WO2020062742A1 - Oled 面板以及制备方法 - Google Patents

Oled 面板以及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020062742A1
WO2020062742A1 PCT/CN2019/073037 CN2019073037W WO2020062742A1 WO 2020062742 A1 WO2020062742 A1 WO 2020062742A1 CN 2019073037 W CN2019073037 W CN 2019073037W WO 2020062742 A1 WO2020062742 A1 WO 2020062742A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
inorganic
side wall
layer
wall
inorganic layer
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/073037
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
张兴永
Original Assignee
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/322,955 priority Critical patent/US20210359243A1/en
Publication of WO2020062742A1 publication Critical patent/WO2020062742A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present application relates to the field of display technology, and in particular, to an OLED panel and a manufacturing method thereof.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • OLED devices are very sensitive to water vapor and oxygen. Therefore, it is generally necessary to prepare OLED devices.
  • the existing preparation method will still make the edge of the OLED device vulnerable to intrusion of water vapor and oxygen, and then cause phenomena such as electrode oxidation, poor chemical reaction of organic materials, or black spots, thereby reducing the service life of the OLED device.
  • the technical problem mainly solved in this application is how to improve the OLED panel's ability to block moisture and oxygen, thereby extending the service life of the OLED panel.
  • the embodiment of the present application provides an OLED panel, which can improve the barrier ability of the OLED panel to water vapor and oxygen, thereby extending the service life of the OLED panel.
  • an OLED panel including:
  • the packaging film includes a first inorganic layer provided on the light emitting substrate, an inorganic barrier wall is provided in an edge region of the first inorganic layer, an organic layer is provided on the first inorganic layer, and the organic layer is Blocked in the inorganic retaining wall, the organic layer is provided with a second inorganic layer covering the first inorganic layer, the organic layer, and the inorganic retaining wall;
  • the inorganic retaining wall includes a plurality of side walls, and the side walls include a first side wall and a second side wall disposed opposite to each other, and a third side wall and a first side wall respectively disposed on both sides of the first side wall.
  • the third side wall and the fourth side wall are oppositely arranged;
  • the material of the inorganic retaining wall is silicon nitride, silicon carbonitride or silicon oxide.
  • the first side wall is connected to the third side wall and the fourth side wall
  • the second side wall is connected to the third side wall and the fourth side wall. They are connected to surround the organic layer with the inorganic retaining wall in an edge region of the first inorganic layer.
  • the inorganic retaining wall further includes a first connection arm, a second connection wall, a third connection arm, and a fourth connection arm;
  • the first connecting arm connects the first sidewall and the third sidewall
  • the second connecting arm connects the first side wall and the fourth side wall
  • the third connecting arm connects the second side wall and the third side wall
  • the fourth connecting arm connects the second side wall and the fourth side wall.
  • any one of the side walls includes a main body portion and bent portions provided at both ends of the main body portion;
  • At least one opening is provided on the bent portion of the first side wall and the second side wall; and / or
  • At least one opening is provided on the bent portion of the third side wall and the fourth side wall.
  • the distance between the bent portion adjacent to the side wall and the center point of the light emitting substrate is different.
  • the material of the organic layer is acrylic, epoxy, or silicone.
  • an OLED panel which includes:
  • the packaging film includes a first inorganic layer provided on the light emitting substrate, an inorganic barrier wall is provided in an edge region of the first inorganic layer, an organic layer is provided on the first inorganic layer, and the organic layer is Blocked in the inorganic retaining wall, the organic layer is provided with a second inorganic layer covering the first inorganic layer, the organic layer, and the inorganic retaining wall.
  • the inorganic retaining wall includes a plurality of side walls, a first side wall and a second side wall opposite to each other, and two sides of the first side wall.
  • the first side wall is connected to the third side wall and the fourth side wall
  • the second side wall is connected to the third side wall and the third side wall.
  • the fourth sidewall is connected to surround the organic layer with the inorganic retaining wall in an edge region of the first inorganic layer.
  • the inorganic retaining wall further includes a first connection arm, a second connection wall, a third connection arm, and a fourth connection arm;
  • the connecting arm connects the first sidewall and the third sidewall
  • the connecting arm connects the first sidewall and the fourth sidewall
  • the connecting arm connects the second side wall and the third side wall
  • the connecting arm connects the second side wall and the fourth side wall.
  • any one of the side walls includes a main body portion and bent portions provided at both ends of the main body portion;
  • At least one opening is provided on the bent portion of the first side wall and the second side wall; and / or,
  • At least one opening is provided on the bent portion of the third side wall and the fourth side wall.
  • the distance between the bent portion adjacent to the side wall and the center point of the light emitting substrate is different.
  • the material of the inorganic retaining wall is silicon nitride, silicon carbonitride or silicon oxide.
  • the present application also provides a method for manufacturing an OLED panel, including:
  • the packaging films including a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer laminated on the light-emitting substrate;
  • An inorganic retaining wall is formed in the edge region.
  • the step of forming at least one set of packaging films on the light-emitting substrate includes:
  • a second inorganic layer is formed on the first inorganic layer, the inorganic retaining wall, and the organic layer.
  • the step of patterning the inorganic barrier layer to form an inorganic barrier wall in an edge region of the first inorganic layer includes:
  • a second mask is used to shield the first inorganic barrier wall and a region on the first inorganic layer that does not need to form the inorganic barrier wall, so as to form a second inorganic barrier wall in an edge region of the first inorganic layer.
  • the first inorganic retaining wall and the second inorganic retaining wall surround the organic layer to form the inorganic retaining wall.
  • the step of patterning the inorganic barrier layer to form an inorganic barrier wall in an edge region of the first inorganic layer includes:
  • An area other than the edge area of the first inorganic layer is masked by a third mask to form an inorganic barrier wall in the edge area of the first inorganic layer.
  • the beneficial effect of the present application is that an inorganic retaining wall is provided at the edge region of the first inorganic layer, so as to achieve the purpose of improving the OLED panel's ability to block water vapor and oxygen, thereby extending the service life of the OLED panel.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of an OLED panel provided by this application;
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a first embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided by the present application;
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a second embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided by the present application;
  • FIG. 4 is a schematic plan view of a third embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided by the present application.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a fourth embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided by the present application.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of a fifth embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided by the present application.
  • FIG. 7 is a schematic flowchart of a method for manufacturing an OLED device of the present application.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of forming at least one set of packaging films on a light-emitting substrate in a method for manufacturing an OLED device provided by the present application;
  • FIG. 9 is a schematic structural diagram of a first embodiment of a first mask plate provided in this application.
  • FIG. 10 is a schematic structural diagram of a first embodiment of a second mask plate provided by the present application.
  • FIG. 11 is a schematic structural diagram of a second embodiment of a first mask plate provided in the present application.
  • FIG. 12 is a schematic structural diagram of a second embodiment of a second mask plate provided in the present application.
  • FIG. 13 is a schematic flow chart of forming a group of packaging films on a light emitting substrate in a method for manufacturing an OLED device provided by the present application;
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of an OLED panel provided by the present application.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of an OLED panel provided by the present application.
  • An embodiment of the present application provides an OLED panel, including:
  • the light emitting substrate 10 and at least one set of packaging films disposed on the light emitting substrate are provided.
  • the packaging film includes a first inorganic layer 101 disposed on the light-emitting substrate 10.
  • An inorganic barrier wall 20 is disposed in an edge region of the first inorganic layer 101.
  • An organic layer 102 is disposed on the first inorganic layer 101 and the organic layer 102 is blocked in the inorganic barrier wall 20.
  • the organic layer 102 is provided with a second inorganic layer 103 covering the first inorganic layer 101, the organic layer 102 and the inorganic barrier wall 20.
  • the light emitting substrate 10 may be a light emitting substrate on which an OLED device is formed, and the light emitting substrate 10 may include various circuit structures and / or substrate structures according to actual needs.
  • At least one set of packaging films is disposed on the light-emitting substrate 10.
  • it may be a set of packaging films, or a plurality of sets of packaging films may be stacked on the light emitting substrate 10.
  • the packaging film includes a first inorganic layer 101 disposed on the light emitting substrate 10, and the first inorganic layer 101 can be prepared on the light emitting substrate 10 by a chemical vapor deposition process. Then, a mask is used to prepare an inorganic retaining wall 20 on the edge region of the first inorganic layer 101 by a chemical vapor deposition process.
  • the method of disposing the organic layer 102 on the first inorganic layer 101 can print an organic layer 102 on the inner side of the inorganic retaining wall 20 by using an inkjet printing process.
  • the material of the organic layer 102 may be acrylic, epoxy resin or silicon resin, which is used to cushion the stress and foreign matter coating of the device during bending and folding.
  • a second inorganic layer 103 covering the first inorganic layer 101, the organic layer 102, and the inorganic barrier wall 20 is prepared on the organic layer 102. It should be noted that the materials of the first inorganic layer 101 and the second inorganic layer 103 may be the same or different.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a first embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided in the present application.
  • the inorganic retaining wall 20 includes a plurality of side walls.
  • the side wall includes a first side wall 201 and a second side wall 202 opposite to each other, and a third side wall 203 and a fourth side wall 204 provided on both sides of the first side wall, respectively.
  • the third side wall 203 and the fourth side wall 204 are oppositely disposed.
  • the first sidewall 201 is connected to the third sidewall 203 and the fourth sidewall 204.
  • the second sidewall 202 is connected to the third sidewall 203 and the fourth sidewall 204 to surround the organic layer 102 disposed on the first inorganic layer 101 in an edge region of the first inorganic layer 101.
  • the inorganic retaining wall 20 further includes a first connection arm 206, a second connection wall 207, a third connection arm 208, and a fourth connection arm 209.
  • the first connecting arm 206 connects the first sidewall 201 and the third sidewall 203.
  • the second connecting wall 207 connects the first sidewall 201 and the fourth sidewall 204.
  • the third connecting arm 208 connects the second sidewall 202 and the third sidewall 203.
  • the fourth connecting arm 209 connects the second sidewall 202 and the fourth sidewall 204.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of a third embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided in the present application.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of a fifth embodiment of an inorganic retaining wall on an OLED panel provided in this application.
  • Any side wall includes a main body portion and bent portions provided at both ends of the main body portion.
  • the bent portion of the first side wall 201 and the second side wall 202 is provided with at least one opening 50 and / or.
  • the bent portions of the third side wall 203 and the fourth side wall 204 are provided with at least one opening 50.
  • the inorganic retaining wall 20 may be configured as shown in FIG. 5 or FIG. 6.
  • an opening 50 in the bent portion of the side wall By providing an opening 50 in the bent portion of the side wall, a path for water and oxygen to invade the device on the light-emitting substrate 10 is increased. Therefore, the ability of the OLED panel to resist water and oxygen is further improved.
  • one or more openings 50 may be provided on the bent portions of the first sidewall 201 and the second sidewall 202, and the bent portions of the third sidewall 203 and the fourth sidewall 204 may be provided.
  • One or more openings 50 are provided, which are determined according to actual conditions, and are not repeated here.
  • the distance between the bent portion of the adjacent side wall and the center point of the light emitting substrate 10 is different.
  • the bent portions of the adjacent sidewalls are, for example, the adjacent first sidewall 201 and the third sidewall 203.
  • the distance from the bent portion of the first side wall 201 to the center point of the light emitting substrate 10 is greater than the distance from the bent portion of the third side wall 203 to the center point of the light emitting substrate 10.
  • the bent portion of the first side wall 201 is disposed on the outer circumferential side of the bent portion of the third side wall 203, thereby further improving the water and oxygen resistance of the light emitting substrate 10.
  • the material of the inorganic retaining wall 20 is silicon nitride, silicon carbonitride, or silicon oxide.
  • FIG. 7 is a schematic flowchart of a method for manufacturing an OLED device of the present application.
  • An embodiment of the present application provides a method for manufacturing an OLED panel, including:
  • the packaging film includes a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer laminated on the light-emitting substrate, and an inorganic barrier wall is formed in an edge region of the first inorganic layer.
  • FIG. 8 is a schematic flowchart of forming at least one set of packaging films on a light-emitting substrate in a method for manufacturing an OLED device provided by the present application.
  • step 120 form at least one set of packaging films on the light-emitting substrate.
  • the packaging films include a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer laminated on the light-emitting substrate.
  • An inorganic retaining wall is formed in the edge region of the device ", and specifically includes the following steps:
  • the light-emitting substrate is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus to prepare a first inorganic layer having a barrier effect of water vapor and oxygen.
  • an opening is first provided in the mask, and the opening corresponds to the area of the inorganic retaining wall. Then, a chemical vapor deposition device is used to transfer the inorganic material to the first inorganic layer through the opening on the mask plate, so as to form an inorganic retaining wall in an edge region of the first inorganic layer.
  • An organic layer is formed on the first inorganic layer and corresponding to an area surrounded by the inorganic retaining wall.
  • an organic layer is formed on the first inorganic layer and corresponding to an area surrounded by the inorganic barrier wall, that is, the inorganic barrier wall is disposed on an edge region of the first inorganic layer.
  • the material of the organic layer may be acrylic, epoxy, or silicone.
  • the thickness of the inorganic retaining wall can be slightly larger than the thickness of the organic layer, which can further improve the ability of the OLED panel to block moisture and oxygen.
  • the light emitting substrate in step 240 is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus, and a second inorganic layer is prepared on the upper surface of the inorganic barrier wall and the organic layer.
  • the mask includes a first mask and a second mask.
  • the step of patterning the inorganic barrier layer to form an inorganic barrier wall in an edge region of the first inorganic layer includes:
  • An area of the first inorganic layer other than the edge area of the first inorganic layer is shielded by a first mask plate, so as to form a first inorganic retaining wall in the edge area of the first inorganic layer.
  • the second mask is used to shield the first inorganic barrier wall and the area on the first inorganic layer that does not need to form an inorganic barrier wall, so as to form a second inorganic barrier wall in the edge region of the first inorganic layer.
  • the first inorganic retaining wall and the second inorganic retaining wall surround the organic layer to form an inorganic retaining wall.
  • a first opening region 601 and a second opening region 602 are provided on the first mask plate 60.
  • the first opening region 601 corresponds to the first sidewall 201
  • the second opening region 602 corresponds to the second sidewall 202.
  • the first mask plate 60 is disposed above the light-emitting substrate 10, and the first mask layer 60 is used to shield the area of the first inorganic layer 101 other than the edge area of the first inorganic layer 101 so as to cover the first inorganic layer 101.
  • the edge region forms a first inorganic retaining wall. That is, the first sidewall 101 and the second sidewall 102.
  • a third opening region 701 and a fourth opening region 702 are provided on the second mask plate 70.
  • the first opening region 701 corresponds to the third sidewall 203
  • the second opening region 702 corresponds to the fourth sidewall 204.
  • the second mask plate 70 is disposed above the light-emitting substrate 10, and the second mask plate 70 is used to shield the first side wall 101, the second side wall 102, and the area of the first inorganic layer 101 without forming the inorganic barrier wall 20.
  • a second inorganic barrier wall that is, a third sidewall 203 and a fourth sidewall 204 is formed in an edge region of the first inorganic layer 101.
  • the first inorganic retaining wall and the second inorganic retaining wall surround the organic layer to form an inorganic retaining wall 20 (should be shown in the figure).
  • the step of patterning the inorganic barrier layer to form an inorganic barrier wall in an edge region of the first inorganic layer includes the following steps:
  • a third mask is used to mask the area of the first inorganic layer other than the edge area of the first inorganic layer to form an inorganic retaining wall in the edge area of the first inorganic layer.
  • FIG. 11 is a schematic structural diagram of a second embodiment of a first mask plate provided in the present application
  • FIG. 12 The structural schematic diagram of the second implementation manner of the two mask plates, the specific implementation manner is similar to the above embodiment, and is not repeated here.
  • FIG. 13 is a schematic flow chart of forming a set of packaging films on a light-emitting substrate in a method for manufacturing an OLED device provided by the present application.
  • step 120 forms at least one set of packaging films on the light-emitting substrate.
  • the packaging films include a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer laminated on the light-emitting substrate.
  • Inorganic retaining wall is formed in the edge area ", including the following steps:
  • a light emitting substrate 10 is provided, as shown in FIG. 14.
  • An OLED device is formed on the light-emitting substrate 10.
  • the light emitting substrate 10 is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus, and a third inorganic layer 104 is prepared on the light emitting substrate 10, as shown in FIG. 15.
  • the light-emitting substrate 10 having the third inorganic layer 104 prepared in 310 is used, and a photoresist layer 105 is formed on the third inorganic layer 104.
  • a photoresist layer 105 having a thickness of 2 to 3 micrometers can be formed on the third inorganic layer 104 by means of a spin coating film. Then, the photoresist layer is formed with a photoresist pattern 1051 in an edge region of the first organic layer 101 after a process of UV curing and exposure for development.
  • the third inorganic layer 104 not covered by the photoresist pattern is removed by a dry etching process, and the third inorganic layer 104 covered by the photoresist pattern 1051 remains, that is, the remaining third
  • the inorganic layer 104 is an inorganic pad 1041.
  • the light-emitting substrate 10 prepared in 330 is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus.
  • a first inorganic layer 101 is prepared, and the first inorganic layer 101 and the inorganic pad 1041 are stacked to form an inorganic barrier wall 20 on an edge region of the organic layer.
  • the third inorganic layer 104 not covered by the photoresist pattern 1051 needs to be removed by a dry etching process to obtain an inorganic pad 1041.
  • the light-emitting substrate 10 is then transferred to a hydrofluoroether solution and immersed for several hours to remove the photoresist pattern 1051. Preferably, the soaking time may be 2 hours.
  • the light-emitting substrate 10 is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus, and a first inorganic layer 101 is plated on the light-emitting substrate 10 and the inorganic pad 1041, and the first inorganic layer 101 and the inorganic pad 1041 are plated. Stacked to form an inorganic barrier wall 20 in an edge region of the organic layer 102.
  • an organic layer 102 is formed on the first inorganic layer 101 and corresponding to an area surrounded by the inorganic barrier wall 20, that is, the inorganic barrier wall 20 is disposed at an edge region of the first organic layer 101 on.
  • the material of the organic layer 102 may be acrylic, epoxy or silicon resin.
  • the thickness of the inorganic retaining wall 20 may be slightly larger than the thickness of the organic layer 102.
  • the inorganic retaining wall 20 defines the boundary of the organic layer 102.
  • the luminescent substrate 10 in step 305 is transferred to a reaction chamber of a chemical vapor deposition apparatus by a chemical vapor deposition method, and a first Two inorganic layers 103.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of an OLED panel provided in the present application.
  • Two sets of thin films can be formed on the light-emitting substrate 10.
  • steps of forming each group of films please refer to the previous embodiments, which will not be repeated here.
  • an inorganic barrier wall 20 is formed in an edge region of the first inorganic layer 101, which improves the OLED panel's ability to block water vapor and oxygen, thereby extending the service life of the OLED panel.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供的OLED面板以及制备方法，包括：发光基板，以及设置在发光基板上至少一组封装薄膜；其中，封装薄膜包括设置在发光基板上的第一无机层，第一无机层的边缘区域设置有无机挡墙，第一无机层上设置有有机层且有机层被阻挡在无机挡墙内，有机层上设有覆盖第一无机层、有机层和无机挡墙的第二无机层。

Description

OLED面板以及制备方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED面板以及制备方法。
 背景技术
有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）作为一种电流型发光器件。因其具有自发光、色彩丰富、响应速度快、视角广以及重量轻等优点，所以可做成柔性显示屏而受到广泛关注。
然而，OLED器件对水汽和氧气非常敏感。因此，通常需要对OLED器件进行制备。现有的制备方法依然会使得OLED器件的边缘容易受到水汽和氧气入侵，进而造成如电极氧化、有机材料化学反应不良或者黑点等现象，从而导致OLED器件的使用寿命降低。
因此，有必要提供一种OLED面板以及制备方法，以解决现有技术所存在的问题。
 技术问题
本申请主要解决的技术问题，如何能够提高OLED面板对水汽和氧气的阻隔能力，从而延长OLED面板的使用寿命。
 技术解决方案
本申请实施例提供一种OLED面板，能够提高OLED面板对水汽和氧气的阻隔能力，从而延长OLED面板的使用寿命。
第一方面，本申请提供了一种OLED面板，其包括：
发光基板，以及设置在所述发光基板上至少一组封装薄膜；其中，
所述封装薄膜包括设置在所述发光基板上的第一无机层，所述第一无机层的边缘区域设置有无机挡墙，所述第一无机层上设置有有机层且所述有机层被阻挡在所述无机挡墙内，所述有机层上设置有覆盖所述第一无机层、所述有机层和所述无机挡墙的第二无机层；
其中，所述无机挡墙包括多个侧壁，所述侧壁包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及分别设置在所述第一侧壁两侧的第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁和所述第四侧壁相对设置；
所述无机挡墙的材料为氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
在本申请所述的OLED面板中，所述第一侧壁与所述第三侧壁以及第四侧壁相连接，且所述第二侧壁与所述第三侧壁以及第四侧壁相连接，以在所述第一无机层的边缘区域使所述无机挡墙包围所述有机层。
在本申请所述的OLED面板中，所述无机挡墙还包括第一连接臂、第二连接壁、第三连接臂和第四连接臂；其中，
所述第一连接臂连接所述第一侧壁与所述第三侧壁；
所述第二连接臂连接所述第一侧壁与所述第四侧壁；
所述第三连接臂连接所述第二侧壁与所述第三侧壁；
所述第四连接臂连接所述第二侧壁与所述第四侧壁。
在本申请所述的OLED面板中，任一所述侧壁包括主体部以及设置在所述主体部两端的弯折部；其中，
所述第一侧壁和所述第二侧壁的弯折部上设置有至少一个开口；和/或
所述第三侧壁和所述第四侧壁的弯折部上设置有至少一个开口。
在本申请所述的OLED面板中，相邻所述侧壁的弯折部到所述发光基板的中心点的距离不同。
在本申请所述的OLED面板中，所述有机层的材料为亚克力、环氧树脂或者硅树脂。
第二方面，本申请提供了一种OLED面板，其包括：
发光基板，以及设置在所述发光基板上至少一组封装薄膜；其中，
所述封装薄膜包括设置在所述发光基板上的第一无机层，所述第一无机层的边缘区域设置有无机挡墙，所述第一无机层上设置有有机层且所述有机层被阻挡在所述无机挡墙内，所述有机层上设置有覆盖所述第一无机层、所述有机层和所述无机挡墙的第二无机层。
在本申请所述的OLED面板中，所述无机挡墙包括多个侧壁，所述侧壁相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及分别设置在所述第一侧壁两侧的第三侧壁和第四侧壁，其中，所述第三侧壁和所述第四侧壁相对设置。
在本申请所述的OLED面板中，所述第一侧壁与所述第三侧壁以及所述第四侧壁相连接，且所述第二侧壁与所述第三侧壁以及所述第四侧壁相连接，以在所述第一无机层的边缘区域使所述无机挡墙包围所述有机层。
在本申请所述的OLED面板中，所述无机挡墙还包括第一连接臂、第二连接壁、第三连接臂和第四连接臂；其中，
所述连接臂连接所述第一侧壁与所述第三侧壁；
所述连接臂连接所述第一侧壁与所述第四侧壁；
所述连接臂连接所述第二侧壁与所述第三侧壁；
所述连接臂连接所述第二侧壁与所述第四侧壁。
在本申请所述的OLED面板中，任一所述侧壁包括主体部以及设置在所述主体部两端的弯折部；其中，
所述第一侧壁和所述第二侧壁的弯折部上设置有至少一个开口；和/或，
所述第三侧壁和所述第四侧壁的弯折部上设置有至少一个开口。
在本申请所述的OLED面板中，相邻所述侧壁的弯折部到所述发光基板的中心点的距离不同。
在本申请所述的OLED面板中，所述无机挡墙的材料为氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
第三方面，本申请还提供了一种OLED面板的制备方法，包括：
提供一发光基板；
在所述发光基板上形成至少一组封装薄膜，所述封装薄膜包括层叠设置在所述发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层，其中，在所述第一无机层的边缘区域形成有无机挡墙。
在本申请所述的制备方法中，所述在所述发光基板上形成至少一组封装薄膜的步骤，包括：
在所述发光基板上形成第一无机层；
在所述第一无机层上形成无机阻挡层；
对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙；
在所述第一无机层上，且对应被所述无机挡墙包围的区域形成有机层；
在所述第一无机层、所述无机挡墙以及所述有机层上形成第二无机层。
在本申请所述的制备方法中，所述对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括：
利用第一掩膜板将所述第一无机层除所述第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成第一无机挡墙；
利用第二掩膜板将所述第一无机挡墙以及所述第一无机层上无需形成所述无机挡墙的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成第二无机挡墙，其中，所述第一无机挡墙和所述第二无机挡墙包围所述有机层形成所述无机挡墙。
在本申请所述的制备方法中，所述对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括：
利用第三掩膜板将所述第一无机层除所述第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
 有益效果
本申请的有益效果是：通过在第一无机层的边缘区域设置无机挡墙，以达到提高OLED面板对水汽和氧气阻隔能力的目的，从而延长了OLED面板的使用寿命。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的OLED面板的第一种实施方式的截面示意图；
图2为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第一种实施方式的平面示意图；
图3为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第二种实施方式的平面示意图；
图4为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第三种实施方式的平面示意图；
图5为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第四种实施方式的平面示意图；
图6为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第五种实施方式的平面示意图；
图7为本申请的OLED器件的制备方法的流程示意图；
图8为本申请提供的OLED器件的制备方法中在发光基板上形成至少一组封装薄膜的流程示意图；
图9为本申请提供的第一掩膜板的第一种实施方式的结构示意图；
图10为本申请提供的第二掩膜板的第一种实施方式的结构示意图；
图11为本申请提供的第一掩膜板的第二种实施方式的结构示意图；
图12为本申请提供的第二掩膜板的第二种实施方式的结构示意图；
图13为本申请提供的OLED器件的制备方法中在发光基板上形成一组封装薄膜的流程示意图；
图14~图22为本申请提供的OLED面板的制备方法具体流程示意图；
图23为本申请提供的OLED面板的第二种实施方式的截面示意图。
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请提供的OLED面板的第一种实施方式的截面示意图。
本申请实施例提供一种OLED面板，包括：
发光基板10，以及设置在发光基板上至少一组封装薄膜。
其中，封装薄膜包括设置在发光基板10上的第一无机层101。第一无机层101的边缘区域设置有无机挡墙20，第一无机层101上设置有有机层102且有机层102被阻挡在无机挡墙20内。在发光基板10到有机层102的方向上，有机层102上设置有覆盖第一无机层101、有机层102和无机挡墙20的第二无机层103。
具体的，该发光基板10可以是形成有OLED器件的发光基板，并且，发光基板10根据实际需要可以包括各种电路结构和/或基板结构。设置在该发光基板10上至少一组封装薄膜。可选的，可以为一组封装薄膜，也可以为多组封装薄膜堆叠设置在发光基板10上。封装薄膜包括设置在发光基板10上的第一无机层101，可以通过化学气相沉积的工艺在发光基板10上制备第一无机层101。然后采用一掩膜板，通过化学气相沉积的工艺在第一无机层101的边缘区域上制备无机挡墙20。在第一无机层101上设置有机层102的方法可以利用喷墨打印工艺在无机挡墙20的内侧打印一层有机层102。有机层102的材料可以是亚克力、环氧树脂或者硅树脂，用于缓冲器件在弯曲折叠时的应力和异物包覆。在有机层102上制备覆盖第一无机层101、有机层102和无机挡墙20的第二无机层103。需要说明的是，第一无机层101和第二无机层103的材料可以相同，也可以不同。
请结合图1、图2以及图3，图2为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第一种实施方式的平面示意图，图3为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第二种实施方式的平面示意图。
无机挡墙20包括多个侧壁。侧壁包括相对设置的第一侧壁201和第二侧壁202，以及分别设置的在第一侧壁两侧的第三侧壁203和第四侧壁204。其中，第三侧壁203和第四侧壁204相对设置。
第一侧壁201与第三侧壁203以及第四侧壁204相连接。且第二侧壁202与第三侧壁203以及第四侧壁204相连接，以在第一无机层101的边缘区域包围设置在第一无机层101上的有机层102。
无机挡墙20还包括第一连接臂206、第二连接壁207、第三连接臂208和第四连接臂209。其中，第一连接臂206连接第一侧壁201与第三侧壁203。第二连接壁207连接第一侧壁201与第四侧壁204。第三连接臂208连接第二侧壁202与第三侧壁203。第四连接臂209连接第二侧壁202与第四侧壁204。
请参阅图4、图5以及图6，图4为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第三种实施方式的平面示意图，图5为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第四种实施方式的平面示意图，图6为本申请提供的OLED面板上无机挡墙的第五种实施方式的平面示意图。
任一侧壁包括主体部以及设置在主体部两端的弯折部。其中，第一侧壁201和第二侧壁202的弯折部上设置有至少一个开口50和/或。第三侧壁203和第四侧壁204的弯折部上设置有至少一个开口50。
无机挡墙20可以设置成如图5或者图6的结构，通过在侧壁的弯折部上设置开口50，增加了水氧入侵发光基板10上器件的路径。因此，进一步提高了OLED面板抗水氧的能力。需要说明的是，可以在第一侧壁201和第二侧壁202的弯折部上设置有一个或者多个开口50，以及在第三侧壁203和第四侧壁204的弯折部上设置有一个或者多个开口50，具体根据实际情况而定，在此不再赘述。
相邻侧壁的弯折部到发光基板10的中心点的距离不同。具体的，相邻侧壁的弯折部比如相邻的第一侧壁201和第三侧壁203。第一侧壁201的弯折部到发光基板10的中心点的距离大于第三侧壁203的弯折部到发光基板10的中心点的距离。以使第一侧壁201的弯折部设置在第三侧壁203的弯折部外圆周侧，从而进一步提高发光基板10的抗水氧能力。
无机挡墙20的材料为氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
请参阅图7，图7为本申请的OLED器件的制备方法的流程示意图。
本申请实施例提供一种OLED面板的制备方法，包括：
110、提供一发光基板。
120、在发光基板上形成至少一组封装薄膜。
封装薄膜包括层叠设置在发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层，其中，在第一无机层的边缘区域形成有无机挡墙。
请参阅图8，图8为本申请提供的OLED器件的制备方法中在发光基板上形成至少一组封装薄膜的流程示意图。
在本实施例中，步骤120“在发光基板上形成至少一组封装薄膜，封装薄膜包括层叠设置在发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层，其中，在第一无机层的边缘区域形成有无机挡墙”，具体包括以下步骤：
210、在发光基板上形成第一无机层。
将发光基板转移至化学气相沉积设备的反应腔室中，制备具有水汽和氧气阻隔效果的第一无机层。
220、在第一无机层上形成无机挡墙。
230、对无机阻挡层进行图案化，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
例如，首先在掩膜板上设置开口，该开口与无机挡墙的区域对应。然后再利用化学气相沉积装置，通过该掩膜板上的开口将无机材料转移至第一无机层上，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
240、在第一无机层上，且对应被无机挡墙包围的区域形成有机层。
例如，通过喷墨打印工艺，在第一无机层上，且对应被无机挡墙包围的区域形成有机层，即无机挡墙设置在第一无机层的边缘区域上。该有机层的材料可以为压克力、环氧树脂或者是硅树脂。其中，无机挡墙的厚度可以略大于有机层的厚度，这样可以进一步提高OLED面板对水汽以及氧气的阻隔能力。
250、在第一无机层、无机挡墙以及有机层上形成第二无机层。
例如，还是通过化学气相沉积的方法，将步骤240中的发光基板转移至化学气相沉积设备的反应腔室中，在无机挡墙和有机层的上表面制备第二无机层。
掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，对无机阻挡层进行图案化，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括：
利用第一掩膜板将第一无机层除第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在第一无机层的边缘区域形成第一无机挡墙。
利用第二掩膜板将第一无机挡墙以及第一无机层上无需形成无机挡墙的区域遮蔽，以在第一无机层的边缘区域形成第二无机挡墙。其中，第一无机挡墙和第二无机挡墙包围有机层形成无机挡墙。
请结合图2、图9以及图10，具体实施时，在第一掩膜板60上设置第一开口区601以及第二开口区602。第一开口区601与第一侧壁201对应，第二开口区602与第二侧壁202对应。将第一掩膜板60设置在发光基板10的上方，利用第一掩膜板60将第一无机层101除第一无机层101的边缘区域以外的区域遮蔽，以在第一无机层101的边缘区域形成第一无机挡墙。即第一侧壁101以及第二侧壁102。
在第二掩膜板70上设置第三开口区701以及第四开口区702，第一开口区701与第三侧壁203对应，第二开口区702与第四侧壁204对应。将第二掩膜板70设置在发光基板10的上方，利用第二掩膜板70将第一侧壁101、第二侧壁102以及第一无机层101上无需形成无机挡墙20的区域遮蔽。以在第一无机层101的边缘区域形成第二无机挡墙，即第三侧壁203以及第四侧壁204。其中，第一无机挡墙和第二无机挡墙包围有机层形成无机挡墙20（图中应该示出吧）。
因此，对无机阻挡层进行图案化，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括以下步骤：
利用第三掩膜板将第一无机层除第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
形成无机挡墙20的方法，请结合图3、图11以及图12，其中图11为本申请提供的第一掩膜板的第二种实施方式的结构示意图，图12为本申请提供的第二掩膜板的第二种实施方式的结构示意图，具体实施方式与上面的实施例类似，在此不再赘述。
请参阅图13，图13为本申请提供的OLED器件的制备方法中在发光基板上形成一组封装薄膜的流程示意图。
在本实施例中，步骤120“在发光基板上形成至少一组封装薄膜，封装薄膜包括层叠设置在发光基板上的第一无机层、有机层、第二无机层，其中，在第一无机层的边缘区域形成有无机挡墙”，包括以下步骤：
310、提供一待封装OLED器件。
具体的，提供一发光基板10，如图14所示。该发光基板10上形成有OLED器件。然后，将发光基板10转移至化学气相沉积设备的反应腔室中，制备第三无机层104在该发光基板10上，如图15所示。
320、在第三无机层上形成光阻层，并对光阻层进行曝光显影以在第一无机层的边缘区域形成光阻图案。
如图16、图17以及图18所示，采用310中已制备第三无机层104的发光基板10，在第三无机层104上形成光阻层105。比如，可以通过旋转涂膜的方式，在第三无机层104上形成厚度为2~3微米的光阻层105。然后光阻层在UV固化、曝光以显影的制程后在第一有机层101的边缘区域形成光阻图案1051。
330、将未被光阻图案覆盖的第三无机层去除，以在第一无机层的边缘区域上形成无机衬垫。
如图18以及图19所示，通过干法刻蚀的工艺将没有被光阻图案覆盖的第三无机层104去除，保留被光阻图案1051覆盖的第三无机层104，即保留的第三无机层104为无机衬垫1041。
340、在发光基板与无机衬垫上形成第一无机层，以在第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
请参阅图20，将330中制备好的发光基板10转移至化学气相沉积设备的反应腔室中。制备第一无机层101，第一无机层101与无机衬垫1041上堆叠以在有机层的边缘区域上形成无机挡墙20。
需要说明的，在步骤340中，需要通过干法刻蚀工艺将未被光阻图案1051覆盖的第三无机层104去除，得到无机衬垫1041。然后将该发光基板10转移至氢氟醚溶液中浸泡数小时以去除光阻图案1051。优选的，浸泡时间可以为2小时。紧接着，再将该发光基板10转移至化学气相沉积设备的反应腔室中，在发光基板10与无机衬垫1041上镀上第一无机层101，该第一无机层101与无机衬垫1041堆叠以在有机层102的边缘区域形成无机挡墙20。
350、通过喷墨打印工艺，在第一无机层上，且对应被无机挡墙包围的区域形成有机层。
如图21所示，采用喷墨打印设备，在第一无机层101上，且对应被无机挡墙20包围的区域形成有机层102，即无机挡墙20设置在第一有机层101的边缘区域上。该有机层102的材料可以为压克力、环氧树脂或者是硅树脂。其中，无机挡墙20的厚度可以略大于有机层102的厚度，该无机挡墙20对有机层102的边界进行限定。
360、在无机挡墙以及有机层上形成第二无机层。
如图22所示，例如，还是通过化学气相沉积的方法，将步骤305中的发光基板10转移至化学气相沉积设备的反应腔室中，在无机挡墙20和有机层102的上表面制备第二无机层103。
请参阅图23，图23为本申请提供的OLED面板的第二种实施方式的截面示意图，可以在发光基板10上形成两组薄膜。每组薄膜形成的步骤请参考前面的实施例，在此不再赘述。
本实施例中，在第一无机层101的边缘区域形成无机挡墙20，提高了OLED面板对水汽以及氧气的阻隔能力，从而延长了OLED面板的使用寿命
以上对本申请实施例提供的OLED面板以及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (17)

  1. 一种OLED面板，其包括：
    发光基板，以及设置在所述发光基板上至少一组封装薄膜；其中，
    所述封装薄膜包括设置在所述发光基板上的第一无机层，所述第一无机层的边缘区域设置有无机挡墙，所述第一无机层上设置有有机层且所述有机层被阻挡在所述无机挡墙内，所述有机层上设置有覆盖所述第一无机层、所述有机层和所述无机挡墙的第二无机层；
    其中，所述无机挡墙包括多个侧壁，所述侧壁包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及分别设置在所述第一侧壁两侧的第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁和所述第四侧壁相对设置；
    所述无机挡墙的材料为氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
  2. 根据权利要求1所述的OLED面板，其中，所述第一侧壁与所述第三侧壁以及第四侧壁相连接，且所述第二侧壁与所述第三侧壁以及第四侧壁相连接，以在所述第一无机层的边缘区域使所述无机挡墙包围所述有机层。
  3. 根据权利要求1所述的OLED面板，其中，所述无机挡墙还包括第一连接臂、第二连接壁、第三连接臂和第四连接臂；其中，
    所述第一连接臂连接所述第一侧壁与所述第三侧壁；
    所述第二连接臂连接所述第一侧壁与所述第四侧壁；
    所述第三连接臂连接所述第二侧壁与所述第三侧壁；
    所述第四连接臂连接所述第二侧壁与所述第四侧壁。
  4. 根据权利要求1所述的OLED面板，其中，任一所述侧壁包括主体部以及设置在所述主体部两端的弯折部；其中，
    所述第一侧壁和所述第二侧壁的弯折部上设置有至少一个开口；和/或
    所述第三侧壁和所述第四侧壁的弯折部上设置有至少一个开口。
  5. 根据权利要求4所述的OLED面板，其中，相邻所述侧壁的弯折部到所述发光基板的中心点的距离不同。
  6. 根据权利要求1所述的OLED面板，其中，所述有机层的材料为亚克力、环氧树脂或者硅树脂。
  7. 一种OLED面板，其包括：
    发光基板，以及设置在所述发光基板上至少一组封装薄膜；其中，
    所述封装薄膜包括设置在所述发光基板上的第一无机层，所述第一无机层的边缘区域设置有无机挡墙，所述第一无机层上设置有有机层且所述有机层被阻挡在所述无机挡墙内，所述有机层上设置有覆盖所述第一无机层、所述有机层和所述无机挡墙的第二无机层。
  8. 根据权利要求7所述的OLED面板，其中，所述无机挡墙包括多个侧壁，所述侧壁包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及分别设置在所述第一侧壁两侧的第三侧壁和第四侧壁，其中，所述第三侧壁和所述第四侧壁相对设置。
  9. 根据权利要求8所述的OLED面板，其中，所述第一侧壁与所述第三侧壁以及所述第四侧壁相连接，且所述第二侧壁与所述第三侧壁以及所述第四侧壁相连接，以在所述第一无机层的边缘区域使所述无机挡墙包围所述有机层。
  10. 根据权利要求8所述的OLED面板，其中，所述无机挡墙还包括第一连接臂、第二连接壁、第三连接臂和第四连接臂；其中，
    所述第一连接臂连接所述第一侧壁与所述第三侧壁；
    所述第二连接臂连接所述第一侧壁与所述第四侧壁；
    所述第三连接臂连接所述第二侧壁与所述第三侧壁；
    所述第四连接臂连接所述第二侧壁与所述第四侧壁。
  11. 根据权利要求8所述的OLED面板，其中，任一所述侧壁包括主体部以及设置在所述主体部两端的弯折部；其中，
    所述第一侧壁和所述第二侧壁的弯折部上设置有至少一个开口；和/或
    所述第三侧壁和所述第四侧壁的弯折部上设置有至少一个开口。
  12. 根据权利要求11所述的OLED面板，其中，相邻所述侧壁的弯折部到所述发光基板的中心点的距离不同。
  13. 根据权利要求7所述的OLED面板，其中，所述无机挡墙的材料为氮化硅、碳氮化硅或者氧化硅。
  14. 一种OLED面板的制备方法，其包括：
    提供一发光基板；
    在所述发光基板上形成至少一组封装薄膜，所述封装薄膜包括层叠设置在所述发光基板上的第一无机层、有机层以及第二无机层，其中，在所述第一无机层的边缘区域形成有无机挡墙。
  15. 根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述在所述发光基板上形成至少一组封装薄膜的步骤，包括：
    在所述发光基板上形成第一无机层；
    在所述第一无机层上形成无机阻挡层；
    对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙；
    在所述第一无机层上，且对应被所述无机挡墙包围的区域形成有机层；
    在所述第一无机层、所述无机挡墙以及所述有机层上形成第二无机层。
  16. 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括：
    利用第一掩膜板将所述第一无机层除所述第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成第一无机挡墙；
    利用第二掩膜板将所述第一无机挡墙以及所述第一无机层上无需形成所述无机挡墙的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成第二无机挡墙，其中，所述第一无机挡墙和所述第二无机挡墙包围所述有机层形成所述无机挡墙。
  17. 根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述对所述无机阻挡层进行图案化，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙的步骤，包括：
    利用第三掩膜板将所述第一无机层除所述第一无机层的边缘区域以外的区域遮蔽，以在所述第一无机层的边缘区域形成无机挡墙。
PCT/CN2019/073037 2018-09-28 2019-01-24 Oled 面板以及制备方法 WO2020062742A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/322,955 US20210359243A1 (en) 2018-09-28 2019-01-24 Oled panel and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811142938.1 2018-09-28
CN201811142938.1A CN109378402B (zh) 2018-09-28 2018-09-28 Oled面板以及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020062742A1 true WO2020062742A1 (zh) 2020-04-02

Family

ID=65403003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/073037 WO2020062742A1 (zh) 2018-09-28 2019-01-24 Oled 面板以及制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210359243A1 (zh)
CN (1) CN109378402B (zh)
WO (1) WO2020062742A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518154B (zh) * 2019-08-28 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种封装方法、薄膜封装结构及显示装置
CN111258125B (zh) * 2020-02-20 2023-06-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070120108A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Light emitting device
CN106848088A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN107170792A (zh) * 2017-07-24 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性oled显示基板及其制备方法和显示装置
CN108461653A (zh) * 2018-04-04 2018-08-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled屏幕、柔性面板薄膜封装结构和封装方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679969B (zh) * 2016-03-17 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装方法与oled封装结构
CN106784398B (zh) * 2016-12-15 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN106711355B (zh) * 2016-12-20 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled显示面板的制作方法
CN106450038B (zh) * 2016-12-21 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070120108A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Light emitting device
CN106848088A (zh) * 2015-12-07 2017-06-13 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN107170792A (zh) * 2017-07-24 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 柔性oled显示基板及其制备方法和显示装置
CN108461653A (zh) * 2018-04-04 2018-08-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled屏幕、柔性面板薄膜封装结构和封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109378402B (zh) 2020-06-16
CN109378402A (zh) 2019-02-22
US20210359243A1 (en) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020042235A1 (zh) 柔性oled显示面板
WO2018219270A1 (zh) Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置
US11164921B2 (en) Array substrate, method of manufacturing thereof, and display device
CN108091675B (zh) 显示基板及其制作方法
WO2020094015A1 (zh) 显示基板和显示装置
CN104282729A (zh) 一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN109166862B (zh) 柔性oled显示面板及其制备方法
WO2016180103A1 (zh) 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
WO2018040329A1 (zh) 一种发光面板及其制备方法
WO2021012547A1 (zh) 柔性oled显示面板及其制作方法
WO2019109692A1 (zh) 电子装置基板及制造方法、显示装置
US20190333974A1 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, display panel, and display device
CN108470849B (zh) 一种柔性基板及其制作方法
WO2020062742A1 (zh) Oled 面板以及制备方法
TWI676980B (zh) 顯示器
WO2018196078A1 (zh) 阵列基板及制造方法、显示装置
WO2019051968A1 (zh) 彩膜基板的制作方法
WO2019019488A1 (zh) 柔性oled显示器件及制作方法
US11233219B2 (en) Organic light emitting component, fabrication method, and display device each having anti-shrinkage stop structures
US20030030369A1 (en) Method for forming a passivation layer for organic light-emitting devices
CN109904212A (zh) 一种有机发光显示面板及其制作方法
WO2020034269A1 (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN110854289B (zh) 一种oled显示面板及显示装置
WO2016177252A1 (zh) Oled器件的封装方法及封装结构、显示装置
WO2020258465A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19865851

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19865851

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1