TWI824665B - 晶圓背面研磨用黏結膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供晶圓背面研磨用黏結膜，其包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結層，配置於該上部基材層上；以及第二黏結層，配置於該上部基材層與下部基材層之間，該第二黏結層由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子的黏結組合物形成，該第二黏結層滿足如下式1，該光散射粒子的折射率為1.42～1.60，從而可減少或抑制在晶圓背面研磨製程中黏結劑殘留物的產生，對晶圓的表面的緩衝效果優秀，同時也能夠提高背面研磨製程後晶圓的厚度的均勻性，式1：0.05≤|A-B|≤0.2，在該式1中，A是透光性黏結樹脂的折射率，B是光散射粒子的折射率。

Description

晶圓背面研磨用黏結膜
本發明涉及黏結膜，在晶圓的背面研磨((晶圓背面研磨(wafer back grinding)或晶圓磨薄(wafer lapping)或晶圓減薄(wafer thinning))製程中，為了保護晶圓的表面而使用。更具體地，本發明涉及如下的晶圓背面研磨用黏結膜，即，在進行晶圓背面研磨加工後，在消除黏結膜(剝離)時通過減少或消除黏結劑的殘留物(residue)的產生使得加工性非常優秀。
隨著近年來技術的發展，要求半導體芯片的小型化、高密度化及薄型化，因此，晶圓也要求薄型化。用於薄型化晶圓芯片的典型方法是通過研磨晶圓的背面來減少厚度，可根據使用半導體芯片的電子裝置的種類或規格來進行研磨製程，從而實現晶圓的薄型化。
由於半導體芯片的晶圓的背面研磨是施加物理衝擊的過程，因此為了保護晶圓的表面，通常在黏附晶圓背面研磨用黏結膜的狀態下進行晶圓的背面研磨。這種黏結膜包括基材和用於黏結晶圓表面的黏結層，為了緩衝效果，通常在基材背面形成緩衝層或衝擊吸收層。並且，黏結層通常由能量射線固化黏結組合物形成。
並且，在進行晶圓的背面研磨後，為了從晶圓表面去除晶圓背面研磨製程用黏結膜，通過照射能量射線來降低黏結力並剝離。
另一方面，隨著近年來訊息通訊技術的飛速發展和市場的擴大，對於半導體裝置的需求逐漸高密度化。由此，配置於晶圓表面上的有源層(active layer)的厚度增加，有源層的凹凸(或圖案)也逐漸增大。因此，當剝離晶圓背面研磨用黏結膜時，在由於有源層的凹凸而產生的陰影區域中，發生能量射線固化沒有充分進行的情況。其結果，由於晶圓背面研磨用黏結膜的黏結力沒有充分降低，使得剝離力降低，因此來源於黏結膜的黏結劑殘留物容易殘留在晶圓表面，阻礙加工性，最終對製備的半導體芯片的品質產生不利的影響，並且存在用於解決該問題的技術要求。
本發明的目的在於，提供一種晶圓背面研磨用黏結膜，即使在晶圓或晶圓表面的有源層存在較大的凹凸部分，在晶圓背面研磨製程後，當剝離晶圓背面研磨用黏結膜時，也可減少或抑制黏結劑殘留物的產生。
本發明的目的並不限定於以上所提及的目的，未提及的本發明的其他目的及優點可通過如下說明來理解，可通過本發明實施例來更清楚地理解。並且，可知本發明的目的及優點可通過發明要求保護範圍中所示的方案及其組合來實現。
為了解決上述的技術問題，根據本發明的一實施方式，可提供一種晶圓背面研磨用黏結膜，其特徵在於，包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結層，配置於上述上部基材層上；以及第二黏結層，配置於上述上部基材層與下部基材層之間，上述第二黏結層由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子的黏結組合物形成，並滿足如下式1，上述光散射粒子的折射率為1.42~1.60。
Figure 111130484-A0305-02-0005-7
在上述式1中，A是透光性黏結樹脂的折射率，B是光散射粒子的折射率。
相對於100重量份的上述第二黏結層的黏結組合物，可包含0.1重量份至10重量份的上述光散射粒子。
上述光散射粒子可包含無機粒子及有機粒子中的一種以上。
上述光散射粒子的平均粒徑可以為1μm~50μm。
上述無機粒子可包含選自由二氧化矽粒子、玻璃粉及石英粒子組成的組中的一種以上。
上述有機粒子可包含選自由丙烯酸樹脂粒子、聚苯乙烯樹脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯樹脂粒子、環氧樹脂粒子、矽樹脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯樹脂粒子、苯酚樹脂粒子、氨基甲酸乙酯樹脂粒子、醋酸纖維素粒子、尼龍粒子、纖維素粒子、苯代三聚氰胺樹脂粒子及三聚氰胺樹脂粒子組成的組中的一種以上。
本發明的晶圓背面研磨用黏結膜的總透光率可以為70%以上，漫透射率可以為6%以上。
上述第一黏結層的厚度可以為10μm~100μm，上述第二黏結層的厚度可以為10μm~100μm。
上述下部基材層及上部基材層分別可包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的組中的一種以上，較佳地，下部基材層及上部基材層可由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成。
上述第一黏結層可由包含丙烯酸類黏結樹脂的黏結組合物形成。
上述第二黏結層的上述透光性黏結樹脂可包含透光性丙烯酸類黏結樹脂。
在30℃的溫度條件下的上述第二黏結層的剪切儲能模量可以為0.05MPa~5.00MPa。
在上述上部基材層的上部面、上述上部基材層的下部面及上述下部基材層的上部面中的至少一面還可包括底漆層。
當將本發明的晶圓背面研磨用黏結膜適用於背面研磨製程時，即使在晶圓或晶圓表面的有源層存在較大的凹凸部分，也可在黏附於晶圓表面時具有優秀的凹凸埋入性，在晶圓背面研磨製程後，當剝離晶圓背面研磨用黏結膜時，可通過減少或抑制黏結劑殘留物的產生來提高晶圓處理工藝性及製備的半導體芯片的品質。
並且，當將本發明的晶圓背面研磨用黏結膜適用於背面研磨製程時，可對晶圓的表面(表面)的緩衝效果(或保護效果)優秀，並且也可在背面研磨製程後提高晶圓的厚度的均勻性。
本說明書的效果並不限定於以上所提及的效果，未提及的其他效果可由本領域中具有通常知識者從如下的記載中清楚地理解。以下，將在描述用於實施本發明的具體細節的同時描述上述效果和本發明的具體效果。
10:第一黏結層
20:上部基材層
30:第二黏結層
40:下部基材層
100:晶圓背面研磨用黏結膜
200:背面研磨製程前的晶圓
210:背面研磨製程後的晶圓
300:有源層
S1-S5:步驟
P:光散射粒子
R:黏結劑的殘留物殘留區域
圖1簡要示出將本發明的一實施方式的晶圓背面研磨用黏結膜適用於晶圓背面研磨製程及之後的剝離過程的流程圖。
圖2示出本發明的一實施方式的晶圓背面研磨用黏結膜的剖視圖。
將參照附圖對前述的目的、特徵及優點進行詳細說明，由此，本發明所屬技術領域的通常知識者可容易地實施本發明的技術思想。在說明本發明的過程中，若判斷為對與本發明相關的公知技術的具體說明可能不必要地混淆本發明的主旨，則省略詳細說明。如下，參照附圖，對本發明的較佳實施例進行詳細的說明。在附圖中，相同的附圖標記用於表示相同或類似的結構要素。
在本說明書中，任意結構配置於結構要素的“上部(或下部)”或結構要素的“上(或下)”不僅意味著任意結構與上述結構要素的上部面(或下部面)相接觸的配置，還意味著其他結構可介於上述結構要素與配置於上述結構要素上(或下)的任意結構之間。
除非本說明書中另有明確的提及，否則在本說明書中所使用的單數表達包括複數表達。在本申請中，“由......組成”或“包括”等術語不應被解釋為必須包括說明書中記載的所有各種結構要素，應解釋為可不包括其中部分結構要素，或還可包括額外的結構要素。
在本說明書中，“一側面”、“另一側面”、“兩側面”等術語用於區分某個結構要素與其他結構要素，結構要素並不受限於上述術語。
本說明書的記載中，“(甲基)丙烯酸酯”是作為包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的術語而使用，對於與其類似的術語也相同。
以下，在說明本發明的過程中，省略對不必要地混淆本發明的主旨的相關的公知技術的詳細說明。
圖1示例性的示出將本發明一實施方式的晶圓背面研磨用黏結膜100適用於晶圓，在背面研磨之後通過照射能量射線來降低黏結力剝離的製程的流程圖。
具體地，圖1的S1是在晶圓背面研磨製程前的準備晶圓的步驟(裝載晶圓)，示出有源層300配置於晶圓200的表面，上述有源層300可包括存在於晶圓表面的凹凸(圖案)的基材層。
圖1的S2是將本發明的晶圓背面研磨用黏結膜100黏附(或貼附)在晶圓的表面側的步驟，由此，在背面研磨時起到保護晶圓200的表面和/或有源層300的作用。
圖1的S3簡要示出了進行背面研磨製程的步驟，在背面研磨製程中，可不受限制地使用在本技術領域中使用的多種背面研磨設備，例如，可使用在承載盤(chuck table)上裝載(loading)晶圓後可旋轉砂輪(grinding wheel)的設備。另一方面，在背面研磨製程前的晶圓的厚度大約在700μm~900μm的範圍，在背面研磨製程後， 根據適用半導體芯片的電子設備的規格，最終晶圓的厚度可薄型化到大約30μm~300μm的範圍。
圖1的S4簡要示出在背面研磨製程後為了剝離晶圓背面研磨用黏結膜100照射能量射線(典型的是紫外線(UV))的步驟，相對於背面研磨製程前的晶圓200，背面研磨製程後的晶圓210的厚度減少。由此，晶圓背面研磨用黏結膜100的黏結層通常由能量射線固化黏結組合物形成。
圖1的S5簡要示出了在背面研磨製程後剝離晶圓背面研磨用黏結膜100的步驟。在此情況下，若到達晶圓背面研磨用黏結膜100的能量射線的曝光不足，則黏結力不能充分地降低至能夠良好地剝離的程度，因此，在剝離步驟中可能會殘留晶圓背面研磨用黏結膜100的殘留物。如上所述，在圖1中例示性的表示了黏結劑的殘留物殘留區域(R)。
若在晶圓上殘留晶圓背面研磨用黏結膜100的殘留物，則可產生對工藝性及製備的半導體芯片的品質產生不利的影響的問題。並且，由於隨著配置於晶圓200或晶圓表面的有源層300的凹凸(圖案)程度越深，能量射線達不到的陰影區域會越增加，因此上述問題進一步深化。
本發明人著眼於如上所述的問題，為了使能量射線的曝光能夠充分達到晶圓背面研磨用黏結膜，在晶圓背面研磨用黏結膜100的第二黏結層30中添加了光散射粒子P。
像這樣，由於上述第二黏結層30由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子P的黏結組合物形成，所以可表現出光散射效果。因此，可將照射的能量射線均勻地分散在晶圓背面研磨用黏結膜100，發現了可以解決上述的曝光不足的問題，並完成了本發明。
因此，如圖2所示，本發明的晶圓背面研磨用黏結膜具有如下的結構，其包括：多層基材，包括上部基材層20及下部基材層40；第一黏結層10，配置於上述上部基材層20上；以及第二黏結層30，配置於上述上部基材層20及下部基材層40之間，上述第二黏結層30可由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子P的黏結組合物形成。
以下，對晶圓背面研磨用黏結膜的特性及各層的結構進行詳細說明。
多層基材
多層基材包括下部基材層40、上部基材層20及第二黏結層30。第一黏結層10配置於上部基材層20上，第二黏結層30配置於下部基材層40與上部基材層20之間。在本發明的晶圓背面研磨用黏結膜中，多層基材具有第二黏結層30配置於下部基材層40與上部基材層20之間的三明治結構。
下部基材層40及上部基材層20可由具有高拉伸彈性模量的材料形成。更具體地，下部基材層40及上部基材層20可具有1000MPa以上的拉伸彈性模量，例如1200MPa以上、1500MPa以上、2000MPa以上、3000MPa以上，在此情況下的拉伸彈性模量以在23℃的溫度條件下的測定值為基準。
當下部基材層40及上部基材層20的拉伸彈性模量相對較低，小於1000MPa時，由於對晶圓或半導體芯片的支撐力較低，因此有可能在背面研磨製程(背磨製程)中產生半導體芯片的碰撞。
下部基材層40及上部基材層20分別可包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、全芳族聚酯等的聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯(Oriented Poly-propylene)組成的組中的一種以上。
並且，下部基材層40及上部基材層20可以由相同的材料形成，例如，下部基材層40及上部基材層20可以由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料形成。
對下部基材層40及上部基材層20的厚度沒有特別限定，可具有相同的厚度。例如，下部基材層40及上部基材層20可分別具有約10μm~150μm的厚度。另一方面，在本發明中，由於下部基材層40及上部基材層20可具有高拉伸彈性模量，當下部基材層40及上部基材層20，尤其是上部基材層20的厚度過厚時，可能會容易受到背面研磨製程中產生的衝擊。因此，例如，下部基材層40及上部基材層20的厚度可以為約150μm以下，但並不限定於此。
另一方面，根據下部基材層40和/或上部基材層20的需要，可包括少量的各種添加劑，如耦合劑、可塑劑、防靜電劑、抗氧化劑等。
第一黏結層
在圖2中第一黏結層10是與晶圓黏結(或黏附)的部分。第一黏結層10只要是在常溫條件下具有適當的黏結性就沒有特別限定，可由作為公知的紫外線(UV)固化黏結組合物的丙烯酸類黏結組合物、矽類黏結組合物、聚酯類黏結組合物、聚醯胺類黏結組合物、氨基甲酸乙酯黏結組合物、苯乙烯-二烯嵌段共聚物黏結組合物等的多種黏結組合物形成，較佳地，可由丙烯酸類黏結組合物形成。
例如，第一黏結層10可由包含丙烯酸類黏結樹脂的黏結組合物形成，丙烯酸類黏結樹脂可以是具有碳原子數為1至14的烷基的(甲基)丙烯酸類單體的聚合物，具體地，可以是選擇由丙烯酸乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸羥乙酯及丙烯酸羥丁酯組成的組中的一種以上的聚合物，較佳地，可以是包含單體聚合的聚合物，上述單體包括與羧基或羥基鍵和的單體。
並且，用於形成第一黏結層10的黏結組合物還可包括光聚合引發劑及交聯劑，只要是在本技術領域中通常使用的，沒有特別限定。
上述交聯劑起到增加黏結組合物的凝聚力的作用，可混合使用一種以上的交聯劑，例如，異氰酸酯類交聯劑、環氧類交聯劑、氮丙啶類交聯劑及金屬螯合物類交聯劑等。
上述光聚合引發劑作為通過紫外線照射來引發紫外線固化交聯劑的反應的物質，考慮樹脂組合物的固化速度等，適當選擇其種類和含量並使用，可通過混合一種以上的光聚合引發劑來使用。 例如，可使用羥基環己基苯基酮(hydroxycyclohexylphenylketone；Irgacure 184)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙烷-1-酮(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on；Irgacure 907)、α,α-甲氧基-α-羥基苯乙酮(α,α-methoxy-αhydroxyacetophenone；Irgacure 651)及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one；Irgacure 1173)等。
另一方面，對第一黏結層10的厚度沒有特別限定，例如，厚度可以為約10μm~100μm。
儘管在圖2中未示出，但還可包括設置在第一黏結層的上部面並通過上述第一黏結層黏結的離型膜。可對上述離型膜的一側面進行離型處理。上述離型處理只要是在本領域通常用於離型處理的物質，可不受限制地使用，例如，較佳地，用矽酮進行離型處理。
第二黏結層
在圖2中，第二黏結層30配置於上部基材層20與下部基材層40之間，在背面研磨製程中作用為可緩和晶圓的衝擊的緩衝層及具有光散射效果的光擴散層。
像這樣，為了具有緩衝效果，本發明的第二黏結層30的剪切儲能模量越低，越有利，但是當剪切儲能模量過低時，在背面研磨製程中，隨著溫度的上升，可產生緩衝層在高溫中流動或厚度不均勻的問題。考慮到上述問題，較佳地，在30℃的溫度條件下的上述第二黏結層30的剪切儲能模量為0.05MPa~5MPa，更佳地，0.05MPa~3MPa，最佳地，0.05MPa~2.5MPa。本發明的包括第二黏結層30的 晶圓背面研磨用黏結膜100具有對晶圓的表面優秀的緩衝效果，也可在背面研磨製程後提高晶圓的厚度均勻性的優點。
並且，本發明的第二黏結層30可由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子P的黏結組合物形成，因此用作賦予光散射效果的光擴散層。通過如上所述的第二黏結層30的光散射效果，為了剝離晶圓背面研磨用黏結膜而照射的能量射線均勻地分散，可減少或抑制剝離時黏結劑殘留物的產生，可優秀地提高工藝性及製備的半導體芯片的品質。並且，用於形成第二黏結層30的黏結組合物可根據需要，混合一種以上的交聯劑使用，如金屬螯合物類交聯劑、異氰酸酯類交聯劑、環氧類交聯劑等。
因此，為了使第二黏結層30表現散射效果，通過實驗導出了透光性黏結樹脂及光散射粒子P的折射率的差異較佳為0.05~0.2，這種關係可通過如下式1來具體化。
Figure 111130484-A0305-02-0015-1
在上述式1中，A是透光性黏結樹脂的折射率，B是光散射粒子的折射率。
並且，以100重量份的用於形成本發明的第二黏結層30的黏結組合物為基準，較佳地，包含0.1重量份至10重量份的光散射粒子P。若光散射粒子P的含量小於0.1重量份，則光散射效果可能不夠充分。並且，若光散射粒子P的含量大於10重量份，則總透光率降低，在剝離過程中基於能量射線的固化無法進行到需要的程度，減少黏結 劑殘留物的效果可能不充分，由於包含過量粒子可對晶圓背面研磨製程後晶圓的均勻度產生不利的影響。
以下，對包含在第二黏結層30的透光性黏結樹脂及光散射粒子P分別進行詳細說明。
光散射粒子
上述光散射粒子P是用於擴散或散射光的粒子，較佳地，具有透光性的透明微粒，只要透光性高，並非一定是無色的，也可以是著色的。並且，為了使光散射效果均勻，較佳地，光散射粒子P具有球體(sphere)的形狀，並且，為了具有高透光性，較佳地，上述光散射粒子P的折射率在1.42~1.60的範圍內。
並且，上述光散射粒子P的平均粒徑較佳為1μm~50μm，更佳為1μm~10μm。當平均粒徑小於1μm時，光擴散效果或光散射效果低，當大於50μm時，由於粒子過粗，可使得包含其的第二黏結層30及晶圓背面研磨用黏結膜100的厚度均勻度降低。另一方面，上述平均粒徑依據庫爾特計數(coulter counter)法進行測定。雖然為了提高均勻性，較佳地，光散射粒子P的平均粒徑通常是均勻的，但為了調節擴散特性，也可將不同材料或粒徑的2種以上的光散射粒子P混合使用。
若能夠滿足如上所述的多個條件，則對光散射粒子P的種類沒有特別限定，可包含無機粒子及有機粒子中的一種以上。上述無機粒子可包含選自由二氧化矽粒子、玻璃粉及石英粒子組成的組中的一種以上。上述有機粒子可包含選自由丙烯酸樹脂粒子、聚苯乙烯 樹脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯樹脂粒子、環氧樹脂粒子、矽樹脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯樹脂粒子、苯酚樹脂粒子、氨基甲酸乙酯樹脂粒子、醋酸纖維素粒子、尼龍粒子、纖維素粒子、苯代三聚氰胺樹脂粒子及三聚氰胺樹脂粒子組成的組中的一種以上。
透光性黏結樹脂
本發明的第二黏結層30為了起到作為光擴散層的功能，形成其的黏結樹脂可選自透光性黏結樹脂。
例如，較佳地，透光性黏結樹脂的折射率在1.40~1.70的範圍內，更佳地，在1.45~1.55的範圍內。
上述透光性黏結樹脂只要是具有透光性樹脂材料，如具有透光性的熱塑性樹脂、熱固化樹脂或光固化樹脂等，沒有特別限定。例如，可使用常溫減壓黏結性樹脂，如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、環烯烴類樹脂、聚酯類樹脂、環氧類樹脂、聚氨酯類樹脂、矽類樹脂及丙烯酸類樹脂等，或者，也可使用不具有常溫減壓黏結性的樹脂，如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂及聚氯乙烯樹脂等。
較佳地，在本發明中，作為透光性黏結樹脂可使用丙烯酸類黏結樹脂。例如，丙烯酸類黏結樹脂可以為丙烯酸類單體的均聚物或共聚物，如丙烯酸及其酯、甲基丙烯酸及其酯、丙烯醯胺及丙烯腈等，並且，可以是上述丙烯酸類單體的至少一種與乙烯基單體的共聚物，如乙酸乙烯酯、馬來酸酐或苯乙烯等。並且，可通過進一步 與選自具有黏結性的單體，如丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸2-乙基己酯等；用作凝聚力成分的單體，如乙酸乙烯酯、丙烯醯胺、丙烯腈、苯乙烯及甲基丙烯酸酯等；更能提高黏結力的含官能團的單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、甲基丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥丙酯、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、羥甲基丙烯醯胺、甲基丙烯酸縮水甘油酯等；用於調節折射率的含氟丙烯酸酯或含硫丙烯酸酯組成的組中的一種以上共聚合來作為丙烯酸類黏結樹脂使用。
另一方面，對第二黏結層30的厚度沒有特別限定，例如，厚度可以為約10μm~100μm。
晶圓背面研磨用黏結膜
較佳地，本發明的晶圓背面研磨用黏結膜100的總透光率為70%以上，漫透射率為6%以上。
具體地，為了從晶圓剝離晶圓背面研磨用黏結膜100，為了降低黏結力，通過照射能量射線(典型的是紫外線)來進行固化反應。在此情況下，基於能量射線的固化反應能夠充分地進行，較佳地，總透光率為70%以上。
另一方面，由於本發明的第二黏結層30包含光散射粒子P，光散射或光擴散效果表現在晶圓背面研磨用黏結膜100的整體結構中。像這樣，為了充分地顯示光散射或光擴散效果，較佳地，對晶圓背面研磨用黏結膜100的整體結構的漫透射率為6%以上。
以下，通過本發明的較佳實施例來更詳細地說明本發明的結構及作用。但是，這是作為本發明的較佳示例提出的，並在任 何意義上都不能解釋為限制了本發明。未在此記載的內容只要是本技術領域的通常知識者可充分地在技術上類推，因此省略其說明。
製備例1：用於形成第一黏結層的第一黏結組合物的製備
將由27克丙烯酸正丁酯(BA)、48克丙烯酸甲酯(MA)及25克丙烯酸羥乙酯(HEA)組成的單體混合物放入反應器中，在反應器中通過設置冷卻裝置來使得氮氣回流且容易調節溫度。
接下來，相對於100重量份的上述單體混合物，放入作為溶劑的100重量份的乙酸乙酯(EAc)，為了去除上述反應器內的氧氣，注入氮氣且在30℃的溫度條件下充分混合30分鐘以上。之後，將溫度上升至50℃並保持，作為反應引發劑放入0.1重量份濃度的偶氮二異丁腈，開始進行反應之後，通過聚合24小時來製備第一反應物。
將24.6重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)及相對於MOI的1重量份的催化劑(二月桂酸二丁基錫(DBTDL：dibutyl tin dilaurate))與上述第一反應物配合，通過在40℃的溫度條件下反應24小時來得到重均分子量為50萬的丙烯酸類黏結樹脂。
以100重量份的上述丙烯酸類黏結樹脂為基準，添加作為光聚合引發劑的0.1重量份的Irgacure184(BASF公司)及作為交聯劑的2重量份的異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯工業株式會社(Nippon Polyurethane Kogyo Co.，Ltd.)，商品名“Coronate C”)後，充分混合，製備用於形成第一黏結層的第一黏結組合物。
製備例2：用於形成第二黏結層的第二黏結組合物的製備
通過將20重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的丙烯酸乙基己酯、55重量份的丙烯酸甲酯、7重量份的丙烯酸2-羥乙酯、8重量份的丙烯酸、0.05重量份的偶氮二異丁腈及100重量份的乙酸乙酯進行混合來獲得的混合物，通過在氮氣氣氛及60℃的溫度條件下聚合6小時來得到重均分子量為60萬的丙烯酸類黏結樹脂。
以100重量份的上述丙烯酸類黏結樹脂為基準，在添加3重量份的異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯工業株式會社(Nippon Polyurethane Kogyo Co.，Ltd.)製備，商品名“Coronate C”)後，進行充分混合，製備用於形成第二黏結層的第二黏結組合物。
上述製備的第二黏結組合物的折射率測定為1.48，在測定時通過使用阿貝(Abbe)折射儀來進行測定。
實施例1
通過將製備例1的第一黏結組合物塗敷在離型處理的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度為50μm)上，使第一黏結層的厚度達到20μm，通過將50μm厚度的雙向拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(基材)黏合來製備具有120μm厚度的第一黏結層的第一複合膜。
接下來，以100重量份的製備例2的第二黏結組合物為基準，添加作為光散射粒子的折射率為1.59、平均粒徑為3μm的1.0重量份的聚苯乙烯成分的有機粒子(稱為“b1”)後，充分混合，並塗敷 在厚度為25μm的雙向拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，使得其厚度達到20μm，製備具有厚度為45μm的第二黏結層的第二複合膜。
通過將上述第一複合膜與第二複合膜接合來製備整體厚度為115μm(整體厚度不包括離開型PET的厚度)的晶圓背面研磨用黏結膜。
實施例2及實施例3及比較例1至比較例3
在實施例1中，除了將各成分的種類或含量、黏結層的厚度等變更為如下表1，通過與實施例1相同的方式分別製備了晶圓背面研磨用黏結膜。
實驗例1：光特性評價
相對於上述實施例1至實施例3及比較例1至比較例3的晶圓背面研磨用黏結膜，通過利用混濁度測量儀(hazemeter)設備(Nippon Denshoku公司，NDH5000)來測定整體透射率(T.T，%)及漫透射率(D.T，%)，將其結構顯示在表1中。
實驗例2：測定第二黏結層的剪切儲能模量
使用作為剪切儲能模量測定裝置的流變儀(Rheometer，TA instruments公司；ARES-G2)，將通過層疊由用於形成上述實施例1至實施例3及比較例1至比較例3的晶圓背面研磨用黏結膜的第二黏結層的第二黏結組合物溶液形成的單層黏結層來得到尺寸為直徑8mm×厚度1mm的樣品，將在1Hz從-20℃至120℃的溫度環境下測定剪切儲能模量，在30℃的溫度條件下記錄剪切儲能模量，並顯示在如下的表1中。
實驗例3：晶圓背面研磨後厚度均勻度及殘留物測試
將上述實施例1至實施例3及比較例1至比較例3的晶圓背面研磨用黏結膜黏附於半導體電路面(=晶圓表面)後，使用背面研磨設備(DISCO公司；DGP8760)，對厚度為725μm的晶圓進行背面研磨至厚度為100μm。
在背面研磨製程結束後，利用曝光設備(世明VACTRON；TRSJ-3000)照射300mJ/cm2的紫外線A。然後，將熱封膠帶(Heat Sealing tape；MBS-100R)在220℃的溫度條件下熱壓接在晶圓背面研磨用黏結膜的一側外圍部後，去除晶圓背面研磨用黏結膜。
在背面研磨製程後，通過顯微鏡觀察去除黏結膜的晶圓表面的20個點來確認晶圓的厚度均勻度及是否產生黏結劑殘留物，具體的方法如下。
1．黏結劑殘留物測試
測定在背面研磨的晶圓內的20個點的殘留物的大小，如下進行評價，並將其結果顯示在如下的表1中。
○：沒有大小為10μm以下的殘留物
△：產生大小為10μm以下的殘留物
×：大量產生大小為10μm以上的殘留物
2．晶圓的厚度均勻度測試
當在背面研磨的晶圓內的20個點的厚度的標準差為±4μm以下時，將晶圓的厚度均勻度程度評價為良好(○)，當厚度標 準差為±6μm以上時，將晶圓的厚度均勻度程度評價為不良(×)，並將其結構顯示在如下的表1中。
Figure 111130484-A0305-02-0023-2
上述表1的b1至b3如下。
-b1：作為光散射粒子，折射率為1.59的聚苯乙烯成分，平均粒徑為3μm。
-b2：作為光散射粒子，折射率為1.42的聚四氟乙烯成分，平均粒徑為3μm。
-b3：作為光散射粒子，折射率為1.49的聚甲基丙烯酸甲酯成分，平均粒徑為3μm。
從上述表1中可知，在本發明實施例1至實施例3中，第二黏結層起到緩衝層的功能，在晶圓背面研磨時具有保護效果，同時通過在第二黏結層中包含光散射粒子來在黏結劑殘留物測試及厚度均勻度測試中也顯示出優秀的結果。
相反，比較例1中的第二黏結層中不包含光散射粒子，在黏結劑殘留物測試中大量產生10μm以上大小的殘留物。比較例2中包含過量光散射粒子，在黏結劑殘留物測試及厚度均勻度測試中也顯示不良結果，第二黏結層的剪切儲能模量相對於實施例高。比較例3中的用於形成黏結層的黏結樹脂與光散射粒子的折射率差異過低，由於不滿足式1，因此光散射(擴散)效果不充分，在黏結劑殘留物測試結果中產生10μm以下大小的殘留物，從而抑制殘留物產生效果不理想。
如上所述，雖然參照例示的附圖對本發明進行了說明，但本發明並不受在本說明書中公開的實施例和附圖的限制，顯而易見的是，通常知識者可在本發明的技術思想的範圍內實現多種變形。而且，即使在先說明本發明實施例時沒有明確記載說明對本發明的結構的作用效果，但也應該認可能夠通過相應結構預測的效果。
100:晶圓背面研磨用黏結膜
10:第一黏結層
20:上部基材層
30:第二黏結層
40:下部基材層
P:光散射粒子

Claims (13)

  1. 一種晶圓背面研磨用黏結膜，其中，包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結層，配置於該上部基材層上；以及第二黏結層，配置於該上部基材層與該下部基材層之間，該第二黏結層由包含透光性黏結樹脂及光散射粒子的黏結組合物形成，並滿足如下式1，該光散射粒子的折射率為1.42~1.60：
    Figure 111130484-A0305-02-0026-8
    ，在該式1中，A是透光性黏結樹脂的折射率，B是光散射粒子的折射率，其中，相對於100重量份的該第二黏結層的該黏結組合物，包含0.1重量份至10重量份的該光散射粒子。
  2. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，總透光率為70%以上。
  3. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，漫透射率為6%以上。
  4. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該光散射粒子包含無機粒子及有機粒子中的一種以上。
  5. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該光散射粒子的平均粒徑為1μm~50μm。
  6. 如請求項4之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該無機粒子包含選自由二氧化矽粒子、玻璃粉及石英粒子組成的群組中的一種以上。
  7. 如請求項4之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該有機粒子包含選自由丙烯酸樹脂粒子、聚苯乙烯樹脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯樹脂粒子、環氧樹脂粒子、矽樹脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯樹脂粒子、苯酚樹脂粒子、氨基甲酸乙酯樹脂粒子、醋酸纖維素粒子、尼龍粒子、纖維素粒子、苯代三聚氰胺樹脂粒子及三聚氰胺樹脂粒子組成的群組中的一種以上。
  8. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該第一黏結層的厚度為10μm~100μm，該第二黏結層的厚度為10μm~100μm。
  9. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層分別包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的群組中的一種以上。
  10. 如請求項9之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成。
  11. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該第一黏結層由包含丙烯酸類黏結樹脂的黏結組合物形成。
  12. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，該第二黏結層的該透光性黏結樹脂包含透光性丙烯酸類黏結樹脂。
  13. 如請求項1之晶圓背面研磨用黏結膜，其中，在30℃的溫度條件下的上述第二黏結層的剪切儲能模量為0.05MPa~5.00MPa。
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