WO2020009088A1 - マスク及びその製造方法 - Google Patents

マスク及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020009088A1
WO2020009088A1 PCT/JP2019/026219 JP2019026219W WO2020009088A1 WO 2020009088 A1 WO2020009088 A1 WO 2020009088A1 JP 2019026219 W JP2019026219 W JP 2019026219W WO 2020009088 A1 WO2020009088 A1 WO 2020009088A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
less
opening
hole
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/026219
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
栄仁 廣戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2020528996A priority Critical patent/JP6997975B2/ja
Priority to KR1020217002880A priority patent/KR102631580B1/ko
Publication of WO2020009088A1 publication Critical patent/WO2020009088A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to JP2021205481A priority patent/JP2022037147A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/08—Perforated or foraminous objects, e.g. sieves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • the embodiment of the present disclosure relates to a mask and a method for manufacturing the mask.
  • display devices used in portable devices such as smartphones and tablet PCs have been required to have high definition, for example, a pixel density of 400 ppi or more.
  • a pixel density of 400 ppi or more there is a growing demand for portable devices to support Ultra High Definition (UHD).
  • UHD Ultra High Definition
  • the pixel density of the display device is required to be, for example, 800 ppi or more.
  • organic EL display devices have been receiving attention because of their good responsiveness, low power consumption, and high contrast.
  • a method of forming pixels of an organic EL display device there is known a method of forming pixels in a desired pattern using a mask having through holes arranged in a desired pattern. Specifically, first, a mask is combined with a substrate for an organic EL display device. Subsequently, an evaporation material including an organic material is attached to the substrate through the through hole of the mask. By performing such an evaporation step, pixels including an organic material can be formed on the substrate in a pattern corresponding to the pattern of the through-holes of the mask.
  • the thickness of the mask is preferably small.
  • the rigidity of the mask is reduced, and the mask is likely to be undulated such as wrinkles. If the flatness of the mask is impaired due to undulations such as wrinkles, the position of the deposition material adhering to the substrate is shifted from the designed position.
  • Patent Literature 1 proposes a method of joining a mask body and a frame via a metal layer formed by an electroforming method as a method of combining the mask body and the frame.
  • the metal layer may be separated from the mask body or the frame.
  • Embodiments of the present disclosure aim to provide a mask that can effectively solve such a problem and a method for manufacturing the same.
  • a first aspect of the present disclosure is a first mask including an opening, a first surface, a second surface located on the opposite side of the first surface, and from the first surface to the second surface.
  • a first mask having a side surface that extends and defines the opening; a third surface located at the opening of the first mask and located on the first surface side of the first mask;
  • a second mask including a fourth surface located on the second surface side of the one mask, wherein an effective area including a first hole penetrating the second mask; and a peripheral area located at a periphery of the effective area.
  • a first portion including at least a side surface portion in contact with the side surface of the first mask and a first surface portion in contact with the first surface of the first mask, and the peripheral edge of the second mask.
  • a second portion including at least a fourth surface portion in contact with the fourth surface of the region. Comprising a joining portion joining said first mask second mask, and a mask.
  • a second aspect of the present disclosure is the mask according to the above-described first aspect, wherein the third surface of the second mask and the surface of the first surface of the first portion of the joint are coplanar. May be located.
  • the width of the first surface portion of the first portion of the bonding portion may be 3 ⁇ m or more.
  • the first portion of the bonding portion is in contact with the second surface of the first mask. It may further include a two-sided portion.
  • the width of the second surface portion of the first portion of the bonding portion may be 3 ⁇ m or more.
  • the peripheral region of the second mask is arranged such that the peripheral region of the second mask extends from the fourth surface side of the second mask.
  • a second hole recessed toward the third surface may be included, and the second portion of the bonding portion may further include a hole portion located inside the second hole in the peripheral region of the second mask.
  • a seventh aspect of the present disclosure is the mask according to the above-described sixth aspect, wherein the second hole in the peripheral region of the second mask is located on the third surface side from the fourth surface side of the second mask. It may penetrate up to.
  • the second hole in the peripheral area of the second mask has a size of 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. Is also good.
  • a ninth aspect of the present disclosure is the mask according to each of the above-described sixth to eighth aspects, wherein the shape of the second hole in the peripheral region of the second mask is the same as that of the second mask. It may have a circular or rectangular shape when viewed along the normal direction of the fourth surface.
  • the side surface of the first mask projects toward the second mask located at the opening. May have a protruding portion.
  • An eleventh aspect of the present disclosure is the mask according to each of the first to tenth aspects, wherein the side face of the first mask has a rough surface having an arithmetic average roughness of 0.12 ⁇ m or more. May be included.
  • the thickness of the first mask may be 250 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second mask may be 20 ⁇ m or less.
  • the joint may include a plating layer.
  • a fifteenth aspect of the present disclosure is a first mask including an opening, wherein a first surface, a second surface located on the opposite side of the first surface, and the first to second surfaces are provided.
  • the substrate provided with the second mask is provided with a photosensitive material covering the second mask and the substrate.
  • a step of forming the junction may have a.
  • the first mask preparation step is made of metal, and the first surface and the first surface are formed.
  • An eighteenth aspect of the present disclosure is the mask manufacturing method according to each of the fifteenth aspect to the seventeenth aspect described above, wherein the first mask preparing step includes performing a sandblast process on the side surface of the first mask.
  • An application step may be provided.
  • 19A nineteenth aspect of the present disclosure may be a mask manufactured by the mask manufacturing method according to each of the fifteenth aspect to the eighteenth aspect described above.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a vapor deposition device including a mask device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a sectional view showing an organic EL display device manufactured using the mask device shown in FIG. 1. It is a top view showing the 1st mask of a mask device. It is a top view showing the 2nd mask of a mask device. It is a top view which expands and shows a 2nd mask.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the second mask of FIG. 5 taken along line VI-VI. It is a top view showing the case where the mask provided with the 1st mask and the 2nd mask was seen from the 2nd surface side.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the mask of FIG. 7 taken along line VIII-VIII.
  • FIG. 9 is an enlarged sectional view showing the mask of FIG. 8.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a first mask preparation step of preparing a first mask.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a first mask preparation step of preparing a first mask.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a first mask preparation step of preparing a first mask.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a second mask preparation step of preparing a second mask.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a second mask preparation step of preparing a second mask.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a second mask preparation step of preparing a second mask. It is a figure which shows the joining part formation process which forms a joining part.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a state where an external force is applied to a mask according to an embodiment of the present disclosure. It is a figure showing a modification of a 2nd mask preparation process. It is a figure showing a modification of a 2nd mask preparation process. It is a figure showing a modification of a 2nd mask preparation process. It is a figure showing a modification of a 2nd mask preparation process.
  • FIG. 9 is a view showing a modification of the first mask.
  • FIG. 9 is a view showing a modification of the mask.
  • plate is a concept that also includes members that can be called sheets and films.
  • the “surface (sheet surface, film surface)” is a target plate-like member (sheet-like member, sheet-like member, film-like member) when viewed as a whole and globally. , A film-shaped member).
  • the normal direction used for a plate-shaped (sheet-shaped or film-shaped) member refers to the normal direction to the surface (sheet surface, film surface) of the member.
  • shape and geometric conditions and the degree thereof are specified. For example, terms such as “parallel” and “orthogonal” and values of length and angle are strictly limited. Without any limitation, it should be interpreted to include a range in which similar functions can be expected.
  • a certain structure such as a certain member or a certain region is referred to as “above (or below)” or “upper (or below) another structure such as another member or another region.
  • the numerical range expressed by the symbol “to” includes the numerical value before and after the symbol “to”.
  • the numerical range defined by the expression “34-38% by mass” is the same as the numerical range defined by the expression "34% by mass or more and 38% by mass or less”.
  • the mask is an evaporation mask used for patterning an evaporation material on a substrate in a desired pattern.
  • the vapor deposition mask is used, for example, to pattern an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device.
  • the use of the mask of the present disclosure is not particularly limited, and the mask of the present disclosure can be used for various uses.
  • the mask of the present disclosure may be used as a metal mesh filter or a screen printing plate.
  • the vapor deposition device 90 may include a vapor deposition source (for example, a crucible 94), a heater 96, and a mask device 10 therein. Further, the vapor deposition device 90 further includes an exhaust unit for making the inside of the vapor deposition device 90 a vacuum atmosphere.
  • the crucible 94 contains a vapor deposition material 98 such as an organic light emitting material.
  • the heater 96 heats the crucible 94 to evaporate the deposition material 98 under a vacuum atmosphere.
  • the mask device 10 may be arranged to face the crucible 94.
  • the mask device 10 may include at least a mask 12 having a first mask 20 and a plurality of second masks 30.
  • the mask device 10 may further include a frame 15 that supports the mask 12.
  • the frame 15 may support the mask 12 in a state where the mask 12 is pulled in the plane direction so that the mask 12 is not bent.
  • the mask 12 may be fixed to the frame 15 by, for example, welding.
  • the mask device 10 is disposed in the vapor deposition device 90 such that the mask 12 faces a substrate on which the vapor deposition material 98 is to be adhered, for example, the organic EL substrate 92.
  • a surface of the mask 12 located on the organic EL substrate 92 side is referred to as a first surface
  • a surface opposite to the first surface, that is, a surface located on the side of the evaporation source is also referred to as a second surface.
  • reference numeral 201 represents the first surface of the first mask 20
  • reference numeral 202 represents the second surface of the first mask 20.
  • the surface of the second mask 30 is given a different name from the first surface and the second surface in order to distinguish it from the first surface 201 and the second surface 202 of the first mask 20.
  • the surface of the second mask 30 located on the side of the deposition source is referred to as a third surface
  • the surface opposite to the third surface, that is, the surface located on the side of the deposition source is referred to as a fourth surface.
  • the mask device 10 may include a magnet 93 disposed on the surface of the organic EL substrate 92 opposite to the mask 12.
  • the magnet 93 By providing the magnet 93, the mask 12 can be attracted to the magnet 93 by magnetic force, and the mask 12 can be brought into close contact with the organic EL substrate 92. This can suppress the occurrence of shadow in the vapor deposition step, and can improve the dimensional accuracy and positional accuracy of the vapor deposition material 98 attached to the organic EL substrate 92.
  • the mask 12 may be brought into close contact with the organic EL substrate 92 by using an electrostatic chuck utilizing electrostatic force.
  • the first mask 20 of the mask 12 includes a plate member 21 including a first surface 201 and a second surface 202 located on a side opposite to the first surface 201, and a plurality of members formed on the plate member 21. Opening 22.
  • Each of the plurality of second masks 30 is located at the opening 22 of the first mask 20 when the first mask 20 and the second mask 30 are viewed along the normal direction of the second surface 202 of the first mask 20. are doing.
  • the second mask 30 has a plurality of first holes 32 penetrating the second mask 30.
  • the vapor deposition material 98 that has evaporated from the crucible 94 and reached the mask device 10 passes through the opening 22 of the first mask 20 and the first hole 32 of the second mask 30, and the organic EL substrate Attaches to 92.
  • the evaporation material 98 can be formed on the surface of the organic EL substrate 92 in a desired pattern corresponding to the positions of the openings 22 of the first mask 20 and the first holes 32 of the second mask 30.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the organic EL display device 100 manufactured using the vapor deposition device 90 of FIG.
  • the organic EL display device 100 may include an organic EL substrate 92 and a vapor deposition layer 99 including a vapor deposition material 98 provided in a pattern.
  • the plurality of vapor deposition layers 99 included in one organic EL display device 100 pass through the plurality of first holes 32 of one second mask 30 located in one opening 22 of the first mask 20, and the organic EL substrate 92. It is composed of a vapor deposition material attached to the substrate.
  • the organic EL display device 100 of FIG. 2 In the organic EL display device 100 of FIG. 2, electrodes for applying a voltage to the deposition layer 99 and the like are omitted. After the vapor deposition step of forming the vapor deposition layer 99 on the organic EL substrate 92 in a pattern, the organic EL display device 100 of FIG. 2 may further include other components of the organic EL display device. Therefore, the organic EL display device 100 in FIG. 2 can also be called an intermediate of the organic EL display device.
  • the vapor deposition devices 90 each having the mask device 10 corresponding to each color are prepared, and the organic EL substrate 92 is sequentially put into each vapor deposition device 90.
  • an organic light emitting material for red, an organic light emitting material for green, and an organic light emitting material for blue can be sequentially deposited on the organic EL substrate 92.
  • the vapor deposition process may be performed inside the vapor deposition device 90 in a high temperature atmosphere.
  • the first mask 20, the second mask 30, the frame 15, and the organic EL substrate 92 held inside the vapor deposition apparatus 90 are also heated during the vapor deposition process.
  • the first mask 20, the second mask 30, the frame 15, and the organic EL substrate 92 exhibit a dimensional change behavior based on their respective thermal expansion coefficients.
  • the thermal expansion coefficients of the first mask 20, the second mask 30, and the frame 15 are equivalent to the thermal expansion coefficient of the organic EL substrate 92.
  • an iron alloy containing nickel can be used as a main material of the first mask 20, the second mask 30, and the frame 15.
  • an iron alloy containing 30% by mass or more and 54% by mass or less of nickel can be used as a material of a plate member constituting the first mask 20 and the second mask 30.
  • the iron alloy containing nickel examples include an invar material containing 34% by mass or more and 38% by mass or less of nickel, a super invar material containing 30% by mass or more and 34% by mass or less of nickel in addition to cobalt, 38 Low thermal expansion Fe—Ni-based plating alloys containing not less than 54% by mass and not more than 54% by mass of nickel can be exemplified.
  • the first mask 20 and the second mask 30 may be made of a material other than the above-described iron alloy.
  • an iron alloy other than the above-described iron alloy containing nickel such as an iron alloy containing chromium
  • an iron alloy called so-called stainless steel can be used.
  • an alloy other than an iron alloy such as nickel or a nickel-cobalt alloy may be used.
  • FIG. 3 is a plan view showing the first mask 20.
  • the plurality of openings 22 of the first mask 20 are arranged along the first direction D1 and the second direction D2, as shown in FIG.
  • Both the first direction D1 and the second direction D2 are directions parallel to the surface direction of the plate member 21 of the first mask 20.
  • the second direction D2 is orthogonal to the first direction D1.
  • One opening 22 of the first mask 20 corresponds to a display area of one organic EL display device 100.
  • multi-sided deposition of the organic EL display device 100 becomes possible.
  • FIG. 4 is a plan view showing a plurality of second masks 30.
  • the plurality of second masks 30 are arranged at a pitch corresponding to the plurality of openings 22 of the first mask 20.
  • One second mask 30 corresponds to a display area of one organic EL display device 100.
  • Each second mask 30 includes a metal layer 31 and a plurality of first holes 32 penetrating the metal layer 31.
  • the metal layer 31 includes, for example, a plating layer formed by a plating process.
  • FIG. 4 shows an example in which the plurality of first holes 32 are arranged in the first direction D1 and the second direction D2 as in the case of the first mask 20, but the arrangement of the first holes 32 is shown.
  • the direction is not particularly limited.
  • the plurality of first holes 32 may be arranged in a direction inclined with respect to the first direction D1 and the second direction D2.
  • FIG. 5 is a plan view showing the second mask 30 in an enlarged manner.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the second mask 30 of FIG. 5 taken along line VI-VI.
  • the second mask 30 has an effective area 36 including the plurality of first holes 32 described above, and a peripheral area 37 located on the periphery of the effective area 36.
  • the outline of the effective area 36 has a substantially quadrangular shape in plan view, and more precisely a substantially rectangular shape in plan view.
  • the effective area 36 can have various contours according to the shape of the display area of the organic EL substrate 92.
  • the outline of the effective area 36 may have a circular shape.
  • the peripheral region 37 is a region where a bonding portion 40 described later for bonding the first mask 20 and the second mask 30 is provided.
  • the second mask 30 includes a third surface 301 and a fourth surface 302 located on the opposite side of the third surface 301.
  • the third surface 301 is located on the first surface 201 side of the first mask 20, and the fourth surface 302 is located on the second surface 202 side of the first mask 20. That is, as in the case of the first mask 20, the third surface 301 of the second mask 30 is a surface facing the organic EL substrate 92, and the fourth surface 302 is a surface located on the side of the evaporation source.
  • FIG. 5 described above is a plan view illustrating a case where the second mask 30 is viewed from the fourth surface 302 side.
  • the peripheral region 37 of the second mask 30 may include a plurality of second holes 33 that are recessed from the fourth surface 302 of the second mask 30 to the third surface 301.
  • the second hole 33 is a hole into which a bonding portion 40 described later enters. The contact area between the second mask 30 and the joint 40 can be increased by allowing the joint 40 to enter the second hole 33.
  • the second hole 33 in the peripheral region 37 penetrates from the fourth surface 302 side of the second mask 30 to the third surface 301 side.
  • the second hole 33 does not have to penetrate to the third surface 301 side.
  • the first hole 32 has a shape corresponding to the deposition layer 99 formed on the organic EL substrate 92 in a plan view.
  • the shape of the first hole 32 has a circular shape in plan view.
  • the first hole 32 may have another shape such as an ellipse or a polygon.
  • the second hole 33 is a hole into which a bonding portion 40 described later enters.
  • the joint 40 includes a plating layer formed by a plating process, as described later.
  • the second holes 33 are configured so that the plating solution easily enters the second holes 33 during the plating process.
  • the size S2 of the second hole 33 is preferably larger than the size S1 of the first hole 32.
  • the dimension S2 of the second hole 33 may be smaller than the dimension S1 of the first hole 32.
  • the dimension S2 of the second hole 33 may be the same as the dimension S1 of the first hole 32.
  • the size S1 of the first hole 32 is determined based on the pixel density of the organic EL substrate 92 and the like.
  • the dimension S1 of the first hole 32 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 60 ⁇ m.
  • the dimensions, width, length, thickness, and the like of the first hole 32 and other components of the mask 12 are calculated based on a cross-sectional image of the mask 12 obtained using a scanning microscope, unless otherwise specified. .
  • the dimension S2 of the second hole 33 may be 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 30 ⁇ m or more, or 40 ⁇ m or more.
  • the dimension S ⁇ b> 2 of the second hole 33 may be 200 ⁇ m or less, 150 ⁇ m or less, 120 ⁇ m or less, or 100 ⁇ m or less.
  • the number of the second holes 33 in the peripheral region 37 can be increased, and the contact area between the second mask 30 and the joint 40 can be increased. .
  • the range of the dimension S2 of the second hole 33 may be determined by a combination of any one of the above-mentioned plurality of upper limit candidate values and any one of the above-mentioned plurality of lower limit candidate values.
  • the range of the dimension S2 of the second hole 33 may be 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, may be 20 ⁇ m to 150 ⁇ m, may be 30 ⁇ m to 120 ⁇ m, and may be 40 ⁇ m to 100 ⁇ m. Is also good.
  • the range of the dimension S2 of the second hole 33 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the range of the size S2 of the second hole 33 may be 10 ⁇ m to 30 ⁇ m, may be 10 ⁇ m to 20 ⁇ m, may be 20 ⁇ m to 40 ⁇ m, and may be 20 ⁇ m to 30 ⁇ m. Is also good.
  • the range of the dimension S2 of the second hole 33 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the range of the dimension S2 of the second hole 33 may be 100 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less, 120 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, or 150 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. Is also good.
  • the shape of the second hole 33 in a plan view is a shape that can easily prevent the joint 40 from being separated from the second hole 33 of the second mask 30 on the fourth surface 302 side of the second mask 30. You may.
  • the second hole 33 may include a corner having an interior angle of less than 90 degrees.
  • the shape of the second hole 33 may be a triangle, a star, or a parallelogram.
  • a plurality of, for example, two second holes 33 are arranged in a direction from the boundary between the effective area 36 and the peripheral area 37 to the outer edge of the peripheral area 37.
  • the method of arranging the second holes 33 is not particularly limited.
  • one second hole 33 may exist in a direction from a boundary between the effective region 36 and the peripheral region 37 to an outer edge of the peripheral region 37.
  • three or more second holes 33 may be arranged in a direction from a boundary between the effective region 36 and the peripheral region 37 to an outer edge of the peripheral region 37.
  • the first hole 32 may include a portion where the dimension S1 increases from the third surface 301 side to the fourth surface 302 side. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of shadow in the vapor deposition step.
  • the shape of the first hole 32 in the sectional view is not limited to the shape shown in FIG.
  • the dimension S2 of the second hole 33 is the same on the third surface 301 side and the fourth surface 302 side.
  • the second hole 33 may include a portion where the dimension S2 increases from the third surface 301 side to the fourth surface 302 side, like the first hole 32.
  • the second hole 33 may include a portion in which the dimension S2 decreases from the third surface 301 side to the fourth surface 302 side. Thereby, it becomes easy to suppress that the bonding part 40 is separated from the second hole 33 of the second mask 30 on the fourth surface 302 side of the second mask 30.
  • FIG. 7 is a plan view showing a case where the mask 12 including the first mask 20 and the second mask 30 is viewed from the second surface 202 side.
  • the mask 12 includes a first mask 20 including a plurality of openings 22 and a plurality of second masks 30 respectively located in the plurality of openings 22 of the first mask 20.
  • the mask 12 further includes a bonding portion 40 for bonding the first mask 20 and the second mask 30.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the mask 12 of FIG. 7 taken along the line VIII-VIII.
  • the plate member 21 of the first mask 20 has a side surface 203 extending from the first surface 201 to the second surface 202.
  • the opening 22 described above is defined by the side surface 203.
  • reference numeral T10 indicates the thickness of the plate member 21 of the first mask 20
  • reference numeral T20 indicates the thickness of the metal layer 31 of the second mask 30.
  • the thickness T10 of the plate member 21 may be, for example, 200 ⁇ m or more, 300 ⁇ m or more, 400 ⁇ m or more, or 500 ⁇ m or more.
  • the thickness T10 of the plate member 21 may be, for example, 1000 ⁇ m or less, 800 ⁇ m or less, 700 ⁇ m or less, or 600 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T10 of the plate member 21 may be determined by a combination of any one of the above-described plurality of lower limit candidate values and any one of the above-described plurality of upper limit candidate values.
  • the range of the thickness T10 of the plate member 21 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 200 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, or 200 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less. Or less, may be 300 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, or may be 300 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T10 of the plate member 21 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above, and may be, for example, from 600 ⁇ m to 1000 ⁇ m, or from 600 ⁇ m to 800 ⁇ m. Or less, 700 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, or 700 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less.
  • the thickness T20 of the metal layer 31 may be, for example, 4 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the thickness T20 of the metal layer 31 may be, for example, 20 ⁇ m or less, 18 ⁇ m or less, 15 ⁇ m or less, or 12 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T20 of the metal layer 31 may be determined by a combination of any one of the above plurality of lower limit candidate values and any one of the above plurality of upper limit candidate values.
  • the range of the thickness T20 of the metal layer 31 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 4 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 4 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. Or less, 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T20 of the metal layer 31 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above, and may be, for example, from 12 ⁇ m to 20 ⁇ m, or from 12 ⁇ m to 18 ⁇ m. Or less, 15 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or more and 18 ⁇ m or less.
  • the bonding portion 40 includes a first portion 41 that is in contact with the first mask 20, and a second portion 46 that is integrally formed with the first portion 41 and is in contact with the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • the first portion 41 includes at least a side surface portion 42 and a first surface portion 43.
  • the side surface portion 42 is a portion of the first portion 41 that is in contact with the side surface 203 of the first mask 20.
  • the first surface portion 43 is a portion of the first portion 41 that is in contact with the first surface 201 of the first mask 20.
  • the first portion 41 is in contact with the first mask 20 on two surfaces, the side surface 203 and the first surface 201 of the first mask 20, so that when a force is externally applied to the mask 12, the first mask 20 and the joint 40 Can be dispersed in a plurality of directions. Thereby, it is possible to suppress the first portion 41 from being separated from the first mask 20.
  • the first portion 41 may further include a second surface portion 44 that is in contact with the second surface 202 of the first mask 20.
  • the second portion 46 includes at least a fourth surface portion 47 that is in contact with the fourth surface 302 of the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • the second portion 46 may further include a hole portion 48 located inside the second hole 33. Since the second portion 46 includes the hole portion 48, the contact area between the peripheral region 37 of the second mask 30 and the second portion 46 of the joint 40 can be increased. Thereby, it is possible to suppress the second portion 46 from being separated from the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the mask 12 of FIG. 8 in an enlarged manner.
  • the side surface 203 of the first mask 20 may have a protruding portion 203 t protruding toward the second mask 30 located in the opening 22.
  • a protruding portion 203t may be generated when the opening 22 is formed in the plate member 21 by wet etching the plate member 21 from both the first surface 201 side and the second surface 202 side, as described later. Since the side surface 203 of the first mask 20 has such a protruding portion 203t, the side surface portion 42 of the first portion 41 of the bonding portion 40 and the side surface of the first mask 20 are compared with the case where the side surface 203 is a flat surface.
  • the contact area between the first and second contacts 203 can be increased. Thereby, it is possible to prevent the first portion 41 of the joint portion 40 from being separated from the side surface 203 of the first mask 20. Further, the anchor effect of the projecting portion 203t of the side surface 203 of the first mask 20 with respect to the side surface portion 42 of the first portion 41 of the joint portion 40 also shows that the first portion 41 is separated from the side surface 203 of the first mask 20. It can work to suppress.
  • reference numeral R1 denotes a protruding length of the protruding portion 203t of the side surface 203 with respect to the first surface 201.
  • the protrusion length R1 of the protrusion 203t may be, for example, 10 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 30 ⁇ m or more, or 40 ⁇ m or more.
  • the anchor effect can be enhanced by increasing the protrusion length R1 of the protrusion 203t.
  • the protrusion length R1 of the protrusion 203t may be 100 ⁇ m or less, 80 ⁇ m or less, 65 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less.
  • the range of the protrusion length R1 of the protrusion 203t may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values. For example, it may be 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or more and 65 ⁇ m or less, or 40 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. Further, the range of the protruding length R1 of the protruding portion 203t may be determined by an arbitrary combination of two of the above-described plurality of lower limit candidate values, and may be, for example, 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more.
  • the range of the protruding length R1 of the protruding portion 203t may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of upper limit candidate values, and may be, for example, 50 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or more. It may be 80 ⁇ m or less, 65 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 65 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less, or 80 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the side surface 203 of the first mask 20 includes a rough surface 203s having irregularities.
  • the side surface portion 42 of the first portion 41 of the bonding portion 40 can enter the unevenness of the rough surface 203s of the side surface 203, the adhesion of the side surface portion 42 of the bonding portion 40 to the side surface 203 of the first mask 20 is improved. Can be even higher. Thereby, it is possible to prevent the first portion 41 of the joint portion 40 from being separated from the side surface 203 of the first mask 20.
  • the surface roughness of the rough surface 203s of the side surface 203 is the arithmetic average roughness Sa.
  • the arithmetic average roughness of the rough surface 203s is calculated by using a measuring instrument based on ISO25178.
  • the arithmetic average roughness of the rough surface 203s may be 0.12 ⁇ m or more, 0.14 ⁇ m or more, 0.17 ⁇ m or more, or 0.19 ⁇ m or more.
  • the anchor effect can be increased by increasing the arithmetic average roughness of the rough surface 203s of the side surface 203.
  • the arithmetic average roughness of the rough surface 203s may be 0.28 ⁇ m or less, 0.25 ⁇ m or less, 0.23 ⁇ m or less, or 0.21 ⁇ m or less. Good.
  • the range of the arithmetic average roughness of the rough surface 203s is determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values. For example, it may be from 0.12 ⁇ m to 0.28 ⁇ m, from 0.14 ⁇ m to 0.25 ⁇ m, from 0.17 ⁇ m to 0.23 ⁇ m, and from 0.19 ⁇ m It may be not less than 0.21 ⁇ m.
  • the range of the arithmetic average roughness of the rough surface 203s may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of lower limit candidate values, for example, 0.12 ⁇ m or more and 0.19 ⁇ m or less.
  • the range of the arithmetic average roughness of the rough surface 203s may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of upper limit candidate values, and is, for example, 0.21 ⁇ m or more and 0.28 ⁇ m or less.
  • reference symbol T1 represents the thickness of the side surface portion 42 of the first portion 41 of the bonding portion 40 located on the side surface 203 of the first mask 20.
  • the symbol T2 indicates the thickness of the first surface portion 43 of the first portion 41 of the bonding portion 40 located on the first surface 201 of the first mask 20.
  • Reference symbol T3 represents the thickness of the second surface portion 44 of the first portion 41 of the bonding portion 40 located on the second surface 202 of the first mask 20.
  • the thickness T1 of the side surface portion 42 may be, for example, 20 ⁇ m or more, 30 ⁇ m or more, 40 ⁇ m or more, or 50 ⁇ m or more.
  • the thickness T1 of the side surface portion 42 may be, for example, 110 ⁇ m or less, 90 ⁇ m or less, 70 ⁇ m or less, or 60 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T1 of the side surface portion 42 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values.
  • the range of the thickness T1 of the side surface portion 42 may be determined by an arbitrary combination of two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less. Or less, may be 30 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, or may be 30 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T1 of the side surface portion 42 may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of upper limit candidate values, and may be, for example, from 60 ⁇ m to 110 ⁇ m, or from 60 ⁇ m to 90 ⁇ m. Or less, 70 ⁇ m or more and 110 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less.
  • the thickness T2 of the first surface portion 43 may be, for example, 3 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the thickness T2 of the first surface portion 43 may be, for example, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values.
  • the thickness may be 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less, 7 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m. It may be not less than 7 ⁇ m, not less than 5 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m, or not less than 5 ⁇ m and not more than 7 ⁇ m.
  • the range of the thickness T2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any two of the above plurality of upper limit candidate values, and may be, for example, 15 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less. It may be not less than 25 ⁇ m, not less than 20 ⁇ m and not more than 30 ⁇ m, or not less than 20 ⁇ m and not more than 25 ⁇ m.
  • the thickness T3 of the second surface portion 44 may be, for example, 30 ⁇ m or more, 40 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, or 60 ⁇ m or more.
  • the thickness T3 of the second surface portion 44 may be, for example, 150 ⁇ m or less, 120 ⁇ m or less, 90 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values.
  • the range of the thickness T3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 30 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less. It may be not less than 50 ⁇ m, not less than 40 ⁇ m and not more than 60 ⁇ m, or not less than 40 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m.
  • the range of the thickness T3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above, and may be, for example, 70 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or less. It may be not less than 120 ⁇ m, not less than 90 ⁇ m and not more than 150 ⁇ m, or not less than 90 ⁇ m and not more than 120 ⁇ m.
  • the surface of the first surface portion 43 of the first portion 41 of the joint 40 may be located on the same plane as the third surface 301 of the second mask 30.
  • the surface of the first surface portion 43 is made to infiltrate a plating solution between a substrate 65 which will be described later, which serves as a base for manufacturing the second mask 30 by plating, and the first surface 201 of the first mask 20. This may occur when the first surface portion 43 is formed.
  • “on the same plane” refers to not only the case where the distance T4 between the surface of the first surface portion 43 and the third surface 301 of the second mask 30 in the thickness direction of the second mask 30 is zero, but also the distance.
  • the concept includes a case where T4 is 15 ⁇ m or less, a case where it is 10 ⁇ m or less, and a case where T4 is 5 ⁇ m or less.
  • the symbol T5 indicates the thickness of the fourth surface portion 47 of the second portion 46 of the joint 40 located on the fourth surface 302 of the second mask 30.
  • the thickness T5 of the fourth surface portion 47 may be, for example, 30 ⁇ m or more, 40 ⁇ m or more, 50 ⁇ m or more, or 60 ⁇ m or more.
  • the thickness T5 of the fourth surface portion 47 may be, for example, 150 ⁇ m or less, 120 ⁇ m or less, 90 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness T5 of the fourth surface portion 47 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values.
  • the thickness T5 of the fourth surface portion 47 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 30 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less. It may be not less than 50 ⁇ m, not less than 40 ⁇ m and not more than 60 ⁇ m, or not less than 40 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m.
  • the range of the thickness T5 of the fourth surface portion 47 may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of upper limit candidate values, and may be, for example, 70 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, or 70 ⁇ m or less. It may be not less than 120 ⁇ m, not less than 90 ⁇ m and not more than 150 ⁇ m, or not less than 90 ⁇ m and not more than 120 ⁇ m. Further, as shown in FIG. 9, the fourth surface portion 47 may include a portion where the thickness T5 increases from the first mask 20 side to the second mask 30 side.
  • reference symbol W2 represents the width of the first surface portion 43 of the first portion 41 of the joint 40.
  • the width W2 of the first surface portion 43 is the width W2 from the end of the first surface 201 of the first mask 20 on the opening 22 side to the end of the first surface portion 43 of the first portion 41 of the joint 40. This is the distance in the in-plane direction of the first surface 201 of one mask 20.
  • the width W2 of the first surface portion 43 may be 3 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the width W2 of the first surface portion 43 may be 500 ⁇ m or less, 250 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less.
  • the range of the width W2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values. For example, it may be 3 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less, 7 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the range of the width W2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m or less.
  • the range of the width W2 of the first surface portion 43 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above, and may be, for example, 30 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less. It may be 250 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less, or 250 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • reference symbol W3 represents the width of the second surface portion 44 of the first portion 41 of the joint 40.
  • the width W3 of the second surface portion 44 is the width W3 from the end of the second surface 202 of the first mask 20 on the opening 22 side to the end of the second surface portion 44 of the first portion 41 of the joint 40.
  • the width W3 of the second surface portion 44 may be 3 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the width W3 of the second surface portion 44 may be smaller than the width of the second surface 202, for example, may be 80 ⁇ m or less, may be 60 ⁇ m or less, may be 40 ⁇ m or less, It may be 20 ⁇ m or less.
  • the range of the width W3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values. For example, it may be 3 ⁇ m to 80 ⁇ m, may be 5 ⁇ m to 60 ⁇ m, may be 7 ⁇ m to 60 ⁇ m, may be 7 ⁇ m to 40 ⁇ m, and may be 10 ⁇ m to 20 ⁇ m. Is also good.
  • the range of the width W3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m It may be not less than 7 ⁇ m, not less than 3 ⁇ m and not more than 5 ⁇ m, not less than 5 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m, or not less than 5 ⁇ m and not more than 7 ⁇ m. Further, the range of the width W3 of the second surface portion 44 may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above, and may be, for example, 20 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or less. It may be not less than 60 ⁇ m, not less than 40 ⁇ m and not more than 80 ⁇ m, not less than 40 ⁇ m and not more than 60 ⁇ m, or not less than 60 ⁇ m and not more than 80 ⁇ m.
  • the method of manufacturing the mask 12 includes a first mask preparation step of preparing the first mask 20, a second mask preparation step of preparing the second mask 30, and a bonding part for bonding the first mask 20 and the second mask 30. And a bonding part forming step of forming the bonding part 40. Note that the order of the first mask preparation step and the second mask preparation step is arbitrary.
  • the first mask preparation step will be described with reference to FIGS.
  • a plate member 21 made of metal is prepared.
  • the plate member 21 has, for example, an iron alloy containing 30% by mass or more and 38% by mass or less of nickel.
  • a first surface resist pattern 50 is provided on the first surface 201 of the plate member 21, and a second surface resist pattern 55 is provided on the second surface 202.
  • the first surface resist pattern 50 includes a first surface resist layer 51 and an opening 52 formed in the first surface resist layer 51.
  • the second surface resist pattern 55 includes a second surface resist layer 56 and an opening 57. The opening 52 and the opening 57 are located in a portion of the plate member 21 where the opening 22 is formed.
  • first surface resist layer 51 and the second surface resist layer 56 for example, a dry film containing a photosensitive resist material such as an acrylic photocurable resin is attached to the first surface 201 and the second surface 202 of the plate member 21. Obtained by: The first-side resist layer 51 and the second-side resist layer 56 are formed by applying a coating solution containing a negative photosensitive resist material on the first surface 201 and the second surface 202 of the plate member 21. May be obtained by drying. The opening 52 and the opening 57 are formed by exposing and developing the first surface resist layer 51 and the second surface resist layer 56.
  • a photosensitive resist material such as an acrylic photocurable resin
  • the plate member 21 is wet-etched from the first surface 201 side and the second surface 202 side using the first surface resist pattern 50 and the second surface resist pattern 55 as a mask.
  • the opening 22 can be formed in the plate member 21 as shown in FIG. it can.
  • a protrusion 203t may be formed at a position of the side surface 203 of the plate member 21 where the concave portion on the first surface 201 side and the concave portion on the second surface 202 merge.
  • a sandblasting step of performing sandblasting on the side surface 203 of the first mask 20 may be performed. Thereby, a rough surface 203s can be formed on the side surface 203 of the first mask 20.
  • the sandblasting process may be performed in a state where the first surface resist pattern 50 and the second surface resist pattern 55 are provided on the plate member 21.
  • the first surface resist pattern 50 protrudes toward the opening 22 from the end of the first surface 201
  • the second surface resist pattern 55 similarly has the second surface 202. It protrudes toward the opening 22 side from the end. Therefore, the arrival of the polishing agent B such as sand on the side surface 203 of the first mask 20 can be hindered by the first surface resist pattern 50 and the second surface resist pattern 55.
  • the polishing agent B such as sand on the side surface 203 of the first mask 20
  • a first surface resist layer 53 and a second surface resist layer 58 different from the first surface resist layer 51 and the second surface resist layer 56 used in wet etching may be performed in a state where is provided on the first surface 201 and the second surface 202 of the plate member 21.
  • the end 53e of the first surface resist layer 53 does not protrude toward the opening 22 compared to the protrusion 203t of the side surface 203 of the first mask 20.
  • the end 58 e of the second surface resist layer 58 does not protrude toward the opening 22 than the protrusion 203 t on the side surface 203 of the first mask 20. Accordingly, it is possible to suppress the arrival of the abrasive B such as sand from reaching the side surface 203 of the first mask 20 by the first surface resist layer 53 and the second surface resist layer 58.
  • the substrate 65 is prepared. At least the surface of the substrate 65 is preferably made of a conductive material.
  • the substrate 65 includes stainless steel or the like.
  • a first resist pattern 60 is formed on the surface of the substrate 65.
  • the first resist pattern 60 has a first resist layer 61, and a plurality of first openings 62 and a plurality of second openings 63 formed in the first resist layer 61.
  • the first opening 62 is provided in a portion of the substrate 65 where the metal layer 31 is to be formed in the effective area 36 of the second mask 30.
  • the second opening 63 is provided in a portion of the substrate 65 where the metal layer 31 is to be formed in the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • a plating solution is supplied onto the substrate 65.
  • the metal layer 31 made of the plating layer generated by the electrolytic plating can be formed in the first opening 62 and the second opening 63 of the first resist layer 61.
  • the plating solution contains, for example, nickel sulfamate and nickel bromide. Further, the plating solution may further contain ferrous sulfamate and the like.
  • the first resist pattern 60 is removed.
  • the second mask 30 having the plurality of first holes 32 and the second holes 33 can be formed on the substrate 65.
  • a photosensitive layer 71 covering the second mask 30 and the substrate 65 is formed on the substrate 65 on which the second mask 30 is provided.
  • the photosensitive layer 71 may be obtained by attaching a dry film containing a photosensitive resist material to the substrate 65, as in the case of the above-described first surface resist layer 51. Further, the photosensitive layer 71 may be obtained by applying a coating liquid containing a negative photosensitive resist material on the substrate 65 and drying the coating liquid.
  • an exposure step of irradiating light to a portion of the photosensitive layer 71 located on the effective area 36 of the second mask 30 is performed.
  • a portion of the photosensitive layer 71 located on the peripheral region 37 of the second mask 30 is not irradiated with light.
  • light is not irradiated on a portion of the photosensitive layer 71 located on the substrate 65 at the periphery of the second mask 30.
  • the first mask 20 is arranged on the photosensitive layer 71 on the substrate 65 so that the second mask 30 is located in the opening 22 of the first mask 20.
  • a developing step of developing the photosensitive layer 71 is performed.
  • a portion of the photosensitive layer 71 located on the peripheral region 37 of the second mask 30 is removed.
  • a portion of the photosensitive layer 71 located between the first surface 201 of the first mask 20 and the substrate 65 and near the side surface 203 of the first mask 20 is removed.
  • the developer does not reach or hardly reaches the portion of the photosensitive layer 71 located between the first surface 201 of the first mask 20 and the substrate 65, which is away from the side surface 203 of the first mask 20. . Therefore, as shown in FIG. 18, the unexposed photosensitive layer 71 partially remains between the first surface 201 of the first mask 20 and the substrate 65.
  • a plating process is performed in which a plating solution is supplied onto the substrate 65 to form the joint 40.
  • the plating solution contacts the side surface 203 of the first mask 20 and the peripheral region 37 of the second mask 30, and the photosensitive layer 71 between the first surface 201 of the first mask 20 and the substrate 65 is formed.
  • the plating solution enters the removed space.
  • the plating solution that has entered the space from which the photosensitive layer 71 has been removed becomes the first surface portion 43 of the first portion 41 of the joint 40.
  • the plating solution remaining on the second surface 202 of the plate member 21 becomes the second surface portion 44 of the first portion 41 of the joint 40.
  • a resist layer may be provided on a portion of the second surface 202 of the plate member 21 where the second surface portion 44 should not be formed before performing the plating process. Thereby, the width W3 of the second surface portion 44 formed on the second surface 202 of the plate member 21 can be controlled.
  • the amount of the photosensitive layer 71 removed between the first surface 201 of the first mask 20 and the substrate 65 is adjusted by adjusting the time of a developing step for developing the photosensitive layer 71. can do. Thereby, the width W2 of the first surface portion 43 formed by the plating solution entering the space from which the photosensitive layer 71 has been removed can be adjusted.
  • the photosensitive layer 71 is removed.
  • the first mask 20, the second mask 30, and the bonding portion 40 are separated from the substrate 65. In this way, it is possible to obtain the mask 12 including the first mask 20 and the second mask 30, and the joint 40 that joins the first mask 20 and the second mask 30.
  • the order of the exposure step of irradiating light to the portion of the photosensitive layer 71 located on the effective area 36 of the second mask 30 and the arrangement step of arranging the first mask 20 on the photosensitive layer 71 are arbitrary. That is, the arrangement step may be performed after the exposure step, or the exposure step may be performed after the arrangement step.
  • FIG. 16 shows an example in which the photosensitive layer 71 is of a photo-curable type that is cured by being irradiated with light, but is not limited thereto.
  • the configuration of the photosensitive layer 71 and the configuration of the exposure process are such that a portion of the photosensitive layer 71 located on the effective area 36 of the second mask 30 remains in the subsequent development process, and the peripheral edge of the second mask 30 of the photosensitive layer 71 remains. It is optional as long as the portion located on the region 37 is removed and the portion of the photosensitive layer 71 located between the first mask 20 and the substrate 65 is partially removed.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating a state where an external force F is applied to the mask according to the comparative example.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating a state where an external force F is applied to the mask 12 according to the present embodiment.
  • the external force F is applied to the third surface 301 of the second mask 30 in the thickness direction of the second mask 30, for example.
  • the first portion 41 of the bonding portion 40 is in contact only with the side surface 203 of the first mask 20 and is not in contact with the first surface 201.
  • the first portion 41 of the joint 40 further includes the first surface portion 43.
  • the force F1 is generated between the side surface portion 42 and the side surface 203 of the first portion 41, but also the first surface portion 43 and the first surface 201 of the first portion 41 .
  • a force F2 is also generated. That is, the force generated between the first portion 41 of the joint 40 and the plate member 21 of the first mask 20 can be dispersed as compared with the case of the comparative embodiment shown in FIG. Thereby, it is possible to suppress the force generated between the first portion 41 of the joint portion 40 and the plate member 21 of the first mask 20 from being locally concentrated.
  • separation of the first portion 41 of the joint portion 40 from the first mask 20 can be suppressed. Further, the contact area of the first portion 41 of the bonding portion 40 with the first mask 20 is increased by the amount of the first surface portion 43. Also in this regard, separation of the first portion 41 from the first mask 20 can be suppressed.
  • the metal layer 31 of the second mask 30 includes one plating layer.
  • the metal layer 31 may include a plurality of plating layers.
  • an example in which the metal layer 31 includes two plating layers will be described with reference to FIGS.
  • the first resist pattern 60 is formed on the surface of the substrate 65.
  • the first resist pattern 60 includes a first resist layer 61, a plurality of first openings 62 formed in the first resist layer 61, and a second opening 63.
  • the first opening 62 is provided in a portion of the substrate 65 where the metal layer 31 is to be formed in the effective region 36 of the second mask 30 as in the case of the above-described embodiment shown in FIG.
  • the second opening 63 extends over the entire region of the substrate 65 corresponding to the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • a plating solution is supplied onto the substrate 65.
  • the first plating layer 311 is formed in the first opening 62 and the second opening 63 of the first resist layer 61 by electrolytic plating.
  • a second resist layer 66 is formed on the first plating layer 311 formed in the second opening 63.
  • An opening 67 is formed in the second resist layer 66.
  • the second resist layer 66 is provided in a portion of the second mask 30 where the above-described second hole 33 is to be formed.
  • a plating solution is supplied onto the substrate 65.
  • the second plating layer 312 is formed in the first opening 62 of the first resist layer 61 and the opening 67 of the second resist layer 66 by electrolytic plating.
  • the composition of the second plating layer 312 may be the same as or different from that of the first plating layer 311.
  • the first resist layer 61 and the second resist layer 66 are removed.
  • the second mask 30 having the effective region 36 including the plurality of first holes 32 and the peripheral region 37 including the plurality of second holes 33.
  • the first hole 32 of the effective area 36 penetrates the metal layer 31 including the first plating layer 311 and the second plating layer 312.
  • the second holes 33 in the peripheral region 37 penetrate the second plating layer 312 but do not penetrate the first plating layer 311. That is, in the present modification, the second hole 33 in the peripheral region 37 is a concave portion located on the fourth surface 302 side so as not to penetrate the metal layer 31.
  • a joint forming step for forming the joint 40 is performed as in the above-described embodiment. For example, after performing the step of forming the photosensitive layer 71 on the substrate 65, the step of exposing the photosensitive layer 71, the step of disposing the first mask 20, and the step of developing the photosensitive layer 71, as shown in FIG. Then, the bonding solution 40 is formed by supplying a plating solution onto the substrate 65. Also in the present modification, the plating solution penetrates into the second holes 33 in the peripheral region 37 of the second mask 30, so that the adhesion between the bonding portion 40 and the second mask 30 can be increased.
  • the photosensitive layer 71 is removed.
  • the first mask 20, the second mask 30, and the bonding portion 40 are separated from the substrate 65. In this way, as shown in FIG. 27, it is possible to obtain the mask 12 including the first mask 20 and the second mask 30, and the bonding portion 40 for bonding the first mask 20 and the second mask 30. .
  • the plate member 21 of the first mask 20 has one member, but the present invention is not limited to this.
  • the plate member 21 may include a plurality of members stacked in the thickness direction.
  • an example in which the plate member 21 includes two members joined by an adhesive layer will be described with reference to FIG.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a mask 12 according to this modification.
  • the plate member 21 of the first mask 20 joins the first member 211 located on the first surface 201 side, the second member 212 located on the second surface 202 side, and the first member 211 and the second member 212.
  • the adhesive layer 213 includes a resin having an adhesive property.
  • the adhesive layer 213 contains an acrylic resin.
  • the thickness of the adhesive layer 213 may be, for example, 3 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the thickness of the adhesive layer 213 may be, for example, 40 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness of the adhesive layer 213 may be determined by a combination of any one of the plurality of lower limit candidate values and any one of the plurality of upper limit candidate values. It may be 3 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, 7 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness of the adhesive layer 213 may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above, and may be, for example, 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 3 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less. May be 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness of the adhesive layer 213 may be determined by a combination of any two of the above plurality of upper limit candidate values, and may be, for example, 10 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less. May be 20 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or may be 20 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the material of the first member 211 and the material of the second member 212 may be the same or different.
  • each of the first member 211 and the second member 212 has an iron alloy containing 30% by mass or more and 38% by mass or less of nickel.
  • the first member 211 is wet-etched from the first surface side and the second surface side to form an opening in the first member 211.
  • the second member 212 is wet-etched from the first surface side and the second surface side to form an opening in the second member 212.
  • the first member 211 and the second member 212 are stacked such that the opening of the first member 211 and the opening of the second member 212 overlap.
  • the first mask 20 in which the openings 22 are formed can be obtained.
  • Both the side surface 203 of the first member 211 and the side surface 203 of the second member 212 include a protruding portion 203t.
  • the opening is formed in the member as compared with the case where the plate member 21 is formed of one member.
  • the present invention is not limited to this.
  • the second holes 33 may not be formed in the peripheral region 37 of the second mask 30.
  • the second portion 46 of the bonding portion 40 includes the fourth surface portion 47 in contact with the fourth surface 302, the second portion 46 is separated from the peripheral region 37 of the second mask 30. Can be suppressed.
  • the first portion 41 of the joint 40 includes the side surface portion 42 and the first surface portion 43, the first portion 41 of the joint 40 is generated between the first portion 41 of the joint 40 and the plate member 21 of the first mask 20.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

マスクは、開口部を含む第１マスクと、第１マスクの開口部に位置する第２マスクと、第１マスクと第２マスクを接合する接合部と、を備える。第１マスクは、第１面と、第１面の反対側に位置する第２面と、第１面から第２面まで広がり、開口部を画成する側面と、を有する。第２マスクは、第１マスクの第１面側に位置する第３面及び第１マスクの第２面側に位置する第４面を含む。また、第２マスクは、第２マスクを貫通する第１孔を含む有効領域と、有効領域の周縁に位置する周縁領域と、を有する。接合部は、第１マスクの側面に接する側面部分及び第１マスクの第１面に接する第１面部分を少なくとも含む第１部分と、第２マスクの周縁領域の第４面に接する第４面部分を少なくとも含む第２部分と、を有する。

Description

マスク及びその製造方法
　本開示の実施形態は、マスク及びその製造方法に関する。
　近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。
　表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成されたマスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板にマスクを組み合わせる。続いて、有機材料を含む蒸着材料を、マスクの貫通孔を介して基板に付着させる。このような蒸着工程を実施することにより、マスクの貫通孔のパターンに対応したパターンで、有機材料を含む画素を基板上に形成することができる。
　高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、マスクの厚みが小さいことが好ましい。一方、マスクの厚みが小さくなると、マスクの剛性が低くなり、マスクにシワなどの起伏が生じやすくなる。シワなどの起伏によってマスクの平坦性が損なわれると、基板に付着する蒸着材料の位置が設計位置からずれてしまう。このような課題を解決する方法として、例えば特許文献１に開示されているように、複数の貫通孔が形成されたマスク本体と、マスク本体よりも大きい厚みを有し、マスク本体に接合された枠体と、を組み合わせる方法が知られている。特許文献１においては、マスク本体と枠体と組み合わせる方法として、電鋳法により形成された金属層を介してマスク本体と枠体とを接合する方法が提案されている。
特開２００３－６８４５４号公報
　マスク本体又は枠体に外力が加えられると、金属層がマスク本体又は枠体から分離してしまうことが考えられる。
　本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得るマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の第１の態様は、開口部を含む第１マスクであって、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面まで広がり、前記開口部を画成する側面と、を有する第１マスクと、前記第１マスクの前記開口部に位置し、前記第１マスクの前記第１面側に位置する第３面及び前記第１マスクの前記第２面側に位置する第４面を含む第２マスクであって、前記第２マスクを貫通する第１孔を含む有効領域と、前記有効領域の周縁に位置する周縁領域と、を有する第２マスクと、前記第１マスクの前記側面に接する側面部分及び前記第１マスクの前記第１面に接する第１面部分を少なくとも含む第１部分と、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第４面に接する第４面部分を少なくとも含む第２部分と、を有し、前記第１マスクと前記第２マスクを接合する接合部と、を備える、マスクである。
　本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスクにおいて、前記第２マスクの前記第３面と前記接合部の前記第１部分の前記第１面部分の表面とが同一平面上に位置していてもよい。
　本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は上述した第２の態様によるマスクにおいて、前記接合部の前記第１部分の前記第１面部分の幅が３μｍ以上であってもよい。
　本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記接合部の前記第１部分は、前記第１マスクの前記第２面に接する第２面部分を更に含んでいてもよい。
　本開示の第５の態様は、上述した第４の態様によるマスクにおいて、前記接合部の前記第１部分の前記第２面部分の幅が３μｍ以上であってもよい。
　本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第２マスクの前記周縁領域は、前記第２マスクの前記第４面側から前記第３面側へ凹んだ第２孔を含み、前記接合部の前記第２部分は、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔の内部に位置する孔部分を更に含んでいてもよい。
　本開示の第７の態様は、上述した第６の態様によるマスクにおいて、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔は、前記第２マスクの前記第４面側から前記第３面側まで貫通していてもよい。
　本開示の第８の態様は、上述した第６の態様又は第７の態様によるマスクにおいて、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔は、１０μｍ以上２００μｍ以下の寸法を有していてもよい。
　本開示の第９の態様は、上述した第６の態様から上述した第８の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔の形状は、前記第２マスクの前記第４面の法線方向に沿って見た場合に円形又は矩形を有していてもよい。
　本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第９の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第１マスクの前記側面は、前記開口部に位置する前記第２マスク側へ突出した突出部を有していてもよい。
　本開示の第１１の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第１マスクの前記側面は、０．１２μｍ以上の算術平均粗さを有する粗面を含んでいてもよい。
　本開示の第１２の態様は、上述した第１の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第１マスクの厚みは２５０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。
　本開示の第１３の態様は、上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記第２マスクの厚みは２０μｍ以下であってもよい。
　本開示の第１４の態様は、上述した第１の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによるマスクにおいて、前記接合部はめっき層を含んでいてもよい。
　本開示の第１５の態様は、開口部を含む第１マスクであって、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面まで広がり、前記開口部を画成する側面と、を有する第１マスクを準備する第１マスク準備工程と、前記第１マスクの前記開口部に位置し、前記第１マスクの前記第１面側に位置する第３面及び前記第１マスクの前記第２面側に位置する第４面を含む第２マスクであって、前記第２マスクを貫通する第１孔を含む有効領域と、前記有効領域の周縁に位置する周縁領域と、を有する第２マスクを準備する第２マスク準備工程と、前記第１マスクの前記側面に接する側面部分及び前記第１マスクの前記第１面に接する第１面部分を少なくとも含む第１部分と、前記第２マスクの前記第４面に接する第４面部分を少なくとも含む第２部分と、を有する接合部を、めっき処理によって形成する接合部形成工程と、を備える、マスクの製造方法である。
　本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様によるマスクの製造方法において、前記接合部形成工程は、前記第２マスクが設けられた基板に、前記第２マスク及び前記基板を覆う感光層を形成する工程と、前記第１マスクの前記開口部に前記第２マスクが位置するように、前記基板上の前記感光層上に前記第１マスクを配置する工程と、前記感光層のうち前記第２マスクの前記有効領域上に位置する部分が残り、前記感光層のうち前記第２マスクの前記周縁領域上に位置する部分が除去され、且つ、前記感光層のうち前記第１マスクと前記基板との間に位置する部分が部分的に除去されるよう、前記感光層を露光及び現像する工程と、前記第１マスクの前記側面及び前記第２マスクの前記周縁領域にめっき液が接するとともに、前記第１マスクと前記基板との間の、前記感光層が除去された空間にめっき液が浸入するようにめっき液を供給して、前記接合部を形成する工程と、を有していてもよい。
　本開示の第１７の態様は、上述した第１５の態様又は上述した第１６の態様によるマスクの製造方法において、前記第１マスク準備工程は、金属からなり、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む板部材を準備する工程と、前記板部材を前記第１面側及び前記第２面側からウェットエッチングして、前記板部材に前記開口部を形成する工程と、を有していてもよい。
　本開示の第１８の態様は、上述した第１５の態様から上述した第１７の態様のそれぞれによるマスクの製造方法において、前記第１マスク準備工程は、前記第１マスクの前記側面にサンドブラスト処理を施す工程を有していてもよい。
　本開示の第１９の態様は、上述した第１５の態様から上述した第１８の態様のそれぞれによるマスクの製造方法によって製造されたマスクであってもよい。
　本開示の実施形態によれば、接合部が第１マスク又は第２マスクから分離することを抑制することができる。
本開示の一実施形態によるマスク装置を備えた蒸着装置を示す図である。 図１に示すマスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 マスク装置の第１マスクを示す平面図である。 マスク装置の第２マスクを示す平面図である。 第２マスクを拡大して示す平面図である。 図５の第２マスクを線VI-VIに沿って見た断面図である。 第１マスク及び第２マスクを備えるマスクを第２面側から見た場合を示す平面図である。 図７のマスクを線VIII-VIIIに沿って見た断面図である。 図８のマスクを拡大して示す断面図である。 第１マスクを準備する第１マスク準備工程を示す図である。 第１マスクを準備する第１マスク準備工程を示す図である。 第１マスクを準備する第１マスク準備工程を示す図である。 第２マスクを準備する第２マスク準備工程を示す図である。 第２マスクを準備する第２マスク準備工程を示す図である。 第２マスクを準備する第２マスク準備工程を示す図である。 接合部を形成する接合部形成工程を示す図である。 接合部を形成する接合部形成工程を示す図である。 接合部を形成する接合部形成工程を示す図である。 接合部を形成する接合部形成工程を示す図である。 接合部の第１部分の第１面部分を有さないマスクに外力が加えられる様子を示す図である。 本開示の一実施形態によるマスクに外力が加えられる様子を示す図である。 第２マスク準備工程の一変形例を示す図である。 第２マスク準備工程の一変形例を示す図である。 第２マスク準備工程の一変形例を示す図である。 第２マスク準備工程の一変形例を示す図である。 接合部形成工程の一変形例を示す図である。 接合部形成工程の一変形例を示す図である。 第１マスクの一変形例を示す図である。 マスクの一変形例を示す図である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「板」、「シート」、「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。また、「面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
　本明細書および本図面において、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に（又は下に）」、「上側に（又は下側に）」、または「上方に（又は下方に）」とする場合、特別な説明が無い限りは、ある構成が他の構成に直接的に接している場合のみでなく、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合も含めて解釈することとする。また、特別な説明が無い限りは、上（または、上側や上方）又は下（または、下側、下方）という語句を用いて説明する場合があるが、上下方向が逆転してもよい。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
　本実施形態においては、マスクが、蒸着材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクである例について説明する。蒸着マスクは、例えば、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる。ただし、本開示のマスクの用途が特に限定されることはなく、本開示のマスクを種々の用途において用いることができる。例えば、本開示のマスクを、金属メッシュフィルタやスクリーン印刷版として用いてもよい。
　以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
　まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、その内部に、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及びマスク装置１０を備えていてもよい。また、蒸着装置９０は、蒸着装置９０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備える。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９８を蒸発させる。マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されていてもよい。
　以下、マスク装置１０について説明する。図１に示すように、マスク装置１０は、第１マスク２０及び複数の第２マスク３０を有するマスク１２を少なくとも備えていてもよい。マスク装置１０は、マスク１２を支持するフレーム１５を更に備えていてもよい。フレーム１５は、マスク１２が撓んでしまうことがないように、マスク１２をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。マスク１２は、例えば溶接によってフレーム１５に固定されていてもよい。
　マスク装置１０は、図１に示すように、マスク１２が、蒸着材料９８を付着させる対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置される。以下の説明において、マスク１２のうち有機ＥＬ基板９２側に位置する面を第１面と称し、第１面の反対側に、すなわち蒸着源側に位置する面を第２面とも称する。例えば、図１において、符号２０１は第１マスク２０の第１面を表し、符号２０２は第１マスク２０の第２面を表す。なお、第２マスク３０の面に対しては、第１マスク２０の第１面２０１及び第２面２０２との区別のため、第１面及び第２面とは異なる名称を付与する。具体的には、第２マスク３０の面のうち蒸着源側に位置する面を第３面と称し、第３面の反対側に、すなわち蒸着源側に位置する面を第４面と称する。
　マスク装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ基板９２の、マスク１２と反対の側の面に配置された磁石９３を備えていてもよい。磁石９３を設けることにより、磁力によってマスク１２を磁石９３側に引き寄せて、マスク１２を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。これにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができ、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料９８の寸法精度や位置精度を高めることができる。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク１２を有機ＥＬ基板９２に密着させてもよい。
　図１に示すように、マスク１２の第１マスク２０は、第１面２０１及び第１面２０１の反対側に位置する第２面２０２を含む板部材２１と、板部材２１に形成された複数の開口部２２と、を有する。複数の第２マスク３０はそれぞれ、第１マスク２０の第２面２０２の法線方向に沿って第１マスク２０及び第２マスク３０を見た場合に、第１マスク２０の開口部２２に位置している。第２マスク３０は、第２マスク３０を貫通する複数の第１孔３２を有する。
　図１に示す蒸着装置９０において、るつぼ９４から蒸発してマスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、第１マスク２０の開口部２２及び第２マスク３０の第１孔３２を通って有機ＥＬ基板９２に付着する。これによって、第１マスク２０の開口部２２及び第２マスク３０の第１孔３２の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２の表面に成膜することができる。
　図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ基板９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む蒸着層９９と、を備えていてもよい。１つの有機ＥＬ表示装置１００に含まれる複数の蒸着層９９は、第１マスク２０の１つの開口部２２に位置する１つの第２マスク３０の複数の第１孔３２を通って有機ＥＬ基板９２に付着した蒸着材料によって構成されている。
　なお、図２の有機ＥＬ表示装置１００においては、蒸着層９９に電圧を印加する電極等が省略されている。また、有機ＥＬ基板９２上に蒸着層９９をパターン状に設ける蒸着工程の後、図２の有機ＥＬ表示装置１００には、有機ＥＬ表示装置のその他の構成要素が更に設けられ得る。従って、図２の有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ表示装置の中間体と呼ぶこともできる。
　なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応するマスク装置１０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。
　ところで、蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される第１マスク２０、第２マスク３０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、第１マスク２０、第２マスク３０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、第１マスク２０、第２マスク３０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。
　このような課題を解決するため、第１マスク２０、第２マスク３０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、第１マスク２０、第２マスク３０及びフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、第１マスク２０、第２マスク３０を構成する板部材の材料として、３０質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。
　なお蒸着処理の際に、第１マスク２０、第２マスク３０、フレーム１５及び有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、第１マスク２０、第２マスク３０及びフレーム１５の熱膨張係数を、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、第１マスク２０及び第２マスク３０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。
　次に、第１マスク２０について詳細に説明する。図３は、第１マスク２０を示す平面図である。第１マスク２０の複数の開口部２２は、図３に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２はいずれも、第１マスク２０の板部材２１の面方向に平行な方向である。本実施の形態において、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交している。
　第１マスク２０の一つの開口部２２は、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応する。１つのマスク装置１０に複数の開口部２２を設けることにより、有機ＥＬ表示装置１００の多面付蒸着が可能になる。
　次に、第２マスク３０について詳細に説明する。図４は、複数の第２マスク３０を示す平面図である。図４に示すように、複数の第２マスク３０は、第１マスク２０の複数の開口部２２に対応するピッチで配列されている。一つの第２マスク３０が、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応している。
　各第２マスク３０は、金属層３１と、金属層３１を貫通する複数の第１孔３２と、を含む。金属層３１は、例えば、めっき処理によって形成されためっき層を含む。なお、図４においては、複数の第１孔３２が、第１マスク２０と同様に第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に配列されている例が示されているが、第１孔３２の配列方向は特には限定されない。例えば、複数の第１孔３２は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して傾斜した方向において配列されていてもよい。
　図５は、第２マスク３０を拡大して示す平面図である。また、図６は、図５の第２マスク３０を線VI-VIに沿って見た断面図である。第２マスク３０は、上述の複数の第１孔３２を含む有効領域３６と、有効領域３６の周縁に位置する周縁領域３７と、を有する。有効領域３６の輪郭は、例えば図５に示すように、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形を有する。なお図示はしないが、有効領域３６は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば、有効領域３６の輪郭は、円形を有していてもよい。周縁領域３７は、第１マスク２０と第２マスク３０とを接合するための後述する接合部４０が設けられる領域である。
　図６に示すように、第２マスク３０は、第３面３０１及び第３面３０１の反対側に位置する第４面３０２を含む。第３面３０１は、第１マスク２０の第１面２０１側に位置し、第４面３０２は、第１マスク２０の第２面２０２側に位置している。すなわち、第１マスク２０の場合と同様に、第２マスク３０の第３面３０１は有機ＥＬ基板９２に対面する面であり、第４面３０２は蒸着源側に位置する面である。上述の図５は、第２マスク３０を第４面３０２側から見た場合を示す平面図である。
　図５に示すように、第２マスク３０の周縁領域３７は、第２マスク３０の第４面３０２側から第３面３０１側へ凹んだ複数の第２孔３３を含んでいてもよい。第２孔３３は、後述する接合部４０が入り込む孔である。接合部４０を第２孔３３に入り込ませることにより、第２マスク３０と接合部４０との間の接触面積を増加させることができる。
　図６に示す例において、周縁領域３７の第２孔３３は、第２マスク３０の第４面３０２側から第３面３０１側まで貫通している。しかしながら、後述する変形例に示すように、第２孔３３は、第３面３０１側へ貫通していなくてもよい。
　次に、平面視における第１孔３２の形状について説明する。第１孔３２は、平面視において、有機ＥＬ基板９２に形成される蒸着層９９に対応した形状を有する。例えば図５に示すように、第１孔３２の形状は、平面視において円形を有する。図示はしないが、第１孔３２は、楕円、多角形などのその他の形状を有していてもよい。
　次に、平面視における第２孔３３の形状について説明する。上述のように、第２孔３３は、後述する接合部４０が入り込む孔である。接合部４０は、後述するように、めっき処理によって形成されためっき層を含む。第２孔３３は、めっき処理の際にめっき液が第２孔３３に浸入し易いように構成されていることが好ましい。例えば、第２マスク３０の第４面３０２の面内方向において、第２孔３３の寸法Ｓ２が第１孔３２の寸法Ｓ１よりも大きいことが好ましい。なお、図示はしないが、第２孔３３の寸法Ｓ２が第１孔３２の寸法Ｓ１よりも小さくてもよい。また、第２孔３３の寸法Ｓ２が第１孔３２の寸法Ｓ１と同一であってもよい。
　第１孔３２の寸法Ｓ１は、有機ＥＬ基板９２の画素密度などに基づいて定められる。第１孔３２の寸法Ｓ１は、例えば１０μｍ以上６０μｍ以下である。なお、第１孔３２やその他のマスク１２の構成要素の寸法、幅、長さ、厚みなどは、特に説明しない限り、走査型顕微鏡を用いて取得したマスク１２の断面画像に基づいて算出される。
　第２孔３３の寸法Ｓ２は、１０μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよく、４０μｍ以上であってもよい。第２孔３３の寸法Ｓ２を大きくすることにより、接合部４０を形成するためのめっき処理の際にめっき液が第２孔３３に浸入し易くなる。また、第２孔３３の寸法Ｓ２は、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよく、１２０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。第２孔３３の寸法Ｓ２を小さくすることにより、周縁領域３７における第２孔３３の個数を増加させることができ、第２マスク３０と接合部４０との間の接触面積を増加させることができる。
　また、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。また、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。また、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２孔３３の寸法Ｓ２の範囲は、１００μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、１２０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。
　また、平面視における第２孔３３の形状は、第２マスク３０の第４面３０２側において接合部４０が第２マスク３０の第２孔３３から分離してしまうことを抑制し易い形状であってもよい。例えば、第２孔３３は、９０度未満の内角を有する角部を含んでいてもよい。例えば、第２孔３３の形状は、三角形や星形や平行四辺形を有していてもよい。
　図５に示す例においては、有効領域３６と周縁領域３７との間の境界から周縁領域３７の外縁に至る方向において複数の、例えば２つの第２孔３３が配列されている。しかしながら、第２孔３３の配列方法が特に限られることはない。例えば、有効領域３６と周縁領域３７との間の境界から周縁領域３７の外縁に至る方向において１つの第２孔３３が存在していてもよい。また、有効領域３６と周縁領域３７との間の境界から周縁領域３７の外縁に至る方向において３つ以上の第２孔３３が配列されていてもよい。
　次に、断面図における第１孔３２の形状について説明する。図６に示すように、第１孔３２は、第３面３０１側から第４面３０２側に向かうにつれて寸法Ｓ１が拡大する部分を含んでいてもよい。これにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができる。なお、断面図における第１孔３２の形状は、図６に示す形状には限られない。
　次に、断面図における第２孔３３の形状について説明する。図６に示す例において、第２孔３３の寸法Ｓ２は、第３面３０１側及び第４面３０２側において同一である。図示はしないが、第２孔３３は、第１孔３２と同様に、第３面３０１側から第４面３０２側に向かうにつれて寸法Ｓ２が拡大する部分を含んでいてもよい。また、図示はしないが、第２孔３３は、第３面３０１側から第４面３０２側に向かうにつれて寸法Ｓ２が縮小する部分を含んでいてもよい。これにより、第２マスク３０の第４面３０２側において接合部４０が第２マスク３０の第２孔３３から分離してしまうことを抑制し易くなる。
　次に、第１マスク２０と第２マスク３０とを組み合わせた状態について説明する。図７は、第１マスク２０及び第２マスク３０を備えるマスク１２を第２面２０２側から見た場合を示す平面図である。図７に示すように、マスク１２は、複数の開口部２２を含む第１マスク２０と、第１マスク２０の複数の開口部２２にそれぞれ位置する複数の第２マスク３０と、を備える。また、マスク１２は、第１マスク２０と第２マスク３０とを接合する接合部４０を更に備える。
　図８は、図７のマスク１２を線VIII-VIIIに沿って見た断面図である。図８に示すように、第１マスク２０の板部材２１は、第１面２０１から第２面２０２まで広がる側面２０３を有する。上述の開口部２２は、側面２０３によって画定されている。
　図８において、符号Ｔ１０は第１マスク２０の板部材２１の厚みを表し、符号Ｔ２０は第２マスク３０の金属層３１の厚みを表す。
　板部材２１の厚みＴ１０は、例えば、２００μｍ以上であってもよく、３００μｍ以上であってもよく、４００μｍ以上であってもよく、５００μｍ以上であってもよい。また、板部材２１の厚みＴ１０は、例えば、１０００μｍ以下であってもよく、８００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以下であってもよく、６００μｍ以下であってもよい。板部材２１の厚みＴ１０の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上８００μｍ以下であってもよく、４００μｍ以上７００μｍ以下であってもよく、５００μｍ以上６００μｍ以下であってもよく、５００μｍ以上８００μｍ以下であってもよい。また、板部材２１の厚みＴ１０の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以上４００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上４００μｍ以下であってもよい。また、板部材２１の厚みＴ１０の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、６００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、６００μｍ以上８００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、７００μｍ以上８００μｍ以下であってもよい。
　また、金属層３１の厚みＴ２０は、例えば、４μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。また、金属層３１の厚みＴ２０は、例えば、２０μｍ以下であってもよく、１８μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、１２μｍ以下であってもよい。金属層３１の厚みＴ２０の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、４μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１２μｍ以下であってもよい。また、金属層３１の厚みＴ２０の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、４μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上７μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。また、金属層３１の厚みＴ２０の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１２μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上１８μｍ以下であってもよい。
　図８に示すように、接合部４０は、第１マスク２０に接する第１部分４１と、第１部分４１と一体的に構成され、第２マスク３０の周縁領域３７に接する第２部分４６と、を有する。
　第１部分４１は、側面部分４２及び第１面部分４３を少なくとも含む。側面部分４２は、第１部分４１のうち第１マスク２０の側面２０３に接している部分である。また、第１面部分４３は、第１部分４１のうち第１マスク２０の第１面２０１に接している部分である。第１部分４１が第１マスク２０の側面２０３及び第１面２０１という２つの面において第１マスク２０に接することにより、マスク１２に外部から力が加えられた時に第１マスク２０と接合部４０の第１部分４１との間に生じる力を複数の方向に分散することができる。これにより、第１部分４１が第１マスク２０から分離してしまうことを抑制することができる。図８に示すように、第１部分４１は、第１マスク２０の第２面２０２に接する第２面部分４４を更に含んでいてもよい。
　第２部分４６は、第２マスク３０の周縁領域３７の第４面３０２に接する第４面部分４７を少なくとも含む。また、周縁領域３７に第２孔３３が形成されている場合、第２部分４６は、第２孔３３の内部に位置する孔部分４８を更に含んでいてもよい。第２部分４６が孔部分４８を含むことにより、第２マスク３０の周縁領域３７と接合部４０の第２部分４６との間の接触面積を増加させることができる。これにより、第２部分４６が第２マスク３０の周縁領域３７から分離してしまうことを抑制することができる。
　図９は、図８のマスク１２を拡大して示す断面図である。図９に示すように、第１マスク２０の側面２０３は、開口部２２に位置する第２マスク３０側へ突出した突出部２０３ｔを有していてもよい。このような突出部２０３ｔは、後述するように、板部材２１を第１面２０１側及び第２面２０２側の両方からウェットエッチングして板部材２１に開口部２２を形成する場合に生じ得る。第１マスク２０の側面２０３がこのような突出部２０３ｔを有することにより、側面２０３が平坦面である場合に比べて、接合部４０の第１部分４１の側面部分４２と第１マスク２０の側面２０３との間の接触面積を増加させることができる。これにより、接合部４０の第１部分４１が第１マスク２０の側面２０３から分離してしまうことを抑制することができる。また、接合部４０の第１部分４１の側面部分４２に対する第１マスク２０の側面２０３の突出部２０３ｔのアンカー効果も、第１部分４１が第１マスク２０の側面２０３から分離してしまうことを抑制するよう働き得る。
　図９において、符号Ｒ１は、第１面２０１に対する側面２０３の突出部２０３ｔの突出長を表す。突出部２０３ｔの突出長Ｒ１は、例えば、１０μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよく、４０μｍ以上であってもよい。突出部２０３ｔの突出長Ｒ１を大きくすることにより、アンカー効果を高めることができる。また、突出部２０３ｔの突出長Ｒ１は、１００μｍ以下であってもよく、８０μｍ以下であってもよく、６５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。
　また、突出部２０３ｔの突出長Ｒ１の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上６５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。また、突出部２０３ｔの突出長Ｒ１の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。また、突出部２０３ｔの突出長Ｒ１の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、５０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、６５μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、６５μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、８０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
　好ましくは、図９に示すように、第１マスク２０の側面２０３は、凹凸を有する粗面２０３ｓを含む。この場合、側面２０３の粗面２０３ｓの凹凸に接合部４０の第１部分４１の側面部分４２が入り込むことができるので、第１マスク２０の側面２０３に対する接合部４０の側面部分４２の密着性を更に高めることができる。これにより、接合部４０の第１部分４１が第１マスク２０の側面２０３から分離してしまうことを抑制することができる。
　側面２０３の粗面２０３ｓの表面粗さは、算術平均粗さＳａである。粗面２０３ｓの算術平均粗さは、ＩＳＯ２５１７８に準拠した測定器を用いることによって算出される。粗面２０３ｓの算術平均粗さは、０．１２μｍ以上であってもよく、０．１４μｍ以上であってもよく、０．１７μｍ以上であってもよく、０．１９μｍ以上であってもよい。側面２０３の粗面２０３ｓの算術平均粗さを大きくすることにより、アンカー効果を高めることができる。また、粗面２０３ｓの算術平均粗さは、０．２８μｍ以下であってもよく、０．２５μｍ以下であってもよく、０．２３μｍ以下であってもよく、０．２１μｍ以下であってもよい。
　また、粗面２０３ｓの算術平均粗さの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、０．１２μｍ以上０．２８μｍ以下であってもよく、０．１４μｍ以上０．２５μｍ以下であってもよく、０．１７μｍ以上０．２３μｍ以下であってもよく、０．１９μｍ以上０．２１μｍ以下であってもよい。また、粗面２０３ｓの算術平均粗さの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、０．１２μｍ以上０．１９μｍ以下であってもよく、０．１２μｍ以上０．１７μｍ以下であってもよく、０．１２μｍ以上０．１４μｍ以下であってもよく、０．１４μｍ以上０．１９μｍ以下であってもよく、０．１４μｍ以上０．１７μｍ以下であってもよい。また、粗面２０３ｓの算術平均粗さの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、０．２１μｍ以上０．２８μｍ以下であってもよく、０．２１μｍ以上０．２５μｍ以下であってもよく、０．２３μｍ以上０．２８μｍ以下であってもよく、０．２３μｍ以上０．２５μｍ以下であってもよく、０．２５μｍ以上０．２８μｍ以下であってもよい。
　図９において、符号Ｔ１は、第１マスク２０の側面２０３上に位置する接合部４０の第１部分４１の側面部分４２の厚みを表する。また、符号Ｔ２は、第１マスク２０の第１面２０１上に位置する接合部４０の第１部分４１の第１面部分４３の厚みを表す。また、符号Ｔ３は、第１マスク２０の第２面２０２上に位置する接合部４０の第１部分４１の第２面部分４４の厚みを表す。
　側面部分４２の厚みＴ１は、例えば、２０μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよく、４０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。また、側面部分４２の厚みＴ１は、例えば、１１０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以下であってもよい。側面部分４２の厚みＴ１の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２０μｍ以上１１０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上９０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上７０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上９０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上６０μｍ以下であってもよい。また、側面部分４２の厚みＴ１の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。また、側面部分４２の厚みＴ１の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、６０μｍ以上１１０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以上９０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上１１０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上９０μｍ以下であってもよい。
　第１面部分４３の厚みＴ２は、例えば、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。また、第１面部分４３の厚みＴ２は、例えば、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。第１面部分４３の厚みＴ２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、７μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、第１面部分４３の厚みＴ２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。また、第１面部分４３の厚みＴ２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。
　第２面部分４４の厚みＴ３は、例えば、３０μｍ以上であってもよく、４０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよく、６０μｍ以上であってもよい。また、第２面部分４４の厚みＴ３は、例えば、１５０μｍ以下であってもよく、１２０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以下であってもよい。第２面部分４４の厚みＴ３の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上９０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以上７０μｍ以下であってもよい。また、第２面部分４４の厚みＴ３の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。また、第２面部分４４の厚みＴ３の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、７０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよい。
　接合部４０の第１部分４１の第１面部分４３の表面は、第２マスク３０の第３面３０１と同一平面上に位置していてもよい。このような第１面部分４３の表面は、めっき処理によって第２マスク３０を作製するための土台となる後述する基板６５と第１マスク２０の第１面２０１との間にめっき液を浸入させることによって第１面部分４３を形成する場合に生じ得る。なお、「同一平面上」とは、第２マスク３０の厚み方向における第１面部分４３の表面と第２マスク３０の第３面３０１との間の距離Ｔ４がゼロの場合だけでなく、距離Ｔ４が１５μｍ以下の場合、１０μｍ以下の場合、又は５μｍ以下の場合をも含む概念である。
　図９において、符号Ｔ５は、第２マスク３０の第４面３０２上に位置する接合部４０の第２部分４６の第４面部分４７の厚みを表す。第４面部分４７の厚みＴ５は、例えば、３０μｍ以上であってもよく、４０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよく、６０μｍ以上であってもよい。また、第４面部分４７の厚みＴ５は、例えば、１５０μｍ以下であってもよく、１２０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以下であってもよい。第４面部分４７の厚みＴ５の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上９０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以上７０μｍ以下であってもよい。また、第４面部分４７の厚みＴ５の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。また、第４面部分４７の厚みＴ５の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、７０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、７０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、９０μｍ以上１２０μｍ以下であってもよい。また、図９に示すように、第４面部分４７は、第１マスク２０側から第２マスク３０側へ向かうにつれて厚みＴ５が増加する部分を含んでいてもよい。
　図９において、符号Ｗ２は、接合部４０の第１部分４１の第１面部分４３の幅を表す。第１面部分４３の幅Ｗ２とは、第１マスク２０の第１面２０１の開口部２２側の端部から接合部４０の第１部分４１の第１面部分４３の端部までの、第１マスク２０の第１面２０１の面内方向における距離である。第１面部分４３の幅Ｗ２は、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。第１面部分４３の幅Ｗ２を大きくすることにより、第１マスク２０に対する接合部４０の第１部分４１の密着性を高めることができる。また、第１面部分４３の幅Ｗ２は、５００μｍ以下であってもよく、２５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよい。
　第１面部分４３の幅Ｗ２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５μｍ以上２５０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。また、第１面部分４３の幅Ｗ２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。また、第１面部分４３の幅Ｗ２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上２５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下であってもよく、２５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。
　図９において、符号Ｗ３は、接合部４０の第１部分４１の第２面部分４４の幅を表す。第２面部分４４の幅Ｗ３とは、第１マスク２０の第２面２０２の開口部２２側の端部から接合部４０の第１部分４１の第２面部分４４の端部までの、第１マスク２０の第２面２０２の面内方向における距離である。第２面部分４４の幅Ｗ３は、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。第２面部分４４の幅Ｗ３を大きくすることにより、第１マスク２０に対する接合部４０の第１部分４１の密着性を高めることができる。また、第２面部分４４の幅Ｗ３は、第２面２０２の幅よりも小さくてもよく、例えば８０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。
　第２面部分４４の幅Ｗ３の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。また、第２面部分４４の幅Ｗ３の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、３μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。また、第２面部分４４の幅Ｗ３の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、２０μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上８０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上６０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以上８０μｍ以下であってもよい。
　次に、マスク１２を製造する方法について説明する。マスク１２の製造方法は、第１マスク２０を準備する第１マスク準備工程と、第２マスク３０を準備する第２マスク準備工程と、第１マスク２０と第２マスク３０とを接合する接合部４０を形成する接合部形成工程と、を備える。なお、第１マスク準備工程と第２マスク準備工程の順序は任意である。
　第１マスク準備工程について、図１０～図１２を参照して説明する。
　まず、金属からなる板部材２１を準備する。板部材２１は、例えば、３０質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含む鉄合金を有する。続いて、図１０に示すように、板部材２１の第１面２０１に第１面レジストパターン５０を設け、第２面２０２に第２面レジストパターン５５を設ける。第１面レジストパターン５０は、第１面レジスト層５１と、第１面レジスト層５１に形成された開口５２とを含む。第２面レジストパターン５５も同様に第２面レジスト層５６及び開口５７を含む。開口５２及び開口５７は、板部材２１のうち開口部２２が形成される部分に位置している。
　第１面レジスト層５１及び第２面レジスト層５６は、例えば、アクリル系光硬化性樹脂などの感光性レジスト材料を含むドライフィルムを板部材２１の第１面２０１及び第２面２０２に貼り付けることによって得られる。また、第１面レジスト層５１及び第２面レジスト層５６は、ネガ型の感光性レジスト材料を含む塗布液を板部材２１の第１面２０１上および第２面２０２上に塗布し、塗布液を乾燥させることによって得られてもよい。開口５２及び開口５７は、第１面レジスト層５１及び第２面レジスト層５６を露光及び現像することによって形成される。
　続いて、板部材２１を、第１面レジストパターン５０及び第２面レジストパターン５５をマスクとして第１面２０１側及び第２面２０２側からウェットエッチングする。ウェットエッチングによって第１面２０１側に形成される凹部と第２面２０２側に形成される凹部とが合流することにより、図１１に示すように、板部材２１に開口部２２を形成することができる。また、板部材２１の側面２０３のうち第１面２０１側の凹部と第２面２０２側の凹部とが合流する位置には突出部２０３ｔが形成され得る。
　続いて、第１マスク２０の側面２０３にサンドブラスト処理を施すサンドブラスト工程を実施してもよい。これにより、第１マスク２０の側面２０３に粗面２０３ｓを形成することができる。
　サンドブラスト工程は、板部材２１に上述の第１面レジストパターン５０及び第２面レジストパターン５５が設けられた状態で実施されてもよい。一方、図１１に示すように、第１面レジストパターン５０は、第１面２０１の端部よりも開口部２２側に突出しており、第２面レジストパターン５５も同様に、第２面２０２の端部よりも開口部２２側に突出している。このため、第１マスク２０の側面２０３への、砂などの研磨剤Ｂの到達が、第１面レジストパターン５０及び第２面レジストパターン５５によって阻害され得る。この点を考慮し、図１２に示すように、ウェットエッチングの際に用いられた第１面レジスト層５１及び第２面レジスト層５６とは異なる第１面レジスト層５３及び第２面レジスト層５８を板部材２１の第１面２０１及び第２面２０２に設けた状態で、サンドブラスト工程を実施してもよい。第１面レジスト層５３の端部５３ｅは、第１マスク２０の側面２０３の突出部２０３ｔに比べて開口部２２側に突出していない。同様に、第２面レジスト層５８の端部５８ｅは、第１マスク２０の側面２０３の突出部２０３ｔに比べて開口部２２側に突出していない。これにより、第１マスク２０の側面２０３への、砂などの研磨剤Ｂの到達が、第１面レジスト層５３及び第２面レジスト層５８によって阻害されることを抑制することができる。
　次に、第２マスク準備工程について、図１３～図１５を参照して説明する。
　まず、基板６５を準備する。基板６５の少なくとも表面は、好ましくは、導電性を有する材料によって構成されている。例えば、基板６５は、ステンレス鋼などを含む。続いて、図１３に示すように、基板６５の表面に第１レジストパターン６０を形成する。第１レジストパターン６０は、第１レジスト層６１と、第１レジスト層６１に形成された複数の第１開口６２及び複数の第２開口６３と、を有する。第１開口６２は、基板６５のうち第２マスク３０の有効領域３６の金属層３１が形成されるべき部分に設けられている。また、第２開口６３は、基板６５のうち第２マスク３０の周縁領域３７の金属層３１が形成されるべき部分に設けられている。
　　続いて、図１４に示すように、基板６５上にめっき液を供給する。これにより、第１レジスト層６１の第１開口６２及び第２開口６３に、電解めっき処理によって生成されためっき層からなる金属層３１を形成することができる。めっき液は、例えばスルファミン酸ニッケルや臭化ニッケル等を含む。また、めっき液は、スルファミン酸第一鉄等を更に含んでいてもよい。その後、図１５に示すように、第１レジストパターン６０を除去する。このようにして、基板６５上に、複数の第１孔３２及び第２孔３３を有する第２マスク３０を形成することができる。
　次に、接合部形成工程について、図１６～図１９を参照して説明する。
　まず、図１６に示すように、第２マスク３０が設けられた基板６５に、第２マスク３０及び基板６５を覆う感光層７１を形成する。感光層７１は、上述の第１面レジスト層５１と同様に、感光性レジスト材料を含むドライフィルムを基板６５に貼り付けることによって得られたものであってもよい。また、感光層７１は、ネガ型の感光性レジスト材料を含む塗布液を基板６５上に塗布し、塗布液を乾燥させることによって得られたものであってもよい。
　続いて、図１６に示すように、感光層７１のうち第２マスク３０の有効領域３６上に位置する部分に光を照射する露光工程を実施する。この際、感光層７１のうち第２マスク３０の周縁領域３７上に位置する部分には光を照射しない。また、感光層７１のうち第２マスク３０の周縁において基板６５上に位置する部分にも光を照射しない。また、図１７に示すように、第１マスク２０の開口部２２に第２マスク３０が位置するように、基板６５上の感光層７１上に第１マスク２０を配置する。
　続いて、感光層７１を現像する現像工程を実施する。これにより、感光層７１のうち第２マスク３０の周縁領域３７上に位置する部分が除去される。また、感光層７１のうち第１マスク２０の第１面２０１と基板６５との間に位置する部分であって、第１マスク２０の側面２０３の近傍の部分が除去される。なお、第１マスク２０の第１面２０１と基板６５との間に位置する感光層７１のうち、第１マスク２０の側面２０３から離れた部分には、現像液が到達しない、又は到達し難い。このため、図１８に示すように、第１マスク２０の第１面２０１と基板６５との間には、露光されていない感光層７１が部分的に残る。
　続いて、図１９に示すように、基板６５上にめっき液を供給して接合部４０を形成するめっき処理工程を実施する。めっき処理工程においては、第１マスク２０の側面２０３及び第２マスク３０の周縁領域３７にめっき液が接するとともに、第１マスク２０の第１面２０１と基板６５との間の、感光層７１が除去された空間にめっき液が浸入する。感光層７１が除去された空間に浸入しためっき液が、接合部４０の第１部分４１の第１面部分４３になる。また、板部材２１の第２面２０２上に残るめっき液が、接合部４０の第１部分４１の第２面部分４４になる。
　図示はしないが、めっき処理工程を実施する前に、板部材２１の第２面２０２のうち第２面部分４４が形成されるべきではない部分にレジスト層を設けておいてもよい。これにより、板部材２１の第２面２０２上に形成される第２面部分４４の幅Ｗ３を制御することができる。
　本実施の形態においては、感光層７１を現像する現像工程の時間などを調整することにより、第１マスク２０の第１面２０１と基板６５との間の感光層７１が除去される量を調整することができる。これにより、感光層７１が除去された空間に浸入するめっき液によって形成される第１面部分４３の幅Ｗ２を調整することができる。
　その後、感光層７１を除去する。また、第１マスク２０、第２マスク３０及び接合部４０を基板６５から分離する。このようにして、第１マスク２０及び第２マスク３０と、第１マスク２０と第２マスク３０とを接合する接合部４０と、を備えるマスク１２を得ることができる。
　なお、感光層７１のうち第２マスク３０の有効領域３６上に位置する部分に光を照射する露光工程と、感光層７１上に第１マスク２０を配置する配置工程の順序は任意である。すなわち、露光工程の後に配置工程を実施してもよく、配置工程の後に露光工程を実施してもよい。
　また、図１６においては、感光層７１が、光を照射されることによって硬化される光硬化型である例を示したが、これには限られない。感光層７１の構成及び露光工程の構成は、その後の現像工程において、感光層７１のうち第２マスク３０の有効領域３６上に位置する部分が残り、感光層７１のうち第２マスク３０の周縁領域３７上に位置する部分が除去され、且つ、感光層７１のうち第１マスク２０と基板６５との間に位置する部分が部分的に除去される限りにおいて任意である。
　続いて、本実施の形態によるマスク１２の効果について、図２０及び図２１を参照して説明する。図２０は、比較の形態に係るマスクに外力Ｆが加えられた様子を示す図である。また、図２１は、本実施の形態に係るマスク１２に外力Ｆが加えられた様子を示す図である。外力Ｆは、例えば、第２マスク３０の厚み方向において第２マスク３０の第３面３０１に加えられる。図２０に示すように、比較の形態に係るマスクにおいて、接合部４０の第１部分４１は第１マスク２０の側面２０３にのみ接しており、第１面２０１には接していない。
　第２マスク３０に外力が加わると、接合部４０の第１部分４１と第１マスク２０の板部材２１との間に力が発生する。図２０に示す例において、接合部４０の第１部分４１は第１マスク２０の側面２０３にのみ接しているので、第１部分４１の側面部分４２と側面２０３との間にのみ力Ｆ１が発生する。この場合、Ｆ１が接合部４０の側面部分４２と側面２０３との間の密着力を上回ると、第１部分４１が第１マスク２０から分離され得る。
　これに対して、本実施の形態においては、接合部４０の第１部分４１が第１面部分４３を更に含んでいる。このため、図２１に示すように、第１部分４１の側面部分４２と側面２０３との間に力Ｆ１が発生するだけでなく、第１部分４１の第１面部分４３と第１面２０１との間に力Ｆ２も発生する。すなわち、接合部４０の第１部分４１と第１マスク２０の板部材２１との間に発生する力を、図２０に示す比較の形態の場合に比べて分散させることができる。これにより、接合部４０の第１部分４１と第１マスク２０の板部材２１との間に発生する力が局所的に集中することを抑制することができる。これにより、接合部４０の第１部分４１が第１マスク２０から分離されることを抑制することができる。また、第１面部分４３の分だけ第１マスク２０に対する接合部４０の第１部分４１の接触面積が増加する。この点でも、第１部分４１が第１マスク２０から分離されることを抑制することができる。
　なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
　上述の実施の形態においては、第２マスク３０の金属層３１に含まれるめっき層が１つである例を示したが、これに限られることはない。金属層３１は、複数のめっき層を含んでいてもよい。以下、金属層３１が２つのめっき層を含む例について、図２２～図２７を参照して説明する。
　まず、図２２に示すように、基板６５の表面に第１レジストパターン６０を形成する。第１レジストパターン６０は、第１レジスト層６１と、第１レジスト層６１に形成された複数の第１開口６２と、第２開口６３と、を含む。第１開口６２は、図１３に示す上述の実施の形態の場合と同様に、基板６５のうち第２マスク３０の有効領域３６の金属層３１が形成されるべき部分に設けられている。一方、第２開口６３は、基板６５のうち第２マスク３０の周縁領域３７に対応する部分の全域に広がっている。
　続いて、図２３に示すように、基板６５上にめっき液を供給する。これにより、第１レジスト層６１の第１開口６２及び第２開口６３に、電解めっき処理によって第１めっき層３１１が形成される。
　続いて、図２４に示すように、第２開口６３に形成された第１めっき層３１１上に第２レジスト層６６を形成する。第２レジスト層６６には開口６７が形成されている。第２レジスト層６６は、第２マスク３０の上述の第２孔３３が形成されるべき部分に設けられている。
　続いて、図２５に示すように、基板６５上にめっき液を供給する。これにより、第１レジスト層６１の第１開口６２及び第２レジスト層６６の開口６７に、電解めっき処理によって第２めっき層３１２が形成される。第２めっき層３１２の組成は、第１めっき層３１１と同一であってもよく、異なっていてもよい。
　続いて、第１レジスト層６１及び第２レジスト層６６を除去する。これにより、図２６に示すように、複数の第１孔３２を含む有効領域３６と、複数の第２孔３３を含む周縁領域３７と、を有する第２マスク３０を得ることができる。有効領域３６の第１孔３２は、第１めっき層３１１及び第２めっき層３１２を含む金属層３１を貫通している。一方、周縁領域３７の第２孔３３は、第２めっき層３１２を貫通するが第１めっき層３１１を貫通していない。すなわち、本変形例において、周縁領域３７の第２孔３３は、金属層３１を貫通しないよう第４面３０２側に位置する凹部である。
　第２マスク３０を作製した後、上述の実施の形態の場合と同様に、接合部４０を形成する接合部形成工程を実施する。例えば、基板６５上に感光層７１を形成する工程、感光層７１を露光する工程、第１マスク２０を配置する工程、及び感光層７１を現像する工程を実施した後、図２６に示すように、基板６５上にめっき液を供給して接合部４０を形成する。本変形例においても、第２マスク３０の周縁領域３７の第２孔３３にめっき液が浸入するので、接合部４０と第２マスク３０との間の密着力を高めることができる。
　その後、感光層７１を除去する。また、第１マスク２０、第２マスク３０及び接合部４０を基板６５から分離する。このようにして、図２７に示すように、第１マスク２０及び第２マスク３０と、第１マスク２０と第２マスク３０とを接合する接合部４０と、を備えるマスク１２を得ることができる。
　上述の実施の形態においては、第１マスク２０の板部材２１を構成する部材が１つである例を示したが、これに限られることはない。板部材２１は、厚み方向に積層された複数の部材を含んでいてもよい。以下、板部材２１が、接着層によって接合された２つの部材を含む例について、図２８を参照して説明する。
　図２８は、本変形例に係るマスク１２を示す断面図である。第１マスク２０の板部材２１は、第１面２０１側に位置する第１部材２１１と、第２面２０２側に位置する第２部材２１２と、第１部材２１１と第２部材２１２とを接合する接着層２１３と、を有する。接着層２１３は、接着性を有する樹脂を含む。例えば、接着層２１３は、アクリル樹脂を含む。接着層２１３の厚みは、例えば、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。また、接着層２１３の厚みは、例えば、４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。接着層２１３の厚みの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。また、接着層２１３の厚みの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上７μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。また、接着層２１３の厚みの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよく、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
　第１部材２１１の材料と、第２部材２１２の材料とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、第１部材２１１及び第２部材２１２はいずれも、３０質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含む鉄合金を有する。
　本変形例においては、第１部材２１１を第１面側及び第２面側からウェットエッチングして、第１部材２１１に開口部を形成する。また、第２部材２１２を第１面側及び第２面側からウェットエッチングして、第２部材２１２に開口部を形成する。その後、第１部材２１１の開口部と第２部材２１２の開口部とが重なるように第１部材２１１と第２部材２１２とを積層する。これにより、開口部２２が形成された第１マスク２０を得ることができる。第１部材２１１の側面２０３及び第２部材２１２の側面２０３はいずれも、突出部２０３ｔを含んでいる。
　本変形例によれば、第１マスク２０の板部材２１を複数の部材で構成することにより、板部材２１が１つの部材で構成されている場合に比べて、部材に開口部を形成するためのウェットエッチングに要する時間を短縮することができる。これにより、例えば、部材に生じるサイドエッチングの量を低減することができる。
　また、上述の実施の形態においては、第２マスク３０の周縁領域３７が、接合部４０が入り込む第２孔３３を有する例を示したが、これに限られることはない。例えば図２９に示すように、第２マスク３０の周縁領域３７に第２孔３３が形成されていなくてもよい。この場合であっても、接合部４０の第２部分４６が、第４面３０２に接する第４面部分４７を含んでいるので、第２部分４６が第２マスク３０の周縁領域３７から分離してしまうことを抑制することができる。また、接合部４０の第１部分４１が、側面部分４２と第１面部分４３とを含んでいるので、接合部４０の第１部分４１と第１マスク２０の板部材２１との間に発生する力を分散させることができる。これにより、接合部４０の第１部分４１と第１マスク２０の板部材２１との間に発生する力が局所的に集中することを抑制することができ、接合部４０の第１部分４１が第１マスク２０から分離されることを抑制することができる。また、第１面部分４３の分だけ第１マスク２０に対する接合部４０の第１部分４１の接触面積が増加する。この点でも、第１部分４１が第１マスク２０から分離されることを抑制することができる。
　なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (18)

  1. 　開口部を含む第１マスクであって、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面まで広がり、前記開口部を画成する側面と、を有する第１マスクと、
    　前記第１マスクの前記開口部に位置し、前記第１マスクの前記第１面側に位置する第３面及び前記第１マスクの前記第２面側に位置する第４面を含む第２マスクであって、前記第２マスクを貫通する第１孔を含む有効領域と、前記有効領域の周縁に位置する周縁領域と、を有する第２マスクと、
    　前記第１マスクの前記側面に接する側面部分及び前記第１マスクの前記第１面に接する第１面部分を少なくとも含む第１部分と、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第４面に接する第４面部分を少なくとも含む第２部分と、を有し、前記第１マスクと前記第２マスクを接合する接合部と、を備える、マスク。
  2. 　前記第２マスクの前記第３面と前記接合部の前記第１部分の前記第１面部分の表面とが同一平面上に位置している、請求項１に記載のマスク。
  3. 　前記接合部の前記第１部分の前記第１面部分の幅が３μｍ以上である、請求項１又は２に記載のマスク。
  4. 　前記接合部の前記第１部分は、前記第１マスクの前記第２面に接する第２面部分を更に含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスク。
  5. 　前記接合部の前記第１部分の前記第２面部分の幅が３μｍ以上である、請求項４に記載のマスク。
  6. 　前記第２マスクの前記周縁領域は、前記第２マスクの前記第４面側から前記第３面側へ凹んだ第２孔を含み、
    　前記接合部の前記第２部分は、前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔の内部に位置する孔部分を更に含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマスク。
  7. 　前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔は、前記第２マスクの前記第４面側から前記第３面側まで貫通している、請求項６に記載のマスク。
  8. 　前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔は、１０μｍ以上２００μｍ以下の寸法を有する、請求項６又は７に記載のマスク。
  9. 　前記第２マスクの前記周縁領域の前記第２孔の形状は、前記第２マスクの前記第４面の法線方向に沿って見た場合に円形又は矩形を有する、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のマスク。
  10. 　前記第１マスクの前記側面は、前記開口部に位置する前記第２マスク側へ突出した突出部を有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のマスク。
  11. 　前記第１マスクの前記側面は、０．１２μｍ以上の算術平均粗さを有する粗面を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のマスク。
  12. 　前記第１マスクの厚みは２５０μｍ以上１０００μｍ以下である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のマスク。
  13. 　前記第２マスクの厚みは２０μｍ以下である、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のマスク。
  14. 　前記接合部はめっき層を含む、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のマスク。
  15. 　開口部を含む第１マスクであって、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面まで広がり、前記開口部を画成する側面と、を有する第１マスクを準備する第１マスク準備工程と、
    　前記第１マスクの前記開口部に位置し、前記第１マスクの前記第１面側に位置する第３面及び前記第１マスクの前記第２面側に位置する第４面を含む第２マスクであって、前記第２マスクを貫通する第１孔を含む有効領域と、前記有効領域の周縁に位置する周縁領域と、を有する第２マスクを準備する第２マスク準備工程と、
    　前記第１マスクの前記側面に接する側面部分及び前記第１マスクの前記第１面に接する第１面部分を少なくとも含む第１部分と、前記第２マスクの前記第４面に接する第４面部分を少なくとも含む第２部分と、を有する接合部を、めっき処理によって形成する接合部形成工程と、を備える、マスクの製造方法。
  16. 　前記接合部形成工程は、
    　前記第２マスクが設けられた基板に、前記第２マスク及び前記基板を覆う感光層を形成する工程と、
    　前記第１マスクの前記開口部に前記第２マスクが位置するように、前記基板上の前記感光層上に前記第１マスクを配置する工程と、
    　前記感光層のうち前記第２マスクの前記有効領域上に位置する部分が残り、前記感光層のうち前記第２マスクの前記周縁領域上に位置する部分が除去され、且つ、前記感光層のうち前記第１マスクと前記基板との間に位置する部分が部分的に除去されるよう、前記感光層を露光及び現像する工程と、
    　前記第１マスクの前記側面及び前記第２マスクの前記周縁領域にめっき液が接するとともに、前記第１マスクと前記基板との間の、前記感光層が除去された空間にめっき液が浸入するようにめっき液を供給して、前記接合部を形成する工程と、を有する、請求項１５に記載のマスクの製造方法。
  17. 　前記第１マスク準備工程は、
    　金属からなり、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む板部材を準備する工程と、
    　前記板部材を前記第１面側及び前記第２面側からウェットエッチングして、前記板部材に前記開口部を形成する工程と、を有する、請求項１５又は１６に記載のマスクの製造方法。
  18. 　前記第１マスク準備工程は、前記第１マスクの前記側面にサンドブラスト処理を施す工程を有する、請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載のマスクの製造方法。
PCT/JP2019/026219 2018-07-03 2019-07-02 マスク及びその製造方法 Ceased WO2020009088A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020528996A JP6997975B2 (ja) 2018-07-03 2019-07-02 マスク及びその製造方法
KR1020217002880A KR102631580B1 (ko) 2018-07-03 2019-07-02 마스크 및 그 제조 방법
JP2021205481A JP2022037147A (ja) 2018-07-03 2021-12-17 マスク及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-127076 2018-07-03
JP2018127076 2018-07-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020009088A1 true WO2020009088A1 (ja) 2020-01-09

Family

ID=69060392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/026219 Ceased WO2020009088A1 (ja) 2018-07-03 2019-07-02 マスク及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6997975B2 (ja)
KR (1) KR102631580B1 (ja)
CN (3) CN115142012B (ja)
TW (1) TWI781328B (ja)
WO (1) WO2020009088A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021182072A1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ メタル蒸着マスクユニットの作製方法
JP2021139001A (ja) * 2020-03-05 2021-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクユニットの作製方法
KR20210122681A (ko) * 2020-04-01 2021-10-12 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 증착 마스크의 제조 방법
CN113913742A (zh) * 2020-07-10 2022-01-11 三星显示有限公司 掩模和包括该掩模的沉积装置
CN116162890A (zh) * 2021-11-25 2023-05-26 株式会社日本显示器 蒸镀掩模及其制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102631580B1 (ko) * 2018-07-03 2024-02-01 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 마스크 및 그 제조 방법
KR20230016733A (ko) * 2021-07-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068454A (ja) * 2001-08-24 2003-03-07 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
JP2005015908A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 蒸着マスクとその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60228599D1 (de) * 2001-08-24 2008-10-09 Dainippon Printing Co Ltd Maskeneinrichtung zur bildung mehrerer seiten für die vakuumablagerung
JP4863247B2 (ja) * 2004-12-08 2012-01-25 九州日立マクセル株式会社 金属多孔体とその製造方法
JP4677363B2 (ja) * 2006-04-07 2011-04-27 九州日立マクセル株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
KR20180050766A (ko) * 2015-02-10 2018-05-15 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크를 제작하기 위해 사용되는 금속판 및 그 제조 방법
CN110551973B (zh) * 2015-02-10 2022-06-14 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模
WO2017013903A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
JP6722512B2 (ja) * 2016-05-23 2020-07-15 マクセルホールディングス株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
KR102418174B1 (ko) * 2017-07-05 2022-07-08 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크 장치, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
KR20200070345A (ko) * 2017-11-01 2020-06-17 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치
KR102631580B1 (ko) * 2018-07-03 2024-02-01 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 마스크 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003068454A (ja) * 2001-08-24 2003-03-07 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置
JP2005015908A (ja) * 2003-06-05 2005-01-20 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 蒸着マスクとその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7391719B2 (ja) 2020-03-05 2023-12-05 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクユニットの作製方法
JP2021139001A (ja) * 2020-03-05 2021-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクユニットの作製方法
JP2021143359A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 株式会社ジャパンディスプレイ メタル蒸着マスクユニットの作製方法
WO2021182072A1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ メタル蒸着マスクユニットの作製方法
JP7561504B2 (ja) 2020-03-10 2024-10-04 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクユニットの作製方法
KR20210122681A (ko) * 2020-04-01 2021-10-12 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 증착 마스크의 제조 방법
KR102672615B1 (ko) 2020-04-01 2024-06-07 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 증착 마스크의 제조 방법
CN113913742A (zh) * 2020-07-10 2022-01-11 三星显示有限公司 掩模和包括该掩模的沉积装置
US11957038B2 (en) 2020-07-10 2024-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and deposition apparatus including the same
EP3943637A3 (en) * 2020-07-10 2022-05-11 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly and deposition apparatus including the same
KR20220007800A (ko) * 2020-07-10 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비
KR102798150B1 (ko) * 2020-07-10 2025-04-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비
CN113913742B (zh) * 2020-07-10 2025-12-23 三星显示有限公司 掩模和包括该掩模的沉积装置
JP2023077788A (ja) * 2021-11-25 2023-06-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクとその製造方法
CN116162890A (zh) * 2021-11-25 2023-05-26 株式会社日本显示器 蒸镀掩模及其制造方法
JP7837536B2 (ja) 2021-11-25 2026-03-31 株式会社Magnolia White 蒸着マスクとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI781328B (zh) 2022-10-21
KR102631580B1 (ko) 2024-02-01
CN115142012B (zh) 2023-12-29
CN110670015B (zh) 2022-08-09
JPWO2020009088A1 (ja) 2021-07-08
TW202006794A (zh) 2020-02-01
JP6997975B2 (ja) 2022-01-18
CN210394497U (zh) 2020-04-24
KR20210025633A (ko) 2021-03-09
CN115142012A (zh) 2022-10-04
CN110670015A (zh) 2020-01-10
JP2022037147A (ja) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6997975B2 (ja) マスク及びその製造方法
TWI833876B (zh) 蒸鍍罩及其製造方法、蒸鍍罩裝置及其製造方法、中間體、蒸鍍方法、以及有機el顯示裝置之製造方法
TWI684653B (zh) 蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩裝置，蒸鍍遮罩的製造方法及蒸鍍遮罩裝置的製造方法
US11773477B2 (en) Deposition mask
TW201710527A (zh) 蒸鍍用磁性掩模板的製作方法
CN110819938B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、蒸镀方法
JP2010242141A (ja) 蒸着マスク及びその製造方法
WO2019202902A1 (ja) 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、及びパターンの形成方法
JP2022031239A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP7406717B2 (ja) 蒸着マスク
JP6372755B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
JP2020158810A (ja) マスク
JP7169534B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板
CN108374147A (zh) 掩模组件的制造方法
CN111485194A (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP7413713B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク
JP2021066949A (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP7232430B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
JP2020158808A (ja) マスクの製造方法
JP7134589B2 (ja) 蒸着マスク
CN115497820A (zh) 三维电极的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19831362

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020528996

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217002880

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19831362

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1