WO2021149695A1 - ミスト成膜装置及びミスト成膜方法 - Google Patents

Abstract

微粒子を含むミストを基板に供給し、基板の表面に微粒子を含む膜を形成する成膜装置は、基板の表面の少なくとも一部を覆う導風部材と、基板の表面と導風部材との間の空間にミストを供給するミスト供給部と、を備える。ミスト供給部は、ミストを正または負に帯電させる帯電付与部と、帯電付与部により帯電されたミストを空間内に噴出するミスト噴出部と、を含む。導風部材は、基板の表面に対向する壁面を有し、帯電付与部により帯電されるミストと同じ符号の電位を壁面に発生させる静電界発生部を含む。

Description

ミスト成膜装置及びミスト成膜方法

　本発明は、微細な材料粒子（ナノ粒子）を含む溶液を霧化したミストを被処理基板に噴霧し、被処理基板の表面に微細な粒子による材料物質の薄膜を形成するミスト成膜装置及びミスト成膜方法に関する。

　電子デバイスの製造過程では、電子デバイスが形成される基板（被処理対象）の表面に各種の材料物質による薄膜を形成する成膜工程（成膜処理）が実施されている。成膜工程での成膜方法には各種の方式があり、近年、材料物質の分子や微粒子（ナノ粒子）を含む溶液から発生させたミストを基板の表面に噴霧し、基板に付着したミスト（溶液）に含まれる溶媒成分を反応又は蒸発させて、基板の表面に材料物質（金属材料、有機材料、酸化物材料等）による薄膜を形成するミスト成膜法が注目されている。ミスト成膜法に似た成膜方式として、特開２００５－２８１６７９号公報に開示されているような静電噴霧堆積法（エレクトロスプレーデポジション法）が知られている。静電噴霧堆積法とは、塗布すべき液体を静電的に帯電させ、帯電した液体を微小な液滴（ミスト）状、又は線状体にして、被対象物に付着させる方法である。特開２００５－２８１６７９号公報には、絶縁性のフィルムの表面に成膜する為の樹脂を溶媒に溶解した溶液、または樹脂と無機微粒子を分散した分散液を、先端に毛細管を有する噴射ノズルに供給し、その噴射ノズルに一定流量となる圧力をかけつつ、噴射ノズルに高電圧を印加することで、直径が０．数ミクロンから数十ミクロンの帯電された液滴又は線状体をノズル先端の毛細管からフィルム表面に噴出する構成が開示されている。さらに特開２００５－２８１６７９号公報では、フィルムの面積よりも大きい導電板上にフィルムを載置し、その導電板と噴射ノズルの間に一定の電位差を与えることで、帯電された液滴又は線状体を効率的にフィルム表面に付着させている。

　静電噴霧堆積法では、噴射ノズルの毛細管から噴出される液滴や線状体は、ノズル先端からフィルム表面までの距離、或いは噴射ノズルと導電板との間の電位差にも依存するが、特開２００５－２８１６７９号公報では、噴射ノズルの先端（毛細管）の直径を、好ましくは０．４～１ｍｍの範囲にし、噴射ノズルと導電板との間に印加する電圧を、好ましくは１０～２０ｋＶｋの範囲にすることで、静電反発力によってノズル先端から液滴や線状体を噴射させる構成となっている。その為、ノズル先端の毛細管の噴出方向の延長線がフィルム表面と交差する中央部分に形成される膜厚が最も厚く、その中央部分から周辺に行くに従って膜厚が薄くなる傾向がある。それゆえ、大きなフィルム表面に、樹脂や無機微粒子による薄膜を均一に正確な厚みで形成する為には、フィルムと噴射ノズルとをフィルム表面と平行な面内で２次元的に一定の速度で精密に相対移動させる必要がある。

　本発明の第１の態様は、材料物質の微粒子を含有したミストを基板に噴霧し、前記基板の表面に前記材料物質による膜層を形成するミスト成膜装置であって、前記微粒子を含有する溶液を霧化して発生したミストを含むミスト気体を送出するミスト発生機構と、前記ミスト気体を流入して前記基板に向けて噴出するミスト噴出機構と、前記ミスト噴出機構からの前記ミスト気体を前記基板の表面に沿って流す為に、前記基板の表面と所定間隔で対向した壁面を有する導風機構と、前記基板の表面に前記ミストを引き寄せる引力を発生させる為に、前記導風部材の前記壁面と前記ミストとの間に斥力を発生させるミスト誘導機構と、を備える。

　本発明の第２の態様は、微粒子を含むミストをキャリア気体に乗せたミスト気体を基板の表面に噴霧し、前記微粒子を前記基板の表面に薄膜状に形成するミスト成膜装置であって、前記基板の表面から所定の間隔で対向したノズル開口部を有し、前記ミスト気体を前記ノズル開口部から前記基板に向けて噴出するミスト噴霧部と、前記ミスト噴霧部に前記ミスト気体を所定流量で供給すると共に、前記ノズル開口部から噴出される前記ミスト気体を環境温度よりも低い第１の温度に設定するミスト供給装置と、前記基板を支持して、前記基板の表面に沿った方向に移動させる移動機構と、前記ミスト気体が噴霧される前記基板を前記第１の温度よりも低い第２の温度に設定する基板温調機構と、を備える。

　本発明の第３の態様は、微粒子を含むミストをキャリア気体に乗せたミスト気体を被処理基板の表面に噴霧し、前記微粒子を前記被処理基板の表面に薄膜状に形成するミスト成膜方法であって、前記被処理基板の表面に向けてミスト噴出部から噴霧される前記ミスト気体の温度を、第１の温調器によって０℃よりも高く３０℃以下の第１の温度に設定することと、前記被処理基板の温度を第２の温調器によって前記第１の温度以下の第２の温度に設定することと、移動機構によって前記被処理基板と前記ミスト噴出部とを前記被処理基板の表面に沿って相対移動させながら、前記第１の温度に設定された前記ミスト気体を、前記第２の温度に設定された前記被処理基板の表面に噴霧すること、とを含む。

　本発明の第４の態様は、微粒子を含むミストを基板に供給し、前記基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜装置であって、前記基板の表面の少なくとも一部を覆う導風部材と、前記基板の表面と前記導風部材との間の空間に前記ミストを供給するミスト供給部と、を備え、前記ミスト供給部は、前記ミストを正または負に帯電させる帯電付与部と、前記帯電付与部により帯電された前記ミストを前記空間内に噴出するミスト噴出部と、を含み、前記導風部材は、前記基板の表面に対向する壁面を有し、前記帯電付与部により帯電される前記ミストと同じ符号の電位を前記壁面に発生させる静電界発生部を備える。

　本発明の第５の態様は、微粒子を含有したミストを基板に供給し、基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜装置であって、前記微粒子を含有する液体を霧化して前記ミストを発生させるミスト発生部と、前記基板に前記ミストを供給するミスト供給部と、を備え、前記ミスト供給部は、前記ミストの温度を第１の温度にする温調部と、前記基板の温度を第２の温度にする基板温調部と、を含む。

　本発明の第６の態様は、導電膜の製造装置であって、上記した第１の態様または第２の態様の成膜装置と、前記成膜装置によって成膜された前記基板上のミストを乾燥させる乾燥部と、を含む。

　本発明の第７の態様は、微粒子を含むミストを基板に供給し、前記基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜方法であって、帯電付与部によって前記ミストを正または負に帯電させ、帯電した前記ミストを前記基板の表面の少なくとも一部を覆う導風部材と前記基板の表面との間の空間にミスト噴出部によって供給するミスト供給工程と、帯電した前記ミストと同じ符号の電位を前記基板の表面に対向する前記導風部材の壁面に発生させる静電界発生工程と、を含む。

　本発明の第８の態様は、微粒子を含有したミストを基板に供給し、基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜方法であって、前記微粒子を含有する液体を霧化してミストを発生させるミスト発生工程と、前記基板に前記ミストを供給するミスト供給工程と、を備え、前記ミスト供給工程では、温調部によって前記ミストの温度を第１の温度とし、基板温調部によって前記基板の温度を第２の温度とする。

　本発明の第９の態様は、導電膜の製造方法であって、上記した第４の態様または第５の態様の成膜方法を用いて前記基板上に導電膜材料を成膜する成膜工程と、成膜された前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を含む。

第１の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な全体構成を示す図である。 図１に示したミスト成膜装置ＭＤＥのミスト成膜部の具体的な外観を俯瞰した斜視図である。 図３Ａは、ミスト成膜部におけるミスト噴出部の正面図であり、図３Ｂは図３Ａ中のｋ１－ｋ２矢視断面図である。 第１の実施の形態の変形例１によるミスト成膜装置ＭＤＥのミスト成膜部の概略的な構成を示す図である。 第１の実施の形態の変形例２による構成を表わし、図４に示した回転ドラムＤＲとチャンバー部４０とを中心線ＡＸｏを含む平面で破断した部分断面図である。 第２の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な全体構成を示す図である。 図６に示したミスト成膜装置ＭＤＥにおけるナノ粒子の堆積一様化部の具体的な構成を示す図である。 図７の堆積一様化部の機能や効果を確認する為の予備実験装置の構成を模式的に表した図である。 図８の予備実験装置によって、ＩＴＯナノ粒子を含む液膜に交流電界を印加するときの周波数依存性を調べる予備実験１の実験結果を表わすグラフである。 図８の予備実験装置によって、ＩＴＯナノ粒子を含む液膜に交流電界を印加するときの電界強度の依存性を調べる予備実験２の実験結果を表わすグラフである。 図８の予備実験装置によって、ＩＴＯナノ粒子を含む液膜に交流電界を印加する際、ナノ粒子の粒径の違いによる周波数依存性を調べる予備実験３の実験結果を表わすグラフである。 図１２Ａ～図１２Ｃは、図６や図７に示したミスト成膜装置の交流電界発生部９０によって、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの間に印加される交流電圧Ｅｖの波形の幾つかの例を示す図である。 変形例５による堆積一様化部（泳動付与部）の構成を示す上面図と正面図である。 第３の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示す図である。 図１４のミスト成膜装置のミスト成膜部に設けられるミスト誘導機構と、ミスト成膜後の堆積一様化部（泳動付与部）との各々に印加する交流電界の波形を示す図である。 図１４に示した交流電界発生部９２の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。 外形状が非直方体形状に結晶化するＩＴＯナノ粒子の溶液Ｌｑ内での泳動の有無を確かめる実験装置の概略構成を示す図である。 図１７の実験装置による実験結果を表わす表である。 第４の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示す図である。 第４の実施の形態によるミスト成膜法の効果を確認する為の予備実験装置の概略的な構成を示す斜視図である。 図２０の予備実験装置による実験によって得られた基板温度とナノ粒子の膜厚との関係を表わすグラフである。 第５の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥのミスト成膜部の概略的な構成を示す図である。 図１９のミスト成膜装置ＭＤＥを変形した変形例６によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示す斜視図である。 図２４Ａ、図２４Ｂは、図２３に示した補助ミスト噴霧部ＳＭＤへのミスト気体Ｍｓｇの供給状態と非供給状態とを高速に切り換える為のバルブ機構３１０の構成を示す図である。 図１に示したミスト発生部１４の具体的な構成を変形例７として示す部分断面図である。 図２５に示したミスト発生部１４の外部容器１４Ｄの底部に配置される４つの超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４の平面内の配置を示す図である。

　本発明の態様に係るミスト成膜装置及びミスト成膜方法について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔第１の実施の形態〕
　図１は、第１の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な全体構成を示す図である。図１において、特に断わりのない限り重力方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を設定し、図１に示す矢印にしたがって、被処理基板としての可撓性のシート基板Ｐ（単に基板Ｐとも呼ぶ）の搬送方向をＸ方向、搬送方向と直交するシート基板Ｐの幅方向をＹ向とし、ミスト成膜時にシート基板Ｐの表面は、本実施の形態ではＸＹ面と平行な水平面となるように設定されるものとする。シート基板Ｐは、本実施の形態では、Ｘ方向に長尺なＰＥＴ（ポリエチレン・テレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレン・ナフタレート）、又はポリイミド等の樹脂を母材とした厚みが数百μｍ～数十μｍ程度のフレキシブルシートとするが、その他の材料、例えば、ステンレス、アルミ、真鍮、銅等の金属材料を薄く圧延した金属箔シート、厚みを１００μｍ以下にして可撓性を持たせた極薄ガラスシート、セルロースナノファイバーを含有するプラスチックシートであっても良い。なお、シート基板Ｐは、必ずしも長尺である必要はなく、例えば、Ａ４サイズ、Ａ３サイズ、Ｂ４サイズ、Ｂ３サイズのように長辺や短辺の寸法が規格化された枚葉のシート基板、或いは規格外の不定型な枚葉のシート基板であっても良い。

　図１に示すように、本実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥは、概略、シート基板Ｐを支持してＸ方向に搬送する搬送ユニット（搬送部）５、成膜の材料物質となるナノ粒子を分散させた溶液（分散液もしくは液体）Ｌｑを貯留する溶液タンク１０、溶液Ｌｑから数μｍ～十数μｍ程度の粒径のミストを効率的に発生するミスト発生部１４、ミスト発生部１４で発生したミストをキャリアガスＣＧＳに乗せたミスト気体Ｍｓｇが可撓性のパイプ１７を介して供給され、ミスト気体Ｍｓｇをシート基板Ｐに向けて噴霧するミスト噴出部３０、シート基板Ｐに付着せずに浮遊したミストを含むミスト気体Ｍｓｇを回収するミスト回収部３２、及び、ミスト気体Ｍｓｇの外気（装置外部）への漏れ出しを抑制する為に、ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、搬送ユニット５で支持されるシート基板Ｐを覆うように設けられたチャンバー部４０とで構成される。以下、各部の構成を更に詳しく説明する。

　図１に示した搬送ユニット５は、Ｙ軸と平行な中心軸ＡＸａの回りに回転するローラ５Ａと、中心軸ＡＸａからＸ方向に所定距離だけ離れて中心軸ＡＸａと平行に配置される中心軸ＡＸｂの回りに回転するローラ５Ｂと、２つのローラ５Ａ、５Ｂの間に掛け渡され、平坦部分の上面でシート基板Ｐを平坦に支持する無端状のベルト５Ｃと、ベルト５Ｃのシート基板Ｐを支持する平坦部分の裏面側に配置されて、ベルト５Ｃを平坦に支持する支持テーブル５Ｄとを備える。ベルト５ＣのＹ方向の幅は基板ＰのＹ方向の幅（短尺寸法）よりも少し大きくなるように設定され、ベルト５Ｃは、支持テーブル５Ｄの上面に対応した領域で基板Ｐを真空吸着すると共に、支持テーブル５Ｄの上面とベルト５Ｃの裏面との間に生成される静圧気体層（エアベアリング）によって支持テーブル５Ｄの上面と非接触な状態（又は低摩擦な状態）で搬送駆動される。このような構成の搬送ユニット５は、例えば、国際公開第２０１３／１５０６７７号パンフレットに開示されている。ベルト５Ｃは剛性が高く平坦性が確保できるステンレス等の金属薄板（導電性薄板）が好ましい。なお、ベルト５Ｃの下流側（－Ｘ方向側）には、ベルト５Ｃ上にシート基板Ｐをシワなく吸着する為に、シート基板Ｐに長尺方向のテンションを付与するニップローラ５Ｅ、５Ｆが設けられる。

　溶液タンク１０内に貯留される溶液Ｌｑの溶媒（分散媒も含む）は、取扱いが簡便で安全性が高い純水とし、その溶媒（純水）には、材料物質の一例として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などの透明導電膜の材料となるナノ粒子が所望の濃度で分散している。溶液タンク１０内の溶液Ｌｑは、精密ポンプ１２によって断続的又は連続的にミスト発生部（霧化器）１４に供給される。ミスト発生部１４は、密閉された外部容器１４Ｄ（図２５参照）内に設置されて、精密ポンプ１２からの溶液Ｌｑを溜める内部容器（カップ）１４Ａと、内部容器１４Ａを介して溶液Ｌｑに２．４ＭＨｚ程度の振動を与えて溶液Ｌｑの液面からミストを発生させる超音波振動子１４Ｃと、を備えている。さらに、ミスト発生部１４の内部容器１４Ａの上部空間には、流量調整弁１５によって所定の流量（又は圧力）に調整されたキャリアガスＣＧＳがパイプ１６を通して供給される。以上の構成において、精密ポンプ１２、超音波振動子１４Ｃ、及び流量調整弁１５の各々は、不図示の上位制御コントローラ（統括制御用コンピュータ等）からの指令を受けて、適宜の駆動量、タイミング、インターバル等で駆動される。

　なお、成膜材料物質としてのナノ粒子が純水中で凝集し易い場合は、溶液Ｌｑの溶媒に界面活性剤を所定の濃度で含ませることで、ナノ粒子の凝集を抑制して分散性を維持することができる。また、溶液Ｌｑ中に界面活性剤を含ませたくない場合は、例えば、国際公開第２０１７／１５４９３７号パンフレットに開示されているように、内部容器１４Ａ内の溶液Ｌｑにナノ粒子の凝集を抑制する為の超音波振動（周波数２００ＫＨｚ以下）を与える振動子を設けることができる。なお、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のナノ粒子として、国際公開第２０１９／１３８７０７号パンフレット、国際公開第２０１９／１３８７０８号パンフレットに開示された製法で作られた非直方体形状のＩＴＯナノ粒子（方位が揃った結晶）を用いると、界面活性剤を含まない純水による溶液Ｌｑ中であっても、長時間に亘って凝集や沈殿を起こさずに分散状態を維持することができる。

　ミスト成膜装置ＭＤＥで成膜可能なナノ粒子は、例示したＩＴＯナノ粒子以外に、多用な材料物質（導電物質、絶縁物質、半導体物質）のナノ粒子とすることができる。ナノ粒子は、一般的には１００ｎｍよりも小さい粒子とされているが、ミスト成膜においては、ミストの粒径（数μｍ～十数μｍ）よりも小さく、ミスト内に捕捉されてキャリアガスＣＧＳによって浮遊できるサイズであれば良い。そのようなナノ粒子としては、金属系では、金ナノ粒子、白金ナノ粒子、銀ナノ粒子、銅ナノ粒子、或いは良導体に精製されたカーボンナノロッド（チューブ）等が使用でき、酸化物系では、酸化鉄ナノ粒子、酸化亜鉛ナノ粒子、酸化珪素（シリカ）ナノ粒子等が使用でき、窒化物系では、窒化珪素ナノ粒子、窒化アルミニウムナノ粒子等が使用できる。さらに半導体系としては、半導体に精製されたカーボンナノロッド（チューブ）やシリコンナノ粒子等も使用できる。シリコンナノ粒子としては、例えば、国際公開第２０１６／１８５９７８号パンフレットに開示されているように、ｐｎ接合太陽電池を形成する半導体層の表面に成膜（塗布）して効率を向上させる炭化水素で分子終端したシリコンナノ粒子であっても良い。

　さて、図１に示したように、ミスト発生部１４の内部容器１４Ａ内で発生したミストは、キャリアガスＣＧＳの流れに乗ってパイプ１７を通り、ミスト気体Ｍｓｇとなってミスト噴出部３０に供給される。キャリアガスＣＧＳは、塵埃（パーティクル）を除去した清浄な大気（Ｈ₂Ｏ：クリーンエア）の他に、清浄な窒素（Ｎ₂）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスにすることができる。本実施の形態では、常温の大気圧の環境下で単純にミスト成膜を行うので、キャリアガスＣＧＳはクリーンエア又は窒素ガスとする。しかしながら、例えば国際公開第２０１６／１３３１３１号パンフレットに開示されているように、ミスト噴出部３０からシート基板Ｐに噴霧されるミスト気体Ｍｓｇに、非熱平衡状態のプラズマを照射する構成（プラズマアシスト・ミスト成膜法）とする場合は、キャリアガスＣＧＳをアルゴンガスにすると良い。

　なお、ミスト噴出部３０から噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度を常温よりも高く（又は低く）設定する必要がある場合は、必要に応じてキャリアガスＣＧＳの温度やミスト発生部１４内の温度、又はパイプ１７内の温度を設定値に調整する温調機構（ヒータ、クーラー等）が設けられる。また、図１に示すように、ミスト発生部１４（内部容器１４Ａ）は、重力方向（Ｚ方向）に関してミスト噴出部３０よりも上方に配置すると良い。

　ミスト噴出部３０の上部から供給されたミスト気体Ｍｓｇは、シート基板Ｐと対向するミスト噴出部３０の底部に形成されたスリット状の開口部（ノズル開口部）から所定の流量（風速）となって基板Ｐに噴霧される。ノズル開口部は、基板ＰのＹ方向の幅寸法をカバーするような長さ、或いは幅寸法よりも短い長さで形成され、基板Ｐの長尺方向であるＸ方向には１ｍｍ～数ｍｍ程度の幅で形成される。基板Ｐの長尺方向の搬送（移動）方向を＋Ｘ方向としたとき、ミスト回収部３２は、基板Ｐの搬送方向に関してミスト噴出部３０の下流側に配置される。ミスト噴出部３０の底部のノズル開口部から下向き（－Ｚ方向）に噴霧されたミスト気体Ｍｓｇは、ミスト回収部３２での減圧作用（負圧）によって、チャンバー部４０内を通るシート基板Ｐの表面に沿って下流側（＋Ｘ方向）に流れ、その間にミストがシート基板Ｐの表面に付着して、シート基板Ｐの表面にミストの溶媒（本実施の形態では純水）による薄い液膜が形成される。

　ミスト回収部３２の底部には、Ｙ方向にスロット状に延びた回収ポート部（回収用開口部）が形成され、シート基板Ｐに付着しなかったミストを含む余剰のミスト気体Ｍｓｇ’は回収用開口部に流入し、ミスト回収部３２の上部に接続されたパイプ３３を介して真空ポンプ等の減圧源を有するミスト気体捕集部３４に取り込まれる。ミスト気体捕集部３４（以下、単に捕集部３４とも呼ぶ）は、捕集した余剰のミスト気体Ｍｓｇ’に含まれるミストを結露により溶液Ｌｑの状態に戻し、チューブ３５Ａを介して捕集タンク３６に送出する。捕集タンク３６に溜められた溶液Ｌｑは、適宜、溶液タンク１０に補充されて再利用される。

　また、本実施の形態では、詳しくは後述するが、ミスト噴出部３０の内壁面に付着したミストの集合により成長した液滴が、内壁面を伝わってミスト噴出部３０の底部のノズル開口部からシート基板Ｐ上に滴下することを防止する為に、ミスト噴出部３０の下部に液滴捕集部（トラップ部）３０Ｔが設けられる。同様に、ミスト回収部３２の下部には、ミスト回収部３２の内壁面に付着したミスト（余剰のミスト）の集合により成長した液滴が、内壁面を伝わってミスト回収部３２の底部の回収用開口部からシート基板Ｐ上に滴下することを防止する為の液滴捕集部（トラップ部）３２Ｔが設けられる。液滴捕集部３０Ｔで捕集された液滴は、元の溶液Ｌｑの状態になってチューブ３５Ｂを介して小型ポンプ３７で吸引されて、捕集タンク３６に送られる。同様に、液滴捕集部３２Ｔで捕集された液滴は、元の溶液Ｌｑの状態になってチューブ３５Ｃを介して小型ポンプ３７で吸引されて、捕集タンク３６に送られる。

　チャンバー部４０は、ミスト噴出部３０の底部のノズル開口部からミスト回収部３２の底部の回収用開口部までの間にミスト気体Ｍｓｇを滑らかに流す為に、シート基板Ｐの表面から＋Ｚ方向に所定の空間を形成する板状の導風部材（スカート部材、整流部材とも呼ぶ）４０Ａが設けられている。図１の構成から明らかなように、シート基板Ｐの表面は、ミスト噴出部３０のノズル開口部からミスト回収部３２の回収用開口部に至るミスト気体Ｍｓｇの層流に曝されながら＋Ｘ方向に移動する。シート基板Ｐの搬送ユニット５による移動速度と、シート基板Ｐの表面に沿って流れるミスト気体Ｍｓｇの流速との関係を調整することにより、最終的にシート基板Ｐの表面に堆積されるナノ粒子（ＩＴＯ等）による膜の厚みを変えることができる。チャンバー部４０（導風部材４０Ａ）、ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、液滴捕集部３０Ｔ、３２Ｔ等を構成する材料は、化学的に安定で耐熱性、耐薬品性に優れ、電気的な絶縁性が高く、加工性が良い樹脂材料が好ましい。その樹脂材料としては、フッ素原子と炭素原子からなるポリテトラフルオロエチレン （Poly-Tetra-Fluoro-Ethylene：ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂（フッ化炭素樹脂）が適している。

　図１の構成において、ミスト噴出部３０のノズル開口部から噴出されるミスト気体Ｍｓｇの単位時間当たりの噴出流量をＱｆ（ｍＬ／秒）とし、ミスト回収部３２の回収用開口部での単位時間当たりの排気流量をＱｖ（ｍＬ／秒）としたとき、Ｑｆ≒Ｑｖの関係、又はＱｆ＜Ｑｖの関係に設定するのが好ましく、流体シミュレーションによると、排気流量Ｑｖを噴出流量Ｑｆの１．５倍以上にすると、チャンバー部４０内に噴霧されたミスト気体Ｍｓｇのほぼ全量を回収することができる。噴出流量Ｑｆと排気流量Ｑｖのバランスは、キャリアガスＣＧＳの流量を制御する流量調整弁１５と、パイプ３３に接続されるミスト気体捕集部３４の減圧源の流量調整とによって容易に設定できる。

　なお、図１では図示を省略したが、チャンバー部４０（又はニップローラ５Ｅ、５Ｆ）の上流側には、シート基板Ｐの表面を親液化する処理ユニットを設けることができる。さらに、チャンバー部４０の下流側には、チャンバー部４０でミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面を覆う数μｍ～数十μｍ程度の厚みの薄い液膜（水膜）を蒸発させる乾燥ユニットを設けることができる。

　さらに、本実施の形態では、ミスト気体Ｍｓｇに含まれるミストのシート基板Ｐへの付着率を向上させる為に、ミスト供給部３１が設けられる。ミスト供給部３１は、シート基板Ｐの表面とチャンバー部４０との間の空間にミストを供給する。このミスト供給部３１は、ミスト噴出部３０と、パイプ１７を介してミスト噴出部３０の空間内に供給されたミスト気体Ｍｓｇ中のミストに負の電荷を与えるミスト帯電装置（帯電付与部）６０とを備える。これにより、ミスト噴出部３０は、ミスト帯電装置６０により帯電されたミストを、シート基板Ｐの表面とチャンバー部４０との間の空間に供給することができる。また、本実施の形態では、チャンバー部４０内の空間にＺ方向の静電界を印加して、帯電したミストを効率的にシート基板Ｐ上に付着させる静電界発生装置（静電界発生部）７０が設けられる。ミスト帯電装置６０は、ミスト噴出部３０のＸ方向に対向した内壁面の各々の上方部分に配置された一対の電極Ｅａ、Ｅｂ間に、数ｋＶ以上の高電圧パルスを繰り返し印加して、電極Ｅａ、Ｅｂ間に放電（コロナ放電等）を発生させて、ミストを負の電荷に帯電させる。静電界発生装置７０は、ミスト噴出部３０のＸ方向に対向した内壁面の各々の下方部分に平面状に取り付けられた電極板Ｅｃと、チャンバー部４０の導風部材４０Ａの内壁面（ＸＹ面と平行）に平面状に取付けられた電極板Ｅｄとの各々に、配線７０ａを介して静電界の負極を印加する。さらに、静電界発生装置７０は、搬送装置のローラ５Ａ側の位置でベルト（ステンレス製）５Ｃと接触する接触子（ブラシ）７１に静電界の正極を印加する。

　静電界発生装置７０の正極と負極との電位差は、チャンバー部４０内を流れるミスト気体Ｍｓｇの流速、シート基板Ｐの搬送速度、ミストの溶媒の種類、ミストに含まれるナノ粒子の種類、ナノ粒子による薄膜の目標膜厚等に応じて、数Ｖから数百Ｖの間で、適宜、調整される。ミスト噴出部３０のノズル開口部から噴出されるミスト気体Ｍｓｇに含まれるミストは負に帯電されているため、チャンバー部４０内を浮遊するミストには、導風部材４０Ａ側の負極性の電極板Ｅｄから遠ざかる力（斥力）、並びに正極性のベルト５Ｃ側に引寄せられる力（クーロン力）が与えられる。ベルト５Ｃはシート基板Ｐに密着しているので、チャンバー部４０内をミスト気体Ｍｓｇに乗って＋Ｘ方向に流れるミストは、シート基板Ｐの表面に向かうように偏向され、シート基板Ｐの表面へのミストの付着率が向上する。

　帯電したミストが－Ｚ方向の力（クーロン力）を受けるのは、導風部材４０Ａ側の電極板Ｅｄとベルト５Ｃとが対向している空間内だけである。その為、ミスト噴出部３０のノズル開口部からミスト回収部３２の回収用開口部までのＸ方向の距離が短い場合、電極板ＥｄのＸ方向の長さも短くなり、ミスト気体Ｍｓｇの流速が早いと、多くのミストがシート基板Ｐに有効に付着する前に、ミスト回収部３２で回収されてしまうこともある。その場合は、静電界発生装置７０から電極板Ｅｄとベルト５Ｃの間に印加される電位差を大きくすれば良い。逆に、チャンバー部４０内を流れるミスト気体Ｍｓｇの流速が遅い場合、多くのミストがシート基板Ｐに付着するので、シート基板Ｐの表面を覆う液膜（水膜）が過剰な厚み（例えば０．５ｍｍ以上）となってシート基板Ｐの表面上で液体（溶媒）に流れが生じてしまう。その場合は、静電界発生装置７０から電極板Ｅｄとベルト５Ｃの間に印加される電位差を小さくすれば良い。なお、静電界発生装置７０から印加される電位差の絶対値は、直流の一定電圧とするのが好ましいが、例えば、ベルト５Ｃ側をゼロ電位（アース）とし、電極板Ｅｄ側を負極性の中立電位（平均電位）を中心に所定振幅及び所定周波数で電圧の絶対値が変化する脈動電圧（交流電圧）としても良い。換言すると、中立電位（平均電位）は、脈動電圧（交流電圧）の電位の最大値と最小値の平均値である。

　図２は、図１に示したミスト成膜装置ＭＤＥのミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、チャンバー部４０で構成される成膜部の配置を斜め上方から見た斜視図であり、図３Ａは、図１、図２に示したミスト噴出部３０のＹＺ面内での構成を＋Ｘ方向側から見た正面図であり、図３Ｂは図３Ａのミスト噴出部３０のｋ１－ｋ２矢視断面図である。図２、図３Ａ、図３Ｂ中の各部材について、図１で説明した部材や部品と同じものには同じ符号又は番号を付し、その詳細な説明は省略又は簡略化する。

　図２において、ミスト噴出部３０の上部には、図１で示したパイプ１７に相当する２本のパイプ１７ａ、１７ｂが接続されている。パイプ１７ａ、１７ｂの各々は、図１のミスト発生部１４の１つから発生したミスト気体Ｍｓｇを分岐させてミスト噴出部３０に供給するが、パイプ１７の本数は３以上であっても良い。このように、複数本のパイプ１７をミスト噴出部３０のＹ方向に所定の間隔で並べて、ミスト噴出部３０の内部空間にミスト気体Ｍｓｇを供給することにより、図３Ａ、図３Ｂで示したミスト噴出部３０の底部のＹ方向にスリット状に延びたノズル開口部３０Ａからのミスト気体ＭｓｇのＹ方向における流量分布（又は流速分布）のムラを抑えて、均一化することができる。なお、ミスト気体Ｍｓｇの総流量を増大させるために、２本のパイプ１７ａ、１７ｂ（又は３本以上のパイプ）の各々に対応して個別にミスト発生部１４を設けても良い。

　図２において、図１で示したミスト帯電装置６０からの高電圧が印加される一方の電極Ｅａは、図３Ｂに示すようにミスト噴出部３０の－Ｘ方向側の壁面に設けられる絶縁性のセラミック板３０Ｎａに固定され、他方の電極Ｅｂは、図３Ｂに示すようにミスト噴出部３０の＋Ｘ方向側の壁面に設けられる絶縁性のセラミック板３０Ｎｂに固定されている。図３Ａ、図３Ｂに示すように、本実施の形態では、電極Ｅａは先端が尖った針状とし、Ｙ方向に一定間隔でセラミック板３０Ｎａに取付けられ、電極Ｅｂは、針状の複数の電極Ｅａが並ぶＹ方向に沿って延びた板状（又は棒状、線条）としてセラミック板３０Ｎｂに取付けられている。

　図３Ｂに示すように、ミスト噴出部３０の内部空間は、ＸＺ面内で見たとき、パイプ１７（１７ａ）が接続される上端部（天板）から－Ｚ方向に高さ位置Ｚｕまでは、ＹＺ面と平行でＸ方向に一定間隔で対向した内壁面で囲まれる。その対向する内壁面は、高さ位置Ｚｕからミスト噴出部３０の底部のノズル開口部３０Ａに至るまでの間で、Ｘ方向の間隔が徐々に減少するように成型され、最終的にノズル開口部３０Ａの位置でＸ方向の幅が数ｍｍ以下となるように絞り込まれる。ミスト噴出部３０のＸ方向に対向する内壁面の各々には、図１で示した電極板Ｅｃが、図３Ａに示すように、内壁面のＹ方向のほぼ全体に亘って付設されている。電極板Ｅｃは、ミスト帯電装置６０によって帯電したミストに斥力を与え、ミストの内部空間の内壁面への付着を低減する。但し、ミスト噴出部３０の内壁面を撥液性の高いフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）で構成した場合は、電極板Ｅｃを省略することができる。

　図２、図３Ｂに示すように、ミスト噴出部３０の＋Ｘ方向、－Ｘ方向の外壁部の各々の下方には、Ｙ方向に延設された液滴捕集部３０Ｔが設けられる。液滴捕集部３０Ｔは、ミスト噴出部３０の底部のノズル開口部３０Ａから＋Ｚ方向に僅かに離れた内壁面に、Ｙ方向に延びるように形成されたスリ割り（溝）３０ｓと連通している。スリ割り３０ｓのＺ方向の厚み（溝幅）は、ミスト噴出部３０の内壁面を伝わって流れてくる液滴が毛細管現象によって吸い取られる程度、例えば０．５ｍｍ～２ｍｍに設定される。さらに、スリ割り３０ｓの内面は、高い親液性となるような表面処理（親液性の塗膜形成等）が施されている。液滴捕集部３０Ｔは、図１、図２に示した小型ポンプ３７による吸引力によって、スリ割り３０ｓ内に溜まる液滴を適当なインターバルで吸い出し、チューブ３５Ｂを介して捕集タンク３６に送出する。

　図２に示したミスト回収部３２の＋Ｘ方向、－Ｘ方向の外壁部の各々の下方にも、Ｙ方向に延設された液滴捕集部３２Ｔが設けられる。ミスト回収部３２の底部のスリット状の回収用開口部から＋Ｚ方向に僅かに離れた内壁面にも、Ｙ方向に延びるように形成されたスリ割り（溝）が同様に形成され、液滴捕集部３２Ｔは、図１、図２に示した小型ポンプ３７による吸引力によって、スリ割り３０ｓ内に溜まる液滴を適当なインターバルで吸い出し、チューブ３５Ｃを介して捕集タンク３６に送出する。

　図１で示したように、チャンバー部４０の導風部材４０Ａの内壁面（ＸＹ面と平行）には平面状の電極板Ｅｄが設けられるが、図２では、電極板Ｅｄをシート基板Ｐの搬送方向（Ｘ方向）に分割された２つの電極板Ｅｄ１、Ｅｄ２として示す。シート基板Ｐの搬送方向の上流側に配置される電極板Ｅｄ１は、導風部材４０Ａの上外壁面に突出して設けられる接続端子ＪＨ１と導通し、接続端子ＪＨ１は図１中の静電界発生装置７０の負極側の配線７０ａに接続される。同様に、シート基板Ｐの搬送方向の下流側に配置される電極板Ｅｄ２は、導風部材４０Ａの上外壁面に突出して設けられる接続端子ＪＨ２と導通し、接続端子ＪＨ２は静電界発生装置７０の負極側の配線７０ａに接続される。

　図２のように、チャンバー部４０内のミスト噴出部３０とミスト回収部３２との間の搬送路中で電極板Ｅｄを分割した場合、上流側の電極板Ｅｄ１に印加する負電圧と、下流側の電極板Ｅｄ２に印加する負電圧とを異ならせた値に調整することができる。その為には、静電界発生装置７０の電圧出力段の正極と負極の間に可変抵抗器を設け、可変抵抗器で分圧された電圧（負極性）を電極板Ｅｄ１、Ｅｄ２のいずれか一方に印加し、他方には分圧前の電圧（負極性）を印加するように構成すれば良い。このように、シート基板Ｐの搬送方向の上流側と下流側とで、電極板Ｅｄ１、Ｅｄ２のそれぞれに印加する負極性の電位を異ならせることによって、ミストのシート基板Ｐの表面への付着度合いを時間的に調整することができる。なお、電極板Ｅｄの分割は、チャンバー部４０内を通るシート基板Ｐの搬送方向に沿って３つ以上とし、分割されたそれぞれの電極板を互いに異なる負電位に設定するようにしても良い。

〔変形例１〕
　以上の第１の実施の形態では、ミスト成膜の際に、シート基板Ｐが水平に移動するベルト５Ｃ上に支持されて、シート基板Ｐの表面を水平状態（ＸＹ面と平行な状態）にしてミスト気体Ｍｓｇが噴霧される構成とした。このように、ベルト５Ｃによってシート基板Ｐを支持する構成の場合、シート基板Ｐは、例えばＡ４版、Ａ３版、Ｂ４版のように、縦横寸法が決まった枚葉のシート基板とすることができる。しかしながら、数十ｍ～数百ｍと言った長尺のシート基板に対して、ロールツーロール（Roll to Roll）方式で連続して安定な膜厚状態でミスト成膜する場合、シート基板のベルト５Ｃへの真空吸着等によるシワの発生が懸念される為、シート基板の長尺方向の一部を回転ドラムの外周面で密着支持してシート基板を連続移動させる搬送機構の利用が考えられる。

　図４は、回転ドラムによる搬送機構（搬送部）を使ったミスト成膜装置におけるミスト成膜部の概略的な変形構成を示す図である。図４の直交座標系ＸＹＺは、先の図１～図３Ｂの各々における座標系ＸＹＺと同じに、Ｚ方向が鉛直方向（重力方向）、ＸＹ面が水平面に設定されている。また、図４に示す部材のうち、先の図１～図３Ｂに示した部材と同じもの、或いは同等の機能を有するものには同じ符号を付してある。

　図４において、鉄やアルミニウムによる金属製の回転ドラムＤＲは、Ｙ軸と平行な中心線ＡＸｏの回りに回転すると共に、中心線ＡＸｏから一定半径Ｒｄの外周面ＤＲａを有する。外周面ＤＲａのＹ方向の長さは長尺のシート基板Ｐの短尺方向（Ｙ方向）の幅寸法よりも少し長く設定されるが、半径Ｒｄは幅寸法にも依るが比較的に自由に設定可能であり、一例として５ｃｍ≦Ｒｄ≦５０ｃｍの範囲に設定される。回転ドラムＤＲのＹ方向の両端には、中心線ＡＸｏと同軸に金属製のシャフトＳｆｔが設けられる。シャフトＳｆｔは、ミスト成膜装置ＭＤＥの本体フレーム（筐体）にべアリングを介して取り付けられ、不図示の回転駆動源（モータ又は減速器）のトルク軸に連結され、回転ドラムＤＲを所定の角速度で回転させる。回転ドラムＤＲのＹ方向の端部からＹ方向に離れたシャフトＳｆｔには、中心線ＡＸｏと同軸にエンコーダ計測用のスケール円盤ＳＤが固定されている。スケール円盤ＳＤの中心線ＡＸｏと垂直な面側（ＸＺ面と平行な面）には、中心線ＡＸｏから一定の半径領域に、エンコーダヘッドＥＨ１によって読取られる目盛Ｇｍが周方向に輪帯状に刻設されている。エンコーダヘッドＥＨ１は、スケール円盤ＳＤの側面（ＸＺ面と平行）に対向して配置され、回転ドラムＤＲの時計回りの回転に応じて周方向に移動する目盛Ｇｍの格子（例えば、周方向に２０μｍのピッチで刻設された回折格子）の位置変化を光学的に検出して、回転ドラムＤＲの回転角度位置から、外周面ＤＲａの周方向の移動量、或いは外周面ＤＲａの周方向の移動速度を計測する為に使われる。

　シート基板Ｐは、中心線ＡＸｏと平行な回転軸を有し、回転ドラムＤＲの下方に配置されるローラ５Ｇによって折り返されて、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの一部に一定のテンションを付与され、円弧状に支持された状態で巻き付けられた後、中心線ＡＸｏと平行な回転軸を有し、回転ドラムＤＲの上方に配置されるローラ５Ｈに掛け渡されて長尺方向に搬送される。その際、シート基板Ｐは、回転ドラムＤＲの周方向の角度位置（進入位置）Ｃｔ１から角度位置（離脱位置）Ｃｔ２の約９０度の範囲に亘って外周面ＤＲａと密接する。ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、及びチャンバー部４０とで構成されるミスト成膜部は、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの進入位置Ｃｔ１と離脱位置Ｃｔ２との角度範囲内で周方向に湾曲して配置される。

　図４のように、チャンバー部４０は、回転ドラムＤＲの半径方向に関して、外周面ＤＲａ又はシート基板Ｐの表面から一定の間隔空間を形成するように湾曲した導風部材４０Ａを有する。シート基板Ｐの搬送方向に関して導風部材４０Ａの上流側には、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの噴出方向（線ＣＬの方向）が水平面（ＸＹ面）に対して、角度－θｕだけ傾くようにミスト噴出部３０が配置される。このようにミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａを斜め上方に向けることにより、ミスト噴出部３０の内壁面にミストが付着して集まった液滴が、内壁面を伝わってノズル開口部３０Ａからシート基板Ｐ上に滴下することが防止される。ノズル開口部３０Ａから噴出されたミスト気体Ｍｓｇは、導風部材４０Ａのシート基板Ｐと対向する湾曲した内壁面とシート基板Ｐの表面との間の空間を、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの周方向に沿って流れ、余剰のミスト気体Ｍｓｇ’はミスト回収部３２で回収される。

　導風部材４０Ａの湾曲した内壁面には、静電界発生装置７０の負極側の配線７０ａに接続される電極板Ｅｄが湾曲して付設され、回転ドラムＤＲのシャフトＳｆｔと接触する接触子７１は、配線７０ｂを介して静電界発生装置７０の正極に接続される。これにより、湾曲した電極板Ｅｄと回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａとの間には、ミストをシート基板Ｐ側に引寄せる静電界が形成される。

　チャンバー部４０内を通った後のシート基板Ｐの表面の全体には、ミスト成膜により薄い液膜が形成されるが、シート基板Ｐは離脱位置Ｃｔ２からローラ５Ｈに向けて、水平面（ＸＹ面）に対して角度＋θｐだけ上方に傾けられた状態で搬送される。シート基板Ｐの表面の液膜（溶媒）は、離脱位置Ｃｔ２からローラ５Ｈまでの搬送中に乾燥（蒸発）され、シート基板Ｐの表面にはミストに含まれていたナノ粒子による堆積膜（導電膜）が形成される。離脱位置Ｃｔ２からローラ５Ｈまでの距離Ｌは、シート基板Ｐの搬送速度Ｖｐ（回転ドラムＤＲの回転速度）と、ミスト成膜直後にシート基板Ｐの表面を覆う液膜の乾燥（蒸発）完了までの時間Ｔｖとの積（Ｌ＝Ｖｐ・Ｔｖ）によって設定される。なお、離脱位置Ｃｔ２からローラ５Ｈまでのシート基板Ｐの傾斜角＋θｐは、ミストの溶媒（液膜）の種類に応じて、０°≦θｐ＜５０°の範囲で調整できるように、ローラ５ＨのＺ方向やＸ方向の位置が変えられる機構を用意しておくと良い。

　なお、エンコーダヘッドＥＨ１は、中心線ＡＸｏから見てチャンバー部４０の方位と同じ方位、或いはミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａと同じ方位になるように、スケール円盤ＳＰの目盛Ｇｍに対向配置される。その為、チャンバー部４０と回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａとの間の隙間からミスト気体Ｍｓｇが漏れた場合、そのミスト気体ＭｓｇがエンコーダヘッドＥＨ１内の光学部品等に付着して、目盛Ｇｍの読み取りに不具合（信号強度の低下等）が生じる可能性もある。そのような場合は、図４中に破線で示したように、中心線ＡＸｏに関してエンコーダヘッドＥＨ１と点対称な方位（約１８０度回転した位置）、即ち、チャンバー部４０から最も離れた位置にエンコーダヘッドＥＨ２を配置することができる。図４の構成では、エンコーダヘッドＥＨ１、又はＥＨ２がスケール円盤ＳＤの中心線ＡＸｏと垂直な側面に対向するように配置したが、目盛Ｇｍがスケール円盤ＳＤの中心線ＡＸｏと平行な外周面に沿って形成されている場合は、エンコーダヘッドＥＨ１（又はＥＨ２）とスケール円盤ＳＤの配置を、変形例２として示す図５のようにすると良い。

〔変形例２〕
　図５は、図４に示した中心線ＡＸｏと線ＣＬとを含み、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａを通るような平面で回転ドラムＤＲとチャンバー部４０とを破断したときの部分断面図である。図５において、回転ドラムＤＲは軽量化の為に中空構造となっているが、シャフトＳｆｔは回転ドラムＤＲのＹ方向の両端を貫くように設けられている。シート基板Ｐは回転ドラムＤＲの半径Ｒｄの外周面ＤＲａに密着支持される。エンコーダ計測システムのスケール円盤ＳＤは、回転ドラムＤＲの－Ｙ方向側にシャフトＳｆｔと同軸に固定される。図５のスケール円盤ＳＤの半径は、回転ドラムＤＲの半径Ｒｄとほぼ同じ（半径Ｒｄに対して±１０％の半径）に設定され、目盛Ｇｍはスケール円盤ＳＤの外周面に形成される。その為、エンコーダヘッドＥＨ１（又はＥＨ２）は目盛Ｇｍと対向するようにスケール円盤ＳＤの径方向に配置される。

　チャンバー部４０の導風部材４０Ａの内壁面は、シート基板Ｐの表面から径方向に一定の間隔ΔＳｖ（数ｍｍ～十数ｍｍ）の空間が形成されるように、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａに倣って周方向に湾曲して配置される。ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａからのミスト気体Ｍｓｇは、シート基板Ｐの表面の法線方向から噴出された後、間隔ΔＳｖの空間を周方向に流れる。本変形例では、間隔ΔＳｖの空間からＹ方向（エンコーダヘッドＥＨ１側）に向けてミスト気体Ｍｓｇが遺漏することを抑える為に、導風部材４０ＡのＹ方向の端部に、径方向に延設されたフランジ部（スカート）４１Ａ、４１Ｂが設けられている。フランジ部４１Ａ、４１Ｂは中心線ＡＸｏと垂直なＹＺ面内で見ると扇型に形成され、フランジ部４１Ａ、４１ＢのシャフトＳｆｔ側の先端位置の中心線ＡＸｏからの距離は、回転ドラムＤＲの半径Ｒｄよりも小さくなるように形成されている。また、フランジ部４１Ａ、４１Ｂの各々と回転ドラムＤＲのＹ方向の側端面との間隔は、例えば、１ｍｍ～数ｍｍ程度の小さな隙間となるように設定される。

　これにより、間隔ΔＳｖの空間からチャンバー部４０の外方向（Ｙ方向）に向って遺漏するミスト気体Ｍｓｇは、フランジ部４１Ａ、４１Ｂと回転ドラムＤＲのＹ方向の側端面との間の隙間からシャフトＳｆｔの方向（径方向）に向かうように流れ、エンコーダヘッドＥＨ１付近への噴霧が防止される。さらに、本変形例では、スケール円盤ＳＤと回転ドラムＤＲの－Ｙ方向の側端面との間に、シャフトＳｆｔと同軸に円盤状の遮風板４５が設けられる。遮風板４５の中心線ＡＸｏからの半径は、回転ドラムＤＲの半径Ｒｄ（又はスケール円盤ＳＤの半径）よりも大きく設定され、好ましくは図５のように、中心線ＡＸｏからエンコーダヘッドＥＨ１までの径方向の距離をカバーする程度に設定される。これにより、間隔ΔＳｖの空間からチャンバー部４０の外方向（Ｙ方向）に向ってフランジ部４１Ａから遺漏したミスト気体Ｍｓｇが、スケール円盤ＳＤの目盛Ｇｍに噴霧されることが防止される。なお、遺漏したミスト気体ＭｓｇのエンコーダヘッドＥＨ１やスケール円盤ＳＤの目盛Ｇｍへの噴霧が十分に防止される場合は、フランジ部４１Ａと遮風板４５のいずれか一方を省略することもできる。

　また、チャンバー部４０に取り付けられる導風部材４０Ａの湾曲した内壁面（又はミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａの先端）とシート基板Ｐとの径方向の間隔ΔＳｖを一定に保つために、本変形例では、フランジ部４１Ａ、４１Ｂの各々の内側（回転ドラムＤＲ側）に、回転軸が中心線ＡＸｏと平行に設置されて、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａのＹ方向の端部に当接して自在回転する転動体（ベアリング）４３Ａ、４３Ｂが取り付けられている。転動体４３ＡはＸＺ面内で見たとき、扇型のフランジ部４１Ａの周方向に離れた２ヶ所の各々に設けられ、同様に、転動体４３ＢはＸＺ面内で見たとき、扇型のフランジ部４１Ｂの周方向に離れた２ヶ所の各々に設けられる。チャンバー部４０は、図４のように回転ドラムＤＲの－Ｘ方向側に配置されるので、計４ヶ所の転動体４３Ａ、４３Ｂが常に回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａに当接するように、＋Ｘ方向に付勢されている。なお、４ヶ所に設けられる転動体４３Ａ、４３Ｂの各々は、外周面ＤＲａとの間にエアベアリング（静圧気体層）を形成するように気体を噴出するエアパッドとしても良い。

　以上、第１の実施の形態、及び変形例１、変形例２によれば、材料物質の微粒子を含有する溶液Ｌｑを霧化して発生したミストを含むミスト気体Ｍｓｇを送出するミスト発生機構としてのミスト発生部１４と、ミスト気体Ｍｓｇを流入して被処理基板としてのシート基板Ｐに向けて噴出するミスト噴出機構としてのミスト噴出部３０と、そのミスト噴出部３０からのミスト気体Ｍｓｇをシート基板Ｐの表面に沿って流す為に、シート基板Ｐの表面と所定間隔（ΔＳｖ）で対向した内壁面を有する導風部材４０Ａで構成される導風機構としてのチャンバー部４０と、シート基板Ｐの表面にミストを引き寄せる引力を発生させる為に、チャンバー部４０の導風部材４０Ａの内壁面とミストとの間に斥力（反発力）を発生させるミスト誘導機構として、シート基板Ｐを支持するベルト５Ｃ（又は回転ドラムＤＲ）と導風部材４０Ａに設置された電極板Ｅｄとの間に静電界を発生される静電界発生装置７０とを設けることにより、シート基板Ｐの表面へのミストの付着率を向上させて、材料物質の微粒子の堆積による膜層の成膜率を向上させたミスト成膜装置が得られる。

〔第２の実施の形態〕
　図６は、第２の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの全体的な構成を示す概略図であり、直交座標系ＸＹＺは図１と同様にＺ方向を重力方向とするように設定される。図６のミスト成膜装置ＭＤＥは、先の図４と同様に、長尺のシート基板Ｐを円筒面状に支持する回転ドラムＤＲの回転によって長尺方向に搬送しつつ、回転ドラムＤＲ上でミスト成膜するように構成される。また、図６のミスト成膜装置ＭＤＥにおいて、先の図１～４の各々で示された部材や構成と同じ機能を有する部材や構成については同じ符号を付し、その説明を省略、又は簡略化する。本実施の形態では、ミスト成膜によってシート基板Ｐの表面に形成される薄い液膜の溶媒（純水等）が乾燥する前に、液膜中に含有されるナノ粒子を電気的な力で振動させて、シート基板Ｐの表面に堆積するナノ粒子の不均一な厚み分布を一様化する。

　図６において、シート基板Ｐは、ローラ５Ｇを介して回転ドラムＤＲの導電性の外周面ＤＲａに掛け回され、ミスト噴出部３０とミスト回収部３２とを有するチャンバー部４０の下でミスト成膜された後、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの＋Ｚ方向の上端部から＋Ｘ方向にほぼ水平に一定のテンションを保って搬送される。その水平に搬送されるシート基板Ｐは、搬送方向（Ｘ方向）に並べられた複数のローラ５Ｊで支持され、最後のローラ５Ｈによって下方（－Ｚ方向）に折り曲げられる。本実施の形態では、複数のローラ５Ｊで支持されたシート基板Ｐの水平搬送路において、シート基板Ｐの表面にミスト成膜で形成された液膜（純水等の溶媒）の乾燥工程が実施される。その乾燥工程の為に、複数のローラ５Ｊによる水平搬送路の上方には、排気ダクト８６を介して、水平搬送されるシート基板Ｐの表面付近の気体（空気）を吸い上げる排気乾燥部（乾燥部）８５が配置される。

　また、本実施の形態のミスト成膜部を構成するチャンバー部４０には、シート基板Ｐの湾曲した搬送方向に関して、ミスト噴出部３０の下流側だけでなく、上流側にもミスト回収部３２と同様のミスト回収部３２’が取り付けられ、ミスト噴出部３０から上流側に流れ出す余剰のミスト気体Ｍｓｇ’が、パイプ３３’を介して図１に示したミスト気体捕集部３４で捕集される。本実施の形態のミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａからのミスト気体Ｍｓｇの噴出方向は、ＸＺ面内で見たとき、図６中の線ＣＬのようにＹＺ面と平行で中心線ＡＸｏを含む面に対して０°～－９０°（好ましくは－４５°）の範囲で傾くように設定される。

　回転ドラムＤＲは、シャフトＳｆｔに結合された回転駆動部８０に含まれるモータによって回転され、回転駆動部８０は、スケール円盤ＳＤの目盛Ｇｍを読み取るエンコーダヘッドＥＨ２からの検出信号により計測される速度情報とドライブ回路８２からの指令情報とに基づいて、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａ（シート基板Ｐ）が指令された周速度で精密に移動されるようにモータをサーボ制御する。ドライブ回路８２に与えられる指令情報は、装置全体を統括的に制御する制御部（ＣＰＵ）１００で作られる。

　さらに本実施の形態では、回転ドラムＤＲから離脱して水平搬送路に沿って移動するシート基板Ｐの裏面側（－Ｚ方向側）で、複数のローラ５Ｊの各々のＸ方向の間には、シート基板Ｐと平行に複数の電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４が配置される。電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４はシート基板Ｐの裏面から一定の間隔（例えば数ｍｍ以上）で配置される。また、回転ドラムＤＲから離脱して水平搬送路に沿って移動するシート基板Ｐの上面側（＋Ｚ方向側）には、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４の全体をカバーするような面積を有するメッシュ状の電極板（メッシュ電極）Ｅｍが、シート基板Ｐと平行にシート基板Ｐと排気乾燥部８５との間に配置される。電極板Ｅｍはシート基板Ｐの上面から一定の間隔（例えば数ｍｍ以上）で配置される。電極板Ｅｍと電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４とのＺ方向の間隔（電極間ギャップ）は、Ｘ方向に亘ってほぼ一定で、一例として１０～３０ｍｍの範囲に設定される。電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの間には、配線Ｗａ、Ｗｂを介して、交流電界発生部９０からの交流電位が印加される。その交流電位は制御部１００からの指令により設定される。

　図７は、図６の電極板Ｅｍと電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４、及び交流電界発生部９０によって構成されるナノ粒子の堆積一様化部（粒子振動部、又は泳動付与部とも呼ぶ）の詳細な構成を示す。図７において、図６に示した部材と同じ部材には同じ符号を付してある。電極板Ｅｍは、例えば、ステンレス板に無数の開口部Ｅｍｈをマトリックス状に開けて、細い線状部によりメッシュ状に形成される。電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４もステンレス板で形成され、電極板ＥｍとのＺ方向の間隔をＺｈとする。交流電界発生部９０は、制御部１００からの指令情報Ｓｆｃに応じた周波数ｆｐで交流信号（正弦波）を発生する発振回路９０Ａと、制御部１００からの指令情報Ｓｗｃに応じて交流信号（正弦波）の波形を変形すると共に、指令情報Ｓｖｃに応じて交流信号の振幅を調整して配線Ｗａ、Ｗｂに印加する調整回路９０Ｂとを備える。なお、電極板Ｅｍと電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４との間に印加される周波数ｆｐの交流電圧Ｅｖはピーク振幅値、又は実効振幅値とする。

　図７に示すように、シート基板Ｐが＋Ｘ方向に速度Ｖｐで移動している間、シート基板Ｐの表面（上面）に形成された厚みΔｈの溶液Ｌｑによる液膜（ここでは便宜上、Ｌｑとする）からは、溶媒（純水等）の乾燥に伴って蒸発成分ｗｘが発生し、メッシュ状の電極板Ｅｍの開口部Ｅｍｈを通過して排気乾燥部８５で吸い取られる。液膜Ｌｑ中には、無数のナノ粒子ｎｐがシート基板Ｐの表面に堆積した状態、又は浮遊した状態で存在する。その状態で、交流電界発生部９０によって、液膜Ｌｑに周波数ｆｐでＺ方向に強度変化する交流電界が印加されると、ナノ粒子ｎｐが交流電界の強度に応じた泳動力ｆｚで振動し、堆積状態の偏りが改善されて、ナノ粒子ｎｐの堆積による膜厚分布が一様化される。交流電圧Ｅｖによる電界は、シート基板Ｐの表面の液膜Ｌｑが概ね乾燥するまで継続するのが好ましい。

　その為、電極板Ｅｍと電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４との間の電界空間のＸ方向の長さＨＧｘは、シート基板Ｐ上の液膜Ｌｑが概ね乾燥するまでの乾燥時間をＴｖｐとすると、シート基板Ｐの速度Ｖｐから、ＨＧｘ≧Ｔｖｐ・Ｖｐに設定すると良い。また、液膜Ｌｑの乾燥時間Ｔｖｐは、シート基板Ｐの温度、周囲環境の温度や湿度、シート基板Ｐの当たる周囲気体の風量等によって変わるが、少しでも乾燥時間Ｔｖｐを短くする為に、シート基板Ｐの裏面側に配置される電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４の温度を常温（２４℃）以上の値、例えば、数十℃～１００℃にするヒータ部を設けても良い。

　このように、シート基板Ｐ上の液膜Ｌｑが乾燥する前に交流電界を印加することにより、最終的にシート基板Ｐ上に形成されるナノ粒子による膜の状態が改善されることを、予備実験によって確認した。図８は、液膜Ｌｑに交流電界を印加して、ナノ粒子による薄膜の成膜状態がどのように変化するかを確認する為の予備実験装置の構成を示す。図８の直交座標系ＸＹＺにおいて、Ｚ方向は重力方向であり、それと直交するＸＹ面は水平面とする。予備実験装置では、ミスト気体Ｍｓｇが一定時間だけ噴霧される試料として、５０ｍｍ角のガラス基板Ｐ’を用いる。ガラス基板Ｐ’は、絶縁性の底板ＢＰｄの上面に電極板Ｅｆとして形成された導電膜上に載置され、底板ＢＰｄのＸ方向の両側の各々には、Ｚ方向に高さＺｈの支柱ＨＳＰが設けられる。支柱ＨＳＰの上部には、絶縁性の天板ＢＰｕが底板ＢＰｄと平行になるように載置される。天板ＢＰｕの下面には、電極板Ｅｍとしての導電膜が形成されている。電極板Ｅｆ、電極板Ｅｍとしての各導電膜の間には、スイッチＳｗｏを介して正弦波状の交流電圧Ｅｖ（周波数ｆｐ）が印加される。

　予備実験１では、まず、粒径が３０～５０ｎｍ（平均粒径４０ｎｍ）のＩＴＯナノ粒子を所定の濃度（例えば、１０ｗｔ.％）で含む溶液Ｌｑをミスト気体Ｍｓｇにして、底板ＢＰｄに載置されたガラス基板Ｐ’の表面に一定時間だけ噴霧して液膜Ｌｑを形成した後、液膜Ｌｑが乾燥するまでの間に印加される交流電圧Ｅｖの周波数ｆｐによって、成膜されたＩＴＯナノ粒子の薄膜がどのような抵抗変化を呈するかを調べた。図９は、交流電圧Ｅｖの周波数ｆｐ（Ｈｚ）を横軸に取り、ＩＴＯナノ粒子の薄膜の抵抗値（ＫΩ／ｃｍ²）を縦軸に取った予備実験１の実験結果１を表すグラフである。予備実験１では、電極板Ｅｆと電極板Ｅｍとの電極間隔（支柱ＨＳＰの高さ）Ｚｈを２０ｍｍに保ち、交流電圧Ｅｖ（実効値）を２０Ｖにする（即ち、交流電界強度を実効値で１Ｖ／ｍｍにする）と共に、ガラス基板Ｐ’を交換して液膜Ｌｑを形成しては、周波数ｆｐが、１Ｈｚ、１０ＨＺ、１００ＨＺ、１ＫＨｚ、１０ＫＨｚ、１００ＫＨｚ、１ＭＨＺ、１０ＭＨｚ、１００ＭＨｚの各交流電界の下で成膜されたＩＴＯナノ粒子の抵抗値を計測した。

　図９に示すように、予備実験１で用いたＩＴＯナノ粒子の場合、周波数ｆｐが２００ＨＺ～２０ＫＨｚの間で、ＩＴＯナノ粒子による薄膜の抵抗値がほぼ半減することが判った。なお、図９において、周波数ｆｐが０Ｈｚ（交流電界を印加しない）、又は１０ＭＨｚ以上の交流電界の下で得られた最も高い抵抗値は約１００ＫΩ／ｃｍ²であった。このような交流電界の印加による抵抗値の低減は、液膜Ｌｑ中でのＩＴＯナノ粒子が分極性を持つことで振動し、ガラス基板Ｐ’の表面に堆積されるＩＴＯナノ粒子の表面に沿った方向での局所的な粗密状態が緩和され、面内でのＩＴＯナノ粒子同士の接触経路（導通パス）が増えて、平均的にＩＴＯナノ粒子による薄膜の導電性が高まったからだと考えられる。

　次に、予備実験２として、交流電圧Ｅｖを２０Ｖ、周波数ｆｐを１０ＫＨｚに設定し、電極間隔Ｚｈを５ｍｍ～５０ｍｍの範囲で５ｍｍ間隔毎のＩＴＯナノ粒子（平均粒径４０ｎｍ）による薄膜の抵抗値変化を調べた。図１０は、電極間隔Ｚｈ（ｍｍ）を横軸に取り、ＩＴＯナノ粒子の薄膜の抵抗値（ＫΩ／ｃｍ²）を縦軸に取った予備実験２の実験結果２を表すグラフである。予備実験２では、予備実験１で得られた知見に基づいて、交流電界の周波数ｆｐを抵抗値が最も小さくなった１０ＫＨｚに設定した。図１０に示すように、予備実験２では、電極間隔Ｚｈが４０ｍｍ以上では抵抗値の低減が見られず、電極間隔Ｚｈが４０ｍｍから２０ｍｍに狭くなるにつれて抵抗値が漸次低減し、電極間隔Ｚｈが２０ｍｍ以下では抵抗値がほぼ一定となった。この予備実験２により、実験に用いたＩＴＯナノ粒子の場合、液膜Ｌｑの乾燥中に印加する交流電界の強度は、実効値で０．５Ｖ／ｍｍ（２０Ｖ／４０ｍｍ）以上、望ましくは１Ｖ／ｍｍ以上であることが判る。

　さらに、予備実験３として、交流電圧Ｅｖを２０Ｖ、電極間隔Ｚｈを２０ｍｍにして、予備実験１、２で用いた平均粒径４０ｎｍのＩＴＯナノ粒子との比較の為に、平均粒径１０ｎｍの極小のＩＴＯナノ粒子の場合について、周波数ｆｐへの依存性を調べた。予備実験３では、電極間隔Ｚｈを２０ｍｍに保ち、交流電圧Ｅｖ（実効値）を２０Ｖにすると共に、ガラス基板Ｐ’を交換して液膜Ｌｑを形成しては、周波数ｆｐが、１Ｈｚ、１０ＨＺ、１００ＨＺ、１ＫＨｚ、１０ＫＨｚ、１００ＫＨｚ、１ＭＨＺ、１０ＭＨｚの各交流電界の下で成膜された平均粒径１０ｎｍのＩＴＯナノ粒子の抵抗値を計測した。

　図１１は、交流電圧Ｅｖの周波数ｆｐ（Ｈｚ）を横軸に取り、ＩＴＯナノ粒子の薄膜の抵抗値（ＫΩ／ｃｍ²）を縦軸に取った予備実験３の実験結果３を表すグラフである。図１１に示すように、予備実験３で用いた平均粒径１０ｎｍのＩＴＯナノ粒子の場合、周波数ｆｐが１０ＨＺ～１ＫＨｚの間で、ＩＴＯナノ粒子による薄膜の抵抗値がほぼ半減することが判った。なお、図１１において、周波数ｆｐが０Ｈｚ（交流電界を印加しない）、又は１０ＭＨｚ以上の交流電界の下で、平均粒径４０ｎｍのＩＴＯナノ粒子による薄膜の最も高い抵抗値は約１００ＫΩ／ｃｍ²（先の予備実験１と同様）であり、平均粒径１０ｎｍのＩＴＯナノ粒子による薄膜の最も高い抵抗値は約１５０ＫΩ／ｃｍ²であった。この予備実験３から、同じ材料によるナノ粒子でも、粒径の違いによって泳動力ｆｚが生じる交流電界の周波数帯域が異なることが判った。

　以上の予備実験の知見に基づき、図６、図７に示したミスト成膜装置ＭＤＥの電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの電極間隔Ｚｈと、交流電界発生部９０により電極間に印加される交流電圧Ｅｖの実効値と周波数ｆｐとが設定される。その間隔Ｚｈ、交流電圧Ｅｖ、周波数ｆｐの最適値は、溶液Ｌｑの種類、ナノ粒子の種類や粒径等によって異なる為、図８のような予備実験装置等により決定される。なお、液膜Ｌｑ中でナノ粒子に泳動力ｆｚが発生する一因は、ナノ粒子が分極性を持つ為と考えられる。

　ところで、図６、図７に示したミスト成膜装置ＭＤＥの交流電界発生部９０によって、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの間に印加される交流電圧Ｅｖの波形は、図１２Ａ～図１２Ｃに示すように変形可能である。図１２Ａは、交流電圧として典型的な正弦波ＷＦ１であり、その特性は周波数ｆｐと実効値Ｅｖａ（ピーク値の１／〔２^0.5〕）とで表される。図１２Ｂは、ピーク値を±Ｅｖｐとした鋸波ＷＦ２であり、図１２Ｃは周波数ｆｐの正弦波を時間Ｔｂ（Ｔｂ＞１／ｆｐ）毎に振幅変調により減衰させたバースト波形ＷＦ３である。その他、交流電界の波形としては、周波数ｆｐでデューティ比（１／ｆｐの１周期中に占める高レベルの継続時間の比率）を調整可能とした矩形波でも良い。

　図１２Ｃのようなバースト波形ＷＦ３は、図１２Ａの正弦波ＷＦ１を図１２Ｂのような鋸波ＷＦ２で振幅変調したもので、周波数成分として、時間Ｔｂで決まる周波数１／Ｔｂと正弦波ＷＦ１の周波数ｆｐとを含むものとなる。従って、図９の実験結果１や図１１の実験結果３の知見から、例えば、周波数ｆｐを１ＫＨｚ～１０ＫＨｚ、周波数１／Ｔｂを５０～５００Ｈｚに設定することができる。このように、複数の異なる周波数で交流電界を発生させると、シート基板Ｐの表面の液膜Ｌｑ中に、粒径のばらつきが大きいナノ粒子（例えば、最小粒径が１０ｎｍと最大粒径が１００ｎｍ）が混在して含まれている場合でも、それらのナノ粒子の各々に泳動力ｆｚを効果的に与えることができる。

〔変形例３〕
　図６では、電極板Ｅｍ、Ｅｆ１～Ｅｆ４と交流電界発生部９０とにより構成される堆積一様化部では、シート基板Ｐが＋Ｘ方向に水平搬送される乾燥工程の間、シート基板Ｐの表面の液膜Ｌｑに対して、一定の周波数ｆｐで一定の強度の交流電界が印加した。しかしながら、シート基板Ｐの裏面側に配置される４つの電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４は、シート基板Ｐの水平搬送路に沿って分割されているので、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４の各々に印加する交流電圧Ｅｖと周波数ｆｐとを異ならせても良い。その為には、図７に示した交流電界発生部９０内の発振回路９０Ａ、調整回路９０Ｂを複数設ける必要がある。

〔変形例４〕
　図７に示した電極板Ｅｍ、Ｅｆ１～Ｅｆ４と交流電界発生部９０とで構成される堆積一様化部は、ナノ粒子ｎｐの泳動が可能な厚み（例えばナノ粒子の粒径の数倍以上）で液膜Ｌｑがシート基板Ｐ上に形成されていれば機能し得る。従って、シート基板Ｐ上に液膜Ｌｑを形成する工程はミスト成膜法に限られず、各種の印刷方式（グラビア印刷、シルク印刷、ダイコータ印刷等）やインクジェット方式の塗布装置で液膜Ｌｑを形成しても良い。特に、インクジェット方式で金属系のナノ粒子を含む微小な液滴を基板Ｐの表面に選択的に塗布して導電性の配線パターンや電極パターン等を形成する場合、塗布された液滴の乾燥前に、基板Ｐを図７のような堆積一様化部に通すことにより、基板Ｐ上に形成されるナノ粒子による配線パターンや電極パターンの抵抗値を低減させることができる。

〔変形例５〕
　第２の実施の形態、変形例３、４では、図７に示した電極板Ｅｍと電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４との間、即ち、シート基板Ｐ上の液膜Ｌｑが広がる面と垂直な方向に交流電界を印加していた。しかしながら、電極板の構成や配置を変更することで、液膜Ｌｑ中のナノ粒子に作用する泳動力ｆｚの向きを縦方向（Ｚ方向）だけでなく、積極的に横方向（ＸＹ面内）のベクトルを持たせるように変えることができる。

　図１３は変形例５による堆積一様化部（泳動付与部）の構成を示し、図１３の上段はＸＹ面内での構成を上から見た上面図、下段はＸＺ面内での構成を横から見た正面図である。変形例５では、シート基板Ｐの上面側に配置される電極板Ｅｍの代わりに、Ｙ方向にシート基板Ｐの幅（Ｙ方向寸法）よりも長くなるように直線状に延設した電極線（ワイヤーや鋼線）Ｅｍ’の複数本をＸ方向（シート基板Ｐの搬送方向）に一定間隔で配置する。複数本の電極線Ｅｍ’の各々のＹ方向の両端は、金属製のフレームＴＦ１に固定され、先の図７の交流電界発生部９０からの配線Ｗｂに接続される。さらに、変形例５では、シート基板Ｐの裏面側に配置される電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４の代わりに、Ｙ方向にシート基板Ｐの幅（Ｙ方向寸法）よりも長くなるように直線状に延設した電極線（ワイヤーや鋼線）Ｅｆ’の複数本をＸ方向（シート基板Ｐの搬送方向）に一定間隔で配置する。複数本の電極線Ｅｆ’の各々のＹ方向の両端は、金属製のフレームＴＦ２に固定され、先の図７の交流電界発生部９０からの配線Ｗａに接続される。

　シート基板Ｐの上面側の複数本の電極線Ｅｍ’と、シート基板Ｐの裏面側の複数本の電極線Ｅｆ’とは、ＸＹ面内で見ると、Ｘ方向に一定の間隔で交互に配列される。配線Ｗａ、Ｗｂを介して、フレームＴＦ１とＴＦ２の間に交流電圧Ｅｖが印加されると、図１３の下段に示すように、上側の電極線Ｅｍ’の各々と下側の電極線Ｅｆ’の各々の間に、Ｘ方向に傾斜した交流電界Ｆｅが発生する。その為、シート基板Ｐの表面の液膜Ｌｑ中のナノ粒子には、Ｘ方向に傾いた泳動力ｆｚ、即ちＺ方向の泳動力とＸ方向の泳動力とが付与される。これにより、液膜Ｌｑ中のナノ粒子は、シート基板Ｐの表面に沿った横方向にも積極的に微少移動（微少振動）することになり、乾燥後のナノ粒子による薄膜の堆積状態の一様化を高めることが可能となる。

　なお、図１３に示した複数本の電極線Ｅｍ’と複数本の電極線Ｅｆ’とは、互いに平行な状態のまま、ＸＹ面内でＹ軸（又はＸ軸）に対して一定の角度（例えば、４５°又は９０°）だけ全体的に傾けても良い。さらに、ＸＹ面内で見たとき、複数本の電極線Ｅｍ’と電極線Ｅｆ’は、直線状である必要は無く、円弧状（弓状）に湾曲させたり、ジグザグ状や波状に屈曲させたりしても良い。

　以上の第２の実施の形態、変形例３～変形例５によると、被処理基板としてのシート基板Ｐの表面に微粒子（ナノ粒子ｎｐ）を所定の厚みで堆積させる成膜装置であって、ナノ粒子ｎｐを含有する溶液による液膜Ｌｑをシート基板Ｐの表面に所定の厚さで形成する為のミスト成膜部、或いは印刷方式やインクジェット方式による塗布装置で構成される液膜形成部と、シート基板Ｐの表面に形成された液膜Ｌｑが蒸発又は揮発する前に、液膜Ｌｑに交流電界を与えて、液膜Ｌｑ中のナノ粒子ｎｐに泳動力ｆｚを付与する泳動付与部としての堆積一様化部と、を備えた成膜装置が提供される。なお、図６に示したミスト成膜装置ＭＤＥは、導電性の外周面を有する回転ドラムＤＲでシート基板Ｐを密着支持するので、シート基板Ｐと対向するチャンバー部４０の内壁面に第１の電極（Ｅｍ）を設け、回転ドラムＤＲの外周面を第２の電極（Ｅｆ）として、第１の電極（Ｅｍ）と第２の電極（Ｅｆ）の間に交流電界を印加しても良い。

〔第３の実施の形態〕
　図１４は、第３の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示し、図１４の直交座標系ＸＹＺは、先の図１、図６の直交座標系ＸＹＺと同じに設定される。本実施の形態は、先の第１の実施の形態の図２に示したミスト成膜部と、第２の実施の形態の図７に示した堆積一様化部とを組み合わせたものである。従って、図１４中の各部材のうち、先の図１や図６の部材と実質的に同じ構成、又は同じ機能の部材には、同じ符号を付してある。

　図１４において、シート基板Ｐは、ローラ５Ａ、５Ｂの間に掛け渡された金属製の無端ベルト５Ｃの水平部分で支持されて－Ｘ方向に搬送され、水平に支持されるシート基板Ｐの表面には、ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、及びチャンバー部４０によるミスト成膜部からのミスト気体Ｍｓｇが噴霧される。ベルト５Ｃは、接触子７１を介して交流電界発生部９２からの配線Ｗａと電気的に接続され、チャンバー部４０内のシート基板Ｐの上方（＋Ｚ方向）に設置される電極板Ｅｄは、交流電界発生部９２からの配線Ｗｂと電気的に接続される。本実施の形態でも、ベルト５Ｃ、電極板Ｅｄ、及び交流電界発生部９２によって、ミスト誘導機構が構成される。

　ミスト成膜部で表面に液膜（Ｌｑ）が形成されたシート基板Ｐは、ローラ５Ｂの位置でベルト５Ｃから離脱して、水平面（ＸＹ面）から約４５°だけ下方に傾いた直線的な搬送路に沿って堆積一様化部内に搬送される。その搬送路には、先の図６の構成と同様に、シート基板Ｐの裏面側に配置される複数のローラ５Ｊと複数の電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と、シート基板Ｐの上面側に配置されるメッシュ状の電極板Ｅｍとが設けられている。そして、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４は交流電界発生部９２からの配線Ｗａと電気的に接続され、電極板Ｅｍは交流電界発生部９２からの配線Ｗｂと電気的に接続される。本実施の形態でも、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４、電極板Ｅｍ、及び交流電界発生部９２によって、堆積一様化部が構成される。なお、電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４は、先の図１３で示したような複数本の電極線Ｅｆ’に変更し、電極板Ｅｍは、先の図１３で示したような複数本の電極線Ｅｍ’に変更しても良い。

　本実施の形態では、ミスト誘導機構で発生する静電界と、堆積一様化部で発生する交流電界とを、１つの交流電界発生部９２から与えるように構成する。先の各実施の形態や変形例で説明したように、ミスト誘導機構では、負極に帯電したミストをシート基板Ｐ側に誘導するように、ベルト５Ｃに対して電極板Ｅｄが総じて負極性になっていれば良い。そこで、交流電界発生部９２が、一例として図１５に示すような交流電圧Ｅｖを発生するように構成する。図１５において、縦軸を交流電圧Ｅｖ、横軸を時間とし、振幅が実効値Ｅｖａで正弦波状に周波数ｆｐで強度変化する交流電圧Ｅｖの波形の中立電位（平均電位）を、ゼロ電位（本体ボディのアース電位）に対して負極側の－Ｅｎｅ（Ｖ）に設定する。振幅の実効値Ｅｖａの絶対値｜Ｅｖａ｜と中立電位－Ｅｎｅの絶対値｜Ｅｎｅ｜は、｜Ｅｎｅ｜≧｜Ｅｖａ｜の関係に設定される。

　図１５のような交流電圧Ｅｖを、図１４中のベルト５Ｃと電極板Ｅｄとの間に印加すると、ミストがシート基板Ｐ側に引寄せられる力の大きさは、周波数ｆｐで時間的に変化することになるが、静電界の平均的な強度は中立電位－Ｅｎｅとなるので、ミストのシート基板Ｐへの付着率向上の効果は、先の第１の実施の形態と同程度に得られる。一方で、図１４に示した堆積一様化部（泳動付与部）の電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの間に、図１５のような交流電圧Ｅｖを印加すると、シート基板Ｐ上の液膜Ｌｑには、定常的に負極側にオフセットして実効値Ｅｖａで振幅変化する交流電界が印加されるので、先の第２の実施の形態と同様に、液膜Ｌｑ中のナノ粒子に泳動力ｆｚが与えられる。

　図１６は、図１５のような交流電圧Ｅｖを発生する交流電界発生部９２内の具体的な回路の一例を示し、比較的に高い電源電圧±Ｖｃｃ（例えば、±５０Ｖ以上）で動作可能な差動アンプＯＰＡが使われる。差動アンプＯＰＡの反転入力（－）には、抵抗器ＲＳ１を介して直流の可変電源ＤＣＯからの電圧＋Ｅｎｉが印加され、反転入力（－）と差動アンプＯＰＡの出力との間には抵抗器ＲＳ２が接続されている。可変電源ＤＣＯからの電圧＋Ｅｎｉは、図１５に示した中立電位（オフセット電圧）－Ｅｎｅを生成するものである。差動アンプＯＰＡの非反転入力（＋）とアース電位（０Ｖ）との間には、抵抗器ＲＳ４が接続され、差動アンプＯＰＡの非反転入力（＋）には、カップリングコンデンサＣＣ１と抵抗器ＲＳ３との直列接続を介して、図７中に示した発振回路９０Ａから出力される周波数ｆｐの正弦波状の交流電圧Ｅｖｉが印加される。なお、コンデンサＣＣ１の容量は、交流電圧Ｅｖｉの周波数ｆｐの低域遮断周波数が１Ｈｚ程度になるように、抵抗器ＲＳ３とＲＳ４の直列抵抗値に応じて定められる。

　図１６の回路構成において、抵抗器ＲＳ１と抵抗器ＲＳ３とを同じ抵抗値にし、抵抗器ＲＳ２と抵抗器ＲＳ４とを同じ抵抗値にすると、差動アンプＯＰＡの出力に現れるアース電位（配線Ｗａに接続される）に対する出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ＝（ＲＳ２／ＲＳ１）・（Ｅｖｉ－Ｅｎｉ）となる。交流電圧Ｅｖｉは、時間的に正弦波状に振幅変化する波形なので、そのピーク値をＥｐｉ、時間をｔとして、Ｅｖｉ＝Ｅｐｉ・ｓｉｎ（２π・ｆｐ・ｔ）で表される。交流電圧Ｅｖｉのピーク値Ｅｐｉと可変電源ＤＣＯからの電圧＋Ｅｎｉとの各絶対値を、Ｅｐｉ≦Ｅｎｉの関係に設定すると、出力電圧Ｖｏｕｔは、先の図１５のような波形となる。差動アンプＯＰＡの出力電圧Ｖｏｕｔは、配線Ｗｂを介して図１４に示した電極板Ｅｄ、Ｅｍに印加される。

　一例として、抵抗器ＲＳ１、ＲＳ３を２０ＫΩ、抵抗器ＲＳ２、ＲＳ４を１００ＫΩにして、図１５中の中立電位（平均電位）－Ｅｎｅを－２５Ｖ、図１５中の交流電圧Ｅｖの振幅のピーク値Ｅｖｐを２２Ｖに設定する場合、可変電源ＤＣＯによる電圧＋Ｅｎｉは＋５Ｖに設定され、発振回路９０Ａからの交流電圧Ｅｖｉの振幅のピーク値は４．４Ｖ（実効値では約３．０８Ｖ）に設定される。なお、図１５のように、０Ｖ（アース電位）以外の中立電位（オフセット電位）Ｅｎｅを基準に周波数ｆｐで振幅変化する交流電圧Ｅｖを生成する回路構成は、図１６の回路構成に限られず、他の様々な回路構成によっても実現可能である。

　本実施の形態では、図１４で示したように、ミスト成膜部においてシート基板Ｐを水平搬送する為に、ローラ５Ａ、５Ｂとベルト５Ｃとによるコンベア搬送方式を用いたが、先の図６で示したように、ミスト成膜部においてシート基板Ｐを回転ドラムＤＲに巻き付けて搬送するロール搬送方式を用いても良い。

　以上、第３の実施の形態によれば、ミスト成膜部に設けられるミスト誘導機構としての電極板Ｅｄとベルト５Ｃとの間に静電界を生成する静電界発生部を、ミスト成膜直後の乾燥過程中に基板上の液膜中でのナノ粒子の堆積分布の一様化を図る堆積一様化部（泳動付与部）としての電極板Ｅｆ１～Ｅｆ４と電極板Ｅｍとの間に交流電界を生成する交流電界発生部で兼用することが可能となり、装置構成が簡略化できる。また、堆積一様化部（泳動付与部）によってシート基板Ｐ上の液膜Ｌｑに交流電界を印加する際、交流電界の中立電位（Ｅｎｅ）や振幅範囲が一方の極性側（負極性）にオフセットしているので、液膜Ｌｑ中で分極しているナノ粒子ｎｐには泳動力（振動）が与えられると共に、シート基板Ｐ側に引き寄せられる誘導力も与えられる。

　なお、国際公開第２０１９／１３８７０７号パンフレット、国際公開第２０１９／１３８７０８号パンフレットに開示された製法によって非直方体形状に結晶化したＩＴＯナノ粒子を分散させた溶液Ｌｑ（液膜Ｌｑ）中に２本の電極針を所定の間隔で浸漬し、電極針の間に直流電圧を一定時間かける実験を行ったところ、一方の電極針の表面にＩＴＯナノ粒子の堆積による薄膜が形成された。図１７は、その実験装置の概略構成を示し、シャーレ等の容器ＣＫ内に、非直方体形状のＩＴＯナノ粒子を所定の濃度で分散させた溶液Ｌｑ（溶媒は純水）を一定の深さで溜めて、液面と平行な方向に間隔ｄＸで離間させた２本の金メッキした電極針ＳＨａ、ＳＨｂの各々を液面と垂直に浸漬し、電極針ＳＨａ、ＳＨｂ間に直流の可変電源ＤＣＯから４０Ｖを印加した。

　その実験では、直流の可変電源ＤＣＯの電圧を４０Ｖにした状態で、２本の電極針ＳＨａ、ＳＨｂの間隔ｄＸを変化させて、一方の電極針にＩＴＯナノ粒子が成膜（堆積）されるか否かを目視にて確認した。電極針ＳＨａ、ＳＨｂの表面は金メッキされている為、ＩＴＯナノ粒子の堆積が始まると、電極針ＳＨｂの浸漬部分が灰色に変色し始めるので、容易に目視観察できる。実験の結果、図１８に示すように、間隔ｄＸが１０ｍｍ以上では堆積が確認できなかったが、間隔ｄＸが２ｍｍ、５ｍｍ、７ｍｍでは、溶液Ｌｑ中に直接電極を浸した状態で、非直方体形状のＩＴＯナノ粒子が一方の電極針に成膜（堆積）されることから、電極針ＳＨａ、ＳＨｂの間で電界が作用する領域（空間）において、ＩＴＯナノ粒子に運動力（斥力、或いは引力）が与えられたものと考えられる。

〔第４の実施の形態〕
　図１９は、第４の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示し、直交座標系ＸＹＺは、先の図１、図４、図６、図１４と同様に、Ｚ方向を重力方向（鉛直方向）とし、ＸＹ面を水平方向とする。本実施の形態におけるミスト成膜部は、先の図１～図３Ｂ、又は図１４に示したコンベア搬送方式によってシート基板Ｐを長尺方向に移動させながら、シート基板Ｐの表面にミスト気体Ｍｓｇを噴霧して液膜Ｌｑを形成する構成となっている。従って、図１９に示した装置構成において、先の図１～図３Ｂ、或いは図６で示した部材や機構と同じ機能を奏する部材や機構には同じ符号を付し、その説明を簡素化又は省略する。

　本実施の形態では、ローラ５Ａ、５Ｂ、ベルト５Ｃによるコンベア搬送機構において、ローラ５Ａからローラ５Ｂに向けて直線的に移動すると共に、シート基板Ｐを平面状に支持するベルト５Ｃの部分が、シート基板Ｐの移動方向に関してＸＹ面から一定の角度だけ傾くように傾斜配置される。すなわち、シート基板Ｐの搬送方向の下流側に位置するローラ５Ｂが、ローラ５ＡのＺ方向の位置よりも高くなるように配置される。このようにシート基板Ｐの表面を搬送方向に傾斜させることに伴って、ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、３２’、及びチャンバー部４０で構成されるミスト成膜部も、全体に傾斜して配置される。さらに、先の図１と同様に、ローラ５Ａとローラ５Ｂとの間には、ベルト５Ｃとシート基板Ｐとを平面状に支持する支持テーブル５Ｄ’が、ＸＹ面に対して搬送方向に傾斜して設けられる。支持テーブル５Ｄ’の支持面には、ベルト５Ｃの裏面に向けて加圧した気体を噴出する噴出孔と、噴出された気体を噴出孔の近傍で吸引する吸引孔との組が、一定の間隔で２次元的に複数形成され、ベルト５Ｃの裏面と支持面との間にエアベアリング層（気体層）が形成される。

　本実施の形態では、支持テーブル５Ｄ’の支持面とベルト５Ｃの裏面との間に形成されるエアベアリング層を、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの温度（或いは環境温度）よりも低温化する為に、供給／排気ユニット２００、温調（冷却）（温調部）ユニット２０２、温度センサー２０４が設けられる。供給／排気ユニット２００は、支持テーブル５Ｄ’の支持面に形成された複数の吸引孔の全てに連通したチューブＴＰｃを介して、エアベアリング層の気体を排気すると共に、温調（冷却）ユニット２０２に向けてチューブＴＰａを介して加圧した気体を供給する。温調（冷却）ユニット２０２は、支持テーブル５Ｄ’の支持面に形成された複数の噴出孔の全てに連通したチューブＴＰｂを通して、エアベアリング層の為の温度調整された気体を供給する。温度センサー２０４は、エアベアリング層から回収されてチューブＴＰｃを流れる気体の温度に対応した計測情報（実測値）２０４ｓを温調（冷却）ユニット２０２に出力する。温調（冷却）ユニット２０２は、計測情報（実測値）２０４ｓが制御部（ＣＰＵ）１００からの目標温度情報（指令値）１００ａと一致するように、気体の温度をサーボ制御する。

　制御部１００は、先の図６に示したものと同じであり、本実施の形態では、ベルト５Ｃを搬送するようにローラ５Ａを回転駆動するモータや減速器を含む駆動部８０’の駆動回路部８２’に制御信号を出力する。さらに、本実施の形態では、ローラ５Ａの内部に設けられた温度調整素子（例えば、ペルチェ素子）２１０Ａと、ローラ５Ｂの内部に設けられた温度調整素子（例えば、ペルチェ素子）２１０Ｂとを、制御部１００からの目標温度情報１００ｂに対応した所定温度に設定されるように駆動する温度制御ユニット２１２が設けられる。温度調整素子（温調部）２１０Ａ、２１０Ｂは、それぞれローラ５Ａ、５Ｂのベルト５Ｃと接触する外周面の温度を、支持テーブル５Ｄ’の支持面に形成されるエアベアリング層の温度と同じにする。そのような温度調整素子２１０Ａ、２１０Ｂと温調（冷却）ユニット２０２との協働によって、ベルト５Ｃは制御部１００で指令された目標温度に設定され、ベルト５Ｃに密着支持されるシート基板Ｐも目標温度に設定される。

　なお、ベルト５Ｃがステンレス等の金属薄板の場合は、熱伝導が早い為、ローラ５Ｂ（シート基板Ｐの搬送の下流側）内の温度調整素子２１０Ｂを省略し、ローラ５Ａ側の温度調整素子２１０Ａだけでベルト５Ｃの温調を行っても良いし、さらには温度調整素子２１０Ａ、並びに温度制御ユニット２１２も省略しても良い。また、温度センサー２０４は、チューブＴＰｃを通る気体の温度を計測するものとしたが、支持テーブル５Ｄ’の支持面に半導体等による温度センサーを埋め込んで、支持面の温度、或いはエアベアリング層の気体の温度を計測し、その計測信号を計測情報（実測値）２０４ｓとして温調（冷却）ユニット２０２に送っても良い。

　本実施の形態では、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されたミスト気体Ｍｓｇ中のミストを、シート基板Ｐの表面に効率的に付着させる為に、シート基板Ｐの温度がミスト気体Ｍｓｇの温度（或いは環境温度）よりも低くなるように、制御部１００からの目標温度情報１００ａ、１００ｂが設定される。ここで、図１９のミスト成膜装置ＭＤＥが設置される環境の温度をＴｅｖ℃、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度をＴｍｓ℃、シート基板Ｐ（被成膜物）の温度をＴｆｓ℃としたとき、Ｔｅｖ≧Ｔｍｓ＞Ｔｆｓの関係に設定するのが望ましい。その際、シート基板Ｐの温度Ｔｆｓが、ミストの元となる溶液Ｌｑの溶媒液の凍結温度程度、或いは凍結温度よりも若干高めの温度になるように、温調（冷却）ユニット２０２、温度制御ユニット２１２によって温度調整される。

　低温化するシート基板Ｐの温度の最適値等を確認する為に、図２０に示すような予備実験装置によって、ミストの付着率の温度依存性を調べた。図２０の予備実験装置には、サンプルとしてのガラス基板Ｐ’を載置して、ガラス基板Ｐ’の温度を常温（環境温度）から－５℃まで冷却可能な温調ユニット（基板温調部）２３０と、ガラス基板Ｐ’の表面に沿ってミスト気体Ｍｓｇが噴霧されるように配置されたミスト発生器からのパイプ１７とが設けられる。パイプ１７は、一例として、先の図１に示したミスト発生部１４からミスト噴出部３０に接続されている可撓性のパイプ１７（ＰＴＦＥ：フッ素樹脂材）と同じものとする。パイプ１７は、内径（直径）φｍが１５ｍｍの円形の先端開口部（噴出口）１７Ｔから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの噴霧の中心線１７ｘ（先端開口部１７Ｔの円形開口の中心点を通る線）が、ガラス基板Ｐ’の表面とほぼ平行になるように設置されている。なお、ガラス基板Ｐ’は、表面が親液性に処理された厚みが０．５ｍｍのガラス板（半導体ウェハでも良い）から、ほぼ２５ｍｍ角の正方形となるように切り出した。

　ここで、中心線１７ｘは、Ｚ方向を重力方向とする直交座標系ＸＹＺのＸ軸と平行に設定されるものとする。従って、ガラス基板Ｐ’の表面はＸＹ面と平行に設定され、ガラス基板Ｐ’の表面の中心点を通る法線ＬｚはＺ軸と平行に設定され、更にパイプ１７の先端開口部１７Ｔの開口面はＹＺ面と平行に設定される。また、ガラス基板Ｐ’（矩形状）は、パイプ１７側の端面ＥｇがＹ軸とほぼ平行であって、且つ、パイプ１７の先端開口部１７Ｔから端面ＥｇまでのＸ方向の距離が常にほぼ一定（例えば、１０ｍｍ）となるように、温調ユニット２３０に搭載される。更に、パイプ１７の先端開口部１７Ｔは、ガラス基板Ｐ’の表面と中心線１７ｘとのＺ方向の間隔が、例えば内径φｍの０．５倍～１．５倍の範囲の一定値となるように、不図示の支持部材によって固定されている。

　温調ユニット（基板温調部）２３０は、ガラス基板Ｐ’を載置する温調プレート部２３０Ａと、その温調プレート部２３０Ａの温度を調整する為の温調液（クーラント液）ＬＬｃが流入する供給ポート部２３０Ｂと、温調液ＬＬｃを排出する排出ポート部２３０Ｃと、温度センサー２３０Ｓとを備えている。温調液ＬＬｃは、別体で設けられるチラー装置（冷却水・温水循環装置）からチューブを介して供給ポート部２３０Ｂに送出され、排出ポート部２３０Ｃからチューブを介してチラー装置に戻される。温度センサー２３０Ｓは、温調液ＬＬｃの温度に応じた検出信号Ｓｇｔをチラー装置に送り、チラー装置は、検出信号Ｓｇｔをフィードバック信号として利用して、温調液ＬＬｃが指定された目標温度になるように温度制御する。なお、温調液ＬＬｃの温度を計測する温度センサー２３０Ｓは、チラー装置側に設けられたものであっても良い。

　図２０の実験装置を用いた実験では、ガラス基板Ｐ’の温度を、＋２７℃の室温（環境温度）、並びに＋２５℃から－５℃までの５℃毎の温度の各々に変化させるように、チラー装置の目標温度を設定した。また、ガラス基板Ｐ’の温度変化の他に、パイプ１７から噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度による影響も併せて確認する為、ミスト気体Ｍｓｇを、＋１０℃、＋３０℃、＋５０℃に変えた場合についても実験を行った。図２０の実験装置による実験の為に、先の図１で示したミスト発生部（霧化器）１４の内部容器１４Ａ内に貯留される溶液（純水とする）Ｌｑには、国際公開第２０１９／１３８７０７号パンフレット、国際公開第２０１９／１３８７０８号パンフレットに開示された製法で作られた非直方体形状のＩＴＯナノ粒子（平均粒径が３０ｎｍ）を１０ｗｔ.％の濃度で分散させた。

　また、ミスト気体Ｍｓｇを噴霧する時間（成膜時間）は、サンプルとなるガラス基板Ｐ’毎に一定の５分（３００秒）とし、パイプ１７の先端開口部１７Ｔから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの流量はどのガラス基板Ｐ’に対しても一定値（１０Ｌ／分）となるように、図１に示したキャリアガスＣＧＳの流量調整弁１５により設定した。更に、ミスト気体Ｍｓｇの温度は、図１に示したミスト発生部１４に導入されるキャリアガスＣＧＳの温度調整で容易に変更可能である。しかしながら、より厳密な実験とする為に、ガラス基板Ｐ’を温調プレート部２３０Ａ上の所定位置に載置する前に、先端開口部１７Ｔの近傍で噴出されるミスト気体Ｍｓｇにアルコール柱又は水銀柱による棒状温度計をかざして直接的に温度計測し、所定の温度（＋１０℃、＋３０℃、＋５０℃）になるようにキャリアガスＣＧＳの温度を管理した。

　実験では、まず、ミスト気体Ｍｓｇの温度を＋１０℃に設定し、温調プレート部２３０Ａ（及び載置されるガラス基板Ｐ’）の温度を室温の＋２７℃に設定した状態で、パイプ１７の先端開口部１７Ｔからミスト気体Ｍｓｇを５分間噴霧（ミスト成膜）した後、そのガラス基板Ｐ’を温調プレート部２３０Ａから取外して乾燥させた。乾燥後のガラス基板Ｐ’上に形成される非直方体形状のＩＴＯナノ粒子による薄膜の厚みを調べる為に、ガラス基板Ｐ’の中心部分の薄膜を局所的に削って現れるガラス基板Ｐ’の表面と、薄膜の上表面との段差量（即ち、膜厚）を触針式膜厚測定器（例えば、KLA-Tencor社製のSurface Profiler Ｐ１６）で計測した。

　以下、同様に、温調プレート部２３０Ａ（及び載置されるガラス基板Ｐ’）の温度を、＋２５℃、＋２０℃、＋１５℃、＋１０℃、＋５℃、０℃、－５℃の各々に変えては、ガラス基板Ｐ’の表面に、＋１０℃のミスト気体Ｍｓｇでミスト成膜して、乾燥後のＩＴＯナノ粒子による薄膜の厚みを調べた。その結果、ミスト気体Ｍｓｇの温度を＋１０℃にしたとき、成膜されたＩＴＯナノ粒子による薄膜の膜厚と基板の温度との関係は、図２１に示すグラフの特性Ａのようになった。図２１は、成膜される薄膜の膜厚の基板温度の依存性を表わすグラフであり、横軸は基板温度（℃）を表わし、縦軸は薄膜（ＩＴＯナノ粒子）の膜厚（ｎｍ）を表わす。

　ミスト気体Ｍｓｇの温度が＋１０℃の場合は、特性Ａのように、基板温度が室温の＋２７℃から＋１０℃の間では、成膜された薄膜の膜厚は、約３５０ｎｍで変化が無かった。しかしながら、基板温度が＋１０℃未満（ミスト気体Ｍｓｇの温度以下）の＋５℃、０℃、－５℃になると、成膜された薄膜の膜厚は約１．４３倍の５００ｎｍ程度に増加していた。これは、ミスト成膜時にミスト気体Ｍｓｇに含まれるミストが、ミストの温度よりも低い温度のガラス基板Ｐ’側に、より多く引寄せられたこと、即ち、ミストの基板表面への付着率が向上したこと意味する。このことから、被成膜体としてのシート基板Ｐの温度をミスト気体Ｍｓｇの温度よりも低くすることにより、ミストの付着率を向上させて、被成膜体の表面に無数のミスト（粒径が数μｍ）の集合により形成される液膜層を、より早く成長させることが可能となる。

　なお、基板温度を－５℃とした場合、ガラス基板Ｐ’の表面に付着したミスト（純水）は直ちに凍る為、ミスト噴霧時間（５分間）の経過後のガラス基板Ｐ’の表面には、薄い霜による層（氷層）が形成される。その場合でも、ミスト噴霧後の時間経過に伴って、氷層から液膜に層変化し、やがて液膜も蒸発（又は気化）するので、同様に、ＩＴＯナノ粒子の堆積による薄膜の厚みを計測することができる。

　次に、キャリアガスＣＧＳの温度を調整して、ミスト気体Ｍｓｇの温度を＋３０℃に上げて、＋１０℃の場合と同じ実験を行った結果、基板温度とＩＴＯナノ粒子の薄膜の膜厚との関係は、図２１のグラフ中の特性Ｂのようになった。ガラス基板Ｐ’の温度が室温の＋２７℃（又は＋２５℃）のとき、ミスト気体Ｍｓｇの温度が＋３０℃では、膜厚は約２００ｎｍとなり、ミスト気体Ｍｓｇの温度が＋１０℃のときの膜厚（約３５０ｎｍ）と比べて、成膜量（成膜レート）が低かった。さらに、ガラス基板Ｐ’の温度を、＋２０℃、＋１５℃、＋１０℃、＋５℃、０℃の各々に設定して、成膜されるＩＴＯナノ粒子の薄膜の膜厚を計測したところ、基板温度が＋１０℃以下の領域では、特性Ｂのように、基板温度に対する膜厚量の変化は、温度＋１０℃のミスト気体Ｍｓｇの場合と同じ傾向を示し、基板温度＋５℃以下では、約５００ｎｍの膜厚が得られた。

　さらに、キャリアガスＣＧＳの温度を調整して、ミスト気体Ｍｓｇの温度を＋５０℃に上げて、＋１０℃や＋３０℃の場合と同じ実験を行った結果、基板温度とＩＴＯナノ粒子の薄膜の膜厚との関係は、図２１のグラフ中の特性Ｃのようになった。ガラス基板Ｐ’の温度が室温の＋２７℃（又は＋２５℃）のとき、ミスト気体Ｍｓｇの温度が＋５０℃では、膜厚は約１６０ｎｍとなり、ミスト気体Ｍｓｇの温度が＋１０℃のときの膜厚（約３５０ｎｍ）と比べて、成膜量（成膜レート）は半分以下になった。引き続き、ガラス基板Ｐ’の温度を、＋２０℃、＋１５℃、＋１０℃、＋５℃、０℃の各々に設定して、成膜されるＩＴＯナノ粒子の薄膜の膜厚を計測した。基板温度が＋１０℃の場合の膜厚は約３００ｎｍとなり、基板温度が室温（＋２７℃）又は＋２５℃のときの膜厚１６０ｎｍの約２倍となった。さらに、基板温度を＋５℃にした場合の膜厚は約４８０ｎｍとなり、基板温度が室温（＋２７℃）又は＋２５℃のときの膜厚１６０ｎｍの約３倍となった。

　以上の予備実験の結果、ミスト気体Ｍｓｇの温度に対して基板温度を低くすることにより、ミストの付着率（液膜の成長率）が向上して、ナノ粒子による薄膜の成膜レートが向上することが判った。さらに、ミストの元となる溶液を純水とした場合は、基板温度を＋１０℃～０℃の範囲、更に好ましくは＋５℃～０℃の範囲に設定すると、ミスト気体Ｍｓｇの温度に関わらず、ミストの付着率を最も高くできることも判った。

　また、図２０の実験装置では、ミスト気体Ｍｓｇがパイプ１７の先端開口部１７Ｔから水平方向にガラス基板Ｐ’の表面に沿うように、室温＋２７℃の解放空間中に噴出される。その場合、ミスト気体Ｍｓｇの温度が室温＋２７℃よりも高いと、パイプ１７の先端開口部１７Ｔから噴出したミスト気体Ｍｓｇは上方（＋Ｚ方向）に向かう上昇力（浮上力）を持つことになり、環境温度と同じ温度に設定されたガラス基板Ｐ’の場合、その表面に付着する（降下する）ミストの量が低減する。しかしながら、ガラス基板Ｐ’の温度をミスト気体Ｍｓｇの温度よりも十分に低くしておくと、ガラス基板Ｐ’の表面を横切るミスト気体Ｍｓｇの一部の温度が周囲の温度（室温）よりも低下し、ミスト気体Ｍｓｇの一部は降下する力（沈降力）を持つことになり、ミスト付着力が向上するものと考えられる。

　ここで、図１９に示したミスト成膜装置ＭＤＥにおいて、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａからチャンバー部４０内の基板Ｐに向けて噴出されるミスト気体Ｍｓｇの温度をＴｍｓ（℃）、温調（冷却）ユニット２０２によって温調される支持テーブル５Ｄ’とベルト５Ｃとを介して温度調整される基板Ｐの表面の温度をＴｐｐ（℃）、チャンバー部４０内の温度（チャンバー部４０の内部空間の温度、或いは内部空間を規定する内壁面の温度）をＴｃｔ（℃）とすると、温度Ｔｐｐをミストの元となる溶液の凍結温度以上とし、且つ、Ｔｐｐ＜Ｔｍｓ≦Ｔｃｔの関係に設定するのが良い。なお、チャンバー部４０内にミスト気体Ｍｓｇを長い時間に亘って噴霧し続けると、チャンバー部４０内（内壁面）の温度Ｔｃｔはミスト気体Ｍｓｇの温度Ｔｍｓに馴染んで同じになる。

　そこで、図１９に示したミスト成膜装置ＭＤＥでは、温調（冷却）ユニット２０２や温度制御ユニット２１２によって温度調整されるシート基板Ｐの温度（Ｔｐｐ）を、一例として０℃～＋５℃に設定し、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの温度（Ｔｍｓ）を、一例として室温（環境温度）よりも低く、シート基板Ｐの温度に近い＋５℃～＋１０℃に設定する。なお、ミスト気体Ｍｓｇの温度（Ｔｍｓ）は、ミストが凍結しない範囲で、基板Ｐの設定温度（Ｔｐｐ）と同じにしても良い。このように、シート基板Ｐの温度（Ｔｐｐ）を、ミストが凍結しない範囲で低温化することにより、ミストの付着率が向上し、基板Ｐの表面に形成される液膜が早期に成長することになり、その結果、ミストに含まれるナノ粒子による薄膜の成膜レートを向上させることができる。成膜レートの向上は、シート基板Ｐの搬送速度の向上、ミスト噴出部３０からのミスト気体Ｍｓｇの流量（流速）の低減化（ミスト発生部１４での溶液Ｌｑの消費量の低減化）と言った効果につながり、成膜される材料物質のナノ粒子を、より効率的に利用することができる。

〔第５の実施の形態〕
　図１９のようにシート基板Ｐを低温化する構成は、先の図４～図６で示したような、シート基板Ｐを回転ドラムＤＲで支持して長尺方向に搬送するミスト成膜装置にも適用可能である。図２２は、回転ドラムＤＲを用いた第５の実施の形態によるミスト成膜装置ＭＤＥの構成を示し、基本的な構成、並びに基本的な部材は、先の図４～図６に示した構成や部材と同じであり、それらの部材と同じ機能の部材には同じ符号を付してある。また、直交座標系ＸＹＺも図４と同じに設定されている。本実施の形態では、シート基板Ｐを支持する回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａを冷却する為に、温度調整ユニット（チラー）２０２からのチューブＴＰｂを介して供給される温調流体（温度制御された気体や液体）が通されるパイプ状の冷却管（熱交換管）ＨＦの複数本（図２２では１２本）が回転ドラムＤＲの内部に設けられている。複数本の冷却管ＨＦの各々は、図２２の場合、回転ドラムＤＲの回転の中心線ＡＸｏから一定半径の位置に、中心線ＡＸｏと平行に延設され、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの周方向に関して一定の角度間隔（本変形例では３０度）で配置されている。

　チューブＴＰｂを介して供給される温調流体は、回転ドラムＤＲのシャフトＳｆｔの部分に設けられるポート部ＪＳと回転ドラムＤＲ内に設けられる流路Ｆｖとを介して、１２本の冷却管ＨＦの各々に循環するように供給される。冷却管ＨＦを循環した温調流体は、内部の流路Ｆｖ、ポート部ＪＳ、チューブＴＰｃを介して温度調整ユニット２０２に戻され、再び所定の温度に制御されて、チューブＴＰｂに送られる。また、本実施の形態では、回転ドラムＤＲに進入する前のシート基板Ｐを予備温調（冷却）する為に、回転ドラムＤＲの上流側に配置されるローラ５Ｇ’の外周面を、温度調整ユニット２０２からの温調流体によって環境温度よりも低い温度に設定する構成が設けられる。

　シート基板Ｐは、先の図４の装置構成で説明したように、回転ドラムＤＲの周方向に関して、進入位置Ｃｔ１から離脱位置Ｃｔ２までの範囲で外周面ＤＲａと接触（密着）し、ミスト成膜部を構成するチャンバー部４０は、進入位置Ｃｔ１から離脱位置Ｃｔ２までの角度範囲内で、周方向に円筒状に湾曲して、シート基板Ｐを覆うように配置される。チャンバー部４０には、ミスト噴出部３０とミスト回収部３２、３２’とが、先の図６の配置と同様に設けられるが、本実施の形態では、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの噴出方向を表わす線ＣＬが、ノズル開口部３０Ａと対向するシート基板Ｐの表面の位置（図２２中の中心線ＡＸｏから径方向に延ばした線ＣＬｊが通る位置）における接平面の法線と平行にならないように、ミスト噴出部３０を傾けて設ける。

　本実施の形態の場合、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａ側がパイプ１７側よりも＋Ｚ方向に位置するように、即ち、ＸＺ面内で見たとき、線ＣＬの＋Ｘ方向側が－Ｘ方向側よりも高くなるようにミスト噴出部３０を傾けて配置する。このような構成によって、ミスト噴出部３０の内壁面に、ミスト気体Ｍｓｇ中のミストの一部が集まって液滴となって付着した場合でも、その液滴が大きくなって内壁面を伝わってノズル開口部３０Ａからシート基板Ｐに落下する可能性を極めて小さくできる。さらに、図２２のように、ミスト噴出部３０の内壁面に付着した液滴は重力方向の－Ｚ方向に流れ落ちるので、内壁面のうちの最も下方に位置する部分に、液滴のトラップ部（収集部）３０ｕを設けることができる。

　また、チャンバー部４０の導風部材４０Ａの内壁面を適度に親液性にしておくと、ミストが局所的に集まって液滴（粒）になる前に、導風部材４０Ａの内壁面を覆うような液膜状になり、その液膜はやがて内壁面に沿って下方（－Ｚ方向）に流れていく。そこで本実施の形態では、重力方向に関してチャンバー部４０の最も下方に位置する端部付近に、導風部材４０Ａの内壁面に沿って流れ落ちる液膜の収集部４０ｕが設けられる。

　図２２のように、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａを室温（環境温度）よりも低温化する場合、シート基板Ｐは進入位置Ｃｔ１で初めて低温の外周面ＤＲａに接触（密着）することになり、進入位置Ｃｔ１から離脱位置Ｃｔ２まで移動している間に低温化される。本実施の形態の場合、ミスト成膜（ミストの基板表面への付着）は、主にミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａの位置（線ＣＬｊの位置）から下流側のミスト回収部３２の位置（離脱位置Ｃｔ２の近傍）までの間で行われる。従って、シート基板Ｐが線ＣＬｊの位置から離脱位置Ｃｔ２の位置まで移動している間は、シート基板Ｐを目標とする温度に維持しておく必要がある。

　例えば、進入位置Ｃｔ１よりも上流側のシート基板Ｐの温度が室温（例えば＋２０℃～＋２５℃）で、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの温度が０℃～＋５℃の間に設定されている場合、基板Ｐの熱伝導率が低いときには、進入位置Ｃｔ１から線ＣＬｊの位置（ノズル開口部３０Ａの直下の位置）までシート基板Ｐが移動する時間内に、基板Ｐの表面の温度が回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの温度まで十分に低下しないことが起こり得る。そこで、本実施の形態では、回転ドラムＤＲの上流側に配置されるローラ５Ｇ’の表面を、温度調整ユニット２０２からの温調流体（クーラント）によって、例えば＋１０℃以下（０℃近傍でも良い）に低温化する。シート基板Ｐはローラ５Ｇ’に接触（密着）している時間の間に予備冷却されるが、その時間Ｔｐｈ（秒）は、ローラ５Ｇ’の外周面の直径をφｄ（ｍｍ）、シート基板Ｐのローラ５Ｇ’での抱き角（接触している角度範囲）をΔθｒ（度）、シート基板Ｐの搬送速度をＶｐ（ｍｍ／秒）としたとき、Ｔｐｈ＝（π・φｄ・Δθｒ）／（３６０・Ｖｐ）によって決まる。

　ローラ５Ｇ’で予備冷却されたシート基板Ｐは、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの進入位置Ｃｔ１に達した時点で、回転ドラムＤＲの外周面ＤＲａの温度（０℃～＋５℃）に近い温度まで冷却され、その後、進入位置Ｃｔ１から線ＣＬｊの位置（ノズル開口部３０Ａの直下の位置）まで移動する間に、目標する外周面ＤＲａの温度に馴染んだ状態となって、ミスト成膜（ミスト噴霧）が行われる。

　以上の本実施の形態では、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａからのミスト気体Ｍｓｇの噴出方向（線ＣＬ）を、シート基板Ｐの搬送方向の下流側に向けて傾斜させたので、チャンバー部４０内の空間（導風部材４０Ａと基板Ｐの間の空間）のうちのノズル開口部３０Ａから下流側のミスト回収部３２までの空間内を流れるミスト気体Ｍｓｇの流量を、ノズル開口部３０Ａから上流側のミスト回収部３２’までの空間内を流れるミスト気体Ｍｓｇの流量よりも多くすることができる。このように、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａからのミスト気体Ｍｓｇの噴出方向を、シート基板Ｐと垂直な方向から傾斜させる構成は、先の図１～図３Ｂ、図４、図６、図１４、図１９の各々に示したミスト成膜装置にも同様に適用可能である。

　なお、図１９、図２２に示したミスト成膜装置ＭＤＥにおいて、ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの温度を０℃～１５℃の範囲の第１の温度になるように設定する場合、図１９中の温調（冷却）ユニット２０２や図２２中の温度調整ユニット（チラー）２０２による基板温調機構によって低温化されるシート基板Ｐの温度は、第１の温度よりも低い０℃～１５℃の範囲の第２の温度に設定される。但し、ミストの元となる溶液Ｌｑの溶媒が純水の場合、シート基板Ｐの温度を０℃にすると、付着したミストが霜のように凍る可能性がある為、シート基板Ｐの温度は実際には０℃よりも高い温度（例えば、＋４℃以上）に設定される。

〔変形例６〕
　図２３は、先の図１９（第４の実施の形態）に示したミスト成膜装置の変形例によるミスト成膜装置ＭＤＥの概略的な構成を示す斜視図である。図２３において、直交座標系ＸＹＺのＺ軸は重力方向であり、Ｚ軸と直交するＸＹ面はミスト成膜されるシート基板Ｐの表面と平行に設定されるものとする。但し、図１９の形態と同じように、本変形例でもシート基板ＰをＸＹ面に対して長尺方向（Ｘ方向）に傾けても良い。なお、図２３でも、図１９で説明したローラ５Ａ、５Ｂ、ベルト５Ｃ、支持テーブル５Ｄ’と同じものがシート基板Ｐの下方（－Ｚ方向）に設けられ、シート基板Ｐは低温化されるものとする。

　図２３において、平面状に搬送されるシート基板Ｐの搬送方向（＋Ｘ方向）の上流側には、シート基板Ｐの表面を覆うようにチャンバー部４０が設置され、チャンバー部４０には、２本のパイプ１７ａ、１７ｂを介してミスト気体Ｍｓｇが供給されるミスト噴出部３０と、チャンバー部４０の内部に噴出されたミスト気体Ｍｓｇの余剰分を回収してパイプ３３、３３’を介して外部に排出するミスト回収部３２、３２’とが設けられる。さらに、ミスト噴出部３０のミスト気体Ｍｓｇを噴出するスリット状のノズル開口部３０Ａ（図２３では図示を省略）と、シート基板Ｐの表面との間には、例えば国際公開第２０１６／１３３１３１号パンフレットに開示されているように、ミスト噴出部３０からシート基板Ｐに噴霧されるミスト気体Ｍｓｇに非熱平衡状態のプラズマを照射する為の２本の電極棒Ｅｍａ、ＥｍｂがＹ方向に延びてＸ方向に一定の間隔で互いに平行となるように、チャンバー部４０に固定されている。

　本変形例では、図２１の予備実験での知見に基づいて、チャンバー部４０の下を通るシート基板Ｐの温度を０℃以下、例えば－５℃にまで低温化し、ミスト噴出部３０から噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度は、ミスト（純水）が凍らない温度、例えば＋５℃～＋１０℃程度の温度に設定される。その為、チャンバー部４０の下を通るシート基板Ｐの表面には、付着したミストが凍って白濁した霜状に成膜される。シート基板Ｐの搬送方向（＋Ｘ方向）に関してチャンバー部４０の下流側には、シート基板Ｐの表面状態を観察する為の観察部ＯＶＳが設けられる。

　観察部ＯＶＳには、シート基板Ｐの表面から上方（＋Ｚ方向）に一定の高さ位置に配置され、Ｙ方向に所定の間隔で配置される２つの撮像ユニットＣＶ１、ＣＶ２と、シート基板Ｐ上の撮像領域を照明する照明ユニットＩＬＵとが設けられる。撮像ユニットＣＶ１の撮像範囲は、シート基板ＰのＹ方向の幅のうち－Ｙ方向の半分に亘る領域Ａｉｍをカバーするように設定され、撮像ユニットＣＶ２の撮像範囲は、シート基板Ｐの幅のうち＋Ｙ方向の半分に亘る領域をカバーするように設定される。撮像ユニットＣＶ１、ＣＶ２で逐次撮像される画像情報は不図示の画像解析ユニットに送られ、画像解析ユニットはシート基板Ｐの表面に成膜された白濁した霜の状態（白濁の濃度分布等）を解析して、特に白濁が薄い領域を特定する。

　シート基板Ｐの搬送方向に関して観察部ＯＶＳの下流側には、補助ミスト噴霧部ＳＭＤが設けられている。補助ミスト噴霧部ＳＭＤは、シート基板Ｐの上方に、Ｙ方向の長さがシート基板Ｐの幅よりも長いガイド部材３００と、ガイド部材３００のＸ方向の側部に形成された直線ガイド面３００ａに案内されて、Ｙ方向に移動可能なスライダー部３０２と、スライダー部３０２に固定されて、シート基板Ｐの表面に向けてミスト気体Ｍｓｇを噴霧する補助ミスト噴出部３０４と補助ミスト回収部３０５Ａ、３０５Ｂとを有する。また、ガイド部材３００のＸ方向の中央には、Ｙ方向に延設されたスロット状の開口部３００ｂが形成され、開口部３００ｂは、スライダー部３０２のＹ方向の移動中に、補助ミスト噴出部３０４にミスト気体Ｍｓｇを供給するパイプｍｐ１と、補助ミスト回収部３０５Ａ、３０５Ｂで回収されるミスト気体Ｍｓｇ’を排出するパイプｍｐ２とが通るような寸法に設定される。

　補助ミスト噴出部３０４のシート基板Ｐと対向した底面部には、Ｘ方向の長さが領域ＡｉｍのＸ方向の寸法よりも短く、Ｙ方向の幅が数ｍｍ以下で形成されて、ミスト気体Ｍｓｇを噴出する細長いノズル開口部が形成されている。補助ミスト噴出部３０４を挟んでＹ方向に並置された補助ミスト回収部３０５Ａ、３０５Ｂの各々の底面部には、補助ミスト噴出部３０４の底面部に形成されたスリット状のノズル開口部と平行に、ミスト気体Ｍｓｇ’を吸引するスリット状の開口部が形成されている。スライダー部３０２は、補助ミスト噴出部３０４の底面部のノズル開口部が、シート基板ＰのＹ方向の幅寸法の範囲内の任意のＹ方向位置に移動するように、リニアモータ等の駆動源によって駆動される。

　補助ミスト噴出部３０４は、観察部ＯＶＳの撮像ユニットＣＶ１、ＣＶ２で観察されたシート基板Ｐ上で霜状に白濁した成膜状態のうちの成膜厚が薄い部分に対して、局所的に追加のミスト成膜を行う。その為、シート基板Ｐ上で追加のミスト成膜を行う領域に対向するように補助ミスト噴出部３０４のノズル開口部を位置決めした後、そのノズル開口部からシート基板Ｐに向けてミスト気体Ｍｓｇを短時間だけ噴霧する機構が設けられる。その機構は、例えば、図２４Ａ及び図２４Ｂのように構成される。図２４Ａ、図２４Ｂは、補助ミスト噴出部３０４にミスト気体Ｍｓｇを供給する流路中に設けられるバルブ機構３１０の概略的な構成を示す。バルブ機構３１０には、先の図１に示したミスト発生部１４からのミスト気体Ｍｓｇが供給されるパイプｍｐ０と、補助ミスト噴出部３０４に向けてミスト気体Ｍｓｇを送出するパイプｍｐ１と、先の図１に示したミスト気体捕集部３４に向けてミスト気体Ｍｓｇを送出するパイプｍｐ３とが接続されている。

　バルブ機構３１０は、プランジャー（駆動源）３１２によって、９０度だけ時計回り又は反時計回りに往復回転してミスト気体Ｍｓｇの流路を切り替える為に、内部に３つのポート部ａ、ｂ、ｃによるＴ字状の通路が形成された回転バルブ部３１０Ｓを有する。図２４Ａは、パイプｍｐ０から供給されるミスト気体Ｍｓｇがポート部ｂからポート部ｃの通路を介してパイプｍｐ１に向けて流れるように回転バルブ部３１０Ｓが位置した状態（ミスト気体Ｍｓｇの供給状態）を示す。図２４Ｂは、回転バルブ部３１０Ｓが図２４Ａの状態から時計回りに９０度回転した状態であって、パイプｍｐ０から供給されるミスト気体Ｍｓｇがポート部ａからポート部ｂの通路を介してパイプｍｐ３に向けて流れるように回転バルブ部３１０Ｓを切り換えた状態（ミスト気体Ｍｓｇの非供給状態）を示す。回転バルブ部３１０Ｓによる流路の切り換えはプランジャー（駆動源）３１２によって高速に行われる為、補助ミスト噴出部３０４からシート基板Ｐへのミスト気体Ｍｓｇの噴霧を任意のタイミングで短時間だけに制限することができる。

　以上の本変形例では、観察部ＯＶＳの撮像ユニットＣＶ１、ＣＶ２によって観察されるシート基板Ｐ上の成膜状態（霜状に凍ったミストの白濁した濃度分布）に基づいて、シート基板Ｐ上の成膜厚が薄い部分が特定され、その部分に対して補助ミスト噴霧部ＳＭＤ（補助ミスト噴出部３０４）が対向するように、スライダー部３０２が移動して、バルブ機構３１０の回転バルブ部３１０Ｓが図２４Ｂの状態から図２４Ａの状態に一時的に切り換えられ、成膜厚が薄い部分のみに追加のミスト成膜が行われる。これにより、補助ミスト噴霧部ＳＭＤの下を通過したシート基板Ｐの表面には厚みムラが低減されて、均一性が向上したナノ粒子による薄膜が形成される。補助ミスト噴霧部ＳＭＤを通過した後のシート基板Ｐは、例えば２５℃程度の常温に戻され、シート基板Ｐ上の霜状に凍った液膜は液状態に相変化して乾燥される。なお、図２３に示したミスト成膜装置ＭＤＥの下流側には、先の図７、図１３、図１４に示したように、シート基板Ｐの表面の液膜に交流電界を印加する構成を設けることができる。

〔変形例７〕
　図２５は、図１に示したミスト発生部１４の変形例を示す部分断面図であり、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺのＺ軸を重力方向（上下方向）、ＸＹ面を水平面として、図２５はミスト発生部１４をＸＺ面と平行な面で破断した様子を示す。また、図２５中の各部材のうち、図１中のミスト発生部１４の部材と同じ機能の部材には同じ符号を付してある。図２６は、図２５のミスト発生部１４のＺ方向の高さＣｊを、ＸＹ面と平行な面で破断して、その底面側を上から見た図である。また、図２５、図２６に示したミスト発生部１４は、先の各実施の形態、各変形例、或いは予備実験で使われるミスト気体Ｍｓｇの発生装置として利用される。

　図２５において、ミスト発生部１４は、ＸＹ面内での断面形状が矩形で、底部に複数の超音波振動子１４Ｃ１、１４Ｃ２・・・が設置されて、超音波振動を伝搬する為の液体（水）Ｗｑを満たす外部容器１４Ｄと、ＸＹ面内での断面形状が円形で、液体Ｗｑ内に沈められるように設置され、ミストの元となる溶液Ｌｑを所定の容量で溜める内部容器（カップ）１４Ａと、外部容器１４Ｄ内の空間の所定位置に内部容器１４Ａを支持すると共に、外部容器１４Ｄの上方の開口部を密閉する蓋部材１４Ｅと、内部容器１４Ａの上方の開口部を密閉する蓋部材１４Ｂと、を有する。蓋部材１４Ｂには、図１に示した流量調整弁１５を介してキャリアガスＣＧＳを導入する為の流入ポート部としてのパイプ１６と、ミスト気体Ｍｓｇを噴出する為の流出ポート部としてのパイプ１７と、溶液Ｌｑを補充する為のパイプ１８とが取り付けられている。

　内部容器１４Ａ内の溶液Ｌｑの液面の高さ（Ｚ方向の位置）は、液面の上方に適当な空間が形成さるように内部容器１４Ａの半分程度に設定されると共に、外部容器１４Ｄ内に満たされる液体Ｗｑの液面の高さとほぼ同じに設定される。内部容器１４Ａは半透明のポリプロピレン樹脂で構成され、外部容器１４Ｄは透明なアクリル樹脂で構成される。キャリアガスＣＧＳを導入するパイプ１６の先端部（流入ポート部）１６Ｅは、キャリアガスＣＧＳが溶液Ｌｑの液面に直接噴射されないように、液面と平行な方向に９０度に曲げられる。これにより、先端部１６Ｅから噴出されるキャリアガスＣＧＳは、溶液Ｌｑの液面に直接噴射されることなく、内部容器１４Ａの液面上の空間内を内部容器１４Ａの円筒面状の内壁面に沿って還流するので、溶液Ｌｑの液面から湧き上がるミストの生成を抑制することが避けられる。

　図２５に模式的に示した超音波振動子１４Ｃ１、１４Ｃ２・・・は、具体的には図２６に示すように、外部容器１４Ｄの底部の四隅の各々に固定される超音波振動子１４Ｃ１、１４Ｃ２、１４Ｃ３、１４Ｃ４で構成される。超音波振動子１４Ｃ１、１４Ｃ２、１４Ｃ３、１４Ｃ４の各々は、薄い振動板Ｖｐｕと駆動回路を内蔵した駆動部Ｓｄｕとを防水構造の金属ケースに収納した構成となっている。図２６のように、振動板Ｖｐｕの各々は、ＸＹ面内で見ると、内部容器１４Ａの円形の底面部の周辺付近に位置するように配置される。４つの超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４は、図２６に示した駆動部Ｓｄｕに駆動信号や電源を供給する制御回路４００によって、選択的に駆動制御（Ｏｎ／Ｏｆｆ制御）される。４つの超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４の全てを駆動すると、溶液Ｌｑの液面からのミスト発生量を最大にすることができ、駆動する超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４の個数を減らすことで、ミスト発生量を調整（低減）することができる。なお、制御回路４００は、キャリアガスＣＧＳの流量を調整する流量調整弁１５も制御する。

　投げ込み型の超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４は、長時間（数十分）駆動していると、数十℃程度に温度上昇し、周囲の液体Ｗｑの温度も４０℃位に上昇する。液体Ｗｑの温度は内部容器１４Ａを介して溶液Ｌｑにも伝わり、溶液Ｌｑの温度も４０℃位に上昇する。それに伴って、内部容器１４Ａ内の液面の上方の空間内の温度も上昇し、キャリアガスＣＧＳ、並びにミスト気体Ｍｓｇの温度も常温（例えば、２５℃）以上に上昇する。その為、各実施の形態や変形例で示したミスト噴出部３０からシート基板Ｐに噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度上昇で、シート基板Ｐの表面へのミストの付着率が低下する。そこで、本変形例では、外部容器１４Ｄ内の液体Ｗｑの温度を冷却する為の冷却器（温調器）４０２が設けられる。冷却器４０２は、制御回路４００からの温度設定情報と外部容器１４Ｄ内に設置された温度センサー１４Ｓからの計測温度とに基づいて、温度制御された液体Ｗｑを供給パイプ１４Ｇを介して外部容器１４Ｄ内に所定流量で供給すると共に、外部容器１４Ｄ内の液体Ｗｑを回収パイプ１４Ｈから回収して循環させる。

　液体Ｗｑの設定温度は、一例として常温以下の１０℃位に設定され、冷却器４０２は、温度センサー１４Ｓによる計測温度が設定温度（１０℃）になるように、循環する液体Ｗｑの温度をフィードバック制御する。これによって、内部容器１４Ａからパイプ１７を通してミスト噴出部３０（或いは、図２３中の補助ミスト噴霧部ＳＭＤ）に供給されるミスト気体Ｍｓｇは、０℃よりも高く３０℃以下の第１の温度、例えば１０℃位の温度に設定される。なお、冷却器４０２は、液体Ｗｑを不凍液（エチレングリコール等のクーラント）にした場合、液体Ｗｑの温度を０℃以下、例えば－２０℃近くまで冷却する能力を有する。また、内部容器１４Ａ内に貯留される溶液Ｌｑの溶媒を純水とした場合は、凍結を避ける為に液体Ｗｑの温度を０℃以下にすることはないが、溶液Ｌｑの溶媒としてナノ粒子の凝集を抑制する為に純水に界面活性剤を添加した場合、溶液Ｌｑの凍結温度を０℃以下にすることもできる。さらに、図２５に示した流入ポート部としてのパイプ１６から内部容器１４Ａ内の空間に導入されるキャリア気体ＣＧＳを、溶液Ｌｑの温度と同じくらいに設定すると良い。

　以上のように、投げ込み式の超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４を用いたミスト発生部１４において、液体Ｗｑを介して超音波振動を内部容器１４Ａ内の溶液Ｌｑに伝搬させる構成では、超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４の発熱による液体Ｗｑの温度上昇、並びに溶液Ｌｑの温度上昇が生じ、その結果、溶液Ｌｑの液面から発生するミストの温度も常温以上に上昇する。それによって、ミスト成膜時にシート基板Ｐに噴霧されるミスト気体Ｍｓｇの温度が周囲環境の温度（常温）よりも高くなり、シート基板Ｐへのミストの付着率が低下するが、本変形例のように、冷却器（温調器、温調部）４０２によって液体Ｗｑの温度上昇を抑えて低温化することにより、付着率の低下が抑えられる。さらに本変形例によれば、先の図１９～図２２のようなシート基板Ｐを低温化する構成と組み合わせることにより、環境温度（常温）＞ミスト気体Ｍｓｇの温度＞シート基板Ｐの温度の関係になるように設定して、噴霧されたミストのシート基板Ｐへの付着率を向上させることができる。

　本変形例によれば、シート基板Ｐとしての被処理物の表面に材料物質による微粒子による薄膜をミスト成膜で形成する為に、微粒子が分散された溶液Ｌｑからミストを発生させるミスト発生装置として、液面の上に所定の空間が形成されるように溶液Ｌｑを貯留する内部容器１４Ａと、底部に霧化用の超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４が設けられて、超音波振動を伝搬する為の液体Ｗｑを満たして内部容器１４Ａを液体Ｗｑ中に沈めるように収容する外部容器１４Ｄと、内部容器１４Ａの空間内に所定流量でキャリア気体ＣＧＳを流入する流入ポート部としてのパイプ１６、先端部１６Ｅと、超音波振動子１４Ｃ１～１４Ｃ４の駆動により内部容器１４Ａ内の溶液Ｌｑの液面から発生するミストをキャリア気体ＣＧＳに乗せて内部容器１４Ａの外部にミスト気体Ｍｓｇとして流出させる流出ポート部としてのパイプ１７と、内部容器１４Ａ内に貯留される溶液Ｌｑの温度を周囲の環境温度以下に調整する為の温調装置としての冷却器（温調器）４０２と、を備えるミスト発生部１４が構成される。さらに本変形例では、温調装置としての冷却器（温調器）４０２は、外部容器１４Ｄに満たされる液体Ｗｑの温度を環境温度以下に冷却することにより、内部容器１４Ａを介して溶液Ｌｑの温度を調整する構成とされる。

〔その他の変形例〕
　以上の各実施の形態や各変形例において、ミスト気体Ｍｓｇとしてシート基板Ｐに噴霧されるミストに含まれる材料物質のナノ粒子が分極する特性を有する場合は、ミスト成膜後に形成されるシート基板Ｐ上の液膜に交流電界を印加することで、ナノ粒子のシート基板Ｐ上の膜厚分布を一様化することができる。成膜用の材料物質のナノ粒子が分極特性を有さず、磁気に作用する特性を有する場合、シート基板Ｐを支持する支持テーブル５Ｄ、５Ｄ’や回転ドラムＤＲの基板支持面に発磁体（永久磁石や電磁石等）を埋設することにより、ミスト気体Ｍｓｇ中のミストのシート基板Ｐへの付着率を向上させることもできる。さらに、ミスト成膜後に形成されるシート基板Ｐ上の液膜に交流磁界を付与することで、ナノ粒子のシート基板Ｐ上の膜厚分布を一様化することも可能になる。

　さらに、以上の各実施の形態や各変形例では、ミスト発生部（ミスト発生装置）１４として、超音波振動子１４Ｃ（１４Ｃ１～１４Ｃ４）を用いて溶液Ｌｑを霧化したが、溶液Ｌｑを貯留する内部容器１４Ａ内に、粒状にしたドライアイスを所定量ずつ所定時間ごとに投入する構成にして、溶液Ｌｑの液面からミストを発生させても良い。この場合、内部容器１４Ａの上方の空間内には、ドライアイスの気化によって発生した冷えた炭酸ガス（ＣＯ₂）が充満する。その炭酸ガスは、パイプ１６（先端部１６Ｅ）から供給されるキャリア気体ＣＧＳと共に、パイプ１７を介してミスト気体Ｍｓｇとなってミスト噴出部３０に供給される。ミスト噴出部３０のノズル開口部３０Ａから噴出されるミスト気体Ｍｓｇの温度は、周囲の環境温度（例えば、＋２０℃～＋３０℃）よりも低くなるので、シート基板Ｐへのミストの付着率を向上させることができる。

　以上の各実施の形態や各変形例では、シート基板Ｐの表面のほぼ全面に、ミスト成膜によりナノ粒子の堆積膜を形成する構成を例示したが、国際公開第２０１３／１７６２２２号パンフレットに開示されているように、感光性シランカップリング剤をシート基板Ｐの表面に塗布した後、感光性シランカップリング剤の層に、紫外線によるパターン露光装置によって撥液性が高い部分と親液性が高い部分とを形成し、親液性が高い部分にミストを積極的に付着させることで、ナノ粒子による堆積膜をシート基板Ｐ上の部分的な領域のみにパターン化して形成することもできる。

　或いは、スクリーン印刷のように、部分的に開口部を形成した薄い磁性体の金属箔（厚さが１００μｍ以下のステンレス箔等が好ましい）によるマスク版を、シート基板Ｐの表面に密着させた状態で、マスク版の上からミスト成膜を行い、シート基板Ｐ上のマスク版の開口部に相当する部分にのみ、ナノ粒子による積層膜を形成することもできる。その際、シート基板Ｐの裏面を支持する支持テーブル５Ｄ、５Ｄ’や回転ドラムＤＲには永久磁石や電磁石を埋め込み、マスク版が磁力によってシート基板Ｐの表面に強制的に密着されるように構成すると良い。その場合、マスク版は、シート基板Ｐ上にミスト成膜で形成されたマスク版の開口部に対応した部分の液膜が乾燥してから、シート基板Ｐの表面から剥がされる。先の各実施の形態と同様に、ミスト成膜時にシート基板Ｐ（又はマスク版）を低温化したり、液膜の乾燥までの間に液膜に交流電界を印加してナノ粒子を微小振動させることができる。

５Ａ、５Ｂ…ローラ　　　　　　　　　　５Ｃ…ベルト
５Ｄ、５Ｄ’…支持テーブル　　　　　　１０…溶液タンク
１４…ミスト発生部　　　　　　　　　　
１４Ｃ、１４Ｃ１～１４Ｃ４…超音波振動子
１６、１７、１８…パイプ　　　　　　　３０…ミスト噴出部
３０Ａ…ノズル開口部　　　　　　　　　３１…ミスト供給部
３２、３２’…ミスト回収部　　　　　　４０…チャンバー部（導風機構）
６０…ミスト帯電装置　　　　　　　　　
７０…静電界発生装置（静電界発生部）
９０、９２…交流電界発生部　　　　　　１００…制御部（ＣＰＵ）
２０２…温調（冷却）ユニット（温調部）
２１２…温度制御ユニット　　　　　　　４０２…冷却器（温調器）
ＡＸｏ…中心線　　　　　　　　　　　　
ＣＧＳ…キャリアガス（キャリア気体）
ＤＲ…回転ドラム　　　　　　　　　　　Ｅａ、Ｅｂ…電極
Ｅｃ、Ｅｄ…電極板　　　　　　　　　　Ｅｆ１～Ｅｆ４、Ｅｍ…電極板
Ｅｆ’、Ｅｍ’…電極線　　　　　　　　ＨＦ…冷却管（熱交換管）
Ｌｑ…溶液　　　　　　　　　　　　　　Ｍｓｇ…供給されるミスト気体
Ｍｓｇ’…排気されるミスト気体　　　　ｎｐ…ナノ粒子（微粒子）
ＯＶＳ…観察部　　　　　　　　　　　　Ｐ…シート基板
ＳＭＤ…補助ミスト噴霧部　　　　　　　Ｗｑ…液体

Claims (28)

1. 　微粒子を含むミストを基板に供給し、前記基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜装置であって、
   　前記基板の表面の少なくとも一部を覆う導風部材と、
   　前記基板の表面と前記導風部材との間の空間に前記ミストを供給するミスト供給部と、を備え、
   　前記ミスト供給部は、前記ミストを正または負に帯電させる帯電付与部と、前記帯電付与部により帯電された前記ミストを前記空間内に噴出するミスト噴出部と、を含み、
   　前記導風部材は、前記基板の表面に対向する壁面を有し、
   　前記帯電付与部により帯電される前記ミストと同じ符号の電位を前記壁面に発生させる静電界発生部を備える、成膜装置。
2. 　請求項１に記載の成膜装置であって、
   　前記基板を搬送する搬送部を有し、
   　前記静電界発生部は、前記壁面に前記ミストと同じ符号の電位を発生させる第１の電極と前記搬送部に前記ミストと反対の符号の電位を発生させる第２の電極とを有する、成膜装置。
3. 　請求項２に記載の成膜装置であって、
   　前記静電界発生部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に時間的な平均電位の絶対値が０よりも大きい電圧を印加する、成膜装置。
4. 　請求項２又は３に記載の成膜装置であって、
   　前記静電界発生部は、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、絶対値が０よりも大きい平均電位を中心に所定の振幅で時間的に電圧変化する交流電圧を印加する、成膜装置。
5. 　請求項２～４のいずれか１項に記載の成膜装置であって、
   　前記搬送部は、前記基板を円弧状に支持する導電性の外周面を有する回転ドラムを有し、前記外周面を前記第２の電極とする、成膜装置。
6. 　微粒子を含有したミストを基板に供給し、基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜装置であって、
   　前記微粒子を含有する液体を霧化して前記ミストを発生させるミスト発生部と、
   　前記基板に前記ミストを供給するミスト供給部と、を備え、
   　前記ミスト供給部は、前記ミストの温度を第１の温度にする温調部と、前記基板の温度を第２の温度にする基板温調部と、を含む、
   成膜装置。
7. 　請求項６に記載の成膜装置であって、
   前記基板温調部は、前記第２の温度を前記第１の温度よりも低い温度に設定する、成膜装置。
8. 　請求項６又は７に記載の成膜装置であって、
   　前記ミスト供給部は、前記基板を支持する支持部を有し、
   　前記基板温調部は、前記支持部の温度を調整して前記基板を前記第２の温度に設定する、成膜装置。
9. 　請求項８に記載の成膜装置であって、
   　前記基板を前記支持部で支持して搬送する搬送部を有する、成膜装置。
10. 　請求項９に記載の成膜装置であって、
    　前記搬送部は、回転ドラムを有する前記支持部で前記基板を円弧状に支持して搬送する、成膜装置。
11. 　請求項６～１０のいずれか１項に記載の成膜装置であって、
    　前記液体は、純水、又は界面活性剤を含む液体に、前記微粒子を分散させた分散液である、成膜装置。
12. 　請求項６～１１のいずれか１項に記載の成膜装置であって、
    　前記温調部は、分散液の温度が０℃～１５℃の範囲の温度になるように前記第１の温度を設定する、成膜装置。
13. 　請求項１２に記載の成膜装置であって、
    　前記基板温調部により設定される前記第２の温度は、前記第１の温度よりも低く、かつ、０℃～１５℃の範囲の温度に設定される、成膜装置。
14. 　請求項１～１３のいずれか１項に記載の成膜装置と、
    　前記成膜装置によって成膜された前記基板上のミストを乾燥させる乾燥部と、を含む、導電膜の製造装置。
15. 　微粒子を含むミストを基板に供給し、前記基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜方法であって、
    　帯電付与部によって前記ミストを正または負に帯電させ、帯電した前記ミストを前記基板の表面の少なくとも一部を覆う導風部材と前記基板の表面との間の空間にミスト噴出部によって供給するミスト供給工程と、
    　帯電した前記ミストと同じ符号の電位を前記基板の表面に対向する壁面に発生させる静電界発生工程と、を含む、成膜方法。
16. 　請求項１５に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、搬送部によって搬送される前記基板に前記ミストを供給し、
    　前記静電界発生工程では、第１の電極によって前記導風部材に前記ミストと同じ符号の電位を発生させ、第２の電極によって前記搬送部に前記ミストと反対の符号の電位を発生させる、成膜方法。
17. 　請求項１６に記載の成膜方法であって、
    　前記静電界発生工程では、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、時間的な平均電位の絶対値が０よりも大きい電圧を印加する、成膜方法。
18. 　請求項１６又は１７に記載の成膜方法であって、
    　前記静電界発生工程では、前記第１の電極と前記第２の電極の間に、絶対値が０よりも大きい平均電位を中心に所定の振幅で時間的に電圧変化する交流電圧を印加する、成膜方法。
19. 　請求項１６～１８のいずれか１項に記載の成膜方法であって、
    　前記搬送部は、前記基板を円弧状に支持する導電性の外周面を有する回転ドラムを有し、前記外周面を前記第２の電極とする、成膜方法。
20. 　微粒子を含有したミストを基板に供給し、基板の表面に前記微粒子を含む膜を形成する成膜方法であって、
    　前記微粒子を含有する液体を霧化してミストを発生させるミスト発生工程と、
    　前記基板に前記ミストを供給するミスト供給工程と、を備え、
    　前記ミスト供給工程では、温調部によって前記ミストの温度を第１の温度とし、基板温調部によって前記基板の温度を第２の温度とする、成膜方法。
21. 　請求項２０に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、前記基板温調部によって前記第２の温度を前記第１の温度よりも低くに設定する、成膜方法。
22. 　請求項２０又は２１に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、支持部によって前記基板を支持し、前記基板温調部によって前記支持部の温度を調整して前記基板を前記第２の温度に設定する、成膜方法。
23. 　請求項２２に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、前記支持部を有する搬送部によって前記基板を前記支持部で支持して搬送する、成膜方法。
24. 　請求項２３に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、回転ドラムを有する前記支持部によって前記基板を円弧状に支持する、成膜方法。
25. 　請求項２０～２４のいずれか１項に記載の成膜方法であって、
    　前記液体は、純水、又は界面活性剤を含む液体に、前記微粒子を分散させた分散液である、成膜方法。
26. 　請求項２０～２５のいずれか１項に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、前記温調部によって分散液の温度が０℃～１５℃の範囲の温度になるように前記第１の温度を設定する、成膜方法。
27. 　請求項２６に記載の成膜方法であって、
    　前記ミスト供給工程では、前記基板温調部によって前記第２の温度は、前記第１の温度よりも低くなるように、０℃～１５℃の範囲の温度に設定される、成膜方法。
28. 　請求項１５～２６のいずれか１項に記載の成膜方法を用いて前記基板上に導電膜材料を成膜する成膜工程と、
    　成膜された前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を含む導電膜の製造方法。

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