WO2020031589A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020031589A1
WO2020031589A1 PCT/JP2019/027122 JP2019027122W WO2020031589A1 WO 2020031589 A1 WO2020031589 A1 WO 2020031589A1 JP 2019027122 W JP2019027122 W JP 2019027122W WO 2020031589 A1 WO2020031589 A1 WO 2020031589A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor laser
laser device
substrate
conductive
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/027122
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
浩之 田尻
晃輝 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2020536391A priority Critical patent/JP7329519B2/ja
Publication of WO2020031589A1 publication Critical patent/WO2020031589A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/10—Arrangements for heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor laser device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor laser device.
  • the semiconductor laser device disclosed in the document includes a stem, a semiconductor laser element, a submount substrate, a plurality of leads and a cap.
  • the stem is made of metal and has a plate-shaped base and a block protruding forward from the base in the emission direction.
  • the semiconductor laser device is mounted on a block via a submount substrate.
  • the plurality of leads include those fixed to the stem and those connected to the semiconductor laser element.
  • the cap covers the block, the submount substrate, and the semiconductor laser device, and has an opening through which light from the semiconductor laser device passes.
  • the semiconductor laser element is electrically connected to the lead via the wire.
  • the wire can contribute to increasing the resistance value in the conduction path between the semiconductor laser element and the lead.
  • the present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and has as its object to provide a semiconductor laser device capable of reducing the resistance.
  • a semiconductor laser device includes a semiconductor laser element, a base made of an insulating material having a base first surface and a base second surface facing each other in a thickness direction; A submount substrate having at least one penetrating conductive part penetrating in the thickness direction, wherein the semiconductor laser element is disposed on the first surface of the base material, and the penetrating conductive part is It is electrically connected to the semiconductor laser device.
  • FIG. 1 is a perspective view of a main part showing a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is an enlarged perspective view of a main part showing a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a main part front view illustrating a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV in FIG. 3.
  • FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view illustrating a main part of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a first modification of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 8. It is a principal part front view showing the semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment of this indication. It is a principal part front view showing the semiconductor laser device concerning a 4th embodiment of this indication.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along the line XII-XII of FIG. 11.
  • FIG. 15 is a front view of a main part showing a first modification of the semiconductor laser device according to the fourth embodiment of the present disclosure;
  • FIG. 14 is a sectional view taken along the line XIV-XIV of FIG. It is a principal part front view showing the 2nd modification of the semiconductor laser device concerning a 4th embodiment of this indication.
  • the semiconductor laser device A1 of the present disclosure includes a stem 1, a plurality of leads 13, 14, 15, a semiconductor laser element 2, a submount substrate 3, a plurality of wires 4, and a cap 8.
  • the application of the semiconductor laser device A1 is not particularly limited, and is used, for example, as a light source device mounted on various electronic devices.
  • FIG. 1 is a perspective view of a main part showing the semiconductor laser device A1.
  • FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part showing the semiconductor laser device A1.
  • FIG. 3 is a front view of a main part showing the semiconductor laser device A1.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV in FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part showing the semiconductor laser device A1.
  • the z direction in the drawings is the emission direction of the semiconductor laser device 2, and corresponds to the first direction in the present disclosure.
  • the x direction and the y direction are directions that are each perpendicular to the z direction.
  • the x direction corresponds to a second direction of the present disclosure.
  • the y direction corresponds to the thickness direction of the present disclosure. Note that, in FIG. 2, the wire 4 is omitted for convenience of understanding.
  • the stem 1 serves as a base of the semiconductor laser device A1, and has a first part 11 and a second part 12.
  • the first part 11 and the second part 12 are formed integrally, but the invention is not limited to this.
  • the material of the stem 1 is not particularly limited, but is made of, for example, Fe or an Fe alloy.
  • Ni plating, Cu plating, Au plating, or the like having a thickness of about 2 to 4 ⁇ m may be applied to these Fe or Fe alloys.
  • the first portion 11 is a plate-shaped portion having a thickness direction in the z direction, and in the present embodiment, has a substantially circular shape as viewed in the z direction.
  • the diameter is about 5.6 mm and the thickness is about 0.5 mm.
  • the first portion 11 has through holes 111 and 112 formed therein.
  • the through holes 111 and 112 penetrate the first portion 11 in the z direction, and in the illustrated example, are arranged apart from each other in the x direction.
  • the shape and size of the through holes 111 and 112 are not particularly limited, but in the present embodiment, the through holes are circular through holes having a diameter of about 1.0 mm.
  • the diameter of the through holes 111 and 112 is appropriately set according to the size of the first portion 11 and the leads 13 and 14, the interval between the leads 13 and 14, and the like.
  • the second part 12 protrudes from the first part 11 on the emission side in the z direction (upward in the drawing in FIG. 1).
  • the shape of the second part 12 is not particularly limited.
  • the second part 12 has a support surface 121. In this embodiment, the support surface 121 is parallel to the z direction and faces the y direction.
  • the leads 13, 14, and 15 are used to fix the semiconductor laser device A1 to an electronic device or the like, and form a power supply path to the semiconductor laser device 2.
  • the plurality of leads 13, 14, 15 are rod-shaped members made of, for example, an Fe—Ni alloy.
  • the plurality of leads 13, 14, 15 may be plated with Au.
  • the leads 13 and 14 are individually inserted into the through holes 111 and 112, respectively. As shown in FIG. 1, the upper portion of the lead 13 in the z direction projects upward from the through hole 111 in the z direction. In addition, most of the leads 13 located on the lower side in the z direction project from the first portion 11 downward in the z direction.
  • the lead 13 has a first portion 131.
  • the first portion 131 is a plate-shaped portion located above the first portion 11 in the z direction and having the thickness direction in the y direction.
  • the space between the leads 13 and 14 and the through holes 111 and 112 is filled with the insulating filler 17.
  • the insulating filler 17 functions to fix the leads 13 and 14 to the first portion 11 of the stem 1 and to insulate the leads 13 and 14 from the stem 1.
  • the material of the insulating filler 17 is not particularly limited, but in the present embodiment, the insulating filler 17 is made of glass.
  • the upper portion of the lead 14 in the z direction slightly protrudes upward from the through hole 112 in the z direction, it is shorter than the length of the lead 13.
  • most of the leads 13 located on the lower side in the z direction project from the first portion 11 downward in the z direction.
  • the lead 15 is joined to the first portion 11 below the first portion 11 in the z direction, and is electrically connected to the first portion 11. In the present embodiment, the lead 15 overlaps with the second portion 12 of the stem 1 when viewed from the z direction.
  • the semiconductor laser element 2 is a light emitting element in the semiconductor laser device A1.
  • the semiconductor laser device 2 of the present embodiment has a semiconductor layer 21, a first electrode 23, and a second electrode 24.
  • the semiconductor layer 21 has a structure in which a plurality of semiconductor layers are stacked, and includes, for example, an active layer.
  • the semiconductor constituting the semiconductor layer 21 is not particularly limited, and for example, a GaAs-based semiconductor is used.
  • the shape of the semiconductor layer 21 is not particularly limited. In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 to 5, the element first surface 211, the element second surface 212, the element third surface 213, and the element fourth surface 214 , An element fifth surface 215 and an element sixth surface 216.
  • the element first surface 211 and the element second surface 212 face opposite sides in the y direction.
  • the element third surface 213 and the element fourth surface 214 face opposite sides in the z direction, and in the illustrated example, are connected to the element first surface 211 and the element second surface 212, respectively.
  • the element fifth surface 215 and the element sixth surface 216 face opposite sides in the x direction, and in the illustrated example, the element first surface 211, the element second surface 212, the element third surface 213, and It is connected to the fourth element surface 214.
  • the size of the semiconductor layer 21 is not particularly limited.
  • the dimension in the x direction is about 200 ⁇ m to 600 ⁇ m
  • the dimension in the y direction is about 50 ⁇ m to 200 ⁇ m
  • the dimension in the z direction is about 500 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
  • the laser light L is emitted from the element third surface 213 in the z direction.
  • the device fourth surface 214 may emit weak light as compared with the laser light L.
  • the first electrode 23 is formed on the element first surface 211 of the semiconductor layer 21.
  • the material of the first electrode 23 is not particularly limited, and is made of, for example, Au.
  • the second electrode 24 is formed on the element second surface 212 of the semiconductor layer 21.
  • the material of the second electrode 24 is not particularly limited, and is made of, for example, Au.
  • the polarities of the first electrode 23 and the second electrode 24 are not particularly limited.
  • the first electrode 23 is an anode electrode
  • the second electrode 24 is a cathode electrode.
  • the submount substrate 3 is interposed between the stem 1 and the semiconductor laser device 2.
  • the submount substrate 3 of the present embodiment has a base material 31, a first conductive layer 33, a second conductive layer 34, and through conductive portions 37 and 38.
  • the base material 31 is made of an insulating material, for example, ceramics such as AlN.
  • the shape of the base material 31 is not particularly limited, and in the illustrated example, the base material 31 includes a base material first surface 311, a base material second surface 312, a base material third surface 313, and a base material fourth surface 314. , A fifth base surface 315 and a sixth base surface 316.
  • the first base material surface 311 and the second base material surface 312 face opposite sides in the y direction.
  • the third base material surface 313 and the fourth base material surface 314 face opposite sides in the z direction, and in the illustrated example, are connected to the first base material surface 311 and the second base material surface 312, respectively.
  • the fifth base material surface 315 and the sixth base material surface 316 face opposite sides in the x direction, and in the illustrated example, the first base material surface 311, the second base material surface 312, and the It is connected to the third surface 313 and the base material fourth surface 314.
  • the size of the substrate 31 is not particularly limited.
  • the dimension in the x direction is about 500 ⁇ m to 1000 ⁇ m
  • the dimension in the y direction is about 100 ⁇ m to 300 ⁇ m
  • the dimension in the z direction is about 500 ⁇ m to 1500 ⁇ m.
  • the base material 31 has a through hole 317 and a through hole 318.
  • the through hole 317 and the through hole 318 penetrate the base member 31 in the y direction, and reach the base member first surface 311 and the base member second surface 312.
  • the through holes 317 and 318 are arranged apart from each other in the z direction.
  • the shape of the through hole 317 and the through hole 318 is not particularly limited, and in the illustrated example, the shape is circular as viewed from the y direction.
  • the size of the through hole 317 and the through hole 318 is not particularly limited, and for example, the diameter is about 0.1 mm to 0.3 mm, and preferably 0.15 mm to 0.25 mm.
  • the first conductive layer 33 is formed on the first base material surface 311 of the base material 31.
  • the material of the first conductive layer 33 is not particularly limited, and is made of, for example, Au. Further, the first conductive layer 33 may further include an underlayer made of Ti / Pt.
  • the second conductive layer 34 is formed on the base material second surface 312 of the base material 31.
  • the material of the second conductive layer 34 is not particularly limited, and is made of, for example, Au. Further, the second conductive layer 34 may further include a base layer made of Ti / Pt.
  • the second conductive layer 34 is conductively bonded to the support surface 121 of the second part 12 of the stem 1 via a conductive bonding part (not shown).
  • the semiconductor laser element 2 is joined to the first conductive layer 33.
  • the second electrode 24 of the semiconductor laser device 2 and the first conductive layer 33 are joined by a conductive joint 51.
  • the material of the conductive bonding portion 51 is not particularly limited, and is made of, for example, AuSn.
  • the conductive bonding portion 51 extends toward the base material fourth surface 314 in the z direction with respect to the semiconductor laser device 2.
  • the penetrating conductive portions 37 and 38 penetrate the base material 31 in the y direction, and are configured as conductive members by including a conductive material.
  • the through conductive portion 37 is filled in the through hole 317
  • the through conductive portion 38 is filled in the through hole 318.
  • the penetrating conductive portions 37 and 38 are in contact with the first conductive layer 33 and the second conductive layer 34, respectively, and make the first conductive layer 33 and the second conductive layer 34 conductive.
  • FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part showing a part including the through conductive part 37.
  • the penetrating conductive portion 37 is a portion mainly made of a conductive material, and is made of, for example, a metal such as W (tungsten) or Cu. The same applies to the material of the through conductive portion 38.
  • the penetrating conductive portion 37 overlaps the semiconductor laser element 2 when viewed from the y direction in the illustrated example.
  • the penetrating conductive portion 38 is separated from the semiconductor laser element 2 when viewed from the y direction, and is disposed on the base material fourth surface 314 side in the z direction with respect to the semiconductor laser element 2.
  • the center of the through conductive portion 37 in the z direction is located closer to the third substrate surface 313 in the z direction than the center of the semiconductor laser element 2 (semiconductor layer 21) in the z direction.
  • a first distance d1 which is a distance between the element third surface 213 and the substrate third surface 313 in the z direction, is a distance between the element fourth surface 214 and the substrate fourth surface 314 in the z direction. It is smaller than the second distance d2 that is the distance.
  • the element third surface 213 is located closer to the base material fourth surface 314 in the z direction than the base material third surface 313 when viewed from the y direction.
  • the portion where the laser light L is emitted from the third element surface 213 is located closer to the first element surface 211 than the center of the semiconductor layer 21 in the y direction.
  • the wire 4 is connected to the semiconductor laser element 2 and the lead 13 as shown in FIGS. 1 and 3, and makes these conductive to each other.
  • the wire 4 is connected to the first electrode 23 of the semiconductor laser device 2 and the first portion 131 of the lead 13.
  • the number of wires 4 is not particularly limited, and in the illustrated example, the number of wires 4 is four.
  • the wire 4 has a bonding part 41.
  • the bonding part 41 is a part bonded to the first electrode 23.
  • the wire diameter of the wire 4 is, for example, about 25 ⁇ m to 45 ⁇ m, and the diameter of the bonding portion 41 is, for example, about 60 ⁇ m to 140 ⁇ m.
  • the bonding portion 41 of one wire 4 and the penetrating conductive portion 37 overlap when viewed from the y direction.
  • the bonding portions 41 of the four wires 4 are arranged in a staggered manner.
  • the two bonding portions 41 and the other two bonding portions 41 are spaced apart on both sides of the center of the through conductive portion 37 in the x direction.
  • the cap 8 covers the semiconductor laser element 2, the submount substrate 3, and the second part 12 of the stem 1, and is fixed to the first part 11 of the stem 1.
  • the material of the cap portion 8 is not particularly limited, and is made of, for example, metal.
  • the cap section 8 has an opening 81.
  • the opening 81 is for passing the laser light L from the semiconductor laser element 2.
  • the configuration of the semiconductor laser device A1 is not limited to the configuration including the cap unit 8, and may be a configuration not including the cap unit 8.
  • the semiconductor laser device 2 is electrically connected to the penetrating conductive portions 37 and 38 penetrating the base 31. Therefore, when the second conductive layer 34 of the submount substrate 3 is conductively joined to the second part 12 of the stem 1, the semiconductor laser device 2 is electrically connected to the second part 12, the first part 11 and the lead 15 of the stem 1. I do. Therefore, there is no need to provide a wire for conducting the semiconductor laser element 2 with the lead 15. This makes it possible to reduce the resistance of the semiconductor laser device A1.
  • the penetrating conductive portion 37 overlaps with the semiconductor layer 21 (second electrode 24) of the semiconductor laser device 2 when viewed from the y direction. Therefore, it is possible to shorten the current path flowing from the second electrode 24 to the through conductive portion 37. This is preferable for reducing the resistance of the semiconductor laser device A1.
  • the penetrating conductive portion 37 overlaps the bonding portion 41 of the wire 4. For this reason, the current path flowing through the semiconductor laser element 2 can be shortened, which is preferable for reducing the resistance of the semiconductor laser device A1.
  • the center of the through conductive portion 37 in the z direction is located closer to the third substrate surface 313 in the z direction than the center of the semiconductor laser element 2 (semiconductor layer 21) in the z direction.
  • the through conductive portion 37 is provided at a position closer to the third base surface 313 from which the laser light L is emitted than the fourth base surface 314.
  • the penetrating conductive portion 37 is made of a material such as Cu having a higher thermal conductivity than the base material 31, heat at the time of light emission of the semiconductor laser element 2 can be more efficiently radiated.
  • a plurality of wires 4 are connected to the semiconductor laser device 2. Thereby, the current flowing through the semiconductor laser element 2 can be increased, and the current can be made uniform, so that the output of the semiconductor laser device A1 can be increased.
  • the plurality of bonding portions 41 are arranged in a staggered manner. Thus, the area of the region where the plurality of bonding portions 41 are provided can be reduced, and the size of the semiconductor laser element 2 and the semiconductor laser device A1 can be reduced.
  • a first distance d1 which is a distance between the element third surface 213 and the substrate third surface 313 in the z direction, is a distance between the element fourth surface 214 and the substrate fourth surface 314 in the z direction. It is smaller than the second distance d2 that is the distance. Accordingly, the position of the element third surface 213 from which the laser light L is emitted can be more accurately positioned with respect to, for example, the upper end of the second portion 12 of the stem 1 in the z direction.
  • the element third surface 213 is located closer to the substrate fourth surface 314 in the z direction than the substrate third surface 313 when viewed from the y direction. However, the position where the laser light L is emitted from the third element surface 213 is located closer to the first element surface 211 than the center of the semiconductor layer 21 in the y direction. For this reason, it is possible to prevent the laser beam L from being unintentionally blocked by the base material first surface 311 of the base material 31 or the like.
  • FIGS. 7 to 15 show modified examples and other embodiments of the present disclosure.
  • the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a first modification of the semiconductor laser device A1.
  • the semiconductor laser device A11 of this example differs from the above-described example in the positional relationship between the semiconductor laser element 2 and the submount substrate 3 in the z direction.
  • the element third surface 213 is located on the opposite side of the substrate fourth surface 314 in the z direction from the substrate third surface 313 when viewed from the y direction.
  • the portion where the laser light L is emitted from the third element surface 213 is located closer to the second element surface 212 than the center of the semiconductor layer 21 in the y direction.
  • the first distance d1 which is the distance between the element third surface 213 and the base material third surface 313 in the z direction, is the distance between the element fourth surface 214 and the base material fourth surface 314 in the z direction. It is smaller than the second distance d2 that is the distance.
  • the resistance of the semiconductor laser device A11 can be reduced. Further, the position where the laser light L is emitted from the element third surface 213 is located closer to the element second surface 212 than the center of the semiconductor layer 21 in the y direction, but the element third surface 213 is positioned from the y direction. When viewed, the third substrate 313 is located on the opposite side to the fourth substrate surface 314 in the z direction than the third substrate surface 313. Accordingly, it is possible to suppress the laser light L from being unintentionally blocked by the base material first surface 311 of the base material 31 and the like. Further, as understood from the present example, the position where the laser light L is emitted on the element third surface 213 of the semiconductor laser element 2 is not limited at all.
  • ⁇ Second embodiment> 8 and 9 show a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor laser device A2 of the present embodiment is different from the above-described embodiment in the positional relationship and the dimensional relationship between the semiconductor laser device 2 and the submount substrate 3.
  • FIG. 8 is a front view of a main part showing the semiconductor laser device A2.
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • the through conductive portions 37 and 38 and the semiconductor laser element 2 overlap.
  • the dimension in the z direction of the semiconductor laser element 2 is, for example, about 800 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
  • the penetrating conductive portion 37 and the penetrating conductive portion 38 are arranged on opposite sides of the center of the semiconductor laser device 2 (semiconductor layer 21) in the z direction.
  • the penetrating conductive portion 37 overlaps the bonding portion 41 of the wire 4 when viewed from the y direction.
  • the penetrating conductive portion 38 overlaps with the bonding portion 41 of the wire 4 when viewed from the y direction. Note that at least one of the penetrating conductive portion 37 and the penetrating conductive portion 38 may have a configuration that does not overlap with the bonding portion 41 when viewed from the y direction.
  • the first distance d1 which is the distance between the element third surface 213 and the base material third surface 313 in the z direction, is the distance between the element fourth surface 214 and the base material fourth surface 314 in the z direction. Is smaller than the second distance d2.
  • the resistance of the semiconductor laser device A2 can be reduced. Further, both the penetrating conductive portion 37 and the penetrating conductive portion 38 overlap the semiconductor laser element 2 (semiconductor layer 21) when viewed from the y direction. Thus, even with the semiconductor laser element 2 having a larger dimension in the z-direction than the semiconductor laser element 2 of the semiconductor laser device A1, the current can flow more uniformly.
  • the semiconductor laser elements can be mounted on the same submount substrate 3.
  • FIG. 10 illustrates a semiconductor laser device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor laser device A3 of the present embodiment is different from the above-described embodiment mainly in the configuration of the submount substrate 3.
  • the submount substrate 3 of the present embodiment has the penetrating conductive portion 37 and does not have the penetrating conductive portion 38 of the above-described embodiment.
  • the penetrating conductive portion 37 overlaps the semiconductor laser element 2 (semiconductor layer 21) when viewed from the y direction.
  • the center of the through conductive portion 37 in the z direction is located closer to the base material third surface 313 in the z direction than the center of the semiconductor laser device 2 (semiconductor layer 21) in the z direction when viewed from the y direction. ing.
  • the through conductive portion 37 overlaps the bonding portion 41 of the wire 4 when viewed from the y direction.
  • the resistance of the semiconductor laser device A3 can be reduced.
  • the submount substrate 3 since the submount substrate 3 has only the penetrating conductive portion 37 that overlaps with the semiconductor laser element 2 when viewed from the y direction, the size of the submount substrate 3 can be reduced, and the entire semiconductor laser device A3 can be reduced. This is advantageous for miniaturization.
  • ⁇ Fourth embodiment> 11 and 12 show a semiconductor laser device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor laser device A4 of the present embodiment is different from the above-described embodiment mainly in the configuration of the semiconductor laser element 2 and the submount substrate 3.
  • FIG. 11 is a front view of a main part showing the semiconductor laser device A4.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along the line XII-XII in FIG.
  • the semiconductor laser device 2 of the present embodiment has the semiconductor layer 21, the second electrode 24, the third electrode 25, and the conductive portion 26.
  • the semiconductor layer 21 of the present embodiment includes an element first surface 211, an element second surface 212, an element third surface 213, an element fourth surface 214, an element fifth surface 215, an element sixth surface 216, and an element seventh surface 217. Having.
  • the element first surface 211 and the element second surface 212 face opposite sides in the y direction.
  • the element third surface 213 and the element fourth surface 214 face opposite sides in the z direction, and in the illustrated example, are connected to the element first surface 211 and the element second surface 212, respectively.
  • the element fifth surface 215 and the element sixth surface 216 face opposite sides in the x direction.
  • the element seventh surface 217 faces the same side as the element second surface 212 in the y direction.
  • the element seventh surface 217 is located closer to the element first surface 211 than the element second surface 212 in the y direction.
  • the active layer of the semiconductor layer 21 is provided at a position overlapping the element second surface 212 when viewed from the y direction.
  • the second electrode 24 is formed on the element second surface 212 of the semiconductor layer 21.
  • the material of the second electrode 24 is not particularly limited, and is made of, for example, Au.
  • the second electrode 24 is, for example, an anode electrode.
  • the conductive portion 26 is provided on the element seventh surface 217 of the semiconductor layer 21.
  • the material of the conductive portion 26 is not particularly limited, and is made of, for example, a metal.
  • the third electrode 25 is formed on the conductive part 26.
  • the material of the third electrode 25 is not particularly limited, and is made of, for example, Au.
  • the third electrode 25 is provided at substantially the same position as the second electrode 24 in the y direction.
  • Third electrode 25 is, for example, a cathode electrode.
  • the submount substrate 3 has a base material 31, a first conductive layer 33, a second conductive layer 34, a third conductive layer 35, and a through conductive portion 37.
  • the first conductive layer 33 is formed on the first base material surface 311 of the base material 31.
  • the material of the first conductive layer 33 is not particularly limited, and is made of, for example, Au. Further, the first conductive layer 33 may further include an underlayer made of Ti / Pt.
  • the second conductive layer 34 is formed on the base material second surface 312 of the base material 31.
  • the material of the second conductive layer 34 is not particularly limited, and is made of, for example, Au. Further, the second conductive layer 34 may further include a base layer made of Ti / Pt.
  • the third conductive layer 35 is formed on the first base material surface 311 of the base material 31.
  • the material of the third conductive layer 35 is not particularly limited, and is made of, for example, Au. Further, the third conductive layer 35 may further include a base layer made of Ti / Pt.
  • the third conductive layer 35 is separated from the first conductive layer 33. In the illustrated example, 35 is disposed closer to the fifth substrate surface 315 than the first conductive layer 33 in the x direction.
  • the penetrating conductive portion 37 penetrates through the base material 31 and makes the first conductive layer 33 and the second conductive layer 34 conductive.
  • the second electrode 24 of the semiconductor laser element 2 is conductively connected to the third conductive layer 35 of the submount substrate 3 via the conductive bonding part 51A.
  • the third electrode 25 of the semiconductor laser device 2 is joined to the first conductive layer 33 of the submount substrate 3 via a conductive joint 51B.
  • the material of the conductive bonding portion 51A and the conductive bonding portion 51B is not particularly limited, and is made of, for example, the same material as the conductive bonding portion 51 described above.
  • the third conductive layer 35 extends from the semiconductor laser element 2 toward the base material fifth surface 315 in the x direction when viewed from the y direction.
  • the wire 4 is connected to the third conductive layer 35.
  • the wire 4 is connected to the first portion 131 of the lead 13.
  • the number of wires 4 is not particularly limited, and is four in the illustrated example.
  • the bonding portions 41 of the four wires 4 are arranged, for example, in a staggered manner. The bonding portion 41 of the wire 4 overlaps the semiconductor layer 21 of the semiconductor laser device 2 when viewed from the x direction.
  • the resistance of the semiconductor laser device A4 can be reduced.
  • the semiconductor laser device 2 may be a so-called flip-chip mounting type device.
  • the third conductive layer 35 extends from the semiconductor laser element 2 to the base material fifth surface 315 side in the x direction, and the bonding portions 41 of the plurality of wires 4 and the semiconductor laser element 2 and the base material It is provided between the five surfaces 315. Thereby, it is possible to suppress the plurality of wires 4 from unduly blocking the laser beam L from the semiconductor laser element 2. Further, according to the present embodiment, it is possible to realize a configuration such as detecting the light emitting state of the semiconductor laser element 2 by monitoring the weak light emitted from the element fourth surface 214.
  • FIGS. 13 and 14 show a first modification of the semiconductor laser device A4.
  • the semiconductor laser device A41 of this modification differs from the above-described example in the arrangement of the semiconductor laser elements 2.
  • FIG. 13 is a main part front view showing the semiconductor laser device A41.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along the line XIV-XIV in FIG.
  • the second electrode 24 of the semiconductor laser element 2 is conductively joined to the first conductive layer 33 of the submount substrate 3 via the conductive joint 51B. Further, the third electrode 25 of the semiconductor laser device 2 is conductively connected to the third conductive layer 35 of the submount substrate 3 via the conductive bonding portion 51A.
  • the laser light L when viewed from the y direction, the laser light L is located on the base material sixth surface 316 side in the x direction of the semiconductor layer 21 in the x direction with respect to the center of the submount substrate 3 in the x direction. Is emitted from the place where
  • the resistance of the semiconductor laser device A41 can be reduced.
  • the direction of the semiconductor laser element 2 mounted on the flip chip in the x direction is not limited at all.
  • FIG. 15 is a main part front view showing a second modification of the semiconductor laser device A4.
  • the semiconductor laser device A42 of this modification is different from the above-described example mainly in the arrangement of the wires 4.
  • the third conductive layer 35 of the submount substrate 3 of the present embodiment has a first part 351 and a second part 352.
  • the first portion 351 is located closer to the base material fifth surface 315 in the x direction than the first conductive layer 33 when viewed from the z direction, and overlaps the first conductive layer 33 when viewed from the x direction.
  • the second portion 352 is located closer to the base material fourth surface 314 in the z direction than the first conductive layer 33 when viewed in the x direction, and overlaps the first conductive layer 33 when viewed in the z direction.
  • the bonding portion 41 of one wire 4 is bonded to the first portion 351 of the third conductive layer 35.
  • the bonding portion 41 of the other wire 4 is bonded to the second portion 352 of the third conductive layer 35.
  • the two bonding portions 41 overlap the semiconductor laser element 2 (semiconductor layer 21) when viewed from the z direction.
  • the resistance of the semiconductor laser device A42 can be reduced.
  • the dimension of the submount substrate 3 in the x direction can be reduced.
  • the semiconductor laser device according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor laser device according to the present disclosure can be variously changed in design.
  • [Appendix 1] A semiconductor laser element; A substrate made of an insulating material having a substrate first surface and a substrate second surface facing each other in the thickness direction, and one or more penetrating conductive portions penetrating the substrate in the thickness direction. And a submount substrate having The semiconductor laser element is disposed on the first surface of the base material, The semiconductor laser device, wherein the through conductive portion is electrically connected to the semiconductor laser element.
  • [Appendix 2] 2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the submount substrate has a first conductive layer disposed on the first surface of the base material.
  • [Appendix 3] 3.
  • the semiconductor laser device according to claim 2 wherein the submount substrate has a second conductive layer disposed on the second surface of the base material.
  • the semiconductor laser device according to claim 3, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are conductive through the through conductive portion.
  • Appendix 5 5.
  • the semiconductor laser device has an element first surface facing the same side as the substrate first surface in the thickness direction, an element second surface facing the same side as the substrate second surface in the thickness direction, and the thickness.
  • a semiconductor layer having a third element surface facing a first direction perpendicular to the vertical direction and from which laser light is emitted, and a fourth element surface facing the opposite side to the third element surface in the first direction.
  • the substrate has a substrate third surface facing the same side as the element third surface in the first direction, and a substrate fourth surface facing the same side as the element fourth surface in the first direction.
  • [Appendix 7] 7. The semiconductor laser according to claim 6, wherein the through conductive portion overlapping the semiconductor laser element as viewed from the thickness direction is disposed closer to the element third surface than a center of the semiconductor layer in the first direction. apparatus.
  • a first distance which is a distance between the element third surface and the substrate third surface in the first direction, is a distance between the element fourth surface and the substrate fourth surface in the first direction. 8.
  • the semiconductor laser device wherein the third element surface is located on a side opposite to the fourth substrate surface in the first direction with respect to the third substrate surface when viewed from the thickness direction.
  • the semiconductor laser device according to claim 8, wherein the third element surface is located closer to the fourth substrate surface in the first direction than the third substrate surface when viewed from the thickness direction.
  • the semiconductor laser device has a first electrode disposed on the first surface of the device and a second electrode disposed on a second surface of the device. 11.
  • the semiconductor laser device according to any one of supplementary notes 6 to 10, wherein the second electrode and the first conductive layer are joined via a conductive joint.
  • the wire has a bonding portion bonded to the first electrode, 13.
  • the semiconductor laser device has a second electrode and a third electrode facing the same side as the device second surface in the thickness direction and separated from each other when viewed from the thickness direction,
  • the submount substrate includes a third conductive layer disposed on the first surface of the base material and separated from the first conductive layer when viewed from the thickness direction, Either the second electrode or the third electrode and the first conductive layer are joined via a conductive joint,
  • the semiconductor laser device according to any one of supplementary notes 6 to 10, wherein one of the second electrode and the third electrode and the third conductive layer are joined via a conductive joint.
  • [Appendix 15] 15. The semiconductor laser device according to claim 14, further comprising a wire connected to the third conductive layer.
  • the wire has a bonding portion bonded to the third conductive layer, 16.
  • the wire has a bonding portion bonded to the third conductive layer, The semiconductor laser device according to attachment 15, wherein the bonding portion overlaps the semiconductor laser element when viewed from the first direction.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体レーザ装置Ａ１は、半導体レーザ素子２と、厚さ方向において互いに反対側を向く基材第１面３１１および基材第２面３１２を有する絶縁材料からなる基材３１と、基材３１を厚さ方向に貫通する１以上の貫通導電部３７，３８と、を有するサブマウント基板３と、を備え、半導体レーザ素子２は、基材第１面３１１上に配置されており、貫通導電部３７，３８は、半導体レーザ素子２に導通している。このような構成により、半導体レーザ装置Ａ１の低抵抗化を図ることができる。

Description

半導体レーザ装置
　本開示は、半導体レーザ装置に関する。
　特許文献１は、従来の半導体レーザ装置の一例を開示している。同文献に開示された半導体レーザ装置は、ステム、半導体レーザ素子、サブマウント基板、複数のリードおよびキャップを備えている。ステムは、金属製であり、板状の基部およびこの基部から出射方向前方に突出するブロックを有する。半導体レーザ素子は、サブマウント基板を介してブロックに搭載されている。複数のリードは、ステムに固定されたものや、半導体レーザ素子と導通しているものを含む。キャップは、ブロック、サブマウント基板および半導体レーザ素子を覆っており、半導体レーザ素子からの光を通過させる開口を有する。
特開２０１２－０７９８２７号公報
　半導体レーザ素子は、ワイヤを介してリードと導通している。ワイヤは、半導体レーザ素子とリードとの導通経路における抵抗値を増大させる一因となりうる。
　本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、低抵抗化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。
　本開示によって提供される半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、厚さ方向において互いに反対側を向く基材第１面および基材第２面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する１以上の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、前記半導体レーザ素子は、前記基材第１面上に配置されており、前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通している。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大斜視図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部正面図である。 図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部正面図である。 図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部正面図である。 本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部正面図である。 図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部正面図である。 図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部正面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
＜第１実施形態＞
　図１～図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本開示の半導体レーザ装置Ａ１は、ステム１、複数のリード１３，１４，１５、半導体レーザ素子２、サブマウント基板３、複数のワイヤ４、およびキャップ部８を備えている。半導体レーザ装置Ａ１の用途は特に限定されず、たとえば様々な電子機器に搭載される光源装置として用いられる。
　図１は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部斜視図である。図２は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部拡大斜視図である。図３は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部正面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、半導体レーザ装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。これらの図において、図中におけるｚ方向は、半導体レーザ素子２の出射方向であり、本開示における第１方向に相当する。ｘ方向およびｙ方向は、それぞれｚ方向に対して直角である方向である。ｘ方向は、本開示の第２方向に相当する。ｙ方向は、本開示の厚さ方向に相当する。なお、図２においては、理解の便宜上、ワイヤ４を省略している。
　ステム１は、半導体レーザ装置Ａ１の土台となるものであり、第１部１１および第２部１２を有している。本実施形態のステム１は、第１部１１および第２部１２が一体的に形成されているが、これに限定されない。ステム１の材質は特に限定されないが、たとえば、ＦｅまたはＦｅ合金からなる。また、これらのＦｅまたはＦｅ合金上に、厚さが２～４μｍ程度のＮｉめっき、Ｃｕめっき、Ａｕめっきなどが施されていてもよい。
　第１部１１は、ｚ方向を厚さ方向とする板状の部位であり、本実施形態においては、ｚ方向視略円形状である。第１部１１の寸法の一例を挙げると、直径が５．６ｍｍ程度、厚さが０．５ｍｍ程度である。
　第１部１１には、貫通孔１１１，１１２が形成されている。貫通孔１１１，１１２は、第１部１１をｚ方向に貫通しており、図示された例においては、ｘ方向に互いに離間して配置されている。貫通孔１１１，１１２の形状および大きさは特に限定されないが、本実施形態においては、直径が１．０ｍｍ程度の円形貫通孔とされている。貫通孔１１１，１１２の直径は、第１部１１およびリード１３，１４のサイズや、リード１３，１４の間隔などに応じて適宜設定される。
　第２部１２は、第１部１１からｚ方向出射側（図１における図中上方）に突出している。第２部１２の形状は特に限定されない。第２部１２は、支持面１２１を有している。支持面１２１は、本実施形態においては、ｚ方向に対して平行であり、ｙ方向を向いている。
　複数のリード１３，１４，１５は、半導体レーザ装置Ａ１を電子機器などに固定するために用いられ、かつ半導体レーザ素子２への電力供給経路をなす。複数のリード１３，１４，１５は、たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ合金からなる棒状部材である。また、複数のリード１３，１４，１５は、Ａｕめっきが施されていてもよい。
　リード１３およびリード１４は、貫通孔１１１，１１２に各別に挿通されている。図１に示すように、リード１３のｚ方向上方側部分は、貫通孔１１１からｚ方向上方に突出している。また、リード１３のｚ方向下方側に位置する大部分が、第１部１１からｚ方向下方に突出している。リード１３は、第１部１３１を有する。第１部１３１は、第１部１１に対してｚ方向上方に位置しており、ｙ方向を厚さ方向とする板状の部位である。
　本実施形態においては、リード１３，１４と貫通孔１１１，１１２との間に、絶縁充填材１７が充填されている。絶縁充填材１７は、リード１３，１４をステム１の第１部１１に対して固定するとともに、リード１３，１４とステム１とを絶縁する機能を果たす。絶縁充填材１７の材質は特に限定されないが、本実施形態においては、絶縁充填材１７はガラスからなる。
　リード１４のｚ方向上方側部分は、貫通孔１１２からｚ方向上方に若干突出するものの、リード１３の突出長さよりも小さい。また、リード１３のｚ方向下方側に位置する大部分が、第１部１１からｚ方向下方に突出している。
　リード１５は、第１部１１のｚ方向下方側に接合されており、第１部１１と導通している。また、本実施形態においては、リード１５は、ｚ方向から視てステム１の第２部１２と重なっている。
　半導体レーザ素子２は、半導体レーザ装置Ａ１における発光要素である。本実施形態の半導体レーザ素子２は、半導体層２１、第１電極２３および第２電極２４を有する。
　半導体層２１は、複数の半導体層が積層された構造を有し、たとえば活性層を含む。半導体層２１を構成する半導体は特に限定されず、たとえばＧａＡｓ系半導体が用いられる。半導体層２１の形状は特に限定されず、本実施形態においては、図２～図５に示すように、素子第１面２１１、素子第２面２１２、素子第３面２１３、素子第４面２１４、素子第５面２１５および素子第６面２１６を有する。
　素子第１面２１１と素子第２面２１２とは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。素子第３面２１３および素子第４面２１４は、ｚ方向において互いに反対側を向いており、図示された例においては、それぞれ素子第１面２１１および素子第２面２１２に繋がっている。素子第５面２１５および素子第６面２１６は、ｘ方向において互いに反対側を向いており、図示された例においては、それぞれ素子第１面２１１、素子第２面２１２、素子第３面２１３および素子第４面２１４に繋がっている。半導体層２１の大きさは特に限定されず、その一例を挙げると、ｘ方向寸法が２００μｍ～６００μｍ程度、ｙ方向寸法が５０μｍ～２００μｍ程度、ｚ方向寸法が５００μｍ～１０００μｍ程度である。
　半導体層２１の活性層からの光は、ｚ方向において素子第３面２１３と素子第４面２１４との間で複数回反射される。その結果、図示された例においては、素子第３面２１３からレーザ光Ｌがｚ方向に出射される。また、素子第４面２１４からは、レーザ光Ｌと比較して微弱な光が出射される場合がある。
　第１電極２３は、半導体層２１の素子第１面２１１上に形成されている。第１電極２３の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。
　第２電極２４は、半導体層２１の素子第２面２１２上に形成されている。第２電極２４の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。
　第１電極２３および第２電極２４の極性は特に限定されない。図示された例においては、第１電極２３がアノード電極であり、第２電極２４がカソード電極である。
　サブマウント基板３は、ステム１と半導体レーザ素子２との間に介在するものである。本実施形態のサブマウント基板３は、基材３１、第１導電層３３、第２導電層３４および貫通導電部３７，３８を有する。
　基材３１は、絶縁性材料からなり、たとえばＡｌＮ等のセラミックスからなる。基材３１の形状は特に限定されず、図示された例においては、基材３１は、基材第１面３１１、基材第２面３１２、基材第３面３１３、基材第４面３１４、基材第５面３１５および基材第６面３１６を有する。
　基材第１面３１１と基材第２面３１２とは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。基材第３面３１３および基材第４面３１４は、ｚ方向において互いに反対側を向いており、図示された例においては、それぞれ基材第１面３１１および基材第２面３１２に繋がっている。基材第５面３１５および基材第６面３１６は、ｘ方向において互いに反対側を向いており、図示された例においては、それぞれ基材第１面３１１、基材第２面３１２、基材第３面３１３および基材第４面３１４に繋がっている。基材３１の大きさは特に限定されず、その一例を挙げると、ｘ方向寸法が５００μｍ～１０００μｍ程度、ｙ方向寸法が１００μｍ～３００μｍ程度、ｚ方向寸法が５００μｍ～１５００μｍ程度である。
　基材３１は、貫通孔３１７および貫通孔３１８を有する。貫通孔３１７および貫通孔３１８は、基材３１をｙ方向に貫通しており、基材第１面３１１および基材第２面３１２に到達している。本実施形態においては、貫通孔３１７および貫通孔３１８は、ｚ方向に互いに離間して配置されている。貫通孔３１７および貫通孔３１８の形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向から視て円形状である。貫通孔３１７および貫通孔３１８の大きさは特に限定されず、たとえば直径が０．１ｍｍ～０．３ｍｍ程度であり、好ましくは０．１５ｍｍ～０．２５ｍｍである。
　第１導電層３３は、基材３１の基材第１面３１１上に形成されている。第１導電層３３の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第１導電層３３は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下地層をさらに有していてもよい。
　第２導電層３４は、基材３１の基材第２面３１２上に形成されている。第２導電層３４の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第２導電層３４は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下地層をさらに有していてもよい。第２導電層３４は、ステム１の第２部１２の支持面１２１に、導電性接合部（図示略）を介して導通接合されている。
　第１導電層３３には、半導体レーザ素子２が接合されている。図示された例においては、半導体レーザ素子２の第２電極２４と第１導電層３３とが、導電性接合部５１によって接合されている。導電性接合部５１の材質は特に限定されず、たとえばＡｕＳｎからなる。また、図２～図４に示すように、図示された例においては、導電性接合部５１は、半導体レーザ素子２に対してｚ方向において基材第４面３１４側に延出している。
　貫通導電部３７，３８は、基材３１をｙ方向に貫通しており、導電性材料を含むことにより導電性部材として構成されている。図示された例においては、貫通導電部３７は、貫通孔３１７に充填されており、貫通導電部３８は、貫通孔３１８に充填されている。貫通導電部３７，３８は、それぞれ第１導電層３３および第２導電層３４に接しており、第１導電層３３および第２導電層３４を導通させている。
　貫通導電部３７，３８の具体的構成は特に限定されない。図６は、貫通導電部３７を含む部位を示す要部拡大断面図である。貫通導電部３７は、主に導電性材料からなる部位であり、たとえばＷ（タングステン）やＣｕ等の金属からなる。貫通導電部３８の材料も同様である。
　図３に示すように、貫通導電部３７は、図示された例においては、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２と重なっている。貫通導電部３８は、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２から離間しており、半導体レーザ素子２に対してｚ方向における基材第４面３１４側に配置されている。また、図示された例においては、貫通導電部３７のｚ方向中心は、半導体レーザ素子２（半導体層２１）のｚ方向中心よりもｚ方向において基材第３面３１３側に位置している。
　図４に示すように、素子第３面２１３と基材第３面３１３とのｚ方向における距離である第１距離ｄ１は、素子第４面２１４と基材第４面３１４とのｚ方向における距離である第２距離ｄ２よりも小さい。また、図示された例においては、素子第３面２１３は、ｙ方向から視て基材第３面３１３よりもｚ方向において基材第４面３１４側に位置する。図示された例においては、素子第３面２１３においてレーザ光Ｌが出射される箇所は、半導体層２１のｙ方向中心よりも素子第１面２１１側に位置している。
　ワイヤ４は、図１および図３に示すように、半導体レーザ素子２とリード１３とに接続されており、これらを互いに導通させている。図示された例においては、ワイヤ４は、半導体レーザ素子２の第１電極２３とリード１３の第１部１３１とに接続されている。
　ワイヤ４の本数は特に限定されず、図示された例においては、ワイヤ４の本数は、４本である。ワイヤ４は、ボンディング部４１を有する。ボンディング部４１は、第１電極２３にボンディングされた部位である。ワイヤ４の線径は、たとえば２５μｍ～４５μｍ程度であり、ボンディング部４１の直径は、たとえば６０μｍ～１４０μｍ程度である。
　図３に示すように、図示された例においては、１本のワイヤ４のボンディング部４１と貫通導電部３７とが、ｙ方向から視て重なっている。また、４本のワイヤ４のボンディング部４１は、千鳥状に配置されている。２つのボンディング部４１と他の２つのボンディング部４１とは、ｘ方向において貫通導電部３７の中心を挟んで両側に離間して配置されている。
　キャップ部８は、半導体レーザ素子２、サブマウント基板３およびステム１の第２部１２を覆っており、ステム１の第１部１１に固定されている。キャップ部８の材質は特に限定されず、たとえば金属からなる。キャップ部８は、開口８１を有する。開口８１は、半導体レーザ素子２からのレーザ光Ｌを通過させるためのものである。なお、半導体レーザ装置Ａ１は、キャップ部８を備える構成に限定されず、キャップ部８を備えない構成であってもよい。
　次に、半導体レーザ装置Ａ１の作用について説明する。
　本実施形態によれば、半導体レーザ素子２は、基材３１を貫通する貫通導電部３７，３８と導通している。このため、サブマウント基板３の第２導電層３４がステム１の第２部１２に導通接合されると、半導体レーザ素子２がステム１の第２部１２、第１部１１およびリード１５と導通する。このため、半導体レーザ素子２をリード１５と導通させるためのワイヤを設ける必要がない。これにより、半導体レーザ装置Ａ１の低抵抗化を図ることが可能である。
　図３および図４に示すように、貫通導電部３７は、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２の半導体層２１（第２電極２４）と重なる。このため、第２電極２４から貫通導電部３７へと流れる電流経路を短縮することが可能である。これは、半導体レーザ装置Ａ１の低抵抗化に好ましい。
　図３に示すように、貫通導電部３７は、ワイヤ４のボンディング部４１と重なる。このため、半導体レーザ素子２を流れる電流経路を短縮することが可能であり、半導体レーザ装置Ａ１の低抵抗化に好ましい。
　図３に示すように、貫通導電部３７のｚ方向中心は、半導体レーザ素子２（半導体層２１）のｚ方向中心よりもｚ方向において基材第３面３１３側に位置している。これにより、貫通導電部３７は、基材第４面３１４よりもレーザ光Ｌが出射される基材第３面３１３に近い位置に設けられている。たとえば、貫通導電部３７がＣｕ等の基材３１よりも熱伝導率が高い材質からなる場合、半導体レーザ素子２の発光時の熱をより効率よく放熱することができる。
　半導体レーザ素子２には、複数のワイヤ４が接続されている。これにより、半導体レーザ素子２に流れる電流の大電流化を図るとともに、電流の均一化を図ることが可能であり、半導体レーザ装置Ａ１の高出力化を図ることができる。
　複数のボンディング部４１は、千鳥状の配置とされている。これにより、複数のボンディング部４１を設ける領域の面積を縮小することが可能であり、半導体レーザ素子２、ひいては半導体レーザ装置Ａ１の小型化を図ることができる。
　図４に示すように、素子第３面２１３と基材第３面３１３とのｚ方向における距離である第１距離ｄ１は、素子第４面２１４と基材第４面３１４とのｚ方向における距離である第２距離ｄ２よりも小さい。これにより、レーザ光Ｌが出射される素子第３面２１３の位置を、たとえばステム１の第２部１２のｚ方向上端に対してより正確に位置決めすることができる。
　素子第３面２１３は、ｙ方向から視て基材第３面３１３よりもｚ方向において基材第４面３１４側に位置する。しかし、素子第３面２１３においてレーザ光Ｌが出射される箇所は、半導体層２１のｙ方向中心よりも素子第１面２１１側に位置している。このため、レーザ光Ｌが、基材３１の基材第１面３１１等によって意図せず遮られてしまうこと等を抑制することができる。
　図７～図１５は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
＜第１実施形態　第１変形例＞
　図７は、半導体レーザ装置Ａ１の第１変形例を示す断面図である。本例の半導体レーザ装置Ａ１１は、半導体レーザ素子２とサブマウント基板３とのｚ方向における位置関係が上述した例と異なる。
　本例においては、素子第３面２１３は、ｙ方向から視て基材第３面３１３よりもｚ方向において基材第４面３１４とは反対側に位置する。また、素子第３面２１３においてレーザ光Ｌが出射される箇所は、半導体層２１のｙ方向中心よりも素子第２面２１２側に位置している。なお、本例においても、素子第３面２１３と基材第３面３１３とのｚ方向における距離である第１距離ｄ１は、素子第４面２１４と基材第４面３１４とのｚ方向における距離である第２距離ｄ２よりも小さい。
　本変形例によっても、半導体レーザ装置Ａ１１の低抵抗化を図ることができる。また、素子第３面２１３においてレーザ光Ｌが出射される箇所は、半導体層２１のｙ方向中心よりも素子第２面２１２側に位置しているが、素子第３面２１３は、ｙ方向から視て基材第３面３１３よりもｚ方向において基材第４面３１４とは反対側に位置する。これにより、レーザ光Ｌが、基材３１の基材第１面３１１等によって意図せず遮られてしまうこと等を抑制することができる。また、本例から理解されるように、半導体レーザ素子２の素子第３面２１３において、レーザ光Ｌが出射される位置は、何ら限定されない。
＜第２実施形態＞
　図８および図９は、本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ２は、半導体レーザ素子２とサブマウント基板３との位置関係および寸法関係が、上述した実施形態と異なる。
　図８は、半導体レーザ装置Ａ２を示す要部正面図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
　本実施形態においては、ｙ方向から視て、貫通導電部３７および貫通導電部３８と半導体レーザ素子２（半導体層２１）とが、重なっている。半導体レーザ素子２のｚ方向寸法は、たとえば８００μｍ～１０００μｍ程度である。図示された例においては、貫通導電部３７および貫通導電部３８は、半導体レーザ素子２（半導体層２１）のｚ方向中心を挟んで、互いに反対側に配置されている。
　貫通導電部３７は、ｙ方向から視てワイヤ４のボンディング部４１と重なる。また、貫通導電部３８は、ｙ方向からみてワイヤ４のボンディング部４１と重なる。なお、貫通導電部３７および貫通導電部３８の少なくともいずれかは、ｙ方向からみてボンディング部４１と重ならない構成であってもよい。
　本実施形態においても、素子第３面２１３と基材第３面３１３とのｚ方向における距離である第１距離ｄ１は、素子第４面２１４と基材第４面３１４とのｚ方向における距離である第２距離ｄ２よりも小さい。
　本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ２の低抵抗化を図ることができる。また、貫通導電部３７および貫通導電部３８の双方が、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２（半導体層２１）に重なる。これにより、半導体レーザ装置Ａ１の半導体レーザ素子２と比べてｚ方向寸法が大きい半導体レーザ素子２であっても、より均一に電流を流すことができる。
　また、半導体レーザ装置Ａ１におけるサブマウント基板３の第１導電層３３が、ｚ方向において半導体レーザ素子２から基材第４面３１４に延出する構成であることにより、サイズの異なる半導体レーザ素子２を同一のサブマウント基板３に搭載することができる。
＜第３実施形態＞
　図１０は、本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ３は、主にサブマウント基板３の構成が上述した実施形態と異なっている。
　本実施形態のサブマウント基板３は、貫通導電部３７を有しており、上述した実施形態の貫通導電部３８を有していない。貫通導電部３７は、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２（半導体層２１）に重なる。図示された例においては、貫通導電部３７のｚ方向中心は、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２（半導体層２１）のｚ方向中心よりもｚ方向において基材第３面３１３側に位置している。
　また、図示された例においては、貫通導電部３７は、ｙ方向から視てワイヤ４のボンディング部４１に重なる。
　本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ３の低抵抗化を図ることができる。また、サブマウント基板３が、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２と重なる貫通導電部３７のみを有することにより、サブマウント基板３の小型化を図ることが可能であり、半導体レーザ装置Ａ３全体の小型化に有利である。
＜第４実施形態＞
　図１１および図１２は、本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置Ａ４は、主に半導体レーザ素子２およびサブマウント基板３の構成が上述した実施形態と異なっている。
　図１１は、半導体レーザ装置Ａ４を示す要部正面図である。図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。
　本実施形態の半導体レーザ素子２は、半導体層２１、第２電極２４、第３電極２５および導電部２６を有する。
　本実施形態の半導体層２１は、素子第１面２１１、素子第２面２１２、素子第３面２１３、素子第４面２１４、素子第５面２１５、素子第６面２１６および素子第７面２１７を有する。
　素子第１面２１１と素子第２面２１２とは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。素子第３面２１３および素子第４面２１４は、ｚ方向において互いに反対側を向いており、図示された例においては、それぞれ素子第１面２１１および素子第２面２１２に繋がっている。素子第５面２１５および素子第６面２１６は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。素子第７面２１７は、ｙ方向において素子第２面２１２と同じ側を向いている。素子第７面２１７は、ｙ方向において素子第２面２１２よりも素子第１面２１１側に位置している。本実施形態においては、半導体層２１の活性層は、ｙ方向から視て素子第２面２１２と重なる位置に設けられている。
　第２電極２４は、半導体層２１の素子第２面２１２上に形成されている。第２電極２４の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。第２電極２４は、たとえばアノード電極である。
　導電部２６は、半導体層２１の素子第７面２１７上に設けられている。導電部２６の材質は特に限定されず、たとえば金属からなる。
　第３電極２５は、導電部２６上に形成されている。第３電極２５の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第３電極２５は、ｙ方向において第２電極２４と略同じ位置に設けられている。第３電極２５は、たとえばカソード電極である。
　サブマウント基板３は、基材３１、第１導電層３３、第２導電層３４、第３導電層３５および貫通導電部３７を有する。
　第１導電層３３は、基材３１の基材第１面３１１上に形成されている。第１導電層３３の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第１導電層３３は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下地層をさらに有していてもよい。
　第２導電層３４は、基材３１の基材第２面３１２上に形成されている。第２導電層３４の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第２導電層３４は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下地層をさらに有していてもよい。
　第３導電層３５は、基材３１の基材第１面３１１上に形成されている。第３導電層３５の材質は特に限定されず、たとえばＡｕからなる。また、第３導電層３５は、Ｔｉ／Ｐｔからなる下地層をさらに有していてもよい。第３導電層３５は、第１導電層３３と離間している。図示された例においては、３５は、ｘ方向において第１導電層３３よりも基材第５面３１５側に配置されている。
　貫通導電部３７は、基材３１を貫通しており、第１導電層３３と第２導電層３４とを導通させている。
　半導体レーザ素子２の第２電極２４は、導電性接合部５１Ａを介してサブマウント基板３の第３導電層３５に導通接合されている。半導体レーザ素子２の第３電極２５は、導電性接合部５１Ｂを介してサブマウント基板３の第１導電層３３に接合されている。導電性接合部５１Ａおよび導電性接合部５１Ｂの材質は特に限定されず、たとえば上述の導電性接合部５１と同様の材質からなる。
　第３導電層３５は、ｙ方向から視て半導体レーザ素子２からｘ方向において基材第５面３１５側に延出している。第３導電層３５には、ワイヤ４が接続されている。このワイヤ４は、リード１３の第１部１３１に接続されている。ワイヤ４の本数は特に限定されず、図示された例においては、４本である。４本のワイヤ４のボンディング部４１は、たとえば千鳥状に配置されている。ワイヤ４のボンディング部４１は、ｘ方向から視て半導体レーザ素子２の半導体層２１に重なる。
　本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４の低抵抗化を図ることができる。また、本実施形態から理解されるように、半導体レーザ素子２は、いわゆるフリップチップ実装タイプの素子であってもよい。
　第３導電層３５が、半導体レーザ素子２からｘ方向において基材第５面３１５側に延出しており、複数のワイヤ４のボンディング部４１がｚ方向から視て半導体レーザ素子２と基材第５面３１５との間に設けられている。これにより、複数のワイヤ４が半導体レーザ素子２からのレーザ光Ｌを不当に遮ることを抑制することができる。さらに、本実施形態によれば、素子第４面２１４から発せられる微弱な光をモニタリングすることにより、半導体レーザ素子２の発光状態を検出する等の構成を実現可能である。
＜第４実施形態　第１変形例＞
　図１３および図１４は、半導体レーザ装置Ａ４の第１変形例を示している。本変形例の半導体レーザ装置Ａ４１は、半導体レーザ素子２の配置が、上述した例と異なっている。
　図１３は、半導体レーザ装置Ａ４１を示す要部正面図である。図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。
　半導体レーザ装置Ａ４１においては、図１４に示すように、半導体レーザ素子２の第２電極２４が、サブマウント基板３の第１導電層３３に導電性接合部５１Ｂを介して導通接合されている。また、半導体レーザ素子２の第３電極２５が、サブマウント基板３の第３導電層３５に導電性接合部５１Ａを介して導通接合されている。
　図１３に示すように、本例においては、ｙ方向から視て、レーザ光Ｌは、半導体層２１のうちサブマウント基板３のｘ方向中心よりもｘ方向において基材第６面３１６側に位置する箇所から出射される。
　本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４１の低抵抗化を図ることができる。また、フリップチップ実装される半導体レーザ素子２のｘ方向における向きは、何ら限定されない。
＜第４実施形態　第２変形例＞
　図１５は、半導体レーザ装置Ａ４の第２変形例を示す要部正面図である。本変形例の半導体レーザ装置Ａ４２は、主に、ワイヤ４の配置が上述した例と異なる。
　本実施形態のサブマウント基板３の第３導電層３５は、第１部３５１および第２部３５２を有する。
　第１部３５１は、ｚ方向から視て第１導電層３３よりもｘ方向において基材第５面３１５側に位置しており、ｘ方向から視て第１導電層３３と重なる。
　第２部３５２は、ｘ方向から視て第１導電層３３よりもｚ方向において基材第４面３１４側に位置しており、ｚ方向から視て第１導電層３３と重なる。
　１本のワイヤ４のボンディング部４１は、第３導電層３５の第１部３５１にボンディングされている。他の１本のワイヤ４のボンディング部４１は、第３導電層３５の第２部３５２にボンディングされている。２つのボンディング部４１は、ｚ方向から視て半導体レーザ素子２（半導体層２１）に重なる。
　本実施形態によっても、半導体レーザ装置Ａ４２の低抵抗化を図ることができる。また、本変形例によれば、サブマウント基板３のｘ方向寸法を縮小することができる。
　本開示に係る半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体レーザ装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
［付記１］
　半導体レーザ素子と、
　厚さ方向において互いに反対側を向く基材第１面および基材第２面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する１以上の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、
　前記半導体レーザ素子は、前記基材第１面上に配置されており、
　前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通している、半導体レーザ装置。
［付記２］
　前記サブマウント基板は、前記基材第１面上に配置された第１導電層を有する、付記１に記載の半導体レーザ装置。
［付記３］
　前記サブマウント基板は、前記基材第２面上に配置された第２導電層を有する、付記２に記載の半導体レーザ装置。
［付記４］
　前記第１導電層および前記第２導電層は、前記貫通導電部を介して導通している、付記３に記載の半導体レーザ装置。
［付記５］
　１以上の前記貫通導電部は、前記厚さ方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記４に記載の半導体レーザ装置。
［付記６］
　前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記基材第１面と同じ側を向く素子第１面、前記厚さ方向において前記基材第２面と同じ側を向く素子第２面、前記厚さ方向と直角である第１方向を向き且つレーザ光が出射される素子第３面、および前記第１方向において前記素子第３面と反対側を向く素子第４面、を有する半導体層を備え、
　前記基材は、前記第１方向において前記素子第３面と同じ側を向く基材第３面、および前記第１方向において前記素子第４面と同じ側を向く基材第４面を有する、付記４または５に記載の半導体レーザ装置。
［付記７］
　前記厚さ方向から視て前記半導体レーザ素子に重なる前記貫通導電部は、前記第１方向において前記半導体層の中心よりも前記素子第３面側に配置されている、付記６に記載の半導体レーザ装置。
［付記８］
　前記第１方向における前記素子第３面と前記基材第３面との距離である第１距離は、前記第１方向における前記素子第４面と前記基材第４面との距離である第２距離よりも小さい、付記６または７に記載の半導体レーザ装置。
［付記９］
　前記素子第３面は、前記厚さ方向から視て前記基材第３面よりも前記第１方向において前記基材第４面とは反対側に位置する、付記８に記載の半導体レーザ装置。
［付記１０］
　前記素子第３面は、前記厚さ方向から視て前記基材第３面よりも前記第１方向において前記基材第４面側に位置する、付記８に記載の半導体レーザ装置。
［付記１１］
　前記半導体レーザ素子は、前記素子第１面上に配置された第１電極および前記素子第２面上に配置された第２電極を有し、
　前記第２電極と前記第１導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、付記６ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
［付記１２］
　前記第１電極に接続されたワイヤを備える、付記１１に記載の半導体レーザ装置。
［付記１３］
　前記ワイヤは、前記第１電極に接合されたボンディング部を有しており、
　前記ボンディング部は、前記厚さ方向から視て前記貫通導電部に重なる、付記１２に記載の半導体レーザ装置。
［付記１４］
　前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記素子第２面と同じ側を向き且つ前記厚さ方向から視て互いに離間した第２電極および第３電極を有し、
　前記サブマウント基板は、前記基材第１面上に配置され且つ前記厚さ方向から視て前記第１導電層と離間した第３導電層を有し、
　前記第２電極および前記第３電極のいずれか一方と前記第１導電層とが、導電性接合部を介して接合されており、
　前記第２電極および前記第３電極のいずれか一方と前記第３導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、付記６ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
［付記１５］
　前記第３導電層に接続されたワイヤを備える、付記１４に記載の半導体レーザ装置。
［付記１６］
　前記ワイヤは、前記第３導電層に接合されたボンディング部を有しており、
　前記ボンディング部は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直角である第２方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記１５に記載の半導体レーザ装置。
［付記１７］
　前記ワイヤは、前記第３導電層に接合されたボンディング部を有しており、
　前記ボンディング部は、前記第１方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記１５に記載の半導体レーザ装置。

Claims (17)

  1. 　半導体レーザ素子と、
    　厚さ方向において互いに反対側を向く基材第１面および基材第２面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する１以上の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、
    　前記半導体レーザ素子は、前記基材第１面上に配置されており、
    　前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通している、半導体レーザ装置。
  2. 　前記サブマウント基板は、前記基材第１面上に配置された第１導電層を有する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 　前記サブマウント基板は、前記基材第２面上に配置された第２導電層を有する、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 　前記第１導電層および前記第２導電層は、前記貫通導電部を介して導通している、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  5. 　１以上の前記貫通導電部は、前記厚さ方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
  6. 　前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記基材第１面と同じ側を向く素子第１面、前記厚さ方向において前記基材第２面と同じ側を向く素子第２面、前記厚さ方向と直角である第１方向を向き且つレーザ光が出射される素子第３面、および前記第１方向において前記素子第３面と反対側を向く素子第４面、を有する半導体層を備え、
    　前記基材は、前記第１方向において前記素子第３面と同じ側を向く基材第３面、および前記第１方向において前記素子第４面と同じ側を向く基材第４面を有する、請求項４または５に記載の半導体レーザ装置。
  7. 　前記厚さ方向から視て前記半導体レーザ素子に重なる前記貫通導電部は、前記第１方向において前記半導体層の中心よりも前記素子第３面側に配置されている、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  8. 　前記第１方向における前記素子第３面と前記基材第３面との距離である第１距離は、前記第１方向における前記素子第４面と前記基材第４面との距離である第２距離よりも小さい、請求項６または７に記載の半導体レーザ装置。
  9. 　前記素子第３面は、前記厚さ方向から視て前記基材第３面よりも前記第１方向において前記基材第４面とは反対側に位置する、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
  10. 　前記素子第３面は、前記厚さ方向から視て前記基材第３面よりも前記第１方向において前記基材第４面側に位置する、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
  11. 　前記半導体レーザ素子は、前記素子第１面上に配置された第１電極および前記素子第２面上に配置された第２電極を有し、
    　前記第２電極と前記第１導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  12. 　前記第１電極に接続されたワイヤを備える、請求項１１に記載の半導体レーザ装置。
  13. 　前記ワイヤは、前記第１電極に接合されたボンディング部を有しており、
    　前記ボンディング部は、前記厚さ方向から視て前記貫通導電部に重なる、請求項１２に記載の半導体レーザ装置。
  14. 　前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記素子第２面と同じ側を向き且つ前記厚さ方向から視て互いに離間した第２電極および第３電極を有し、
    　前記サブマウント基板は、前記基材第１面上に配置され且つ前記厚さ方向から視て前記第１導電層と離間した第３導電層を有し、
    　前記第２電極および前記第３電極のいずれか一方と前記第１導電層とが、導電性接合部を介して接合されており、
    　前記第２電極および前記第３電極のいずれか一方と前記第３導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
  15. 　前記第３導電層に接続されたワイヤを備える、請求項１４に記載の半導体レーザ装置。
  16. 　前記ワイヤは、前記第３導電層に接合されたボンディング部を有しており、
    　前記ボンディング部は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直角である第２方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
  17. 　前記ワイヤは、前記第３導電層に接合されたボンディング部を有しており、
    　前記ボンディング部は、前記第１方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、請求項１５に記載の半導体レーザ装置。
PCT/JP2019/027122 2018-08-09 2019-07-09 半導体レーザ装置 Ceased WO2020031589A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020536391A JP7329519B2 (ja) 2018-08-09 2019-07-09 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-150461 2018-08-09
JP2018150461 2018-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020031589A1 true WO2020031589A1 (ja) 2020-02-13

Family

ID=69415505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/027122 Ceased WO2020031589A1 (ja) 2018-08-09 2019-07-09 半導体レーザ装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7329519B2 (ja)
WO (1) WO2020031589A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021261253A1 (ja) * 2020-06-22 2021-12-30
CN116235371A (zh) * 2020-10-01 2023-06-06 三菱电机株式会社 半导体激光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208270A (ja) * 1997-01-29 1998-08-07 Sharp Corp 光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2007059741A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子モジュール及びその製造方法
JP2017204604A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 ローム株式会社 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060214909A1 (en) * 2005-03-23 2006-09-28 Poh Ju C Vertical cavity surface-emitting laser in non-hermetic transistor outline package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208270A (ja) * 1997-01-29 1998-08-07 Sharp Corp 光ピックアップ用半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2007059741A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子モジュール及びその製造方法
JP2017204604A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 ローム株式会社 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装構造

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021261253A1 (ja) * 2020-06-22 2021-12-30
WO2021261253A1 (ja) * 2020-06-22 2021-12-30 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法
JP7713449B2 (ja) 2020-06-22 2025-07-25 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ装置
CN116235371A (zh) * 2020-10-01 2023-06-06 三菱电机株式会社 半导体激光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020031589A1 (ja) 2021-08-26
JP7329519B2 (ja) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104040809B (zh) 半导体激光器装置以及其制造方法
JP6304282B2 (ja) 半導体レーザ装置
CN111566882B (zh) 半导体激光装置
JP2010113849A (ja) 車両用灯具
JP5962522B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP7329519B2 (ja) 半導体レーザ装置
US20160020577A1 (en) Semiconductor laser device
JP2019153762A (ja) 半導体発光装置
JP3639497B2 (ja) 半導体レーザ装置
US12113330B2 (en) Semiconductor laser device
US12040590B2 (en) Semiconductor laser device
US10424555B2 (en) Mounting component, semiconductor device using same, and manufacturing method thereof
JP2022060630A (ja) 半導体レーザ素子、半導体レーザユニット、半導体レーザ装置
US11605769B2 (en) Light emitting element and light emitting device
JP2023085830A (ja) 半導体発光装置
CN114402491A (zh) 半导体激光装置
JP2018113377A (ja) レーザー光源装置
JP5459985B2 (ja) パッケージ及びそれを用いた電子装置、並びに発光装置
JP6485518B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP7790949B2 (ja) 半導体発光装置
JP2023166838A (ja) 半導体発光装置
JP2014170777A (ja) 発光装置
JP2019129302A (ja) 半導体レーザ装置
JP2023085831A (ja) 半導体発光装置
JP2017152547A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19848256

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020536391

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19848256

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1