WO2021095844A1

WO2021095844A1 - セラミック基板、複合基板及び回路基板並びにセラミック基板の製造方法、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法及び複数の回路基板の製造方法

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Publication number: WO2021095844A1
Application number: PCT/JP2020/042421
Authority: WO
Inventors: 優太津川; 西村　浩二; 小橋　聖治; 善幸江嶋; 晃正湯浅
Original assignee: デンカ株式会社
Priority date: 2019-11-15
Filing date: 2020-11-13
Publication date: 2021-05-20
Also published as: KR20220100916A; JPWO2021095844A1; JP7168796B2; EP4059912A4; CN114830837A; EP4059912A1; CN114830837B

Abstract

本発明のセラミック基板は、平面視にて矩形状のセラミック基板であって、その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である。

Description

セラミック基板、複合基板及び回路基板並びにセラミック基板の製造方法、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法及び複数の回路基板の製造方法

　本発明は、セラミック基板、複合基板及び回路基板並びにセラミック基板の製造方法、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法及び複数の回路基板の製造方法に関する。

　例えば、特許文献１のように、セラミック基板の両面側に金属層を固定して複合基板とし、この複合基板の一方の金属層に回路パターンを形成して回路基板にすることが知られている。この回路基板は、高熱伝導率、高絶縁性の観点において優れていることから、例えばパワーモジュール用に利用されている。

　このようなセラミック基板は、その後、その両面側に金属層（例えば銅板）を固定する金属層形成工程、金属層の少なくとも一方に回路パターンを形成する回路パターン形成工程及びスクライブライン形成工程を含む各工程を経て回路基板に加工される。

特開２０１８－１８９７１号公報

　ところで、近年では、回路基板の平坦性に対する要請がますます高まりつつある。こうした要請に応えるためには、回路基板の内部に残留する熱歪みや熱応力を、より高い水準で低減することが求められる。

　本発明は、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得るセラミック基板を提供することを課題とする。

　本発明の一態様のセラミック基板は、平面視にて矩形状のセラミック基板であって、その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である。

　本発明の一態様の複合基板は、前記セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に固定されている第１金属層と、前記セラミック基板における裏面側に固定されている第２金属層と、を備える。

　本発明の一態様の回路基板は、前記セラミック基板と、前記セラミック基板の表面側に形成されている回路パターンと、前記セラミック基板における裏面側に固定されている金属層と、を備える。

　本発明の第１態様のセラミック基板の製造方法は、前記セラミック基板の製造方法であって、セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、を含み、前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が６５０℃以下の温度になった場合に前記焼成室内の温度を急冷する。

　本発明の第２態様のセラミック基板の製造方法は、前記セラミック基板の製造方法であって、前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁側の部分を切断するセラミック基板の切断工程、を含む。

　本発明の第３態様のセラミック基板の製造方法は、前記セラミック基板の製造方法であって、セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁を切断するセラミック基板の切断工程と、を含む。

　本発明の第４態様のセラミック基板の製造方法は、前記セラミック基板の製造方法であって、前記セラミック粉末は、窒化珪素粉末又は窒化アルミニウム粉末を含む、

　本発明の一態様の複合基板の製造方法は、前記セラミック基板の製造方法と、前記セラミック基板の表面側に第１金属層を固定し、裏面側に第２金属層を固定する固定工程と、
　を含む。

　本発明の一態様の回路基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、少なくとも１つの回路パターンを形成するパターン形成工程と、を含む。

　本発明の一態様の複数の回路基板の製造方法は、前記複合基板の製造方法と、前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、複数の回路パターンを形成するパターン形成工程と、前記複数の回路パターンが形成された前記複合基板を、それぞれが１つの前記回路パターンを備える複数の回路基板に分割する分割工程と、を含む。

　　本発明のセラミック基板によれば、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得る。

本実施形態の複数の実装基板の製造方法を示すフロー図である。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、グリーンシート形成工程のフロー図である。本実施形態のグリーンシート形成工程に含まれる、成形工程を説明するための図であって、ドクターブレード成形装置を用いてスラリーから帯状グリーンシートを作製している状態を説明するための概略図である。本実施形態のグリーンシート形成工程に含まれる、切断工程を説明するための図であって、切断装置を用いて帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを作製している状態を説明するための概略図（側面図）である。図２Ｃを正面側から見た概略図である。本実施形態のグリーンシート形成工程に含まれる堆積工程から本実施形態の複数の実装基板の製造方法における焼結工程までを説明するための図である。焼結工程における焼成温度のプロファイル（試験により検討した条件も含む。）を示すグラフである。焼成工程における急冷開始温度（試験により検討した条件も含む。）と、反り量との関係を示すグラフである。本実施形態の第１例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｄの第１例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ａ－Ａ切断線で切断した断面図である。図３Ｄの第１例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ｂ－Ｂ切断線で切断した断面図である。本実施形態の第２例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｇの第２例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ａ－Ａ切断線で切断した断面図である。図３Ｇの第２例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ｂ－Ｂ切断線で切断した断面図である。本実施形態の第３例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｊの第３例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ａ－Ａ切断線で切断した断面図である。図３Ｊの第３例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ｂ－Ｂ切断線で切断した断面図である。本実施形態の第４例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｍの第４例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ａ－Ａ切断線で切断した断面図である。図３Ｍの第４例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ｂ－Ｂ切断線で切断した断面図である。本実施形態の第５例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｐの第５例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ａ－Ａ切断線で切断した断面図である。図３Ｐの第５例のセラミック基板の断面図（端面図）であって、Ｂ－Ｂ切断線で切断した断面図である。本実施形態の第６例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図（７０μｍスパン）である。本実施形態の第６例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図（１００μｍスパン）である。本実施形態の第６例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図（２００μｍスパン）である。本実施形態の第６例のセラミック基板の平面図であって、その板厚方向における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図（３００μｍスパン）である。図３Ｓ～図３ＶにおけるＣ－Ｃ直線に沿ってレーザー３次元形状測定機に沿って測定した変位量分布を示すグラフである。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、外周部分切断工程を説明するための概略図である。外周部分切断工程における、外周部分の切断幅と、反り量との関係を示すグラフである。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、スクライブライン形成工程を説明するための図である。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、金属層形成工程を説明するための図である。図６Ａのセラミック基板の断面図であって、６Ｂ－６Ｂ切断線で切断した横断面図である。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、レジスト印刷工程を説明するための図である。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、エッチング工程を説明するための図である。本実施形態の複数の実装基板の製造方法に含まれる、分割工程を説明するための図である。変形例の金属層形成工程を説明するための図である。

≪概要≫
　以下、本実施形態について図面を参照しながら説明する。
　まず、本実施形態のセラミック基板４０（図３Ａ、図３Ｄ、図３Ｇ、図３Ｊ、図３Ｍ、図３Ｐ、図３Ｓ～３Ｖ等参照）、マザーボード６０（複合基板の一例、図６Ａ及び図６Ｂ参照）、集合基板６０Ｂ（複合基板の他の一例、図８及び図９参照）及び回路基板６０Ｃ（図９参照）につい説明する。
　次いで、本実施形態の複数の実装基板（図示省略）の製造方法（図１参照）について説明する。
　次いで、本実施形態の効果について説明する。
　次いで、本実施形態の変形例について説明する。
　なお、以下の説明で参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

≪セラミック基板≫
　まず、本実施形態のセラミック基板４０について図３Ｄ～図３Ｖを参照しながら説明する。

　ここで、本実施形態のセラミック基板４０は、複数の形状のバリエーションを有する。例えば、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）、第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ参照）、第３例のセラミック基板４０（図３Ｊ参照）、第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ参照）、第５例のセラミック基板４０（図３Ｐ参照）、第６のセラミック基板４０（図３Ｓ～３Ｖ参照）等である。なお、いずれの例のセラミック基板４０も、平面視にて矩形状である。
　そして、本実施形態のセラミック基板４０は、以下の基本的な特徴を有する。
　具体的には、本実施形態のセラミック基板４０は、「平面視にて矩形状のセラミック基板４０であって、その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、セラミック基板４０の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である」という基本的な特徴を有する。そして、この基本的な特徴を有するセラミック基板４０としては、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）、第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ参照）、第３例のセラミック基板４０（図３Ｊ参照）、第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ参照）、第５例のセラミック基板４０（図３Ｐ参照）及び第６のセラミック基板４０（図３Ｓ～３Ｖ参照）がある。

　また、本実施形態のセラミック基板４０は、上記の基本的な特徴を満たす限りにおいて、以下のような態様であってもよい。
　例えば、本実施形態のセラミック基板４０の一態様は、前記少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分は、それぞれ、セラミック基板４０における前記一対の対角線のうちの一方の対角線で区画される２つの領域に形成されていてもよい。そして、この態様のセラミック基板４０としては、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）、第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ参照）、第３例のセラミック基板４０（図３Ｊ参照）及び第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ参照）がある。
　また、例えば、本実施形態のセラミック基板４０の一態様は、前記少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分は、それぞれ、前記セラミック基板における前記一対の対角線で区画される４つの領域に形成されてもよい。そして、この態様のセラミック基板４０としては、第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ参照）がある。
　また、例えば、本実施形態のセラミック基板４０の一態様は、前記少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分のうちの一部は、前記板厚方向の一方側に向けて凸状となるように形成され、前記複数の凸状部分のうちの残りの一部は、前記板厚方向の他方側に向けて凸状となるように形成されていてもよい。そして、この態様のセラミック基板４０としては、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）、第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ参照）及び第５例のセラミック基板４０（図３Ｐ参照）がある。

　次に、第１例～第６例により、図３Ｄ～図３Ｗを参照しながらセラミック基板４０の例を説明する。これらの例において、セラミック基板４０の表面４０Ａ１は、若干の凹凸を有しているものの略平坦面となっている。なお、これらの例に限らず、セラミック基板４０の表面４０Ａ１は凸状部分を有さない完全に平坦な面となっていてもよい。
　そして、以下に説明する第１例～第６例はそれぞれ本実施形態のセラミック基板４０の例示に過ぎず、上記の基本的な特徴を有するセラミック基板であれば、本実施形態のセラミック基板４０に含まれる。

〔第１例のセラミック基板〕
　第１例のセラミック基板４０については、図３Ｄ～図３Ｆを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｄは、本実施形態の第１例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｅは、第１例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＤのＡ－Ａ切断線で切断した第１例のセラミック基板４０の断面図である。図３Ｆは、第１例のセラミック基板４０の断面図であって、図３ＤのＢ－Ｂ切断線で切断した第１例のセラミック基板４０の断面図である。なお、図３Ｆでは、本来凸状部分ＣＸ１は切断面として表されないが、凸状部分ＣＸ２との関係が分かりやすいように、凸状部分ＣＸ１をＢ－Ｂ切断線と平行な切断面で切断した状態で示している。また、第２～第５例に関する断面図（図３Ｈ、３Ｉ、３Ｋ、３Ｌ、３Ｎ、３Ｏ、３Ｑ、３Ｒ）においても、複数の凸状部のうちある凸状部の切断面を示す断面図（端面図）において、他の凸状部のとの凸量（または凹量）の関係が分かりやすいように、他方の凸状部を同様に平行な切断面で切断した状態として示している。
　第１例のセラミック基板４０は、その板厚方向（Ｚ方向）において平坦ではなく、反った状態となっている。そして、第１例のセラミック基板４０は、前述の基本的な特徴を有したうえで、以下のような特徴を有する。

（第１の特徴）
　第１の特徴は、平面視にて、その一対の対角線（図３Ｄの一対の破線）により形成される交差点Ｏとずれた位置に、その板厚方向（Ｚ方向）の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分（第１例の場合は凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２）が形成されており、反り量は、２μｍ／ｍｍ以下であることである。
　ここで、本明細書における反り量とは、セラミック基板４０の対角線の長さでセラミック基板４０の板厚方向の最大凸量を除した値のことをいう。
　第１例～第６例のセラミック基板４０は、一例として、その長さが２０６ｍｍ、その幅が１４６ｍｍであるから、その対角線の長さは約２５２．５ｍｍである。また、凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２の凸量（平坦な場合（図中の基準）に比べて凸状又は凹状になっている部分の量）を、それぞれΔＺ_１、ΔＺ_２とする。そして、凸量ΔＺ_１、ΔＺ_２は、それぞれ、一例として４２０μｍ以下である。すなわち、第１例の場合、最大凸量は４２０μｍ以下である。以上より、第１例のセラミック基板４０の反り量は、２μｍ／ｍｍ以下となる。
　ここで、本明細書における「最大凸量」とは、平坦な場合に比べて凸状又は凹状になっている部分の量の最大値を意味するが、後述する第６例のセラミック基板４０の説明の中で詳しく説明する。

（第２の特徴）
　第２の特徴は、第１の特徴を前提として、複数の凸状部分（第１例では凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２）は、それぞれ、セラミック基板４０における一対の対角線のうちの一方の対角線（第１例では両方の対角線）で区画される２つの領域に形成されていることである。

（第３の特徴）
　第３の特徴は、第１の特徴を前提として、複数の凸状部分（第１例では凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２）のうちの一部（凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２のうちの一方）は板厚方向（Ｚ方向）の一方側に向けて凸状となるように形成され、残りの一部（凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２のうちの他方）は板厚方向の他方側に向けて凸状となるように形成されていることである。

　以上が、第１例のセラミック基板４０についての説明である。

〔第２例のセラミック基板〕
　第２例のセラミック基板４０については、図３Ｇ～図３Ｉを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｇは、本実施形態の第２例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｈは、第２例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＧのＡ－Ａ切断線で切断した第２例のセラミック基板４０の断面図である。図３Ｉは、第２例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＧのＢ－Ｂ切断線で切断した第２例のセラミック基板４０の断面図である。
　第２例のセラミック基板４０は、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ～図３Ｆ参照）と同様に、若干の凹凸を有しているものの略平坦面となっている。そして、第２例のセラミック基板４０は、前述の第１の特徴及び第２の特徴を有する。ただし、第２例の凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２は、いずれも板厚方向（Ｚ方向）の一方側（表面４０Ａ１側）に凸状となっている点で、第１例の場合（図３Ｄ参照）と異なる。

　以上が、第２例のセラミック基板４０についての説明である。

〔第３例のセラミック基板〕
　第３例のセラミック基板４０については、図３Ｊ～図３Ｌを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｊは、本実施形態の第３例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｋは、第３例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＪのＡ－Ａ切断線で切断した第３例のセラミック基板４０の断面図である。図３Ｌは、第３例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＪのＢ－Ｂ切断線で切断した第３例のセラミック基板４０の断面図である。
　第３例のセラミック基板４０は、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ～図３Ｆ参照）及び第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ～図３Ｉ参照）と同様に、若干の凹凸を有しているものの略平坦面となっている。そして、第３例のセラミック基板４０は、前述の第１の特徴及び第２の特徴を有する。ただし、第３例の凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２は、それぞれ板厚方向（Ｚ方向）の他方側（裏面４０Ａ２側）に凸状となっている点で、第２例の場合（図３Ｇ参照）と異なる。

　以上が、第３例のセラミック基板４０についての説明である。

〔第４例のセラミック基板〕
　第４例のセラミック基板４０については、図３Ｍ～図３Ｏを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｍは、本実施形態の第４例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｎは、第４例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＭのＡ－Ａ切断線で切断した第４例のセラミック基板４０の断面図である。図３Ｎは、第４例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＭのＢ－Ｂ切断線で切断した第４例のセラミック基板４０の断面図である。
　第４例のセラミック基板４０は、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ～図３Ｆ参照）、第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ～図３Ｉ参照）及び第３例のセラミック基板４０（図３Ｊ～図３Ｌ参照）と同様に、若干の凹凸を有しているものの略平坦面となっている。そして、第４例のセラミック基板４０は、前述の第１の特徴、第２の特徴及び第３の特徴並びに後述する第４の特徴を有する。
　なお、第４例における凸状部分ＣＸ３、ＣＸ４の凸量ΔＺ_３、ΔＺ_４は、一例として１２６０μｍ以下である。

（第４の特徴）
　第４の特徴は、第１の特徴を前提として、複数の凸状部分（第４例では凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２、ＣＸ３、ＣＸ４）が、それぞれ、セラミック基板４０における一対の対角線で区画される４つの領域に形成されていることである。

　以上が、第４例のセラミック基板４０についての説明である。

〔第５例のセラミック基板〕
　第５例のセラミック基板４０については、図３Ｐ～図３Ｒを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｐは、本実施形態の第５例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｑは、第５例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＰのＡ－Ａ切断線で切断した第５例のセラミック基板４０の断面図である。図３Ｒは、第５例のセラミック基板４０の断面図（端面図）であって、図３ＰのＢ－Ｂ切断線で切断した第５例のセラミック基板４０の断面図である。
　第５例のセラミック基板４０は、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ～図３Ｆ参照）、第２例のセラミック基板４０（図３Ｇ～図３Ｉ参照）、第３例のセラミック基板４０（図３Ｊ～図３Ｌ参照）及び第４例のセラミック基板４０（図３Ｍ～図３Ｏ参照）と同様に、若干の凹凸を有しているものの略平坦面となっている。そして、第５例のセラミック基板４０は、前述の第１の特徴及び第３の特徴を有する。ただし、第２例の凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２は、それぞれ、セラミック基板４０における一対の対角線で区画される４つの領域のうちの１つの領域に形成されている点で、第１例の場合（図３Ｄ参照）と異なる。

　以上が、第５例のセラミック基板４０についての説明である。

〔第６例のセラミック基板〕
　第６例のセラミック基板４０については、図３Ｓ～図３Ｗを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｓ～図３Ｖは、それぞれ、本実施形態の第６例のセラミック基板４０の平面図であって、その板厚方向（Ｚ方向）における高低度合（凹み具合）のプロファイルを付した状態の高低分布図である。図３Ｓ～図３Ｖは、それぞれ後述する反り量の測定時の測定スパンが異なる（それぞれ、順に７０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ）。
　図３Ｗは、図３Ｓ～図３ＶにおけるＣ－Ｃ直線に沿ってレーザー３次元形状測定機に沿って測定した変位量分布を示すグラフである。
　図３Ｓ～図３Ｖに示すとおり、不規則な凹凸形状である。この不規則な凹凸は微小な凹凸である。０ｍｍ～２００ｍｍの範囲を任意に５視野観察した場合に、最大変位量と最小変位量との差が１００μｍ以下である。
　また、０ｍｍ～２００ｍｍの範囲を任意に５視野観察した場合に、いずれの視野においても複数の凸部が観察されてよい。ここでいう凸部とは、隣り合う凹部のうち変位量が大きい凹部との変位量の差が１０μｍ以上であるものを指し、図３Ｗでは凸部は５個である。なお、５視野観察で全幅（図３Ｗでは２００ｍｍ）を含まれるようにする観点から、一つの視野幅は４０ｍｍ以上であり、好ましくは１００ｍｍ以上である。
　ここで、本実施形態では、セラミック基板４０の反り量を、以下のようにして測定した。すなわち、レーザー三次元形状測定機により、セラミック基板４０へレーザー光を照射し、セラミック基板４０からの拡散反射された光を受光して変位量を算出し、セラミック基板４０の主面の反り量を測定した。ここで、当該レーザー三次元形状測定機は、ＸＹθステージユニットとしてＫ２－３００（神津精機株式会社製）を採用し、高精度レーザー変位計としてＬＫ－Ｇ５００（株式会社キーエンス製）を採用し、モータコントローラとしてＳＣ－２００Ｋ（神津精機株式会社製）を採用し、ＡＤ変換機としてＤＬ－１００（神津精機株式会社製）を採用した構成のものとした。この場合、測定ピッチは、１．０ｍｍとした。
　そして、本実施形態における「最大凸量」とは、上記レーザー３次元形状測定機により測定した変位から、基準となる表面４０Ａ１（または裏面４０Ａ２）を算出して、その基準面からの変位量を算出したときの最大の変位量（最大の凸量または凹量の大きさ）をいう。

　以上が、第６例のセラミック基板４０についての説明である。

　以上が、第１例～第６例のセラミック基板４０の特徴についての説明である。
　なお、第１例のセラミック基板４０の場合（図３Ｄ参照）、凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２はセラミック基板４０における一対の対角線で区画される４つの領域のうちの交差点Ｏを挟んで長手方向（Ｙ方向）の両側に区画される２つの領域に形成されているが、本実施形態のセラミック基板４０の他の態様としては、例えば、凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２は交差点Ｏを挟んで短手方向（Ｘ方向）の両側に区画される２つの領域に形成されていてもよい。
　また、第４例のセラミック基板４０の場合（図３Ｍ参照）、凸状部分ＣＸ２、ＣＸ３はセラミック基板４０の板厚方向（Ｚ方向）における裏面４０Ａ２側に凸状となっているが（図３Ｎ、図３Ｏ参照）、本実施形態のセラミック基板４０の他の態様としては、例えば、凸状部分ＣＸ２、ＣＸ３のうちの一方又は両方は表面４０Ａ１側に凸状となっていてもよい。
　また、例えば、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）に第５例のセラミック基板４０の凸状部分ＣＸ２（図３Ｐ参照）を組み合せたセラミック基板（図示省略）でもよい。
　また、例えば、第１例のセラミック基板４０（図３Ｄ参照）の凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２のいずれか一方がないセラミック基板（図示省略）であってもよい。同様に、第５例のセラミック基板４０（図３Ｐ参照）の凸状部分ＣＸ１、ＣＸ２のいずれか一方がないセラミック基板（図示省略）であってもよい。
　以上のとおり、本実施形態のセラミック基板４０は、前述の基本的な特徴を有していればよい。

　以上が、本実施形態のセラミック基板４０についての説明である。

≪マザーボード≫
　次に、本実施形態のマザーボード６０について図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら説明する。
　本実施形態のマザーボード６０は、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面４０Ａ１側に固定されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面４０Ａ２側に固定されている第２金属層５０Ｂと、を備える。
　なお、図６Ａ及び図６Ｂのマザーボード６０では、セラミック基板４０に換えて後述するＳＬ付きセラミック基板４０Ａとなっている。ＳＬ付きセラミック基板４０Ａとは、後述するように、セラミック基板４０に一例として複数本のスクライブラインＳＬが形成されている基板である。
　以上が、本実施形態のマザーボード６０についての説明である。

≪回路基板≫
　次に、本実施形態の回路基板６０Ｃについて図９を参照しながら説明する。
　本実施形態の回路基板６０Ｃは、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面４０Ａ１側に形成されている回路パターンＣＰと、セラミック基板４０における裏面４０Ａ２側に固定されている金属層（第２金属層５０Ｂ）と、を備える。
　以上が、本実施形態の回路基板６０Ｃについての説明である。

≪本実施形態の複数の実装基板の製造方法≫
　次に、本実施形態の複数の実装基板の製造方法Ｓ１００（以下、本実施形態の製造方法Ｓ１００という。）について、図１等を参照しながら説明する。
　本実施形態の製造方法Ｓ１００は、図１に示すように、グリーンシート形成工程Ｓ１と、焼結工程Ｓ２と、外周部分切断工程Ｓ３と、スクライブライン形成工程Ｓ４（以下、ＳＬ形成工程Ｓ４という。）と、金属層形成工程Ｓ５と、レジスト印刷工程Ｓ６と、エッチング工程Ｓ７と、表面処理工程Ｓ８と、分割工程Ｓ９と、実装工程Ｓ１０とを含む。そして、本実施形態の製造方法Ｓ１００は、これらの各工程の記載順で行なわれる。

　なお、本実施形態の製造方法Ｓ１００における各工程の終了時と、その時点での製造物との関係は、以下のとおりである。

＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
　　終了時の各工程その時点での製造物
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
　　焼結工程Ｓ２セラミック基板４０（図３Ｄ参照）
　　ＳＬ形成工程Ｓ４ＳＬ付きセラミック基板４０Ａ（図５参照）
　　金属層形成工程Ｓ５マザーボード６０（図６Ａ及び図６Ｂ参照）
　　エッチング工程Ｓ７集合基板６０Ｂ（図８参照）
　　分割工程Ｓ９複数の回路基板６０Ｃ（図９参照）
　　実装工程Ｓ１０複数の実装基板
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

　また、本実施形態の製造方法Ｓ１００の各工程の説明には、以下の各発明の説明が含まれる。

（セラミック基板の製造方法に関する発明）
　本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、セラミック粉末を含む帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得る切断工程と、焼成室内に枚葉グリーンシート３０を配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、枚葉グリーンシート３０を焼結させてセラミック基板４０を得る焼結工程と、を含み、
　前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が６５０℃以下の温度になった場合に前記焼成室内の温度を急冷する（図１、図２Ｂ、図２Ｃ、図３Ｂ等参照）。
　さらに、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、前記焼結工程の後に冷却したセラミック基板４０の全周縁側の部分を切断する切断工程を含む（図１、図４Ａ参照）。

（マザーボードの製造方法に関する発明）
　本実施形態のマザーボード６０の製造方法は、前述のセラミック基板の製造方法と、セラミック基板４０の表面４０Ａ１側に第１金属層５０Ａを固定し、裏面４０Ａ２側に第２金属層５０Ｂを固定する固定工程と、を含む（図６Ａ参照）。

（回路基板の製造方法に関する発明）
　本実施形態の回路基板６０Ｃの製造方法は、前述のマザーボード６０の製造方法と、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのいずれか一方（本実施形態の場合は一例として第１金属層５０Ａ）に、少なくとも１つの回路パターンＣＰを形成するパターン形成工程と、を含む（図７、図８等参照）。

（複数の回路基板の製造方法）
　本実施形態の複数の回路基板６０Ｃの製造方法は、前述のマザーボード６０の製造方法と、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのいずれか一方（本実施形態の場合は一例として第１金属層５０Ａ）に、複数の回路パターンＣＰを形成するパターン形成工程と、複数の回路パターンＣＰが形成されたマザーボード６０を、それぞれが１つの回路パターンＣＰを備える複数の回路基板６０Ｃに分割する分割工程と、を含む（図７～図９等参照）。

　以下、各工程について説明する。

＜グリーンシート形成工程及び焼結工程＞
　本実施形態における、グリーンシート形成工程Ｓ１及び焼結工程Ｓ２を組み合せてこれらの記載順で行う工程は、セラミック基板４０の製造方法に相当する。
　以下、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法について、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｒ並びに図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら説明する。

　ここで、セラミック基板４０は、一例として、電気自動車、鉄道車両その他産業機器に搭載されるパワーモジュール用の回路基板又は実装基板が備えるセラミック基板である。セラミック基板４０は、一例として、後述する枚葉グリーンシート３０（図２Ｃ参照）を積層した状態で焼結して得られる（図３Ａ参照）。また、枚葉グリーンシート３０は、帯状グリーンシート２０（図２Ｂ及び図２Ｃ参照）を切断して得られる。すなわち、セラミック基板４０と枚葉グリーンシート３０との関係は、完成品と中間品（完成品になる前の工程で製造された物）との関係、又は、第１中間品と第２中間品（第１中間品になる前の工程で製造された物）との関係を有する。そのため、本実施形態の枚葉グリーンシート３０は、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法の中間段階までの工程で製造される。
　なお、本実施形態のセラミック基板４０は、一例として、矩形の板である（図３Ｄ、図３Ｇ、図３Ｊ、図３Ｍ、図３Ｐ、図５等参照）。

＜グリーンシート形成工程＞
　以下、グリーンシート形成工程Ｓ１について、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄを参照しながら説明する。本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１は、スラリー作製工程Ｓ１１と、成形工程Ｓ１２と、切断工程Ｓ１３と、堆積工程Ｓ１４と、脱脂工程Ｓ１５とを含み、これらの記載順で行われる（図１及び図２Ａ参照）。

〔スラリー作製工程〕
　スラリー作製工程Ｓ１１を説明する。本工程は、後述する原料粉末と有機溶剤とを混合して、スラリー１０を作成する工程である。本工程で作製されたスラリー１０（図２Ｂ参照）は、次の工程（成形工程Ｓ１２）で帯状グリーンシート２０に成形される。

　スラリー１０の原料粉末は、後述する主成分と焼結助剤とを含有する粉末である。主成分は一例として８０重量％～９８．３質量％の窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）であり、焼結助剤は一例として１重量％～１０質量％（酸化物換算）の少なくとも１種の希土類元素及び０．７重量％～１０質量％（酸化物換算）のマグネシウム（Ｍｇ）である。窒化珪素の粉末のα化率は、セラミック基板４０の密度、曲げ強度及び熱伝導率を考慮すると、好ましくは２０％～１００％である。
　ここで、本明細書で使用する「～」の意味について補足すると、例えば「２０％～１００％」は「２０％以上１００％以下」を意味する。そして、本明細書で使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。

　窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の原料粉末における割合を一例として８０重量％～９８．３質量％とする理由は、得られるセラミック基板４０の曲げ強度及び熱伝導率が低すぎないこと、焼結助剤の不足によるセラミック基板４０の緻密性を担保すること等による。

　以下、説明の簡略化のために、窒化珪素の原料粉末をＳｉ_３Ｎ_４粉末（別名は窒化珪素粉末、セラミック粉末の一例）、Ｍｇの原料粉末をＭｇＯ粉末、希土類元素原料の粉末をＹ_２Ｏ_３粉末と表記する。ただし、窒化珪素の原料粉末及び焼結助剤の原料粉末は、それぞれ、Ｓｉ_３Ｎ_４粉末並びにＭｇＯ粉末及びＹ_２Ｏ_３粉末でなくてもよい。

　そして、前述のように配合されたＳｉ_３Ｎ_４粉末、ＭｇＯ粉末及びＹ_２Ｏ_３粉末と、可塑剤、有機バインダー及び有機溶剤とを混合して、スラリー１０が作製される。そのため、本工程で作製されるスラリー１０は、セラミック粉末を含む。

　以上が、スラリー作製工程Ｓ１１についての説明である。

〔成形工程〕
　次に、成形工程Ｓ１２について説明する。本工程は、図２Ｂに示すように、スラリー１０から帯状グリーンシート２０を製造する工程である。

　本工程は、一例として、図２Ｂに示すドクターブレード成形装置１００を用いて行われる。ここで、ドクターブレード成形装置１００は、ベルト搬送機構１１０と、成形ユニット１２０と、加熱ユニット１３０とを備えている。ベルト搬送機構１１０は、上流側のローラ１１２Ａ、下流側のローラ１１２Ｂ及びベルト１１４を有し、下流側のローラ１１２を駆動させて、ベルト１１４を上流側のローラ１１２から下流側のローラ１１２に（Ｘ方向に沿って）移動させる。成形ユニット１２０は、ベルト１１４の上側（ベルト１１４よりもＺ方向側）に配置され、ベルト１１４に対向している。成形ユニット１２０は、スラリー１０を収容する収容部１２２とドクターブレード１２４とを有する。

　そして、成形ユニット１２０は、図２Ｂに示すように、自重及び移動するベルト１１４との付着力により収容部１２２から持ち出されるスラリー１０を、ドクターブレード１２４により規制して定められた膜厚を有するシート状にする。加熱ユニット１３０は、定められた膜厚にされたベルト１１４上のスラリー１０に温風ＷＣを吹き付けてスラリー１０をシートにする（有機溶剤を気化させる）。その結果、成形工程Ｓ１２では、スラリー１０から定められた幅（図中Ｙ方向が幅方向に相当）の帯状グリーンシート２０が作製される。すなわち、成形工程Ｓ１２では、スラリー１０をドクターブレード成形により帯状にして、一例としてＳｉ_３Ｎ_４（セラミック）を含んで構成される帯状グリーンシート２０を得る。

　なお、本工程は、一例として、スラリー作製工程Ｓ１１で作製されたスラリー１０の脱泡をし、かつ、スラリー１０を増粘させた後に行われる。また、本工程で作製される帯状グリーンシート２０の膜厚は、最終的に製造されるセラミック基板４０の膜厚を考慮して設定される。これに伴い、スラリー１０を定められた膜厚に規制するためのドクターブレード１２４の規制条件（ベルト１１４との離間距離等）も最終的に製造されるセラミック基板４０の膜厚を考慮して設定される。

　以上が、成形工程Ｓ１２についての説明である。

〔切断工程〕
　次に、帯状グリーンシート２０の切断工程Ｓ１３について説明する。本工程は、図２Ｃに示すように、帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造する工程である。

　本工程は、一例として、図２Ｃに示す切断装置２００を用いて行われる。ここで、切断装置２００は、シート搬送機構２１０と、切断部２２０とを備えている。
　シート搬送機構２１０は、支持部２１２と、第１搬送部２１４と、第２搬送部２１６とを有する。支持部２１２は、成形工程Ｓ１２で作製された帯状グリーンシート２０が外周面に巻き付けられているローラ１１２Ｂ（図２Ｂ及び図２Ｃ参照）を回転可能に支持する。第１搬送部２１４は、支持部２１２から搬送された帯状グリーンシート２０の姿勢を整えて帯状グリーンシート２０をＸ方向に沿って（帯状グリーンシート２０の長手方向に沿って）切断部２２０に搬送する。第２搬送部２１６は、切断部２２０で帯状グリーンシート２０が切断されて作製された枚葉グリーンシート３０を更に下流に（Ｘ方向に）搬送する。
　また、切断部２２０は、筐体２２２と、照射部２２４と、移動機構２２６とを有している。照射部２２４は、一例として、レーザー光ＬＢを照射する。移動機構２２６は、照射部２２４を帯状グリーンシート２０の短手方向（図中Ｙ方向）の一端から他端に亘って走査させる。照射部２２４及び移動機構２２６は、筐体２２２に取り付けられている。

　そして、本実施形態の切断装置２００は、シート搬送機構２１０により帯状グリーンシート２０を枚葉グリーンシート３０の長さ分搬送して帯状グリーンシート２０を停止させ、切断部２２０により帯状グリーンシート２０を切断する。この場合、切断部２２０は、移動機構２２６により照射部２２４をＹ方向に沿って帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘って移動させながら、照射部２２４にレーザー光ＬＢを照射させる（図２参照）。また、移動機構２２６により走査される照射部２２４は、レーザー光ＬＢを間欠的に照射する。ここで、「間欠的に」とは、一定期間照射することと一定期間照射しないこととを繰り返すことを意味する。そのため、移動機構２２６は、照射部２２４が移動と停止とを繰り返すようにして、照射部２２４を走査させる（図２Ｄ参照）。
　以上のようにして、本工程では、帯状グリーンシート２０にレーザー光ＬＢを照射することで帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得る。なお、レーザー光ＬＢは、帯状グリーンシート２０を切断することができれば、炭酸ガスレーザー光、赤外線レーザー光、紫外線レーザー光その他のレーザー光でもよい。また、本工程の説明では、一例として図２Ｃに示す切断装置２００を用いて帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を製造するとしたが、帯状グリーンシート２０から枚葉グリーンシート３０を製造することができれば、他の方法を用いてもよい。例えば、プレス加工装置（図示省略）を用いて、プレスにより帯状グリーンシート２０を打ち抜いて枚葉グリーンシート３０を製造してもよい。

　本実施形態に係るセラミック基板４０は、矩形であることが好ましい。また、セラミック基板４０の表面における対角線の長さが１５０ｍｍ以上であることが好ましく、２００ｍｍ以上であることがより好ましく、２３６ｍｍ以上であることが特に好ましい。上限には特に制限はないが、例えば２５４ｍｍ以下とすることができる。
　本実施形態に係るセラミック基板４０は、その厚みを０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下とすることができ、好ましくは０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下、より好ましくは０．２５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。

　以上が、帯状グリーンシート２０の断工程Ｓ１３についての説明である。

〔堆積工程〕
　次に、堆積工程Ｓ１４について説明する。本工程は、図３Ａに示すように、複数の枚葉グリーンシート３０をその厚み方向に重ねる工程である。本工程は、後の工程（焼結工程Ｓ２）で効率的に枚葉グリーンシート３０を焼結させるための工程である。

　本工程では、図３Ａに示すように、複数の枚葉グリーンシート３０を、後述する非反応性粉末層（図示省略）を介して堆積する。ここで、枚葉グリーンシート３０を重なる枚数が少ないと、後の焼結工程Ｓ２において焼結炉（図示省略）で一度に処理できる枚数が少なくなる（生産効率が低くなる）。これに対して、枚葉グリーンシート３０を重ねる枚数が多いと、次の工程（脱脂工程Ｓ１５）において枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダーが分解し難くなる。以上の理由により、本工程において枚葉グリーンシート３０を重ねる枚数は８枚～１００枚、好ましくは３０枚～７０枚である。

　また、本実施形態の非反応性粉末層は、一例として、膜厚が約１μｍ～２０μｍの窒化硼素粉末層（ＢＮ粉末層）である。ＢＮ粉末層は、次の工程（焼結工程Ｓ２）後にセラミック基板４０を容易に分離させる機能を有する。ＢＮ粉末層は、ＢＮ粉末のスラリーとして、各枚葉グリーンシート３０の一面に、例えばスプレー、ブラシ塗布、ロールコーター、スクリーン印刷等によって塗布される。なお、ＢＮ粉末は８５％以上の純度で、好ましくは平均粒径が１μｍ～２０μｍである。

　以上が、堆積工程Ｓ１４についての説明である。

〔脱脂工程〕
　次に、脱脂工程Ｓ１５について説明する。本工程は、枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤を、次の工程（焼結工程Ｓ２）の前に脱脂するための工程である。
　本工程では、一例として、堆積工程Ｓ１４で重ねた複数の枚葉グリーンシート３０（図３Ａ参照）を４５０℃～７５０℃の温度環境下で、０．５時間～２０時間保持する。その結果、複数の枚葉グリーンシート３０に含まれるバインダー及び可塑剤が脱脂される。

　以上が、脱脂工程Ｓ１５についての説明である。また、以上が、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１についての説明である。

＜焼結工程＞
　次に、焼結工程Ｓ２について、図３Ａ～図３Ｒを参照しながら説明する。本工程は、堆積工程Ｓ１４で重ねられて、脱脂工程Ｓ１５でバインダー及び可塑剤が脱脂された複数の枚葉グリーンシート３０（以下、図３Ａの複数の枚葉グリーンシート３０という。）を、焼結装置（図示省略）を用いて焼結させる工程である。

　焼結装置は、焼結炉と、制御装置とを備えている。焼結炉は、温度調整機構と、焼成室と、焼成室内の温度を計測する温度計とを有する。温度調整機構は、焼成室内を昇温する昇温部（一例としてヒーター）及び焼成室内を冷却する冷却部（一例として水冷管）を有する。そして、本工程では、図３Ａの複数の枚葉グリーンシート３０を焼結室内に配置した状態で、焼成室内の温度が後述する温度制御プログラムに従う温度で変化するように、制御装置が温度調整機構を制御する。

　温度制御プログラムは、制御装置が有する記憶装置（例えば、ＲＯＭ等）に記憶されている。そして、温度制御プログラムとは、制御装置が温度計の温度情報を参照しながら温度調整機構により温度制御を行う（例えば、ＰＩＤ制御等）ためのプログラムである。具体的に、温度制御プログラムは、焼成室内の温度プロファイルを、徐熱域を有する昇温域Ｆ１と、温度保持域Ｆ２と、冷却域Ｆ３とで構成され、これらの記載順で進行するプロファイルにするためのプログラムである（図３Ｂ参照）。以下、昇温域Ｆ１、温度保持域Ｆ２及び冷却域Ｆ３の技術的意義について説明する。

〔昇温域〕
　昇温域Ｆ１は、各枚葉グリーンシート３０に含まれる焼結助剤が窒化珪素粒子の表面の酸化層と反応して液相を生成するための温度域である。本実施形態の昇温域Ｆ１は、図３Ｂに示すように、一例として約１２時間で室温から１６００℃～２０００℃の範囲内の温度（本実施形態の場合は一例として約１８００℃）まで段階的に昇温するのが好ましい。昇温域Ｆ１では、α型窒化珪素の粒成長が抑えられ、液相化した焼結助剤中で窒化珪素粒子が再配列して緻密化する。その結果、次の温度保持域Ｆ２を経て、空孔径及び気孔率が小さく、曲げ強度が強く、熱伝導率の高いセラミック基板４０が得られる。また、１２００℃以上の温度域では窒化珪素の分解を抑制するため、窒素加圧中（０．８ＭＰａ～０．９ＭＰａ）で焼成することが好ましい。

〔温度保持域〕
　温度保持域Ｆ２は、昇温域Ｆ１で生成された液相から、窒化珪素粒子の再配列、β型窒化珪素結晶の生成及び窒化珪素結晶の粒成長を増進させ、焼結体であるセラミック基板４０を更に緻密化させるための温度域である。
　温度保持域Ｆ２の温度は、β型窒化珪素粒子の大きさ及びアスペクト比（長軸と短軸の比）、焼結助剤の揮発による空孔の形成等を考慮して、１６００℃～２０００℃の範囲内の温度とし、保持時間を１時間～３０時間（本実施形態の場合は一例として約８時間）とするのが好ましい。温度保持域Ｆ２の温度が１６００℃未満であると、セラミック基板４０が緻密化し難い。これに対して、温度保持域Ｆ２の温度が２０００℃を超えると、焼結助剤の揮発及び窒化珪素の分解が激しくなり、セラミック基板４０が緻密化し難い。なお、温度保持域Ｆ２の温度が１６００℃～２０００℃の範囲内の温度であれば、温度保持域Ｆ２の温度は時間に対して変化するように設定してもよい（例えば徐々に昇温するように設定してもよい）。
　ここで、温度保持域Ｆ２の温度はより好ましくは１７５０℃～１９５０℃の範囲内の温度であり、更に好ましくは１８００℃～１９００℃の範囲内の温度である。さらに、温度保持域Ｆ２の温度は徐熱域Ｆ１の温度の上限より５０℃以上高いことが好ましく、更に好ましくは１００℃～３００℃以上高い温度である。温度保持域Ｆ２の保持時間は２時間～２０時間がより好ましく、更に好ましくは３時間～１０時間である。

〔冷却域（急冷域を含む。）〕
　冷却域Ｆ３は、温度保持域Ｆ２で維持された液相を冷却して固化し、得られる粒界相の位置を固定するための温度域である。なお、本実施形態の冷却域Ｆ３には、後述する急冷域Ｆ４が含まれる。

　冷却域Ｆ３の冷却速度は、液相の固化を迅速に行って粒界相分布の均一性を維持するために、１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が更に好ましい。実用的な冷却速度は、５００℃～６００℃／時間が好ましい。以上のような冷却速度による液相の冷却によって、固化する焼結助剤の結晶化を抑制し、ガラス相を主体とした粒界相が形成される。その結果、セラミック基板４０の曲げ強度を高めることができる。
　なお、前述のとおり、冷却域Ｆ３は、温度制御プログラムにおける、昇温域Ｆ１及び温度保持域Ｆ２の後の温度域である（図３Ｂ参照）。そのため、本実施形態の冷却域Ｆ３は、昇温域Ｆ１及び温度保持域Ｆ２により焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで焼成室内を加熱した後に、焼成室内を冷却する温度域といえる（図３Ｂ参照）。

　次に、急冷域Ｆ４について図３Ｂを参照しながら説明する。本実施形態の冷却域Ｆ３は、その進行の途中で更に冷却温速度を大きくする温度領域を有する。本実施形態では、この「更に冷却速度を大きくする温度領域」のことを、急冷域Ｆ４という。本実施形態の急冷域Ｆ４は、一例として焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に開始される。なお、本実施形態において、急冷域Ｆ４を行う時間は、一例として、冷却域Ｆ３を行う時間の約半分以下の時間となっている。なお、冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義（図３Ｃ～図３Ｒ等参照）については後述する。
　本工程が終了すると、複数のセラミック基板４０が重ねられた状態で製造される（図３Ａ参照）。

　以上が、焼結工程Ｓ２についての説明である。

＜外周部分切断工程（セラミック基板４０の切断工程）＞
　次に、外周部分切断工程Ｓ３について、図４Ａを参照しながら説明する。本工程は、焼結工程Ｓ２を経て製造されたセラミック基板４０の全周縁側の部分を切断する工程（切断工程）である。具体的には、本工程では、レーザー加工機（図示省略）を用いて、焼結工程Ｓ２後のセラミック基板４０の全周縁側の一例として３ｍｍ以下の幅の部分を切断する。この場合、レーザー加工機のレーザー光源は、切断する部分に沿ってレーザー光を間欠的に照射する。その結果、本工程により、全周縁の部分が切断されたセラミック基板４０が製造される。なお、本工程を行うことの技術的意義（図４Ｂ参照）について後述する。また、本実施形態では、レーザー加工機を用いてレーザー光を間欠的に照射することで行うとしたが、外周縁の部分を切断することができれば、本工程は他の方法により行ってもよい。例えば、連続的なレーザー光の照射による切断方法、研磨加工による切断方法その他の切断方法であってもよい。

　以上が、外周部分切断工程Ｓ３についての説明である。そして、以上が、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法についての説明である。

〔冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義〕
　次に、冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義について図３Ｂ及び図３Ｃを参照しながら説明する。
　ここで、図３Ｂは、焼結工程Ｓ２における焼成温度のプロファイル（試験により検討した条件も含む。）を示すグラフである。前述のとおり、本実施形態では、一例として焼成室内の温度が６５０℃以下のいずれかの温度になった場合に、急冷域Ｆ４が開始される。ここで、図３Ｂのグラフに示すように、本願の発明者らは、急冷域Ｆ４の開始温度（急冷開始温度）を、１２００℃、１０５０℃、８００℃、６５０℃及び４００℃に設定した場合のセラミック基板４０の反り量を測定する試験を行った。図３Ｃは、その結果のグラフ、すなわち、焼結工程Ｓ２における急冷開始温度と、反り量との関係を示すグラフである。図３Ｃのグラフによれば、急冷開始温度が低いほど、セラミック基板４０の反り量が小さくなる傾向になることが分かる。そして、反り量は、一例として、最大で２μｍ以下であることが好ましい。その理由は、回路パターンの形成工程（レジスト印刷工程Ｓ６及びエッチング工程Ｓ７）又は電子部品の実装工程Ｓ１０の際に容易に取り扱いが可能となるためである。そして、図３Ｃのグラフから分かるように、急冷開始温度が高いほど、反り量が大きく、反り量がばらつく。これは、急冷開始温度が高いほど、急冷によるセラミック基板４０の部分的な歪の影響が大きいことを意味する。なお、本願発明者は、反り量が小さい場合、具体的には、反り量が２μｍ以下である場合、最大凸量（凸量または凹量の最大値）は、矩形形状を呈するセラミック基板４０の外周の辺上（すなわち外周縁部分）に発生する傾向が高いという知見を得た。換言すると、回路パターンはセラミック基板４０の外周縁部分の所定幅には形成されないため、その部分に発生する最大凸量の影響を受けることが少なくなる。すなわち、回路パターンへ影響を与える反り量は実質的には小さくなる。
　一方で、図３Ｃのグラフから分かるように、急冷開始温度が４００℃と６５０℃の場合、反り量のばらつきを考慮しても、セラミック基板４０の反り量は反り量の最大許容値未満（この場合は２μｍ未満）となる。また、急冷開始温度の極端な引き下げ（例えば４００℃以下）をすると、焼成時間の延長による生産性の低下に繋がる。
　そこで、本実施形態では、反り量と、焼成時間の短縮化とのバランスを考慮し、急冷開始温度が４００℃～６５０℃が適切な範囲であるとしている。
　なお、焼成時間の短縮化を考慮しなければ、急冷開始温度を４００℃未満としてもよい。
　以上が、冷却域Ｆ３に急冷域Ｆ４を設定することの技術的意義である。

〔外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義〕
　次に、外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義について図４Ｂを参照しながら説明する。
　本願の発明者らは、急冷開始温度が６５０℃の場合を一例として、外周部分の切断幅を、０ｍｍ（切断無し）、３ｍｍ、６ｍｍ及び９ｍｍに設定した場合のセラミック基板４０の反り量を測定する試験を行った。図４Ｂは、その結果のグラフ、すなわち、外周部分切断工程Ｓ３における、外周部分の切断幅と、反り量との関係を示すグラフである。図４Ｂのグラフから分かるように、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなることが分かる。また、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量のばらつきが小さくなることが分かる。この理由は、セラミック基板４０における外周部分に近い部分ほど、冷却時の影響により圧縮応力又は引張応力がかかった状態であるため、このような部分を切断することでセラミック基板４０がこれらの応力から解放されると考えられる。そして、図４Ｂのグラフの結果を考慮すると、外周部分を切断する必要がある。ただし、セラミック基板４０の切断された外周部分は廃棄される、すなわち、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅は狭い方が好ましい。
　そこで、本実施形態では、外周部分の切断幅を３ｍｍ以下とすることが好ましい。
　以上が、外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義である。

　以上が、本実施形態のセラミック基板４０の特徴等についての説明である。

＜スクライブライン形成工程＞
　次に、ＳＬ形成工程Ｓ４について、図５を参照しながら説明する。本工程は、セラミック基板４０の一方の面（本実施形態では一例として表面４０Ａ１）に、複数本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬを形成する工程である。本工程が終了すると、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａが製造される。
　本工程では、セラミック基板４０の表面４０Ａ１に、照射部（図示省略）から照射したレーザー光により一例として幅方向中央に１本、長さ方向を三等分する２本の合計３本の直線部分を形成し、表面４０Ａ１の全領域を６等分された領域に区画する。ここで、各スクライブラインＳＬは、一例として、直線状に並ぶ複数の凹みにより構成されている（図６Ｂ参照）。そのため、本工程で使用される照射部（一例として、炭酸ガスレーザー光源、ＹＡＧレーザー光源等）は、例えば、レーザー光を間欠的に照射可能となっている。
　なお、各スクライブラインＳＬは、後の工程である分割工程Ｓ９（図１参照）において、セラミック基板４０を複数（本実施形態では６枚）に分割する際の切断線として用いられる。

　以上が、ＳＬ形成工程Ｓ４についての説明である。

＜金属層形成工程＞
　次に、金属層形成工程Ｓ５について、図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら説明する。
　本工程では、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを、それぞれ、ＳＬ付きセラミック基板４０Ａの表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に固定する工程である。この場合、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂは、それぞれ、ろう材（図示省略）を介して、表面４０Ａ１側及び裏面４０Ａ２側に固定される。具体的には、セラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２に、ロールコーター法、スクリーン印刷法、転写法等の方法によりペースト状のろう材を均一に塗布し、さらに、均一に塗布したペースト状のろう材を介してセラミック基板４０の表面４０Ａ１及び裏面４０Ａ２にそれぞれ第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂを接合する。ここで、本工程では、ペースト状のろう材を均一に塗布する点で、スクリーン印刷法が好ましい。また、この場合、ペースト状のろう材の粘土を５Ｐａ・ｓ～２０Ｐａ・ｓに制御することが好ましい。ペースト状のろう材中の有機溶剤量は５質量％～７質量％、バインダー量は２質量％～８質量％の範囲で配合することにより優れたペースト状のろう材を得ることができる。本工程が終了すると、マザーボード６０が製造される。
　なお、図６Ｂには、スクライブラインＳＬを構成する複数の凹みのそれぞれから裏面４０Ａ２に亘るマイクロクラックＭＣが形成されている状態を図示しているが、マイクロクラックＭＣは、後述する分割工程Ｓ９時に形成されるものである。また、マイクロクラックＭＣは、前述の外周部分切断工程Ｓ３時にも形成される。

　以上が、金属層形成工程Ｓ５についての説明である。

＜レジスト印刷工程＞
　次に、レジスト印刷工程Ｓ６について、図７を参照しながら説明する。本工程は、マザーボード６０の第１金属層５０Ａに感光性を有するレジスト膜ＰＲＦを被覆し、第１金属層５０Ａにおける３本のスクライブラインＳＬにより区画されている６つの領域に、後述する各回路パターンＣＰに相当するレジストパターンＰＲＰを形成する工程である。具体的には、本工程では、一例として露光装置（図示省略）を用いて、レジスト膜ＰＲＦにレジストパターンＰＲＰを印刷する（レジストパターンＰＲＰを硬化させ、レジスト膜ＰＲＦにおけるレジストパターンＰＲＰ以外の部分を未硬化のままとする）。その結果、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａが製造される。

　以上が、レジスト印刷工程Ｓ６についての説明である。

＜エッチング工程＞
　次に、エッチング工程Ｓ７（回路パターン形成工程の一例）について、図８を参照しながら説明する。本工程は、ＰＲＰ付きマザーボード６０Ａのレジスト膜ＰＲＦにおける未硬化のレジスト膜ＰＲＦを除去し、第１金属層５０Ａが露出した部分をエッチングし、次いで残ったレジストパターンＰＲＰを除去して、回路パターンＣＰを形成する工程である。その結果、本工程前のＰＲＰ付きマザーボード６０Ａは、３本のスクライブラインＳＬに区画されている６つの領域にそれぞれ回路パターンＣＰが形成された集合基板６０Ｂとなる。また、集合基板６０Ｂが形成されると、ＳＬ形成工程Ｓ４で形成された３本のスクライブラインＳＬのすべての部分は、第１金属層５０Ａのエッチングに伴って露出された状態となる。
　なお、本工程で形成される各回路パターンＣＰには、後述する実装工程Ｓ１０で、それぞれ、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品（図示省略）が実装される。また、前述の説明では、エッチング工程Ｓ７を回路パターン形成工程の一例としているが、レジスト印刷工程Ｓ６とエッチング工程Ｓ７との組み合せを回路パターン形成工程の一例と捉えてもよい。

　以上が、エッチング工程Ｓ７についての説明である。

＜表面処理工程＞
　次に、表面処理工程Ｓ８について説明する。本工程は、集合基板６０Ｂの複数の（本実施形態では６個の）回路パターンＣＰが形成されている側の面における、電子部品が接合される接合部分以外の部分をソルダーレジスト等の保護層（図示省略）で被覆して、当該接合部分以外の部分の表面処理を行う工程である。また、本工程は、電子部品が接合される接合部分に例えば電解めっき法によりめっき処理をして、当該接合部分の表面処理を行う。ここで、前述の説明では、エッチング工程Ｓ７の終了時の製造物を集合基板６０Ｂとしたが、表面処理工程Ｓ８の終了時の製造物、すなわち、集合基板６０Ｂを保護層で被覆した基板を集合基板と捉えてもよい。

　以上が、表面処理工程Ｓ８についての説明である。

＜分割工程＞
　次に、分割工程Ｓ９について、図９を参照しながら説明する。本工程は、集合基板６０Ｂ（又はＳＬ付きセラミック基板４０Ａ）を複数本（本実施形態では一例として３本）のスクライブラインＳＬに沿って切断して、集合基板６０Ｂを複数（本実施形態では一例として６枚）の回路基板６０Ｃに分割する工程である。

　本工程が終了すると、複数の回路基板６０Ｃが製造される。なお、本実施形態の場合、第１金属層５０Ａは、これまでの工程により、各回路基板６０Ｃの回路パターンＣＰとなる。これに対して、第２金属層５０Ｂにおける、３本のスクライブラインＳＬにより区画された領域は、これまでの工程により、各回路基板６０Ｃにおける回路パターンＣＰが形成されている側と反対側の金属層となる。そして、当該金属層は、後述する実装工程Ｓ１０により製造される実装基板（図示省略）の使用時において、回路パターンＣＰに実装される電子部品が発生させる熱を放熱するための放熱層として機能する。

　以上が、分割工程Ｓ９についての説明である。
　なお、これまでの本実施形態の製造方法の説明では、マザーボード６０に対して金属層形成工程Ｓ５を行い、その後、分割工程Ｓ９を行うとしたが、例えば、スクライブライン形成工程Ｓ４の次に分割工程Ｓ９を行ってから金属層形成工程Ｓ５から表面処理工程Ｓ８を行うようにしてもよい。

＜実装工程＞
　次に、実装工程Ｓ１０について説明する。本工程は、各回路基板６０Ｃ（図９参照）に電子部品（図示省略）を実装する工程である。本工程は、実装装置（図示省略）を用いて、各回路基板６０Ｃの回路パターンＣＰ（図９参照）における電子部品が接合される接合部分にはんだ（図示省略）を付着させて、当該接合部分に電子部品の接合端子を接合させる。

　本工程が終了すると、複数の実装基板が製造される。なお、前述の説明では、本工程は分割工程Ｓ９の後の工程としたが、本工程の後に分割工程Ｓ９を行うようにしてもよい。すなわち、本実施形態の製造方法Ｓ１００は、表面処理工程Ｓ８の後、実装工程Ｓ１０、分割工程Ｓ９の順で行ってもよい。

　以上が、実装工程Ｓ１０についての説明である。なお、複数の実装基板の製造後には、例えば、検査装置（図示省略）を用いて、回路パターンＣＰの検査、電子部品の動作の検査等が行われる。
　以上が、本実施形態の製造方法Ｓ１００についての説明である。

≪本実施形態の効果≫
　次に、本実施形態の効果について説明する。

＜第１の効果＞
　本実施形態のセラミック基板４０（図３Ａ、図３Ｄ、図３Ｇ、図３Ｊ、図３Ｍ、図３Ｐ等参照）は、前述の基本的な特徴を有する。具体的には、本実施形態のセラミック基板４０は、平面視にて矩形状のセラミック基板４０であって、その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、セラミック基板４０の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である。
　そして、本実施形態のセラミック基板４０は、前述のとおり、その両面側にそれぞれ第１金属層５０Ａ、第２金属層５０Ｂが固定されて、回路基板６０Ｃ（図９参照）に加工される。そのため、本実施形態のセラミック基板４０は、その両面側にそれぞれ第１金属層５０Ａ、第２金属層５０Ｂが固定された状態（マザーボード６０の状態）で種々の熱履歴が加わることとなる。すなわち、マザーボード６０の内部に熱歪みや熱応力が生じることとなる。
　しかしながら、本実施形態のセラミック基板４０は、前述の構成を有することで、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得る。
　特に、図３Ｓ～図３Ｗに示すような微小な凹凸が形成されるように基板を製造することで、従来の基板と比較して、隣接する層との接合性が高くなる。

＜第２の効果＞
　また、本実施形態のセラミック基板４０の一部は、前述の基本的な特徴を前提としつつ、少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分は、それぞれ、セラミック基板４０における前記一対の対角線のうちの一方の対角線で区画される２つの領域に形成されている特徴を有する（図３Ｄ、図３Ｇ、図３Ｊ及び図３Ｍ参照）。
　したがって、上記特徴を有する本実施形態のセラミック基板４０は、上記特徴を有しない態様のセラミック基板（例えば、図３Ｐ参照）に比べて、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得る。

＜第３の効果＞
　また、本実施形態のセラミック基板４０の一部は、前述の基本的な特徴を前提としつつ、少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分は、それぞれ、前記セラミック基板における前記一対の対角線で区画される４つの領域に形成されているという特徴を有する（図３Ｍ参照）。
　したがって、上記特徴を有する本実施形態のセラミック基板４０は、上記特徴を有しない態様のセラミック基板（例えば、図３Ｄ、図３Ｇ、図３Ｊ及び図３Ｍ参照）に比べて、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得る。

＜第４の効果＞
　また、本実施形態のセラミック基板４０の一部は、前述の基本的な特徴を前提としつつ、少なくとも１つの凸状部分は、複数の凸状部分であり、前記複数の凸状部分のうちの一部は、前記板厚方向の一方側に向けて凸状となるように形成され、前記複数の凸状部分のうちの残りの一部は、前記板厚方向の他方側に向けて凸状となるように形成されているという特徴を有する（図３Ｄ、図３Ｍ及び図３Ｐ参照）。
　したがって、上記特徴を有する本実施形態のセラミック基板４０は、上記特徴を有しない態様のセラミック基板（例えば、図３Ｇ及び図３Ｊ参照）に比べて、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れる回路基板を作製し得る。

＜第５の効果＞
　本実施形態のマザーボード６０は、図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の表面４０Ａ１側に固定されている第１金属層５０Ａと、セラミック基板４０における裏面４０Ａ２側に固定されている第２金属層５０Ｂと、を備える。
　そして、本実施形態のマザーボード６０が備えるセラミック基板４０は、前述の第１～第４の効果を奏する。
　したがって、本実施形態のマザーボード６０は、本実施形態のセラミック基板４０を備えることで、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減され、かつ、平坦性に優れる。

＜第６の効果＞
　本実施形態の回路基板６０Ｃは、図９に示されるように、セラミック基板４０と、セラミック基板４０の一方の面側（本実施形態では一例として表面４０Ａ１側）に形成されている回路パターンＣＰと、セラミック基板４０における他方の面側（本実施形態では一例として裏面４０Ａ２側）に固定されている金属層（第２金属層５０）と、を備える。
　そして、本実施形態の回路基板６０Ｃが備えるセラミック基板４０は、前述の第１～第４の効果を奏する。
　したがって、本実施形態の回路基板６０Ｃは、本実施形態のセラミック基板４０を備えることで、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減され、かつ、平坦性に優れる。

＜第７の効果＞
　本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、セラミック粉末を含む帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得る切断工程（図２Ｂ、図２Ｃ等参照）と、焼成室内に枚葉グリーンシート３０を配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、枚葉グリーンシート３０を焼結させてセラミック基板４０を得る焼結工程と、を含み、前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が６５０℃以下の温度になった場合に前記焼成室内の温度を急冷する（図３Ｂ参照）。
　その結果、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法によれば、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れるセラミック基板４０を製造することができる（図３Ｃ参照）。

＜第８の効果＞
　本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、さらに、焼結工程の後に冷却したセラミック基板４０の全周縁側の部分を切断する切断工程を含む（図４Ａ参照）。
　その結果、全周縁側の部分を切断されたセラミック基板４０は、冷却時の影響により圧縮応力又は引張応力がかかった状態、すなわち、特に外周縁の応力から解放される。
　その結果、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法によれば、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減された平坦性に優れるセラミック基板４０を製造することができる（図４Ｂ参照）。

＜第９の効果＞
　本実施形態のマザーボード６０の製造方法は、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法と、セラミック基板４０の表面４０Ａ１側に第１金属層５０Ａを固定し、裏面４０Ａ２側に第２金属層５０Ｂを固定する固定工程と、を含む（図６Ａ参照）。
　そして、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、前述の第７の効果を奏する。
　したがって、本実施形態のマザーボード６０の製造方法によれば、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減され、かつ、平坦性に優れるマザーボード６０を製造することができる。

＜第１０の効果＞
　本実施形態の回路基板６０Ｃの製造方法は、本実施形態のマザーボード６０の製造方法と、第１金属層５０Ａ及び前記第２金属層５０Ｂのいずれか一方（本実施形態の場合は第１金属層５０Ａ）に、回路パターンＣＰを形成するパターン形成工程と、を含む（図７、図８等参照）。
　そして、本実施形態のマザーボード６０の製造方法は、前述の第８の効果を奏する。
　したがって、本実施形態の回路基板６０Ｃの製造方法によれば、残留熱歪みや残留熱応力が顕著に低減され、かつ、平坦性に優れる回路基板６０Ｃを製造することができる。

　以上が、本実施形態の効果についての説明である。また、以上が、本実施形態についての説明である。

≪変形例≫
　以上のとおり、本発明の一例について前述の実施形態（図１～図９参照）を参照しながら説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。

　例えば、本実施形態の説明では、セラミック粉末の一例を窒化珪素として説明した。しかしながら、セラミック粉末の一例は他のセラミック粉末でもよい。例えば、窒化アルミニウム粉末でもよい。

　また、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１に含まれる成形工程Ｓ１２（図２Ａ参照）の説明では、ドクターブレード成形を用いて行うとした。しかしながら、スラリー１０を帯状グリーンシート２０に成形することができれば、成形工程Ｓ１２は他の方法により行われてもよい。例えば、成形工程Ｓ１２は、押出成形によって行われてもよい。

　また、本実施形態のグリーンシート形成工程Ｓ１に含まれる切断工程Ｓ１３（図２Ａ参照）の説明では、照射部２２４を帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘って移動させながら、帯状グリーンシート２０を切断するとした。しかしながら、結果として帯状グリーンシート２０を切断して枚葉グリーンシート３０を得ることができれば、帯状グリーンシート２０の切断箇所が本実施形態の場合のように帯状グリーンシート２０の短手方向の一端側から他端側に亘る直線部分でなくてもよい。例えば、帯状グリーンシート２０に枚葉グリーンシート３０の形をした穴を開けることで帯状グリーンシート２０から枚葉グリーンシート３０を分離する（又はくり抜く）ように、帯状グリーンシート２０を切断してもよい。すなわち、帯状グリーンシート２０を切断して得られる枚葉グリーンシート３０は、その全端面の少なくとも一部が切断面であればよい。

　また、本実施形態では、第１金属層５０Ａに回路パターンＣＰを形成するとして説明した。しかしながら、第１金属層５０Ａに回路パターンＣＰを形成せずに、第２金属層５０Ｂに回路パターンＣＰを形成してもよい。すなわち、パターン形成工程（レジスト印刷工程Ｓ６及びエッチング工程Ｓ７）では、第１金属層５０Ａ及び第２金属層５０Ｂのいずれか一方に、少なくとも１つの回路パターンＣＰを形成すればよい。

　また、本実施形態では、スクライブラインＳＬは、直線状に並ぶ複数の凹みであるとして説明した（図６Ｂ参照）。しかしながら、その機能を発揮することができれば、スクライブラインＳＬは、例えば、連続的な溝、長さ、幅等が異なる複数の凹み等であってもよい。

　また、本実施形態では、複数本のスクライブラインＳＬは、３本のスクライブラインＳＬであるとして説明した（図５参照）。しかしながら、複数本のスクライブラインＳＬは、少なくとも１本以上であればよい。

　また、本実施形態では、複数本のスクライブラインＳＬはマザーボード６０を６等分するとして説明した（図５参照）。しかしながら、複数本のスクライブラインＳＬはマザーボード６０を等分しなくてもよい。

　また、本実施形態の製造方法Ｓ１００では、ＳＬ形成工程Ｓ４を行うとして説明した（図１参照）。しかしながら、図１０に示す変形例のように、外周部分切断工程Ｓ３の後にＳＬ形成工程Ｓ４を行わずに金属層形成工程Ｓ５を行うようにしてもよい。この変形例の場合、表面処理工程Ｓ８の後に分割工程Ｓ９を行うことなく実装工程Ｓ１０を行うようにすれば（図１参照）、１枚のマザーボード６０から１枚の実装基板が製造される。

　また、本実施形態のセラミック基板４０の製造方法は、外周部分切断工程Ｓ３（図１、図４Ａ及び図４Ｂ参照）を含むとした。しかしながら、焼結工程Ｓ２の条件によっては、セラミック基板４０の反り量をその最大許容値以下にすることができるため、外周部分切断工程Ｓ３を必須の構成要素とする必要はない。

　この出願は、２０１９年１１月１５日に出願された日本出願特願２０１９－２０６７５１号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１０　スラリー
２０　帯状グリーンシート
３０　枚葉グリーンシート
４０　セラミック基板
４０　セラミック基板
４０Ａ　ＳＬ付きセラミック基板
４０Ａ１　表面
４０Ａ２　裏面
５０Ａ　第１金属層
５０Ｂ　第２金属層
６０　マザーボード（複合基板の一例）
６０Ａ　ＰＲＰ付きマザーボード
６０Ｂ　集合基板
６０Ｃ　回路基板
１００　ドクターブレード成形装置
１１０　ベルト搬送機構
１１２　ローラ
１１２Ａ　ローラ
１１２Ｂ　ローラ
１１４　ベルト
１２０　成形ユニット
１２２　収容部
１２４　ドクターブレード
１３０　加熱ユニット
２００　切断装置
２１０　シート搬送機構
２１２　支持部
２１４　第１搬送部
２１６　第２搬送部
２２０　切断部
２２２　筐体
２２４　照射部
２２６　移動機構
ＣＸ１　凸状部分
ＣＸ２　凸状部分
ＣＸ３　凸状部分
ＣＸ４　凸状部分
ＣＰ　回路パターン
Ｆ１　昇温域
Ｆ１　徐熱域
Ｆ２　温度保持域
Ｆ３　冷却域
Ｆ４　急冷域
Ｌ１　直線（第１直線）
Ｌ２　直線（第２直線）
ＬＢ　レーザー光
ＭＣ　マイクロクラック
Ｏ　交差点、中心
ＰＲＦ　レジスト膜
ＰＲＰ　レジストパターン
Ｓ１　グリーンシート形成工程
Ｓ１０　実装工程
Ｓ１１　スラリー作製工程
Ｓ１２　成形工程
Ｓ１３　切断工程
Ｓ１４　堆積工程
Ｓ１５　脱脂工程
Ｓ２　焼結工程
Ｓ３　外周部分切断工程
Ｓ４　ＳＬ形成工程（スクライブライン形成工程）
Ｓ５　金属層形成工程
Ｓ６　レジスト印刷工程
Ｓ７　エッチング工程
Ｓ８　表面処理工程
Ｓ９　分割工程
Ｓ１００　複数の実装基板の製造方法
ＳＬ　スクライブライン
ＷＣ　温風
ΔＺ_１　凸量
ΔＺ_２　凸量
ΔＺ_３　凸量
ΔＺ_４　凸量

Claims

　平面視にて矩形状のセラミック基板であって、
　その一対の対角線により形成される交差点とずれた位置に、その板厚方向の一方側又は他方側に向けて凸状となる、少なくとも１つの凸状部分が形成され、
　前記セラミック基板の対角線の長さで前記少なくとも１つの凸状部分の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以下である、
　セラミック基板。
　請求項１に記載のセラミック基板と、
　前記セラミック基板の表面側に固定されている第１金属層と、
　前記セラミック基板における裏面側に固定されている第２金属層と、
　を備える複合基板。
　請求項１又は２に記載のセラミック基板と、
　前記セラミック基板の表面側に形成されている回路パターンと、
　前記セラミック基板における裏面側に固定されている金属層と、
　を備える回路基板。
　請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であって、
　セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、
　焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、
　を含み、
　前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が６５０℃以下の温度になった場合に前記焼成室内の温度を急冷する、
　セラミック基板の製造方法。
　前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁側の部分を切断するセラミック基板の切断工程、
　を含む、
　請求項４に記載のセラミック基板の製造方法。
　請求項１に記載のセラミック基板の製造方法であって、
　セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、
　焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、
　前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁を切断するセラミック基板の切断工程と、
　を含む、
　セラミック基板の製造方法。
　前記セラミック粉末は、窒化珪素粉末又は窒化アルミニウム粉末を含む、
　請求項４～６のいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法。
　請求項４～７のいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法と、
　前記セラミック基板の表面側に第１金属層を固定し、裏面側に第２金属層を固定する固定工程と、
　を含む、
　複合基板の製造方法。
　請求項８に記載の複合基板の製造方法と、
　前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、少なくとも１つの回路パターンを形成するパターン形成工程と、
　を含む、
　回路基板の製造方法。
　請求項９に記載の複合基板の製造方法と、
　前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、複数の回路パターンを形成するパターン形成工程と、
　前記複数の回路パターンが形成された前記複合基板を、それぞれが１つの前記回路パターンを備える複数の回路基板に分割する分割工程と、
　を含む、
　複数の回路基板の製造方法。