WO2021085762A1 - 연마 시스템 - Google Patents

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WO2021085762A1
WO2021085762A1 PCT/KR2020/004344 KR2020004344W WO2021085762A1 WO 2021085762 A1 WO2021085762 A1 WO 2021085762A1 KR 2020004344 W KR2020004344 W KR 2020004344W WO 2021085762 A1 WO2021085762 A1 WO 2021085762A1
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WO
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polishing
workpiece
unit
abrasive
nozzle
Prior art date
Application number
PCT/KR2020/004344
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English (en)
French (fr)
Inventor
류재연
이기헌
한정열
박영희
유성곤
Original Assignee
주식회사 미래컴퍼니
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/06Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain

Definitions

  • An embodiment of the present invention relates to a polishing system.
  • the spindle of the polishing unit is vertical to the panel, and the polishing wheel of the polishing unit is polished in a state that is horizontal with the panel.
  • the area of the polishing wheel in contact with the surface to be processed of the panel is limited to a specific area, and as polishing proceeds, the polishing wheel becomes severely worn.
  • the size of chipping that occurs on the surface to be processed of the panel increases.
  • Chipping is an indeterminate rupture that occurs along the surface to be processed of the panel, and it is essential to minimize the size of the chipping in order to improve the polishing quality. If the size of the chipping cannot be reduced, the size of the bezel cannot be reduced to a desired level in a flat display device. In addition, problems may arise in composing a large screen by splicing multiple panels together.
  • An embodiment of the present invention relates to a polishing system capable of minimizing the size of chipping occurring on a panel during polishing.
  • One embodiment of the present invention includes a polishing unit having a grinding wheel having different sizes of abrasive grains, and a polishing unit that rotates the polishing wheel unit about a rotation axis to grind a surface to be processed in an oblique direction. System.
  • a polishing system uses a polishing unit including a polishing wheel part including abrasive grains of different sizes, and a tilting unit that adjusts the inclination of the rotation axis of the polishing unit, and the contact area between the polishing wheel part and the workpiece Can be widened, thereby reducing the size of chipping occurring on the surface to be processed.
  • the polishing system according to the embodiment of the present invention can polish the workpiece more stably by specifying the nozzle unit arranged at a specific position and angle and the overhang length of the workpiece. It is possible to further reduce the size of chipping that occurs on the surface to be processed.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a polishing system according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing in detail the polishing apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a view showing the polishing wheel of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a view comparing a polishing wheel according to an embodiment of the present invention and a conventional polishing wheel.
  • FIG. 5 is a view showing an operating state of the tilting unit of FIG. 2.
  • FIG. 6 is an enlarged view illustrating the nozzle unit of FIG. 2.
  • FIG. 7 is a view showing an operating state of the nozzle unit of FIG. 6.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the workpiece of FIG. 1.
  • FIG. 9 is a view comparing a seating state of a workpiece according to the invention example and the conventional example.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the controller of FIG. 1.
  • 11 to 13 are diagrams showing results of polishing with a polishing system according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a polishing system includes a polishing wheel unit having abrasive grains of different sizes, and rotates the polishing wheel unit about a rotation axis to polish a surface to be processed in an oblique direction.
  • a tilting unit capable of adjusting the inclination of the rotation shaft may be further included.
  • the tilting unit may adjust the tilt of the rotation shaft in a range of 45 degrees or less.
  • the polishing wheel part may include a wheel body rotating about the rotation axis and an abrasive part disposed on an outer circumferential surface of the wheel body and including the abrasive grain.
  • the abrasive portion has a size smaller than a size of the first abrasive and the first abrasive, and a second abrasive disposed between the first abrasive and the first abrasive and the first abrasive 2
  • a fixed layer for fixing the abrasive grain to the wheel body may be provided.
  • the average maximum diameter of the second abrasive grains may be 1/2 or less of the average maximum diameter of the first abrasive grains.
  • the polishing system further includes a table having a seating surface on which the workpiece is seated, and the table is disposed along the edge of the table, and the workpiece is adsorbed.
  • a plurality of adsorption holes fixed to the seating surface may be provided.
  • the workpiece so that the distance from the surface to be processed to the end of the table is smaller than the distance from the end of the table to the outermost suction hole disposed closest thereto. Can be fixed.
  • the separation distance may be 5 times or less of the thickness of the workpiece.
  • a nozzle unit may further include a nozzle unit having a plurality of nozzles for injecting a fluid to at least one of the surface to be processed or the polishing wheel part.
  • the nozzle unit includes a first nozzle disposed on one side of the polishing wheel part, a second nozzle disposed corresponding to the circumferential surface of the polishing wheel part, and the other side of the polishing wheel part.
  • a third nozzle may be disposed.
  • the plurality of nozzles may spray the fluid toward the surface to be processed and the contact surface of the polishing wheel.
  • a polishing system includes a table having a seating surface on which an object to be processed is seated, and a polishing unit which rotates a polishing wheel unit about a rotation axis to polish the surface to be processed of the object in an oblique direction.
  • the workpiece may be mounted on the table such that a separation distance from the surface to be processed to an end of the table is smaller than a distance from the end of the table to an outermost suction hole disposed closest thereto.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a polishing system 1 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing in detail the polishing apparatus 200 of FIG. 1. More specifically, FIG. 2 is a diagram showing in detail the polishing apparatus 200 including the polishing unit 210 in a state inclined by the tilting unit 220. 3 is a view showing the polishing wheel part 212 of FIG. 2.
  • a polishing system 1 may include a table 100, a polishing apparatus 200, and a controller 300.
  • the table 100 has a seating surface on which the workpiece W is seated on an upper surface.
  • a separate fixing member provided in the table 100 fixes the work piece W. Accordingly, it is possible to prevent the workpiece W from shaking during the process.
  • the fixing member may be an adsorption hole 110 (see (b) of FIG. 9).
  • a plurality of adsorption holes 110 are disposed on the seating surface of the table 100, and when the workpiece W is seated on the seating surface of the table 100, a separate suction unit (not shown) is used to suck air.
  • the workpiece W is fixed on the seating surface of the table 100.
  • a plurality of adsorption holes 110 may be disposed along the edge of the table 100. Accordingly, vibration of the workpiece W spaced apart from the end of the table 100 can be more reliably reduced.
  • the operation of the adsorption hole 110 may be controlled by the table controller 310 of the controller 300.
  • the strength of adsorption of the adsorption holes 110 or the number of operated adsorption holes 110 may be controlled in consideration of the thickness, area, overhang length, and material of the workpiece W.
  • the adsorption hole 110 is not necessarily used as the fixing member, and various types of fixing members may be used.
  • the fixing member by using a clamp unit (not shown) as the fixing member, the workpiece W can be mechanically fixed on the seating surface of the table 100.
  • the table 100 may further include a transfer unit (not shown) for transferring the workpiece W.
  • the transfer unit may be used to receive the workpiece W from another apparatus before the polishing process starts, or to transfer the polished workpiece W to another apparatus after the polishing process ends.
  • the workpiece (W) is transferred in one direction using a transfer unit.
  • One direction may be a direction perpendicular to a direction in which the surface of the workpiece W and the polishing unit 210 contact each other.
  • one direction may be the Y-axis direction of FIG. 2.
  • the transfer unit may be controlled by the table controller 310 of the controller 300.
  • the feed rate of the workpiece W can be controlled using the table controller 310, and all surfaces to be processed (polished surfaces) of the workpiece W while the polishing device 200 is fixed.
  • the operation direction of the table 100 on which the workpiece W is seated may be controlled.
  • the polishing apparatus 200 is disposed at a position spaced apart from the table 100.
  • the polishing apparatus 200 includes a polishing unit 210, a tilting unit 220, and a nozzle unit 230.
  • the polishing unit 210 includes a polishing wheel part 212 having abrasive grains of different sizes, and rotates the polishing wheel part 212 about the rotation axis AX1, Can be polished in the first direction.
  • the tilting unit 220 may adjust the inclination of the rotation shaft AX1.
  • the tilting unit 220 may be configured to change the inclination of the rotation shaft AX1 according to the usage conditions, but the rotation axis AX1 may not be changed and may be fixed to a specific inclination.
  • the first direction formed may be an oblique direction.
  • the diagonal direction may be a direction perpendicular to the rotation axis AX1.
  • the workpiece W is a member to be polished, and its material is not particularly limited.
  • the workpiece W may be a brittle substrate such as a glass substrate.
  • the thickness of the workpiece W is not particularly limited, and for example, the workpiece W may have a thickness of 0.1 mm or more and 5 mm or less.
  • the workpiece W is supported by a separate support member, and in an embodiment of the present invention, the workpiece W may be supported by the table 100.
  • the polishing unit 210 is a member that directly polishes the workpiece W, and includes a spindle 211 and a polishing wheel 212.
  • the polishing unit 210 may be disposed at a predetermined position to polish the workpiece W transferred by the transfer unit of the table 100.
  • the polishing unit 210 may be disposed to polish the side surface of the workpiece W while inclined by the tilting unit 220.
  • the spindle 211 receives power from the outside and rotates about the rotation shaft AX1. Accordingly, while the polishing wheel part 212 coupled to the lower end of the spindle 211 rotates, the workpiece W is polished. Referring to FIG. 2, the spindle 211 may rotate around a rotation axis AX1 while being coupled to the support plate 250.
  • the support plate 250 is a member for fixing or installing the polishing apparatus 200 on another member or the like.
  • the polishing wheel part 212 may include a wheel body 2121 and an abrasive part 2122.
  • the wheel body 2121 is a member constituting the skeleton of the polishing wheel part 212 and may have a disk shape partially protruding toward the spindle 211 in an embodiment of the present invention.
  • the shape of the wheel body 2121 is not particularly limited, and a shape capable of polishing the workpiece W with the abrasive part 2122 disposed on the outer circumferential surface while forming the skeleton of the polishing wheel part 212 is sufficient.
  • the abrasive part 2122 is a member for grinding the workpiece W by directly contacting the workpiece W, and is disposed on the outer circumferential surface of the wheel body 2121.
  • the abrasive part 2122 disposed on the wheel body 2121 may have a ring shape around the rotation axis AX1.
  • the abrasive part 2122 may be made of abrasive grains of various components depending on the workpiece W, and may be made of any one or a mixture of two or more of alumina (Al2O3), silicon carbide (SiC), diamond, and cubic boronitride (cBN). have.
  • the abrasive grain 2122 may be formed of abrasive grains containing diamond as a main component.
  • the abrasive portion 2122 may include a pinned layer 2122c.
  • the fixed layer 2122c maintains its shape while fixing the abrasive part 2122 to the wheel body 2121.
  • the component of the fixed layer 2122c is not particularly limited, and may include a vitrified bond, a silicate bond, a resin bond, a rubber bond, a metal bond, and the like. Can be done.
  • the component of the pinned layer 2122c may be a resin bond.
  • the abrasive portion 2122 may include a first abrasive portion 2122a and a second abrasive portion 2122b. As shown in the enlarged view of FIG. 3, the first abrasive portion 2122a and the second abrasive portion 2122b may be fixedly disposed by the fixed layer 2122c, respectively. The first abrasive part 2122a directly polishes the workpiece W.
  • the sizes of the abrasives constituting the first abrasive portion 2122a and the sizes of the abrasives constituting the second abrasive portion 2122b may be different from each other.
  • the size of the second abrasive portion 2122b may be less than 1/2 of the size of the first abrasive portion 2122a. Since the shape and size of the abrasives constituting the first abrasive portion 2122a and the second abrasive portion 2122b may not be uniform, the sizes of the first abrasive portion 2122a and the second abrasive portion 2122b are average It can be based on the maximum diameter. The average maximum diameter may be an average value calculated based on the largest diameter of the abrasive. Further, the abrasive grains of the second abrasive portion 2122b may be disposed between the abrasive grains of the first abrasive portion 2122a adjacent to each other.
  • both the first abrasive portion 2122a and the second abrasive portion 2122b may be composed of abrasive grains containing diamond as a main component.
  • FIG. 4 is a view comparing a polishing wheel according to an embodiment of the present invention and a conventional polishing wheel.
  • a pit is generated in a fixed layer disposed around the outermost abrasive part of the polishing wheel after the polishing process is finished. It can be seen that great damage occurs to the grinding wheel. This is a damage that occurs when a part of the abrasive part falls off due to friction with the workpiece in the process of the polishing wheel polishing the workpiece and collides with the fixed layer while scattering the fallen abrasive grains.
  • the polishing wheel part 212 in contact with the processing surface is continuously polished only with a limited contact surface
  • the stress on the contact surface of the polishing wheel part 212 increases, and thus, the polishing wheel is further affected.
  • the processing surface of the polishing wheel becomes non-uniform, the fixed layer cannot properly fix the abrasive portion, and the polishing quality deteriorates, such as large chipping during polishing.
  • a first abrasive portion 2122a and a second abrasive portion 2122b composed of abrasive grains having different sizes in the fixed layer 2122c.
  • the second abrasive portions 2122b are disposed between the first abrasive portions 2122a. Accordingly, some of the abrasive grains of the first abrasive portion 2122a separated during the polishing process do not directly collide with the fixed layer 2122c, but collide with the second abrasive portion 2122b.
  • the second abrasive portion 2122b absorbs the impact applied to the fixed layer 2122c instead. Since the second abrasive portion 2122b has a higher rigidity than the fixed layer 2122c, even if it collides with the abrasive grains of the first abrasive portion 2122a, the damage is minimal, and the impact that occurs on the entire abrasive portion 2122 can be significantly reduced. I can.
  • the inventive example when the contact area between the surface to be processed (polished surface) and the polishing wheel part 212 of the workpiece W is increased by tilting the rotation axis AX1 of the polishing unit 210, It is possible to relatively reduce the stress that the polishing wheel part 212 receives during polishing.
  • the inventive example compared to the conventional example, has a relatively uniform processing surface, and it can be seen that the size of the pits generated in the fixed layer 2122c is much smaller.
  • the second abrasive portion 2122b also participates in the polishing process, so that the contact area between the abrasive grains of the polishing wheel portion 212 and the workpiece W may be wider.
  • the polishing wheel part 212 can significantly reduce damage to the abrasive grain part 2122 that occurs during a polishing process compared to a conventional polishing wheel. In addition, it is possible to minimize the size of chipping that occurs on the surface to be processed of the workpiece (W).
  • the polishing unit 210 may further include a driving unit (not shown).
  • the drive unit is a member that moves the polishing wheel part 212 to a position set in advance with respect to the workpiece W.
  • the driving unit may include a first direction driving unit, a second direction driving unit, and a third direction driving unit.
  • the first, second, and third directions may correspond to the Y-axis, X-axis, and Z-axis directions of FIG. 2, respectively.
  • the polishing unit 210 may be controlled by the polishing unit controller 320 of the controller 300.
  • a moving speed of the polishing unit 210 or a rotation speed of the spindle 211 may be controlled using the polishing unit controller 320.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an operating state of the tilting unit 220 of FIG. 2.
  • the tilting unit 220 is rotatably attached to the support plate 250, so that the inclination of the polishing unit 210 can be adjusted.
  • the tilting unit 220 may adjust the tilt of the polishing unit 210 by adjusting an angle formed by the rotation axis AX1 and the axis AX2 of the spindle 211 of the polishing unit 210.
  • the axis AX2 may be an axis perpendicular to the seating surface of the table 100 or the upper surface of the workpiece W.
  • the tilting direction of the tilting unit 220 is not limited to any one direction, and the tilting direction may be set in consideration of specific conditions of the polishing process.
  • the tilting unit 220 may tilt the rotation axis AX1 of the polishing unit 210 in a counterclockwise direction.
  • the counterclockwise direction may be a rotational direction as viewed from the second direction
  • the second direction may be an X-axis direction.
  • the tilting unit 220 may adjust an angle between the rotation axis AX1 and the axis AX2. 5(a) to 5(c), by increasing the angle between the rotation axis AX1 and the axis AX2, the contact area between the grinding wheel 212 and the workpiece W can be increased.
  • ⁇ 1 may be 15°
  • ⁇ 2 may be 30°
  • ⁇ 3 may be 45°.
  • the angular range between the rotation axis AX1 and the axis AX2 is not particularly limited, but may preferably be in the range of 0° or more and 45° or less in an embodiment of the present invention. More preferably, the angle between the rotation axis AX1 and the axis AX2 may be 45°.
  • the contact area between the polishing wheel part 212 and the workpiece W is increased, thereby increasing polishing efficiency and reducing abrasion of the polishing wheel part 212 to occur on the surface to be processed of the workpiece W. You can reduce the size of the chipping.
  • the operation of the tilting unit 220 may be controlled by the tilting unit controller 330 of the controller 300 (see FIG. 10 ).
  • the tilting angle or tilting speed of the tilting unit 220 may be controlled by the tilting unit controller 330.
  • FIG. 6 is an enlarged view of the nozzle unit 230 of FIG. 2.
  • 7 is a view showing an operating state of the nozzle unit 230 of FIG. 5. More specifically, it is a view showing the operating state of the nozzle unit 230 viewed from the plane.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the workpiece W of FIG. 1.
  • the nozzle unit 230 is disposed to be spaced apart from the polishing unit 210.
  • the nozzle unit 230 may improve a polishing effect by spraying a fluid onto the polishing wheel part 212 and/or the workpiece W before or after the polishing process or during the polishing process.
  • the fluid may be a cooling water or a polishing liquid.
  • the nozzle unit 230 may include a nozzle body 231 and a spray nozzle 232.
  • the nozzle body 231 is installed on one side of the support plate 250.
  • the nozzle body 231 receives fluid from a fluid supply unit (not shown) and supplies the fluid to the spray nozzle 232.
  • the shape and size of the nozzle body 231 are not particularly limited.
  • the nozzle body 231 may be installed to be spaced apart from the support plate 250.
  • the spray nozzle 232 is a member that directly sprays the fluid onto the polishing wheel part 212 and/or the workpiece W.
  • the spray nozzle 232 receives fluid from a nozzle pipe connected to the nozzle body 231 and sprays the fluid through the nozzle head.
  • the number and position of the spray nozzles 232 are not particularly limited, but in an embodiment of the present invention, the spray nozzle 232 includes a first nozzle 232a, a second nozzle 232b, a third nozzle 232c, and a third nozzle 232c. It may include 4 nozzles (232d).
  • the spray nozzle 232 may be disposed on one side based on the rotation shaft AX1.
  • the spray nozzle 232 may be disposed on one side of the polishing unit 210.
  • the fluid injection direction of the first nozzle 232a to the fourth nozzle 232d may be toward a contact surface between the side surface of the workpiece W and the polishing wheel part 212.
  • the first nozzle 232a may be disposed in front of the polishing wheel part 212
  • the second nozzle 232b is a circle of the polishing wheel part 212. They may be disposed correspondingly on the main surface, and the third nozzle 232c and the fourth nozzle 232d may be disposed behind the polishing wheel part 212.
  • the first nozzle 232a is disposed perpendicular to the axis AX2 so that the fluid sprayed from the first nozzle 232a is sprayed toward the contact surface between the side surface of the workpiece W and the polishing wheel part 212, so that polishing is performed. It can quickly cool down the contact surface that has just been completed.
  • the size of chipping occurring in the first region A1 and the second region A2 of the workpiece W can be reduced.
  • the first area A1 represents the uppermost edge of the surface to be processed of the workpiece W
  • the second area A2 represents the remaining surface to be processed excluding the first area A1.
  • the second nozzle 232b is disposed perpendicular to the rotation axis AX1, and the fluid injected from the second nozzle 232b is sprayed toward the contact surface between the side surface of the workpiece W and the polishing wheel part 212. Accordingly, the abrasive grains separated from the abrasive grains 2122 during the polishing process can be removed. In addition, a part of the fluid injected from the second nozzle 232b enters between the polishing wheel part 212 and the surface to be processed of the workpiece W according to the rotation of the polishing wheel part 212, and the polishing wheel part 212 during the polishing process And can cool the surface to be processed of the workpiece (W). In this case, ⁇ 1 may be 45°.
  • the injection direction of the third nozzle 232c may be disposed perpendicular to the workpiece W.
  • the third nozzle 232c is arranged in parallel in a third direction (eg, the Z-axis direction in FIG. 2), so that the fluid is sprayed perpendicularly to the workpiece W from the third nozzle 232c. do.
  • the fluid sprayed from the third nozzle 232c is sprayed toward the contact surface between the side surface of the workpiece W and the polishing wheel part 212 to cool the workpiece W just before polishing proceeds, In particular, it is possible to more effectively reduce the size of chipping occurring in the first region A1 of the workpiece W.
  • the fourth nozzle 232d may be disposed between the second nozzle 232b and the fourth nozzle 232d.
  • the fourth nozzle 232d is a position at which the angle formed by the second nozzle 232b and the fourth nozzle 232d is bisected when viewed from the second direction (eg, the X-axis direction in FIG. 2 ).
  • the first to fourth nozzles 232a to 232d may be variably disposed according to the movement of the polishing unit 210.
  • the rotation axis AX1 of the polishing unit 210 changes according to the operation of the tilting unit 220, the positions of the first nozzles 232a to the fourth nozzles 232d may be changed accordingly. have.
  • the operation of the nozzle unit 230 may be controlled by the nozzle unit controller 340 of the controller 300 (see FIG. 10 ).
  • the position of the injection nozzle 232, the injection intensity, and the injection amount of the fluid may be controlled by the nozzle unit controller 340.
  • 9 is a view for comparing the seating state of the workpiece (W) according to the invention example and the conventional example.
  • 9(a) is a conventional example, and has a distance L1 in which the surface of the workpiece W is separated from the end of the table T (hereinafter, referred to as “overhang length”).
  • overhang length a distance in which the surface of the workpiece W is separated from the end of the table T.
  • FIG. 9(b) is a view showing a state in which the work piece W is seated on the table 100 according to an embodiment of the present invention, and the overhang length of the work piece W is relative to that of the conventional example L1. As short as L2. Accordingly, vibration occurring in the workpiece W protruding outward of the table 100 may be reduced.
  • the overhang length may be 0.1 mm or more and 5 mm or less. Alternatively, the length of the overhang may be less than 5 times the thickness of the workpiece (W).
  • the table 100 may further include a fixing member for fixing the workpiece W on the seating surface.
  • a fixing member for fixing the workpiece W on the seating surface.
  • the workpiece W is fixed on the seating surface of the table 100 using a plurality of suction holes 110 disposed on the upper surface of the table 100 can do. Accordingly, it is possible to further reduce the vibration of the workpiece W due to vibration generated during the polishing process. More preferably, since the suction hole 110 is disposed along the edge of the table 100, it is possible to further reduce the vibration of the workpiece W.
  • the length of the overhang (L2) protruding to the outside of the table 100 is the outermost suction hole located at the end of the table among the plurality of suction holes 110 disposed on the upper surface of the table 100 and the length to the end (E1) It is desirable to make it shorter (E1> L2).
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the controller 300 of FIG. 1.
  • the polishing system 1 may further include a controller 300.
  • the controller 300 is a member that controls the main components of the polishing system 1 and may be connected to the table 100 and/or the polishing apparatus 200.
  • the controller 300 may include a table control unit 310, a polishing unit control unit 320, a tilting unit control unit 330, and a nozzle unit control unit 340.
  • the table control unit 310 considers the thickness, area, overhang length, material, etc. of the workpiece W, the transfer speed of the transfer unit or the adsorption strength of the adsorption hole 110, and the operation adsorption hole ( 110) can be controlled.
  • the polishing unit controller 320 may control a moving speed of the driving unit of the polishing unit 210 or a rotation speed of the spindle 211.
  • the tilting unit controller 330 may control a tilting angle or a tilting speed of the tilting unit 220.
  • the nozzle unit controller 340 may control the position of the spray nozzle 232, the intensity and the amount of fluid sprayed from the spray nozzle 232.
  • 11 to 13 are views showing results of polishing with the polishing system 1 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 11 is a view showing the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece W according to whether or not the polishing unit 210 is tilted and the abrasive structure of the polishing wheel (abrasive portion 2122).
  • the chipping size is very small as 24 ⁇ m. Able to know.
  • the chipping size is very large, 105 ⁇ m.
  • the chipping size is 45 ⁇ m. Accordingly, it can be seen that when the polishing unit 210 is tilted and the configuration of the abrasive grain 2122 is mixed abrasive, the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece W can be reduced.
  • FIG. 12 is a view showing the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece W according to the tilting angle of the tilting unit 220 and the abrasive structure of the polishing wheel.
  • the chipping size is It can be seen that it is very small at 24 ⁇ m.
  • the chipping size is respectively It can be seen that the chipping size is relatively larger than No.1 at 65 ⁇ m, 53 ⁇ m, and 45 ⁇ m.
  • the tilting angle of the tilting unit 220 it is possible to know the relationship between the tilting angle of the tilting unit 220 and the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece W according to the configuration of the abrasive part 2122.
  • the tilting angle of the tilting unit 220 it can be seen that by setting the tilting angle of the tilting unit 220 to 45°, the chipping size can be significantly reduced.
  • 13 is a view showing the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece (W) according to the length of the overhang.
  • the overhang length of No. 1 is 2 mm.
  • the chipping size is very small, 24 ⁇ m.
  • the chipping size is relatively large, 34 ⁇ m and 42 ⁇ m, respectively. Accordingly, it can be seen that by setting the overhang length to be short, the size of the chipping formed on the surface to be processed of the workpiece W can be reduced.
  • the polishing unit 210 is tilted using the tilting unit 220, but the tilting angle is set to 45°, and the abrasive grain of the abrasive part 2122 is composed of mixed abrasive grains, and the overhang length is reduced, so that the chipping size It can be seen that can be minimized.
  • the polishing system 1 adjusts the inclination of the polishing unit 210 including the polishing wheel part 212 including abrasive grains of different sizes, and the rotation axis AX1 of the polishing unit 210 By using the tilting unit 220, the contact area between the polishing wheel unit 212 and the workpiece W can be increased, thereby reducing the size of chipping occurring on the surface to be processed of the workpiece W. .
  • the polishing system 1 according to the embodiment of the present invention polishes the workpiece W more stably by specifying the nozzle unit 230 arranged at a specific position and angle and the overhang length of the workpiece W. This can be done, and through this, the size of chipping occurring on the surface to be processed of the workpiece W can be further reduced.
  • An embodiment of the present invention may provide a polishing system for polishing a substrate.
  • the polishing system according to embodiments of the present invention may be applied to a semiconductor wafer, a glass substrate, or the like.

Landscapes

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Abstract

본 발명은 연마 시스템을 제공한다. 본 발명은 서로 다른 크기의 지립을 구비하는 연마휠부를 포함하며, 회전축을 중심으로 상기 연마휠부를 회전시켜, 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛을 포함하는, 연마 시스템을 제공한다.

Description

연마 시스템
본 발명의 실시예는 연마 시스템에 관한 것이다.
연마휠을 이용하여 패널을 연마하는 종래의 연마 시스템에서는 연마 유닛의 스핀들은 패널과 수직을 이루고, 연마 유닛의 연마휠은 패널과 수평을 이룬 상태에서 연마를 실시하고 있다. 이 경우, 패널의 피가공면과 접촉하는 연마휠의 영역이 특정 영역으로 한정되어, 연마가 진행됨에 따라 연마휠에 마모가 심해진다. 마모된 연마휠로 패널을 연마할 경우, 패널의 피가공면에 발생하는 치핑(chipping)의 크기가 커진다.
치핑은 패널의 피가공면을 따라 발생하는 부정형 파열(indeterminate rupture)로서, 연마 품질을 향상시키기 위해서는 치핑의 크기를 최소화하는 것이 필수이다. 이러한 치핑의 크기를 줄이지 못할 경우, 평면 디스플레이 장치에 있어서 베젤의 크기를 원하는 수준까지 줄일 수 없다. 또한, 여러 장의 패널을 이어붙여 대화면을 구성하는데 문제가 발생할 수 있다.
전술한 배경 기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지 기술이라 할 수는 없다.
본 발명의 실시예는 연마 시 패널에 발생하는 치핑의 크기를 최소화할 수 있는 연마 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예는 서로 다른 크기의 지립을 구비하는 연마휠부를 포함하며, 회전축을 중심으로 상기 연마휠부를 회전시켜, 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛을 포함하는 연마 시스템을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 연마 시스템은 서로 다른 크기의 지립을 포함하는 연마휠부를 포함하는 연마 유닛과, 연마 유닛의 회전축의 기울기를 조절하는 틸팅 유닛을 이용하여, 연마휠부와 피가공물의 접촉 면적을 넓힐 수 있고, 이를 통해 피가공물의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 연마 시스템은 특정 위치와 각도로 배치된 노즐 유닛과, 피가공물의 오버행(overhang) 길이를 특정함으로써 피가공물을 보다 안정적으로 연마할 수 있고, 이를 통해 피가공물의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 한층 더 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 연마 장치를 상세하게 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 연마휠부를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마휠과 종래의 연마휠을 비교하는 도면이다.
도 5는 도 2의 틸팅 유닛의 작동 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2의 노즐 유닛을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 노즐 유닛의 작동 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 1의 피가공물을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 9는 발명예와 종래예에 따른 피가공물의 안착 상태를 비교하는 도면이다.
도 10은 도 1의 컨트롤러를 나타내는 도면이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템으로 연마를 실시한 결과를 나타내는 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템은 서로 다른 크기의 지립을 구비하는 연마휠부를 포함하며, 회전축을 중심으로 상기 연마휠부를 회전시켜, 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 회전축의 기울기를 조절할 수 있는 틸팅 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 틸팅 유닛은 상기 회전축의 기울기를 45도 이하의 범위에서 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 연마휠부는 상기 회전축을 중심으로 회전하는 휠바디 및 상기 휠바디의 외주면에 배치되며, 상기 지립을 포함하는 지립부를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 지립부는 제1 지립, 상기 제1 지립의 크기보다 작은 크기를 가지며, 상기 제1 지립 사이에 배치되는 제2 지립 및 상기 제1 지립과 상기 제2 지립을 상기 휠바디에 대해 고정하는 고정층을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 제2 지립의 평균 최대 직경은 상기 제1 지립의 평균 최대 직경의 1/2 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 연마 시스템은 상기 피가공물이 안착되는 안착면을 구비하는 테이블을 더 포함하고, 상기 테이블은 상기 테이블의 가장자리를 따라 배치되며, 상기 피가공물을 흡착하여 상기 안착면에 고정하는 복수개의 흡착홀을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 피가공면으로부터 상기 테이블의 단부까지의 이격 거리가 상기 테이블의 단부로부터 이에 가장 근접하게 배치되는 최외곽 흡착홀까지의 거리보다 작도록 상기 피가공물을 고정시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 이격 거리는 상기 피가공물의 두께의 5배 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 피가공면 또는 상기 연마휠부 중 적어도 어느 하나에 유체를 분사하는 복수개의 노즐을 구비하는 노즐 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 노즐 유닛은 상기 연마휠부의 일측에 배치되는 제1 노즐, 상기 연마휠부의 원주면 상에 대응하여 배치되는 제2 노즐 및 상기 연마휠부의 타측에 배치되는 제3 노즐을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템에서, 상기 복수개의 노즐은 상기 피가공면과 상기 연마휠부의 접촉면을 향해 상기 유체를 분사할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템은 피가공물이 안착되는 안착면을 구비하는 테이블과, 회전축을 중심으로 연마휠부를 회전시켜 상기 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛을 포함하며, 상기 피가공면으로부터 상기 테이블의 단부까지의 이격 거리가 상기 테이블의 단부로부터 이에 가장 근접하게 배치되는 최외곽 흡착홀까지의 거리보다 작도록 상기 피가공물을 상기 테이블 상에 안착시킬 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 발명의 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시예로 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 다른 실시예에 도시되어 있다 하더라도, 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 식별부호를 사용한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템(1)을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1의 연마 장치(200)를 상세하게 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로, 도 2는 틸팅 유닛(220)에 의해 기울어진 상태의 연마 유닛(210)을 포함하는 연마 장치(200)를 상세하게 나타내는 도면이다. 도 3은 도 2의 연마휠부(212)를 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템(1)은 테이블(100), 연마 장치(200) 및 컨트롤러(300)를 포함할 수 있다.
테이블(100)은 상면에 피가공물(W)이 안착되는 안착면을 갖는다. 피가공물(W)이 테이블(100)의 안착면 상에 안착되면 테이블(100)에 구비된 별도의 고정 부재가 피가공물(W)을 고정한다. 이에 따라, 공정 중에 피가공물(W)이 흔들리는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 고정 부재는 흡착홀(110, 도 9의 (b) 참조)일 수 있다. 흡착홀(110)은 테이블(100)의 안착면에 복수개 배치되며, 별도의 흡입 유닛(미도시)을 이용해 피가공물(W)이 테이블(100)의 안착면 상에 안착되었을 때 공기를 흡입하여 피가공물(W)을 테이블(100)의 안착면 상에 고정시킨다. 바람직하게, 흡착홀(110)은 테이블(100)의 가장자리를 따라 복수개 배치될 수 있다. 이에 따라, 테이블(100)의 단부로부터 이격된 피가공물(W)의 진동을 보다 확실하게 저감할 수 있다.
한편, 흡착홀(110)의 동작은 컨트롤러(300)의 테이블 제어부(310)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 피가공물(W)의 두께, 면적, 오버행 길이, 재질 등을 고려하여 흡착홀(110)의 흡착 세기 또는 작동하는 흡착홀(110)의 개수 등이 제어될 수 있다.
다만, 고정 부재로서 반드시 흡착홀(110)을 이용하는 것은 아니며, 다양한 종류의 고정 부재를 이용할 수 있다. 예를 들어, 고정 부재로서 클램프 유닛(미도시)을 이용하여, 피가공물(W)을 테이블(100)의 안착면 상에 기구적으로 고정할 수 있다.
테이블(100)은 피가공물(W)을 이송하기 위한 이송 유닛(미도시)을 추가로 구비할 수 있다. 이송 유닛은 연마 공정이 시작되기 전에 다른 장치로부터 피가공물(W)을 전달 받거나, 연마 공정이 종료된 후에 연마된 피가공물(W)을 다른 장치로 전달하는데 이용될 수 있다. 또한, 고정 부재가 피가공물(W)을 고정하고, 연마휠부(212)가 피가공물(W)의 피가공면과 접촉한 상태에서, 이송 유닛을 이용하여 피가공물(W)을 일 방향으로 이송하여 연마 공정을 실시할 수 있다. 일 방향은 피가공물(W)의 피가공면과 연마 유닛(210)이 접촉하는 방향에 수직인 방향일 수 있다. 예를 들어, 일 방향은 도 2의 Y축 방향일 수 있다. 도 1 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 이송 유닛은 컨트롤러(300)의 테이블 제어부(310)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 테이블 제어부(310)를 이용하여 피가공물(W)의 이송 속도 등이 제어될 수 있고, 연마 장치(200)가 고정된 상태에서 피가공물(W)의 모든 피가공면(연마면)을 가공(연마)하기 위하여 피가공물(W)이 안착된 테이블(100)의 운행 방향을 제어할 수 있다.
연마 장치(200)는 테이블(100)로부터 이격된 위치에 배치된다. 연마 장치(200)는 연마 유닛(210)과, 틸팅 유닛(220)과, 노즐 유닛(230)을 포함한다. 여기서, 연마 유닛(210)은 서로 다른 크기의 지립을 구비하는 연마휠부(212)를 포함하며, 회전축(AX1)을 중심으로 연마휠부(212)를 회전시켜, 피가공물(W)의 피가공면을 제1 방향으로 연마할 수 있다. 또한, 틸팅 유닛(220)은 상기 회전축(AX1)의 기울기를 조절할 수 있다. 이때 틸팅 유닛(220)은 사용 조건에 따라 회전축(AX1)의 기울기를 가변시킬 수 있도록 구성될 수도 있지만, 회전축(AX1)이 가변되지 않고 특정 기울기로 고정될 수도 있다. 기울기가 기울여진 회전축(AX1)을 중심으로 연마휠부(212)를 회전시켜 피가공면을 연마할 경우 형성되는 제1 방향이란 사선 방향일 수 있다. 또한 사선 방향이란 회전축(AX1)과 수직인 방향일 수 있다.
피가공물(W)은 연마 대상이 되는 부재로서, 그 재질은 특별히 한정하지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 피가공물(W)은 유리 기판과 같은 취성 기판일 수 있다. 또한, 피가공물(W)의 두께는 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어 피가공물(W)은 0.1 mm 이상 5 mm 이하의 두께를 가질 수 있다. 피가공물(W)은 별도의 지지 부재에 의해 지지되며, 본 발명의 일 실시예에서 피가공물(W)은 테이블(100)에 의해 지지될 수 있다.
연마 유닛(210)은 피가공물(W)을 직접 연마하는 부재로서, 스핀들(211)과 연마휠부(212)를 포함한다. 연마 유닛(210)은 사전에 설정된 위치에 배치되어, 테이블(100)의 이송 유닛에 의해 이송되는 피가공물(W)을 연마할 수 있다. 예를 들어, 연마 유닛(210)은 틸팅 유닛(220)에 의해 기울어진 상태에서 피가공물(W)의 측면을 연마하도록 배치될 수 있다.
스핀들(211)은 외부로부터 동력을 공급받아 회전축(AX1)을 중심으로 회전한다. 이에 따라, 스핀들(211)의 하단에 결합된 연마휠부(212)가 회전하면서 피가공물(W)을 연마한다. 도 2를 참조하면, 스핀들(211)은 지지 플레이트(250)에 결합된 상태에서, 회전축(AX1)을 중심으로 회전할 수 있다. 지지 플레이트(250)는 연마 장치(200)를 다른 부재 등에 고정 또는 설치하기 위한 부재이다.
도 3을 참조하면, 연마휠부(212)는 휠바디(2121)와 지립부(2122)를 포함할 수 있다. 휠바디(2121)는 연마휠부(212)의 골격을 이루는 부재로서, 본 발명의 일 실시예에서는 스핀들(211)을 향해 일부가 돌출된 디스크 형상을 가질 수 있다. 다만 휠바디(2121)의 형상은 특별히 한정하지 않으며, 연마휠부(212)의 골격을 이루면서 외주면에 배치된 지립부(2122)로 피가공물(W)을 연마할 수 있는 형상이면 충분하다.
지립부(2122)는 피가공물(W)과 직접 접촉하여 피가공물(W)을 연마하는 부재로서, 휠바디(2121)의 외주면에 배치된다. 휠바디(2121)에 배치된 지립부(2122)는 회전축(AX1)을 중심으로 링 형상을 가질 수 있다. 지립부(2122)는 피가공물(W)에 따라 다양한 성분의 지립으로 이루어질 수 있으며, 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 다이아몬드 및 cBN(cubic boronitride) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 지립부(2122)는 다이아몬드를 주 성분으로 하는 지립으로 이루어질 수 있다.
또한, 도 3의 확대도에 나타낸 바와 같이, 지립부(2122)는 고정층(2122c)을 포함할 수 있다. 고정층(2122c)은 지립부(2122)를 휠바디(2121)에 고정하면서 그 형상을 유지한다. 고정층(2122c)의 성분은 특별히 한정하지 않으며, 비트리파이드 본드(vitrified bond), 실리케이트 본드(silicate bond), 레진 본드(resin bond), 러버 본드(rubber bond), 메탈 본드(metal bond) 등으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 고정층(2122c)의 성분은 레진 본드일 수 있다.
다른 실시예로, 지립부(2122)는 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b)를 포함할 수 있다. 도 3의 확대도에 나타낸 바와 같이, 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b)는 고정층(2122c)에 의해 각각 고정 배치될 수 있다. 제1 지립부(2122a)는 피가공물(W)을 직접 연마한다. 제1 지립부(2122a)를 구성하는 지립의 크기와 제2 지립부(2122b)를 구성하는 지립의 크기는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 지립부(2122b)의 크기는 제1 지립부(2122a)의 크기의 1/2 이하일 수 있다. 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b)를 구성하는 지립의 형상과 크기는 일률적이지 않을 수 있기 때문에, 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b)의 크기는 평균 최대 직경을 기준으로 할 수 있다. 평균 최대 직경은 지립의 가장 큰 직경을 기준으로 산출한 평균값일 수 있다. 또한, 제2 지립부(2122b)의 지립들은 서로 이웃하는 제1 지립부(2122a) 지립들 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b) 둘 다 다이아몬드를 주 성분으로 하는 지립으로 구성될 수 있다. 이러한 구성을 통해, 연마 공정에서 발생하는 충격을 저감하여 안정적으로 연마를 실시할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 연마휠과 종래의 연마휠을 비교하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 연마휠(지립부)이 단일 지립으로 구성된 종래예의 경우, 연마 공정이 종료된 후에 연마휠의 최외곽의 지립부 주변에 배치된 고정층에 피트(pit)가 발생하는 등, 연마휠에 큰 손상이 발생하는 것을 알 수 있다. 이는, 연마휠이 피가공물을 연마하는 과정에서 피가공물과의 마찰에 의해 지립부의 일부가 떨어져나가고, 떨어져나간 지립이 비산하면서 고정층과 충돌하여 발생하는 손상이다. 특히, 연마휠부의 한정된 영역만을 이용하여 피가공물(W)을 연마할 경우(예를 들면, 피가공물(W)과 연마 유닛(210)의 회전축(AX1)이 수직하여 피가공물(W)의 피가공면(연마면)과 접촉하는 연마휠부(212)의 접촉면이 작은 경우)에는 한정된 접촉면으로만 지속적으로 연마가 진행되어 연마휠부(212)의 접촉면에 스트레스가 증가하고, 이로 인해 연마휠에 더 큰 손상이 발생할 수 있다. 이 경우, 도 4에 나타낸 바와 같이, 연마휠의 가공면이 불균일해지고, 고정층이 지립부를 제대로 고정할 수 없어, 연마 중 치핑(chipping)이 크게 발생하는 등 연마 품질이 떨어지게 된다.
반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마휠부(212)의 경우, 전술한 바와 같이, 고정층(2122c)에 서로 다른 크기를 갖는 지립으로 구성된 제1 지립부(2122a)와 제2 지립부(2122b)가 배치된다. 또한 제2 지립부(2122b)는 제1 지립부(2122a)의 사이에 배치된다. 이에 따라, 연마 공정 중에 떨어져나간 제1 지립부(2122a)의 일부 지립은 고정층(2122c)과 직접 충돌하는 것이 아니라, 제2 지립부(2122b)와 충돌하게 된다. 즉, 고정층(2122c)에 가해지는 충격을 제2 지립부(2122b)가 대신 흡수하게 된다. 제2 지립부(2122b)는 고정층(2122c)보다 더 높은 강성을 갖기 때문에, 제1 지립부(2122a)의 지립과 충돌하더라도 손상이 미미하여, 지립부(2122) 전체에 발생하는 충격을 현저히 저감할 수 있다. 더욱이 본 발명의 일 실시예처럼 연마유닛(210)의 회전축(AX1)을 틸팅(tilting)시켜 피가공물(W)의 피가공면(연마면)과 연마휠부(212)의 접촉 면적을 넓힐 경우, 상대적으로 연마휠부(212)가 연마 중 받는 스트레스를 감소시킬 수 있다. 도 4를 참조하면, 종래예에 비해 발명예는 가공면이 상대적으로 균일하며, 고정층(2122c)에 발생한 피트의 크기가 훨씬 작은 것을 알 수 있다. 또한, 제2 지립부(2122b)도 연마 공정에 참여함으로써, 연마휠부(212)의 지립과 피가공물(W)의 접촉 면적이 더 넓어질 수 있다.
이와 같은 구성을 통해, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마휠부(212)는 종래의 연마휠에 비해 연마 공정 중에 발생하는 지립부(2122)의 손상을 현저히 줄일 수 있다. 또한, 피가공물(W)의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 최소화할 수 있다.
다른 실시예로, 연마 유닛(210)은 구동 유닛(미도시)을 추가로 구비할 수 있다. 구동 유닛은 연마휠부(212)를 피가공물(W)에 대해 사전에 설정된 위치로 이동하는 부재이다. 구동 유닛은 제1 방향 구동부와, 제2 방향 구동부와, 제3 방향 구동부를 포함할 수 있다. 여기서 제1 방향, 제2 방향, 제3 방향은 각각 도 2의 Y축 방향, X축 방향, Z축 방향에 대응될 수 있다. 이와 같은 구성을 통해, 피가공물(W)은 테이블(100) 상에 고정된 상태에서, 구동 유닛에 의해 연마 유닛(210)이 연마 방향으로 이동하면서 연마 공정을 실시할 수 있다.
연마 유닛(210)은 컨트롤러(300)의 연마 유닛 제어부(320)에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 연마 유닛 제어부(320)를 이용하여 연마 유닛(210)의 이동 속도 또는 스핀들(211)의 회전 속도 등이 제어될 수 있다.
도 5는 도 2의 틸팅 유닛(220)의 작동 상태를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 틸팅 유닛(220)은 지지 플레이트(250)에 회전 가능하게 부착되어, 연마 유닛(210)의 기울기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 틸팅 유닛(220)은 연마 유닛(210)의 스핀들(211)의 회전축(AX1)과 축(AX2)이 이루는 각도를 조절하여, 연마 유닛(210)의 기울기를 조절할 수 있다. 축(AX2)은 테이블(100)의 안착면 또는 피가공물(W)의 상면에 수직인 축일 수 있다.
틸팅 유닛(220)의 틸팅 방향은 어느 한 방향으로 한정하는 것은 아니며, 연마 공정의 구체적인 조건을 고려하여 틸팅 방향을 설정할 수 있다. 일 실시예로서, 틸팅 유닛(220)은 연마 유닛(210)의 회전축(AX1)을 반시계 방향으로 틸팅할 수 있다. 여기서 반시계 방향은 제2 방향에서 봤을 때의 회전 방향이며, 제2 방향은 X축 방향일 수 있다.
틸팅 유닛(220)은 회전축(AX1)과 축(AX2) 사이의 각도를 조절할 수 있다. 도 5(a) 내지 도 5(c)에 나타낸 바와 같이, 회전축(AX1)과 축(AX2) 사이의 각도를 증가시킴으로써, 연마휠부(212)와 피가공물(W)의 접촉 면적을 넓힐 수 있다. 여기서 θ1은 15°, θ2는 30°, θ3는 45°일 수 있다. 회전축(AX1)과 축(AX2) 사이의 각도 범위는 특별히 한정하지 않으나, 본 발명의 일 실시예에서는 바람직하게 0°이상 45°이하의 범위일 수 있다. 보다 바람직하게, 회전축(AX1)과 축(AX2) 사이의 각도는 45°일 수 있다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 연마휠부(212)와 피가공물(W)의 접촉 면적을 넓혀, 연마 효율을 증가시키고 연마휠부(212)의 마모를 줄여 피가공물(W)의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 줄일 수 있다.
틸팅 유닛(220)의 동작은 컨트롤러(300)의 틸팅 유닛 제어부(330)에 의해 제어될 수 있다(도 10 참조). 예를 들어, 틸팅 유닛 제어부(330)에 의해 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도 또는 틸팅 속도 등이 제어될 수 있다.
도 6은 도 2의 노즐 유닛(230)을 확대하여 나타내는 도면이다. 도 7은 도 5의 노즐 유닛(230)의 작동 상태를 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로, 평면에서 바라본 노즐 유닛(230)의 작동 상태를 나타내는 도면이다. 도 8은 도 1의 피가공물(W)을 확대하여 나타내는 도면이다.
다시 도 2 및 도 6을 참조하면, 노즐 유닛(230)은 연마 유닛(210)과 이격하여 배치된다. 노즐 유닛(230)은 연마 공정 전후 또는 연마 공정 중에 연마휠부(212) 및/또는 피가공물(W)에 유체를 분사하여, 연마 효과를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 유체는 냉각수 또는 연마액일 수 있다. 노즐 유닛(230)은 노즐 바디(231)와 분사 노즐(232)을 포함할 수 있다.
노즐 바디(231)는 지지 플레이트(250)의 일측에 설치된다. 노즐 바디(231)는 도시하지 않은 유체 공급부로부터 유체를 공급 받아, 분사 노즐(232)로 유체를 공급한다. 노즐 바디(231)의 형상 및 크기는 특별히 한정하지 않는다. 또한, 노즐 바디(231)는 지지 플레이트(250)와 이격하여 설치될 수 있다.
분사 노즐(232)은 유체를 연마휠부(212) 및/또는 피가공물(W)로 직접 분사하는 부재이다. 분사 노즐(232)은 노즐 바디(231)와 연결된 노즐 파이프로부터 유체를 공급 받아, 노즐 헤드를 통해 유체를 분사한다. 분사 노즐(232)의 개수와 위치는 특별히 한정하지 않으나, 본 발명의 일 실시예에서 분사 노즐(232)은 제1 노즐(232a), 제2 노즐(232b), 제3 노즐(232c), 제4 노즐(232d)을 포함할 수 있다. 또한, 분사 노즐(232)은 회전축(AX1)을 기준으로 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐(232)은 연마 유닛(210)보다 일측에 배치될 수 있다.
도 2 및 도 6, 도 7을 참조하면, 제1 노즐(232a) 내지 제4 노즐(232d)의 유체 분사 방향은 피가공물(W)의 측면과 연마휠부(212) 간의 접촉면을 향할 수 있다. 이와 같은 경우, 피가공물(W)의 진행 방향을 기준으로, 제1 노즐(232a)은 연마휠부(212)의 전방에 배치될 수 있고, 제2 노즐(232b)은 연마휠부(212)의 원주면 상에 대응하여 배치될 수 있으며, 제3 노즐(232c)과 제4 노즐(232d)은 연마휠부(212)의 후방에 배치될 수 있다. 특히, 제1 노즐(232a)은 축(AX2)과 수직하게 배치되어 제1 노즐(232a)로부터 분사된 유체가 피가공물(W)의 측면과 연마휠부(212)간의 접촉면을 향해 분사되어 연마가 방금 완료된 접촉면을 빨리 냉각시켜줄 수 있다. 또한, 도 8에 나타낸 바와 같이, 피가공물(W)의 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)에 발생하는 치핑의 크기를 줄일 수 있다. 여기서 제1 영역(A1)은 피가공물(W)의 피가공면 중 최상단 모서리를 나타내고, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 제외한 나머지 피가공면을 나타낸다.
제2 노즐(232b)은 회전축(AX1)에 대해 수직하게 배치되어, 제2 노즐(232b)로부터 분사된 유체가 피가공물(W)의 측면과 연마휠부(212)간의 접촉면을 향해 분사된다. 이에 따라, 연마 공정 중에 지립부(2122)로부터 떨어져나온 지립을 제거할 수 있다. 또한, 제2 노즐(232b)로부터 분사된 유체의 일부는 연마휠부(212)의 회전에 따라 연마휠부(212)와 피가공물(W)의 피가공면 사이로 들어가, 연마 공정 중 연마휠부(212)와 피가공물(W)의 피가공면을 냉각할 수 있다. 이때, φ1=45°일 수 있다.
제3 노즐(232c)의 분사 방향은 피가공물(W)에 수직으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 노즐(232c)은 제3 방향(예를 들어, 도 2의 Z축 방향)으로 평행하게 배치되어, 유체는 제3 노즐(232c)로부터 피가공물(W)에 수직으로 분사된다. 이에 따라, 제3 노즐(232c)로부터 분사된 유체는 피가공물(W)의 측면과 연마휠부(212)간의 접촉면을 향해 분사되어 연마가 진행되기 바로 전 피가공물(W)을 냉각할 수 있으며, 특히, 피가공물(W)의 제1 영역(A1)에서 발생하는 치핑의 크기를 보다 효과적으로 줄일 수 있다.
제4 노즐(232d)은 제2 노즐(232b)과 제4 노즐(232d)의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제4 노즐(232d)은 제2 방향(예를 들어, 도 2의 X축 방향)에서 보았을 때, 제2 노즐(232b)과 제4 노즐(232d)이 이루는 각도를 이등분하는 위치에 배치될 수 있다. 제4 노즐(232d)로부터 분사된 유체는 연마휠부(212)와 피가공물(W)을 냉각할 수 있으며, 특히, 피가공물(W)의 제2 영역(A2)에서 발생하는 치핑의 크기를 보다 효과적으로 줄일 수 있다. 이때, φ2= φ3=22.5°일 수 있다.
다른 실시예로, 제1 노즐(232a) 내지 제4 노즐(232d)은 연마 유닛(210)의 움직임에 따라 가변적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 틸팅 유닛(220)의 동작에 따라 연마 유닛(210)의 회전축(AX1)이 변화하는 경우, 이에 수반하여 제1 노즐(232a) 내지 제4 노즐(232d)의 위치도 변경될 수 있다.
노즐 유닛(230)의 동작은 컨트롤러(300)의 노즐 유닛 제어부(340)에 의해 제어될 수 있다(도 10 참조). 예를 들어, 노즐 유닛 제어부(340)에 의해 분사 노즐(232)의 위치, 유체의 분사 세기 및 분사량 등이 제어될 수 있다.
도 9는 발명예와 종래예에 따른 피가공물(W)의 안착 상태를 비교하는 도면이다. 도 9(a)은 종래예로서, 피가공물(W)의 피가공면이 테이블(T)의 단부로부터 이격된 거리(이하, '오버행(overhang) 길이'라고도 함) L1을 갖는다. 이와 같이, 오버행 길이가 길 경우, 연마 공정 중에 발생하는 진동 또는 미세한 충격 등에 의해, 테이블(T)의 외측으로 돌출된 피가공물(W)에 떨림이 발생하게 된다. 이에 따라, 연마휠부(212)와 피가공물(W)이 불규칙적으로 접촉하게 되어, 피가공면에 발생하는 치핑의 크기가 커진다.
반면, 도 9(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 테이블(100) 상에 피가공물(W)이 안착된 상태를 나타내는 도면으로서, 피가공물(W)의 오버행 길이는 종래예의 L1보다 상대적으로 짧은 L2이다. 이에 따라, 테이블(100)의 외측으로 돌출된 피가공물(W)에 발생하는 떨림이 저감될 수 있다. 예를 들어, 오버행 길이는 0.1 mm 이상 5 mm 이하일 수 있다. 또는, 오버행 길이는 피가공물(W)의 두께의 5배 이하일 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 다른 테이블(100)은 피가공물(W)을 안착면 상에 고정하기 위한 고정 부재를 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 9(b)에 나타낸 바와 같이, 테이블(100)의 상면에 배치된 복수개의 흡착홀(110)을 이용하여, 피가공물(W)을 테이블(100)의 안착면 상에 고정할 수 있다. 이에 따라, 연마 공정 중에 발생하는 진동에 의한 피가공물(W)의 떨림을 보다 저감할 수 있다. 보다 바람직하게, 흡착홀(110)이 테이블(100)의 가장자리를 따라 배치됨으로써, 피가공물(W)의 떨림을 더욱 저감할 수 있다. 더욱 바람직하게, 테이블(100) 외측으로 돌출된 오버행 길이(L2)는 테이블(100) 상면에 배치된 복수개의 흡착홀(110) 중 테이블 단부에 위치한 최외곽 흡착홀과 단부까지의 길이(E1)보다 짧도록 하는 것이 바람직하다(E1 > L2).
도 10은 도 1의 컨트롤러(300)를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템(1)은 컨트롤러(300)를 더 포함할 수 있다. 컨트롤러(300)는 연마 시스템(1)의 주요 구성을 제어하는 부재로서, 테이블(100) 및/또는 연마 장치(200)와 연결될 수 있다. 컨트롤러(300)는 테이블 제어부(310)와, 연마 유닛 제어부(320)와, 틸팅 유닛 제어부(330)와, 노즐 유닛 제어부(340)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 테이블 제어부(310)는 피가공물(W)의 두께, 면적, 오버행 길이, 재질 등을 고려하여, 이송 유닛의 이송 속도 또는 흡착홀(110)의 흡착 세기, 작동하는 흡착홀(110)의 개수 등을 제어할 수 있다.
연마 유닛 제어부(320)는 연마 유닛(210)의 구동 유닛의 이동 속도 또는 스핀들(211)의 회전 속도 등을 제어할 수 있다.
틸팅 유닛 제어부(330)는 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도 또는 틸팅 속도 등을 제어할 수 있다.
노즐 유닛 제어부(340)는 분사 노즐(232)의 위치, 분사 노즐(232)로부터 분사되는 유체의 세기 및 분사량 등을 제어할 수 있다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 연마 시스템(1)으로 연마를 실시한 결과를 나타내는 도면이다.
도 11은 연마 유닛(210)의 틸팅 여부와 연마휠(지립부(2122))의 지립 구성에 따른 피가공물(W)의 피가공면에 형성된 치핑 크기를 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 연마 유닛(210)을 틸팅하고 지립부(2122)의 구성이 혼합 지립(상호 다른 크기를 갖는 지립을 혼용)인 No.1의 경우, 치핑 크기가 24 μm로 매우 작은 것을 알 수 있다. 반면, 연마 유닛(210)을 틸팅하지 않고 지립부(2122)의 구성이 단일 지립(단일 크기를 갖는 지립만 사용)인 No.2의 경우, 치핑 크기가 105 μm로 매우 큰 것을 알 수 있다. 연마 유닛(210)을 틸팅하되, 지립부(2122)의 구성이 단일 지립인 No.3의 경우, 치핑 크기가 45 μm인 것을 알 수 있다. 이에 따라, 연마 유닛(210)을 틸팅하고, 지립부(2122)의 구성을 혼합 지립으로 할 경우, 피가공물(W)의 피가공면에 형성되는 치핑 크기를 줄일 수 있음을 알 수 있다.
도 12는 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도와 연마휠의 지립 구성에 따른 피가공물(W)의 피가공면에 형성된 치핑 크기를 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도를 45°로 설정하고 지립부(2122)의 구성이 혼합 지립(상호 다른 크기를 갖는 지립을 혼용)인 No.1의 경우, 치핑 크기가 24 μm로 매우 작은 것을 알 수 있다. 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도를 각각 15°, 30°, 45°로 설정하고 지립부(2122)의 구성이 단일 지립인 No.4, No.5, No.6의 경우, 치핑 크기가 각각 65 μm, 53 μm, 45 μm로 No.1에 비해 상대적으로 치핑 크기가 큰 것을 알 수 있다. 이에 따라, 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도와 지립부(2122)의 구성에 따른 피가공물(W)의 피가공면에 형성되는 치핑 크기의 관계를 알 수 있다. 특히, 틸팅 유닛(220)의 틸팅 각도를 45°로 설정함으로써, 치핑 크기를 현저히 줄일 수 있음을 알 수 있다.
도 13은 오버행 길이에 따른 피가공물(W)의 피가공면에 형성된 치핑 크기를 나타내는 도면이다.
도 13을 참조하면, 틸팅 유닛의 틸팅 각도를 45°로 설정하고 지립부(2122)의 구성이 혼합 지립(상호 다른 크기를 갖는 지립을 혼용)일 때, 오버행 길이가 2 mm인 No.1의 경우, 치핑 크기가 24 μm로 매우 작은 것을 알 수 있다. 반면, 나머지 조건은 동일한 상태에서 오버행 길이가 각각 10 mm, 20 mm인 No.7과 No.8의 경우, 치핑 크기가 각각 34 μm와 42 μm로 상대적으로 큰 것을 알 수 있다. 이에 따라, 오버행 길이를 짧게 설정함으로써, 피가공물(W)의 피가공면에 형성되는 치핑 크기를 줄일 수 있음을 알 수 있다.
또한, 틸팅 유닛(220)을 이용하여 연마 유닛(210)을 틸팅하되, 틸팅 각도를 45°로 설정하고, 지립부(2122)의 지립을 혼합 지립으로 구성하고, 오버행 길이를 줄임으로써, 치핑 크기를 최소화할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 연마 시스템(1)은 서로 다른 크기의 지립을 포함하는 연마휠부(212)를 포함하는 연마 유닛(210)과, 연마 유닛(210)의 회전축(AX1)의 기울기를 조절하는 틸팅 유닛(220)을 이용하여, 연마휠부(212)와 피가공물(W)의 접촉 면적을 넓힐 수 있고, 이를 통해 피가공물(W)의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 연마 시스템(1)은 특정 위치와 각도로 배치된 노즐 유닛(230)과, 피가공물(W)의 오버행 길이를 특정함으로써 피가공물(W)을 보다 안정적으로 연마할 수 있고, 이를 통해 피가공물(W)의 피가공면에 발생하는 치핑의 크기를 한층 더 줄일 수 있다.
본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
본 발명의 일 실시예는 기판을 연마하는 연마 시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 연마 시스템은 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등에 적용될 수 있다.

Claims (13)

  1. 서로 다른 크기의 지립을 구비하는 연마휠부를 포함하며, 회전축을 중심으로 상기 연마휠부를 회전시켜, 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛을 포함하는, 연마 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 회전축의 기울기를 조절할 수 있는 틸팅 유닛을 더 포함하는, 연마 시스템.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 틸팅 유닛은
    상기 회전축의 기울기를 45도 이하의 범위에서 조절하는, 연마 시스템.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 연마휠부는
    상기 회전축을 중심으로 회전하는 휠바디; 및
    상기 휠바디의 외주면에 배치되며, 상기 지립을 포함하는 지립부;를 구비하는, 연마 시스템.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 지립부는
    제1 지립;
    상기 제1 지립의 크기보다 작은 크기를 가지며, 상기 제1 지립 사이에 배치되는 제2 지립; 및
    상기 제1 지립과 상기 제2 지립을 상기 휠바디에 대해 고정하는 고정층;을 구비하는, 연마 시스템.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 지립의 평균 최대 직경은 상기 제1 지립의 평균 최대 직경의 1/2 이하인, 연마 시스템.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 연마 시스템은 상기 피가공물이 안착되는 안착면을 구비하는 테이블;을 더 포함하고,
    상기 테이블은
    상기 테이블의 가장자리를 따라 배치되며, 상기 피가공물을 흡착하여 상기 안착면에 고정하는 복수개의 흡착홀을 구비하는, 연마 시스템.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 피가공면으로부터 상기 테이블의 단부까지의 이격 거리가 상기 테이블의 단부로부터 이에 가장 근접하게 배치되는 최외곽 흡착홀까지의 거리보다 작도록 상기 피가공물을 고정시키는, 연마 시스템.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 이격 거리는 상기 피가공물의 두께의 5배 이하인, 연마 시스템.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 피가공면 또는 상기 연마휠부 중 적어도 어느 하나에 유체를 분사하는 복수개의 노즐을 구비하는 노즐 유닛;을 더 포함하는, 연마 시스템.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 노즐 유닛은
    상기 연마휠부의 일측에 배치되는 제1 노즐;
    상기 연마휠부의 원주면 상에 대응하여 배치되는 제2 노즐; 및
    상기 연마휠부의 타측에 배치되는 제3 노즐;을 구비하는, 연마 시스템.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 복수개의 노즐은 상기 피가공면과 상기 연마휠부의 접촉면을 향해 상기 유체를 분사하는, 연마 시스템.
  13. 피가공물이 안착되는 안착면을 구비하는 테이블; 및
    회전축을 중심으로 연마휠부를 회전시켜, 상기 피가공물의 피가공면을 사선 방향으로 연마하는 연마 유닛;을 포함하는 연마 시스템에 있어,
    상기 피가공면으로부터 상기 테이블의 단부까지의 이격 거리가 상기 테이블의 단부로부터 이에 가장 근접하게 배치되는 최외곽 흡착홀까지의 거리보다 작도록 상기 피가공물을 안착시키는, 연마 시스템.
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