WO2020012535A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 Download PDF

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WO2020012535A1
WO2020012535A1 PCT/JP2018/025882 JP2018025882W WO2020012535A1 WO 2020012535 A1 WO2020012535 A1 WO 2020012535A1 JP 2018025882 W JP2018025882 W JP 2018025882W WO 2020012535 A1 WO2020012535 A1 WO 2020012535A1
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photo spacer
display device
layer
display
guard member
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PCT/JP2018/025882
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French (fr)
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信介 齋田
市川　伸治
博己 谷山
達 岡部
遼佑 郡司
芳浩 仲田
康治 谷村
彬 井上
浩治 神村
義博 小原
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シャープ株式会社
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • G—PHYSICS
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Definitions

  • the present invention relates to a display device including a light emitting element.
  • Patent Document 1 discloses a display panel in which spacers are formed on a back plane.
  • the spacer may be used as a photo spacer for contacting a deposition mask used for forming each layer of the display device.
  • a display device of the present invention includes a light emitting element layer including a plurality of light emitting elements, and a display region including a TFT layer including a plurality of TFTs driving each of the plurality of light emitting elements. And a frame region surrounding the display region, wherein a first photo spacer is provided in the display region, and a second photo spacer higher than the first photo spacer is provided in the frame region.
  • a method for manufacturing a display device of the present invention includes a light-emitting element layer including a plurality of light-emitting elements, and a TFT layer including a plurality of TFTs for driving each of the plurality of light-emitting elements. And a frame region surrounding the display region, wherein a first photospacer is formed in the display region, and a first photospacer is formed in the frame region more than the first photospacer.
  • a display device manufacturing apparatus includes a light emitting element layer including a plurality of light emitting elements, and a TFT layer including a plurality of TFTs for driving each of the plurality of light emitting elements.
  • a display device manufacturing apparatus comprising: a display region having: a display region; and a frame region surrounding the display region, wherein a first photo spacer is formed in the display region, and a first photo spacer is formed in the frame region more than the first photo spacer.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged top view illustrating a periphery of a second photo spacer of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view around first and second banks according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 4 is a flowchart illustrating a method for forming a cover film according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged top view illustrating
  • FIG. 4 is a process cross-sectional view for describing the method of forming the cover film according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating a method for forming a light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a process cross-sectional view for describing the method for forming the light emitting layer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for describing a problem in a method for forming a light emitting layer according to a comparative embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic top view of a display device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 9 is an enlarged top view illustrating a periphery of a second photo spacer of a display device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is an enlarged top view showing the periphery of a second photo spacer of a display device according to a modification of the present invention. It is a block diagram of a manufacturing device of a display device concerning each embodiment of the present invention.
  • the same layer means that the same layer is formed of the same material by the same process.
  • lower layer means that the layer is formed in a process earlier than the layer to be compared
  • upper layer means that the layer is formed in a process later than the layer to be compared.
  • the direction from the lower layer to the upper layer of the display device is defined as the upper direction.
  • FIG. 2 is a top view of the display device 2 according to the present embodiment.
  • 1A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged top view of a region C in FIG. 2, that is, the vicinity of the second photo spacer PS2 described later in detail.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line DD in FIG. 2, illustration of the upper electrode 25 and the sealing layer 6, which will be described in detail later, is omitted.
  • FIG. 1B the left side as viewed in the drawing is shown as the display area DA side. Further, in FIG. 3, the right side as viewed in the drawing is shown as the display area DA side. In addition, for simplicity of illustration, illustration of the second side photo spacer PS2 on the far side in FIG. 1B is omitted.
  • the display device 2 according to the present embodiment has a display area DA and a frame area NA adjacent to the display area DA as shown in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
  • a display device 2 includes a support substrate 10, a resin layer 12, a barrier layer 3, a TFT layer 4, The device includes an element layer 5 and a sealing layer 6.
  • the display device 2 may include a functional film or the like having an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, or the like, as a layer further above the sealing layer 6.
  • the support substrate 10 may be, for example, a glass substrate.
  • the support substrate 10 may be a glass substrate that is separated from a large-sized mother glass substrate when the display device 2 is manufactured.
  • a material of the resin layer 12 for example, polyimide is used.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device 2 is used.
  • the barrier layer 3 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by CVD, or a stacked film thereof.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor layer 15, a first inorganic layer 16 (gate insulating film), a gate electrode GE, a second inorganic layer 18, a third inorganic layer 20, a source wiring SH (metal Wiring layer) and a planarizing film 21 (interlayer insulating film).
  • the semiconductor layer 15 and the source wiring SH are electrically connected to each other at the semiconductor electrode 15e.
  • a thin-layer transistor (TFT) Tr is configured to include the semiconductor layer 15, the first inorganic layer 16, and the gate electrode GE.
  • the semiconductor layer 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor. Note that in FIG. 1, the TFT having the semiconductor layer 15 as a channel is illustrated as having a top gate structure; however, a TFT having a bottom gate structure may be employed (for example, a case where the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the gate electrode GE or the source wiring SH is made of, for example, at least one of aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), and copper (Cu). May be included. That is, the gate electrode GE or the source wiring SH is formed of a single-layer film or a stacked film of the above-described metal.
  • the first inorganic layer 16, the second inorganic layer 18, and the third inorganic layer 20 are formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method. be able to.
  • SiOx silicon oxide
  • SiNx silicon nitride
  • the flattening film 21 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the planarizing film 21 in the frame region NA, has an opening, and a trench 21t is defined in the opening.
  • the trench 21t may be formed along three sides of the display device 2 excluding the side facing the terminal portion 40. Also, the trench 21t may be formed on a part facing the terminal part 40, such as near both ends.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) includes, in order from the lower layer, a pixel electrode 22 (a first electrode, for example, an anode), a cover film (edge cover) 23 that covers the edge of the pixel electrode 22, and a light emitting layer 24. And an upper electrode (a second electrode, for example, a cathode) 25.
  • the light-emitting element layer 5 includes, for each sub-pixel SP (pixel), a light-emitting element (for example, an OLED: organic light-emitting diode) including an island-shaped pixel electrode 22, an island-shaped light-emitting layer 24, and an upper electrode 25; And a driving sub-pixel circuit.
  • a transistor Tr is formed for each sub-pixel circuit, and the sub-pixel circuit is controlled by controlling the transistor Tr.
  • a GDM circuit may be formed in the TFT layer 4, and a transistor for driving a gate driver may be formed in the frame region NA.
  • the pixel electrode 22 is provided at a position overlapping the planarizing film 21 and the contact hole 21c which is an opening of the planarizing film 21 in a plan view.
  • the pixel electrode 22 is electrically connected to the source line SH via the contact hole 21c. Therefore, a signal in the TFT layer 4 is supplied to the pixel electrode 22 via the source wiring SH.
  • the thickness of the pixel electrode 22 may be, for example, 100 nm.
  • the pixel electrode 22 is formed in an island shape for each of the plurality of sub-pixels SP, is made of, for example, a laminated layer of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the upper electrode 25 is formed in a solid shape as a common layer of the plurality of sub-pixels SP, and can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • a metal film 22A of the same layer and made of the same material as the pixel electrode 22 is formed, and in the trench 21t, the upper electrode 25 and the metal film are formed. 22A is electrically connected.
  • the cover film 23 is an organic insulating film, is formed at a position covering the edge of the pixel electrode 22, has an opening 23c for each of the plurality of sub-pixels SP, and partially exposes the pixel electrode 22.
  • the display device 2 includes the first photo spacer PS1 in the display area DA, as shown in FIG.
  • the display device 2 includes the second photo spacer PS2 in the frame region NA.
  • the first photo spacer PS1 and the second photo spacer PS2 are flattened. It is formed on the film 21.
  • the first photo spacer PS1 and the second photo spacer PS2 are formed in the same layer as the cover film 23 and are made of the same material as the cover film 23. Therefore, the cover film 23, the first photo spacer PS1, and the second photo spacer PS2 can be manufactured by the same process.
  • the first photo spacer PS1 has a height R1
  • the second photo spacer PS2 has a height R2.
  • R1 and R2 indicate the height of each photo spacer from the upper surface of the planarizing film 21.
  • R2 is higher than R1
  • the difference in height between R2 and R1 is 1 ⁇ m or less.
  • the difference in height between R2 and R1 is preferably 0.5 ⁇ m or less, and more preferably 0.3 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the height difference is, for example, 0.05 ⁇ m, that is, the height difference is 0.05 ⁇ m or more.
  • the display device 2 in the present embodiment includes a first guard member GD1 and a second guard member GD2 in the frame area NA.
  • the first guard member GD1 and the second guard member GD2 are formed in the same layer as the second photo spacer PS2, and are made of the same material as the second photo spacer PS2. Therefore, the first guard member GD1 and the second guard member GD2 can be manufactured by the same process as the cover film 23.
  • the second photo spacer PS2, the first guard member GD1, and the second guard member GD2 may be formed at positions overlapping the metal film 22A, as shown in FIG. 1B.
  • the first guard member GD1 and the second guard member GD2 have a height R3 and a height R4, respectively.
  • R3 and R4 are lower than R2.
  • the difference between R3 and R4 with respect to R2 may be less than 1 ⁇ m.
  • R3 and R4 may be substantially the same as R1.
  • the difference in height between R3 and R4 and R2 may be greater than or equal to 0.1 ⁇ m.
  • R3 and R4 indicate the height of each guard member from the upper surface of the flattening film 21.
  • the first guard member GD1 is formed in a frame shape between the second photo spacer PS2 and the display area DA at a position surrounding the display area DA.
  • the second guard member GD2 is formed in a frame shape at a position surrounding the second photo spacer PS2 on the side opposite to the display area DA with respect to the second photo spacer PS2.
  • the first guard member GD1 and the second guard member GD2 may be formed not only in a frame shape but also in a U-shape along the three sides of the display device 2 except for the side facing the terminal portion 40.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes a plurality of guard members formed so as to surround each second photo spacer PS2, instead of the first guard member GD1 and the second guard member GD2. Is also good.
  • a plurality of second photo spacers PS2 are formed between the first guard member GD1 and the second guard member GD2 in an island shape.
  • the plurality of second photo spacers PS2 are formed in a plurality of rows in a direction parallel to the first guard member GD1 and the second guard member GD2. That is, the plurality of second photo spacers PS2 are linearly arranged.
  • the second photo spacer PS2 may be arranged on a plurality of rows. Further, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the positions of the second photo spacers PS2 may be shifted from each other between adjacent columns of the second photo spacers PS2. That is, the arrangement of the second photo spacer PS2 may be a staggered arrangement.
  • the second photo spacer PS2 is formed on the display area DA side with respect to the trench 21t and on the terminal section 40 side with respect to the trench 21t.
  • the first guard member GD1 and the second guard member GD2 are formed on both the display area DA side and the terminal section 40 side of the trench 21t. May be.
  • the present invention is not limited to this, and the display device 2 according to the present embodiment may include only the first guard member GD1 as a guard member on the display area DA side of the trench 21t. Further, the display device 2 according to the present embodiment includes, as guard members, only the first guard member GD1 on the display area DA side of the trench 21t and the second guard member GD2 on the terminal portion 40 side of the trench 21t. May be.
  • the light emitting layer 24 is formed by, for example, stacking a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in order from the lower layer side.
  • at least one layer of the light emitting layer 24 is formed by an evaporation method.
  • each layer of the light emitting layer 24 may be formed in an island shape for each sub-pixel SP, or may be formed in a solid shape as a common layer of a plurality of sub-pixels SP.
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24 by a driving current between the pixel electrode 22 and the upper electrode 25, and the excitons generated thereby fall to the ground state.
  • Light is emitted. Since the upper electrode 25 has a light-transmitting property and the pixel electrode 22 has a light reflecting property, light emitted from the light-emitting layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 above the upper electrode 25, an organic sealing film 27 above the first inorganic sealing film 26, and a first inorganic sealing film 27 above the organic sealing film 27. 2 and an inorganic sealing film 28 to prevent foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD. .
  • the organic sealing film 27 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the terminal section 40 is formed at one end of the frame area NA.
  • a driver or the like (not shown) that supplies a signal for driving each light emitting element in the display area DA via the routing wiring 44 is mounted on the terminal unit 40.
  • the display device 2 includes a first bank Wa and a second bank Wb, as shown in FIGS.
  • the first bank Wa includes the cover film 23, and the second bank Wb includes the planarization film 21 and the cover film 23.
  • the first bank Wa is formed in a frame shape at a position surrounding the second photo spacer PS2 and the second guard member GD2 on the outermost periphery of the display device 2.
  • the second bank Wb is formed in a frame shape at a position surrounding the first bank Wa. However, the first bank Wa and the second bank Wb are formed closer to the display area DA than the terminal section 40 is.
  • the first bank Wa and the second bank Wb regulate the wetting and spreading of the organic sealing film 27 applied and formed by an inkjet method or the like.
  • the first bank Wa has a film thickness R5
  • the second bank Wb has a film thickness R6.
  • R5 and R6 are both smaller than the film thickness of the second photo spacer PS2.
  • a resin layer 12 is formed on a light-transmitting support substrate (for example, a mother glass substrate) 10 (Step S1).
  • the barrier layer 3 is formed on the resin layer 12 (Step S2).
  • the TFT layer 4 is formed on the barrier layer 3 (Step S3).
  • step S3 first, the semiconductor layer 15, the first inorganic layer 16, the gate electrode GE, the second inorganic layer 18, the third inorganic layer 20, and the source wiring SH are formed above the barrier layer 3. , In order from the lower layer. At this time, the terminal section 40 and the routing wiring 44 connected to the terminal section 40 may be formed together. In forming each of these layers, a conventionally known film forming method can be adopted.
  • a flattening film 21 is formed. At this time, the flattening film 21 may be formed from the photosensitive resin using photolithography, and the contact hole 21c, the trench 21t, and the flattening film 21 in the second bank Wb may be formed.
  • a top emission type light emitting element layer (for example, an OLED element layer) 5 is formed (Step S4).
  • the pixel electrode 22 is formed at a position including the contact hole 21c.
  • the cover film 23 is formed together with the first photo spacer PS1, the second photo spacer PS2, the first guard member GD1, and the second guard member GD2.
  • the step of forming the cover film 23 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 6 and the step sectional view shown in FIG.
  • FIG. 6 is a flowchart for explaining a method of forming the cover film 23 of the present embodiment.
  • 7A to 7C are process cross-sectional views showing the formation of the cover film 23 along the flowchart of FIG. 6 in the order of (a) to (c). 7 correspond to the cross section in FIG. 1B.
  • a photosensitive resin 23p which is a material of the cover film 23, is applied to the upper layer of the flattening film 21 and the trench 21t by using, for example, an inkjet method (Step S11).
  • the photosensitive resin 23p is a positive photosensitive resin.
  • the photomask PM is arranged above the photosensitive resin 23p (Step S12).
  • the photomask PM is a multi-tone mask having different light-shielding properties depending on its position, and may be a half-tone mask or a gray-tone mask.
  • the photomask PM includes a first part M1 and a second part M2 between a plurality of openings.
  • the first part M1 has the strongest light-shielding property in the photomask PM, and the second part M2 has a weaker light-shielding property than the first part M1.
  • Step S13 light is irradiated from above the photomask PM to expose the photosensitive resin 23p.
  • the photomask PM is removed, and the exposed photosensitive resin 23p is washed with an appropriate developer (Step S14).
  • Step S15 baking of the photosensitive resin 23p is performed.
  • step S15 Since the light-shielding property of the photomask PM differs depending on each part of the photomask PM, the photosensitive resin 23p at the corresponding position is removed thickly in the order of the first part M1, the second part M2, and the opening of the photomask PM. Therefore, when step S15 is completed, as shown in FIG. 7C, the first photo spacer PS1, the second photo spacer PS2, the first guard member GD1, and the second guard member GD2 are formed at one time. Note that the second portion M2 uses a photomask PM having a third portion that is less light-shielding than the photomask and the cover film 23 at a position that does not overlap with the photo spacer and the guard member at a position overlapping the third portion. May be formed.
  • the cover film 23 can be formed at one time together with the photo spacer and the guard member. Therefore, the cost of the material of each member can be reduced, the manufacturing process can be simplified, and the tact time of the manufacturing process can be reduced.
  • the transmittance of each position of the photomask PM is designed to control the height of the photo spacer and the guard member. However, the present invention is not limited to this, and the height control may be performed by designing the width of the light shielding portion of the photomask PM.
  • a positive photosensitive resin is used as the photosensitive resin 23p, but a negative photosensitive resin may be used as the photosensitive resin 23p.
  • the photomask PM may be designed so that the light-shielding property of the photomask PM increases as the film thickness from which the photosensitive resin 23p is removed is increased.
  • the cover film 23 in the first bank Wa and the second bank Wb may be formed together with the formation of the cover film 23 described above.
  • each layer of the light emitting layer 24 is formed by an evaporation method.
  • the formation process of the light emitting layer 24 will be described with reference to a flowchart shown in FIG. 8 and a process sectional view shown in FIG.
  • FIG. 8 is a flowchart for explaining a method for forming the light emitting layer 24 of the present embodiment.
  • FIG. 9 is a process cross-sectional view showing a state in which the light emitting layer 24 is formed according to the flowchart of FIG. 8 in the order of (a) to (c).
  • the cross section in FIG. 9B corresponds to the cross section in FIG. 1B
  • the cross sections in FIGS. 9B and 9C correspond to the cross section in FIG.
  • the deposition mask DM is brought into contact with the second photo spacer PS2 (step S21).
  • the deposition mask DM has an opening corresponding to a position where deposition is desired.
  • the deposition mask DM is a metal mask that has magnetism and has a property of being attracted to a magnet.
  • step S21 the deposition mask DM is gently approached to the second photo spacer PS2 from above the second photo spacer PS2 by a mask moving device (not shown) until the deposition mask DM contacts the second photo spacer PS2. Therefore, the deposition mask DM contacts the second photo spacer PS2 prior to the contact with the first photo spacer PS1. Therefore, in step S21, as shown in FIG. 9B, the deposition mask DM does not contact the first photo spacer PS1.
  • the vapor deposition mask DM When the vapor deposition mask DM abuts on the second photo spacer PS2, the vapor deposition mask DM and the second photo spacer PS2 are rubbed, and the shaved second photo spacer PS2 is generated as foreign matter F around the second photo spacer PS2. There is. However, scattering of the generated foreign matter F is restricted by the first guard member GD1 and the second guard member GD2 formed in a frame shape around the second photo spacer PS2. Accordingly, the possibility that the foreign matter F moves from the second photo spacer PS2 toward the terminal portion 40 or the display area DA is reduced.
  • the magnet MG is installed below the support substrate 10 (Step S22).
  • the deposition mask DM is attracted to the magnet MG, and as shown in FIG. 9C, the deposition mask DM contacts the first photo spacer PS1 while keeping the contact with the second photo spacer PS2. Touch (step S23). Since the vapor deposition mask DM and the second photo spacer PS2 are already in contact with each other, the friction between the vapor deposition mask DM and the first photo spacer PS1 is reduced when the vapor deposition mask DM comes into contact with the first photo spacer PS1. Therefore, the possibility that the foreign matter F is generated around the first photo spacer PS1 is reduced.
  • step S24 one layer of the light emitting layer 24 is evaporated by evaporating the evaporation material from above the evaporation mask DM from the crucible (not shown in the drawing) (step S24).
  • the deposition mask DM has an opening at a position overlapping with the pixel electrode 22 exposed from the cover film 23. Therefore, a vapor deposition material is vapor-deposited on the upper layer of the pixel electrode 22 to form one layer of the light emitting layer 24.
  • steps S21 to S24 are repeated while changing the type of the vapor deposition material or the vapor deposition mask DM, etc., so that the light emitting layer 24 shown in FIG. 1A may be obtained.
  • steps S21 to S24 are repeated while changing the type of the vapor deposition material or the vapor deposition mask DM, etc., so that the light emitting layer 24 shown in FIG. 1A may be obtained.
  • steps S21 to S24 are repeated while changing the type of the vapor deposition material or the vapor deposition mask DM, etc., so that the light emitting layer 24 shown in FIG. 1A may be obtained.
  • steps S21 to S24 are repeated while changing the type of the vapor deposition material or the vapor deposition mask DM, etc., so that the light emitting layer 24 shown in FIG. 1A may be obtained.
  • steps S21 to S24 are repeated while changing the type of the vapor deposition material or the vapor deposition mask DM, etc., so that the light emitting layer 24 shown in FIG. 1A
  • the second photo spacer PS2 on the display area DA side of the trench 21t that is, the second photo spacer PS2 on the left side of the paper surface of FIG. It may be an abutting photo spacer.
  • the second photo spacer PS2 on the frame area NA side of the trench 21t that is, the second photo spacer PS2 on the right side with respect to the paper surface of FIG. It may be an abutting photo spacer.
  • Step S5 the sealing layer 6 is formed (Step S5).
  • the laminate including the support substrate 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 is divided to obtain a plurality of pieces (Step S6).
  • an electronic circuit board (for example, an IC chip) is mounted on the terminal unit 40 to form the display device 2 (Step S7).
  • the method of manufacturing the display device 2 including the hard support substrate 10 has been described.
  • the flexible display device 2 can be manufactured by adding some steps. For example, following step S5, the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with laser light through the support substrate 10 to reduce the bonding force between the support substrate 10 and the resin layer 12, and the support substrate 10 is separated from the resin layer 12. . Next, a lower surface film is attached to the lower surface of the resin layer 12. After that, the process proceeds to step S6 to obtain the flexible display device 2.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of forming a light-emitting element layer of a display device according to a comparative embodiment and a problem of the formation method.
  • the display device according to the comparative embodiment differs from the display device 2 according to the present embodiment only in that a comparative photo spacer PSA is provided instead of the second photo spacer PS2, the first guard member GD1, and the second guard member GD2. Are different.
  • the comparative photo spacer PSA has a height RA from the upper surface of the flattening film 21, and RA is lower than R1.
  • RA is lower than R1.
  • a photomask is designed and photolithography of the photosensitive resin 23p is performed in order to form a photospacer having the same height as the photospacer in the display area DA in the frame area NA.
  • the height of the photo spacer in the frame area NA may be lower than that in the display area DA, and the height of the photo spacer in the frame area NA may be lower.
  • the deposition mask DM When the deposition mask DM is approached from above with respect to the stacked structure including the comparative photo spacer PSA, as shown in FIGS. 10A and 10B, the deposition mask DM contacts the comparative photo spacer PSA. Prior to the contact, it comes into contact with the first photo spacer PS1. In this case, as shown in FIG. 10B, foreign matter F may be generated around the first photo spacer PS1 due to friction between the deposition mask DM and the first photo spacer PS1. When the foreign material F falls on the pixel electrode 22 and the deposition of the deposition material is performed as it is, the deposition material is deposited on the foreign material F as shown in FIG. There is.
  • the contact between the first photo spacer PS1 and the deposition mask DM is not perfect, and a deposition material may be formed on the upper surface of the first photo spacer PS1.
  • a deposition material may be formed on the upper surface of the first photo spacer PS1.
  • the vapor deposition material formed on the upper surface of the first photo spacer PS1 is peeled off and scattered to other sub-pixels to become a luminescent foreign substance, that is, color mixing occurs. there is a possibility.
  • the display device 2 includes, in the frame area NA, a second photo spacer PS2 that is higher than the first photo spacer PS1 in the display area DA. For this reason, in the vapor deposition process using the vapor deposition mask DM, the vapor deposition mask DM comes into contact with the second photo spacer PS2 before coming into contact with the first photo spacer PS1. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the foreign matter F is generated due to the friction between the first photo spacer PS1 and the deposition mask DM. Similarly, the possibility that the vapor deposition material formed on the upper surface of the first photo spacer PS1 is peeled off and scattered to other sub-pixels to reduce the possibility of becoming a luminescent foreign substance is reduced.
  • the scattering of the foreign matter F generated around the second photo spacer PS2 is restricted by the first guard member GD1 between the second photo spacer PS2 and the display area DA. Therefore, the possibility that the foreign matter F reaches the display area DA is further reduced.
  • the scattering of the foreign matter F generated around the second photo spacer PS2 is also restricted by the second guard member GD2 on the side opposite to the display area DA with respect to the second photo spacer PS2. Therefore, the possibility that the foreign matter F reaches the terminal portion 40 is further reduced.
  • the first guard member GD1 and the second guard member GD2 are formed in a frame shape. For this reason, the first guard member GD1 and the second guard member GD2 can restrict the scattering of the foreign matter F over the entire periphery of the display device 2.
  • the difference in height between R2 and R1 is 1 ⁇ m or less.
  • the distortion of the deposition mask DM due to the difference in height between the first photo spacer PS1 and the second photo spacer PS2 can be reduced. Therefore, the stress applied to the deposition mask DM in the deposition process can be reduced, and the deposition mask DM can be more smoothly brought into contact with the photo spacer.
  • the evaporation mask DM in the evaporation step can be made flat, and the distance between the evaporation mask DM and the evaporation surface can be made more uniform. Therefore, in the vapor deposition step, vapor deposition defects such as color mixing can be more easily suppressed.
  • the difference in height between R2 and R1 is smaller.
  • the difference in height between R2 and R1 is 0.05 ⁇ m or more.
  • the difference between R3 and R4 relative to R2 is less than 1 ⁇ m. Therefore, the scattering of the foreign matter F generated from the second photo spacer PS2 can be more efficiently reduced by the guard member.
  • the difference between R3 and R4 with respect to R2 is 0.1 ⁇ m or more. Therefore, it is possible to more reliably prevent the vapor deposition mask from contacting the guard member in the vapor deposition step, and to reduce the possibility of the generation of foreign matter F from the guard member. That is, in the present embodiment, R2, R3, and R4 satisfy the relational expressions of 0.1 ⁇ m ⁇ (R2-R3) ⁇ 1 ⁇ m and 0.1 ⁇ m ⁇ (R2-R4) ⁇ 1 ⁇ m.
  • FIG. 11 is a top view of the display device 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged top view of the region C in FIG. 11, that is, the periphery of the second photo spacer PS2.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 according to the previous embodiment only in the configuration of the second guard member GD2.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by the same manufacturing process as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the right side as viewed in the drawing is shown as the display area DA side.
  • the display device 2 includes a plurality of second guard members GD2 at positions surrounding the second photo spacer PS2. Furthermore, in the present embodiment, the second guard members GD2 are formed in a plurality of rows along each side of the display area DA. That is, the plurality of second guard members GD2 are linearly arranged.
  • the second guard members GD2 on adjacent straight lines are arranged so as to be shifted from each other.
  • the second guard member GD2 may be in a staggered arrangement.
  • each of the second guard members GD2 has an elliptical shape having a major axis in a direction along each side of the display device 2 in plan view.
  • the second guard member GD2 is arranged such that a plane orthogonal to one side of the second photo spacer PS2 always intersects at least one second guard member GD2.
  • the display device 2 according to the present embodiment can reduce the generation of the foreign matter F due to the rubbing between the first photo spacer PS1 and the deposition mask DM, similarly to the display device 2 according to the previous embodiment. Further, in the display device 2 according to the present embodiment, a plane orthogonal to one side of the second photo spacer PS2 always intersects with at least one second guard member GD2. For this reason, even if the second guard member GD2 is not formed in a frame shape, it is possible to reduce the possibility that the foreign matter F scatters around the display device 2 from the second photo spacer PS2.
  • FIG. 13 is an enlarged top view of the periphery of the second photo spacer PS2 of the display device 2 according to the present modification.
  • FIG. 13 shows an enlarged top view at a position corresponding to the region C in FIG. Note that FIG. 13 also illustrates the right side of the drawing as the display area DA side.
  • the display device 2 according to the present modification is different from the display device 2 according to the present embodiment only in the configuration of the first guard member GD1 and the second guard member GD2.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by the same manufacturing process as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the display device 2 according to this modification includes a plurality of first guard members GD1 in a straight line along each side of the display area DA.
  • the plurality of first guard members GD1 have an elliptical shape having a major axis in a direction along each side of the display device 2, similarly to the second guard member GD2 of the present embodiment.
  • the first guard member GD1 is arranged such that a plane orthogonal to one side of the second photo spacer PS2 always intersects with at least one first guard member GD1.
  • the display device 2 according to the present modification also has the same effect as the display device 2 according to the present modification.
  • FIG. 14 is a block diagram showing a display device manufacturing apparatus 50 used in the manufacturing process of the display device 2 in each of the above-described embodiments.
  • the display device manufacturing apparatus 50 includes a controller 52 and a film forming apparatus 54.
  • the controller 52 may control the film forming apparatus 54.
  • the film forming apparatus 54 may execute film formation of each layer of the display device 2.
  • the display device 1 may include a display panel having a flexible and bendable display element.
  • the display elements include a display element whose luminance and transmittance are controlled by a current, and a display element whose luminance and transmittance are controlled by a voltage.
  • the display device may include an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • the display device according to the present embodiment may include an inorganic light emitting diode as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be a QLED display including an EL display QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) such as an inorganic EL display.
  • QLED Quantum dot Light Emitting Diode
  • a voltage control display element there is a liquid crystal display element or the like.
  • the first photo spacer PS1 and the second photo spacer PS2 are formed in the same layer as the cover film 23 and made of the same material as the cover film 23 has been described.
  • the configuration of the first photo spacer PS1 and the second photo spacer PS2 in each of the above embodiments is not limited to this.
  • the first photo spacer is formed by a first layer formed of the same material as the cover film 23 and made of the same material, and a second layer formed of an organic layer (for example, polyimide) formed on the first layer.
  • At least one of PS1 and second photospacer PS2 may be configured.
  • a display device includes a display region including a light-emitting element layer including a plurality of light-emitting elements, a TFT layer including a plurality of TFTs for driving each of the plurality of light-emitting elements, and a frame around the display region.
  • a first photo spacer is provided in the display region, and a second photo spacer having a height higher than the first photo spacer is provided in the frame region.
  • the difference in height between the first photo spacer and the second photo spacer is 1 ⁇ m or less.
  • a plurality of the island-shaped second photo spacers are provided.
  • the second photo spacer is formed in a plurality of rows.
  • the first photo spacer and the second photo spacer are in the same layer and are made of the same material.
  • the light emitting element layer includes a cover film that covers an edge of each pixel electrode of the light emitting element, and the first photo spacer and the second photo spacer are the same layer as the cover film. And of the same material.
  • a first guard member having a height lower than that of the second photo spacer is provided between the second photo spacer and the display area.
  • the second photo spacer and the first guard member are in the same layer and are made of the same material.
  • the height of the first guard member is lower than that of the second photo spacer, and the difference in height between the first guard member and the second photo spacer is less than 1 ⁇ m.
  • the frame-shaped first guard member is provided at a position surrounding the display area.
  • a plurality of the island-shaped first guard members are provided, and the first guard members are formed in a plurality of rows.
  • a plane orthogonal to one side of the second photo spacer always intersects with at least one of the first guard members.
  • a second guard member having a height lower than the second photo spacer is provided on a side opposite to the display region with respect to the second photo spacer.
  • the second photo spacer and the second guard member are in the same layer and are made of the same material.
  • the height of the second guard member is lower than that of the second photo spacer, and the difference in height between the second guard member and the second photo spacer is less than 1 ⁇ m.
  • the frame-shaped second guard member is provided at a position surrounding the second photo spacer.
  • a plurality of the island-shaped second guard members are provided, and the second guard members are formed in a plurality of rows.
  • a plane orthogonal to one side of the second photo spacer always intersects with at least one second guard member.
  • the TFT layer includes a flattening film, and a trench is provided in an opening of the flattening film in the frame region, and the display region is closer to the display region than the trench and is closer to the display region than the trench.
  • the second photo spacer on each side.
  • the method for manufacturing a display device comprising: a display region including a light-emitting element layer including a plurality of light-emitting elements; a TFT layer including a plurality of TFTs driving each of the plurality of light-emitting elements; A method of manufacturing a display device having a peripheral frame region, wherein a first photo spacer is formed in the display region, and a second photo spacer having a height higher than the first photo spacer is formed in the frame region. The method includes a step of forming a photo spacer in the frame region.
  • the method further includes a vapor deposition step of forming at least one of the light-emitting element layers by vapor deposition using a vapor deposition mask, wherein the vapor deposition step is performed prior to contact between the first photo spacer and the vapor deposition mask.
  • a second contacting step of contacting is
  • the first photospacer and the second photospacer are formed at once by photolithography using a multi-tone mask.
  • a cover film covering an edge of each pixel electrode of the light emitting element is formed together with the first photospacer and the second photospacer.
  • An apparatus for manufacturing a display device comprising: a display region including a light-emitting element layer including a plurality of light-emitting elements; a TFT layer including a plurality of TFTs each of which drives the plurality of light-emitting elements;
  • An apparatus for manufacturing a display device comprising: a first photo spacer formed in the display area; and a second photo spacer having a height higher than the first photo spacer in the frame area.
  • a film forming apparatus for forming a film in the frame region is provided.

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Abstract

表示デバイス（２）は、発光素子層（５）およびＴＦＴ層（４）を有する表示領域（ＤＡ）と、該表示領域の周囲の額縁領域（ＮＡ）とを備える。また、前記表示デバイスは、第１フォトスペーサ（ＰＳ１）を前記表示領域に備え、前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサ（ＰＳ２）を前記額縁領域に備える。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
本発明は、発光素子を備えた表示デバイスに関する。
　特許文献１には、バックプレーンにおいてスペーサが形成された表示パネルを開示している。スペーサは、表示デバイスの各層形成のために使用される蒸着用のマスクを当接させるフォトスペーサとして使用される場合がある。
日本国再公表特許公報「国際公開番号ＷＯ２０１４／０２４４５５」
　上述のフォトスペーサとマスクとが当接することにより、フォトスペーサまたは当該フォトスペーサの上端に形成された部材とマスクとが擦れて、異物が発生し、表示デバイスの不良の原因となる場合がある。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスは、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスであって、第１フォトスペーサを前記表示領域に備え、前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に備える。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造方法であって、前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成するフォトスペーサ形成工程を備える。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造装置は、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造装置であって、前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成する成膜装置を備える。
　フォトスペーサとマスクとの当接によって生じる異物による不良の発生を低減できる。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの概略上面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの第２フォトスペーサ周辺を示す拡大上面図である。 本発明の実施形態１に係る第１および第２バンク周辺の概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係るカバー膜の形成方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係るカバー膜の形成方法を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る発光層の形成方法を説明するための工程断面図である。 比較形態に係る発光層の形成方法における課題を説明するための概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの概略上面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの第２フォトスペーサ周辺を示す拡大上面図である。 本発明の変形例に係る表示デバイスの第２フォトスペーサ周辺を示す拡大上面図である。 本発明の各実施形態に係る表示デバイスの製造装置のブロック図である。
　以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味する。また、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。また、本明細書においては、表示デバイスの下層から上層へ向かう方向を上方とする。
　〔実施形態１〕
　図２は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図１の（ａ）は、図２におけるＡＡ線矢視断面図であり、図１の（ｂ）は、図２におけるＢＢ線矢視断面図である。また、図３は、図２における領域Ｃ、すなわち、後に詳述する、第２フォトスペーサＰＳ２の周辺の拡大上面図である。図４は、図２におけるＤＤ線矢視断面図である。なお、図２においては、後に詳述する、上部電極２５および封止層６の図示を省略している。
　また、図１の（ｂ）においては、紙面に向かって左側を、表示領域ＤＡ側として図示している。さらに、図３においては、紙面に向かって右側を、表示領域ＤＡ側として図示している。加えて、図示の簡単のため、図１の（ｂ）における奥側の第２フォトスペーサＰＳ２の図示を省略している。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図２に示すように、表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡとを有する。図１の（ａ）および（ｂ）を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２を詳細に説明する。
　図１の（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、下層から順に、支持基板１０と、樹脂層１２と、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、発光素子層５と、封止層６とを備える。表示デバイス２は、封止層６のさらに上層に、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する機能フィルム等を備えていてもよい。
　支持基板１０は、例えばガラス基板であってもよい。例えば、支持基板１０は、表示デバイス２の製造時において、大判のマザーガラス基板から個片化されたガラス基板であってもよい。樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイス２の使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、下層から順に、半導体層１５と、第１無機層１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート電極ＧＥと、第２無機層１８と、第３無機層２０と、ソース配線ＳＨ（金属配線層）と、平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。半導体層１５とソース配線ＳＨとは、半導体電極１５ｅにおいて互いに電気的に接続する。半導体層１５と、第１無機層１６と、ゲート電極ＧＥとを含むように、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　半導体層１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図１においては、半導体層１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造であってもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥまたはソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでいてもよい。すなわち、ゲート電極ＧＥまたはソース配線ＳＨは、上述の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　第１無機層１６、第２無機層１８、および第３無機層２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。本実施形態においては、図１の（ｂ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいて、平坦化膜２１が開口を有し、当該開口にトレンチ２１ｔが規定される。トレンチ２１ｔは、端子部４０と対向する辺を除く、表示デバイス２の３辺に沿って形成されていてもよい。また、トレンチ２１ｔは、端子部４０と対向する辺においても、両端付近等、一部において形成されていてもよい。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、下層から順に、画素電極２２（第１電極、例えばアノード）と、画素電極２２のエッジを覆うカバー膜（エッジカバー）２３と、発光層２４と、上部電極（第２電極、例えばカソード）２５とを含む。発光素子層５は、サブピクセルＳＰ（画素）ごとに、島状の画素電極２２、島状の発光層２４、および上部電極２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。また、ＴＦＴ層４において、当該サブ画素回路ごとにトランジスタＴｒが形成され、トランジスタＴｒの制御をもって、サブ画素回路が制御される。なお、額縁領域ＮＡにおいては、ＧＤＭ回路がＴＦＴ層４において形成され、額縁領域ＮＡにゲートドライバを駆動するためのトランジスタが形成されていてもよい。
　画素電極２２は、平面視において、平坦化膜２１と当該平坦化膜２１の開口であるコンタクトホール２１ｃとに重畳する位置に設けられる。画素電極２２は、コンタクトホール２１ｃを介してソース配線ＳＨと電気的に接続される。このため、ＴＦＴ層４における信号が、ソース配線ＳＨを介して画素電極２２に供給される。なお、画素電極２２の厚みは、例えば、１００ｎｍであってもよい。
　画素電極２２は、複数のサブピクセルＳＰごとに島状に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。上部電極２５は、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材によって構成することができる。図１の（ｂ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいては、画素電極２２と同層であり、かつ、同材料からなる金属膜２２Ａが形成され、トレンチ２１ｔにおいては、上部電極２５と金属膜２２Ａとが電気的に接続される。
　カバー膜２３は有機絶縁膜であり、画素電極２２のエッジを覆う位置に形成され、複数のサブピクセルＳＰごとに開口２３ｃを備え、画素電極２２の一部が露出する。
　本実施形態における表示デバイス２は、図１の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡにおいて第１フォトスペーサＰＳ１を備える。また、表示デバイス２は、図１の（ｂ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいて第２フォトスペーサＰＳ２を備える、本実施形態において、第１フォトスペーサＰＳ１および第２フォトスペーサＰＳ２は、平坦化膜２１上に形成される。さらに、第１フォトスペーサＰＳ１および第２フォトスペーサＰＳ２は、カバー膜２３と同層に形成され、かつ、カバー膜２３と同一材料からなる。このため、カバー膜２３と、第１フォトスペーサＰＳ１と、第２フォトスペーサＰＳ２とは、同一のプロセスにて製造できる。
　図１の（ａ）に示すように、第１フォトスペーサＰＳ１は高さＲ１を有し、図１の（ｂ）に示すように、第２フォトスペーサＰＳ２は高さＲ２を有する。ここで、Ｒ１およびＲ２は、各フォトスペーサの平坦化膜２１の上面からの高さを示している。本実施形態においては、Ｒ２はＲ１よりも高く、Ｒ２とＲ１との高さの差は１μｍ以下である。なお、Ｒ２とＲ１との高さの差は、好ましくは０．５μｍ以下であり、より好ましくは０．３μｍ以下である。また、この高さの差の下限は、例えば、０．０５μｍ、つまり高さの差は０．０５μｍ以上である。
　ここで、本実施形態における表示デバイス２は、図１の（ｂ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいて第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とを備える。第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とは、第２フォトスペーサＰＳ２と同層に形成され、かつ、第２フォトスペーサＰＳ２と同一材料からなる。したがって、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とについても、カバー膜２３と同一のプロセスにて製造できる。
　第２フォトスペーサＰＳ２と、第１ガード部材ＧＤ１と、第２ガード部材ＧＤ２とは、図１の（ｂ）に示すように、金属膜２２Ａと重畳する位置に形成されていてもよい。
　第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とは、それぞれ高さＲ３と高さＲ４とを有する。ここでＲ３とＲ４とは、Ｒ２よりも低い。なお、Ｒ３およびＲ４の、Ｒ２に対する差は、１μｍ未満であってもよい。または、Ｒ３およびＲ４は、Ｒ１と略同一であってもよい。さらに、Ｒ３およびＲ４と、Ｒ２との高さの差は、０．１μｍ以上大きくともよい。ここで、Ｒ３およびＲ４は、各ガード部材の平坦化膜２１の上面からの高さを示している。
　本実施形態において、第１ガード部材ＧＤ１は、図２に示すように、第２フォトスペーサＰＳ２と表示領域ＤＡとの間において、表示領域ＤＡを囲う位置に、枠状に形成されている。一方、第２ガード部材ＧＤ２は、図２に示すように、第２フォトスペーサＰＳ２よりも表示領域ＤＡとは反対側において、第２フォトスペーサＰＳ２を囲う位置に、枠状に形成されている。第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とは、枠状のみならず、コの字型に、端子部４０と対向する辺を除く、表示デバイス２の３辺に沿って形成されていてもよい。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２との代わりに、各第２フォトスペーサＰＳ２を囲むように形成された、複数のガード部材を備えていてもよい。
　ここで、第２フォトスペーサＰＳ２の配置について、図２および図３を参照して説明する。本実施形態においては、図２および図３に示すように、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２との間に、複数の第２フォトスペーサＰＳ２が島状に形成されている。
　複数の第２フォトスペーサＰＳ２は、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とに平行な方向において複数列形成されている。すなわち、複数の第２フォトスペーサＰＳ２が直線状に配置されている。第２フォトスペーサＰＳ２は複数の列上に配置されていてもよい。また、図２および図３に示すように、第２フォトスペーサＰＳ２の隣接する列同士においては、第２フォトスペーサＰＳ２の位置を互いにずらして配置してもよい。すなわち、第２フォトスペーサＰＳ２の配置は千鳥配置であってもよい。
　なお、本実施形態において、第２フォトスペーサＰＳ２は、トレンチ２１ｔよりも表示領域ＤＡ側においても、トレンチ２１ｔよりも端子部４０側においても、形成されている。この場合、図１の（ｂ）および図２に示すように、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とが、トレンチ２１ｔの表示領域ＤＡ側および端子部４０側の両方に、それぞれ形成されていてもよい。
　しかしながら、これに限られず、本実施形態に係る表示デバイス２は、ガード部材として、トレンチ２１ｔよりも表示領域ＤＡ側に、第１ガード部材ＧＤ１のみを備えていてもよい。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、トレンチ２１ｔよりも表示領域ＤＡ側の第１ガード部材ＧＤ１と、トレンチ２１ｔよりも端子部４０側における第２ガード部材ＧＤ２とのみを、ガード部材として備えていてもよい。
　発光層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成される。本実施形態においては、発光層２４の少なくとも１層は、蒸着法によって形成される。また、本実施形態においては、発光層２４の各層は、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されていてもよく、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成されていてもよい。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、画素電極２２および上部電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。上部電極２５が透光性を有し、画素電極２２が光反射性を有するため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　封止層６は、上部電極２５よりも上層の第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の第２無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　端子部４０は、額縁領域ＮＡの一端部に形成される。端子部４０には、引き回し配線４４を介して表示領域ＤＡにおける各発光素子を駆動するための信号を供給する、図示しないドライバ等が実装される。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図２および４に示すように、第１バンクＷａおよび第２バンクＷｂを備える。第１バンクＷａはカバー膜２３を含み、第２バンクＷｂは平坦化膜２１およびカバー膜２３を含む。第１バンクＷａは、表示デバイス２の最外周における第２フォトスペーサＰＳ２および第２ガード部材ＧＤ２を囲う位置に、枠状に形成される。第２バンクＷｂは、第１バンクＷａを囲う位置に、枠状に形成される。ただし、第１バンクＷａおよび第２バンクＷｂは、端子部４０よりも、表示領域ＤＡ側に形成される。
　第１バンクＷａおよび第２バンクＷｂは、インクジェット法等により塗布形成される有機封止膜２７の濡れ広がりを規制する。図４に示すように、第１バンクＷａは膜厚Ｒ５を有し、第２バンクＷｂは膜厚Ｒ６を有する。ここで、Ｒ５およびＲ６は、何れも、第２フォトスペーサＰＳ２の膜厚よりも小さい。
　図５、６、および８のフローチャートを参照し、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について詳細に説明する。
　はじめに、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）１０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、樹脂層１２の上層にバリア層３を形成する（ステップＳ２）。
　次いで、バリア層３の上層にＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。ステップＳ３においては、はじめに、バリア層３の上層に、半導体層１５と、第１無機層１６と、ゲート電極ＧＥと、第２無機層１８と、第３無機層２０と、ソース配線ＳＨとを、下層から順に形成する。この際、端子部４０および当該端子部４０に接続する引き回し配線４４を併せて形成してもよい。これらの各層の形成においては、従来公知の成膜方法を採用できる。次いで、平坦化膜２１を形成する。この際、フォトリソグラフィを用いて、感光性樹脂から平坦化膜２１を形成するとともに、コンタクトホール２１ｃとトレンチ２１ｔと第２バンクＷｂにおける平坦化膜２１とを形成してもよい。
　次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。はじめに、コンタクトホール２１ｃを含む位置に画素電極２２を形成する。
　次いで、カバー膜２３を、第１フォトスペーサＰＳ１、第２フォトスペーサＰＳ２、第１ガード部材ＧＤ１、および第２ガード部材ＧＤ２と共に形成する。カバー膜２３の形成工程について、図６に示すフローチャートを、図７に示す工程断面図と併せて参照して説明する。
　図６は、本実施形態のカバー膜２３の形成方法を説明するためのフローチャートである。図７は、図６のフローチャートに沿ってカバー膜２３が形成される様子を、（ａ）から（ｃ）の順に示した工程断面図である。図７の各図における断面は、図１の（ｂ）における断面と対応する。
　はじめに、カバー膜２３の材料である、感光性樹脂２３ｐを、平坦化膜２１とトレンチ２１ｔとの上層に、例えば、インクジェット法を用いて塗布する（ステップＳ１１）。ステップ１１の完了時点において、図７の（ａ）に示す構造が得られる。なお、本実施形態においては、感光性樹脂２３ｐはポジ型の感光性樹脂である。
　次いで、図７の（ｂ）に示すように、感光性樹脂２３ｐの上方に、フォトマスクＰＭを配置する（ステップＳ１２）。フォトマスクＰＭは、その位置によって遮光性が異なる多階調マスクであり、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクであってもよい。本実施形態において、フォトマスクＰＭは、第１部Ｍ１と、第２部Ｍ２とを、複数の開口の間に備える。第１部Ｍ１は、フォトマスクＰＭにおいて最も遮光性が強く、第２部Ｍ２は、第１部Ｍ１よりも遮光性が弱い。
　次いで、図７の（ｂ）に示すように、フォトマスクＰＭの上方から光を照射し、感光性樹脂２３ｐを露光する（ステップＳ１３）。次いで、フォトマスクＰＭを除去し、露光した感光性樹脂２３ｐを適切な現像液によって洗浄する（ステップＳ１４）。最後に、感光性樹脂２３ｐのベークを実行する（ステップＳ１５）。
　フォトマスクＰＭの遮光性がフォトマスクＰＭの各部によって異なるため、第１部Ｍ１、第２部Ｍ２、およびフォトマスクＰＭの開口の順に、対応する位置における感光性樹脂２３ｐが厚く除去される。したがって、ステップＳ１５完了時点において、図７の（ｃ）に示すように、第１フォトスペーサＰＳ１、第２フォトスペーサＰＳ２、第１ガード部材ＧＤ１、および第２ガード部材ＧＤ２が一度に形成される。なお、第２部Ｍ２はよりも遮光性が弱い第３部を有するフォトマスクＰＭを使用して、第３部と重畳する位置において、フォトスペーサおよびガード部材と重畳しない位置におけるカバー膜２３を併せて形成してもよい。
　上述のように、本実施形態においては、カバー膜２３を、フォトスペーサおよびガード部材と共に、一度に成膜することができる。したがって、各部材の材料のコストを低減し、製造工程の簡素化し、製造工程のタクトタイムを短縮できる。なお、本実施形態においては、フォトマスクＰＭの各位置における透過率を設計して、フォトスペーサおよびガード部材の高さ制御を行った。しかし、これに限られず、当該高さ制御は、フォトマスクＰＭの遮光部の幅を設計することにより行ってもよい。
　本実施形態においては、感光性樹脂２３ｐにポジ型の感光性樹脂を採用したが、感光性樹脂２３ｐにネガ型の感光性樹脂を採用してもよい。この場合、感光性樹脂２３ｐを取り除きたい膜厚が厚くなるほど、フォトマスクＰＭの遮光性が高くなるように、フォトマスクＰＭを設計すればよい。なお、上述したカバー膜２３の形成と併せて、第１バンクＷａおよび第２バンクＷｂにおけるカバー膜２３を形成してもよい。
　次いで、発光層２４を形成する。本実施形態においては、発光層２４の各層を、蒸着法によって形成する。発光層２４の形成工程について、図８に示すフローチャートを、図９に示す工程断面図と併せて参照して説明する。
　図８は、本実施形態の発光層２４の形成方法を説明するためのフローチャートである。図９は、図８のフローチャートに沿って発光層２４が形成される様子を、（ａ）から（ｃ）の順に示した工程断面図である。図９の（ｂ）における断面は、図１の（ｂ）における断面と対応し、図９の（ｂ）および（ｃ）における断面は、図１の（ａ）における断面と対応する。
　はじめに、図９の（ａ）に示すように、蒸着マスクＤＭを第２フォトスペーサＰＳ２に当接させる（ステップＳ２１）。蒸着マスクＤＭは、蒸着を行いたい位置に対応する開口を備える。本実施形態において、蒸着マスクＤＭは、磁性を有し、マグネットに引きつけられる性質を有するメタルマスクである。
　ステップＳ２１においては、図示しないマスク移動装置により、蒸着マスクＤＭが第２フォトスペーサＰＳ２に当接するまで、第２フォトスペーサＰＳ２の上方から、蒸着マスクＤＭを第２フォトスペーサＰＳ２に静かに接近させる。このため、蒸着マスクＤＭは、第１フォトスペーサＰＳ１との当接に先立って、第２フォトスペーサＰＳ２と当接する。したがって、ステップＳ２１においては、図９の（ｂ）に示すように、蒸着マスクＤＭと第１フォトスペーサＰＳ１とは当接しない。
　蒸着マスクＤＭが第２フォトスペーサＰＳ２に当接する際、蒸着マスクＤＭと第２フォトスペーサＰＳ２とが擦れ、削れた第２フォトスペーサＰＳ２が、異物Ｆとして第２フォトスペーサＰＳ２の周囲に発生する場合がある。しかしながら、発生した異物Ｆは、第２フォトスペーサＰＳ２の周囲に、枠状に形成された、第１ガード部材ＧＤ１と第２ガード部材ＧＤ２とによって、飛散が制限される。これにより、異物Ｆが、第２フォトスペーサＰＳ２から、端子部４０、または表示領域ＤＡの方向に移動する可能性が低減される。
　次いで、マグネットＭＧを支持基板１０の下方に設置する（ステップＳ２２）。これにより、マグネットＭＧに蒸着マスクＤＭが引きつけられ、図９の（ｃ）に示すように、蒸着マスクＤＭは、第２フォトスペーサＰＳ２との当接を保ったまま、第１フォトスペーサＰＳ１に当接する（ステップＳ２３）。蒸着マスクＤＭと第２フォトスペーサＰＳ２とが既に当接しているため、蒸着マスクＤＭが第１フォトスペーサＰＳ１と当接する際に、蒸着マスクＤＭと第１フォトスペーサＰＳ１との擦れは低減される。このため、第１フォトスペーサＰＳ１の周囲に異物Ｆが発生する可能性が低減される。
　次いで、蒸着チャンバ内において、蒸着マスクＤＭの上方から、蒸着材料をるつぼから蒸発させることにより（公知につき図示せず）、発光層２４の１層の蒸着を行う（ステップＳ２４）。ステップＳ２４において、例えば、図９の（ｃ）に示すように、蒸着マスクＤＭは、カバー膜２３から露出した画素電極２２と重畳する位置において、開口を備えている。このため、画素電極２２の上層に、蒸着材料が蒸着され、発光層２４の１層が形成される。
　この後、蒸着材料または蒸着マスクＤＭの種類等を変更しつつ、ステップＳ２１から２４までを繰り返すことにより、図１の（ａ）に示す発光層２４が得られてもよい。これに次いで、上部電極２５を形成することにより、複数のサブピクセルＳＰが形成され、発光素子層５の形成が完了する。
　ここで、本実施形態においては、トレンチ２１ｔよりも表示領域ＤＡ側、すなわち、図１の（ｂ）の紙面に向かって左側の第２フォトスペーサＰＳ２が、発光層２４の形成において蒸着マスクＤＭが当接するフォトスペーサであってもよい。また、本実施形態においては、トレンチ２１ｔよりもさらに額縁領域ＮＡ側、すなわち、図１の（ｂ）の紙面に向かって右側の第２フォトスペーサＰＳ２が、上部電極２５の形成において蒸着マスクＤＭが当接するフォトスペーサであってもよい。
　次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、支持基板１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ６）。次いで、端子部４０に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（ステップＳ７）。
　なお、本実施形態においては、硬質の支持基板１０を備えた表示デバイス２の製造方法について説明を行った。しかし、一部工程を追加することにより、フレキシブルな表示デバイス２を製造することが可能である。例えば、ステップＳ５に次いで、支持基板１０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して、支持基板１０および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板１０を樹脂層１２から剥離する。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルムを貼り付ける。その後、ステップＳ６に移行することにより、フレキシブルな表示デバイス２が得られる。
　図１０は、比較形態に係る表示デバイスの発光素子層の形成方法および当該形成方法の問題点を説明するための概略断面図である。比較形態に係る表示デバイスは、第２フォトスペーサＰＳ２、第１ガード部材ＧＤ１、および第２ガード部材ＧＤ２の代わりに、比較フォトスペーサＰＳＡを備える点においてのみ、本実施形態に係る表示デバイス２と構成が異なる。
　図１０の（ａ）に示すように、比較フォトスペーサＰＳＡは、平坦化膜２１の上面からの高さＲＡを有し、ＲＡはＲ１よりも低い。例えば、表示領域ＤＡにおけるフォトスペーサと同じ高さのフォトスペーサを額縁領域ＮＡに形成するために、フォトマスクを設計し、感光性樹脂２３ｐのフォトリソグラフィを実行したとする。この場合であっても、一般に、フォトリソグラフィによってフォトスペーサの高さを同一に形成することは困難である。したがって、比較形態に係る表示装置のように、額縁領域ＮＡにおけるフォトスペーサが、表示領域ＤＡにおけるフォトスペーサよりも高さが低くなり、額縁領域ＮＡにおけるフォトスペーサの高さが低くなる場合がある。
　比較フォトスペーサＰＳＡを備えた積層構造に対して蒸着マスクＤＭを上方から接近させた場合、図１０の（ａ）および（ｂ）に示すように、蒸着マスクＤＭが、比較フォトスペーサＰＳＡとの当接に先立って、第１フォトスペーサＰＳ１と当接する。この場合、図１０の（ｂ）に示すように、蒸着マスクＤＭと第１フォトスペーサＰＳ１との擦れにより、第１フォトスペーサＰＳ１の周囲に異物Ｆが発生する場合がある。異物Ｆが画素電極２２上に落下し、そのまま蒸着材料の蒸着が実行された場合、図１０の（ｂ）に示すように、異物Ｆ上に蒸着材料が蒸着され、蒸着不良の原因となる可能性がある。
　さらに、フォトスペーサの高さ制御の困難性から、第１フォトスペーサＰＳ１と蒸着マスクＤＭとの当接が完全ではなく、第１フォトスペーサＰＳ１の上面に蒸着材料が成膜する場合がある。この状態において、異なる蒸着材料の蒸着を行う際、第１フォトスペーサＰＳ１の上面に成膜された蒸着材料が剥がれて、他のサブ画素に飛散し、発光異物となる、すなわち、混色が発生する可能性がある。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、表示領域ＤＡにおける第１フォトスペーサＰＳ１よりも、高さが高い第２フォトスペーサＰＳ２を、額縁領域ＮＡにおいて備える。このため、蒸着マスクＤＭを使用した蒸着工程において、蒸着マスクＤＭは、第１フォトスペーサＰＳ１と当接に先立って、第２フォトスペーサＰＳ２と当接する。したがって、第１フォトスペーサＰＳ１と蒸着マスクＤＭとの擦れに起因する異物Ｆが発生する可能性を低減できる。同様に、第１フォトスペーサＰＳ１の上面に成膜された蒸着材料が剥がれて、他のサブ画素に飛散し、発光異物となる可能性も低減される。
　また、第２フォトスペーサＰＳ２と蒸着マスクＤＭとの擦れに起因する異物Ｆが発生した場合であっても、異物Ｆは額縁領域ＮＡの第２フォトスペーサＰＳ２の周囲に発生する。したがって、異物Ｆが表示領域ＤＡまで到達する可能性を低減し、蒸着不良が低減されるため、表示デバイス２の製造における歩留まりが改善する。
　さらに、本実施形態においては、第２フォトスペーサＰＳ２と表示領域ＤＡとの間の第１ガード部材ＧＤ１によって、第２フォトスペーサＰＳ２の周囲に発生した異物Ｆの飛散が制限される。したがって、より異物Ｆが表示領域ＤＡまで到達する可能性を低減する。
　加えて、第２フォトスペーサＰＳ２よりも表示領域ＤＡと反対側における第２ガード部材ＧＤ２によっても、第２フォトスペーサＰＳ２の周囲に発生した異物Ｆの飛散が制限される。したがって、より異物Ｆが端子部４０まで到達する可能性を低減する。
　本実施形態においては、第１ガード部材ＧＤ１および第２ガード部材ＧＤ２は枠状に形成されている。このため、第１ガード部材ＧＤ１および第２ガード部材ＧＤ２は、表示デバイス２に全周囲にわたって、異物Ｆの飛散を制限できる。
　本実施形態において、Ｒ２とＲ１との高さの差は１μｍ以下である。このため、ステップＳ２３における、第１フォトスペーサＰＳ１と第２フォトスペーサＰＳ２との高さの違いに起因する、蒸着マスクＤＭの歪みを小さくすることができる。したがって、蒸着工程において蒸着マスクＤＭに掛かる応力を低減でき、より円滑に蒸着マスクＤＭをフォトスペーサに当接できる。また、蒸着工程における蒸着マスクＤＭを平坦にでき、蒸着マスクＤＭと蒸着面との距離をより均一にできる。したがって、蒸着工程において、混色等の蒸着不良をより抑制しやすくなる。
　上記効果は、Ｒ２とＲ１との高さの差が小さいほど顕著である、しかしながら、本実施形態において、Ｒ２とＲ１との高さの差は０．０５μｍ以上である。このことにより、ステップＳ２１において、蒸着マスクＤＭを、第１フォトスペーサＰＳ１と当接する前に、第２フォトスペーサＰＳ２と当接させることをより確実とできる。
　また、本実施形態において、例えば、Ｒ３およびＲ４の、Ｒ２に対する差は、１μｍ未満である。このため、第２フォトスペーサＰＳ２から発生した異物Ｆの飛散を、より効率的に、ガード部材により低減することが可能である。さらに、本実施形態において、例えば、Ｒ３およびＲ４の、Ｒ２に対する差は、０．１μｍ以上である。このため、蒸着工程において、蒸着マスクがガード部材に当接することをより確実に防止し、ガード部材から異物Ｆが発生する可能性を低減できる。すなわち、本実施形態において、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、０．１μｍ≦（Ｒ２－Ｒ３）＜１μｍおよび０．１μｍ≦（Ｒ２－Ｒ４）＜１μｍの関係式を満たしている。
　〔実施形態２〕
　図１１は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図１２は、図１１における領域Ｃ、すなわち、第２フォトスペーサＰＳ２の周辺の拡大上面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、第２ガード部材ＧＤ２の構成のみが異なっている。本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の製造工程によって得られる。図１２においては、紙面に向かって右側を、表示領域ＤＡ側として図示している。
　本実施形態において、表示デバイス２は、図１１に示すように、複数の第２ガード部材ＧＤ２を、第２フォトスペーサＰＳ２を囲う位置において備えている。さらに、本実施形態においては、第２ガード部材ＧＤ２は、表示領域ＤＡの各辺に沿って複数列形成されている。すなわち、複数の第２ガード部材ＧＤ２が直線状に配置されている。
　また、本実施形態において、隣接する直線上における第２ガード部材ＧＤ２は、互いに位置をずらして配置されている。例えば、図１１および１２に示すように、第２ガード部材ＧＤ２は千鳥配置であってもよい。
　さらに、個々の第２ガード部材ＧＤ２は、平面視において、表示デバイス２の各辺に沿う向きに長軸を有する楕円形状を有している。加えて、第２フォトスペーサＰＳ２のある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの第２ガード部材ＧＤ２と交わるように、第２ガード部材ＧＤ２が配置されている。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同様に、第１フォトスペーサＰＳ１と蒸着マスクＤＭとの擦れに起因する異物Ｆの発生を低減できる。さらに、本実施形態に係る表示デバイス２は、第２フォトスペーサＰＳ２のある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの第２ガード部材ＧＤ２と交わる。このため、第２ガード部材ＧＤ２が枠状に形成されていなくとも、異物Ｆが第２フォトスペーサＰＳ２より表示デバイス２の周囲側に飛散する可能性を低減できる。
　〔変形例〕
　図１３は、本変形例に係る表示デバイス２の第２フォトスペーサＰＳ２の周辺の拡大上面図である。図１３は、図１１における領域Ｃと対応する位置における拡大上面図を示す。なお、図１３においても、紙面に向かって右側を、表示領域ＤＡ側として図示している。
　本変形例に係る表示デバイス２は、本実施形態に係る表示デバイス２と比較して、第１ガード部材ＧＤ１および第２ガード部材ＧＤ２の構成のみが異なっている。本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の製造工程によって得られる。
　本変形例に係る表示デバイス２は、図１３に示すように、複数の第１ガード部材ＧＤ１を、表示領域ＤＡの各辺に沿って直線状に備えている。また、複数の第１ガード部材ＧＤ１は、本実施形態の第２ガード部材ＧＤ２と同様に、表示デバイス２の各辺に沿う向きに長軸を有する楕円形状を有している。加えて、第２フォトスペーサＰＳ２のある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの第１ガード部材ＧＤ１と交わるように、第１ガード部材ＧＤ１が配置されている。本変形例に係る表示デバイス２においても、本変形例に係る表示デバイス２と同様の効果を奏する。
　図１４は、上述の各実施形態における表示デバイス２の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置５０を示すブロック図である。表示デバイスの製造装置５０は、コントローラ５２と成膜装置５４とを備える。コントローラ５２は、成膜装置５４を制御してもよい。成膜装置５４は、表示デバイス２の各層の成膜を実行してもよい。
　上述の各実施形態に係る表示デバイス１は、柔軟性を有し、屈曲可能な表示素子を備えた表示パネルを備えていてもよい。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。
　例えば、本実施形態に係る表示デバイスは、電流制御の表示素子として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　または、本実施形態に係る表示デバイスは、電流制御の表示素子として、無機発光ダイオードを備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた、ＱＬＥＤディスプレイであってもよい。
　また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。
　なお、上記の説明では、第１フォトスペーサＰＳ１および第２フォトスペーサＰＳ２が、カバー膜２３と同層に形成され、かつ、カバー膜２３と同一材料からなる場合について説明した。しかしながら、上述の各実施形態における第１フォトスペーサＰＳ１および第２フォトスペーサＰＳ２の構成はこれに限定されるものではない。例えば、カバー膜２３と同層であり、かつ、同一材料からなる第一層と、該第一層上に形成された有機層（例えば、ポリイミド）からなる第二層とにより、第１フォトスペーサＰＳ１および第２フォトスペーサＰＳ２の少なくとも一方を構成してもよい。
　　〔まとめ〕
　態様１の表示デバイスは、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスであって、第１フォトスペーサを前記表示領域に備え、前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に備える。
　態様２においては、前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとの高さの差が１μｍ以下である。
　態様３においては、島状の前記第２フォトスペーサを複数備える。
　態様４においては、前記第２フォトスペーサが複数列形成される。
　態様５においては、前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとが、同層であり、かつ、同一の材料からなる。
　態様６においては、前記発光素子層が、前記発光素子のそれぞれの画素電極のエッジを覆うカバー膜を備え、前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとが、前記カバー膜と同層であり、かつ、同一の材料からなる。
　態様７においては、前記第２フォトスペーサと前記表示領域との間に、前記第２フォトスペーサよりも高さが低い第１ガード部材を備える。
　態様８においては、前記第２フォトスペーサと前記第１ガード部材とが、同層であり、かつ、同一の材料からなる。
　態様９においては、前記第１ガード部材が前記第２フォトスペーサより、高さが低く、かつ、前記第１ガード部材と前記第２フォトスペーサとの高さの差が、１μｍ未満である。
　態様１０においては、前記表示領域を囲う位置に、枠状の前記第１ガード部材を備える。
　態様１１においては、島状の前記第１ガード部材を複数備え、前記第１ガード部材が複数列形成される。
　態様１２においては、前記第２フォトスペーサのある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの前記第１ガード部材と交わる。
　態様１３においては、前記第２フォトスペーサよりも前記表示領域と反対側に、前記第２フォトスペーサよりも高さが低い第２ガード部材を備える。
　態様１４においては、前記第２フォトスペーサと前記第２ガード部材とが、同層であり、かつ、同一の材料からなる。
　態様１５においては、前記第２ガード部材が前記第２フォトスペーサより、高さが低く、かつ、前記第２ガード部材と前記第２フォトスペーサとの高さの差が、１μｍ未満である。
　態様１６においては、前記第２フォトスペーサを囲う位置に、枠状の前記第２ガード部材を備える。
　態様１７においては、島状の前記第２ガード部材を複数備え、前記第２ガード部材が複数列形成される。
　態様１８においては、前記第２フォトスペーサのある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの前記第２ガード部材と交わる。
　態様１９においては、前記ＴＦＴ層が平坦化膜を備え、前記額縁領域において、前記平坦化膜の開口にトレンチを備え、前記トレンチよりも前記表示領域側と、前記トレンチよりも前記表示領域と反対側とのそれぞれにおいて、前記第２フォトスペーサを備える。
　態様２０の表示デバイスの製造方法は、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造方法であって、前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成するフォトスペーサ形成工程を備える。
　態様２１においては、蒸着マスクを用いた蒸着によって、前記発光素子層の少なくとも１層を形成する蒸着工程をさらに備え、前記蒸着工程が、前記第１フォトスペーサと前記蒸着マスクとの当接に先立って、前記第２フォトスペーサと前記蒸着マスクとを当接させる第１当接工程と、該第１当接工程に次いで、マグネットを使用して、前記第１フォトスペーサと前記蒸着マスクとを当接させる第２当接工程とを備える。
　態様２２においては、フォトスペーサ形成工程において、多階調マスクを使用したフォトリソグラフィによって、前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとを一度に形成する。
　態様２３においては、前記フォトスペーサ形成工程において、前記発光素子のそれぞれの画素電極のエッジを覆うカバー膜を前記第１フォトスペーサおよび前記第２フォトスペーサと併せて形成する。
　態様２４の表示デバイスの製造装置は、複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造装置であって、前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成する成膜装置を備える。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　表示デバイス
４　　　ＴＦＴ層
５　　　発光素子層
２２　　画素電極
２３　　カバー膜
５０　　表示デバイスの製造装置
ＤＡ　　表示領域
ＮＡ　　額縁領域
ＰＳ１　第１フォトスペーサ
ＰＳ２　第２フォトスペーサ
ＧＤ１　第１ガード部材
ＧＤ２　第２ガード部材
ＰＭ　　フォトマスク
ＤＭ　　蒸着マスク
ＭＧ　　マグネット

Claims (24)

  1. 　複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスであって、
    　第１フォトスペーサを前記表示領域に備え、前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に備えた表示デバイス。
  2. 　前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとの高さの差が１μｍ以下である請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　島状の前記第２フォトスペーサを複数備えた請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記第２フォトスペーサが複数列形成される請求項３に記載の表示デバイス。
  5. 　前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとが、同層であり、かつ、同一の材料からなる請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイス。
  6. 　前記発光素子層が、前記発光素子のそれぞれの画素電極のエッジを覆うカバー膜を備え、
    　前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとが、前記カバー膜と同層であり、かつ、同一の材料からなる請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　前記第２フォトスペーサと前記表示領域との間に、前記第２フォトスペーサよりも高さが低い第１ガード部材を備えた請求項１から６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記第２フォトスペーサと前記第１ガード部材とは、同層であり、かつ、同一の材料からなる請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記第１ガード部材が前記第２フォトスペーサより、高さが低く、かつ、前記第１ガード部材と前記第２フォトスペーサとの高さの差が、１μｍ未満である請求項７または８に記載の表示デバイス。
  10. 　前記表示領域を囲う位置に、枠状の前記第１ガード部材を備えた請求項７から９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　島状の前記第１ガード部材を複数備え、前記第１ガード部材が複数列形成される請求項７から９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　前記第２フォトスペーサのある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの前記第１ガード部材と交わる請求項１１に記載の表示デバイス。
  13. 　前記第２フォトスペーサよりも前記表示領域と反対側に、前記第２フォトスペーサよりも高さが低い第２ガード部材を備えた請求項１から１２の何れか１項に記載の表示デバイス。
  14. 　前記第２フォトスペーサと前記第２ガード部材とは、同層であり、かつ、同一の材料からなる請求項１３に記載の表示デバイス。
  15. 　前記第２ガード部材が前記第２フォトスペーサより、高さが低く、かつ、前記第２ガード部材と前記第２フォトスペーサとの高さの差が、１μｍ未満である請求項１３または１４に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第２フォトスペーサを囲う位置に、枠状の前記第２ガード部材を備えた請求項１３から１５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  17. 　島状の前記第２ガード部材を複数備え、前記第２ガード部材が複数列形成される請求項１３から１６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  18. 　前記第２フォトスペーサのある１辺と直交する平面が、必ず少なくとも１つの前記第２ガード部材と交わる請求項１７に記載の表示デバイス。
  19. 　前記ＴＦＴ層が平坦化膜を備え、
    　前記額縁領域において、前記平坦化膜の開口にトレンチを備え、
    　前記トレンチよりも前記表示領域側と、前記トレンチよりも前記表示領域と反対側とのそれぞれにおいて、前記第２フォトスペーサを備えた請求項１から１８の何れか１項に記載の表示デバイス。
  20. 　複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造方法であって、
    　前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成するフォトスペーサ形成工程を備えた表示デバイスの製造方法。
  21. 　蒸着マスクを用いた蒸着によって、前記発光素子層の少なくとも１層を形成する蒸着工程をさらに備え、
    　前記蒸着工程が、前記第１フォトスペーサと前記蒸着マスクとの当接に先立って、前記第２フォトスペーサと前記蒸着マスクとを当接させる第１当接工程と、該第１当接工程に次いで、マグネットを使用して、前記第１フォトスペーサと前記蒸着マスクとを当接させる第２当接工程とを備えた請求項２０に記載の表示デバイスの製造方法。
  22. 　前記フォトスペーサ形成工程において、多階調マスクを使用したフォトリソグラフィによって、前記第１フォトスペーサと前記第２フォトスペーサとを一度に形成する請求項２０または２１に記載の表示デバイスの製造方法。
  23. 　前記フォトスペーサ形成工程において、前記発光素子のそれぞれの画素電極のエッジを覆うカバー膜を前記第１フォトスペーサおよび前記第２フォトスペーサと併せて形成する請求項２２に記載の表示デバイスの製造方法。
  24. 　複数の発光素子を備えた発光素子層と、前記複数の発光素子それぞれを駆動する複数のＴＦＴを備えたＴＦＴ層とを有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域とを備えた表示デバイスの製造装置であって、
    　前記表示領域に第１フォトスペーサを形成し、前記額縁領域に前記第１フォトスペーサよりも高さが高い第２フォトスペーサを前記額縁領域に形成する成膜装置を備えた表示デバイスの製造装置。
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