WO2020241436A1 - はんだ合金、ソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム、およびはんだ継手 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to solder alloys, solder pastes, solder balls, solder preforms, and solder joints.
- soldering method for electronic components examples include a soldering method, a flow method, and a reflow method.
- the reflow method is a method in which a solder paste consisting of solder powder and flux is applied to a required part of a substrate, an electronic component is mounted on the coated portion, and then the solder paste is melted in a reflow furnace to solder the electronic component to the substrate. Is.
- This reflow method not only allows you to solder many places in one operation, but also has the productivity that even if you solder electronic parts with a narrow pitch, no bridges will occur and solder will not adhere to unnecessary places. It can be soldered with excellent reliability.
- the Ag content is 3 to 5% by mass and the Cu content is 0.5.
- examples thereof include Sn—Ag—Cu based solder alloys having an amount of up to 3% by mass.
- This solder alloy has excellent temperature cycle characteristics and excellent creep characteristics. In particular, temperature cycle characteristics are an important factor in evaluating the life of electronic devices and guaranteeing products.
- interfacial peeling occurs, in which the parts break at the interface between the soldered part due to dropping or the like. It is easy to occur. This interfacial peeling is unlikely to occur on a substrate using flow soldering, which has a relatively large amount of solder alloy at the joint, but the amount of solder alloy at the joint is small, and fine joints are soldered by reflow soldering. It tends to occur on the board.
- solder paste, solder balls, solder preform, etc. are used for the substrate to be soldered by reflow soldering.
- oil-containing solder is used to modify the solder joint.
- the printed circuit board on which the above-mentioned solder alloy is used is particularly prone to the problem of interfacial peeling. Therefore, a solder alloy having excellent temperature cycle characteristics and drop impact resistance has been studied.
- Patent Document 1 describes a solder alloy that is resistant to drop impact and is used for soldering Cu lands, and has an Ag content of 0.8 to 2.0% by mass and a Cu content of 0.05 to 0.3% by mass. %, And discloses a solder alloy containing In, Ni, Pt, Sb, Bi, Fe, Al and P.
- Patent Document 2 discloses a Sn-Ag-Cu-Bi-based solder alloy containing a solid solution element as a solder alloy having excellent temperature cycle characteristics.
- This solder alloy has an alloy structure consisting of a supersaturated solid solution or a solid solution in which solid solution elements are precipitated at room temperature, and the solid solution elements precipitated at low temperature are re-solidified in the Sn matrix at a high temperature in a heat cycle environment. It has an alloy structure composed of a solid solution.
- Patent Document 3 discloses a solder alloy containing Bi or Sb in the Sn—Ag—Cu solder composition.
- a solid solution is formed by Bi, Sb and Sn, and Ag and Cu form an intermetallic compound with Sn, and the mechanical strength is maintained by the microstructure of the solid solution and the intermetallic compound. ..
- solder alloy when the surface of the solder alloy is oxidized, a SnO film which is an oxide film is formed and the solder alloy turns yellow. The thicker the SnO film thickness, the higher the yellowness of the solder surface. If the surface of the solder alloy turns yellow and loses its metallic luster, the solder alloy may not be detected during the automatic processing of image recognition of the solder alloy, and the actually existing solder alloy may not be recognized.
- Patent Document 4 describes a metal material made of an alloy having a Sn content of 40% by mass or more or a metal material having a Sn content of 100% by mass. and a solder layer formed, a sphere of diameter 1 ⁇ 1000 .mu.m provided with a coating layer covering the surface of the solder layer, the coating layer, SnO film is formed on the outer side of the solder layer, SnO 2 film on the outside of the SnO film
- the solder material is disclosed in which the thickness of the coating layer is larger than 0 nm and 4.5 nm or less. This solder material suppresses the yellowing of the surface of the solder material by forming a SnO 2 film.
- solder alloys described in Patent Documents 2 and 3 do not take into consideration the drop impact resistance. In particular, it cannot be said that a solder joint having a small soldering area has excellent drop impact resistance. With the recent high performance and miniaturization of electronic devices, the electronic components incorporated therein are also becoming smaller and more sophisticated. In recent years, the overall size of electronic devices has become smaller, despite the increase in the number of electrodes.
- solder joints that join the electrodes of small electronic components are also smaller, but if the solder alloys that make up the solder joints are weak in drop impact resistance, when an electronic device receives an impact such as a drop, The solder joint is easily peeled off.
- Small and highly dense products such as mobile phones and mobile personal computers can only be soldered by reflow soldering using solder paste or solder balls. As a result, the amount of the solder joint used is also very small, and the drop impact resistance of the solder joint is further deteriorated.
- the temperature cycle characteristics of electronic devices are an important factor related to the life of the electronic devices.
- Mobile phones and mobile personal computers are not always used indoors with air conditioning, and it is not uncommon for them to be used in high-temperature environments such as inside automobiles or in low-temperature environments such as outdoors in snowy weather. Therefore, it is an indispensable condition to have excellent temperature cycle characteristics, and the solder alloy used for the portable device must have excellent temperature cycle characteristics.
- solder joint since the coefficient of thermal expansion of the electronic components constituting the electronic device and the substrate are significantly different, stress may be applied to the solder joint depending on the environment in which the electronic device is used, and the solder joint may be cracked. If the number of temperature cycles increases, the solder joint will break. This is commonly referred to as thermal fatigue. Solder alloys used in mobile phones and mobile personal computers are required to have good temperature cycle characteristics and are less likely to cause thermal fatigue.
- the solder alloy having excellent drop impact resistance is also excellent in temperature cycle characteristics.
- the conventional solder alloy in consideration of drop impact resistance described in Patent Document 1 reduces the Ag and Cu contents of the Sn—Ag—Cu solder alloy. As a result, it is possible to prevent the intermetallic compounds such as Cu 6 Sn 5 and Ag 3 Sn generated at the interface between the electrode and the solder alloy from becoming thicker, thereby preventing peeling from the interface between the electrode and the solder alloy. As a result, drop impact resistance is ensured.
- the effect of suppressing yellowing on the surface of the solder alloy is an important factor in the automatic processing of image recognition of the solder alloy.
- the solder material described in Patent Document 4 requires plasma irradiation in a high energy state in order to form the SnO 2 film, which complicates the manufacturing process.
- elements such as P, Ge, and Ga have been added in order to suppress the yellowing of the surface thereof. These elements have a smaller free oxide formation energy than Sn and are very easily oxidized. Therefore, when forming a solder ball from molten solder, elements such as P, Ge, and Ga instead of Sn are oxidized and concentrated on the surface, so that the yellowing of the solder surface can be suppressed.
- the wettability of a solder alloy is required. However, if the content of these elements is increased to suppress the yellowing of the surface of the solder alloy and the degree of concentration is increased, the wettability of the solder alloy becomes higher. It will drop.
- soldering using solder paste is advantageous in terms of cost and reliability.
- the solder paste is applied to the substrate by, for example, screen printing using a metal mask.
- the viscosity of the solder paste needs to be appropriate.
- the content of the activator used in the solder paste can be increased or a highly active one can be used in order to compensate for the deterioration of the wettability.
- the viscosity of the solder paste increases with time. Therefore, in addition to the drop impact resistance, temperature cycle characteristics, and yellowing suppressing effect, it is not possible to simultaneously satisfy the thickening suppressing effect when used in solder paste, which cannot be achieved with conventional solder alloys. It was necessary to consider it.
- the problem to be solved by the present invention is to have excellent temperature cycle characteristics and drop impact resistance, suppress yellowing and maintain excellent wettability, and further suppress an increase in viscosity of the solder paste over time. It is an object of the present invention to provide a solder alloy capable of producing, a solder paste using this solder alloy, a solder ball, a solder preform, and a solder joint.
- the present inventors consider that the temperature cycle characteristics deteriorate when the Cu content deviates from the vicinity of the eutectic, and even if the Ag content deviates from the vicinity of the eutectic, Cu
- the decrease in temperature cycle characteristics is small compared to the above, the temperature cycle characteristics are improved by adding In to Bi and Sb instead of reducing the Ag content, and the yellowing is suppressed when a predetermined amount of As is contained.
- the details are as follows.
- Patent Document 3 When the solder joint is exposed to the temperature cycle, the structure of the solder alloy becomes coarse, so in general, the temperature cycle characteristics are excellent when the structure of the solder alloy is fine.
- the solder alloy described in Patent Document 3 has an Ag content of 3.0% by mass or 3.4% by mass in the solder alloy used in the examples, Patent Document 3 has the same Ag content.
- the technique of the solder alloy near the crystal is disclosed.
- the Ag content was set to 0.2 to 1.2% by mass in order to improve the drop impact resistance.
- the temperature cycle characteristics cannot be said to be good only by reducing the Ag content.
- solder alloy In contained in the solder alloy according to the present invention is a metal that forms a solid solution with Sn in the same manner as Bi and Sb. Since In has a smaller atomic weight than Bi and Sb that form a solid solution with Sn, it is possible to enter between Bi and Sb to form a solid solution reinforced solder alloy with better temperature cycle characteristics. ..
- the content of Bi having the largest atomic weight among Bi, Sb, and In is contained more than twice in atomic% as compared with In, that is, about four times or more in mass%, the atom of Bi In enters the gap and the temperature cycle characteristics become better. More preferably, the Bi content is 3 times or more in atomic% of that of In.
- solder paste In has a strong reactivity like Zn, and when it is used for solder paste, the viscosity of the solder paste tends to change with time, and it is difficult to handle.
- the solder paste can be used for solder paste by limiting the In content contained in the solder alloy.
- the present inventors have attempted to add a predetermined amount of As from various elements to the Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb solder alloy. It is known that a solder alloy containing Sn as a main component forms a SnO 2 film as described above, and a solder alloy containing As is usually considered to be inferior in wettability, so that it is added to the solder alloy. It was avoided to do. However, unexpectedly, in addition to the temperature cycle characteristics and drop impact resistance, the formation of an As-concentrated layer on the surface of the solder alloy suppresses the yellowing change and obtains an excellent thickening suppressing effect. The present invention has been completed with the finding that high wettability is maintained.
- the present invention obtained from these findings is as follows. (1) In mass%, Ag: 0.2 to 1.2%, Cu: 0.6 to 0.9%, Bi: 1.2 to 3.0%, In: 0.01 to 2.0% , Sb: 0.02 to 1.0%, As: 0.0040 to 0.025%, the balance consists of Sn, has an As-concentrated layer, and the presence of the As-concentrated layer is the following criteria. is what is confirmed by, as concentrated layer is a region of from the outermost surface of the solder alloy to 2 ⁇ D1 (nm) at a depth of SiO 2 in terms, the thickness of SiO 2 in terms of as concentrated layer A solder alloy characterized by having a diameter of 0.5 to 8.0 nm.
- S1 In the chart of XPS analysis, the integrated value of the detection intensity of As in the region where the depth of SiO 2 conversion is 0 to 2 ⁇ D1 (nm)
- S2 In the chart of XPS analysis, the depth of SiO 2 conversion is 2 ⁇ Integrated value of detection intensity of As in the region of D1 to 4 ⁇ D1 (nm)
- D1 Depth in terms of SiO 2 at which the detection intensity of O atom is maximum in the chart of D1: XPS analysis (Do ⁇ max (nm)) In the deeper part, the first SiO 2 equivalent depth (nm) at which the detection intensity of O atom is 1/2 of the maximum detection intensity (intensity at Do ⁇ max).
- solder ball made of the solder alloy according to (1) above.
- Solder preform made of the solder alloy according to (1) above.
- FIG. 1 is a chart of XPS analysis of the surface of a solder ball.
- FIG. 2 is a chart of XPS analysis of the surface of the solder ball.
- FIG. 3 is a chart of XPS analysis of the surface of the solder ball.
- the lower limit of the Ag content is 0.2% or more, preferably 0.3% or more.
- the upper limit of the Ag content is 1.2% or less, preferably 1.0% or less.
- the solder alloy according to the present invention when the Cu content is less than 0.6%, the amount of Sn—Cu intermetallic compound produced in the solder alloy is small, and the effect of refining the solder structure does not appear and the temperature cycle characteristics The effect of improvement does not appear.
- the lower limit of the Cu content is 0.6% or more, preferably 0.7% or more.
- the upper limit of the Cu content is 0.9% or less, preferably 0.8% or less.
- Bi 1.2 to 3.0% If the Bi content is less than 1.2%, the solid solution amount of Bi with respect to Sn in the solder alloy is small, so that there is no effect in improving the temperature cycle characteristics.
- the lower limit of the Bi content is 1.2% or more, preferably 1.5% or more.
- the upper limit of the Bi content is 3.0% or less, preferably 2.5% or less, and more preferably 2.0% or less.
- In 0.01-2.0% In is effective in improving the temperature cycle characteristics.
- In is a metal that easily oxidizes, its solder alloy also easily oxidizes.
- the In content needs to be limited because the oxidation of In causes yellowing of the solder alloy.
- the In and the flux react with each other, so that the viscosity of the solder paste tends to change with time. If the In content is less than 0.01%, the solid solution content of Sn and In in the solder alloy is small, so that there is no effect in improving the temperature cycle characteristics.
- the lower limit of the In content is 0.01% or more, preferably 0.2% or more.
- the In content is more than 2.0%, the surface of the solder bumps changes yellow after reflowing, and the viscosity of the solder paste changes with time, which is not preferable.
- the upper limit of the In content is 2.0% or less, more preferably 0.5% or less.
- Sb 0.02 to 1.0% If the Sb content is less than 0.02%, the solid solution amount of Sb in Sn in the solder alloy is small, so that there is no effect in improving the temperature cycle characteristics.
- the lower limit of the Sb content is 0.02% or more, preferably 0.025% or more, and more preferably 0.1% or more.
- the Sb content is more than 1.0%, an intermetallic compound of AgSb is generated in the solder alloy, resulting in poor drop impact resistance. Further, if the Sb content is more than 1.0%, the wettability of the solder alloy deteriorates.
- the upper limit of the Sb content is 1.0% or less, preferably 0.5% or less, and more preferably 0.2% or less.
- the lower limit of the As content needs to be 0.0040% or more in order to fully exert the effect of containing As.
- As exceeds 0.025% the wettability may be inferior.
- the upper limit of the As content is 0.025% or less, preferably 0.020% or less, and more preferably 0.010% or less.
- the As-concentrated layer formed by containing As means a region in which the As concentration is higher than the average As concentration in the solder material (the content of As with respect to the total mass of the solder material), and specifically. Is a region from the outermost surface of the solder alloy to a depth of 2 ⁇ D1 (nm) in terms of SiO 2 , and its existence can be confirmed by the determination criteria described later.
- the As-concentrated layer is preferably present on at least a part of the surface side of the solder material, and preferably covers the entire surface.
- the As-concentrated layer is formed by containing As as in the present invention, it is not clear why the yellow discoloration is suppressed, the high wettability is maintained, and the increase in the viscosity of the solder paste can be suppressed. It is inferred that.
- the increase in viscosity is caused by the formation of salts, the aggregation of solder materials, etc. by the reaction that occurs between Sn or Sn oxide and various additives such as activators contained in solder paste (flux). Conceivable. If an As-concentrated layer is present on the surface as in the solder alloy according to the present invention, the As-concentrated layer is interposed between the solder alloy and the flux, and the above-mentioned reaction is less likely to occur. It is presumed that the effects will appear at the same time.
- S1 In the chart of XPS analysis performed on the above sample, the integrated value of the detection intensity of As in the region where the depth of SiO 2 conversion is 0 to 2 ⁇ D1 (nm)
- S2 In the chart of XPS analysis, SiO 2 Integrated value of As detection intensity in the region where the conversion depth is 2 ⁇ D1 to 4 ⁇ D1 (nm)
- D1 In the chart of XPS analysis, the SiO 2 conversion depth at which the O atom detection intensity is maximum ( At a portion deeper than Do ⁇ max (nm), the first SiO 2 equivalent depth (nm) at which the detection intensity of O atoms is 1/2 the maximum detection intensity (strength at Do ⁇ max).
- the thickness of the As concentrated layer (SiO 2 conversion) is 0.5 to 8.0 nm, more preferably 0.5 to 4.0 nm, and 0.5 to 2 0.0 nm is most preferable.
- the thickness of the As-concentrated layer is within the above range, the yellowing is suppressed and a solder material having excellent wettability can be obtained.
- the yellowness b * in the L * a * b * color system of the solder alloy is preferably 0 to 10.0, more preferably 3.0 to 5.7, and 3 .0 to 5.0 is the most preferable. If the yellowness b * in the L * a * b * color system of the solder material is within the above range, the yellowness is low and the solder has a metallic luster, so that during automatic processing of image recognition of the solder joint, Solder joints are detected accurately.
- the yellowness b * is determined by using a CM-3500d2600d type spectrophotometer (manufactured by Konica Minolta) with a D65 light source and a 10-degree field of view, JIS Z 8722: 2009 "Color measurement method-reflection and The spectral transmittance can be measured according to the "transmissive object color” and can be obtained from the color values (L *, a *, b *).
- Sn The rest of the solder alloy according to the present invention is Sn.
- unavoidable impurities may be contained. Even if it contains unavoidable impurities, it does not affect the above-mentioned effects.
- solder paste contains flux and solder powder.
- Flux components The flux used in solder paste is organic acid, amine, amine hydrohalide, organic halogen compound, thixo agent, rosin, solvent, surfactant, base agent, polymer compound, silane. It is composed of either a coupling agent or a colorant, or a combination of two or more.
- Organic acids include succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, dimer acid, propionic acid, 2,2-bishydroxymethylpropionic acid, tartaric acid, malic acid, glycolic acid, Examples thereof include diglycolic acid, thioglycolic acid, dithioglycolic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, palmitic acid, oleic acid and the like.
- amines ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl Imidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimerite, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimerite, 2,4 -Dia
- Amine halide is a compound obtained by reacting amine with hydrogen halide, and examples of amine include ethylamine, ethylenediamine, triethylamine, diphenylguanidine, ditrilguanidine, methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and the like.
- amine include ethylamine, ethylenediamine, triethylamine, diphenylguanidine, ditrilguanidine, methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and the like.
- hydrogen halides include hydrides of chlorine, bromine, and iodine.
- organic halogen compound examples include trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, triallyl isocyanurate hexabromide, 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol and 3-bromo.
- thixotropy examples include wax-based thixotropy, amide-based thixotropy, sorbitol-based thixotropy, and the like.
- wax-based thixotropy examples include castor oil and the like.
- amide-based thixo agent examples include monoamide-based thixo agent, bis-amide-based thixo agent, and polyamide-based thixo agent.
- examples of the sorbitol-based thixotropy include dibenzylidene-D-sorbitol and bis (4-methylbenzylidene) -D-sorbitol.
- Examples of the base agent include nonionic surfactants, weak cationic surfactants, rosin and the like.
- nonionic surfactant examples include polyethylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, aliphatic alcohol polyoxyethylene adduct, aromatic alcohol polyoxyethylene adduct, polyhydric alcohol polyoxyethylene adduct and the like. ..
- terminal diamine polyethylene glycol terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, aliphatic amine polyoxyethylene adduct, aromatic amine polyoxyethylene adduct, polyvalent amine polyoxyethylene addition
- the body is mentioned.
- the rosin examples include raw material rosins such as gum rosin, wood rosin and tall oil rosin, and derivatives obtained from the raw material rosin.
- the derivative examples include purified rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin and ⁇ , ⁇ unsaturated carboxylic acid modified products (acrylicated rosin, maleated rosin, fumarized rosin, etc.), and the polymerized rosin.
- Examples thereof include purified products, hydrides and disproportionated products of the above, and purified products, hydrides and disproportionated products of the ⁇ , ⁇ unsaturated carboxylic acid modified products, and two or more kinds can be used.
- At least one resin selected from terpene resin, modified terpene resin, terpene phenol resin, modified terpene phenol resin, styrene resin, modified styrene resin, xylene resin, and modified xylene resin is further added.
- As the modified terpene resin an aromatic modified terpene resin, a hydrogenated terpene resin, a hydrogenated aromatic modified terpene resin and the like can be used.
- As the modified terpene phenol resin, hydrogenated terpene phenol resin or the like can be used.
- modified styrene resin styrene acrylic resin, styrene maleic anhydride and the like can be used.
- modified xylene resin examples include a phenol-modified xylene resin, an alkylphenol-modified xylene resin, a phenol-modified resol-type xylene resin, a polyol-modified xylene resin, and a polyoxyethylene-added xylene resin.
- the solvent examples include water, alcohol-based solvent, glycol ether-based solvent, terpineols, and the like.
- alcohol-based solvents isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,5 -Dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexine-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 1,1,1-tris (hydroxymethyl) Ethan, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxybis (methylene) bis (2-ethyl-1,3-propanediol), 2,2-bis (hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhex
- glycol ether-based solvent examples include diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, 2-methylpentane-2,4-diol, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, and triethylene glycol monobutyl ether. ..
- surfactant examples include polyoxyalkylene acetylene glycols, polyoxyalkylene glyceryl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyalkylene ester, polyoxyalkylene alkyl amine, polyoxyalkylene alkyl amide and the like.
- the flux content is preferably 5 to 95%, more preferably 5 to 15%, based on the total mass of the solder paste. Within this range, the thickening suppressing effect caused by the solder powder is sufficiently exhibited.
- solder powder used in the solder paste according to the present invention is preferably a spherical powder.
- the spherical powder improves the fluidity of the solder alloy.
- the solder alloy is a spherical powder
- it has a size (particle size distribution) corresponding to symbols 1 to 8 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1: 2014, it is a fine component.
- the size of the particulate solder material is more preferably the size corresponding to the symbols 4 to 8, and more preferably the size corresponding to the symbols 5 to 8.
- the sphericity is preferably 0.90 or more, more preferably 0.95 or more, and most preferably 0.99 or more.
- the spherical diameter and sphericity of the solder alloy are determined by using a CNC image measurement system (Ultra Quick Vision ULTRA QV350-PRO measuring device manufactured by Mitutoyo Co., Ltd.) using the minimum region center method (MZC method). Is measured.
- the sphericity represents a deviation from the sphere, for example, an arithmetic mean value calculated when the diameter of each of 500 balls is divided by the major axis, and the value is 1.00, which is the upper limit. The closer it is, the closer it is to a true sphere.
- the solder paste according to the present invention is produced by a method generally used in the art.
- known methods such as a dropping method in which the molten solder material is dropped to obtain particles, a spraying method in which the solder is centrifugally sprayed, and a method in which the bulk solder material is crushed can be adopted.
- the dropping method and the spraying method the dropping and spraying are preferably performed in an inert atmosphere or a solvent in order to form particles. Then, each of the above components can be heated and mixed to prepare a flux, and the solder powder can be introduced into the flux, stirred and mixed for production.
- solder alloy according to the present invention can be used as a solder ball.
- the solder alloy according to the present invention can be produced by using a dropping method, which is a common method in the art.
- a solder joint can be manufactured by processing a solder ball by a method common in the art, such as mounting one solder ball on one electrode coated with flux and joining the solder balls.
- the particle size of the solder balls is preferably 1 ⁇ m or more, more preferably 10 ⁇ m or more, still more preferably 20 ⁇ m or more, and particularly preferably 30 ⁇ m or more.
- the upper limit of the particle size of the solder balls is preferably 3000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less, still more preferably 600 ⁇ m or less, and particularly preferably 300 ⁇ m or less.
- solder preform The solder alloy according to the present invention can be used as a preform.
- the shape of the preform include washers, rings, pellets, discs, ribbons, wires and the like.
- solder joint The solder alloy according to the present invention can be used as a joint for joining two or more types of various members.
- the joining member is not limited, and is also useful as a joint for an electronic device member, for example. That is, the solder joint according to the present invention refers to the connection portion of the electrodes and can be formed by using general soldering conditions.
- the method for producing a solder alloy according to the present invention is not limited, and it can be produced by melting and mixing raw metal.
- An example of a method for forming the As concentrated layer is to heat the solder material in an oxidizing atmosphere (air or oxygen atmosphere).
- the heating temperature is not limited, but can be, for example, 40 to 200 ° C, or 50 to 80 ° C.
- the heating time is also not limited, and may be, for example, several minutes to several days, preferably several minutes to several hours. In order to form a sufficient amount of As concentrated layer, the heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 20 minutes or more.
- an As concentrated layer is formed by performing this heat treatment.
- the solder alloy according to the present invention can be produced as a low ⁇ -ray alloy by using a low ⁇ -wire as a raw material thereof.
- a low ⁇ -ray alloy is used for forming solder bumps around a memory, soft errors can be suppressed.
- the solder powder used in this example has an average particle size of 21 ⁇ m and corresponds to 5 in the powder size classification (Table 2) of JIS Z3284-1: 2014, and is 60 in the air using a drying device. Obtained by heating at ° C. for 30 minutes. Only in Comparative Examples 44 to 48, solder powders that were not heat-treated were used.
- the soldered printed circuit board is put into a two-tank automatic test device with a low temperature condition of -40 ° C and a high temperature condition of + 85 ° C for 30 minutes each, and the initial, 800th cycle, 1200th cycle, 1600 cycle.
- the printed circuit board was taken out at the 2000th cycle, and the shear strength test of the solder joint was performed at 150 points to confirm the transition of the strength.
- the CSP on which the solder balls are placed is heated in a reflow furnace to form solder bumps on the electrodes.
- the CSP on which the solder bumps are formed is mounted in the center of the glass epoxy printed circuit board coated with a solder paste of 30 ⁇ 120 (mm), and heated in a reflow furnace to solder the CSP to the printed circuit board. As the substrate, one left at room temperature for 5 days after soldering was used.
- FIGS. 1 to 3 An example of the chart obtained by XPS analysis is shown in FIGS.
- the scale of the detection intensity (cps) on the vertical axis is changed for the same sample, and the horizontal axis is the depth (nm) converted to SiO 2 calculated from the sputtering time.
- the vertical axis is the detection intensity (cps)
- the horizontal axis is the SiO 2 conversion depth calculated from the sputtering time (min) or the sputtering time using the sputtering etching rate of the SiO 2 standard sample. It can be selected from any of (nm), but in FIGS. 1 to 3, the horizontal axis in the XPS analysis chart is the depth converted to SiO 2 calculated from the sputtering time using the sputtering etching rate of the SiO 2 standard sample. It was set to (nm).
- the depth converted to SiO 2 at which the detection intensity of O atom was maximized was set to Do ⁇ max (nm) (see FIG. 2).
- the first SiO 2 equivalent depth at which the detection intensity of O atom becomes 1/2 of the maximum detection intensity (strength at Do ⁇ max) was set to D1 (nm). ..
- the integrated value of the detection intensity of As in the region from the outermost surface to the depth 2 ⁇ D1 (the region where the depth converted to SiO 2 is 0 to 2 ⁇ D1 (nm)) ( S1) and the integrated value of the detection intensity of As in the region from the depth 2 ⁇ D1 to the portion further deepened by 2 ⁇ D1 (the region where the depth converted to SiO 2 is 2 ⁇ D1 to 4 ⁇ D1 (nm)) ( S2) (see FIG. 3) was obtained and compared.
- ⁇ b * is 50% or less of ⁇ b * (reference): ⁇ (very good)
- the value of ⁇ b * is more than 50% and 70% or less of ⁇ b * (reference): ⁇ (good)
- the value of ⁇ b * is greater than 70% of ⁇ b * (reference): ⁇ (impossible) 6.
- Solder wettability A flux WF-6400 (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is applied to a Barre-Cu (bare copper) electrode pad (solder resist opening: 0.24 mm) having a thickness of 0. It was printed so as to be 115 mm, and the solder ball used in "5. Yellow change suppression" was mounted on it.
- the electrode pads to mount the solder balls the temperature was raised to 260 ° C. under a N 2 atmosphere at a heating rate 1 ° C. / sec from 25 ° C., and reflowed. After the reflow, the electrode pad on which the solder balls were mounted was immersed in distilled water and ultrasonically cleaned for 1 minute. The number of bumps (the number of missing bumps) that had disappeared in the cleaning process without being soldered was counted, and evaluation was performed based on the following criteria.
- Comparative Examples 1 to 43 were inferior in at least one of the evaluation items because they did not satisfy at least one of the requirements of the present invention in any of the alloy compositions. Moreover, since Comparative Examples 1 to 11 did not contain As, the presence or absence of the As concentrated layer was not evaluated. Further, since the heat treatment was not performed in Comparative Examples 44 to 48, it was found that the surface thickening of As could not be confirmed, the thickening of the solder paste was not suppressed, and the solder alloy turned yellow.
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Abstract
温度サイクル特性および耐落下衝撃性に優れ、黄色変化が抑制されるとともに優れた濡れ性が維持され、さらにはソルダペーストの経時的な粘度上昇を抑制することができるはんだ合金、このはんだ合金を用いたソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム、およびはんだ継手を提供する。はんだ合金は、質量%で、Ag:0.2~1.2%、Cu:0.6~0.9%、Bi:1.2~3.0%、In:0.01~2.0%、Sb:0.02~1.0%、As:0.0040~0.025%含有し、残部がSnからなり、表面にAs濃化層を有する。
Description
本発明は、はんだ合金、ソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム、およびはんだ継手に関する。
電子部品のはんだ付け方法としては、鏝付け法、フロー法、リフロー法、等がある。
リフロー法は、はんだ粉とフラックスからなるソルダペーストを基板の必要箇所に塗布し、該塗布部に電子部品を搭載してからリフロー炉でソルダペーストを溶融させて電子部品を基板にはんだ付けする方法である。このリフロー法は、一度の作業で多数箇所のはんだ付けができるばかりでなく、狭いピッチの電子部品をはんだ付けしてもブリッジの発生がなく、しかも不要箇所にははんだが付着しないという生産性と信頼性に優れたはんだ付けが行えるものである。
リフロー法は、はんだ粉とフラックスからなるソルダペーストを基板の必要箇所に塗布し、該塗布部に電子部品を搭載してからリフロー炉でソルダペーストを溶融させて電子部品を基板にはんだ付けする方法である。このリフロー法は、一度の作業で多数箇所のはんだ付けができるばかりでなく、狭いピッチの電子部品をはんだ付けしてもブリッジの発生がなく、しかも不要箇所にははんだが付着しないという生産性と信頼性に優れたはんだ付けが行えるものである。
ところで、従来から多く使用されているはんだ合金としては、特開平5-050286号公報に開示されているように、Agの含有量が3~5質量%であり、Cuの含有量が0.5~3質量%であるSn-Ag-Cu系はんだ合金が挙げられる。このはんだ合金は、温度サイクル特性に優れ、またクリープ特性に優れている。特に温度サイクル特性は、電子機器の寿命を評価したり、製品保証をする上で、重要な要素である。
ところが、Sn-Ag-Cu系はんだ合金は比較的硬いために、携帯電話などの小型機器に使用されると、落下などにより部品とはんだ付けした部分との界面で割れる、所謂「界面剥離」が発生し易い。この界面剥離は、接合部のはんだ合金の量が比較的多いフローソルダリングを用いた基板では起こり難いが、接合部のはんだ合金の量が少なく、微細な接合部をリフローソルダリングではんだ付けした基板で発生し易い。
なお、リフローソルダリングではんだ付けする基板には、ソルダペーストやはんだボール、ソルダプリフォームなどが用いられる。また、はんだ継手の修正には、脂入りはんだが用いられる。上述のはんだ合金が使用されたプリント基板には、特に界面剥離の問題が発生し易い。そこで、温度サイクル特性や耐落下衝撃性に優れたはんだ合金が検討されている。
特許文献1は、Cuランドのはんだ付けに用いる落下衝撃に強いはんだ合金として、Agの含有量が0.8~2.0質量%であり、Cuの含有量が0.05~0.3質量%であり、In、Ni、Pt、Sb、Bi、Fe、Al、Pを含有するはんだ合金を開示する。
特許文献2は、温度サイクル特性に優れるはんだ合金として、固溶元素を含有するSn-Ag-Cu-Bi系はんだ合金を開示する。このはんだ合金は、室温では過飽和固溶体、もしくは、固溶元素が析出した固溶体からなる合金組織を有し、ヒートサイクル環境における高温時には、低温で析出した固溶元素がSnマトリックス中に再固溶する固溶体からなる合金組織を有する。
特許文献3は、Sn-Ag-Cuはんだ組成にBiやSbを含有するはんだ合金を開示する。このはんだ合金は、BiやSbとSnとで固溶体を形成し、また、AgやCuがSnと金属間化合物を形成して、その固溶体や金属間化合物のミクロ組織によって、機械的な強度を保つ。
また、前述のはんだ合金は、主成分がSnであるためにはんだ合金の表面が酸化すると酸化膜であるSnO被膜を形成して黄色に変化する。SnO被膜の膜厚が厚くなるほど、はんだ表面の黄色度は高くなる。はんだ合金の表面が黄色に変化し金属光沢を失うと、はんだ合金の画像認識の自動処理の際に、はんだ合金が検出されず、実際には存在しているはんだ合金が認識されないことがある。
従来の表面の黄色変化を抑制したはんだ材料としては、例えば特許文献4には、Snの含有量が40%質量以上の合金からなる金属材料またはSnの含有量が100質量%である金属材料からなるはんだ層と、はんだ層の表面を被覆する被覆層を備えた直径が1~1000μmの球体であり、被覆層は、はんだ層の外側にSnO膜が形成され、SnO膜の外側にSnO2膜が形成され、被覆層の厚さは、0nmより大きく4.5nm以下であるはんだ材料が開示されている。このはんだ材料は、SnO2膜を形成することにより、はんだ材料表面の黄色変化を抑制している。
特許文献2および特許文献3に記載のはんだ合金は、耐落下衝撃性については考慮されていない。特にはんだ付け面積の小さいはんだ継手の耐落下衝撃性に優れているとは言い難い。最近の電子機器は高性能・小型化にともない、それに組み込まれる電子部品も小型化で高機能化されてきている。そして、近年の電子機器は電極数が増えているにもかかわらず、全体の大きさは逆に小さくなっている。
このように小型電子部品の電極を接合するはんだ継手も小さくなっているが、はんだ継手を構成するはんだ合金が耐落下衝撃性に弱いと、落下のような衝撃を電子機器が受けたときに、はんだ継手が簡単に剥離してしまう。携帯電話やモバイルパソコンのように、小型で密集度が高い製品はソルダペーストやはんだボールなどを使ったリフローソルダリングのはんだ付けしか行えない。これによりはんだ継手の使用量も微少量になっており、はんだ継手の耐落下衝撃性は更に劣化することになる。
次に、電子機器の温度サイクル特性はその電子機器の寿命に関係する重要な要素である。携帯電話やモバイルパソコンは、常時空調の効いた室内で使用される訳ではなく、自動車の車内のような高温環境下や雪天の野外のような低温環境下で使用されることも珍しくない。そのために、温度サイクル特性に優れることは必須の条件であり、携帯機器に使用されるはんだ合金が優れた温度サイクル特性を有さなければならない。
すなわち、電子機器を構成する電子部品と基板との熱膨張係数が大きく異なるため、電子機器が使用される環境によってはんだ継手に応力が加わり、はんだ継手に亀裂が入ることがある。温度サイクル数が多くなるとはんだ継手が破壊してしまう。これは、一般的に熱疲労と呼ばれている。携帯電話やモバイルパソコンに使用されるはんだ合金としては、熱疲労が発生し難く、温度サイクル特性の良いものが求められている。
しかし、耐落下衝撃性に優れるはんだ合金が、同時に、温度サイクル特性に優れているとは言えなかった。例えば特許文献1に記載されている従来の耐落下衝撃性を考慮したはんだ合金は、Sn-Ag-Cuはんだ合金のAgやCuの含有量を低減している。これにより、電極とはんだ合金との界面に発生するCu6Sn5やAg3Snなどの金属間化合物が厚くなることを抑制することで、電極とはんだ合金との界面から剥離が起こることを防止して耐落下衝撃性が確保されている。一方、従来のSn-Ag-Cu系はんだ合金からAgやCuの量を減少させると、Sn-Ag-Cu系はんだ合金の優位性である温度サイクル特性が劣化してしまう。このように、今までは温度サイクル特性と耐落下衝撃性の両方の特性をともに有するはんだ合金は開発されていなかった。
さらに、耐落下衝撃性および温度サイクル特性に加えて、はんだ合金表面における黄色変化の抑制効果は、はんだ合金の画像認識の自動処理において重要な要素である。しかし、特許文献4に記載のはんだ材料は、SnO2膜を形成するために、高エネルギー状態のプラズマ照射等が必要であり、製造工程が複雑となってしまう。また、従来、Snを主成分とするはんだ合金は、その表面の黄色変化を抑制するために、P、Ge、Gaなどの元素が添加されていた。これらの元素は、Snよりも酸化物生成自由エネルギーが小さく、非常に酸化されやすい。したがって、溶融はんだからはんだボールを形成する際に、SnではなくP、Ge、Gaなどの元素が酸化されて表面に濃化し、はんだ表面の黄色変化を抑制することができる。
ところが、一般的にはんだ合金には濡れ性が求められるところ、はんだ合金表面の黄色変化を抑制するためにこれらの元素の含有量を多くし濃化の度合いを高めると、はんだ合金の濡れ性が低下してしまう。
これに加えて、電子機器の基板への電子部品の接合・組立てにおいては、ソルダペーストを使用したはんだ付けがコスト面及び信頼性の面で有利である。ソルダペーストの基板への塗布は、例えば、メタルマスクを用いたスクリーン印刷により行われる。ソルダペーストの印刷性を確保するために、ソルダペーストの粘度は適度である必要がある。
ここで、黄色変化が抑制されたはんだ粉末を用いた場合、濡れ性の劣化を補うため、ソルダペーストに用いる活性剤の含有量を増加したり高活性のものを使用することができる。しかし、活性剤などにより濡れ性を向上させようとすると、ソルダペーストの粘度が経時的に上昇してしまう。このため、耐落下衝撃特性、温度サイクル特性、黄色変化の抑制効果に加えて、ソルダペーストに用いた際の増粘抑制効果をも同時に満たすことは、従来のはんだ合金では達成し得ず、更なる検討が必要であった。
本発明が解決しようとする課題は、温度サイクル特性および耐落下衝撃性に優れ、黄色変化が抑制されるとともに優れた濡れ性が維持され、さらにはソルダペーストの経時的な粘度上昇を抑制することができるはんだ合金、このはんだ合金を用いたソルダペースト、はんだボール、ソルダプリフォーム、およびはんだ継手を提供することである。
本発明者らは、Sn-Ag-Cu系はんだ合金組成において、Cu含有量が共晶付近からずれると温度サイクル特性が低下してしまうこと、Ag含有量が共晶付近からずれたとしてもCuに比べて温度サイクル特性の低下が少ないこと、Ag含有量を減少させた代わりにBiとSbにInを加えることにより温度サイクル特性が向上すること、Asを所定量含有すると黄色変化が抑制されるとともに優れた濡れ性が維持されること、さらにはソルダペーストに使用した場合に増粘抑制効果が発揮されることを見いだし、本発明を完成した。詳細は以下のとおりである。
はんだ継手が温度サイクルに曝されるとはんだ合金の組織は粗大になるので、一般的に温度サイクル特性は、はんだ合金の組織が微細のものが優れている。特許文献3に記載のはんだ合金は、実施例で使用するはんだ合金のAg含有量が3.0質量%又は3.4質量%であることから考えて、特許文献3にはAg含有量が共晶付近のはんだ合金の技術が開示されていることになる。これに対して、本発明では耐落下衝撃性を向上させるために、Ag含有量を0.2~1.2質量%とした。ただ、特許文献3に記載のはんだ合金において、Ag含有量を低減しただけでは温度サイクル特性が良好とは言えなない知見が得られた。
そこで、本発明ではSn-Ag-Cuのはんだ合金組成に、特許文献3に記載のはんだ合金のようにBiおよびSbを添加した上、さらにInを添加した。その結果、Ag含有量が0.2~1.2質量%と少なくしても、従来のSn-Ag-Cu-Bi-Sb系はんだ合金と同様に熱疲労が少ないばかりでなく、予想外にも、温度サイクル特性が良好なはんだ合金が得られた。
本発明に係るはんだ合金に含有されるInは、BiとSbと同じようにSnと固溶体を形成する金属である。InはSnと固溶体を形成するBiやSbに比較して原子量が小さいので、BiやSbの間に入り込んでより温度サイクル特性が良好な固溶強化型のはんだ合金を形成することが可能である。
好ましくは、Bi、Sb、Inの中で一番原子量が大きいBiの含有量がInより原子%で2倍より多く含まれている、つまり質量%で約4倍以上多いと、Biの原子の隙間にInが入り込んでより温度サイクル特性が更に良好になる。より好ましくは、Biの含有量がInより原子%で3倍以上のときである。
しかし、InはZnなどのように反応性が激しく、ソルダペーストに用いるとソルダペーストが粘度の経時変化を起こし易く、扱いが難いとされていた。本発明では、はんだ合金中に含有するIn含有量を限定することによって、ソルダペーストへの使用も可能である知見が得られた。
さらに、本発明者らは、Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sbはんだ合金に、種々の元素の中から所定量のAsを添加することを試みた。Snを主成分とするはんだ合金では前述のようにSnO2膜を形成することが知られており、また、Asを含有するはんだ合金は通常濡れ性が劣るとされているため、はんだ合金に添加することは避けられていた。しかしながら、予想外にも、温度サイクル特性および耐落下衝撃性に加えて、はんだ合金の表面にAs濃化層が形成されることで黄色変化が抑制されるとともに優れた増粘抑制効果が得られ、高い濡れ性が維持される知見が得られ、本発明は完成された。
これらの知見から得られた本発明は以下のとおりである。
(1)質量%で、Ag:0.2~1.2%、Cu:0.6~0.9%、Bi:1.2~3.0%、In:0.01~2.0%、Sb:0.02~1.0%、As:0.0040~0.025%含有し、残部がSnからなり、As濃化層を有し、As濃化層の存在は以下の判定基準により確認されるものであり、As濃化層は、はんだ合金の最表面からSiO2換算の深さで2×D1(nm)までの領域であり、As濃化層のSiO2換算の厚みが0.5~8.0nmであることを特徴とするはんだ合金。
(判定基準)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルにおいて、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいてS1>S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、
S1:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)。
(1)質量%で、Ag:0.2~1.2%、Cu:0.6~0.9%、Bi:1.2~3.0%、In:0.01~2.0%、Sb:0.02~1.0%、As:0.0040~0.025%含有し、残部がSnからなり、As濃化層を有し、As濃化層の存在は以下の判定基準により確認されるものであり、As濃化層は、はんだ合金の最表面からSiO2換算の深さで2×D1(nm)までの領域であり、As濃化層のSiO2換算の厚みが0.5~8.0nmであることを特徴とするはんだ合金。
(判定基準)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルにおいて、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいてS1>S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、
S1:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)。
(2)上記(1)に記載のはんだ合金からなるはんだ粉末とフラックスからなるソルダペースト。
(3)上記(1)に記載のはんだ合金からなるはんだボール。
(4)上記(1)に記載のはんだ合金からなるソルダプリフォーム。
(4)上記(1)に記載のはんだ合金からなるソルダプリフォーム。
(5)上記(1)に記載のはんだ合金から形成されたはんだ継手。
本発明を以下により詳しく説明する。本明細書において、はんだ合金組成に関する「%」は、特に指定しない限り「質量%」である。
1.はんだ合金
(1)Ag:0.2~1.2%
一般的にSnを主成分とするはんだ合金において、Agは温度サイクル性に効果があるが、逆に多く添加すると耐落下衝撃性が低下する。本発明に係るはんだ合金では、Ag含有量が0.2%よりも少ないとはんだ合金中のSn-Agの金属間化合物の生成量が少なく、はんだ組織の微細化効果が現れずに温度サイクル特性向上の効果が現れない。Ag含有量の下限は0.2%以上であり、好ましくは0.3%以上である。
一方、Ag含有量が1.2%を超えるとはんだ内部にAg3Snの生成量が多く網目状の構造になるため、はんだ合金の強度が上がり、耐落下衝撃性が悪くなる。そのためAg含有量の上限は、1.2%以下であり、好ましくは1.0%以下である。
(1)Ag:0.2~1.2%
一般的にSnを主成分とするはんだ合金において、Agは温度サイクル性に効果があるが、逆に多く添加すると耐落下衝撃性が低下する。本発明に係るはんだ合金では、Ag含有量が0.2%よりも少ないとはんだ合金中のSn-Agの金属間化合物の生成量が少なく、はんだ組織の微細化効果が現れずに温度サイクル特性向上の効果が現れない。Ag含有量の下限は0.2%以上であり、好ましくは0.3%以上である。
一方、Ag含有量が1.2%を超えるとはんだ内部にAg3Snの生成量が多く網目状の構造になるため、はんだ合金の強度が上がり、耐落下衝撃性が悪くなる。そのためAg含有量の上限は、1.2%以下であり、好ましくは1.0%以下である。
(2)Cu:0.6~0.9%
本発明に係るはんだ合金において、Cu含有量が0.6%よりも少ないとはんだ合金中のSn-Cuの金属間化合物の生成量が少なく、はんだ組織の微細化効果が現れずに温度サイクル特性向上の効果が現れない。Cu含有量の下限は0.6%以上であり、好ましくは0.7%以上である。
一方、Cu含有量が0.9%よりも多くなると、はんだ凝固時にCu6Sn5の金属間化合物層が初晶となり、溶融性が阻害される。そのため、Cu含有量の上限は0.9%以下であり、好ましくは0.8%以下である。
本発明に係るはんだ合金において、Cu含有量が0.6%よりも少ないとはんだ合金中のSn-Cuの金属間化合物の生成量が少なく、はんだ組織の微細化効果が現れずに温度サイクル特性向上の効果が現れない。Cu含有量の下限は0.6%以上であり、好ましくは0.7%以上である。
一方、Cu含有量が0.9%よりも多くなると、はんだ凝固時にCu6Sn5の金属間化合物層が初晶となり、溶融性が阻害される。そのため、Cu含有量の上限は0.9%以下であり、好ましくは0.8%以下である。
(3)Bi:1.2~3.0%
Bi含有量が1.2%より少ないと、はんだ合金中のSnに対するBiの固溶量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。Bi含有量の下限は1.2%以上であり、好ましくは1.5%以上である。一方、Bi含有量が3.0%より多いと、はんだの硬度が急激に増し、延性がなくなるために耐落下衝撃性を悪くしてしまう。そのために、Bi含有量の上限は3.0%以下であり、好ましくは2.5%以下であり、より好ましくは2.0%以下である。
Bi含有量が1.2%より少ないと、はんだ合金中のSnに対するBiの固溶量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。Bi含有量の下限は1.2%以上であり、好ましくは1.5%以上である。一方、Bi含有量が3.0%より多いと、はんだの硬度が急激に増し、延性がなくなるために耐落下衝撃性を悪くしてしまう。そのために、Bi含有量の上限は3.0%以下であり、好ましくは2.5%以下であり、より好ましくは2.0%以下である。
(4)In:0.01~2.0%
Inは、温度サイクル特性向上に効果がある。しかしInは酸化しやすい金属であるため、そのはんだ合金も容易に酸化してしまう。Inの酸化によってはんだ合金の黄変が起こってしまうので、In含有量は限定する必要がある。さらに、Inを含有するはんだ合金を粉末にしてフラックスと混和しソルダペーストを作るとInとフラックスが反応するので、ソルダペーストの粘度が経時変化を起こし易い。
In含有量が0.01%より少ないとはんだ合金中のSnとInの固溶体量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。In含有量の下限は0.01%以上であり、好ましくは0.2%以上である。一方、In含有量が2.0%より多いと、リフロー後にはんだバンプ表面に黄色変化が生じ、またソルダペーストの粘度が経時変化を起こす為、好ましくない。In含有量の上限は2.0%以下であり、より好ましくは0.5%以下である。
Inは、温度サイクル特性向上に効果がある。しかしInは酸化しやすい金属であるため、そのはんだ合金も容易に酸化してしまう。Inの酸化によってはんだ合金の黄変が起こってしまうので、In含有量は限定する必要がある。さらに、Inを含有するはんだ合金を粉末にしてフラックスと混和しソルダペーストを作るとInとフラックスが反応するので、ソルダペーストの粘度が経時変化を起こし易い。
In含有量が0.01%より少ないとはんだ合金中のSnとInの固溶体量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。In含有量の下限は0.01%以上であり、好ましくは0.2%以上である。一方、In含有量が2.0%より多いと、リフロー後にはんだバンプ表面に黄色変化が生じ、またソルダペーストの粘度が経時変化を起こす為、好ましくない。In含有量の上限は2.0%以下であり、より好ましくは0.5%以下である。
(5)Sb:0.02~1.0%
Sb含有量は、0.02%より少ないとはんだ合金中のSnへのSbの固溶量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。Sb含有量の下限は0.02%以上であり、好ましくは0.025%以上であり、より好ましくは0.1%以上である。一方、Sb含有量が1.0%より多いと、はんだ合金中にAgSbの金属間化合物が生成して、耐落下衝撃性悪くしてしまう。また、Sbの含有量が1.0%より多いとはんだ合金の濡れ性が劣化する。Sb含有量の上限は1.0%以下であり、好ましくは0.5%以下であり、さらに好ましくは0.2%以下である。
Sb含有量は、0.02%より少ないとはんだ合金中のSnへのSbの固溶量が少ないので、温度サイクル特性の向上に効果がない。Sb含有量の下限は0.02%以上であり、好ましくは0.025%以上であり、より好ましくは0.1%以上である。一方、Sb含有量が1.0%より多いと、はんだ合金中にAgSbの金属間化合物が生成して、耐落下衝撃性悪くしてしまう。また、Sbの含有量が1.0%より多いとはんだ合金の濡れ性が劣化する。Sb含有量の上限は1.0%以下であり、好ましくは0.5%以下であり、さらに好ましくは0.2%以下である。
(6)As:0.0040~0.025%
Asははんだ合金の表面にAs濃化層を形成するため、黄色変化を抑制する。また、ソルダペースト中に本発明に係るはんだ合金をはんだ粉末として添加すると、ソルダペーストの増粘抑制効果を発揮することができる。As含有量の下限は、Asを含有する効果が十分に発揮するようにするため、0.0040%以上にする必要がある。一方、Asが0.025%を超えると濡れ性が劣ることがある。As含有量の上限は、0.025%以下であり、好ましくは0.020%以下であり、より好ましくは0.010%以下である。
Asははんだ合金の表面にAs濃化層を形成するため、黄色変化を抑制する。また、ソルダペースト中に本発明に係るはんだ合金をはんだ粉末として添加すると、ソルダペーストの増粘抑制効果を発揮することができる。As含有量の下限は、Asを含有する効果が十分に発揮するようにするため、0.0040%以上にする必要がある。一方、Asが0.025%を超えると濡れ性が劣ることがある。As含有量の上限は、0.025%以下であり、好ましくは0.020%以下であり、より好ましくは0.010%以下である。
本発明においてAsを含有することに形成されるAs濃化層とは、As濃度が、はんだ材料中の平均As濃度(はんだ材料全体の質量に対するAsの含有量)より高い領域をいい、具体的にははんだ合金の最表面からSiO2換算の深さで2×D1(nm)までの領域であり、後述の判定基準により存在を確認することができる。As濃化層は、はんだ材料の表面側の少なくとも一部に存在していることが好ましく、表面全体を覆っていることが好ましい。
本発明のようにAsを含有することによりAs濃化層が形成されると、黄色変色が抑制され、高い濡れ性が維持され、ソルダペーストの粘度上昇が抑制できる理由は明らかでないが、以下のように推察される。粘度上昇は、SnやSn酸化物とソルダペースト(フラックス)に含まれる活性剤等の各種添加剤との間で生じる反応により、塩が形成されたり、はんだ材料が凝集すること等によって引き起こされると考えられる。本発明に係るはんだ合金のように表面にAs濃化層が存在すると、はんだ合金とフラックスの間にAs濃化層が介在することになり、上述のような反応が起こりにくくなるため、上記の効果が同時に発現すると推察される。
(6-1)As濃化層の判定基準
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプル(はんだ材料が板状でない場合には、5.0mm×5.0mmの範囲にはんだ材料(はんだ粉末、はんだボール等)を隙間なく敷き詰めたもの)において、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。全3回の分析の全てにおいてS1≧S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプル(はんだ材料が板状でない場合には、5.0mm×5.0mmの範囲にはんだ材料(はんだ粉末、はんだボール等)を隙間なく敷き詰めたもの)において、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。全3回の分析の全てにおいてS1≧S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、S1、S2及びD1の定義は以下の通りである。
S1::上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)。
S1::上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)。
上記のAs濃化層の判定基準の詳細な条件は、実施例に記載したとおりである。本発明に係るはんだ合金のように、表面がAs濃化層を有することにより、はんだ合金の黄色変化を抑制するとともにソルダペーストの粘度上昇を抑制することができる。
(6-2)As濃化層の厚み
As濃化層の厚み(SiO2換算)は、0.5~8.0nmであり、0.5~4.0nmがより好ましく、0.5~2.0nmが最も好ましい。As濃化層の厚みが上記範囲内であれば、黄色変化が抑制され、濡れ性に優れたはんだ材料が得られる。
As濃化層の厚み(SiO2換算)は、0.5~8.0nmであり、0.5~4.0nmがより好ましく、0.5~2.0nmが最も好ましい。As濃化層の厚みが上記範囲内であれば、黄色変化が抑制され、濡れ性に優れたはんだ材料が得られる。
(6-3)黄色度 本発明において、はんだ合金のL*a*b*表色系における黄色度b*は、0~10.0が好ましく、3.0~5.7がより好ましく、3.0~5.0が最も好ましい。はんだ材料のL*a*b*表色系における黄色度b*が上記範囲内であれば、黄色度が低く、はんだが金属光沢を有するため、はんだ継手の画像認識の自動処理の際に、はんだ継手が的確に検出される。
本発明において、黄色度b*は、CM-3500d2600d型分光測色計(コニカミノルタ社製)を使用して、D65光源、10度視野において、JIS Z 8722:2009「色の測定方法-反射及び透過物体色」に準じて分光透過率を測定して、色彩値(L*、a*、b*)から求めることができる。
(7)残部:Sn
本発明に係るはんだ合金の残部はSnである。前述の元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、前述の効果に影響することはない。
本発明に係るはんだ合金の残部はSnである。前述の元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、前述の効果に影響することはない。
2.ソルダペースト
本発明に係るソルダペーストはフラックスとはんだ粉末を含む。
本発明に係るソルダペーストはフラックスとはんだ粉末を含む。
(1)フラックスの成分
ソルダペーストに使用されるフラックスは、有機酸、アミン、アミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、チキソ剤、ロジン、溶剤、界面活性剤、ベース剤、高分子化合物、シランカップリング剤、着色剤の何れか、または2つ以上の組み合わせで構成される。
ソルダペーストに使用されるフラックスは、有機酸、アミン、アミンハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、チキソ剤、ロジン、溶剤、界面活性剤、ベース剤、高分子化合物、シランカップリング剤、着色剤の何れか、または2つ以上の組み合わせで構成される。
有機酸としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ダイマー酸、プロピオン酸、2,2-ビスヒドロキシメチルプロピオン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、ジグリコール酸、チオグリコール酸、ジチオグリコール酸、ステアリン酸、12-ヒドロキシステアリン酸、パルミチン酸、オレイン酸等が挙げられる。
アミンとしては、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2′-メチルイミダゾリル-(1′)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2′-ウンデシルイミダゾリル-(1′)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2′-エチル-4′-メチルイミダゾリル-(1′)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2′-メチルイミダゾリル-(1′)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4-ジアミノ-6-メタクリロイルオキシエチル-s-トリアジン、エポキシ-イミダゾールアダクト、2-メチルベンゾイミダゾール、2-オクチルベンゾイミダゾール、2-ペンチルベンゾイミダゾール、2-(1-エチルペンチル)ベンゾイミダゾール、2-ノニルベンゾイミダゾール、2-(4-チアゾリル)ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、2-(2′-ヒドロキシ-5′-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2′-ヒドロキシ-3′-tert-ブチル-5′-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-tert-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2′-ヒドロキシ-5′-tert-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2′-メチレンビス[6-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-tert-オクチルフェノール]、6-(2-ベンゾトリアゾリル)-4-tert-オクチル-6′-tert-ブチル-4′-メチル-2,2′-メチレンビスフェノール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]メチルベンゾトリアゾール、2,2′-[[(メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]イミノ]ビスエタノール、1-(1′,2′-ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1-(2,3-ジカルボキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1-[(2-エチルヘキシルアミノ)メチル]ベンゾトリアゾール、2,6-ビス[(1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]-4-メチルフェノール、5-メチルベンゾトリアゾール、5-フェニルテトラゾール等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素を反応させた化合物であり、アミンとしては、エチルアミン、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等が挙げられ、ハロゲン化水素としては、塩素、臭素、ヨウ素の水素化物が挙げられる。
有機ハロゲン化合物としては、trans-2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、トリアリルイソシアヌレート6臭化物、1-ブロモ-2-ブタノール、1-ブロモ-2-プロパノール、3-ブロモ-1-プロパノール、3-ブロモ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジブロモ-2-ブタノール、1,3-ジブロモ-2-プロパノール、2,3-ジブロモ-1-プロパノール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール等が挙げられる。
チキソ剤としては、ワックス系チキソ剤、アマイド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。ワックス系チキソ剤としては例えばヒマシ硬化油等が挙げられる。アマイド系チキソ剤としては、モノアマイド系チキソ剤、ビスアマイド系チキソ剤、ポリアマイド系チキソ剤が挙げられ、具体的には、ラウリン酸アマイド、パルミチン酸アマイド、ステアリン酸アマイド、ベヘン酸アマイド、ヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸アマイド、オレイン酸アマイド、エルカ酸アマイド、不飽和脂肪酸アマイド、p-トルエンメタンアマイド、芳香族アマイド、メチレンビスステアリン酸アマイド、エチレンビスラウリン酸アマイド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸ビスアマイド、メチレンビスオレイン酸アマイド、不飽和脂肪酸ビスアマイド、m-キシリレンビスステアリン酸アマイド、芳香族ビスアマイド、飽和脂肪酸ポリアマイド、不飽和脂肪酸ポリアマイド、芳香族ポリアマイド、置換アマイド、メチロールステアリン酸アマイド、メチロールアマイド、脂肪酸エステルアマイド等が挙げられる。ソルビトール系チキソ剤としては、ジベンジリデン-D-ソルビトール、ビス(4-メチルベンジリデン)-D-ソルビトール等が挙げられる。
ベース剤としてはノニオン系界面活性剤、弱カチオン系界面活性剤、ロジン等が挙げられる。
ノニオン系界面活性剤としては、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アルコールポリオキシエチレン付加体、芳香族アルコールポリオキシエチレン付加体、多価アルコールポリオキシエチレン付加体等が挙げられる。
弱カチオン系界面活性剤としては、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アミンポリオキシエチレン付加体、芳香族アミンポリオキシエチレン付加体、多価アミンポリオキシエチレン付加体が挙げられる。
ロジンとしては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等の原料ロジン、並びに該原料ロジンから得られる誘導体が挙げられる。該誘導体としては、例えば、精製ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン及びα,β不飽和カルボン酸変性物(アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等)、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α,β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物等が挙げられ、二種以上を使用することができる。また、ロジン 系樹脂に加えて、テルペン樹脂、変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペンフェノール樹脂、スチレン樹脂、変性スチレン樹脂、キシレン樹脂、及び変性キシレン樹脂から選択される少なくとも一種以上の樹脂をさらに含むことができる。変性テルペン樹脂としては、芳香族変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添芳香族変性テルペン樹脂等を使用することができる。変性テルペンフェノール樹脂としては、水添テルペンフェノール樹脂等を使用することができる。変性スチレン樹脂としては、スチレンアクリル樹脂、スチレンマレイン酸樹脂等を使用することができる。変性キシレン樹脂としては、フェノール変性キシレン樹脂、アルキルフェノール変性キシレン樹脂、フェノール変性レゾール型キシレン樹脂、ポリオール変性キシレン樹脂、ポリオキシエチレン付加キシレン樹脂等が挙げられる。
溶剤としては、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。アルコール系溶剤としてはイソプロピルアルコール、1,2-ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、2,4-ジエチル-1,5-ペンタンジオール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジオール、1,1,1-トリス(ヒドロキシメチル)エタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、2,2′-オキシビス(メチレン)ビス(2-エチル-1,3-プロパンジオール)、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1,3-プロパンジオール、1,2,6-トリヒドロキシヘキサン、ビス[2,2,2-トリス(ヒドロキシメチル)エチル]エーテル、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、エリトリトール、トレイトール、グアヤコールグリセロールエーテル、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、2,4,7,9-テトラメチル-5-デシン-4,7-ジオール等が挙げられる。グリコールエーテル系溶剤としては、ジエチレングリコールモノ-2-エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、2-メチルペンタン-2,4-ジオール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。
界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアセチレングリコール類、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンアルキルアミド等が挙げられる。
(2)フラックスの含有量
フラックスの含有量は、ソルダペーストの全質量に対して5~95%であることが好ましく、5~15%であることがより好ましい。この範囲であると、はんだ粉末に起因する増粘抑制効果が十分に発揮される。
フラックスの含有量は、ソルダペーストの全質量に対して5~95%であることが好ましく、5~15%であることがより好ましい。この範囲であると、はんだ粉末に起因する増粘抑制効果が十分に発揮される。
(3)はんだ粉末
本発明に係るソルダペーストで用いるはんだ粉末は、球状粉末であることが好ましい。球状粉末であることによりはんだ合金の流動性が向上する。
本発明に係るソルダペーストで用いるはんだ粉末は、球状粉末であることが好ましい。球状粉末であることによりはんだ合金の流動性が向上する。
また、はんだ合金が球状粉末である場合、JIS Z 3284-1:2014における粉末サイズの分類(表2)において記号1~8に該当するサイズ(粒度分布)を有していると、微細な部品へのはんだ付けが可能となる。粒子状はんだ材料のサイズは、記号4~8に該当するサイズであることがさらに好ましく、記号5~8に該当するサイズであることがより好ましい。真球度は0.90以上が好ましく、0.95以上がより好ましく、0.99以上が最も好ましい。
本発明において、球状粉末であるはんだ合金の球径及び真球度は、最小領域中心法(MZC法)を用いるCNC画像測定システム(ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョンULTRA QV350-PRO測定装置)を使用して測定される。実施形態において、真球度とは真球からのずれを表し、例えば500個の各ボールの直径を長径で割った際に算出される算術平均値であり、値が上限である1.00に近いほど真球に近いことを表す。
(4)ソルダペーストの製造方法
本発明に係るソルダペーストは、当業界で一般的な方法により製造される。まず、はんだ粉末の製造は、溶融させたはんだ材料を滴下して粒子を得る滴下法や遠心噴霧する噴霧法、バルクのはんだ材料を粉砕する方法等、公知の方法を採用することができる。滴下法や噴霧法において、滴下や噴霧は、粒子状とするために不活性雰囲気や溶媒中で行うことが好ましい。そして、上記各成分を加熱混合してフラックスを調製し、フラックス中に上記はんだ粉末を導入し、攪拌、混合して製造することができる。
本発明に係るソルダペーストは、当業界で一般的な方法により製造される。まず、はんだ粉末の製造は、溶融させたはんだ材料を滴下して粒子を得る滴下法や遠心噴霧する噴霧法、バルクのはんだ材料を粉砕する方法等、公知の方法を採用することができる。滴下法や噴霧法において、滴下や噴霧は、粒子状とするために不活性雰囲気や溶媒中で行うことが好ましい。そして、上記各成分を加熱混合してフラックスを調製し、フラックス中に上記はんだ粉末を導入し、攪拌、混合して製造することができる。
3.はんだボール
本発明に係るはんだ合金は、はんだボールとして使用することができる。はんだボールとして使用する場合は、本発明に係るはんだ合金を、当業界で一般的な方法である滴下法を用いてはんだボールを製造することができる。また、はんだボールを、フラックスを塗布した1つの電極上にはんだボールを1つ搭載して接合するなど、当業界で一般的な方法で加工することによりはんだ継手を製造することができる。はんだボールの粒径は、好ましくは1μm以上であり、より好ましくは10μm以上であり、さらに好ましくは20μm以上であり、特に好ましくは30μm以上である。はんだボールの粒径の上限は好ましくは3000μm以下であり、より好ましくは1000μm以下であり、さらに好ましくは600μm以下であり、特に好ましくは300μm以下である。
本発明に係るはんだ合金は、はんだボールとして使用することができる。はんだボールとして使用する場合は、本発明に係るはんだ合金を、当業界で一般的な方法である滴下法を用いてはんだボールを製造することができる。また、はんだボールを、フラックスを塗布した1つの電極上にはんだボールを1つ搭載して接合するなど、当業界で一般的な方法で加工することによりはんだ継手を製造することができる。はんだボールの粒径は、好ましくは1μm以上であり、より好ましくは10μm以上であり、さらに好ましくは20μm以上であり、特に好ましくは30μm以上である。はんだボールの粒径の上限は好ましくは3000μm以下であり、より好ましくは1000μm以下であり、さらに好ましくは600μm以下であり、特に好ましくは300μm以下である。
4.ソルダプリフォーム
本発明に係るはんだ合金は、プリフォームとして使用することができる。プリフォームの形状としては、ワッシャ、リング、ペレット、ディスク、リボン、ワイヤー等が挙げられる。
本発明に係るはんだ合金は、プリフォームとして使用することができる。プリフォームの形状としては、ワッシャ、リング、ペレット、ディスク、リボン、ワイヤー等が挙げられる。
5.はんだ継手
本発明に係るはんだ合金は、2種以上の各種部材を接合する継手として使用することができる。接合部材に限定はなく、例えば、電子機器部材の継手としても有用である。すなわち、本発明に係るはんだ継手は電極の接続部をいい、一般的なはんだ付け条件を用いて形成することができる。
本発明に係るはんだ合金は、2種以上の各種部材を接合する継手として使用することができる。接合部材に限定はなく、例えば、電子機器部材の継手としても有用である。すなわち、本発明に係るはんだ継手は電極の接続部をいい、一般的なはんだ付け条件を用いて形成することができる。
6.はんだ合金の形成方法
本発明に係るはんだ合金の製造方法に限定はなく、原料金属を溶融混合することにより製造することができる。
本発明に係るはんだ合金の製造方法に限定はなく、原料金属を溶融混合することにより製造することができる。
はんだ合金中にAs濃化層を形成する方法にも限定はない。As濃化層の形成方法の一例としては、はんだ材料を酸化雰囲気(空気や酸素雰囲気)中で加熱することが挙げられる。加熱温度に限定はないが、例えば、40~200℃とすることができ、50~80℃であってもよい。加熱時間にも限定はなく、例えば、数分~数日間、好ましくは数分~数時間とすることができる。十分な量のAs濃化層を形成するためには、加熱時間は10分以上、さらには20分以上とすることが好ましい。前述のはんだ粉末、はんだボール、ソルダプリフォームも例えばこの加熱処理を行うことによりAs濃化層が形成される。
本発明に係るはんだ合金は、その原材料として低α線材を使用することにより低α線合金を製造することができる。このような低α線合金は、メモリ周辺のはんだバンプの形成に用いられるとソフトエラーを抑制することが可能となる。
表1および表2の実施例及び比較例はんだ組成(質量%)のはんだ粉末と表3に示すフラックスを、フラックスとはんだ粉末との質量比(フラックス:はんだ粉末)が11:89となるように加熱撹拌した後、冷却することによりソルダペーストを作製し、1.温度サイクル特性、2.落下衝撃試験、3.As濃化層の有無、4.増粘抑制、5.黄色変化、および6.はんだ濡れ性を評価した。ここで、比較例2は特許文献1のはんだ合金組成であり、比較例3、4は特許文献2のはんだ合金組成、比較例5は特許文献3のはんだ合金組成である。
本実施例で使用したはんだ粉末は、平均粒径が21μmであり、JIS Z3284-1:2014の粉末サイズ分類(表2)の5に該当するものを用い、大気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱して得られた。比較例44~比較例48のみ加熱処理を行わないはんだ粉末を用いた。
1.温度サイクル特性
1.)外形3.2×1.6(mm)のSnめっき抵抗を前述のように作製したソルダペーストが塗布されたガラスエポキシプリント基板に搭載し、リフロー炉で加熱してはんだ付けする。
1.)外形3.2×1.6(mm)のSnめっき抵抗を前述のように作製したソルダペーストが塗布されたガラスエポキシプリント基板に搭載し、リフロー炉で加熱してはんだ付けする。
2.)はんだ付けされたプリント基板を低温条件が-40℃、高温条件が、+85℃、各30分の二槽式の自動試験装置に投入して、初期、800サイクル目、1200サイクル目、1600サイクル目、2000サイクル目でプリント基板を取り出して、はんだ継手のせん断強度試験を150点行い、強度の推移を確認した。
3.)各サイクルでの最低強度において、強度の低下率が著しい(初期値より50%以下)、もしくは強度が10N以下になる段階で劣化したと見なし、そのサイクル数を表に記載する。
4.)サイクル数が1600回を超えた場合には「〇」とし、1600回に到達しない場合には「×」とする。
2.落下衝撃試験
1.)外形12×12(mm)、電極196個のバンプを有する電解Ni/AuめっきのCSPに、表3に示すフラックスを印刷し、表1および表2の組成をもった直径0.3mmのはんだボールを載置する。
1.)外形12×12(mm)、電極196個のバンプを有する電解Ni/AuめっきのCSPに、表3に示すフラックスを印刷し、表1および表2の組成をもった直径0.3mmのはんだボールを載置する。
2.)はんだボールが載置されたCSPをリフロー炉で加熱して電極にはんだバンプを形成する。
3.)はんだバンプが形成されたCSPを30×120(mm)のソルダペーストが塗布されたガラスエポキシプリント基板中央に搭載し、リフロー炉で加熱してCSPをプリント基板にはんだ付けする。基板は、はんだ付け後に室温で5日間放置したものを用いた。
4.)CSPがはんだ付けされたプリント基板の両端を、落下治具上に治具と1cmの間隔をあけて固定する。
5.)落下治具に加速度1500Gが負荷する高さから落下させてプリント基板に衝撃を与える。このとき両端を治具に固定されたプリント基板は、中央部が振動し、プリント基板とCSPのはんだ継手は、この振動による衝撃を受ける。この落下試験でCSPのはんだ継手に亀裂が進展している状況を、電気抵抗値が初期値から50%上昇するかどうかで確認する。
6.)亀裂進展についての判断は、電気抵抗値が、20回落下後に初期値から50%上昇していない場合には「〇」とし、50%を超えている場合には「×」とする。
3.As濃化層の有無
As濃化層の有無は、XPS(X線光電分光法:X-ray Photoelectron Spectroscopy)による深さ方向分析を用いて以下の様に評価した。
As濃化層の有無は、XPS(X線光電分光法:X-ray Photoelectron Spectroscopy)による深さ方向分析を用いて以下の様に評価した。
(分析条件)
・分析装置:微小領域X線光電子分光分析装置(クレイトス・アナリティカル社製AXIS Nova)
・分析条件:X線源 AlKα線、X線銃電圧 15kV、X線銃電流値 10mA、分析エリア 700μm×300μm
・スパッタ条件:イオン種 Ar+、加速電圧 2kV、スパッタリングレート 0.5nm/min(SiO2換算)
・サンプル:カーボンテープを貼ったステージ上に、表1および表2に示す合金組成を有するはんだ粉末を隙間なく平坦に敷き詰めたものを3つ用意し、サンプルとした。ただし、サンプルの大きさは5.0mm×5.0mmとした。このはんだ粉末は、前述のソルダペーストを作製する際に用いたものである。
・分析装置:微小領域X線光電子分光分析装置(クレイトス・アナリティカル社製AXIS Nova)
・分析条件:X線源 AlKα線、X線銃電圧 15kV、X線銃電流値 10mA、分析エリア 700μm×300μm
・スパッタ条件:イオン種 Ar+、加速電圧 2kV、スパッタリングレート 0.5nm/min(SiO2換算)
・サンプル:カーボンテープを貼ったステージ上に、表1および表2に示す合金組成を有するはんだ粉末を隙間なく平坦に敷き詰めたものを3つ用意し、サンプルとした。ただし、サンプルの大きさは5.0mm×5.0mmとした。このはんだ粉末は、前述のソルダペーストを作製する際に用いたものである。
(評価手順)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルの中から、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを行いながらSn、O及びAsの各原子についてXPS分析を行い、XPS分析のチャートを得た。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルの中から、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを行いながらSn、O及びAsの各原子についてXPS分析を行い、XPS分析のチャートを得た。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。
XPS分析により得られたチャートの一例を図1~3に示す。図1~3は、同一のサンプルについて縦軸の検出強度(cps)のスケールを変更したものであり、横軸はスパッタ時間から算出したSiO2換算の深さ(nm)である。XPS分析のチャートにおいては、縦軸は、検出強度(cps)であり、横軸は、スパッタ時間(min)又はスパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)のいずれかから選択できるが、図1~3においては、XPS分析のチャートにおける横軸を、スパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)とした。
そして、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さをDo・max(nm)とした(図2参照)。そして、Do・maxより深い部分において、O原子の検出強度が、最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さをD1(nm)とした。
次いで、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、最表面から深さ2×D1までの領域(SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S1)と、深さ2×D1からさらに2×D1だけ深い部分までの領域(SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S2)(図3参照)とを求め、その比較を行った。
そして、以下の基準に基づいて評価を行った。
・全3回の測定の全てにおいてS1>S2となる
:As濃化層が形成されている(○)
・全3回の測定のうちの2回以下の回数でS1>S2となる
:As濃化層が形成されていない(×)
4.増粘抑制
上記「1.温度サイクル特性」で用いたソルダペーストについて、JIS Z 3284-3:2014の「4.2 粘度特性試験」に記載された方法に従って、回転粘度計(PCU-205、株式会社マルコム製)を用い、回転数:10rpm、測定温度:25℃にて、粘度を12時間測定し続けた。そして、初期粘度(撹拌30分後の粘度)と12時間後の粘度とを比較し、以下の基準に基づいて増粘抑制効果の評価を行った。
・全3回の測定の全てにおいてS1>S2となる
:As濃化層が形成されている(○)
・全3回の測定のうちの2回以下の回数でS1>S2となる
:As濃化層が形成されていない(×)
4.増粘抑制
上記「1.温度サイクル特性」で用いたソルダペーストについて、JIS Z 3284-3:2014の「4.2 粘度特性試験」に記載された方法に従って、回転粘度計(PCU-205、株式会社マルコム製)を用い、回転数:10rpm、測定温度:25℃にて、粘度を12時間測定し続けた。そして、初期粘度(撹拌30分後の粘度)と12時間後の粘度とを比較し、以下の基準に基づいて増粘抑制効果の評価を行った。
12時間後の粘度 ≦ 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が小さく良好(○)
12時間後の粘度 > 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が大きく不良(×)
5.黄色変化抑制
表1および表2に示す合金組成を有するはんだボール(球径0.3mm)を大気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱処理した後、空気雰囲気、200℃の恒温槽中で2時間加熱した。L*a*b*表色系における黄色度b*について、加熱前及び加熱後のはんだボールの測定を行い、加熱後のb*から加熱前のb*を引いた増加量(Δb*)を算出した。
12時間後の粘度 > 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が大きく不良(×)
5.黄色変化抑制
表1および表2に示す合金組成を有するはんだボール(球径0.3mm)を大気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱処理した後、空気雰囲気、200℃の恒温槽中で2時間加熱した。L*a*b*表色系における黄色度b*について、加熱前及び加熱後のはんだボールの測定を行い、加熱後のb*から加熱前のb*を引いた増加量(Δb*)を算出した。
黄色度b*は、CM-3500d2600d型分光測色計(コニカミノルタ社製)を使用して、D65光源、10度視野において、JIS Z 8722:2009「色の測定方法-反射及び透過物体色」に準じて分光透過率を測定して、色彩値(L*、a*、b*)から求めた。なお、色彩値(L*、a*、b*)は、JIS Z 8781-4:2013の規格に基づいている。
Δb*の値がΔb*(基準)の50%以下である :◎(非常に良好)
Δb*の値がΔb*(基準)の50%を超え70%以下である:○(良好)
Δb*の値がΔb*(基準)の70%より大きい :×(不可)
6.はんだ濡れ性
Bare-Cu(裸銅)の電極パッド(基板に設けた電極の開口径(Solder Resist Opening): 0.24mm)に、フラックスWF-6400(千住金属工業社製)を厚みが0.115mmとなるように印刷し、その上に「5.黄色変化抑制」で用いたはんだボールをマウントした。はんだボールをマウントした電極パッドを、25℃から昇温速度1℃/secにてN2雰囲気下で260℃まで昇温し、リフローした。リフロー後に、はんだボールをマウントした電極パッドを、蒸留水中に浸漬し、1分間超音波洗浄を行った。はんだ付けされずに洗浄工程でなくなってしまったバンプ数(ミッシングバンプ数)をカウントし、以下の基準に基づいて評価を行った。
Δb*の値がΔb*(基準)の50%を超え70%以下である:○(良好)
Δb*の値がΔb*(基準)の70%より大きい :×(不可)
6.はんだ濡れ性
Bare-Cu(裸銅)の電極パッド(基板に設けた電極の開口径(Solder Resist Opening): 0.24mm)に、フラックスWF-6400(千住金属工業社製)を厚みが0.115mmとなるように印刷し、その上に「5.黄色変化抑制」で用いたはんだボールをマウントした。はんだボールをマウントした電極パッドを、25℃から昇温速度1℃/secにてN2雰囲気下で260℃まで昇温し、リフローした。リフロー後に、はんだボールをマウントした電極パッドを、蒸留水中に浸漬し、1分間超音波洗浄を行った。はんだ付けされずに洗浄工程でなくなってしまったバンプ数(ミッシングバンプ数)をカウントし、以下の基準に基づいて評価を行った。
100バンプ中のミッシングバンプが0個 :◎(非常に良好)
100バンプ中のミッシングバンプが1~5個 :○(良好)
100バンプ中のミッシングバンプが6個以上 :×(不可)
7.総合評価
上記全ての試験が「〇」又は「◎」の場合に「〇」、いずれかの試験一つでも「×」があれば「×」とした。
結果を表1および表2に示す。
100バンプ中のミッシングバンプが1~5個 :○(良好)
100バンプ中のミッシングバンプが6個以上 :×(不可)
7.総合評価
上記全ての試験が「〇」又は「◎」の場合に「〇」、いずれかの試験一つでも「×」があれば「×」とした。
結果を表1および表2に示す。
表1および表2に示すように、実施例では、いずれも、温度サイクル特性および耐落下衝撃性に優れ、As濃化層を有し、ペーストの増粘や黄色変化が抑制され、さらには濡れ性にも優れることがわかった。一方、比較例1~43は、いずれの合金組成においても本発明の要件の少なくとも1つを満たさないため、評価項目の少なくとも1種が劣った。また、比較例1~11はAsを含有しないため、As濃化層の有無の評価を行わなかった。また、比較例44~48は加熱処理を行わなかったため、Asの表面濃化が確認できず、ソルダペーストの増粘が抑制されず、はんだ合金が黄色変化することがわかった。
Claims (5)
- 質量%で、Ag:0.2~1.2%、Cu:0.6~0.9%、Bi:1.2~3.0%、In:0.01~2.0%、Sb:0.02~1.0%、As:0.0040~0.025%含有し、残部がSnからなり、As濃化層を有し、前記As濃化層の存在は以下の判定基準により確認されるものであり、前記As濃化層は、はんだ合金の最表面からSiO2換算の深さで2×D1(nm)までの領域であり、前記As濃化層のSiO2換算の厚みが0.5~8.0nmであることを特徴とするはんだ合金。
(判定基準)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルにおいて、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいてS1>S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、
S1:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0~2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1~4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)。 - 請求項1に記載のはんだ合金からなるはんだ粉末とフラックスからなるソルダペースト。
- 請求項1に記載のはんだ合金からなるはんだボール。
- 請求項1に記載のはんだ合金からなるソルダプリフォーム。
- 請求項1に記載のはんだ合金から形成されたはんだ継手。
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---|---|---|---|---|
CN114012303A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-02-08 | 宁波佳明金属制品有限公司 | 一种低温焊料及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000018536A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Materiau de brasage et dispositif electrique/electronique utilisant celui-ci |
WO2012128356A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだ合金 |
WO2019103025A1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 千住金属工業株式会社 | はんだ材料、ソルダペースト、及びはんだ継手 |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
JPH07171693A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Toshiba Corp | ハンダ |
JP2000173253A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯所持可能なミニディスクプレイヤ― |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000018536A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Materiau de brasage et dispositif electrique/electronique utilisant celui-ci |
WO2012128356A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだ合金 |
WO2019103025A1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 千住金属工業株式会社 | はんだ材料、ソルダペースト、及びはんだ継手 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114012303A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-02-08 | 宁波佳明金属制品有限公司 | 一种低温焊料及其制备方法 |
Also Published As
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