WO2020093464A1 - 一种显示面板的制作方法及其显示面板 - Google Patents

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thin film
film transistor
conductive
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陈皓
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G—PHYSICS
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular, to a method for manufacturing a display panel and a display panel thereof.
  • the binding area is provided with an external pin end for contacting the COF substrate with the data line and the scanning line.
  • the conductive material is printed on the side of the glass or screen-printed to form a conduction with the metal coating layer (Pad) in the Array (thin film transistor array substrate).
  • a method for manufacturing a display panel includes:
  • the line width of the lead is 35-80 microns; the line width of the dam is 5-100 microns.
  • step S70 at least two sub-boards are simultaneously immersed in the conductive fluid material.
  • the conductive fluid material is conductive silver paste or conductive ink.
  • the etching method is laser etching.
  • a method for manufacturing a display panel includes:
  • step S70 at least two sub-boards are simultaneously immersed in the conductive fluid material.
  • the line width of the lead is 35-80 microns.
  • the line width of the dam is 5-100 microns.
  • the conductive fluid material is conductive silver paste or conductive ink.
  • the etching method is laser etching.
  • the invention also provides a display panel, including:
  • the line width of the lead is 35-80 microns.
  • the line width of the dam is 5-100 microns.
  • the conductive fluid material is conductive silver paste or conductive ink.
  • the conductive fluid material is introduced into the accommodating cavity through the notch by siphoning. After the conductive fluid material is cured, a conductive layer is formed to realize the metal coating layer on the surface of the thin film transistor substrate and the glass side guide It can achieve ultra-narrow bezel display without special jig screen, saving cost.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a manufacturing process of a display panel in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of forming a metal coating layer in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of forming a photoresist in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a first viewing angle after photolithography of a photoresist in a specific embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a second viewing angle after photolithography of a photoresist in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of the assembly of the thin film transistor substrate and the color filter substrate in the specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of forming a conductive layer in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of a display panel in a specific embodiment of the present invention.
  • Thin film transistor substrate 20, color filter substrate; 30, lead; 40, photoresist; 50, dam; 60, containing cavity; 70, conductive fluid material; 80, conductive layer.
  • the present invention is directed to the manufacturing of existing display panels.
  • the use of pad printing or screen printing to form a conductive layer on the side of the glass requires a special jig screen, which results in higher losses, resulting in higher production costs.
  • the present invention can solve the above problems.
  • a manufacturing method of a display panel as shown in FIG. 1, the manufacturing method of the display panel includes:
  • the conductive fluid material 70 enters the accommodating cavity through the gap by siphoning, and the conductive fluid material solidifies to form a conductive layer, so that the metal coating layer on the surface of the thin film transistor substrate is connected to the glass side, thereby Realize ultra-narrow bezel display, without special jig screen, saving costs.
  • a metal plating layer is formed on the bonding region of the thin film transistor substrate 10, and the metal plating layer includes at least two leads 30.
  • the line width of the lead 30 is 35-80 ⁇ m. In this preferred embodiment, the line width of the lead 30 is preferably 50 ⁇ m.
  • Step S30 As shown in FIG. 3, a photoresist 40 covering the metal plating layer is formed on the thin film transistor substrate 10.
  • Step S40 photolithography the photoresist 40 to form a dam 50 corresponding one-to-one with the lead 30, and a conductive fluid-containing material is formed between the dam 50 and the corresponding lead 30
  • the accommodating cavity 60 of 70, the accommodating cavity 60 extends away from the array substrate to form a notch.
  • the dam 50 formed by the photoresist 40 isolates the leads 30 from each other, prevents mutual interference between the leads 30, and at the same time forms a receiving cavity 60 containing the conductive fluid material 70, so as to facilitate subsequent contact of the conductive fluid material 70 with the lead 30.
  • the line width of the dam 50 is 5-100 microns, and in this preferred embodiment, the line width of the dam 50 is preferably 10 microns.
  • steps S50 and S60 as shown in FIG. 6, the thin film transistor substrate 10 and the color filter substrate 20 are assembled to form a substrate group, and the substrate group is cut to form at least two sub-plates.
  • step S70 as shown in FIG. 7, at least one side of the sub-plate having a metal coating layer pattern is immersed in the conductive fluid material 70, and a conductive layer 80 extending to the side of the thin film transistor substrate 10 is formed in the receiving cavity 60.
  • the conductive layer 80 is in contact with the lead 30.
  • step S70 at least two sub-boards are simultaneously immersed in the conductive fluid material 70.
  • multiple sub-boards can be processed at the same time, thereby improving work efficiency and reducing production costs.
  • the conductive fluid material 70 is conductive silver paste or conductive ink.
  • Step S80 as shown in FIG. 8, the conductive layer 80 is etched to form a pattern of the conductive layer 80.
  • the method of etching the conductive layer 80 is preferably laser etching, and the laser preferably has infrared light with a wavelength of 1064 nm, but it is not limited to this; it can be understood that in specific implementation, other methods can also be used.
  • the conductive layer 80 is etched by the etching method.
  • the present invention also provides a display panel.
  • the display panel includes a thin film transistor substrate 10, a color filter substrate 20, and a substrate provided on the thin film transistor substrate 10
  • a metal coating layer on the binding area, the metal coating layer includes at least two leads 30.
  • the lead 30 is provided with a dam 50 corresponding to it one by one, a receiving cavity 60 is formed between the dam 50 and the corresponding lead 30, the receiving cavity 60 extends away from the array substrate to form a gap,
  • the accommodating cavity 60 is filled with a conductive layer 80 extending to the side of the thin film transistor substrate 10, and the conductive layer 80 is in contact with the lead 30.
  • the accommodating cavity 60 is used for accommodating the conductive layer 80, and after the conductive layer 80 is formed, it is in contact with the lead 30, thereby achieving conduction between the metal plating layer on the surface of the thin film transistor substrate 10 and the glass side, and achieving ultra-narrow bezel display.
  • the line width of the lead 30 is 35-80 ⁇ m. In this preferred embodiment, the line width of the lead 30 is preferably 50 ⁇ m.
  • the line width of the dam 50 is 5-100 microns, and in this preferred embodiment, the line width of the dam 50 is preferably 10 microns.
  • the conductive fluid material 70 is conductive silver paste or conductive ink.
  • the beneficial effects of the present invention are: after the cut sub-board is placed in the conductive fluid material 70, the conductive fluid material 70 enters the accommodating cavity 60 through the gap by siphoning, and the conductive fluid material 70 solidifies to form the conductive layer 80 to realize the thin film transistor
  • the metal coating layer on the surface of the substrate 10 is in conduction with the side surface of the glass to realize ultra-narrow bezel display, without a special jig screen, saving costs.

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Abstract

一种显示面板的制作方法，包括：在薄膜晶体管基板（10）上形成引线（30）；在薄膜晶体管基板（10）上形成覆盖引线（30）的光阻（40）；对光阻（40）进行光刻，以形成围坝（50）；将薄膜晶体管基板（10）与彩膜基板（20）进行拼装以形成基板组；切割基板组以形成至少两块分板；将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料（70）中，形成导电层（80）。

Description

一种显示面板的制作方法及其显示面板 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法及其显示面板。
 背景技术
近些年来液晶显示行业不断发展，面板外观有逐渐变窄的趋势，通过减小外接引脚端（OLB）区边框宽度，来实现极致化液晶显示产品的外观无边框视觉感。
液晶显示器在制作过程中由于液晶驱动的需要，需要预留驱动线路的绑定区，该绑定区中设置用于对COF基板与数据线和扫描线进行接触的外接引脚端，现有技术是在玻璃侧面移印或丝印导电材料，与Array（薄膜晶体管阵列基板）面内金属镀膜层（Pad)形成导通。
但是采用移印或丝印方法需要专用治具网版，且损耗大，从而导致生产成本较高。
 技术问题
采用移印或丝印方法需要专用治具网版，导致生产成本较高。
 技术解决方案
一种显示面板的制作方法，包括：
S10、提供一薄膜晶体管基板和彩膜基板；
S20、在所述薄膜晶体管基板的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
S30、在所述薄膜晶体管基板上形成覆盖金属镀膜层的光阻；
S40、对光阻进行光刻，以形成与引线一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳导电流体材料的容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口；
S50、将薄膜晶体管基板与彩膜基板进行拼装以形成基板组；
S60、切割基板组以形成至少两块分板；
S70、将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料中，在容纳腔中形成延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触；
S80、对导电层进行蚀刻，形成导电层图形；
其中，所述引线的线宽为35～80微米；所述围坝的线宽为5～100微米。
优选的，在步骤S70中，将至少两块分板同时浸入导电流体材料中。
优选的，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
优选的，在所述步骤S80中，蚀刻方式为激光蚀刻。
一种显示面板的制作方法，包括：
S10、提供一薄膜晶体管基板和彩膜基板；
S20、在所述薄膜晶体管基板的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
S30、在所述薄膜晶体管基板上形成覆盖金属镀膜层的光阻；
S40、对光阻进行光刻，以形成与引线一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳导电流体材料的容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口；
S50、将薄膜晶体管基板与彩膜基板进行拼装以形成基板组；
S60、切割基板组以形成至少两块分板；
S70、将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料中，在容纳腔中形成延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触；
S80、对导电层进行蚀刻，形成导电层图形。
优选的，在步骤S70中，将至少两块分板同时浸入导电流体材料中。
优选的，所述引线的线宽为35～80微米。
优选的，所述围坝的线宽为5～100微米。
优选的，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
优选的，在所述步骤S80中，蚀刻方式为激光蚀刻。
本发明还提供一种显示面板，包括：
薄膜晶体管基板；
彩膜基板；以及
设置在所述薄膜晶体管基板的绑定区上的金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；其中，所述引线上设置有与其一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口，所述容纳腔中填充有延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触。
优选的，所述引线的线宽为35～80微米。
优选的，所述围坝的线宽为5～100微米。
优选的，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
 有益效果
将切割后的分板放入导电流体材料中后，利用虹吸使导电流体材料通过缺口进入容纳腔，导电流体材料固化后形成导电层，实现薄膜晶体管基板的面内的金属镀膜层与玻璃侧面导通，实现超窄边框显示，无需专用的治具网版，节省成本。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施方式中显示面板的制作流程示意图；
图2为本发明具体实施方式中形成金属镀膜层时的示意图；
图3为本发明具体实施方式中形成光阻时的示意图；
图4为本发明具体实施方式中对光阻进行光刻后的第一视角的示意图；
图5为本发明具体实施方式中对光阻进行光刻后的第二视角的示意图；
图6为本发明具体实施方式中薄膜晶体管基板与彩膜基板拼装后的示意图；
图7为本发明具体实施方式中形成导电层时的示意图；
图8为本发明具体实施方式中显示面板的结构示意图。
附图标记：
10、薄膜晶体管基板；20、彩膜基板；30、引线；40、光阻；50、围坝；60、容纳腔；70、导电流体材料；80、导电层。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的显示面板制作中，采用移印或丝印方法在玻璃侧面形成导电层需要专用治具网版，损耗较大，从而导致生产成本较高，本发明可以解决上述问题。
一种显示面板的制作方法，如图1所示，所述显示面板的制作方法包括：
S10、提供一薄膜晶体管基板和彩膜基板；
S20、在所述薄膜晶体管基板的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
S30、在所述薄膜晶体管基板上形成覆盖金属镀膜层的光阻；
S40、对光阻进行光刻，以形成与引线一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳导电流体材料的容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口；
S50、将薄膜晶体管基板与彩膜基板进行拼装以形成基板组；
S60、切割基板组以形成至少两块分板；
S70、将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料中，在容纳腔中形成延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触；
S80、对导电层进行蚀刻，形成导电层图形。
将分板放入导电流体材料中后，利用虹吸使导电流体材料70通过缺口进入容纳腔，导电流体材料固化后形成导电层，实现薄膜晶体管基板面内的金属镀膜层与玻璃侧面导通，从而实现超窄边框显示，无需专用的治具网版，节省成本。
具体的，步骤S20、如图2所示，在所述薄膜晶体管基板10的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线30。
其中，所述引线30的线宽为35～80微米，在本优选实施例中，所述引线30的线宽优选为50微米。
步骤S30、如图3所示，在所述薄膜晶体管基板10上形成覆盖金属镀膜层的光阻40。
步骤S40，如图4和图5所示，对光阻40进行光刻，以形成与引线30一一对应的围坝50，所述围坝50与对应的引线30之间形成容纳导电流体材料70的容纳腔60，所述容纳腔60向远离阵列基板方向延伸以形成缺口。
利用光阻40形成的围坝50将引线30相互隔离，防止引线30之间产生相互干扰，同时形成容纳导电流体材料70的容纳腔60，以便于后续导电流体材料70与引线30的接触。
其中，所述围坝50的线宽为5～100微米，在本优选实施例中，所述围坝50的线宽优选为10微米。
步骤S50和步骤S60，如图6所示，将薄膜晶体管基板10与彩膜基板20进行拼装以形成基板组，并切割基板组以形成至少两块分板。
步骤S70，如图7所示，将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料70中，在容纳腔60中形成延伸到薄膜晶体管基板10的侧边的导电层80，所述导电层80与所述引线30接触。
具体的，在步骤S70中，将至少两块分板同时浸入导电流体材料70中。一个处理周期内，可同时处理多块分板，从而提高工作效率，降低生产成本。
其中，所述导电流体材料70为导电银浆或导电油墨。
步骤S80，如图8所示，对导电层80进行蚀刻，形成导电层80图形。
其中，在本实施例中，对导电层80进行蚀刻的方式优选为激光蚀刻，激光优选波长为1064纳米的红外光，但不限于此；可以理解的是，在具体实施中，也可选用其他蚀刻方式对导电层80进行蚀刻。
基于上述显示面板的制作方法，本发明还提供一种显示面板，如图7和图8所示，所述显示面板包括薄膜晶体管基板10、彩膜基板20以及设置在所述薄膜晶体管基板10的绑定区上的金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线30。
其中，所述引线30上设置有与其一一对应的围坝50，所述围坝50与对应的引线30之间形成容纳腔60，所述容纳腔60向远离阵列基板方向延伸以形成缺口，所述容纳腔60中填充有延伸到薄膜晶体管基板10的侧边的导电层80，所述导电层80与所述引线30接触。
利用容纳腔60容纳导电层80，使导电层80形成后与引线30接触，从而实现薄膜晶体管基板10面内的金属镀膜层与玻璃侧面导通，实现超窄边框显示。
其中，所述引线30的线宽为35～80微米，在本优选实施例中，所述引线30的线宽优选为50微米。
其中，所述围坝50的线宽为5～100微米，在本优选实施例中，所述围坝50的线宽优选为10微米。
其中，所述导电流体材料70为导电银浆或导电油墨。
本发明的有益效果为：将切割后的分板放入导电流体材料70中后，利用虹吸使导电流体材料70通过缺口进入容纳腔60，导电流体材料70固化后形成导电层80，实现薄膜晶体管基板10的面内的金属镀膜层与玻璃侧面导通，实现超窄边框显示，无需专用的治具网版，节省成本。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (14)

  1. 一种显示面板的制作方法，其中，所述显示面板的制作方法包括：
    S10、提供一薄膜晶体管基板和彩膜基板；
    S20、在所述薄膜晶体管基板的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
    S30、在所述薄膜晶体管基板上形成覆盖所述金属镀膜层的光阻；
    S40、对光阻进行光刻，以形成与引线一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳导电流体材料的容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口；
    S50、将薄膜晶体管基板与彩膜基板进行拼装以形成基板组；
    S60、切割基板组以形成至少两块分板；
    S70、将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料中，在容纳腔中形成延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触；
    S80、对导电层进行蚀刻，形成导电层图形；
    其中，所述引线的线宽为35～80微米；所述围坝的线宽为5～100微米。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其中，在步骤S70中，将至少两块分板同时浸入导电流体材料中。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其中，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
  4. 根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其中，在所述步骤S80中，蚀刻方式为激光蚀刻。
  5. 一种显示面板的制作方法，其中，所述显示面板的制作方法包括：
    S10、提供一薄膜晶体管基板和彩膜基板；
    S20、在所述薄膜晶体管基板的绑定区形成金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
    S30、在所述薄膜晶体管基板上形成覆盖所述金属镀膜层的光阻；
    S40、对光阻进行光刻，以形成与引线一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳导电流体材料的容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口；
    S50、将薄膜晶体管基板与彩膜基板进行拼装以形成基板组；
    S60、切割基板组以形成至少两块分板；
    S70、将至少一块分板具有金属镀膜层图形的一侧浸入导电流体材料中，在容纳腔中形成延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触；
    S80、对导电层进行蚀刻，形成导电层图形。
  6. 根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其中，在步骤S70中，将至少两块分板同时浸入导电流体材料中。
  7. 根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其中，所述引线的线宽为35～80微米。
  8. 根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其中，所述围坝的线宽为5～100微米。
  9. 根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其中，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
  10. 根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其中，在所述步骤S80中，蚀刻方式为激光蚀刻。
  11. 一种显示面板，其中，所述显示面板包括：
    薄膜晶体管基板；
    彩膜基板；以及
    设置在所述薄膜晶体管基板的绑定区上的金属镀膜层，所述金属镀膜层包括至少两条引线；
    其中，所述引线上设置有与其一一对应的围坝，所述围坝与对应的引线之间形成容纳腔，所述容纳腔向远离阵列基板方向延伸以形成缺口，所述容纳腔中填充有延伸到薄膜晶体管基板的侧边的导电层，所述导电层与所述引线接触。
  12. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述引线的线宽为35～80微米。
  13. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述围坝的线宽为5～100微米。
  14. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述导电流体材料为导电银浆或导电油墨。
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