WO2021079746A1 - 離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法 Download PDF

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WO2021079746A1
WO2021079746A1 PCT/JP2020/038125 JP2020038125W WO2021079746A1 WO 2021079746 A1 WO2021079746 A1 WO 2021079746A1 JP 2020038125 W JP2020038125 W JP 2020038125W WO 2021079746 A1 WO2021079746 A1 WO 2021079746A1
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release film
release
layer
mold
base material
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PCT/JP2020/038125
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雅彦 鈴木
遼 田村
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D7/00—Producing flat articles, e.g. films or sheets
    • B29D7/01—Films or sheets

Definitions

  • This disclosure relates to a method for manufacturing a release film and a semiconductor package.
  • a semiconductor chip is usually sealed with a resin to block and protect it from the outside air, and is mounted on a substrate as a molded product called a package.
  • the molded product is molded as a package for each chip connected via a runner which is a flow path of the sealing resin. The releasability of the molded product from the mold is ensured by the structure of the mold, the addition of a mold release agent to the sealing resin, and the like.
  • the releasability of the release film to the mold may be insufficient. If the release film has insufficient followability to the mold, the release film may be wrinkled or loosened during molding, and the semiconductor package may be damaged when the release film is peeled off. In addition, the appearance of the semiconductor package may be poor due to wrinkles or looseness of the release film. In addition, wrinkles or slack in the release film may cause defects in the sealing of the semiconductor package, resulting in poor performance of the semiconductor package. It is expected that the semiconductor package will be further miniaturized, thinned and highly integrated in the future, and improvement of the followability of the release film is required.
  • the embodiments of the present disclosure have been made under the above circumstances.
  • the embodiment of the present disclosure has excellent followability to a mold during molding, can be easily peeled off from the sealing resin after molding, and causes an appearance defect in the semiconductor package.
  • An object of the present invention is to provide a difficult release film and a method for manufacturing a semiconductor package using the same.
  • the base material layer is a polyester film.
  • ⁇ 4> It has a base material layer and a release layer which is arranged on one side of the base material layer and contains resin particles, has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C., and a restoration rate at a temperature of 170 ° C.
  • a release film for use in the manufacture of semiconductor packages which has a temperature of 70% or more.
  • ⁇ 5> The release film according to ⁇ 4>, wherein the volume ratio of the resin particles to the release layer is 5% by volume to 65% by volume.
  • ⁇ 6> The release film according to ⁇ 4> or ⁇ 5>, wherein the base material layer is a polyester film.
  • ⁇ 7> The release film according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, which is used for compression molding of a semiconductor package.
  • ⁇ 8> A semiconductor package in which a semiconductor chip is sealed with a sealing material using a mold on which the release film according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7> is arranged to mold a semiconductor package. Manufacturing method.
  • the resin molding in the resin molding of a semiconductor package, has excellent followability to the mold at the time of molding, and can be easily peeled off from the sealing resin after molding, resulting in a poor appearance of the semiconductor package.
  • a release film that is difficult to generate and a method for manufacturing a semiconductor package using the release film are provided.
  • the term "process” includes not only a process independent of other processes but also the process if the purpose of the process is achieved even if the process cannot be clearly distinguished from the other process. ..
  • the numerical range indicated by using "-" in the present disclosure includes the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise. ..
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • each component may contain a plurality of applicable substances.
  • the content or content of each component is the total content or content of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified.
  • a plurality of types of particles corresponding to each component may be contained.
  • the particle size of each component means a value for a mixture of the plurality of particles present in the composition unless otherwise specified.
  • the term "layer" includes not only the case where the layer is formed in the entire region but also the case where the layer is formed in a part of the region when observing the region where the layer exists. Is done.
  • (meth) acrylic means at least one of acrylic and methacrylic
  • (meth) acrylate means at least one of acrylate and methacrylate.
  • the average thickness of the layer of the release film is a value given as an arithmetic mean value obtained by measuring the thickness of five points of the target layer.
  • the thickness of the layer can be measured using a micrometer.
  • it may be measured by observing the cross section of the release film using an electron microscope.
  • the "MD direction” means a long direction in a film manufactured in a long shape
  • the "TD direction” means a direction orthogonal to the "MD direction”.
  • the "MD direction” is also referred to as a “machine direction”
  • the "TD direction” is also referred to as a "width direction”.
  • the release film of the first embodiment of the present disclosure is formed on a base material layer having a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. and a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C., and one surface of the base material layer. It has a release layer containing resin particles, which is arranged.
  • the release film of the second embodiment of the present disclosure has a base material layer and a release layer containing resin particles arranged on one side of the base material layer, and has a tensile elastic modulus at a temperature of 170 ° C. Is 150 MPa or less and the restoration rate at a temperature of 170 ° C. is 70% or more.
  • the release film of the present disclosure matters common to the release film of the first embodiment and the release film of the second embodiment will be collectively referred to as "the release film of the present disclosure”.
  • FIG. 1 schematically shows an example of the layer structure of the release film of the present disclosure.
  • the release film 10 shown in FIG. 1 includes a base material layer 20 and a release layer 30 arranged on the base material layer 20.
  • the release layer 30 contains resin particles in the layer.
  • the release film of the present disclosure is not limited to the configuration shown in FIG.
  • the release film of the present disclosure may have a second release layer on a surface of the base material layer 20 opposite to the surface on which the release layer 30 is provided, and the base material layer 20 may have a second release layer.
  • Another layer for example, antistatic layer, colored layer, etc.
  • the release layer containing resin particles comes into contact with the sealing resin when manufacturing a semiconductor package.
  • the release film of the present disclosure has excellent followability to a mold during molding in resin molding of a semiconductor package, and can be easily peeled off from a sealing resin (for example, epoxy resin) after molding, and is a semiconductor. It is unlikely to cause a poor appearance on the package.
  • the reason why the release film of the present disclosure exhibits the above performance is not always clear, but it is presumed as follows.
  • the base material layer of the release film of the first embodiment has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. and a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C., so that when heat and an external force are applied, the substrate layer has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less. It exhibits the property of maintaining its shape while being moderately deformed, and as a result, wrinkles or slacks are less likely to occur when the sealing resin flows when it is mounted on the mold and during molding, and it can follow the mold. It is presumed to be excellent.
  • the release film of the second embodiment has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C.
  • the release layer of the release film of the present disclosure contains resin particles. It is presumed that the resin particles form fine irregularities on the outer surface of the release layer, and the fine irregularities of the resin particles enhance the slipperiness of the outer surface of the release layer and contribute to the improvement of the release property. .. Further, since the fine irregularities suppress the generation of flow traces of the sealing resin, it is presumed that the semiconductor package is less likely to have an appearance defect. Further, in combination with the tensile elastic modulus and the restoration rate being in the above ranges, the resin particles are less likely to fall off from the release layer than the inorganic particles, so that the release layer containing the resin particles does not contain the resin particles and is the inorganic particles. Compared to the release layer containing the above, it is less likely to contaminate the surface of the semiconductor package and the surface of the mold.
  • the release film of the present disclosure is excellent in followability to the mold for molding, so that wrinkles or slack are less likely to occur during molding. Therefore, according to the release film of the present disclosure, (a) the possibility of damaging the semiconductor package when the release film is peeled off is low, and (b) the appearance defect due to wrinkles or slack of the release film is the semiconductor package. (C) Sealing defects of the semiconductor package due to wrinkles or slack of the release film are less likely to occur. Since the release film of the present disclosure is excellent in releasability from the sealing resin after molding, the force required for peeling the release film can be reduced. Therefore, according to the release film of the present disclosure, it is unlikely that the semiconductor package will be damaged when the release film is peeled off.
  • the release film of the present disclosure is excellent in followability to the mold when molding and is excellent in mold release from the sealing resin after molding, so that the mold has a complicated shape or is relatively deep. It can correspond to a mold having a groove. Further, the release film of the present disclosure is suitable for compression molding in which the release film is placed in a mold by vacuum adsorption or the like.
  • the release film of the present disclosure has a base material layer.
  • the base material layer is not particularly limited, and from the resin film used in the present technical field, a resin film having a tensile elastic modulus at a temperature of 170 ° C. of 150 MPa or less and a restoration rate at a temperature of 170 ° C. of 70% or more can be obtained. It is preferable to select.
  • the base material layer has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C.
  • the base material layer preferably has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer is determined by the following test method.
  • a base material layer which is a material for producing a release film, is prepared, or a layer other than the base material layer is peeled off from the release film to prepare a base material layer.
  • the base material layer is cut into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece specified in JIS K6251: 2010. Two parallel marking lines 40 mm apart are placed in the center of the test piece.
  • a tensile test is performed at a temperature of 170 ° C. using a tensile tester (for example, manufactured by A & D Co., Ltd., model number RTC-1210).
  • the tensile elastic modulus of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is 150 MPa or less from the viewpoint of improving the followability of the release film with respect to the mold.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is preferably 150 MPa or less from the viewpoint of improving the followability of the release film with respect to the mold.
  • the tensile elastic modulus of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is more preferably 130 MPa or less, further preferably 110 MPa or less, still more preferably 100 MPa or less from the above viewpoint.
  • the lower limit of the tensile elastic modulus at a temperature of 170 ° C. of the base material layer is, for example, 1 MPa or more, 2 MPa or more, and 3 MPa or more from the viewpoint of ensuring the strength required for the base material layer. is there.
  • the release film of the first embodiment preferably has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole.
  • the release film of the second embodiment has a tensile elastic modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole release film.
  • the release film of the present disclosure has a tensile elastic modulus of 130 MPa or less, more preferably 110 MPa or less, further preferably 100 MPa or less, and even more preferably 80 MPa at a temperature of 170 ° C. as a whole. The following is particularly preferable.
  • the method of obtaining the tensile elastic modulus of the release film is the same as the method of obtaining the tensile elastic modulus of the base material layer, and the release film is used as a test piece.
  • a test piece in which the length direction of the test piece coincides with the MD direction of the release film and a test in which the length direction of the test piece coincides with the TD direction of the release film. make a piece. The value obtained by averaging the tensile elastic modulus of the test piece in the MD direction and the tensile elastic modulus of the test piece in the TD direction is taken as the tensile elastic modulus of the release film.
  • the substrate layer has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C.
  • the substrate layer preferably has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C.
  • the restoration rate of the base material layer is determined by the following test method.
  • a base material layer which is a material for producing a release film, is prepared, or a layer other than the base material layer is peeled off from the release film to prepare a base material layer.
  • the base material layer is cut into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece specified in JIS K6251: 2010. Two parallel marking lines 40 mm apart are placed in the center of the test piece.
  • the test piece was installed in a tensile tester (for example, manufactured by A & D Co., Ltd., model number RTC-1210), and the test piece was stretched 100% at a tensile speed of 500 mm / min at a temperature of 170 ° C. (that is, that is).
  • the restoration rate of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is 70% or more from the viewpoint of improving the followability of the release film with respect to the mold.
  • the restoration rate of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is preferably 70% or more from the viewpoint of improving the followability of the release film with respect to the mold.
  • the restoration rate of the base material layer at a temperature of 170 ° C. is more preferably 75% to 100%, further preferably 80% to 100%, still more preferably 90% to 100% from the above viewpoint. ..
  • the release film of the first embodiment preferably has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C. as a whole.
  • the release film of the second embodiment has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170 ° C. as a whole.
  • the release film of the present disclosure has a recovery rate of 75% to 100%, more preferably 80% to 100%, and 90% to 100% as a whole release film at a temperature of 170 ° C. Is more preferable.
  • the method of obtaining the recovery rate of the release film is the same as the method of obtaining the recovery rate of the base material layer, and the release film is used as a test piece.
  • a test piece in which the length direction of the test piece coincides with the MD direction of the release film and a test in which the length direction of the test piece coincides with the TD direction of the release film make a piece.
  • the value obtained by averaging the restoration rate of the test piece in the MD direction and the restoration rate of the test piece in the TD direction is defined as the restoration rate of the release film.
  • the base material layer is preferably having heat resistance equal to or higher than this temperature.
  • the base material layer preferably contains a polyester resin from the viewpoint of heat resistance and tensile elastic modulus at high temperature.
  • the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and copolymers or modified resins thereof.
  • a polyester film obtained by molding a polyester resin is preferable, and a biaxially stretched polyester film is more preferable from the viewpoint of followability to a mold.
  • the tensile elastic modulus and the restoration rate of the base material layer can be controlled by the draw ratio or the draw temperature at the time of producing the polyester film.
  • the average thickness of the base material layer is not particularly limited, and is preferably 5 ⁇ m to 200 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the average thickness of the base material layer is 5 ⁇ m or more, the handling property is excellent and wrinkles tend to be less likely to occur.
  • the average thickness of the base material layer is 200 ⁇ m or less, the followability to the mold at the time of molding is excellent, so that wrinkles and the like are further suppressed in the semiconductor package.
  • the outer surface of the base material layer (the surface that comes into contact with the mold) may be surface-processed for the purpose of facilitating peeling from the mold.
  • the release film of the present disclosure has a release layer containing resin particles on one side of a base material layer.
  • the release layer contains at least resin particles, and may further contain a binder resin and other components.
  • the resin particles preferably contain at least one selected from the group consisting of acrylic resin, polyolefin resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin and silicone resin. From the viewpoint of the releasability of the release layer, the resin particles more preferably contain at least one selected from acrylic resin, polystyrene resin and polyacrylonitrile resin.
  • acrylic resin contained in the resin particles include homopolymers or copolymers of (meth) acrylic monomers, and include (meth) acrylic acid resin and (meth) acrylic acid ester resin (for example, alkyl (meth)).
  • Acrylic resin dimethylaminoethyl (meth) acrylate resin) and the like.
  • Examples of the (meth) acrylic monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and ( Isobutyl acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, (meth) acrylate 2-Ethylhexyl, octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, (meth
  • the polyolefin resin contained in the resin particles is not particularly limited as long as it is a homopolymer or copolymer of an olefin monomer or an alkene monomer. Specific examples thereof include polyethylene, polypropylene, polymethylpentene and the like. Examples of the polystyrene resin contained in the resin particles include homopolymers or copolymers of styrene or styrene derivatives.
  • styrene derivative examples include alkyl-substituted styrenes having an alkyl chain such as ⁇ -methylstyrene, 4-methylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 2-ethylstyrene, 3-ethylstyrene, and 4-ethylstyrene; -Halogen-substituted styrenes such as chlorostyrene, 3-chlorostyrene and 4-chlorostyrene; fluorine-substituted styrenes such as 4-fluorostyrene and 2,5-difluorostyrene; vinylnaphthalene and the like can be mentioned.
  • polyacrylonitrile resin contained in the resin particles include homopolymers and copolymers of acrylonitrile monomers.
  • the resin particles are preferably insoluble or sparingly soluble in an organic solvent (for example, toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate) that can be used for preparing the composition for forming a release layer.
  • an organic solvent for example, toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate
  • the term "insoluble or sparingly soluble in an organic solvent” means a gel component after resin particles are dispersed in an organic solvent such as toluene and held at 50 ° C. for 24 hours in a gel fraction test based on JIS K6769: 2013. It means that the rate is 97% or more.
  • the resin contained in the resin particles is preferably a crosslinked resin.
  • the average particle size of the resin particles is preferably 1 ⁇ m to 55 ⁇ m.
  • the average particle size of the resin particles is 1 ⁇ m or more, it is possible to sufficiently form irregularities on the outer surface of the release layer, and the release property of the release layer is more excellent.
  • the average particle size of the resin particles is more preferably 3 ⁇ m or more, and further preferably 5 ⁇ m or more.
  • the average particle size of the resin particles is 55 ⁇ m or less, it is not necessary to excessively increase the thickness of the release layer in order to retain the resin particles in the release layer.
  • the average particle size of the resin particles is more preferably 45 ⁇ m or less, and further preferably 35 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the resin particles is determined by the following measuring method. A part of the release film is cut out, embedded in resin, and then cut in the thickness direction of the release film to prepare a flaky sample. This flaky sample is imaged with a scanning electron microscope (SEM). In the SEM image, 100 resin particles contained in the release layer are randomly selected, and the major axis of 100 particles is measured. Let the arithmetic mean of 100 major axes be the average particle size of the resin particles.
  • SEM scanning electron microscope
  • the shape of the resin particles contained in the release layer is not particularly limited, and may be spherical, plate-shaped, or amorphous.
  • resin particles include tough tic series such as tough tic FH-S010 (Toyobo Co., Ltd.) which are acrylic resin particles.
  • the volume ratio of the resin particles to the release layer is preferably 5% by volume to 65% by volume from the viewpoint of improving the releasability of the release layer and suppressing contamination of the surface of the semiconductor package.
  • the volume ratio of the resin particles is 5% by volume or more, it is possible to sufficiently form irregularities on the outer surface of the release layer, and the release property of the release layer is more excellent.
  • the volume ratio of the resin particles is more preferably 10% by volume or more, and further preferably 20% by volume or more.
  • the volume ratio of the resin particles is 65% by volume or less, the resin particles are less likely to fall off from the release layer, and contamination of the surface of the semiconductor package can be suppressed.
  • the volume ratio of the resin particles is more preferably 60% by volume or less, and further preferably 50% by volume or less.
  • the volume ratio of the resin particles to the release layer can be determined by observing the cut surface of the release layer with SEM and the following method.
  • SEM image of the flaky sample prepared by the above method an arbitrary area S is specified for the release layer, and the total area A of the resin particles contained in the area S is obtained.
  • the value obtained by dividing the total area A of the resin particles by the area S is converted into a percentage (%) and used as the volume ratio of the resin particles in the release layer.
  • the area S is an area sufficiently large with respect to the size of the resin particles. For example, the size is such that 100 or more resin particles are included.
  • the area S may be the sum of a plurality of cut surfaces.
  • the release layer may contain a binder resin. By including the binder resin, the resin particles are retained in the release layer.
  • the binder resin of the release layer is not particularly limited.
  • the binder resin is preferably an acrylic resin or a silicone resin from the viewpoint of releasability from the semiconductor package, heat resistance of the released layer, etc., and a crosslinked acrylic resin (hereinafter, also referred to as “crosslinked acrylic copolymer”) is preferable. More preferred.
  • the acrylic resin contains a low glass transition temperature (Tg) monomer such as butyl acrylate, ethyl acrylate, and 2-ethylhexyl acrylate as the main monomer, and the main monomer, acrylic acid, methacrylic acid, hydroxyethyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, and acrylamide.
  • Tg glass transition temperature
  • Acrylic copolymer obtained by copolymerizing with a functional group monomer such as acrylonitrile is preferable.
  • the cross-linked acrylic copolymer can be produced by cross-linking the above-mentioned monomer with a cross-linking agent.
  • cross-linking agent used in the production of the cross-linked acrylic copolymer examples include known cross-linking agents such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds.
  • the cross-linking agent is preferably a polyfunctional cross-linking agent such as trifunctional or tetrafunctional. Since the crosslinked acrylic copolymer produced by using the polyfunctional crosslinking agent has a gently expanding network structure, the release layer containing the crosslinked acrylic polymer follows the stretching of the base material layer. It is easy to use and improves the followability of the release film to the mold.
  • the amount of the cross-linking agent used in the production of the cross-linked acrylic copolymer is preferably 3 parts by mass to 100 parts by mass, and more preferably 5 parts by mass to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
  • the amount of the cross-linking agent is 3 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer, the strength of the release layer is ensured, so that the resin particles are less likely to fall off and contamination of the surface of the semiconductor package is suppressed.
  • the amount of the cross-linking agent is 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer, the flexibility of the cross-linked acrylic copolymer is improved and the stretchability of the release layer is improved.
  • the release layer may contain a solvent, an anchoring improver, a cross-linking accelerator, an antistatic agent, a colorant and the like, if necessary, as long as the effects of the release film of the present disclosure are exhibited.
  • the average thickness of the release layer is not particularly limited, and may be set in consideration of the particle size of the resin particles contained in the release layer. From the viewpoint of forming irregularities on the outer surface of the release layer to improve the releasability of the release layer, it is preferable that the thickness of the release layer is not too thick. On the other hand, when the resin particles contained in the release layer fall off from the release layer, the surface of the semiconductor package is contaminated. Therefore, the thickness of the release layer is preferably a thickness capable of holding the resin particles in the release layer. Specifically, the average thickness of the release layer is preferably 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 1 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the outer surface of the release layer preferably has fine irregularities.
  • the fine irregularities on the outer surface of the release layer can be evaluated by the arithmetic mean roughness (Ra) or the ten-point average roughness (Rz).
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the outer surface of the release layer is preferably 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m, and the ten-point average roughness of the outer surface of the release layer is preferable.
  • the roughness (Rz) is preferably 5 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the surface roughness of the outer surface of the release layer can be adjusted by adjusting the average particle size of the resin particles and the thickness of the release layer.
  • the arithmetic average roughness (Ra) and ten-point average roughness (Rz) of the outer surface of the release layer can be measured by using a surface roughness measuring device (for example, Kosaka Laboratory Co., Ltd., model number SE-3500).
  • a surface roughness measuring device for example, Kosaka Laboratory Co., Ltd., model number SE-3500.
  • the results measured under the conditions of a needle tip diameter of 2 ⁇ m, a scanning speed of 0.5 mm / s, and a scanning distance of 8 mm are analyzed and obtained by JIS B0601: 2013 or ISO 4287 (1997).
  • the release film of the present disclosure may have an antistatic layer, a colored layer, or the like between the base material layer and the release layer.
  • the release film of the present disclosure is released on one surface of the base material layer, which is opposite to the surface on which the release layer containing resin particles (first release layer) is provided.
  • a second release layer may be provided for the purpose of facilitating the release of the film from the mold.
  • the thickness of the second release layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the release film of the present disclosure can be produced by a known method.
  • the release film of the present disclosure can be produced by preparing a release layer forming composition containing resin particles, applying the release layer forming composition to one side of a base material layer, and drying the composition. ..
  • the release film of the present disclosure may be provided with the other layers described above, if necessary.
  • composition for mold release layer formation The method for preparing the composition for forming a release layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of dispersing resin particles in a solvent.
  • the release layer forming composition may contain a binder resin and other components in addition to the resin particles.
  • the solvent used for preparing the release layer forming composition is not particularly limited.
  • an organic solvent capable of dispersing the resin particles and dissolving the binder resin is preferable.
  • the organic solvent include toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate and the like.
  • composition for mold release layer formation The method of applying the release layer forming composition to one side of the base material layer is not particularly limited, and known coating methods such as roll coating, bar coating, and kiss coating can be adopted.
  • the composition for forming a release layer is applied to one side of the base material layer, it is desirable to apply the composition layer (release layer) after drying so that the thickness is 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the method for drying the release layer forming composition applied to one side of the base material layer is not particularly limited, and a known drying method can be adopted.
  • a drying method in which the product is placed in an atmosphere having a temperature of 50 ° C. to 150 ° C. for 0.1 to 60 minutes can be mentioned.
  • the release film of the present disclosure is used in the manufacture of semiconductor packages. That is, the semiconductor package is molded by sealing the semiconductor chip with a sealing material using the mold on which the release film of the present disclosure is arranged.
  • the release film of the present disclosure can be suitably used for compression molding.
  • the general compression molding process is as follows. A release film is placed on the mold of the compression molding apparatus, and the release film is made to follow the shape of the mold by vacuum suction or the like. Next, the encapsulant (for example, epoxy resin) of the semiconductor package is put into a mold, the semiconductor chip is placed on the mold, and the encapsulant is cured by compressing the mold while heating to cure the encapsulant, and the semiconductor package is formed. To mold. Next, the mold is opened and the molded semiconductor package is taken out.
  • the encapsulant for example, epoxy resin
  • the release film In compression molding, the release film is usually placed on the mold by vacuum adsorption or the like, so the release film is required to have excellent followability to the shape of the mold.
  • the release film of the present disclosure has excellent followability to a mold and is suitable for compression molding.
  • the semiconductor package molded using the release film of the present disclosure has a good appearance. Further, the semiconductor package molded by using the release film of the present disclosure suppresses the sealing defect of the semiconductor package due to the wrinkles or slack of the release film, and may be incurred when the release film is peeled off. Some damage is suppressed.
  • Example 1 [Making a release film] 100 parts by mass of acrylic resin (Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd., trade name WS-023), 10 parts by mass of cross-linking agent (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., trade name Coronate L), acrylic resin particles (Toyo Boseki Co., Ltd., Trade name Tuftic FH-S010, average particle size 10 ⁇ m) 10 parts by mass was added to toluene to prepare a toluene solution having a solid content of 15% by mass, and a composition for forming a release layer was prepared.
  • acrylic resin Teikoku Kagaku Sangyo Co., Ltd., trade name WS-023
  • cross-linking agent Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., trade name Coronate L
  • acrylic resin particles Toyo Boseki Co., Ltd., Trade name Tuftic FH-S010, average particle size 10 ⁇ m
  • a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Teijin Film Solution Co., Ltd., trade name FT3, thickness 25 ⁇ m) was prepared as a base material layer, and the tensile elastic modulus and restoration rate of this biaxially stretched polyethylene terephthalate film were determined by the test method described above. I asked. After corona-treating a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a release layer forming composition is applied to one side using a roll coater so that the average thickness after drying is 10 ⁇ m, and the release layer is dried. It was formed and a release film was obtained.
  • the average particle size and volume ratio of the resin particles contained in the release layer were determined by the above-mentioned test method using SEM. Moreover, the tensile elastic modulus and the restoration rate of the obtained release film were determined by the test method described above. The measurement results are shown in Table 1.
  • Examples 2 to 3> A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the base material layer was changed to another biaxially stretched polyethylene terephthalate film, and the performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • Examples 4 to 7 Except that the amount of acrylic resin particles (Tuftic FH-S010) added to the release layer forming composition was changed and the volume ratio of the resin particles in the release layer was changed as shown in Table 1. A release film was prepared in the same manner as in Example 1 and its performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • Example 1 The biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Teijin Film Solution Co., Ltd., trade name FT3, thickness 25 ⁇ m) used in Example 1 was used as a release film without a release layer, and its performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • Example 2 A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the composition for forming a release layer was prepared without using acrylic resin particles (Tuftic FH-S010), and the performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • composition for forming a release layer was prepared using silica particles (Toa Synthetic Co., Ltd., trade name HPS-3500, average particle size 3.5 ⁇ m) instead of acrylic resin particles (Tuftic FH-S010).
  • silica particles Toa Synthetic Co., Ltd., trade name HPS-3500, average particle size 3.5 ⁇ m
  • acrylic resin particles Tiftic FH-S010
  • Example 4 A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the base material layer was changed to another biaxially stretched polyethylene terephthalate film, and the performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • Example 5 A release film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the base material layer was changed to an unstretched polybutylene terephthalate film, and the performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
  • the release films of Examples 1 to 7 were excellent in followability to the mold when molded, had good releasability from the sealing resin after molding, and had a good appearance of the semiconductor package. However, in Example 7 in which the volume ratio of the resin particles to the release layer exceeded 65% by volume, the resin particles were observed to fall off from the release layer.
  • the release film of the present embodiment for compression molding of a semiconductor package, it is possible to easily release the encapsulant and the mold without damaging the semiconductor package, and it is good. It is possible to provide a semiconductor package having an appearance.
  • the release film of Comparative Example 1 (release film having no release layer), the release film could not be peeled off from the sealing resin after molding.
  • the release film of Comparative Example 2 release film containing no resin particles in the release layer
  • the release film could not be easily peeled off from the sealing resin after molding.
  • the appearance of the surface of the semiconductor package was uneven, and flow traces of the encapsulant were observed.
  • the release film of Comparative Example 3 (a release film containing silica particles instead of resin particles in the release layer) could not easily peel off the release film from the sealing resin after molding. In addition, shedding of silica particles from the release layer was observed by both visual observation and microscopic observation.

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Abstract

温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム、及び、基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。

Description

離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法
　本開示は、離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法に関する。
　半導体チップは通常、外気からの遮断及び保護のため樹脂で封止され、パッケージと呼ばれる成型品として基板上に実装される。従来、成型品は封止樹脂の流路であるランナーを介して連結した１チップ毎のパッケージとして成型される。金型から成型品が離型する離型性は、金型の構造、封止樹脂への離型剤の添加等により担保されている。
　近年、パッケージの小型化、多ピン化等の要請から、Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ（ＢＧＡ）方式、Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ（ＱＦＮ）方式、ウエハレベル－Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ（ＷＬ－ＣＳＰ）方式等のパッケージが増加している。ＱＦＮ方式においては、スタンドオフの確保及び端子部への封止材バリ発生を防止するため、一方、ＢＧＡ方式及びＷＬ－ＣＳＰ方式においては、金型からのパッケージの離型性向上のため、樹脂製の離型フィルムが用いられる（例えば、特許文献１参照）。離型フィルムを使用する成型方法は「フィルムアシスト成型」と呼ばれている。
特開２００２－１５８２４２号公報
　フィルムアシスト成型においては、離型フィルムの離型性によって、封止後の半導体パッケージを金型から離型することは比較的容易である。しかし、ＢＧＡ方式及びＷＬ－ＣＳＰ方式において、従来のトランスファーモールド方式からコンプレッションモールド方式へと成型方式が変更された場合、離型フィルムの金型への追従性が不足する場合がある。離型フィルムの金型への追従性が不足すると、成型時に離型フィルムにシワ又は弛みが発生し、離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性がある。また、離型フィルムのシワ又は弛みに起因して半導体パッケージに外観不良が起きる可能性がある。また、離型フィルムのシワ又は弛みに起因して半導体パッケージの封止に欠陥が生じ、半導体パッケージに性能不良が起きる可能性がある。半導体パッケージは今後さらに小型化、薄型化及び高集積化することが予想され、離型フィルムの追従性の向上が求められている。
　本開示の実施形態は上記状況のもとになされた。
　本開示の実施形態は、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい離型フィルム、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
　前記課題を解決するための具体的手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞　温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
＜２＞　前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が５体積％～６５体積％である、＜１＞に記載の離型フィルム。
＜３＞　前記基材層がポリエステルフィルムである、＜１＞又は＜２＞に記載の離型フィルム。
＜４＞　基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
＜５＞　前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が５体積％～６５体積％である、＜４＞に記載の離型フィルム。
＜６＞　前記基材層がポリエステルフィルムである、＜４＞又は＜５＞に記載の離型フィルム。
＜７＞　半導体パッケージのコンプレッション成型に用いるための、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の離型フィルム。
＜８＞　＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージを成型する、半導体パッケージの製造方法。
　本開示の実施形態によれば、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい離型フィルム、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法が提供される。
本開示の離型フィルムの層構成の一例を概略的に示す図である。
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
　本開示において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部に形成されている場合も含まれる。
　本開示において「（メタ）アクリル」はアクリル及びメタクリルの少なくとも一方を意味し、「（メタ）アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの少なくとも一方を意味する。
　本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
　本開示において、離型フィルムが有する層の平均厚みは、対象となる層の５点の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。層の厚みは、マイクロメーターを用いて測定することができる。積層されたうちの１つの層の厚み又は複数の層の総厚みを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて離型フィルムの断面を観察することで測定してもよい。
　本開示において、「ＭＤ方向」とは、長尺状に製造されるフィルムにおいて長尺方向を意味し、「ＴＤ方向」とは、「ＭＤ方向」に直交する方向を意味する。本開示において、「ＭＤ方向」を「機械方向」ともいい、「ＴＤ方向」を「幅方向」ともいう。
＜離型フィルム＞
　本開示の第一実施形態の離型フィルムは、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である基材層と、前記基材層の片面に配置されている、樹脂粒子を含む離型層と、を有する。
　本開示の第二実施形態の離型フィルムは、基材層と、前記基材層の片面に配置されている、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である。
　以下、第一実施形態の離型フィルムと第二実施形態の離型フィルムとに共通する事項については、「本開示の離型フィルム」と総称して記載する。
　図１に、本開示の離型フィルムの層構成の一例を概略的に示す。図１に示す離型フィルム１０は、基材層２０と、基材層２０上に配置された離型層３０とを備えている。離型層３０は、当該層中に樹脂粒子を含む。
　本開示の離型フィルムは、図１に示す構成に限られない。本開示の離型フィルムは、例えば、基材層２０の離型層３０が設けられた面とは反対の面上に、第二の離型層を有していてもよく、基材層２０と離型層３０との間にほかの層（例えば、帯電防止層、着色層等）を有していてもよい。
　本開示の離型フィルムにおいて樹脂粒子を含む離型層が、半導体パッケージを製造する際に封止樹脂と接触する。
　本開示の離型フィルムは、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂（例えば、エポキシ樹脂）から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい。本開示の離型フィルムが上記の性能を示す理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。
　第一実施形態の離型フィルムが有する基材層は、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上であるので、熱及び外力が加わった際に適度に変形しつつも形状を維持しようとする性質を呈し、その結果、金型に装着する際及び成型時に封止樹脂が流動する際にシワ又は弛みが発生しにくく、金型への追従性に優れるものと推測される。
　第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上であるので、熱及び外力が加わった際に適度に変形しつつも形状を維持しようとする性質を呈し、その結果、金型に装着する際及び成型時に封止樹脂が流動する際にシワ又は弛みが発生しにくく、金型への追従性に優れるものと推測される。
　そして、本開示の離型フィルムが有する離型層は、樹脂粒子を含む。樹脂粒子は、離型層の外表面に微細な凹凸を形成し、樹脂粒子の微細な凹凸が離型層の外表面の滑り性を高め、離型性の向上に寄与するものと推測される。また、この微細な凹凸が封止樹脂のフロー跡の発生を抑制するので、半導体パッケージに外観不良が発生しにくいものと推測される。さらに、引張弾性率及び復元率が上記範囲であることと相まって、樹脂粒子は無機粒子に比べて離型層から脱落しにくいので、樹脂粒子を含む離型層は、樹脂粒子を含まず無機粒子を含む離型層に比べて、半導体パッケージの表面や金型の表面を汚染させにくい。
　本開示の離型フィルムは、成型用の金型への追従性に優れることにより、成型時にシワ又は弛みが発生しにくい。したがって、本開示の離型フィルムによれば、（ａ）離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性が低く、（ｂ）離型フィルムのシワ又は弛みに起因した外観不良が半導体パッケージに発生しにくく、（ｃ）離型フィルムのシワ又は弛みに起因した半導体パッケージの封止欠陥が発生しにくい。
　本開示の離型フィルムは、成型後の封止樹脂からの離型性に優れることにより、離型フィルムの剥離に要する力が少なくて済む。したがって、本開示の離型フィルムによれば、離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性が低い。
　本開示の離型フィルムは、成型する際に金型への追従性に優れ、且つ、成型後の封止樹脂からの離型性に優れることから、複雑な形状を有する金型又は比較的深い溝を有する金型に対応し得る。また、本開示の離型フィルムは、離型フィルムを真空吸着等により金型に配置するコンプレッション成型に好適である。
　以下に、本開示の離型フィルムについて、各層の特性、各層に含まれる成分等を説明する。
［基材層］
　本開示の離型フィルムは基材層を有する。基材層としては特に限定されず、本技術分野で使用されている樹脂フィルムから、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である樹脂フィルムを選択することが好ましい。
（引張弾性率）
　第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。
　基材層の引張弾性率は、下記の試験方法により求める。
　離型フィルムを製造する材料である基材層を用意するか、又は、離型フィルムから基材層以外の層を剥離して基材層を用意する。基材層をＪＩＳ Ｋ６２５１：２０１０に規格されているダンベル状１号形試験片の形状に切り取る。試験片の中央部に４０ｍｍ離れて平行な２本の標線をつける。ＪＩＳ Ｋ６２５１：２０１０に規格されている試験方法に準拠し、温度１７０℃下で、引張試験機（例えば、（株）エー・アンド・デイ製、型番ＲＴＣ－１２１０）を用いて引張試験を行い、引張弾性率を求める。
　具体的には、試験片を引張試験機（例えば、（株）エー・アンド・デイ製、型番ＲＴＣ－１２１０）に設置し、温度１７０℃下、引張速度５００ｍｍ／分にて試験片を１００％延伸する（つまり、２本の標線の間が８０ｍｍになるまで延伸する）。その際に測定された応力－ひずみ曲線から、ひずみε１＝０．０００５（０．０５％）における応力σ１（ＭＰａ）と、ひずみε２＝０．００２５（０．２５％）における応力σ２（ＭＰａ）とを求め、下記の式から引張弾性率を算出する。
（式）・・・引張弾性率（ＭＰａ）＝（σ２－σ１）÷（ε２－ε１）
　ここで、基材層が長尺状に製造される樹脂フィルムである場合、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのＭＤ方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのＴＤ方向に一致する試験片とを作製する。ＭＤ方向の試験片の引張弾性率とＴＤ方向の試験片の引張弾性率とを平均した値を、基材層の引張弾性率とする。
　第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における引張弾性率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、１５０ＭＰａ以下である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における引張弾性率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における引張弾性率は、上記の観点から、１３０ＭＰａ以下がより好ましく、１１０ＭＰａ以下が更に好ましく、１００ＭＰａ以下が更に好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における引張弾性率の下限は、基材層に求められる強度を確保する観点から、例えば、１ＭＰａ以上であり、２ＭＰａ以上であり、３ＭＰａ以上である。
　第一実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下である。本開示の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における引張弾性率が１３０ＭＰａ以下であることがより好ましく、１１０ＭＰａ以下であることが更に好ましく、１００ＭＰａ以下であることが更に好ましく、８０ＭＰａ以下であることが特に好ましい。本開示の離型フィルムの温度１７０℃における引張弾性率の下限は、離型フィルムに求められる強度を確保する観点から、例えば、１ＭＰａ以上であり、２ＭＰａ以上であり、３ＭＰａ以上である。
　離型フィルムの引張弾性率の求め方は、基材層の引張弾性率の求め方と同じであって、試験片として離型フィルムを使用する。離型フィルムが長尺状に製造される場合、試験片の長さ方向が離型フィルムのＭＤ方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が離型フィルムのＴＤ方向に一致する試験片とを作製する。ＭＤ方向の試験片の引張弾性率とＴＤ方向の試験片の引張弾性率とを平均した値を、離型フィルムの引張弾性率とする。
（復元率）
　第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度１７０℃における復元率が７０％以上である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度１７０℃における復元率が７０％以上であることが好ましい。
　基材層の復元率は、下記の試験方法により求める。
　離型フィルムを製造する材料である基材層を用意するか、又は、離型フィルムから基材層以外の層を剥離して基材層を用意する。基材層をＪＩＳ Ｋ６２５１：２０１０に規格されているダンベル状１号形試験片の形状に切り取る。試験片の中央部に４０ｍｍ離れて平行な２本の標線をつける。試験片を引張試験機（例えば、（株）エー・アンド・デイ製、型番ＲＴＣ－１２１０）に設置し、温度１７０℃下、引張速度５００ｍｍ／分にて試験片を１００％延伸し（つまり、２本の標線の間が８０ｍｍになるまで延伸し）、次いで、引張試験機の試験片つかみ具をもとの位置まで戻す。１分間静置後、試験片を試験機から外して、２本の標線の間の距離Ｌ（ｍｍ）を計測し、下記の式から復元率を算出する。
（式）・・・復元率（％）＝（８０－Ｌ）÷４０×１００
　ここで、基材層が長尺状に製造される樹脂フィルムである場合、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのＭＤ方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのＴＤ方向に一致する試験片とを作製する。ＭＤ方向の試験片の復元率とＴＤ方向の試験片の復元率とを平均した値を、基材層の復元率とする。
　第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における復元率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、７０％以上である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における復元率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、７０％以上であることが好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度１７０℃における復元率は、上記の観点から、７５％～１００％がより好ましく、８０％～１００％が更に好ましく、９０％～１００％が更に好ましい。
　第一実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における復元率が７０％以上であることが好ましい。第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における復元率が７０％以上である。本開示の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度１７０℃における復元率が７５％～１００％であることがより好ましく、８０％～１００％であることが更に好ましく、９０％～１００％であることが更に好ましい。
　離型フィルムの復元率の求め方は、基材層の復元率の求め方と同じであって、試験片として離型フィルムを使用する。離型フィルムが長尺状に製造される場合、試験片の長さ方向が離型フィルムのＭＤ方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が離型フィルムのＴＤ方向に一致する試験片とを作製する。ＭＤ方向の試験片の復元率とＴＤ方向の試験片の復元率とを平均した値を、離型フィルムの復元率とする。
（基材層の成分）
　基材層は、半導体パッケージの樹脂成型が高温（１００℃～２００℃程度）で行われることを考慮すると、この温度以上の耐熱性を有することが望ましい。
　基材層は、耐熱性及び高温時の引張弾性率の観点から、ポリエステル樹脂を含むことが好ましい。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、これらの共重合体又は変性樹脂が挙げられる。
　基材層としては、ポリエステル樹脂を成型したポリエステルフィルムが好ましく、金型への追従性の観点からは、２軸延伸ポリエステルフィルムがより好ましい。
　基材層としてポリエステルフィルムを用いる場合、基材層の引張弾性率及び復元率は、ポリエステルフィルムを製造する際の延伸倍率又は延伸温度により制御することができる。
（基材層の平均厚み）
　基材層の平均厚みは特に限定されず、５μｍ～２００μｍが好ましく、１０μｍ～１００μｍがより好ましい。基材層の平均厚みが５μｍ以上であると、取扱い性に優れ、シワが生じにくい傾向にある。基材層の平均厚みが２００μｍ以下であると、成型時の金型への追従性により優れるので、半導体パッケージにシワ等が発生することがより抑制される。
　基材層の外表面（金型と接触する面）には、金型からの剥離を容易にする目的で、表面加工が施されていてもよい。
［離型層］
　本開示の離型フィルムは、樹脂粒子を含む離型層を基材層の片面に有する。離型層は、少なくとも樹脂粒子を含み、さらにバインダー樹脂、その他の成分を含んでいてもよい。
（樹脂粒子）
　樹脂粒子は、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。樹脂粒子は、離型層の離型性の観点からは、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂及びポリアクリロニトリル樹脂から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましい。
　樹脂粒子に含まれるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル単量体の単独重合体又は共重合体が挙げられ、（メタ）アクリル酸樹脂、（メタ）アクリル酸エステル樹脂（例えば、アルキル（メタ）アクリレート樹脂、及びジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート樹脂）等が挙げられる。（メタ）アクリル単量体としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸エイコシル、（メタ）アクリル酸ドコシル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘプチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノプロピル、（メタ）アクリル酸２－クロロエチル、（メタ）アクリル酸２－フルオロエチル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　樹脂粒子に含まれるポリオレフィン樹脂としては、オレフィン単量体又はアルケン単量体の単独重合体又は共重合体であれば特に限定されない。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。
　樹脂粒子に含まれるポリスチレン樹脂としては、スチレン又はスチレン誘導体の単独重合体又は共重合体が挙げられる。スチレン誘導体としては、α－メチルスチレン、４－メチルスチレン、２－メチルスチレン、３－メチルスチレン、２－エチルスチレン、３－エチルスチレン、４－エチルスチレン等のアルキル鎖を持つアルキル置換スチレン；２－クロロスチレン、３－クロロスチレン、４－クロロスチレン等のハロゲン置換スチレン；４－フルオロスチレン、２，５－ジフルオロスチレン等のフッ素置換スチレン；ビニルナフタレンなどが挙げられる。
　樹脂粒子に含まれるポリアクリロニトリル樹脂としては、アクリロニトリル単量体の単独重合体又は共重合体が挙げられる。
　樹脂粒子は、半導体パッケージの外観の均一性の観点から、離型層形成用組成物の調製に使用され得る有機溶媒（例えば、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル）に不溶性又は難溶性であることが好ましい。ここで、有機溶媒に不溶性又は難溶性とは、ＪＩＳ　Ｋ６７６９：２０１３に準拠するゲル分率試験において、トルエン等の有機溶媒中に樹脂粒子を分散して５０℃で２４時間保持した後のゲル分率が９７％以上であることをいう。有機溶媒に対する樹脂粒子の溶解性を抑制する観点からは、樹脂粒子に含まれる樹脂は架橋樹脂であることが好ましい。
　樹脂粒子の平均粒子径は１μｍ～５５μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１μｍ以上であると、離型層の外表面に充分に凹凸を形成することが可能であり、離型層の離型性がより優れる。この観点から、樹脂粒子の平均粒子径は３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることが更に好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が５５μｍ以下であると、離型層中に樹脂粒子を保持させるために離型層の厚みを過度に大きくする必要がない。この観点から、樹脂粒子の平均粒子径は、４５μｍ以下であることがより好ましく、３５μｍ以下であることが更に好ましい。
　樹脂粒子の平均粒子径は、下記の測定方法により求める。
　離型フィルムを一部切り取り、樹脂に包埋した後、離型フィルムの厚み方向に切断して薄片試料を作製する。この薄片試料を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて撮像する。ＳＥＭ画像において、離型層に含まれる樹脂粒子を無作為に１００個選び、１００個の長径を計測する。１００個の長径の算術平均を、樹脂粒子の平均粒子径とする。
　離型層に含まれる樹脂粒子の形状は特に限定されず、球状、板状、不定形のいずれでもよい。
　樹脂粒子の具体例としては、アクリル樹脂粒子であるタフチックＦＨ－Ｓ０１０（東洋紡（株））等のタフチックシリーズが挙げられる。
　離型層に占める樹脂粒子の体積割合は、離型層の離型性を向上させる観点と、半導体パッケージ表面の汚染を抑制する観点とから、５体積％～６５体積％であることが好ましい。樹脂粒子の体積割合が５体積％以上であると、離型層の外表面に充分に凹凸を形成することが可能であり、離型層の離型性がより優れる。この観点から、樹脂粒子の体積割合は、１０体積％以上であることがより好ましく、２０体積％以上であることが更に好ましい。樹脂粒子の体積割合が６５体積％以下であると、離型層からの樹脂粒子の脱落が起きにくく、半導体パッケージ表面の汚染を抑制できる。この観点から、樹脂粒子の体積割合は、６０体積％以下であることがより好ましく、５０体積％以下であることが更に好ましい。
　離型層に占める樹脂粒子の体積割合は、離型層の切断面をＳＥＭで観察し、下記の方法により求めることができる。
　先述の方法で作製した薄片試料のＳＥＭ画像において、離型層について任意の面積Ｓを特定し、面積Ｓに含まれる樹脂粒子の総面積Ａを求める。離型層が均質であると仮定し、樹脂粒子の総面積Ａを面積Ｓで除算した値を百分率（％）に換算し、離型層に占める樹脂粒子の体積割合とする。
　面積Ｓは、樹脂粒子の大きさに対して十分大きい面積とする。例えば、樹脂粒子が１００個以上含まれる大きさとする。面積Ｓは、複数個の切断面の合計でもよい。　
（バインダー樹脂）
　離型層はバインダー樹脂を含んでいてもよい。バインダー樹脂を含むことにより、樹脂粒子が離型層内に保持される。
　離型層のバインダー樹脂は特に限定されない。バインダー樹脂は、半導体パッケージからの離型性、離型層の耐熱性等の観点から、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂が好ましく、架橋型アクリル樹脂（以下「架橋型アクリル共重合体」ともいう。）がより好ましい。
　アクリル樹脂は、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、２－エチルヘキシルアクリレート等の低ガラス転移温度（Ｔｇ）モノマーを主モノマーとし、主モノマーと、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーとを共重合することで得られるアクリル共重合体であることが好ましい。架橋型アクリル共重合体は、上記モノマーを架橋剤を使用して架橋することにより製造することができる。
　架橋型アクリル共重合体の製造に使用される架橋剤としては、イソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の公知の架橋剤が挙げられる。アクリル樹脂中に緩やかに広がった網目状構造を形成するために、架橋剤は３官能、４官能等の多官能架橋剤であることが好ましい。多官能架橋剤を使用して製造された架橋型アクリル共重合体は、緩やかに広がった網目状構造を有するので、この架橋型アクリル重合体を含む離型層は、基材層の延伸に追従しやすく、金型に対する離型フィルムの追従性を向上させる。
　架橋型アクリル共重合体の製造において使用される架橋剤の量は、アクリル共重合体１００質量部に対して、３質量部～１００質量部が好ましく、５質量部～７０質量部がより好ましい。架橋剤の量がアクリル共重合体１００質量部に対して３質量部以上であると、離型層の強度が確保されることにより樹脂粒子の脱落が起こりにくく、半導体パッケージ表面の汚染が抑制される。架橋剤の量がアクリル共重合体１００質量部に対して１００質量部以下であると、架橋型アクリル共重合体の柔軟性が向上し、離型層の延伸性が向上する。
（その他の成分）
　離型層は、本開示の離型フィルムの効果が奏される限り、必要に応じて、溶媒、アンカリング向上剤、架橋促進剤、帯電防止剤、着色剤等を含んでいてもよい。
（離型層の平均厚み）
　離型層の平均厚みは特に限定されず、離型層に含まれる樹脂粒子の粒子径を考慮して設定してよい。離型層の外表面に凹凸を形成して離型層の離型性を向上させる観点からは、離型層の厚みは厚過ぎないことが好ましい。一方で、離型層に含まれる樹脂粒子が離型層から脱落すると半導体パッケージ表面が汚染されるところ、離型層の厚みは離型層中に樹脂粒子を保持し得る厚みが好ましい。離型層の平均厚みは、具体的には、０．１μｍ～１００μｍが好ましく、１μｍ～５０μｍがより好ましい。
（離型層の表面粗さ）
　離型層の外表面は微細な凹凸を有することが好ましい。離型層の外表面の微細な凹凸は、算術平均粗さ（Ｒａ）又は十点平均粗さ（Ｒｚ）により評価することができる。離型層の離型性を向上させる観点から、離型層の外表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ～５μｍであることが好ましく、離型層の外表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）は５μｍ～５０μｍであることが好ましい。離型層の外表面の表面粗さは、樹脂粒子の平均粒子径と離型層の厚みとを調整することにより調整することができる。
　離型層の外表面の算術平均粗さ（Ｒａ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）は、表面粗さ測定装置（例えば、（株）小坂研究所、型番ＳＥ－３５００）を用いて、触針先端径２μｍ、走査速度０．５ｍｍ／ｓ及び走査距離８ｍｍの条件で測定した結果を、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３又はＩＳＯ　４２８７（１９９７）により解析して求める。
［その他の層］
　本開示の離型フィルムは、基材層と離型層との間に、帯電防止層、着色層等を有していてもよい。
　本開示の離型フィルムは、基材層の一方の面上であって、樹脂粒子を含む離型層（第一の離型層）が設けられた面とは反対の面上に、離型フィルムの金型からの剥離を容易にする目的で、第二の離型層を有していてもよい。第二の離型層の材料としては、先述のバインダー樹脂の中から、金型からの離型性、耐熱性等を考慮して選択することが望ましい。第二の離型層の厚みは、特に限定されないが、０．１μｍ～１００μｍであることが好ましい。
＜離型フィルムの製造方法＞
　本開示の離型フィルムは、公知の方法により製造することができる。例えば、樹脂粒子を含む離型層形成用組成物を調製し、離型層形成用組成物を基材層の片面に付与し乾燥することにより、本開示の離型フィルムを製造することができる。本開示の離型フィルムは、必要に応じて、先述のその他の層を設けてもよい。
［離型層形成用組成物の調製］
　離型層形成用組成物の調製方法は特に限定されず、例えば、樹脂粒子を溶媒に分散する方法が挙げられる。離型層形成用組成物は、樹脂粒子のほかにバインダー樹脂及びその他の成分を含んでいてもよい。
　離型層形成用組成物の調製に使用する溶媒は、特に限定されない。離型層形成用組成物の調製に使用する溶媒としては、樹脂粒子を分散可能であり、バインダー樹脂を溶解可能である有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等が挙げられる。
［離型層形成用組成物の付与及び乾燥］
　離型層形成用組成物を基材層の片面に付与する方法は特に限定されず、ロールコート、バーコート、キスコート等の公知の塗布方法を採用することができる。離型層形成用組成物を基材層の片面に付与する際には、乾燥後の組成物層（離型層）の厚みが０．１μｍ～１００μｍとなるように付与することが望ましい。
　基材層の片面に付与された離型層形成用組成物を乾燥する方法は特に限定されず、公知の乾燥方法を採用することができる。例えば、温度５０℃～１５０℃の雰囲気に０．１分間～６０分間置く乾燥方法が挙げられる。
＜半導体パッケージの製造方法＞
　本開示の離型フィルムは、半導体パッケージの製造に使用される。すなわち、本開示の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージが成型される。
　本開示の離型フィルムは、コンプレッション成型に好適に使用することができる。一般的なコンプレッション成型の工程は下記のとおりである。
　コンプレッション成型装置の金型に離型フィルムを配置し、真空吸着等により離型フィルムを金型の形状に追従させる。次いで、半導体パッケージの封止材（例えば、エポキシ樹脂等）を金型に入れ、半導体チップをその上に配置し、加熱しながら金型を圧縮することにより封止材を硬化させて、半導体パッケージを成型する。次いで、金型を開けて、成型された半導体パッケージを取り出す。
　コンプレッション成型では、通常、離型フィルムを真空吸着等により金型に配置するので、離型フィルムは金型の形状に対する追従性に優れることが求められる。本開示の離型フィルムは、金型への追従性に優れ、コンプレッション成型に好適である。
　本開示の離型フィルムを用いて成型された半導体パッケージは、外観が良好である。また、本開示の離型フィルムを用いて成型された半導体パッケージは、離型フィルムのシワ又は弛みに起因した半導体パッケージの封止欠陥が抑制されており、離型フィルムの剥離時に被る可能性のある損傷が抑制されている。
　以下、本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
［離型フィルムの作製］
　アクリル樹脂（帝国化学産業（株）、商品名ＷＳ－０２３）１００質量部と、架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）、商品名コロネートＬ）１０質量部と、アクリル樹脂粒子（東洋紡（株）、商品名タフチックＦＨ－Ｓ０１０、平均粒子径１０μｍ）１０質量部とをトルエンに添加して固形分量１５質量％のトルエン溶液とし、離型層形成用組成物を調製した。
　基材層として２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション（株）、商品名ＦＴ３、厚み２５μｍ）を用意し、この２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの引張弾性率及び復元率を既述の試験方法により求めた。
　２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムにコロナ処理した後、片面に、ロールコータを用いて、乾燥後の平均厚みが１０μｍになるように離型層形成用組成物を塗布し、乾燥して離型層を形成し、離型フィルムを得た。
　得られた離型フィルムにおいて離型層に含まれる樹脂粒子の平均粒子径及び体積割合を、ＳＥＭを用いた既述の試験方法により求めた。また、得られた離型フィルムの引張弾性率及び復元率を既述の試験方法により求めた。測定結果を表１に示す。
［離型フィルムの性能評価］
　コンプレッション成型用金型の下型に半導体ベアチップをセットした。コンプレッション成型用金型の上型に離型フィルムを配置し、真空で固定した後、型締めした。封止材（日立化成（株）、商品名ＣＥＬ－９７５０ＺＨＦ１０）をコンプレッション成型して半導体パッケージを得た。金型温度は１８０℃、成型圧力は６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ２）、成型時間は１８０秒とした。離型フィルムの性能として、下記の項目（１）～（３）を評価した。評価結果を表１に示す。
（１）成型する際の金型への追従性
　離型フィルムの金型への追従性を、コンプレッション成型する際に目視で観察し、下記のとおり分類した。
　Ａ＋（◎）：シワ、弛み及びテント張りがいずれも観察されず、金型への追従が十分である。
　Ａ（○）：シワ、弛み又はテント張りが観察されるが軽微であり、実用上問題ない。
　Ｂ（△）：シワ、弛み又はテント張りが観察されるが、実用上の許容範囲である。
　Ｃ（×）：シワ、弛み及びテント張りがいずれも観察され、金型への追従が不十分である。
　「テント張り」とは、離型フィルムが金型に充分に追従せず、離型フィルムが金型の角から浮いた状態になり、当該角にあたかもテントを張ったように見える状態をいう。
（２）成型後の封止樹脂からの離型性
　離型フィルムを、成型後の封止樹脂から、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分で剥離する剥離試験を行い、剥離に要する力を測定し、下記のとおり分類した。
　Ａ（○）：０．５Ｎ／５０ｍｍ未満
　Ｂ（△）：０．５Ｎ／５０ｍｍ以上５．０Ｎ／５０ｍｍ未満
　Ｃ（×）：５．０Ｎ／５０ｍｍ以上
（３）半導体パッケージの外観
　成型後の半導体パッケージの外観を目視で観察し、離型フィルムのシワ又は弛みに起因する外観不良の有無を下記のとおり分類した。
　Ａ（○）：シワに起因する外観不良及び弛みに起因する外観不良がいずれも観察されない。
　Ｂ（△）：シワに起因する外観不良又は弛みに起因する外観不良が観察される。
　Ｃ（×）：シワに起因する外観不良及び弛みに起因する外観不良がいずれも観察される。
＜実施例２～３＞
　基材層を別の２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜実施例４～７＞
　離型層形成用組成物に添加するアクリル樹脂粒子（タフチックＦＨ－Ｓ０１０）の添加量を変更して離型層に占める樹脂粒子の体積割合を表１に記載したとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜比較例１＞
　実施例１において使用した２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション（株）、商品名ＦＴ３、厚み２５μｍ）に離型層を設けず離型フィルムとして使用し、性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜比較例２＞
　アクリル樹脂粒子（タフチックＦＨ－Ｓ０１０）を用いずに離型層形成用組成物を調製した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜比較例３＞
　アクリル樹脂粒子（タフチックＦＨ－Ｓ０１０）の代わりにシリカ粒子（東亞合成（株）、商品名ＨＰＳ－３５００、平均粒子径３．５μｍ）を用いて離型層形成用組成物を調製した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜比較例４＞
　基材層を別の２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
＜比較例５＞
　基材層を未延伸ポリブチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例１と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～７の離型フィルムは、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂からの離型性が良好であり、半導体パッケージの外観も良好であった。ただし、離型層に占める樹脂粒子の体積割合が６５体積％を超える実施例７では、離型層からの樹脂粒子の脱落が観察された。
　半導体パッケージのコンプレッション成型に本実施形態の離型フィルムを使用することにより、半導体パッケージに損傷を与えることなく封止材と金型とを容易に離型することが可能であり、且つ、良好な外観を有する半導体パッケージを提供することが可能である。
　比較例１の離型フィルム（離型層を有しない離型フィルム）は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを剥離することができなかった。
　比較例２の離型フィルム（離型層に樹脂粒子を含まない離型フィルム）は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを容易には剥離することができなかった。また、半導体パッケージ表面の外観が不均一であり、封止材のフロー跡が見られた。
　比較例３の離型フィルム（離型層に樹脂粒子の代わりにシリカ粒子を含む離型フィルム）は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを容易には剥離することができなかった。また、目視及び顕微鏡観察のいずれでも、離型層からのシリカ粒子の脱落が観察された。
　日本国特許出願２０１９-１９３３０７号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１０　離型フィルム
２０　基材層
３０　離型層

Claims (8)

  1. 　温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である基材層と、
    　前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、
    　を有する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
  2. 　前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が５体積％～６５体積％である、請求項１に記載の離型フィルム。
  3. 　前記基材層がポリエステルフィルムである、請求項１又は請求項２に記載の離型フィルム。
  4. 　基材層と、
    　前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、
    　温度１７０℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ以下であり且つ温度１７０℃における復元率が７０％以上である、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
  5. 　前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が５体積％～６５体積％である、請求項４に記載の離型フィルム。
  6. 　前記基材層がポリエステルフィルムである、請求項４又は請求項５に記載の離型フィルム。
  7. 　半導体パッケージのコンプレッション成型に用いるための、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の離型フィルム。
  8. 　請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージを成型する、半導体パッケージの製造方法。
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