WO2021201144A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2021201144A1
WO2021201144A1 PCT/JP2021/013957 JP2021013957W WO2021201144A1 WO 2021201144 A1 WO2021201144 A1 WO 2021201144A1 JP 2021013957 W JP2021013957 W JP 2021013957W WO 2021201144 A1 WO2021201144 A1 WO 2021201144A1
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WO
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cathode electrode
display device
light emitting
sub
protective layer
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French (fr)
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昌志 内田
加藤　裕
直也 笠原
崇 山崎
朋和 大地
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ソニーグループ株式会社
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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Priority to JP2022512647A priority patent/JPWO2021201144A1/ja
Priority to US17/910,221 priority patent/US20230109576A1/en
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Definitions

  • This disclosure relates to a display device and an electronic device including the display device.
  • a display device using an organic EL element has a structure in which an organic layer including at least an organic light emitting layer and a second electrode are laminated on a first electrode formed so as to be separated from each other for each pixel.
  • One pixel is composed of a plurality of sub-pixels such as RGB.
  • Patent Document 1 proposes an organic light emitting device in which an upper electrode is composed of a first upper electrode and a second upper electrode provided directly on the first upper electrode.
  • the organic light emitting layer in the patterning step of the first upper electrode and the second upper electrode, the organic light emitting layer is exposed to a process gas, a chemical solution, or the like and is damaged. to degrade. Therefore, the organic light emitting device described in Patent Document 1 has a problem that the reliability is lowered.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing a decrease in reliability and an electronic device provided with the display device.
  • the first disclosure includes an anode electrode, an organic light emitting layer, and a first cathode electrode, and the anode electrode, the organic light emitting layer, and the first cathode are separated for each subpixel.
  • a plurality of light emitting elements, a protective layer covering the plurality of light emitting elements, and a second cathode electrode provided on the protective layer are provided, and the second cathode electrode is a separated first cathode. It is a display device connected to an electrode.
  • the second disclosure includes a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode, and the second electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode are separated for each subpixel.
  • a display device including an element, a protective layer covering a plurality of light emitting elements, and a third electrode provided on the protective layer, and the third electrode is connected to each separated second electrode.
  • the third disclosure is an electronic device including the display device of the first disclosure or the second disclosure.
  • the protective layer has a contact hole, and the second cathode electrode may be connected to each separated first cathode electrode via the contact hole.
  • the shape of the sub-pixel may be substantially elliptical, approximately hexagonal, approximately square or approximately rectangular.
  • the plurality of light emitting elements are configured to be capable of emitting blue light, a plurality of first light emitting elements configured to be able to emit red light, a plurality of second light emitting elements configured to be able to emit green light, and a plurality of second light emitting elements configured to be able to emit green light. It may also include a plurality of third light emitting elements. The plurality of light emitting elements may be configured to be capable of emitting white light.
  • the first cathode electrode and the second cathode electrode may independently contain a transparent metal oxide, metal or alloy.
  • Metal oxides include indium-zinc oxide (IZO), indium-tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO), aluminum-zinc oxide (AZO) and gallium-zinc oxide (ZO). It may contain at least one selected from the group consisting of GZO).
  • the metal may contain at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na) and strontium (Sr).
  • the alloys are alkali metal or alkaline earth metal and Ag alloy, magnesium (Mg) and silver (Ag) alloy, magnesium (Mg) and calcium (Ca) alloy, and aluminum (Al) and lithium (Li). ) May contain at least one selected from the group consisting of alloys with.
  • the first cathode electrode may contain a transparent metal oxide
  • the second cathode electrode may contain a metal or alloy.
  • the resonator structure may be configured for each sub-pixel by the anode electrode and the second cathode electrode.
  • the first cathode electrode may contain a metal or alloy
  • the second cathode electrode may contain a transparent metal oxide.
  • the resonator structure may be configured for each sub-pixel by the anode electrode and the first cathode electrode.
  • the protective layer may contain at least one of an inorganic oxide and an organic insulating material.
  • the inorganic oxide contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO) and titanium oxide (TIO). May be good.
  • the protective layer may be a single-layer film or a multilayer film.
  • the multilayer film comprises first to nth layers, and these first to nth layers may contain different materials, for example, different inorganic oxides or organic insulating materials.
  • the plurality of sub-pixels includes a plurality of red sub-pixels, a plurality of green sub-pixels, and a plurality of blue sub-pixels, and the thickness of the protective layer on the separated first cathode electrode is a red sub-pixel.
  • the green sub-pixel and the blue sub-pixel may be substantially the same.
  • the sub-pixels are provided with a resonator structure that resonates the light generated in the organic light emitting layer, and the plurality of sub-pixels include a plurality of red sub-pixels, a plurality of green sub-pixels, and a plurality of blue sub-pixels.
  • the thickness of the protective layer on the separated first cathode electrode may be different for each of the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel.
  • the resonator structure may be composed of an anode electrode and a second cathode electrode.
  • the first cathode electrode and the second cathode electrode may be connected outside the light emitting region of the sub-pixel.
  • the number of connecting portions between the first cathode electrode and the second cathode electrode may be one or two or more for one sub-pixel. From the viewpoint of improving the conductivity between the first cathode electrode and the second cathode electrode, the number of connecting portions between the first cathode electrode and the second cathode electrode is 2 for one sub-pixel. It is preferably more than one.
  • the second cathode electrode has a plurality of contact portions, and one contact portion may be connected to two or more sub-pixels.
  • connection portion between the first cathode electrode and the second cathode electrode may have a point shape or a linear shape.
  • the point shape or the linear shape is a shape when the connection portion is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the display surface of the display device.
  • the point connection may be substantially triangular, approximately quadrangular, approximately circular, approximately hexagonal, approximately octagonal or linear.
  • the first cathode electrode has a facing surface facing the second anode electrode, and the linear connecting portion may be provided along the peripheral edge of the facing surface.
  • the second cathode electrode may be connected to the end of the first cathode electrode.
  • the first cathode electrode may have a protruding portion protruding from the peripheral edge of the light emitting region of the light emitting element, and the second cathode electrode may be connected to the first cathode electrode at the protruding portion.
  • the light emitting element may have a notch on the periphery of the light emitting region of the light emitting element, and the second cathode electrode may be connected to the first cathode electrode at the notch.
  • the protective layer has a plurality of air gaps, and each of the plurality of air gaps may be provided between adjacent sub-pixels.
  • the display device may further include a protective layer covering the second cathode electrode.
  • the display device may further include a color filter provided so as to face the plurality of light emitting elements, or may further include an on-chip color filter provided on the plurality of light emitting elements.
  • the first electrode may be the anode electrode
  • the second electrode and the third electrode may be the first cathode electrode and the second cathode electrode, respectively, and the first electrode is the cathode electrode and the first electrode.
  • the second electrode and the third electrode may be the first electrode and the second electrode, respectively.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line IV-line IV of FIG. 3A.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the organic layer shown in FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the overall configuration of the organic EL display device 10 (hereinafter, simply referred to as “display device 10”) according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 is suitable for use in various electronic devices, and a display area 110A and a peripheral area 110B are provided on the periphery of the display area 110A on the substrate 11.
  • a plurality of sub-pixels (sub-pixels) 100R, 100G, and 100B are arranged in a matrix in the display area 110A.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the red, green, and blue sub-pixels 100R, 100G, and 100B are not particularly distinguished, they are referred to as sub-pixels 100.
  • the peripheral area 110B is provided with a signal line drive circuit 111 and a scanning line drive circuit 112, which are drivers for displaying images.
  • the signal line drive circuit 111 supplies the signal voltage of the video signal corresponding to the luminance information supplied from the signal supply source (not shown) to the sub-pixel 100 selected via the signal line 111A.
  • the scanning line drive circuit 112 is composed of a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line drive circuit 112 scans the video signals in line units when writing the video signals to the sub-pixels 100, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 112A.
  • the display device 10 is, for example, a microdisplay in which self-luminous elements such as OLED, Micro-OLED, and Micro-LED are formed in an array.
  • the display device 10 is suitable for use in a display device for VR (Virtual Reality), MR (Mixed Reality) or AR (Augmented Reality), an electronic viewfinder (EVF), a small projector, or the like. be.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 is a top emission type display device, and is a substrate 11 having one main surface, a plurality of light emitting elements (first light emitting elements) 12R provided on one main surface of the substrate 11, and a plurality of light emitting elements.
  • a protective layer 14 that covers an element (second light emitting element) 12G, a plurality of light emitting elements (third light emitting element) 12B and an insulating layer 13, a plurality of light emitting elements 12R, a plurality of light emitting elements 12G and a plurality of light emitting elements 12B.
  • a second cathode electrode 124 provided on the protective layer 14 and a protective layer 15 covering the second cathode electrode 124 are provided. Even if the display device 10 further includes a filled resin layer (not shown) provided on the protective layer 15 and an opposing substrate (not shown) provided on the filled resin layer, if necessary. good.
  • the protective layer 15 side is the top side, and the substrate 11 side is the bottom side. In the following description, when the light emitting elements 12R, 12G, and 12B are not particularly distinguished, they are referred to as a light emitting element 12.
  • 3A, 3B, 3C, and 3D are plan views showing shape examples of the sub-pixel 100, respectively.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are composed of a light emitting element 12R, a light emitting element 12G, and a light emitting element 12B, respectively.
  • the shape of the sub-pixel 100 is, for example, a substantially elliptical shape (see FIG. 3A), a substantially hexagon (see FIG. 3B), a substantially square (see FIG. 3C), a substantially rectangular shape (see FIG. 3D), or the like. Two or more shapes may be used in combination.
  • the term "rectangle" means a quadrangle having two long sides and two short sides and having four internal angles at right angles.
  • the shapes such as substantially elliptical shape, substantially hexagonal shape, substantially square shape, and substantially rectangular shape include shapes such as elliptical shape, hexagonal shape, square shape, and rectangular shape in which a part of the peripheral edge protrudes (FIGS. 3A and 3B, FIG. (See FIGS. 3C, 3D, etc.) and shapes such as ellipses, hexagons, squares, rectangles, etc. in which a part of the peripheral edge is cut out (see FIGS. 11A, 11B, 11C, etc.) are also included.
  • FIG. 1 shows an example in which the sub-pixel 100 is substantially square.
  • the sub-pixels 100 are two-dimensionally arranged in a predetermined pattern.
  • the plurality of sub-pixels 100 having a substantially elliptical shape may be arranged in a staggered pattern so that the major axis directions of the sub-pixels 100 are aligned (see FIG. 3A).
  • the plurality of sub-pixels 100 having a substantially hexagonal shape may be arranged in a honeycomb shape (see FIG. 3B).
  • the plurality of sub-pixels 100 having a substantially square shape may be arranged in a matrix (see FIG. 3C).
  • a plurality of sub-pixels 100 having a substantially rectangular shape may be arranged in a stripe shape (see FIG. 3D).
  • Sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be arranged in the repeating row direction.
  • One pixel is formed by the combination of three adjacent sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the sub-pixel 100 that is, the light emitting element 12, has a light emitting region 101.
  • the light emitting region 101 may have the same shape as the sub-pixel 100. That is, the sub-pixel 100 having a substantially elliptical shape, a substantially hexagonal shape, a substantially square shape, and a substantially rectangular shape may have a light emitting region 101 having a substantially elliptical shape, a substantially hexagonal shape, a substantially square shape, and a substantially rectangular shape, respectively.
  • the plurality of light emitting elements 12 are two-dimensionally arranged on one main surface of the substrate 11 in a predetermined pattern.
  • the plurality of light emitting elements 12 include a plurality of light emitting elements 12R, a plurality of light emitting elements 12G, and a plurality of light emitting elements 12B.
  • the light emitting element 12R is a red OLED configured to be able to emit red light.
  • the light emitting element 12G is a green OLED configured to be able to emit green light.
  • the light emitting element 12B is a blue OLED configured to be able to emit blue light.
  • the light emitting element 12 may be a Micro-OLED (MOLED) or a Micro-LED.
  • the light emitting element 12R includes an anode electrode 121 provided on the substrate 11, an organic layer 122R provided on the anode electrode 121, and a first cathode electrode 123 provided on the organic layer 122R.
  • the light emitting element 12G includes an anode electrode 121 provided on the substrate 11, an organic layer 122G provided on the anode electrode 121, and a first cathode electrode 123 provided on the organic layer 122G.
  • the light emitting element 12B includes an anode electrode 121 provided on the substrate 11, an organic layer 122B provided on the anode electrode 121, and a first cathode electrode 123 provided on the organic layer 122B.
  • the organic layers 122R, 122G, and 122B are not particularly distinguished, they are referred to as the organic layer 122.
  • the substrate 11 is a support that supports a plurality of light emitting elements 12 arranged on one main surface. Further, although not shown, the substrate 11 is provided with a drive circuit including a sampling transistor for controlling the drive of the plurality of light emitting elements 12 and a drive transistor, a power supply circuit for supplying electric power to the plurality of light emitting elements 12, and the like. You may be.
  • the substrate 11 may be made of, for example, glass or resin having low water and oxygen permeability, or may be made of a semiconductor such as a transistor which can be easily formed.
  • the substrate 11 is a glass substrate such as high-strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, or quartz glass, a semiconductor substrate such as amorphous silicon or polycrystalline silicon, or polymethyl.
  • It may be a resin substrate such as methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyether sulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, or polyethylene naphthalate.
  • the anode electrode 121 is electrically separated for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the anode electrode 121 also functions as a reflective layer, and it is preferable that the anode electrode 121 is composed of a metal layer having a high reflectance and a large work function as much as possible in order to increase the luminous efficiency.
  • the metal layer is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al). , Magnesium (Mg), Iron (Fe), Tungsten (W), Silver (Ag) and other metal elements alone and alloys. Specific examples of the alloy include AlNi alloy and AlCu alloy.
  • the anode electrode 121 may be composed of a laminated film of a metal layer.
  • the first cathode electrode 123 is electrically separated for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the first cathode electrode 123 has a facing surface 123S facing the second cathode electrode 124.
  • the first cathode electrode 123 is a transparent electrode having transparency to the light generated in the organic layer 122.
  • the transparent electrode also includes a semitransparent reflective film.
  • the second cathode electrode 124 is provided as an electrode common to all the sub-pixels 100R, 100G, and 100B in the display area 110A.
  • the second cathode electrode 124 is connected to the first cathode electrode 123 separated for each sub-pixel 100.
  • the second cathode electrode 124 has a plurality of contact portions 124A, and each of the plurality of contact portions 124A is connected to the first cathode electrode 123 separated for each sub-pixel 100.
  • the contact portion 124A has a connecting portion 124B connected to the first cathode electrode 123 at its tip.
  • the number of connection portions 124B is, for example, one for each sub-pixel 100.
  • One contact portion 124A is connected to, for example, one sub-pixel 100.
  • the connecting portion 124B is connected to a part of the facing surface 123S of the first cathode electrode 123.
  • the connection portion 124B is preferably provided outside the light emitting region 101 of the sub-pixel 110.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-line IV of FIG. 3A. However, in FIG. 3A, the illustration of some of the constituent members (protective layer 14, protective layer 15, etc.) shown in FIG. 4 is omitted.
  • the sub-pixel 100 has a protruding portion 102 that protrudes with respect to a part of the peripheral edge of the light emitting region 101.
  • the direction of protrusion of the protrusion 102 is the in-plane direction of the display device 10.
  • the protruding portion 102 is configured by projecting the second cathode electrode 124 with respect to the peripheral edge of the light emitting region 101.
  • the organic layer 122 may project together with the second cathode electrode 124 with respect to the peripheral edge of the light emitting region 101.
  • the contact portion 124A of the second cathode electrode 124 is connected to the first cathode electrode 123 at the protruding portion 102.
  • the protrusions 102 may be arranged in a staggered pattern in the row direction (see FIGS. 3A and 3B), or may be arranged on a straight line extending in the row direction (see FIGS. 3C and 3D). ..
  • the protruding portion 102 when the protruding portion 102 has a substantially elliptical shape, the protruding portion 102 may be provided at one end of the minor axis of the substantially elliptical sub-pixel 100. As shown in FIG. 3B, when the protruding portion 102 has a substantially hexagonal shape, the protruding portion 102 may be provided at one corner of the subpixel 100 having a substantially hexagonal shape. As shown in FIG. 3C, when the projecting portion 102 has a substantially square shape, the projecting portion 102 may be provided in the vicinity of one corner portion of the subpixel 100 having a substantially square shape. As shown in FIG.
  • the protruding portion 102 when the protruding portion 102 has a substantially rectangular shape, the protruding portion 102 may be provided on one short side of the subpixel 100 having a substantially rectangular shape.
  • FIG. 3D shows an example in which the entire short side protrudes, a part of the short side may protrude.
  • connection portion 124B included in the contact portion 124A may have a dot shape.
  • the connecting portion 124B When the connecting portion 124B is viewed in a plan view from the direction perpendicular to the display surface of the display device 10, the point-shaped connecting portion 124B may have a substantially quadrangle such as a substantially square or a substantially rectangle.
  • the number of connecting portions 124B is preferably one for each sub-pixel 100. In this case, by providing the connecting portion 124B, it is possible to prevent the area of the light emitting region 101 from being reduced. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the brightness of the display device 10.
  • the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124 each independently contain, for example, a transparent metal oxide, metal or alloy.
  • Transparent metal oxides include, for example, indium-zinc oxide (IZO), indium-tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO), aluminum-zinc oxide (AZO) and gallium-. It contains at least one selected from the group consisting of zinc oxide (GZO).
  • the metal contains, for example, at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na) and strontium (Sr).
  • Alloys include, for example, alkali metal or alkaline earth metal and silver (Ag) alloys, magnesium (Mg) and silver (Ag) alloys, magnesium (Mg) and calcium (Ca) alloys, and aluminum (Al). ) And lithium (Li), including at least one selected from the group consisting of alloys.
  • the first cathode electrode 123 contains a transparent metal oxide (eg, a transparent conductive material such as IZO), and the second cathode electrode 124 contains a metal or alloy (eg, a highly reflective material such as MgAg). You may.
  • the anode electrode 121 and the second cathode electrode 124 form a resonator structure in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively. May be.
  • the first cathode electrode 123 contains a metal or alloy (eg, a highly reflective material such as MgAg) and the second cathode electrode 124 contains a transparent metal oxide (eg, a transparent conductive material such as IZO). You may.
  • the anode electrodes 121 and the first cathode electrode 123 form a resonator structure in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively. May be. The details of the resonator structure will be described in Modification 2 described later.
  • the insulating layer 13 is for electrically separating the anode electrode 121 for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the insulating layer 13 is provided between the anode electrodes 121 and covers the peripheral edge of the anode electrode 121. More specifically, the insulating layer 13 has an opening in a portion corresponding to each anode electrode 121, and the anode electrode is formed from the peripheral portion of the upper surface of the anode electrode 121 (the surface facing the first cathode electrode 123). It covers the side surface (end face) of 121.
  • the insulating layer 13 contains, for example, an organic material or an inorganic material.
  • the organic material includes, for example, at least one of a polyimide resin and an acrylic resin.
  • the inorganic material includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon nitridant and aluminum oxide.
  • the organic layers 122R, 122G, and 122B are electrically separated from each other for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively.
  • the organic layers 122R, 122G, and 122B generate red light, green light, and blue light, respectively. Since the organic layers 122R, 122G, and 122B have the same layer structure, the layer structure of the organic layer 122R will be described below.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the organic layer 122R shown in FIG.
  • the organic layer 122 has a structure in which the hole injection layer 122K, the hole transport layer 122L, the organic light emitting layer 122M, and the electron transport layer 122N are laminated in this order from the side of the anode electrode 121.
  • the configuration of the organic layer 122 is not limited to this, and layers other than the organic light emitting layer 122M are provided as needed.
  • the hole injection layer 122K is a buffer layer for increasing the hole injection efficiency into the organic light emitting layer 122M and suppressing leakage.
  • the hole transport layer 122L is for increasing the hole transport efficiency to the organic light emitting layer 122M.
  • the organic light emitting layer 122M generates light by recombination of electrons and holes by applying an electric field.
  • the electron transport layer 122N is for increasing the electron transport efficiency to the organic light emitting layer 122M.
  • An electron injection layer (not shown) may be provided between the electron transport layer 122N and the first cathode electrode 123. This electron injection layer is for increasing the electron injection efficiency.
  • the protective layer 14 is for covering and protecting the plurality of light emitting elements 12. Specifically, the protective layer 14 prevents the organic layer 122 from being damaged by being exposed to a process gas, a chemical solution, or the like in the manufacturing process. Further, the protective layer 14 suppresses the infiltration of water from the external environment into the light emitting element 12.
  • the protective layer 14 may have a function of suppressing oxidation of the metal layer.
  • the protective layer 15 is for covering and protecting the second cathode electrode 124. Specifically, the protective layer 15 suppresses the arrival of water from the external environment to the second cathode electrode 124 and the infiltration of water from the external environment into the light emitting element 12.
  • the protective layer 15 may have a function of suppressing oxidation of the metal layer.
  • the protective layer 14 is provided between the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124, and between the adjacent sub-pixels 100.
  • the protective layer 14 has a plurality of contact holes 14H penetrating in the thickness direction of the protective layer 14.
  • the contact hole 14H is for connecting the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124, and the contact portion 124A of the second cathode electrode 124 is arranged in the contact hole 14H. ..
  • the contact hole 14H is preferably provided outside the light emitting region 101. By providing the contact hole 14H at such a position, it is possible to suppress a decrease in the area of the light emitting region 101. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the brightness of the display device 10. In addition, damage to the organic layer 122 at the time of forming the contact hole 14H can be suppressed.
  • the thickness of the protective layer 14 on the separated first cathode electrode 123 is almost the same for the red, green, and blue sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the protective layer 14 contains, for example, at least one of an inorganic oxide and an organic insulating material.
  • the inorganic oxide contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO) and titanium oxide (TIO).
  • the organic insulating material includes, for example, at least one of a thermosetting resin and an ultraviolet curable resin.
  • FIG. 2 shows an example in which the protective layers 14 and 15 are monolayer films, but as shown in FIG. 6, the protective layer 14 may be a multilayer film or a multilayer film. May be good. It is preferable that each layer constituting the multilayer film contains materials different from each other. This is because it is possible to prevent pinholes from being connected and formed between the layers.
  • the protective layer 14 as a multilayer film includes, for example, a first protective layer 14A and a second protective layer 14B.
  • the first protective layer 14A and the second protective layer 14B preferably contain different materials. This is because it is possible to prevent the pinholes generated in the first protective layer 14A from being connected to and formed in the second protective layer 14B.
  • the multi-layered protective layer 15 includes, for example, a first protective layer 15A and a second protective layer 15B.
  • the first protective layer 15A and the second protective layer 15B preferably contain different materials. This is because it is possible to prevent the pinholes generated in the first protective layer 15A from being connected to and formed in the second protective layer 15B.
  • the first protective layer 14A and the first protective layer 15A contain, for example, silicon nitride (SiN).
  • the second protective layer 14B and the second protective layer 15B contain, for example, aluminum oxide (AlO).
  • the second protective layer 14B and the second protective layer 15B are preferably formed by atomic layer deposition (ALD).
  • the protective layer 14 and the protective layer 15 having a multilayer structure include two protective layers has been described, but two or more protective layers may be provided.
  • a drive circuit or the like is formed on one main surface of the substrate 11 by using, for example, a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique.
  • a metal layer is formed on a drive circuit or the like by a sputtering method, and then the metal layer is patterned by using, for example, a photolithography technique and an etching technique, so that each light emitting element 12 (that is, every subpixel 100).
  • the anode electrode 121 separated into the above is formed.
  • the insulating layer 13 is formed by, for example, the CVD method.
  • the insulating layer 13 is patterned using a photolithography technique and an etching technique.
  • the hole injection layer 122K, the hole transport layer 122L, the organic light emitting layer 122M, and the electron transport layer 122N are sequentially laminated on the anode electrode 121 to form the organic layer 122R.
  • the first cathode electrode 123 is formed on the organic layer 122R by, for example, a sputtering method.
  • a first protective layer 14A as a hard mask is formed on the first cathode electrode 123.
  • a resist is applied onto the first protective layer 14A to form a resist layer.
  • the resist layer is processed by photolithography to form a resist pattern, and then the first protective layer 14A as a hard mask is etched through the resist pattern. After that, the resist pattern is removed.
  • the organic layer 122R and the first cathode electrode 123 are etched using the first protective layer 14A as a hard mask. As a result, as shown in FIG. 7A, the organic layer 122R and the first cathode electrode 123 separated for each sub-pixel 100 are formed on the anode electrode 121, and a plurality of light emitting elements 12R are obtained.
  • a plurality of light emitting elements 12G and a plurality of light emitting elements 12B are formed on one main surface of the substrate 11 by the same procedure as the above-described light emitting element 12R forming step.
  • the second protective layer 14B is formed so as to cover the plurality of light emitting elements 12.
  • the protective layer 14 which is a laminated film of the first protective layer 14A and the second protective layer 14B is formed.
  • a resist is applied onto the second protective layer 14B to form a resist layer.
  • the resist layer is processed by photolithography to form a resist pattern, and then the protective layer 14 is etched through the resist pattern.
  • a contact hole 14H for connecting the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124 is formed in the protective layer 14.
  • the resist pattern is removed.
  • a second cathode electrode 124 is formed on the protective layer 14 so as to imitate the contact hole 14H as shown in FIG. 7D.
  • the protective layer 15 is formed on the second cathode electrode 124 so as to fill the contact hole 14H.
  • the display device 10 shown in FIG. 2 is obtained.
  • the protective layer 14 is provided between the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124.
  • the protective layer 14 can prevent the organic layer 122 from being exposed to the process gas, the chemical solution, or the like in the etching step of the organic layer 122 and the first cathode electrode 123. That is, it is possible to prevent the organic layer 122 from being damaged. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the reliability of the display device 10.
  • the anode electrode 121, the organic light emitting layer 122M, and the first cathode electrode 123 are separated for each sub-pixel 100, and an insulating protective layer 14 is provided between each sub-pixel 100.
  • the leakage current between the adjacent sub-pixels 100 can be suppressed. Therefore, color mixing can be suppressed and color reproducibility can be improved.
  • the luminous efficiency can be improved. Therefore, the characteristics of the display device 10 can be improved.
  • the second cathode electrode 124 is connected to the protruding portion 102 of the first cathode electrode 123 via the contact portion 124A, the contact resistance between the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 124 is reduced. can do.
  • Modification example 1 (Modification example 1)
  • the display device 10 includes a plurality of light emitting elements 12R, 12G, and 12B configured to be capable of emitting red light, green light, and blue light, respectively.
  • the method is not limited to this.
  • the display device 10 is provided with a plurality of light emitting elements 12W and a color filter 16 configured to be able to emit white light instead of the plurality of light emitting elements 12R, 12G, and 12B. May be good.
  • the light emitting element 12W is, for example, a white OLED, a Micro-white OLED (MOLED), or a Micro-white LED.
  • the color filter 16 is, for example, an on-chip color filter (OCCF), and is provided on the protective layer 15.
  • the color filter 16 includes, for example, a red filter 16R, a green filter 16G, and a blue filter 16B.
  • the red filter 16R, the green filter 16G, and the blue filter 16B are provided so as to face the light emitting element 12W of the sub pixel 100R, the light emitting element 12W of the sub pixel 100G, and the light emitting element 12W of the sub pixel 100B, respectively.
  • the white light emitted from each light emitting element 12W in the sub-pixel 100R, the sub-pixel 100G, and the sub-pixel 100B passes through the above-mentioned red filter 16R, green filter 16G, and blue filter 16B, respectively, thereby causing red light.
  • Green light and blue light are emitted from the display surface, respectively.
  • a light-shielding layer (not shown) may be provided in the area between the color filters 16R, 16G, 16B of each color, that is, between the sub-pixels 100R, 100G, 100B of each color.
  • the protective layer 14 may have a multi-layer structure, or the protective layer 15 may have a multi-layer structure. It may have a multi-layer structure.
  • the color filter 16 is an on-chip color filter
  • it may be an opposed color filter provided on one main surface of the opposed substrate.
  • the resonator structures 17R, 17R, and 17B may be provided in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively.
  • the resonator structures 17R, 17R, and 17B resonate, emphasize, and emit light having a specified wavelength.
  • the resonator structures 17R, 17R, and 17B generate red light LR, green light LG, and blue light LB generated by the light emitting elements 12R, 12G, and 12B, specifically, the organic layers 122R, 122G, and 122B, respectively. It resonates and emphasizes and emits red light LR, green light LG, and blue light LB.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are further provided with the resonator structures 17R, 17R, and 17B, respectively, so that the color purity can be improved and high brightness can be realized.
  • the resonator structures 17R, 17R, and 17B are composed of an anode electrode 121 and a second cathode electrode 124.
  • the thickness of the protective layer 14 on the separated first cathode electrode 123 is different for each of the red, green, and blue sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the thickness of the protective layer 14 of each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B differs depending on the color to be displayed by the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively.
  • the second cathode electrode 124 preferably functions as a semi-transmissive reflective film.
  • the second cathode electrode 124 preferably contains magnesium (Mg), silver (Ag), a magnesium-silver alloy containing these as a main component (MgAg), an alloy containing an alkali metal or an alkaline earth metal, or the like. ..
  • the first cathode electrode 123 preferably contains a transparent metal oxide.
  • the display device 10 includes the resonator structures 17R, 17G, and 17B for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, and further includes the color filter 16 described in the first modification. good. In this case, the color reproducibility can be further improved.
  • the resonator structures 17R, 17R and 17B have the anodes. It may be composed of an electrode 121 and a first cathode electrode 123.
  • the thicknesses of the organic layers 122R, 122G, and 122B of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are different depending on the color to be displayed by the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively.
  • Optically between the anode electrode 121 and the first cathode electrode 123 such that the protective layer 14 has such a different thickness causes optimum resonance at the wavelength of light according to the color to be displayed. The distance can be set.
  • the first cathode electrode 123 preferably functions as a transflective reflective film.
  • the second cathode electrode 124 preferably contains magnesium (Mg), silver (Ag), a magnesium-silver alloy containing these as a main component (MgAg), an alloy containing an alkali metal or an alkaline earth metal, or the like. ..
  • the second cathode electrode 124 preferably contains a transparent metal oxide.
  • the display device 10 resonates the red, green, and blue light emitting elements 12R, 12G, and 12B with the light of the specified wavelength generated by these light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • a light emitting element 12W may be provided instead of the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.
  • the resonator structures 17R, 17R, and 17B resonate the red light LR, the green light LG, and the blue light LB contained in the white light generated by the light emitting element 12W, specifically, the organic layer 122W, respectively, to the outside. discharge.
  • full-color display or the like can be performed even if the display device 10 does not include the red, green, and blue light emitting elements 12R, 12G, 12B, or the color filter 16. ..
  • the display device 10 includes the resonator structures 17R, 17G, and 17B for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, and further includes the color filter 16 described in the first modification. good. In this case, the color reproducibility can be further improved.
  • FIG. 11A is a plan view showing an example of a substantially elliptical sub-pixel 100 having a notch portion 103.
  • the cutout portion 103 is provided at one end of a substantially elliptical minor axis, for example.
  • FIG. 11B is a plan view showing an example of a substantially hexagonal sub-pixel 100 having a notch 103.
  • the notch 103 is provided at, for example, one corner of a substantially hexagon.
  • FIG. 11C is a plan view showing an example of a substantially square sub-pixel 100 having a notch 103.
  • the cutout portion 103 is provided, for example, in the vicinity of one corner portion of a substantially square shape.
  • each sub-pixel 100 may be arranged in a staggered pattern in the row direction (see FIGS. 11A and 11B), or may be arranged on a straight line extending in the row direction (FIG. 11A and 11B). See 11C).
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line XII-line XII of FIG. 11A.
  • the cutout portion 103 is formed by denting a part of the peripheral edge of the anode electrode 121 inside the peripheral edge of the first cathode electrode 123.
  • the organic layer 122 may or may not be provided below the first cathode electrode 123 of the notch 103.
  • FIG. 12 shows an example of the former.
  • the contact portion 124A of the second cathode electrode 124 is connected to the first cathode electrode 123 at the notch 103.
  • connection portion 124B may have a substantially polygonal shape such as a substantially triangular shape (see FIG. 13A), a substantially hexagonal shape (see FIG. 13B), or a substantially octagonal shape (see FIG. 13C), or a substantially circular shape (see FIG. 13C). 13D) may have.
  • the connecting portion 124B of the second cathode electrode 124 has a dot shape, but as shown in FIG. 14, the connecting portion 124B may have a linear shape. ..
  • the linear connecting portion 124B may be provided on the diagonal line of the substantially quadrangular sub-pixel 100.
  • two or more connections are made to one protrusion 102 of a substantially elliptical, substantially hexagonal, substantially square, or substantially rectangular sub-pixel 100.
  • the unit 124B may be connected.
  • two or more connecting portions 124B are connected to one notched portion 103 included in the subpixel 100 having a substantially elliptical shape, a substantially hexagonal shape, or a substantially square shape. You may be.
  • the sub-pixel 100 has one protruding portion 102 and two or more connecting portions 124B are connected to one protruding portion 102 has been described, but the sub-pixel 100 has two. It may have more than one protrusion 102, and one or more connecting portions 124B may be connected to each protrusion 102.
  • the contact unit 124A has one shared connection unit 124C connected to and shared by two or more adjacent sub-pixels 100.
  • the protective layer 14 may be provided with one contact hole 14H for two or more sub-pixels 100.
  • FIG. 18A shows an example in which the shared connection portion 124C of one contact portion 124A is connected to four adjacent sub-pixels 100 and shared by the four sub-pixels 100.
  • FIG. 18A shows an example in which the notch portion 103 is substantially triangular, as shown in FIG. 18B, the notch portion 103 may be substantially quadrangular.
  • FIGS. 18A and 18B show an example in which the shared connection portion 124C is connected to the notch 103, the shared connection portion 124C may be connected to the protrusion 102.
  • 18A and 18B show an example in which the connecting portion 124B is a substantially square shape, but it may be a substantially polygonal shape, a substantially circular shape, a linear shape, or the like other than the substantially square shape.
  • connection portion 124B has a point-shaped connecting portion 124B and the point-shaped connecting portion 124B is connected to the protruding portion 102 of the sub-pixel 100 has been described.
  • the shape and connection form of the connection portion 124B are not limited to this.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a modified example of the shape and connection form of the connection portion 124B.
  • FIG. 20A is a plan view showing a modified example of the shape and connection form of the connection portion 124B.
  • the contact portion 124A may have a linear connecting portion 124B.
  • the linear connecting portion 124B may be provided along the peripheral edge of the facing surface 123S of the first cathode electrode 123.
  • FIG. 20A shows an example in which the substantially elliptical sub-pixel 100 is provided with the substantially elliptical connecting portion 124B.
  • a substantially hexagonal shape and a substantially square shape are shown.
  • the sub-pixel 100 having a substantially polygonal shape such as a substantially rectangular shape may be provided with a connection portion 124B having a substantially polygonal shape such as a substantially hexagonal shape, a substantially square shape, or a substantially rectangular shape.
  • 20A, 20B, 20C, and 20D show an example in which the linear connecting portion 124B is continuously provided along the peripheral edge of the facing surface 123S of the first cathode electrode 123, but it is not possible. It may be provided continuously.
  • the tip of the contact portion 124A may be arranged between adjacent sub-pixels 100.
  • the connecting portion for connecting the second cathode electrode 124 to the first cathode electrode 123 (for example, the protruding portion 102 (FIGS. 3A, 3B, 3B, 3B). (See FIGS. 3C and 3D), and a notch 103 (see FIGS. 11A, 11B and 11C)) do not need to be separately provided for each sub-pixel 100. Therefore, in the display device 10 having the configuration of the modification 10, the sub-pixel 100 can be miniaturized as compared with the display device 10 in which the connection portion is separately provided for each sub-pixel 100.
  • the first cathode electrode 123 may have a protruding portion 123A that intersects the contact portion 124A.
  • the protruding portion 123A may have a structure that protrudes with respect to the peripheral edge of the organic layer 122. Since the first cathode electrode 123 has the protruding portion 123A, the contact portion 124A can be easily connected to the first cathode electrode 123 at the end portion (side surface) of the sub-pixel 100. Therefore, it is possible to suppress a poor connection between the contact portion 124A and the first cathode electrode 123.
  • the protective layer 15 may have a plurality of air gaps 15C.
  • the air gap 15C is provided between the adjacent sub-pixels 100.
  • the air gap 15C is preferably provided so as to surround the light emitting element 12.
  • the air gap 15C may have a wall shape.
  • FIG. 29E is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 410 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the display device 410 includes a sidewall 411, a protective layer 412, and a second cathode electrode 413.
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the sidewall 411 covers the side surface of the anode electrode 121 and the side surface of the organic layer 122.
  • the sidewall 411 is made of an insulating material.
  • the insulating material the same material as the insulating layer 13 in the first embodiment can be exemplified.
  • the protective layer 412 is for protecting the light emitting element 12.
  • the protective layer 412 is provided on the light emitting element 12.
  • the protective layer 412 is separated for each light emitting element 12.
  • the same material as the protective layer 14 in the first embodiment can be exemplified.
  • the second cathode electrode 413 covers the light emitting element 12 provided with the protective layer 412 and the sidewall 411.
  • the second cathode electrode 413 covers the side surface of the protective layer 412 and the side surface of 123 of the first cathode.
  • the second cathode electrode 413 is connected to the side surface or the peripheral portion of the first cathode electrode 123.
  • an anode electrode 121 separated for each light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the protective layer 412 are sequentially laminated on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the protective layer 412 are processed using, for example, photolithography technology and etching technology, and separated into each light emitting element 12. As a result, a plurality of laminates composed of the light emitting element 12 and the protective layer 412 are formed on one main surface of the substrate 11.
  • an insulating layer 411A is formed on one main surface of the substrate 11, and a plurality of laminated bodies are covered with the insulating layer 411A.
  • the insulating layer 411A is processed by, for example, anisotropic etching to form the sidewall 411.
  • a second cathode electrode 413 is formed on one main surface of the substrate 11 to cover the light emitting element 12 provided with the protective layer 412 and the sidewall 411. As a result, the second cathode electrode 413 is connected to the side surface or the peripheral edge of the first cathode electrode 123.
  • the display device 420 may include a side wall portion 421 that covers the side surface of the protective layer 412.
  • the side wall portion 421 is an auxiliary electrode and has conductivity.
  • the side wall portion 421 is provided on the peripheral edge portion of the upper main surface of the first cathode electrode 123.
  • the second cathode electrode 413 covers the side wall portion 421 and is electrically connected to the first cathode electrode 123 via the side wall portion 421.
  • FIG. 30F shows an example in which the second cathode electrode 413 is not in contact with the side surface of the first cathode electrode 123, but the second cathode electrode 413 is the side surface of the first cathode electrode 123. May be in contact with.
  • the side wall portion 421 may be made of the same material as the first cathode electrode 123 (for example, a metal oxide such as IZO).
  • an anode electrode 121 separated for each light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the protective layer 412 are sequentially laminated on one main surface of the substrate 11.
  • the protective layer 412 is patterned and separated into each light emitting element 12 by using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
  • a conductive layer 421A (for example, a metal oxide layer such as an IZO layer) is formed on the first cathode electrode 123 to cover the separated protective layer 412.
  • the conductive layer 421A is processed so that the conductive layer 421A remains only on the side wall of the protective layer 412 by, for example, anisotropic etching.
  • the organic layer 122 and the first cathode electrode 123 are separated for each light emitting element 12.
  • a sidewall 411 covering the side surface of the light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11, and then a second wall 411 is formed on one main surface of the substrate 11 as shown in FIG. 30F.
  • the cathode electrode 413 is formed, and covers the light emitting element 12 provided with the protective layer 412, the side wall portion 421, and the sidewall 411. As a result, the second cathode electrode 413 and the side wall portion 421 are connected.
  • the second cathode electrode 413 may be connected to either the end portion of the first cathode electrode 123 or the side wall portion 421 connected to the first cathode electrode 123. That is, the effective connection area between the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 413 can be increased. Therefore, even if the height of the sidewall 411, the thickness of the first cathode electrode 123, and the like vary in manufacturing, the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 413 can be stably connected. This can improve yield and reliability.
  • the protective layer 431 having a two-layer structure includes a first protective layer 431A and a second protective layer 431B sequentially on the light emitting element 12.
  • the first protective layer 431A is the same as the protective layer 412 in the second embodiment.
  • the second protective layer 431B is a layer having less etching resistance than the first protective layer 431A.
  • a metal oxide such as aluminum oxide can be used as the material of the second protective layer 431B.
  • the protective layer 412 may have a laminated structure of two or more layers.
  • the layer laminated on top is a layer having less etching resistance than the other layers.
  • an anode electrode 121 separated for each light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, the first protective layer 431A, and the second protective layer 431B are sequentially laminated on one main surface of the substrate 11.
  • the first protective layer 431A and the second protective layer 431B are patterned and separated for each light emitting element 12 by using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
  • a protective layer 431 having a two-layer structure separated for each light emitting element 12 is formed on the first cathode electrode 123.
  • a conductive layer 421A (for example, a metal oxide layer such as an IZO layer) is formed on the first cathode electrode 123 to cover the separated protective layer 431.
  • the conductive layer 421A is processed so that the conductive layer 421A remains on the side wall of the protective layer 431 by, for example, anisotropic etching. At this time, the conductive layer 421A may be processed so that the conductive layer 421A remains on the side wall of the protective layer 431.
  • the organic layer 122 and the first cathode electrode 123 are separated for each light emitting element 12.
  • a sidewall 411 covering the side surface of the light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11, and then a second wall 411 is formed on one main surface of the substrate 11 as shown in FIG. 31G.
  • the cathode electrode 413 of the above is formed, and covers the light emitting element 12 provided with the protective layer 431, the side wall portion 421, and the sidewall 411. As a result, the second cathode electrode 413 and the side wall portion 421 are connected.
  • the protective layer 431 has a two-layer structure including the first protective layer 431A and the second protective layer 431B in that order, and the constituent material of the second protective layer 431B is the first protective layer 431A. It has less etching resistance than the constituent materials of. As a result, it is possible to prevent the protective layer 431 from being thinned or deformed due to being exposed to etching during processing of the first cathode electrode 123 or overetching when forming the sidewall 411.
  • the display device 420 may include a side wall portion 441 that covers the side surface of the protective layer 412.
  • the side wall portion 441 contains the same type of material as the first cathode electrode 123.
  • the composition ratio of the constituent materials of the side wall portion 441 and the first cathode electrode 123 may be the same or different.
  • the side wall portion 441 may be composed of a depot film.
  • the depot film is a film formed by deposits of reaction products on the side surface of the protective layer 412 during dry etching (for example, anisotropic etching).
  • an anode electrode 121 separated for each light emitting element 12 is formed on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the protective layer 412 are sequentially laminated on one main surface of the substrate 11.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the protective layer 412 are processed by, for example, anisotropic etching, and separated into each light emitting element 12.
  • a conductive depot containing the constituent elements of the first cathode electrode 123 adheres to the side surface of the protective layer 412, and the side wall portion 441 is formed.
  • a plurality of laminated bodies including the side wall portion 441, the protective layer 412, and the light emitting element 12 are formed on one main surface of the substrate 11.
  • an insulating layer 411A is formed on one main surface of the substrate 11, and a plurality of laminated bodies are covered with the insulating layer 411A.
  • the insulating layer 411A is processed by, for example, anisotropic etching to form the sidewall 411.
  • a second cathode electrode 413 is formed on one main surface of the substrate 11 to cover the light emitting element 12 provided with the side wall portion 441, the protective layer 412, and the sidewall 411. As a result, the second cathode electrode 413 and the side wall portion 441 are connected.
  • the second cathode electrode 413 since the second cathode electrode 413 is connected to the side wall portion 441 formed of the depot film, the same effect as that of the modified example 2 can be obtained.
  • the second cathode electrode 413 may be in contact with the peripheral edge of the first cathode electrode 123.
  • the side surface of the protective layer 412 may be located inside the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123.
  • the second cathode electrode 413 is in contact with the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123 and the side surface of the first cathode electrode 123.
  • FIGS. 29A to 29C, 33A, and 33B an example of a manufacturing method of the display device 410 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 29A to 29C, 33A, and 33B.
  • the steps from the formation of the anode electrode 121 to the formation of the insulating layer 411A are carried out in the same manner as the manufacturing method of the display device 410 according to the second embodiment (see FIGS. 29A to 29C).
  • the insulating layer 411A is processed by, for example, anisotropic etching to form the sidewall 411, and the side surface of the protective layer 412 is formed from the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123.
  • the sidewall 411 and the protective layer 412 are made of the same material (for example, SiN), and further, by selecting dry etching conditions in which the first cathode electrode 123 (for example, the IZO layer) is difficult to process, the first cathode is formed.
  • the side surface of the protective layer 412 can be retracted from the peripheral edge of one main surface of the electrode 123.
  • a second cathode electrode 413 is formed on one main surface of the substrate 11 to cover the light emitting element 12 provided with the protective layer 412 and the sidewall 411. As a result, the second cathode electrode 413 is brought into contact with the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123 and the side surface of the first cathode electrode 123.
  • the effective connection area between the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 413 can be increased. Therefore, even if the height of the sidewall 411, the film thickness of the first cathode electrode 123, and the like vary in manufacturing, the first cathode electrode 123 and the second cathode electrode 413 can be stably connected. Can be done. Therefore, the yield and reliability can be improved.
  • the display device 410 may further include a contact portion 451 as shown in FIG. 34A.
  • the contact portion 451 is an auxiliary electrode that connects the second cathode electrode 413 and the base wiring (not shown).
  • the upper surface of the contact portion 451 is connected to the peripheral edge portion of the second cathode electrode 413.
  • the lower surface of the contact portion 451 is connected to the base wiring via a contact plug (not shown).
  • the peripheral edge portion of the second cathode electrode 413 means a region having a predetermined width from the peripheral edge of the second cathode electrode 413 toward the inside.
  • the contact portion 451 is provided in a peripheral region on one main surface of the substrate 11.
  • the contact portion 451 has a rectangular closed loop shape surrounding the display area.
  • the contact portion 451 may be formed of the same layer as the anode electrode 121.
  • the contact portion 451 may be provided at the same height as the anode electrode 121.
  • the end of the sidewall 411 may rest on the contact portion 451.
  • the second cathode electrode 413 since it is possible to prevent the second cathode electrode 413 from being cut by the step of the contact portion 451, the second cathode electrode in the vicinity of the connection portion between the second cathode electrode 413 and the contact portion 451 can be suppressed.
  • the increase in resistance of 413 can be suppressed.
  • the sidewall 411 By controlling the film thickness of the insulating layer 411A for forming the sidewall 411 and the dry etching conditions such as gas and pressure when forming the insulating layer 411A, as described above, the sidewall 411 The end of the can be placed on the contact portion 451.
  • Modification 6 In the modified example 5, the example in which the end portion of the sidewall 411 is placed on the contact portion 451 has been described, but the end portion of the sidewall 411 contacts the end portion of the sidewall 411 as shown in FIG. 34B. It may be separated from the portion 451 so that the end portion of the sidewall 411 does not rest on the contact portion 451. In this case, it is possible to prevent the light emitted from the organic layer 122 from propagating inside the sidewall 411 and being reflected by the contact portion 451. Therefore, deterioration of display quality can be suppressed.
  • the contact portion 451 may be provided in the display area as shown in FIG. 35A.
  • the contact portion 451 may be provided between the adjacent light emitting elements 12.
  • the contact portion 451 is connected to a drive circuit or the like via, for example, a contact plug (not shown).
  • the contact portion 451 may be provided outside the display area. By providing the contact portion 451 outside the display region in this way, the size of the light emitting element 12 can be increased.
  • the space between the separated light emitting elements 12 may be filled with a sidewall 411 as an insulating layer.
  • the net distance from each light emitting element 12 to the contact portion 451 may increase in the recess between the adjacent light emitting elements 12.
  • the recesses between the adjacent light emitting elements 12 can be reduced, an increase in the net distance from each light emitting element 12 to the contact portion 451 can be suppressed. Therefore, in the case of the above configuration shown in FIG. 35C, an increase in the resistance of the second cathode electrode 413 can be suppressed.
  • the display device 410 having the above connection configuration can be manufactured, for example, as follows. First, as shown in FIG. 36A, the protective layer 412 separated for each light emitting element 12 is covered with the insulating layer 411A, and then, as shown in FIG. 36B, anisotropic etching for forming the sidewall 411 is performed on the substrate. This is performed until the wiring layer 461 in 11 is reached. Next, the second cathode electrode 413 is formed on the substrate 11. As a result, the second cathode electrode 413 is connected to the wiring layer 461.
  • the space between the side surface and the upper surface of the protective layer 412 may be rounded. Also in this case, in this case, the second cathode electrode 413 that covers the side surface of the protective layer 412 can be formed thickly.
  • the refractive index of the sidewall 411 may be lower than that of the organic layer 122. Since the light emitted by the organic layer 122 can be totally reflected at the interface between the organic layer 122 and the sidewall 411, the light emitted by the organic layer 122 is suppressed from propagating in the lateral direction, and the front side. Brightness can be increased efficiently.
  • FIG. 39 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 510 according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the display device 510 includes a substrate 11 having one main surface, a plurality of light emitting elements 12 and contact portions 511 provided on one main surface of the substrate 11, a protective layer 14 covering the plurality of light emitting elements 12, and a protective layer.
  • a second cathode electrode 512 that covers the 14 and the contact portion 511 and the like, a protective layer 15 that covers the second cathode electrode 512, and a resin layer 513 that covers the protective layer 15 are provided.
  • the insulating layer 13 has an opening 13A in a portion corresponding to each anode electrode 121, and covers from the peripheral edge of the upper surface of the anode electrode 121 to the side surface (end surface) of the anode electrode 121.
  • the peripheral edge portion of the upper surface of the anode electrode 121 refers to a region having a predetermined width from the peripheral edge of the upper surface of the anode electrode 121 toward the inside.
  • the light emitting element 12 is separated from the element outside the opening 13A of the insulating layer 13.
  • the insulating layer 13 also has an opening 13B in a portion corresponding to the contact portion 511, and covers from the peripheral edge portion of the upper surface of the contact portion 511 to the side surface (end surface) of the contact portion 511.
  • the peripheral edge portion of the upper surface of the contact portion 511 means a region having a predetermined width from the peripheral edge of the upper surface of the contact portion 511 toward the inside.
  • the contact portion 511 is provided between the adjacent light emitting elements 12.
  • the contact portion 511 may be formed of the same layer as the anode electrode 121.
  • the contact portion 511 is connected to the base wiring (not shown) via a contact plug (not shown).
  • the second cathode electrode 512 is provided as an electrode common to all light emitting elements 12 in the display region.
  • the second cathode electrode 512 covers the upper surface and the side surface of the protective layer 14 separated for each light emitting element 12, and also covers the peripheral edge portion (hereinafter referred to as “terrace portion”) of the upper surface of the light emitting element 12 and the side surface of the light emitting element 12. Covering.
  • the second cathode electrode 124 is connected to the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123 at the peripheral edge of the upper surface of the light emitting element 12. Further, the second cathode electrode 124 covers a portion between the adjacent light emitting elements 12, and is connected to the contact portion 511 at this portion.
  • the peripheral edge portion of the upper surface of the light emitting element 12 means a region having a predetermined width from the peripheral edge of the upper surface of the light emitting element 12 toward the inside.
  • the peripheral edge portion of the upper surface of the first cathode electrode 123 means a region having a predetermined width from the peripheral edge of the upper surface of the first cathode electrode 123 toward the inside.
  • the resin layer 513 covers the protective layer 15.
  • the resin layer 513 fills the recesses between the light emitting elements 12.
  • the resin layer 513 is preferably a low-refractive resin having a lower refractive index than the protective layer 15.
  • the display device 510 can be provided with a waveguide structure, so that the light extraction efficiency of the front surface can be improved.
  • the protective layer 15 is preferably made of a material such as silicon nitride (SiN) having a high refractive index.
  • the sequences of the plurality of images 100R, 100G, 100B are, for example, a stripe sequence (see FIG. 40A), a delta sequence (see FIG. 40B), or a square sequence (see FIG. 40C).
  • a cathode contact region 511A is provided between the pixels 100 and the pixels 100.
  • the cathode contact region 511A is a region including a terrace portion of adjacent light emitting elements 12 and a portion located between the terrace portions.
  • the cathode contact region 511A may be continuously provided between the pixels 100 and the pixels 100 as shown in FIGS. 40A, 40B, and 40C, or may be provided continuously as shown in FIGS. 41A, 41B, and 41C. , It may be provided in a scattered manner between the pixels 100 and the pixels 100.
  • the anode electrode 121 is formed by, for example, a sputtering method, and then the anode electrode 121 is processed by, for example, photolithography and dry etching.
  • the material of the anode electrode 121 an AL alloy, an Ag alloy, or the like may be used.
  • a material having a high work function such as ITO and IGZO and a high transmittance may be used.
  • the insulating layer 13 is formed on one main surface of the substrate 11 by the CVD method. Then, as shown in FIG. 42A, the openings 13A and 13B are formed by using, for example, a resist mask and dry etching.
  • the organic layer 122 is formed on the anode electrode 121 by, for example, a thin-film deposition method.
  • a layer having high hole transportability such as HIL (Hole Injection Layer) or HTL (Hole Transfer Layer) may be used.
  • the first cathode electrode 121 and the first protective layer 14A are sequentially laminated on the organic layer 122.
  • a material having a high work function such as IZO or ITO and having a high transmittance may be used, or an MgAg alloy or the like may be used from the viewpoint of device characteristics.
  • the first protective layer 14A is preferably a layer that can form a film at a low temperature of 100 ° C. or lower and has a high sealing property against moisture and oxygen.
  • the organic layer 122, the first cathode electrode 123, and the first protective layer 14A are processed by, for example, photolithography and dry etching to separate the pixels 100.
  • a second protective layer 14B is formed on the first protective layer 14A.
  • the film forming conditions of the second protective layer 14B may be the same as the film forming conditions of the first protective layer 14A.
  • the second protective layer 14B is processed by, for example, dry etching, and the pixels 100 are separated.
  • the contact portion 511 is exposed. Since the protective layer 14 is provided on the light emitting region, plasma damage to the light emitting region can be suppressed.
  • the resist layer 514 is removed by low temperature ashing at 100 ° C. or lower. When wet etching is used, there is a concern that the organic layer 122 may peel off, so it is preferable to use dry etching.
  • a second cathode electrode 512 is formed as a common cathode in the entire display region by, for example, a sputtering method.
  • the material of the second cathode electrode 512 the same material as that of the first cathode electrode 123 may be used.
  • the second cathode electrode 512 is covered with the protective layer 15, and then the resin layer 513 is formed on the protective layer 15. At this time, the recesses between the pixels 100 are filled with the resin layer 513.
  • the display device 510 since the light emitting element 12 is separated from the outside of the opening 13A of the insulating layer 13, it is possible to suppress the plasma damage caused by dry etching in the light emitting region. Can be done. Further, when the cathode contact region 511A is formed, it is possible to suppress the plasma damage caused by dry etching in the light emitting region. Since the entire light emitting region is covered with the protective layer 14 and the protective layer 15, the formation of leak paths such as moisture can be suppressed. Since the backing wiring is provided via the contact portion 511, the influence of the cathode resistance can be reduced.
  • the cathode resistance can be reduced. Since the contact portion 511 is arranged in the display area, it is not necessary to arrange the cathode contact outside the display area. Further, since the distance from the contact portion 511 to the light emitting element 12 (pixel 100) becomes short, the occurrence of IR drop can be suppressed. In the future, it is expected that the organic EL coating structure will become widespread from the viewpoint of brightness and luminous efficiency. In the conventional structure, the deterioration of device characteristics due to processing damage becomes remarkable, but by using this technology, it is possible to provide a device that meets the needs such as shading and panel miniaturization as well as preventing the deterioration of device characteristics.
  • the protective layer 521 may be further provided on the protective layer 15.
  • the protective layer 521 is an ALD layer made of alumina (aluminum oxide) or the like.
  • the display device 10 according to any one of the above-described first to third embodiments and modifications thereof is incorporated into various electronic devices as, for example, a module as shown in FIG. 25.
  • a module as shown in FIG. 25.
  • This module has an exposed region 210 on one short side of the substrate 11 that is not covered by an opposing substrate or the like, and the wiring of the signal line drive circuit 111 and the scanning line drive circuit 112 is extended to this region 210.
  • An external connection terminal (not shown) is formed.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 220 for signal input / output may be connected to the external connection terminal.
  • FPC flexible printed circuit board
  • 26A and 26B show an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is a single-lens reflex type with interchangeable lenses, and has an interchangeable shooting lens unit (interchangeable lens) 312 in the center of the front of the camera body (camera body) 311 and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for the photographer to grip.
  • interchangeable shooting lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back of the camera body 311.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314. By looking into the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the light image of the subject guided by the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the display device 10 according to any one of the first to third embodiments described above or a modification thereof can be used.
  • FIG. 27 shows an example of the appearance of the head-mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 for being worn on the user's head on both sides of the eyeglass-shaped display unit 321.
  • the display unit 321 the display device 10 according to any one of the above-mentioned first to third embodiments or a modification thereof can be used.
  • FIG. 28 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television device 330 has, for example, an image display screen unit 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the image display screen unit 331 is the first to third embodiments described above or a modification thereof. It is composed of a display device 10 according to any of the examples.
  • the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. given in the first to third embodiments and modifications described above are merely examples, and if necessary, different configurations, methods, processes, etc. Shapes, materials, numerical values, etc. may be used.
  • the present disclosure may also adopt the following configuration.
  • a plurality of light emitting elements including an anode electrode, an organic light emitting layer, and a first cathode electrode, wherein the anode electrode, the organic light emitting layer, and the first cathode electrode are separated for each sub-pixel.
  • a protective layer that covers the plurality of light emitting elements, A second cathode electrode provided on the protective layer is provided.
  • the second cathode electrode is a display device connected to each of the separated first cathode electrodes.
  • the protective layer has a plurality of contact holes and has a plurality of contact holes. The display device according to (1), wherein the second cathode electrode is connected to each of the separated first cathode electrodes via the contact hole.
  • the first cathode electrode contains a transparent metal oxide and contains.
  • the protective layer contains at least one of an inorganic oxide and an organic insulating material.
  • the plurality of sub-pixels include a plurality of red sub-pixels, a plurality of green sub-pixels, and a plurality of blue sub-pixels.
  • the thickness of the protective layer on the separated first cathode electrode is substantially the same for the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel, whichever is (1) to (6). Display device described in Crab.
  • the sub-pixel is provided with a resonator structure that resonates the light generated in the organic light emitting layer.
  • the plurality of sub-pixels include a plurality of red sub-pixels, a plurality of green sub-pixels, and a plurality of blue sub-pixels.
  • the thickness of the protective layer on the separated first cathode electrode is one of (1) to (6) different for each of the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel.
  • the display device described. (9) The display device according to any one of (1) to (8), wherein the first cathode electrode and the second cathode electrode are connected outside the light emitting region of the sub-pixel. (10) The number of connecting portions between the first cathode electrode and the second cathode electrode is one or two or more with respect to one sub-pixel according to any one of (1) to (9). Display device. (11)
  • the second cathode electrode has a plurality of contact portions and has a plurality of contact portions.
  • the display device according to any one of (1) to (9), wherein one contact portion is connected to two or more of the sub-pixels.
  • the first cathode electrode has a facing surface facing the second cathode electrode.
  • the display device according to any one of (1) to (12), wherein the connecting portion between the first cathode electrode and the second cathode electrode is provided along the peripheral edge of the facing surface.
  • (14) The display device according to any one of (1) to (11), wherein the second cathode electrode is connected to an end portion of the first cathode electrode.
  • the first cathode electrode has a protruding portion protruding from the peripheral edge of the light emitting region of the light emitting element.
  • the display device according to any one of (1) to (12), wherein the second cathode electrode is connected to the first cathode electrode at the protruding portion.
  • the light emitting element has a notch on the peripheral edge of the light emitting region of the light emitting element.
  • the display device according to any one of (1) to (12), wherein the second cathode electrode is connected to the first cathode electrode at the notch.
  • the protective layer has a plurality of air gaps and has a plurality of air gaps.
  • the display device according to any one of (1) to (16), wherein each of the plurality of air gaps is provided between adjacent sub-pixels.
  • the display device according to claim 1, further comprising a protective layer covering the second cathode electrode.
  • a plurality of light emitting elements including a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode, and the second electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode are separated for each sub-pixel.
  • a third electrode provided on the protective layer is provided.
  • the third electrode is a display device connected to each of the separated second electrodes.
  • An electronic device including the display device according to any one of (1) to (19).
  • Display device 11 Substrate 12R, 12B, 12G, 12W Light emitting element 13 Insulation layer 14, 15 Protective layer 14A, 15A First protective layer 14B, 15B Second protective layer 14C Air gap 14H Contact hole 16 Color filter 16R Red filter 16G Green filter 16B Blue filter 17R, 17G, 17B Resonator structure 100R, 100G, 100B Sub-pixel 101 Light emitting area 102 Protruding part 103 Notch part 110A Display area 110B Peripheral area 111 Signal line drive circuit 111A Signal line 112 Scan line drive circuit 112A Scanning line 121 Anode electrode 122 Organic layer 122K Hole injection layer 122L Hole transport layer 122M Organic light emitting layer 122N Electron transport layer 123 First cathode electrode 123A Protruding part 124 Second cathode electrode 124A Contact part 124B Connection part 124C Shared Connection part 310 Digital still camera (electronic device) 320 Head-mounted display (electronic device) 330 Television

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Abstract

表示装置は、アノード電極と、有機発光層と、第１のカソード電極とを備える。アノード電極、有機発光層および第１のカソードが副画素毎に分離されている複数の発光素子と、複数の発光素子を覆う保護層と、保護層上に設けられた第２のカソード電極とを備える。第２のカソード電極は、分離された各第１のカソード電極に接続されている。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
　近年、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子を用いた表示装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、画素毎に離隔して形成された第１の電極の上に、少なくとも有機発光層を含む有機層および第２の電極が積層された構造を有する。１つの画素は、ＲＧＢ等の複数の副画素で構成されている。
　特許文献１では、上部電極が、第１の上部電極と、第１の上部電極上に直接設けられた第２の上部電極とにより構成された有機発光装置が提案されている。
特開２０１６－０２１３８０号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された有機発光装置では、第１の上部電極や第２の上部電極のパターニング工程等において、有機発光層が、プロセスガスや薬液等に曝されて、ダメージを受け、劣化する。このため、特許文献１に記載された有機発光装置では、信頼性が低下するという問題がある。
　本開示の目的は、信頼性の低下を抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の開示は、アノード電極と、有機発光層と、第１のカソード電極とを備え、アノード電極、有機発光層および第１のカソードが副画素毎に分離されている複数の発光素子と、複数の発光素子を覆う保護層と、保護層上に設けられた第２のカソード電極とを備え、第２のカソード電極は、分離された各第１のカソード電極に接続されている表示装置である。
　第２の開示は、第１の電極と、有機発光層と、第２の電極とを備え、第２の電極、有機発光層および第２の電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、複数の発光素子を覆う保護層と、保護層上に設けられた第３の電極とを備え、第３の電極は、分離された各第２の電極に接続されている表示装置である。
　第３の開示は、第1の開示または第２の開示の表示装置を備える電子機器である。
　保護層は、コンタクト孔を有し、第２のカソード電極は、分離された各第１のカソード電極にコンタクト孔を介して接続されていてもよい。
　副画素の形状は、略楕円形、略六角形、略正方形または略長方形であってもよい。
　複数の発光素子は、赤色光を放射可能に構成された複数の第１の発光素子と、緑色光を放射可能に構成された複数の第２の発光素子と、青色光を放射可能に構成された複数の第３の発光素子とを含んでいてもよい。
　複数の発光素子は、白色光を放射可能に構成されていてもよい。
　第１のカソード電極、第２のカソード電極はそれぞれ独立に、透明な金属酸化物、金属または合金を含んでいてもよい。金属酸化物は、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、アルミニウム－亜鉛酸化物（ＡＺＯ）およびガリウム－亜鉛酸化物（ＧＺＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。金属は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）およびストロンチウム（Ｓｒ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。合金は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とＡｇの合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）との合金、およびアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
　第１のカソード電極は、透明な金属酸化物を含み、第２のカソード電極は、金属または合金を含んでいてもよい。この場合、アノード電極と第２のカソード電極とにより共振器構造が副画素毎に構成されていてもよい。
　第１のカソード電極は、金属または合金を含み、第２のカソード電極は、透明な金属酸化物を含んでいてもよい。この場合、アノード電極と第１のカソード電極とにより共振器構造が副画素毎に構成されていてもよい。
　保護層は、無機酸化物および有機絶縁材料のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。無機酸化物は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
　保護層は、単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。多層膜は、第１から第ｎの層を備え、これらの第１から第ｎの層は、互いに異なる材料、例えば互いに異なる無機酸化物または有機絶縁材料を含んでいてもよい。
　複数の副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、分離された第１のカソード電極上における保護層の厚さは、赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素でほぼ同一であってもよい。
　副画素には、有機発光層で発生した光を共振させる共振器構造が設けられ、複数の副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、分離された第１のカソード電極上における保護層の厚さは、赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素毎に異なっていてもよい。この場合、共振器構造は、アノード電極と第２のカソード電極とにより構成されていてもよい。
　第１のカソード電極と第２のカソード電極とは、副画素の発光領域外で接続されていてもよい。
　第１のカソード電極と第２のカソード電極の接続部の個数は、１個の副画素に対して１個または２個以上であっていてもよい。第１のカソード電極と第２のカソード電極の間の導電性を向上する観点からすると、第１のカソード電極と第２のカソード電極の接続部の個数は、１個の副画素に対して２個以上であることが好ましい。
　第２のカソード電極は、複数のコンタクト部を有し、１個のコンタクト部は、２個以上の副画素に接続されていてもよい。
　第１のカソード電極と第２のカソード電極の接続部は、点状または線状を有していてもよい。ここで、点状または線状は、表示装置の表示面に垂直方向から接続部を平面視した場合の形状である。点状の接続部は、略三角形、略四角形、略円形、略六角形、略八角形または線状であってもよい。
　第１のカソード電極は、第２のアノード電極と対向する対向面を有し、線状の接続部は、対向面の周縁に沿って設けられていてもよい。
　第２のカソード電極は、第１のカソード電極の端部に接続されていてもよい。
　第１のカソード電極は、発光素子の発光領域の周縁に対して突出した突出部を有し、第２のカソード電極は、突出部において第１のカソード電極に接続されていてもよい。
　発光素子は、当該発光素子の発光領域の周縁に切り欠き部を有し、第２のカソード電極は、切り欠き部において第１のカソード電極に接続されていてもよい。
　保護層は、複数のエアギャップを有し、これらの複数のエアギャップはそれぞれ、隣接する副画素間に設けられていてもよい。
　表示装置は、第２のカソード電極を覆う保護層をさらに備えていてもよい。
　表示装置は、複数の発光素子に対向して設けられたカラーフィルタをさらに備えていてもよいし、複数の発光素子上に設けられたオンチップカラーフィルタをさらに備えていてもよい。
　第１の電極がアノード電極であり、第２の電極、第３の電極がそれぞれ第１のカソード電極、第２のカソード電極であってもよいし、第１の電極がカソード電極であり、第２の電極、第３の電極がそれぞれ第１のアノード電極、第２のアノード電極であってもよい。
本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す平面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 図３ＡのＩＶ線―ＩＶ線に沿った断面図である。 図２に示した有機層を拡大して表す断面図である。 保護層の変形例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 副画素の変形例を示す平面図である。 副画素の変形例を示す平面図である。 副画素の変形例を示す平面図である。 図１１ＡのＸII－ＸII線に沿った断面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の形状例を示す平面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 接続部の変形例を示す平面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 表示装置の変形例を示す断面図である。 モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。 デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 副画素の形状例を示す平面図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。
　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１　第１の実施形態
　１．１　表示装置の構成
　１．２　表示装置の製造方法
　１．３　作用効果
　１．４　変形例
２　第２の実施形態
　２．１　表示装置の構成
　２．２　表示装置の製造方法
　２．３　作用効果
　２．４　変形例
３　第３の実施形態
　３．１　表示装置の構成
　３．２　表示装置の製造方法
　３．３　作用効果
　３．４　変形例
４　応用例
＜１　第１の実施形態＞
［１．１　表示装置の構成］
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０（以下、単に「表示装置１０」という。）の全体構成の一例を示す平面図である。表示装置１０は、各種の電子機器に用いて好適なものであり、基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。表示領域１１０Ａ内には、複数の副画素（サブピクセル）１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状に配置されている。副画素１００Ｒは赤色を表示し、副画素１００Ｇは緑色を表示し、副画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、赤色、緑色、青色の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、副画素１００という。
　周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択された副画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。走査線駆動回路１１２は、各副画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０は、例えば、ＯＬＥＤ、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤまたはＭｉｃｒｏ－ＬＥＤ等の自発光素子をアレイ状に形成したマイクロディスプレイである。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用もしくはＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に用いて好適なものである。
　図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置であり、一主面を有する基板１１と、基板１１の一主面上に設けられた複数の発光素子（第１の発光素子）１２Ｒ、複数の発光素子（第２の発光素子）１２Ｇ、複数の発光素子（第３の発光素子）１２Ｂおよび絶縁層１３と、複数の発光素子１２Ｒ、複数の発光素子１２Ｇおよび複数の発光素子１２Ｂを覆う保護層１４と、保護層１４上に設けられた第２のカソード電極１２４と、第２のカソード電極１２４を覆う保護層１５とを備える。表示装置１０が、必要に応じて、保護層１５上に設けられた充填樹脂層（図示せず）と、充填樹脂層上に設けられた対向基板（図示せず）とをさらに備えていてもよい。なお、保護層１５側がトップ側となり、基板１１側がボトム側となる。なお、以下の説明において、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを特に区別しない場合には、発光素子１２という。
　図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄはそれぞれ、副画素１００の形状例を示す平面図である。第１の実施形態では、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂはそれぞれ、発光素子１２Ｒ、発光素子１２Ｇ、発光素子１２Ｂにより構成されている。副画素１００の形状は、例えば、略楕円形（図３Ａ参照）、略六角形（図３Ｂ参照）、略正方形（図３Ｃ参照）または略長方形（図３Ｄ参照）等である。２以上の形状が組み合わされて用いられてもよい。本明細書において長方形とは、２つの長辺と２つの短辺とを備え、４つの内角が直角である四角形を意味する。すなわち、長方形から正方形は除かれる。また、略楕円形、略六角形、略正方形、略長方形等の形状には、楕円形、六角形、正方形、長方形等の形状の周縁の一部が突出した形状等（図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ等参照）や、楕円形、六角形、正方形、長方形等の形状の周縁の一部が切り欠かれた形状等（図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ等参照）も含まれるものとする。なお、図１では、副画素１００が、略正方形である例が示されている。
　副画素１００は、規定のパターンで２次元配列されている。例えば、略楕円形を有する複数の副画素１００は、各副画素１００の長軸方向が揃うように千鳥状に配置されていてもよい（図３Ａ参照）。略六角形を有する複数の副画素１００は、ハニカム状に配列されてもよい（図３Ｂ参照）。略正方形を有する複数の副画素１００は、マトリクス状に配列されてもよい（図３Ｃ参照）。略長方形を有する複数の副画素１００はストライプ状に配列されてもよい（図３Ｄ参照）。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、繰り返し行方向に配置されていてもよい。隣接する３つの副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせにより、一つの画素（ピクセル）が構成される。
　副画素１００、すなわち発光素子１２は、発光領域１０１を有する。発光領域１０１は、副画素１００と同様の形状を有していてもよい。すなわち、略楕円形、略六角形、略正方形、略長方形を有する副画素１００はそれぞれ、略楕円形、略六角形、略正方形、略長方形の発光領域１０１を有していてもよい。
（発光素子）
　複数の発光素子１２は、基板１１の一主面に規定のパターンで２次元配置されている。複数の発光素子１２は、複数の発光素子１２Ｒ、複数の発光素子１２Ｇ、複数の発光素子１２Ｂを含む。発光素子１２Ｒは、赤色光を放射可能に構成された赤色ＯＬＥＤである。発光素子１２Ｇは、緑色光を放射可能に構成された緑色ＯＬＥＤである。発光素子１２Ｂは、青色光を放射可能に構成された青色ＯＬＥＤである。発光素子１２が、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）またはＭｉｃｒｏ－ＬＥＤであってもよい。
　発光素子１２Ｒは、基板１１上に設けられたアノード電極１２１と、アノード電極１２１上に設けられた有機層１２２Ｒと、有機層１２２Ｒ上に設けられた第１のカソード電極１２３とを備える。発光素子１２Ｇは、基板１１上に設けられたアノード電極１２１と、アノード電極１２１上に設けられた有機層１２２Ｇと、有機層１２２Ｇ上に設けられた第１のカソード電極１２３とを備える。発光素子１２Ｂは、基板１１上に設けられたアノード電極１２１と、アノード電極１２１上に設けられた有機層１２２Ｂと、有機層１２２Ｂ上に設けられた第１のカソード電極１２３とを備える。なお、以下の説明において、有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂを特に区別しない場合には、有機層１２２という。
（基板）
　基板１１は、一主面に配列された複数の発光素子１２を支持する支持体である。また、図示しないが、基板１１には、複数の発光素子１２の駆動を制御するサンプリング用トランジスタおよび駆動用トランジスタを含む駆動回路、ならびに複数の発光素子１２に電力を供給する電源回路等が設けられていてもよい。
　基板１１は、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１は、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラス、もしくは石英ガラス等のガラス基板、アモルファスシリコン、もしくは多結晶シリコン等の半導体基板、またはポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、もしくはポリエチレンナフタレート等の樹脂基板等であってもよい。
（アノード電極）
　アノード電極１２１は、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。アノード電極１２１は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい金属層によって構成されていることが、発光効率を高める上で好ましい。金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を含む。合金の具体例としては、ＡｌＮｉ合金またはＡｌＣｕ合金等が挙げられる。アノード電極１２１が、金属層の積層膜により構成されていてもよい。
（第１のカソード電極、第２のカソード電極）
　第１のカソード電極１２３は、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。第１のカソード電極１２３は、第２のカソード電極１２４と対向する対向面１２３Ｓを有する。第１のカソード電極１２３は、有機層１２２で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射膜も含まれるものとする。
　第２のカソード電極１２４は、表示領域１１０Ａ内においてすべての副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通の電極として設けられている。第２のカソード電極１２４は、副画素１００毎に分離された第１のカソード電極１２３に接続されている。具体的には、第２のカソード電極１２４は、複数のコンタクト部１２４Ａを有し、これらの複数のコンタクト部１２４Ａがそれぞれ、副画素１００毎に分離された第１のカソード電極１２３に接続されている。コンタクト部１２４Ａは、第１のカソード電極１２３に接続される接続部１２４Ｂを先端に有している。接続部１２４Ｂの個数は、例えば、１個の副画素１００に対して１個である。１個のコンタクト部１２４Ａは、例えば、１個の副画素１００に対して接続されている。
　接続部１２４Ｂは、第１のカソード電極１２３の対向面１２３Ｓの一部分に接続されている。接続部１２４Ｂは、副画素１１０の発光領域１０１の外に設けられていることが好ましい。接続部１２４Ｂがこのような位置に設けられていることで、発光領域１０１の面積の減少を抑制することができる。したがって、表示装置１０の輝度低下を抑制することができる。また、コンタクト部１２４Ａの形成時における有機層１２２へのダメージを抑制することができる。
　図４は、図３ＡのＩＶ線―ＩＶ線に沿った断面図である。但し、図３Ａでは、図４に図示されている一部の構成部材（保護層１４、保護層１５等）の図示を省略している。副画素１００は、発光領域１０１の周縁の一部に対して突出した突出部１０２を有している。突出部１０２の突出の方向は、表示装置１０の面内方向である。突出部１０２は、第２のカソード電極１２４が発光領域１０１の周縁に対して突出することにより構成されている。有機層１２２が、第２のカソード電極１２４と共に発光領域１０１の周縁に対して突出していてもよい。第２のカソード電極１２４のコンタクト部１２４Ａは、突出部１０２において第１のカソード電極１２３に接続されている。突出部１０２は、行方向に向かって千鳥状に配置されていてもよいし（図３Ａ、図３Ｂ参照）、行方向に延びる直線上に配置されていてもよい（図３Ｃ、図３Ｄ参照）。
　図３Ａに示すように、突出部１０２が略楕円形を有する場合、突出部１０２は、略楕円形の副画素１００の短軸の一端に設けられていてもよい。図３Ｂに示すように、突出部１０２が略六角形を有する場合、突出部１０２は、略六角形の副画素１００の一つの角部に設けられていてもよい。図３Ｃに示すように、突出部１０２が略正方形を有する場合、突出部１０２は、略正方形の副画素１００の一つの角部の近傍に設けられていてもよい。図３Ｄに示すように、突出部１０２が略長方形を有する場合、突出部１０２は、略長方形の副画素１００の一つの短辺に設けられていてもよい。図３Ｄでは、短辺全体が突出した例が示されているが、短辺のうちの一部が突出していてもよい。
　図３Ａから図３Ｄに示すように、コンタクト部１２４Ａが有する接続部１２４Ｂは、点状を有していてもよい。表示装置１０の表示面に垂直方向から接続部１２４Ｂを平面視すると、点状の接続部１２４Ｂは、略正方形または略長方形等の略四角形を有していてもよい。接続部１２４Ｂの個数は、１個の副画素１００に対して１個であることが好ましい。この場合、接続部１２４Ｂを設けたことにより、発光領域１０１の面積が低下することを抑制することができる。したがって、表示装置１０の輝度低下を抑制することができる。
　第１のカソード電極１２３、第２のカソード電極１２４はそれぞれ独立に、例えば、透明な金属酸化物、金属または合金を含む。透明な金属酸化物は、例えば、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、アルミニウム－亜鉛酸化物（ＡＺＯ）およびガリウム－亜鉛酸化物（ＧＺＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。金属は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）およびストロンチウム（Ｓｒ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。合金は、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）の合金、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）との合金、およびアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。
　第１のカソード電極１２３は、透明な金属酸化物（例えばＩＺＯ等の透明導電材料）を含み、第２のカソード電極１２４は、金属または合金（例えばＭｇＡｇの等の高反射率材料）を含んでいてもよい。第１のカソード電極１２３および第２のカソード電極１２４がこのような構成を有する場合、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ、アノード電極１２１と第２のカソード電極１２４とにより共振器構造が構成されていてもよい。
　第１のカソード電極１２３は、金属または合金（例えばＭｇＡｇの等の高反射率材料）を含み、第２のカソード電極１２４は、透明な金属酸化物（例えばＩＺＯ等の透明導電材料）を含んでいてもよい。第１のカソード電極１２３および第２のカソード電極１２４がこのような構成を有する場合、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ、アノード電極１２１と第１のカソード電極１２３とにより共振器構造が構成されていてもよい。なお、共振器構造の詳細について、後述の変形例２において説明する。
（絶縁層）
　絶縁層１３は、アノード電極１２１を副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層１３は、アノード電極１２１の間に設けられると共に、アノード電極１２１の周縁部を覆っている。より具体的には、絶縁層１３は、各アノード電極１２１に対応する部分に開口を有しており、アノード電極１２１の上面（第１のカソード電極１２３との対向面）の周縁部からアノード電極１２１の側面（端面）にかけて覆っている。
　絶縁層１３は、例えば、有機材料または無機材料を含む。有機材料は、例えば、ポリイミド樹脂およびアクリル樹脂のうちの少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。
（有機層）
　有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂはそれぞれ、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂはそれぞれ、赤色光、緑色光、青色光を生成するものである。有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂは、同一の層構成を有しているので、以下では有機層１２２Ｒの層構成について説明する。
　図５は、図２に示した有機層１２２Ｒを拡大して表す断面図である。有機層１２２は、アノード電極１２１の側から正孔注入層１２２Ｋ、正孔輸送層１２２Ｌ、有機発光層１２２Ｍ、電子輸送層１２２Ｎがこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１２２の構成はこれに限定されるものではなく、有機発光層１２２Ｍ以外の層は必要に応じて設けられるものである。
　正孔注入層１２２Ｋは、有機発光層１２２Ｍへの正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層１２２Ｌは、有機発光層１２２Ｍへの正孔輸送効率を高めるためのものである。有機発光層１２２Ｍは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を生成するものである。電子輸送層１２２Ｎは、有機発光層１２２Ｍへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１２２Ｎと第１のカソード電極１２３との間には、電子注入層（図示せず）を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。
（保護層）
　保護層１４は、複数の発光素子１２を覆い、保護するためのものである。具体的には、保護層１４は、製造工程において、有機層１２２がプロセスガスや薬液等に曝されて、ダメージを受けることを抑制する。また、保護層１４は、外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制する。第１のカソード電極１２３が金属層により構成されている場合には、保護層１４は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１５は、第２のカソード電極１２４を覆い、保護するためのものである。具体的には、保護層１５は、外部環境から第２のカソード電極１２４への水分の到達、および外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制する。第２のカソード電極１２４が金属層により構成されている場合には、保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１４は、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４の間、および隣接する副画素１００間に設けられている。保護層１４は、当該保護層１４の厚さ方向に貫通する複数のコンタクト孔１４Ｈを有している。コンタクト孔１４Ｈは、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４とを接続するためのものであり、コンタクト孔１４Ｈには、第２のカソード電極１２４が有するコンタクト部１２４Ａが配置されている。コンタクト孔１４Ｈは、発光領域１０１の外に設けられていることが好ましい。コンタクト孔１４Ｈがこのような位置に設けられていることで、発光領域１０１の面積の減少を抑制することができる。したがって、表示装置１０の輝度低下を抑制することができる。また、コンタクト孔１４Ｈの形成時における有機層１２２へのダメージを抑制することができる。
　分離された第１のカソード電極１２３上における保護層１４の厚さは、赤色、緑色、青色の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂでほぼ同一である。
　保護層１４は、例えば、無機酸化物および有機絶縁材料のうちの少なくとも１種を含む。無機酸化物は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。有機絶縁材料は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種を含む。
　図２では、保護層１４、１５が、単層膜である例が示されているが、図６に示すように、保護層１４が、多層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。多層膜を構成する各層は、互いに異なる材料を含むことが好ましい。各層間でピンホールが繋がって形成されることを抑制することができるからである。
　多層膜としての保護層１４は、例えば、第１の保護層１４Ａと第２の保護層１４Ｂとを備える。第１の保護層１４Ａと第２の保護層１４Ｂとは、互いに異なる材料を含むことが好ましい。第１の保護層１４Ａに発生したピンホールが、第２の保護層１４Ｂにも繋がって形成されることを抑制することができるからである。多層構造の保護層１５は、例えば、第１の保護層１５Ａと第２の保護層１５Ｂとを備える。第１の保護層１５Ａと第２の保護層１５Ｂとは、互いに異なる材料を含むことが好ましい。第１の保護層１５Ａに発生したピンホールが、第２の保護層１５Ｂにも繋がって形成されることを抑制することができるからである。
　第１の保護層１４Ａおよび第１の保護層１５Ａは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む。第２の保護層１４Ｂおよび第２の保護層１５Ｂは、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）を含む。第２の保護層１４Ｂおよび第２の保護層１５Ｂは、原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）により成膜されていることが好ましい。
　上記説明では、多層構造の保護層１４および保護層１５が、２層の保護層を備える例について説明したが、２層以上の保護層を備えるようにしてもよい。
［１．２　表示装置の製造方法］
　以下、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄおよび図７Ｅを参照して、上述の構成を有する表示装置１０の製造方法について説明する。
　まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板１１の一主面に駆動回路等を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子１２毎（すなわち副画素１００毎）に分離されたアノード電極１２１を形成する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、絶縁層１３を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、絶縁層１３をパターニングする。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２２Ｋ、正孔輸送層１２２Ｌ、有機発光層１２２Ｍ、電子輸送層１２２Ｎをアノード電極１２１上に順次積層することにより、有機層１２２Ｒを形成する。次に、例えばスパッタリング法により、第１のカソード電極１２３を有機層１２２Ｒの上に形成する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、ハードマスクとしての第１の保護層１４Ａを第１のカソード電極１２３上に形成する。次に、第１の保護層１４Ａ上にレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、フォトリソグラフィによりレジスト層を加工し、レジストパターンを形成したのち、ハードマスクとしての第１の保護層１４Ａをレジストパターン越しにエッチングする。その後、レジストパターンを除去する。
　次に、第１の保護層１４Ａをハードマスクとして有機層１２２Ｒおよび第１のカソード電極１２３をエッチングする。これにより、図７Ａに示すように、副画素１００毎に分離された有機層１２２Ｒおよび第１のカソード電極１２３がアノード電極１２１上に形成され、複数の発光素子１２Ｒが得られる。
　次に、上述の発光素子１２Ｒの形成工程と同様の手順で、図７Ａに示すように、複数の発光素子１２Ｇおよび複数の発光素子１２Ｂを基板１１の一主面に形成する。次に、例えばＣＶＤ法により、図７Ｂに示すように、複数の発光素子１２を覆うように第２の保護層１４Ｂを形成する。これにより、第１の保護層１４Ａと第２の保護層１４Ｂとの積層膜である保護層１４が形成される。次に、第２の保護層１４Ｂ上にレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、フォトリソグラフィによりレジスト層を加工し、レジストパターンを形成したのち、保護層１４をレジストパターン越しにエッチングする。これにより、図７Ｃに示すように、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４を接続するためのコンタクト孔１４Ｈが保護層１４に形成される。次に、レジストパターンを除去する。
　次に、例えばスパッタリング法により、図７Ｄに示すように、コンタクト孔１４Ｈに倣うように保護層１４上に第２のカソード電極１２４を形成する。次に、例えばＣＶＤ法により、図７Ｅに示すように、コンタクト孔１４Ｈを埋めるように保護層１５を第２のカソード電極１２４上に形成する。以上により、図２に示す表示装置１０が得られる。
［１．３　作用効果］
　上述の第１の実施形態に係る表示装置１０は、保護層１４が、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４の間に設けられている。これにより、有機層１２２および第１のカソード電極１２３のエッチング工程等において、有機層１２２がプロセスガスや薬液等に曝されることを保護層１４により抑制することができる。すなわち、有機層１２２がダメージを受けることを抑制することができる。したがって、表示装置１０の信頼性の低下を抑制することができる。
　また、アノード電極１２１、有機発光層１２２Ｍおよび第１のカソード電極１２３が副画素１００毎に分離され、絶縁性を有する保護層１４が各副画素１００の間に設けられている。これにより、隣接する副画素１００間でのリーク電流を抑制することができる。したがって、混色を抑制し、色再現性の向上することができる。また、発光効率も向上することができる。よって、表示装置１０の特性を向上することができる。
　また、第２のカソード電極１２４はコンタクト部１２４Ａを介して第１のカソード電極１２３の突出部１０２に接続されているので、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４の接触抵抗を低減することができる。
［１．４　変形例］
（変形例１）
　上述の第１の実施形態では、表示装置１０が、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ放射可能に構成された複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを備える例について説明したが、カラー化の方式はこれに限定されるものではない。例えば、図８Ａに示すように、表示装置１０が、複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂに代えて、白色光を放射可能に構成された複数の発光素子１２Ｗとカラーフィルタ１６を備えるようにしてもよい。発光素子１２Ｗは、例えば、白色ＯＬＥＤ、Ｍｉｃｒｏ－白色ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）またはＭｉｃｒｏ－白色ＬＥＤである。
　カラーフィルタ１６は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）であり、保護層１５上に設けられている。カラーフィルタ１６は、例えば、赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを備える。赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇ、青色フィルタ１６Ｂはそれぞれ、副画素１００Ｒの発光素子１２Ｗ、副画素１００Ｇの発光素子１２Ｗ、副画素１００Ｂの発光素子１２Ｗに対向して設けられている。これにより、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂ内の各発光素子１２Ｗから発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ間、すなわち各色の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ間の領域には、遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。
　上述の変形例１では、保護層１４、１５が単層構造を有する例について説明したが、図８Ｂに示すように、保護層１４が多層構造を有するようにしてもよいし、保護層１５が多層構造を有するようにしてもよい。
　上述の変形例１では、カラーフィルタ１６がオンチップカラーフィルタである例について説明したが、対向基板の一主面に設けられた対向カラーフィルタであってもよい。
（変形例２）
　図９Ａに示すように、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂが設けられていてもよい。共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂは、規定の波長の光を共振させ強調し、出射する。具体的には、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂはそれぞれ、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ、具体的には有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂで発生した赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢを共振させ、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢを強調し、出射する。上述のように副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂをさらに備えることで、色純度を向上し、かつ、高輝度を実現することができる。
　共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂは、アノード電極１２１と第２のカソード電極１２４とにより構成されている。分離された第１のカソード電極１２３上における保護層１４の厚さは、赤色、緑色、青色の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に異なっている。具体的には、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂそれぞれの保護層１４の厚さは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ表示すべき色に応じて異なっている。保護層１４がこのように異なる厚さを有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずるように、アノード電極１２１と第２のカソード電極１２４との間の光学的距離を設定することができる。
　第２のカソード電極１２４は、半透過反射膜として機能することが好ましい。第２のカソード電極１２４は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、これらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、または、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金等を含むことが好ましい。第１のカソード電極１２３は、透明な金属酸化物を含むことが好ましい。
　図９Ｂに示すように、表示装置１０が、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に上記共振器構造１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを備えると共に、変形例１で説明したカラーフィルタ１６をさらに備えるようにしてもよい。この場合、色再現性をさらに向上することができる。
　上述の変形例２では、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂが、アノード電極１２１と第２のカソード電極１２４とにより構成されている例について説明したが、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂが、アノード電極１２１と第１のカソード電極１２３とにより構成されていてもよい。この場合、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂそれぞれの有機層１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂの厚さは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ表示すべき色に応じて異なっている。保護層１４がこのように異なる厚さを有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずるように、アノード電極１２１と第１のカソード電極１２３との間の光学的距離を設定することができる。
　上記のように、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂがアノード電極１２１と第１のカソード電極１２３とにより構成されている場合、第１のカソード電極１２３は、半透過反射膜として機能することが好ましい。第２のカソード電極１２４は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、これらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、または、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金等を含むことが好ましい。第２のカソード電極１２４は、透明な金属酸化物を含むことが好ましい。
（変形例３）
　上述の変形例２では、表示装置１０が、赤色、緑色、青色の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂと、これらの発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂが発生した規定の波長の光を共振させる共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂとを備える例について説明したが、図１０Ａに示すように、発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂに代えて、発光素子１２Ｗを備えるようにしてもよい。この場合、共振器構造１７Ｒ、１７Ｒ、１７Ｂはそれぞれ、発光素子１２Ｗ、具体的には有機層１２２Ｗが発生した白色光に含まれる赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧ、青色光ＬＢを共振させ、外部に放出する。
　上述の変形例３の構成が用いられることで、表示装置１０が、赤色、緑色、青色の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂまたはカラーフィルタ１６を備えていなくても、フルカラー表示等を行うことができる。
　図１０Ｂに示すように、表示装置１０が、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に上記共振器構造１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを備えると共に、変形例１で説明したカラーフィルタ１６をさらに備えるようにしてもよい。この場合、色再現性をさらに向上することができる。
（変形例４）
　上述の第１の実施形態では、副画素１００が、発光領域１０１の周縁に対して突出した突出部１０２を有する例について説明したが、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃに示すように、発光領域１０１の周縁の一部を切り欠く切り欠き部（凹状部）１０３を有していてもよい。
　図１１Ａは、切り欠き部１０３を有する略楕円形の副画素１００の例を示す平面図である。切り欠き部１０３は、例えば、略楕円形の短軸の一端に設けられている。
　図１１Ｂは、切り欠き部１０３を有する略六角形の副画素１００の例を示す平面図である。切り欠き部１０３は、例えば、略六角形の一つの角部に設けられている。
　図１１Ｃは、切り欠き部１０３を有する略正方形の副画素１００の例を示す平面図である。切り欠き部１０３は、例えば、略正方形の一つの角部の近傍に設けられている。
　各副画素１００の切り欠き部１０３は、行方向に向かって千鳥状に配置されていてもよいし（図１１Ａ、図１１Ｂ参照）、行方向に延びる直線上に配置されていてもよい（図１１Ｃ参照）。
　図１２は、図１１ＡのＸII線―ＸII線に沿った断面図である。但し、図１１Ａでは、図１２に図示されている一部の構成部材（保護層１４、保護層１５等）の図示を省略している。切り欠き部１０３は、アノード電極１２１の周縁の一部を第１のカソード電極１２３の周縁の内側にへこませることにより構成されている。有機層１２２は、切り欠き部１０３の第１のカソード電極１２３の下に設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。図１２では、前者の例が示されている。第２のカソード電極１２４が有するコンタクト部１２４Ａは、切り欠き部１０３において第１のカソード電極１２３に接続されている。
（変形例５）
　上述の第１の実施形態では、コンタクト部１２４Ａが有する接続部１２４Ｂは略正方形を有する例について説明したが、接続部１２４Ｂの形状は略正方形に限定されるものではない。例えば、接続部１２４Ｂは、略三角形（図１３Ａ参照）、略六角形（図１３Ｂ参照）または略八角形（図１３Ｃ参照）等の略多角形を有していてもよいし、略円形（図１３Ｄ参照）を有していてもよい。
（変形例６）
　上述の第１の実施形態では、第２のカソード電極１２４の接続部１２４Ｂが点状を有する例について説明したが、図１４に示すように、接続部１２４Ｂが線状を有していてもよい。例えば、副画素１００が略正方形等の略四角形を有する場合には、線状の接続部１２４Ｂは、略四角形の副画素１００の対角線上に設けられていてもよい。
（変形例７）
　上述の第１の実施形態では、接続部１２４Ｂの個数が、１個の副画素１００に対して１個である例について説明したが、図１５に示すように、１個の副画素１００に対して２個以上であってもよい。この場合、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４との接触抵抗をさらに低減することができる。
　例えば、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄに示すように、略楕円形、略六角形、略正方形または略長方形の副画素１００が有する１個の突出部１０２に、２個以上の接続部１２４Ｂが接続されていてもよい。あるいは、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃに示すように、略楕円形、略六角形または略正方形の副画素１００が有する１個の切り欠き部１０３に、２個以上の接続部１２４Ｂが接続されていてもよい。
　上述の例では、副画素１００が１個の突出部１０２を有し、１個の突出部１０２に対して２個以上の接続部１２４Ｂが接続された例について説明したが、副画素１００が２個以上の突出部１０２を有し、各突出部１０２に対して１個または２個以上の接続部１２４Ｂが接続されるようにしてもよい。
（変形例８）
　上述の第１の実施形態では、１個のコンタクト部１２４Ａが、１個の副画素１００に対して接続されている例について説明したが、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、１個のコンタクト部１２４Ａが、隣接する２個以上の副画素１００、具体的には例えば、隣接する２個、３個または４個の副画素１００に接続され、２個以上の副画素１００で共用されていてもよい。１個のコンタクト部１２４Ａが２個以上の副画素１００に接続されていることで、発光領域１０１の面積の減少を抑制することができる。したがって、表示装置１０の輝度低下を抑制することができる。また、コンタクト部１２４Ａの個数を減少させることができるので、コンタクト部１２４Ａの形成時における有機層１２２へのダメージを抑制することができる。コンタクト部１２４Ａは、隣接する２個以上の副画素１００に接続され、共用される１個の共用接続部１２４Ｃを有する。保護層１４には、２個以上の副画素１００に対して１個のコンタクト孔１４Ｈが設けられていてもよい。
　図１８Ａは、１個のコンタクト部１２４Ａが有する共用接続部１２４Ｃが、隣接する４個の副画素１００に接続され、４個の副画素１００で共用されている例が示されている。図１８Ａでは、切り欠き部１０３が略三角形である例が示されているが、図１８Ｂに示すように、切り欠き部１０３が略四角形であってもよい。
　図１８Ａ、図１８Ｂでは、切り欠き部１０３に対して共用接続部１２４Ｃが接続されている例が示されているが、突出部１０２に対して共用接続部１２４Ｃが接続されていてもよい。図１８Ａ、図１８Ｂでは、接続部１２４Ｂが略正方形である例が示されているが、略正方形以外の略多角形、略円形または線状等であってもよい。
（変形例９）
　上述の第１の実施形態では、コンタクト部１２４Ａが点状の接続部１２４Ｂを有し、この点状の接続部１２４Ｂが、副画素１００が有する突出部１０２に接続された例について説明したが、接続部１２４Ｂの形状および接続形態はこれに限定されるものではない。
　図１９は、接続部１２４Ｂの形状および接続形態の変形例を示す断面図である。図２０Ａは、接続部１２４Ｂの形状および接続形態の変形例を示す平面図である。図１９、図２０Ａに示すように、コンタクト部１２４Ａが線状の接続部１２４Ｂを有していてもよい。線状の接続部１２４Ｂは、第１のカソード電極１２３の対向面１２３Ｓの周縁に沿って設けられていてもよい。
　図２０Ａでは、略楕円形の副画素１００に略楕円形の接続部１２４Ｂが設けられた例が示されているが、図２０Ｂ、図２０Ｃ、図２０Ｄに示すように、略六角形、略正方形、略長方形等の略多角形の副画素１００に、略六角形、略正方形、略長方形等の略多角形の接続部１２４Ｂが設けられていてもよい。図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃ、図２０Ｄでは、線状の接続部１２４Ｂが第１のカソード電極１２３の対向面１２３Ｓの周縁に沿って連続的に設けられた例が示されているが、不連続的に設けられていてもよい。
（変形例１０）
　上述の変形例９では、コンタクト部１２４Ａが、第１のカソード電極１２３の対向面１２３Ｓに接続された例について説明したが、図２１に示すように、第１のカソード電極１２３の端部（側面）に接続されていてもよい。コンタクト部１２４Ａは、図２２Ａ、図２２Ｂ、図２２Ｃに示すように、略正方形、略長方形、略六角形等の副画素１００が有する第１のカソード電極１２３の端部（側面）の全周囲にて第１のカソード電極１２３と接続されていてもよいし、第１のカソード電極１２３の端部（側面）の全周囲のうちの一部にて第１のカソード電極１２３と接続されていてもよい。コンタクト部１２４Ａの先端は、隣接する副画素１００の間に配置されていてもよい。
　表示装置１０が変形例１０の構成を有していることで、第２のカソード電極１２４を第１のカソード電極１２３に接続するための接続部分（例えば、突出部１０２（図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃおよび図３Ｄ参照）、切り欠き部１０３（図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃ参照））を副画素１００毎に別途設ける必要がなくなる。したがって、変形例１０の構成を有する表示装置１０では、別途接続部分を副画素１００毎に設ける表示装置１０に比べて、副画素１００を微細化することができる。
　図２３に示すように、第１のカソード電極１２３が、コンタクト部１２４Ａと交差する突出部１２３Ａを有していてもよい。突出部１２３Ａは、有機層１２２の周縁に対して突出した構成を有していてもよい。第１のカソード電極１２３が突出部１２３Ａを有することで、コンタクト部１２４Ａが、副画素１００の端部（側面）にて第１のカソード電極１２３と接続し易くなる。したがって、コンタクト部１２４Ａと第１のカソード電極１２３の接続不良を抑制することができる。
（変形例１１）
　図２４に示すように、保護層１５が、複数のエアギャップ１５Ｃを有していてもよい。エアギャップ１５Ｃは、隣接する副画素１００の間に設けられる。保護層１５がエアギャップ１５Ｃを有することで、発光素子１２の側方に放射された光を反射し、外部に取り出すことができる。したがって、表示装置１０の輝度を向上することができる。エアギャップ１５Ｃは、発光素子１２を取り囲むように設けられていることが好ましい。エアギャップ１５Ｃは、壁状を有していてもよい。
＜２　第２の実施形態＞
［２．１　表示装置の構成］
　図２９Ｅは、本開示の第２の実施形態に係る表示装置４１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置４１０は、サイドウォール４１１と、保護層４１２と、第２のカソード電極４１３とを備える。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（サイドウォール）
　サイドウォール４１１は、アノード電極１２１の側面および有機層１２２の側面を覆っている。サイドウォール４１１は、絶縁材料により構成されている。絶縁材料としては、第1の実施形態における絶縁層１３と同様の材料を例示することができる。
（保護層）
　保護層４１２は、発光素子１２を保護するためのものである。保護層４１２は、発光素子１２上に設けられている。保護層４１２は、発光素子１２毎に分離されている。保護層４１２の材料としては、第１の実施形態における保護層１４と同様の材料を例示することができる。
（第２のカソード電極）
　第２のカソード電極４１３は、保護層４１２およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆っている。第２のカソード電極４１３は、保護層４１２の側面および第1のカソードの１２３の側面を覆っている。第２のカソード電極４１３は、第１のカソード電極１２３の側面または周縁部と接続されている。
［２．２　表示装置の製造方法］
　以下、図２９Ａ～図２９Ｅを参照して、上記構成を有する表示装置４１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板１１の一主面上に、発光素子１２毎に分離されたアノード電極１２１を形成する。次に、図２９Ａに示すように、有機層１２２、第１のカソード電極１２３、保護層４１２を基板１１の一主面上に順次積層する。
　次に、図２９Ｂに示すように、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および保護層４１２を加工し、発光素子１２毎に分離する。これにより、発光素子１２と保護層４１２とからなる複数の積層体が、基板１１の一主面上に形成される。次に、図２９Ｃに示すように、基板１１の一主面上に絶縁層４１１Ａを形成し、絶縁層４１１Ａにより複数の積層体を覆う。
　次に、図２９Ｄに示すように、例えば異方性エッチングにより、絶縁層４１１Ａを加工し、サイドウォール４１１を形成する。次に、図２９Ｅに示すように、基板１１の一主面上に第２のカソード電極４１３を形成し、保護層４１２およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆う。これにより、第２のカソード電極４１３が、第１のカソード電極１２３の側面または周縁部に接続される。
［２．３　作用効果］
　第２の実施形態に係る表示装置４１０では、コンタクト部１２４Ａを用いて第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極１２４とを接続しないため（図２参照）、コンタクト部１２４Ａによる抵抗増大の影響を受けることがない。
　また、溶液を用いるリソグラフィプロセスを用いずに表示装置４１０を作製することも可能であるため、コンタクト部１２４Ａを用いる構成に比べて歩留りを向上させることができる。露光限界や、コンタクト部１２４Ａとパターンの重ね合わせ等、リソグラフィプロセスに起因する制約を受けることもないため、画素を高精細化することができる。
［２．４　変形例］
（変形例１）
　表示装置４２０が、図３０Ｆに示すように、保護層４１２の側面を覆う側壁部４２１を備えていてもよい。側壁部４２１は、補助電極であり、導電性を有している。側壁部４２１は、第１のカソード電極１２３の上主面の周縁部に設けられている。第２のカソード電極４１３は、側壁部４２１を覆っており、側壁部４２１を介して第１のカソード電極１２３と電気的に接続されている。図３０Ｆでは、第２のカソード電極４１３が、第１のカソード電極１２３の側面とは接触していない例が示されているが、第２のカソード電極４１３が、第１のカソード電極１２３の側面と接触していてもよい。側壁部４２１は、第１のカソード電極１２３と同様の材料（例えばＩＺＯ等の金属酸化物）により構成されていてもよい。
　以下、図２９Ａ、図３０Ａ～図２９Ｆを参照して、上記構成を有する表示装置４１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板１１の一主面上に、発光素子１２毎に分離されたアノード電極１２１を形成する。次に、図２９Ａに示すように、有機層１２２、第１のカソード電極１２３、保護層４１２を基板１１の一主面上に順次積層する。
　次に、図３０Ａに示すように、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、保護層４１２をパターン加工し、発光素子１２毎に分離する。次に、図３０Ｂに示すように、第１のカソード電極１２３上に導電層４２１Ａ（例えばＩＺＯ層等の金属酸化物層）を形成し、分離された保護層４１２を覆う。
　次に、図３０Ｃに示すように、例えば異方性エッチングにより、導電層４２１Ａが保護層４１２の側壁のみに残るように導電層４２１Ａを加工する。次に、図３０Ｄに示すように、有機層１２２と第１のカソード電極１２３を発光素子１２毎に分離する。次に、図３０Ｅに示すように、発光素子１２の側面を覆うサイドウォール４１１を基板１１の一主面上に形成した後、図３０Ｆに示すように、基板１１の一主面上に第２のカソード電極４１３を形成し、保護層４１２、側壁部４２１およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆う。これにより、第２のカソード電極４１３と側壁部４２１とが接続される。
　変形例１では、第２のカソード電極４１３は、第１のカソード電極１２３の端部、もしくは、第１のカソード電極１２３と繋がる側壁部４２１のいずれかに繋がればよい。すなわち、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極４１３の実効的な接続面積を増加させることができる。したがって、サイドウォール４１１の高さ、第１のカソード電極１２３の膜厚等に製造上のバラつきが生じても、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極４１３の接続を安定して行うことができ、これにより歩留りや信頼性を向上させることができる。
（変形例２）
　上記の第２の実施形態では、表示装置４１０が、単層構造の保護層４１２を備える例について説明したが、図３１Ｇに示すように、２層構造の保護層４３１を備えていてもよい。２層構造の保護層４３１は、第１の保護層４３１Ａと、第２の保護層４３１Ｂとを発光素子１２上に順次備える。
　第１の保護層４３１Ａは、第２の実施形態における保護層４１２と同様である。第２の保護層４３１Ｂは、第１の保護層４３１Ａに比べて難エッチング性を有する層である。第２の保護層４３１Ｂの材料としては、例えば、酸化アルミニウム等の金属酸化物を用いることができる。
　ここでは、保護層４１２が２層構造を有する例について説明したが、保護層４１２が２層以上の積層構造を有していてもよい。この場合、保護層４１２を構成する２層以上の層のうち、最も上に積層される層が、それ以外の層に比べて難エッチング性を有する層であることが好ましい。
　以下、図３１Ａ～図３１Ｇを参照して、上記構成を有する表示装置４１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板１１の一主面上に、発光素子１２毎に分離されたアノード電極１２１を形成する。次に、図３１Ａに示すように、有機層１２２、第１のカソード電極１２３、第１の保護層４３１Ａ、第２の保護層４３１Ｂを基板１１の一主面上に順次積層する。
　次に、図３１Ｂに示すように、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の保護層４３１Ａおよび第２の保護層４３１Ｂをパターン加工し、発光素子１２毎に分離する。これにより、発光素子１２毎に分離された２層構造の保護層４３１が、第１のカソード電極１２３上に形成される。次に、図３１Ｃに示すように、第１のカソード電極１２３上に導電層４２１Ａ（例えばＩＺＯ層等の金属酸化物層）を形成し、分離された保護層４３１を覆う。
　次に、図３１Ｄに示すように、例えば異方性エッチングにより、導電層４２１Ａが保護層４３１の側壁に残るように導電層４２１Ａを加工する。この際、導電層４２１Ａが保護層４３１の側壁にも残るように導電層４２１Ａを加工してもよい。次に、図３１Ｅに示すように、有機層１２２と第１のカソード電極１２３を発光素子１２毎に分離する。
　次に、図３１Ｆに示すように、発光素子１２の側面を覆うサイドウォール４１１を基板１１の一主面上に形成した後、図３１Ｇに示すように、基板１１の一主面上に第２のカソード電極４１３を形成し、保護層４３１、側壁部４２１およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆う。これにより、第２のカソード電極４１３と側壁部４２１とが接続される。
　変形例２では、保護層４３１は、第１の保護層４３１Ａと第２の保護層４３１Ｂと順次備える２層構造を有し、第２の保護層４３１Ｂの構成材料は、第１の保護層４３１Ａの構成材料に比べて難エッチング性を有している。これにより、第１のカソード電極１２３の加工時やサイドウォール４１１を形成する際のオーバーエッチング時に、エッチングに曝されて保護層４３１の膜減りや形状崩れが発生することを抑制することができる。
（変形例３）
　表示装置４２０が、図３２Ｄに示すように、保護層４１２の側面を覆う側壁部４４１を備えていてもよい。側壁部４４１は、第１のカソード電極１２３と同一種類の材料を含む。側壁部４４１と第１のカソード電極１２３との構成材料の組成比は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　側壁部４４１は、デポ膜により構成されていてもよい。デポ膜は、ドライエッチング（例えば異方性エッチング）の際に、保護層４１２の側面に、反応生成物の堆積物によって形成される膜である。
　以下、図２９Ａ、図３２Ａ～図３２Ｄを参照して、上記構成を有する表示装置４１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板１１の一主面上に、発光素子１２毎に分離されたアノード電極１２１を形成する。次に、図２９Ａに示すように、有機層１２２、第１のカソード電極１２３、保護層４１２を基板１１の一主面上に順次積層する。
　次に、図３２Ａに示すように、例えば異方性エッチングにより、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および保護層４１２を加工し、発光素子１２毎に分離する。この際、第１のカソード電極１２３の構成元素を含む導電性のデポ物が、保護層４１２の側面に付着し、側壁部４４１が形成される。これにより、側壁部４４１と保護層４１２と発光素子１２とからなる複数の積層体が基板１１の一主面上に形成される。
　次に、図３２Ｂに示すように、基板１１の一主面上に絶縁層４１１Ａを形成し、絶縁層４１１Ａにより複数の積層体を覆う。次に、図３２Ｃに示すように、例えば異方性エッチングにより、絶縁層４１１Ａを加工し、サイドウォール４１１を形成する。次に、図３２Ｄに示すように、基板１１の一主面上に第２のカソード電極４１３を形成し、側壁部４４１、保護層４１２およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆う。これにより、第２のカソード電極４１３と側壁部４４１とが接続される。
　変形例３では、第２のカソード電極４１３が、デポ膜により構成された側壁部４４１に接続されているので、変形例２と同様の効果を得ることができる。第２のカソード電極４１３は、第１のカソード電極１２３の周縁部と接触していてもよい。
（変形例４）
　図３３Ｂに示すように、保護層４１２の側面が、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部の内側に位置していてもよい。第２のカソード電極４１３は、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部および第１のカソード電極１２３の側面と接触している。
　以下、図２９Ａ～図２９Ｃ、図３３Ａ、図３３Ｂを参照して、上記構成を有する表示装置４１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、アノード電極１２１の形成から絶縁層４１１Ａの形成までの工程を、第２の実施形態に係る表示装置４１０の製造方法と同様に実施する（図２９Ａ～図２９Ｃ参照）。
　次に、図３３Ａに示すように、例えば異方性エッチングにより、絶縁層４１１Ａを加工し、サイドウォール４１１を形成すると共に、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部から保護層４１２の側面を後退させる。
　例えば、サイドウォール４１１と保護層４１２とを同一材料（例えばＳｉＮ）により構成し、さらに、第１のカソード電極１２３（例えばＩＺＯ層）が加工され難いドライエッチング条件を選ぶことで、第１のカソード電極１２３の一主面の周縁部から保護層４１２の側面を後退させることができる。
　次に、図３３Ｂに示すように、基板１１の一主面上に第２のカソード電極４１３を形成し、保護層４１２およびサイドウォール４１１が設けられた発光素子１２を覆う。これにより、第２のカソード電極４１３が、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部および第１のカソード電極１２３の側面と接触される。
　変形例４では、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極４１３の実効的な接続面積を増加させることができる。したがって、サイドウォール４１１の高さ、第１のカソード電極１２３の膜厚等に製造上のバラつきが生じても、第１のカソード電極１２３と第２のカソード電極４１３の接続を安定して行うことができる。よって、歩留りや信頼性を向上させることができる。
（変形例５）
　表示装置４１０は、図３４Ａに示すように、コンタクト部４５１をさらに備えていてもよい。コンタクト部４５１は、第２のカソード電極４１３と下地配線（図示せず）を接続する補助電極である。コンタクト部４５１の上面は、第２のカソード電極４１３の周縁部に接続されている。一方、コンタクト部４５１の下面は、コンタクトプラグ（図示せず）を介して下地配線に接続されている。本明細書において、第２のカソード電極４１３の周縁部とは、第２のカソード電極４１３の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
　コンタクト部４５１は、基板１１の一主面上の周辺領域に設けられている。コンタクト部４５１は、表示領域を囲む矩形の閉ループ状を有している。コンタクト部４５１は、アノード電極１２１と同一の層で構成されていてもよい。コンタクト部４５１は、アノード電極１２１と同一の高さに設けられていてもよい。
　サイドウォール４１１の端部が、コンタクト部４５１上に載っていてもよい。この場合、コンタクト部４５１の段差で第２のカソード電極４１３が切断されることを抑制することができるので、第２のカソード電極４１３とコンタクト部４５１との接続部分の近傍における第２のカソード電極４１３の抵抗上昇を抑制することができる。
　例えば、サイドウォール４１１を形成するための絶縁層４１１Ａの膜厚と、絶縁層４１１Ａを形成する際の、ガスや圧力等のドライエッチングの条件を制御することで、上記のように、サイドウォール４１１の端部をコンタクト部４５１上に載せることができる。
（変形例６）
　変形例５では、サイドウォール４１１の端部が、コンタクト部４５１上に載っていてる例について説明したが、サイドウォール４１１の端部が、図３４Ｂに示すように、サイドウォール４１１の端部をコンタクト部４５１から離して、サイドウォール４１１の端部がコンタクト部４５１上に載らないようにしてもよい。この場合、有機層１２２で発光した光がサイドウォール４１１の内部を伝搬してコンタクト部４５１で反射することを抑制することができる。したがって、表示品質の低下を抑制することができる。
（変形例７）
　コンタクト部４５１は、図３５Ａに示すように、表示領域内に設けられていてもよい。例えば、コンタクト部４５１は、隣接する発光素子１２の間に設けられていてもよい。表示領域において、コンタクト部４５１は、例えば、コンタクトプラグ（図示せず）を介して駆動回路等に接続されている。このように、コンタクト部４５１が表示領域内に設けられていていることで、第２のカソード電極４１３の抵抗を低減することができる。
（変形例８）
　コンタクト部４５１は、図３５Ｂに示すように、表示領域外に設けられていてもよい。このように、コンタクト部４５１が表示領域外に設けられていることで、発光素子１２のサイズを大きくすることができる。
　コンタクト部４５１が表示領域外に設けられる場合、図３５Ｃに示すように、分離された発光素子１２の間を、絶縁層としてのサイドウォール４１１で埋めるようにしてもよい。
　図３５Ｂに示す上記構成の場合、隣接する発光素子１２の間の凹部で、各発光素子１２からコンタクト部４５１までの正味の距離が増大する虞がある。一方、図３５Ｃに示す上記構成の場合、隣接する発光素子１２の間の凹部を低減することができるので、各発光素子１２からコンタクト部４５１までの正味の距離の増大を抑制することができる。したがって、図３５Ｃに示す上記構成の場合、第２のカソード電極４１３の抵抗の増大を抑制することができる。
（変形例９）
　変形例５～８では、第２のアノード電極４１３が、コンタクト部４５１と接続される例について説明したが、第２のアノード電極４１３が、基板１１中に設けられた配線層４６１と接続されていてもよい。
　上記接続構成を有する表示装置４１０は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、図３６Ａに示すように、発光素子１２毎に分離された保護層４１２を絶縁層４１１Ａにより覆った後、図３６Ｂに示すように、サイドウォール４１１を形成するための異方性エッチングを基板１１中の配線層４６１に届くまで行う。次に、基板１１上に第２のカソード電極４１３を形成する。これにより、第２のカソード電極４１３が、配線層４６１に接続される。
（変形例１０）
　第２の実施形態では、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および保護層４１２の側面が垂直面である例について説明したが、図３７Ａに示すように、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および保護層４１２の側面が斜面であってもよい。この場合、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および保護層４１２の側面を覆う第２のカソード電極４１３を厚く形成することができるので、第２のカソード電極４１３の抵抗を低減させることができる。
　図３７Ｂに示すように、保護層４１２の側面と上面の間がラウンディングされていてもよい。この場合にも、この場合、保護層４１２の側面を覆う第２のカソード電極４１３を厚く形成することができる。
（変形例１１）
　第２の実施形態では、アノード電極１２１と、有機層１２２および第１のカソード電極１２３とをリソグラフィとエッチングにより別々に加工してパターンを形成する例について説明したが、アノード電極１２１と有機層１２２と第１のカソード電極１２３とを積層した後、アノード電極１２１と有機層１２２と第１のカソード電極１２３とを一括でエッチングして分離するようにしてもよい。この場合、重ね合わせずれ考慮して、アノード電極１２１のサイズを有機層１２２および第１のカソード電極１２３のサイズよりも大きくしなくてもよくなる。すなわち、図３８に示すように、アノード電極１２１と有機層１２２と第１のカソード電極１２３のサイズを同一サイズとすることができる。したがって、発光領域を拡大することができる。
（変形例１２）
　サイドウォール４１１の屈折率は、有機層１２２の屈折率に比べて低くてもよい。有機層１２２で発せられた光を有機層１２２とサイドウォール４１１との界面にて全反射することができるので、有機層１２２で発せられた光が横方向に伝搬するのを抑制し、正面側の輝度を効率よく上げることができる。
＜３　第３の実施形態＞
［３．１　表示装置の構成］
　図３９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置５１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置５１０は、一主面を有する基板１１と、基板１１の一主面上に設けられた複数の発光素子１２およびコンタクト部５１１と、複数の発光素子１２を覆う保護層１４と、保護層１４およびコンタクト部５１１等を覆う第２のカソード電極５１２と、第２のカソード電極５１２を覆う保護層１５と、保護層１５上を覆う樹脂層５１３とを備える。
（絶縁層）
　絶縁層１３は、各アノード電極１２１に対応する部分に開口１３Ａを有しており、アノード電極１２１の上面の周縁部からアノード電極１２１の側面（端面）にかけて覆っている。ここで、アノード電極１２１の上面の周縁部とは、アノード電極１２１の上面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。発光素子１２は、絶縁層１３の開口１３Ａの外側で素子分離されている。
　また、絶縁層１３は、コンタクト部５１１に対応する部分にも開口１３Ｂを有しており、コンタクト部５１１の上面の周縁部からコンタクト部５１１の側面（端面）にかけて覆っている。ここで、コンタクト部５１１の上面の周縁部とは、コンタクト部５１１の上面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
（コンタクト部）
　コンタクト部５１１は、隣接する発光素子１２の間に設けられている。コンタクト部５１１は、アノード電極１２１と同一の層で構成されていてもよい。コンタクト部５１１は、コンタクトプラグ（図示せず）を介して下地配線（図示せず）に接続されている。
（第２のカソード電極）
　第２のカソード電極５１２は、表示領域内においてすべての発光素子１２に共通の電極として設けられている。第２のカソード電極５１２は、発光素子１２毎に分離された保護層１４の上面および側面を覆うと共に、発光素子１２の上面の周縁部（以下「テラス部」という。）および発光素子１２の側面を覆っている。第２のカソード電極１２４は、発光素子１２の上面の周縁部において、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部と接続されている。また、第２のカソード電極１２４は、隣接する発光素子１２の間の部分を覆っており、この部分でコンタクト部５１１と接続されている。
　ここで、発光素子１２の上面の周縁部とは、発光素子１２の上面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。また、第１のカソード電極１２３の上面の周縁部とは、第１のカソード電極１２３の上面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
（樹脂層）
　樹脂層５１３は、保護層１５を覆っている。樹脂層５１３は、発光素子１２間の凹部を埋めている。樹脂層５１３は、保護層１５よりも低屈折率を有する低屈折樹脂であることが好ましい。これにより、表示装置５１０に導波構造をもたせることができるので、正面の光取り出し効率を向上させることができる。表示装置５１０に導波構造をもたせる場合、保護層１５は、高屈折率を有する窒化シリコン（ＳｉＮ）等の材料により構成することが好ましい。
（画素配列）
　複数の画像１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの配列は、例えば、ストライブ配列（図４０Ａ参照）、デルタ配列（図４０Ｂ参照）または正方配列（図４０Ｃ参照）である。画素１００と画素１００の間には、カソードコンタクト領域５１１Ａが設けられている。ここで、カソードコンタクト領域５１１Ａとは、隣接する発光素子１２のテラス部と、それらのテラス部間に位置する部分とからなる領域である。
　カソードコンタクト領域５１１Ａは、図４０Ａ、図４０Ｂ、図４０Ｃに示すように、画素１００と画素１００の間に連続して設けられていてもよいし、図４１Ａ、図４１Ｂ、図４１Ｃに示すように、画素１００と画素１００の間に飛び飛びに設けられていてもよい。
［３．２　表示装置の製造方法］
　以下、図４２Ａ～図４２Ｆを参照して、上記構成を有する表示装置５１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、例えばスパッタリング法により、アノード電極１２１を形成した後、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングによりアノード電極１２１を加工する。アノード電極１２１の材料としては、ＡＬ系合金、Ａｇ系合金等を使用してもよい。また、アノード電極１２１の材料としては、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ等の仕事関数が高く、かつ、透過率の高い材料を使用してもよい。次に、ＣＶＤ法により、絶縁層１３を基板１１の一主面上に形成する。その後、図４２Ａに示すように、例えばレジストマスクおよびドライエッチングを用いて、開口１３Ａおよび開口１３Ｂを形成する。
　次に、例えば蒸着法により、有機層１２２をアノード電極１２１上に形成する。有機層１２２としては、ＨＩＬ（Hole Injection Layer）やＨＴＬ（Hole Transfer Layer）等のホール輸送性の高い層を使用してもよい。次に、第１のカソード電極１２１、第１の保護層１４Ａを有機層１２２上に順次積層する。第１のカソード電極１２３としては、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の仕事関数が高く、かつ、透過率の高い材料を用いてもよいし、デバイス特性の観点から、ＭｇＡｇ合金等を使用してもよい。第1の保護層１４Ａは、１００℃以下の低温で成膜可能であり、かつ、水分や酸素に対して封止性の高い層であることが好ましい。
　次に、図４２Ｃに示すように、例えばフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、有機層１２２、第１のカソード電極１２３および第１の保護層１４Ａを加工し、画素１００間を分離する。次に、図４２Ｄに示すように、第１の保護層１４Ａ上に第２の保護層１４Ｂを形成する。これにより、２層構造の保護層１４が得られる。第２の保護層１４Ｂの成膜条件は、第１の保護層１４Ａの成膜条件と同様であってもよい。
　次に、図４２Ｅに示すように、保護層１４上に規定パターンのレジスト層５１４を形成した後、例えばドライエッチングを用いて、第２の保護層１４Ｂを加工し、画素１００間を分離し、コンタクト部５１１を露出させる。発光領域上には保護層１４があるため、発光領域へのプラズマダメージを抑制することができる。その後、例えば１００℃以下の低温アッシングでレジスト層５１４を除去する。ウエットエッチングを使用すると、有機層１２２が膜剥がれする懸念があるため、ドライエッチングを用いることが好ましい。
　次に、図４２Ｆに示すように、例えばスパッタリング法により、共通カソードとして第２のカソード電極５１２を表示領域全体に形成する。第２のカソード電極５１２の材料としては、第１のカソード電極１２３と同様の材料を用いてもよい。次に、図３９に示すように、第２のカソード電極５１２を保護層１５により覆った後、保護層１５上に樹脂層５１３を形成する。この際、画素１００間の凹部が樹脂層５１３により埋められる。
［３．３　作用効果］
　第２の実施形態に係る表示装置５１０では、絶縁層１３の開口１３Ａの外側で発光素子１２が素子分離されているため、発光領域内にドライエッチング起因のプラズマダメージが与えられることを抑制することができる。また、カソードコンタクト領域５１１Ａを形成する際に、発光領域内にドライエッチング起因のプラズマダメージが与えられることも抑制することができる。
　発光領域上をすべて保護層１４および保護層１５で被覆するため、水分等のリークパスの形成を抑制することができる。
　コンタクト部５１１を介して裏打ち配線とするため、カソード抵抗の影響を低減することができる。
　第２のカソード電極５１２は、テラス部で第1のカソード電極１２３と接続されているため、カソード抵抗を低減することができる。
　表示領域内にコンタクト部５１１を配置しているため、表示領域外にカソードコンタクトを配置しなくてもよい。また、コンタクト部５１１から発光素子１２（画素１００）までの距離が近くなるため、ＩＲドロップの発生を抑制することができる。
　今後、輝度、発光効率の観点で有機ＥＬの塗り分け構造の普及が進むことが予測される。従来構造では加工ダメージに伴うデバイス特性劣化が顕著になるが、本技術を用いることでデバイス特性劣化の未然防止はもちろん、シェーディングやパネル小型化といったニーズに対するデバイスの提供が可能となる。
［３．４　変形例］
（変形例１）
　図４３Ａに示すように、表示領域内において、発光素子１２間にコンタクト部５１１が設けられていない領域があってもよい。この領域の基板１１上には絶縁層１３が設けられず、保護層１４で覆われていてもよい。この場合、絶縁層１３に起因する画素間リークの発生を抑制することができる。
（変形例２）
　図４３Ｂに示すように、保護層１５上に保護層５２１をさらに備えるようにしてもよい。保護層５２１は、アルミナ（酸化アルミニウム）等により構成されたＡＬＤ層である。このような構成を採用することで、保護層１４、１５、５２１による封止性能が向上し、表示装置５１０の信頼性を向上させることができる。
＜４　応用例＞
（電子機器）
　上述の第１から第３の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置１０は、例えば、図２５に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、基板１１の一方の短辺側に、対向基板等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図２６Ａ、図２６Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の第１から第３の実施形態またはその変形例のいずれかに係る表示装置１０を用いることができる。
（具体例２）
　図２７は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の第１から第３の実施形態またはその変形例のいずれかに係る表示装置１０を用いることができる。
（具体例３）
　図２８は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の第１から第３の実施形態またはその変形例のいずれかに係る表示装置１０により構成されている。
　以上、本開示の第１から第３の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１から第３の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の第１から第３の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　上述の第１から第３の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　上述の第１から第３の実施形態および変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　アノード電極と、有機発光層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機発光層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層上に設けられた第２のカソード電極と
　を備え、
　前記第２のカソード電極は、分離された各前記第１のカソード電極に接続されている表示装置。
（２）
　前記保護層は、複数のコンタクト孔を有し、
　前記第２のカソード電極は、分離された各前記第１のカソード電極に前記コンタクト孔を介して接続されている（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記第１のカソード電極、前記第２のカソード電極はそれぞれ独立に、透明な金属酸化物、金属または合金を含む（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記第１のカソード電極は、透明な金属酸化物を含み、
　前記第２のカソード電極は、金属または合金を含む（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
　前記保護層は、無機酸化物および有機絶縁材料のうちの少なくとも１種を含む（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
　前記保護層は、多層膜である（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）
　複数の前記副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、
　分離された前記第１のカソード電極上における前記保護層の厚さは、前記赤色の副画素、前記緑色の副画素、前記青色の副画素でほぼ同一である（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
　前記副画素には、前記有機発光層で発生した光を共振させる共振器構造が設けられ、
　複数の前記副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、
　分離された前記第１のカソード電極上における前記保護層の厚さは、前記赤色の副画素、前記緑色の副画素、前記青色の副画素毎に異なる（１）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極とは、前記副画素の発光領域外で接続されている（１）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部の個数は、１個の前記副画素に対して１個または２個以上である（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
　前記第２のカソード電極は、複数のコンタクト部を有し、
　１個の前記コンタクト部は、２個以上の前記副画素に接続されている（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部は、点状または線状を有する（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
　前記第１のカソード電極は、前記第２のカソード電極と対向する対向面を有し、
　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部は、前記対向面の周縁に沿って設けられている（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
　前記第２のカソード電極は、前記第１のカソード電極の端部に接続されている（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
　前記第１のカソード電極は、前記発光素子の発光領域の周縁に対して突出した突出部を有し、
　前記第２のカソード電極は、前記突出部において前記第１のカソード電極に接続されている（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）
　前記発光素子は、該発光素子の発光領域の周縁に切り欠き部を有し、
　前記第２のカソード電極は、前記切り欠き部において前記第１のカソード電極に接続されている（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）
　前記保護層は、複数のエアギャップを有し、
　複数の前記エアギャップはそれぞれ、隣接する前記副画素間に設けられている（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
　前記第２のカソード電極を覆う保護層をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
（１９）
　第１の電極と、有機発光層と、第２の電極とを備え、前記第２の電極、前記有機発光層および前記第２の電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子を覆う保護層と、
　前記保護層上に設けられた第３の電極と
　を備え、
　前記第３の電極は、分離された各前記第２の電極に接続されている表示装置。
（２０）
　（１）から（１９）のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
　１０　表示装置
　１１　　基板
　１２Ｒ、１２Ｂ、１２Ｇ、１２Ｗ　　発光素子
　１３　　絶縁層
　１４、１５　　保護層
　１４Ａ、１５Ａ　　第１の保護層
　１４Ｂ、１５Ｂ　　第２の保護層
　１４Ｃ　　エアギャップ
　１４Ｈ　　コンタクト孔
　１６　　カラーフィルタ
　１６Ｒ　　赤色フィルタ
　１６Ｇ　　緑色フィルタ
　１６Ｂ　　青色フィルタ
　１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ　　共振器構造
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　副画素
　１０１　　発光領域
　１０２　　突出部
　１０３　　切り欠き部
　１１０Ａ　　表示領域
　１１０Ｂ　　周辺領域
　１１１　　信号線駆動回路
　１１１Ａ　　信号線
　１１２　　走査線駆動回路
　１１２Ａ　　走査線
　１２１　　アノード電極
　１２２　　有機層
　１２２Ｋ　　正孔注入層
　１２２Ｌ　　正孔輸送層
　１２２Ｍ　　有機発光層
　１２２Ｎ　　電子輸送層
　１２３　　第１のカソード電極
　１２３Ａ　　突出部
　１２４　　第２のカソード電極
　１２４Ａ　　コンタクト部
　１２４Ｂ　　接続部
　１２４Ｃ　　共用接続部
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (20)

  1. 　アノード電極と、有機発光層と、第１のカソード電極とを備え、前記アノード電極、前記有機発光層および前記第１のカソード電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子を覆う保護層と、
    　前記保護層上に設けられた第２のカソード電極と
    　を備え、
    　前記第２のカソード電極は、分離された各前記第１のカソード電極に接続されている表示装置。
  2. 　前記保護層は、複数のコンタクト孔を有し、
    　前記第２のカソード電極は、分離された各前記第１のカソード電極に前記コンタクト孔を介して接続されている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第１のカソード電極、前記第２のカソード電極はそれぞれ独立に、透明な金属酸化物、金属または合金を含む請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記第１のカソード電極は、透明な金属酸化物を含み、
    　前記第２のカソード電極は、金属または合金を含む請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記保護層は、無機酸化物および有機絶縁材料のうちの少なくとも１種を含む請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記保護層は、多層膜である請求項１に記載の表示装置。
  7. 　複数の前記副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、
    　分離された前記第１のカソード電極上における前記保護層の厚さは、前記赤色の副画素、前記緑色の副画素、前記青色の副画素でほぼ同一である請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記副画素には、前記有機発光層で発生した光を共振させる共振器構造が設けられ、
    　複数の前記副画素は、複数の赤色の副画素、複数の緑色の副画素および複数の青色の副画素を含み、
    　分離された前記第１のカソード電極上における前記保護層の厚さは、前記赤色の副画素、前記緑色の副画素、前記青色の副画素毎に異なる請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極とは、前記副画素の発光領域外で接続されている請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部の個数は、１個の前記副画素に対して１個または２個以上である請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記第２のカソード電極は、複数のコンタクト部を有し、
    　１個の前記コンタクト部は、２個以上の前記副画素に接続されている請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部は、点状または線状を有する請求項１に記載の表示装置。
  13. 　前記第１のカソード電極は、前記第２のカソード電極と対向する対向面を有し、
    　前記第１のカソード電極と前記第２のカソード電極の接続部は、前記対向面の周縁に沿って設けられている請求項１に記載の表示装置。
  14. 　前記第２のカソード電極は、前記第１のカソード電極の端部に接続されている請求項１に記載の表示装置。
  15. 　前記第１のカソード電極は、前記発光素子の発光領域の周縁に対して突出した突出部を有し、
    　前記第２のカソード電極は、前記突出部において前記第１のカソード電極に接続されている請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記発光素子は、該発光素子の発光領域の周縁に切り欠き部を有し、
    　前記第２のカソード電極は、前記切り欠き部において前記第１のカソード電極に接続されている請求項１に記載の表示装置。
  17. 　前記保護層は、複数のエアギャップを有し、
    　複数の前記エアギャップはそれぞれ、隣接する前記副画素間に設けられている請求項１に記載の表示装置。
  18. 　前記第２のカソード電極を覆う保護層をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
  19. 　第１の電極と、有機発光層と、第２の電極とを備え、前記第２の電極、前記有機発光層および前記第２の電極が副画素毎に分離されている複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子を覆う保護層と、
    　前記保護層上に設けられた第３の電極と
    　を備え、
    　前記第３の電極は、分離された各前記第２の電極に接続されている表示装置。
  20. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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