WO2021044850A1 - タッチセンサ、及び、タッチセンサの製造方法 - Google Patents

タッチセンサ、及び、タッチセンサの製造方法 Download PDF

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WO2021044850A1
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conductive layer
layer
touch sensor
width
conductive
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PCT/JP2020/031374
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English (en)
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隆佳 二連木
博 田原
正 東條
奨 長島
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025—Electric or magnetic properties
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means

Definitions

  • the present disclosure generally relates to a touch sensor and a method for manufacturing the touch sensor, and more specifically, to a touch sensor in which the back surface of the conductive portion is darkened and a method for manufacturing the touch sensor.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a transparent conductive support.
  • the first conductive film layer is formed on the transparent support
  • the resist layer is formed on the first conductive film layer so as to have an opening
  • the second conductive film is formed in the opening of the resist layer. Layers are formed.
  • the resist layer is removed, and the portion of the first conductive film layer where the second conductive film layer does not overlap is removed.
  • a laminated metal film (conductive portion) composed of the first conductive film layer and the second conductive film layer is formed on the transparent support.
  • the SAP method has an advantage that the laminated metal film can be easily thinned.
  • the touch sensor includes a base material, a first conductive layer which is a dark color layer provided on the upper surface of the base material, and a second conductive layer provided on the first conductive layer. And a third conductive layer provided on the second conductive layer.
  • a first conductive layer which is a dark color layer
  • a second conductive layer are laminated on a base material in the order of the first conductive layer and the second conductive layer.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the appearance of the touch sensor according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the same touch sensor.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining the main points of the method for manufacturing the touch sensor of the above.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the main points of the method for manufacturing the touch sensor of the above.
  • FIG. 3C is a diagram for explaining the main points of the method for manufacturing the touch sensor of the above.
  • FIG. 4A is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4C is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4A is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4C is a diagram illustrating the entire process of the
  • FIG. 4D is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4E is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4F is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4G is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 4H is a diagram illustrating the entire process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 5A is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 5B is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 5C is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 5A is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 5B is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch
  • FIG. 5D is a diagram for explaining the characteristics of the flash etching process of the same touch sensor manufacturing method.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view of the object to be etched before the flash etching step of the reference example.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view of the object to be etched after the flash etching step of the reference example.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of the object to be etched before the flash etching step of this embodiment.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of an object to be etched after the flash etching step of the present embodiment when a type A etching solution is used.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view of the object to be etched before the flash etching step of this embodiment.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of an object to be etched after the flash etching step of the present embodiment when a type B etching solution is used.
  • FIG. 9A is a view of observing the back surface of the black back surface layer after the flash etching step of the reference example.
  • FIG. 9B is a view of observing the back surface of the black back surface layer after the flash etching step of this embodiment.
  • FIG. 10A is a diagram illustrating an experimental method of an evaluation experiment of backside reflection of the conductive portion of the touch sensor of the above.
  • FIG. 10B is a diagram showing the evaluation results of the evaluation experiment.
  • the touch sensor 1 is, for example, a capacitance type sensor, and detects a touch (contact) of the operating body U1.
  • the operating body U1 is, for example, a human fingertip (a part of a living body).
  • the operating body U1 may include an object that covers a part of the living body (for example, a glove) or an object held by the living body (for example, a pen-shaped operating member).
  • the touch sensor 1 is a so-called out-cell type film sensor formed in the form of a flexible film. That is, the touch sensor 1 can be mounted on a liquid crystal panel of an electronic device and used as an operation unit that receives an operation input to the electronic device.
  • electronic devices include smartphones, tablet terminals, notebook PCs (personal computers), car navigation systems, in-vehicle center consoles, and the like.
  • the touch sensor 1 is formed, for example, in a substantially rectangular shape when viewed from the front.
  • FIG. 1 is a front view of the touch sensor 1.
  • the "front” in FIG. 1 corresponds to the "top” in FIG. 2, and the “rear” in FIG. 1 corresponds to the "bottom” in FIG.
  • terms indicating directions such as “upper”, “lower”, “upper”, and “lower” are used, but these only indicate relative positional relationships. Does not limit this disclosure.
  • the front area of the touch sensor 1 includes a sensor area R1 capable of detecting the touch of the operating body U1 and a wiring area R2 (frame portion) arranged around the sensor area R1.
  • the sensor electrode of the touch sensor 1 is arranged in the sensor area R1.
  • the sensor electrode has a plurality of first electrodes (reception electrodes) and a plurality of second electrodes (transmission electrodes).
  • the plurality of first electrodes have, for example, an elongated rectangular shape and extend in the vertical direction.
  • the plurality of second electrodes have, for example, an elongated rectangular shape and extend in the left-right direction.
  • the plurality of second electrodes are arranged on the rear side or the front side of the plurality of first electrodes.
  • the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are arranged orthogonally in a grid pattern when viewed from the front.
  • the first electrode and the second electrode are each formed in a mesh shape. That is, in each of the first electrode and the second electrode, for example, a plurality of linear conductive portions 4 extending diagonally to the upper right and a plurality of linear conductive portions 4 extending diagonally to the lower right have a mesh pattern. It is configured to be integrally connected so as to form.
  • a plurality of diamond-shaped openings (cells) R3 are formed vertically and horizontally by the conductive portion 4.
  • the mesh-patterned opening R3 is not limited to a rhombus and may be a quadrangle.
  • a plurality of wirings are arranged which output the change of the electric field generated between the first electrode and the second electrode as an electric signal to the control unit of the electronic device.
  • the touch sensor 1 is, for example, a mutual capacitance type touch sensor that detects a change in the electric field between the first electrode and the second electrode when the operating body U1 approaches the first electrode or the second electrode.
  • the touch sensor 1 may be a self-capacitating touch sensor that detects a change in capacitance of the first electrode or the second electrode when the operating body U1 comes into contact with the first electrode or the second electrode.
  • the touch sensor 1 includes a film body 2 having a plurality of linear conductive portions 4 forming a mesh pattern.
  • the film body 2 includes a base material 3 and a plurality of conductive portions 4 (4X, 4Y).
  • a plurality of conductive portions 4 are provided on both sides of the base material 3.
  • a plurality of conductive portions 4 (4X) provided on one main surface (upper surface) of the base material 3 constitute the above-mentioned first electrode.
  • a plurality of conductive portions 4 (4Y) provided on the other main surface (lower surface) of the base material 3 constitute the above-mentioned second electrode.
  • the conductive portion 4X and the conductive portion 4Y have the same structure as each other. In FIG. 2, the conductive portion 4X and the conductive portion 4Y are shown one by one as an example.
  • the base material 3 is a film-like member having electrical insulation and flexibility.
  • the base material 3 has a base material main body 7 and a resin layer 8.
  • the base material body 7 is a highly light-transmitting (for example, transparent) film-like substrate formed of, for example, PET (polyethylene terephthalate).
  • the base material body 7 may be formed of COP (cycloolefin polymer).
  • the resin layer 8 is a layer formed of a resin material. The resin layer 8 is formed so as to cover the entire surfaces of both sides of the base material body 7.
  • the plurality of conductive portions 4 are provided on the surface of the resin layer 8. As shown in FIG. 2, each conductive portion 4 is thinned so that the width D1 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • Each conductive portion 4 has a black back surface layer 41 (a first conductive layer which is a dark color layer), an electroless copper layer 42 (second conductive layer), and an electrolytic copper layer 43 (third conductive layer).
  • the black back surface layer 41 is a portion for making the conductive portion 4 look black when the conductive portion 4 is viewed from the back surface (base material 3) thereof.
  • the black back surface layer 41 is formed on the resin layer 8.
  • the back surface of the black back surface layer 41 (contact surface with the resin layer 8) is a fine uneven surface composed of fine irregularities.
  • the black back surface layer 41 is formed by precipitating the copper contained in the electroless copper layer 42 from the back surface of the electroless copper layer 42.
  • the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 form the main conductive portion of the conductive portion 4.
  • the black back surface layer 41 also functions as a conductive portion.
  • the electroless copper layer 42 is formed on the black back surface layer 41.
  • the electroless copper layer 42 is formed in layers by electroless copper plating.
  • the electrolytic copper layer 43 is formed on the electroless copper layer 42.
  • the electrolytic copper layer 43 is formed in layers by electrolytic copper plating.
  • the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42 are made of the same material (electroless copper, that is, copper). Thereby, as described later, the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42 can be formed by etching and removing them at the same time. Further, the electrolytic copper layer 43 is also formed of the same material (that is, copper) as the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42. As a result, as will be described later, the electrolytic copper layer 43 can also be formed by etching removal at the same time as the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42.
  • the difference between the width d1 of the black back surface layer 41 and the width d2 of the electroless copper layer 42 is, for example, within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • it can be used for determining whether or not the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42 are made of the same material. That is, since the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42 are formed by etching and removing them at the same time as described later, if the materials are the same, the difference between their widths d1 and d2 is ⁇ 0.5 ⁇ m. However, if the materials are different, the difference between the widths d1 and d2 will not be within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • the electroless copper layer 42 can be made inconspicuous when viewed from the back surface (base material 3) of the touch sensor 1. .. Further, since the width d2 of the electroless copper layer 42 is within ⁇ 0.5 ⁇ m than the width d1 of the black back surface layer 41, the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured.
  • the difference between the width d1 of the electroless copper layer 42 and the width d3 of the electrolytic copper layer 43 is preferably within ⁇ 0.5 ⁇ m, but may be within ⁇ 1.4 ⁇ m. Thereby, it can be used for determining whether or not the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 are made of the same material. Further, the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured.
  • the touch sensor 1 of the present embodiment is characterized in that the back surface of each conductive portion 4 (4X, 4Y) is blackened and thinned.
  • the base material 3 having the base material body 7 and the resin layer 8 is prepared. Then, the black back surface layer 51 and the electroless copper layer 50 are laminated in this order on the entire surface of the resin layer 8.
  • the electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8 on both sides of the base material body 7.
  • a fixing agent for example, a palladium catalyst
  • the fixing agent can be formed on the surface of the resin layer 8 by various methods such as coating or immersion.
  • the electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8 by electroless copper plating.
  • the electroless copper layer 50 When the electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8, the copper contained in the electroless copper layer 50 is deposited on the interface between the electroless copper layer 50 and the resin layer 8 in the state of fine particles. To do. As a result, the precipitated copper forms a black back surface layer 51 between the electroless copper layer 50 and the resin layer 8.
  • the black back surface layer 51 is also made of electroless copper, like the electroless copper layer 50.
  • the boundary surface between the black back surface layer 51 and the resin layer 8 is a fine uneven surface having fine irregularities due to fine-grained copper. Visible light is easily absorbed by this minute uneven surface. As a result, when the black back surface layer 51 is viewed from the base material 3, it looks black.
  • the electroless copper layer 50 and the black back surface layer 51 are formed of a single material (copper).
  • the electroless copper layer 50 and the black back surface layer 51 can be simultaneously etched and removed. That is, the etching removal can be easily performed without complicated etching removal.
  • the electrolytic copper layer 53 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50 by using the SAP (Semi Additive Process) method. More specifically, first, a resist 52 is formed on the surface of the electroless copper layer 50 by using a well-known photolithography technique. Due to this pattern formation, the resist 52 has an opening 52a at a predetermined position.
  • the width D2 of the opening 52a is, for example, 6 ⁇ m. This width D2 is larger than the width D1 (for example, 3 ⁇ m) of the finally formed conductive portion 4 (see FIG. 3C). Then, the electrolytic copper layer 53 is formed on the electroless copper layer 50 in the opening 52a.
  • the electrolytic copper layer 53 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50. More specifically, by using the electroless copper layer 50 as the electrolytic plating seed layer, the electrolytic copper layer 53 having a width D2 is patterned by electrolytic copper plating.
  • the SAP method is a method of forming a pattern of the electrolytic copper layer 53 by using the opening 52a of the resist 52.
  • the dimensional accuracy when pattern forming the resist 52 is relatively high. Therefore, the width D2 of the opening 52a of the resist 52 can be formed as thin and accurate. Therefore, when the SAP method is used, the width D2 of the electrolytic copper layer 53 can be accurately and thinly formed by utilizing the highly accurate dimensional accuracy of the opening 52a of the resist 52. As described above, in this manufacturing method, the width D2 of the electrolytic copper layer 53 can be accurately formed by forming the pattern of the electrolytic copper layer 53 using the SAP method.
  • a black back surface layer 41, an electroless copper layer 42, and an electrolytic copper layer 43 are formed.
  • the conductive portion 4 having a width D1 is formed by the black back surface layer 41, the electroless copper layer 42, and the electrolytic copper layer 43.
  • each width d1 to d3 is strictly defined as the width D1. It is not limited to the case where each width d1 to d3 is brought close to the width D1 within a certain range.
  • the difference between the width d1 of the black back surface layer 41 and the width d2 of the electroless copper layer 42 after the film thinning treatment is, for example, within ⁇ 0.5 ⁇ m, and the electroless copper layer after the film thinning treatment.
  • the difference between the width d2 of 42 and the width d3 of the electrolytic copper layer 43 is also, for example, within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • the difference between the widths d1 and d2 after the film thinning treatment is, for example, within ⁇ 0.5 ⁇ m. It fits.
  • the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 are also formed of the same material (copper)
  • the difference between the widths d2 and d3 after the film thinning treatment is, for example, within ⁇ 0.5 ⁇ m. There is.
  • the fixing agent applied to the surface of the resin layer 8 is also removed by flash etching. However, if the fixing agent has not been sufficiently removed (that is, if the fixing agent residue remains), after flash etching, a fixing agent removing solution (for example, a palladium removing solution) is used to remove the fixing agent residue. It may be removed.
  • a fixing agent removing solution for example, a palladium removing solution
  • the entire process of this manufacturing method includes an adhesion layer coating step, a non-electrolytic plating step, a resist forming step, a patterning step, an electrolytic plating step, a resist removing step, a flash etching step, and a blackening treatment step.
  • the adhesion layer coating process (Fig. 4A) is performed.
  • a resin layer 8 is formed on both sides of the base material body 7 as an adhesion layer that adheres to the base material body 7.
  • the resin layer 8 may be composed of a single resin layer or may be composed of a plurality of (for example, two) resin layers.
  • an electroless plating step (FIG. 4B) is performed.
  • an electroless copper layer 50 and a black back surface layer 51 are formed on the entire surface of the resin layer 8 by electroless copper plating.
  • the resist 52 is formed on the entire surface of the electroless copper layer 50 in the next resist forming step (FIG. 4C), and the resist 52 is unnecessary in the next patterning step (FIG. 4D).
  • the resist 52 having the opening 52a is patterned, and in the next electroplating step (FIG. 4E), the electroless copper layer 50 is used as the electroplating seed layer, and there is nothing in the opening 52a.
  • the electrolytic copper layer 53 is formed on the electrolytic copper layer 50.
  • the resist removing step (FIG. 4F)
  • the resist 52 is removed.
  • the electrolytic copper layer 53 is used as a mask, and unnecessary portions (electrolytic copper layer) of the electroless copper layer 50 and the black back surface layer 51 are used.
  • the portion that does not overlap with 53) is removed by etching.
  • the widths of the black back surface layer 51, the electroless copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53 are further thinned to a predetermined width D1 (for example, 3 ⁇ m) (film thinning treatment).
  • a predetermined width D1 for example, 3 ⁇ m
  • the entire surface of the conductive portion 4 is blackened by the blackening treatment (FIG. 4H). More specifically, for example, electroless plating forms a nickel film (black film) 44 on the surface of the conductive portion 4.
  • the color of the black film 44 and the color of the black back layer 51 (41) are, for example, the same color (that is, no color difference).
  • the blackening treatment may be performed by a method of making the copper surface a fine roughened surface with a palladium treatment liquid, a method of precipitating needle-shaped copper oxide to blacken the surface, or the like. Good.
  • Each step of this manufacturing method may be described by, for example, rolling. It may be executed in a two-roll manner. That is, the base material body 7 is wound in a roll shape. Then, for each step, the roll-shaped base material main body 7 is unwound to carry out the step, and when the step is completed, the base material main body 7 is rewound into a roll shape. Then, the process proceeds to the next step. This is repeated in each step.
  • the productivity of the touch sensor 1 can be improved.
  • the residual resist 52b may remain at the lower end corner of the inner surface of the opening 52a of the resist 52. ..
  • the residual resist 52b projects in a triangular shape inside the opening 52a.
  • the residual resist 52b is formed along the extending direction of the conductive portion 4 in a state of a triangular cross section, and finally the conductive portion 4 is formed between the residual resists 52b on both sides.
  • the corner portion is a corner portion formed by the inner surface of the opening 52a and the surface of the electroless copper layer 50.
  • the width D2 of the upper surface of the opening 52a is, for example, 6 to 7 ⁇ m
  • the width D3 of the lower surface of the opening 52a is smaller by the amount of the residual resist 52b, for example, 3 to 4 ⁇ m.
  • the width D2 is formed along the extending direction of the conductive portion 4, and the conductive portion 4 is formed in the width D2.
  • an undercut 53a is formed in the lower part of the outer surface of the electrolytic copper layer 53.
  • the undercut 53a is a notch portion cut in a triangular shape corresponding to the residual resist 52b.
  • the undercut 53a has a triangular cross section and extends along the extending direction of the conductive portion 4. If the flash etching step is executed with the undercut 53a formed, the undercut 53a becomes large depending on the type of etching solution used. Therefore, in the flash etching step, it is necessary to remove the etching so that the undercut 53a does not become large.
  • etching is removed by aerating an etching solution containing a divalent copper complex.
  • aeration is to include air (oxygen) in the etching solution.
  • aeration can be performed by spraying an etching solution into an object and applying it to an object.
  • the fluidity of the etching solution is applied to the objects to be coated with the etching solution (black back surface layer 51, electrolytic copper layer 50 and electrolytic copper layer 53).
  • the oxygen concentration is sufficiently secured in the etching solution, so that the etching removal proceeds.
  • the fluidity of the etching solution is good on the surface of the electroless copper layer 50 and the side surface of the electrolytic copper layer 53, so that the etching removal proceeds satisfactorily.
  • the undercut 53a the fluidity of the etching solution is low, so that the etching removal is suppressed. Therefore, etching can be removed without increasing the undercut 53a.
  • FIG. 5D when the black back surface layer 51, the electrolytic copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53 are thinned (film thinned) to a predetermined width D1 in the flash etching step, the undercut 53a is formed.
  • the conductive portion 4 is formed so as not to stand out.
  • the etching rate of the electroless copper layer 50 is faster than the etching rate of the electrolytic copper layer 53. Therefore, in the conventional flash etching process (etching method that does not use aeration), the width of the electroless copper layer 50 is too narrow compared to the width of the electrolytic copper layer 53 in the conductive portion 4 after the film thinning treatment. There is. However, in the flash etching step in the case of the present embodiment, if the width of the electroless copper layer 50 becomes too narrow as compared with the width of the electrolytic copper layer 53, a constriction is formed in the portion of the electroless copper layer 50, and the constriction is formed. Then, the fluidity of the etching solution is lowered and the etching removal is suppressed.
  • the etching removal proceeds while the width of the electroless copper layer 50 and the width of the electrolytic copper layer 53 are maintained at approximately the same size.
  • the conductive portion 4 is formed so that the width of the electroless copper layer 50 is not too narrow as compared with the width of the electrolytic copper layer 53.
  • FIGS. 6A to 8B the difference between the conductive portion 4 formed in the flash etching step of the present embodiment and the conductive portion formed in the flash etching step of the reference example will be described.
  • hydrogen peroxide sulfate is used as the etching solution, and aeration is not performed.
  • the etching solution used in the flash etching step of the present embodiment was examined using two types having similar compositions. The two types of etching solutions are referred to as type A and type B for convenience. Note that FIGS. 6A, 7A, and 8A are examined with different materials (etching objects). Further, FIGS. 7A and 8A are examined with the same material (etching target).
  • FIG. 6A shows a cross-sectional view of the etching target (black back surface layer 51, electroless copper layer 50, and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process.
  • FIG. 6B shows a cross-sectional view of a conductive portion 4 formed by performing a flash etching step of a reference example on the object to be etched of FIG. 6A.
  • D2 14 ⁇ m
  • D3 11.9 ⁇ m.
  • FIG. 7A shows a cross-sectional view of the etching target (black back surface layer 51, electroless copper layer 50, and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process.
  • FIG. 7B shows a cross-sectional view of a conductive portion 4 formed by performing the flash etching step of the present embodiment on the object to be etched of FIG. 7A using a type A etching solution.
  • D2 10.5 ⁇ m
  • D3 7.5 ⁇ m.
  • d2 ( ⁇ d1) 4.6 ⁇ m. From FIGS.
  • the interval of the undercut 53a before and after the flash etching step (that is, the electrolytic copper layer 50 and the black back surface layer 51
  • the change in width d2 ( ⁇ d1)) is smaller than that in the flash etching process of the reference example. That is, it can be seen that the undercut 53a is sufficiently suppressed in the flash etching step of the present embodiment using the type A etching solution.
  • FIG. 8A shows a cross-sectional view of the etching target (black back surface layer 51, electroless copper layer 50, and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process.
  • FIG. 8B shows a cross-sectional view of a conductive portion 4 formed by performing the flash etching step of the present embodiment on the object to be etched of FIG. 8A using a type B etching solution.
  • D2 10.5 ⁇ m
  • D3 7.5 ⁇ m.
  • the interval of the undercut 53a before and after the flash etching step (that is, the electrolytic copper layer 50 and the black back surface layer 51
  • the change in width d2 ( ⁇ d1)) is smaller than that in the flash etching process of the reference example. That is, it can be seen that the undercut 53a is sufficiently suppressed in the flash etching step of the present embodiment using the type B etching solution.
  • the etching can be removed by using either the type A or type B etching solution without increasing the undercut 53a.
  • the black back surface layer 51 after the flash etching step of the above reference example is observed from the back surface of the black back surface layer 51, it can be seen that it remains only in the center of the conductive portion 4 in the width direction as shown in FIG. 9A.
  • the black back surface layer 51 after the flash etching step of the present embodiment using the above-mentioned type A etching solution is observed from the back surface of the black back surface layer 51, as shown in FIG. 9B, the conductive portion 4 It can be seen that it remains on the entire width direction of the (that is, the entire back surface of the conductive portion 4).
  • the shape characteristics of the conductive portion 4 formed by the manufacturing method of the present embodiment will be described.
  • the SAP method since the SAP method is used, there is no resist on the upper surface of the electrolytic copper layer 53 in the flash etching step (FIG. 5C). Therefore, in the flash etching step (FIG. 5D), the upper surface of the electrolytic copper layer 53 is scraped by etching removal to form a convexally curved shape (FIG. 8B) or a concave-convex shape (FIG. 7B). More specifically, in the case of FIG. 8B, the upper surface of the electrolytic copper layer 53 is curved so that the central portion protrudes from both end portions in the width direction.
  • the top of the conductive portion 4 is curved in a convex shape.
  • the upper surface of the electrolytic copper layer 53 has an uneven shape on the entire upper surface. As a result, it is possible to suppress the reflection of the light incident from the upper surface (front surface) of the electrolytic copper layer 53 on the upper surface of the electrolytic copper layer 53 to the front surface. As a result, the conductive portion 4 can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor 1.
  • FIG. 10A is a diagram for explaining the method of the evaluation experiment
  • FIG. 10B is a diagram showing the result (evaluation result) of the evaluation experiment.
  • the evaluation target is provided with the resin layer 8, the black back surface layer 51, the electroless copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53 on only one side of the base material 3.
  • light (incident light C1) is irradiated from the base material 3 through the base material 3, and the reflected light C2 reflected by the black back surface layer 51 is measured.
  • the frequency of the incident light C1 is changed within a certain range (for example, 380 nm to 780 nm), and the reflected light C2 is measured.
  • the first resin layer 8 of the three types is an ultraviolet curable resin, and the film thickness of the electroless plating layer 50 is 150 nm (graph G1 in FIG. 10B).
  • the second resin layer 8 is an ultraviolet curable resin, and the film thickness of the electroless plating layer 50 is 300 nm (graph G2 in FIG. 10B).
  • the third resin layer 8 is a thermosetting resin, and the film thickness of the electroless plating layer 50 is 300 nm (graph G3 in FIG. 10B).
  • FIG. 10B shows the evaluation result in relation to the reflectance and the frequency of the incident light C1.
  • the reflectance is the etch ratio of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 according to this configuration of the light flux of the reflected light C2 with respect to the light flux of the incident light C1.
  • the back surface reflectance of the black back surface layer 51 is 10% or less. That is, it can be seen that the conductive portion 4 looks sufficiently black (dark color) when viewed from the back.
  • the surface of the resin layer 8 is uneven as an image diagram of improving adhesion with the electroless copper plating film (electroless copper layer 50 and black back surface layer 51). Is illustrated to have. However, as long as the electroless copper plating film is in close contact with the surface of the resin layer 8, the surface of the resin layer 8 may not be uneven.
  • the surface of the resin layer 8 after the electroless copper plating film is etched and removed is sufficiently transparent as an optical characteristic, and the haze value is sufficiently small (for example, the haze value is 1.5 or less, more preferably 1). The following) is preferable.
  • the black back layer 41 is assumed to appear black, but may be reddish black, bluish black, dark red, or dark blue, and is generally dark. Any color may be used. As a reference for the dark color, for example, a condition that the reflectance of the black back layer 51 is 10% or less may be adopted.
  • the three layers black back surface layer 41 (51), electroless copper layer 42 (50) and electrolytic copper layer 43 (53) are formed of the same material (copper), but the three layers are formed.
  • the layers do not have to be made of the same material. Only two of the three layers may be made of the same material, or all three layers may be made of different materials.
  • the black back surface layer 41, the electroless copper layer 42, and the electrolytic copper layer 43 are formed of copper, but are not limited to copper.
  • any material for example, nickel may be used for the black back surface layer 41 as long as it looks black (dark color) when viewed from the back of the conductive portion 4.
  • the electrolytic copper layer 43 is formed by electrolytic plating, but it may be formed by a forming method other than electrolytic plating (for example, sputtering).
  • the conductive portions 4 are provided on both sides of the base material 3, but the conductive portions 4 may be provided on only one side of the base material 3. That is, in the above embodiment, the conductive portion 4X and the conductive portion 4Y are provided by utilizing both surfaces of one base material 3, but two base materials 3 are prepared and the conductive portion is provided on one side of one base material 3. 4X may be provided, a conductive portion 4Y may be provided on one side of the other base material 3, and the two base materials 3 may be used in an overlapping manner. Even in the case of these two base materials, the touch sensor 1 may be a mutual capacitance type or a self-capacity type.
  • the touch sensor 1 of one aspect includes the base material 3, the first conductive layer 41 which is a dark color layer provided on the upper surface of the base material 3, and the second conductive layer 42 provided on the first conductive layer 41. And a third conductive layer 43 provided on the second conductive layer 42.
  • the first conductive layer 41 is a dark-colored layer, it is composed of the first conductive layer 41, the second conductive layer 42, and the third conductive layer 43 when viewed from the lower surface of the base material 3.
  • the lower surface of the conductive portion 4 can be made to appear dark (for example, black) (back surface darkening).
  • the conductive portion 4 can be manufactured by using the SAP method.
  • the SAP method is a method suitable for thinning the conductive portion 4. As a result, the lower surface of the conductive portion 4 can be darkened and the conductive portion 4 can be thinned.
  • the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 are made of the same material.
  • the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 can be removed by etching using the same etching solution. As a result, it is possible to prevent the SAP method from becoming a complicated process.
  • the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 are electroless copper.
  • the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 can be formed by utilizing the precipitation characteristics of electroless copper. That is, when the electroless copper is formed on the base material 3, copper is deposited on the boundary with the base material 3, and the precipitated copper forms a precipitated copper layer having a fine concavo-convex surface (precipitation property).
  • the precipitated copper layer is electroless copper.
  • the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 are formed by the electroless copper. it can. In this case, the back surface of the first conductive layer 41 is darkened by the fine uneven surface of the precipitated copper layer.
  • the upper surface of the third conductive layer 43 is curved so that the central portion protrudes upward from both end portions in the width direction.
  • the conductive portion 4 can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor 1.
  • the upper surface of the third conductive layer 43 is uneven.
  • the conductive portion 4 can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor 1.
  • the difference between the width d1 of the first conductive layer 41 and the width d2 of the second conductive layer 42 is within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • the second conductive layer 42 can be made inconspicuous when viewed from the back of the touch sensor 1. .. Further, since the width d2 of the second conductive layer 42 is within ⁇ 0.5 ⁇ m than the width d1 of the first conductive layer 41, the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured. Further, it can be used to determine whether or not the first conductive layer 41 and the second conductive layer 42 are made of the same material.
  • the difference between the width d2 of the second conductive layer 42 and the width d3 of the third conductive layer 43 is within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured. Further, it can be used to determine whether or not the second conductive layer 42 and the third conductive layer 43 are made of the same material.
  • the difference between the width d2 of the second conductive layer 42 and the width d3 of the third conductive layer 43 is within ⁇ 1.4 ⁇ m.
  • the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured. Further, it can be used to determine whether or not the second conductive layer 42 and the third conductive layer 43 are made of the same material.
  • the first conductive layer 41, the second conductive layer 42, and the third conductive layer 43 are made of the same material.
  • the first to third conductive layers 41, 42, and 43 can be easily thinned together.
  • the first conductive layer 41 which is a dark color layer, provided on the lower surface of the base material 3, the second conductive layer 42 provided under the fourth conductive layer 41, and the conductive layer.
  • a third conductive layer 43 provided below the 42 is further provided.
  • the manufacturing method of the touch sensor 1 of another aspect is a first step (electroless plating step), a second step (resist forming step and patterning step), a third step (electrolytic plating step), and a fourth step ( It has a resist removing step) and a fifth step (flash etching step).
  • the first step the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50, which are dark-colored layers, are laminated on the base material 3 in the order of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50.
  • a resist 52 having an opening 52a is formed on the second conductive layer 50.
  • the third conductive layer 53 is formed on the second conductive layer 50 in the opening 52a.
  • the resist 52 is removed.
  • the fifth step the portions of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 that do not overlap with the third conductive layer 53 are removed by etching.
  • the conductive portion 4 having a dark color layer can be formed by using the SAP method.
  • the conductive portion 4 of the touch sensor 1 can be thinned by having a dark color layer.
  • the back surface of the conductive portion 4 is dark (for example, black) when viewed from the back surface of the base material 3 (the surface opposite to the conductive portion 4). Can be made visible (darkening the back side).
  • the conductive portion 4 can be formed by using the SAP method.
  • the SAP method is a method suitable for thinning the conductive portion 4. As a result, it is possible to manufacture a touch sensor (1) having a conductive portion (4) whose back surface is darkened and thinned.
  • the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 are simultaneously etched and removed.
  • the difference between the width d1 of the first conductive layer 51 and the width d2 of the second conductive layer 50 after the fifth step is within ⁇ 0.5 ⁇ m.
  • the conductive portion 4 can be made inconspicuous when viewed from the back of the touch sensor 1. Further, since the width d2 of the second conductive layer 50 is within ⁇ 0.5 ⁇ m than the width d1 of the first conductive layer 51, the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently ensured. It can be used to determine whether or not the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 are made of the same material.
  • the width d1 of the first conductive layer 51, the width d2 of the second conductive layer 50, and the width d3 of the third conductive layer 53 are determined by etching removal in the fifth step.
  • a film thinning process is performed to reduce the thickness to the width.
  • the etching removal of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 and the film thinning treatment of the first to third conductive layers 51, 50, 53 can be performed collectively, so that the number of manufacturing steps can be reduced. Can be reduced.
  • the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 are made of electroless copper.
  • the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 can be formed by utilizing the precipitation characteristics of electroless copper. That is, when the electroless copper is formed on the base material 3, copper is deposited on the boundary with the base material 3, and the precipitated copper forms a precipitated copper layer having a fine concavo-convex surface (precipitation property).
  • the precipitated copper layer is electroless copper.
  • the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 are formed by the electroless copper. it can. In this case, the back surface of the first conductive layer 51 is darkened by the fine uneven surface of the precipitated copper layer.
  • the third conductive layer 53 is made of electrolytic copper.
  • the first to third conductive layers 51, 50, and 53 can be effectively thinned at the same time as the etching removal of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50.
  • etching is removed by aerating an etching solution containing a divalent copper complex.
  • the etching surface (side surface) of the first conductive layer 51 and the second conductive layer 50 is lower than that of the side surface of the third conductive layer 53.
  • the width of the conductive portion 4 can be kept substantially the same in the upper portion and the lower portion of the conductive portion 4, and the film thinning treatment can be performed.

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Abstract

本開示のタッチセンサは、基材と、前記基材の上面に設けられた、暗色層である第１導電層と、前記第１導電層の上に設けられた第２導電層と、前記第２導電層の上に設けられた第３導電層と、を備える。

Description

タッチセンサ、及び、タッチセンサの製造方法
　本開示は、一般にタッチセンサ、及び、タッチセンサの製造方法に関し、より詳細には、導電部の裏面が暗色化されたタッチセンサ、及びタッチセンサの製造方法に関する。
　特許文献１には、透明導電性支持体の製造方法が開示されている。この製造方法では、透明支持体上に第一導電性膜層が形成され、第一導電性膜層上にレジスト層が開口部を有するように形成され、レジスト層の開口部に第二導電膜層が形成される。そして、レジスト層が除去され、第一導電膜層のうち第二導電膜層が重ならない部分が除去される。このように、ＳＡＰ工法によって、透明支持体上に第一導電膜層及び第二導電膜層で構成された積層金属膜（導電部）が形成される。ＳＡＰ工法は、積層金属膜を細線化し易いという利点がある。
特許第６２６１２５８号公報
　特許文献１の透明導電性支持体の製造方法では、積層金属膜を透明支持体上に形成する点は開示されているが、積層金属膜の裏面を暗色化する点については、開示も示唆もなされていない。
　本開示の一態様に係るタッチセンサは、基材と、前記基材の上面に設けられた、暗色層である第１導電層と、前記第１導電層の上に設けられた第２導電層と、前記第２導電層の上に設けられた第３導電層と、を備える。
　本開示の一態様に係るタッチセンサの製造方法は、暗色層である第１導電層、及び第２導電層を、前記第１導電層、前記第２導電層の順に基材に積層する第１工程と、前記第２導電層の上に、開口部を有するレジストを形成する第２工程と、前記開口部内の前記第２導電層の上に第３導電層を形成する第３工程と、前記レジストを除去する第４工程と、前記第１導電層及び前記第２導電層において前記第３導電層と重ならない部分をエッチング除去する第５工程と、を有する。
図１は、実施形態に係るタッチセンサの外観を示す概略平面図である。 図２は、同上のタッチセンサの概略断面図である。 図３Ａは、同上のタッチセンサの製造方法の要点を説明する図である。 図３Ｂは、同上のタッチセンサの製造方法の要点を説明する図である。 図３Ｃは、同上のタッチセンサの製造方法の要点を説明する図である。 図４Ａは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｂは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｃは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｄは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｅは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｆは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｇは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図４Ｈは、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。 図５Ａは、同上のタッチセンサの製造方法のフラッシュエッチング工程の特徴を説明するための図である。 図５Ｂは、同上のタッチセンサの製造方法のフラッシュエッチング工程の特徴を説明するための図である。 図５Ｃは、同上のタッチセンサの製造方法のフラッシュエッチング工程の特徴を説明するための図である。 図５Ｄは、同上のタッチセンサの製造方法のフラッシュエッチング工程の特徴を説明するための図である。 図６Ａは、参考例のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図である。 図６Ｂは、参考例のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。 図７Ａは、本実施形態のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図である。 図７Ｂは、タイプＡのエッチング液を用いた場合の本実施形態のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。 図８Ａは、本実施形態のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図である。 、図８Ｂは、タイプＢのエッチング液を用いた場合の本実施形態のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。 図９Ａは、参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層の裏面を観察した図である。 図９Ｂは、本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層の裏面を観察した図である。 図１０Ａは、同上のタッチセンサの導電部の裏面反射の評価実験の実験方法を説明する図である。 図１０Ｂは、評価実験の評価結果を示す図である。
　（実施形態）
　以下の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　本実施形態に係るタッチセンサ１は、図１に示すように、例えば静電容量式のセンサであり、操作体Ｕ１のタッチ（接触）を検知する。操作体Ｕ１は、一例として、人の指先（生体の一部）である。操作体Ｕ１は、生体の一部を覆う物（例えば手袋）を含んでもよいし、生体が保持する物（例えばペン型の操作部材）を含んでもよい。
　タッチセンサ１は、可撓性を有するフィルム状に形成された、所謂アウトセル型のフィルムセンサである。すなわち、タッチセンサ１は、電子機器における液晶パネル上に装着されて、電子機器への操作入力を受け付ける操作部として使用可能である。電子機器の一例としては、スマートフォン、タブレット端末、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、カーナビゲーションシステム、及び車載のセンターコンソール等が挙げられる。
　タッチセンサ１は、その正面から見て、例えば略矩形状に形成されている。図１は、タッチセンサ１を正面から見た図である。なお、図1における「前方」が図２における「上」に対応し、図１における「後方」が図２における「下」に対応する。なお、本開示では、「上」、「下」、「上方」、「下方」等の方向を示す用語を用いて説明するが、これらは相対的な位置関係を示しているだけであり、それにより本開示が限定されるものではない。
　タッチセンサ１の前面領域は、操作体Ｕ１のタッチを検知可能なセンサ領域Ｒ１、センサ領域Ｒ１の周囲に配置される配線領域Ｒ２（額縁部）とを含む。センサ領域Ｒ１には、タッチセンサ１のセンサ電極が配置されている。センサ電極は、複数の第１電極（受信電極）と、複数の第２電極（送信電極）とを有する。複数の第１電極は、例えば、細長矩形状であり、上下方向に延びている。複数の第２電極は、例えば、細長矩形状であり、左右方向に延びている。複数の第２電極は、複数の第１電極の後側又は前側に配置されている。すなわち、複数の第１電極と複数の第２電極は、正面から見て格子状に直交して並んでいる。第１電極及び第２電極はそれぞれ、メッシュ状に形成されている。すなわち、第１電極及び第２電極はそれぞれ、例えば、斜め右上方向に延びた複数の線状の導電部４と、斜め右下方向に延びた複数の線状の導電部４とが、メッシュ模様を形成するように一体的に連結されて構成されている。このメッシュ模様では、導電部４によって菱形の開口（セル）Ｒ３が縦横に複数形成されている。なお、メッシュ模様の開口Ｒ３は、菱形で限定されず、四角形であってもよい。配線領域Ｒ２には、後述のように第１電極と第２電極との間に生じる電界の変化を電気信号として、電子機器の制御部に出力する複数の配線が配置されている。
　タッチセンサ１は、例えば、操作体Ｕ１が第１電極又は第２電極に接近することによる第１電極と第２電極との間の電界の変化を検知する、相互容量式のタッチセンサである。なお、タッチセンサ１は、操作体Ｕ１が第１電極又は第２電極に接触することによる第１電極又は第２電極の容量変化を検知する、自己容量式のタッチセンサであってもよい。
　タッチセンサ１は、図１に示すように、メッシュ模様を構成する複数の線状の導電部４を有するフィルム体２を備えている。フィルム体２は、図２に示すように、基材３と、複数の導電部４（４Ｘ，４Ｙ）とを備えている。基材３の両面の各々に複数の導電部４が設けられている。基材３の一方の主面（上面）に設けられた複数の導電部４（４Ｘ）は、上述の第１電極を構成する。基材３の他方の主面（下面）に設けられた複数の導電部４（４Ｙ）は、上述の第２電極を構成する。導電部４Ｘと導電部４Ｙは、互いに同じ構造である。図２では、導電部４Ｘ及び導電部４Ｙはそれぞれ、一例として１つずつ図示されている。
　基材３は、電気絶縁性及び可撓性を有するフィルム状の部材である。基材３は、基材本体７と樹脂層８とを有している。基材本体７は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）から形成された光透過性の高い（例えば透明な）フィルム状の基板である。基材本体７は、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）から形成されてもよい。樹脂層８は、樹脂材料から形成された層である。樹脂層８は、基材本体７の両側の各面全体を覆うように形成されている。
　複数の導電部４は、樹脂層８の表面に設けられている。各導電部４は、図２に示すように、幅Ｄ１が例えば３μｍ程度になるように細線化されている。各導電部４は、黒色裏面層４１（暗色層である第１導電層）と、無電解銅層４２（第２導電層）と、電解銅層４３（第３導電層）とを有する。
　黒色裏面層４１は、導電部４をその裏面（基材３）から見たとき、導電部４が黒色に見えるようにするための部分である。黒色裏面層４１は、樹脂層８上に形成されている。黒色裏面層４１の裏面（樹脂層８との接触面）は、微細な凹凸で構成された微細凹凸面になっている。これにより、基材３から黒色裏面層４１に入射する光を黒色裏面層４１で効果的に吸収できる。この結果、導電部４の裏面が効果的に黒色に見える（裏面黒色化）。黒色裏面層４１は、本実施形態では、無電解銅層４２に含まれる銅が無電解銅層４２の裏面から析出することで形成されている。無電解銅層４２及び電解銅層４３は、導電部４の主な導電部を構成する。なお、黒色裏面層４１も導電部として機能する。無電解銅層４２は、黒色裏面層４１上に形成されている。無電解銅層４２は、無電解銅メッキによって層状に形成されている。電解銅層４３は、無電解銅層４２の上に形成されている。電解銅層４３は、電解銅メッキによって層状に形成されている。
　本実施形態では、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、同一材料（無電解銅、すなわち銅）で形成されている。これにより、後述のように、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２を同時にエッチング除去して形成可能である。更に、電解銅層４３も、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２と同じ材料（すなわち銅）で形成されている。これにより、後述のように、電解銅層４３も、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２と同時にエッチング除去で形成可能である。
　また、本実施形態では、黒色裏面層４１の幅ｄ１と無電解銅層４２の幅ｄ２との差は、例えば±０．５μｍ以内であることが望ましい。これにより、黒色裏面層４１と無電解銅層４２とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。すなわち、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、後述のように同時にエッチング除去されて形成されるため、それらの材料が同じであると、それらの幅ｄ１，ｄ２の差は±０．５μｍ以内に収まるが、それらの材料が異なると、それらの幅ｄ１，ｄ２の差は±０．５μｍ以内に収まらなくなる。また、無電解銅層４２の幅ｄ２が黒色裏面層４１の幅ｄ１よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ１の裏（基材３）から見て無電解銅層４２を目立たなくできる。また、無電解銅層４２の幅ｄ２が黒色裏面層４１の幅ｄ１よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部４の導電性を十分に確保できる。
　また、無電解銅層４２の幅ｄ１と電解銅層４３の幅ｄ３との差も、±０．５μｍ以内であることが望ましいが、±１．４μｍ以内であってもよい。これにより、無電解銅層４２と電解銅層４３が同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。また、導電部４の導電性を十分に確保できる。
　本実施形態のタッチセンサ１は、各導電部４（４Ｘ，４Ｙ）の裏面が黒色化されかつ細線化されている点を特徴とする。
　[タッチセンサ１の製造方法]
　図２に示すタッチセンサ１の製造方法について図３Ａ～図３Ｂを参照しながら説明する。まず、タッチセンサ１の製造方法の要点を説明する。なお、本実施の形態では、基材３から上方および下方に向かってそれぞれ積層される。つまり上下の２方向に同じ材料が積層される。
　図３Ａに示すように、基材本体７及び樹脂層８を有する基材３を準備する。そして、樹脂層８の表面全体に黒色裏面層５１及び無電解銅層５０をこの順に積層する。
　より詳細には、まず、基材本体７の両側の樹脂層８の表面の全面に、無電解銅層５０を形成する。その前に、樹脂層８の表面全体に、無電解銅層５０を定着させるための定着剤（例えばパラジウム触媒）を薄く形成する。なお、定着剤は、塗布又は浸潰など種々の方法で樹脂層８の表面に形成可能である。そして、樹脂層８の表面全体に、無電解銅メッキによって、無電解銅層５０を形成する。
　樹脂層８の表面全体に無電解銅層５０が形成されると、無電解銅層５０に含まれる銅が、微粒子状態で、無電解銅層５０と樹脂層８との間の境界面に析出する。この結果、その析出銅によって、無電解銅層５０と樹脂層８との間に黒色裏面層５１が形成される。この黒色裏面層５１も、無電解銅層５０と同様に、無電解銅で形成されている。黒色裏面層５１における樹脂層８との間の境界面は、微粒子状の銅による微細な凹凸を有する微細凹凸面になっている。この微小凹凸面によって可視光が吸収され易くなる。この結果、基材３から黒色裏面層５１を見ると黒色に見える。
　このように、この製造方法では、無電解銅層５０と黒色裏面層５１が単一材料（銅）で形成される。これにより、後述のように、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１を同時にエッチング除去が可能になる。すなわち、エッチング除去が複雑にならずに簡単にエッチング除去が可能である。
　次に図３Ｂに示すように、ＳＡＰ（Semi Additive Process）工法を用いて、無電解銅層５０の表面に電解銅層５３をパターン形成する。より詳細には、まず、無電解銅層５０の表面にレジスト５２を、周知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成する。このパターン形成により、レジスト５２は、所定箇所に開口部５２ａを有する。この開口部５２ａの幅Ｄ２は、例えば６μｍである。この幅Ｄ２は、最終的に形成される導電部４の幅Ｄ１（例えば３μｍ）よりも大きい幅である（図３Ｃ参照）。そして、開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３を形成する。すなわち、無電解銅層５０の表面に電解銅層５３をパターン形成する。より詳細には、無電解銅層５０を電解メッキシード層として用いることで、電解銅メッキによって、幅Ｄ２の電解銅層５３をパターン形成する。
　ＳＡＰ工法は、レジスト５２の開口部５２ａを利用して電解銅層５３をパターン形成する工法である。レジスト５２をパターン形成するときの寸法精度は、比較的高い。このため、レジスト５２の開口部５２ａの幅Ｄ２を精度よく細く形成可能である。このため、ＳＡＰ工法を用いると、レジスト５２の開口部５２ａの高精度な寸法精度を利用して、電解銅層５３の幅Ｄ２を精度よく細く形成できる。このように、この製造方法では、ＳＡＰ工法を用いて電解銅層５３をパターン形成することで、電解銅層５３の幅Ｄ２を精度よく形成可能である。
　そして図３Ｃに示すように、黒色裏面層５１，無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の不要な部分を除去して導電部４に仕上げる。より詳細には、まず、レジスト５２を除去する。そして、電解銅層５３をマスクとして用いることで、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の不要な部分（電解銅層５３と重ならない部分）をエッチング除去する（フラッシュエッチング）。そして、このエッチング除去により、更に、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅ｄ１～ｄ３を所定の幅Ｄ１（例えば３μｍ）まで細線化する（減膜処理）。この減膜処理により、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３が形成される。この結果、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３によって、幅Ｄ１の導電部４が形成される。
　なお、上記の「黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅ｄ１～ｄ３を所定の幅Ｄ１まで細線化する」とは、厳密に各幅ｄ１～ｄ３を幅Ｄ１に一致させることに限定されず、一定範囲内で各幅ｄ１～ｄ３を幅Ｄ１に近づける場合も含む。なお、本実施形態では、減膜処理後において黒色裏面層４１の幅ｄ１と無電解銅層４２幅ｄ２との差は、例えば±０．５μｍ以内であり、減膜処理後において無電解銅層４２の幅ｄ２と電解銅層４３の幅ｄ３との差も、例えば±０．５μｍ以内である。この製造方法では、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、互いに同じ材料（銅）で形成されるため、減膜処理後の各幅ｄ１，ｄ２の差は、例えば±０．５μｍ以内に収まっている。同様に、無電解銅層４２及び電解銅層４３も、互いに同じ材料（銅）で形成されるため、減膜処理後の各幅ｄ２，ｄ３の差も、例えば±０．５μｍ以内に収まっている。
　なお、フラッシュエッチングによって、樹脂層８の表面に塗布された定着剤も除去される。ただし、定着剤が十分に除去できていない場合（すなわち定着剤の残渣が残っている場合）は、フラッシュエッチングの後に、定着剤除去液（例えばパラジウム除去液）を用いて、定着剤の残渣を除去してもよい。
　次に図４を参照して、この製造方法の全体工程を説明する。この製造方法の全体工程は、密着層塗工工程、無電解メッキ工程、レジスト形成工程、パターニング工程、電解メッキ工程、レジスト除去工程、フラッシュエッチング工程、及び黒化処理工程を含む。
　まず密着層塗工工程（図４Ａ）が行われる。密着層塗工工程では、基材本体７の両面に、基材本体７に密着する密着層として樹脂層８が形成される。樹脂層８は、単一の樹脂層で構成されてもよいし、複数（例えば２つ）の樹脂層で構成されてもよい。次に無電解メッキ工程（図４Ｂ）が行われる。無電解メッキ工程では、図３Ａで説明したように、樹脂層８の表面全体に、無電解銅メッキによって、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１が形成される。
　そして、図３Ｂで説明したように、次のレジスト形成工程（図４Ｃ）で、無電解銅層５０の表面全面にレジスト５２が形成され、次のパターニング工程（図４Ｄ）で、レジスト５２の不要な部分が除去されて、開口部５２ａを有するレジスト５２がパターン形成され、次の電解メッキ工程（図４Ｅ）で、無電解銅層５０を電解メッキシード層として使用し、開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３が形成される。
　そして、レジスト除去工程（図４Ｆ）で、レジスト５２が除去される。そして、図３Ｃで説明したように、フラッシュエッチング工程（図４Ｇ）で、電解銅層５３をマスクとして使用して、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の各々の不要な部分（電解銅層５３と重ならない部分）がエッチング除去される。そして、そのエッチング除去によって、更に、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅が所定の幅Ｄ１（例えば３μｍ）まで細線化される（減膜処理）。この結果、幅Ｄ１の導電部４が形成される。
　そして、黒化処理（図４Ｈ）で、導電部４の表面全体が黒色化される。より詳細には、例えば無電解メッキによって、導電部４の表面にニッケル膜（黒色膜）４４が形成される。なお、黒色膜４４の色と黒色裏面層５１（４１）の色とは、例えば同じ色（すなわち色差無し）である。なお、黒化処理は、無電解メッキ以外に、パラジウム処理液により銅の表面を微細な粗化面とする方法又は、針状の酸化銅を析出させて黒色化する方法等で行われてもよい。
　なお、この製造方法の各工程（密着層塗工工程、無電解メッキ工程、レジスト形成工程、パターニング工程、電解メッキ工程、レジスト除去工程、フラッシュエッチング工程、及び黒化処理工程）は、例えばロール・ツー・ロール方式で実行されてもよい。すなわち、基材本体７をロール状に巻いておく。そして、各工程毎に、ロール状の基材本体７を巻きだして当該工程を実施し、当該工程が終了すると基材本体７をロール状に巻き戻す。そして、次の工程に移行する。これを各工程で繰り返す。このように、タッチセンサ１をロール・トゥー・ロール方式で製造することで、タッチセンサ１の生産性を向上できる。
　次に、図５～図１０を参照して、フラッシュエッチング工程について詳しく説明する。
　図５Ａに示すように、無電解銅層５０の表面にレジスト５２がパターン形成された状態では、レジスト５２の開口部５２ａの内側面の下端の隅角部に、残留レジスト５２ｂが残る場合がある。残留レジスト５２ｂは、開口部５２ａの内部に三角形状に突出している。残留レジスト５２ｂは、断面三角形の状態で導電部４の延びる方向に沿って形成されており、最終的に両側の残留レジスト５２ｂの間に導電部４が形成される。なお、上記の隅角部は、開口部５２ａの内側面と無電解銅層５０の表面とで形成される角部である。例えば、開口部５２ａの上面の幅Ｄ２が例えば６～７μｍとすると、開口部５２ａの下面の幅Ｄ３は、残留レジスト５２ｂの分小さくなって、例えば３～４μｍである。この幅Ｄ２は、導電部４の伸びる方向に沿って形成されており、この幅Ｄ２内に導電部４が形成される。
　このように、レジスト５２の開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３を形成し（電解メッキ工程、図５Ｂ参照）、レジスト５２を除去すると（レジスト除去工程、図５Ｃ参照）、図５Ｃに示すように、電解銅層５３の外側面の下部に、アンダーカット５３ａが形成される。アンダーカット５３ａは、残留レジスト５２ｂに対応して三角状に切り込まれた切込部分である。アンダーカット５３ａは、断面三角形の状態で、導電部４の延びる方向に沿って延びている。このアンダーカット５３ａが形成された状態でフラッシュエッチング工程が実行されると、使用するエッチング液の種類によっては、アンダーカット５３ａが大きくなる。このため、フラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが大きくならないように、エッチング除去を行う必要がある。
　このため、この製造方法では、フラッシュエッチング工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う。なお、エアレーションとは、エッチング液内に空気（酸素）を含ませることである。例えば、エッチング液をスプレーによって噴霧状にして対象物に塗布することで、エアレーションを実行可能である。
　より詳細には、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションして使用することで、下記の式１及び式２の化学反応が起こる。なお、式１及び式２中のＣｕ(II)Ｘ２は二価銅錯体を示し、Ｃｕ(I)Ｘは一価銅錯体を示し、Ｘは錯化剤を示す。
　Ｃｕ＋Ｃｕ(II)Ｘ２　→　２Ｃｕ(I)　　　　　　　　　　　　　…　式１
　２Ｃｕ(I)Ｘ＋１／２Ｏ２＋２Ｘ　→　２Ｃｕ(II)Ｘ２＋Ｈ２Ｏ　　…　式２
　すなわち、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の中の銅（Ｃｕ）が、エッチング液中の二価銅錯体（Ｃｕ(II)Ｘ２）と反応して一価銅錯体（Ｃｕ(I)Ｘ）になってエッチング液に溶け出す（式１）。これにより、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３がエッチング除去される。この反応が進行してエッチング液中の二価銅錯体が無くなると、式１の反応は停止する。このため、エアレーションによってエッチング液中に酸素を供給して、エッチング液中の一価銅錯体を二価銅錯体に変化させることで、式１及び式２の反応を継続させる。
　フラッシュエッチング工程で、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションして使用すると、エッチング液の塗布対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）において、エッチング液の流動性の高い所では、エッチング液中に酸素濃度が十分に確保されるため、エッチング除去が進行する。しかし、エッチング液の流動性の低い所では、酸素濃度が十分に確保できないため、エッチング除去が進行し難くなる。このため、図５Ｃにおいて、無電解銅層５０の表面及び電解銅層５３の側面では、エッチング液の流動性が良好であるため、エッチング除去が良好に進行する。しかし、アンダーカット５３ａ内では、エッチング液の流動性が低いため、エッチング除去が抑制される。このため、アンダーカット５３ａが大きくならないようにして、エッチング除去が可能である。この結果、図５Ｄに示すように、フラッシュエッチング工程において、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３を所定の幅Ｄ１まで細線化（減膜処理）したとき、アンダーカット５３ａが目立たないように、導電部４が形成される。
　また、無電解銅層５０のエッチングレートは、電解銅層５３のエッチングレートよりも速い。このため、従来型のフラッシュエッチング工程（エアレーションを用いないエッチング工法）では、減膜処理後の導電部４において、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎる場合がある。しかし、本実施形態の場合のフラッシュエッチング工程では、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎると、無電解銅層５０の部分にくびれが形成され、そのくびれでは、エッチング液の流動性が低下してエッチング除去が抑制される。このため、無電解銅層５０の幅と電解銅層５３の幅とが大凡同じ位の大きさに保たれながら、エッチング除去が進行する。この結果、図５Ｄに示すように、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎないように、導電部４が形成される。
　図６Ａ～図８Ｂを参照して、本実施形態のフラッシュエッチング工程で形成された導電部４と、参考例のフラッシュエッチング工程で形成された導電部との違いを説明する。参考例のフラッシュエッチング工程では、エッチング液として硫酸過酸化水素が使用され、エアレーションは行われない。また、本実施形態のフラッシュエッチング工程で使用されるエッチング液に関しては、同類の組成の２種を用いて検討した。２種のエッチング液を、便宜上、タイプＡ及びタイプＢと呼ぶ。なお、図６Ａと図７Ａ及び図８Ａとは、異なる資料（エッチング対象物）で検討している。また、図７Ａと図８Ａとは、同様の資料（エッチング対象物）で検討している。
　図６Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図６Ｂは、図６Ａのエッチング対象物に対して、参考例のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図６Ａにおいて、Ｄ２＝１４μｍ、Ｄ３＝１１．９μｍである。図６Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝１３．４μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝６．５μｍである。図６Ａ及び図６Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は０．６μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は５．４μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、比較的大きいことが分かる。すなわち、参考例のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａがフラッシュエッチングによって大きくなることが分かる。
　図７Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図７Ｂは、図７Ａのエッチング対象物に対して、タイプＡのエッチング液を用いて、本実施形態のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図７Ａにおいて、Ｄ２＝１０.５μｍ、Ｄ３＝７．５μｍである。図７Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝４．７μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝４．６μｍである。図７Ａ及び図７Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は５．８μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は２．９μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、参考例のフラッシュエッチング工程の場合と比べて小さいことがわかる。すなわち、タイプＡのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが十分に抑制されていることが分かる。
　図８Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図８Ｂは、図８Ａのエッチング対象物に対して、タイプＢのエッチング液を用いて、本実施形態のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図８Ａにおいて、Ｄ２＝１０.５μｍ、Ｄ３＝７．５μｍである。図８Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝６μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝４．６μｍである。図８Ａ及び図９Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は４．５μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は２．９μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、参考例のフラッシュエッチング工程の場合と比べて小さいことがわかる。すなわち、タイプＢのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが十分に抑制されていることが分かる。
　以上より、本実施形態のフラッシュエッチング工程では、タイプＡ及びタイプＢのどちらのエッチング液を用いても、アンダーカット５３ａが大きくならないようにして、エッチング除去が可能であることが分かる。
　次に、上記の参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１の残存状態と、上記の本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１の残存状態との違いについて説明する。参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１は、黒色裏面層５１の裏面から観察すると、図９Ａに示すように、導電部４の幅方向の中心だけに残存することが分かる。これに対し、上記の例えばタイプＡのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１は、黒色裏面層５１の裏面から観察すると、図９Ｂに示すように、導電部４の幅方向の全体（すなわち導電部４の裏面全体）に残存することが分かる。
　次に、本実施形態の製造方法で形成された導電部４の形状的特徴を説明する。本実施形態では、ＳＡＰ工法を用いるため、フラッシュエッチング工程では、電解銅層５３の上面にレジストが無い（図５Ｃ）。このため、フラッシュエッチング工程（図５Ｄ）で、電解銅層５３の上面がエッチング除去で削られて凸状に湾曲した形（図８Ｂ）、または凹凸状の形状（図７Ｂ）になる。より詳細には、図８Ｂの場合は、電解銅層５３の上面は、幅方向において、中央部が両端部よりも突出するように湾曲する。この結果、導電部４の頂部が凸状に湾曲した形になる。または、図８Ａの場合は、電解銅層５３の上面は、上面全体に凹凸状の形状を有する。これにより、電解銅層５３の上面（正面）から入射した光に対して、電解銅層５３の上面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ１の正面から見て導電部４を目立たなくできる。
　次に図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、導電部４の裏面反射率の評価実験の結果（評価結果）を説明する。図１０Ａは、評価実験の方法を説明する図であり、図１０Ｂは、評価実験の結果（評価結果）を示す図である。この評価実験では、図１０Ａに示すように、評価対象は、基材３の片面だけに、樹脂層８、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３が設けられている。そして、基材３から基材３越しに光（入射光Ｃ１）を照射し、黒色裏面層５１で反射される反射光Ｃ２を測定する。そのとき、入射光Ｃ１の周波数を一定範囲（例えば３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）内で変化させ、その反射光Ｃ２を測定する。
　また、樹脂層８として、硬化特性の異なる樹脂層と、無電解めっき膜厚の異なるサンプルで評価実験を行った。３種類のうちの１つ目の樹脂層８は、紫外線硬化樹脂であり、無電解めっき層５０の膜厚が１５０ｎｍである（図１０ＢのグラフＧ１）。２つ目の樹脂層８は、紫外線硬化樹脂であり、無電解めっき層５０の膜厚が３００ｎｍである（図１０ＢのグラフＧ２）。３つ目の樹脂層８は、熱硬化樹脂であり、無電解めっき層５０の膜厚が３００ｎｍである（図１０ＢのグラフＧ３）。
　図１０Ｂは、評価結果を反射率と入射光Ｃ１の周波数との関係で示している。反射率は、入射光Ｃ１の光束に対する反射光Ｃ２の光束のこの構成によれば、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチン比率である。図１０Ｂから分かるように、３種類の樹脂層８の何れの場合も、黒色裏面層５１の裏面反射率は１０％以下であることが分かる。すなわち、導電部４は裏から見て十分に黒色（暗色）に見えることが分かる。
　なお、本実施形態では、図３～図５及び図１０において、樹脂層８の表面は、無電解銅メッキ膜（無電解銅層５０及び黒色裏面層５１）との密着向上のイメージ図として、凹凸を有するように図示されている。ただし、無電解銅メッキ膜が樹脂層８の表面に密着すれば、樹脂層８の表面の凹凸は無くてもよい。なお、無電解銅メッキ膜をエッチング除去した後の樹脂層８の表面は、光学特性として十分に透明であり、ヘイズ値が十分に小さい値（例えばヘイズ値が１．５以下、より好ましくは１以下）となることが好ましい。
　（変形例）
　上記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上記実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。以下に説明する変形例では、上記の実施形態と異なる点を中心に説明する。また、以下の変形例では、上記の実施形態と同じ部分については、同じ符号を付して説明を省略する場合がある。
　（変形例１）
　上記の実施形態では、黒色裏面層４１は、黒色に見えることを想定するが、赤味がかった黒色、青味がかった黒色、暗い赤色、又は、暗い青色でもよく、一般的には暗色であれば、どのような色でもよい。暗色の基準として、例えば黒色裏面層５１での反射率が１０％以下であるという条件を採用してもよい。
　（変形例２）
　上記の実施形態では、３つの層（黒色裏面層４１（５１）、無電解銅層４２（５０）及び電解銅層４３（５３）は、同じ材料（銅）で形成されるが、それら３つの層は、同じ材料で形成される必要はない。３つの層の何れか２つの層だけが同じ材料で形成されてもよいし、３つの層の全部が異なる材料で形成されてもよい。この場合は、フラッシュエッチング工程では、異なる材料の層を同時でエッチング除去可能なエッチング液を用いることが望ましいが、異なる材料の層毎にエッチング液を変えてエッチング除去を行ってもよい。
　（変形例３）
　上記の実施形態では、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３は、銅で形成されるが、銅に限定されない。特に、黒色裏面層４１は、導電部４の裏から見て黒色（暗色）に見えれば、どのような材料（例えばニッケル）を用いてもよい。
　（変形例４）
　上記の実施形態では、電解銅層４３は、電解メッキによって形成されるが、電解メッキ以外の形成方法（例えばスパッタリング）で形成されてもよい。
　（変形例５）
　上記の実施形態では、基材３の両面に導電部４が設けられるが、基材３の片面だけに導電部４が設けられてもよい。すなわち、上記の実施形態では、１つの基材３の両面を利用して導電部４Ｘ及び導電部４Ｙが設けられるが、２つの基材３を用意し、一方の基材３の片面に導電部４Ｘを設け、他方の基材３の片面に導電部４Ｙを設け、それら２つの基材３を重ねて使用してもよい。この２枚の基材の場合でも、タッチセンサ１は、相互容量式であってもよいし、自己容量式であってもよい。
　（まとめ）
　一態様のタッチセンサ１は、基材３と、基材３の上面に設けられた、暗色層である第１導電層４１と、第１導電層４１の上に設けられた第２導電層４２と、第２導電層４２の上に設けられた第３導電層４３と、を備える。
　この構成によれば、第１導電層４１が暗色層であるため、基材３の下面から見て、第１導電層４１、第２導電層４２、及び第３導電層４３で構成されている導電部４の下面を暗色（例えば黒色）に見せることができる（裏面暗色化）。また、第２導電層４２を電解メッキシード層とし、第３導電層４３を電解メッキ層として形成することで、ＳＡＰ工法を用いて導電部４を製造できる。ＳＡＰ工法は、導電部４の細線化に適した工法である。この結果、導電部４の下面の暗色化を図り、且つ導電部４の細線化を図ることができる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第１導電層４１と第２導電層４２とは、同一材料である。
　この構成によれば、同じエッチング液を用いて第１導電層４１と第２導電層４２をエッチング除去できる。これにより、ＳＡＰ工法が複雑な工程になることを回避できる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第１導電層４１及び第２導電層４２は、無電解銅である。
　この構成によれば、無電解銅の析出特性を活かして、第１導電層４１及び第２導電層４２を形成できる。すなわち、無電解銅は、基材３に形成されると、基材３との境界に銅を析出し、その析出銅により、微細凹凸面を有する析出銅層を形成する（析出特性）。ここで、析出銅層は無電解銅である。基材３に形成した当初の無電解銅を第２導電層４２として、析出銅層を第１導電層４１とすることで、無電解銅によって第１導電層４１及び第２導電層４２を形成できる。この場合、析出銅層の微細凹凸面によって第１導電層４１の裏面暗色化が実現される。
　別の態様のタッチセンサ１では、第３導電層４３の上面は、幅方向において、中央部が両端部よりも上方に向かって突出するように湾曲している。
　この構成によれば、第３導電層４３の表面（正面）から入射した光に対して、第３導電層４３の表面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ１の正面から見て導電部４を目立たなくできる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第３導電層４３の上面は、凹凸状である。
　この構成によれば、第３導電層４３の表面（正面）から入射した光に対して、第３導電層４３の表面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ１の正面から見て導電部４を目立たなくできる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第１導電層４１の幅ｄ１と第２導電層４２の幅ｄ２とのの差は、±０．５μｍ以内である。
　この構成によれば、第２導電層４２の幅ｄ２が第１導電層４１の幅ｄ１よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ１の裏から見て第２導電層４２を目立たなくできる。また、第２導電層４２の幅ｄ２が第１導電層４１の幅ｄ１よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部４の導電性を十分に確保できる。また、第１導電層４１と第２導電層４２とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第２導電層４２の幅ｄ２と第３導電層４３の幅ｄ３の差は、±０．５μｍ以内である。
　この構成によれば、導電部４の導電性を十分に確保できる。また、第２導電層４２と第３導電層４３とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第２導電層４２の幅ｄ２と第３導電層４３の幅ｄ３との差は、±１．４μｍ以内である。
　この構成によれば、導電部４の導電性を十分に確保できる。また、第２導電層４２と第３導電層４３とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。
　別の態様のタッチセンサ１では、第１導電層４１、第２導電層４２及び第３導電層４３は、同一材料である。
　この構成によれば、容易に、第１～第３導電層４１、４２、４３をまとめて減膜処理できる。
　別の態様のタッチセンサ１では、基材３の下面に設けられた、暗色層である第１導電層４１と、第４導電層４１の下に設けられた第２導電層４２と、導電層４２の下に設けられた第３導電層４３と、を更に備える。
　この構成によれば、基材３の両面に上述の効果を有する導電部４を備えるタッチセンサ１を提供できる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法は、第１工程（無電解メッキ工程）と、第２工程（レジスト形成工程及びパターニング工程）と、第３工程（電解メッキ工程）と、第４工程（レジスト除去工程）と、第５工程（フラッシュエッチング工程）とを有する。第１工程では、暗色層である第１導電層５１、及び第２導電層５０を第１導電層５１、第２導電層５０の順に基材３に積層する。第２工程では、第２導電層５０の上に、開口部５２ａを有するレジスト５２を形成する。第３工程では、開口部５２ａ内の第２導電層５０の上に第３導電層５３を形成する。第４工程では、レジスト５２を除去する。第５工程では、第１導電層５１及び第２導電層５０において第３導電層５３と重ならない部分をエッチング除去する。
　この構成によれば、ＳＡＰ工法を用いて、暗色層を有する導電部４を形成できる。この結果、タッチセンサ１の導電部４を、暗色層を持たせて細線化できる。また、この構成によれば、第１導電層５１が暗色層であるため、基材３の裏面（導電部４とは反対側の面）から見て導電部４の裏面を暗色（例えば黒色）に見えるようにできる（裏面暗色化）。また、第１～第４工程はＳＡＰ工法であるため、ＳＡＰ工法を用いて導電部４を形成できる。ＳＡＰ工法は、導電部４の細線化に適した工法である。この結果、裏面が暗色化され且つ細線化された導電部（４）を有するタッチセンサ（１）を製造できる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第５工程において、第１導電層５１及び第２導電層５０を同時にエッチング除去する。
　この構成によれば、ＳＡＰ工法が複雑な工程になることを回避できる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第５工程後の第１導電層５１の幅ｄ１と第２導電層５０の幅ｄ２との差は、±０．５μｍ以内である。
　この構成によれば、第２導電層５０の幅ｄ２が第１導電層５１の幅ｄ１よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ１の裏から見て導電部４を目立たなくできる。また、第２導電層５０の幅ｄ２が第１導電層５１の幅ｄ１よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部４の導電性を十分に確保できる。第１導電層５１と第２導電層５０とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第５工程のエッチング除去によって、第１導電層５１の幅ｄ１、第２導電層５０の幅ｄ２及び第３導電層５３の幅ｄ３をそれぞれ所定の幅まで細くする減膜処理を行う。
　この構成によれば、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチング除去と、第１～第３導電層５１，５０，５３の減膜処理とをまとめて実行できるため、製造工程数を低減できる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第１導電層５１及び第２導電層５０は、無電解銅で形成されている。
　この構成によれば、無電解銅の析出特性を活かして、第１導電層５１及び第２導電層５０を形成できる。すなわち、無電解銅は、基材３に形成されると、基材３との境界に銅を析出し、その析出銅により、微細凹凸面を有する析出銅層を形成する（析出特性）。ここで、析出銅層は無電解銅である。基材３に形成した当初の無電解銅を第２導電層５０として、析出銅層を第１導電層５１とすることで、無電解銅によって第１導電層５１及び第２導電層５０を形成できる。この場合、析出銅層の微細凹凸面によって第１導電層５１の裏面暗色化が実現される。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第３導電層５３は、電解銅で形成されている。
　この構成によれば、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチング除去と同時に第１～第３導電層５１、５０、５３の減膜処理を効果的に行うことができる。
　別の態様のタッチセンサ１の製造方法では、第５工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う。
　この構成によれば、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチング除去が第３導電層５３の側面よりも進むと、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチング面（側面）でのエッチング液の流動性が、第３導電層５３の側面よりも低下する。エアレーションを用いることで、この流動性の低下を利用して、第１導電層５１及び第２導電層５０のエッチング除去を抑制できる。この結果、導電部４の幅を導電部４の上部と下部とでほぼ同じ幅に保って、減膜処理を行える。
　１　タッチセンサ
　４　導電部
　４１，５１　黒色裏面層（暗色層、第１導電層）
　４２，５０　無電解銅層（第２導電層）
　４３，５３　電解銅層（第３導電層）
　ｄ１　黒色裏面層の幅
　ｄ２　無電解銅層の幅
　ｄ３　電解銅層の幅

Claims (17)

  1. 　基材と、
    　前記基材の上面に設けられた、暗色層である第１導電層と、
    　前記第１導電層の上に設けられた第２導電層と、
    　前記第２導電層の上に設けられた第３導電層と、
    を備えた、
    タッチセンサ。
  2. 　前記第１導電層と前記第２導電層とは、同一材料である、
    請求項１に記載のタッチセンサ。
  3. 　前記第１導電層及び前記第２導電層は、無電解銅である、
    請求項１又は２に記載のタッチセンサ。
  4. 　前記第３導電層の上面は、幅方向において、中央部が両端部よりも上方に向かって突出するように湾曲している、
    請求項１～３の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  5. 　前記第３導電層の上面は、凹凸状である、
    請求項１～３の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  6. 　上方から見て、前記第１導電層の幅と前記第２導電層の幅との差は、±０．５μｍ以内である、
    請求項１～５の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  7. 　上方から見て、前記第２導電層の幅と前記第３導電層の幅との差は、±０．５μｍ以内である、
    請求項１～５の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  8. 　上方から見て、前記第２導電層の幅と前記第３導電層の幅との差は、±１．４μｍ以内である、
    請求項１～５の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  9. 　前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層は、同一材料である、
    請求項１～８の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  10. 　前記基材の下面に設けられた、暗色層である第４導電層と、
    　前記第４導電層の下に設けられた第５導電層と、
    　前記第５導電層の下に設けられた第６導電層と、
    を更に備えた、
    請求項１～９の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  11. 　暗色層である第１導電層、及び第２導電層を、前記第１導電層、前記第２導電層の順に基材に積層する第１工程と、
    　前記第２導電層の上に、開口部を有するレジストを形成する第２工程と、
    　前記開口部内の前記第２導電層の上に第３導電層を形成する第３工程と、
    　前記レジストを除去する第４工程と、
    　前記第１導電層及び前記第２導電層において前記第３導電層と重ならない部分をエッチング除去する第５工程と、を有する、
    タッチセンサの製造方法。
  12. 　前記第５工程において、前記第１導電層及び前記第２導電層を同時にエッチング除去する、
    請求項１１に記載のタッチセンサの製造方法。
  13. 　上方から見て、前記第５工程後の前記第１導電層の幅と前記第２導電層の幅との差は、±０．５μｍ以内である、
    請求項１１又は１２に記載のタッチセンサの製造方法。
  14. 　前記第５工程のエッチング除去によって、上方から見て、前記第１導電層の幅、前記第２導電層の幅及び前記第３導電層の幅をそれぞれ所定の幅まで細くする減膜処理を行う、
    請求項１１～１３の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  15. 　前記第１導電層及び前記第２導電層は、無電解銅で形成されている、
    請求項１１～１４の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  16. 　前記第３導電層は、電解銅で形成されている、
    請求項１５に記載のタッチセンサの製造方法。
  17. 　前記第５工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う、
    請求項１６に記載のタッチセンサの製造方法。
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