WO2021177017A1 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents

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WO2021177017A1
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菱田 光起
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パナソニックIpマネジメント株式会社
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    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures

Definitions

  • This disclosure relates to a semiconductor laser device and a method for manufacturing the same.
  • a semiconductor laser apparatus usually includes a first electrode, a second electrode, and a semiconductor laser diode sandwiched between the first electrode and the second electrode, and emits a laser beam in a predetermined direction. It emits toward. Since the laser beam emitted from the semiconductor laser diode generally has a large beam width, a collimating lens is provided close to the emission position of the laser beam (see, for example, Patent Document 1).
  • the collimating lens is attached to, for example, a fixed component, and the position of the collimating lens relative to the emission position of the laser beam is fixed by, for example, adhering and fixing the fixed component to the first electrode.
  • the semiconductor laser diode is usually fixed to the first electrode or the second electrode by soldering. Thereby, the semiconductor laser diode can be fixed so as to be sandwiched between the first electrode and the second electrode. At this time, the semiconductor laser diode may be fixed in a state of being slightly tilted with respect to the first electrode or the second electrode. As a result, the emission position of the laser beam may be displaced, or the emission direction may be tilted from a predetermined direction. Further, due to the warp of the chip of the semiconductor laser diode, the emission direction of the laser beam may be slightly tilted from a predetermined direction.
  • the mounting position of the collimating lens relative to the first electrode can be adjusted according to the emission direction of the laser beam. Based on the adjusted mounting position, the fixture is glued to the first electrode.
  • An ultraviolet curable resin is generally used for adhesion.
  • a plurality of adhesives may be usually provided on the main surface of the fixed component located near the center when viewed from the width direction of the optical component (direction parallel to the chip surface of the semiconductor laser diode).
  • the mounting position is adjusted while emitting laser light.
  • the relative position of the fixed component with respect to the first electrode is roughly determined while emitting a laser beam.
  • the adhesive resin is adhered to the fixed component, and the relative position of the fixed component with respect to the first electrode is determined while similarly emitting a laser beam, and the adhesive is fixed at the determined position.
  • the adhesive resin before the curing treatment may be irradiated with laser light.
  • the adhesive resin may deteriorate and the adhesive strength may decrease.
  • the adhesive resin may react with the irradiation of the blue laser light and the curing may proceed. Adhesive fixing may be difficult.
  • one aspect of the present disclosure is a semiconductor laser diode sandwiched between a first electrode, a second electrode, the first electrode and the second electrode, and the semiconductor laser diode.
  • the fixing includes an optical component arranged on the emission direction side of the laser beam from the light beam, a fixing component for fixing the optical component, and an adhesive portion interposed between the fixing component and the first electrode.
  • the component relates to a semiconductor laser device, wherein the component is adhered to the first electrode on a side surface of the first electrode from which the laser beam is emitted, and the fixed component has a through hole for exposing the side surface.
  • the fixing component includes an optical component arranged on the light emitting direction side, a fixing component for fixing the optical component, and an adhesive portion interposed between the fixing component and the first electrode.
  • the side surface of the first electrode from which the laser beam is emitted is adhered to the first electrode, and the fixed component is connected to the main surface of the fixed component facing the side surface of the first electrode.
  • the present invention relates to a semiconductor laser apparatus having a slit extending in the emission direction so as to expose the side surface of the first electrode.
  • the fixing component includes an optical component arranged on the emission direction side of the laser beam, a fixing component for fixing the optical component, and an adhesive portion interposed between the fixing component and the first electrode.
  • the surface is adhered to the first electrode, is parallel to the side surface of the first electrode, and is in the thickness direction of the semiconductor laser diode.
  • the width direction length of the fixing component is shorter than the width direction length of the optical component, and the bonding portion is the fixing facing the side surface of the first electrode.
  • the present invention relates to a semiconductor laser apparatus that covers the side surface of the fixed component that is connected to the main surface of the component.
  • Yet another aspect of the present disclosure is from a first electrode, a second electrode, a semiconductor laser diode sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the semiconductor laser diode.
  • a method of manufacturing a semiconductor laser apparatus including an optical component arranged on the emission direction side of a laser beam, which penetrates from a first main surface to a second main surface facing the first main surface.
  • the optical component is provided with a hole or a side surface that connects the first main surface and the second main surface, has a slit extending from the first main surface to the second main surface, and has the optical component.
  • the laser beam of the first electrode emits light from the first main surface of the fixed component so that the optical component faces the semiconductor laser diode and the step of preparing the fixed component to which the fixed component is fixed.
  • a method for manufacturing a semiconductor laser apparatus comprising a step of pouring an adhesive between the first main surface and the side surface of the first electrode, and a step of curing the adhesive to form an adhesive portion.
  • Yet another aspect of the present disclosure is from a first electrode, a second electrode, a semiconductor laser diode sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the semiconductor laser diode.
  • a method for manufacturing a semiconductor laser apparatus including an optical component arranged on the emission direction side of a laser beam, wherein the step of preparing a fixed component to which the optical component is fixed and the optical component are the semiconductor laser diode.
  • the step of making the first main surface of the fixed component face the side surface of the first electrode from which the laser beam is emitted, and the optical process while causing the semiconductor laser diode to emit the laser beam.
  • the first electrode has a step of adhering the adhesive to the side surface of the fixed part connected to the first main surface of the part and a step of curing the adhesive to form an adhesive portion.
  • the width direction length of the fixed component is shorter than the width direction length of the optical component.
  • a decrease in adhesive strength of optical components to a semiconductor laser device is suppressed, and a highly reliable semiconductor laser device can be obtained.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a schematic configuration of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a side view schematically showing a schematic configuration of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a perspective view schematically showing a schematic configuration of a semiconductor laser device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4A is a diagram illustrating a method of adhesively fixing the fixed component to the first electrode.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating a method of adhesively fixing the fixed component to the first electrode.
  • FIG. 4C is a diagram illustrating a method of adhesively fixing the fixed component to the first electrode.
  • FIG. 5 is an enlarged perspective view of a main part schematically showing a schematic configuration of a semiconductor laser device according to another embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor laser apparatus is a semiconductor laser diode sandwiched between a first electrode, a second electrode, and a first electrode and a second electrode (hereinafter, also simply referred to as “LD”). ), It includes an optical component arranged on the emission direction side of the laser beam from the LD, a fixing component for fixing the optical component, and an adhesive portion interposed between the fixed component and the first electrode.
  • the fixed component is adhered to the first electrode by an adhesive portion on the side surface from which the laser beam of the first electrode is emitted.
  • the fixing component has a through hole that exposes the side surface of the first electrode.
  • the adhesive is poured into the gap between the side surface of the first electrode and the main surface of the fixing component facing the side surface, and / or the exposed side surface of the first electrode and the through hole.
  • an adhesive resin such as an ultraviolet curable resin can be used.
  • the adhesive may be a thermosetting resin. The adhesive resin is cured to form an adhesive portion.
  • the fixed component may have a slit extending in the emission direction of the laser beam so as to expose the side surface of the first electrode.
  • the slit is provided on the side surface of the first electrode that is in contact with the main surface of the fixing component that faces the side surface. This allows the adhesive to flow through the slit into the gap between the side surface of the first electrode and the main surface of the fixture and / or between the exposed side surface of the first electrode and the side wall of the slit.
  • the adhesive By interposing an adhesive in the electrode, the adhesive can be cured to form an adhesive portion, and the fixed component can be fixed to the first electrode by the adhesive portion. At least a portion of the slit may be filled with an adhesive portion.
  • At least one of the through hole and the slit may be provided in the fixed component, or both may be provided.
  • the main surface of the fixing component facing the side surface of the first electrode may have a groove communicating with a through hole and / or a slit.
  • An adhesive can be poured into the groove through the through hole and / or the slit to bond between the side surface of the first electrode and the main surface of the fixing component, and the fixing by adhesion can be strengthened.
  • the mounting position of the fixed part is tentatively determined, and then the mounting position is fixed with the adhesive resin attached, without going through a two-step positioning process.
  • the mounting position can be determined at once. In this case, since the laser beam is not irradiated to the adhesive resin prior to the adhesive fixing, deterioration of the adhesive resin can be suppressed. In addition, it is possible to prevent the adhesive resin from being cured prior to bonding.
  • a width direction parallel to the side surface of the first electrode of the fixed component and perpendicular to the thickness direction of the semiconductor laser diode that is, the direction parallel to the chip surface of the semiconductor laser diode. You may reduce the size of.
  • the adhesive can be poured into the gap between the side surface of the first electrode and the main surface of the fixed component to perform adhesion.
  • the adhesive portion may be formed so as to cover the side surface connected to the main surface of the fixed part. As a result, the adhesive fixing can be strengthened.
  • FIG. 1 and 2 are diagrams schematically showing a schematic configuration of the semiconductor laser device 100 according to the present embodiment. Note that FIG. 1 is a perspective view of a state in which the fixed component and the optical component are not attached, and FIG. 2 is a side view of the state in which the fixed component and the optical component are attached.
  • the semiconductor laser device 100 includes a first electrode (upper electrode) 11, a second electrode (lower electrode) 12, a fixed component 13, an LD15, and an optical component 16.
  • the optical component 16 is below the fixed component 13 and is fixed to the fixed component 13.
  • the first electrode 11 has a side surface S1 from which a laser beam from the LD 15 is emitted.
  • the side surface S1 faces the main surface S2 of the fixed component 13.
  • the fixing component 13 is fixed to the first electrode 11, and the relative position of the optical component 16 with respect to the LD 15 is fixed.
  • a through hole 17 is formed in the fixed part 13.
  • the through hole 17 penetrates from the main surface S2 of the fixed component 13 to the main surface S3 on the opposite side of the main surface S2.
  • a part of the side surface S1 is exposed by the through hole 17 in a state where the fixed component 13 is not adhered.
  • the exposed portion of the side surface S1 is covered with the adhesive portion 14, and at least a part of the through hole 17 can be filled with the adhesive portion 14.
  • the adhesive portion 14 can be formed by pouring an adhesive (for example, an adhesive resin) through the through hole 17 and curing the adhesive.
  • the adhesive is poured so as to fill the through hole 17 to form the adhesive portion 14, so that the adhesive force is determined by the area of the exposed portion of the side surface S1 and the area of the inner wall of the through hole 17. Is guaranteed, and high adhesive strength can be stably maintained.
  • the main surface S2 may be provided with a groove 18 communicating with the through hole 17.
  • the adhesive flows into the groove 18 through the through hole 17 due to a capillary effect or the like.
  • the groove 18 can be filled with the adhesive portion 14 as well as the through hole 17. As a result, higher adhesive strength can be obtained.
  • the groove 18 may be formed so as to extend in the vertical direction (direction from the second electrode 12 toward the first electrode 11), or may be formed so as to extend in the horizontal direction.
  • the groove 18 may be formed in a radial shape with the through hole 17 as the center.
  • the through hole 17 may have a larger hole area on the main surface S3 side than on the main surface S2 side from the viewpoint of facilitating the pouring of the adhesive.
  • the cross-sectional shape of the through hole 17 may be a tapered shape.
  • One through hole 17 may be provided on the main surface S2, or a plurality of through holes 17 may be provided. However, when a plurality of (preferably three or more) through holes 17 are provided, the movement of the fixed component 13 can be easily restricted by the adhesive portion 14 even when an external force is applied to the semiconductor laser device 100, and the fixed component It is easy to keep the position of 13 constant.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a schematic configuration of the semiconductor laser device 101 according to the present embodiment, and is a perspective view in a state where fixed parts and optical parts are not attached.
  • a slit 19 is provided on the side surface of the fixed component 13 instead of the through hole 17.
  • the slit 19 is provided on the side surface S4 that connects the main surface S2 of the fixed component 13 and the main surface S3 on the opposite side of the main surface S2, and extends from the main surface S2 to the main surface S3. A part of the side surface S1 is exposed by the slit 19 in a state where the fixed component 13 is not adhered.
  • the adhesive portion 14 is formed by pouring an adhesive resin between the side surface S1 of the first electrode 11 and the main surface S2 of the fixed component 13 and curing the adhesive portion 14 through the exposed portion. Can be formed.
  • the adhesive portion 14 may be formed so as to cover the exposed portion of the side surface S1 of the first electrode 11 and the side surface S4 of the fixing component 13 constituting the side wall of the slit 19. As a result, the adhesive strength is ensured by the area of the exposed portion of the side surface S1 and the area of the side wall of the slit 19, and high adhesive strength can be stably maintained.
  • the method for manufacturing a semiconductor laser device is from a first electrode, a second electrode, a semiconductor laser diode sandwiched between the first electrode and the second electrode, and a semiconductor laser diode.
  • FIGS. 4A to 4C are diagrams showing steps (steps (ii) to (v)) of adhesively fixing the fixed component to which the optical component is fixed to the first electrode among the manufacturing methods.
  • steps (ii) to (v)) of adhesively fixing the fixed component to which the optical component is fixed to the first electrode among the manufacturing methods a part of the fixed component 13, the optical component 16, and the fixed component 13 side of the first electrode 11 is enlarged and shown, and the LD15 existing below the first electrode 11 and the LD15.
  • the display of the second electrode 12 existing below the LD 15 is omitted.
  • the fixed component 13 to which the optical component 16 is fixed is arranged so that the main surface S2 of the fixed component 13 faces the side surface S1 of the first electrode 11.
  • the fixing component 13 is provided with a through hole 17 penetrating between the main surface S2 and the main surface S3 facing the main surface S2.
  • the optical component 16 can be attached to another main surface intersecting the main surfaces S2 and S3 and fixed to the fixing component 13.
  • the optical component 16 is directed so that the laser beam passing through the optical component 16 points in a predetermined direction.
  • the adhesive 20 is poured between the side surface S1 and the main surface S2 from the side of the main surface S3 through the through hole 17. At this time, the adhesive 20 adheres to the side surface S1 so as to cover the side surface S1 of the first electrode 11 exposed through the through hole 17, and at least a part of the through hole 17 can be filled with the adhesive.
  • the adhesive 20 is, for example, an adhesive resin. A part of the adhesive 20 may also penetrate into the gap between the side surface S1 and the main surface S2 located on the outer periphery of the through hole 17.
  • the adhesive 20 is cured to form the adhesive portion 14, so that the optical component 16 is fixed to the first electrode 11 as shown in FIG. 4C.
  • the above method is an example of the case where the fixing component 13 is provided with the through hole 17, but even when the fixing component 13 is provided with the slit 19, the fixed component can be adhesively fixed by the same method.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a schematic configuration of the semiconductor laser device 102 according to another embodiment of the present disclosure, in which the fixed component 13 and the optical component 16 are attached to the first electrode 11. It is a perspective view which shows the periphery of the side surface S1 enlarged.
  • the length of the fixed component 13 is shorter than that of the optical component 16 in the width direction parallel to the side surface S1 of the first electrode 11 and perpendicular to the thickness direction of the LD 15 (not shown). doing.
  • the adhesive portion 14 can be formed at a position near the center of the optical component 16 when viewed from the width direction (direction parallel to the chip surface of the LD 15).
  • the adhesive portion 14 may be attached to the side surface S1 of the first electrode 11 and may be attached so as to cover a part of the side surface S4 connected to the main surface of the fixing component 13 facing the side surface S1.
  • the adhesive strength is secured by the area of the adhesive portion 14 covering the side surface S1 and the area of the adhesive portion 14 covering the side surface S4, and high adhesive strength can be stably maintained.
  • the semiconductor laser device 102 shown in FIG. 5 is bonded from the side surface S4 by using a fixed component 13 having a length in the width direction shorter than that of the optical component 16 in the manufacturing methods shown in FIGS. 4A to 4C, for example. It can be manufactured by pouring the agent 20 between the side surface S1 and the main surface S2, or adhering the agent 20 so as to straddle the side surface S1 and the side surface S4 of the main surface S2 (FIG. 4B). At this time, the adhesive 20 can be continuously adhered so as to cover a part of the side surface S4. After that, the adhesive is cured to form the adhesive portion 14 (FIG. 4C), whereby the semiconductor laser device 102 shown in FIG. 5 is obtained.
  • a fixed component 13 having a length in the width direction shorter than that of the optical component 16 in the manufacturing methods shown in FIGS. 4A to 4C, for example. It can be manufactured by pouring the agent 20 between the side surface S1 and the main surface S2, or adhering the agent 20 so as
  • the LD15 produces a laser beam.
  • the LD15 is, for example, a chip-shaped LD chip.
  • an end face emitting type (EEL: Edge Emitting Laser) LD chip is preferably used.
  • EEL Edge Emitting Laser
  • the end face light emitting type LD chip for example, a long bar-shaped optical resonator is formed in the chip in parallel with the substrate surface.
  • One end face in the longitudinal direction of the cavity is covered with a high reflectance film so that light is mostly reflected.
  • the other end face in the longitudinal direction of the resonator is also covered with a film having a high reflectance, but the reflectance is smaller than that of the reflective film provided on one end face. Therefore, the laser beam amplified by the reflection from both end faces and having the same phase is emitted from the other end face.
  • the laser beam can be emitted from a plurality of locations on the other end face.
  • the LD may have a plurality of light emitting points.
  • the emission points can be aligned one-dimensionally along the end face of the chip, which is the other end face of the resonator.
  • the present disclosure is not limited to the number of light emitting points.
  • the fixing component 13 is also called a holder block and fixes the optical component 16.
  • the optical component 16 can be adhesively attached to the fixed component 13 using an adhesive such as a UV curable resin.
  • the material of the fixing component 13 is, for example, quartz glass.
  • the adhesive portion 14 is a resin material such as a UV curable resin.
  • the thickness of the adhesive portion 14 may be, for example, 5 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the fixed component 13 to which the optical component 16 is fixed can be attached to the first electrode 11 with sufficient strength via the adhesive portion 14.
  • the fixing component 13 can be accurately positioned with respect to the first electrode 11.
  • the thickness of the adhesive portion 14 may be 70 ⁇ m to 120 ⁇ m.
  • the thickness of the adhesive portion 14 means the average thickness.
  • the optical component 16 includes, for example, a collimating lens 16a.
  • the laser beam emitted from the LD15 diffuses as it propagates, and the beam width widens.
  • the collimating lens 16a collimates the laser beam emitted from the LD 15 in a predetermined first direction. That is, the collimating lens 16a suppresses the expansion of the beam width in the first direction of the laser light emitted from the LD15, and parallelizes the laser light so that the beam width in the first direction becomes substantially constant.
  • the first direction may be the direction in which the spread of the beam width is the largest.
  • the first direction is, for example, the direction perpendicular to the substrate surface of the LD chip.
  • the direction perpendicular to the substrate surface of the LD chip can generally be the direction of the speed axis of the laser beam emitted from the LD chip.
  • the direction parallel to the substrate surface of the LD chip and along the end surface from which the light is emitted can generally be the direction of the slow axis of the laser beam emitted from the LD chip.
  • the optical component 16 may include a rotating element 16b that rotates the laser beam transmitted through the collimating lens 16a.
  • rotating the light means rotating the cross-sectional shape on the plane perpendicular to the propagation direction of the light (beam).
  • the LD15 is an LD chip having a plurality of light emitting points
  • a plurality of laser beams corresponding to the light emitting points are generated and emitted, diffused with propagation, and the beam width is widened.
  • the collimating lens 16a parallelizes the laser beam in the direction perpendicular to the substrate surface of the LD chip (first direction)
  • the laser beam through the collimating lens 16a is in the direction perpendicular to the substrate surface.
  • the beam width is substantially constant, the beam width in the direction parallel to the substrate surface and along the end surface (that is, the alignment direction of the plurality of light emitting points) remains wide. That is, the beam shape of the laser light after passing through the collimating lens 16a can be a flat shape (for example, an ellipse or a square) with the first direction as the minor axis.
  • the rotating element 16b has, for example, a light emitting point so that the angle formed by the long axis direction of the elliptical beam and the substrate surface approaches a right angle (the angle formed by the short axis direction and the substrate surface approaches 0 °).
  • An elliptical beam is rotated for each of the different laser beams.
  • the laser beam can be rotated by 90 ° by the rotating element 16b.
  • the cross-sectional shape of each laser beam is rotated so that the overlap between the beams of the laser beams having different emission points is reduced.
  • a high-power laser beam can be obtained.
  • another collimating lens that parallelizes the laser beam through the optical component 16 in the second direction may be arranged at a position close to the semiconductor laser device 100 and away from the optical component 16.
  • the laser beam can be parallelized so that the beam width in the second direction is substantially constant.
  • the second direction is different from the first direction and is, for example, a direction perpendicular to the first direction.
  • the optical component 16 includes the rotating element 16b
  • the second direction is different from the first direction after rotation due to the rotating element 16b, and is, for example, a direction perpendicular to the first direction after rotation.
  • the rotating element 16b rotates the laser beam by 90 °
  • the first direction and the second direction can be parallel.
  • the second direction can be the direction of the slow axis of the laser beam emitted from the LD chip.
  • the collimating lens 16a can be bonded and fixed to the rotating element 16b using an adhesive such as a UV curable resin, and an optical component 16 in which the collimating lens 16a and the rotating element 16b are integrated can be configured.
  • an adhesive such as a UV curable resin
  • an optical component 16 in which the collimating lens 16a and the rotating element 16b are integrated can be configured.
  • the entire optical component 16 can be fixed to the fixed component 13.
  • the material of the collimating lens 16a and the rotating element 16b can be, for example, quartz glass.
  • the first electrode 11 and the second electrode 12 have a role of supplying an electric current to the LD 15 and releasing heat generated by the operation of the LD 15 to the outside.
  • the first electrode 11 and the second electrode 12 are, for example, copper plates.
  • the side surface S1 of the first electrode 11 corresponding to the upper electrode is used as the mounting surface of the fixing component 13.
  • the fixing component 13 may be fixed to the second electrode 12 corresponding to the lower electrode. In that case, in the above description, the first electrode 11 and the second electrode 12 are interchanged.
  • the semiconductor laser device of the present disclosure can stably fix optical components to the semiconductor laser device regardless of heat, so that high output is easy and it is useful for laser processing.

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Abstract

半導体レーザ装置(100)は、第1の電極(11)と、第2の電極(12)と、第1の電極と第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオード(15)と、半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品(16)と、固定部品(13)と、を備える。光学部品(16)は、固定部品(13)に固定される。固定部品(13)は、第1の電極(11)のレーザ光が出射する側面(S1)において、第1の電極と接着されている。固定部品(13)は側面(S1)を露出させる貫通孔(17)を有する。

Description

半導体レーザ装置およびその製造方法
 本開示は、半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
 半導体レーザ装置は、通常、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、を備え、レーザ光を所定の方向に向けて出射する。半導体レーザダイオードから出射されるレーザ光は、一般にビーム幅の広がりが大きいため、レーザ光の出射位置に近接してコリメートレンズが設けられる(例えば、特許文献1参照)。コリメートレンズは、例えば固定部品に取り付けられ、例えば固定部品を第1の電極に接着固定することによって、レーザ光の出射位置に対するコリメートレンズの相対的な位置が固定される。
国際公開第2016/063436号パンフレット
 半導体レーザダイオードは、通常、第1の電極または第2の電極とはんだにより固定される。これにより、半導体レーザダイオードが第1の電極と第2の電極との間に挟持されるように固定され得る。このとき、半導体レーザダイオードが第1の電極または第2の電極に対して僅かに傾いた状態で固定される場合がある。結果として、レーザ光の出射位置にずれが生じたり、出射方向が想定される所定の方向から傾いたりする場合がある。また、半導体レーザダイオードのチップの反りにより、レーザ光の出射方向が所定の方向から僅かに傾く場合もある。
 レーザ光の出射方向に応じて、コリメートレンズの第1の電極に対する相対的な取り付け位置が調整され得る。調整された取り付け位置に基づいて、固定部品が第1の電極と接着される。接着には、紫外線硬化樹脂が一般的に用いられている。接着剤は、通常、光学部品の幅方向(半導体レーザダイオードのチップ面に平行な方向)からみて中央付近に位置する固定部品の主面に、複数設けられ得る。
 取り付け位置の調整は、レーザ光を出射させながら行われる。通常、接着による固定の前に、レーザ光を出射させながら第1の電極に対する固定部品の相対位置を大まかに決定する。その後、固定部品に接着樹脂を付着して、同様にレーザ光を出射させながら第1の電極に対する固定部品の相対位置を確定させ、確定位置に接着固定する。
 この場合、固定部品の相対位置を確定させるときに、硬化処理前の接着樹脂にレーザ光が照射される場合がある。硬化処理前の接着樹脂にレーザ光が照射されることで、接着樹脂が劣化し、接着強度が低下し得る。さらに、青色発光の半導体レーザダイオードを用いた半導体レーザ装置では、接着剤として紫外線硬化樹脂を用いる場合であっても、青色レーザ光の照射により接着樹脂が反応して硬化が進行する場合があり、接着固定が困難になる場合がある。
 上記に鑑み、本開示の一側面は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、前記光学部品を固定する固定部品と、前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、前記固定部品は前記側面を露出させる貫通孔を有する、半導体レーザ装置に関する。
 本開示の他の側面は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、前記光学部品を固定する固定部品と、前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、前記固定部品は、前記第1の電極の前記側面に対向する前記固定部品の主面と連接する側面に、前記第1の電極の前記側面を露出させるように前記出射方向に延びるスリットを有する、半導体レーザ装置に関する。
 本開示のさらに他の側面は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、前記光学部品を固定する固定部品と、前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、前記第1の電極の前記側面に平行であって、且つ、前記半導体レーザダイオードの厚み方向に垂直な幅方向において、前記固定部品の前記幅方向の長さは、前記光学部品の前記幅方向の長さよりも短く、前記接着部は、前記第1の電極の前記側面に対向する前記固定部品の主面に連接する前記固定部品の側面を覆っている、半導体レーザ装置に関する。
 本開示のさらに他の側面は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、を備える半導体レーザ装置の製造方法であって、第1の主面から前記第1の主面に対向する第2の主面まで貫通する貫通孔、または、前記第1の主面と前記第2の主面とを連接する側面に設けられ、前記第1の主面から前記第2の主面まで延びるスリットを有し、且つ前記光学部品が固定されている固定部品を準備する工程と、前記光学部品が前記半導体レーザダイオードに対向するように、前記固定部品の前記第1の主面を前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面と対向させる工程と、前記半導体レーザダイオードに前記レーザ光を出射させながら、前記光学部品の前記半導体レーザダイオードに対する相対位置を位置決めする工程と、前記位置決め後に、前記貫通孔または前記スリットを介して前記第1の主面と前記第1の電極の前記側面との間に接着剤を流し入れる工程と、前記接着剤を硬化させ、接着部を形成する工程と、を有する、半導体レーザ装置の製造方法に関する。
 本開示のさらに他の側面は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、を備える半導体レーザ装置の製造方法であって、前記光学部品が固定されている固定部品を準備する工程と、前記光学部品が前記半導体レーザダイオードに対向するように、前記固定部品の第1の主面を前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面と対向させる工程と、前記半導体レーザダイオードに前記レーザ光を出射させながら、前記光学部品の前記半導体レーザダイオードに対する相対位置を位置決めする工程と、前記位置決め後に、前記固定部品の前記第1の主面と前記第1の電極の前記側面との間に接着剤を流し入れるとともに、前記固定部品の前記第1の主面に連接する前記固定部品の側面に前記接着剤を付着させる工程と、前記接着剤を硬化させ、接着部を形成する工程と、を有し、前記第1の電極の前記側面に平行であって、且つ、前記半導体レーザダイオードの厚み方向に垂直な幅方向において、前記固定部品の前記幅方向の長さは、前記光学部品の前記幅方向の長さよりも短い、半導体レーザ装置の製造方法に関する。
 本開示によれば、半導体レーザ装置への光学部品の接着強度の低下が抑制され、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。
図1は、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成を模式的に示す斜視図である。 図2は、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成を模式的に示す側面図である。 図3は、本開示の他の実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成を模式的に示す斜視図である。 図4Aは、固定部品を第1の電極に接着固定する方法を説明する図である。 図4Bは、固定部品を第1の電極に接着固定する方法を説明する図である。 図4Cは、固定部品を第1の電極に接着固定する方法を説明する図である。 図5は、本開示の他の実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成を模式的に示す、要部を拡大した斜視図である。
 本実施形態に係る半導体レーザ装置は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオード(以下において、単に「LD」とも称する)と、LDからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、光学部品を固定する固定部品と、固定部品と第1の電極との間に介在する接着部と、を備える。固定部品は、第1の電極のレーザ光が出射する側面において、接着部により第1の電極と接着されている。
 第1の態様において、固定部品は第1の電極の上記側面を露出させる貫通孔を有する。貫通孔を介して、接着剤を第1の電極の側面と上記側面に対向する固定部品の主面との間の隙間に流し入れ、および/または、第1の電極の露出した側面と貫通孔の内壁との間に接着剤を介在させることによって、接着部により固定部品を第1の電極に固定することができる。
 よって、貫通孔の少なくとも一部には、接着部が充填され得る。これにより、固定部品と第1の電極とが接着され得る。接着剤は、例えば紫外線硬化樹脂などの接着樹脂を用いることができる。接着剤は、熱硬化樹脂であってもよい。接着樹脂を硬化させ、接着部が形成される。
 第2の態様において、固定部品は、第1の電極の側面を露出させるように、レーザ光の出射方向に延びるスリットを有してもよい。スリットは、第1の電極の上記側面に対向する固定部品の主面と連接する側面に設けられる。これにより、スリットを介して、接着剤を第1の電極の側面と固定部品の主面との間の隙間に流し入れ、および/または、第1の電極の露出した側面とスリットの側壁との間に接着剤を介在させることによって、接着剤を硬化させて接着部を形成し、接着部により固定部品を第1の電極に固定することができる。スリットの少なくとも一部には、接着部が充填され得る。貫通孔およびスリットは、少なくとのいずれか一方を固定部品に設ければよく、両方設けてもよい。
 第1の電極の側面に対向する固定部品の主面に、貫通孔および/またはスリットに連通する溝を有してもよい。貫通孔および/またはスリットを介して溝に接着剤を流し込んで、第1の電極の側面と固定部品の主面との間を接着することができ、接着による固定を強固にできる。
 貫通孔および/またはスリットを介して接着固定を行うことにより、固定部品の取り付け位置を仮決めした後、接着樹脂を付着させた状態で取り付け位置を確定させるといった二段階の位置決め工程を経ることなく、取り付け位置の決定を一回で行うことができる。この場合、接着固定に先立って接着樹脂にレーザ光が照射されることがないため、接着樹脂が劣化するのを抑制できる。また、接着に先立って接着樹脂が硬化してしまうのを抑制できる。
 また、貫通孔またはスリットを設ける代わりに、固定部品の第1の電極の上記側面に平行で且つ半導体レーザダイオードの厚み方向(すなわち、半導体レーザダイオードのチップ面に平行な方向)に垂直な幅方向のサイズを小さくしてもよい。これにより、第1の電極の側面と固定部品の主面との間の隙間に接着剤を流し込み、接着を行うことができる。このとき、接着部は固定部品の主面に連接する側面を覆うように形成され得る。これにより、接着固定を強固にできる。
 図1及び図2は、本実施形態に係る半導体レーザ装置100の概略の構成を模式的に示す図である。なお、図1は固定部品および光学部品が取り付けられていない状態の斜視図であり、図2は固定部品および光学部品が取り付けられた状態の側面図である。
 半導体レーザ装置100は、第1の電極(上部電極)11、第2の電極(下部電極)12、固定部品13、LD15、および、光学部品16を備える。光学部品16は、固定部品13の下方にあって、固定部品13に固定されている。
 第1の電極11は、LD15からのレーザ光が出射される側面S1を有する。側面S1は、固定部品13の主面S2と対向している。側面S1と主面S2とが接着されることによって、固定部品13が第1の電極11に固定され、LD15に対する光学部品16の相対位置が固定される。
 固定部品13には、貫通孔17が形成されている。貫通孔17は、固定部品13の主面S2から、主面S2と反対側の主面S3まで、を貫通している。貫通孔17により、固定部品13が接着されない状態では、側面S1の一部が露出している。接着された状態では、図2に示すように、側面S1の露出部分は接着部14で覆われ、貫通孔17の少なくとも一部が、接着部14で充填され得る。接着部14は、本実施形態において、貫通孔17を介して接着剤(例えば、接着樹脂)を流し入れ、接着剤を硬化させることにより形成され得る。
 第1の電極11の側面S1と固定部品13の主面S2との間には、通常、僅かな隙間があり、接着剤は、毛細管現象により隙間に侵入し得る。しかしながら、隙間の離間距離のばらつきが大きいことから、隙間への侵入量のばらつきも大きくなる。また、固定部品13の周囲からしか接着できないため、固定部品13のサイズが大きい場合、接着される場所が制限される。このため、単に隙間に接着剤を介在させるだけでは、高い接着強度が得られない場合がある。これに対し、本実施形態では、貫通孔17を埋めるように接着剤を流し入れ、接着部14を形成することで、側面S1の露出部分の面積、および、貫通孔17の内壁の面積により接着力が担保され、安定的に高い接着強度を維持できる。
 主面S2には、貫通孔17に連通する溝18が設けられていてもよい。貫通孔17を介して、接着剤がキャピラリー効果などによって溝18に流れ込む。結果、溝18は、貫通孔17と同様、接着部14で充填され得る。これにより、より高い接着強度が得られる。
 溝18は、鉛直方向(第2の電極12から第1の電極11に向かう方向)に延びるように形成されていてもよく、水平方向に延びるように形成されていてもよい。溝18は、貫通孔17を中心として放射形状に形成されていてもよい。
 貫通孔17は、接着剤を流し入れ易くする観点から、主面S2側よりも主面S3側において孔の面積を大きくしてもよい。貫通孔17の断面形状は、テーパ形状であってもよい。
 貫通孔17は、主面S2上に1つ設けられていてもよく、複数設けられていてもよい。しかしながら、貫通孔17が複数(好ましくは、3個以上)設けられていると、半導体レーザ装置100に外力が加えられた場合においても固定部品13の移動を接着部14により制限し易く、固定部品13の位置を一定に維持することが容易である。
 図3は、本実施形態に係る半導体レーザ装置101の概略の構成を模式的に示す図であり、固定部品および光学部品が取り付けられていない状態の斜視図である。図3に示す半導体レーザ装置101は、図1に示す半導体レーザ装置100において、貫通孔17に代えて固定部品13の側面にスリット19を設けている。
 スリット19は、固定部品13の主面S2と、主面S2と反対側の主面S3と、を連接する側面S4に設けられ、主面S2から主面S3まで延びている。スリット19により、固定部品13が接着されない状態では、側面S1の一部が露出する。図1に示す半導体レーザ装置100と同様、露出部分を介して、第1の電極11の側面S1と固定部品13の主面S2との間に接着樹脂を流し入れ硬化させることで、接着部14を形成することができる。接着部14は、第1の電極11の側面S1の露出部分、および、スリット19の側壁を構成する固定部品13の側面S4を覆うように形成され得る。これにより、側面S1の露出部分の面積、および、スリット19の側壁の面積により接着力が担保され、安定的に高い接着強度を維持できる。
 本実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、を備える半導体レーザ装置の製造方法であって、下記の工程を有する:
(i)第1の主面から第1の主面に対向する第2の主面まで貫通する貫通孔、または、第1の主面と第2の主面とを連接する側面に設けられ、第1の主面から第2の主面まで延びるスリットを有し、且つ光学部品が固定されている固定部品を準備する工程、
(ii)光学部品が半導体レーザダイオードに対向するように、固定部品の第1の主面を第1の電極のレーザ光が出射する側面と対向させる工程と、
(iii)半導体レーザダイオードにレーザ光を出射させながら、光学部品の半導体レーザダイオードに対する相対位置を位置決めする工程と、
(iv)位置決め後に、貫通孔またはスリットを介して第1の主面と第1の電極の上記側面との間に接着剤を流し入れる工程と、
(v)接着剤を硬化させ、接着部を形成する工程。
 以下に、図4A~図4Cを参照して、本実施形態において、光学部品を備えた半導体レーザ装置を製造する方法を説明する。図4A~図4Cは、製造方法のうち、特に、光学部品が固定された固定部品を第1の電極に接着固定する工程(工程(ii)~工程(v))を示す図である。なお、図4A~図4Cでは、固定部品13、光学部品16、および第1の電極11の固定部品13側の一部分を拡大して示し、第1の電極11の下方に存在するLD15、および、LD15の下方に存在する第2の電極12の表示を省略している。
 図4Aに示すように、光学部品16が固定された固定部品13を、固定部品13の主面S2が第1の電極11の側面S1と対向するように配置する。固定部品13は、主面S2と、主面S2に対向する主面S3との間を貫通する貫通孔17が設けられている。光学部品16は、主面S2およびS3と交差する別の主面に取り付けられ、固定部品13に固定され得る。
 次に、LD15からレーザ光を出射させた状態で、固定部品13(および、光学部品16)を移動させながら、光学部品16を通過したレーザ光が所定の方向を向くように、光学部品16のLD15に対する相対位置を位置決めする。位置決めにより、固定部品13の側面S1における位置、側面S1と主面S2との離間距離、側面S1と主面S2とのなす角が決まる。
 次に、図4Bに示すように、主面S3の側から、貫通孔17を介して接着剤20を側面S1と主面S2との間に流し入れる。このとき、接着剤20は、貫通孔17を介して露出する第1の電極11の側面S1を覆うように側面S1に付着し、貫通孔17の少なくとも一部が接着剤で埋められ得る。接着剤20は、例えば、接着樹脂である。接着剤20の一部は、貫通孔17よりも外周に位置する側面S1と主面S2との隙間にも侵入し得る。
 その後、接着剤20を硬化させ、接着部14を形成することで、図4Cに示すように、光学部品16が第1の電極11に固定される。なお、上記方法は固定部品13に貫通孔17を設けた場合の一例であるが、固定部品13にスリット19を設けた場合についても、同様の方法で固定部品の接着固定を行うことができる。
 上記実施形態において、貫通孔17またはスリット19を設ける代わりに、光学部品のサイズを小さくしてもよい。図5は、本開示の他の実施形態に係る半導体レーザ装置102の概略の構成を模式的に示す図であり、固定部品13および光学部品16が取り付けられた状態で、第1の電極11の側面S1の周辺を拡大して示す斜視図である。
 図5の例では、第1の電極11の側面S1に平行であって、且つ、LD15(不図示)の厚み方向に垂直な幅方向において、固定部品13の長さを光学部品16よりも短くしている。これにより、接着部14を、幅方向(LD15のチップ面に平行な方向)からみて光学部品16の中央付近となる位置に形成することができる。接着部14は、第1の電極11の側面S1に付着するほか、側面S1に対向する固定部品13の主面に連接する側面S4の一部を覆うように付着し得る。この場合、側面S1を覆う接着部14の面積、および、側面S4を覆う接着部14の面積により接着力が担保され、安定的に高い接着強度を維持できる。
 図5に示す半導体レーザ装置102は、例えば、図4A~図4Cに示す製造方法において、上記幅方向における長さが光学部品16よりも短い固定部品13を用いて、側面S4の側から、接着剤20を側面S1と主面S2との間に流し入れる、または側面S1と主面S2の側面S4とを跨ぐように接着させる(図4B)ことで製造できる。このとき、接着剤20は側面S4の一部を覆うように連続して付着し得る。その後、接着剤を硬化させ、接着部14を形成する(図4C)ことで、図5に示す半導体レーザ装置102が得られる。
 以下、本実施形態に係る半導体レーザ装置の構成要素について、詳細に説明する。しかしながら、本開示は下記の構成に限定されるものではない。
 (半導体レーザダイオード(LD))
 LD15は、レーザ光を生成する。LD15は、例えば、チップ形状をしたLDチップである。LDチップとしては、端面発光型(EEL:Edge Emitting Laser)のLDチップが好ましく用いられる。端面発光型のLDチップでは、例えば、長尺のバー形状の光共振器が、チップ内において基板面と平行に形成されている。共振器の長手方向の一方の端面は光が殆ど反射するように高反射率の膜で覆われている。一方、共振器の長手方向の他方の端面も高反射率の膜で覆われているが、反射率は一方の端面に設けられた反射膜よりも小さい。よって、両端面からの反射により増幅され位相の揃ったレーザビームが他方の端面から出射される。
 LDチップ内に共振器が複数設けられる場合、レーザビームは、他方の端面の複数の箇所から出射され得る。この場合、LDは複数の発光点を有し得る。発光点は、共振器の他方の端面であるチップの端面に沿って、一次元的に整列し得る。しかしながら、本開示は発光点の数に限定されるものではない。
 (固定部品)
 固定部品13は、ホルダーブロックとも呼ばれ、光学部品16を固定している。例えば、光学部品16は、UV硬化樹脂などの接着材を用いて、固定部品13に接着により取り付けられ得る。固定部品13の材質は、例えば、石英ガラスである。
 (接着部)
 接着部14は、例えばUV硬化樹脂等の樹脂材料である。接着部14の厚みは、例えば5μm~200μmであってもよい。接着部14の厚みが5μm以上であれば、接着部14を介して、光学部品16が固定された固定部品13を十分な強度で第1の電極11に取り付けることができる。また、接着部14の厚みを200μm以下とすることで、固定部品13の第1の電極11に対する位置決めを精度よく行うことができる。接着部14の厚みは、70μm~120μmであってもよい。
 なお、接着部14の厚みは、平均の厚みを意味する。
 (光学部品)
 光学部品16は、例えば、コリメートレンズ16aを含む。
 LD15から出射されるレーザ光は、伝播に伴い拡散し、ビーム幅が広がる。コリメートレンズ16aは、LD15から出射されたレーザ光を所定の第1方向に平行光化する。すなわち、コリメートレンズ16aは、LD15から出射されたレーザ光の第1方向におけるビーム幅の拡大を抑制し、第1方向におけるビーム幅が略一定になるようにレーザ光を平行光化する。第1方向は、ビーム幅の広がりが最も大きくなる方向であってもよい。
 第1方向は、例えば、LDチップの基板面に垂直な方向である。LDチップの基板面に垂直な方向は、一般に、LDチップから発するレーザ光の速軸の方向であり得る。これに対し、LDチップの基板面に平行で且つ光が出射される端面に沿う方向は、一般に、LDチップから発するレーザ光の遅軸の方向であり得る。
 光学部品16は、コリメートレンズ16aを透過したレーザ光を回転させる回転素子16bを含んでいてもよい。なお、上記において、「光を回転させる」とは、光(ビーム)の伝播方向に垂直な面における断面形状を回転させることを意味する。
 LD15が複数の発光点を有するLDチップである場合、発光点に対応する複数のレーザ光が生成および出射され、伝播に伴い拡散し、ビーム幅が広がる。コリメートレンズ16aが、例えばレーザ光をLDチップの基板面に垂直な方向(第1方向)において平行光化するものである場合、コリメートレンズ16aを介したレーザ光は、基板面に垂直な方向のビーム幅は略一定となっているが、基板面に平行で且つ端面に沿う方向(すなわち、複数の発光点の整列方向)のビーム幅は広がったままである。すなわち、コリメートレンズ16aを通過後のレーザ光のビーム形状は、第1方向を短軸とする扁平な形状(例えば、楕円または方形)であり得る。
 回転素子16bは、例えば、楕円形状のビームの長軸方向と基板面とのなす角が直角に近づくように(短軸方向と基板面とのなす角が0°に近づくように)、発光点の異なるレーザ光のそれぞれについて、楕円形状のビームを回転させる。例えば、第1方向がLDチップの基板面に垂直な方向である場合、レーザ光は回転素子16bによって90°回転され得る。これにより、発光点の異なるレーザ光のビーム同士の重なりが低減されるように、それぞれのレーザビームの断面形状が回転する。これにより、高出力のレーザビームが得られる。
 さらに、半導体レーザ装置100に近接して、光学部品16から離間した位置に、光学部品16を介したレーザ光を第2方向に平行光化する別のコリメートレンズを配してもよい。これにより、第2方向におけるビーム幅が略一定となるように、レーザ光が平行光化され得る。光学部品16が回転素子16bを設けない場合、第2方向は、第1方向と異なり、例えば第1方向に垂直な方向である。光学部品16が回転素子16bを含む場合、第2方向は、回転素子16bにより回転後の第1方向と異なり、例えば回転後の第1方向に垂直な方向である。回転素子16bがレーザ光を90°回転させる場合、第1方向と第2方向とは平行であり得る。第2方向は、LDチップから発するレーザ光の遅軸の方向であり得る。
 コリメートレンズ16aは、例えばUV硬化樹脂などの接着剤を用いて、回転素子16bに接着固定され、コリメートレンズ16aと回転素子16bが一体化した光学部品16が構成され得る。この場合、例えば、回転素子16bが、固定部品13に固定されることで、光学部品16の全体が固定部品13に固定され得る。コリメートレンズ16aおよび回転素子16bの材質は、例えば、石英ガラスであり得る。
 (第1および第2の電極)
 第1の電極11および第2の電極12は、LD15に電流を供給するとともに、LD15の作動により生じる熱を外部に逃がす役割を有している。第1の電極11および第2の電極12は、例えば、銅板である。
 上記実施形態では、LD15を挟持する第1の電極11および第2の電極12のうち、上部電極に相当する第1の電極11の側面S1を固定部品13の取り付け面としている。しかしながら、下部電極に相当する第2の電極12に、固定部品13を固定してもよい。その場合、上述の説明において、第1の電極11と第2の電極12とが入れ替わる。
 上述した実施形態は本開示の一例に過ぎず、各部の具体的な構成は上述した具体例に限定されるものではなく、本開示の作用効果が奏される範囲で適宜変更設計可能であることはいうまでもない。
 本開示の半導体レーザ装置は、半導体レーザ装置への光学部品の固定を、熱によらず安定して行うことができることから、高出力が容易であり、レーザ加工に有用である。
 100、101、102:半導体レーザ装置
 11:第1の電極
 12:第2の電極
 13:固定部品
 17:貫通孔
 18:溝
 19:スリット
 14:接着部
 15:半導体レーザダイオード(LD)
 16:光学部品
 16a:コリメートレンズ
 16b:回転素子
 20:接着剤

Claims (8)

  1.  第1の電極と、
     第2の電極と、
     前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、
     前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、
     前記光学部品を固定する固定部品と、
     前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、
     前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、
     前記固定部品は前記側面を露出させる貫通孔を有する、半導体レーザ装置。
  2.  第1の電極と、
     第2の電極と、
     前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、
     前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、
     前記光学部品を固定する固定部品と、
     前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、
     前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、
     前記固定部品は、前記第1の電極の前記側面に対向する前記固定部品の主面と連接する側面に、前記第1の電極の前記側面を露出させるように前記出射方向に延びるスリットを有する、半導体レーザ装置。
  3.  前記貫通孔または前記スリットの少なくとも一部に前記接着部が充填されている、請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
  4.  前記第1の電極の前記側面に対向する前記固定部品の主面に、前記貫通孔または前記スリットに連通する溝を有し、
     前記溝に、前記接着部が充填されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
  5.  第1の電極と、
     第2の電極と、
     前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、
     前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、
     前記光学部品を固定する固定部品と、
     前記固定部品と前記第1の電極との間に介在する接着部と、を備え、
     前記固定部品は、前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面において、前記第1の電極と接着されており、
     前記第1の電極の前記側面に平行であって、且つ、前記半導体レーザダイオードの厚み方向に垂直な幅方向において、前記固定部品の前記幅方向の長さは、前記光学部品の前記幅方向の長さよりも短く、
     前記接着部は、前記第1の電極の前記側面に対向する前記固定部品の主面に連接する前記固定部品の側面を覆っている、半導体レーザ装置。
  6.  前記接着部は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂の硬化物を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
  7.  第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、を備える半導体レーザ装置の製造方法であって、
     第1の主面から前記第1の主面に対向する第2の主面まで貫通する貫通孔、または、前記第1の主面と前記第2の主面とを連接する側面に設けられ、前記第1の主面から前記第2の主面まで延びるスリットを有し、且つ前記光学部品が固定されている固定部品を準備する工程と、
     前記光学部品が前記半導体レーザダイオードに対向するように、前記固定部品の前記第1の主面を前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面と対向させる工程と、
     前記半導体レーザダイオードに前記レーザ光を出射させながら、前記光学部品の前記半導体レーザダイオードに対する相対位置を位置決めする工程と、
     前記位置決め後に、前記貫通孔または前記スリットを介して前記第1の主面と前記第1の電極の前記側面との間に接着剤を流し入れる工程と、
     前記接着剤を硬化させ、接着部を形成する工程と、を有する、半導体レーザ装置の製造方法。
  8.  第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持される半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードからのレーザ光の出射方向側に配置される光学部品と、を備える半導体レーザ装置の製造方法であって、
     前記光学部品が固定されている固定部品を準備する工程と、
     前記光学部品が前記半導体レーザダイオードに対向するように、前記固定部品の第1の主面を前記第1の電極の前記レーザ光が出射する側面と対向させる工程と、
     前記半導体レーザダイオードに前記レーザ光を出射させながら、前記光学部品の前記半導体レーザダイオードに対する相対位置を位置決めする工程と、
     前記位置決め後に、前記固定部品の前記第1の主面と前記第1の電極の前記側面との間に接着剤を流し入れるとともに、前記固定部品の前記第1の主面に連接する前記固定部品の側面に前記接着剤を付着させる工程と、
     前記接着剤を硬化させ、接着部を形成する工程と、を有し、
     前記第1の電極の前記側面に平行であって、且つ、前記半導体レーザダイオードの厚み方向に垂直な幅方向において、前記固定部品の前記幅方向の長さは、前記光学部品の前記幅方向の長さよりも短い、半導体レーザ装置の製造方法。
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