KR20180013351A - 박막 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 금속원소를 포함하는 박막을 증착하는 박막 증착 방법은, 페시베이션막이 형성된 산화막을 구비하는 상기 기판을 증착 챔버에 공급하는 기판공급단계; 상기 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계; 상기 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 상기 제1 흡착단계에서 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계; 상기 증착 챔버에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계; 및 산소, 수증기 및 오존 중에서 선택된 어느 하나 이상의 반응가스를 혼합하여 상기 증착 챔버에 공급하는 반응가스 공급단계를 포함하며, 상기 제1 흡착단계, 상기 치환단계, 상기 제2 흡착단계 및 반응가스 공급단계가 주기를 구성하여 복수의 주기로 수행된다.

Description

박막 증착 방법{Method for dipositing a thin film}
본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것이며, 상세하게는 원자층 증착에 의해 금속원소를 포함하는 박막을 효과적으로 증착할 수 있는 박막 증착 방법에 관한 것이다.
기판상에 박막을 증착하기 위한 방법으로는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 기상(Chemical Vapor Deposition, CVD), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)이 일반적으로 이용된다. 원자층 증착 방법(ALD)은 화학적 반응을 이용하여 원자를 기판상에 순차적으로 쌓아 올리는 박막 증착 기술로서, 반응물질을 시간적으로 분리하여 공급하므로 증착 정밀성을 효과적으로 확보할 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2006-0020194호(2006.03.06. 공개)
본 발명의 목적은 원자층 증착에 의해 금속원소를 포함하는 박막을 효과적으로 증착할 수 있는 박막 증착 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 금속원소를 포함하는 박막을 증착하는 박막 증착 방법에 있어서, 상기 기판을 증착 챔버에 공급하는 기판공급단계; 상기 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계; 상기 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 상기 제1 흡착단계에서 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계; 및 상기 증착 챔버에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계를 포함한다.
상기 리간드 치환용 화합물은 친핵성 치환반응에 의해 상기 제1 흡착단계에서 상기 기판상에 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시킬 수 있다.
상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 1>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
Figure pat00001
상기 <화학식 1>에서 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 2> 내지 <화학식 4>로 표시되는 화합물 중 어느 하나일 수 있다.
<화학식 2>
Figure pat00002
<화학식 3>
Figure pat00003
<화학식 4>
Figure pat00004
상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 5>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 5>
Figure pat00005
상기 <화학식 5>에서 상기 n은 0 내지 10의 정수에서 선택된 어느 하나이다.
상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 6>으로 표시되는 화합물 중 어느 하나일 수 있다.
<화학식 6>
Figure pat00006
상기 금속원소를 포함하는 전구체는 알루미늄을 포함하는 전구체일 수 있다.
상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 7>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 7>
Figure pat00007
상기 <화학식 7>에서 상기 L1은 C1 내지 C6의 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 L2 및 L3는 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 아민기 중에서 선택된 어느 하나이다.
상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 8> 내지 <화학식 10>으로 표시되는 화합물 중 어느 하나일 수 있다.
<화학식 8>
Figure pat00008
<화학식 9>
Figure pat00009
<화학식 10>
Figure pat00010
상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 11>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 11>
Figure pat00011
상기 <화학식 11>에서 상기 La 및 Lb는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 알킬아민기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 12>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 12>
Figure pat00012
상기 박막 증착 방법은 상기 제2 흡착단계 이후에 산소, 수증기 및 오존 중에서 선택된 어느 하나 이상의 반응가스를 혼합하여 상기 증착 챔버에 공급하는 반응가스 공급단계를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 증착 방법은, 상기 제1 흡착단계, 상기 치환단계, 상기 제2 흡착단계 및 상기 반응가스 공급단계를 주기로 구성하여 복수의 주기로 수행될 수 있다.
상기 박막 증착 방법은, 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제1 퍼지단계; 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제2 퍼지단계; 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제3 퍼지단계; 및 상기 반응가스를 공급한 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제4 퍼지단계를 더 포함할 수 있다.
상기 불활성 가스는 질소(N2)가스 또는 아르곤(Ar)가스를 포함할 수 있다.
상기 제1 흡착단계 또는 상기 제2 흡착단계에서는, 0.1~99.9%의 상기 금속원소를 포함하는 전구체와 0.1~99.9%의 지환족 화합물 또는 방향족 화합물을 포함하는 포화 또는 불포화 탄화수소류를 혼합한 전구체 조성물을 공급할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은, 기판상에 전구체를 공급한 후 전구체의 리간드 치환용 화합물을 공급하여 전구체의 리간드를 치환하고, 다시 기판상에 선택적으로 전구체를 공급하는바, 박막의 증착 밀도를 효과적으로 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 종래의 원자층 증착 설비의 설계 변경 없이 구현 가능한바, 원자층 증착 설비의 설계 비용에 따르는 비용을 효과적으로 저감할 수 있다.
도 1은 페시베이션막이 형성된 산화막에 알루미늄 전구체가 흡착된 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법의 플로우 차트를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 이하에 첨부된 화학식 및 도면을 이용하여 본 발명의 실시예들을 설명하고자 한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
도 1은 페시베이션막이 형성된 산화막에 알루미늄 전구체가 흡착된 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(W) 상에 페시베이션막(P)이 형성됨으로써 산화막의 표면에는 산소-수소(O-H) 결합이 형성된다. 원자층 증착(ALD)에 의해 페시베이션막이 형성된 산화막의 표면에 전구체를 흡착시키는 경우, 산화막에 기 흡착된 전구체에 의해 이웃하는 흡착위치에 전구체가 흡착되는 것을 방해하는 가리움 효과(screening effect)가 발생한다.
즉, 도 1의 (b)는 가리움 효과의 일 예를 도시한 것으로, 산화막의 표면에 하기의 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체를 원자층 증착(ALD)에 의해 흡착시키는 경우, 이미 산화막에 흡착된 알루미늄 전구체에 의해 이웃하는 흡착위치에 알루미늄 전구체가 흡착되지 않는 현상(A)이 발생하게 된다. 즉, 알루미늄 전구체가 산화막 상에 균일하게 흡착되지 않으므로, 증착막의 스텝커버리지(step coverage)가 열위해진다. 우수한 증착막의 스텝커버리지를 얻기 위해서 알루미늄 전구체의 공급 시간을 늘리는 방안을 고려할 수 있으나, 지나치게 공정 시간이 길어짐에 따라 생산성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명은 증착막의 스텝커버리지를 확보함과 동시에 증착 효율을 확보할 수 있는 박막 증착 방법을 제공하고자 한다.
<화학식 8>
Figure pat00013
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법의 플로우 차트를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 증착 챔버에 기판을 공급하는 기판공급단계(S100), 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 기판의 산화막 상에 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계(S200), 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 제1 흡착단계(S200)에서 기판상에 흡착된 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계(S300) 및 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 다시 공급하여 제1 흡착단계(S200)에서 전구체가 흡착되지 않은 기판상의 흡착위치에 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계(S400)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은, 제2 흡착단계(S400) 이후에 기판상에 산소(O2), 수증기(H2O) 및 오존(O3) 중에서 선택된 1종 이상의 반응가스를 혼합하여 공급함으로써 산소-수소 결합을 형성하는 반응가스 공급단계(S500)를 더 포함할 수 있다.
제1 흡착단계(S200) 또는 제2 흡착단계(S400)에서는 0.1~99.9%의 금속원소를 포함하는 전구체와 0.1~99.9%의 지환족 화합물 또는 방향족 화합물을 포함하는 포화 또는 불포화 탄화수소류를 혼합한 전구체 조성물을 증착 챔버에 공급함으로써 기판 상에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 각각의 단계 이후에 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 증착 챔버 내부를 퍼지하는 퍼지단계들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 흡착단계(S200)이후에 증착 챔버 내부를 퍼지하는 제1 퍼지단계(S210), 치환단계(S300) 이후에 증착 챔버 내부를 퍼지하는 제2 퍼지단계(S310), 제2 흡착단계(S400) 이후에 증착 챔버 내부를 퍼지하는 제3 퍼지단계(410) 및 반응가스 공급단계(S500) 이후에 증착 챔버 내부를 퍼지하는 제4 퍼지단계(S510)를 포함할 수 있다. 각각의 퍼지단계에 이용되는 불활성 가스는 질소(N2)가스 또는 아르곤(Ar)가스를 포함할 수 있다.
지환족 화합물 또는 방향족 화합물을 포함하는 포화 또는 불포화 탄화수소류는 금속원소를 포함하는 전구체를 안정화 시킬 수 있는 물질이면 특별히 한정되지 않으며, 그 예로는 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 메텐, 에텐, 프로펜, 부텐, 펜텐, 헥센, 옥텐, 메틴, 에틴, 프로핀, 부틴, 펜틴, 헥신, 헵틴, 옥틴 등의 지방족 탄화수소, 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 트리메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디에틸시클로헥산, 데카히드로나프탈렌, 바이시클로헵탄, 트리시클로데칸, 헥사하이드로인텐시클로헥산, 시클로옥탄 등의 지환족 탄화수소, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소, 또는 이들의 혼합물들이 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 제1 흡착단계(S200), 치환단계(S300), 제2 흡착단계(S400) 및 반응가스 공급단계(S500)가 하나의 주기(Cycle)를 구성하여 실시될 수 있으며, 복수의 주기를 반복 실시하여 금속원소를 포함하는 박막이 층을 이루어 증착되도록 할 수 있다.
본 발명의 산화막은 알루미늄 산화막(Al2O3)일 수 있으나, 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, 반도체 소자의 제작에 이용되는 모든 산화막을 포함할 수 있다. 본 발명의 금속원소를 포함하는 전구체는 알루미늄(Al)을 포함하는 전구체일 수 있으나, 반드시 이들에 국한되는 것은 아니다. 또한, 이하에서는 설명의 편의를 위해 하기의 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체를 금속원소를 포함하는 전구체의 일 예로 설명하나, 본 발명의 금속원소를 포함하는 전구체가 반드시 이에 국한되는 것은 아니다.
본 발명의 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 7>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 7>
Figure pat00014
상기 <화학식 7>에서 상기 L1은 C1 내지 C6의 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 L2 및 L3는 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 아민기 중에서 선택된 어느 하나이다.
<화학식 7>로 표시되는 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 8>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 8>
Figure pat00015
<화학식 7>로 표시되는 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 9>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 9>
Figure pat00016
<화학식 7>로 표시되는 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 10>으로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 10>
Figure pat00017
또한, 본 발명의 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 11>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 11>
Figure pat00018
상기 <화학식 11>에서 상기 La 및 Lb는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 알킬아민기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
<화학식 11>로 표시되는 금속원소를 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 12>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 12>
Figure pat00019
본 발명의 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 1>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 1>
Figure pat00020
상기 <화학식 1>에서 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
<화학식 1>로 표시되는 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 2>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 2>
Figure pat00021
<화학식 1>로 표시되는 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 3>으로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 3>
Figure pat00022
<화학식 1>로 표시되는 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 4>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 4>
Figure pat00023
본 발명의 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 5>로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 5>
Figure pat00024
상기 <화학식 5>에서 상기 n은 0 내지 10의 정수에서 선택된 어느 하나이다.
<화학식 5>로 표시되는 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 6>으로 표시되는 화합물일 수 있다.
<화학식 6>
Figure pat00025
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
제1 흡착단계(S100)에서 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체를 공급하여 기판상에 알루미늄 전구체를 흡착시키며, 치환단계(S200)에서는 <화학식 2>로 표시되는 리간드 치환용 화합물을 기판상으로 공급할 수 있다.
도 3의 (a)는 치환단계(S200)에서 제1 흡착단계(S100)에서 산화막 상에 흡착된 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체의 리간드가 <화학식 2>로 표시되는 리간드 치환용 화합물로 치환되는 것을 나타낸 도면이다. 즉, 친핵성 치환반응에 의해 <화학식 8>의 리간드가 <화학식 2>로 표시되는 리간드 치환용 화합물로 치환되는 것을 확인할 수 있다.
도 3의 (b)는 제1 흡착단계(S200)에서 산화막 상에 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체가 흡착되지 않은 위치(A')에 제2 흡착단계(S400)에서 공급된 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체가 흡착된 것을 개략적으로 나타낸 도면이다. 즉, 치환단계(S200)에서 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체의 리간드가 <화학식 2>로 표시되는 리간드 치환용 화합물로 치환되는바, 제2 흡착단계(S400)에서 공급된 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체는 제1 흡착단계(S200)에서 흡착된 <화학식 8>로 표시되는 알루미늄 전구체와 결합하지 않고, 위치(A')에 선택적으로 흡착될 수 있다.
도 3의 (c)는 제2 흡착단계(S400)를 거친 기판상에 오존(O3)을 포함하는 가스를 공급하여 산소-수소 결합을 형성한 것을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은, 기판상에 전구체를 공급한 후 전구체의 리간드 치환용 화합물을 공급하여 전구체의 리간드를 치환하고, 다시 기판상에 선택적으로 전구체를 공급하는바, 박막의 증착 밀도를 효과적으로 높일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 증착 방법은 종래의 원자층 증착 설비의 설계 변경 없이 구현 가능한바, 원자층 증착 설비의 설계 비용에 따르는 비용을 효과적으로 저감할 수 있다.
이상에서 본 발명을 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 실시예들에 한정되지 않는다.

Claims (16)

  1. 원자층 증착(ALD)에 의해 기판상에 금속원소를 포함하는 박막을 증착하는 박막 증착 방법에 있어서,
    상기 기판을 증착 챔버에 공급하는 기판공급단계;
    상기 증착 챔버에 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시키는 제1 흡착단계;
    상기 증착 챔버에 리간드 치환용 화합물을 공급하여 상기 제1 흡착단계에서 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는 치환단계; 및
    상기 증착 챔버에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 공급하여 상기 산화막 상에 상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시키는 제2 흡착단계를 포함하는, 박막 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리간드 치환용 화합물은 친핵성 치환반응에 의해 상기 제1 흡착단계에서 상기 기판상에 흡착된 상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시키는, 박막 증착 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 1>로 표시되는 화합물인, 박막 증착 방법.
    <화학식 1>
    Figure pat00026

    상기 <화학식 1>에서 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 2> 내지 <화학식 4>로 표시되는 화합물 중 어느 하나인, 박막 증착 방법.
    <화학식 2>
    Figure pat00027

    <화학식 3>
    Figure pat00028

    <화학식 4>
    Figure pat00029
  5. 제2항에 있어서,
    상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 5>로 표시되는 화합물인, 박막 증착 방법.
    <화학식 5>
    Figure pat00030

    상기 <화학식 5>에서 상기 n은 0 내지 10의 정수에서 선택된 어느 하나이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리간드 치환용 화합물은 하기의 <화학식 6>으로 표시되는 화합물 중 어느 하나인, 박막 증착 방법.
    <화학식 6>
    Figure pat00031
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속원소를 포함하는 전구체는 알루미늄을 포함하는 전구체인, 박막 증착 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 7>로 표시되는 화합물인, 박막 증착 방법.
    <화학식 7>
    Figure pat00032

    상기 <화학식 7>에서 상기 L1은 C1 내지 C6의 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 L2 및 L3는 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 아민기 중에서 선택된 어느 하나이다.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 8> 내지 <화학식 10>으로 표시되는 화합물 중 어느 하나인, 박막 증착 방법.
    <화학식 8>
    Figure pat00033

    <화학식 9>
    Figure pat00034

    <화학식 10>
    Figure pat00035
  10. 제8항에 있어서,
    상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 11>로 표시되는 화합물인, 박막 증착 방법.
    <화학식 11>
    Figure pat00036

    상기 <화학식 11>에서 상기 La 및 Lb는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알킬아민기, C3 내지 C6의 시클로 알킬아민기 중에서 선택된 어느 하나이며, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 C1 내지 C6의 알킬기, C3 내지 C6의 시클로 알킬기 중에서 선택된 어느 하나이다.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 포함하는 전구체는 하기의 <화학식 12>로 표시되는 화합물인, 박막 증착 방법.
    <화학식 12>
    Figure pat00037
  12. 제1항에 있어서,
    상기 박막 증착 방법은 상기 제2 흡착단계 이후에 산소, 수증기 및 오존 중에서 선택된 어느 하나 이상의 반응가스를 혼합하여 상기 증착 챔버에 공급하는 반응가스 공급단계를 더 포함하는, 박막 증착 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 박막 증착 방법은,
    상기 제1 흡착단계, 상기 치환단계, 상기 제2 흡착단계 및 상기 반응가스 공급단계를 주기로 구성하여 복수의 주기로 수행되는, 박막 증착 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 박막 증착 방법은,
    상기 금속원소를 포함하는 전구체를 흡착시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제1 퍼지단계;
    상기 금속원소를 포함하는 전구체의 리간드를 치환시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제2 퍼지단계;
    상기 금속원소를 포함하는 전구체를 선택적으로 흡착시킨 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제3 퍼지단계; 및
    상기 반응가스를 공급한 후 상기 증착 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 증착챔버 내부를 퍼지하는 제4 퍼지단계를 더 포함하는, 박막 증착 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 질소(N2)가스 또는 아르곤(Ar)가스를 포함하는, 박막 증착 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1 흡착단계 또는 상기 제2 흡착단계에서는,
    0.1~99.9%의 상기 금속원소를 포함하는 전구체와 0.1~99.9%의 지환족 화합물 또는 방향족 화합물을 포함하는 포화 또는 불포화 탄화수소류를 혼합한 전구체 조성물을 공급하는, 박막 증착 방법.
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