WO2021196375A1 - Oled 显示装置及制备方法 - Google Patents

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WO2021196375A1
WO2021196375A1 PCT/CN2020/092266 CN2020092266W WO2021196375A1 WO 2021196375 A1 WO2021196375 A1 WO 2021196375A1 CN 2020092266 W CN2020092266 W CN 2020092266W WO 2021196375 A1 WO2021196375 A1 WO 2021196375A1
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    • H10K2102/311—Flexible OLED

Definitions

  • This application relates to the field of display technology, and in particular to an OLED display device and a manufacturing method.
  • a polarizer In order for the display technology to be used normally in an external high-bright environment, a polarizer (POL) is currently attached to the module film to solve the problem.
  • the display device of the traditional polarizer sequentially includes an array substrate (Array substrate), electroluminescent device (EL), thin film encapsulation layer (TFE) and polarizer (POL).
  • the polarizer (POL) can effectively reduce the reflectance of the panel under strong light, it loses close to 58% of the light output, and the thickness of the polarizer is large and the material is brittle, which is not conducive to the development of dynamic bending products.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the display device of the conventional polarizer includes a polarizer (POL).
  • POL polarizer
  • the polarizer (POL) can effectively reduce the reflectance of the panel under strong light, it loses close to 58% of the light output, and the thickness of the polarizer is large and the material is brittle, which is not conducive to the development of dynamic bending products.
  • the embodiments of the present application provide an OLED display device and a manufacturing method, which can ensure the uniformity of the color film film thickness in the manufacturing process, and at the same time reduce the thickness of the screen body to meet the requirements of flexible products.
  • An embodiment of the present application provides an OLED display device, including: an array substrate with a plurality of thin film transistors, an OLED light-emitting layer disposed on the array substrate, and an OLED light-emitting layer disposed on the array substrate and completely covering the OLED light-emitting layer
  • the inkjet printing layer and the second inkjet printing layer are arranged on the first inkjet printing layer.
  • the color filter layer includes a color filter layer and a black matrix.
  • the color filter layer includes A plurality of red color resists, a plurality of green color resists, and a plurality of blue color resists, and the black matrix is arranged between any two of the red color resists, the green color resists and the blue color resists.
  • the OLED light-emitting layer includes a red sub-light-emitting layer, a green sub-light-emitting layer, and a blue sub-light-emitting layer, the red sub-light-emitting layer, the green sub-light-emitting layer, and the The blue sub-light-emitting layers are all located in the opening area of the array substrate.
  • the materials of the first inorganic layer and the second inorganic layer are any one of silicide nitride, silicon oxynitride, and aluminum oxide.
  • the materials of the first inkjet printing layer and the second inkjet printing layer are both organic photopolymerizable materials.
  • An embodiment of the application also provides an OLED display device, including: an array substrate with a plurality of thin film transistors, an OLED light-emitting layer disposed on the array substrate, and an OLED light-emitting layer disposed on the array substrate and completely covering the OLED light-emitting layer
  • the first inorganic layer, the first inkjet printing layer, the color film layer, the second inkjet printing layer, and the second inorganic layer disposed on the first inorganic layer; wherein the color film layer is located on the first inorganic layer
  • An inkjet printing layer and the second inkjet printing layer are arranged on the first inkjet printing layer.
  • the OLED light-emitting layer includes a red sub-light-emitting layer, a green sub-light-emitting layer, and a blue sub-light-emitting layer, the red sub-light-emitting layer, the green sub-light-emitting layer, and the The blue sub-light-emitting layers are all located in the opening area of the array substrate.
  • the materials of the first inorganic layer and the second inorganic layer are any one of silicide nitride, silicon oxynitride, and aluminum oxide.
  • the materials of the first inkjet printing layer and the second inkjet printing layer are both organic photopolymerizable materials.
  • the embodiment of the present application further provides a method for manufacturing an OLED display device, the method including:
  • An array substrate is provided, the array substrate includes a plurality of thin film transistors, and the array substrate further has a plurality of opening regions;
  • the OLED light-emitting layer includes a red sub-light-emitting layer, a green sub-light-emitting layer, and a blue sub-light-emitting layer.
  • the green sub-light-emitting layer and the blue sub-light-emitting layer are both located in the opening area of the array substrate.
  • the first inorganic layer is formed on the array substrate by a chemical vapor deposition method, and the material of the first inorganic layer is nitrosilicide. Any one of silicon oxide, silicon oxynitride, and aluminum oxide.
  • the S40 further includes:
  • the color filter layer includes a color filter layer and a black matrix
  • the color filter layer includes a plurality of red color resists and a plurality of green color filters.
  • a color resist and a plurality of blue color resists, and the black matrix is arranged between any two of the red color resist, the green color resist and the blue color resist.
  • the OLED display device and preparation method provided by the embodiments of the present application, by putting the color film process into the inkjet printing layer, while ensuring the uniformity of the color film thickness in the process, it also reduces the number of OLEDs.
  • the thickness of the display device further adapts to the demand for flexible products.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a cross-sectional structure of an OLED display device provided by an embodiment of the application.
  • FIG. 2 is a flowchart of a manufacturing method of an OLED display device provided by an embodiment of the application.
  • 3A-3G are schematic structural diagrams of a method for manufacturing an OLED display device provided by an embodiment of the application.
  • the OLED display device 10 includes: a plurality of thin-film transistors (thin-film transistors) transistor, TFT) array substrate 11, OLED light-emitting layer 12 disposed on the array substrate 11, a first inorganic layer 131 disposed on the array substrate 11 and completely covering the OLED light-emitting layer 11, disposed on the The first inkjet printing layer 132, the color film layer 14, the second inkjet printing layer 133, and the second inorganic layer 134 on the first inorganic layer 131; wherein, the color film layer 14 is located on the first inkjet printing layer.
  • the printing layer 132 and the second inkjet printing layer 133 are located between the printing layer 132 and the first inkjet printing layer 132.
  • the color filter layer 14 includes a color filter layer 141 and a black matrix (BM) 142
  • the color filter layer 141 corresponds to the opening area 111 on the array substrate 11
  • the The black matrix 142 corresponds to a portion other than the opening area 111 on the array substrate 11.
  • the surface morphology of the color filter layer 141 includes: an arc-shaped surface, convex, concave, or a combination thereof.
  • the color film layer 14 uses a coating process method to ensure the uniformity of the color film film thickness in the process.
  • the color filter layer 141 includes a plurality of red color resists 1411, a plurality of green color resists 1412, and a plurality of blue color resists 1413, the red color resist 1411, the green color resist 1412, and the blue color resist 1413.
  • the black matrix 142 is arranged between any two of the resistors 1413.
  • the red color resistor 1411, the green color resistor 1412, and the blue color resistor 1413 respectively correspond to the colors of a plurality of sub-pixels.
  • the OLED light emitting layer 12 includes a red sub light emitting layer 121, a green sub light emitting layer 122, and a blue sub light emitting layer 123.
  • the light-emitting layers 123 are all located in the opening area 111 of the array substrate 11.
  • the first inorganic layer 131, the first inkjet printing layer 132, the second inkjet printing layer 133, and the second inorganic layer 134 constitute the thin film encapsulation layer of the OLED display device 10 ( TFE) 13, the color film layer 14 is located between the first inkjet printing layer 132 and the second inkjet printing layer 133.
  • the first inorganic layer 131 and the second inorganic layer 134 are made of silicide nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ) and aluminum oxide (AlO x ). Any kind.
  • the preparation methods of the first inorganic layer 131 and the second inorganic layer 134 both include but are not limited to processes such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).
  • the materials of the first inkjet printing layer 132 and the second inkjet printing layer 133 are both organic photopolymerizable materials.
  • the thickness of the first inkjet printing layer 132 and the second inkjet printing layer 133 can be determined according to process conditions.
  • the polarizer is removed in the back-end module assembly (MOD) process (drive IC and printed circuit board pressing process), and finally the OLED display device 10 is obtained.
  • MOD back-end module assembly
  • the color film manufacturing process is added to reduce part of the polarizers, and the color film manufacturing process is put into the inkjet printing layer, which reduces the thickness of the OLED display device 10 and meets the demand for flexible products.
  • FIG. 2 it is a flow chart of the manufacturing method of the OLED display device provided by the embodiment of this application. Wherein, the method includes:
  • An array substrate 10 is provided.
  • the array substrate 10 includes a plurality of thin film transistors, and the array substrate 10 further has a plurality of opening regions 111.
  • the S10 further includes:
  • an array substrate 10 is provided.
  • the array substrate 10 includes a plurality of thin film transistors, and the array substrate 10 further has a plurality of opening regions 111.
  • the thin film transistor includes a gate, a gate insulating layer, an inter-insulating layer, source and drain, etc., and may also include other conventional film layers, as shown in FIG. 3A.
  • a plurality of electroluminescent devices are vapor-deposited in the opening area 111 to form an OLED light-emitting layer 12.
  • the S20 further includes:
  • a plurality of electroluminescent devices is vapor-deposited in the opening area 111 of the array substrate 11 to form the OLED light-emitting layer 12.
  • the OLED light emitting layer 12 includes a red sub light emitting layer 121, a green sub light emitting layer 122, and a blue sub light emitting layer 123.
  • the red sub light emitting layer 121, the green sub light emitting layer 122 and the blue sub light emitting layer The layers 123 are all located in the opening area 111 of the array substrate 11, as shown in FIG. 3B.
  • the S30 further includes:
  • a first inorganic layer 131 is formed on the array substrate 11, and the first inorganic layer 131 completely covers the OLED light-emitting layer 12.
  • the material of the first inorganic layer 131 is any one of silicide nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and aluminum oxide (AlO x ).
  • the preparation methods of the first inorganic layer 131 include but are not limited to processes such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD), as shown in FIG. 3C.
  • the S40 further includes:
  • the layer 132 wherein the inkjet printing ink material is an organic photopolymerizable material, and the thickness of the first inkjet printing layer 132 can be determined according to the process conditions, as shown in FIG. 3D.
  • the S50 further includes:
  • S501 First coat a light-shielding film on the first inkjet printing layer 132, and form a black matrix 142 corresponding to the gap between the two adjacent opening regions after patterning;
  • a color filter layer 141 is formed on the first inkjet printing layer 132 corresponding to the opening area 111, and the black matrix 142 and the color filter layer 141 constitute the color film layer 14.
  • the color filter layer 141 includes a plurality of red color resistors 1411, a plurality of green color resistors 1412, and a plurality of blue color resistors 1413, the red color resistors 1411, the green color resistors 1412, and the blue color resistors
  • the black matrix 142 is arranged between any two of 1413, as shown in FIG. 3E.
  • the S50 further includes:
  • a light-shielding film is then formed on the color filter layer 141, and after patterning, a black matrix 142 corresponding to the gap position between the two adjacent opening regions is formed, wherein the black matrix 142 extends to all The edge position of the color filter film 141 is described.
  • the color filter layer 141 includes a plurality of red color resists 1411, a plurality of green color resists 1412, and a plurality of blue color resists 1413, the red color resist 1411, the green color resist 1412, and the blue color resist 1413.
  • the black matrix 142 is arranged between any two of the resistors 1413, as shown in FIG. 3E.
  • the S60 further includes:
  • the inkjet printing ink material is an organic photopolymerizable material, and the thickness of the second inkjet printing layer 133 can be determined according to process conditions, as shown in FIG. 3F.
  • the S70 further includes:
  • a second inorganic layer 134 is formed on the second inkjet printing layer 133.
  • the material of the second inorganic layer 134 is silicide nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and aluminum oxide. Any one of (AlO x ).
  • the preparation methods of the second inorganic layer 134 include but are not limited to processes such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), etc.; after the deposition of the second inorganic layer 134, the subsequent module assembly is performed The polarizer is removed in the (MOD) manufacturing process (drive 1C and printed circuit board pressing process), and finally the OLED display device 10 is obtained, as shown in FIG. 3G.
  • the OLED display device and preparation method provided in the embodiments of the present application, by putting the color film process into the inkjet printing layer, while ensuring the uniformity of the color film thickness in the process, it also reduces the number of OLED display devices.
  • the thickness is further adapted to the needs of flexible products.

Abstract

一种OLED显示装置，包括：阵列基板、设置于所述阵列基板上的OLED发光层、设置于所述阵列基板上并完全覆盖所述OLED发光层的第一无机层、设置于所述第一无机层上的第一喷墨打印层、彩膜层、第二喷墨打印层以及第二无机层；其中，所述彩膜层位于所述第一喷墨打印层与所述第二喷墨打印层之间，且设置于所述第一喷墨打印层上。

Description

OLED显示装置及制备方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及制备方法。
 背景技术
为了显示技术在外界高亮环境下正常使用，目前在模组膜层中贴偏光片（Polarizer，POL）解决问题。传统偏光片的显示装置依序包括层叠设置的阵列基板(Array substrate)、电致发光器件(EL)、薄膜封装层(TFE)以及偏光片(POL)。虽然偏光片（POL）能够有效地降低强光下面板的反射率，但却损失了接近58%的出光，且偏光片厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发。为了开发基于OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）现实技术的动态弯折产品，基于以上缺点，必须导入新材料、新技术以及新工艺替代偏光片。
 技术问题
传统偏光片的显示装置包括偏光片(POL)。虽然偏光片（POL）能够有效地降低强光下面板的反射率，但却损失了接近58%的出光，且偏光片厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发。
 技术解决方案
本申请实施例提供一种OLED显示装置及制备方法，能确保制程中彩膜膜厚均匀性，同时也减少了屏体的厚度，适应柔性产品需求。
本申请实施例提供一种OLED显示装置，包括：具有多个薄膜晶体管的阵列基板、设置于所述阵列基板上的OLED发光层、设置于所述阵列基板上并完全覆盖所述OLED发光层的第一无机层、设置于所述第一无机层上的第一喷墨打印层、彩膜层、第二喷墨打印层以及第二无机层；其中，所述彩膜层位于所述第一喷墨打印层与所述第二喷墨打印层之间，且设置于所述第一喷墨打印层上，所述彩膜层包括彩色滤光层以及黑色矩阵，所述彩色滤光层包括多个红色色阻、多个绿色色阻以及多个蓝色色阻，所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻中的任意两者之间设置所述黑色矩阵。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述第一无机层以及所述第二无机层的材料均为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述第一喷墨打印层以及所述第二喷墨打印层的材料均为有机光可聚合材料。
本申请实施例还提供一种OLED显示装置，包括：具有多个薄膜晶体管的阵列基板、设置于所述阵列基板上的OLED发光层、设置于所述阵列基板上并完全覆盖所述OLED发光层的第一无机层、设置于所述第一无机层上的第一喷墨打印层、彩膜层、第二喷墨打印层以及第二无机层；其中，所述彩膜层位于所述第一喷墨打印层与所述第二喷墨打印层之间，且设置于所述第一喷墨打印层上。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述第一无机层以及所述第二无机层的材料均为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
在本申请实施所提供的OLED显示装置中，所述第一喷墨打印层以及所述第二喷墨打印层的材料均为有机光可聚合材料。
本申请实施例又提供一种OLED显示装置的制备方法，所述方法包括：
S10，提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述阵列基板还具有多个开口区域；
S20，在所述开口区域中蒸镀多个电致发光器件，形成OLED发光层；
S30，在所述阵列基板上形成第一无机层，所述第一无机层完全覆盖所述OLED发光层；
S40，在所述第一无机层上通过喷墨打印方式形成第一喷墨打印层；
S50，在所述第一喷墨打印层上形成彩膜层；
S60，在所述彩膜层上通过喷墨打印方式形成第二喷墨打印层；
S70，在所述第二喷墨打印层上形成第二无机层。
在本申请实施所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S20中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
在本申请实施所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S30中，所述第一无机层通过化学气相沉积法形成于所述阵列基板上，所述第一无机层的材料为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
在本申请实施所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S40中还包括：
S401，涂布一喷墨印刷墨水材料于所述第一无机层上；
S402，通过紫外光照射所述喷墨印刷墨水材料以固化所述喷墨印刷墨水材料，以得到第一喷墨打印层，其中所述喷墨印刷墨水材料为有机光可聚合材料。
在本申请实施所提供的OLED显示装置的制备方法中，所述S50中，所述彩膜层包括彩色滤光层以及黑色矩阵，所述彩色滤光层包括多个红色色阻、多个绿色色阻以及多个蓝色色阻，所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻中的任意两者之间设置所述黑色矩阵。
 有益效果
相较于现有技术，本申请实施例提供的OLED显示装置及制备方法，通过将彩膜制程放入喷墨打印层中，在确保制程中彩膜膜厚均匀性的同时，也减少了OLED显示装置的厚度，进一步适应了柔性产品需求。
 附图说明
图1为本申请实施例提供的OLED显示装置的截面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。
图3A-3G 为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法的结构示意图。
 本发明的实施方式
目前的OLED显示装置中，主要问题之一是偏光片的厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发，即需要减少偏光片，但是减少偏光片会增强在强光下面板的反射率，本提案提出了一种新型POL-less技术结构的OLED显示装置，为一种使用彩膜（Color Filter）替代偏光片（POL）的技术，能够解决以上技术问题。它不仅能将功能层的厚度从100μm降低至＜5μm，而且能够将出光率从42%提高至60%。其具体实施方案如下：
如图1所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置10的截面结构示意图。其中，所述OLED显示装置10包括：具有多个薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)的阵列基板11、设置于所述阵列基板11上的OLED发光层12、设置于所述阵列基板11上并完全覆盖所述OLED发光层11的第一无机层131、设置于所述第一无机层131上的第一喷墨打印层132、彩膜层14、第二喷墨打印层133以及第二无机层134；其中，所述彩膜层14位于所述第一喷墨打印层132与所述第二喷墨打印层133之间，且设置于所述第一喷墨打印层132上。
具体地，所述彩膜层14包括彩色滤光层141以及黑色矩阵(black matrix，BM)142，所述彩色滤光层141对应于所述阵列基板11上的开口区域111，所述所述黑色矩阵142对应于所述阵列基板11上的所述开口区域111以外的部分。优选地，所述彩色滤光层141的表面形貌包括：弧形的表面、外凸、内凹、或其组合。其中，所述彩膜层14使用涂布制程方法，确保制程中彩膜膜厚均匀性。
具体地，所述彩色滤光层141包括多个红色色阻1411、多个绿色色阻1412以及多个蓝色色阻1413，所述红色色阻1411、所述绿色色阻1412以及所述蓝色色阻1413中的任意两者之间设置所述黑色矩阵142。其中，所述红色色阻1411、所述绿色色阻1412以及所述蓝色色阻1413分别对应多个子像素的颜色。
具体地，所述OLED发光层12包括红色子发光层121、绿色子发光层122以及蓝色子发光层123，所述红色子发光层121、所述绿色子发光层122以及所述蓝色子发光层123均位于所述阵列基板11的所述开口区域111。
具体地，所述第一无机层131、所述第一喷墨打印层132、所述第二喷墨打印层133、所述第二无机层134构成所述OLED显示装置10的薄膜封装层（TFE）13，所述彩膜层14位于所述第一喷墨打印层132与所述第二喷墨打印层133之间。
优选地，所述第一无机层131以及所述第二无机层134的材料均为氮硅化物（SiN x）、硅氮氧化物（SiO xN y）以及铝氧化物（AlO x）中的任意一种。所述第一无机层131以及所述第二无机层134的制备方式均包括且不限于化学气相沉积法（CVD）、原子层沉积（ALD）等工艺。
优选地，所述第一喷墨打印层132以及所述第二喷墨打印层133的材料均为有机光可聚合材料。其中，所述第一喷墨打印层132以及所述第二喷墨打印层133的厚度可根据工艺情况进行膜厚确定。
在所述第二无机层134沉积后，接着在后段模组组装（MOD）制程（驱动1C与印刷电路板压合制程）中去除偏光片，最后得到所述OLED显示装置10。
本申请实施例通过增加彩膜制程，减少部分偏光片，同时将彩膜制程放入喷墨打印层，减少了OLED显示装置10的厚度的同时，适应柔性产品需求。
如图2所示，为本申请实施例提供的OLED显示装置的制备方法流程图。其中，所述方法包括：
S10，提供阵列基板10，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，所述阵列基板10还具有多个开口区域111。
具体地，所述S10还包括：
首先提供一阵列基板10，所述阵列基板10包括多个薄膜晶体管，所述阵列基板10还具有多个开口区域111。其中，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、间绝缘层、源漏极等，还可以包括其他常规膜层，如图3A所示。
S20，在所述开口区域111中蒸镀多个电致发光器件，形成OLED发光层12。
具体地，所述S20还包括：
在所述阵列基板11的开口区域111中蒸镀多个电致发光器件（EL），形成OLED发光层12。其中，所述OLED发光层12包括红色子发光层121、绿色子发光层122以及蓝色子发光层123，所述红色子发光层121、所述绿色子发光层122以及所述蓝色子发光层123均位于所述阵列基板11的开口区域111，如图3B所示。
S30，在所述阵列基板11上形成第一无机层131，所述第一无机层131完全覆盖所述OLED发光层12。
具体地，所述S30还包括：
在所述阵列基板11上形成第一无机层131，所述第一无机层131完全覆盖所述OLED发光层12。其中，所述第一无机层131的材料为氮硅化物（SiN x）、硅氮氧化物（SiO xN y）以及铝氧化物（AlO x）中的任意一种。所述第一无机层131的制备方式均包括且不限于化学气相沉积法（CVD）、原子层沉积（ALD）等工艺，如图3C所示。
S40，在所述第一无机层131上通过喷墨打印方式形成第一喷墨打印层132。
具体地，所述S40还包括：
首先，涂布一喷墨印刷墨水材料于所述第一无机层131上；之后，通过紫外光照射所述喷墨印刷墨水材料以固化所述喷墨印刷墨水材料，以得到第一喷墨打印层132，其中所述喷墨印刷墨水材料为有机光可聚合材料，所述第一喷墨打印层132的厚度可根据工艺情况进行膜厚确定，如图3D所示。
S50，在所述第一喷墨打印层132上形成彩膜层14。
具体地，所述S50还包括：
S501，先在所述第一喷墨打印层132上涂布一层遮光膜，图案化后形成对应相邻两所述开口区域之间的间隙位置的黑色矩阵142；
S502，然后在所述第一喷墨打印层132对应所述开口区域111形成彩色滤光层141，所述黑色矩阵142与所述彩色滤光层141构成所述彩膜层14。
其中，所述彩色滤光层141包括多个红色色阻1411、多个绿色色阻1412以及多个蓝色色阻1413，所述红色色阻1411、所述绿色色阻1412以及所述蓝色色阻1413中的任意两者之间设置所述黑色矩阵142，如图3E所示。
具体地，所述S50还包括：
S501，先在所述第一喷墨打印层132对应所述开口区域111涂布彩色滤光膜，图案化后形成对应于所述开口区域111的彩色滤光层141；
S502，然后在所述彩色滤光层141上形成一层遮光膜，图案化后形成对应相邻两所述开口区域之间的间隙位置的黑色矩阵142，其中，所述黑色矩阵142延伸至所述彩色滤光膜141的边缘位置。
具体地，所述彩色滤光层141包括多个红色色阻1411、多个绿色色阻1412以及多个蓝色色阻1413，所述红色色阻1411、所述绿色色阻1412以及所述蓝色色阻1413中的任意两者之间设置所述黑色矩阵142，如图3E所示。
S60，在所述彩膜层14上通过喷墨打印方式形成第二喷墨打印层133。
具体地，所述S60还包括：
首先，涂布一喷墨印刷墨水材料于所述彩膜层14上；之后，通过紫外光照射所述喷墨印刷墨水材料以固化所述喷墨印刷墨水材料，以得到第二喷墨打印层133，其中所述喷墨印刷墨水材料为有机光可聚合材料，所述第二喷墨打印层133的厚度可根据工艺情况进行膜厚确定，如图3F所示。
S70，在所述第二喷墨打印层133上形成第二无机层134。
具体地，所述S70还包括：
在所述第二喷墨打印层133上形成第二无机层134，所述第二无机层134的材料为氮硅化物（SiN x）、硅氮氧化物（SiO xN y）以及铝氧化物（AlO x）中的任意一种。所述第二无机层134的制备方式均包括且不限于化学气相沉积法（CVD）、原子层沉积（ALD）等工艺；在所述第二无机层134沉积后，接着在后段模组组装（MOD）制程（驱动1C与印刷电路板压合制程）中去除偏光片，最后得到所述OLED显示装置10，如图3G所示。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的OLED显示装置及制备方法，通过将彩膜制程放入喷墨打印层中，在确保制程中彩膜膜厚均匀性的同时，也减少了OLED显示装置的厚度，进一步适应了柔性产品需求。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本申请所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

  1. 一种OLED显示装置，其中，包括：具有多个薄膜晶体管的阵列基板、设置于所述阵列基板上的OLED发光层、设置于所述阵列基板上并完全覆盖所述OLED发光层的第一无机层、设置于所述第一无机层上的第一喷墨打印层、彩膜层、第二喷墨打印层以及第二无机层；其中，所述彩膜层位于所述第一喷墨打印层与所述第二喷墨打印层之间，且设置于所述第一喷墨打印层上，所述彩膜层包括彩色滤光层以及黑色矩阵，所述彩色滤光层包括多个红色色阻、多个绿色色阻以及多个蓝色色阻，所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻中的任意两者之间设置所述黑色矩阵。
  2. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
  3. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第一无机层以及所述第二无机层的材料均为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
  4. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第一喷墨打印层以及所述第二喷墨打印层的材料均为有机光可聚合材料。
  5. 一种OLED显示装置，其中，包括：具有多个薄膜晶体管的阵列基板、设置于所述阵列基板上的OLED发光层、设置于所述阵列基板上并完全覆盖所述OLED发光层的第一无机层、设置于所述第一无机层上的第一喷墨打印层、彩膜层、第二喷墨打印层以及第二无机层；其中，所述彩膜层位于所述第一喷墨打印层与所述第二喷墨打印层之间，且设置于所述第一喷墨打印层上。
  6. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
  7. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第一无机层以及所述第二无机层的材料均为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
  8. 如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述第一喷墨打印层以及所述第二喷墨打印层的材料均为有机光可聚合材料。
  9. 一种OLED显示装置的制备方法，其中，所述方法包括：
    S10，提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，所述阵列基板还具有多个开口区域；
    S20，在所述开口区域中蒸镀多个电致发光器件，形成OLED发光层；
    S30，在所述阵列基板上形成第一无机层，所述第一无机层完全覆盖所述OLED发光层；
    S40，在所述第一无机层上通过喷墨打印方式形成第一喷墨打印层；
    S50，在所述第一喷墨打印层上形成彩膜层；
    S60，在所述彩膜层上通过喷墨打印方式形成第二喷墨打印层；
    S70，在所述第二喷墨打印层上形成第二无机层。
  10. 如权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S20中，所述OLED发光层包括红色子发光层、绿色子发光层以及蓝色子发光层，所述红色子发光层、所述绿色子发光层以及所述蓝色子发光层均位于所述阵列基板的开口区域。
  11. 如权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S30中，所述第一无机层通过化学气相沉积法形成于所述阵列基板上，所述第一无机层的材料为氮硅化物、硅氮氧化物以及铝氧化物中的任意一种。
  12. 如权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S40中还包括：
    S401，涂布一喷墨印刷墨水材料于所述第一无机层上；
    S402，通过紫外光照射所述喷墨印刷墨水材料以固化所述喷墨印刷墨水材料，以得到第一喷墨打印层，其中所述喷墨印刷墨水材料为有机光可聚合材料。
  13. 如权利要求9所述的OLED显示装置的制备方法，其中，所述S50中，所述彩膜层包括彩色滤光层以及黑色矩阵，所述彩色滤光层包括多个红色色阻、多个绿色色阻以及多个蓝色色阻，所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻中的任意两者之间设置所述黑色矩阵。
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