WO2020113732A1 - 显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器 - Google Patents

显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器 Download PDF

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WO2020113732A1
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display unit
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向明
王硕晟
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Definitions

  • the invention relates to the field of electronic display, in particular to a display unit, a manufacturing method of the display unit, and an organic light emitting diode display.
  • OLEDs Organic light-emitting diode displays
  • the organic light-emitting unit is very sensitive to moisture, and a small amount of moisture will seriously affect the light-emitting quality of the OLED, so it is necessary to ensure that the inside of the organic light-emitting unit remains dry.
  • the prior art uses a packaging substrate (250) to block the invasion of external moisture, as shown in FIG. 1.
  • the moisture can be absorbed by adding a desiccant to each film layer in the display substrate, see and 1, in the pixel definition layer (210) of the OLED display unit Desiccant (260) is used to absorb the moisture inside the display unit and enhance the stability of the OLED reality unit.
  • the desiccant in the pixel definition layer (210) will swell due to water absorption, causing the pixel definition layer to separate from other film layers, creating gaps on the side of the display unit. External water and oxygen can invade the organic light emitting unit from the gap on the side of the display substrate Destroy the structure of the OLED display unit.
  • the invention provides a display unit, a manufacturing method of the display unit, and an organic light-emitting diode display, to solve the problem that the existing organic light-emitting diode display produces gaps on the side of the display due to water absorption and expansion of the desiccant in the pixel definition layer to break the display seal Technical issues with structure.
  • the present invention provides a display unit, the display unit including:
  • a thin film transistor layer above the substrate is
  • An anode metal layer located above the thin film transistor layer and connected to the source-drain wiring layer in the thin film transistor layer;
  • a pixel definition layer located above the anode metal layer, the pixel definition layer having a communication hole penetrating the pixel definition layer;
  • the pixel definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, the second stack has a uniform distribution of desiccant.
  • the first laminate is composed of a polymer material with a first functional group, and the first functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group.
  • the second laminate is composed of a polymer material with a second functional group, and the second functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group; wherein, when After the temperature rises, the second functional group and the first functional group adjacent to the first stack and the second stack can chemically react to form a third stack, and the third stack is a dense network structure.
  • the polymer material constituting the first laminate and the polymer material constituting the second laminate are the same, and the height ratio of the first laminate and the second laminate is 1 : Between 1 and 1:2.
  • the pixel definition layer further includes a fourth stack above the second stack, the fourth stack having the same structure and material as the first stack.
  • the desiccant is a physical desiccant and/or chemical desiccant, including one or a combination of silica gel, calcium oxide, and calcium carbonate; wherein, the desiccant is The granular solids having the same shape are evenly distributed in the second stack.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a display unit, including the following steps:
  • the pixel definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, the second stack has a uniform distribution of desiccant.
  • the first laminate is composed of a polymer material with a first functional group, the first functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group;
  • the second stack is composed of a polymer material with a second functional group, and the second functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group; wherein, when the temperature increases, the first stack and the first The second functional group and the first functional group adjacent to the second stack can chemically react to form a third stack, and the third stack is a dense network structure.
  • the polymer material constituting the first laminate and the polymer material constituting the second laminate are the same, and the height ratio of the first laminate and the second laminate is 1 : Between 1 and 1:2.
  • the pixel definition layer further includes a fourth stack above the second stack, the fourth stack having the same structure and material as the first stack.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display
  • the organic light emitting diode display includes a display unit
  • the display unit includes:
  • a thin film transistor layer above the substrate is
  • An anode metal layer located above the thin film transistor layer and connected to the source-drain wiring layer in the thin film transistor layer;
  • a pixel definition layer located above the anode metal layer, the pixel definition layer having a communication hole penetrating the pixel definition layer;
  • the pixel definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, the second stack has a uniform distribution of desiccant.
  • the first laminate is composed of a polymer material with a first functional group, and the first functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group.
  • the second laminate is composed of a polymer material with a second functional group, and the second functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group; wherein, when After the temperature rises, the second functional group and the first functional group adjacent to the first stack and the second stack can chemically react to form a third stack, and the third stack is a dense network structure.
  • the polymer material constituting the first laminate and the polymer material constituting the second laminate are the same, and the height ratio of the first laminate and the second laminate is 1 : Between 1 and 1:2.
  • the pixel definition layer further includes a fourth stack above the second stack, the fourth stack having the same structure and material as the first stack.
  • the desiccant is a physical desiccant and/or chemical desiccant, including one or a combination of silica gel, calcium oxide, and calcium carbonate; wherein, the desiccant is The granular solids having the same shape are evenly distributed in the second stack.
  • the invention discloses a display unit providing an organic light-emitting diode display and a manufacturing method thereof.
  • the pixel definition layer is made into a double-layer and/or multi-layer stacked structure, and the upper layer of the stacked structure is added to dry So as to block the invasion of the organic light-emitting unit by the moisture in the display substrate.
  • a high molecular polymer with a functional group on the main chain is used as the material constituting the double-layer and/or multi-layer stacked structure (the functional group may be an alkenyl group, a carboxyl group, an amine group, etc.) Further reaction of functional groups on the main chain of the molecule, the boundary of the double-layer and/or multi-layer stacked structure is tightly connected, thereby suppressing the separation of the film layer after the desiccant absorbs water.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of an anode portion of a display unit in the prior art
  • FIGS. 2 to 7 are schematic structural diagrams of an anode portion of a display unit in a specific embodiment of the present invention.
  • FIGS. 8 to 9 are schematic structural diagrams of an anode portion of a display unit in another embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of an anode portion of a display unit in the prior art, wherein the display unit includes a substrate 100; a buffer layer 110 above the substrate 100; a polysilicon layer 120 above the buffer layer 110, the polysilicon layer 120 includes a channel region 120a, heavily doped regions 120b and 120c; a first gate insulating layer 130 above the polysilicon layer 120; a first metal gate layer 140 above the first gate insulating layer 130 ; A second gate insulating layer 150 covering the first metal gate 140 and the first gate insulating layer 130; a second metal gate layer 160 above the gate insulating layer 150; covering the An interlayer dielectric layer 170 of the second metal gate 160 and the second gate insulating layer 150; penetrates the interlayer dielectric layer 170 and the second gate insulating layer 150 and is in contact with the heavily doped region 120b and 120c connected source-drain wiring layer 180; an organic flat layer 190 covering the source-drain wiring layer 180
  • the organic light-emitting unit is very sensitive to moisture, a small amount of moisture will seriously affect the light-emitting quality of the light-emitting structure.
  • the prior art uses the packaging substrate 250 to block the invasion of external moisture.
  • the moisture generated by the display unit during production and operation can be removed by adding a desiccant 260 to the pixel definition layer 210 of the display unit.
  • the pixel definition layer 210 when a desiccant is added to the pixel definition layer 210, as the desiccant absorbs moisture, the pixel definition layer will swell, resulting in the separation of the pixel definition layer 210 from other film layers, thus exacerbating the external water and oxygen from The invasion of the organic light-emitting unit from the display substrate side.
  • the present invention provides a display unit, a method for manufacturing the display unit, and an organic light-emitting diode display, to solve the problem that the existing organic light-emitting diode display generates a gap on the side of the display due to the expansion of the desiccant in the pixel definition layer
  • the technical problem of destroying the sealing structure of the display will be described in detail below in conjunction with the accompanying drawings.
  • the present invention provides a display unit including: a substrate; a thin film transistor layer located above the substrate; located above the thin film transistor layer, away from the source and drain in the thin film transistor layer An anode metal layer connected by a wire layer; a pixel definition layer located above the anode metal layer, the pixel definition layer having a communication hole penetrating the pixel definition layer; a light emitting structure located above the pixel definition layer; wherein, the pixels
  • the definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, with a uniform distribution of desiccant in the second stack.
  • the desiccant is a physical desiccant and/or chemical desiccant, including one or a combination of silica gel, calcium oxide, and calcium carbonate; wherein, the desiccant is a granular solid with the same shape, Evenly distributed in the second stack 210b.
  • the display unit further includes a buffer layer 110 above the substrate 100.
  • the thin film transistor layer includes: a polysilicon layer 120 above the buffer layer 110, the polysilicon layer 120 includes a channel region 120a, heavily doped regions 120b and 120c; and a first gate above the polysilicon layer 120 Electrode insulation layer 130; a first metal gate layer 140 above the first gate insulation layer 130; a second gate insulation covering the first metal gate 140 and the first gate insulation layer 130 Layer 150; a second metal gate layer 160 above the gate insulating layer 150; an interlayer dielectric layer 170 covering the second metal gate 160 and the second gate insulating layer 150; An interlayer dielectric layer 170 and the second gate insulating layer 150 and the source-drain wiring layer 180 connected to the heavily doped regions 120b and 120c, respectively; covering the source-drain wiring layer 180 and the interlayer dielectric layer 170 Organic flat layer 190.
  • the anode metal layer 200 penetrates the organic flat layer 190 and is connected to the source-drain wiring layer.
  • the pixel definition layer includes a first stack 210a above the anode metal layer and a second stack 210b above the first stack 210a, the second stack There is a uniform distribution of desiccant 260 in layer 210b.
  • the first laminated layer 210a is composed of a polymer material with a first functional group, and the first functional group includes one or more of alkenyl group, carboxyl group, and amine group;
  • the second laminated layer 210b is composed of It is composed of a polymer material with a second functional group, and the second functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group.
  • the second functional group and the first functional group adjacent to the first stacked layer 210a and the second stacked layer 210b can chemically react to form a third stacked layer, which is a dense network structure.
  • the dense mesh structure can make the boundary of the second stack 210b above the first stack 210a tightly connected, thereby suppressing the separation of the film layer after the desiccant absorbs water.
  • the polymer material constituting the first laminate 210a and the polymer material constituting the second laminate 210b are the same, and the first laminate 210a and the second laminate
  • the height ratio of 210b is between 1:1 and 1:2.
  • the pixel definition layer further includes a fourth stack above the second stack 210b Layer 210c, the fourth stack 210c has the same structure and material as the first stack 210a.
  • the fourth stacked layer 210c can form the same dense mesh structure as the third stacked layer between the second stacked layer 210b and the fourth stacked layer 210c, further suppressing the gap between the pixel defining layer and the metal electrode and the light emitting structure above it Possible separation of the membrane layer.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a display unit, including the following steps:
  • the pixel definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, the second stack has a uniform distribution of desiccant.
  • a substrate 100 is provided; a buffer layer 110 is formed over the substrate 100; a patterned polysilicon layer 120 is deposited and etched over the buffer layer 110, and the polysilicon layer 120 includes a channel region 120a and a heavy Doped regions 120b and 120c; forming a first gate insulating layer 130 above the polysilicon layer 120; depositing and etching above the first gate insulating layer 130 to form a patterned first metal gate layer 140; Forming a second gate insulating layer 150 by covering the first metal gate 140 and the first gate insulating layer 130; forming a second metal gate layer 160 over the gate insulating layer 150; covering the first Two metal gates 160 and the second gate insulating layer 150 form an interlayer dielectric layer 170; penetrate the interlayer dielectric layer 170 and the second gate insulating layer 150 and are respectively connected to the heavily doped regions 120b and 120c Connected to form a source-drain wiring layer 180; covering the source-drain wiring layer 180 and the interlayer di
  • a first stack 210 a is coated on the young gold metal layer 200.
  • the first stacked layer 210a is composed of a polymer material with a first functional group, and the first functional group includes one or more of an alkenyl group, a carboxyl group, and an amine group.
  • a second stack 210b with a desiccant 260 is formed over the first stack 210a, the second stack 210b is composed of a polymer material with a second functional group, and the first The difunctional group includes one or more of alkenyl group, carboxyl group, and amine group; wherein, when the temperature rises, the second functional group and the first functional group adjacent to the first stacked layer 210a and the second stacked layer 210b can occur Chemical reaction to form a third stack, the third stack is a dense network structure.
  • the polymer material constituting the first stack 210a and the polymer material constituting the second stack 210b are the same, and the first stack 210a and the second stack
  • the height ratio of 210b is between 1:1 and 1:2.
  • a patterned pixel definition layer that is, a first stacked layer 210 a and a second stacked layer 210 b is formed by exposure, development, and curing, and a part of the anode metal layer 200 is exposed.
  • a patterned spacer 220 is coated, exposed, developed, and cured on the second stack 210b.
  • a light emitting structure and a packaging structure 250 are formed above the pixel definition layer.
  • the second stack 210b forms an upper fourth stack 210c
  • the fourth stack 210c has the same structure and material as the first stack 210a.
  • the fourth stacked layer 210c can form the same dense mesh structure as the third stacked layer between the second stacked layer 210b and the fourth stacked layer 210c, further suppressing the gap between the pixel defining layer and the metal electrode and the light emitting structure above it Possible separation of the membrane layer.
  • the present invention also provides an organic light emitting diode display
  • the organic light emitting diode display includes a display unit, the display unit includes: a substrate; a thin film transistor layer located above the substrate; located above the thin film transistor layer , An anode metal layer connected to the source-drain wiring layer in the thin film transistor layer; a pixel definition layer located above the anode metal layer, the pixel definition layer having a communication hole penetrating the pixel definition layer; located in the pixel A light-emitting structure above the definition layer; wherein the pixel definition layer includes a first stack above the anode metal layer and a second stack above the first stack, the second stack has Evenly distributed desiccant.
  • the invention discloses a display unit providing an organic light-emitting diode display and a manufacturing method thereof.
  • the pixel definition layer is made into a double-layer and/or multi-layer stacked structure, and the upper layer of the stacked structure is added to dry So as to block the invasion of the organic light-emitting unit by the moisture in the display substrate.
  • using a high molecular polymer having a functional group on the main chain as the material constituting the double-layer and/or multi-layer stacked structure as the functional group on the main polymer chain further reacts, the double-layer and The boundary of the multi-layer laminated structure is tightly connected, thereby suppressing the separation of the film layer after the desiccant absorbs water.

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Abstract

本发明提供一种显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器。所述显示单元包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方的阳极金属层；位于阳极金属层上方的像素定义层；位于像素定义层上方的发光结构；其中，所述像素定义层包括第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。

Description

显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器 技术领域
本发明涉及电子显示领域，尤其涉及一种显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器。
 背景技术
有机发光二极管显示器（OLED）由于结构简单、反应速度快，并且可被用于柔性面板，被认为是下一代平面显示器的新兴技术。
有机发光单元对水分非常敏感，微量的水分就会严重影响OLED的发光质量，因此需要确保有机发光单元内部保持干燥。为了避免水分对OLED发光的影响，现有技术利用封装基板（250）阻挡外部水分的入侵，如图1所示。而对于显示基板内部在生产和工作中产生的水分，可通过向显示基板中的各个膜层中加入干燥剂来吸收水分，参见与1，其中所述OLED显示单元的像素定义层（210）中具有干燥剂（260），用于吸收显示单元内部的水分，增强OLED现实单元的稳定性。
 技术问题
像素定义层（210）中的干燥剂会由于吸水膨胀，导致像素定义层与其他膜层分离，在显示单元的侧面产生缝隙，外界的水和氧气可以从显示基板侧面的缝隙侵入有机发光单元，破坏OLED显示单元的结构。
 技术解决方案
本发明提供一种显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器，以解决现有的有机发光二极管显示器中由于像素定义层中的干燥剂吸水膨胀而在显示器侧面产生缝隙从而破坏显示器的密封结构的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供了一种显示单元，所述显示单元包括：
基板；
位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
位于像素定义层上方的发光结构；其中，
所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
根据本发明的其中一个方面，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。
根据本发明的其中一个方面，所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
根据本发明的其中一个方面，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
根据本发明的其中一个方面，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
根据本发明的其中一个方面，所述干燥剂为物理型干燥剂和/或化学型干燥剂，包括硅胶、氧化钙、碳酸钙中的一种或几种的组合；其中，所述干燥剂为具有相同形状的颗粒状固体，均匀的分布在所述第二叠层中。
相应的，本发明还提供了一种显示单元的制作方法，包括以下步骤：
提供基板；
形成位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
形成位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
形成位于阳极金属层上方的像素定义层，并在所述像素定义层上形成具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
形成位于像素定义层上方的发光结构；其中，
所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
根据本发明的其中一个方面，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
根据本发明的其中一个方面，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
根据本发明的其中一个方面，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
相应的，本发明还提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括显示单元，所述显示单元包括：
基板；
位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
位于像素定义层上方的发光结构；其中，
所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
根据本发明的其中一个方面，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。
根据本发明的其中一个方面，所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
根据本发明的其中一个方面，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
根据本发明的其中一个方面，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
根据本发明的其中一个方面，所述干燥剂为物理型干燥剂和/或化学型干燥剂，包括硅胶、氧化钙、碳酸钙中的一种或几种的组合；其中，所述干燥剂为具有相同形状的颗粒状固体，均匀的分布在所述第二叠层中。
 有益效果
本发明公开了一种提供了一种有机发光二极管显示器的显示单元及其制作方法，通过将像素定义层制作成双层和/或多层的叠层结构，并在叠层结构的上层加入干燥剂，从而阻隔显示基板中的水分对有机发光单元的入侵。另一方面，使用主链上带有官能团的高分子聚合物作为构成所述双层和/或多层的叠层结构的材料（官能团可以是烯基、羧基、胺基等），随着高分子主链上官能团的进一步反应，所述双层和/或多层的叠层结构的边界连接紧密，从而抑制干燥剂吸水后发生的膜层分离。
 附图说明
图1为现有技术中的显示单元的阳极部分的结构示意图；
图2至图7为本发明具体实施方式中显示单元的阳极部分的结构示意图；
图8至图9为本发明的另一个具体实施方式中显示单元的阳极部分的结构示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
首先参考附图1对现有技术进行简要说明。图1为现有技术中的显示单元的阳极部分的结构示意图，其中，所述显示单元包括基板100；位于基板100上方的缓冲层110；位于缓冲层110上方的多晶硅层120，所述多晶硅层120包括沟道区120a、重掺杂区120b和120c；位于所述多晶硅层120上方的第一栅极绝缘层130；位于所述第一栅极绝缘层130上方的第一金属栅极层140；覆盖所述第一金属栅极140和所述第一栅极绝缘层130的第二栅极绝缘层150；位于所述栅极绝缘层150上方的第二金属栅极层160；覆盖所述第二金属栅极160和所述第二栅极绝缘层150的层间介质层170；贯穿所述层间介质层170和所述第二栅极绝缘层150并分别与重掺杂区120b和120c相连的源漏走线层180；覆盖所述源漏走线层180和层间介质层170的有机平坦层190；贯穿所述有机平坦层190并与所述源漏走线层相连接的阳极金属层200；位于阳极金属层200上方的像素定义层210，所述像素定义层上具有位于阳极金属层200上方并贯穿所述像素定义层210的连通孔；以及位于所述像素定义层上方的发光结构和封装基板250。
由于有机发光单元对水分非常敏感，微量的水分就会严重影响发光结构的发光质量。如图1所示，为了避免水分对有机发光二极管的影响，现有技术利用封装基板250阻挡外部水分的入侵。而对于显示单元在生产和工作中产生的水分，可通过向显示单元的像素定义层210中加入干燥剂260来去除。然而，当像素定义层210中加入干燥剂后，随着干燥剂对水分的吸收，像素定义层会随之发生膨胀，导致像素定义层210与其他膜层的分离，因此加剧外界水、氧从显示基板一侧对有机发光单元的入侵。
针对上述问题，本发明提供一种显示单元、显示单元的制作方法和有机发光二极管显示器，以解决现有的有机发光二极管显示器中由于像素定义层中的干燥剂吸水膨胀而在显示器侧面产生缝隙从而破坏显示器的密封结构的技术问题。下面将结合附图队本发明进行详细说明。
参见图7，本发明提供了一种显示单元，所述显示单元包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；位于像素定义层上方的发光结构；其中，所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。所述干燥剂为物理型干燥剂和/或化学型干燥剂，包括硅胶、氧化钙、碳酸钙中的一种或几种的组合；其中，所述干燥剂为具有相同形状的颗粒状固体，均匀的分布在所述第二叠层210b中。
在本实施例中，所述显示单元还包括位于基板100上方的缓冲层110。具体的，所述薄膜晶体管层包括：位于缓冲层110上方的多晶硅层120，所述多晶硅层120包括沟道区120a、重掺杂区120b和120c；位于所述多晶硅层120上方的第一栅极绝缘层130；位于所述第一栅极绝缘层130上方的第一金属栅极层140；覆盖所述第一金属栅极140和所述第一栅极绝缘层130的第二栅极绝缘层150；位于所述栅极绝缘层150上方的第二金属栅极层160；覆盖所述第二金属栅极160和所述第二栅极绝缘层150的层间介质层170；贯穿所述层间介质层170和所述第二栅极绝缘层150并分别与重掺杂区120b和120c相连的源漏走线层180；覆盖所述源漏走线层180和层间介质层170的有机平坦层190。其中，所述阳极金属层200贯穿所述有机平坦层190，并与所述源漏走线层相连接。所述发光单元还包括位于所述像素定义层上方的发光结构和封装基板250。
具体的，在本实施例中，所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层210a和位于所述第一叠层210a上方的第二叠层210b，所述第二叠层210b中具有均匀分布的干燥剂260。其中，所述第一叠层210a由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；所述第二叠层210b由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。当温度升高后，第一叠层210a和第二叠层210b相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。所述致密的网状结构能够使第一叠层210a上方的第二叠层210b的边界连接紧密，从而抑制干燥剂吸水后发生的膜层分离。
优选的，为了简化工艺，本事实例中构成所述第一叠层210a的高分子材料和构成所述第二叠层210b的高分子材料相同，且所述第一叠层210a和第二叠层210b的高度比为1:1到1:2之间。
在本发明的另一个实施例中，为了更好的抑制干燥剂吸水后发生的膜层分离现象，如图9所示，所述像素定义层还包括位于第二叠层210b上方的第四叠层210c，所述第四叠层210c具有和所述第一叠层210a相同的结构和材料。第四叠层210c能够在二叠层210b和第四叠层210c之间形成与第三叠层相同的致密的网状结构，进一步抑制所述像素定义层与其上层的金属电极和发光结构之间可能产生的膜层分离现象。
相应的，本发明还提供了一种显示单元的制作方法，包括以下步骤：
提供基板；
形成位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
形成位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
形成位于阳极金属层上方的像素定义层，并在所述像素定义层上形成具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
形成位于像素定义层上方的发光结构；其中，
所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
下面将结合图2至图7对上述方法进行详细说明。
首先，参见图2，提供基板100；在所述基板100上方形成缓冲层110；在缓冲层110上方沉积并刻蚀形成图案化的多晶硅层120，所述多晶硅层120包括沟道区120a、重掺杂区120b和120c；在所述多晶硅层120上方形成第一栅极绝缘层130；在所述第一栅极绝缘层130上方沉积并刻蚀形成图案化的第一金属栅极层140；覆盖所述第一金属栅极140和所述第一栅极绝缘层130形成第二栅极绝缘层150；在所述栅极绝缘层150上方形成第二金属栅极层160；覆盖所述第二金属栅极160和所述第二栅极绝缘层150形成层间介质层170；贯穿所述层间介质层170和所述第二栅极绝缘层150并分别与重掺杂区120b和120c相连形成源漏走线层180；覆盖所述源漏走线层180和层间介质层170形成有机平坦层190；贯穿所述有机平坦层190并与所述源漏走线层相连接形成阳极金属层200。
接下来，参见图3，在所述杨金金属层200上方涂布第一叠层210a。具体的，所述第一叠层210a由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。
之后，参见图4，在所述第一叠层210a上方形成带有干燥剂260的第二叠层210b，所述第二叠层210b由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层210a和第二叠层210b相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
优选的，为了简化工艺，节约成本，构成所述第一叠层210a的高分子材料和构成所述第二叠层210b的高分子材料相同，且所述第一叠层210a和第二叠层210b的高度比为1:1到1:2之间。
之后，参见图5，通过曝光、显影并固化形成图案化像素定义层，即第一叠层210a和第二叠层210b，并暴露出部分阳极金属层200。之后，参见图6，在第二叠层210b上涂布、曝光、显影并固化形成图案化隔垫物220。最后，参见图7，在所述像素定义层上方形成发光结构和封装结构250。
优选的，在本发明的另一个实施例中，为了更好的抑制干燥剂吸水后发生的膜层分离现象，如图8所示，在形成第二叠层210b之后，还包括以下步骤：在所述第二叠层210b形成上方的第四叠层210c，所述第四叠层210c具有和所述第一叠层210a相同的结构和材料。第四叠层210c能够在二叠层210b和第四叠层210c之间形成与第三叠层相同的致密的网状结构，进一步抑制所述像素定义层与其上层的金属电极和发光结构之间可能产生的膜层分离现象。
相应的，本发明还提供了一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括显示单元，所述显示单元包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；位于像素定义层上方的发光结构；其中，所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
本发明公开了一种提供了一种有机发光二极管显示器的显示单元及其制作方法，通过将像素定义层制作成双层和/或多层的叠层结构，并在叠层结构的上层加入干燥剂，从而阻隔显示基板中的水分对有机发光单元的入侵。另一方面，使用主链上带有官能团的高分子聚合物作为构成所述双层和/或多层的叠层结构的材料随着高分子主链上官能团的进一步反应，所述双层和/或多层的叠层结构的边界连接紧密，从而抑制干燥剂吸水后发生的膜层分离。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (16)

  1. 一种显示单元，其中，所述显示单元包括：
    基板；
    位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
    位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
    位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
    位于像素定义层上方的发光结构；其中，
    所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
  2. 根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。
  3. 根据权利要求2所述的显示单元，其中，所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
  4. 根据权利要求3所述的显示单元，其中，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
  5. 根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
  6. 根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述干燥剂为物理型干燥剂和/或化学型干燥剂，包括硅胶、氧化钙、碳酸钙中的一种或几种的组合；其中，所述干燥剂为具有相同形状的颗粒状固体，均匀的分布在所述第二叠层中。
  7. 一种显示单元的制作方法，其中，包括以下步骤：
    提供基板；
    形成位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
    形成位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
    形成位于阳极金属层上方的像素定义层，并在所述像素定义层上形成具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
    形成位于像素定义层上方的发光结构；其中，
    所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
  8. 根据权利要求7所述的显示单元的制作方法，其中，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
  9. 根据权利要求8所述的显示单元的制作方法，其中，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
  10. 根据权利要求7所述的显示单元的制作方法，其中，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
  11. 一种有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器包括显示单元，所述显示单元包括：
    基板；
    位于所述基板上方的薄膜晶体管层；
    位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏走线层相连接的阳极金属层；
    位于阳极金属层上方的像素定义层，所述像素定义层上具有贯穿所述像素定义层的连通孔；
    位于像素定义层上方的发光结构；其中，
    所述像素定义层包括位于所述阳极金属层上方的第一叠层和位于所述第一叠层上方的第二叠层，所述第二叠层中具有均匀分布的干燥剂。
  12. 根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一叠层由带有第一官能团的高分子材料构成，所述第一官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种。
  13. 根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二叠层由带有第二官能团的高分子材料构成，所述第二官能团包括烯基、羧基、胺基中的一种或多种；其中，当温度升高后，第一叠层和第二叠层相邻处的第二官能团和第一官能团能够发生化学反应，形成第三叠层，所述第三叠层为致密的网状结构。
  14. 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，构成所述第一叠层的高分子材料和构成所述第二叠层的高分子材料相同，且所述第一叠层和第二叠层的高度比为1:1到1:2之间。
  15. 根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素定义层还包括位于第二叠层上方的第四叠层，所述第四叠层具有和所述第一叠层相同的结构和材料。
  16. 根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中，所述干燥剂为物理型干燥剂和/或化学型干燥剂，包括硅胶、氧化钙、碳酸钙中的一种或几种的组合；其中，所述干燥剂为具有相同形状的颗粒状固体，均匀的分布在所述第二叠层中。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10930814B1 (en) * 2019-09-11 2021-02-23 Jade Bird Display (shanghai) Limited Method of manufacturing multi-color light emitting pixel unit
CN111463250A (zh) * 2020-04-14 2020-07-28 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103972267A (zh) * 2014-04-16 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示装置
CN105390620A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 昆山国显光电有限公司 Oled器件及其制备方法和显示器
CN105826357A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及oled显示装置
US9799712B2 (en) * 2016-01-15 2017-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting display device with reduced pressure drying
CN207116481U (zh) * 2017-08-31 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
CN108511631A (zh) * 2018-06-08 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20140127688A (ko) * 2013-04-25 2014-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102471668B1 (ko) * 2014-11-10 2022-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102370715B1 (ko) * 2014-12-29 2022-03-07 엘지디스플레이 주식회사 양자점을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치
KR102355529B1 (ko) * 2017-08-07 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103972267A (zh) * 2014-04-16 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示装置
CN105390620A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 昆山国显光电有限公司 Oled器件及其制备方法和显示器
US9799712B2 (en) * 2016-01-15 2017-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting display device with reduced pressure drying
CN105826357A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及oled显示装置
CN207116481U (zh) * 2017-08-31 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
CN108511631A (zh) * 2018-06-08 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置

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