JP2001089841A - 表面加工用冶具及び表面加工方法 - Google Patents
表面加工用冶具及び表面加工方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 40
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 8-quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- ADUFDSSCDCLUFT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 ADUFDSSCDCLUFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対して所定の空隙を設けた状態でマス
クの周辺部を治具で固定した場合、マスクに偏った応力
が加わり、マスクが歪んで平面性が損なわれ、基板の表
面に対する平行度が局部的に悪くなる。この結果、表面
加工の品質が損なわれるという課題がある。 【解決手段】 表面加工用治具は、表面加工の対象とな
る表面及びその反対側の裏面を備えた基板１を保持する
ための保持部材２と、所定の間隙を規定するスペーサ６
を介して表面加工に用いるマスク５を基板１の表面に装
着する装着部材３と、基板１の裏面側に配され、表面加
工中マスク５に吸引力を作用させてスペーサ６を介し基
板１の表面にマスク５を圧接しておく吸引部材４とを備
えている。
クの周辺部を治具で固定した場合、マスクに偏った応力
が加わり、マスクが歪んで平面性が損なわれ、基板の表
面に対する平行度が局部的に悪くなる。この結果、表面
加工の品質が損なわれるという課題がある。 【解決手段】 表面加工用治具は、表面加工の対象とな
る表面及びその反対側の裏面を備えた基板１を保持する
ための保持部材２と、所定の間隙を規定するスペーサ６
を介して表面加工に用いるマスク５を基板１の表面に装
着する装着部材３と、基板１の裏面側に配され、表面加
工中マスク５に吸引力を作用させてスペーサ６を介し基
板１の表面にマスク５を圧接しておく吸引部材４とを備
えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空蒸着やエッチン
グ等基板表面の加工用に用いる治具及び表面加工方法に
関する。より詳しくは、基板に対して表面加工に用いる
マスクをセッティングする技術に関する。
グ等基板表面の加工用に用いる治具及び表面加工方法に
関する。より詳しくは、基板に対して表面加工に用いる
マスクをセッティングする技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、基板の表面加工に用いる蒸着装
置の一般的な構成を示す模式図である。図示するよう
に、蒸着装置２００はチャンバ２０１を主体として構成
されている。チャンバ２０１の中には蒸着源２０２が配
置されている。蒸着源２０２は抵抗加熱方式又は電子線
加熱方式のいずれでもよい。チャンバ２０１にはポンプ
２０３が接続されており、内部を真空排気可能にしてい
る。チャンバ２０１の上部には治具２０４が組み込まれ
ている。この治具２０４はモータ２０５により公転運動
及び自転運動を行うことができる。治具２０４には処理
対象となる基板１と処理用のマスク５が装着される。マ
スク５は基板１に選択的に蒸着物質を堆積するために用
いられる。
置の一般的な構成を示す模式図である。図示するよう
に、蒸着装置２００はチャンバ２０１を主体として構成
されている。チャンバ２０１の中には蒸着源２０２が配
置されている。蒸着源２０２は抵抗加熱方式又は電子線
加熱方式のいずれでもよい。チャンバ２０１にはポンプ
２０３が接続されており、内部を真空排気可能にしてい
る。チャンバ２０１の上部には治具２０４が組み込まれ
ている。この治具２０４はモータ２０５により公転運動
及び自転運動を行うことができる。治具２０４には処理
対象となる基板１と処理用のマスク５が装着される。マ
スク５は基板１に選択的に蒸着物質を堆積するために用
いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板に対して微細な蒸
着処理を施す場合等、基板表面から一定の間隔でマスク
を浮かした状態で治具２０４に装着したいことがある。
マスク５を基板１に密着させると、位置合わせのとき等
傷が生じる恐れがあるので好ましくない。この場合、ス
ペーサを介して基板１にマスク５を装着することにな
る。従来、基板に対して所定の空隙を設けた状態でマス
ク５の周辺部を治具２０４で固定していた。このように
すると、マスク５に偏った応力が加わる場合があり、マ
スク５が歪んで平面性が損なわれ、基板１の表面に対す
る平行度が局部的に悪くなる。この結果、蒸着ムラが生
じ、表面加工の品質が損なわれるという課題があった。
尚、マスクは蒸着処理ばかりでなく、基板の表面に対す
る選択的な露光処理等にも用いられる。本明細書では、
蒸着処理や露光処理等を含む上位概念として表面処理若
しくは表面加工という用語を用いている。
着処理を施す場合等、基板表面から一定の間隔でマスク
を浮かした状態で治具２０４に装着したいことがある。
マスク５を基板１に密着させると、位置合わせのとき等
傷が生じる恐れがあるので好ましくない。この場合、ス
ペーサを介して基板１にマスク５を装着することにな
る。従来、基板に対して所定の空隙を設けた状態でマス
ク５の周辺部を治具２０４で固定していた。このように
すると、マスク５に偏った応力が加わる場合があり、マ
スク５が歪んで平面性が損なわれ、基板１の表面に対す
る平行度が局部的に悪くなる。この結果、蒸着ムラが生
じ、表面加工の品質が損なわれるという課題があった。
尚、マスクは蒸着処理ばかりでなく、基板の表面に対す
る選択的な露光処理等にも用いられる。本明細書では、
蒸着処理や露光処理等を含む上位概念として表面処理若
しくは表面加工という用語を用いている。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決するために以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる表面加工用治具は、表面加工の対象となる表面及
びその反対側の裏面を備えた基板を保持するための保持
部材と、所定の間隙を規定するスペーサを介して表面加
工に用いるマスクを該基板の表面に装着する装着部材
と、該基板の裏面側に配され、表面加工中該マスクに吸
引力を作用させて該スペーサを介し該基板の表面に該マ
スクを圧接しておく吸引部材とを備えている。好ましく
は、前記吸引部材は、磁性材料からなるマスクに磁気的
な吸引力を作用させる電磁石又は永久磁石からなる。或
いは、前記吸引部材は、マスクに静電気的な吸引力を作
用させるものでも良い。好ましくは、前記装着部材は該
基板に対して該マスクを位置決めする調整手段を備えて
おり、前記吸引部材は該マスクの位置決め中該吸引力を
解除可能である。好ましくは、前記装着部材は、あらか
じめ該基板の表面に形成されたスペーサを介して該マス
クを該基板の表面に装着する。好ましくは、前記装着部
材は、該基板の表面に対して蒸着加工を行うときに用い
る蒸着マスクを装着する。具体的には、前記装着部材
は、該基板の表面に有機エレクトロルミネッセンス素子
を蒸着で形成するときに用いる蒸着マスクを装着する。
を解決するために以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる表面加工用治具は、表面加工の対象となる表面及
びその反対側の裏面を備えた基板を保持するための保持
部材と、所定の間隙を規定するスペーサを介して表面加
工に用いるマスクを該基板の表面に装着する装着部材
と、該基板の裏面側に配され、表面加工中該マスクに吸
引力を作用させて該スペーサを介し該基板の表面に該マ
スクを圧接しておく吸引部材とを備えている。好ましく
は、前記吸引部材は、磁性材料からなるマスクに磁気的
な吸引力を作用させる電磁石又は永久磁石からなる。或
いは、前記吸引部材は、マスクに静電気的な吸引力を作
用させるものでも良い。好ましくは、前記装着部材は該
基板に対して該マスクを位置決めする調整手段を備えて
おり、前記吸引部材は該マスクの位置決め中該吸引力を
解除可能である。好ましくは、前記装着部材は、あらか
じめ該基板の表面に形成されたスペーサを介して該マス
クを該基板の表面に装着する。好ましくは、前記装着部
材は、該基板の表面に対して蒸着加工を行うときに用い
る蒸着マスクを装着する。具体的には、前記装着部材
は、該基板の表面に有機エレクトロルミネッセンス素子
を蒸着で形成するときに用いる蒸着マスクを装着する。
【０００５】本発明は、又表面加工方法も包含してい
る。即ち、本発明にかかる表面加工方法は、表面加工の
対象となる表面及びその反対側の裏面を備えた基板を用
意する準備工程と、所定の間隙を規定するスペーサを介
して表面加工に用いるマスクを該基板の表面に装着する
装着工程と、該基板の裏面側から該マスクに吸引力を作
用させて該スペーサを介し該基板の表面に該マスクを圧
接しておく吸引工程と、該マスクを介して該基板の表面
に選択的に表面加工を施す処理工程とからなる。
る。即ち、本発明にかかる表面加工方法は、表面加工の
対象となる表面及びその反対側の裏面を備えた基板を用
意する準備工程と、所定の間隙を規定するスペーサを介
して表面加工に用いるマスクを該基板の表面に装着する
装着工程と、該基板の裏面側から該マスクに吸引力を作
用させて該スペーサを介し該基板の表面に該マスクを圧
接しておく吸引工程と、該マスクを介して該基板の表面
に選択的に表面加工を施す処理工程とからなる。
【０００６】更に本発明は、上述した表面加工用治具及
び表面加工方法を応用した表示装置の製造方法を包含し
ている。即ち、本発明に係る表示装置の製造方法は、表
示装置の画素を構成するエレクトロルミネッセンス素子
が蒸着形成されるべき表面及びその反対側の裏面を備え
た基板を用意する準備工程と、所定の間隙を規定する様
にあらかじめ該基板の表面に形成されたスペーサを介し
て蒸着加工に用いる蒸着マスクを該基板の表面に装着す
る装着工程と、該基板の裏面側から該蒸着マスクに吸引
力を作用させて該スペーサを介し該基板の表面に該蒸着
マスクを圧接しておく吸引工程と、該蒸着マスクを介し
て該基板の表面に選択的にエレクトロルミネッセンス素
子を蒸着形成する処理工程とからなる。
び表面加工方法を応用した表示装置の製造方法を包含し
ている。即ち、本発明に係る表示装置の製造方法は、表
示装置の画素を構成するエレクトロルミネッセンス素子
が蒸着形成されるべき表面及びその反対側の裏面を備え
た基板を用意する準備工程と、所定の間隙を規定する様
にあらかじめ該基板の表面に形成されたスペーサを介し
て蒸着加工に用いる蒸着マスクを該基板の表面に装着す
る装着工程と、該基板の裏面側から該蒸着マスクに吸引
力を作用させて該スペーサを介し該基板の表面に該蒸着
マスクを圧接しておく吸引工程と、該蒸着マスクを介し
て該基板の表面に選択的にエレクトロルミネッセンス素
子を蒸着形成する処理工程とからなる。
【０００７】本発明によれば、基板に対してマスクが表
面側に装着される一方、吸引部材が裏面側に配され、表
面加工中マスクの全体に均一な吸引力を作用させて、ス
ペーサを介し基板の表面にマスクを圧接しておく。基板
の裏面側からマスクを吸引するので、表面加工を妨害す
ることなく、マスクの周辺部だけでなく中央部を含めた
全体に均一な吸引力を加えられる。従って、マスクに歪
みが生じにくいので、スペーサを介しマスクの平行度を
精密に維持でき、局所的に蒸着ムラ等が発生することを
防止可能である。
面側に装着される一方、吸引部材が裏面側に配され、表
面加工中マスクの全体に均一な吸引力を作用させて、ス
ペーサを介し基板の表面にマスクを圧接しておく。基板
の裏面側からマスクを吸引するので、表面加工を妨害す
ることなく、マスクの周辺部だけでなく中央部を含めた
全体に均一な吸引力を加えられる。従って、マスクに歪
みが生じにくいので、スペーサを介しマスクの平行度を
精密に維持でき、局所的に蒸着ムラ等が発生することを
防止可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る表面加工
用治具の実施形態の一例を示す模式的な断面図である。
図示するように、本表面加工用治具は金属ブロック等か
らなる治具本体０を用いて組み立てられている。具体的
には、治具本体０に、保持部材２、装着部材３及びマグ
ネットシート（吸引部材）４が組み込まれている。保持
部材２は表面加工の対象となる表面（図では下面）及び
その反対側の裏面（図では上面）を備えた基板１を保持
する。装着部材３は、所定の間隙を規定するスペーサ６
を介して表面加工に用いるマスク５を基板１の表面に装
着する。吸引部材は基板１の裏面側に配され、表面加工
中マスク５に吸引力を作用させてスペーサ６を介し、基
板１の表面にマスク５を圧接しておく。本実施形態で
は、吸引部材は、ステンレススチール等の磁性材料から
なるマスク５に磁気的な吸引力を作用させるマグネット
シート４を用いている。マグネットシート４は永久磁石
の一種で、基板１を介しマスク５の全体に対して均一な
磁気吸引力を作用させるので、マスク５は歪むことなく
スペーサ６により基板１に対して精密な平行度を維持で
きる。尚、マグネットシート４等の永久磁石に変え、治
具本体０に電磁石を組み込んで、マスク５に磁気吸引力
を作用させるようにしてもよい。場合によっては、磁気
的な吸引力に代え、マスクに静電気的な吸引力を作用さ
せる構造としてもよい。例えば、マスク５を負極側に帯
電させ、治具本体０の平面部を正極側に帯電させること
で、両者の間に静電気的な吸引力が作用する。尚、本実
施形態では装着部材３は基板１に対しマスク５を位置決
めする調制手段を備えており、吸引部材はマスク５の位
置決め中吸引力を解除可能な構成となっている。具体的
には、マグネットシート４を治具本体０の開口部７から
取り外すことにより、マスク５に加わる磁気吸引力が解
除されるので、マスク５を基板１に対して自由に位置決
め可能である。尚、本実施形態では、装着部材３は、予
め基板１の表面に形成されたスペーサ６を介してマスク
５を基板１の表面に装着している。換言すると、スペー
サ６は例えばストライプ状に予め基板１と一体的に形成
されいている。場合によっては、スペーサ６をマスク５
側に一体的に形成してもよい。本実施形態では、装着部
材３は基板１の表面に対して蒸着加工を行うときに用い
る蒸着マスク５を装着するようにしている。例えば、装
着部材３は、基板１の表面に有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を蒸着で形成するときに用いる蒸着マスク５を
装着する。
の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る表面加工
用治具の実施形態の一例を示す模式的な断面図である。
図示するように、本表面加工用治具は金属ブロック等か
らなる治具本体０を用いて組み立てられている。具体的
には、治具本体０に、保持部材２、装着部材３及びマグ
ネットシート（吸引部材）４が組み込まれている。保持
部材２は表面加工の対象となる表面（図では下面）及び
その反対側の裏面（図では上面）を備えた基板１を保持
する。装着部材３は、所定の間隙を規定するスペーサ６
を介して表面加工に用いるマスク５を基板１の表面に装
着する。吸引部材は基板１の裏面側に配され、表面加工
中マスク５に吸引力を作用させてスペーサ６を介し、基
板１の表面にマスク５を圧接しておく。本実施形態で
は、吸引部材は、ステンレススチール等の磁性材料から
なるマスク５に磁気的な吸引力を作用させるマグネット
シート４を用いている。マグネットシート４は永久磁石
の一種で、基板１を介しマスク５の全体に対して均一な
磁気吸引力を作用させるので、マスク５は歪むことなく
スペーサ６により基板１に対して精密な平行度を維持で
きる。尚、マグネットシート４等の永久磁石に変え、治
具本体０に電磁石を組み込んで、マスク５に磁気吸引力
を作用させるようにしてもよい。場合によっては、磁気
的な吸引力に代え、マスクに静電気的な吸引力を作用さ
せる構造としてもよい。例えば、マスク５を負極側に帯
電させ、治具本体０の平面部を正極側に帯電させること
で、両者の間に静電気的な吸引力が作用する。尚、本実
施形態では装着部材３は基板１に対しマスク５を位置決
めする調制手段を備えており、吸引部材はマスク５の位
置決め中吸引力を解除可能な構成となっている。具体的
には、マグネットシート４を治具本体０の開口部７から
取り外すことにより、マスク５に加わる磁気吸引力が解
除されるので、マスク５を基板１に対して自由に位置決
め可能である。尚、本実施形態では、装着部材３は、予
め基板１の表面に形成されたスペーサ６を介してマスク
５を基板１の表面に装着している。換言すると、スペー
サ６は例えばストライプ状に予め基板１と一体的に形成
されいている。場合によっては、スペーサ６をマスク５
側に一体的に形成してもよい。本実施形態では、装着部
材３は基板１の表面に対して蒸着加工を行うときに用い
る蒸着マスク５を装着するようにしている。例えば、装
着部材３は、基板１の表面に有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を蒸着で形成するときに用いる蒸着マスク５を
装着する。
【０００９】図２は、本発明に係る表面加工用治具の他
の実施形態の一例を示す模式的な断面図である。基本的
な構成は、図１に示した実施形態と同様であり、対応す
る部分には対応する参照番号を付して理解を容易にして
いる。本実施形態では、先の実施形態で用いたマグネッ
トシートに代えて、永久磁石４ａを吸引部材に用いてい
る。この永久磁石４ａは治具本体０の平面部を磁化した
ものである。尚、永久磁石４ａに代えて電磁石を治具本
体０の平面部に組み込むこともできる。このように、本
発明に係る表面加工用治具は、基板１とマスク５との平
行性を確保するために、基板１の裏面部全面に平面型の
吸引部材を配置している。本実施形態では、吸引部材
は、治具本体０の一部を磁化した構造である。治具の一
部を磁化することで治具全体の構造を簡単にすることが
できる。尚、永久磁石４ａを使用した場合、マスク５を
位置合わせのため移動するとき、磁気吸引力を解除でき
ないので、マスク５はスペーサ６を擦ることになり、ス
ペーサ６の破損に至らなくともゴミ等の微粒子の発生を
招く恐れがある。そこで永久磁石４ａに代えて、マスク
５の移動時に磁気吸引力を解除できる、コイル等の電磁
石を使用してもよい。
の実施形態の一例を示す模式的な断面図である。基本的
な構成は、図１に示した実施形態と同様であり、対応す
る部分には対応する参照番号を付して理解を容易にして
いる。本実施形態では、先の実施形態で用いたマグネッ
トシートに代えて、永久磁石４ａを吸引部材に用いてい
る。この永久磁石４ａは治具本体０の平面部を磁化した
ものである。尚、永久磁石４ａに代えて電磁石を治具本
体０の平面部に組み込むこともできる。このように、本
発明に係る表面加工用治具は、基板１とマスク５との平
行性を確保するために、基板１の裏面部全面に平面型の
吸引部材を配置している。本実施形態では、吸引部材
は、治具本体０の一部を磁化した構造である。治具の一
部を磁化することで治具全体の構造を簡単にすることが
できる。尚、永久磁石４ａを使用した場合、マスク５を
位置合わせのため移動するとき、磁気吸引力を解除でき
ないので、マスク５はスペーサ６を擦ることになり、ス
ペーサ６の破損に至らなくともゴミ等の微粒子の発生を
招く恐れがある。そこで永久磁石４ａに代えて、マスク
５の移動時に磁気吸引力を解除できる、コイル等の電磁
石を使用してもよい。
【００１０】図３は、基板１とマスク５の相対的な位置
関係を示す模式的な平面図である。本例は、基板１にＲ
ＧＢ三原色の画素を真空蒸着で形成する場合を表してい
る。基板１の表面には予めスペーサ６がストライプ状に
形成されている。このスペーサ６は有機若しくは無機の
絶縁物からなり、例えばスクリーン印刷により基板１の
表面に形成できる。ストライプ状に形成された各スペー
サ６の間に、ＲＧＢ三原色に分かれた画素を形成する。
このため、マスク５は図示のようなパタン８を有し、ハ
ッチングが施されていない部分に矩形の開口が開いてい
る。図示の状態では、マスク５のパタン８は基板１側の
画素Ｒに対応している。この状態で、真空蒸着を行うこ
とにより、画素Ｒを構成すべき物質が選択的に蒸着され
る。このあと、マスク５を右側に一画素分シフトするこ
とで、パタン８は画素Ｇの領域に整合することになる。
ここで物質を代えて再び真空蒸着を行うことにより、画
素Ｇを形成することができる。同様にして、マスク５を
更に右側に一画素分シフトし、画素Ｂを形成する。
関係を示す模式的な平面図である。本例は、基板１にＲ
ＧＢ三原色の画素を真空蒸着で形成する場合を表してい
る。基板１の表面には予めスペーサ６がストライプ状に
形成されている。このスペーサ６は有機若しくは無機の
絶縁物からなり、例えばスクリーン印刷により基板１の
表面に形成できる。ストライプ状に形成された各スペー
サ６の間に、ＲＧＢ三原色に分かれた画素を形成する。
このため、マスク５は図示のようなパタン８を有し、ハ
ッチングが施されていない部分に矩形の開口が開いてい
る。図示の状態では、マスク５のパタン８は基板１側の
画素Ｒに対応している。この状態で、真空蒸着を行うこ
とにより、画素Ｒを構成すべき物質が選択的に蒸着され
る。このあと、マスク５を右側に一画素分シフトするこ
とで、パタン８は画素Ｇの領域に整合することになる。
ここで物質を代えて再び真空蒸着を行うことにより、画
素Ｇを形成することができる。同様にして、マスク５を
更に右側に一画素分シフトし、画素Ｂを形成する。
【００１１】図示の例では、スペーサ６の配列間隔は例
えば３００μｍに設定されている。これに対し、マスク
５に形成された開口パタン８の寸法は、例えば７０×２
００μｍである。又、マスク５は例えばステンレススチ
ールからなり、その厚みは例えば５０μｍ程度である。
これに対し、基板１とマスク５の間隙寸法を規定するス
ペーサ６の厚みは例えば５μｍ程度である。
えば３００μｍに設定されている。これに対し、マスク
５に形成された開口パタン８の寸法は、例えば７０×２
００μｍである。又、マスク５は例えばステンレススチ
ールからなり、その厚みは例えば５０μｍ程度である。
これに対し、基板１とマスク５の間隙寸法を規定するス
ペーサ６の厚みは例えば５μｍ程度である。
【００１２】次に、図３に示したマスクを用いてガラス
基板の上にエレクトロルミネッセンス素子からなる画素
を形成する方法の一例を、具体的に説明する。先ず
（Ａ）に示すように、ガラス基板１上に、クロム（Ｃ
ｒ）を膜厚２００ｎｍでＤＣスパッタリングにより成膜
する。スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用いて、
圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗとした。通常の
リソグラフィー技術を用いて、所定の形状にパターニン
グする。エッチング液としてＥＴＣＨ−１（三洋化成工
業（株）製）を用いて、加工する。所定の形状の陽極Ａ
が得られる。クロムは前記エッチング液により高精度か
つ再現性よく加工できる。さらに、加工精度が要求され
る場合は、ドライエッチングによる加工も可能である。
エッチングガスとしては、塩素（Ｃ１２）と酸素
（Ｏ２）の混合ガスを用いることができる。特に、リア
クティブイオンエッチング（ＲｌＥ）を用いれば、高精
度な加工ができ、かつエッチング面の形状の制御が可能
である。所定の条件でエッチングすれば、テーパー状の
加工が可能で、陰極−陽極間ショートを低減できる。続
いて、クロムが所定のパタンに加工された基板１上に絶
縁層１５を成膜する。絶縁層１５に用いる材料は特に限
定はないが、本実施例では二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用
いている。Ｓｉ０２はスパッタリングにより膜厚２００
ｎｍに形成する。成膜方法に、特に限定はない。通常の
リソグラフィー技術を用いて、クロム上に開口を設ける
様にＳｉ０２を加工する。Ｓｉ０２のエッチングには、
フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を使うことができ
る。また。ドライエッチングによる加工も可能である。
前記開口部が、有機エレクトロルミネッセンス素子の発
光部分となる。尚、前記絶縁層１５は本発明に必要不可
欠なものでないが、陽極−陰極間ショートを防ぐために
は設置することが望ましい。この後、前記開口部の両側
にスペーサ６を、例えばスクリーン印刷法で形成する。
基板の上にエレクトロルミネッセンス素子からなる画素
を形成する方法の一例を、具体的に説明する。先ず
（Ａ）に示すように、ガラス基板１上に、クロム（Ｃ
ｒ）を膜厚２００ｎｍでＤＣスパッタリングにより成膜
する。スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用いて、
圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗとした。通常の
リソグラフィー技術を用いて、所定の形状にパターニン
グする。エッチング液としてＥＴＣＨ−１（三洋化成工
業（株）製）を用いて、加工する。所定の形状の陽極Ａ
が得られる。クロムは前記エッチング液により高精度か
つ再現性よく加工できる。さらに、加工精度が要求され
る場合は、ドライエッチングによる加工も可能である。
エッチングガスとしては、塩素（Ｃ１２）と酸素
（Ｏ２）の混合ガスを用いることができる。特に、リア
クティブイオンエッチング（ＲｌＥ）を用いれば、高精
度な加工ができ、かつエッチング面の形状の制御が可能
である。所定の条件でエッチングすれば、テーパー状の
加工が可能で、陰極−陽極間ショートを低減できる。続
いて、クロムが所定のパタンに加工された基板１上に絶
縁層１５を成膜する。絶縁層１５に用いる材料は特に限
定はないが、本実施例では二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用
いている。Ｓｉ０２はスパッタリングにより膜厚２００
ｎｍに形成する。成膜方法に、特に限定はない。通常の
リソグラフィー技術を用いて、クロム上に開口を設ける
様にＳｉ０２を加工する。Ｓｉ０２のエッチングには、
フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を使うことができ
る。また。ドライエッチングによる加工も可能である。
前記開口部が、有機エレクトロルミネッセンス素子の発
光部分となる。尚、前記絶縁層１５は本発明に必要不可
欠なものでないが、陽極−陰極間ショートを防ぐために
は設置することが望ましい。この後、前記開口部の両側
にスペーサ６を、例えばスクリーン印刷法で形成する。
【００１３】次に（Ｂ）に示すように、スペーサ６を介
してガラス基板１の表面側にマスク５を装着する。この
際、ガラス基板１の裏面側から磁気的な吸引力がマスク
５に作用する。これにより、マスク５はスペーサ６を介
しガラス基板１に対して精密な平行度を維持できる。
尚、マスク５に形成された開口パタン８は、前述した絶
縁層１５の開口部に整合するよう、位置決めされてい
る。このようにガラス基板１及びマスク５を組み込んだ
治具を真空蒸着装置に投入し、有機層１０及び陰極Ｋの
金属層１１を蒸着により形成する。ここで有機層１０
は、正孔注入層１０１として４，４’，４”−トリス
（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルア
ミン（ＭＴＤＡＴＡ）、正孔輸送層１０２としてビス
（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰ
Ｄ）、発光層１０３として８−キノリノールアルミニウ
ム錯体（Ａｌｑ）を用いた。陰極Ｋの金属層１１には、
マグネシウムと銀の合金（Ｍｇ：Ａｇ）を用いた。有機
層１０に属する各材料は、それぞれ０．２ｇを抵抗加熱
用のボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り
付ける。金属層１１のマグネシウムは０．１ｇ、銀は
０．４ｇをボートに充填して、真空蒸着装置の所定の電
極に取り付ける。真空チャンバを、１．０ｘ１０−４Ｐ
ａまで減圧した後、各ボートに電圧を印加し、順次加熱
して蒸着させる。蒸着には、蒸着マスクを用いることに
より所定の部分のみ有機層１０およびＭｇ：Ａｇからな
る金属層１１を蒸着させた。所定の部分とは、基板１上
で、クロムが露出している部分である。クロムの露出し
ている部分だけに高精度に蒸着することは困難であるの
で、クロムの露出している部分全体を覆うように（絶縁
層１５の縁にかかるように）蒸着マスクを設計した。ま
ず、正孔注入層１０１としてＭＴＤＡＴＡを３０ｎｍ、
正孔輸送層１０２としてα−ＮＰＤを２０ｎｍ、発光層
１０３としてＡｌｑを５０ｎｍ蒸着した。さらに、マグ
ネシウムおよび銀の共蒸着を行なうことにより、有機層
１０上に陰極Ｋの金属層１１としてＭｇ：Ａｇを成膜す
る。マグネシウムと銀は、成膜速度の比を９：１として
いる。Ｍｇ：Ａｇの膜厚をｌ０ｎｍとした。
してガラス基板１の表面側にマスク５を装着する。この
際、ガラス基板１の裏面側から磁気的な吸引力がマスク
５に作用する。これにより、マスク５はスペーサ６を介
しガラス基板１に対して精密な平行度を維持できる。
尚、マスク５に形成された開口パタン８は、前述した絶
縁層１５の開口部に整合するよう、位置決めされてい
る。このようにガラス基板１及びマスク５を組み込んだ
治具を真空蒸着装置に投入し、有機層１０及び陰極Ｋの
金属層１１を蒸着により形成する。ここで有機層１０
は、正孔注入層１０１として４，４’，４”−トリス
（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルア
ミン（ＭＴＤＡＴＡ）、正孔輸送層１０２としてビス
（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰ
Ｄ）、発光層１０３として８−キノリノールアルミニウ
ム錯体（Ａｌｑ）を用いた。陰極Ｋの金属層１１には、
マグネシウムと銀の合金（Ｍｇ：Ａｇ）を用いた。有機
層１０に属する各材料は、それぞれ０．２ｇを抵抗加熱
用のボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り
付ける。金属層１１のマグネシウムは０．１ｇ、銀は
０．４ｇをボートに充填して、真空蒸着装置の所定の電
極に取り付ける。真空チャンバを、１．０ｘ１０−４Ｐ
ａまで減圧した後、各ボートに電圧を印加し、順次加熱
して蒸着させる。蒸着には、蒸着マスクを用いることに
より所定の部分のみ有機層１０およびＭｇ：Ａｇからな
る金属層１１を蒸着させた。所定の部分とは、基板１上
で、クロムが露出している部分である。クロムの露出し
ている部分だけに高精度に蒸着することは困難であるの
で、クロムの露出している部分全体を覆うように（絶縁
層１５の縁にかかるように）蒸着マスクを設計した。ま
ず、正孔注入層１０１としてＭＴＤＡＴＡを３０ｎｍ、
正孔輸送層１０２としてα−ＮＰＤを２０ｎｍ、発光層
１０３としてＡｌｑを５０ｎｍ蒸着した。さらに、マグ
ネシウムおよび銀の共蒸着を行なうことにより、有機層
１０上に陰極Ｋの金属層１１としてＭｇ：Ａｇを成膜す
る。マグネシウムと銀は、成膜速度の比を９：１として
いる。Ｍｇ：Ａｇの膜厚をｌ０ｎｍとした。
【００１４】最後に、（Ｃ）に示すように、別の真空チ
ャンバに移し、同じマスクを通して透明導電層１２を成
膜する。成膜にはＤＣスパッタリングを用いる。本実施
例では、透明導電層１２として室温成膜で良好な導電性
を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を用いる。成膜条
件は、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（体積比Ａｒ：Ｏ２＝１０００：５）を用い、圧力０．
３Ｐａ、ＤＣ出力４０Ｗとした。膜厚２００ｎｍで成膜
した。
ャンバに移し、同じマスクを通して透明導電層１２を成
膜する。成膜にはＤＣスパッタリングを用いる。本実施
例では、透明導電層１２として室温成膜で良好な導電性
を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜を用いる。成膜条
件は、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（体積比Ａｒ：Ｏ２＝１０００：５）を用い、圧力０．
３Ｐａ、ＤＣ出力４０Ｗとした。膜厚２００ｎｍで成膜
した。
【００１５】最後に、有機エレクトロルミネッセンス素
子を画素に用いた表示装置を説明する。一般に、アクテ
ィブマトリクス型の表示装置では、多数の画素をマトリ
クス状に並べ、与えられた輝度情報に応じて画素毎に光
強度を制御することによって画像を表示する。電気光学
物質として液晶を用いた場合には、各画素に書き込まれ
る電圧に応じて画素の透過率が変化する。電気光学物質
として有機エレクトロルミネッセンス材料を用いたアク
ティブマトリクス型の表示装置でも、基本的な動作は液
晶を用いた場合と同様である。しかし液晶ディスプレイ
と異なり、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
は各画素に発光素子を有する自発光型であり、液晶ディ
スプレイに比べて画像の視認性が高い、バックライトが
不要、応答速度が速い等の利点を有する。個々の発光素
子の輝度は電流量によって制御される。即ち、発光素子
が電流駆動型或いは電流制御型であるという点で液晶デ
ィスプレイ等とは大きく異なる。
子を画素に用いた表示装置を説明する。一般に、アクテ
ィブマトリクス型の表示装置では、多数の画素をマトリ
クス状に並べ、与えられた輝度情報に応じて画素毎に光
強度を制御することによって画像を表示する。電気光学
物質として液晶を用いた場合には、各画素に書き込まれ
る電圧に応じて画素の透過率が変化する。電気光学物質
として有機エレクトロルミネッセンス材料を用いたアク
ティブマトリクス型の表示装置でも、基本的な動作は液
晶を用いた場合と同様である。しかし液晶ディスプレイ
と異なり、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
は各画素に発光素子を有する自発光型であり、液晶ディ
スプレイに比べて画像の視認性が高い、バックライトが
不要、応答速度が速い等の利点を有する。個々の発光素
子の輝度は電流量によって制御される。即ち、発光素子
が電流駆動型或いは電流制御型であるという点で液晶デ
ィスプレイ等とは大きく異なる。
【００１６】液晶ディスプレイと同様、有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイもその駆動方式として単純
マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とが可能で
ある。前者は構造が単純であるものの大型且つ高精細の
ディスプレイの実現が困難であるため、アクティブマト
リクス方式の開発が盛んに行われている。アクティブマ
トリクス方式は、各画素に設けた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に流れる電流を画素内部に設けた能動素子
（一般には、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一種
である薄膜トランジスタ、以下ＴＦＴと呼ぶ場合があ
る）によって制御する。このアクティブマトリクス方式
の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにつき、
一画素分の等価回路を図５に示す。画素ＰＸＬは有機エ
レクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤ、第一の能動素子
としての薄膜トランジスタＴＦＴ１、第二の能動素子と
しての薄膜トランジスタＴＦＴ２及び保持容量Ｃｓから
なる。有機エレクトロルミネッセンス素子は多くの場合
整流性があるため、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）と
呼ばれることがあり、図ではダイオードの記号を用いて
いる。図示の例では、ＴＦＴ２のソースＳを基準電位
（接地電位）とし、ＯＬＥＤの陰極ＫはＶｄｄ（電源電
位）に接続される一方、陽極ＡはＴＦＴ２のドレインＤ
に接続されている。一方、ＴＦＴ１のゲートＧは走査線
Ｘに接続され、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、ドレ
インＤは保持容量Ｃｓ及びＴＦＴ２のゲートＧに接続さ
れている。
ルミネッセンスディスプレイもその駆動方式として単純
マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とが可能で
ある。前者は構造が単純であるものの大型且つ高精細の
ディスプレイの実現が困難であるため、アクティブマト
リクス方式の開発が盛んに行われている。アクティブマ
トリクス方式は、各画素に設けた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に流れる電流を画素内部に設けた能動素子
（一般には、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一種
である薄膜トランジスタ、以下ＴＦＴと呼ぶ場合があ
る）によって制御する。このアクティブマトリクス方式
の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイにつき、
一画素分の等価回路を図５に示す。画素ＰＸＬは有機エ
レクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤ、第一の能動素子
としての薄膜トランジスタＴＦＴ１、第二の能動素子と
しての薄膜トランジスタＴＦＴ２及び保持容量Ｃｓから
なる。有機エレクトロルミネッセンス素子は多くの場合
整流性があるため、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）と
呼ばれることがあり、図ではダイオードの記号を用いて
いる。図示の例では、ＴＦＴ２のソースＳを基準電位
（接地電位）とし、ＯＬＥＤの陰極ＫはＶｄｄ（電源電
位）に接続される一方、陽極ＡはＴＦＴ２のドレインＤ
に接続されている。一方、ＴＦＴ１のゲートＧは走査線
Ｘに接続され、ソースＳはデータ線Ｙに接続され、ドレ
インＤは保持容量Ｃｓ及びＴＦＴ２のゲートＧに接続さ
れている。
【００１７】ＰＸＬを動作させるために、まず、走査線
Ｘを選択状態とし、データ線Ｙに輝度情報を表すデータ
電位Ｖｄａｔａを印加すると、ＴＦＴ１が導通し、保持
容量Ｃｓが充電又は放電され、ＴＦＴ２のゲート電位は
データ電位Ｖｄａｔａに一致する。走査線Ｘを非選択状
態とすると、ＴＦＴ１がオフになり、ＴＦＴ２は電気的
にデータ線Ｙから切り離されるが、ＴＦＴ２のゲート電
位は保持容量Ｃｓによって安定に保持される。ＴＦＴ２
を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤに
流れる電流は、ＴＦＴ２のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓ
に応じた値となり、ＯＬＥＤはＴＦＴ２から供給される
電流量に応じた輝度で発光し続ける。
Ｘを選択状態とし、データ線Ｙに輝度情報を表すデータ
電位Ｖｄａｔａを印加すると、ＴＦＴ１が導通し、保持
容量Ｃｓが充電又は放電され、ＴＦＴ２のゲート電位は
データ電位Ｖｄａｔａに一致する。走査線Ｘを非選択状
態とすると、ＴＦＴ１がオフになり、ＴＦＴ２は電気的
にデータ線Ｙから切り離されるが、ＴＦＴ２のゲート電
位は保持容量Ｃｓによって安定に保持される。ＴＦＴ２
を介して有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤに
流れる電流は、ＴＦＴ２のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓ
に応じた値となり、ＯＬＥＤはＴＦＴ２から供給される
電流量に応じた輝度で発光し続ける。
【００１８】上述したように、図５に示した画素ＰＸＬ
の回路構成では、一度Ｖｄａｔａの書き込みを行えば、
次に書き換えられるまで一フレームの間、ＯＬＥＤは一
定の輝度で発光を継続する。このような画素ＰＸＬを図
６のようにマトリクス状に多数配列すると、アクティブ
マトリクス型表示装置を構成することができる。図６に
示すように、本表示装置は、画素ＰＸＬを選択するため
の走査線Ｘ１乃至ＸＮと、画素ＰＸＬを駆動するための
輝度情報（データ電位Ｖｄａｔａ）を与えるデータ線Ｙ
とがマトリクス状に配設されている。走査線Ｘ１乃至Ｘ
Ｎは走査線駆動回路２１に接続される一方、データ線Ｙ
はデータ線駆動回路２２に接続される。走査線駆動回路
２１によって走査線Ｘ１乃至ＸＮを順次選択しながら、
データ線駆動回路２２によってデータ線ＹからＶｄａｔ
ａの書き込みを繰り返すことにより、所望の画像を表示
することができる。単純マトリクス型の表示装置では、
各画素ＰＸＬに含まれる発光素子は、選択された瞬間に
のみ発光するのに対し、図６に示したアクティブマトリ
クス型表示装置では、書き込み終了後も各画素ＰＸＬの
有機エレクトロルミネッセンス素子が発光を継続するた
め、単純マトリクス型に比べ有機エレクトロルミネッセ
ンス素子のピーク輝度（ピーク電流）を下げられるなど
の点で、とりわけ大型高精細のディスプレイでは有利と
なる。
の回路構成では、一度Ｖｄａｔａの書き込みを行えば、
次に書き換えられるまで一フレームの間、ＯＬＥＤは一
定の輝度で発光を継続する。このような画素ＰＸＬを図
６のようにマトリクス状に多数配列すると、アクティブ
マトリクス型表示装置を構成することができる。図６に
示すように、本表示装置は、画素ＰＸＬを選択するため
の走査線Ｘ１乃至ＸＮと、画素ＰＸＬを駆動するための
輝度情報（データ電位Ｖｄａｔａ）を与えるデータ線Ｙ
とがマトリクス状に配設されている。走査線Ｘ１乃至Ｘ
Ｎは走査線駆動回路２１に接続される一方、データ線Ｙ
はデータ線駆動回路２２に接続される。走査線駆動回路
２１によって走査線Ｘ１乃至ＸＮを順次選択しながら、
データ線駆動回路２２によってデータ線ＹからＶｄａｔ
ａの書き込みを繰り返すことにより、所望の画像を表示
することができる。単純マトリクス型の表示装置では、
各画素ＰＸＬに含まれる発光素子は、選択された瞬間に
のみ発光するのに対し、図６に示したアクティブマトリ
クス型表示装置では、書き込み終了後も各画素ＰＸＬの
有機エレクトロルミネッセンス素子が発光を継続するた
め、単純マトリクス型に比べ有機エレクトロルミネッセ
ンス素子のピーク輝度（ピーク電流）を下げられるなど
の点で、とりわけ大型高精細のディスプレイでは有利と
なる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面加工用治具は、スペーサを介して表面加工に用いる
マスクを基板の表面に装着する装着部材と、基板の裏面
側に配され、表面加工中マスクに吸引力を作用させてス
ペーサを介し基板の表面にマスクを圧接しておく吸引部
材とを備えている。これにより、基板に対するマスクの
平行度が保たれるため、基板全面に渡ってムラのない正
面加工が可能になる。例えば、磁気的な吸引力を使って
マスクを基板に圧接するので、真空蒸着等真空中の処理
でも使用可能な構造が得られる。裏面側から吸引部材を
作用させるので、治具の構造が簡単化可能である。加え
て、治具から吸引部材を簡単に着脱でき、マスクの位置
合わせが容易になる。
表面加工用治具は、スペーサを介して表面加工に用いる
マスクを基板の表面に装着する装着部材と、基板の裏面
側に配され、表面加工中マスクに吸引力を作用させてス
ペーサを介し基板の表面にマスクを圧接しておく吸引部
材とを備えている。これにより、基板に対するマスクの
平行度が保たれるため、基板全面に渡ってムラのない正
面加工が可能になる。例えば、磁気的な吸引力を使って
マスクを基板に圧接するので、真空蒸着等真空中の処理
でも使用可能な構造が得られる。裏面側から吸引部材を
作用させるので、治具の構造が簡単化可能である。加え
て、治具から吸引部材を簡単に着脱でき、マスクの位置
合わせが容易になる。
【図１】本発明に係る表面加工用治具の実施形態を示す
模式的な断面図である。
模式的な断面図である。
【図２】本発明に係る表面加工用治具の他の実施形態を
示す模式的な断面図である。
示す模式的な断面図である。
【図３】表面加工用治具に組み込まれる基板とマスクの
相対的な位置関係を示す平面図である。
相対的な位置関係を示す平面図である。
【図４】本発明に係る表面加工用治具を用いて作製され
る表示装置の製造工程図である。
る表示装置の製造工程図である。
【図５】本発明に従って製造された表示装置の一画素分
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
【図６】同じく表示装置の全体構成図である。
【図７】従来の蒸着装置の一般的な構造を示す模式図で
ある。
ある。
０・・・治具本体、１・・・基板、２・・・保持部材、
３・・・装着部材、４・・・マグネットシート（吸引部
材）、５・・・蒸着マスク、６・・・スペーサ、７・・
・開口部
３・・・装着部材、４・・・マグネットシート（吸引部
材）、５・・・蒸着マスク、６・・・スペーサ、７・・
・開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｚ 21/68 21/68 Ｐ
Claims (18)
- 【請求項１】 表面加工の対象となる表面及びその反対
側の裏面を備えた基板を保持するための保持部材と、 所定の間隙を規定するスペーサを介して表面加工に用い
るマスクを該基板の表面に装着する装着部材と、 該基板の裏面側に配され、表面加工中該マスクに吸引力
を作用させて該スペーサを介し該基板の表面に該マスク
を圧接しておく吸引部材とを備えたことを特徴とする表
面加工用冶具。 - 【請求項２】 前記吸引部材は、磁性材料からなるマス
クに磁気的な吸引力を作用させる電磁石又は永久磁石か
らなることを特徴とする請求項１記載の表面加工用冶
具。 - 【請求項３】 前記吸引部材は、マスクに静電気的な吸
引力を作用させることを特徴とする請求項１記載の表面
加工用冶具。 - 【請求項４】 前記装着部材は該基板に対して該マスク
を位置決めする調整手段を備えており、前記吸引部材は
該マスクの位置決め中該吸引力を解除可能なことを特徴
とする請求項１記載の表面加工用冶具。 - 【請求項５】 前記装着部材は、あらかじめ該基板の表
面に形成されたスペーサを介して該マスクを該基板の表
面に装着することを特徴とする請求項１記載の表面加工
用冶具。 - 【請求項６】 前記装着部材は、該基板の表面に対して
蒸着加工を行うときに用いる蒸着マスクを装着すること
を特徴とする請求項１記載の表面加工用冶具。 - 【請求項７】 前記装着部材は、該基板の表面に有機エ
レクトロルミネッセンス素子を蒸着で形成するときに用
いる蒸着マスクを装着することを特徴とする請求項６記
載の表面加工用冶具。 - 【請求項８】 表面加工の対象となる表面及びその反対
側の裏面を備えた基板を用意する準備工程と、 所定の間隙を規定するスペーサを介して表面加工に用い
るマスクを該基板の表面に装着する装着工程と、 該基板の裏面側から該マスクに吸引力を作用させて該ス
ペーサを介し該基板の表面に該マスクを圧接しておく吸
引工程と、 該マスクを介して該基板の表面に選択的に表面加工を施
す処理工程とからなることを特徴とする表面加工方法。 - 【請求項９】 前記吸引工程は、磁性材料からなるマス
クに磁気的な吸引力を作用させる電磁石又は永久磁石を
利用することを特徴とする請求項８記載の表面加工方
法。 - 【請求項１０】 前記吸引工程は、マスクに静電気的な
吸引力を作用させることを特徴とする請求項８記載の表
面加工方法。 - 【請求項１１】 前記装着工程は該基板に対して該マス
クを位置決めする調整工程を含んでおり、前記吸引工程
は該マスクの位置決め中は該吸引力を解除しておくこと
を特徴とする請求項８記載の表面加工方法。 - 【請求項１２】 前記装着工程は、あらかじめ該基板の
表面に形成されたスペーサを介して該マスクを該基板の
表面に装着することを特徴とする請求項８記載の表面加
工用冶具。 - 【請求項１３】 前記装着工程は、該基板の表面に対し
て蒸着加工を行うときに用いる蒸着マスクを装着するこ
とを特徴とする請求項８記載の表面加工方法。 - 【請求項１４】 前記処理工程は、該基板の表面に有機
エレクトロルミネッセンス素子を蒸着で形成することを
特徴とする請求項１３記載の表面加工方法。 - 【請求項１５】 表示装置の画素を構成するエレクトロ
ルミネッセンス素子が蒸着形成されるべき表面及びその
反対側の裏面を備えた基板を用意する準備工程と、 所定の間隙を規定する様にあらかじめ該基板の表面に形
成されたスペーサを介して蒸着加工に用いる蒸着マスク
を該基板の表面に装着する装着工程と、 該基板の裏面側から該蒸着マスクに吸引力を作用させて
該スペーサを介し該基板の表面に該蒸着マスクを圧接し
ておく吸引工程と、 該蒸着マスクを介して該基板の表面に選択的にエレクト
ロルミネッセンス素子を蒸着形成する処理工程とからな
る表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記吸引工程は、磁性材料からなる蒸
着マスクに磁気的な吸引力を作用させる電磁石又は永久
磁石を利用することを特徴とする請求項１５記載の表示
装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記吸引工程は、マスクに静電気的な
吸引力を作用させることを特徴とする請求項１５記載の
表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記装着工程は該基板に対して該蒸着
マスクを位置決めする調整工程を含んでおり、前記吸引
工程は該蒸着マスクの位置決め中は該吸引力を解除して
おくことを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26789099A JP2001089841A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 表面加工用冶具及び表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26789099A JP2001089841A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 表面加工用冶具及び表面加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001089841A true JP2001089841A (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17451056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26789099A Pending JP2001089841A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 表面加工用冶具及び表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001089841A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003064467A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-05 | Pioneer Electronic Corp | 堆積膜形成方法およびこれに用いるマスク、並びに有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル |
| JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
| JP2009038007A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2009076387A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 面発光照明装置 |
| US7651722B2 (en) | 2001-06-12 | 2010-01-26 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| KR101361819B1 (ko) | 2012-04-20 | 2014-02-12 | 세메스 주식회사 | 패턴 형성용 기판 홀딩 어셈블리 및 이를 구비하는 유기 박막 증착 장치 |
| CN107887509A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-06 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法 |
| WO2020012535A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
| CN113170551A (zh) * | 2018-11-12 | 2021-07-23 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| WO2023084932A1 (ja) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | マスクチャック装置、蒸着装置 |
-
1999
- 1999-09-22 JP JP26789099A patent/JP2001089841A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8034178B2 (en) | 2001-06-12 | 2011-10-11 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| US7651722B2 (en) | 2001-06-12 | 2010-01-26 | Sony Corporation | Apparatus and method for manufacturing an organic electroluminescence display |
| JP2003064467A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-03-05 | Pioneer Electronic Corp | 堆積膜形成方法およびこれに用いるマスク、並びに有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル |
| JP4494681B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 堆積膜形成方法およびこれに用いるマスク、並びに有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル |
| JP2003257650A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびマスク |
| JP2009038007A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP4555363B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-09-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置 |
| JP2009076387A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 面発光照明装置 |
| KR101361819B1 (ko) | 2012-04-20 | 2014-02-12 | 세메스 주식회사 | 패턴 형성용 기판 홀딩 어셈블리 및 이를 구비하는 유기 박막 증착 장치 |
| CN107887509A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-06 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法 |
| CN107887509B (zh) * | 2017-11-15 | 2020-08-11 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 键合方法、oled蒸镀方法以及oled装置的制造方法 |
| WO2020012535A1 (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
| CN113170551A (zh) * | 2018-11-12 | 2021-07-23 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| WO2023084932A1 (ja) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | マスクチャック装置、蒸着装置 |
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