JP2022060630A - 半導体レーザ素子、半導体レーザユニット、半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】実装が容易な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子Ａ１は、基板主面１０１と、基板主面１０１と直交する第１方向において基板主面１０１と反対側を向く基板裏面１０２とを有する半導体基板１０と、基板主面１０１から第１方向に突出するように形成され、基板主面１０１と同じ方向を向く電極接続面２１１を有する発光部２１と、電極接続面２１１に接続された第１電極５１と、基板主面１０１に接続された第２電極５２と、を備える。【選択図】図２

Description

本開示は、半導体レーザ素子、半導体レーザユニット、半導体レーザ装置に関する。

特許文献１には、半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置は、基板上に形成されたｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有するダブルヘテロ構造を含む。ｐ型クラッド層の上には、ｐ型のクラッド層からなるリッジストライプが形成されている。ｐ型クラッド層の頂部にはコンタクト層が形成されている。このコンタクト層は、ｐ型クラッド層の頂部の全域を被覆している。コンタクト層の上にはｐ側電極が形成され、基板の裏面には、ｎ側電極が形成されている。

特開２００７－１０３７８３号公報

上記の半導体レーザ装置は、装置の上面と裏面とのそれぞれに電極を有している。つまり上記の半導体レーザ装置は、互いに反対方向を向く２つの電極を有している。このため、例えば基板やステムに一方の電極を接続した後、他方の電極にワイヤ等を接続する必要がある。このため、ワイヤボンディングのための装置等が必要となり、半導体レーザ装置の実装に改善の余地がある。

本開示の目的は、実装が容易な半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を備えた半導体レーザユニット、半導体レーザ装置を提供することにある。

本開示の一態様である半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、前記接続面に接続された第１電極と、前記基板主面に接続された第２電極と、を有する。

この構成によれば、半導体基板の基板主面に接続された発光部は、基板主面と同じ方向を向く接続面を有し、その接続面に第１電極が接続されている。発光部と接続される第２電極は、基板主面に接続されている。したがって、この半導体レーザ素子は、半導体基板に対して第１電極と第２電極とが基板主面の側に設けられている。このため、第１電極と第２電極とを接続対象に向けて接続することで、実装が容易となる。

また、本開示の別の一態様である半導体レーザユニットは、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光部とを有する半導体レーザ素子と、基板主面と、前記基板主面に形成された第１接続パターン及び第２接続パターンと、を有する接続基板と、前記第１電極と前記第１接続パターンとを接続する第１接続部材と、前記第２電極と前記第２接続パターンとを接続する第２接続部材と、を有し、前記半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する前記発光部と、前記接続面に接続された前記第１電極と、前記基板主面に接続された前記第２電極と、を有する。

この構成によれば、半導体レーザ素子は、半導体基板に対して第１電極と第２電極とが基板主面の側に設けられている。このため、第１電極と第２電極とを接続基板に向けて接続することで、実装が容易となる。

また、本開示の別の一態様である半導体レーザ装置は、第１絶縁層及び第２絶縁層と、前記第１絶縁層の表面の第１配線層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の第２配線層と、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通配線と、を有する配線基板と、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が実装された接続基板とを有し、前記接続基板が前記第１配線層に接続された半導体レーザユニットと、前記半導体レーザユニットと電気的に接続され、前記半導体レーザ素子を動作させるスイッチング素子と、前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子と電気的に接続されたキャパシタと、を備え、前記半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、前記接続面に接続された第１電極と、前記基板主面に接続された第２電極と、を有し、前記スイッチング素子と前記キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、前記配線基板の前記第１配線層と前記第２配線層と前記貫通配線は、前記スイッチング素子と前記キャパシタと前記半導体レーザユニットを含む導電ループを構成する。

また、本開示の別の一態様である半導体レーザ装置は、第１絶縁層及び第２絶縁層と、前記第１絶縁層の表面の第１配線層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の第２配線層と、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通配線と、を有する配線基板と、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が実装された接続基板とを有し、前記接続基板が前記第１配線層に接続された半導体レーザユニットと、前記半導体レーザユニットと電気的に接続され、前記半導体レーザ素子を動作させる第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、前記半導体レーザ素子及び前記第１スイッチング素子と電気的に接続された第１キャパシタと、前記半導体レーザ素子及び前記第２スイッチング素子と電気的に接続された第２キャパシタと、を備え、前記半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、前記接続面に接続された第１電極と、前記基板主面に接続された第２電極と、を有し、前記第１スイッチング素子と前記第１キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタは、前記半導体レーザユニットに対して前記第１スイッチング素子及び前記第１キャパシタとは反対側に配置されるとともに、前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、前記配線基板の前記第１配線層と前記第２配線層と前記貫通配線は、前記第１スイッチング素子と前記第１キャパシタと前記半導体レーザユニットとを含む第１導電ループと、前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタと前記半導体レーザユニットとを含む第２導電ループを構成する。

本開示によれば、実装が容易な半導体レーザ素子、半導体レーザ素子を備えた半導体レーザユニット、半導体レーザ装置を提供することができる。

一実施形態の半導体レーザ素子の斜視図。 半導体レーザ素子の正面図。 半導体レーザ素子を形成する半導体基板及びユニット層の説明図。 接続基板と半導体レーザ素子とを含む半導体レーザユニットの斜視図。 半導体レーザユニットの正面図。 接続基板の平面図。 接続基板の底面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子の正面図。 変更例の半導体レーザ素子と接続基板の接続を示す正面図。 接続基板と変更例の半導体レーザ素子とを含む半導体レーザユニットの正面図。 変更例の半導体レーザユニットの正面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 変更例の半導体レーザユニットの正面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 変更例の半導体レーザユニットの正面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 変更例の半導体レーザユニットの正面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 変更例の半導体レーザユニットの正面図。 変更例の接続基板の平面図。 変更例の接続基板の底面図。 半導体レーザ装置の平面図。 半導体レーザ装置の断面図。 半導体レーザ装置の回路図。 半導体レーザ装置の平面図。 半導体レーザ装置の断面図。 半導体レーザ装置の回路図。 変更例の半導体レーザ装置を示す断面図。

以下、実施形態及び変更例について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態及び変更例は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態及び変更例は、種々の変更を加えることができる。また、以下の実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。

同様に、「部材Ｃが部材Ａと部材Ｂとの間に設けられた状態」とは、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが直接的に接続される場合、並びに、部材Ａと部材Ｃ、あるいは部材Ｂと部材Ｃとが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。

［半導体レーザ素子］
図１～図３にしたがって、一実施形態の半導体レーザ素子Ａ１を説明する。
図１、図２に示すように、半導体レーザ素子Ａ１は、半導体基板１０、発光部２１、支持部２２、絶縁膜４１、第１電極５１、第２電極５２を備えている。

半導体基板１０は、基板主面１０１、基板裏面１０２、基板側面１０３，１０４，１０５，１０６を有している。基板主面１０１と基板裏面１０２とは、互いに反対側を向く。基板主面１０１と垂直な方向をＺ方向（厚さ方向：第１方向）とし、Ｚ方向と直交する１つの方向をＸ方向（第３方向）、Ｚ方向及びＸ方向と直交する方向をＹ方向（第２方向）とする。基板側面１０３，１０４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。基板側面１０５，１０６はＹ方向において互いに反対側を向く。半導体基板１０は、Ｚ方向から視て長方形状に形成されている。本実施形態の半導体基板１０は、長方形板状である。

半導体基板１０は、ＧａＡｓ（ガリウム－ヒ素）を含むｎ型の半導体基板（ｎ－ＧａＡｓ基板）からなる。本実施形態の半導体基板１０は、ｎ型不純物として例えばＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。

発光部２１は、半導体基板１０の基板主面１０１に設けられている。発光部２１は、基板主面１０１から、基板裏面１０２とは反対側に向けて突出している。
発光部２１は、電極接続面２１１、基板接続面２１２、発光部側面２１３，２１４、発光部端面２１５，２１６を備えている。電極接続面２１１は、Ｚ方向において、基板主面１０１と同じ方向を向く。基板接続面２１２は、半導体基板１０の側を向き、基板主面１０１に接続されている。発光部側面２１３，２１４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。発光部端面２１５，２１６は、Ｙ方向において、互いに反対側を向く。発光部側面２１３，２１４は、電極接続面２１１と基板主面１０１とを接続する。発光部端面２１５，２１６は、共振器端面を構成する。Ｙ方向は、発光部２１の共振器方向といえる。

本実施形態において、発光部２１は、メサ構造を有し、基板主面１０１から突出した台形状（リッジ状）に形成されている。発光部２１は、Ｙ方向から視て、基板主面１０１と接続される基板接続面２１２の幅Ｗｂに対して、Ｚ方向の側の電極接続面２１１の幅Ｗａが狭い台形状に形成されている。図１に示すように、発光部２１は、Ｙ方向に延びている。発光部２１の電極接続面２１１の幅Ｗａは、例えば１０μｍ以上４００μｍ以下である。

発光部２１は、少なくとも１つの発光ユニット３０を有している。本実施形態の発光部２１は、３つの発光ユニット３０を備えている。３つの発光ユニット３０は、基板主面１０１からＺ方向に積層されている。なお、発光ユニット３０の数は、１つ、２つ、又は４つ以上であってもよい。

発光ユニット３０は、活性層３２と、Ｚ方向において活性層３２を挟む第１クラッド層３１及び第２クラッド層３３を有する。第１クラッド層３１は、活性層３２に対して半導体基板１０の側に配置されている。第２クラッド層３３は、活性層３２に対して半導体基板１０とは反対側に配置されている。

活性層３２は、電子と正孔とが再結合することにより光を発する層である。活性層３２は、例えば、積層されたウェル層、バリア層およびガイド層を含む。
第１クラッド層３１は、例えばｎ型クラッド層である。第１クラッド層３１は、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム－ガリウム－砒素）を含む。第１クラッド層３１は、ｎ型不純物としてのＳｉ（シリコン）、Ｔｅ（テルル）およびＳｅ（セレン）の少なくとも１種を含む。第２クラッド層３３は、例えばｐ型クラッド層である。第２クラッド層３３は、ＡｌＧａＡｓを含む。第２クラッド層３３は、ｐ型不純物としてのＣ（炭素）を含む。

支持部２２は、基板主面１０１から、基板裏面１０２とは反対側に向けて突出している。本実施形態において、支持部２２は、Ｙ方向から視て、台形状に形成されている。
支持部２２は、Ｘ方向において発光部２１と隣り合うように配置されている。図１に示すように、支持部２２は、Ｙ方向に延びている。Ｙ方向において、支持部２２の長さは、発光部２１の長さと等しい。なお、本明細書において、長さが等しいとは、製造上の誤差を含む。

支持部２２は、支持部主面２２１、支持部側面２２３，２２４、支持部端面２２５，２２６を有している。支持部主面２２１は、半導体基板１０の基板主面１０１と同じ方向を向く、支持部端面２２５，２２６は、Ｙ方向において、互いに反対側を向く。支持部側面２２４は、発光部２１の側を向き、支持部側面２２３は、発光部２１と反対方向を向く。

支持部２２は、複数の活性層３２と、Ｚ方向において各活性層３２を挟む含む第１クラッド層３１と第２クラッド層３３とを含む。本実施形態において、支持部２２は、３つの活性層３２を含む。第１クラッド層３１は、活性層３２に対して半導体基板１０の側に配置されている。第２クラッド層３３は、活性層３２に対して半導体基板１０とは反対側に配置されている。

支持部２２を構成する活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３はそれぞれ、発光部２１を構成する活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３と同じ構成である。つまり、支持部２２は、発光部２１と同じ構成を有している。

本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１は、側壁部２３を有している。
側壁部２３は、基板主面１０１から、基板裏面１０２とは反対側に向けて突出している。本実施形態において、側壁部２３は、Ｙ方向から視て、台形状に形成されている。

側壁部２３は、Ｘ方向において発光部２１に対して支持部２２とは反対側に配置されている。図１に示すように、側壁部２３は、Ｙ方向に延びている。Ｙ方向において、側壁部２３の長さは、発光部２１の長さと等しい。なお、本明細書において、長さが等しいとは、製造上の誤差を含む。

側壁部２３は、側壁部主面２３１、側壁部側面２３３，２３４、側壁部端面２３５，２３６を有している。側壁部主面２３１は、半導体基板１０の基板主面１０１と同じ方向を向く、側壁部端面２３５，２３６は、Ｙ方向において、互いに反対側を向く。側壁部側面２３３は、発光部２１の側を向き、側壁部側面２３４は、発光部２１と反対方向を向く。

側壁部２３は、複数の活性層３２と、Ｚ方向において各活性層３２を挟む含む第１クラッド層３１と第２クラッド層３３とを含む。本実施形態において、側壁部２３は、３つの活性層３２を含む。第１クラッド層３１は、活性層３２に対して半導体基板１０の側に配置されている。第２クラッド層３３は、活性層３２に対して半導体基板１０とは反対側に配置されている。

側壁部２３を構成する活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３はそれぞれ、発光部２１、支持部２２を構成する活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３と同じ構成である。つまり、側壁部２３は、発光部２１、支持部２２と同じ構成を有している。なお、側壁部２３は、省略されてもよい。

本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１の半導体基板１０は、Ｘ方向において、発光部２１の両側に、第１溝部１１及び第２溝部１２を有している。言い換えると、半導体レーザ素子Ａ１は、Ｘ方向において、発光部２１の両側に、発光部２１の電極接続面２１１から、半導体基板１０に達する溝部を有している。

第１溝部１１は、発光部２１と支持部２２との間に形成されている。詳しくは、第１溝部１１は、発光部２１の発光部側面２１３と、支持部２２の支持部側面２２４との間に形成されている。第１溝部１１は、Ｙ方向に延びている。第１溝部１１は、基板裏面１０２の側に位置する底面１１２と、底面１１２のＸ方向両側の側面１２３，１２４とを有している。Ｚ方向において、発光部２１の電極接続面２１１から第１溝部１１の底面１１２までの距離Ｄａ、つまり第１溝部１１の底面１１２に対する発光部２１の高さは、５μｍ以上２０μｍ以下である。Ｘ方向における第１溝部１１の幅Ｗｃは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。

第２溝部１２は、発光部２１と側壁部２３との間に形成されている。詳しくは、第２溝部１２は、発光部２１の発光部側面２１４と、側壁部２３の側壁部側面２３３との間に形成されている。第２溝部１２は、Ｙ方向に延びている。第２溝部１２は、基板裏面１０２の側に位置する底面１２２と、底面１２２のＸ方向両側の側面１２３，１２４とを有している。第２溝部１２の深さは、第１溝部１１の深さと等しい。Ｘ方向における第２溝部１２の幅Ｗｄは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。

半導体基板１０は、発光部２１が接続された第１接続面１３１と、支持部２２が接続された第２接続面１３２と、側壁部２３が接続された第３接続面１３３とを有している。これらの接続面１３１，１３２，１３３は、第１溝部１１と第２溝部１２を形成する底面１１２，１２２、側面１１３，１１４，１２３，１２４とともに、半導体基板１０の基板主面１０１を構成する。つまり、基板主面１０１は、発光部２１と支持部２２との間、発光部２１と側壁部２３との間において、基板裏面１０２の側に窪んでいる。なお、基板主面１０１は、全体に亘って面一に形成されていてもよい。

活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３はそれぞれ、発光部２１の活性層３２、第１クラッド層３１、及び第２クラッド層３３と同じ構成である。つまり、側壁部２３は、発光部２１と同じ構成を有している。

このような構成の発光部２１、支持部２２、及び側壁部２３は、半導体基板１０の基板主面１０１に積層した半導体層の一部を除去して形成できる。
図３に示すように、半導体基板１０の基板主面１０１に、３層のユニット層３０が積層されている。ユニット層３０は、発光部２１の発光ユニット３０を形成するためのものである。ユニット層３０は、半導体層として第１クラッド層３１と活性層３２と第２クラッド層３３とを含む。各ユニット層３０において、第１クラッド層３１と活性層３２と第２クラッド層３３は、半導体基板１０の側からこの順番で積層されている。

このように積層されたユニット層３０において、最上層のユニット層３０（第２クラッド層３３）の上面３０１に開口を有するマスクを形成し、そのマスクの開口からユニット層３０をエッチングして半導体基板１０の基板主面１０１を露出することにより、発光部２１と支持部２２と側壁部２３とを形成する。このとき、ユニット層３０に対してオーバーエッチングすることにより、半導体基板１０に溝部１１，１２を形成することができる。その後、最上層のユニット層３０（第２クラッド層３３）の上のマスクを除去する。

半導体レーザ素子Ａ１は、半導体基板１０の基板主面１０１の一部、発光部２１、支持部２２の一部、及び側壁部２３の一部を覆う絶縁膜４１を有している。絶縁膜４１は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）、からなる。絶縁膜４１の膜厚は、１０００Å以上４０００Å以下である。

本実施形態において、絶縁膜４１は、発光部２１と支持部２２との間の基板主面１０１、発光部２１と側壁部２３との間の基板主面１０１を覆っている。絶縁膜４１は、発光部２１の電極接続面２１１及び１対の発光部側面２１３，２１４を覆っている。また、絶縁膜４１は、支持部２２の支持部主面２２１と、発光部２１の側を向く支持部側面２２４とを覆っている。また、絶縁膜４１は、側壁部２３の側壁部主面２３１と、発光部２１の側を向く側壁部側面２３３を覆っている。

本実施形態において、支持部２２において、発光部２１とは反対側を向く支持部側面２２３は、絶縁膜４１により覆われていない。また、側壁部２３において、発光部２１とは反対側を向く側壁部側面２３４は、絶縁膜４１により覆われていない。

発光部２１の電極接続面２１１を覆う絶縁膜４１は、電極接続面２１１の一部を露出する第１開口４１１を有している。
発光部２１と支持部２２との間の基板主面１０１を覆う絶縁膜４１は、基板主面１０１の一部を露出する第２開口４１２を有している。半導体基板１０は、第１溝部１１を有している。基板主面１０１は、第１溝部１１の底面１１２及び側面１１３，１１４を有する。絶縁膜４１は、第１溝部１１の底面１１２及び側面１１３，１１４を覆っている。第２開口４１２は、底面１１２の一部を露出するように形成されている。

本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１は、発光部２１と側壁部２３との間において、基板主面１０１を覆っている。半導体基板１０は、第２溝部１２を有している。基板主面１０１は、第２溝部１２の底面１２２及び側面１２３，１２４を有する。絶縁膜４１は、第２溝部１２の底面１２２及び側面１２３，１２４を覆っている。

半導体レーザ素子Ａ１は、第１電極５１を有している。第１電極５１は、絶縁膜４１の第１開口４１１から露出する電極接続面２１１に電気的に接続されている。つまり、第１電極５１は、発光部２１と電気的に接続されている。第１電極５１は、絶縁膜４１の第１開口４１１を形成する端部を覆うように形成されている。

第１電極５１は、第１電極層と第２電極層とを含む。第１電極層と第２電極層は、電極接続面２１１の側からこの順番で積層されている。第１電極層は、例えばＴｉ（チタン）／Ａｕ（金）からなる。第１電極層の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下である。第２電極層は、例えばＡｕを含むめっき層である。第２電極層の厚さは、例えば２μｍ以上６μｍ以下である。

半導体レーザ素子Ａ１は、第２電極５２を有している。第２電極５２は、絶縁膜４１の第２開口４１２から露出する半導体基板１０に電気的に接続されている。半導体基板１０の第１電極接続面２１１には発光部２１が接続されている。つまり、第２電極５２は、半導体基板１０を介して発光部２１と電気的に接続されている。そして、発光部２１は、第１電極５１と第２電極５２との間に接続されている。

第２電極５２は、基板接続部５２１と、側面電極部５２２と、主面電極部５２３とを有している。基板接続部５２１は、発光部２１と支持部２２との間にあって、半導体基板１０に接続されている。基板接続部５２１は、発光部２１に沿ってＹ方向に延びている。基板接続部５２１は、絶縁膜４１の第２開口４１２から露出する半導体基板１０に接続されている。基板接続部５２１は、絶縁膜４１の第２開口４１２を形成する開口端部を覆うように形成されている。

主面電極部５２３は、支持部２２の支持部主面２２１に形成されている。なお、支持部２２の支持部主面２２１は、絶縁膜４１により覆われている。したがって、主面電極部５２３は、支持部主面２２１を覆う絶縁膜４１の表面に形成されている。

側面電極部５２２は、支持部２２において、発光部２１の側を向く支持部側面２２４に形成されている。側面電極部５２２は、基板接続部５２１と主面電極部５２３とを接続する。支持部側面２２４は、絶縁膜４１に覆われている。したがって、側面電極部５２２は、支持部側面２２４を覆う絶縁膜４１の表面に形成されている。

第２電極５２は、第１電極層と第２電極層とを含む。第１電極層と第２電極層は、基板主面１０１の側からこの順番で積層されている。第１電極層は、例えばＴｉ（チタン）／Ａｕ（金）からなる。第１電極層の厚さは、１０００Å以上２０００Å以下である。第２電極層は、例えばＡｕを含むめっき層である。第２電極層の厚さは、例えば２μｍ以上６μｍ以下である。

［半導体レーザユニット］
図４～図７は、上記の半導体レーザ素子Ａ１を含む半導体レーザユニットＢ１を示す。
半導体レーザユニットＢ１は、半導体レーザ素子Ａ１と、接続基板６０（サブマウント基板）と、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２を備えている。半導体レーザ素子Ａ１は、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２によって接続基板６０に接続される。

図６、図７に示すように、接続基板６０は、主面６０１、裏面６０２、側面６０３～６０６を有している。主面６０１と裏面６０２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く。側面６０３～６０６は、Ｘ方向とＹ方向のいずれかを向く。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
基板本体６１は、電気絶縁性を有する材料からなる。一例では、基板本体６１は、エポキシ樹脂、セラミックス、Ｓｉ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、等からなる。

基板本体６１は、基板主面６１１、基板裏面６１２、複数の基板側面６１３～６１６を有している。基板主面６１１と基板裏面６１２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く。複数の基板側面６１３～６１６は、Ｘ方向とＹ方向のいずれかを向く。

配線層６２は、基板主面６１１に設けられている。配線層６２は、例えばＣｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ，Ａｕ（金）などの金属からなる。
配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。

第１配線６２１は、第１電極５１と接続される第１パッド部６２１ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第１接続部６２１ｂと、第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する第１連結部６２１ｃとを備えている。第１パッド部６２１ａは、半導体レーザ素子Ａ１の第１電極５１と同じ形状、本実施形態において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、各第１パッド部６２１ａとＹ方向において重なるように形成されている。第１連結部６２１ｃは、第１パッド部６２１ａと同じ幅で第１パッド部６２１ａから第１接続部６２１ｂまで延びている。第１接続部６２１ｂ及び第１連結部６２１ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１パッド部６２１ａを露出する第１開口６６１を有している。

第２配線６２２は、第２電極５２と接続される第２パッド部６２２ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第２接続部６２２ｂと、第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとを接続する第２連結部６２２ｃとを備えている。第２パッド部６２２ａは、半導体レーザ素子Ａ１の第２電極５２の主面電極部５２３と同じ形状、本実施形態において長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。第２連結部６２２ｃは、第２パッド部６２２ａと同じ幅で第２パッド部６２２ａから第２接続部６２２ｂまで延びている。第２接続部６２２ｂ及び第２連結部６２２ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２パッド部６２２ａを露出する第２開口６６２を有している。

配線層６３は、基板裏面６１２に設けられている。配線層６３は、例えばＣｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ，Ａｕ（金）などの金属からなる。
配線層６３は、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを有している。第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２は、この半導体レーザユニットＢ１を利用する装置の回路基板に半導体レーザユニットＢ１を接続するために設けられている。

第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て長方形に形成されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向から視て第１配線６２１の第１接続部６２１ｂと重なるように形成されている。第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て第２配線６２２の第２接続部６２２ｂと重なるように形成されている。したがって、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、半導体レーザ素子Ａ１に対してＹ方向にずれた位置に形成されている。

第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板主面６１１から基板裏面６１２まで基板本体６１を貫通している。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板本体６１を貫通する貫通孔の内周面に形成された金属膜、貫通孔に充填された金属柱からなる。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、例えばＣｕからなる。

第１外部端子６３１は、複数の第１貫通配線６４によって第１接続部６２１ｂと接続されている。第２外部端子６３２は、複数の第２貫通配線６５によって第２接続部６２２ｂと接続されている。なお、第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２の位置、及び第１接続部６２１ｂ及び第２接続部６２２ｂの位置は、任意に変更することができる。

基板本体６１の基板裏面６１２は、レジスト層６７により覆われている。レジスト層６７は、配線層６３、つまり第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを露出する第１開口６７１及び第２開口６７２を有している。

第１接合部材ＳＤ１は、半導体レーザ素子Ａ１の第１電極５１を、接続基板６０の第１パッド部６２１ａに接続する。第２接合部材ＳＤ２は、半導体レーザ素子Ａ１の第２電極５２を、接続基板６０の第２パッド部６２２ａに接続する。第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２は、導電性を有する。第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２は、例えば、Ａｕ（金）、Ｓｎ（スズ）、Ｉｎ（インジウム）、Ａｇ（銀）、等を含む金属ペーストまたははんだ等である。

（作用）
本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の基板主面に接続された発光部２１と、発光部２１の電極接続面２１１に接続された第１電極５１と、基板主面１０１に接続された第２電極５２とを有している。発光部２１の電極接続面２１１に接続された第１電極５１は、半導体レーザ素子Ａ１のアノード電極として機能し、半導体基板１０に接続された第２電極５２は、半導体レーザ素子Ａ１のカソード電極として機能する。半導体レーザ素子Ａ１は、第１電極５１と第２電極５２との間に印加される駆動電圧によって第１電極５１から発光部２１を介して第２電極５２へと駆動電流が流れ、発光部２１からレーザ光を出射する。

本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１は、半導体基板１０の基板主面１０１の側に第１電極５１と第２電極５２とを有している。つまり、半導体レーザ素子Ａ１は、第１電極５１及び第２電極５２を、接続基板６０等の接続対象に向けて実装する、所謂フリップチップ構造を有している。したがって、２つの電極が互いに反対方向を向く半導体レーザ素子のように２つの電極をそれぞれ接続するものと比べ、第１電極５１と第２電極５２との接続が容易となる、つまり半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

半導体レーザ素子Ａ１の第１電極５１は、第１接合部材ＳＤ１により接続対象である接続基板６０の第１パッドに接続される。半導体レーザ素子Ａ１の第２電極５２は、第２接合部材ＳＤ２により接続対象である接続基板６０の第２パッド部６２２ａに接続される。第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２は、金属ペースト、はんだ、等である。したがって、２つの電極が互いに反対方向を向く半導体レーザ素子のように、ダイボンダとワイヤボンダ、等の装置により実装するものと比べ、半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１において、第１電極５１は、発光部２１の電極接続面２１１に接続されている。第２電極５２は、発光部２１と支持部２２との間において半導体基板１０と接続された基板接続部５２１と、支持部主面２２１に形成された主面電極部５２３と、発光部２１の側を向く支持部側面２２４に形成され、基板接続部５２１と主面電極部５２３とを接続する側面電極部５２２とを有する。

即ち、第１電極５１は、発光部２１によって半導体基板１０の基板主面１０１から離れている。半導体基板１０の基板主面１０１に接続された第２電極５２は、支持部２２の支持部主面２２１に形成された主面電極部５２３を有している。つまり、第２電極５２の主面電極部５２３は、半導体基板１０の基板主面１０１から離れている。このため、接続対象を半導体基板１０の基板主面１０１まで伸ばすことなく、半導体レーザ素子Ａ１を容易に接続できる。

支持部２２は、Ｚ方向において、主面電極部５２３を第１電極５１と同じ位置とするように形成されている。従って、平板状の接続基板６０に備えられた第１パッド部６２１ａ及び第２パッド部６２２ａに対して、第１電極５１及び第２電極５２（主面電極部５２３）を容易に接続することができる。

発光部２１は、基板主面１０１において、Ｙ方向に延びて形成されている。第２電極５２の基板接続部５２１は、発光部２１と支持部２２との間において、半導体基板１０と接続されている。そして、基板接続部５２１は、発光部２１に沿ってＹ方向に延びている。Ｙ方向は、発光部２１の共振器方向である。このため、共振方向において発光部２１の全体に亘って駆動電圧を印加することができる。

半導体レーザユニットＢ１は、半導体レーザ素子Ａ１と、半導体レーザ素子Ａ１が接続された接続基板６０とを含む。接続基板６０は、基板本体６１の基板主面６１１に半導体レーザ素子Ａ１が接続され、基板本体６１の基板裏面６１２に第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２を備えている。これら第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２により、半導体レーザユニットＢ１、つまり半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

（効果）
以上説明したように、本実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１は、半導体基板１０の基板主面１０１の側に第１電極５１と第２電極５２とを有している。つまり、半導体レーザ素子Ａ１は、第１電極５１及び第２電極５２を、接続基板６０等の接続対象に向けて実装する、所謂フリップチップ構造を有している。したがって、２つの電極が互いに反対方向を向く半導体レーザ素子のように２つの電極をそれぞれ接続するものと比べ、第１電極５１と第２電極５２との接続が容易となる、つまり半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

（２）半導体レーザ素子Ａ１の第１電極５１は、第１接合部材ＳＤ１により接続対象である接続基板６０の第１パッドに接続される。半導体レーザ素子Ａ１の第２電極５２は、第２接合部材ＳＤ２により接続対象である接続基板６０の第２パッド部６２２ａに接続される。第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２は、金属ペースト、はんだ、等である。したがって、２つの電極が互いに反対方向を向く半導体レーザ素子のように、ダイボンダとワイヤボンダ、等の装置により実装するものと比べ、半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

（３）本実施形態の半導体レーザ素子Ａ１において、第１電極５１は、発光部２１の電極接続面２１１に接続されている。第２電極５２は、発光部２１と支持部２２との間において半導体基板１０と接続された基板接続部５２１と、支持部主面２２１に形成された主面電極部５２３と、発光部２１の側を向く支持部側面２２４に形成され、基板接続部５２１と主面電極部５２３とを接続する側面電極部５２２とを有する。

即ち、第１電極５１は、発光部２１によって半導体基板１０の基板主面１０１から離れている。半導体基板１０の基板主面１０１に接続された第２電極５２は、支持部２２の支持部主面２２１に形成された主面電極部５２３を有している。つまり、第２電極５２の主面電極部５２３は、半導体基板１０の基板主面１０１から離れている。このため、接続対象を半導体基板１０の基板主面１０１まで伸ばすことなく、半導体レーザ素子Ａ１を容易に接続できる。

（４）支持部２２は、Ｚ方向において、主面電極部５２３を第１電極５１と同じ位置とするように形成されている。従って、平板状の接続基板６０に備えられた第１パッド部６２１ａ及び第２パッド部６２２ａに対して、第１電極５１及び第２電極５２（主面電極部５２３）を容易に接続することができる。

（５）発光部２１は、基板主面１０１において、Ｙ方向に延びて形成されている。第２電極５２の基板接続部５２１は、発光部２１と支持部２２との間において、半導体基板１０と接続されている。そして、基板接続部５２１は、発光部２１に沿ってＹ方向に延びている。Ｙ方向は、発光部２１の共振器方向である。このため、共振方向において発光部２１の全体に亘って駆動電圧を印加することができる。

（６）半導体レーザユニットＢ１は、半導体レーザ素子Ａ１と、半導体レーザ素子Ａ１が接続された接続基板６０とを含む。接続基板６０は、基板本体６１の基板主面６１１に半導体レーザ素子Ａ１が接続され、基板本体６１の基板裏面６１２に第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２を備えている。これら第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２により、半導体レーザユニットＢ１、つまり半導体レーザ素子Ａ１を容易に実装することができる。

［半導体レーザ素子の変更例］
上記した半導体レーザ素子Ａ１の構成は、適宜変更することができる。なお、以下に説明する変更例について、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明の一部又は全てを省略することがある。また、半導体レーザ素子の内部構成の一部、例えば発光部を構成する発光ユニット等については、符号及び説明を省略することがある。

・発光部２１と支持部２２との数は、適宜変更することができる。
図８に示す半導体レーザ素子Ａ２は、第１発光部２１ａ及び第２発光部２１ｂと、１つの支持部２２とを備えている。支持部２２は、第１発光部２１ａと第２発光部２１ｂとの間に配置されている。なお、第１発光部２１ａは、２つ以上設けることもできる。また、第２発光部２１ｂは、２つ以上設けることもできる。

支持部２２は、第１発光部２１ａの側を向く第１支持部側面２２３と、第２発光部２１ｂの側を向く第２支持部側面２２４と、基板主面１０１と同じ方向を向く支持部主面２２１とを有している。第１支持部側面２２３と第２支持部側面２２４と支持部主面２２１は、絶縁膜４１により覆われている。

絶縁膜４１は、支持部２２と第１発光部２１ａとの間において、基板主面１０１を露出する開口４１２ａと、支持部２２と第２発光部２１ｂとの間において、基板主面１０１を露出する開口４１２ｂとを有している。第２電極５２は、支持部２２と第１発光部２１ａとの間から、支持部２２と第２発光部２１ｂとの間まで延びている。

第２電極５２は、支持部２２と第１発光部２１ａとの間において、半導体基板１０に接続された第１基板接続部５２１ａと、支持部２２と第２発光部２１ｂとの間において、半導体基板１０に接続された第２基板接続部５２１ｂと、を有している。さらに、第２電極５２は、第１基板接続部５２１ａと主面電極部５２３とを接続する第１側面電極部５２２ａと、第２基板接続部５２１ｂと主面電極部５２３とを接続する第２側面電極部５２２ｂと、を有している。

この半導体レーザ素子Ａ２では、第１発光部２１ａの電極接続面２１１の第１電極５１と第２電極５２の主面電極部５２３との間に駆動電圧を印加することにより、第１発光部２１ａからレーザ光を出射できる。また、第２発光部２１ｂの電極接続面２１１の第１電極５１と第２電極５２の主面電極部５２３との間に駆動電圧を印加することにより、第２発光部２１ｂからレーザ光を出射できる。さらに、第１発光部２１ａの電極接続面２１１の第１電極５１及び第２発光部２１ｂの電極接続面２１１の第１電極５１と、第２電極５２の主面電極部５２３との間に駆動電圧を印加することにより、第１発光部２１ａと第２発光部２１ｂの各々からレーザ光を出射できる。

図９に示す半導体レーザ素子Ａ３は、１つの発光部２１と、第１支持部２２ａ及び第２支持部２２ｂとを備えている。第１支持部２２ａ及び第２支持部２２ｂは、発光部２１を挟むように配置されている。第１支持部２２ａは、発光部２１の発光部側面２１３の側に配置され、第２支持部２２ｂは、発光部２１の発光部側面２１４の側に配置されている。

第１支持部２２ａ及び第２支持部２２ｂは、半導体基板１０の基板主面１０１と同じ側を向く支持部主面２２１と、発光部２１の側を向く支持部側面２２３と、発光部２１とは反対側を向く支持部側面２２４と、を有している。第１支持部２２ａの側の第２電極５２は、第１支持部２２ａと発光部２１との間から第１支持部２２ａの支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、及び主面電極部５２３を有している。第２支持部２２ｂの側の第２電極５２は、第２支持部２２ｂと発光部２１との間から第２支持部２２ｂの支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、及び主面電極部５２３を有している。

この半導体レーザ素子Ａ３では、１つの第１電極５１と２つの第２電極５２とによって発光部２１に大きな電流を流すことができる。
図１０に示す半導体レーザ素子Ａ４は、２つの発光部２１及び第１電極５１と、１つの支持部２２に形成された第２電極５２を有している。発光部２１は、Ｘ方向に所定の間隔を開けて配列されている。半導体レーザ素子に備えられる発光部の数は、３つ以上の任意の数とすることができる。この半導体レーザ素子Ａ４では、発光部２１の数に応じたレーザ光を得ることができる。

図１１に示す半導体レーザ素子Ａ５は、２つの発光部２１と２つの支持部２２及び第２電極５２を有している。支持部２２及び第２電極５２と発光部２１は、Ｘ方向に交互に配置されている。発光部２１及び第１電極５１と、発光部に隣り合う支持部２２に形成された第２電極５２とが１つのレーザ素子として機能する。つまり、この半導体レーザ素子Ａ５では、複数のレーザ素子を１つの半導体基板１０上に搭載したものであり、それぞれを同時に又は個別に駆動させることができる。

図１２に示す半導体レーザ素子Ａ６は、２つの発光部２１と２つの支持部２２及び第２電極５２を有している。２つの発光部２１は、Ｘ方向において隣り合うように配置されている。２つの支持部２２は、２つの発光部２１を挟むように配置されている。なお、発光部２１数は、３つ以上適宜変更することができる。第２電極５２の各々は、隣り合う発光部２１と支持部２２との間から支持部２２の支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、及び主面電極部５２３を有している。発光部２１及び第１電極５１と、発光部２１に隣り合う支持部２２に形成された第２電極５２とが１つのレーザ素子として機能する。つまり、この半導体レーザ素子Ａ６では、複数のレーザ素子を１つの半導体基板１０上に搭載したものであり、それぞれを同時に又は個別に駆動させることができる。

図１３に示す半導体レーザ素子Ａ７は、第１発光部２１ａ及び第２発光部２１ｂと、第１支持部２２ａ及び第２支持部２２ｂを有している。第１支持部２２ａと第２支持部２２ｂは、Ｘ方向において隣り合うように配置されている。第１発光部２１ａと第２発光部２１ｂは、第１支持部２２ａ及び第２支持部２２ｂを挟むように配置されている。なお、第１発光部２１ａと第２発光部２１ｂのそれぞれの数は、２つ以上適宜変更することができる。この半導体レーザ素子Ａ７は、第１発光部２１ａと第１支持部２２ａとの間から第１支持部２２ａの支持部主面２２１まで延びる第２電極５２と、第２発光部２１ｂと第２支持部２２ｂとの間から第２支持部２２ｂの支持部主面２２１まで延びる第２電極５２とを有している。第１発光部２１ａと、第１発光部２１ａに隣り合う第１支持部２２ａに形成された第２電極５２、第２発光部２１ｂと、第２発光部２１ｂに隣り合う第２支持部２２ｂに形成された第２電極５２とがそれぞれ１つのレーザ素子として機能する。つまり、この半導体レーザ素子Ａ７では、複数のレーザ素子を１つの半導体基板１０上に搭載したものであり、それぞれを同時に又は個別に駆動させることができる。

図１４に示す半導体レーザ素子Ａ８は、発光部２１に対して第２電極５２とは反対側の半導体基板１０の部分１０ａ（ドットのハッチングを付した部分）は、イオン注入されている。例えば、半導体基板１０に注入するイオンは、イオン注入した部分１０ａに絶縁性を与えるものである。注入するイオンは、たとえばＢ（ボロン）である。イオン注入する部分１０ａは、発光部２１と半導体基板１０の基板側面１０４との間の部分であることが好ましい。このような部分１０ａは、発光部２１に流す電流の経路を明確にする。

発光部２１の電極接続面２１１に接続された第１電極５１は、半導体レーザ素子Ａ８のアノード電極として機能し、半導体基板１０に接続された第２電極５２は、半導体レーザ素子Ａ８のカソード電極として機能する。第１電極５１に供給される駆動電流は、発光部２１を通過して半導体基板１０に流れる。イオン注入されていない半導体基板では、駆動電流は、発光部２１が接続された部分からＸ方向を向く基板側面（図１４では基板側面１０３，１０４）に向けて流れる。つまり、第２電極５２に流れ難くなり、半導体レーザ素子が高抵抗化する。一方、この変更例の半導体基板１０では、駆動電流は、イオン注入された部分１０ａが絶縁性を有しているため、基板側面１０３の側に流れる。つまり、第２電極５２に向かって流れる。このように、電流経路を明確にすることにより、駆動電流を流れやすくする、つまり、半導体レーザ素子Ａ８の高抵抗化を抑制できる。

図１５に示す半導体レーザ素子Ａ９は、発光部２１の発光部側面２１３，２１４に形成された金属層５３を有している。詳しくは、金属層５３は、発光部側面２１３，２１４を覆う絶縁膜４１の表面に形成されている。この変更例において、金属層５３は、発光部２１の電極接続面２１１に接続された第１電極５１と接続されている。言い換えると、金属層５３を含む第１電極５１が発光部２１の発光部側面２１３，２１４を覆うように形成されているといえる。これらの金属層５３は、例えばＴｉ、Ａｕ、Ｃｕ等からなる。この金属層５３により、発光部２１の熱を外部へと放熱できる。

図１６に示す半導体レーザ素子Ａ１０は、半導体基板１０に接続された発光部２１と側壁部２３とを備えている。この半導体レーザ素子Ａ１０は、上記の支持部２２を備えていない。第２電極５２は、絶縁膜４１の第２開口４１２から露出する基板主面１０１に接続されている。第２電極５２は、平板状に形成されている。この半導体レーザ素子Ａ１０では、半導体基板１０の基板主面１０１を大きくすることなく、半導体基板１０と第２電極５２との間の接触面積を大きくでき、半導体基板１０と第２電極５２との間の接触抵抗、ひいては第１電極５１と第２電極５２との間の抵抗値を小さくできる。つまり、半導体レーザ素子Ａ１０の低抵抗化を図ることができる。

図１７は、図１６に示す半導体レーザ素子Ａ１０に対する接続基板６０を示す。図１８は、半導体レーザ素子Ａ１０と接続基板６０とを接続した状態、つまり半導体レーザユニットＢ２を示す。

半導体レーザユニットＢ２は、接続基板６０と、第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２を有している。接続基板６０は、基板本体６１と、配線層６２を構成する第１パッド部６２１ａ及び第２パッド部６２２ａと、を有している。

第１接合部材ＳＤ１と第２接合部材ＳＤ２は、互いの膜厚Ｔ１，Ｔ２が異なるように設定されている。第１接合部材ＳＤ１と第２接合部材ＳＤ２は、第１電極５１と第２電極５２との高さの差に応じた膜厚を有している。これにより、第１電極５１を第１パッド部６２１ａに接続するとともに、第２電極５２を第２パッド部６２２ａに接続することができる。また、第１電極５１の膜厚Ｔ１と第２電極５２の膜厚Ｔ２の差を、Ｚ方向において第１電極５１の上面から第２電極５２の上面までの距離と等しくすることにより、基板本体６１に対して半導体基板１０を平行とすることができる。

［半導体レーザユニットの変更例］
図１９～図２１は、変更例の半導体レーザユニットＢ３を示す。この半導体レーザユニットＢ３は、半導体レーザ素子Ａ１１と、接続基板６０（サブマウント基板）と、第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２を有している。

半導体レーザ素子Ａ１１は、１つの支持部２２及び第２電極５２と、支持部２２及び第１電極５１を挟む第１発光部２１ａ及び第２発光部２１ｂを有している。この半導体レーザ素子Ａ１１は、２つの第１発光部２１ａと２つの第２発光部２１ｂを備え、それらはＸ方向に間隔をあけて配置されている。

第２電極５２は、図８に示す半導体レーザ素子Ａ２の第２電極５２と同様に、主面電極部５２３、第１基板接続部５２１ａ及び第２基板接続部５２１ｂ、第１側面電極部５２２ａ及び第２側面電極部５２２ｂを有している。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
図１９、図２０に示すように、配線層６２は、基板主面６１１に設けられている。

図２０に示すように、配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１１の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。
第１配線６２１は、第１電極５１と接続される４つの第１パッド部６２１ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第１接続部６２１ｂと、４つの第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する４つの第１連結部６２１ｃとを備えている。第１パッド部６２１ａは、半導体レーザ素子Ａ１１の第１電極５１と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。各第１連結部６２１ｃは、第１パッド部６２１ａと同じ幅で各第１パッド部６２１ａから第１接続部６２１ｂまで延びている。第１接続部６２１ｂ及び第１連結部６２１ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１パッド部６２１ａを露出する第１開口６６１を有している。

第２配線６２２は、第２電極５２と接続される第２パッド部６２２ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第２接続部６２２ｂとを備えている。なお、上記実施形態と同様に、第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとを接続する第２連結部を備えていてもよい。第２パッド部６２２ａは、半導体レーザ素子Ａ１１の第２電極５２の主面電極部５２３と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、第２パッド部６２２ａと第１配線６２１の第１接続部６２１ｂとの間に配置されている。第２接続部６２２ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、Ｘ方向における長さが第２パッド部６２２ａの幅と同じに形成され、第２パッド部６２２ａに接続されている。第２接続部６２２ｂは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２パッド部６２２ａを露出する第２開口６６２を有している。

図１９、図２１に示すように、配線層６３は、基板裏面６１２に設けられている。
図２１に示すように、配線層６３は、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを有している。第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２は、この半導体レーザユニットＢ３を利用する装置の回路基板に半導体レーザユニットＢ３を接続するために設けられている。

第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て長方形に形成されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向から視て第１配線６２１の第１接続部６２１ｂと重なるように形成されている。第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て第２配線６２２の第２接続部６２２ｂと重なるように形成されている。したがって、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、半導体レーザ素子Ａ１１に対してＹ方向にずれた位置に形成されている。

第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板主面６１１から基板裏面６１２まで基板本体６１を貫通している。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板本体６１を貫通する貫通孔の内周面に形成された金属膜、貫通孔に充填された金属柱からなる。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、例えばＣｕからなる。

第１外部端子６３１は、複数の第１貫通配線６４によって第１接続部６２１ｂと接続されている。第２外部端子６３２は、複数の第２貫通配線６５によって第２接続部６２２ｂと接続されている。なお、第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２の位置、及び第１接続部６２１ｂ及び第２接続部６２２ｂの位置は、任意に変更することができる。

図２２、図２３は、図２０、図２１に示す接続基板６０の変更例を示す。
図２２に示す半導体レーザユニットＢ４は、図１９に示す半導体レーザ素子Ａ１１と、図２２、図２３に示す接続基板６０とを備えている。なお、図２２には、二点鎖線にて半導体レーザ素子Ａ１１を示している。

この接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
配線層６２は、図２０に示す接続基板６０の配線層６２に対して、第１配線６２１が２つに分割されている。つまり、第１配線６２１は、図１９に示す半導体レーザ素子Ａ１１の第１発光部２１ａの第１電極５１と接続される第１配線部６２１１と、第２発光部２１ｂの第２電極５２と接続される第２配線部６２１２とを有している。

第１配線部６２１１と第２配線部６２１２の各々は、２つの第１パッド部６２１ａと、第１接続部６２１ｂと、第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する第１連結部６２１ｃとを有している。第１配線部６２１１の第１接続部６２１ｂと第２配線部６２１２の第１接続部６２１ｂは、基板本体６１の基板主面６１１において、Ｘ方向に並んで配置されている。第１接続部６２１ｂは、各第１パッド部６２１ａとＹ方向において重なるように形成されている。

配線層６３は、図２１に示す配線層６３に対して、第１外部端子が２つに分割されている。つまり、配線層６３は、２つの第１外部端子６３１１，６３１２と、１つの第２外部端子６３２とを有している。２つの第１外部端子６３１１，６３１２は、基板本体６１の基板裏面６１２において、Ｘ方向に並んで配置されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向において、第１配線部６２１１の第１接続部６２１ｂと重なっている。第１外部端子６３１は、第１貫通配線６４により、第１接続部６２１ｂと接続されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向において、第２配線部６２１２の第１接続部６２１ｂと重なっている。第１外部端子６３１は、第１貫通配線６４により、第１接続部６２１ｂと接続されている。

この接続基板６０と、半導体レーザ素子Ａ１１（図２０において二点鎖線で示す）とを備えた半導体レーザユニットＢ４は、第１配線部６２１１の第１接続部６２１ｂと、第２配線６２２の第２接続部６２２ｂとの間に駆動電圧を供給することにより、図１９に示す２つの第１発光部２１ａからレーザ光を出射する。また、半導体レーザユニットＢ４は、第２配線部６２１２の第１接続部６２１ｂと、第２配線６２２の第２接続部６２２ｂとの間に駆動電圧を供給することにより、図１９に示す２つの第２発光部２１ｂからレーザ光を出射する。

図２４～図２６に示す半導体レーザユニットＢ５は、半導体レーザ素子Ａ１２と、接続基板６０（サブマウント基板）と、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２を備えている。半導体レーザ素子Ａ１２は、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２によって接続基板６０に接続される。

半導体レーザ素子Ａ１２は、４つの発光部２１及び第１電極５１と、１つの支持部２２及び支持部２２に形成された第２電極５２とを有している。４つの発光部２１は、Ｘ方向に所定の間隔を開けて配置されている。第２電極５２は、支持部２２と隣り合う発光部２１と支持部２２との間から、支持部２２の支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、主面電極部５２３を有している。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
配線層６２は、基板主面６１１に設けられている。

配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１２の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。
図２５に示すように、第１配線６２１は、基板本体６１に沿って、Ｘ方向に長い長方形状に形成されている。第１配線６２１は、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１配線６２１の４つの部分を第１パッド部６２１ａとして露出する開口６６１を有している。第１配線６２１は、基板本体６１の基板側面６１４の側に、基板側面６１４に沿って延びる第１接続部６２１ｂを有している。つまり、第１配線６２１は、Ｘ方向において、４つの第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとが配置されている。そして、第１配線６２１は、Ｘ方向に隣り合う２つの第１パッド部６２１ａの間、及び第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとの間に第１連結部６２１ｃを有している。

第２配線６２２は、基板本体６１の基板主面６１１において、基板側面６１３の側に配置されている。第２配線６２２は、Ｙ方向に長い長方形状に形成されている。第２配線６２２は、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２配線６２２の一部を第２パッド部６２２ａとして露出する開口６６２を有している。第２配線６２２は、基板本体６１の基板側面６１３の側に、基板側面６１３に沿って延びる第２接続部６２２ｂを有している。つまり、第２配線６２２は、Ｘ方向において、第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとが配置されている。そして、第１配線６２１は、Ｘ方向に隣り合う第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとの間に第２連結部６２２ｃを有している。

図２４、図２６に示すように、配線層６３は、基板裏面６１２に設けられている。
図２６に示すように、配線層６３は、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを有している。第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２は、この半導体レーザユニットＢ５を利用する装置の回路基板に半導体レーザユニットＢ５を接続するために設けられている。

第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て長方形に形成されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向から視て第１配線６２１の第１接続部６２１ｂと重なるように形成されている。第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て第２配線６２２の第２接続部６２２ｂと重なるように形成されている。したがって、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、半導体レーザ素子Ａ１２に対してＹ方向にずれた位置に形成されている。

第１外部端子６３１は、複数の第１貫通配線６４によって第１接続部６２１ｂと接続されている。第２外部端子６３２は、複数の第２貫通配線６５によって第２接続部６２２ｂと接続されている。なお、第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２の位置、及び第１接続部６２１ｂ及び第２接続部６２２ｂの位置は、任意に変更することができる。

図２７～図２９に示す半導体レーザユニットＢ６は、半導体レーザ素子Ａ１３と、接続基板６０（サブマウント基板）と、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２を備えている。半導体レーザ素子Ａ１３は、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２によって接続基板６０に接続される。

半導体レーザ素子Ａ１３は、４つの発光部２１及び第１電極５１と、１つの支持部２２及び支持部２２に形成された第２電極５２とを有している。４つの発光部２１は、Ｘ方向に所定の間隔を開けて配置されている。第２電極５２は、支持部２２と隣り合う発光部２１と支持部２２との間から、支持部２２の支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、主面電極部５２３を有している。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
図２７、図２８に示すように、配線層６２は、基板裏面６１２に設けられている。

配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１３の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。
図２８に示すように、第１配線６２１は、第１電極５１と接続される４つの第１パッド部６２１ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第１接続部６２１ｂと、４つの第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する４つの第１連結部６２１ｃとを備えている。第１パッド部６２１ａは、半導体レーザ素子Ａ１３の第１電極５１と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。各第１連結部６２１ｃは、第１パッド部６２１ａと同じ幅で各第１パッド部６２１ａから第１接続部６２１ｂまで延びている。第１接続部６２１ｂ及び第１連結部６２１ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１パッド部６２１ａを露出する第１開口６６１を有している。

第２配線６２２は、第２電極５２と接続される第２パッド部６２２ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第２接続部６２２ｂ、第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとを接続する第２連結部６２２ｃとを備えている。第２パッド部６２２ａは、半導体レーザ素子Ａ１３の第２電極５２の主面電極部５２３と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、Ｘ方向において、第１接続部６２１ｂと重なる位置に配置されている。第２接続部６２２ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、Ｘ方向における長さが第２パッド部６２２ａの幅と同じに形成されている。第２接続部６２２ｂ及び第２連結部６２２ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２パッド部６２２ａを露出する第２開口６６２を有している。

図２７、図２９に示すように、配線層６３は、基板裏面６１２に設けられている。
図２９に示すように、配線層６３は、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを有している。第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２は、この半導体レーザユニットＢ６を利用する装置の回路基板に半導体レーザユニットＢ６を接続するために設けられている。

第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て長方形に形成されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向から視て第１配線６２１の第１接続部６２１ｂと重なるように形成されている。第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て第２配線６２２の第２接続部６２２ｂと重なるように形成されている。したがって、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、半導体レーザ素子Ａ１３に対してＹ方向にずれた位置に形成されている。

第１外部端子６３１は、複数の第１貫通配線６４によって第１接続部６２１ｂと接続されている。第２外部端子６３２は、複数の第２貫通配線６５によって第２接続部６２２ｂと接続されている。なお、第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２の位置、及び第１接続部６２１ｂ及び第２接続部６２２ｂの位置は、任意に変更することができる。

図３０～図３２に示す半導体レーザユニットＢ７は、半導体レーザ素子Ａ１４と、接続基板６０（サブマウント基板）と、第１接合部材ＳＤ１及び第２接合部材ＳＤ２を有している。半導体レーザ素子Ａ１４は、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２によって接続基板６０に接続される。

半導体レーザ素子Ａ１４は、３つの発光部２１及び第１電極５１と、３つの支持部２２及び第２電極５２とを有している。支持部２２と発光部２１は、Ｘ方向において交互に配置されている。各発光部２１には第１電極５１が設けられている。各第２電極５２は、支持部２２と隣り合う発光部２１と支持部２２との間から支持部２２の支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、及び主面電極部５２３を有している。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
図３０、図３１に示すように、配線層６２は、基板裏面６１２に設けられている。

図３１に示すように、配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１４の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。
第１配線６２１は、第１電極５１と接続される３つの第１パッド部６２１ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第１接続部６２１ｂと、３つの第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する第１連結部６２１ｃとを備えている。第１パッド部６２１ａは、半導体レーザ素子Ａ１４の第１電極５１と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。

第２配線６２２は、第２電極５２と接続される３つの第２パッド部６２２ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第２接続部６２２ｂと、３つの第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとを接続する第２連結部６２２ｃとを備えている。第２パッド部６２２ａは、半導体レーザ素子Ａ１４の第２電極５２の主面電極部５２３と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。

第１配線６２１の第１パッド部６２１ａと、第２配線６２２の第２パッド部６２２ａは、Ｘ方向において、交互に配置されている。
第１連結部６２１ｃは、３つの第１パッド部６２１ａを第１接続部６２１ｂに接続する。第１連結部６２１ｃは、各第１パッド部６２１ａからＹ方向に延びる延出配線６２１ｄと、Ｘ方向に沿って延び、３つの延出配線６２１ｄの先端を互いに接続する連結配線６２１ｅとを備えている。連結配線６２１ｅは、基板本体６１の基板側面６１６に沿って延びている。連結配線６２１ｅは、第１接続部６２１ｂに接続されている。

第２連結部６２２ｃは、３つの第２パッド部６２２ａを第２接続部６２２ｂに接続する。第２連結部６２２ｃは、各第２パッド部６２２ａからＹ方向に延びる延出配線６２２ｄと、Ｘ方向に沿って延び、３つの延出配線６２２ｄの先端を互いに接続する連結配線６２２ｅとを備えている。第２連結部６２２ｃの延出配線６２２ｄは、第１連結部６２１ｃの延出配線６２１ｄが延びる方向とは逆方向に延びている。連結配線６２２ｅは、基板本体６１の基板側面６１６に沿って延びている。連結配線６２２ｅは、第２接続部６２２ｂに接続されている。

第１接続部６２１ｂ及び第１連結部６２１ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１パッド部６２１ａを露出する第１開口６６１を有している。第２接続部６２２ｂ及び第２連結部６２２ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２パッド部６２２ａを露出する第２開口６６２を有している。

図３０、図３２に示すように、配線層６３は、基板裏面６１２に設けられている。
図３１に示すように、配線層６３は、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２とを有している。第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２は、この半導体レーザユニットＢ７を利用する装置の回路基板に半導体レーザユニットＢ７を接続するために設けられている。

第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て長方形に形成されている。第１外部端子６３１は、Ｚ方向から視て第１配線６２１の第１接続部６２１ｂと重なるように形成されている。第２外部端子６３２は、Ｚ方向から視て第２配線６２２の第２接続部６２２ｂと重なるように形成されている。したがって、第１外部端子６３１と第２外部端子６３２は、半導体レーザ素子Ａ１４に対してＸ方向にずれた位置に形成されている。

第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板主面６１１から基板裏面６１２まで基板本体６１を貫通している。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、基板本体６１を貫通する貫通孔の内周面に形成された金属膜、貫通孔に充填された金属柱からなる。第１貫通配線６４と第２貫通配線６５は、例えばＣｕからなる。

第１外部端子６３１は、複数の第１貫通配線６４によって第１接続部６２１ｂと接続されている。第２外部端子６３２は、複数の第２貫通配線６５によって第２接続部６２２ｂと接続されている。なお、第１外部端子６３１及び第２外部端子６３２の位置、及び第１接続部６２１ｂ及び第２接続部６２２ｂの位置は、任意に変更することができる。

この半導体レーザユニットＢ７において、接続基板６０は、半導体レーザ素子Ａ１４のアノード電極となる第１配線６２１に接続される第１パッド部６２１ａと、半導体レーザ素子Ａ１４のカソード電極となる第２配線６２２に接続される第２パッド部６２２ａとが、Ｘ方向に交互に配置されている。第１配線６２１は、第１パッド部６２１ａから基板本体６１の基板側面６１６の側に延びる延出配線６２１ｄを備え、第２配線６２２は、第２パッド部６２２ａから基板本体６１の基板側面６１５の側に延びる延出配線６２２ｄを備える。基板側面６１５，６１６は、Ｙ方向において互いに反対側を向く。したがって、アノード電極に接続される第１パッド部６２１ａと、カソード電極に接続される第２パッド部６２２ａとが互いに逆向きに接続されている。このため、半導体レーザ素子Ａ１４を駆動する電流により発生する磁束を打ち消し合うため、インダクタンスが低減される。

図３３～図３５に示す半導体レーザユニットＢ８は、半導体レーザ素子Ａ１５と、接続基板６０（サブマウント基板）と、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２を備えている。半導体レーザ素子Ａ１５は、接合部材ＳＤ１，ＳＤ２によって接続基板６０に接続される。

半導体レーザ素子Ａ１５は、４つの発光部２１及び第１電極５１と、４つの発光部２１を挟むように配置された２つの支持部２２及び第２電極５２とを有している。各発光部２１にはそれぞれ第１電極５１が設けられている。第２電極５２は支持部２２と隣り合う発光部２１と支持部２２との間から支持部２２の支持部主面２２１まで延び、基板接続部５２１、側面電極部５２２、及び主面電極部５２３を有している。

接続基板６０は、基板本体６１、配線層６２，６３、貫通配線６４，６５、レジスト層６６，６７を備えている。
図３０、図３１に示すように、配線層６２は、基板主面６１１に設けられている。

図３１に示すように、配線層６２は、半導体レーザ素子Ａ１５の第１電極５１と第２電極５２とがそれぞれ接続される第１配線６２１と第２配線６２２とを含む。
第１配線６２１は、第１電極５１と接続される４つの第１パッド部６２１ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第１接続部６２１ｂと、４つの第１パッド部６２１ａと第１接続部６２１ｂとを接続する第１連結部６２１ｃとを備えている。第１パッド部６２１ａは、半導体レーザ素子Ａ１５の第１電極５１と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第１接続部６２１ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。

２つの第２配線６２２は、２つの第２電極５２にそれぞれ接続される第２パッド部６２２ａと、基板裏面６１２の配線層６３と接続される第２接続部６２２ｂと、第２パッド部６２２ａと第２接続部６２２ｂとを接続する第２連結部６２２ｃとを備えている。第２パッド部６２２ａは、半導体レーザ素子Ａ１５の第２電極５２の主面電極部５２３と同じ形状、この変更例において長方形状に形成されている。第２接続部６２２ｂは、Ｚ方向から視てＸ方向に長い長方形状に形成されている。第２パッド部６２２ａは、基板本体６１の基板側面６１３と基板側面６１４とのそれぞれに設けられている。

第１接続部６２１ｂ及び第１連結部６２１ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第１パッド部６２１ａを露出する第１開口６６１を有している。第２接続部６２２ｂ及び第２連結部６２２ｃは、レジスト層６６により覆われている。レジスト層６６は、第２パッド部６２２ａを露出する第２開口６６２を有している。

［半導体レーザ装置］
図３６、図３７は、半導体レーザユニットを備えた半導体レーザ装置Ｃ１を示す。この半導体レーザ装置Ｃ１は、例えば図２４～図２６に示す半導体レーザユニットＢ５を備えている。なお、半導体レーザユニットＢ５以外の半導体レーザユニットを備える構成としてもよい。

半導体レーザ装置Ｃ１は、配線基板７１、半導体レーザユニットＢ５、スイッチング素子７５、キャパシタ７６、ダイオード７７、電流制限抵抗７８を備えている。半導体レーザユニットＢ５とスイッチング素子７５とキャパシタ７６とダイオード７７と電流制限抵抗７８は配線基板７１に実装されている。

配線基板７１は、基板主面７１１、基板裏面７１２、基板側面７１３～７１６を備えている。基板主面７１１と基板裏面７１２は、互いに反対側を向く。基板主面７１１に垂直な方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する１つの方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板側面７１３，７１４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。基板側面７１５，７１６は、Ｙ方向において互いに反対側を向く。

図３７に示すように、配線基板７１は、多層の４層基板であり、絶縁層７４１，７４２，７４３と配線層７２１，７２２，７２３，７２４を備えている。スイッチング素子７５とキャパシタ７６と半導体レーザユニットＢ５は、配線基板７１の基板側面７１５に沿って１列に配置されている。換言すると、スイッチング素子７５とキャパシタ７６と半導体レーザユニットＢ５は、直線上に配置されている。基板主面７１１の第１配線層７２１には、半導体レーザユニットＢ５、スイッチング素子７５、キャパシタ７６、ダイオード７７、及び電流制限抵抗７８（図３６参照）が、接合部材ＳＤにより接続されている。接合部材ＳＤは、導電ペースト、はんだ、等である。

図３６に示すように、第１配線層７２１は、配線パターン７２１ａ～７２１ｆを有している。
半導体レーザユニットＢ５は、接続基板６０と、接続基板６０に接続された半導体レーザ素子Ａ１２を備えている。図３７に示すように、接続基板６０の第１外部端子６３１（図２４に示す半導体レーザ素子Ａ１２の第１電極５１）は接合部材ＳＤを介して配線パターン７２１ｄに接続され、接続基板６０の第２外部端子６３２（図２４に示す半導体レーザ素子Ａ１２の第２電極５２）は、接合部材ＳＤを介して配線パターン７２１ｃに接続されている。

スイッチング素子７５は、半導体レーザ素子Ａ１２を動作するのに用いられる。この形態では、スイッチング素子７５は、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板が用いられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。スイッチング素子７５としては、ドレイン‐ソース間容量が小さいスイッチング素子が用いられることが好ましい。なお、スイッチング素子７５は、Ｓｉ（シリコン）基板が用いられたＭＯＳＦＥＴであってもよいし、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の他のトランジスタが用いられてもよい。

スイッチング素子７５は、ゲート電極７５Ｇ、ソース電極７５Ｓ、ドレイン電極７５Ｄを有している。ゲート電極７５Ｇは配線パターン７２１ｅに接続され、ソース電極７５Ｓは配線パターン７２１ａに接続され、ドレイン電極７５Ｄは配線パターン７２１ｂに接続されている。配線パターン７２１ｅは、外部からスイッチング素子７５の制御信号ＳＧが供給されるゲート配線である。図３７に示すように、配線パターン７２１ａは、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３１（ビア配線）により、第１絶縁層７４１と第２絶縁層７４２との間の第２配線層７２２に接続されている。

配線パターン７２１ｂには、電流制限抵抗７８の第１電極７８１が接続され、電流制限抵抗７８の第２電極７８２は配線パターン７２１ｆに接続されている。配線パターン７２１ｆは、外部から駆動電圧Ｖｉｎが供給される電源配線である。また、配線パターン７２１ｂには、キャパシタ７６の第１電極７６１が接続され、キャパシタ７６の第２電極７６２は、配線パターン７２１ｃに接続されている。

配線パターン７２１ｃには、半導体レーザユニットＢ５の第２外部端子６３２、つまり半導体レーザ素子Ａ１２のカソード電極が接続されている。半導体レーザユニットＢ５の第１外部端子６３１、つまり半導体レーザ素子Ａ１２のアノード電極は配線パターン７２１ｄに接続されている。また、配線パターン７２１ｃにはダイオード７７のアノード電極７７１が接続され、ダイオード７７のカソード電極７７２は配線パターン７２１ｄに接続されている。配線パターン７２１ｄは、外部に接続されるグランド配線である。図３７に示すように、配線パターン７２１ｄは、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３２により、第２配線層７２２に接続されている。この第２配線層７２２は、貫通配線７３１と配線パターン７２１ａとを介してスイッチング素子７５のソース電極７５Ｓに接続されている。

すなわち、配線基板７１の配線パターン７２１ａ～７２１ｄ、貫通配線７３１，７３２、第２配線層７２２は、スイッチング素子７５とキャパシタ７６と半導体レーザユニットＢ５（半導体レーザ素子Ａ１２）とをループ状に接続する。言い換えると、配線パターン７２１ａ～７２１ｄ、貫通配線７３１，７３２、第２配線層７２２は、ループ状の導電経路（導電ループ）を構成する。

この形態の配線基板７１は、４層基板であり、４つの配線層のうち、基板主面７１１の側の２つの配線層、つまり第１配線層７２１と第２配線層７２２を用いて導電ループを構成している。２層の両面基板を用いて導電ループを構成することもできる。しかし、２層の両面基板の絶縁層の厚さと比べて、第１配線層７２１と第２配線層７２２との間の第１絶縁層７４１の厚さは薄い。両面基板の絶縁層の厚さは１．６ｍｍ程度であるのに対し、４層基板の第１絶縁層７４１の厚さは０．６ｍｍ程度である。したがって、多層基板を用い、その多層基板の基板主面７１１の側の第１配線層７２１と第２配線層７２２とを用いることで、導電ループの面積（導電リープで囲まれた領域の面積）を小さくできる。

図３７に示すように、第３配線層７２３と第４配線層７２４との少なくとも一方は、例えば、グランド端子と接続される。なお、第３配線層７２３と第４配線層７２４との少なくとも一方は省略されてもよい。

図３８は、上述した構成の半導体レーザ装置Ｃ１の回路構成を示している。
図３８に示すように、半導体レーザ装置Ｃ１の外部端子７９１（配線パターン７２１ｆ）には駆動電圧Ｖｉｎが供給される。半導体レーザ装置Ｃ１の外部端子７９２（配線パターン７２１ｄ）は、グランドＧＮＤに接続される。

半導体レーザ素子Ａ１２とキャパシタ７６とは直列接続されており、直列接続された半導体レーザ素子Ａ１２及びキャパシタ７６とスイッチング素子７５とは並列接続されている。換言すると、半導体レーザ素子Ａ１２とキャパシタ７６とからなる直列接続体と、スイッチング素子７５とは並列接続されている。

この半導体レーザ装置Ｃ１は、制御信号ＳＧによりスイッチング素子７５をオフし、駆動電圧Ｖｉｎによりキャパシタ７６を充電する。制御信号ＳＧによりスイッチング素子７５をオンすると、二点鎖線矢印にて示すようにキャパシタ７６からスイッチング素子７５を介して半導体レーザ素子Ａ１２に駆動電流が流れ、半導体レーザ素子Ａ１２からレーザ光が出射される。

図３８の二点鎖線矢印に示すように、半導体レーザ装置Ｃ１では、半導体レーザ素子Ａ１２、スイッチング素子７５、およびキャパシタ７６によって導電経路のループ（導電ループ）が形成される。図３８に示すインダクタＬｃは、導電ループにおける寄生インダクタンスである。導電ループの面積を小さくすることにより、この寄生インダクタンスを小さくできる。これにより、周波数の高い制御信号によりスイッチング素子７５を制御して半導体レーザ素子Ａ１２を高速で駆動できる。

図３９、図４０は、半導体レーザユニットを備えた半導体レーザ装置Ｃ２を示す。半導体レーザ装置Ｃ２は、例えば図３３～図３５に示すように、アノード電極（第１電極５１、第１外部端子６３１）をユニットの中央に備えるとともに、２つのカソード電極（第２電極５２、第２外部端子６３２）をユニットの両端部に備える半導体レーザユニットＢ８を備える。なお、半導体レーザユニットＢ８以外の半導体レーザユニットを備える構成としてもよい。

半導体レーザ装置Ｃ２は、配線基板７１、半導体レーザユニットＢ８、スイッチング素子７５ａ，７５ｂ、キャパシタ７６ａ，７６ｂ、ダイオード７７ａ，７７ｂ、電流制限抵抗７８ａ，７８ｂを備えている。半導体レーザユニットＢ８とスイッチング素子７５ａ，７５ｂとキャパシタ７６ａ，７６ｂとダイオード７７ａ，７７ｂと電流制限抵抗７８ａ，７８ｂは配線基板７１に実装されている。

配線基板７１は、基板主面７１１、基板裏面７１２、基板側面７１３～７１６を備えている。基板主面７１１と基板裏面７１２は、互いに反対側を向く。基板主面７１１に垂直な方向をＺ方向とし、Ｚ方向と直交する１つの方向をＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板側面７１３，７１４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。基板側面７１５，７１６は、Ｙ方向において互いに反対側を向く。

図４０に示すように、配線基板７１は、多層基板、この形態では４層基板であり、絶縁層７４１～７４３と配線層７２１～７２４を備えている。スイッチング素子７５ａ，７５ｂとキャパシタ７６ａ，７６ｂと半導体レーザユニットＢ８は、配線基板７１の基板側面７１５に沿って１列に配置されている。この形態において、配線基板７１の中央に半導体レーザユニットＢ８が実装され、この半導体レーザユニットＢ８から基板側面７１３に向かってキャパシタ７６ａとスイッチング素子７５ａとがこの順番で配置されるとともに、基板側面７１４に向かってキャパシタ７６ｂ、スイッチング素子７５ｂとがこの順番で配置されている。つまり、キャパシタ７６ａとスイッチング素子７５ａと半導体レーザユニットＢ８は、直線上に配置されている。そして、キャパシタ７６ｂ、スイッチング素子７５ｂは、半導体レーザユニットＢ８に対して、キャパシタ７６ａ及びとスイッチング素子７５ａと反対側に配置されるとともに、キャパシタ７６ｂ、スイッチング素子７５ｂと半導体レーザユニットＢ８は、直線上に配置されている。基板主面７１１の第１配線層７２１には、半導体レーザユニットＢ８、スイッチング素子７５ａ，７５ｂ、キャパシタ７６ａ，７６ｂ、ダイオード７７ａ，７７ｂ、及び電流制限抵抗７８ａ，７８ｂ（図３９参照）が、接合部材ＳＤにより接続されている。接合部材ＳＤは、導電ペースト、はんだ、等である。

図３９に示すように、第１配線層７２１は、第１配線パターン８１ａ～８５ａ、第２配線パターン８１ｂ～８５ｂ、共通パターン８６を有している。
半導体レーザユニットＢ８は、接続基板６０と、接続基板６０に接続された半導体レーザ素子Ａ１５とを備えている。半導体レーザ素子Ａ１５は、１つの第１電極５１と２つの第２電極５２とを有している。つまり、この半導体レーザ素子Ａ１５は、２つのレーザ素子を備えた構成である。これら２つのレーザ素子を、半導体レーザ素子Ａ１５ａ，Ａ１５ｂとする。図４０に示すように、接続基板６０の第１外部端子６３１は接合部材ＳＤを介して共通パターン８６に接続され、接続基板６０の２つの第２外部端子６３２は、第１配線パターン８３ａと第２配線パターン８３ｂとに接続されている。

スイッチング素子７５ａは、半導体レーザ素子Ａ１５を動作するのに用いられる。この形態では、スイッチング素子７５ａは、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板が用いられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。スイッチング素子７５ａとしては、ドレイン‐ソース間容量が小さいスイッチング素子が用いられることが好ましい。なお、スイッチング素子７５ａは、Ｓｉ（シリコン）基板が用いられたＭＯＳＦＥＴであってもよいし、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の他のトランジスタが用いられてもよい。

スイッチング素子７５ａは、ゲート電極７５Ｇ、ソース電極７５Ｓ、ドレイン電極７５Ｄを有している。ゲート電極７５Ｇは第１配線パターン８４ａに接続され、ソース電極７５Ｓは第１配線パターン８１ａに接続され、ドレイン電極７５Ｄは第１配線パターン８２ａに接続されている。第１配線パターン８４ａは、外部からスイッチング素子７５ａの制御信号ＳＧ１が供給されるゲート配線である。図４０に示すように、第１配線パターン８１ａは、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３１ａ（ビア配線）により、第１絶縁層７４１と第２絶縁層７４２との間の第２配線層７２２に接続されている。

第１配線パターン８２ａには、電流制限抵抗７８ａの第１電極７８ａ１が接続され、電流制限抵抗７８ａの第２電極７８ａ２は第１配線パターン８５ａに接続されている。第１配線パターン８５ａは、外部から駆動電圧Ｖｉｎ１が供給される電源配線である。また、第１配線パターン８２ａには、キャパシタ７６ａの第１電極７６ａ１が接続され、キャパシタ７６ａの第２電極７６ａ２は、第１配線パターン８３ａに接続されている。

第１配線パターン８３ａには、半導体レーザユニットＢ８の第２外部端子６３２、つまり半導体レーザ素子Ａ１５ａのカソード電極が接続されている。半導体レーザユニットＢ８の第１外部端子６３１、つまり半導体レーザ素子Ａ１５ａのアノード電極は共通パターン８６に接続されている。また、第１配線パターン８３ａにはダイオード７７ａのアノード電極７７ａ１が接続され、ダイオード７７ａのカソード電極７７ａ２は共通パターン８６に接続されている。共通パターン８６は、外部に接続されるグランド配線である。図４０に示すように、共通パターン８６は、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３２により、第２配線層７２２に接続されている。この第２配線層７２２は、貫通配線７３１ａと第１配線パターン８１ａとを介してスイッチング素子７５ａのソース電極７５Ｓに接続されている。

すなわち、配線基板７１の第１配線パターン８１ａ～８３ａ、共通パターン８６、貫通配線７３１ａ，７３２、第２配線層７２２は、スイッチング素子７５ａとキャパシタ７６ａと半導体レーザユニットＢ８（半導体レーザ素子Ａ１５ａ）とをループ状に接続する。言い換えると、第１配線パターン８１ａ，８２ａ，８３ａ，共通パターン８６、貫通配線７３１ａ，７３２、第２配線層７２２は、ループ状の導電経路（導電ループ）を構成する。

スイッチング素子７５ｂは、半導体レーザ素子Ａ１５を動作するのに用いられる。この形態では、スイッチング素子７５ｂは、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板が用いられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。スイッチング素子７５ｂとしては、ドレイン‐ソース間容量が小さいスイッチング素子が用いられることが好ましい。なお、スイッチング素子７５ｂは、Ｓｉ（シリコン）基板が用いられたＭＯＳＦＥＴであってもよいし、バイポーラトランジスタやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等の他のトランジスタが用いられてもよい。

スイッチング素子７５ｂは、ゲート電極７５Ｇ、ソース電極７５Ｓ、ドレイン電極７５Ｄを有している。ゲート電極７５Ｇは第２配線パターン８４ｂに接続され、ソース電極７５Ｓは第２配線パターン８１ｂに接続され、ドレイン電極７５Ｄは第２配線パターン８２ｂに接続されている。第２配線パターン８４ｂは、外部からスイッチング素子７５ｂの制御信号ＳＧ１が供給されるゲート配線である。図４０に示すように、第２配線パターン８１ｂは、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３１ｂ（ビア配線）により、第１絶縁層７４１と第２絶縁層７４２との間の第２配線層７２２に接続されている。

第２配線パターン８２ｂには、電流制限抵抗７８ｂの第１電極７８ｂ１が接続され、電流制限抵抗７８ｂの第２電極７８ｂ２は第２配線パターン８５ｂに接続されている。第２配線パターン８５ｂは、外部から駆動電圧Ｖｉｎ１が供給される電源配線である。また、第２配線パターン８２ｂには、キャパシタ７６ｂの第１電極７６ｂ１が接続され、キャパシタ７６ｂの第２電極７６ｂ２は、第２配線パターン８３ｂに接続されている。

第２配線パターン８３ｂには、半導体レーザユニットＢ８の第２外部端子６３２、つまり半導体レーザ素子Ａ１５ｂのカソード電極が接続されている。半導体レーザユニットＢ８の第１外部端子６３１、つまり半導体レーザ素子Ａ１５ｂのアノード電極は共通パターン８６に接続されている。また、第２配線パターン８３ｂにはダイオード７７ｂのアノード電極７７ｂ１が接続され、ダイオード７７ｂのカソード電極７７ｂ２は共通パターン８６に接続されている。共通パターン８６は、外部に接続されるグランド配線である。図４０に示すように、共通パターン８６は、第１絶縁層７４１を貫通する貫通配線７３２により、第２配線層７２２に接続されている。この第２配線層７２２は、貫通配線７３１ｂと第２配線パターン８１ｂとを介してスイッチング素子７５ｂのソース電極７５Ｓに接続されている。

すなわち、配線基板７１の第２配線パターン８１ｂ～８３ｂ、共通パターン８６、貫通配線７３１ｂ，７３２、第２配線層７２２は、スイッチング素子７５ｂとキャパシタ７６ｂと半導体レーザユニットＢ８（半導体レーザ素子Ａ１５ｂ）とをループ状に接続する。言い換えると、第２配線パターン８１ｂ，８２ｂ，８３ｂ，共通パターン８６、貫通配線７３１ｂ，７３２、第２配線層７２２は、ループ状の導電経路（導電ループ）を構成する。

この形態の配線基板７１は、４層基板であり、４つの配線層のうち、基板主面７１１の側の２つの配線層、つまり第１配線層７２１と第２配線層７２２を用いて導電ループを構成している。２層の両面基板を用いて導電ループを構成することもできる。しかし、２層の両面基板の絶縁層の厚さと比べて、第１配線層７２１と第２配線層７２２との間の第１絶縁層７４１の厚さは薄い。両面基板の絶縁層の厚さは１．６ｍｍ程度であるのに対し、４層基板の第１絶縁層７４１の厚さは０．６ｍｍ程度である。したがって、多層基板を用い、その多層基板の基板主面７１１の側の第１配線層７２１と第２配線層７２２とを用いることで、導電ループの面積（導電リープで囲まれた領域の面積）を小さくできる。

図４０に示すように、第３配線層７２３と第４配線層７２４との少なくとも一方は、例えば、グランド端子と接続される。なお、第３配線層７２３と第４配線層７２４との少なくとも一方は省略されてもよい。

図４１は、上述した構成の半導体レーザ装置Ｃ２の回路構成を示している。
図４１に示すように、半導体レーザ装置Ｃ２の外部端子７９１ａ（配線パターン８５ａ）には駆動電圧Ｖｉｎ１が供給される。また、半導体レーザ装置Ｃ２の外部端子７９１ｂ（第２配線パターン８５ｂ）には駆動電圧Ｖｉｎ２が供給される。半導体レーザ装置Ｃ２の外部端子７９２（共通パターン８６）は、グランドＧＮＤに接続される。

半導体レーザ素子Ａ１５ａとキャパシタ７６ａとは直列接続されており、直列接続された半導体レーザ素子Ａ１５ａ及びキャパシタ７６ａとスイッチング素子７５ａとは並列接続されている。換言すると、半導体レーザ素子Ａ１５ａとキャパシタ７６ａとからなる直列接続体と、スイッチング素子７５ａとは並列接続されている。

この半導体レーザ装置Ｃ２は、制御信号ＳＧ１によりスイッチング素子７５ａをオフし、駆動電圧Ｖｉｎ１によりキャパシタ７６ａを充電する。制御信号ＳＧ１によりスイッチング素子７５ａをオンすると、二点鎖線矢印にて示すようにキャパシタ７６ａからスイッチング素子７５ａを介して半導体レーザ素子Ａ１５ａに駆動電流が流れ、半導体レーザ素子Ａ１５ａからレーザ光が出射される。

半導体レーザ素子Ａ１５ｂとキャパシタ７６ｂとは直列接続されており、直列接続された半導体レーザ素子Ａ１５ｂ及びキャパシタ７６ｂとスイッチング素子７５ｂとは並列接続されている。換言すると、半導体レーザ素子Ａ１５ｂとキャパシタ７６ｂとからなる直列接続体と、スイッチング素子７５ｂとは並列接続されている。

半導体レーザ装置Ｃ２は、制御信号ＳＧ２によりスイッチング素子７５ｂをオフし、駆動電圧Ｖｉｎ２によりキャパシタ７６ｂを充電する。制御信号ＳＧ２によりスイッチング素子７５ｂをオンすると、二点鎖線矢印にて示すようにキャパシタ７６ｂからスイッチング素子７５ｂを介して半導体レーザ素子Ａ１５ｂに駆動電流が流れ、半導体レーザ素子Ａ１５ｂからレーザ光が出射される。

図４１の二点鎖線矢印に示すように、半導体レーザ装置Ｃ２では、半導体レーザ素子Ａ１５ａ、スイッチング素子７５ａ、およびキャパシタ７６ａによって導電経路のループ（第１導電ループ）が形成される。図４１に示すインダクタＬｃａは、第１導電ループにおける寄生インダクタンスである。第１導電ループの面積を小さくすることにより、この寄生インダクタンスを小さくできる。これにより、周波数の高い制御信号によりスイッチング素子７５ａを制御して半導体レーザ素子Ａ１５ａを高速で駆動できる。

また、図４１の二点鎖線矢印に示すように、半導体レーザ装置Ｃ２では、半導体レーザ素子Ａ１５ｂ、スイッチング素子７５ｂ、およびキャパシタ７６ｂによって導電経路のループ（第２導電ループ）が形成される。図４１に示すインダクタＬｃｂは、第２導電ループにおける寄生インダクタンスである。第２導電ループの面積を小さくすることにより、この寄生インダクタンスを小さくできる。これにより、周波数の高い制御信号によりスイッチング素子７５ｂを制御して半導体レーザ素子Ａ１５ｂを高速で駆動できる。

図４２は、上述した半導体レーザ装置Ｃ２の配線基板７１の変更例を示す。この配線基板７１において、第２配線層７２２は、第１配線パターン７２２ａと第２配線パターン７２２ｂとを含む。第１配線パターン７２２ａは、基板側面７１３の側において、第１貫通配線７３１ａを介して第１配線パターン８１ａに接続されるとともに、基板中央において、第１貫通配線７３２ａを介して共通パターン８６に接続される。第２配線パターン７２２ｂは、基板側面７１４の側において、第２貫通配線７３１ｂを介して第２配線パターン８１ｂに接続されるとともに、基板中央において、第２貫通配線７３２ｂを介して共通パターン８６に接続される。

このように、第２配線層７２２は、第１導電ループを構成する第１配線パターン７２２ａと、第２導電ループを構成する第２配線パターン７２２ｂとに分割されている。これにより、第１導電ループと第２導電ループとのそれぞれにおいて、ループの外側の配線部分を少なくでき、配線部分における抵抗やインダクタンス等の影響を低減できる。

（その他の変更例）
上記実施形態及び各変更例は、以下のように変更して実施することができる。なお、上記の実施形態及び変更例と以下に示す変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・ＣＡＮタイプの半導体発光装置とする。ＣＡＮタイプの半導体レーザ装置は、金属製のステムと、ステムから延びる複数のリードとを備える。ステムに上記した半導体レーザ素子、半導体レーザユニット、又は半導体レーザ装置を搭載する。

・発光部２１（２１ａ，２１ｂ）を構成する発光ユニット３０の数と、支持部２２（２２ａ，２２ｂ）を構成する発光ユニット３０の数とが相違していてもよい。つまり、半導体基板１０の基板主面１０１から発光部２１の電極接続面２１１までの高さと、基板主面１０１から支持部２２の支持部主面２２１までの高さとが異なっていてもよい。

（付記）
上記各実施形態から把握できる技術的思想を以下に記載する。
（付記１）
基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、
前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、
前記接続面に接続された第１電極と、
前記基板主面に接続された第２電極と、
前記発光部に対して前記第３方向に前記発光部から離れて配置され、前記発光部の前記接続面と同じ方向を向く支持部主面と、前記第３方向において互いに反対方向を向く一対の支持部側面とを有する支持部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光部と前記支持部との間において前記半導体基板と接続された基板接続部と、前記支持部主面に形成された主面電極部と、前記発光部の側を向く前記支持部側面に形成され、前記基板接続部と前記主面電極部とを接続する側面電極部とを有する、
半導体レーザ素子。

（付記２）
前記半導体基板の前記基板主面には、複数の前記発光部が設けられ、
複数の前記発光部は、前記第３方向に沿って互いに離れて配置されている、
付記１に記載の半導体レーザ素子。

（付記３）
前記発光部を挟むように配置された２つの前記第２電極及び前記支持部を有する、付記１又は付記に記載の半導体レーザ素子。

（付記４）
前記第２電極及び前記支持部は、隣り合う２つの前記発光部の間に配置されている、付記１から付記３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。

（付記５）
前記第２電極は、前記支持部と隣り合う２つの前記発光部との間の各々において前記半導体基板に接続された２つの前記基板接続部と、前記支持部の一対の前記支持部側面の各々に形成された２つの前記側面電極部と、を備える、付記４に記載の半導体レーザ素子。

（付記６）
前記第３方向に隣り合うように配置された２つの前記第２電極及び前記支持部を備えた、付記５に記載の半導体レーザ素子。

（付記７）
前記第２電極の前記側面電極部は、隣り合う２つの前記支持部において互いに反対方向を向く前記支持部側面に形成されている、付記６に記載の半導体レーザ素子。

（付記８）
前記第３方向において、前記第２電極及び前記支持部と前記発光部とは交互に配置されている、付記１から付記６のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。

Ａ１～Ａ１５，Ａ１５ａ，Ａ１５ｂ 半導体レーザ素子
Ｂ１～Ｂ８ 半導体レーザユニット
Ｃ１，Ｃ２ 半導体レーザ装置
１０ 半導体基板
１０１ 基板主面
１０２ 基板裏面
２１ 発光部
２１ａ 第１発光部
２１ｂ 第２発光部
２１１ 電極接続面（接続面）
２１３，２１４ 発光部側面（側面）
２１５，２１６ 発光部端面（端面）
２２ 支持部
２２ａ 第１支持部
２２ｂ 第２支持部
２２１ 支持部主面
３０ 発光ユニット
３１ 第１クラッド層
３２ 活性層
３３ 第２クラッド層
４１ 絶縁膜
４１１ 第１開口
４１２ 第２開口
５１ 第１電極
５２ 第２電極
５２１ 基板接続部
５２２ 側面電極部
５２３ 主面電極部
６０ 接続基板
６１１ 基板主面
６１２ 基板裏面
６２１ 第１配線
６２２ 第２配線
６４ 貫通配線
６５ 貫通配線
６６１ 第１開口
６６２ 第２開口
６７１ 第１開口
６７２ 第２開口
７１ 配線基板
７１１ 基板主面
７１２ 基板裏面
７２１ 第１配線層
７２２ 第２配線層
７３１，７３２ 貫通配線
７３１ａ，７３１ｂ 貫通配線
７４１ 第１絶縁層
７４２ 第２絶縁層
７５，７５ａ，７５ｂ スイッチング素子
７６，７６ａ，７６ｂ キャパシタ
７６ａ，７６ａ１，７６ｂ１ 第１電極
７６ａ２，７６ｂ，７６ｂ２ 第２電極

Claims (17)

1. 基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、
   前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、
   前記接続面に接続された第１電極と、
   前記基板主面に接続された第２電極と、
   を有する半導体レーザ素子。
2. 前記半導体基板は、ＧａＡｓを含むｎ型の半導体基板からなる、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
3. 前記発光部は、前記第１方向と直交する第２方向において互いに反対方向を向く一対の端面を有し、
   前記第２方向は、前記発光部から出射するレーザ光の共振方向である、請求項１又は請求項２に記載の半導体レーザ素子。
4. 前記発光部は、活性層と、前記第１方向において前記活性層を挟む第１クラッド層及び第２クラッド層と、を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
5. 前記発光部は、前記第１方向に積層された複数の発光ユニットを含み、前記発光ユニットの各々は、活性層と、前記第１方向において前記活性層を挟む第１クラッド層及び第２クラッド層と、を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
6. 前記発光部は、前記接続面と前記基板主面とを接続する一対の側面を有し、
   前記基板主面と前記発光部の前記接続面及び前記側面を覆い、前記接続面の一部を露出する第１開口と、前記基板主面の一部を露出する第２開口とを有する絶縁膜を備え、
   前記第１電極は前記第１開口によって前記発光部と接続され、
   前記第２電極は、前記第２開口によって前記基板主面と接続されている、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
7. 前記第１電極は、前記発光部の前記側面の一部を覆うように形成されている、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
8. 前記発光部に対して前記第１方向に直交する第３方向に前記発光部から離れて配置され、前記発光部の前記接続面と同じ方向を向く支持部主面と、前記第３方向において互いに反対方向を向く一対の支持部側面とを有する支持部を備え、
   前記第２電極は、前記発光部と前記支持部との間において前記半導体基板と接続された基板接続部と、前記支持部主面に形成された主面電極部と、前記発光部の側を向く前記支持部側面に形成され、前記基板接続部と前記主面電極部とを接続する側面電極部とを有する、
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
9. 前記支持部は、前記第１方向において、前記主面電極部を前記第１電極と同じ位置とするように形成されている、請求項８に記載の半導体レーザ素子。
10. 前記支持部は、前記第１方向及び前記第３方向に直交する方向に延びている、請求項８又は請求項９に記載の半導体レーザ素子。
11. 前記支持部は、活性層と、前記第１方向において前記活性層を挟む第１クラッド層及び第２クラッド層と、を有し、前記支持部側面及び前記支持部主面は絶縁膜により覆われている、請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
12. 前記支持部は、前記第１方向に積層された複数の発光ユニットを含み、前記発光ユニットの各々は、活性層と、前記第１方向において前記活性層を挟む第１クラッド層及び第２クラッド層と、を有し、前記支持部側面及び前記支持部主面は絶縁膜により覆われている、請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
13. 第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光部とを有する半導体レーザ素子と、
    基板主面と、前記基板主面に形成された第１接続パターン及び第２接続パターンと、を有する接続基板と、
    前記第１電極と前記第１接続パターンとを接続する第１接続部材と、
    前記第２電極と前記第２接続パターンとを接続する第２接続部材と、
    を有し、
    前記半導体レーザ素子は、
    基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、
    前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する前記発光部と、
    前記接続面に接続された前記第１電極と、
    前記基板主面に接続された前記第２電極と、
    を有する、半導体レーザユニット。
14. 前記第１接続部材と前記第２接続部材は、前記接続基板の前記基板主面からの長さが互いに異なり、
    前記第１接続部材は、前記発光部の前記接続面の前記第１電極と接続され、
    前記第２接続部材は、前記半導体基板の前記基板主面の前記第２電極と接続される、
    請求項１３に記載の半導体レーザユニット。
15. 前記発光部に対して前記第３方向に前記発光部から離れて配置され、前記発光部の前記接続面と同じ方向を向く支持部主面と、前記第３方向において互いに反対方向を向く一対の支持部側面とを有する支持部を備え、
    前記第２電極は、前記発光部と前記支持部との間において前記半導体基板と接続された基板接続部と、前記支持部主面に形成された主面電極部と、前記発光部の側を向く前記支持部側面に形成され、前記基板接続部と前記主面電極部とを接続する側面電極部とを有し、
    前記第１接続部材と前記第２接続部材は、前記接続基板の前記基板主面からの長さが互いに等しい、
    請求項１３又は請求項１４に記載の半導体レーザユニット。
16. 第１絶縁層及び第２絶縁層と、前記第１絶縁層の表面の第１配線層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の第２配線層と、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通配線と、を有する配線基板と、
    半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が実装された接続基板とを有し、前記接続基板が前記第１配線層に接続された半導体レーザユニットと、
    前記半導体レーザユニットと電気的に接続され、前記半導体レーザ素子を動作させるスイッチング素子と、
    前記半導体レーザ素子及び前記スイッチング素子と電気的に接続されたキャパシタと、
    を備え、
    前記半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、前記接続面に接続された第１電極と、前記基板主面に接続された第２電極と、を有し、
    前記スイッチング素子と前記キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、
    前記配線基板の前記第１配線層と前記第２配線層と前記貫通配線は、前記スイッチング素子と前記キャパシタと前記半導体レーザユニットを含む導電ループを構成する、
    半導体レーザ装置。
17. 第１絶縁層及び第２絶縁層と、前記第１絶縁層の表面の第１配線層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の第２配線層と、前記第１絶縁層を貫通して前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通配線と、を有する配線基板と、
    半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が実装された接続基板とを有し、前記接続基板が前記第１配線層に接続された半導体レーザユニットと、
    前記半導体レーザユニットと電気的に接続され、前記半導体レーザ素子を動作させる第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
    前記半導体レーザ素子及び前記第１スイッチング素子と電気的に接続された第１キャパシタと、
    前記半導体レーザ素子及び前記第２スイッチング素子と電気的に接続された第２キャパシタと、
    を備え、
    前記半導体レーザ素子は、基板主面と、前記基板主面と直交する第１方向において前記基板主面と反対側を向く基板裏面とを有する半導体基板と、前記基板主面から前記第１方向に突出するように形成され、前記基板主面と同じ方向を向く接続面を有する発光部と、前記接続面に接続された第１電極と、前記基板主面に接続された第２電極と、を有し、
    前記第１スイッチング素子と前記第１キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、
    前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタは、前記半導体レーザユニットに対して前記第１スイッチング素子及び前記第１キャパシタとは反対側に配置されるとともに、前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタと前記半導体レーザユニットは直線上に配置され、
    前記配線基板の前記第１配線層と前記第２配線層と前記貫通配線は、前記第１スイッチング素子と前記第１キャパシタと前記半導体レーザユニットとを含む第１導電ループと、前記第２スイッチング素子と前記第２キャパシタと前記半導体レーザユニットとを含む第２導電ループを構成する、
    半導体レーザ装置。

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