can emit light by itself when power is supplied.
  • Micro LED has fast response speed, low power, and high luminance. Specifically, the micro LED has a higher efficiency of converting electricity into photons than a conventional liquid crystal display (LCD) or organic light emitting diode (OLED). In other words, it has a higher “brightness per watt” compared to traditional LCD or OLED displays. Accordingly, the micro LED can produce the same brightness with about half the energy of conventional LEDs (each exceeding 100 ⁇ m in width, length, and height) or OLED. In addition, micro LED can realize high resolution, excellent color, contrast and brightness, so it can accurately express a wide range of colors, and can realize a clear screen even outdoors in bright sunlight. In addition, the micro LED is strong against burn-in and has low heat generation, so a long lifespan is guaranteed without deformation.
  • LCD liquid crystal display
  • OLED organic light emitting diode
  • the micro LED may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same first surface and a light emitting surface is formed on a second surface opposite to the first surface on which the electrodes are formed.
  • a TFT layer having a TFT (Thin Film Transistor) circuit formed on the front surface of the glass substrate may be disposed, and a driving circuit for driving the TFT circuit may be disposed on the rear surface of the glass substrate.
  • the TFT circuitry may drive a number of pixels disposed in the TFT layer.
  • the front surface of the glass substrate may be divided into an active area and an inactive area.
  • the active region may correspond to a region occupied by the TFT layer on the front surface of the glass substrate, and the inactive region may be a region excluding the region occupied by the TFT layer on the front surface of the glass substrate.
  • the edge region of the glass substrate may be the outermost portion of the glass substrate. Also, the edge region of the glass substrate may be a region remaining except for a region in which a circuit of the glass substrate is formed. Also, the edge region of the glass substrate may include a side surface of the glass substrate, a front portion of the glass substrate adjacent to the side surface, and a portion of the rear surface of the glass substrate.
  • the glass substrate may be formed in a quadrangle type. Specifically, the glass substrate may be formed in a rectangular shape or a square shape. The edge region of the glass substrate may include at least one side of the four sides of the glass substrate.
  • a plurality of side wirings may be formed at regular intervals in the edge region of the glass substrate.
  • the plurality of side wirings may have one end electrically connected to the plurality of first connection pads formed in the edge region included in the front surface of the glass substrate, and the other ends of the plurality of second connection pads formed in the edge region included in the rear surface of the glass substrate. It may be electrically connected to the pad.
  • the plurality of first connection pads may be connected to the TFT circuit disposed on the front surface of the glass substrate through wirings, and the plurality of second connection pads may be connected to the driving circuit disposed on the rear surface of the glass substrate through wirings.
  • the display module can be bezel-less by minimizing the inactive area and maximizing the active area on the front surface of the TFT substrate by forming a plurality of side wirings, and the mounting density of the micro LED for the display module can be increased. have.
  • the display module implementing the bezel-less reduction can provide a large display (LFD) device capable of maximizing an active area when a plurality of them are connected.
  • LFD large display
  • each display module may be formed to maintain a pitch between pixels of an adjacent display module to be the same as a pitch between pixels in a single display module by minimizing an inactive area. Accordingly, it is possible to prevent a seam from appearing in the connection portion between each display module.
  • an edge in an edge region included in the inactive region of the glass substrate may be chamfered to form a chamfered surface having a predetermined angle.
  • the chamfered surface may be formed at an edge between the front surface and the side surface of the glass substrate and at an edge between the rear surface and the side surface of the glass substrate.
  • a plurality of side wirings are formed only in two of the four sides of the edge region provided on the glass substrate, but the present disclosure is not limited and a plurality of side wirings are formed only in one of the four sides if necessary. It may be formed in three or more places.
  • the display module includes a glass substrate on which a plurality of LEDs are mounted and side wiring is formed.
  • a display module can be installed and applied in electronic products or electric fields requiring various displays, such as a wearable device, a portable device, a handheld device, and a plurality of matrix types in a single unit.
  • the PC personal computer
  • high-resolution TV and signage or digital signage
  • display devices such as electronic display (electronic display).
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a display module according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged on a TFT layer
  • FIG. 3 is a schematic view of a display module according to an embodiment of the present disclosure It is a cross-sectional view indicated by
  • the display module 1 may include a TFT substrate 11 .
  • the display module 1 may include a plurality of micro LEDs 20 arranged on a TFT substrate 11 .
  • the plurality of micro LEDs may be sub-pixels constituting a single pixel.
  • micro LED and sub-pixel are used as the same meaning.
  • the TFT substrate 11 includes a glass substrate 12, a TFT layer 13 including a TFT (Thin Film Transistor) circuit on the entire surface of the glass substrate 12, a TFT circuit of the TFT layer 13 and a glass substrate ( 12) may include a plurality of side wirings 30 for electrically connecting circuits (not shown) disposed on the rear surface.
  • the TFT substrate 11 includes an active area 11a for expressing an image and a dummy area 11b for expressing an image on the entire surface.
  • the active region 11a may be divided into a plurality of pixel regions 13 in which a plurality of pixels are respectively arranged.
  • the plurality of pixel areas 13 may be partitioned in various shapes, and may be partitioned in a matrix shape, for example.
  • Each pixel region 13 may include a sub-pixel region 15 in which multi-color micro LEDs, which are a plurality of sub-pixels, are mounted, and a pixel circuit region 16 for driving each sub-pixel.
  • a plurality of micro LEDs 20 are transferred to the pixel circuit region 16 of the TFT layer 11b, and electrode pads of each micro LED are electrically connected to the electrode pads 17a and 17b formed in the TFT layer 11b, respectively. can be connected
  • the common electrode pad 17b may be formed in a straight line in consideration of the arrangement of the three micro LEDs 20 arranged side by side.
  • a pixel driving method of the display module 1 may be an AM (Active Matrix) driving method or a PM (Passive Matrix) driving method.
  • the display module 1 may form a wiring pattern to which each micro LED is electrically connected according to an AM driving method or a PM driving method.
  • the inactive area 11b may be included in an edge area of the glass substrate 12 , and a plurality of first connection pads 18a may be disposed at regular intervals. Each of the plurality of first connection pads 18a may be electrically connected to each sub-pixel through a wiring 18b.
  • the number of first connection pads 18a formed in the non-active region 11b may vary depending on the number of pixels implemented on the glass substrate, and may vary depending on a driving method of the TFT circuit disposed in the active region 11a. .
  • a driving method of the TFT circuit disposed in the active region 11a For example, compared to the case of a passive matrix (PM) driving method in which a TFT circuit disposed in the active region 11a drives a plurality of pixels in a horizontal line and a vertical line, an AM (Active Matrix) driving each pixel individually
  • the drive method may require more wiring and connection pads.
  • FIG. 3 only two sub-pixels of the micro LEDs 20 that are three sub-pixels included in a unit pixel are displayed for convenience.
  • a plurality of micro LEDs 20 may be partitioned by a black matrix 41, respectively, and a transparent cover layer 43 for protecting the plurality of micro LEDs 20 and the black matrix 41 together. ) can be provided.
  • a touch screen panel (not shown) may be stacked on one surface of the transparent cover layer 36 .
  • the plurality of micro LEDs 20 may be made of an inorganic light emitting material and may be a semiconductor chip capable of emitting light by itself when power is supplied.
  • the plurality of micro LEDs 20 may have a predetermined thickness and may be formed in a square having the same width and length, or a rectangle having different widths and lengths. Such a micro LED can realize Real HDR (High Dynamic Range), improve luminance and black expression, and provide a high contrast ratio compared to OLED.
  • the size of the micro LED may be 100 ⁇ m or less, or preferably 30 ⁇ m or less.
  • the plurality of micro LEDs 20 may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same surface and a light emitting surface is formed opposite to the electrodes.
  • FIG. 4A is a partially enlarged perspective view illustrating an example in which a plurality of side wirings are formed at intervals along the side surface of the TFT substrate according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4B is a partially enlarged view showing the rear surface of the TFT substrate shown in FIG. 4A. is a perspective view.
  • the edge region of the glass substrate 12 may be defined as including a plurality of edge zones positioned on each side of the glass substrate 12 .
  • a first edge zone corresponding to the entire side surface SS of the glass substrate 12 and a portion corresponding to a front surface FS of the glass substrate adjacent to the side surface SS of the glass substrate 12 . It may include a second edge zone and a third edge zone corresponding to a portion of a rear surface (RF) of the glass substrate 12 adjacent to the side surface SS of the glass substrate 12 .
  • RF rear surface
  • the second edge zone may include a first chamfered surface CS1 chamfered between the side surface SS and the front surface FS of the glass substrate, and the third edge zone is the side surface SS of the glass substrate.
  • a chamfered second chamfered surface CS2 may be included between the rear surface RS and the rear surface RS.
  • the side wiring 30 may electrically connect the first connection pad 18a formed in the second edge zone and the second connection pad 19a formed in the third edge zone.
  • a plurality of first connection pads 18a may be formed at regular intervals along the second edge zone. A portion of the first connection pad 18a may be electrically connected through a wiring 18b provided in the TFT layer 13 .
  • the wiring 18b may be a gate signal wiring or a data signal wiring of the TFT layer 13 .
  • a plurality of second connection pads 19a may be formed at regular intervals along the third edge zone.
  • the second connection pad 19a is connected to the first connection pad 18a through the side wiring 30, and the driving circuit formed on the rear surface RS of the glass substrate through the wiring 19b and the wiring 19b. can be connected
  • the side wiring 30 may have one end electrically connected to the first connection pad 18a and the other end electrically connected to the second connection pad 19a.
  • the side wiring 30 may include a first portion 31 formed in the first edge zone, a second portion 32 formed in the second edge zone, and a third portion 33 formed in the third edge zone. .
  • the first, second and third portions 31 , 32 , 33 are continuously formed.
  • the side wiring 30 having a fine width may be disconnected by an external impact when processing or transporting the glass substrate 12 .
  • the first portion 31 of the side wiring formed in the first edge zone may be easily disconnected if it is scratched or dented when it collides with a surrounding structure (eg, equipment used in a process, etc.).
  • the width W1 of the first portion 31 of the side wiring is formed as wide as possible. In this case, it is preferable that the side wiring 30 maintain a gap G1 to the extent that it is not shorted with the first portion of the other adjacent side wiring.
  • the widths of the second and third portions 32 and 33 of the side wiring may be equal to each other, and the same reference number W2 is assigned.
  • the fact that the widths W2 of the second and third portions 32 and 33 are the same takes into account an error range that occurs when the side wiring is formed and is not interpreted only as meaning that they are completely identical.
  • the first portion 31 of the side wiring may be formed to be larger than the width W2 of the second and third portions 32 and 33 of the side wiring.
  • the first interval G1 between the first portions 31 of the adjacent side wiring is smaller than the second interval G2 between the second portions 32 of the adjacent side wiring, and the third portion of the side wiring ( 32) is smaller than the third interval G3 between them.
  • the width W1 of the first portion 31 of the side wiring may satisfy Equation 1 below.
  • the width W1 of the first portion 31 of the side wiring may be within the range of Equation 2 below.
  • G1 max which is the maximum value of G1
  • G1 min which is the minimum value of G1
  • Table 1 shows some examples of the range of G1, and the range of G1 is not necessarily limited to Table 1.
  • Example 1 0 ⁇ G1 ⁇ 5
  • Example 2 5 ⁇ G1 ⁇ 10
  • Example 3 10 ⁇ G1 ⁇ 20
  • Example 4 20 ⁇ G1 ⁇ 50
  • Example 5 50 ⁇ G1 ⁇ 100
  • width W1 of the first portion 31 of the side wiring may satisfy Equation 3 below, and the range of the width W1 of the first portion 31 of the side wiring may satisfy Equation 4 below have.
  • 5 and 6 are enlarged views illustrating a part of a side wiring formed on a side surface of a glass substrate.
  • the first part 31 of the side wiring gradually forms an arc shape 31a from a point connected to the second part 32 to a predetermined distance d1 away from the second part 32 . It may include an extended section.
  • the first portion 31 of the side wiring may include a section that gradually expands while forming an arc shape from a point connected to the third portion 33 to a predetermined distance away from the third portion 33 .
  • the first part 31 may include a section formed with a constant width between the extended sections on both sides.
  • the first portion 31 of the side wiring may be formed when the arc shape 31a covers a portion of the side surface SS of the glass substrate in a masking process of forming a mask 70 on the glass substrate 12 to be described later.
  • the arc shape 31a of the first part 31 of the side wiring does not penetrate to the first chamfered surface CS1 when the side wiring is formed by laser processing to be described later. It can be induced to be processed only in . Accordingly, various problems that may occur as the laser beam is reflected to the surrounding structures on the first chamfered surface CS1 of the glass substrate during laser processing can be prevented in advance.
  • the first part 31 of the side wiring gradually forms a straight shape 31b from a point connected to the second part 32 to a predetermined distance d2 away from the second part 32 . may be expanded.
  • FIG. 7 is a flowchart schematically illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • a TFT layer 13 is formed on a glass substrate 12 to manufacture a TFT substrate (S1).
  • the TFT layer 13 may be any one of a low temperature poly silicon (LTPS) TFT, a-Si TFT, and oxide TFT. In this case, the TFT layer 13 may be integrally formed on one surface of the glass substrate 12 .
  • the TFT layer 13 may be manufactured separately from the glass substrate 12 in the form of a thin film and firmly attached to one surface of the glass substrate 12 through a coating process such as lamination.
  • An edge region in which a side wiring is to be formed on the glass substrate 12 is ground and planarized (S2). This is to enable the side wiring formed in the edge region of the glass substrate to be firmly formed without being separated from the glass substrate 12 .
  • the first and second chamfered surfaces ( CS1, CS2).
  • the first and second chamfered surfaces CS1 and CS2 are separated by a predetermined distance from the front surface FS and the rear surface RS of the glass substrate so that the laser beam irradiation section is spaced apart when the side wiring is formed by laser processing.
  • Various devices or circuits mounted on the front (FS) and rear (RS) of the device can be prevented from being damaged by the laser beam.
  • a side wiring 30 is formed in an edge region of the glass substrate 12 .
  • the side wiring 30 may be formed by various methods.
  • the side wiring 30 may be formed by applying a conductive metal material to the edge region of the glass substrate through an ink jet method, a stamping method, a screen printing method, a spray method, or a metal deposition method by sputtering.
  • the side wiring 30 is formed in the same shape at regular intervals in the edge region of the glass substrate.
  • the first portion 31 formed in the first edge zone may be formed to have a wider width than the second and third portions 32 and 33 formed in the second and third edge zones.
  • a plurality of micro LEDs arranged on the transfer substrate are transferred to the TFT layer of the TFT substrate, which is the target substrate (S4).
  • the display module 1 may be manufactured through the above process.
  • a method of forming the side wiring in the edge region of the glass substrate will be sequentially described.
  • FIGS. 9 to 16 are views sequentially illustrating each process of forming a side wiring.
  • edge regions first, second, and third edge zones
  • a mask layer 70 covering the front surface FS and the rear surface RS of the glass substrate 12 except for the portion where the side wiring 30 is to be formed in the edge region of the glass substrate 12 is formed. to form (S11).
  • the mask layer 70 may include a plurality of protrusions 73 protruding from the front surface FS of the glass substrate to the first chamber surface CS1.
  • each protrusion 73 may include an end 74 extending a predetermined distance to a part of the side surface SS of the glass substrate.
  • the concave portion 75 between the plurality of protrusions 73 covers a part of the first connection pad 18a.
  • the remaining portion of the first connection pad 18a that is not covered by the concave portion 75 may be physically and electrically connected to the thin conductive layer 80 while being covered by the thin conductive layer 80 .
  • the second connection pad 19a is also covered by the thin film conductive layer 80 while the remaining portion of the second connection pad 19a not covered by the concave portion 75 is covered with a thin film conductive layer. It may be physically and electrically connected to the layer 80 .
  • the plurality of protrusions 73 are disposed at a predetermined interval G3 in consideration of the width W2 (refer to FIG. 4 ) of the second portion 32 of the side wiring to be formed later. That is, the distance G3 between the respective protrusions 73 is equal to the width W2 of the second portion 32 of each side wiring.
  • the mask layer 70 may be formed through any one of a screen printing process, a taping process, and an exposure/development process.
  • the screen 60 is disposed on the front surface FS of the glass substrate 12 at a predetermined interval as shown in FIG. 11 .
  • a squeeze 67 is applied to the front surface of the glass substrate from a position slightly deviated from the side surface SS of the glass substrate. FS) side, the paste passes through the pattern 61 formed on the screen 60 and the mask layer 70 is printed on the glass substrate 12 disposed below the screen 60 .
  • the mask layer 70 is formed on the front surface FS of the glass substrate, the mask layer 70 is also formed on the rear surface SS of the glass substrate through the same screen printing process.
  • the pattern 61 formed on the screen 60 includes a plurality of concavo-convex patterns 63 to form the plurality of protrusions 73 of the mask layer 70 .
  • the plurality of concave-convex patterns 63 protrusions and concavities are alternately and repeatedly formed.
  • the tip 64 of the protrusion of the plurality of concavo-convex patterns 63 is approximately disposed at a position corresponding to the side surface SS of the glass substrate,
  • the tip 65 of the concave portion may be disposed on the first connection pad 18a.
  • a plurality of protrusions 73 of the mask layer may be formed by a plurality of concavo-convex patterns 63 in the first edge zone of the edge region of the glass substrate 12 .
  • the entire area of the front surface FS of the glass substrate FS except for the first edge zone may be entirely covered or only partially covered by the mask layer 70 depending on the size of the pattern 61 .
  • the width of the mask layer 70 covering the front and rear surfaces of the glass substrate may vary depending on the post process. For example, when a conductive thin film is deposited such as sputtering to form the side wiring after forming the mask layer 70, only the area for forming the side wiring is left and the front surface (FS) and the rear surface (RS) of the glass substrate It is preferable to cover the whole with the mask layer 70 .
  • the mask layer 70 may be formed from the front surface FS and the rear surface RS of the glass substrate to an area adjacent to the first edge zone. .
  • the front ends 74 of the plurality of protrusions 73 of the mask layer 70 pass to the side surface SS of the glass substrate. can be formed. This may prevent damage that may be applied to the front surface FS and the rear surface RS of the glass substrate during processing of the thin conductive layer 90 of the side surface SS of the glass substrate.
  • a thin conductive layer 80 for side wiring is formed in a portion not covered by the mask layer 70 in the edge region of the glass substrate 12 . (S12).
  • the thin conductive layer 80 may be deposited on the edge region of the glass substrate 12 by sputtering.
  • the thin conductive layer 80 is formed by a sputtering method, but the present disclosure is not limited thereto, and as described above, it may be formed by one of an ink jet method, a stamping method, a screen printing method, and a spray method.
  • the thin conductive layer 80 is irradiated with laser trimming to remove a part of the thin conductive layer to form side wiring (S13).
  • each side wiring 30 may be formed at a predetermined interval G1 .
  • the interval G1 between the adjacent side wirings 30 may be adjusted according to the focusing depth of the laser beam.
  • a trench 93 having a predetermined depth may be formed in the side surface SS of the glass substrate as shown in FIG. 15 while the thin conductive layer 90 is trimmed by a laser beam between the adjacent side wirings 30 .
  • the depth of the trench 93 may be determined by adjusting the focusing of the laser beam. Accordingly, the trench 93 is not formed by controlling the focusing of the laser beam and only the thin conductive layer of the portion serving as the boundary between the adjacent side wirings 30 may be removed.
  • the trench 93 formed in the side SS of the glass substrate increases the in-plane distance between adjacent side wirings, thereby preventing re-deposition in laser trimming or short circuit caused by other foreign substances. .
  • the foreign material when the foreign material is adsorbed to the side surface SS of the glass substrate, the foreign material may be easily removed through air spraying or other physical cleaning.
  • the side wiring process may be completed by removing the mask layer 70 from the glass substrate 12 as shown in FIG. 16 ( S14 ).
  • the laser trimming process and the mask layer removal process may be performed by changing the order.
  • the thin conductive layer is described as being formed through a deposition process, but is not limited thereto.
  • the thin conductive layer is formed through one of an ink jet method, a stamping method, a spray method, and a screen printing method. In this case, it may be formed on the edge region of the glass substrate by application of a conductive ink based on Au, Ag, or Cu.
  • FIG. 17 is a perspective view illustrating an example in which an insulating member is formed in a trench formed on a side surface of a glass substrate
  • FIG. 18 is a plan view illustrating an example in which a protective layer is formed on a side surface of the glass substrate.
  • an insulating member 100 may be formed in each trench 93 to protect the side wiring 30 from external impact.
  • the length of the insulating member 100 may be at least equal to or longer than the length of the trench 93 .
  • the trench 93 may be applied to the insulating member 100 by a fine dispensing process or the like.
  • the insulating member 100 is preferably formed to protrude more than the side surface SS and the side wiring 30 of the glass substrate.
  • the first portion 31 of the side wiring is relatively lower than the insulating member 100 due to the step formed between the side surface SS of the glass substrate and the insulating member 100 , and is positioned inwardly. Accordingly, it is possible to effectively protect the side wiring 30 from an external impact applied to the glass substrate 12 , thereby improving the durability of the display module 1 .
  • the protective layer 110 covering the side surface SS of the glass substrate may be formed.
  • the protective layer 110 may be made of an insulating material.
  • the plurality of insulating members 100 increase the area that can be in contact with the protective layer 110 as well as provide a structure protruding from the side surface SS of the glass substrate, and thus the side surface SS of the glass substrate. Adhesion between the and the protective layer 110 may be improved.
  • the protective layer 110 may be formed to cover the entire side surface SS of the glass substrate in a state in which the insulating member 100 is not formed in the trench 93 . In this case, as a portion of the protective layer 110 enters the trench 93 , the contact area with the side surface SS of the glass substrate increases, thereby improving bonding strength with the side surface SS of the glass substrate.
  • 19 is a flowchart illustrating another example of a process of forming a side wiring in an edge region of a glass substrate.
  • the mask layer 70 is formed on the glass substrate 12 in the same manner as the side wiring method described above ( S21 ).
  • a plurality of fine mask lines are spaced apart from each other along a preset virtual line serving as a boundary of each side wiring 30 on the side surface SS of the glass substrate. Fencing (S22).
  • the width of the fine mask line may be the interval G1 between the adjacent side wirings 30 .
  • a thin conductive layer 80 for side wiring is formed in a portion not covered by the mask layer 70 in the edge region of the glass substrate 12 (S23).
  • the thin conductive layer 80 covers the portion not covered by the mask layer 70 in the edge region of the glass substrate 12 and also covers a plurality of fine mask lines.
  • the thin conductive layer 80 has been described as being deposited on the edge region of the glass substrate 12 by a sputtering method, but is not limited thereto and may be formed by one of an ink jet method, a stamping method, a spray method, and a screen printing method. may be
  • the mask layer 70 and the fine mask line are removed together (S24).
  • a portion of the thin conductive layer 80 covering the fine mask line is removed from the side surface SS of the glass substrate together with the fine mask line, and the adjacent side wiring 30 is formed at a predetermined interval G1.
  • 20 is a cross-sectional view schematically illustrating an example in which side wiring covers up to a portion of the insulating layer formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • the second portion 232 of the side wiring 230 covers the first connection pad 240 and a portion of the first insulating layer 227 formed on the front surface of the glass substrate 212 .
  • a portion of the first insulating layer 227 may be an edge portion of the first insulating layer 227 adjacent to the first connection pad 240 .
  • An anti-oxidation film (not shown) of a thin film may be formed on an upper surface of the first connection pad 240 to prevent oxidation of the first connection pad 240 .
  • the second portion 232 of the side wiring may be formed on the upper surface of the anti-oxidation layer, and the thickness is sufficient to allow electrical connection between the first connection pad 240 and the second portion 232 of the side wiring. can be formed.
  • An inorganic insulating layer 243 may be formed around the first connection pad 240 . Accordingly, the first connection pad 240 may be insulated by the inorganic insulating layer 243 along the peripheral portion.
  • the first insulating layer 227 formed on the entire surface of the glass substrate 212 may be formed of an organic insulating layer or an inorganic insulating layer, or may have a structure in which an inorganic insulating layer and an organic insulating layer are stacked.
  • the edge portion of the first insulating layer 227 may be spaced apart from the first connection pad 240 by a predetermined interval.
  • the second portion 232 of the side wiring may be divided into two regions 232a and 232b.
  • the first region 232a may extend from the first portion 231 of the side wiring, cover the first chamfer surface CS11 of the glass substrate, and may be a region that continuously completely covers the first connection pad 240 .
  • the second region 232b may extend from the first region 232a and cover an edge portion of the first insulating layer 227 adjacent to the first connection pad 240 .
  • the second portion 232 of the side wiring covers up to the edge portion of the first insulating layer 227 , it is wider than when the second portion 232 of the side wiring covers only the first connection pad 240 .
  • the contact area can be secured. Accordingly, the second portion 232 of the side wiring is not peeled from the glass substrate 212 and stably coupled to the glass substrate 212 may be maintained.
  • the third portion 233 of the side wiring may cover the edge portion of the second insulating layer 228 formed on the rear surface of the glass substrate 212 like the second portion 232 of the above-described side wiring.
  • An anti-oxidation layer (not shown) of a thin film may be formed on the upper surface of the second connection pad 250 to prevent oxidation of the second connection pad 245 .
  • the anti-oxidation layer may be formed to a thickness that allows electrical connection between the second connection pad 250 and the third portion 233 of the side wiring.
  • An inorganic insulating layer 253 may be formed around the second connection pad 250 . Accordingly, the second connection pad 250 may be insulated by the inorganic insulating layer 253 along the peripheral portion.
  • the second insulating layer 228 formed on the rear surface of the glass substrate 212 may be formed of an organic insulating layer or an inorganic insulating layer, or may have a structure in which an inorganic insulating layer and an organic insulating layer are stacked.
  • the edge portion of the second insulating layer 228 may be spaced apart from the second connection pad 250 by a predetermined distance.
  • the third portion 233 of the side wiring may be divided into two regions 233a and 233b.
  • the first region 233a may extend from the first portion 231 of the side wiring, cover the second chamfered surface CS12 of the glass substrate, and may be a region that continuously completely covers the second connection pad 250 .
  • the second region 233b may extend from the first region 233a and cover an edge portion of the second insulating layer 228 adjacent to the second connection pad 250 .
  • the third portion 233 of the side wiring covers up to the edge portion of the second insulating layer 228 , it is wider than when the third portion 233 of the side wiring covers only the second connection pad 250 .
  • the contact area can be secured. Accordingly, the third portion 233 of the side wiring is not separated from the glass substrate 212 and stably coupled to the glass substrate 212 may be maintained.
  • the second part 232 covers up to the edge of the first insulating layer 227 and the third part 233 covers up to the edge of the second insulating layer 228 .
  • the side wiring 230 may be configured such that the second portion 232 covers up to the edge portion of the first insulating layer 227 and the third portion 233 covers only the second connection pad 240 .
  • the side wiring 230 may be configured such that the second portion 232 covers only the second connection pad 250 and the third portion 233 covers the edge portion of the second insulating layer 228 .
  • reference numeral SS10 denotes a side surface of the glass substrate 212 to which the first portion 231 of the side wiring is coupled.
  • FIG. 21 is a plan view illustrating an example in which adjacent side wirings respectively cover corresponding connection pads
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line A-A shown in FIG. 21 .
  • both ends (the second part and the third part) of the side wirings disposed adjacent to each other may be connected to each other corresponding to one connection pad.
  • the second part 232-1 of the first side wiring is stacked on one first connection pad 240-1, and the second part 232 of the first side wiring is formed by stacking.
  • the second portion 232 - 2 of the other first side wiring disposed adjacent to ⁇ 1) may be stacked on one other first connection pad 240 - 1 .
  • the edge portion of the first insulating layer 227 adjacent to the first connection pads 240 - 1 and 240 - 2 may be covered by the second portions 232-1 and 232 - 2 of the side wiring.
  • the inorganic insulating layers 243-1 and 243-2 surrounding the first connection pads 240-1 and 240-2, respectively, may also be covered by the second portions 232-1 and 232-2 of the side wiring. have.
  • Protrusions 227a positioned between the first connection pads 240 - 1 and 240 - 2 may be formed on the edge of the first insulating layer 227 . Accordingly, the protrusions 227a forming a part of the first insulating layer 227 may also be covered by the second portions 232 - 2 and 232 - 3 of the side wiring.
  • the third portions of the side wiring also have a second insulating layer formed on the rear surface of the glass substrate together with the second connection pad similarly to the second portions 232-1 and 232-2 of the side wiring. It can cover up to the edge part of
  • FIG. 23 is a plan view illustrating an example in which one side wiring covers a plurality of adjacently arranged connection pads.
  • the side wiring may cover all of the at least two or more first connection pads.
  • the second portion 237 of one side wiring may cover the plurality of first connection pads 240 - 1 , 240 - 2 , and 240 - 3 at once.
  • the second portion 237 of the side wiring may cover up to the edge portion of the first insulating layer 227 .
  • the plurality of first connection pads 240 - 1 , 240 - 2 and 240 - 3 transmitting a single signal may be arranged adjacent to each other.
  • the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate.
  • the third portion of the side wiring may also cover a plurality of adjacent second connection pads for transmitting a single signal at once similarly to the second portion.
  • the second portion of the side wiring may cover up to an edge portion of the second insulating layer formed on the rear surface of the glass substrate.
  • connection pads and side wirings are formed after forming concavities and convexities on a glass substrate.
  • the glass substrate on which the first connection pads 1240-1 and 1240-2 will be respectively disposed.
  • Fine unevenness 1212a is formed in a partial region of the front surface of 1212 .
  • the minute unevenness 1212a formed on a partial area of the front surface of the glass substrate 1212a may be formed through an etching process.
  • the etching agent can use hydrofluoric acid, for example.
  • first connection pads 1240-1 and 1240-2 are formed on the unevenness 1212a.
  • the first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 may be formed on the unevenness 1212a through a metal deposition process such as sputtering.
  • first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 are formed as thin films, they are formed by deposition along the profile of the concavo-convex 1212a, and thus may have a concave-convex structure similar to the concavo-convex 1212a of the glass substrate.
  • side wirings may be formed on the glass substrate 1212 through a metal deposition process.
  • the second portions 1232-1 and 1232-2 of the side wiring are deposited and formed on the first connection pads 1240-1 and 1240-2 each having a concave-convex structure, they naturally have a concave-convex structure. may be coupled to the first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 in this state.
  • the second portions 1232-1 and 1232-2 of the side wiring are unevenly coupled to the first connection pads 1240-1 and 1240-2, the second portions 1232-1 of the side wiring , 1232 - 2 ) and the first connection pads 1240 - 1 and 1240 - 2 may have an increased contact area.
  • the third portions of the side wiring and the corresponding second connection pads are also the second portions 1232-1 and 1232-2 and the first connection pads 1240- of the side wiring. 1, 1240-2) may achieve the same or similar bonding state as the concave-convex bonding between the two.
  • the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate 1212 by the concave-convex coupling.
  • reference numeral 1227a denotes protrusions of the first insulating layer.
  • connection pad and a side wiring are formed after irregularities are formed on the metal wiring.
  • the first connection pads 2240-1 and 2240-2 are formed through a laser process. 2240-2) to form a fine concavo-convex structure.
  • side wirings may be formed on the glass substrate 2212 through a metal deposition process.
  • the first connection pad Concave-convex coupling may be performed on the ones 1240 - 1 and 1240 - 2 . Accordingly, a contact area between the second portions 2232-1 and 2232-2 of the side wiring and the first connection pads 2240-1 and 2240-2 may increase.
  • the third portions of the side wiring and the corresponding second connection pads are also the second portions 2232-1 and 2232-2 and the first connection pads 2240- of the side wiring. 1, 2240-2) may achieve the same or similar bonding state as the concave-convex bonding between the two.
  • the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate 2212 .
  • reference numeral 2227a denotes protrusions of the first insulating layer
  • 2243-1 and 2243-2 denote inorganic insulating layers surrounding the first connection pads 2240-1 and 2240-2, respectively.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view illustrating an example in which side wiring is formed after forming a plurality of grooves in the connection pad
  • FIG. 27 is a perspective view of the connection pad shown in FIG. 26,
  • FIG. 28 is a plurality of protrusions formed in the connection pad It is a perspective view showing an example.
  • grooves GV1 , GV2 , and GV3 having a predetermined shape may be formed on the upper surfaces of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 through an etching process, respectively.
  • At least two grooves GV1 , GV2 , and GV3 may be formed according to the areas of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 .
  • the grooves GV1 , GV2 , and GV3 are arranged in one row along the length direction of the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 , they are not limited thereto, and may be arranged in a zigzag direction or irregular arrangement.
  • the grooves GV1 and GV2 may form a concave-convex coupling with the first connection pads 3240 - 1 and 3240 - 2 .
  • the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate 3212 by the concave-convex coupling.
  • the second portions 3232-1 and 3232-2 of the side wiring are connected to the corresponding first connection pads 3240-1 and 3240-2 through protrusions other than the aforementioned grooves GV1, GV2, and GV3. Concave-convex bonding is also possible.
  • protrusions P1 , P2 , and P3 may be formed on the upper surface of the first connection pad 3240 - 1a at a predetermined height.
  • the second connection pads may also form the aforementioned grooves GV1 , GV2 , and GV3 or the protrusions P1 , P2 , and P3 .
  • the third portions of the side wiring formed by deposition on the second connection pads may form a concave-convex coupling with the second connection pads.
  • reference numeral 3227a denotes a protrusion of the first insulating layer
  • 3243-1 and 3243-2 denote inorganic insulating layers surrounding the first connection pads 3240-1 and 3240-2, respectively.
  • 29 is a cross-sectional view illustrating an example of forming a side wiring after forming a plurality of via holes in an organic insulating layer formed on an upper portion of a connection pad.
  • an etching process is performed to form a via hole in the inorganic insulating layer 4243 . 4245 may be formed.
  • the first connection pad 4240 regions corresponding to the via holes 4245 are exposed without being covered by the inorganic insulating layer 4243 .
  • the second portion 4232 of the side wirings may be formed on the inorganic insulating layer 4243 to a predetermined thickness.
  • the second portion 4232 of the side wiring may be electrically connected to the first connection pad 4240 through the via holes 4245 .
  • the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate 4212 by the concave-convex coupling.
  • the third portion of the side wiring and the second connection pad corresponding thereto also have the same or similar coupling state to the concave-convex coupling between the second part 4232 and the first connection pads 4240 of the side wiring.
  • reference numeral 4227a denotes protrusions of the first insulating layer.
  • FIG. 30 is a plan view illustrating a welding area irradiated with a laser beam on a side wiring.
  • the second part 5242 of the side wiring covers the edge of the first connection pad 5240 and the first insulating layer 5227 , the second part 5242 and the first part of the side wiring
  • the welding part 5500 may be formed by irradiating a laser beam to the area where the connection pad 5240 overlaps.
  • a concave-convex structure may be formed on the second part 5242 and the first connection pad 5240 of the side wiring.
  • the welding part 5500 when the welding part 5500 is formed in the overlapping portion of the third portion of the side wiring and the corresponding second connection pad, the third portion of the side wiring and the corresponding second connection pad are formed as described above.
  • the same or similar coupling state as the uneven coupling between the second portion 5232 of the side wiring and the first connection pads 5240 may be achieved.
  • reference numeral 5227a denotes protrusions of the first insulating layer.
  • FIG. 31 is a plan view showing an example in which a part of the connection pad is covered by the insulating layer and the side wiring covers the connection pad and the edge portion of the insulating layer together
  • FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line B-B shown in FIG. 31 .
  • the first insulating layer 6227 may be formed to cover a portion of the first connection pad 6240 .
  • a portion of the first connection pad 6240 may be covered by an edge portion of the first connection pad 6240 and the remaining portion may be exposed.
  • the second portion 6232 of the side wiring may cover the first connection pad 6240 and the edge portion of the first insulating layer 6227 together.
  • a center of the second portion 6232 of the side wiring may be electrically connected to the first connection pad 6240 , and both sides may cover the protrusions 6227a of the first insulating layer 7227 .
  • the second insulating layer formed on the rear surface of the glass substrate 6212 may cover a portion of the second connection pad.
  • the third portion of the side wiring may cover the corresponding second connection pad and the edge portion of the second insulating layer together.
  • the second and third portions of the side wiring may be more firmly coupled to the glass substrate as an area in contact with the glass substrate increases.
  • the present disclosure relates to a display module and a manufacturing method thereof.

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Abstract

디스플레이 모듈이 개시된다. 디스플레이 모듈은 글라스 기판과, 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode)와, 글라스 기판의 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드와, 글라스 기판의 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드와, 일단부가 대응하는 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선을 포함하고, 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는다.

Description

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
자발광 디스플레이 소자는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 LED 무기 자발광 소자를 이용할 수 있다.
디스플레이 모듈은 LED 무기 자발광 소자로 이루어진 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현하고 있으며, 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 TFT(Thin Film Transistor)에 의해 동작이 제어된다. 복수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열되며, 이를 TFT 기판이라고 한다.
이와 같은 TFT 기판은 플렉서블(flexible) 디바이스 및 웨어러블 디바이스(예를 들면, Wearable Watch 등)와 같은 소형에서부터 수십 인치에 이르는 대형 TV에 적용되어 디스플레이를 구동하는 기판으로써 활용되고 있다. TFT 기판을 구동하기 위해서는 TFT 기판에 전류를 인가할 수 있는 외부 회로(External IC) 또는 구동 회로(Driver IC)와 연결한다. 일반적으로 TFT 기판과 각 회로는 COG(Chip on Glass) 본딩이나 FOG(Film on Glass) 본딩 등을 통해 연결된다. 이러한 연결을 위해서는 TFT 기판의 가장자리에 일정한 면적을 가지는 영역 즉, 베젤 영역(bezel area)이 확보되어야 한다.
최근 들어 TFT 기판을 채용한 디스플레이 패널에서 영상이 표시되는 영역인 액티브 영역(Active area)을 최대화할 수 있도록 베젤 영역을 최소화하는 베젤 리스(bezel-less) 기술에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있다.
본 개시의 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선의 단선율을 최소화할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 다른 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선을 외부 충격으로부터 보호할 수 있는 구조를 포함하는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 또 다른 목적은 측면 배선이 글라스 기판 상의 접촉 면적을 최대한 넓혀 글라스 기판에 안정적으로 결합될 수 있는 디스플레이 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 개시는, 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공한다.
상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막일 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치될 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 상기 제1 금속 배선 상에 형성되고, 상기 제2 접속 패드는 상기 제2 금속 배선 상에 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 제2 에지 존에 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 순차적으로 적층된 상기 제1 금속 배선, 상기 제1 접속 패드 및 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 적층되는 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고, 상기 측면 배선은 금속 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드 상에 절연 재질의 비아 구조가 형성되고, 상기 비아 구조 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지며 상기 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며, 상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고, 각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 클 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작을 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작을 수 있다.
상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다.
상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 제1 및 제2 에지 존 사이에 형성된 제1 챔퍼면과, 상기 제1 및 제3 에지 존 사이에 형성된 제2 챔퍼면을 더 포함할 수 있다.
상기 측면 배선은 상기 제2 에지 존, 상기 제1 챔퍼면, 상기 제1 에지 존, 상기 제2 챔퍼면 및 상기 제3 에지 존을 따라 이어지도록 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 개시는 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고, 상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
또한, 본 개시는 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 상기 박막 도전층의 일부를 제거하여 일정한 간격을 유지하는 다수의 측면 배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 박막 도전층에서 제거한 부분의 폭에 따라 상기 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭이 결정될 수 있다.
상기 박막 도전층은 스퍼터링에 의해 상기 글라스 기판에 증착 형성하고, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부는 레이저 트리밍에 의해 제거될 수 있다.
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부가 제거되는 부분에 트렌치를 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 트렌치에 절연 부재를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 전면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제1 챔퍼면을 형성하는 단계; 및 상기 글라스 기판의 후면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제2 챔퍼면을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 개시는, 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 미세 마스크 라인을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층 및 상기 미세 마스크 라인을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 미세 마스크 라인의 폭에 의해 결정될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 TFT 층에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 글라스 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 도면으로, 글라스 기판의 전면의 일부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 글라스 기판의 후면의 일부를 확대하여 사시도이다.
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 결합한 예를 나타낸 사시도이다.
도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이다.
도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다.
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이다.
도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 마이크로 발광 다이오드(마이크로LED 또는 μLED) 디스플레이 패널일 수 있다. 디스플레이 모듈은 평판 디스플레이 패널 중 하나로 각각 100 마이크로미터 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)로 구성되어 있다. 백 라이트가 필요한 액정 디스플레이(LCD) 패널에 비해 마이크로LED 디스플레이 모듈은 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 유기발광 다이오드(organic LED)와 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 모두 에너지 효율이 좋지만 마이크로 LED는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 마이크로 LED는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 구체적으로, 마이크로 LED는 기존 LCD(liquid crystal display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode)에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다.
본 개시에서, 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면에 TFT 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. TFT 회로는 TFT 층에 배치된 다수의 픽셀을 구동할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최외곽일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면과 이 측면에 인접한 글라스 기판의 전면 일부와 글라스 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 글라스 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 글라스 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역에는 다수의 측면 배선이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다. 다수의 측면 배선은 일단부가 글라스 기판의 전면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있고, 타단부가 글라스 기판의 후면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제2 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 전면에 배치된 TFT 회로와 연결될 수 있고, 다수의 제2 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 후면에 배치된 구동 회로와 연결될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 측면 배선을 형성함에 따라 TFT 기판의 전면에서 비활성 영역을 최소화하고 활성 영역을 최대화함으로써 베젤 리스화 할 수 있고 디스플레이 모듈에 대한 마이크로 LED의 실장 조밀도가 증가될 수 있다. 이와 같이 베젤 리스화를 구현하는 디스플레이 모듈은 다수를 연결하는 경우 활성 영역을 최대화할 수 있는 대형 디스플레이(LFD) 장치를 제공할 수 있다. 이 경우 각 디스플레이 모듈은 비활성 영역을 최소화함에 따라 서로 인접한 디스플레이 모듈의 각 픽셀들 간의 피치를 단일 디스플레이 모듈 내의 각 픽셀들 간의 피치와 동일하게 유지하도록 형성할 수 있다. 이에 따라 각 디스플레이 모듈 사이의 연결부분에서 심(seam)이 나타나는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 비활성화 영역에 포함된 에지 영역에 있는 모서리는 챔퍼(chamfer) 가공되어 소정 각도를 가지는 챔퍼면이 형성될 수 있다. 챔퍼면은 글라스 기판의 전면과 측면 사이의 모서리와, 글라스 기판의 후면과 측면 사이의 모서리에 형성될 수 있다. 이러한 챔퍼면은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면 및 후면으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면 및 후면에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판에 마련된 에지 영역이 글라스 기판의 4변에 중 2곳에만 다수의 측면 배선이 형성되는 것으로 설명하지만, 이제 제한되지 않고 필요에 따라 4변 중 1곳에만 다수의 측면 배선이 형성되나 3곳 이상에 형성될 수도 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈을 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 TFT 층 상에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이고, 도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 본 개시에 따른 디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11)을 포함할 수 있다.
디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11) 상에 배열된 다수의 마이크로 LED(20)를 포함할 수 있다. 다수의 마이크로 LED는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 마이크로 LED와 서브 픽셀은 같은 의미로서 사용한다.
TFT 기판(11)은 글라스 기판(12)과, 글라스 기판(12)의 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 포함된 TFT 층(13)과, TFT 층(13)의 TFT 회로와 글라스 기판(12)의 후면 배치된 회로들(미도시)을 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선(30)을 포함할 수 있다. TFT 기판(11)은 전면에 영상을 표현하는 활성 영역(active area)(11a)과 영상을 표현할 수 없는 비활성 영역(dummy area)(11b)을 포함한다.
활성 영역(11a)은 다수의 픽셀이 각각 배열되는 다수의 픽셀 영역(13)으로 구획될 수 있다. 다수의 픽셀 영역(13)은 다양한 형태로 구획될 수 있으며, 일 예로서 매트릭스 형태로 구획될 수 있다. 각 픽셀 영역(13)은 다수의 서브 픽셀인 다색 마이크로 LED들이 실장되는 서브 픽셀 영역(15)과, 각 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로 영역(16)을 포함할 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 TFT 층(11b)의 픽셀 회로 영역(16)에 전사되며, 각 마이크로 LED의 전극 패드들은 TFT 층(11b)에 형성된 전극 패드들(17a, 17b)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극 패드(17b)는 나란히 배열된 3개의 마이크로 LED(20)의 배열을 고려하여 직선 형태로 형성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈(1)은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
비활성 영역(11b)은 글라스 기판(12)의 에지 영역(edge area)에 포함될 수 있으며, 다수의 제1 접속 패드(18a)가 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드(18a)는 각각 배선(18b)을 통해 각 서브 픽셀과 전기적으로 연결될 수 있다.
비활성 영역(11b)에 형성되는 제1 접속 패드(18a)의 개수는 글라스 기판에 구현되는 픽셀의 개수에 따라 달라질 수 있고, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로가 가로 라인 및 세로 라인으로 다수의 픽셀을 구동하는 PM(Passive Matrix) 구동 방식인 경우에 비해 각 픽셀을 개별적으로 구동하는 AM(Active Matrix) 구동 방식이 더 많은 배선과 접속 패드가 필요할 수 있다.
도 3에서는 편의상 단위 픽셀에 포함되는 3개의 서브 픽셀인 마이크로 LED들(20) 중 2개의 서브 픽셀들만 표시한다.
디스플레이 모듈(1)은 다수의 마이크로 LED(20)가 각각 블랙 매트릭스(41)에 의해 구획될 수 있으며, 다수의 마이크로 LED(20)와 블랙 매트릭스(41)를 함께 보호하기 위한 투명 커버층(43)을 구비할 수 있다. 이 경우, 투명 커버층(36)의 일면에는 터치 스크린 패널(미도시)이 적층하여 배치될 수도 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 소정의 두께를 가지며 폭과 길이가 동일한 정사각형이거나, 폭과 길이가 상이한 직사각형으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 마이크로 LED는 Real HDR(High Dynamic Range) 구현이 가능하고 OLED 대비 휘도 및 블랙 표현력 향상 및 높은 명암비를 제공할 수 있다. 마이크로 LED의 크기는 100㎛이하이거나 바람직하게는 30㎛ 이하일 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 애노드 및 캐소드 전극이 동일 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 TFT 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 일부 확대 사시도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 TFT 기판의 후면을 보여주는 일부 확대 사시도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시에서, 글라스 기판(12) 에지 영역은 글라스 기판(12)의 각 면에 위치하는 다수의 에지 존(edge zone)을 포함하는 것으로 정의할 수 있다.
구체적으로, 글라스 기판(12)의 측면(SS) 전체에 대응하는 제1 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판의 전면(front surface)(FS) 일부에 대응하는 제2 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판(12)의 후면(rear surface)(RF) 일부에 대응하는 제3 에지 존을 포함할 수 있다.
이 경우, 제2 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 전면(FS) 사이에 챔퍼 가공된 제1 챔퍼면(CS1)을 포함할 수 있고, 제3 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 후면(RS) 사이에 챔퍼 가공된 제2 챔퍼면(CS2)을 포함할 수 있다.
측면 배선(30)은 제2 에지 존에 형성된 제1 접속 패드(18a)와 제3 에지 존에 형성된 제2 접속 패드(19a)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제1 접속 패드(18a)는 제2 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제1 접속 패드(18a)는 일부가 TFT 층(13)에 마련된 배선(18b)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 배선(18b)은 TFT 층(13)의 게이트 신호 배선 또는 데이터 신호 배선일 수 있다.
제2 접속 패드(19a)는 제3 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제2 접속 패드(19a)는 측면 배선(30)을 통해 제1 접속 패드(18a)와 연결되고, 배선(19b)을 통해 글라스 기판의 후면(RS)에 형성된 구동회로와 배선(19b)을 통해 연결될 수 있다.
측면 배선(30)은 일단이 제1 접속 패드(18a)에 전기적으로 연결되고 타단이 제2 접속 패드(19a)에 전기적으로 연결될 수 있다.
측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)과, 제2 에지 존에 형성된 제2 부분(32)과, 제3 에지 존에 형성된 제3 부분(33)으로 이루어질 수 있다. 제1, 제2 및 제3 부분(31, 32, 33)은 연속적으로 이어지게 형성된다.
미세한 폭을 가지는 측면 배선(30)은 글라스 기판(12)을 가공하거나 운반 시 외부 충격에 의해 단선될 수 있다. 특히, 제1 에지 존에 형성된 측면 배선의 제1 부분(31)은 주변 구조물(예를 들면, 공정에 사용되는 장비 등)에 충돌하는 경우 긁히거나 찍히는 경우 쉽게 단선될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 측면 배선의 제1 부분(31)은 폭(W1)을 최대한 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 측면 배선(30)은 인접한 다른 측면 배선의 제1 부분과 단락(short)되지 않을 정도 간격(G1)을 유지하는 것이 바람직하다.
측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭은 서로 동일하게 형성될 수 있으며, 동일한 부재번호 W2를 부여한다. 여기서, 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)이 동일하다는 것은 측면 배선의 형성 시 발생하는 오차 범위를 감안한 것이며 완전하게 동일하다는 의미로만 해석되지 않는다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 인접한 측면 배선의 제1 부분(31)들 사이의 제1 간격(G1)은 인접한 측면 배선의 제2 부분(32)들 사이의 제2 간격(G2)보다 작고 측면 배선의 제3 부분(32)들 사이의 제3 간격(G3)보다 작다. 한편, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
(수학식 1)
W1=W2+G2-G1
이 경우, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 2와 같은 범위 내에 있을 수 있다.
(수학식 2)
W2+G2-G1 max ≤ W1< W2+G2-G1 min
여기서, G1의 최대값인 G1 max과 G1의 최소값인 G1 min은 하기 표 1에 나타낸 각 예시에 대응할 수 있다. 하지만 표 1은 G1의 범위에 대한 몇가지 예시를 나타내는 것이며, G1의 범위가 표 1에 한정될 필요는 없다.
G1의 범위
예시 1 0 < G1 ≤ 5
예시 2 5 < G1 ≤ 10
예시 3 10 < G1 ≤ 20
예시 4 20 < G1 ≤ 50
예시 5 50 < G1 ≤ 100
또한, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 3을 만족할 수 있고, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)의 범위는 하기 수학식 4를 만족할 수 있다.
(수학식 3)
W1=W2+G3-G1
(수학식 4)
W2+G3-G1 max ≤ W1< W2+G3-G1 min
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.
도 5를 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로부터 멀어지는 소정 거리(d1)까지 원호 형상(31a)을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 마찬가지로 측면 배선의 제1 부분(31)은 제3 부분(33)에 연결되는 지점부터 제3 부분(33)으로부터 멀어지는 소정 거리까지 원호 형상을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 부분(31)은 양측의 확장되는 구간 사이에는 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 원호 형상(31a)은 후술하는 마스크(70)를 글라스 기판(12)에 형성하는 마스킹 공정에서 글라스 기판의 측면(SS) 일부를 덮는 경우 형성될 수 있다.
측면 배선의 제1 부분(31)의 원호 형상(31a)은 후술하는 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때 레이저 빔이 제1 챔퍼면(CS1)까지 침범하지 않고 글라스 기판의 측면(SS) 내에서만 가공할 수 있도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 레이저 가공 시 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS1)에 레이저 빔이 주변 구조물로 반사됨에 따라 발생할 수 있는 각종 문제를 미연에 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로 멀어지는 소정 거리(d2)까지 직선 형상(31b)을 이루면서 점진적으로 확장될 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 설명한다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
먼저, 글라스 기판(12)에 TFT 층(13)을 형성하여 TFT 기판을 제작한다(S1). TFT 층(13)은 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT, a-Si TFT, Oxide TFT 중 어느 하나일 수 있다. 이 경우, TFT 층(13)은 글라스 기판(12)의 일면에 일체로 형성될 수 있다.
한편, TFT 층(13)은 박막 필름 형태로 글라스 기판(12)과 별도 제작하여 라미네이팅과 같은 코팅 공정을 통해 글라스 기판(12)의 일면에 견고하게 부착될 수도 있다.
글라스 기판(12)에 측면 배선이 형성될 에지 영역을 그라인딩하여 평탄화 처리한다(S2). 이는 글라스 기판의 에지 영역에 형성되는 측면 배선이 글라스 기판(12)으로부터 박리되지 않고 견고하게 형성될 수 있도록 하기 위함이다.
평탄화 처리 시, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 제1 및 제2 에지 존의 경계가 되는 모서리와 제1 및 제3 에지 존의 경계가 되는 모서리를 챔퍼링하여 제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)을 형성한다.
제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)을 형성한다. 측면 배선(30)은 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 또는 스퍼터링에 의한 금속 증착 방식을 통해 글라스 기판의 에지 영역에 도전성 금속 물질을 도포하여 측면 배선(30)을 형성할 수 있다.
이 경우, 측면 배선(30)은 글라스 기판의 에지 영역에 일정한 간격을 두고 동일한 형상으로 형성된다. 측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)이 제2 및 제3 에지 존에 형성된 제2 및 제3 부분(32, 33)보다 더 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 후, 전사용 기판에 배열된 다수의 마이크로 LED를 타겟 기판인 TFT 기판의 TFT 층에 전사한다(S4).
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 상기 과정을 통해 제작될 수 있다. 이하에서는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 방법을 순차적으로 설명한다.
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 각 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 9를 참조하면, 에지 영역(제1, 제2 및 제3 에지 존)이 평탄화 처리된 글라스 기판(12)을 준비한다.
이어서, 도 10과 같이, 글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)이 형성될 부분을 제외한 글라스 기판(12)의 전면(FS) 및 후면(RS)을 덮는 마스크층(70)을 형성한다(S11).
마스크층(70)은 글라스 기판의 전면(FS)으로부터 제1 챔버면(CS1)까지 돌출된 다수의 돌기부(73)를 구비할 수 있다. 이 경우, 각 돌기부(73)는 글라스 기판의 측면(SS)의 일부까지 소정 거리만큼 연장된 단부(74)를 포함할 수 있다.
또한 다수의 돌기부(73) 사이의 요입부(75)는 제1 접속 패드(18a)의 일부를 덮는다. 이 경우, 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제1 접속 패드(18a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 접속 패드(19a) 역시 제1 접속 패드(18a)와 마찬가지로 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제2 접속 패드(19a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 돌기부(73)는 일정한 간격(G3)을 두고 배치되는데, 이는 이후에 형성될 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2, 도 4 참조)을 고려한 것이다. 즉, 각 돌기부들(73) 간의 간격(G3)은 각 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2)과 동일하다.
마스크층(70)은 스크린 프린팅 공정, 테이핑 공정, 노광/현상 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성할 수 있다.
예를 들어, 마스크층(70)을 스크린 프린트 공정에 의해 형성하는 경우, 도 11과 같이 스크린(60)을 글라스 기판(12)의 전면(FS)에 소정 간격을 두고 배치한다.
이어서, 스크린(60) 상에 마스크층(70)의 재료가 되는 페이스트(paste)를 바른 후, 스퀴즈(squeegee)(67)를 글라스 기판의 측면(SS)보다 조금 벗어난 위치로부터 글라스 기판의 전면(FS) 측으로 이동하면서 문지르면 페이스트가 스크린(60)에 형성된 패턴(61)을 통과하여 스크린(60) 하측에 배치된 글라스 기판(12)에 마스크층(70)이 프린트된다.
글라스 기판의 전면(FS)에 마스크층(70)을 형성한 후, 동일한 스크린 프린팅 공정을 통해 글라스 기판의 후면(SS)에도 마스크층(70)을 형성한다.
도 12를 참조하면, 스크린(60)에 형성된 패턴(61)은 마스크층(70)의 다수의 돌출부(73)를 형성하기 위해 다수의 요철 패턴(63)이 구비된다. 다수의 요철 패턴(63)은 돌출부와 요입부가 교대로 반복적으로 형성된다.
스크린(60)을 글라스 기판의 전면에 대하여 소정 간격으로 이격 배치할 때, 다수의 요철 패턴(63)의 돌출부의 선단(64)은 대략 글라스 기판의 측면(SS)에 대응하는 위치에 배치되고, 요입부의 선단(65)은 제1 접속 패드(18a) 상에 배치될 수 있다. 글라스 기판(12)의 에지 영역의 제1 에지 존에는 다수의 요철 패턴(63)에 의해 마스크층의 다수의 돌기부(73)가 형성될 수 있다.
글라스 기판의 전면(FS)에서 제1 에지 존을 제외한 나머지 영역은 패턴(61)의 크기에 따라 마스크층(70)에 의해 전체가 덮이거나 일부만 덮일 수 있다. 이는 마스크층(70)이 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮는 넓이는 후공정에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 마스크층(70)을 형성한 후, 측면 배선을 형성하기 위해 스퍼터링과 같이 도전성 박막을 증착하는 경우 측면 배선을 형성하기 위한 영역만 남기고 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS) 전체를 마스크층(70)으로 덮는 것이 바람직하다. 또는 후공정이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나로 진행되는 경우 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에서 제1 에지 존에 인접한 영역까지 마스크층(70)을 형성할 수 있다.
글라스 기판의 전면(FS)과 후면(RS)에 마스크층(70)을 형성할 때, 마스크층(70)의 다수의 돌기부(73)의 선단(74)이 글라스 기판의 측면(SS)으로 넘어가도록 형성할 수 있다. 이는 글라스 기판의 측면(SS)의 박막 도전층(90) 가공 시 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 가해질 수 있는 데미지를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 후술하는 레이저 트리밍 가공 영역을 축소함에 따라 레이저 트리밍 시간과 공수를 단축시킬 수 있는 이점이 있다.
도 13을 참조하면, 마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S12).
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성될 수 있다. 본 개시에서는 스퍼터링 방식에 의해 박막 도전층(80)을 형성하는 것으로 설명하지만 이에 제한되지 않고 전술한 바와 같이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.
박막 도전층(80)을 형성한 후, 레이저 트리밍을 통해 박막 도전층(80)에 조사하여 박막 도전층의 일부를 제거함으로써 측면 배선을 형성한다(S13).
구체적으로, 레이저 빔(91)은 박막 도전층(90)에서 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 조사된다. 이에 따라, 도 14와 같이, 레이저 빔에 의해 박막 도전층(80)의 일부가 트리밍 되면서 각 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성될 수 있다. 이와 같이 인접한 측면 배선(30) 간 간격(G1)은 레이저 빔의 포커싱 깊이에 따라 조절될 수 있다.
이때, 인접한 측면 배선(30) 사이에는 레이저 빔에 의해 박막 도전층(90)이 트리밍되면서 도 15와 같이 글라스 기판의 측면(SS)에 소정 깊이의 트렌치(93)가 형성될 수 있다.
트렌치(93)의 깊이는 레이저 빔의 포커싱 조절을 통해 정해질 수 있다. 따라서 레이저 빔의 포커싱 조절에 의해 트렌치(93)가 형성되지 않고 인접한 측면 배선들(30)의 경계가 되는 부분의 박막 도전층만 제거될 수도 있다.
글라스 기판의 측면(SS)에 형성된 트렌치(93)는 인접한 측면 배선들 사이의 면상 거리를 넓혀 줌에 따라, 레이져 트리밍에서의 리데포지션(Re-deposition)이나 다른 이물질에 의한 단락을 방지할 수 있다. 또한, 이물질이 글라스 기판의 측면(SS)에 흡착하는 경우, 공기 분사나 다른 물리적인 세척을 통해 이물질을 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 글라스 기판의 측면(SS)에 절연 보호 필름 등을 부착하여 이물질이 기판에 흡착하는 것을 원천적으로 차단하는 것도 가능하다. 또한, 글라스 기판(12)과 측면 배선(30) 간 열팽창계수 차이에 의한 내구도 감소를 완충할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성을 향상에 기여할 수 있다.
레이저 트리밍 공정 후, 도 16과 같이 글라스 기판(12)으로부터 마스크층(70)을 제거함으로써 측면 배선 공정을 완료할 수 있다(S14). 또한, 레이저 트리밍 공정과 마스크층 제거 공정은 그 순서를 바꾸어 진행할 수도 있다.
한편, 본 개시에서는 상기 박막 도전층을 증착 공정을 통해 형성하는 것으로 설명하지만 이에 한정되지 않는데, 예를 들어 박막 도전층은 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나를 통해 형성하는 경우, Au, Ag, Cu 기반의 전도성 잉크의 도포에 의해 글라스 기판의 에지 영역에 형성될 수 있다.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 형성한 예를 나타낸 사시도이고, 도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.
도 17을 참조하면, 측면 배선(30)을 외부 충격으로부터 보호하기 위해, 각 트렌치(93)에 절연 부재(100)를 형성할 수 있다. 절연 부재(100)의 길이는 적어도 트렌치(93)의 길이와 같거나 더 길게 형성할 수 있다.
절연 부재(100)는 미세 디스펜싱 공정 등에 의해 트렌치(93)이 도포될 수 있다. 이 경우, 절연 부재(100)는 글라스 기판의 측면(SS) 및 측면 배선(30)보다 더 돌출되도록 형성하는 것이 바람직하다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 글라스 기판의 측면(SS)과 절연 부재(100) 사이에 형성되는 단차에 의해 절연 부재(100)보다 상대적으로 더 낮 안쪽으로 위치하게 된다. 이에 따라, 글라스 기판(12)에 가해지는 외부의 충격으로부터 측면 배선(30)을 효과적으로 보호할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성 향상을 도모할 수 있다.
도 18을 참조하면, 측면 배선(30)을 보호하기 위한 추가 조치로서 글라스 기판의 측면(SS)을 덮는 보호층(110)을 형성할 수 있다. 보호층(110)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
이 경우, 다수의 절연 부재(100)는 보호층(110)과 접촉할 수 있는 면적을 증가시키는 것은 물론 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 돌출되는 구조를 제공함에 따라, 글라스 기판의 측면(SS)과 보호층(110) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 보호층(110)은 트렌치(93)에 절연 부재(100)가 형성되지 않은 상태에서 글라스 기판의 측면(SS) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(110)은 일부가 트렌치(93)에 인입됨에 따라 글라스 기판의 측면(SS)과 접촉 면적이 증가하여 글라스 기판의 측면(SS)과의 접합력을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 측면 배선을 형성하는 방법을 설명함에 있어 레이저 트리밍 가공을 도입한 것을 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 이하에서 설명하는 다른 방법으로 측면 배선을 형성하는 것도 물론 가능하다.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.
먼저, 전술한 측면 배선 방법과 동일하게 마스크층(70)을 글라스 기판(12)에 형성한다(S21).
마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판의 측면(SS)에 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 다수의 미세 마스크 라인(미도시)을 일정한 간격을 두고 디스펜싱 한다(S22).
이 경우, 미세 마스크 라인의 폭이 인접한 측면 배선들(30) 간의 간격(G1)이 될 수 있다.
미세 마스크 라인을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S23).
이 경우, 박막 도전층(80)은 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분을 덮으면서 동시에 다수의 미세 마스크 라인도 함께 덮는다.
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.
박막 도전층(80)을 형성한 후, 마스크층(70) 및 미세 마스크 라인을 함께 제거한다(S24).
이 경우, 미세 마스크 라인을 덮고 있던 박막 도전층(80)의 일부는 미세 마스크 라인과 함께 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 제거되면서 인접한 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성된다.
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 20을 참조하면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 접속 패드(240) 및 글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)의 일부를 덮는다. 여기서, 제1 절연층(227)의 일부는 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부 일 수 있다.
제1 접속 패드(240)는 상면에 제1 접속 패드(240)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막의 상면에는 측면 배선의 제2 부분(232)이 형성될 수 있으며, 제1 접속 패드(240)와 측면 배선의 제2 부분(232) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다.
제1 접속 패드(240)의 둘레에는 무기 절연막(243)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 접속 패드(240)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(243)에 의해 절연될 수 있다.
글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제1 절연층(227)의 에지부는 제1 접속 패드(240)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분(232)은 2개 영역(232a, 232b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(232a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS11)을 덮고 연속해서 제1 접속 패드(240)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(232b)은 제1 영역(232a)으로부터 연장되며 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.
이와 같이, 측면 배선의 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제2 부분(232) 제1 접속 패드(240)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분(232)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.
측면 배선의 제3 부분(233)은 전술한 측면 배선의 제2 부분(232)과 마찬가지로 글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)의 에지부를 덮을 수 있다.
제2 접속 패드(250)의 상면에는 제2 접속 패드(245)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막은 제2 접속 패드(250)와 측면 배선의 제3 부분(233) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다.
제2 접속 패드(250)의 둘레에는 무기 절연막(253)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 접속 패드(250)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(253)에 의해 절연될 수 있다.
글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제2 절연층(228)의 에지부는 제2 접속 패드(250)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.
측면 배선의 제3 부분(233)은 2개 영역(233a, 233b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(233a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제2 챔퍼면(CS12)을 덮고 연속해서 제2 접속 패드(250)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(233b)은 제1 영역(233a)으로부터 연장되며 제2 접속 패드(250)에 인접한 제2 절연층(228)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.
이와 같이, 측면 배선의 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제3 부분(233) 제2 접속 패드(250)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제3 부분(233)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.
도 20과 같이, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 것으로 설명하였으나, 이에 한정될 필요는 없다. 예를 들면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 접속 패드(240)까지만 덮도록 구성될 수 있다. 또한, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제2 접속 패드(250)까지만 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮도록 구성될 수 있다.
도 20에서 미설명부호 SS10은 측면 배선의 제1 부분(231)이 결합되는 글라스 기판(212)의 측면을 가리킨다.
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 개시에서, 서로 인접하게 배치된 측면 배선들은 양단부(제2 부분 및 제3 부분)가 각각 하나의 접속 패드에 대응하여 연결될 수 있다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)은 하나의 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성되고, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)에 인접하게 배치된 다른 제1 측면 배선의 제2 부분(232-2)은 하나의 다른 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부는 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다. 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막(243-1, 243-2) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다.
제1 절연층(227)의 에지부에는 제1 접속 패드들(240-1, 240-2) 사이에 위치하는 돌출부들(227a)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층(227)의 일부를 이루는 돌출부들(227a) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-2, 232-3)에 의해 덮일 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)과 유사하게 각각 제2 접속 패드와 함께 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
적어도 2 이상의 제1 접속 패드가 단일 신호를 전송하는 경우, 측면 배선은 상기 적어도 2 이상의 제1 접속 패드를 모두 덮을 수 있다.
도 23을 참조하면, 하나의 측면 배선의 제2 부분(237)은 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분(237)은 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮을 수 있다.
이 경우, 단일 신호를 전송하는 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)는 서로 인접하게 배열될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분(237)은 하나의 제1 접속 패드만을 덮는 경우보다 접촉 면적을 더 넓힐 수 있으므로, 측면 배선이 글라스 기판에 더욱 견고하게 결합될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분 역시 제2 부분과 유사하게 단일 신호를 전송하는 서로 인접한 다수의 제2 접속 패드를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분은 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.
이하에서는, 본 개시에서 접속 패드와 측면 배선 간 결합력을 요철 구조에 의해 더욱 견고하게 유지할 수 있는 실시 예들을 설명한다.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 24를 참조하면, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 글라스 기판(1212)에 형성하기 전에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)이 각각 배치될 글라스 기판(1212)의 전면 일부 영역에 미세한 요철(1212a)을 형성한다. 글라스 기판(1212a)의 전면 일부 영역에 형성된 미세한 요철(1212a)은 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 이 경우, 에칭제는 예를 들면 불산을 사용할 수 있다.
글라스 기판(1212)에 요철(1212a)을 형성한 후, 요철(1212a) 상에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 형성한다. 이 경우, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 스퍼터링과 같은 금속 증착 공정을 통해 요철(1212a) 상에 형성될 수 있다.
제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 박막으로 형성됨에 따라, 요철(1212a)의 프로파일을 따라 증착 형성되므로 글라스 기판의 요철(1212a)과 유사한 요철 구조를 가질 수 있다.
이어서, 글라스 기판(1212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 증착 형성됨에 따라 자연스럽게 요철 구조를 가진 상태로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 결합될 수 있다.
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)과 요철 결합되므로, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)과 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2) 및 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(1212)에 결합될 수 있다.
도 24에서 미설명부호 1227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 25를 참조하면, 요철을 형성하지 않은 글라스 기판(2212)에 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 형성한 후, 레이저 공정을 통해 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 상에 미세한 요철 구조를 형성한다.
이어서, 글라스 기판(2212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)의 표면을 따라 증착 형성되므로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 요철 결합될 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)과 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2) 및 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(2212)에 결합될 수 있다.
도 25에서 미설명부호 2227a는 제1 절연층의 돌출부들이고, 2243-1 및 2243-2는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이고, 도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이고, 도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다.
도 26 및 도 27을 참조하면, 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)은 각각 상면에 에칭 공정을 통해 일정한 형상의 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 형성될 수 있다.
요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 면적에 따라 적어도 2 이상 형성될 수 있다. 또한, 요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 길이 방향을 따라 1열로 배열되지만, 이에 제한될 필요는 없으며, 지그재그 방향 또는 불규칙한 배열을 이룰 수 있다.
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2) 상에 증착 형성되면, 도 26과 같이 요홈들(GV1, GV2, GV3)에 의해 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(3212)에 결합될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 아닌 돌기들을 통해 대응하는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 할 수도 있다.
예를 들면, 도 28과 같이 제1 접속 패드(3240-1a)는 상면에 소정 높이로 돌기들(P1, P2, P3)이 형성될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 제2 접속 패드들 역시 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3) 또는 돌기들(P1, P2, P3)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 접속 패드들에 증착 형성되는 측면 배선의 제3 부분들은 제2 접속 패드들과 요철 결합을 이룰 수 있다.
도 26에서 미설명부호 3227a는 제1 절연층의 돌출부이고, 3243-1 및 3243-2는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 29를 참조하면, 제1 접속 패드(4240)를 완전히 덮도록 제1 접속 패드(4240) 상에 무기 절연막(4243)을 소정 두께로 형성한 후, 에칭 공정을 통해 무기 절연막(4243)에 비아홀들(4245)을 형성할 수 있다.
제1 접속 패드(4240)는 비아홀들(4245)에 대응하는 영역이 무기 절연막(4243)의 의해 가려지지 않고 노출된다. 이 상태에서 금속 증착 공정을 통해 글라스 기판(4212)에 측면 배선을 형성하면, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 무기 절연막(4243)에 소정 두께로 형성에 형성될 수 있다.
이 경우, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 비아홀들(4245)을 통해 제1 접속 패드(4240)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(4212)에 결합될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분(4232) 및 제1 접속 패드들(4240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
도 29에서 미설명부호 4227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.
도 30을 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(5242)이 제1 접속 패드(5240) 및 제1 절연층(5227)의 에지부를 덮은 상태에서, 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)가 중첩되는 영역에 레이저 빔을 조사하여 용접부(5500)를 형성할 수 있다.
용접부(5500)는 전술한 도 25와 같이 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)에 요철 구조가 형성될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드의 중첩되는 부분에 용접부(5500)를 형성하면, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드는 전술한 측면 배선의 제2 부분(5232) 및 제1 접속 패드들(5240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
도 30에서 미설명부호 5227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이고, 도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.
제1 절연층(6227)은 경우에 따라서, 제1 접속 패드(6240)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 31과 같이 제1 접속 패드(6240)는 제1 접속 패드(6240)의 에지부에 의해 일부분이 덮이고 나머지 부분이 노출될 수 있다.
도 31 및 도 32를 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(6232)은 제1 접속 패드(6240)와 제1 절연층(6227)의 에지부를 함께 덮을 수 있다. 측면 배선의 제2 부분(6232)의 중앙은 제1 접속 패드(6240)와 전기적으로 연결되고 양측은 제1 절연층(7227)의 돌기부들(6227a)을 덮을 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 글라스 기판(6212)의 후면에 형성되는 제2 절연층은 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제3 부분은 이에 대응하는 제2 접속 패드와 제2 절연층의 에지부를 함께 덮을 수 있다.
이러한 구조에 의해 측면 배선의 제2 및 제3 부분은 글라스 기판에 접촉되는 면적이 증가함에 따라 글라스 기판에 더 견고하게 결합될 수 있다.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

Claims (15)

  1. 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
    측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막인, 디스플레이 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치된, 디스플레이 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 글라스 기판은 상기 제2 에지 존에 요철이 형성되고,
    상기 요철 상에 순차적으로 적층된 상기 제1 접속 패드 및 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드는 요철이 형성되고,
    상기 요철 상에 적층되는 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고,
    상기 측면 배선은 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접속 패드 상에 절연 재질의 비아 구조가 형성되고,
    상기 비아 구조 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지며 상기 제1 접속 패드와 전기적으로 연결된, 디스플레이 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며,
    상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고,
    각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 큰 디스플레이 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작은 디스플레이 모듈.
  11. 제9항에 있어서,
    서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작은 디스플레이 모듈.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성되고,
    상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며,
    상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출된 디스플레이 모듈.
  15. 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
    하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고,
    상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.
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