WO2020175427A1 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Download PDF

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Definitions

  • an outer tube 203 constituting a reaction container (processing container) concentrically with the heater 207 is arranged inside the heater 207.
  • the outer tube 203 is made of a heat-resistant material such as quartz (3 0 2 ) or silicon carbide (3 0 2 ) and is formed into a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened.
  • a manifold (inlet flange) 209 is arranged concentrically with the outer tube 203.
  • the manifold 209 is made of metal such as stainless steel (3113) and has an upper end and a lower end.
  • a circular ring (not shown) as a seal member is provided between the upper end of the manifold 209 and the outer tube 203.
  • the manifold 209 is a heater bay.
  • the outer tube 203 is vertically installed by being supported by the space.
  • Gas is supplied into the processing chamber 201 from the gas supply holes 4 103, 4203, 4303, 4403 via the nozzles 334, 344 and the nozzles 420, 430, 440.
  • oxygen-containing gas for example, ozone (O 3 ) or the like is used.
  • the gas supply method according to the present embodiment is performed in a vertically elongated annular space defined by the inner wall of the inner tube 204 and the ends of the plurality of wafers 200, that is, in a cylindrical space.
  • the exhaust pipe 23 1 has, in order from the upstream side, a pressure sensor 245 as a pressure detector (pressure detection unit) for detecting the pressure in the processing chamber 201, an A PC (Auto Pressure Controller) valve 23 1 a, A vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device is connected.
  • the APC valve 23 1a can evacuate and stop the evacuation of the processing chamber 201 by opening and closing the valve while the vacuum pump 246 is operating. Furthermore, the vacuum pump 246 is activated. By adjusting the valve opening in this state, the pressure in the processing chamber 201 can be adjusted.
  • An exhaust system that is, an exhaust line is mainly configured by the exhaust hole 204 a, the exhaust passage 206, the exhaust pipe 23 1, the APC valve 23 1 a and the pressure sensor 245. Note that the vacuum pump 246 may be included in the exhaust system.
  • a ⁇ -ring (not shown) as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209 is provided on the.
  • a rotating mechanism 2 6 7 for rotating the boat 2 17 containing the wafer 2 0 0.
  • the rotating shaft 2 55 of the rotating mechanism 2 6 7 penetrates the seal cap 2 19 and is connected to the boat 2 17.
  • the rotating mechanism 2 67 is configured to rotate the wafer 2 0 0 by rotating the bowl 2 17.
  • the seal cap 219 is configured to be vertically moved by a boat elevator 1 15 as an ascending/descending mechanism which is vertically installed outside the outer tube 203.
  • the boat cap 1 15 lowers the seal cap 2 19 to open the lower end of the reaction tube 20 3.
  • the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the reaction tube 20 3 to the outside of the reaction tube 20 3 (boat unloading) while being supported by the bow 2 17 7.
  • the processed wafer 200 is taken out from the bow 2 17 (wafer discharge).

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Abstract

基板上に形成される金属酸化膜の膜厚均一性を向上させる技術を提供する。　（ａ）処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給する工程と、（ｂ）処理室内の基板に対して、酸素含有ガスの流速を７．０ｍ／ｓ以上８．５ｍ／ｓ以下とし、酸素含有ガスの分圧を９．０Ｐａ以上１２．０Ｐａ以下として酸素含有ガスを供給する工程と、を有する技術が提供される。

Description

\¥0 2020/175427 1 ?€1/^2020/007335
明 細 書
発明の名称 ：
半導体装置の製造方法、 基板処理装置およびプログラム
技術分野
[0001 ] 本開示は、 半導体装置の製造方法、 基板処理装置およびプログラムに関す る。
背景技術
[0002] 近年、 半導体デバイスの微細化、 高密度化に伴い、 ゲート絶縁膜として金 属酸化膜 （高誘電率 （1~1 丨 9
Figure imgf000003_0001
絶縁膜） が用いられるようになってき ている。 又、 口 八1\/1キヤパシタの容量を増大させるために、 キヤパシタ絶 縁膜への金属酸化膜の適用も進んできている。 これら金属酸化膜には低温で の成膜が要求され、 更に表面の平坦性、 凹部埋めこみ性、 ステップカバレッ ジ性に優れ、 かつ異物の少ない成膜方法が求められている。 金属酸化膜を形 成する手法の一つとして、 処理室内に供給する処理ガスの流れを分散させて 、 基板上にジルコニウム酸化膜などの薄膜を形成する方法がある。 （例えば 、 特許文献 1） 。
先行技術文献
特許文献
[0003] 特許文献 1 :特開 2 0 1 4 _ 6 7 7 8 3号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0004] しかしながら、 処理ガスの流れを分散させると基板の中心に十分な量の処 理ガスを供給できないことがあり、 膜厚均一性が悪くなることがある。 本開示の目的は、 基板上に形成される金属酸化膜の膜厚均一性を向上させ る技術を提供することにある。
課題を解決するための手段 〇 2020/175427 2 卩（：171? 2020 /007335
［0005］ 本開示の一態様によれば、
( 3 ) 処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給する工程と、
( b ) 前記処理室内の前記基板に対して、 酸素含有ガスの流速を 7 . 0〇!
Figure imgf000004_0001
5 0! / 3以下とし、 前記酸素含有ガスの分圧を 9 . 0 3以上 1 2 . 0 3以下として前記酸素含有ガスを供給する工程と、 を有する技術 が提供される。
発明の効果
［0006］ 本開示によれば、 基板上に形成される金属酸化膜の膜厚均一性を向上させ る技術を提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
［0007］ ［図 1］本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成 図であり、 処理炉部分を縦断面図で示す図である。
［図 2］図 1の八一八線に沿った概略的な横断面図である。
［図 3］図 1 に示す基板処理装置が有するコントローラの構成を示すブロック図 である。
［図 4］本開示の実施形態における成膜シーケンスを示す図である。
［図 5］従来と本開示の実施形態におけるウェハ面内と平均膜厚との関係を示す 図である。
発明を実施するための形態
［0008］ ＜本開示の一実施形態＞
以下、 本開示の一実施形態について、 図 1〜 5を参照しながら説明する。 基板処理装置 1 0は半導体装置の製造工程において使用される装置の一例と して構成されている。
［0009］ ( 1 ) 基板処理装置の構成
基板処理装置 1 〇は、 加熱手段 (加熱機構、 加熱系) としてのヒータ 2 0 7が設けられた処理炉 2 0 2を備える。 ヒータ 2 0 7は円筒形状であり、 保 持板としてのヒータべース (図示せず) に支持されることにより垂直に据え 付けられている。 〇 2020/175427 3 卩（：171? 2020 /007335
[0010] ヒータ 207の内側には、 ヒータ 207と同心円状に反応容器 （処理容器 ） を構成するアウタチューブ 203が配設されている。 アウタチューブ 20 3は、 例えば石英 （3 丨 〇2） 、 炭化シリコン （3 丨 〇 などの耐熱性材料に より構成され、 上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。 ア ウタチューブ 203の下方には、 アウタチューブ 203と同心円状に、 マニ ホールド （インレツ トフランジ） 209が配設されている。 マニホールド 2 09は、 例えばステンレス （3113） などの金属により構成され、 上端およ び下端が開口した円筒形状に形成されている。 マニホールド 209の上端部 と、 アウタチューブ 203との間には、 シール部材としての〇リング （図示 せず） が設けられている。 マニホールド 209がヒータべースに支持される ことにより、 アウタチューブ 203は垂直に据え付けられた状態となる。
[0011] アウタチューブ 203の内側には、 反応容器を構成するインナチューブ 2
04が配設されている。 インナチューブ 204は、 例えば石英や 3 丨 〇など の耐熱性材料により構成され、 上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成 されている。 主に、 アウタチューブ 203と、 インナチューブ 204と、 マ ニホールド 209とにより処理容器 （反応容器） が構成されている。 処理容 器の筒中空部 （インナチューブ 204の内側） には処理室 201が形成され ている。
[0012] 処理室 201は、 基板としてのウェハ 200を後述するボート 2 1 7によ って水平姿勢で鉛直方向に多段に配列した状態で収容可能に構成されている
[0013] 処理室 201内には、 ノズル 4 1 0, 420, 430, 440がマニホー ルド 209の側壁およびインナチューブ 204を貫通するように設けられて いる。 ノズル 4 1 0, 420, 430, 440には、 ガス供給管 3 1 0, 3 20, 330, 340が、 それぞれ接続されている。 ただし、 本実施形態の 処理炉 202は上述の形態に限定されない。 ノズル等の数は、 必要に応じて 、 適宜変更される。
[0014] ガス供給管 3 1 0, 320, 330, 340には上流側から順に、 流量制 〇 2020/175427 4 卩（：171? 2020 /007335
御器 （流量制御部） であるマスフローコントローラ （IV! 〇） 3 1 2, 32 2, 332, 342開閉弁であるバルブ 3 1 4, 324, 334, 344が それぞれ設けられている。 ガス供給管 3 1 0, 320, 330, 340のバ ルブ 3 1 4, 324, 334, 344の下流側には、 不活性ガスを供給する ガス供給管 5 1 0, 520, 530, 540がそれぞれ接続されている。 ガ ス供給管 5 1 0, 520, 530, 540には、 上流側から順に、 流量制御 器 （流量制御部） である 1\/^〇5 1 2, 522, 532, 542および開閉 弁であるバルブ 5 1 4, 524, 534, 544がそれぞれ設けられている
[0015] ノズル 4 1 0, 420, 430, 440は、 ！_字型のノズルとして構成さ れており、 その水平部はマニホールド 209の側壁およびインナチューブ 2 04を貫通するように設けられている。 ノズル 4 1 0, 420, 430, 4 40の垂直部は、 インナチューブ 204の径方向外向きに突出し、 かつ鉛直 方向に延在するように形成されているチヤンネル形状 （溝形状） の予備室 2 01 3の内部に設けられており、 予備室 201 3内にてインナチューブ 20 4の内壁に沿って上方 （ウェハ 200の配列方向上方） に向かって設けられ ている。
[0016] ノズル 4 1 0, 420, 430, 440は、 処理室 201の下部領域から 処理室 201の上部領域まで延在するように設けられており、 ウェハ 200 と対向する位置にそれぞれ複数のガス供給孔 4 1 03, 42〇 3, 4303 , 4403が設けられている。 これにより、 ノズル 4 1 0, 420, 430 , 440のガス供給孔
Figure imgf000006_0001
4203, 4303, 4403からそれぞ れウェハ 200に処理ガスを供給する。 このガス供給孔 4 1 03, 4203 , 4303, 4403は、 インナチューブ 204の下部から上部にわたって 複数設けられ、 それぞれ同一の開口面積を有し、 さらに同一の開ロピッチで 設けられている。
ただし、 ガス供給孔 4 1 03, 4203, 4303, 4403は上述の形態 に限定されない。 例えば、 インナチューブ 204の下部から上部に向かって 〇 2020/175427 5 卩（：171? 2020 /007335
開口面積を徐々に大きく してもよい。 これにより、 ガス供給孔 4 1 03, 4
203, 4303, 4403から供給されるガスの流量をより均一化するこ とが可能となる。
[0017] ノズル 4 1 0, 420, 430, 440のガス供給孔 4 1 03 , 4203 , 4303, 4403は、 後述するボート 2 1 7の下部から上部までの高さ の位置に複数設けられている。 そのため、 ノズル 4 1 0, 420, 430の ガス供給孔
Figure imgf000007_0001
4203, 4303, 4403から処理室 201内に 供給された処理ガスは、 ボート 2 1 7の下部から上部までに収容されたウェ ハ 200、 すなわちボート 2 1 7に収容されたウェハ 200の全域に供給さ れる。 ノズル 4 1 0, 420, 430, 440は、 処理室 201の下部領域 から上部領域まで延在するように設けられていればよいが、 ボート 2 1 7の 天井付近まで延在するように設けられていることが好ましい。
[0018] ガス供給管 3 1 0からは、 処理ガスとして、 金属含有ガス （金属含有原料 ガス） が、
Figure imgf000007_0002
バルブ 3 1 4、 ノズル 4 1 0を介して処理室 20 1内に供給される。 金属含有ガスとしては、 有機系原料であって、 例えばジ ルコニウム （ 〇 を含むテトラキスエチルメチルアミノジルコニウム （丁 巳1\/1八2、 「 [ （〇1~13） 〇21~15] 4） を用いることができる。 T EMA は、 常温常圧で液体であり、 図示しない気化器で気化して気化ガスである 丁巳1\/1八 ガスとして用いられる。
[0019] ガス供給管 320〜 340からは、 酸化ガスとして、 酸素含有ガス （酸素 含有ガス、 〇含有ガス） が 1\/^〇322, 332, 342、 バルブ 324,
334, 344、 ノズル 420, 430, 440を介してガス供給孔 4 1 0 3, 4203, 4303, 4403から処理室 201内に供給される。 酸素 含有ガスとしては、 例えば、 オゾン （〇3） 等が用いられる。
[0020] 主に、 ガス供給管 3 1 0, 320, 330, 340、 1\/^〇3 1 2, 32
2, 332, 342、 バルブ 3 1 4, 324, 334, 344、 ノズル 4 1 0, 420, 430, 440により処理ガス供給系が構成されるが、 ノズル
4 1 0, 420, 430, 440のみを処理ガス供給系と考えてもよい。 処 〇 2020/175427 6 卩（：171? 2020 /007335
理ガス供給系を、 単に、 ガス供給系と称することもできる。 ガス供給管 3 1 0から金属含有ガスを流す場合、 主に、 ガス供給管 3 1 0, 1\/1 〇3 1 2、 バルブ 3 1 4により金属含有ガス供給系が構成されるが、 ノズル 4 1 0を金 属含有ガス供給系に含めて考えてもよい。 ガス供給管 320, 330, 34 0から酸素含有ガスを流す場合、 主に、 ガス供給管 320, !\/! 〇322、 バルブ 324、 ガス供給管 330、 1\/1 〇332、 バルブ 334、 ガス供給 管 340、 1\/1 〇342、 バルブ 344により酸素含有ガス供給系が構成さ れるが、 ノズル 420, 430, 440を酸素含有ガス供給系に含めて考え てもよい。 酸素含有ガス供給系は〇3ガス供給系とも称する。 また、 主に、 ガ ス供給管 5 1 0, 520, 530, 540、 1\/^〇5 1 2, 522, 532 , 542、 バルブ 5 1 4, 524, 534, 544により不活性ガス供給系 が構成される。 不活性ガス供給系を、 パージガス供給系、 希釈ガス供給系、 あるいは、 キヤリアガス供給系と称することもできる。
[0021] 本実施形態におけるガス供給の方法は、 インナチューブ 204の内壁と、 複数枚のウェハ 200の端部とで定義される円環状の縦長の空間内、 すなわ ち、 円筒状の空間内の予備室 201 3内に配置したノズル 4 1 0, 420,
430, 440を経由してガスを搬送している。 そして、 ノズル 4 1 0, 4 20, 430, 440のウェハと対向する位置に設けられた複数のガス供給 孔 4 1 03, 4203, 4303, 4403からインナチューブ 204内に ガスを噴出させている。
[0022] 排気孔 （排気口） 2043は、 インナチューブ 204の側壁であってノズ ル 4 1 0, 420, 430, 440に対向した位置、 すなわち予備室 201 3とは 1 80度反対側の位置に形成された貫通孔であり、 例えば、 鉛直方向 に細長く開設されたスリツ ト状の貫通孔である。 そのため、 ノズル 4 1 0,
420, 430, 440のガス供給孔
Figure imgf000008_0001
4203, 4303, 44
03から処理室 201内に供給され、 ウェハ 200の表面上を流れたガス、 すなわち、 残留するガス （残ガス） は、 排気孔 2043を介してインナチュ —ブ 204とアウタチューブ 203との間に形成された隙間からなる排気路 206内に流れる。 そして、 排気路 206内へと流れたガスは、 排気管 23 1内に流れ、 処理炉 202外へと排出される。
[0023] 排気孔 204 aは、 複数のウェハ 200と対向する位置 （好ましくはボー 卜 2 1 7の上部から下部と対向する位置） に設けられており、 ガス供給孔 4 1 0 a、 420 a、 430 a, 440 aから処理室 201内のウェハ 200 の近傍に供給されたガスは、 水平方向、 すなわちウェハ 200の表面と平行 方向に向かって流れた後、 排気孔 204 aを介して排気路 206内へと流れ る。 すなわち、 処理室 201 に残留するガスは、 排気孔 204 aを介してウ ェハ 200の主面に対して平行に排気される。 なお、 排気孔 204 aはスリ ッ ト状の貫通孔として構成される場合に限らず、 複数個の孔により構成され ていてもよい。
[0024] マニホールド 209には、 処理室 201内の雰囲気を排気する排気管 23
1が設けられている。 排気管 23 1 には、 上流側から順に、 処理室 201内 の圧力を検出する圧力検出器 （圧力検出部） としての圧カセンサ 245, A PC （A u t o P r e s s u r e Co n t r o l l e r） バルブ 23 1 a, 真空排気装置としての真空ポンプ 246が接続されている。 A PCバル ブ 23 1 aは、 真空ポンプ 246を作動させた状態で弁を開閉することで、 処理室 201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、 更に、 真 空ポンプ 246を作動させた状態で弁開度を調節することで、 処理室 201 内の圧力を調整することができる。 主に、 排気孔 204 a, 排気路 206, 排気管 23 1 , A PCバルブ 23 1 aおよび圧カセンサ 245により、 排気 系すなわち排気ラインが構成される。 なお、 真空ポンプ 246を排気系に含 めて考えてもよい。
[0025] マニホールド 209の下方には、 マニホールド 209の下端開口を気密に 閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ 2 1 9が設けられている。 シー ルキャップ 2 1 9は、 マニホールド 209の下端に鉛直方向下側から当接さ れるように構成されている。 シールキャップ 2 1 9は、 例えば S US等の金 属により構成され、 円盤状に形成されている。 シールキャップ 2 1 9の上面 〇 2020/175427 8 卩（：171? 2020 /007335
には、 マニホールド 2 0 9の下端と当接するシール部材としての〇リング （ 図示せず） が設けられている。 シールキャップ 2 1 9における処理室 2 0 1 の反対側には、 ウェハ 2 0 0を収容するボート 2 1 7を回転させる回転機構 2 6 7が設置されている。 回転機構 2 6 7の回転軸 2 5 5は、 シールキャッ プ 2 1 9を貫通してボート 2 1 7に接続されている。 回転機構 2 6 7は、 ボ —卜 2 1 7を回転させることでウェハ 2 0 0を回転させるように構成されて いる。 シールキャップ 2 1 9は、 アウタチューブ 2 0 3の外部に垂直に設置 された昇降機構としてのボートェレべータ 1 1 5によって鉛直方向に昇降さ れるように構成されている。 ボートェレべータ 1 1 5は、 シールキャップ 2 1 9を昇降させることで、 ボート 2 1 7を処理室 2 0 1内外に搬入および搬 出することが可能なように構成されている。 ボートェレべータ 1 1 5は、 ボ —卜 2 1 7およびボート 2 1 7に収容されたウェハ 2 0 0を、 処理室 2 0 1 内外に搬送する搬送装置 （搬送機構） として構成されている。
[0026] 基板支持具としてのボート 2 1 7は、 複数枚、 例えば 2 5〜 2 0 0枚のウ ェハ 2 0 0を、 水平姿勢で、 かつ、 互いに中心を揃えた状態で鉛直方向に整 列させて多段に支持するように、 すなわち、 間隔を空けて配列させるように 構成されている。 ボート 2 1 7は、 例えば石英や 3 丨 <3等の耐熱性材料によ り構成される。 ボート 2 1 7の下部には、 例えば石英や 3 丨 <3等の耐熱性材 料により構成される断熱板 2 1 8が水平姿勢で多段 （図示せず） に支持され ている。 この構成により、 ヒータ 2 0 7からの熱がシールキャップ 2 1 9側 に伝わりにくくなっている。 ただし、 本実施形態は上述の形態に限定されな い。 例えば、 ボート 2 1 7の下部に断熱板 2 1 8を設けずに、 石英や 3 丨 〇 等の耐熱性材料により構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設け てもよい。
[0027] インナチューブ 2 0 4内には温度検出器としての温度センサ 2 6 3が設置 されており、 温度センサ 2 6 3により検出された温度情報に基づきヒータ 2 0 7への通電量を調整することで、 処理室 2 0 1内の温度が所望の温度分布 となるように構成されている。 温度センサ 2 6 3は、 ノズル 4 1 0 , 4 2 0 , 430, 440と同様に L字型に構成されており、 インナチューブ 204 の内壁に沿って設けられている。
[0028] 制御部 (制御手段) であるコントローラ 280は、 C P U (Ce n t r a
1 P r o c e s s i n g U n i t ) 280 a, RAM (R a n d om Ac c e s s Me mo r y) 280 b, 記憶装置 280 c, I /Oポート
280 dを備えたコンビュータとして構成されている。 RAM280 b, 記 憶装置 280 c, I /〇ポート 280 dは、 内部バスを介して、 C P U 28 0 aとデータ交換可能なように構成されている。 コントローラ 280には、 例えばタッチパネル等として構成された入出力装置 282が接続されている
[0029] 記憶装置 280 cは、 例えばフラッシュメモリ、 H DD (H a r d D i s k D r i v e) 等で構成されている。 記憶装置 280 c内には、 基板処 理装置の動作を制御する制御プログラム、 後述する半導体装置の製造方法の 手順や条件などが記載されたプロセスレシピなどが、 読み出し可能に格納さ れている。 プロセスレシピは、 後述する半導体装置の製造方法における各エ 程 (各ステップ) をコントローラ 280に実行させ、 所定の結果を得ること ができるように組み合わされたものであり、 プログラムとして機能する。 以 下、 このプロセスレシピ、 制御プログラム等を総称して、 単に、 プログラム ともいう。 本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、 プロセ スレシピ単体のみを含む場合、 制御プログラム単体のみを含む場合、 または 、 プロセスレシピおよび制御プログラムの組み合わせを含む場合がある。 R AM280 bは、 C P U 280 aによって読み出されたプログラムやデータ 等が一時的に保持されるメモリ領域 (ワークエリア) として構成されている
[0030] 丨 /〇ポート 280 dは、 上述の M F C 3 1 2, 322, 332, 342 , 5 1 2, 522, 532, 542、 バルブ 3 1 4, 324, 334, 34 4, 5 1 4, 524, 534, 544、 圧カセンサ 245、 A P Cバルブ 2
3 1 a、 真空ポンプ 246、 ヒータ 207、 温度センサ 263、 回転機構 2 〇 2020/175427 10 卩（：171? 2020 /007335
67、 ボートェレべータ 1 1 5等に接続されている。
[0031] 〇 1128〇 3は、 記憶装置 280〇から制御プログラムを読み出して実 行すると共に、 入出力装置 282からの操作コマンドの入力等に応じて記憶 装置 280〇からレシピ等を読み出すように構成されている。 09 ^ 280 3は、 読み出したレシピの内容に沿うように、 1\/^〇3 1 2, 322, 33 2, 342, 5 1 2, 522, 532, 542による各種ガスの流量調整動 作、 バルブ 3 1 4, 324, 334, 344, 5 1 4, 524, 534, 5 44の開閉動作、 八 〇バルブ 23 1 3の開閉動作および八 〇バルブ 23 1 3による圧カセンサ 245に基づく圧力調整動作、 温度センサ 263に基 づくヒータ 207の温度調整動作、 真空ポンプ 246の起動および停止、 回 転機構 267によるボート 2 1 7の回転および回転速度調節動作、 ボートェ レべータ 1 1 5によるボート 2 1 7の昇降動作、 ボート 2 1 7へのウェハ 2 〇〇の収容動作等を制御するように構成されている。
[0032] コントローラ 280は、 外部記憶装置 （例えば、 磁気テープ、 フレキシブ ルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、 〇〇や〇 〇等の光ディス ク、 IV!〇等の光磁気ディスク、 113巳メモリやメモリカード等の半導体メモ リ） 283に格納された上述のプログラムを、 コンビュータにインストール することにより構成することができる。 記憶装置 280〇や外部記憶装置 2 83は、 コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。 以下 、 これらを総称して、 単に、 記録媒体ともいう。 本明細書において記録媒体 は、 記憶装置 280〇単体のみを含む場合、 外部記憶装置 283単体のみを 含む場合、 または、 その両方を含む場合がある。 なお、 コンビュータへのプ ログラムの提供は、 外部記憶装置 283を用いず、 インターネッ トや専用回 線等の通信手段を用いて行ってもよい。
[0033] （2） 基板処理工程
半導体装置 （デバイス） の製造工程の一工程として、 基板に対して金属含 有ガスと酸素含有ガスを供給して基板上に金属酸化膜を形成する成膜工程を 行うシーケンス例について、 図 4を用いて説明する。 成膜工程は、 上述した 〇 2020/175427 1 1 卩（：171? 2020 /007335
基板処理装置 1 0の処理炉 2 0 2を用いて実行される。 以下の説明において 、 基板処理装置 1 〇を構成する各部の動作はコントローラ 2 8 0により制御 される。
[0034] 本実施形態では、 基板として複数のウェハ 2 0 0が積載された状態で収容 された処理室 2 0 1 を所定温度で加熱しつつ、 処理室 2 0 1 に、 ノズル 4 1 0に開口する複数のガス供給孔 4 1 0 3から原料ガスとして丁巳1\/1八2ガス を供給する工程と、 ノズル 4 2 0 , 4 3 0 , 4 4 0に開口するガス供給孔 4 2 0 3 , 4 3 0 3 , 4 4 0 3から反応ガスを供給する工程と、 を所定回数 （ 门回） 行うことで、 ウェハ 2 0 0上に、 「および〇を含むジルコニウム酸 化膜 （ 「〇膜） を形成する。
[0035] なお、 本明細書において 「ウェハ」 という言葉を用いた場合は、 「ウェハ そのもの」 を意味する場合や、 「ウェハとその表面に形成された所定の層や 膜等との積層体 （集合体） 」 を意味する場合 （すなわち、 表面に形成された 所定の層や膜等を含めてウェハと称する場合） がある。 また、 本明細書にお いて 「ウェハの表面」 という言葉を用いた場合は、 「ウェハそのものの表面 （露出面） 」 を意味する場合や、 「ウェハ上に形成された所定の層や膜等の 表面、 すなわち、 積層体としてのウェハの最表面」 を意味する場合がある。 なお、 本明細書において 「基板」 という言葉を用いた場合も、 「ウェハ」 と いう言葉を用いた場合と同義である。
[0036] （ウェハ搬入）
複数枚のウェハ 2 0 0を処理室 2 0 1内に搬入 （ボートロード） する。 具 体的には、 複数枚のウェハ 2 0 0がボート 2 1 7に装填 （ウェハチャージ） されると、 図 1 に示されているように、 複数枚のウェハ 2 0 0を支持したボ —卜 2 1 7は、 ボートェレべータ 1 1 5によって持ち上げられて処理室 2 0 1内に搬入される。 この状態で、 シールキャップ 2 1 9は〇リングを介して 反応管 2 0 3の下端開口を閉塞した状態となる。
[0037] （圧力調整および温度調整）
処理室 2 0 1内が所望の圧力 （真空度） となるように真空ポンプ 2 4 6に 〇 2020/175427 12 卩（：171? 2020 /007335
よって真空排気される。 この際、 処理室 201内の圧力は、 圧カセンサ 24 5で測定され、 この測定された圧力情報に基づき、 （3バルブ 23
Figure imgf000014_0001
が フィードバック制御される （圧力調整） 。 真空ポンプ 246は、 少なくとも ウェハ 200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持 する。 また、 処理室 201内が所望の温度となるようにヒータ 207によっ て加熱される。 この際、 処理室 201内が所望の温度分布となるように、 温 度センサ 263が検出した温度情報に基づきヒータ 207への通電量がフィ —ドバック制御される （温度調整） 。 ヒータ 207による処理室 201内の 加熱は、 少なくともウェハ 200に対する処理が完了するまでの間は継続し て行われる。
[0038] [成膜工程]
ウェハ 200上に、 金属酸化膜として高誘電率酸化膜である 「〇膜を形 成するステップを実行する。
[0039] （丁巳1\/1八2ガス供給ステップ）
バルブ 3 1 4を開き、 ガス供給管 3 1 0内に、 処理ガスとして原料ガスで ある丁巳1\/1八 ガスを流す。 丁巳1\/1八2ガスは、 1\/^〇3 1 2により流量調 整され、 ノズル 4 1 0のガス供給孔 4 1 03から処理室 201内に供給され 、 排気管 23 1から排気される。 このときウェハ 200に対して、 J EMA ガスが供給されることとなる。 このとき同時にバルブ 5 1 4を開き、 ガス 供給管 5 1 0内に 1\12ガスを流す。 ガス供給管 5 1 0内を流れた 1\12ガスは、
Figure imgf000014_0002
り流量調整される。 1\12ガスは丁巳1\/1八 ガスと一緒にノズ ル 4 1 0の供給孔 4 1 03から処理室 201内に供給され、 排気管 23 1か ら排気される。
[0040] また、 ノズル 420, 430, 440内への丁巳1\/1八 ガスの侵入を防止 するために、 バルブ 524, 534, 544を開き、 ガス供給管 520, 5 30, 540内に 1\12ガスを流す。 1\12ガスは、 ガス供給管 320, 330,
340、 ノズル 420, 430, 440を介して処理室 201内に供給され 、 排気管 23 1から排気される。 〇 2020/175427 13 卩（：171? 2020 /007335
[0041] このとき、 八 〇バルブ 23 1 3を適正に調整して、 処理室 201内の圧 力を、 例えば 20〜 500 3の範囲内の圧力とする。 本明細書において、 「20〜 500 3」 のような数値範囲の表記は、 下限値および上限値がそ の範囲に含まれることを意味する。 よって、 例えば、 「20 3~ 500 3」 とは、 20 3以上 500以下を意味する。 その他の数値範囲について も同様である。 1\/1 〇3 1 2で制御する丁巳1\/1八 ガスの供給流量は、 例え ば〇. 1〜 5. 09/分の範囲内の流量とする。 ウェハ 200を丁巳1\/1八 に曝す時間、 すなわちガス供給時間 （照射時間） は、 例えば 1 〇〜 300秒 間の範囲内の時間とする。 このときヒータユニッ ト 207の温度は、 ウェハ 200の温度が、 例えば 1 50〜 300 °〇の範囲内の温度となるような温度 に設定する。 丁巳1\/1八2ガスの供給により、 ウェハ 200上に 「含有層が 形成される。 「含有層には、
Figure imgf000015_0001
ガスに由来する有機物 （炭素 （〇 ） 、 水素 （!!） 、 窒素 （!\!） 等） が残留元素としてわずかに残留する。
[0042] （残留ガス除去ステップ）
丁巳1\/1八 ガスを所定時間供給した後、 バルブ 3 1 4を閉じて、 J EMA ガスの供給を停止する。 このとき、 排気管 23 1の八 〇バルブ 23 1 3 は開いたままとして、 真空ポンプ 246により処理室 201内を真空排気し 、 処理室 201内に残留する未反応もしくは反応に寄与した後の丁巳1\/1八 ガスを処理室 201内から排除する。 このときバルブ 524, 534, 54 4は開いたままとして、 1\12ガスの処理室 201内への供給を維持する。 1\12 ガスはパージガスとして作用し、 処理室 201内に残留する未反応もしくは 反応に寄与した後の丁巳1\/1八 ガスを処理室 201内から排除する効果を高 めることができる。
[0043] （〇 3ガス供給ステップ）
処理室 201内の残留ガスを除去した後、 バルブ 324, 334, 344 を開き、 ガス供給管 320, 330, 340内に酸素含有ガスである〇3ガス を流す。 〇 3ガスは、 1\/^〇322, 332, 342により流量調整され、 ノ ズル 420, 430, 440のガス供給孔
Figure imgf000015_0002
4303, 44〇 3か 〇 2020/175427 14 卩（：171? 2020 /007335
ら処理室 201内に供給され、 排気管 23 1から排気される。 このとき、 ウ ェハ 200に対して〇3ガスが供給されることとなる。 このとき同時にバルブ 524, 534, 544を開き、 ガス供給管 520, 530, 540内に 1\12 ガス等の不活性ガスを流す。 ガス供給管 520, 530, 540内を流れた 1\12ガスは、 1\/^〇522, 532, 542により流量調整され、 〇 3ガスと —緒に処理室 201内に供給され、 排気管 23 1から排気される。 なお、 こ のとき、 ノズル 4 1 0内への〇3ガスの侵入を防止するために、 バルブ 5 1 4 を開き、 ガス供給管 5 1 0内に 1\12ガスを流す。 1\12ガスは、 ガス供給管 3 1 0ノズル 4 1 0を介して処理室 201内に供給され、 排気管 23 1から排気 される。
[0044] 〇3ガスを流すときは、 八 〇バルブ 23 1 3を適正に調整して処理室 20
1内の圧力は、 例えば 1 1 0 3とする。 1\/^〇322, 332, 342で 制御する 3本のノズル 420, 430, 440から供給する〇3ガスの合計の 供給流量は、 例えば 703 丨 とする。 IV! 〇 322 , 332, 342およ び八 〇バルブ 23 1 3で制御する〇3ガスのウェハ 200の中心部での流速 は、 例えば 7. 0 /3~8. 5 / 3の範囲内の流速とする。 〇 3ガスの分 圧は、 例えば 9. 09 a （処理室 201内の圧力の約 8. 0%） 〜 1 2. 0 9 a （処理室 201内の圧力の約 1 1. 0%） 、 より好ましくは 1 1. 0 3 （処理室 201内の圧力の 1 0. 0%） の圧力とする。 オゾン発生器から 処理室 201内に供給される〇3ガスの濃度は、 例えば 1 509/1\1〇13〜 3 009/1\1〇13、 より好ましくは
Figure imgf000016_0001
とする。 〇 3ガスの濃度が 1
509/1\1 3未満であると、 ガスの濃度が低くて膜中の不純物 （＜3、 カーボ ン） の濃度が多くなり膜質が低下してしまうことがある。 また、 〇3ガスの濃 度が 3009/1\1〇!3を超えると、 ガスの濃度が高くなり形成される 「〇層 の下地まで酸化させてしまうことがある。 具体的には、
Figure imgf000016_0002
キャパシタ の場合、 下地は丁 丨 1\1膜 （チタン窒化膜） であって、 丁 丨 1\1膜で構成される 電極が酸化してしまうと、 丁 丨 〇、 丁 丨 〇 の境界面の酸化膜が増加してし まうため、 巳〇丁 （等価酸化膜厚） が増加することや、 異常酸化により応力 〇 2020/175427 15 卩（：171? 2020 /007335
が発生してしまい、 丁 丨 1\1電極が倒れてしまうことがある。 また、 ！_〇 9 1 〇のゲート酸化膜の場合、 下地は 3 丨膜 （シリコン膜） となり、 3 丨境界面 が酸化すると 3 丨 〇膜が増加するため巳〇丁が増加してしまうことがある。
〇 3ガスの濃度を 1 5〇 9/1\1〇13~ 3009 /1\1 3とすることで膜中の不純 物の濃度が高くなることを抑制して膜質を低下させることなく、 また、 形成 される膜の下地まで酸化させることなく、 「〇膜を形成することが可能と なる。 〇3ガスにウェハ 200を晒す時間、 すなわちガス供給時間 （照射時間 ） は、 例えば 30〜 1 20秒間の範囲内の時間とする。 このときのヒータユ ニッ ト 207の温度は、 ステップ 31 01 と同様の温度とする。 〇 3ガスの供 給により、 ウェハ 200上に形成された 「含有層が酸化され、 「〇層が 形成される。 このとき、 「〇層には、 丁巳1\/1八2ガスに由来する有機物 （ 炭素 （〇） 、 水素 （!!） 、 窒素 （1\!） 等） がわずかに残留する。
[0045] なお、 本実施の形態では、 ノズル 420, 430, 440の 3本を用いて 〇 3ガスを供給しているが、 ノズルの本数は限定されず、 例えば、 1本のノズ ルで〇3ガスを供給するようにしても構わない。
[0046] 〇3ガス供給の処理条件として、 特に、 〇3ガスの流速を 7.
Figure imgf000017_0001
. 501/ 3の範囲内の所定の流速とし、 〇 3ガスの分圧を 9. 09 a （処理室 201の圧力の約 8. 0%） 〜 1 2. 0 3 （処理室の圧力の約 1 1. 0%
） の範囲内の所定の分圧として〇 3ガス供給ステップを実行することで、 ウェ ハの中央部まで到達する〇 3ガスの供給量が十分となりウェハ面内での酸化が 十分に行われ、 ウェハ面内での膜厚均一性を向上させることができる。 図 5 に、 ウェハ面内のウェハの中央部からェッジ部までの間における同距離の円 周上それぞれにおいて複数点の膜厚を測定し、 それらを平均して得られた平 均膜厚を示す。 図 5の実線 602で示す従来の手法による平均膜厚に比べ、 実線 601で示す本実施形態の手法による平均膜厚においては、 平均膜厚が 一番小さい位置 （実線 601ではウェハの中央部） における膜厚と平均膜厚 が一番大きい位置 （実線 601ではウェハのェッジ部） における膜厚との膜 厚差 （△丁 II
Figure imgf000017_0002
が小さくなっている。 すなわち、 図 5より、 〇 2020/175427 16 卩（：171? 2020 /007335
高誘電率酸化膜である 「〇膜のウェハの面内膜厚均一性を向上させること が可能となることが分かる。
[0047] なお、 〇3ガスの流速が 7 . 0 / 3未満であると、 ウェハの中央部に到達 する〇 3ガスの供給量が不足し、 ウェハの中央部での膜厚が薄くなり、 ウェハ 面内膜厚均一性が所定の分布とならないことがある。 また、 〇3ガスの流速が 8 . 5
Figure imgf000018_0001
を超えると、 ノズルのガス供給孔にガスの渦巻が発生しやすく なるためウェハのェッジ部分での膜厚が厚くなり、 ウェハ面内膜厚均一性が 所定の分布とならないことがある。 〇3ガスの分圧が 9 . 〇 3未満であると 、 酸化が不十分となるため、 ウェハ面内膜厚均一性が所定の分布とならない ことがある。 また、 〇3ガスの分圧が 1 2 . 0 3を超えると成膜の際に下地 過酸化によって、 特にウェハのェッジ部分での膜厚が厚くなりウェハ面内膜 厚均一性が所定の分布とならないことがある。
[0048] （残留ガス除去ステップ）
「〇層が形成された後、 バルブ 3 2 4を閉じ、 〇3ガスの供給を停止する 。 そして、 〇3ガス供給ステップ前の残留ガス除去ステップと同様の処理手順 により、 処理室 2 0 1内に残留する未反応もしくは 「〇層形成に寄与した 後の〇3ガスを処理室 2 0 1内から排除する。
[0049] （所定回数実施）
上記したステップを順に行うサイクルを 1回以上 （所定回数 （〇回） 行う ことにより、 ウェハ 2 0 0上に、 所定の厚さの 「〇膜が形成される。 上述 のサイクルは、 複数回繰り返すのが好ましい。 このように、 「〇膜を形成 する場合は、 丁巳1\/1八 ガスと〇 3ガスを互いに混合しないよう （時分割して ） 交互にウェハ 2 0 0に対して供給する。
[0050] （アフターパージおよび大気圧復帰）
成膜ステップが終了したら、 バルブ 5 1 4 , 5 2 4 , 5 3 4 , 5 4 4を開 き、 ガス供給管 5 1 0 , 5 2 0 , 5 3 0 , 5 4 0のそれぞれから 1\1 2ガスを処 理室 2 0 1内へ供給し、 排気管 2 3 1から排気する。 1\1 2ガスはパージガスと して作用し、 これにより処理室 2 0 1内が不活性ガスでパージされ、 処理室 〇 2020/175427 17 卩（：171? 2020 /007335
2 0 1内に残留するガスや副生成物が処理室 2 0 1内から除去される （アフ 夕ーパージ） 。 その後、 処理室 2 0 1内の雰囲気が不活性ガスに置換され （ 不活性ガス置換） 、 処理室 2 0 1内の圧力が常圧に復帰される （大気圧復帰
[0051 ] （ウェハ搬出）
その後、 ボートェレべータ 1 1 5によりシールキャップ 2 1 9が下降され て、 反応管 2 0 3の下端が開口される。 そして、 処理済ウェハ 2 0 0がボー 卜 2 1 7に支持された状態で反応管 2 0 3の下端から反応管 2 0 3の外部に 搬出 （ボートアンロード） される。 その後、 処理済のウェハ 2 0 0は、 ボー 卜 2 1 7より取り出される （ウェハデイスチャージ） 。
[0052] 以上、 本開示の実施形態について具体的に説明した。 しかし、 本開示は上 述の実施形態に限定されるものではなく、 その要旨を逸脱しない範囲で種々 変更可能である。
[0053] 上述の実施形態では、 高誘電率酸化膜として 「〇膜を例示しているが、 これに限らず、 「〇の結合ェネルギーより低い、 又は 「塩化物の蒸気圧 より高い酸化物 （混合酸化物を含む） であればよい。 例えば、 高誘電率酸化
Figure imgf000019_0001
0より大きい整数又は小数である。 ） が用いられた場合にも同様に適用可能 である。 すなわち、 ジルコニウム酸化膜、 ハフニウム酸化膜、 アルミニウム 酸化膜、 チタン酸化膜、 タンタル酸化膜、 ニオブ酸化膜にも適用可能である
[0054] また、 上述の実施形態では、 有機系原料として丁巳1\/1 を例示している が、 これに限らず、 その他の原料も適用可能である。 例えば、 テトラキスェ チルメチルアミノハフニウム （!·!† [ （〇1~1 3） 〇1~1 2〇1~1 3 ] 4、 T E M A 1~1） 等の有機系 原料 （有機系 1~1チ原料を含むハフニウム含有ガス） 、 卜 リメチルアルミニウム （ （〇1~1 3） 3八 丨、 丁1\/1八） 等の有機系八 丨原料 （有 機系八 丨原料を含むアルミニウム含有ガス） 、 トリスジメチルアミノシラン 〇 2020/175427 18 卩（：171? 2020 /007335
（3 丨 1~1 （〇1~1 3） 2） 3、 丁0 1\/1八3） 等の有機系 3 丨原料 （有機系 3 1 原料を含むシリコン含有ガス） 、 テトラキスジメチルアミノチタン （丁 丨 [ （〇1~1 3） 2 ] 4、 丁0 1\/1八丁） 等の有機系丁 丨原料 （有機系丁 丨原料を含む チタン含有ガス） 、 ペンタキスジメチルアミノタンタル （丁 3 （ （〇1~1 3） 2） 5、 0 1\/1八丁） 等の有機系丁 3原料 （有機系丁 3原料を含むタンタル含 有ガス） 、 トリスジメチルアミノターシャリープチルイミノニオブ （ 6 「 1： -〇4 1~1 9） = 1\1 13 [ （〇2 1~1 5） 2 ] 3、 丁巳丁0巳 1\1） 等の有機系 1\1匕 原料 （有機系 1\1匕原料を含むニオブ含有ガス） 等も適用可能である。
[0055] また、 上述の実施形態では、 成膜工程で、 〇3ガスを使用する例を示してい るが、 これに限らず、 酸素含有ガスであれば、 その他の原料も適用可能であ る。 例えば、 酸素 （〇 2） 、 〇2プラズマ、 水蒸気 （1~1 2〇） 、 過酸化水素 （1~1 2〇2） 、 亜酸化窒素 （1\1 2〇） 等も適用可能である。
[0056] また、 不活性ガスとしては、 N 2ガスの他、 八 「ガス、 1~1 6ガス、 6ガ ス、 X㊀ガス等の希ガスを用いてもよい。
[0057] これらの各種薄膜の形成に用いられるプロセスレシピ （処理手順や処理条 件等が記載されたプログラム） は、 基板処理等の内容 （形成する薄膜の膜種 、 組成比、 膜質、 膜厚、 処理手順、 処理条件等） に応じて、 それぞれ個別に 用意する （複数用意する） ことが好ましい。 そして、 基板処理等を開始する 際、 基板処理等の内容に応じて、 複数のプロセスレシピ等の中から、 適正な プロセスレシピ等を適宜選択することが好ましい。 具体的には、 基板処理等 の内容に応じて個別に用意された複数のプロセスレシピ等を、 電気通信回線 や当該プロセスレシピ等を記録した記録媒体 （外部記憶装置 2 8 3） を介し て、 基板処理装置が備える記憶装置 2 8 0〇内に予め格納 （インストール） しておくことが好ましい。 そして、 基板処理を開始する際、 基板処理装置が 備える 0 II 2 8 0 3が、 記憶装置 2 8 0〇内に格納された複数のプロセス レシピ等の中から、 基板処理の内容に応じて、 適正なプロセスレシピ等を適 宜選択することが好ましい。 このように構成することで、 1台の基板処理装 置で様々な膜種、 組成比、 膜質、 膜厚の薄膜を汎用的に、 かつ、 再現性よく 〇 2020/175427 19 卩（：171? 2020 /007335
形成できるようになる。 また、 オペレータの操作負担 （処理手順や処理条件 等の入力負担等） を低減でき、 操作ミスを回避しつつ、 基板処理を迅速に開 始できるようになる。
[0058] また、 本開示は、 例えば、 既存の基板処理装置のプロセスレシピ等を変更 することでも実現できる。 プロセスレシピ等を変更する場合は、 本開示に係 るプロセスレシピ等を電気通信回線や当該プロセスレシピ等を記録した記録 媒体を介して既存の基板処理装置にインストールしたり、 また、 既存の基板 処理装置の入出力装置を操作し、 そのプロセスレシピ等自体を本開示に係る プロセスレシピ等に変更したりすることも可能である。
符号の説明
[0059] 1 0 基板処理装置
2 8 0 コントローラ
2 0 0 ウェハ （基板）

Claims

\¥0 2020/175427 20 卩（：17 2020 /007335 請求の範囲
[請求項 1 ] （3） 処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給する工程と、
（匕） 前記処理室内の前記基板に対して、 酸素含有ガスの流速を 7 .
Figure imgf000022_0001
とし、 前記酸素含有ガスの分圧を 9
. 0 3以上 1 2 . 0 3以下として酸素含有ガスを供給する工程と を有するする半導体装置の製造方法。
[請求項 2] （3） と （匕） を所定回数、 繰り返し行うことにより、 前記基板上 に金属酸化膜を形成する請求項 1 に記載の半導体装置の製造方法。
[請求項 3] （3） と （匕） との間に、 前記処理室を排気する工程を行う請求項
1 に記載の半導体装置の製造方法。
[請求項 4] （匕） の後に、 前記処理室を排気する工程を行う請求項 1 に記載の 半導体装置の製造方法。
[請求項 5] （3） と （匕） とを所定回数行った後に、 前記処理室内に不活性ガ スを供給する工程を行う請求項 1 に記載の半導体装置の製造方法。
[請求項 6] （匕） では、 前記酸素含有ガスの濃度を 1 5 0 9 / 1X1 0! 3以上 3 0
0 9 / 1X1 0^以下とする請求項 1 に記載の半導体装置の製造方法。
[請求項 7] 前記金属含有ガスは、 ジルコニウム含有ガス、 ハフニウム含有ガス 、 アルミニウム含有ガス、 シリコン含有ガス、 チタン含有ガス、 タン タル含有ガスまたはニオブ含有ガスのいずれかである請求項 1 に記載 の半導体装置の製造方法。
[請求項 8] 前記酸素含有ガスは、 オゾン、 酸素、 酸素プラズマ、 水蒸気、 過酸 化水素または亜酸化窒素のいずれかである請求項 1 に記載の半導体装 置の製造方法。
[請求項 9] （匕） では、 前記酸素含有ガスは、 処理室内に設けられる複数本の ノズルから供給される請求項 1 に記載の半導体装置の製造方法。
[請求項 10] 前記金属酸化膜は、 高誘電率酸化膜である請求項 2に記載の半導体 装置の製造方法。 〇 2020/175427 21 卩（：171? 2020 /007335
[請求項 11] 前記基板は、 鉛直方向に多段に複数枚、 基板保持具に保持され、 複 数枚の前記基板上に前記金属酸化膜が形成される請求項 2に記載の半 導体装置の製造方法。
[請求項 12] 前記基板上に形成される前記金属酸化膜の下地には、 チタン窒化膜 またはシリコン膜が形成されている請求項 2に記載の半導体装置の製 造方法。
[請求項 13] 基板を処理する処理室と、
前記処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給する金属含有ガス 供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス 供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整部と、
(3) 前記処理室内の基板に対して前記金属含有ガスを供給する処 理と、 ( ) 前記処理室内の前記基板に対して、 前前記酸素含有ガス の流速を 7.
Figure imgf000023_0001
とし、 前記酸素含有ガス の分圧を 9. 0 3以上 1 2. 0 3以下として記酸素含有ガスを供 給する処理と、 を行うことが可能なように、 前記金属含有ガス供給系 、 前記酸素含有ガス供給系、 前記排気系および前記圧力調整部を制御 するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
[請求項 14] (3) 基板処理装置の処理室内の基板に対して金属含有ガスを供給 する手順と、
(匕) 前記処理室内の前記基板に対して、 酸素含有ガスの流速を 7 .
Figure imgf000023_0002
とし、 前記酸素含有ガスの分圧を 9
. 0 3以上 1 2. 0 3以下として前記酸素含有ガスを供給する手 川頁と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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