CN117957105A - 制程用离型膜、其制造方法及用途 - Google Patents

制程用离型膜、其制造方法及用途 Download PDF

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Abstract

本发明的课题为提供一种制程用离型膜，其通过具有高脱气性，能够以超越现有技术的极限的高生产性来生产树脂密封半导体等，并且维持以往对制程用离型膜所要求的优异离型性、成形品的外观、模具跟随性等，且这些特性以超越现有技术的极限的高水平达成均衡。该课题通过制程用离型膜得到解决，该制程用离型膜于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％。

Description

制程用离型膜、其制造方法及用途
技术领域
本发明涉及制程用离型膜，较适合为在半导体密封步骤等中所使用的制程用离型膜，尤其涉及半导体密封步骤等中的真空吸附时的空气排出所需时间短，且能够以高生产效率来生产树脂密封半导体等的制程用离型膜、其制造方法及使用此制程用离型膜的树脂密封半导体的制造方法。
背景技术
近年来伴随着半导体封装等的小型轻量化，探讨减少密封树脂的用量。此外，为了即使减少密封树脂的用量，也可牢固地接合半导体芯片(chip)等与树脂的界面，非常希望减少密封树脂所含有的离型剂的量。因此，就得到硬化成形后的密封树脂与模具的离型性的方法而言，采用在模具内面与半导体芯片(chip)等之间配置离型膜的方法。
于密封时，离型膜通常是通过真空吸引沿着模具内面被拉延而成为密合于内面的状态。此时于拉延的中途，有时会在空气未被完全排出的状态下，离型膜密合于内面而在离型膜与模具内面之间部分地形成空气滞留，相对地离型膜产生皱褶。于离型膜具有皱褶时，离型膜表面的皱褶的形状会转印至树脂密封部的表面而成为外观不良，可能产生合格率降低等问题，故要求良好的脱气以及抑制其所造成的皱褶。此外，此时于离型膜产生针孔等时，会产生模具的污染，因而也须有效地抑制针孔等。
为了解决此类问题，提出在离型膜表面上设置满足特定条件的凹凸的作法，更具体而言，提出例如具有特定的表面粗糙度(Rz)的离型膜(例如参照专利文献1)，或是具有特定的算术平均粗糙度(Ra)及特定的峰计数(RPc)的离型膜(例如参照专利文献2)等。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2002-359259号公报
[专利文献2]国际公开第2015/068808 A1号手册。
发明内容
[发明所欲解决的课题]
然而，伴随着该技术领域的发展，对于半导体密封制程用离型膜等制程用离型膜的要求水平年年提高，尤其从更高的生产性的观点来看，甚至要求能够在更短时间内完成离型膜与模具内面之间的空气排出的高脱气性。
本发明是有鉴于上述情况而研创，其目的在于提供一种制程用离型膜，其通过具有高脱气性，能够以超越现有技术的极限的高生产性来生产树脂密封半导体等，并且维持以往对制程用离型膜所要求的优异离型性、成形品的外观、模具跟随性等，且这些特性以超越现有技术的极限的高水平达成均衡。
[用以解决课题的技术手段]
本发明人等为了解决上述课题而进行深入探讨，结果发现，将制程用离型膜表面的Sdr(界面展开面积比)设成为适当值，对于在不损及作为制程用离型膜的其它各项特性下实现高脱气性实为重要，因而完成本发明。
也就是说，本发明及其各实施方式为如下述[1]至[9]所述的内容。
[1]
一种制程用离型膜，其于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％。
[2]
如[1]所述的制程用离型膜，其中，该形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面的RPc(峰计数)为30至87。
[3]
如[1]或[2]所述的制程用离型膜，其中，该形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面的相反侧的面的水接触角为90至130°。
[4]
如[1]至[3]中任一项所述的制程用离型膜，其厚度为10至100μm。
[5]
如[1]至[4]中任一项所述的制程用离型膜，其于120℃时的拉伸弹性模数为30至500MPa。
[6]
如[1]至[5]中任一项所述的制程用离型膜，其于170℃时的拉伸弹性模数为20至400MPa。
[7]
一种制程用离型膜的制造方法，其制造如[1]至[6]中任一项所述的制程用离型膜，该制造方法具有下列步骤：
使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击(blast)处理而制造金属制压印滚筒的步骤；以及
使膜通过前述金属制压印滚筒与其它滚筒之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤。
[8]
如[1]至[6]中任一项所述的制程用离型膜，其使用在半导体密封步骤。
[9]
一种树脂密封半导体的制造方法，其具有下列步骤：
于成形模具内的既定位置上配置要进行树脂密封的半导体装置的步骤；
将如[1]至[6]中任一项所述的制程用离型膜配置在前述成形模具内面，并使前述形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面与前述成形模具内面相对置的步骤；
使前述制程用离型膜与前述模具内面之间进行脱气的步骤；以及
在将前述成形模具进行闭模后，使配置在前述半导体装置与前述半导体密封制程用离型膜之间的密封树脂硬化的步骤。
[发明的效果]
本发明的制程用离型膜具有高脱气性，可在短时间内完成离型膜与模具内面之间的空气排出，并且兼具优异离型性、皱褶抑制及模具跟随性，故通过使用此制程用离型膜，能够以超越现有技术的极限的高生产性及质量来制造对半导体芯片(chip)等进行树脂密封等所得到的成形品等。
附图说明
图1为显示使用本发明的制程用离型膜的树脂密封半导体的制造方法的一例的示意图。
具体实施方式
本发明为一种制程用离型膜，其于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％。
于本发明的制程用离型膜中，于其至少一面上形成有凹凸，且该凹凸面的Sdr(界面展开面积比)位于既定的数值范围内，据此实现往横向的高脱气性，例如于采用模具的成形制程中使用作为制程用离型膜的情形时，可在短时间内完成制程用离型膜与模具内面之间的空气排出等，因而有益于成形制程的生产性的提升。
于本发明的制程用离型膜中，只要于2面中的至少一面上形成有凹凸即可，也就是说，可仅于一面上形成有凹凸，也可于双面上形成有凹凸。
于制程用离型膜的较多使用形式中，由于重要的是配置在模具侧的一面的脱气性，所以于一面上形成有凹凸即足够，在该情形时，仅于一面上形成有凹凸，就制造的简便度、成本等的点而言为有利。此外，也有对密封树脂等树脂的表面要求平滑性的情况，从此观点来看，有时适合使用仅于一面上形成有凹凸的离型膜。
于双面上形成有凹凸时，就可对双面赋予优异脱气性、离型性等的点而言为有利，此外，由于对密封树脂表面赋予些许凹凸，所以也不易显现树脂的流动痕迹等。
凹凸的形状并无特别限制，可成型为例如缎纹状、发丝状、方格状、圆型状、方形状、星形状等其它各种形状。在采用使用了后述粒度40至100目数的粒子进行喷击处理所制造的金属制压印滚筒，来形成凹凸的情形时，从制造的容易度等观点来看，优选为缎纹状等形状。
于双面上形成有凹凸的情形时，只要仅有其中一面的凹凸满足Sdr为4.0至50.0％的条件即可，也可为双面的凹凸满足Sdr为4.0至50.0％的条件。如上述般，于较多使用形式中，由于重要的是配置在模具侧的一面的脱气性，所以在此情形时，只要仅有其中一面的凹凸满足Sdr为4.0至50.0％的条件即足够，此外，就制造的简便度、成本等的点而言为有利。
在因应使用形式而对双面赋予优异脱气性等的情形时，优选双面的凹凸满足Sdr为4.0至50.0％的条件。
凹凸面的界面展开面积比(Sdr)是表示相对于定义区域的面积，实际的表面积增大何种程度。
更具体而言，展开面积比Sdr是通过下列式来定义，在完全的平面上，Sdr为0，在倾斜45°的一面上，Sdr为0.414(41.4％)。
(式中，x及y表示定义区域的纵座标及横座标，z表示该座标上的高度，A表示定义区域的面积)。
Sdr可通过该技术领域中以往一般所知的方法来测定，更具体而言，可使用激光显微镜及附属的软件来进行测定及解析。例如可通过本申请案说明书中的实施例所述的方法来测定。
通过Sdr位于上述范围内而得到往横向的高脱气性等本发明的效果的机制虽仍未明了，但可推测与下列内容具有某种关联：由于以Sdr所界定的表面的凹凸状态位于既定范围内，所以在与模具等之间确保空气的充足流路。
从实现更优异脱气性的观点来看，Sdr优选为6％以上，特优选为8％以上。
从脱气性等观点来看，Sdr愈高愈优选，从与本发明的目的的关联来看，并不特别存在上限，在使用通常的高分子材料并以通常的成本进行制造的情形时，一般为40％以下，更一般为30％以下。
Sdr可通过调整制程用离型膜的制造的条件，或是通过表面处理等来调整表面的状态而适当地调整。更具体而言，例如可将使用粒度40至100目数的粒子对后述金属制滚筒的表面进行喷击处理而制造金属制压印滚筒的步骤中的粒子大小、以及同样使后述膜通过前述金属制压印滚筒与其它滚筒之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤中的压印滚筒温度等，设定为适合值而适当地调整。
于本发明的离型膜中，形成有凹凸的面的至少一者的RPc(峰计数)优选为30至87。通过使该凹凸面的RPc位于既定的数值范围内，实现往横向的更高的脱气性，例如于采用模具的成形制程中使用作为制程用离型膜的情形时，可在更短时间内完成制程用离型膜与模具内面之间的空气排出等，因而有益于成形制程的生产性的进一步提升。
于本实施方式中，于双面上形成有凹凸的情形时，只要仅有其中一面的凹凸满足RPc(峰计数)为30至87的条件即可，也可为双面的凹凸满足RPc(峰计数)为30至87的条件。
本实施方式的RPc(峰计数)为30至87的面优选与上述Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面为相同的面。
本发明中的RPc(峰计数)是依据根据JIS B0601 2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)所测定的粗糙度曲线而得到的峰计数，并通过下列式(I)所定义。
RPc＝L/RSm...(I)
式(I)中，L表示基准长度，为10mm。
RSm表示粗糙度曲线要素的平均长度，其根据JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)所测定。
测定可使用表面粗糙度测定器来进行测定，更具体而言，例如可通过本申请案实施例所述的方法来测定。
通过RPc位于上述范围内而实现往横向的更高的脱气性等的机制虽仍未明了，但可推测与下列内容具有某种关联：由于以RPc所界定的峰值密度位于既定范围内，所以空气流路的数目、大小达到更适当的范围，且此与上述特定的Sdr互相配合，而在与模具等之间确保空气的充足流路。
从实现更优异脱气性的观点来看，RPc优选为40至80，特优选为50至80。
RPc可通过调整制程用离型膜的制造的条件，或是通过后述表面处理等来调整表面的状态而适当地调整。更具体而言，例如可将使用粒度40至100目数的粒子对后述金属制滚筒的表面进行喷击处理而制造金属制压印滚筒的步骤中的粒子大小、以及同样使后述膜通过前述金属制压印滚筒与其它滚筒之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤中的压印滚筒温度等，设定为适合值而适当地调整。
于本发明的制程用离型膜中，优选至少与形成有Sdr具有4.0至50％的凹凸的面为相反侧的表面的水接触角为90至130°。通过使该表面的水接触角位于上述数值范围内，可在本实施方式的制程用离型膜与被成型物之间实现更优异离型性。
于本实施方式的制程用离型膜中，可为仅有与一面也就是形成有Sdr具有4.0至50％的凹凸的面为相反侧的表面的水接触角位于90至130°的范围内，也可为双面的水接触角皆位于90至130°的范围内。例如于使用在采用模具的成形制程的情形时等，从同时提升与模具的剥离性以及与被成形物的剥离性的观点来看，优选双面的水接触角皆位于90至130°的范围内。
本实施方式中的膜表面的水接触角可依据JIS R3257并使用接触角测定器来测定，更具体而言，例如可通过本申请案实施例所述的方法来测定。
离型膜表面的水接触角尤优选为95°至120°，更优选为98°至115°，特优选为100°至110°。
离型膜表面的水接触角可通过以往于该业界中所惯用的方法来适当地增减，例如可通过适当地选择膜表面的材质而将表面的水接触角设成为上述优选数值范围内。从此观点来看，本发明的制程用离型膜的表面优选含有选自由氟树脂、4-甲基-1-戊烯(共)聚合物以及聚苯乙烯系树脂所组成的群组的树脂。此外，也可使用可提升离型性的添加剂(离型剂)或是进行表面处理。
可使用的离型剂的种类并无特别限制，可适当地使用选自由聚硅氧系离型剂、三聚氰胺系离型剂、聚烯烃系离型剂、环氧系离型剂、丙烯酸系离型剂、氟系离型剂、纤维素系离型剂、石蜡系离型剂、环氧-三聚氰胺系离型剂、长链烷基系离型剂及这些的组合所组成的群组的至少一种。特优选使用氟系离型剂、长链烷基系离型剂等。
这些离型剂可添加于构成制程用离型膜的表面的树脂中，但也可涂布于制程用离型膜的表面。
此外，于本发明中，也可通过调整形成于膜的表面的凹凸的形状、密度、大小等来适当地调整水接触角。
本发明的制程用离型膜的总厚度并无特别限制，只须因应制程用离型膜的用途或使用形式等来选择适当的厚度即可，优选例如为10至300μm，尤优选为30至150μm。
离型膜的总厚度位于上述范围时，作为卷取物使用时的处理性良好，并且离型膜的废弃量少，因而优选。
本发明的制程用离型膜的厚度可通过调整膜的制造条件来适当地调整，例如在通过挤压成形来制造膜的情形时，可通过调整此时的唇板的间隔来适当地调整，此外，在将膜进行延伸的情形时，可通过适当地设定延伸倍率来调整。
从抑制成形时的皱褶等观点来看，本发明的制程用离型膜优选拉伸弹性模数显示特定值。
也就是说，本发明的制程用离型膜优选于120℃时的拉伸弹性模数为30MPa至500MPa，或是优选于170℃时的拉伸弹性模数为20MPa至400MPa。另外，本发明的制程用离型膜优选于120℃时的拉伸弹性模数为30MPa至500MPa，并且于170℃时的拉伸弹性模数为20MPa至400MPa。
通过使上述层叠膜于120℃时的拉伸弹性模数成为30MPa至500MPa，或是于170℃时的拉伸弹性模数成为20MPa至400MPa，例如于使用在树脂密封步骤等的情形时，可更有效地抑制皱褶的产生。
通过制程用离型膜于特定温度时的拉伸弹性模数显示出上述特定值而使皱褶的产生受到抑制的机制虽仍未明了，但可推测与下列内容具有某种关联：通过于制程进行时，在经加热的状态下具有一定值以上的拉伸弹性模数，使会导致皱褶产生的变形受到抑制，并且通过具有一定值以下的拉伸弹性模数，而使变形分散。
另外，从模具追随性等观点来看，于120℃时的拉伸弹性模数优选也为300MPa以下，于170℃时的拉伸弹性模数尤优选为200MPa以下。
本实施方式的制程用离型膜于120℃时的拉伸弹性模数，
优选为30MPa至500MPa，
尤优选为40MPa至450MPa，
尤优选为50MPa至400MPa，
更优选为200MPa至350MPa，
特优选为250MPa至300MPa。
本实施方式的制程用离型膜于170℃时的拉伸弹性模数，
优选为20MPa至400MPa，
尤优选为25MPa至300MPa，
尤优选为30MPa至250MPa，
更优选为100MPa至200MPa，
特优选为120MPa至160MPa。
构成本发明的制程用离型膜的层叠膜于120℃时的拉伸弹性模数以及于170℃时的拉伸弹性模数皆位于上述优选范围内，于加工时的自由度及用途变得宽广，因而特优选。
本实施方式的制程用离型膜的拉伸弹性模数是依据JIS K7127，使用延伸试验机并于120℃或170℃进行测定，更具体而言，可通过本申请案实施例所述的方法来测定。
调整制程用离型膜的拉伸弹性模数的方法并无特别限制，可通过以往于该业界所采用的手法来适当地调整，例如可通过适当地选择构成膜的高分子等材料来进行调整。更具体而言，通过适当地使用例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET：PolyethyleneTerephthalate)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT：Polybutylene Terephthalate)、聚酰胺-6、聚酰胺-66、聚丙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、间规聚苯乙烯、4-甲基-1-戊烯(共)聚合物等耐热性相对优异的高分子材料，而容易实现上述拉伸弹性模数。
此外，通过将膜进行延伸(单轴延伸或双轴延伸)，制程用离型膜的拉伸弹性模数一般会提升，所以也可应用此延伸来适当地调整拉伸弹性模数。
本发明的制程用离型膜可为单层膜或是2层以上的层叠膜。
从构成或制造较简便、或是成本等观点来看，优选为单层的膜。
另一方面，从同时且有效率地达成表面的性状或离型性等的膜表面所应具有的特性或优选为具有的特性，以及延伸弹性等的膜整体优选为具有的特性的观点来看，优选为2层以上的层叠膜。
尤其，特优选为下列层叠膜，其包含：相对于成形品或模具具有离型性的离型层A，以及支撑该离型层的耐热树脂层B。
此外，在希望两者的表面具有离型性的情形时，优选更包含离型层A'而具有离型层A/耐热树脂层B/离型层A'的层构成。
离型层A
构成本实施方式的制程用离型膜的离型层A于使用在采用模具的成形制程的情形时，为接触于模具表面的层，从顺利地得到脱气性以及与模具的剥离性的观点来看，形成有Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的凹凸。凹凸的详细内容及其优选形式是如上述所说明的内容。
离型层A的水接触角并无特别限制，从进一步提升与模具的剥离性的观点来看，相对于水的接触角优选为90°至130°，尤优选为95°至120°，特优选为98°至115°，更优选为100°至110°。从成形品的离型性优异、取得的容易度等来看，优选含有选自由氟树脂、4-甲基-1-戊烯(共)聚合物以及聚苯乙烯系树脂所组成的群组的树脂。
离型层A所能够使用的氟树脂可为含有来自四氟乙烯的构成单元的树脂。可为四氟乙烯的均聚物，也可为与其它烯烃的共聚物。其它烯烃的例子包括乙烯。优选的一例为含有四氟乙烯与乙烯作为单体构成单元的共聚物，于此共聚物中，优选来自四氟乙烯的构成单元的比率为55至100质量％，来自乙烯的构成单元的比率为0至45质量％。
离型层A所能够使用的4-甲基-1-戊烯(共)聚合物可为4-甲基-1-戊烯的均聚物，也可为4-甲基-1-戊烯与除此之外的碳数2至20的烯烃(以下称为“碳数2至20的烯烃”)的共聚物。
为4-甲基-1-戊烯与碳数2至20的烯烃的共聚物的情形时，与4-甲基-1-戊烯进行共聚合的碳数2至20的烯烃可对4-甲基-1-戊烯赋予可挠性。碳数2至20的烯烃的例子包括：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十七烯、1-十八烯、1-二十烯等。这些烯烃可仅使用1种或组合2种以上而使用。
为4-甲基-1-戊烯与碳数2至20的烯烃的共聚物的情形时，优选来自4-甲基-1-戊烯的构成单元的比率为96至99质量％，来自除此之外的碳数2至20的烯烃的构成单元的比率为1至4质量％。通过使来自碳数2至20的烯烃的构成单元的含量变少，可使共聚物变硬，也就是存储弹性模数E'提高，而有利于抑制在密封步骤等的皱褶的产生。另一方面，通过使来自碳数2至20的烯烃的构成单元的含量增多，可使共聚物变软，也就是降低存储弹性模数E'，而有利于提升模具跟随性。
4-甲基-1-戊烯(共)聚合物可通过本领域技术人员一般所知的方法来制造。例如可通过采用了齐格勒-纳塔催化剂(Ziegler-Natta Catalyst)、茂金属(Metallocene)系催化剂等一般所知的催化剂的方法来制造。4-甲基-1-戊烯(共)聚合物优选为结晶性高的(共)聚合物。结晶性的共聚物可为具有等规结构的共聚物以及具有间规结构的共聚物中任一种，从物性的观点来看，特优选为具有等规结构的共聚物，且也容易取得。另外，4-甲基-1-戊烯(共)聚合物可成形为膜状，只要具有承受模具成形时的温度或压力等的强度，则立体规则性或分子量也无特别限制。4-甲基-1-戊烯共聚物也可为例如三井化学股份有限公司制的TPX(注册商标)等市面贩卖的共聚物。
离型层A所能够使用的聚苯乙烯系树脂包括苯乙烯的均聚物及共聚物，该聚合物中所含有的来自苯乙烯的结构单元优选至少为60重量％以上，尤优选为80重量％以上。
聚苯乙烯系树脂可为等规聚苯乙烯或间规聚苯乙烯，但从透明性、取得容易度等观点来看，优选为等规聚苯乙烯，从离型性、耐热性等观点来看，优选为间规聚苯乙烯。聚苯乙烯可单独使用1种或并用2种以上。
离型层A优选具有可承受成形时的模具的温度(典型而言为120至180℃)的耐热性。从该观点来看，离型层A优选含有具有结晶成分的结晶性树脂，该结晶性树脂的熔点优选为190℃以上，尤优选为200℃以上300℃以下。
为了对离型层A赋予结晶性，例如于氟树脂中，优选至少含有从四氟乙烯所衍生的构成单元，于4-甲基-1-戊烯(共)聚合物中，优选至少含有从4-甲基-1-戊烯所衍生的构成单元，于聚苯乙烯系树脂中，优选至少含有间规聚苯乙烯。通过在构成离型层A的树脂中含有结晶成分，于树脂密封步骤等中不易产生皱褶，而适合于抑制皱褶被转印至成形品并产生外观不良的情况。
构成离型层A的含有上述结晶性成分的树脂，其依据JIS K7221并通过差示扫描量热法(DSC：Differential Scanning Calorimetry)所测定的第1次升温步骤中的结晶熔解热量优选为15J/g以上60J/g以下，尤优选为20J/g以上50J/g以下。为15J/g以上时，可更有效地显现能够承受树脂密封步骤等中的热压成形的耐热性及离型性，除此之外，也可抑制尺寸变化率，所以可防止皱褶的产生。另一方面，前述结晶熔解热量为60J/g以下时，离型层A成为适当的硬度，于树脂密封步骤等中可得到膜往模具的充足的追随性，因而有效地抑制膜的破损。
离型层A除了氟树脂、4-甲基-1-戊烯共聚物和/或聚苯乙烯系树脂之外，可更含有其它树脂。在此情形时，其它树脂的硬度优选相对较高。其它树脂的例子包括聚酰胺-6、聚酰胺-66、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸乙二酯。即使于离型层A大量含有例如较柔软的树脂的情形时(例如在4-甲基-1-戊烯共聚物中大量含有碳数2至20的烯烃的情形时)，通过如此地进一步含有硬度相对较高的树脂，也可使离型层A变硬，而有利于抑制在密封步骤等的皱褶的产生。
这些其它树脂的含量相对于构成离型层A的树脂成分，优选例如为3至30质量％。通过将其它树脂的含量设成为3质量以上，可实质上通过添加获得效果，通过设成为30质量％以下，可维持相对于模具或成形品的离型性。
此外，在不损及本实施方式的目的的范围内，离型层A除了氟树脂、4-甲基-1-戊烯(共)聚合物和/或聚苯乙烯系树脂之外，也可含有耐热稳定剂、耐候稳定剂、防锈剂、耐铜害稳定剂、抗静电剂等一般调配于膜用树脂的一般所知的添加剂。这些添加剂的含量相对于氟树脂、4-甲基-1-戊烯共聚物和/或聚苯乙烯系树脂100重量份，例如可设为0.0001至10质量份。
离型层A的厚度只要相对于成形品的离型性充足，就无特别限制，通常为1至50μm，优选为5至30μm。
离型层A'
如上述般，本实施方式的制程用离型膜除了离型层A及耐热树脂层B之外，也可更具有离型层A'。也就是说，本实施方式的制程用离型膜也可为依次包含离型层A、耐热树脂层B以及离型层A'的层叠膜的制程用离型膜。在此情形时，从维持与被成形品的良好的剥离性的观点来看，离型层A'的相对于水的接触角优选为90°至130°，尤优选为95°至120°，特优选为98°至115°，更优选为100°至110°。
离型层A'的优选材质等详细内容是与上述关于离型层A所说明内容为相同。
于离型层A'的表面上，可形成或不形成Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的凹凸，在要求密封树脂等树脂表面的平滑性的情形时等，优选不形成凹凸。
另一方面，在对双面要求优异脱气性的情形时等，可形成有凹凸。
于本实施方式的制程用离型膜为依次包含离型层A、耐热树脂层B以及离型层A'的层叠膜的情形时，离型层A与离型层A'可为同一构成的层或是不同构成的层。
从防止翘曲或是由任一面皆具有同样的离型性所带来的处理容易度等观点来看，离型层A与离型层A'优选为相同或大致相同的构成，从与使用离型层A与离型层A'的制程的关系来分别进行最适的设计的观点，例如将离型层A形成为与模具的离型性优异的层，且将离型层A'形成为与成形物的剥离性优异的层等观点来看，优选将离型层A与离型层A'形成为不同构成的层。
在将离型层A与离型层A'形成为不同构成的层的情形时，可将离型层A与离型层A'形成为相同材料但厚度等构成为不同的层，也可形成为材料及除此之外的构成皆不同的层。
耐热树脂层B
构成本实施方式的制程用离型膜的耐热树脂层B，具有支撑离型层A(以及视情况含有的离型层A')并且抑制因模具温度等所造成的皱褶的产生的功能。
于耐热树脂层B可使用包含未延伸膜的任意的树脂层，但特优选包含延伸膜而成。
上述延伸膜可为单轴延伸膜或双轴延伸膜。于单轴延伸膜的情形时，纵向延伸及横向延伸中任一者皆可，优选至少往横向(TD)进行延伸。
用以得到上述延伸膜的方法、装置也无特别限定，可通过该业界中一般所知的方法来进行延伸。例如可通过加热滚筒或拉幅式延伸机来进行延伸。
上述延伸膜优选使用选自由延伸聚酯膜、延伸聚酰胺膜及延伸聚丙烯膜所组成的群组的延伸膜。这些延伸膜相对容易通过延伸而降低横向(TD)的热膨胀率或是成为负值，且机械物性适合于本实施方式的用途，并且相对容易以低成本来取得，所以特别适合作为耐热树脂层B中的延伸膜。
延伸聚酯膜优选为延伸聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、延伸聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)膜，特优选为双轴延伸聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
构成延伸聚酰胺膜的聚酰胺并无特别限定，可优选地使用聚酰胺-6、聚酰胺-66等。
延伸聚丙烯膜可优选地使用单轴延伸聚丙烯膜、双轴延伸聚丙烯膜等。
延伸倍率并无特别限定，为了适当地控制热尺寸变化率并实现适合的机械性质，只需适当地设定适当值即可，例如于延伸聚酯膜的情形时，优选纵向、横向皆为2.7至8.0倍的范围，于延伸聚酰胺膜的情形时，优选纵向、横向皆为2.7至5.0倍的范围，于延伸聚丙烯膜的情形时，于双轴延伸聚丙烯膜中，优选纵向、横向皆为5.0至10.0倍的范围，于单轴延伸聚丙烯膜中，优选纵向为1.5至10.0倍的范围。
从将膜的强度或其热尺寸变化率控制在适当的范围的观点来看，耐热树脂层B优选具有可承受成形时的模具的温度(典型而言为120至180℃)的耐热性。从该观点来看，耐热树脂层B优选含有具有结晶成分的结晶性树脂，该结晶性树脂的熔点优选为125℃以上，熔点尤优选为155℃以上300℃以下，更优选为185℃以上210℃以下，特优选为185℃以上205℃以下。
如上述般，耐热树脂层B优选含有具有结晶成分的结晶性树脂。耐热树脂层B所含有的结晶性树脂例如可一部分或全部使用聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚丙烯树脂等结晶性树脂。具体而言，于聚酯树脂中，优选使用聚对苯二甲酸乙二酯或聚对苯二甲酸丁二酯，于聚酰胺树脂中，优选使用聚酰胺6或聚酰胺66，于聚丙烯树脂中，优选使用等规聚丙烯。
通过在耐热树脂层B中含有前述结晶性树脂的结晶成分，于树脂密封步骤等中不易产生皱褶，而更有利于抑制皱褶被转印至成形品而产生外观不良的情况。
构成耐热树脂层B的树脂，其依据JIS K7221并通过差示扫描量热法(DSC)所测定的第1次升温步骤中的结晶熔解热量优选为20J/g以上100J/g以下，尤优选为25J/g以上65J/g以下，尤优选为25J/g以上55J/g以下，尤优选为28J/g以上50J/g以下，尤优选为28J/g以上40J/g以下，更优选为28J/g以上35J/g以下。为20J/g以上时，可更有效地显现能够承受树脂密封步骤等中的热压成形的耐热性及离型性，此外，也可稍微抑制尺寸变化率，所以也可防止皱褶的产生。另一方面，通过将前述结晶熔解热量设为100J/g以下，可将适度的硬度赋予至耐热树脂层B，所以于树脂密封步骤等中，可确保膜往模具的充足的追随性，并且有效地抑制膜的破损。另外，于本实施方式中所谓结晶熔解热量，意指在依据JIS K7221并通过差示扫描量热法(DSC)进行测定的第1次升温步骤中所得到的表示纵轴的热量(J/g)与横轴的温度(℃)的关系的图表中，通过在120℃以上具有峰值的峰值面积的和所求取的数值。
耐热树脂层B的结晶熔解热量可通过适当地设定膜制造时的加热、冷却的条件或是延伸的条件来调节。
耐热树脂层B的厚度只要可确保膜强度，就无特别限制，通常为1至100μm，优选为5至50μm。
除此之外的层
本实施方式的制程用离型膜在不违反本发明的目的下，可具有离型层A、耐热树脂层B及离型层A'以外的层。例如在离型层A(或离型层A')与耐热树脂层B之间，可任选具有接合层。使用在接合层的材料只要是可牢固地接合离型层A与耐热树脂层B，并且于树脂密封步骤或离型步骤中也不会剥离的材料，就无特别限制。
例如于离型层A(或离型层A')含有4-甲基-1-戊烯共聚物的情形时，接合层优选为通过不饱和羧酸等进行接枝改性后的改性4-甲基-1-戊烯系共聚物树脂、以及由4-甲基-1-戊烯系共聚物与α-烯烃系共聚物所构成的烯烃系接合树脂等。于离型层A(或离型层A')含有氟树脂的情形时，接合层优选为聚酯系、丙烯酸系、氟橡胶系等粘合剂(Pressure-sensitive Adhesive)。接合层的厚度只要可提升离型层A(或离型层A')与耐热树脂层B的接合性，就无特别限制，例如为0.5至10μm。
制程用离型膜的制造方法
本发明的制程用离型膜的制造方法并无特别限制，优选通过具有下列各步骤的制造方法来制造。
·使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理而制造金属制压印滚筒的步骤
·使膜通过前述金属制压印滚筒与其它滚筒(也可為压印滚筒)之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤
通过使用具有上述各步骤的制造方法，能够以高生产性来制造本发明的制程用离型膜，该制程用离型膜于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的至少一者的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％，此外，能够以高控制性将Sdr设成为期望的值。另外，也容易赋予上述既定的RPc(峰计数)等优选特性。
另外，于2面上皆形成凹凸的情形时，可使膜通过压印滚筒与其它滚筒之间2次，也可通过压印滚筒与压印滚筒之间1次。通常是采用前者的方法。
制造金属制压印滚筒的步骤
本实施方式的制程用离型膜的制造方法具有：使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理而制造金属制压印滚筒的步骤。
制造上述金属制压印滚筒的步骤只要具有使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理的操作步骤即可，且可具有除此之外的操作步骤，也可在不具有除此之外的操作步骤下，仅由使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理的操作步骤来构成。除此之外的操作步骤可列举：使用粒度40至100目数的范围外的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理的操作步骤、以及通过辊磨法或抗蚀层腐蚀法等来形成凹凸模样的操作步骤等。
于本实施方式的制程用离型膜的制造方法中，通过使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理，可有效率地制造具有适当的凹凸形状的金属制压印滚筒，然后在接续的步骤中，使膜通过该金属制压印滚筒与其它滚筒之间以于该膜表面上形成凹凸，据此能够以高生产性及控制性来制造本发明的制程用离型膜，该制程用离型膜于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的至少一者的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％。
上述步骤中所使用的金属制滚筒优选地采用在铁芯表面的全面上设置金属基材的滚筒。金属基材只要是通常使用在压印滚筒的金属基材就无特别限制，可列举例如锌、铜、黄铜、铝、铁、不锈钢、铬等金属。当中就腐蚀法中的凹凸模样的形成稳定性优异等理由来看，以铜为优选。
金属基材的厚度只需考量能够包覆压印版的凹凸模样的最大高低差等来设定即可，在对半导体密封制程用的离型膜进行制图的情形时，通常优选设成为1000至1500μm的厚度。
压印模样的种类并无特别限制，可形成为例如缎纹状、发丝状等各种形状。
(喷击处理)
于本发明的制造方法中，至少进行1次使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面所进行的喷击处理，以制造金属制压印滚筒。也可进行2次以上的喷击处理，此时可在2次以上的喷击处理的全部处理中使用粒度40至100目数的粒子，此外，也可在当中至少1次以外，使用粒度40至100目数的范围外的粒径的粒子。此外，在进行2次以上的喷击处理的情形时，也可在全部处理中使用相同粒径的粒子或是不同粒径的粒子。
通过使用粒度40至100目数的粒子来进行喷击处理，容易控制凹凸的表面积并将转印凹凸的膜表面的Sdr控制在4.0至50的范围，此外，容易控制凹凸的间隔并将转印凹凸的膜表面的Rpc控制在30至87的范围，所以从这些观点来看为优选。
喷击处理所使用的粒子的粒度特优选为80至100目数。
喷击处理所使用的粒子的材质也无特别限制，从所欲形成的凹凸的深度或形状等观点来看，可在考量金属制滚筒的材质后适当地选择，可优选地使用以往喷击处理所使用的材料，可优选地使用例如氧化铝、铁、碳化硅、氧化铬、氧化铁等无机粒子。
喷击处理例如可通过压缩空气的力量，将例如上述般的粒子从喷嘴的前端吹送来进行。具体而言，压榨空气的压力优选位于200至500kPa的范围。为200kPa以上时，可形成能够充分地达到本发明的效果的深度的凹凸，为500kPa以下时，可防止由于破坏凹凸模样等，反而阻碍上述效果的情况。从以上观点来看，压缩空气的压力范围更优选位于300至400kPa的范围。
另外，喷击处理优选在常温下进行，粒子的吹送时间优选约为0.01至0.5秒。此外，也可因应从喷嘴所投射的粒子的吹送面积，以满足上述吹送时间的条件的方式来扫掠喷嘴。
于本实施方式中，从赋予作为保护层的功能等观点来看，优选层叠铬层。铬层可在喷击处理之前进行或之后进行。此外，也可在喷击处理的前后皆进行铬层的层叠处理。
关于铬层的层叠所使用的铬的种类，有从如具有光泽般平滑的种类，直到完全消光的种类的各种可适用的种类，可考量在喷击处理前后的何者中层叠铬层等来适当地选择。
于喷击处理前层叠铬层的情形时，优选使用光泽度高的种类。如高光泽般平滑的铬层由于耐久性高，所以具有作为保护层的优异性。此外，作为压印版的重现性也良好。
此外，于喷击处理前层叠铬层的情形时，为了避免因喷击处理而损及铬层，优选将铬层的厚度设成为30μm以上。另外，考量到经济性等，尤优选位于30至50μm的范围。
关于在喷击处理后层叠铬层的情形时的铬层的厚度，只要位于可赋予作为保护层的功能且可控制光泽的范围，就无特别限制，优选位于10至25μm的范围。
铬层的层叠方法并无特别限制，例如可通过镀覆来简单地赋予。另外，铬层的莫氏硬度(Mohs'Hardness)优选约为7(约6至8)。
于膜表面上形成凹凸的步骤
本实施方式的制程用离型膜的制造方法除了上述制造金属制压印滚筒的步骤之外，具有使膜通过前述金属制压印滚筒与其它滚筒之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤。
通过于此膜表面上形成凹凸的步骤，能够以高效率在本发明的制程用离型膜的2面中的至少一面上形成凹凸，并且将该形成有凹凸的至少一面的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)设为4.0至50.0％。
于本实施方式中，使用通过上述制造金属制压印滚筒的步骤所得到的金属制压印滚筒而在膜表面上形成凹凸的步骤的具体操作或条件并无特别限制，可适当地采用与以往于该技术领域中的压印步骤为相同的操作或条件。
例如可将内藏了加热器的金属压印滚筒加热至60至200℃，然后使作为单层膜或层叠膜的形成凹凸前的膜通过金属压印滚筒与其它滚筒之间并进行加压而形成凹凸。
此时可将膜于干燥炉内或是接触于加热滚筒而进行预热。压力优选为30至150kgf/cm。进行加压及赋形后的膜优选进行冷却。
上述金属制压印滚筒与其它滚筒优选配置在适当的装置中，例如一般所知的单片或转轮式的压印机内。
于本发明的制程用离型膜为具有离型层A及耐热树脂层B的层叠膜的情形时的制程用离型膜的制造方法也无特别限制，例如：
1)在膜表面上形成凹凸的步骤之前，通过将离型层A及耐热树脂层B进行共挤压成形而层叠，以制造形成凹凸前的膜，然后对此进行在膜表面上形成凹凸的步骤，如此可制造制程用离型膜。
2)或是在成为耐热树脂层B的膜上，涂布成为离型层A或接合层的树脂的熔融树脂然后进行干燥，或将成为离型层A或接合层的树脂溶解于溶剂后，将所得到的树脂溶液涂布并进行干燥，而制造形成凹凸前的膜。
3)另外，也可采用：预先制造成为离型层A的膜以及成为耐热树脂层B的膜，并将这些膜进行层叠(层合)，据此制造制程用离型膜的方法。在此情形时，可于成为离型层A的膜的表面上预先形成凹凸。也就是说，仅对成为离型层A的膜进行上述在膜表面上形成凹凸的步骤。
于上述3)的方法中，层叠各树脂膜的方法可采用一般所知的各种层合方法，可列举例如挤压层合法、干式层合法、热层合法等。
于干式层合法中，使用接合剂来层叠各树脂膜。接合剂可使用一般作为干式层合用的接合剂所知的接合剂。可使用例如：聚乙酸乙烯酯系接合剂；由丙烯酸酯(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等)的均聚物或是共聚物、或是丙烯酸酯与其它单体(甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等)的共聚物等所构成的聚丙烯酸酯系接合剂；氰基丙烯酸酯系接合剂；由乙烯与其它单体(乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等)的共聚物等所构成的乙烯共聚物系接合剂；纤维素系接合剂；聚酯系接合剂；聚酰胺系接合剂；聚酰亚胺系接合剂；由脲树脂或三聚氰胺树脂等所构成的氨基树脂系接合剂；酚树脂系接合剂；环氧系接合剂；多元醇(聚醚多元醇、聚酯多元醇等)与异氰酸酯和/或异氰脲酸酯进行交联的聚氨酯系接合剂；反应型(甲基)丙烯酸系接合剂；由氯丁二烯橡胶、腈橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶等所构成的橡胶系接合剂；聚硅氧系接合剂；由碱金属硅酸盐、低熔点玻璃等所构成的无机系接合剂；其它等的接合剂。通过3)的方法所层叠的树脂膜可使用市面贩卖品，也可使用通过一般所知的制造方法所制造的树脂膜。也可对树脂膜施以电晕处理、大气压等离子体处理、真空等离子体处理、底漆涂布处理等表面处理。树脂膜的制造方法并无特别限定，可应用一般所知的制造方法。
就不易在成为离型层A的树脂层与成为耐热树脂层B的树脂层之间产生因夹入杂质等所造成的缺陷或是离型膜的翘曲的观点而言，优选为1)共挤压成形法。3)层合法则为适合于将延伸膜使用在耐热树脂层B的情形时的制造方法。在此情形时，优选可任选在膜彼此的界面上形成适当的接合层。对于提高膜彼此的接合性而言，可任选对膜彼此的界面施以电晕放电处理等表面处理。
制程用离型膜可任选进行单轴或双轴延伸，据此可提高膜的膜强度。
延伸可在膜表面上形成凹凸的步骤之前进行或之后进行，从适当地控制Sdr(界面展开面积比)等膜表面的性状的观点来看，优选在膜表面上形成凹凸的步骤之前进行。
上述2)涂布法中的涂布装置并无特别限定，例如可使用滚筒涂布机、压模涂布机、喷雾涂布机等各种涂布机。熔融挤压装置并无特别限定，例如可使用具有T型压模或充气型压模的挤压机等。
制程用离型膜的使用形式(制造制程)
于模具内配置半导体芯片(chip)等并将树脂进行注入成形时，本发明的制程用离型膜可配置在半导体芯片(chip)等与模具内面之间而使用。通过使用本发明的制程用离型膜，可有效地防止从模具的离型不良、毛边的产生等。
上述制造制程中所使用的树脂可为热塑性树脂及热硬化性树脂中任一种，但于该技术领域中广泛地使用热硬化性树脂，特优选使用环氧系的热硬化性树脂。
上述制造制程最具代表性的是半导体芯片(chip)的密封，但并不限定于此，本发明也可适用在纤维强化塑料成形制程、塑料镜片成形制程等。
图1为显示使用本发明的离型膜的树脂密封半导体的制造方法的一例的示意图。
如图1的a部分所示，通过滚筒1-2及滚筒1-3从卷状的卷取物中将本发明的离型膜1供给至成形模具8内。接着将离型膜1配置在上模具2的内面。此时，从吸引口3对上模具2内面进行真空抽引以使离型膜1密合于上模具2内面。由于本发明的制程用离型膜1往横向的脱气性优异，所以此时的脱气时间缩短，能够以高生产性来制造树脂密封半导体。此外，由于往上模具2内面的密合性也优异，所以皱褶的产生受到抑制，可制造良好外观的树脂密封半导体。为了实现这些显著的效果，于本实施方式中，将形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面，以与上模具2内面相对置的方式来配置。
于模制成形装置的下模具5中配置有被配置在基板上的半导体芯片(chip)6，然后于该半导体芯片(chip)6上配置密封树脂或是以包覆半导体芯片(chip)6的方式注入液状密封树脂，据此，于配置了经排气吸引而密合的离型膜1的上模具2与下模5具之间容纳有密封树脂4。接着如图1的b部分所示，隔着本发明的离型膜1将上模具2与下模具5进行闭模并使密封树脂4硬化。
如图1的c部分所示，通过闭模硬化，密封树脂4于模具内产生流动化，密封树脂4流入于空间部并以包围半导体芯片(chip)6的侧面周围的方式来填充，然后将上模具2与下模具5进行开模并取出经密封后的半导体芯片(chip)6。在进行开模并取出成形品后，将离型膜1重复多次应用，或是供给新的离型膜并提供至后续的树脂模制成形。
使本发明的离型膜密合于上模具并中介存在于模具与密封树脂之间，然后进行树脂铸模，据此可防止树脂往模具的附着，不会污染模具的树脂铸模面且容易将成形品进行离型。
另外，离型膜可于每一次树脂铸模操作时重新供给以进行树脂铸模，也可于每隔多次树脂铸模操作时重新供给以进行树脂铸模。
密封树脂可为液状树脂，也可为常温下为固体状的树脂，但可适当地采用于树脂密封时为液状的树脂等的密封材。具体而言，密封树脂材料主要是使用环氧系(联苯型环氧树脂、双酚环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂等)，环氧树脂以外的密封树脂也可使用聚酰亚胺系树脂(双顺丁烯二酰亚胺系)、聚硅氧系树脂(热硬化加成型)等通常使用作为密封树脂的树脂。此外，树脂密封条件虽因所使用的密封树脂而有所不同，但可在例如硬化温度120℃至180℃、成形压力10至50kg/cm2，硬化时间1至60分钟的范围内适当地设定。
将离型膜1配置在成形模具8的内面的步骤以及将半导体芯片(chip)6配置在成形模具8内的步骤的前后顺序并无特别限定，两者可同时进行，也可在配置半导体芯片(chip)6后配置离型膜1，也可在配置离型膜1后配置半导体芯片(chip)6。
如此，由于本发明的制程用离型膜1具有高离型性，所以容易将半导体封装4-2进行离型。此外，由于离型膜1具有适度的柔软性，所以相对于模具形状的跟随性优异，并且不易因成形模具8的热而产生皱褶。因此，不会有在经密封的半导体封装4-2的树脂密封面上转印有皱褶，或是产生未填充树脂的部分(树脂缺损)的情况，可得到外观良好的经密封的半导体封装4-2。
另外，由于离型膜1往横向的脱气性优异，所以密合于上模具2的内面时的脱气时间缩短，而能够以高生产性来制造树脂密封半导体。
于使用本发明的制程用离型膜的树脂密封半导体的制造方法中，并不限于如图1所示般的对固体的密封树脂材料4进行加压加热的压缩成型法，也可采用注入流动状态的密封树脂材料的传递模塑法。
本发明的离型膜并不限于对半导体元件进行树脂密封的步骤，也可优选地使用在采用成型模具而将各种成形品进行成形及离型的步骤，例如纤维强化塑料成形及离型步骤、塑料镜片成形及离型步骤等。
[实施例]
以下通过实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。
于下列实施例/比较例中，物性/特性的评估是通过下述方法来进行。
(界面展开面积比(Sdr))
使膜真空吸附于真空吸附板，并将整个板设置在激光显微镜的测定载台上。通过下列条件来取得激光显微镜图像，求取凹凸面(离型层A侧)的Sdr。
装置：激光显微镜(Olympus股份有限公司制、OLS5000)
物镜：MPLAPON50XLET
测定面积：720×720μm(将纵横向3×3的合计9个区域进行图像连结)
自动斜率去除：实施
滤波处理：无(峰计数(RPc))
根据JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)来测定凹凸面(离型层A侧)的峰计数。基准长度设成为10mm。于测定时使用表面粗糙度测定机SURFCOM 130A(东京精密股份有限公司制)，并针对与膜制造时的流动方向正交的方向(TD方向)上的3处，以及平行方向(MD方向)上的3处的合计6处求取RPc，然后以这些的平均值作为该表面的RPc。
相对于水的接触角(水接触角)
依据JIS R3257，使用接触角测定器(Kyowa Interface Science公司制、FACECA-W)来测定膜表面(双面)的水接触角。
(拉伸弹性模数)
依据JIS K7127，使用A&D股份有限公司制的附恒温槽拉伸试验机“RTC-1225”来求取于120℃、170℃时的拉伸弹性模数。
测定条件：拉伸模式
测定方向：膜的纵向(MD)(膜运送方向)
(脱气时间)
如图1的(a)部分所示，在施加10N的张力的状态下，将制程用离型膜配置在(以凹凸面(离型层A侧)为上模具侧)上模具与下模具之间后，真空吸附于上模具的分模面。此时测定空气被完全排出为止的时间。
半导体密封成型装置是使用Apic Yamada股份有限公司制的WCM-300MS。使用上模具的分模面为直径300mm的圆形的模具。将模具的温度设成为120℃。
(离型性)
与上述脱气时间的评估相同，在将制程用离型膜真空吸附于(以凹凸面(离型层A侧)为上模具侧)上模具的分模面后，以包覆半导体芯片(chip)的方式将密封树脂填充于基板上，并将固定在基板的半导体芯片(chip)配置在下模具，然后进行闭模。此时将成形模具的温度(成形温度)设成为120℃，成形压力设成为10MPa，成形时间设成为400秒。然后如图1的(c)部分所示，在以密封树脂来密封半导体芯片(chip)后，从离型膜中将经树脂密封的半导体芯片(chip)(半导体封装)进行离型。
通过下列基准来评估离型膜的离型性。
◎：离型膜在模具开启的同时自然地剥离。
○：离型膜虽未自然地剥离，但以手拉伸(施加张力)时则简单地剥离。
×：离型膜密合于半导体封装的树脂密封面，无法以手剥离。
(成形品的外观)
通过下列基准来评估上述步骤中进行离型后的离型膜以及半导体封装的树脂密封面的皱褶状态。
◎：离型膜及半导体封装皆完全无皱褶。
○：离型膜有些许皱褶，但皱褶未转印至半导体封装。
×：不仅是离型膜，甚至连半导体封装也有大量皱褶。
(模具跟随性)
通过下列基准来评估上述步骤中进行离型后的离型膜的模具跟随性。
◎：于半导体封装中完全无树脂缺损(未填充树脂的部分)。
○：于半导体封装的端部有些许树脂缺损(但不包含由皱褶所造成的缺损)
×：于半导体封装的端部有大量树脂缺损(但不包含由皱褶所造成的缺损)
[实施例1]
(耐热树脂层B)
使用膜厚12μm的双轴延伸PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜(Toray股份有限公司制、产品名称：Lumirror S10)作为耐热树脂层B。
(离型层A及A')
使用无延伸的4-甲基-1-戊烯共聚合树脂膜作为离型层A及A'。具体而言，使用：以270℃将三井化学股份有限公司制的4-甲基-1-戊烯共聚合树脂(产品名称：TPX(注册商标)、品名：MX022)”进行熔融挤压，并调整T型压模的狭缝宽度而成膜为厚度15μm的未延伸膜。
于未延伸的4-甲基-1-戊烯共聚合树脂膜的一侧的膜表面的根据JIS R3257的水接触角为30°以上的情形时，从提升由接合剂所带来的接合性的观点来看，以成为30以下的方式施以电晕处理。
(接合剂)
在贴合各膜的干式层合步骤中所使用的接合剂是使用下列氨酯系接合剂A。
[氨酯系接合剂A]
主剂：Takelac(注册商标)A-616(三井化学股份有限公司制)。硬化剂：Takenate(注册商标)A-65(三井化学股份有限公司制)。以质量比(主剂：硬化剂)成为16：1的方式混合主剂与硬化剂，并使用乙酸乙酯作为稀释剂。
(层叠膜的制造)
通过凹版涂布，以1.5g/m2将氨酯系接合剂A涂布于双轴延伸PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜的一面，并通过干式层合来贴合未延伸的4-甲基-1-戊烯共聚合树脂膜的电晕处理面后，接着以1.5g/m2将氨酯系接合剂A涂布于此层合膜的双轴延伸PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜面的侧，并通过干式层合来贴合未延伸的4-甲基-1-戊烯共聚合树脂膜的电晕处理面，而得到5层结构(离型层A/接合层/耐热树脂层B/接合层/离型层A')的层叠膜。
干式层合条件是设成为基材宽度900mm、运送速度30m/分钟、干燥温度50至60℃、层合滚筒温度50℃、滚筒压力3.0MPa。
(金属制压印滚筒的制造)
使用粒度80目数的氧化铝粒子，对于面长度570mm、直径200mm的碳钢制滚筒的表面均一地进行喷击处理。然后施以厚度15μm的硬质铬镀覆而制造形成凹凸用的金属制压印滚筒。
(凹凸的形成)
将上述所制作的5层结构(离型层A/接合层/耐热树脂层B/接合层/离型层A')的层叠膜运送至成对的上述所制作的金属制压印滚筒与橡胶滚筒之间，对膜的离型层A侧的面赋予凹凸而制作实施例1的制程用离型膜。
压印加工的条件是设成为运送速度：5m/分钟、金属制压印滚筒温度：120℃、滚筒间加压力：75kgf/cm。
将上述所制作的制程用离型膜的表面粗糙度(Sdr及RPc)、水接触角、拉伸弹性模数、脱气时间、离型性、皱褶及模具跟随性的评估结果表示于表1。
使用表面的Sdr(界面展开面积比)满足本发明的条件的实施例1的制程用离型膜时，可在较短脱气时间内将上模具之间的空气完全脱气。
此外，离型膜显示出在模具开启的同时自然地剥离的良好的离型性，离型膜及半导体封装皆完全无皱褶，也就是皱褶受到充分地抑制，并且显示出半导体封装中完全无树脂缺损的良好的模具跟随性。
也就是说，实施例1的制程用离型膜为脱气时间短，并且离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性良好的制程用离型膜。
[实施例2]
于金属制压印滚筒的制造时，除了依照粒度40目数，接着为粒度100目数的氧化铝粒子的顺序均一地进行喷击处理之外，其它以与实施例1相同的方式制作制程用离型膜并进行评估。
将结果表示于表1。
此为脱气时间较实施例1更短，并且离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性良好的制程用离型膜。
[实施例3]
于金属制压印滚筒的制造时，除了依照粒度80目数，接着为粒度100目数的氧化铝粒子的顺序均一地进行喷击处理之外，其它以与实施例1相同的方式制作制程用离型膜并进行评估。
将结果表示于表1。
此为脱气时间较实施例1更短，并且离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性良好的制程用离型膜。
[实施例4]
除了将于膜表面形成凹凸时的金属制压印滚筒温度设成为150℃之外，其它以与实施例1相同的方式制作制程用离型膜并进行评估。
将结果表示于表1。
此为脱气时间较实施例1更短，并且离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性良好的制程用离型膜。
[比较例1]
于金属制压印滚筒的制造时，除了使用粒度100目数的氧化铝粒子来均一地进行喷击处理之外，其它以与实施例1相同的方式制作制程用离型膜并进行评估。
将结果表示于表1。
此虽为离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性良好的制程用离型膜，但与上述各实施例相比，脱气时间较长。
[表1]
[产业上的可应用性]
本发明的制程用离型膜显现出现有技术所无法实现的高脱气性，并且以超越现有技术的极限的高水平兼具高脱气性、优异离型性、皱褶的抑制性及模具跟随性，故可通过使用此制程用离型膜，以超越现有技术的极限的高生产性及质量来制造对半导体芯片(chip)等进行树脂密封等所得到的成形品等，而带来实用上具有高价值的技术性效果，在以半导体制程产业为首的产业的各领域中，具有极高的可应用性。
此外，本发明的制程用离型膜并不限于半导体封装，也可使用在纤维强化塑料成形制程、塑料镜片成形制程等中的各种模具成形，所以在半导体产业以外的进行模具成形的产业的各领域中，也具有高度的可利用性。
附图标记说明
1,1-2,1-3 离型膜
2 上模具
3 吸引口
4 密封树脂
4-2 半导体封装
5 下模具
6 半导体芯片
7 基板
8 成形模具。

Claims (9)

1.一种制程用离型膜，其于2面中的至少一面上形成有凹凸，且该形成有凹凸的面的通过激光显微镜所测定的Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％。
2.根据权利要求1所述的制程用离型膜，其中，该形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面的RPc(峰计数)为30至87。
3.根据权利要求1或2所述的制程用离型膜，其中，该形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面的相反侧的面的水接触角为90至130°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制程用离型膜，其厚度为10至100μm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制程用离型膜，其于120℃时的拉伸弹性模数为30至500MPa。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制程用离型膜，其于170℃时的拉伸弹性模数为20至400MPa。
7.一种制程用离型膜的制造方法，其制造根据权利要求1至6中任一项所述的制程用离型膜，该制造方法具有下列步骤：
使用粒度40至100目数的粒子对金属制滚筒的表面进行喷击处理而制造金属制压印滚筒的步骤，以及
使膜通过所述金属制压印滚筒与其它滚筒之间而于该膜表面上形成凹凸的步骤。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的制程用离型膜，其使用在半导体密封步骤。
9.一种树脂密封半导体的制造方法，其具有下列步骤：
于成形模具内的既定位置上配置要进行树脂密封的半导体装置的步骤；
将根据权利要求1至6中任一项所述的制程用离型膜配置在所述成形模具内面，并使所述形成有凹凸且Sdr(界面展开面积比)为4.0至50.0％的面与所述成形模具内面相对置的步骤；
使所述制程用离型膜与所述模具内面之间进行脱气的步骤；以及
在将所述成形模具进行闭模后，使配置在所述半导体装置与所述半导体密封制程用离型膜之间的密封树脂硬化的步骤。
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