WO2021137595A1 - 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법 - Google Patents

표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법 Download PDF

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WO2021137595A1
WO2021137595A1 PCT/KR2020/019331 KR2020019331W WO2021137595A1 WO 2021137595 A1 WO2021137595 A1 WO 2021137595A1 KR 2020019331 W KR2020019331 W KR 2020019331W WO 2021137595 A1 WO2021137595 A1 WO 2021137595A1
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protection material
forming
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precursor
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이근수
김재민
김하나
최웅진
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주식회사 유진테크 머티리얼즈
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    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
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    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics

Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a material film, and more particularly, to a method for forming a material film using a surface protection material.
  • TiN titanium nitride film
  • a deposition process is an important process for depositing materials on a substrate, and as the appearance of electronic devices continues to shrink and the density of equipment increases, the aspect ratio of features increases. Therefore, processes with good step coverage are attracting attention, particularly atomic layer deposition (ALD).
  • ALD atomic layer deposition
  • the metal thin film of the next-generation electronic device has to implement excellent step coverage in a device structure with a high step ratio, most of the upper and lower electrode processes are also changing to ALD.
  • reaction gases are sequentially supplied to a process chamber loaded with a substrate, and a first reaction gas is supplied to the process chamber and adsorbed on the surface of the substrate.
  • the second reaction gas is supplied to the process chamber and reacts with the material adsorbed through the first reaction gas to form a deposition material.
  • a method for forming a material film using a surface protection material includes supplying a precursor into a chamber in which a substrate is placed and adsorbing the precursor to the substrate; purging the interior of the chamber; and supplying a reactant to the inside of the chamber to react with the adsorbed precursor and forming a material film to form a material film, wherein the method includes supplying the surface protection material to the substrate before forming the material film. Supplying a surface protection material adsorbed to the; and purging the inside of the chamber.
  • the surface protection material may be represented by the following ⁇ Formula 1>.
  • R is each independently selected from an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
  • n is an integer from 0 to 5;
  • the surface protection material may be represented by the following ⁇ Formula 2>.
  • the precursor supply step, the material film forming step, and the surface protection material supply step may be performed at 50 to 700°C, respectively.
  • the supplying of the surface protection material may be performed before and/or after the supplying of the precursor.
  • the reactant may be one or more of ammonia (NH3), hydrazine (N2H4), nitrogen dioxide (NO2), and nitrogen (N2).
  • the metal precursor may be a compound containing Ti.
  • the present invention it is possible to form a material film having a higher purity without impurities and thinner than the thickness of one monolayer obtainable by the conventional ALD process, and it is easy to control the thickness of the material film and control the step coverage. As well as possible, it is possible to improve the electrical properties and reliability of the device.
  • the surface protection material has a behavior similar to that of the metal precursor during the process, so it is adsorbed at a high density on the upper part (or on the inlet side) in a trench structure with a high aspect ratio (for example, 40:1 or more) and on the lower part (or on the inner side). It is adsorbed at a low density and prevents adsorption of metal precursors in subsequent processes. Therefore, the metal precursor can be adsorbed uniformly in the trench.
  • FIG. 1 is a flowchart schematically illustrating a method for forming a material film according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 1 and 2 Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. These examples are provided to explain the present invention in more detail to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description.
  • the thin film becomes thicker at the top (or at the inlet side) and thin at the bottom (or inside). There is a problem of poor step coverage due to non-uniformity.
  • the CVD method using TiCl4 and NH3 gas has a high deposition temperature, and Cl is introduced into the film, so that the film quality is not dense, which causes corrosion.
  • the surface protection material described below behaves the same as the metal precursor, and prevents the metal precursor, which is a subsequent process, from being adsorbed in a state where it is adsorbed at a higher density on the upper portion than the lower portion of the trench, thereby forming a thin film of uniform thickness in the trench to be able to form
  • the substrate is loaded into the process chamber, and the following ALD process conditions are adjusted.
  • the ALD process conditions may include a temperature of a substrate or a process chamber, a chamber pressure, and a gas flow rate, and the temperature is 50 to 700°C.
  • the substrate is exposed to the surface protection material supplied to the inside of the chamber, and the surface protection material is adsorbed to the surface of the substrate.
  • the surface protection material has a behavior similar to that of the metal precursor during the process, so that in a trench structure with a high aspect ratio (for example, 40:1 or more), it is adsorbed at a high density on the upper side (or on the inlet side) and on the lower side (or on the inner side). It is adsorbed at a low density and prevents adsorption of metal precursors in subsequent processes.
  • the surface protection material may be represented by the following ⁇ Formula 1>.
  • R is each independently selected from an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms,
  • n is an integer from 0 to 5;
  • ⁇ Formula 1> may be represented by the following ⁇ Formula 2>.
  • the above-described surface protection material is more densely adsorbed from the upper portion of the trench than the lower portion, and the metal precursor cannot be adsorbed at the position where the surface protection material is adsorbed. That is, the conventional metal precursor was densely adsorbed from the upper portion of the trench to show a higher density than the lower portion, but as in this embodiment, the surface protection material is densely adsorbed from the upper portion of the trench to prevent the metal precursor from adsorption, so the metal precursor may be uniformly adsorbed to the upper/lower portions of the trench without being over-adsorbed to the upper portion of the trench, and may improve the step coverage of a material layer, which will be described later.
  • a purge gas eg, an inert gas such as Ar
  • an inert gas such as Ar
  • the metal precursor may be a compound containing Ti.
  • the above-described surface protection material is more densely adsorbed from the upper portion of the trench than the lower portion, and the metal precursor cannot be adsorbed at the position where the surface protection material is adsorbed. That is, the conventional metal precursor was densely adsorbed from the upper portion of the trench to show a higher density than the lower portion, but as in this embodiment, the surface protection material is densely adsorbed from the upper portion of the trench to prevent the metal precursor from adsorption, so the metal precursor may be uniformly adsorbed to the upper/lower portions of the trench without being over-adsorbed to the upper portion of the trench, and may improve the step coverage of a material layer, which will be described later.
  • a purge gas eg, an inert gas such as Ar
  • an inert gas such as Ar
  • the reaction material reacts with the metal precursor layer to form a material film, and the reaction material may be one or more of ammonia (NH3), hydrazine (Hydrazine, N2H4), nitrogen dioxide (NO2), and nitrogen (N2), and a metal nitride film through the reaction material can be formed.
  • a purge gas eg, an inert gas such as Ar
  • an inert gas such as Ar
  • the surface protection material is supplied before the metal precursor, otherwise, the surface protection material may be supplied after the metal precursor or both before and after the metal precursor.
  • a titanium nitride film was formed on the silicon substrate without using the surface protection material described above.
  • a titanium nitride film was formed through an ALD process, the ALD process temperature was 400 to 480°C, and NH3 gas was used as a reaction material.
  • the titanium nitride film formation process through the ALD process is as follows, and the following process was performed as one cycle.
  • the titanium precursor TiCl4 (Titanium Tetrachloride) is supplied to the reaction chamber at room temperature and the titanium precursor is adsorbed on the substrate
  • a titanium nitride film was formed on a silicon substrate by using the above ⁇ Formula 2> as a surface protection material.
  • a titanium nitride film was formed through an ALD process, the ALD process temperature was 400 to 480°C, and NH3 gas was used as a reaction material.
  • the titanium nitride film formation process through the ALD process is as follows, and the following process was performed as one cycle (refer to FIG. 1 ).
  • the titanium precursor TiCl4 (Titanium Tetrachloride) is supplied to the reaction chamber at room temperature and the titanium precursor is adsorbed on the substrate.
  • FIG. 2 is a graph showing DSC (Differential Scanning Calorimetry) of the surface protection material according to ⁇ Formula 2>. It can be seen that the decomposition peak (upward) of the surface protection material is not detected up to 500° C., so it is not decomposed even when used at a high temperature and has a surface protection effect.
  • DSC Different Scanning Calorimetry
  • the surface protection material has a behavior similar to that of the metal precursor during the process, so that in a trench structure with a high aspect ratio (for example, 40:1 or more), it is adsorbed at a high density on the top (or inlet side) and at the bottom (or inside side) at a low density, and prevents the metal precursor from being adsorbed in the subsequent process. Therefore, the metal precursor can be adsorbed uniformly in the trench.
  • a high aspect ratio for example, 40:1 or more
  • the present invention can be applied to various types of semiconductor manufacturing methods.

Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법은, 기판이 놓여진 챔버의 내부에 전구체를 공급하여 상기 전구체를 상기 기판에 흡착하는 전구체 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 전구체와 반응하고 물질막을 형성하는 물질막 형성 단계를 포함하되, 상기 방법은 상기 물질막 형성 단계 이전에, 상기 표면 보호 물질을 공급하여 상기 기판에 흡착하는 표면 보호 물질 공급 단계; 그리고 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계를 더 포함한다.

Description

표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법
본 발명은 물질막 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법에 관한 것이다.
현재 DRAM 소자의 커패시터(Capacitor)는 금속 전극을 사용하는 MIM (Metal/Insulator/Metal) 커패시터에 대한 연구가 지속적으로 진행되고 있으며, 전극재료로 티타늄 질화막(TiN)이 널리 사용되고 있다.
반도체 공정 분야에서 증착 공정은 기판 위에 물질을 증착시키는 중요한 공정이며, 전자 기기의 외형이 계속 줄어들고 장비의 밀집도가 증가함에 따라 피처의 종횡비는 점점 더 증가한다. 따라서, 스텝 커버리지가 양호한 공정이 주목되고 있으며, 특히 원자층 증착(ALD)이 상당한 관심을 받고 있다.
차세대 전자소자의 금속 박막은 높은 단차비를 갖는 소자구조에 우수한 단차 피복성(Step Coverage)이 구현 되어야 하므로 상하부 전극 공정 또한 대부분 ALD로 변화하고 있는 추세이다.
원자층 증착(ALD) 공정 동안 반응 가스는 순차적으로 기판이 로딩된 공정 챔버로 공급되며, 첫번째 반응가스는 공정 챔버에 공급되어 기판의 표면에 흡착된다. 두번째 반응가스는 공정 챔버에 공급되어 첫번째 반응가스를 통해 흡착된 물질과 반응하여 증착 물질을 형성한다.
본 발명의 목적은 스텝 커버리지가 양호한 물질막을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법은, 기판이 놓여진 챔버의 내부에 전구체를 공급하여 상기 전구체를 상기 기판에 흡착하는 전구체 공급 단계; 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 전구체와 반응하고 물질막을 형성하는 물질막 형성 단계를 포함하되, 상기 방법은 상기 물질막 형성 단계 이전에, 상기 표면 보호 물질을 공급하여 상기 기판에 흡착하는 표면 보호 물질 공급 단계; 그리고 상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계를 더 포함한다.
상기 표면 보호 물질은 하기 <화학식 1>로 표시될 수 있다.
<화학식 1>
Figure PCTKR2020019331-appb-I000001
상기 <화학식 1>에서,
R은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기 중에서 선택되며,
n은 0 내지 5의 정수이다.
상기 표면 보호 물질은 하기 <화학식 2>로 표시될 수 있다.
<화학식 2>
Figure PCTKR2020019331-appb-I000002
상기 전구체 공급 단계, 상기 물질막 형성 단계, 그리고 상기 표면 보호 물질 공급 단계는 50 내지 700℃에서 각각 진행될 수 있다.
상기 표면 보호 물질 공급 단계는 상기 전구체 공급 단계 이전 또는/및 이후에 진행될 수 있다.
상기 반응 물질은 암모니아(NH3), 히드라진(Hydrazine, N2H4), 이산화질소(NO2), 그리고 질소(N2) 중 하나 이상일 수 있다.
상기 금속 전구체는 Ti을 포함하는 화합물일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기존의 ALD 공정에 의해 얻어질 수 있는 하나의 모노레이어 두께보다 더 얇고 불순물 없이 순도 높은 물질막을 형성할 수 있으며, 물질막의 두께를 조절하기 용이하며 스텝커버리지 제어가 가능할 뿐만 아니라, 소자의 전기적 특성 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
또한, 스텝 커버리지가 양호한 물질막을 형성할 수 있다. 표면보호물질은 공정진행 중 금속 전구체와 유사한 거동을 가져, 고종횡비(예를 들어, 40:1 이상)의 트렌치 구조에서 상부(또는 입구측)에 높은 밀도로 흡착되고 하부(또는 내부측)에 낮은 밀도로 흡착되며, 후속 공정에서 금속 전구체가 흡착되는 것을 방해한다. 따라서, 금속 전구체는 트렌치 내에 균일하게 흡착될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 물질막 형성 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 2는 <화학식 2>에 따른 표면 보호 물질의 DSC(시차주사열량 분석)를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 및 도 2를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
종래의 전구체 단독공정은 고종횡비(예를 들어, 40:1 이상)의 트렌치(trench) 구조에서 상부(또는 입구측)는 박막이 두꺼워지고 하부(또는 내부측)는 박막이 얇아지는 등 박막이 균일하지 못하여 스텝 커버리지가 불량한 문제가 있다.
또한, TiCl4 및 NH3 가스를 이용한 CVD 방법은 증착온도가 높고, 막 내에 Cl이 유입됨으로써 막질이 치밀하지 못하며, 이로 인해 부식(corrosion)이 발생하는 문제가 있다.
그러나, 이하에서 설명하는 표면 보호 물질은 금속 전구체와 동일하게 거동하며, 트렌치의 하부보다 상부에 높은 밀도로 흡착된 상태에서 후속 공정인 금속 전구체가 흡착되는 것을 방해함으로써 트렌치 내에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 물질막 형성 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다. 기판은 공정챔버의 내부로 로드되며, 이하의 ALD 공정 조건은 조정된다. ALD 공정 조건은 기판 또는 공정챔버의 온도, 챔버 압력, 가스 유동률을 포함할 수 있으며, 온도는 50 내지 700℃이다.
기판은 챔버의 내부에 공급된 표면 보호 물질에 노출되며, 표면 보호 물질은 기판의 표면에 흡착된다. 표면 보호 물질은 공정진행 중 금속 전구체와 유사한 거동을 가져, 고종횡비(예를 들어, 40:1 이상)의 트렌치 구조에서 상부(또는 입구측)에 높은 밀도로 흡착되고 하부(또는 내부측)에 낮은 밀도로 흡착되며, 후속 공정에서 금속 전구체가 흡착되는 것을 방해한다.
표면 보호 물질은 하기 <화학식 1>로 표시될 수 있다.
<화학식 1>
Figure PCTKR2020019331-appb-I000003
상기 <화학식 1>에서,
R은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기 중에서 선택되며,
n은 0 내지 5의 정수이다.
또한, 더욱 구체적으로, <화학식 1>은 하기 <화학식 2>로 표시될 수 있다.
<화학식 2>
Figure PCTKR2020019331-appb-I000004
예를 들어 설명하면, 앞서 설명한 표면 보호 물질은 트렌치의 상부에서 하부보다 조밀하게 흡착되며, 금속 전구체는 표면 보호 물질이 흡착된 위치에 흡착될 수 없다. 즉, 종래 금속 전구체는 트렌치의 상부에서 하부보다 조밀하게 흡착되어 높은 밀도를 나타내었으나, 본 실시예와 같이, 표면 보호 물질이 트렌치의 상부에서 조밀하게 흡착되어 금속 전구체의 흡착을 방해하므로, 금속 전구체는 트렌치의 상부에 과흡착되지 않고 트렌치의 상부/하부에 균일하게 흡착될 수 있으며, 후술하는 물질막의 스텝 커버리지를 개선할 수 있다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미흡착 표면 보호 물질 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
이후, 기판은 챔버의 내부에 공급된 금속 전구체에 노출되며, 기판의 표면에 금속 전구체가 흡착된다. 금속 전구체는 Ti을 포함하는 화합물일 수 있다.
예를 들어 설명하면, 앞서 설명한 표면 보호 물질은 트렌치의 상부에서 하부보다 조밀하게 흡착되며, 금속 전구체는 표면 보호 물질이 흡착된 위치에 흡착될 수 없다. 즉, 종래 금속 전구체는 트렌치의 상부에서 하부보다 조밀하게 흡착되어 높은 밀도를 나타내었으나, 본 실시예와 같이, 표면 보호 물질이 트렌치의 상부에서 조밀하게 흡착되어 금속 전구체의 흡착을 방해하므로, 금속 전구체는 트렌치의 상부에 과흡착되지 않고 트렌치의 상부/하부에 균일하게 흡착될 수 있으며, 후술하는 물질막의 스텝 커버리지를 개선할 수 있다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미흡착 금속 전구체 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
이후, 기판은 챔버의 내부에 공급된 반응 물질에 노출되며, 기판의 표면에 물질막이 형성된다. 반응 물질은 금속 전구체층과 반응하여 물질막을 형성하며, 반응 물질은 암모니아(NH3), 히드라진(Hydrazine, N2H4), 이산화질소(NO2), 그리고 질소(N2) 중 하나 이상일 수 있고 반응 물질을 통해 금속 질화막이 형성될 수 있다.
이후, 챔버의 내부에 퍼지가스(예를 들어, Ar과 같은 비활성가스)를 공급하여, 미흡착 표면 보호 물질/미반응 물질 또는 부산물을 제거하거나 정화한다.
한편, 앞서 표면보호물질이 금속 전구체 보다 먼저 공급되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 표면보호물질은 금속 전구체 이후에 공급되거나 금속 전구체가 이전 및 이후에 모두 공급될 수 있다.
- 비교예
앞서 설명한 표면보호물질을 사용하지 않고 실리콘 기판 상에 티타늄 질화막을 형성하였다. ALD 공정을 통해 티타늄 질화막을 형성하였으며, ALD 공정 온도는 400 내지 480℃, 반응 물질은 NH3 가스를 사용하였다.
ALD 공정을 통한 티타늄 질화막 형성 과정은 아래와 같으며, 아래 과정을 1사이클로 하여 진행하였다.
1) N2 또는 Ar을 캐리어 가스로 하여, 상온에서 티타늄 전구체 TiCl4(Titanium Tetrachloride)를 반응 챔버에 공급하고 기판에 티타늄 전구체를 흡착
2) 반응 챔버 내에 N2 또는 Ar 가스를 공급하여 미흡착 티타늄 전구체 또는 부산물을 제거
3) NH3 가스를 반응 챔버에 공급하여 모노레이어를 형성
4) 반응 챔버 내에 N2 또는 Ar 가스를 공급하여 미반응물질 또는 부산물을 제거
- 실시예
표면보호물질로 위 <화학식2>를 사용하여 실리콘 기판 상에 티타늄 질화막을 형성하였다. ALD 공정을 통해 티타늄 질화막을 형성하였으며, ALD 공정 온도는 400 내지 480℃, 반응 물질은 NH3 가스를 사용하였다.
ALD 공정을 통한 티타늄 질화막 형성 과정은 아래와 같으며, 아래 과정을 1사이클로 하여 진행하였다(도 1 참고).
1) 반응 챔버 내에 표면보호물질을 공급하여 기판에 흡착
2) 반응 챔버 내에 N2 또는 Ar 가스를 공급하여 미흡착 표면보호물질 또는 부산물을 제거
3) N2 또는 Ar을 캐리어 가스로 하여, 상온에서 티타늄 전구체 TiCl4(Titanium Tetrachloride)를 반응 챔버에 공급하고 기판에 티타늄 전구체를 흡착
4) 반응 챔버 내에 N2 또는 Ar 가스를 공급하여 미흡착 티타늄 전구체 또는 부산물을 제거
5) NH3 가스를 반응 챔버에 공급하여 모노레이어를 형성
6) 반응 챔버 내에 N2 또는 Ar 가스를 공급하여 미반응물질 또는 부산물을 제거
도 2는 <화학식 2>에 따른 표면 보호 물질의 DSC(시차주사열량 분석)를 나타내는 그래프이다. 500℃까지 표면보호물질의 분해 피크(상방향)가 검출되지 않으므로, 고온에서 사용하여도 분해되지 않고 표면보호효과를 가지는 것을 알 수 있다.
결론적으로, 표면보호물질은 공정진행 중 금속 전구체와 유사한 거동을 가져, 고종횡비(예를 들어, 40:1 이상)의 트렌치 구조에서 상부(또는 입구측)에 높은 밀도로 흡착되고 하부(또는 내부측)에 낮은 밀도로 흡착되며, 후속 공정에서 금속 전구체가 흡착되는 것을 방해한다. 따라서, 금속 전구체는 트렌치 내에 균일하게 흡착될 수 있다.
이상에서 본 발명을 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명은 다양한 형태의 반도체 제조방법에 응용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법에 있어서,
    기판이 놓여진 챔버의 내부에 전구체를 공급하는 전구체 공급 단계;
    상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계; 및
    상기 챔버의 내부에 반응 물질을 공급하여 흡착된 상기 전구체와 반응하고 물질막을 형성하는 물질막 형성 단계를 포함하되,
    상기 방법은 상기 물질막 형성 단계 이전에,
    상기 표면 보호 물질을 상기 챔버의 내부에 공급하는 표면 보호 물질 공급 단계; 및
    상기 챔버의 내부를 퍼지하는 단계를 더 포함하며,
    상기 표면 보호 물질은 하기 <화학식 1>로 표시되는, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법.
    <화학식 1>
    Figure PCTKR2020019331-appb-I000005
    상기 <화학식 1>에서,
    R은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 수소 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면 보호 물질은 하기 <화학식 2>로 표시되는, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법..
    <화학식 2>
    Figure PCTKR2020019331-appb-I000006
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전구체 공급 단계, 상기 물질막 형성 단계, 그리고 상기 표면 보호 물질 공급 단계는 50 내지 700℃에서 각각 진행되는, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표면 보호 물질 공급 단계는 상기 전구체 공급 단계 이전 또는/및 이후에 진행되는, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반응 물질은 암모니아(NH3), 히드라진(Hydrazine, N2H4), 이산화질소(NO2), 그리고 질소(N2) 중 하나 이상인, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속 전구체는 Ti을 포함하는 화합물인, 표면보호물질을 이용한 물질막 형성 방법.
PCT/KR2020/019331 2020-01-03 2020-12-29 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법 WO2021137595A1 (ko)

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