WO2021071100A1 - 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법 - Google Patents
아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Definitions
- the present invention relates to a catalyst for selective hydrogenation of acetylene and a method for producing the same, and more particularly, to a catalyst for selective hydrogenation of acetylene useful for selectively producing ethylene by hydrogenating acetylene and a method for producing the same.
- Ethylene is a material used as a monomer in the manufacture of various types of polymers, and is produced by naphtha pyrolysis or catalytic catalytic cracking of petroleum gases such as ethane, propane, butane.
- ethylene prepared by the above method contains about 0.5% to 2.0% by weight of acetylene, and in order to be used as a monomer for a polymer, acetylene must be lowered to an appropriate concentration.
- Methods for removing a small amount of acetylene contained in ethylene include a solvent extraction method (Patent Document 0001) and a hydrogenation method using a catalyst.
- ethylene containing about 1% of acetylene separated from the upper layer of the ethylene separation tower is selectively hydrogenated using a hydrogenation catalyst to produce high-purity ethylene.It is known that the cost is cheaper than the solvent extraction method.
- Various transition metals may be used as such a hydrogenation catalyst, and the most important consideration in the hydrogenation method is the selectivity of selectively hydrogenating acetylene and not hydrogenating ethylene. When the selectivity is high, the yield of ethylene is high.
- Non-Patent Document 0001 As a selective acetylene hydrogenation catalyst at a low temperature of less than 300 °C, sulfide catalysts such as nickel sulfide or nickel sulfide-tungsten, or copper-based catalysts were widely used. However, these catalysts have low reactivity and increase in polymerization, causing clogging of the catalyst pores, resulting in a short regeneration cycle of the catalyst.
- a noble metal is used as a catalyst, it is possible to obtain improved results in reactivity and selectivity, and in particular, it is known that the reactivity of palladium (Pd) is excellent in a low-temperature reaction (Non-Patent Document 0001).
- U.S. Patent No. 4,387,258 describes a method of preparing a catalyst by dispersing a catalyst component on a silica carrier
- U.S. Patent No. 4,839,329 discloses a method of preparing a catalyst by dispersing palladium on a titanium dioxide carrier.
- the green oil and coke formed in this way blocked part of the catalyst pores to block access to the reactants, or caused a problem of accelerating deactivation of the catalyst by gaining the active point of the hydrogenation reaction, resulting in shortening the regeneration cycle and life of the catalyst. .
- the inventors of the present invention have developed a technology of an improved catalyst that has high selectivity even at a high temperature of about 1,000° C., and enables more efficient and stable production of ethylene from acetylene by suppressing side reactions such as polymerization. .
- Patent Document 0001 U.S. Patent No. 4,387,258 (announcement date: 1983.06.07)
- Patent Document 0002 U.S. Patent No. 4,839,329 (announcement date: 1989.06.13)
- Non-Patent Document 0001 Bond et al., Catalysis by metals , Academic Press, New York, 281-309, 1962.
- the main object of the present invention is to solve the above-described problems, and in the production of ethylene from acetylene, the catalytic reaction rate is maximized in various reaction temperature ranges, while side reactions are suppressed to minimize the production of green oil and coke.
- one embodiment of the present invention is a catalyst for selective hydrogenation of acetylene, wherein the catalyst is a catalyst carrier in a molten crystalline state containing silicon oxide; It provides a catalyst for selective hydrogenation of acetylene comprising; and palladium supported by being dispersed in the form of nanoparticles on the catalyst carrier.
- the catalyst carrier may be characterized in that cristobalite (cristobalite).
- the catalyst carrier may have a specific surface area of 1 m 2 /g or less, and a palladium supported amount may be 0.1 wt% to 50.0 wt% based on the total weight of the catalyst.
- step (a) melting and solidifying a silicon precursor to obtain a catalyst carrier in a molten crystalline state; (b) impregnating a palladium precursor into the catalyst carrier obtained in step (a); And (c) it provides a method for producing a catalyst for selective hydrogenation of acetylene comprising the step of drying and heat treatment of the impregnated material.
- the silicon precursor of step (a) is one selected from the group consisting of quartz, silica, silicon, sodium silicate, amorphous aluminosilicate, alkoxysilane, SiN, SiAl, clay, and talc. It can be characterized by the above.
- the melting of step (a) may be characterized in that 1,500 °C ⁇ 3,000 °C.
- Another embodiment of the present invention provides a method for producing ethylene by hydrogenating acetylene in the presence of the catalyst for selective hydrogenation of acetylene.
- the hydrogenation reaction may be characterized in that it is carried out under conditions of a reaction temperature of 100 °C ⁇ 1,000 °C and a reaction pressure of 0.01 bar ⁇ 5 bar.
- the catalyst reaction rate is maximized and side reactions are suppressed to minimize the production of green oil and coke, and the deactivation rate of the catalyst is reduced. Yield can be provided.
- the present invention provides a catalyst for selective hydrogenation of acetylene, wherein the catalyst comprises: a catalyst carrier in a molten crystalline state containing silicon oxide; And palladium dispersed and supported in the form of nanoparticles on the catalyst carrier.
- the hydrogenation reaction rate of ethylene is 10 to 100 times faster than that of acetylene (Non-Patent Document 0001), but the selective hydrogenation of acetylene means that acetylene is more reactive than ethylene. Because hydrogenation of acetylene competes with hydrogenation of ethylene, the hydrogenation of acetylene predominates. That is, the hydrogenation reaction of acetylene on the catalyst is mainly determined by the adsorption and desorption rate rather than the surface reaction rate.
- reaction temperature in the acetylene hydrogenation reaction is operated at 500°C or less, carbon deposition hardly occurs in all cases of the palladium catalyst, but the reaction rate is relatively low and the reaction product has to be cooled.
- the reaction proceeds smoothly, but it promotes the hydrogenation of ethylene or the CC bonding and dehydrogenation of acetylene.
- the selectivity of ethylene is lowered and coke by carbon is generated. It affects the life of the reaction, and as the reaction temperature increases, more carbon deposits are produced.
- the inventors of the present invention have made diligent efforts to develop a catalyst having high selectivity of ethylene and superior coke resistance compared to conventional palladium catalysts in various reaction temperature ranges in synthesizing ethylene selectively from acetylene. If palladium, which is a catalytically active component, is uniformly dispersed in the form of nanoparticles so as to have Si-O-Pd bonds with the catalyst carrier on the catalyst carrier in the molten crystalline state containing the oxide, the occurrence of coke by carbon on the palladium surface is prevented.
- ethylene can be selectively produced from acetylene without side reactions such as hydrogenation and additional CC bonding reactions by suppressing re-adsorption of the produced ethylene and intermediate products by reducing the concentration between specific distances of the catalytic reaction active point while suppressing it. And completed the present invention.
- the catalyst for selective hydrogenation of acetylene according to the present invention has a structure in which palladium, which is a catalytic active component, is impregnated with silicon oxide in a crystalline molten state, and palladium nanoparticles are selectively embedded on the silicon oxide surface, and a silicon precursor It can be prepared by melting and solidifying a palladium precursor on the surface of the catalyst carrier in a molten crystalline state.
- the catalyst carrier in the molten crystalline state may preferably be cristobalite obtained by melting and solidifying a silicon precursor.
- the cristobalite has a small surface area due to its high crystal size, a low concentration of surface defects, and a low acidity.
- the catalyst carrier may have a specific surface area of 1 m 2 /g or less, preferably 0.0001 m 2 /g to 0.5 m 2 /g.
- the amount of palladium supported may be 0.1 wt% to 50.0 wt%, preferably 0.3 wt% to 10.0 wt%, based on the total weight of the catalyst, and the supported palladium may be reduced when calculated based on 100 wt% of supported palladium.
- Palladium may be contained in an amount of 4,700 ⁇ molPd/cm 2 or less, preferably 1,000 ⁇ molPd/cm 2 or less.
- the specific surface area of the catalyst support exceeds 1 m 2 /g, the proximity of the active sites in the catalyst surface increases, resulting in surface re-adsorption of the intermediate product, and the reactants and intermediate products are transferred into the pores. Due to the limitation of, unwanted side reactions may occur, and as a result, there is a problem in that carbon deposition occurs.
- the amount of palladium supported is less than 0.1% by weight of the total weight of the catalyst, the amount of palladium that can act as a dopant is small, resulting in poor reaction efficiency, and when it exceeds 50.0% by weight, the amount of palladium, which is a reaction active point in the catalyst surface This increases, and the size of the palladium particles increases, which may cause a problem of increasing the growth rate of hydrocarbons of coke and intermediate products.
- the present invention comprises the steps of: (a) melting and solidifying a silicon precursor to obtain a catalyst carrier in a molten crystalline state; (b) impregnating the catalyst carrier of step (a) with a palladium precursor by incipient impregnation; And (c) drying and heat treating the impregnated material.
- a silicon precursor is melted and solidified to obtain a catalyst carrier in a molten crystalline state [Step (a)].
- the silicon precursor may be a solid material containing silicon, preferably one selected from the group consisting of quartz, silica, silicon, sodium silicate, amorphous aluminosilicate, alkoxysilane, SiN, SiAl, clay and talc It may be more than one, more preferably quartz (quartz).
- the -OH group is removed, and melting and solidifying steps are performed to adjust the surface area and the concentration of the surface defects of the catalyst carrier.
- the melting may be performed at a temperature at which the silicon precursor can be melted in an air atmosphere, that is, at 1,500° C. to 3,000° C. for 1 hour to 10 hours. If the temperature of the melting step is less than 1,500 °C, it is difficult to control the surface area of the catalyst support because the silicon precursor is not properly melted. If it exceeds 3,000 °C, the catalyst support component may vaporize and cause loss. Problems may arise in preparing the catalyst.
- the molten melt is solidified to obtain a catalyst carrier in a molten crystalline state.
- the solidification may be performed by rapid cooling or natural cooling.
- the rapid cooling may be performed by gas cooling, water cooling, oil cooling, liquid nitrogen cooling, or the like, and preferably, rapid cooling may be performed in the range of 1 °C /min to 100 °C /min.
- the gas in the gas cooling may be one or more selected from the group consisting of inflammable gas and air, and in the oil-cooled cooling, the oil may be mineral oil, rapeseed oil, silicone oil, or the like.
- the catalyst carrier according to the present invention can adjust the surface area of the catalyst carrier by repeatedly performing the melting step and the solidification step described above. At this time, the number of repetitions of the melting step and the solidification step may be one or more times, preferably two to five times.
- the crystal structure of the catalyst carrier prepared through the above manufacturing method is ⁇ -crystobalite, which is characterized in that it is reversibly converted to ⁇ -crystobalite when heated to 200°C to 300°C.
- step (b) the obtained catalyst carrier is impregnated with a palladium precursor.
- the impregnation may be applied without limitation if it is a conventional method, and preferably may be an initial impregnation method, and may be performed at room temperature to 80° C. for 0.1 to 10 hours.
- the impregnation concentration may be impregnated by mixing 0.1 wt% to 50 wt% of a palladium precursor based on the total weight of the catalyst.
- the palladium precursor is mixed in an amount of less than 0.1 wt%, the catalytic activity rapidly decreases, and when it exceeds 50 wt%, the dispersion of the active material of the catalyst carrier is lowered, so that the reactivity relative to the palladium content is rather lowered.
- the palladium precursor includes palladium nitride such as Pd(NO 3 ) 2 and palladium sulfide such as PdSO 4; Palladium chloride such as PdCl 2; Palladium oxides such as Pd(OAc) 2 , Pd(C 5 H 7 O 2 ) 2 , and Pd(C 2 H 5 CO2) 2; And the like, but is not limited thereto.
- palladium nitride such as Pd(NO 3 ) 2 and palladium sulfide such as PdSO 4
- Palladium chloride such as PdCl 2
- Palladium oxides such as Pd(OAc) 2 , Pd(C 5 H 7 O 2 ) 2 , and Pd(C 2 H 5 CO2) 2; And the like, but is not limited thereto.
- the drying is to remove impurities such as a solvent contained in the impregnated material and to smoothly proceed with calcination to be described later, and it is possible without limitation as long as the temperature and time at which the solvent can be removed, preferably 80°C to 120°C It can be carried out for 0.5 to 36 hours.
- the dried product may be heat treated by heating in air, oxygen, or in an inert atmosphere at a rate of 1°C/min or more, preferably 2°C/min to 1,000°C/min from 300°C to 1,000°C.
- the heat treatment temperature is less than 300°C, it is not easy to remove impurities remaining in the dried product, and problems may occur in preparing a uniform catalyst. If it exceeds 1,000°C, agglomeration occurs or catalyst activity There may be a problem in that the component is vaporized and a loss occurs.
- the heat treatment time may be sintered for a sufficient time to be sufficiently sintered, and preferably may be about 0.1 to 10 hours.
- the thus-prepared catalyst for selective hydrogenation of acetylene may be uniformly mixed with an inorganic binder, an organic binder, and water to obtain granularity to obtain a catalyst mixture, and the catalyst molded body may be prepared by molding it.
- the organic binder may be used in the art, and although not particularly limited, it is preferable to use at least one selected from methylcellulose, ethylene glycol, polyol, food oil, or organic fatty acid. For a specific example, it is preferable to use hydroxy methyl cellulose or polyvinyl alcohol as the organic binder.
- the inorganic binder may be used in the art, and although not particularly limited, it is preferable to use at least one selected from solid silica, solid alumina, solid silica-alumina, silica sol, alumina sol, and water glass. For a specific example, it is preferable to use fumed silica, silica solution, boehmite, or alumina solution as the inorganic binder.
- the catalyst mixture is typically produced into a catalyst molded body by coating the catalyst mixture on a catalyst structure such as a honeycomb structure or a monolith structure, or directly extruding a catalyst component of the catalyst mixture.
- the catalyst mixture may be used by directly coating the inner wall of the reactor. At this time, the coating and extrusion molding of the catalyst mixture can be easily prepared by a method used in the art, and a detailed description will be omitted.
- the present invention relates to a method for producing ethylene by hydrogenating acetylene in the presence of a catalyst for selective hydrogenation of acetylene according to the present invention.
- the method for producing ethylene according to the present invention can selectively produce ethylene by using acetylene as a raw material under the above-described catalyst for selective hydrogenation of acetylene.
- the hydrogenation reaction may be performed under conditions of a reaction temperature of 100° C. to 1,000° C. and 0.01 bar to 5 bar, and preferably 500° C. to 1,000° C. and a reaction pressure of 0.01 bar to 5 bar.
- reaction temperature of the hydrogenation reaction is less than 100°C, the reaction efficiency decreases to reduce the selectivity of ethylene, and if it exceeds 1,000°C, the carbon deposition rate increases and the life of the catalyst is shortened, and side reactions of intermediate products (hydrogenation, dehydrogenation, etc.) oligomerization, cyclization, cracking, etc.).
- reaction pressure of the hydrogenation reaction is less than 0.01 bar
- the reactants and products are easily carbonized, causing problems in catalyst stability
- reaction pressure exceeds 5 bar the carbon chain growth rate of the reactants and intermediate products increases, resulting in a catalyst. It is not preferable because a problem occurs in stability and, at the same time, is difficult to operate a process due to a stability problem for maintaining high pressure.
- either a fixed bed reactor or a fluidized bed reactor may be used, and the reaction may be carried out in any phase of a gas phase, a liquid phase, or a mixed phase.
- a gas phase reaction when a mixture containing acetylene as a reactant and hydrogen gas are fed into the reactor from the inlet of a reactor filled with the catalyst of the present invention, it is hydrogenated inside the reactor and discharged to the outlet of the reactor.
- the mixture containing acetylene may include methane, ethane, ethylene, benzene, naphthalene, etc. in addition to acetylene, and the molar ratio of hydrogen/acetylene may be performed under the conditions of 0.5 to 50.
- the CC bonding reaction of acetylene is accelerated rather than hydrogenation of acetylene at a reaction temperature of 500° C. or higher to produce an aromatic compound such as benzene.
- Coke may be formed by further bonding, and when the molar ratio of hydrogen/acetylene exceeds 50, ethane may be formed due to additional hydrogenation of the produced ethylene.
- the method for producing ethylene according to the present invention uses a catalyst that suppresses the generation of coke by carbon on the palladium surface and at the same time reduces the concentration between specific distances of the catalytic reaction active point and suppresses the re-adsorption of the produced ethylene and intermediate products.
- a catalyst that suppresses the generation of coke by carbon on the palladium surface and at the same time reduces the concentration between specific distances of the catalytic reaction active point and suppresses the re-adsorption of the produced ethylene and intermediate products.
- a silicon precursor was melted at 1,700° C. for 2 hours, and then rapidly cooled by water cooling to obtain cristobalite (CRS). Thereafter, 0.075 g of Pd(NO 3 ) 2 ⁇ 2H 2 O was well mixed with 5 mL of ethanol, and then 6 g of the obtained cristobalite (CRS) was loaded with incipient wetness impregnation for 1 hour at room temperature.
- Pd-supported CRS was dried at 110°C for 3 hours, heated to 400°C at a rate of 2°C per minute, then heat treated in an oxygen atmosphere for 4 hours, and heated to 850°C at a rate of 6°C per minute, followed by 50 for 1 hour.
- a Pd/CRS catalyst (specific surface area 0.5 m 2 /g or less, Micromeritics ASAP 2420 measurement) having a palladium supported amount of 0.5 wt% relative to the total weight of the catalyst was obtained.
- Example 2 As in Example 1, 0.075 g of Pd(NO 3 ) 2 ⁇ 2H 2 O was well mixed with 5 mL of ethanol, and then, 6 g of cristobalite (CRS) was loaded with incipient wetness impregnation.
- the Pd-supported CRS is dried at 110° C. for 3 hours, heated to 1,700° C. at a rate of 10° C. per minute, and then melted in an oxygen atmosphere for 6 hours to obtain a Pd-CRS catalyst with a palladium-supported amount of 0.5 wt% based on the total weight of the catalyst Obtained.
- a catalyst (specific surface area 0.5 m 2 /g or less, Micromeritics ASAP 2420 measurement) was prepared by heat-treating in a reducing atmosphere of 50% H 2 /He for 1 hour after heating up to 850° C. at a rate of 6° C. per minute.
- Gamma-alumina was used as a support.
- 0.075 g of Pd(NO 3 ) 2 ⁇ 2H 2 O was mixed well with 5 mL of ethanol, and then supported by incipient wetness impregnation on 6 g of Al 2 O 3 as a support.
- the Pd-supported Al 2 O 3 was dried at 110° C. for 3 hours, heated to 400° C. at a rate of 2° C. per minute, and then calcined in an oxygen atmosphere for 4 hours to obtain a catalyst with a palladium supported amount of 0.5 wt% based on the total weight of the catalyst. Obtained.
- a catalyst was prepared in the same manner as the above-mentioned method, but the catalysts of Comparative Examples 3 and 4 were prepared by changing the carrier (support) to CeO 2 and TiO 2.
- Preparation method as in Example 1 A catalyst was prepared, but a 0.5 wt% metal-supported catalyst was obtained using the metal precursor and the carrier shown in Table 1.
- the metal precursor is Pt(NH 3 ) 4( NO 3 ) 2 , Ru(NO)(NO 3 ) x , IrCl 3 , H 3 BO 3 , NH 4 VO 3 , (NH 4 ) 6 Mo 7 O 24 , Except for C 15 H 21 O 6 Rh, HAuCl 4 , H 3 PO 4 , HReO 4 ,(NH 4 ) 10 (H 2 W 12 O 42 ), all metal precursors containing nitride (NO 3 ) were used. I did.
- the gaseous hydrocarbons of the products obtained afterwards were analyzed using the GC of the Series 6500 of YL Instrument, and the gaseous products were analyzed by a thermal conductivity detector (TCD) connected to a ShinCarbon ST column, Rt-alumina BOND, and RTx-VMS columns, respectively. It was analyzed with two connected flame ionization detectors (FID) detectors. C 2 H 2 , CH 4 and Ar were separated on a ShinCarbon ST column and detected by TCD, and the conversion rate was calculated by the area of acetylene compared to the area of Ar, which is an internal standard.
- TCD thermal conductivity detector
- FID flame ionization detector
- Example 1 As shown in Table 1, compared to Comparative Example 1 in Example 1, although the hydrocarbon production rate was 30% lower, it was confirmed that the coke production rate was reduced by 70% or more, and a certain degree of inactivation of Comparative Example 1 was observed. Example 1 did not cause inactivation for 10.2 hours. Through this, it was confirmed that the catalyst prepared in Example 1 selectively produced ethane and ethylene without producing coke at a high temperature of 850°C. In addition, it can be seen that the deactivation rate constant is relatively high when the reaction proceeds after preparing the Pd catalyst using different types of supports as in Comparative Examples 2 to 4.
- the catalyst prepared in Example 1 has an acetylene consumption rate 3.1 times lower, but the coke production rate is 17.8 times lower, and thus has resistance to coke and selectively hydrogenates acetylene. Can be confirmed.
- the catalysts of Comparative Examples 5 to 32 it can be seen that the catalyst of Example 1 has superior coke resistance at 850°C compared to the catalysts of Comparative Examples 5 to 32 and selectively hydrogenates acetylene.
- the catalyst for selective hydrogenation of acetylene maximizes the catalytic reaction rate in the production of ethylene, minimizes coke formation, and provides a high conversion rate of acetylene and a high yield of ethylene and aromatic compounds. It could be confirmed.
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Abstract
본 발명은 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아세틸렌으로부터 에틸렌의 제조에 있어서, 다양한 반응온도 범위에서 촉매 반응 속도를 극대화하는 동시에 부반응을 억제시켜 그린오일과 코크스(cokes) 생성을 최소화하고, 촉매의 비활성화 속도를 개선하며, 아세틸렌의 높은 전환율과 에틸렌의 높은 수율을 제공할 수 있는, 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아세틸렌을 수소화하여 선택적으로 에틸렌을 제조하는데 유용한 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
에틸렌은 여러 가지 종류의 고분자를 제조하는데 있어서 단량체로 사용되는 물질로서 나프타 열분해 또는 에탄, 프로판, 부탄 같은 석유가스의 촉매접촉분해에 의하여 제조한다. 일반적으로 상기 방법에 의해 제조된 에틸렌은 약 0.5 중량% ~ 2.0 중량%의 아세틸렌이 포함되어 있으며, 고분자용 단량체로 사용되기 위해서는 아세틸렌을 적절한 농도 이하로 낮추어야 한다. 아세틸렌 함량이 많은 에틸렌 경우에는 중합 촉매의 활성을 저하시키고 생성되는 고분자 물질의 물성도 저하되기 때문인데 1950년대에는 에틸렌에 허용된 아세틸렌 양이 50 ppm, 1960년대에는 10 ~ 20 ppm, 최근에는 2 ppm 이하로 줄어들었다.
에틸렌에 포함되어 있는 소량의 아세틸렌을 제거하는 방법으로는 용매추출법(특허문헌 0001)과 촉매를 이용한 수소화법이 있다. 현재 일반적인 공정에서는 에틸렌 분리탑 상층부에서 분리되어 나오는 약 1 % 정도의 아세틸렌을 포함하는 에틸렌을 수소화 촉매를 사용하여 선택적으로 수소화시켜 고순도의 에틸렌을 생산하고 있는데 용매추출법에 비하여 경비가 저렴한 것으로 알려져 있다.
이러한 수소화 촉매로는 여러 가지 전이금속이 사용될 수 있는데, 수소화법에 있어서 가장 중요하게 고려되어야 하는 것은 아세틸렌만 선택적으로 수소화시키고 에틸렌은 수소화시키지 않는 선택성이라 할 수 있다. 선택성이 높을 경우 에틸렌의 수율이 높다.
300 ℃ 미만의 저온에서 선택적 아세틸렌 수소화 촉매로 초기에는 황화니켈이나 황화니켈-텅스텐 등의 황화물 촉매 또는 구리 계통의 촉매를 많이 사용하였다. 그러나 이러한 촉매들은 반응성이 낮고, 중합반응이 증가하여 촉매세공이 막히는 현상이 발생하여 촉매의 재생주기가 짧은 문제점이 있었다. 귀금속을 촉매로 사용할 경우 반응성과 선택성에 있어서 향상된 결과를 얻을 수 있었으며, 특히 팔라듐(Pd)의 반응성이 저온반응에서 우수한 것으로 알려져 있다(비특허문헌 0001).
수소화반응에 사용되는 전이금속 촉매가 효과적인 촉매로 작용하기 위해서는 동일한 양의 금속에 대하여 넓은 표면적이 요구된다. 이를 위해 담체를 사용하여 촉매성분을 분산시키는 방법을 이용하고 있다. 담체를 사용하여 촉매성분을 분산시키는 다른 이유는 상업 공정에 있어서 예상되는 과도한 반응열의 제거를 용이하게 하기 위해서이다. 아세틸렌 1몰이 수소화되어 1몰의 에틸렌이 생성될 때 40 kcal 이상의 반응열이 발생하는데, 분산되지 않은 촉매의 경우 국부적으로 반응열이 누적되고 이로 말미암아 반응기의 온도를 제어하기 어렵게 된다. 반응 온도가 상승하는 경우 아세틸렌이 에틸렌으로 더 많이 전환되지만, 또한 에틸렌이 에탄으로 전환되는 분율도 증가한다. 반응온도에 따라 반응의 선택성이 변화하므로 적절한 반응온도 범위를 유지하는 것이 필요하며 반응열을 적절한 범위내에서 제어할 수 있어야 한다. 일반적으로 아세틸렌이 완전히 제거되는 경우에 온도상승이 15 ℃ 이내로 일어나는 촉매와 반응기를 선택하는 것이 바람직하다.
미국등록특허 제4,387,258호에는 실리카 담체에 촉매성분을 분산시키는 촉매제조 방법이 기술되어 있으며, 미국등록특허 제4,839,329호에는 이산화티탄 담체에 팔라듐을 분산시켜 촉매를 제조하는 방법이 개시되어 있다.
그러나 이들 선행기술문헌과 같이 담체를 사용하여 수소화 촉매를 제조하여 다양한 온도범위에서 아세틸렌 전환반응을 진행할 경우, 담체에 의해 파생되는 부반응에 의한 문제점이 있었다. 상기에 나타난 선행기술문헌에서 사용된 담체들은 높은 비표면적 및 약산 산성 성질을 나타내기 때문에, 500 ℃ 이상의 상대적으로 높은 고온에서 반응을 진행할 시, 세공 내에서 아세틸렌이나 에틸렌을 중합하여 탄소수가 4개 이상인 그린오일과 코크스(cokes)가 형성된다. 이와 같이 형성된 그린오일과 코크스는 촉매세공의 일부를 막아 반응물의 접근을 차단하거나 수소화반응의 활성점을 피득시켜 촉매의 비활성화를 촉진하는 문제를 야기하여 촉매의 재생주기와 수명을 단축시키는 결과를 초래하였다.
따라서, 본 발명의 발명자들은 반응온도 1,000 ℃ 정도의 고온에서도 높은 선택성을 가지며, 중합반응 등과 같은 부반응을 억제시켜 아세틸렌으로부터 에틸렌의 보다 효율적이고 안정한 제조를 가능하게 하는 개선된 촉매의 기술 개발을 진행하였다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 0001) 미국등록특허 제4,387,258호(공고일 : 1983.06.07)
(특허문헌 0002) 미국등록특허 제4,839,329호(공고일 : 1989.06.13)
[비특허문헌]
(비특허문헌 0001) Bond et al., Catalysis by metals, Academic Press, New York, 281-309, 1962.
본 발명의 주된 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 아세틸렌으로부터 에틸렌의 제조에 있어서, 다양한 반응온도 범위에서 촉매 반응 속도를 극대화하는 동시에 부반응을 억제시켜 그린오일과 코크스(cokes) 생성을 최소화하고, 촉매의 비활성화 속도를 개선하며, 아세틸렌의 높은 전환율과 에틸렌의 높은 수율을 제공할 수 있는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 구현예는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매에 있어서, 상기 촉매는 규소 산화물이 함유된 용융된 결정성 상태의 촉매 담체; 및 상기 촉매 담체상에 나노입자 형태로 분산되어 담지된 팔라듐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매를 제공한다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 촉매 담체는 크리스토발라이트(cristobalite)인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 촉매 담체는 비표면적이 1 m2/g 이하이며, 팔라듐 담지량이 촉매 총 중량에 대하여, 0.1 중량% ~ 50.0 중량%인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예는, (a) 규소 전구체를 용융 및 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체를 수득하는 단계; (b) 상기 (a) 단계에서 수득된 촉매 담체에 팔라듐 전구체를 함침시키는 단계; 및 (c) 상기 함침물을 건조 및 열처리하는 단계를 포함하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 다른 구현예에서, 상기 (a) 단계의 규소 전구체는 석영, 실리카, 실리콘, 나트륨 실리케이트, 비정질 알루미노실리케이트, 알콕시실란, SiN, SiAl, 클레이 및 탈크로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 다른 구현예에서, 상기 (a) 단계의 용융은 1,500 ℃ ~ 3,000 ℃인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예는 상기 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 존재하에 아세틸렌을 수소화 반응으로 에틸렌을 제조하는 에틸렌의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 또 다른 구현예에서, 상기 수소화 반응은 반응온도 100 ℃ ~ 1,000 ℃ 및 반응압력 0.01 bar ~ 5 bar의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면 아세틸렌으로부터 에틸렌의 제조에 있어서, 촉매 반응 속도를 극대화하는 동시에 부반응을 억제시켜 그린오일과 코크스(cokes) 생성을 최소화하고, 촉매의 비활성화 속도를 낮추는 동시에 아세틸렌의 높은 전환율과 에틸렌의 높은 수율을 제공할 수 있다.
다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본원 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명은 일 관점에서, 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매에 있어서, 상기 촉매는 규소 산화물이 함유된 용융된 결정성 상태의 촉매 담체; 및 상기 촉매 담체상에 나노입자 형태로 분산되어 담지된 팔라듐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매에 관한 것이다.
일반적으로 아세틸렌의 선택적 수소화 반응에 있어서 에틸렌의 수소화 반응속도는 아세틸렌의 수소화 반응 속도보다 10 ~ 100배 빠른 것으로 알려져 있으나(비특허문헌 0001), 아세틸렌이 선택적으로 수소화되는 것은 아세틸렌이 에틸렌보다 반응 활성점에 선택적으로 흡착하기 때문에 아세틸렌의 수소화와 에틸렌의 수소화가 경쟁할 때, 아세틸렌의 수소화가 우세하다. 즉, 촉매 상에서의 아세틸렌의 수소화 반응은 표면 반응 속도보다는 흡착 및 탈착 속도에 의해 주로 결정된다.
또한, 아세틸렌 수소화 반응에서 반응온도가 500 ℃ 이하에서 운전을 하면, 팔라듐 촉매의 모든 경우에 있어서 탄소 침적은 거의 생기지 않으나, 반응속도가 상대적으로 낮고, 반응물을 냉각시켜야 한다는 단점을 가지게 되는 반면, 팔라듐 촉매하에 500 ℃ 이상에서 운전하게 되면 반응은 원활하게 이루어지나, 에틸렌의 수소화 반응 또는 아세틸렌의 C-C 결합 및 탈수소화반응을 촉진하고 결과적으로 에틸렌의 선택도를 낮춤과 동시에 탄소에 의한 코크스가 발생하여 촉매의 수명에 영향을 주게되며, 반응온도가 더 증가할수록 더 많은 탄소 침적이 생성된다.
이에, 본 발명의 발명자들은 아세틸렌으로부터 선택적으로 에틸렌을 합성하는데 있어서, 에틸렌의 선택도가 높고, 다양한 반응온도 범위에서 기존의 팔라듐 촉매에 비해 내코크 특성이 우수한 촉매를 개발하기 위해 예의 노력한 결과, 규소 산화물이 함유된 용융된 결정성 상태의 촉매 담체상에 촉매활성 성분인 팔라듐을 촉매 담체와 Si-O-Pd 결합을 갖도록 나노입자 형태로 균일하게 분산시킬 경우, 팔라듐 표면에 탄소에 의한 코크스 발생을 억제시키는 동시에 촉매 반응 활성점의 특정 거리간 농도를 감소시켜 생성된 에틸렌과 중간 생성물의 재흡착을 억제함으로써, 수소화 및 추가적인 C-C 결합반응과 같은 부반응 없이 아세틸렌으로부터 에틸렌을 선택적으로 제조할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
더욱 구체적으로, 본 발명에 따른 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매는 결정질 용융 상태의 규소 산화물에 촉매 활성 성분인 팔라듐이 함침된 형태로, 팔라듐 나노입자가 선택적으로 규소 산화물 표면에 박혀 있는 구조이고, 규소 전구체를 용융 및 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체 표면에 팔라듐 전구체를 함침시켜 제조할 수 있다.
이때, 상기 용융된 결정성 상태의 촉매 담체는 바람직하게 규소 전구체를 용융 및 고화시킨 크리스토발라이트(cristobalite)일 수 있다. 상기 크리스토발라이트는 높은 결정크기로 인해 표면적이 작고, 표면 결점의 농도가 낮으며, 산도가 낮은 특성으로, 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매에 있어서 촉매 담체로 사용할 경우에는 아세틸렌의 지지체 표면 및 세공에 강한 흡착을 억제할 뿐만 아니라, 흡착된 아세틸렌의 불필요한 C-C 결합 및 추가적인 탈수소화를 억제시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 촉매 담체는 비표면적이 1 m2/g 이하, 바람직하게는 0.0001 m2/g ~ 0.5 m2/g일 수 있다. 또한, 팔라듐 담지량이 촉매 총 중량에 대하여, 0.1 중량% ~ 50.0 중량%, 바람직하게는 0.3 중량%~ 10.0 중량%일 수 있고, 담지된 팔라듐은 담지된 팔라듐 100 중량%를 기준으로 계산할 때 환원 가능한 팔라듐이 4,700 ㎛olPd/cm2이하, 바람직하게는 1,000 ㎛olPd/cm2 이하로 함유할 수 있다.
만일, 상기 촉매 담체의 비표면적이 1 m2/g를 초과할 경우에는 촉매 표면 내의 반응 활성점의 인접도가 증가하여 중간 생성물의 표면 재흡착이 발생하고, 반응물 및 중간 생성물이 세공안에서 물질전달의 제한이 걸려 원하지 않는 부반응이 발생될 수 있으며, 결과적으로 탄소 침적이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 팔라듐의 담지량이 촉매 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만일 경우에는 도판트로 작용할 수 있는 팔라듐의 양이 작아 반응 효율이 떨어지고, 50.0 중량%를 초과할 경우에는 촉매 표면 내 반응 활성점인 팔라듐의 양이 많아지고, 팔라듐 입자의 크기가 증가하여 코크스와 중간 생성물의 탄화수소의 성장속도가 높아지는 문제가 발생될 수 있다.
한편, 담지된 팔라듐 100 중량%를 기준으로 환원 가능한 팔라듐이 4,700 ㎛ol Pd/cm2를 초과할 경우에는 촉매 표면 내 반응 활성점의 인접도가 증가하여 중간 생성물의 표면 재흡착으로 인해 추가적인 수소화(hydrogenation), 탈수소화(dehydrogenation), 올리고머화(oligomerization), 고리화 반응(cyclization) 등의 부반응이 일어나 에틸렌의 선택도를 낮추고, 결과적으로 탄소 침적이 발생되는 문제점이 발생될 수 있다.
본 발명은 다른 관점에서, (a) 규소 전구체를 용융 및 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체를 수득하는 단계; (b) 상기 (a) 단계의 촉매 담체에 팔라듐 전구체를 초기 함침법(incipient impregnation)으로 함침시키는 단계; 및 (c) 상기 함침물을 건조 및 열처리하는 단계를 포함하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법은 먼저, 규소 전구체를 용융 및 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체를 수득한다[(a) 단계].
상기 규소 전구체는 규소가 함유된 고상의 물질일 수 있고, 바람직하게는 석영, 실리카, 실리콘, 나트륨 실리케이트, 비정질 알루미노실리케이트, 알콕시실란, SiN, SiAl, 클레이 및 탈크로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 석영(quartz)일 수 있다.
상기 규소 전구체는 팔라듐 원소를 함침시에 -OH기를 탈리시키고, 촉매 담체의 표면적 및 표면결점(defect) 농도를 조절하기 위해 용융 및 고화 단계를 수행한다. 상기 용융은 공기 분위기에서 규소 전구체가 용융될 수 있는 온도, 즉 1,500 ℃ ~ 3,000 ℃에서 1 시간 ~ 10 시간 동안 용융시킬 수 있다. 만일, 용융 단계의 온도가 1,500 ℃ 미만일 경우에는 규소 전구체의 용융이 제대로 수행되지 않아 촉매 담체의 표면적을 조절하기 어렵고, 3,000 ℃를 초과할 경우에는 촉매 담체 성분이 기화하여 손실이 생길 수 있어 균일한 촉매를 제조하는데 문제점이 발생될 수 있다.
상기 용융된 용융물은 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체를 수득한다. 상기 고화는 급속 냉각 또는 자연 냉각을 수행할 수 있다. 상기 급속 냉각은 가스 냉각, 수냉, 유냉, 액체 질소 냉각 등으로 수행할 수 있으며, 바람직하게는 급속 냉각을 1 ℃ /min ~ 100 ℃ /min 조건 범위로 수행할 수 있다.
상기 가스 냉각에서의 가스는 불화성 가스 및 공기로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 유냉 냉각에서 오일은 광유, 유채유, 실리콘유 등일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 촉매 담체는 전술된 용융 단계 및 고화 단계를 반복 수행함으로써, 촉매 담체의 표면적을 조절할 수 있다. 이때, 상기 용융 단계 및 고화 단계의 반복 횟수는 1회 이상일 수 있으며, 바람직하게는 2회 ~ 5회일 수 있다.
상기 제조방법을 통하여 제조된 촉매 담체의 결정구조는 α-crystobalite로, 200 ℃ ~ 300 ℃로 가열 시 가역적으로 β-crystobalite로 변환되는 것을 특징으로 한다.
이후, 상기 수득된 촉매 담체는 팔라듐 전구체를 함침시킨다[(b) 단계].
이때, 상기 함침은 통상의 방법이면 제한 없이 적용 가능하고, 바람직하게는 초기 함침법(incipient impregnation)일 수 있으며, 상온 ~ 80 ℃ 온도에서 0.1 ~ 10 시간 동안 수행할 수 있다. 이때, 함침 농도는 촉매 총 중량에 대하여 팔라듐 전구체 0.1 wt% ~ 50 wt%를 혼합하여 함침시킬 수 있다. 0.1 wt% 미만으로 팔라듐 전구체를 혼합시킬 경우, 촉매 활성이 급격히 떨어지고, 50 wt%를 초과할 경우에는 촉매 담체의 활성물질 분산도가 낮아져 팔라듐 함량 대비 반응성이 오히려 낮아지는 문제점이 있다.
또한, 팔라듐 전구체로는 Pd(NO3)2 등의 팔라듐 질화물, PdSO4 등의 팔라듐 황화물; PdCl2 등의 팔라듐 염화물; Pd(OAc)2, Pd(C5H7O2)2, Pd(C2H5CO2)2 등의 팔라듐 산화물; 등일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
이후, 상기 함침물은 건조한 다음, 열처리시켜 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매를 제조한다[(c) 단계].
상기 건조는 함침물에 함유된 용매 등의 불순물을 제거하고, 후술되는 하소를 원활하게 진행하기 위한 것으로, 용매가 제거될 수 있는 온도 및 시간이면 제한 없이 가능하고, 바람직하게는 80 ℃ ~ 120 ℃로 0.5 시간 ~ 36 시간 동안 수행할 수 있다.
한편, 이와 같이 건조된 건조물은 공기, 산소 또는 불활성 분위기에서 300 ℃ 내지 1,000 ℃까지 1 ℃/min 이상, 바람직하게는 2 ℃/min ~ 1,000 ℃/min의 승온 속도로 가열하여 열처리할 수 있다. 상기 열처리 온도가 300 ℃ 미만일 경우에는, 건조물에 잔존하는 불순물 제거가 용이하지 않고, 균일한 촉매를 제조하는데 문제점이 발생될 수 있으며, 1,000 ℃를 초과할 경우에는 뭉쳐짐 현상이 발생되거나, 촉매 활성 성분이 기화하여 손실이 생기는 문제점이 발생될 수 있다. 이때, 열처리 시간은 충분히 소성될 수 있도록 충분한 시간으로 소성시킬 수 있고, 바람직하게는 0.1 시간 ~ 10 시간 정도일 수 있다.
이와 같이 제조된 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매는 입상화하기 위해 무기바인더, 유기바인더, 물 등에 균일하게 혼합하여 촉매혼합물을 수득하고, 이를 성형하여 촉매성형체를 제조할 수 있다.
상기 유기바인더는 당 업계에서 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정하지는 않으나, 메틸셀룰로오스, 에틸렌글리콜, 폴리올, 푸드 오일 또는 유기 지방산 중에서 선택된 하나 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적인 예를 들면 유기 바인더로는 하이드록시 메틸셀룰로오스 (Hydroxy methyl cellulose) 또는 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 무기 바인더는 당 업계에서 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정하지는 않으나, 고상 실리카, 고상 알루미나, 고상 실리카-알루미나, 실리카 졸, 알루미나 졸, 물유리 중에서 선택된 하나 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적인 예를 들면 무기바인더로는 퓸드 실리카(Fumed silica), 실리카 졸(Silica solution), 보헤마이트 (Boehmite) 또는 알루미나 졸(Alumina solution)을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 촉매 혼합물은 전형적으로 허니컴 구조체, 모노리스 구조체 등의 촉매 구조체에 상기 촉매 혼합물을 코팅시키거나, 상기 촉매 혼합물의 촉매성분을 직접 압출 성형하여 촉매성형체로 제조된다. 또한, 상기 촉매 혼합물은 반응기 내벽에 직접 코팅하여 사용할 수 있다. 이때, 상기 촉매 혼합물의 코팅 및 압출성형은 당 업계에서 사용하는 방법으로 용이하게 제조할 수 있으며, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 또 다른 관점에서, 본 발명에 따른 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 존재하에 아세틸렌을 수소화 반응으로 에틸렌을 제조하는 에틸렌의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 에틸렌을 제조하는 방법은 전술된 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매하에서 아세틸렌을 원료로 사용하여 에틸렌을 선택적으로 제조할 수 있다.
상기 수소화 반응은 반응온도 100 ℃ ~ 1,000 ℃ 및 0.01 bar ~ 5 bar의 조건에서 수행할 수 있으며, 바람직하게는 500 ℃ ~ 1,000 ℃ 및 반응압력 0.01 bar ~ 5 bar의 조건에서 수행할 수 있다.
상기 수소화 반응의 반응온도가 100 ℃ 미만이면 반응효율이 떨어져 에틸렌의 선택도를 감소시키고, 1,000 ℃를 초과하면 탄소 침적율이 증가하여 촉매의 수명이 짧아지고, 중간 생성물의 부반응(hydrogenation, dehydrogenation, oligomerization, cyclization, cracking 등)을 촉진시키는 문제점을 발생시킬 수 있다.
또한, 수소화 반응의 반응압력이 0.01 bar 미만이면 반응물 및 생성물이 쉽게 탄화되어 촉매 안정성에 문제가 발생되는 반면에, 반응압력이 5 bar를 초과하면 반응물 및 중간 생성물의 탄소사슬 성장속도가 증가하여 촉매 안정성에 문제가 발생되는 동시에, 고압 유지를 위한 안정상의 문제로 공정 운전이 까다롭기 때문에 바람직하지 않다.
한편, 본 발명의 촉매를 사용한 아세틸렌의 수소화 반응에는 고정상식 반응기 또는 유동상식 반응기의 어느 것을 사용하여도 좋으며, 기상, 액상, 혼합상의 어느 상에서 반응을 행하여도 좋다. 기상 반응의 예로서는 본 발명의 촉매를 내부에 충진하고 있는 반응기의 입구로부터, 반응물인 아세틸렌이 함유된 혼합물 및 수소가스를 반응기 중에 송입하면 반응기 내부에서 수소화되어 반응기 출구로 배출된다. 이때, 아세틸렌이 함유된 혼합물은 아세틸렌 이외에도 메탄, 에탄, 에틸렌, 벤젠, 나프탈렌 등을 포함할 수 있고, 수소/아세틸렌의 몰비는 0.5 ~ 50 조건하에서 수행할 수 있다.
만일, 수소/아세틸렌의 몰비가 0.5 미만일 경우, 500 ℃ 이상의 반응온도 조건에서 아세틸렌의 수소화 반응보다, 아세틸렌의 C-C 결합반응이 촉진되어 벤젠과 같은 방향족 화합물이 생성될 수 있고, 이 방향족 화합물은 아세틸렌과 추가적으로 결합하여 코크를 형성할 수 있으며, 수소/아세틸렌의 몰비가 50을 초과한 경우에는 생성된 에틸렌의 추가적인 수소화로 인하여 에탄이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 에틸렌 제조방법은 팔라듐 표면에 탄소에 의한 코크스 발생을 억제시키는 동시에 촉매 반응 활성점의 특정 거리간 농도를 감소시켜 생성된 에틸렌과 중간 생성물의 재흡착을 억제시킨 촉매를 이용함으로써, 촉매 반응 속도를 극대화하는 동시에 부반응을 억제시켜 그린오일과 코크스(cokes) 생성을 최소화하고, 아세틸렌의 높은 전환율과 에틸렌의 높은 수율을 제공할 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
규소 전구체로 석영(quartz) 1,700 ℃에서 2시간 동안 용융시킨 다음, 수냉으로 급속 냉각시켜 크리스토발라이트(CRS, cristobalite)를 수득하였다. 이후 Pd(NO3)2·2H2O 0.075 g을 에탄올 5 mL에 잘 혼합한 후, 수득된 크리스토발라이트(CRS, cristobalite) 6 g에 상온에서 1시간 동안 incipient wetness impregnation으로 담지하였다. Pd이 담지된 CRS는 110 ℃에서 3시간 동안 건조한 후에, 400 ℃까지 분당 2 ℃의 속도로 승온 후에 4시간 동안 산소 분위기에서 열처리하고, 추가적으로 850 ℃까지 분당 6 ℃ 속도로 승온 후에 1시간 동안 50 % H2/He의 환원 분위기에서 열처리하여 촉매 총 중량 대비 팔라듐 담지량이 0.5 wt%인 Pd/CRS 촉매(비표면적 0.5 m2/g 이하, Micromeritics ASAP 2420 측정)를 수득하였다.
<비교예 1>
실시예 1과 같이 Pd(NO3)2·2H2O 0.075 g을 에탄올 5 mL에 잘 혼합한 후, 크리스토발라이트(CRS, cristobalite) 6 g에 incipient wetness impregnation으로 담지하였다. Pd가 담지된 CRS는 110 ℃에서 3시간 동안 건조한 후에, 1,700 ℃까지 분당 10℃의 속도로 승온 후에 6시간 동안 산소 분위기에서 용융하여 촉매 총 중량 대비 팔라듐 담지량이 0.5 wt%인 Pd-CRS 촉매를 수득하였다. 추가적으로 850 ℃까지 분당 6 ℃ 속도로 승온 후에 1시간 동안 50 % H2/He의 환원 분위기에서 열처리하여 촉매(비표면적 0.5 m2/g 이하, Micromeritics ASAP 2420 측정)를 제조하였다.
<비교예 2 내지 4>
지지체로 감마-알루미나를 사용하였다. Pd(NO3)2·2H2O 0.075 g을 에탄올 5 mL에 잘 혼합한 후 지지체로 Al2O3 6 g에 incipient wetness impregnation으로 담지하였다. Pd가 담지된 Al2O3는 110 ℃에서 3시간 동안 건조한 후에, 400 ℃까지 분당 2 ℃의 속도로 승온 후에 4시간 동안 산소 분위기에서 소성하여 촉매 총 중량 대비 팔라듐 담지량이 0.5 wt%인 촉매를 수득하였다. 상기 언급한 방법과 동일한 방법으로 촉매를 제조하되, 담체(지지체)를 CeO2 및 TiO2로 변경하여 비교예 3 및 비교예 4의 촉매를 제조하였다.
<비교예 5 내지 32>
실시예 1과 같은 제조방법 촉매를 제조하되, 표 1에 기재된 금속 전구체 및 담체를 사용하여 0.5 wt% 금속이 담지된 촉매를 수득하였다. 이때, 금속 전구체는 Pt(NH3)4(NO3)2, Ru(NO)(NO3)x, IrCl3, H3BO3, NH4VO3, (NH4)6Mo7O24, C15H21O6Rh, HAuCl4, H3PO4, HReO4,(NH4)10(H2W12O42)를 제외하고, 모두 질화염(NO3)를 포함하는 금속 전구체를 사용하였다.
[실험예 1: 아세틸렌의 수소화 반응]
실시예 및 비교예에서 제조된 촉매를 이용하여 아세틸렌의 수소화 반응을 10.2 시간 동안 실시하여 촉매 성능을 확인하였다. 실험에 사용된 반응기는 충진층 반응기(fixed-bed reactor)로, 내부지름이 7 mm인 석영 재질의 관형 반응기를 총 150 mm 높이의 heating zone을 갖는 furnace에 설치하였다. 제조된 촉매는 425 ~ 850 ㎛ 크기로 분쇄하여 석영관 반응기 안에 충진시켰다. 이후, 반응 조건에서 아세틸렌이 함유된 반응물을 mass flow controllers를 사용하여 850 ℃에서 80 ml/min으로 공급하였다(반응물 조성: 0.25 % C2H2, 12.5 % H2, 86.25 % He, 1.0 % Ar). Ar 가스는 internal standard로 사용하였다.
이후 수득된 생성물의 기상의 탄화수소는 YL Instrument 사의 Series 6500의 GC를 사용하여 분석하였고, 기체 상태의 생성물은 ShinCarbon ST 컬럼에 연결된 Thermal conductivity detector(TCD)와 Rt-alumina BOND, RTx-VMS 컬럼이 각각 연결된 2개의 Flame ionization detector(FID) detector로 분석하였다. C2H2, CH4 및 Ar은 ShinCarbon ST 컬럼에서 분리되어 TCD로 검출하였으며, internal standard인 Ar 넓이 대비 아세틸렌의 넓이로 전환율을 계산하였다. C1 내지 C5 범위의 light hydrocarbon과 벤젠은 Rt-alumina BOND 컬럼으로 분리하여 FID로 검출하였고, 벤젠을 포함한 아로마틱 화합물은 RTx-VMS 컬럼으로 분리하여 FID로 검출하였다. 미반응 가스 및 생성물에 대한 검출을 통하여 carbon balance는 98 % 이상을 유지하였다. 모든 가스는 표준시료를 사용하여 정량을 진행하였다. 코크스 선택도는 [Scoke = 100 - Σ생성물 선택도]를 통하여 계산하였다. 산출된 아세틸렌 전환율 및 생성물 선택도를 바탕으로 총 10.2 h 반응시간 동안 축적된 반응속도를 담지된 금속 촉매를 기준으로 계산하였다. 생성된 탄화수소 (메탄, 에탄, C3, C4, C5, 벤젠, 톨루엔, 나프탈렌, 및 알킬-아로마틱스)에서의 에틸렌 선택도를 계산하였다. 또한 반응시간에 따른 전환속도의 감소를 바탕으로 비활성화 속도상수를 계산하여 표 1에 나타내었다. 이와 같이 측정된 결과를 표 1에 나타내었다.
구분 | 촉매 성분 | 아세틸렌 소모속도(mmol C gcat-1 h-1) | 탄화수소 생성속도(mmol C gcat-1 h-1) | 코크스 생성속도(mmol C gcat-1 h-1) | 선택도 (%) | 비활성화 속도상수 (kd) | |
에탄 | 에틸렌 | ||||||
실시예 1 | Pd/CRS | 3100.8 | 2990.6 | 110.3 | 7.2 | 78.4 | 0 |
비교예 1 | Pd-CRS | 4647.5 | 4290.1 | 357.4 | 4.4 | 85.6 | 0.057 |
비교예 2 | Pd/Al203 | 9765.3 | 7796.9 | 1968.4 | 23.1 | 58.4 | 0.037 |
비교예 3 | Pd/Ce02 | 2429.3 | 2082.7 | 346.6 | 3.0 | 80.7 | 0.294 |
비교예 4 | Pd/TiO2 | 2806.4 | 2606.6 | 199.7 | 3.2 | 81.6 | 0.229 |
비교예 5 | Co/CRS | 802.8 | 576.6 | 250.9 | 2.3 | 72.8 | 0.035 |
비교예 6 | Mg/CRS | 563.7 | 558.1 | 7.2 | 1.8 | 76.0 | 0.064 |
비교예 7 | K/CRS | 919.1 | 884.5 | 34.6 | 1.8 | 76.9 | 0.059 |
비교예 8 | Li/CRS | 531.0 | 531.0 | 0 | 1.9 | 78.4 | 0.118 |
비교예 9 | Ni/CRS | 701.4 | 644.7 | 56.7 | 2.3 | 72.5 | 0.082 |
비교예 10 | Na/CRS | 532.4 | 532.4 | 0 | 1.7 | 77.0 | 0.035 |
비교예 11 | Cu/CRS | 556.6 | 556.6 | 0 | 1.9 | 77.6 | 0.184 |
비교예 12 | Cr/CRS | 536.4 | 536.4 | 0 | 1.8 | 78.0 | 0.065 |
비교예 13 | Zn/CRS | 580.4 | 580.4 | 0 | 1.9 | 78.1 | 0 |
비교예 14 | Pt/CRS | 1746.3 | 1621.3 | 125.1 | 7.9 | 83.7 | 0.158 |
비교예 15 | Ga/CRS | 928.2 | 511.9 | 416.4 | 1.7 | 75.6 | 0.218 |
비교예 16 | W/CRS | 532.6 | 527.5 | 5.1 | 1.8 | 77.9 | 0.124 |
비교예 17 | Gd/CRS | 532.5 | 522.7 | 9.8 | 1.7 | 77.4 | 0.136 |
비교예 18 | Rh/CRS | 1291.5 | 1204.0 | 87.6 | 3.5 | 85.0 | 0.022 |
비교예 19 | Mo/CRS | 449.2 | 445.3 | 3.8 | 1.5 | 74.9 | 0.071 |
비교예 20 | Ir/CRS | 542.4 | 542.4 | 0 | 1.8 | 77.9 | 0.037 |
비교예 21 | Au/CRS | 514.9 | 474.3 | 40.6 | 1.5 | 76.0 | 0.127 |
비교예 22 | In/CRS | 631.9 | 491.0 | 140.9 | 1.4 | 76.4 | 0.191 |
비교예 23 | Ag/CRS | 587.6 | 582.0 | 5.6 | 1.9 | 79.1 | 0.027 |
비교예 24 | Al/CRS | 1304.9 | 1248.8 | 56.1 | 3.6 | 85.4 | 0.105 |
비교예 25 | Ca/CRS | 518.9 | 518.9 | 0 | 1.6 | 75.5 | 0.020 |
비교예 26 | La/CRS | 458.3 | 481.2 | 4.1 | 1.4 | 75.1 | 0.054 |
비교예 27 | Zr/CRS | 467.4 | 447.1 | 20.2 | 1.4 | 74.4 | 0.022 |
비교예 28 | Ce/CRS | 529.0 | 529.0 | 0 | 1.7 | 75.3 | 0.051 |
비교예 29 | V/CRS | 436.0 | 420.4 | 15.6 | 1.2 | 72.9 | 0.006 |
비교예 30 | B/CRS | 461.8 | 461.4 | 0.5 | 1.6 | 74.9 | 0.046 |
비교예 31 | P/CRS | 537.7 | 476.2 | 61.6 | 2.5 | 77.7 | 0.010 |
비교예 32 | Cr/CRS | 470.5 | 470.5 | 0 | 1.5 | 77.4 | 0.019 |
표 1에 나타난 바와 같이, 실시예 1은 비교예 1에 비해 탄화수소 생성속도는 30 % 낮지만, 코크스 생성속도는 70 % 이상 감소시키는 것을 확인할 수 있었고, 비교예 1의 일정 정도 비활성화가 나타났지만, 실시예 1은 비활성화를 10.2시간 동안 발생하지 않았다. 이를 통해, 실시예 1로 제조된 촉매의 경우 850 ℃의 고온에서 코크스를 생성하지 않으면서 선택적으로 에탄 및 에틸렌을 생성함을 확인할 수 있었다. 또한, 비교예 2 내지 4와 같이 다른 종류의 지지체를 사용하여 Pd 촉매를 제조한 후 반응을 진행하였을 때 비활성화 속도상수가 상대적으로 높은 것을 확인할 수 있다. 특히, 비교예 2의 알루미나를 지지체로 사용한 Pd 촉매 대비 실시예 1로 제조한 촉매는 아세틸렌 소모속도는 3.1배 낮지만, 코크스 생성속도는 17.8배 낮아 코크스에 저항성을 갖으면서 선택적으로 아세틸렌을 수소화하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 비교예 5 내지 32의 촉매의 경우 역시, 실시예 1의 촉매가 비교예 5 내지 32의 촉매에 비해 850 ℃에서 월등히 코크크에 저항성을 갖으면서 선택적으로 아세틸렌을 수소화하는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매는 에틸렌의 제조에 있어서, 촉매 반응 속도를 극대화하는 동시에 코크스(coke) 생성을 최소화하고, 아세틸렌의 높은 전환율과 에틸렌 및 방향족 화합물의 높은 수율을 제공할 수 있음을 확인할 수 있었다.
본 발명은 상기한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 개념 및 범위 내에서 상이한 실시예를 구성할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위 및 이와 균등한 것들에 의해 정해지며, 본 명세서에 기재된 특정 실시예에 의해 한정되지는 않는다.
Claims (8)
- 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매에 있어서,상기 촉매는 규소 산화물이 함유된 용융된 결정성 상태의 촉매 담체; 및상기 촉매 담체상에 나노입자 형태로 분산되어 담지된 팔라듐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매.
- 제1항에 있어서,상기 촉매 담체는 크리스토발라이트(cristobalite)인 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매.
- 제1항에 있어서,상기 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매는 촉매 담체의 비표면적이 1 m2/g 이하이며, 팔라듐 담지량이 촉매 총 중량에 대하여, 0.1 중량% ~ 50.0 중량%인 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매.
- (a) 규소 전구체를 용융 및 고화시켜 용융된 결정성 상태의 촉매 담체를 수득하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 수득된 촉매 담체에 팔라듐 전구체를 함침시키는 단계; 및(c) 상기 함침물을 건조한 후 열처리하는 단계를 포함하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 (a) 단계의 규소 전구체는 석영, 실리카, 실리콘, 나트륨 실리케이트, 비정질 알루미노실리케이트, 알콕시실란, SiN, SiAl, 클레이 및 탈크로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법.
- 제4항에 있어서,상기 (a) 단계의 용융은 1,500 ℃ ~ 3,000 ℃인 것을 특징으로 하는 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매의 제조방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 아세틸렌의 선택적 수소화용 촉매 존재하에 아세틸렌을 수소화 반응으로 에틸렌을 제조하는 에틸렌의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 수소화 반응은 반응온도 100 ℃ ~ 1,000 ℃ 및 반응압력 0.01 bar ~ 5 bar의 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 에틸렌의 제조방법.
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