WO2020004801A1 - 스퍼터링 장치 - Google Patents

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WO2020004801A1
WO2020004801A1 PCT/KR2019/005038 KR2019005038W WO2020004801A1 WO 2020004801 A1 WO2020004801 A1 WO 2020004801A1 KR 2019005038 W KR2019005038 W KR 2019005038W WO 2020004801 A1 WO2020004801 A1 WO 2020004801A1
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stage
target
hole
sputtering apparatus
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PCT/KR2019/005038
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정병화
장용석
박다희
야기누마칸지
이와하시테루아키
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Ulvac Korea Ltd
Original Assignee
Ulvac Inc
Ulvac Korea Ltd
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

Definitions

  • the description below relates to a sputtering apparatus.
  • a film formation material uniformly on a substrate.
  • the target is placed side by side with the substrate.
  • the deposition material separated from the target toward the substrate may proceed in the normal direction of the substrate, but may also follow a path inclined at an angle with respect to the normal of the substrate. Accordingly, the center portion of the substrate may be formed relatively uniformly, but the edge portion of the substrate may be formed relatively unevenly.
  • uniform film formation must be made. In particular, in the case of a wafer having a fine pattern, more uniform film formation is required.
  • the background art described above is possessed or acquired by the inventors in the derivation process of the present invention, and is not necessarily a publicly known technology disclosed to the general public before the application of the present invention.
  • An object of an embodiment is to provide a sputtering apparatus capable of realizing uniform film formation on a substrate by blocking most of the deposition material entering the substrate along a path inclined at an angle with respect to the normal of the substrate.
  • An object of an embodiment is to provide a sputtering apparatus capable of realizing uniform film formation on a substrate in response to changes in a target over time.
  • a sputtering apparatus includes: a stage rotatable while supporting a substrate having a fine pattern; A target facing the substrate; And a blocking member disposed between the stage and the target, and a blocking hole passing through at least a portion of the deposition material formed in the blocking body and separated from the target and proceeding to the substrate.
  • the vertex of the through hole may overlap the center of the substrate.
  • the through hole may have a shape in which the width increases as it moves away from the vertex.
  • the through hole may have a fan shape.
  • the outer edge of the through hole may be spaced apart from the edge of the substrate.
  • the axis of rotation of the stage may pass through the center of the substrate.
  • the axis of rotation of the stage may be spaced apart from the point where the highest plasma density is formed on the target surface.
  • the point where the plasma density is formed highest may overlap the through hole based on a direction parallel to the axis of rotation of the stage.
  • the sputtering apparatus may further include a driving unit capable of moving the blocking member in a direction orthogonal to the axis of rotation of the stage.
  • the distance between the vertex of the through hole from the center of the substrate may increase.
  • the blocking member is. It may further include a blocking protrusion protruding upward from the edge portion of the blocking body.
  • the plurality of passing holes may be provided, and the plurality of communication holes may not communicate with each other.
  • the axis of rotation of the stage may pass between the plurality of communication holes.
  • the sputtering apparatus may implement uniform deposition on the substrate by blocking most of the deposition material entering the substrate along a path inclined at an angle with respect to the normal of the substrate.
  • the sputtering apparatus may implement uniform film formation on a substrate in response to the change in the target over time by moving the blocking member.
  • FIG. 1 is a side view conceptually illustrating a sputtering apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a side view and a partially enlarged view conceptually illustrating a stage and a substrate according to an embodiment.
  • FIG 3 is a plan view conceptually illustrating a blocking member and a substrate according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view conceptually illustrating a blocking member and a substrate according to an exemplary embodiment, and illustrates a state in which the blocking member is moved in one direction.
  • first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the nature, order or order of the components are not limited by the terms. If a component is described as being “connected”, “coupled” or “connected” to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is another component between each component. It will be understood that may be “connected”, “coupled” or “connected”.
  • FIG. 1 is a side view conceptually illustrating a sputtering apparatus according to an embodiment.
  • the sputtering apparatus 1 includes a chamber 91, a target 92, a magnet assembly 93, a substrate S, a stage 11, a blocking member 12, and a driving unit 13. can do.
  • the chamber 91 can receive the components of the sputtering apparatus 1. Positive voltage may be applied to the chamber 91.
  • the chamber 91 to which the positive voltage is applied can prevent the deposition material, which is a cation separated from the target 92, from adhering to the inner wall of the chamber 91.
  • the chamber 91 may block the deposition material from traveling out of the blocking member 12. For example, when looking at the stage 11 from the target 92, the substrate S and the stage 11 are seen only through the through holes 121a, and the remaining areas are shown in the chamber 91 and the blocking member 12. Can be masked by).
  • the target 92 is made of a material to be deposited on the substrate S.
  • the target 92 may face the substrate S.
  • the target 92 may be a metal material or an alloy including the metal material.
  • the target 92 may also be a metal oxide, metal nitride, or dielectric.
  • the target 92 is selected from Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, Si, Sn, etc. It can contain the material which has an element to become a main component.
  • the magnet assembly 93 may include an electromagnet and a permanent magnet.
  • the magnet assembly 93 may form a fixed magnetic field of constant strength on the target 92 using electromagnets and permanent magnets.
  • the plasma may be formed on the surface of the target 92 by the fixed magnetic field and the electric field applied from the outside. The density of the plasma is determined by the fixed magnetic field and the applied electric field. Due to the plasma, sputtering may occur on the surface of the target 92, and the deposition material separated from the target 92 may proceed to the substrate S.
  • the substrate S may be a substrate for manufacturing a semiconductor, an FPD (LCD, OLED, etc.), a solar cell, or the like.
  • the substrate S may be a wafer having a plurality of fine patterns. When the substrate S is a wafer having a fine pattern, uniformly depositing a film formation material on the substrate S becomes an important factor for improving the quality of the substrate S.
  • the stage 11 fixes the substrate S so that the deposition material may be uniformly deposited on the substrate 20.
  • the stage 11 may fix the edge of the substrate S by using fixing means, or may fix the substrate S on the rear surface of the substrate S.
  • FIG. The stage 11 may rotate about the rotation axis A1.
  • the rotation axis A1 of the stage 11 may pass through the center of the substrate S.
  • the axis of rotation A1 of the stage may be spaced apart from the point where the plasma density is formed highest on the surface of the target 92.
  • the axis of rotation A1 of the stage may be spaced apart from the auxiliary line A2 extending perpendicular to the target 92 at the point where the plasma density of the target 92 surface is formed the highest.
  • the point where the plasma density is formed highest on the surface of the target 92 may be formed at the center.
  • the point where the plasma density is formed highest among the targets 92 may be faster than the other points.
  • more film deposition material can be separated at the point where the plasma density is formed highest.
  • the point where the plasma density is formed highest may be a point where the vertical magnetic field is zero among the magnetic fields applied from the magnet assembly 93.
  • the point where the highest plasma density is formed on the surface of the target 92 may overlap the passage hole 121a based on a direction parallel to the rotation axis A1 of the stage 11.
  • the auxiliary line A2 may pass through the passage hole 121a. Since the through hole 121a is provided below the point where the film formation material is most actively performed in the target 92, the film formation material may be efficiently formed on the substrate S.
  • the blocking member 12 may block at least a portion of the deposition material that is separated from the target 92 and proceeds toward the substrate S. In other words, the blocking member 12 may block a portion of the deposition material that is separated from the target 92 and proceed toward the substrate S, and may pass the portion.
  • the blocking member 12 may include a blocking body 121, a through hole 121a, and a blocking protrusion 122.
  • the blocking body 121 may be disposed between the stage 11 and the target 92.
  • the blocking body 121 may be disposed on the substrate S to block a portion of the deposition material entering the substrate S.
  • the blocking body 121 is a plate shape.
  • the deposition material may be accumulated on the surface of the blocking body 121.
  • the deposition material is a surface of the substrate S along a path inclined with respect to the first deposition material P1 entering the surface of the substrate S in a path parallel to the normal of the substrate S and the normal of the substrate S. It may include a second film forming material (P2) to enter.
  • the blocking body 121 may block most of the second deposition material P2.
  • the blocking body 121 may pass all of the first film forming material P1 entering the passage hole 121a.
  • the amount of the first film forming material P1 among the film forming materials deposited on the surface of the substrate S may be greater than that of the second film forming material P2, and uniform film formation may be realized on the surface of the substrate S.
  • the blocking body 121 may not rotate.
  • the blocking body 121 may be parallel to the substrate (S).
  • the passage hole 121a may be formed in the blocking body 121.
  • the passage hole 121A may pass at least a portion of the deposition material that is separated from the target 92 and proceeds to the substrate S. While the stage 11 is rotating, the relative position of the through hole 121a with respect to the surface of the substrate S can be continuously changed. Therefore, uniform film formation may be realized on the entire surface of the substrate S.
  • the blocking protrusion 122 may protrude upward from an edge of the blocking body 121.
  • the blocking protrusion 122 may prevent the deposition material from penetrating into the space between the blocking body 121 and the chamber 91.
  • the driving unit 13 may move the blocking member 12 in a direction orthogonal to the rotation axis A1 of the stage 11.
  • FIG. 2 is a side view and a partially enlarged view conceptually illustrating a stage and a substrate according to an embodiment.
  • the stage 11 is rotatable about the rotation axis A1.
  • the deposition material P may be deposited on the substrate S mounted on the stage 11. Since the stage 11 rotates, the area of the substrate S exposed to the target may be continuously changed, so that uniform film formation may be realized on the substrate S.
  • FIG. 3 is a plan view conceptually showing a blocking member and a substrate according to an embodiment
  • FIG. 4 is a plan view conceptually showing a blocking member and a substrate according to an embodiment, and a state in which the blocking member is moved in one direction is illustrated. Illustrated.
  • the driving unit 13 may move the blocking member 12.
  • the driving unit 13 may move the blocking member 12 in a direction parallel or perpendicular to the substrate S.
  • FIG. The driving unit 13 may move the blocking member 12 based on at least one of a kind of a metal of the target, a distance between the target and the substrate, and an intensity of the magnetic field of the magnetic force assembly.
  • the driving unit 13 may move the blocking member 12 according to irregular consumption of the target surface.
  • the target may be consumed irregularly depending on the intensity of the surrounding plasma.
  • the driving unit 13 may implement uniform film formation on the substrate S by moving the blocking member 12 based on the consumption amount of the target.
  • the through hole 121a may expose the substrate S to the target in a fan shape.
  • the passage hole 121a may have a shape in which a width thereof increases as it moves away from the vertex 1211a.
  • the through hole 121a may have a fan shape.
  • the first region S1 exposed to the outside through the passage hole 121a, the second region S2 covered by the blocking member 12, and the chamber It may include a third region S3 that is covered by (not shown) (see FIG. 1).
  • the driving unit 13 may move the blocking member 12, so that the distance d between the vertex 1211a of the through hole 121a from the center of the substrate S may increase.
  • a relatively large amount of film formation material can be prevented from being deposited in the center of the substrate S, and uniform film formation can be realized.
  • the outer edge 1212a of the through hole 121a may be spaced apart from the edge of the substrate S.
  • a region A that does not overlap between the blocking body 121 and the substrate S may be provided. The region A may prevent the deposition material accumulated on the blocking member 12 from falling onto the substrate S.
  • the blocking member 12 is illustrated as having one through hole 121a, but the present invention is not limited thereto.
  • the blocking member may have a plurality of passage holes (not shown) that are not in communication with each other.
  • the area of each of the plurality of through holes may be smaller than the area of one through hole 121a shown, but the sum of the areas of the plurality of through holes may be approximately similar to that of one through hole 121a.
  • the film forming material that proceeds from the target to the substrate S may be referred to as the sum of the straight component and the diagonal component.
  • the blocking member 12 including the plurality of passage holes can effectively block the diagonal component of the film forming material.
  • the blocking member having a plurality of passage holes can pass a relatively small amount of oblique components of the film-forming material as compared with the blocking member having one passage hole.
  • the rotation axis A1 (see FIG. 1) of the stage 11 (see FIG. 1) may pass between the plurality of passage holes.
  • one vertex of each of the plurality of passage holes may be in contact with the rotation axis A1, and the plurality of passage holes may be disposed at different sides with respect to the rotation axis A1.
  • the blocking member 12 having a plurality of through holes can expose the center of the substrate S to the target for a relatively long time, and thus bottom coverage of the center of the substrate S. Can be improved.

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Abstract

일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는, 미세 패턴을 구비하는 기판을 지지한 상태로 회전 가능한 스테이지; 상기 기판과 마주하는 타겟; 및 상기 스테이지 및 타겟 사이에 배치되는 차단 바디와, 상기 차단 바디에 형성되고 상기 타겟으로부터 분리되어 상기 기판으로 진행하는 성막 물질의 적어도 일부를 통과시키는 통과 홀을 포함하는 차단 부재를 포함할 수 있다.

Description

스퍼터링 장치
아래의 설명은 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
스퍼터링 장치의 경우, 기판 상에 성막 물질을 균일하게 성막하는 것이 중요하다. 타겟은 기판과 나란하게 배치된다. 타겟으로부터 분리되어 기판을 향하는 성막 물질은 기판의 법선 방향으로 진행하기도 하지만, 기판의 법선에 대해 일정 각도 기울어진 경로를 따라 진행하기도 한다. 따라서, 기판의 중앙부는 상대적으로 균일한 성막이 이루어지나, 기판의 테두리부는 상대적으로 불균일한 성막이 이루어질 수 있다. 기판이 올바로 기능하기 위해서는 균일한 성막이 이루어져야 한다. 특히, 미세 패턴을 갖는 웨이퍼의 경우 보다 균일한 성막이 요구된다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예의 목적은, 기판의 법선에 대해 일정 각도 기울어진 경로를 따라 기판으로 진입하는 성막 물질을 대부분 차단하는 방식으로, 기판 상에 균일한 성막을 구현할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 목적은, 타겟의 경시변화에 대응하여 기판 상에 균일한 성막을 구현할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는, 미세 패턴을 구비하는 기판을 지지한 상태로 회전 가능한 스테이지; 상기 기판과 마주하는 타겟; 및 상기 스테이지 및 타겟 사이에 배치되는 차단 바디와, 상기 차단 바디에 형성되고 상기 타겟으로부터 분리되어 상기 기판으로 진행하는 성막 물질의 적어도 일부를 통과시키는 통과 홀을 포함하는 차단 부재를 포함할 수 있다.
상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 상기 통과 홀의 꼭지점은 상기 기판의 중심에 오버랩될 수 있다.
상기 통과 홀은 상기 꼭지점으로부터 멀어질수록 폭이 커지는 형상을 가질 수 있다.
상기 통과 홀은 부채꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 상기 통과 홀의 외각 테두리는 상기 기판의 테두리로부터 이격될 수 있다.
상기 스테이지의 회전 축은 상기 기판의 중심을 통과할 수 있다.
상기 스테이지의 회전 축은, 상기 타겟 표면 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점으로부터 이격될 수 있다.
상기 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은, 상기 스테이지의 회전 축에 나란한 방향을 기준으로, 상기 통과 홀에 오버랩될 수 있다.
상기 스퍼터링 장치는, 상기 스테이지의 회전 축에 대해 직교하는 방향으로 상기 차단 부재를 이동시킬 수 있는 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 스퍼터링이 진행되는 동안, 상기 기판의 중심으로부터 상기 통과 홀의 꼭지점 사이의 거리는 증가할 수 있다.
상기 차단 부재는. 상기 차단 바디의 테두리부로부터 상방으로 돌출 형성되는 차단 돌출부를 더 포함할 수 있다.
상기 통과 홀은 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 연통 홀은 서로 연통되지 않을 수 있다.
상기 스테이지의 회전 축은 상기 복수 개의 연통 홀 사이를 통과할 수 있다.
일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는, 기판의 법선에 대해 일정 각도 기울어진 경로를 따라 기판으로 진입하는 성막 물질을 대부분 차단함으로써, 기판 상에 균일한 성막을 구현할 수 있다.
일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는, 차단 부재를 이동시킴으로써 타겟의 경시변화에 대응하여 기판 상에 균일한 성막을 구현할 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개념적으로 도시하는 측면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 스테이지 및 기판을 개념적으로 도시하는 측면도 및 부분 확대도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 차단 부재 및 기판을 개념적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 차단 부재 및 기판을 개념적으로 도시하는 평면도이고, 차단 부재가 일 방향으로 이동한 상태를 도시한다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개념적으로 도시하는 측면도이다.
도 1을 참조하면, 스퍼터링 장치(1)는 챔버(91), 타겟(92), 자석 집합체(93), 기판(S), 스테이지(11), 차단 부재(12) 및 구동부(13)를 포함할 수 있다.
챔버(91)는 스퍼터링 장치(1)의 구성 요소들을 수용할 수 있다. 챔버(91)에는 양전압이 인가될 수 있다. 양전압이 인가된 챔버(91)는 타겟(92)으로부터 분리된 양이온인 성막 물질이 챔버(91)의 내벽에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 챔버(91)는 성막 물질이 차단 부재(12)의 외측으로 진행하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 타겟(92)으로부터 스테이지(11)를 바라볼 때, 기판(S) 및 스테이지(11)는 관통 홀(121a)을 통해서만 보여지고, 나머지 영역은 챔버(91) 및 차단 부재(12)에 의해 가려질 수 있다.
타겟(92)은 기판(S)에 성막될 물질로 구성된다. 타겟(92)은 기판(S)과 마주할 수 있다. 타겟(92)은 금속 물질 또는 금속 물질을 포함하는 합금일 수 있다. 또한, 타겟(92)은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 유전체일 수도 있다. 예를 들어, 타겟(92)은 Mg, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Al, In, C, Si 및 Sn 등에서 선택되는 원소를 주성분으로 하는 재료를 포함할 수 있다.
자석 집합체(93)는 전자석 및 영구 자석을 포함할 수 있다. 자석 집합체(93)는 전자석 및 영구 자석을 이용하여 타겟(92) 상에 일정한 강도의 고정 자기장을 형성할 수 있다. 고정 자기장과 외부로부터 인가된 전기장에 의해 타겟(92) 표면에 플라즈마가 형성될 수 있다. 플라즈마의 밀도는 고정 자기장 및 인가된 전기장에 의해 결정된다. 플라즈마로 인해 타겟(92) 표면에서 스퍼터링이 발생하고, 타겟(92)으로부터 분리된 성막 물질은 기판(S)으로 진행할 수 있다.
기판(S)은 반도체, FPD(LCD, OLED 등), 태양 전지 등을 제조하기 위한 기판일 수 있다. 기판(S)은 다수의 미세 패턴들을 구비하는 웨이퍼일 수 있다. 기판(S)이 미세 패턴을 구비하는 웨이퍼일 경우, 기판(S) 상에 성막 물질을 균일하게 성막하는 것을 기판(S)의 품질 향상을 위한 중요 요소가 된다.
스테이지(11)는 성막 물질이 기판(20)에 균일하게 성막될 수 있도록 기판(S)을 고정한다. 스테이지(11)는 기판(S)이 안착되면 고정 수단 등을 이용하여 기판(S)의 가장자리를 고정하거나, 기판(S)의 뒷면에서 기판(S)을 고정할 수 있다. 스테이지(11)는 회전 축(A1)을 중심으로 회전할 수 있다. 스테이지(11)의 회전 축(A1)은 기판(S)의 중심을 통과할 수 있다.
스테이지의 회전 축(A1)은, 타겟(92) 표면 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점으로부터 이격될 수 있다. 다시 말하면, 스테이지의 회전 축(A1)은, 타겟(92) 표면 중 플라즈마(plasma) 밀도가 가장 높게 형성되는 지점에서 타겟(92)에 대해 수직하게 연장되는 보조선(A2)으로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 도 1을 기준으로, 타겟(92) 표면 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은 중심에 형성될 수 있다. 타겟(92) 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은 다른 지점에 비해서, 성막 물질의 소모 속도가 빠를 수 있다. 그로 인해, 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점에서는 성막 물질이 보다 많이 분리될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은 자석 집합체(93)로부터 인가되는 자장 중 수직 자장이 0인 지점일 수 있다.
타겟(92) 표면 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은, 스테이지(11)의 회전 축(A1)에 나란한 방향을 기준으로, 통과 홀(121a)에 오버랩될 수 있다. 다시 말하면, 보조선(A2)은 통과 홀(121a)을 통과할 수 있다. 통과 홀(121a)은 타겟(92) 중 성막 물질이 가장 활발하게 수행되는 지점의 하측에 구비되므로, 기판(S) 상에 성막 물질을 효율적으로 성막할 수 있다.
차단 부재(12)는 타겟(92)으로부터 분리되어 기판(S)을 향해 진행하는 성막 물질의 적어도 일부를 차단할 수 있다. 다시 말하면, 차단 부재(12)는 타겟(92)으로부터 분리되어 기판(S)을 향해 진행하는 성막 물질의 일부를 차단하고, 일부를 통과시킬 수 있다. 차단 부재(12)는 차단 바디(121), 통과 홀(121a) 및 차단 돌출부(122)를 포함할 수 있다.
차단 바디(121)는 스테이지(11) 및 타겟(92) 사이에 배치될 수 있다. 차단 바디(121)는 기판(S) 위에 배치되어, 기판(S)으로 진입하는 성막 물질의 일부를 차단할 수 있다. 차단 바디(121)는 플레이트 형상이다. 스퍼터링이 진행되는 동안, 차단 바디(121)의 표면에는 성막 물질이 쌓일 수 있다. 성막 물질은 기판(S)의 법선과 나란한 경로로 기판(S)의 표면으로 진입하는 제 1 성막 물질(P1)과, 기판(S)의 법선에 대해 기울어진 경로를 따라 기판(S)의 표면으로 진입하는 제 2 성막 물질(P2)을 포함할 수 있다. 차단 바디(121)는 제 2 성막 물질(P2)을 대부분 차단할 수 있다. 또한, 차단 바디(121)는 통과 홀(121a)로 진입하는 제 1 성막 물질(P1)을 모두 통과시킬 수 있다. 결과적으로, 기판(S) 표면 상에 성막된 성막 물질 중 제 1 성막 물질(P1)의 양은 제 2 성막 물질(P2)의 양보다 많을 수 있고, 기판(S) 표면 상에는 균일한 성막이 구현될 수 있다. 차단 바디(121)는 회전하지 않을 수 있다. 예를 들어, 차단 바디(121)는 기판(S)에 병행할 수 있다.
통과 홀(121a)은 차단 바디(121)에 형성될 수 있다. 통과 홀(121A)은 타겟(92)으로부터 분리되어 기판(S)으로 진행하는 성막 물질의 적어도 일부를 통과시킬 수 있다. 스테이지(11)가 회전하는 동안, 기판(S) 표면에 대한 통과 홀(121a)의 상대적인 위치는 계속해서 변경될 수 있다. 따라서, 기판(S) 표면 전체적으로 균일한 성막이 구현될 수 있다.
차단 돌출부(122)는 차단 바디(121)의 테두리부로부터 상방으로 돌출 형성될 수 있다. 차단 돌출부(122)는 차단 바디(121) 및 챔버(91) 사이의 공간으로 성막 물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
구동부(13)는 스테이지(11)의 회전 축(A1)에 대해 직교하는 방향으로 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있다.
도 2는 일 실시 예에 따른 스테이지 및 기판을 개념적으로 도시하는 측면도 및 부분 확대도이다.
도 2를 참조하면, 스테이지(11)는 회전 축(A1)을 중심으로 회전 가능하다. 스테이지(11) 상에 안착된 기판(S)에는 성막 물질(P)이 성막될 수 있다. 스테이지(11)는 회전하므로 기판(S)이 타겟에 노출된 영역을 지속적으로 변경할 수 있으므로, 기판(S) 상에는 균일한 성막이 구현될 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 차단 부재 및 기판을 개념적으로 도시하는 평면도이고, 도 4는 일 실시 예에 따른 차단 부재 및 기판을 개념적으로 도시하는 평면도이고, 차단 부재가 일 방향으로 이동한 상태를 도시한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 구동부(13)는 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 구동부(13)는 기판(S)에 평행 또는 수직한 방향으로 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있다. 구동부(13)는 타겟의 금속의 종류, 타겟과 기판 사이의 거리 및 자력 집합체의 자장의 세기 중 적어도 하나 이상에 기초하여 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있다.
구동부(13)는 타겟 표면의 불규칙한 소모에 따라 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 타겟은 주위 플라즈마의 세기에 따라 불규칙하게 소모될 수 있다. 구동부(13)는 타겟의 소모량에 기초하여 차단 부재(12)를 이동시킴으로써, 기판(S) 상에 균일한 성막을 구현할 수 있다.
통과 홀(121a)은 기판(S)을 부채꼴 형상으로 타겟에 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 통과 홀(121a)은 꼭지점(1211a)으로부터 멀어질수록 폭이 커지는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 통과 홀(121a)은 부채꼴 형상을 가질 수 있다.
기판(S)은 타겟으로부터 스테이지를 바라볼 때, 통과 홀(121a)을 통해 외부로 노출되는 제 1 영역(S1)과, 차단 부재(12)에 의해 가려지는 제 2 영역(S2)과, 챔버(미도시)에 의해 가려지는 제 3 영역(S3)을 포함할 수 있다(도 1 참조).
예를 들어, 스퍼터링 초기 단계에서, 통과 홀(121a)은 타겟으로부터 스테이지를 바라볼 때, 통과 홀(121a)의 꼭지점(1211a)은 기판(S)의 중심에 오버랩될 수 있다. 스퍼터링이 진행되는 동안, 구동부(13)는 차단 부재(12)를 이동시킬 수 있고, 그에 따라 기판(S)의 중심으로부터 통과 홀(121a)의 꼭지점(1211a) 사이의 거리(d)는 증가할 수 있다. 이와 같은 작동에 의하면, 기판(S)의 중심에 상대적으로 많은 양의 성막 물질이 성막되는 것이 방지될 수 있고, 균일한 성막이 구현될 수 있다.
타겟으로부터 스테이지를 바라볼 때, 통과 홀(121a)의 외각 테두리(1212a)는 기판(S)의 테두리부로부터 이격될 수 있다. 다시 말하면, 차단 바디(121) 및 기판(S) 사이에는 오버랩되지 않는 영역(A)이 구비될 수 있다. 영역(A)은 차단 부재(12)에 쌓인 성막 물질이 기판(S)으로 낙하되는 것을 방지할 수 있다.
도 3 및 도 4에는, 차단 부재(12)가 하나의 통과 홀(121a)을 구비하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않음을 밝혀 둔다. 예를 들어, 차단 부재는 서로 연통되지 않는 복수 개의 통과 홀(미도시)을 구비할 수 있다. 복수 개의 통과 홀 각각의 면적은 도시된 하나의 통과 홀(121a)의 면적보다 작을 수 있지만, 복수 개의 통과 홀의 면적의 합은 하나의 통과 홀(121a)의 면적과 대략 유사할 수 있다. 타겟으로부터 기판(S)으로 진행하는 성막 물질은 직진 성분과 사선 성분의 합이라고 할 수 있는데, 복수 개의 통과 홀을 포함하는 차단 부재(12)는, 성막 물질의 사선 성분을 효과적으로 차단할 수 있다. 다시 말하면, 복수 개의 통과 홀을 갖는 차단 부재는 하나의 통과 홀을 갖는 차단 부재에 비해 성막 물질의 사선 성분을 상대적으로 적은 양 통과시킬 수 있다.
한편, 스테이지(11, 도 1 참조)의 회전 축(A1, 도 1 참조)는 복수 개의 통과 홀 사이를 통과할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 통과 홀 각각의 일 꼭지점은 회전 축(A1)에 접하고, 복수 개의 통과 홀은 회전 축(A1)을 기준으로 서로 다른 쪽에 배치될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 복수 개의 통과 홀을 갖는 차단 부재(12)는 기판(S) 중심부를 상대적으로 긴 시간 동안 타겟에 노출시킬 수 있고, 그에 따라 기판(S) 중심부의 바텀 커버리지(bottom coverage)가 향상될 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.

Claims (13)

  1. 미세 패턴을 구비하는 기판을 지지한 상태로 회전 가능한 스테이지;
    상기 기판과 마주하는 타겟; 및
    상기 스테이지 및 타겟 사이에 배치되는 차단 바디와, 상기 차단 바디에 형성되고 상기 타겟으로부터 분리되어 상기 기판으로 진행하는 성막 물질의 적어도 일부를 통과시키는 통과 홀을 포함하는 차단 부재;
    를 포함하는 스퍼터링 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 상기 통과 홀의 꼭지점은 상기 기판의 중심에 오버랩되는 스퍼터링 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 통과 홀은 상기 꼭지점으로부터 멀어질수록 폭이 커지는 형상을 갖는 스퍼터링 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 통과 홀은 부채꼴 형상을 갖는 스퍼터링 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 상기 통과 홀의 외각 테두리는 상기 기판의 테두리로부터 이격되는 스퍼터링 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지의 회전 축은 상기 기판의 중심을 통과하는 스퍼터링 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 스테이지의 회전 축은, 상기 타겟 표면 중 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점으로부터 이격되는 스퍼터링 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 플라즈마 밀도가 가장 높게 형성되는 지점은, 상기 스테이지의 회전 축에 나란한 방향을 기준으로, 상기 통과 홀에 오버랩되는 스퍼터링 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스테이지의 회전 축과 나란한 방향 또는 상기 스테이지의 회전 축에 대해 직교하는 방향으로 상기 차단 부재를 이동시킬 수 있는 구동부를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟으로부터 상기 스테이지를 바라볼 때, 스퍼터링이 진행되는 동안, 상기 기판의 중심으로부터 상기 통과 홀의 꼭지점 사이의 거리는 증가하는 스퍼터링 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단 부재는. 상기 차단 바디의 테두리부로부터 상방으로 돌출 형성되는 차단 돌출부를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 통과 홀은 복수 개가 구비되고,
    상기 복수 개의 연통 홀은 서로 연통되지 않는 스퍼터링 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 스테이지의 회전 축은 상기 복수 개의 연통 홀 사이를 통과하는 스퍼터링 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06219783A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Central Glass Co Ltd スパツタ法による成膜方法
JPH08239759A (ja) * 1995-02-28 1996-09-17 Victor Co Of Japan Ltd 薄膜の製造方法
US20050006223A1 (en) * 2003-05-07 2005-01-13 Robert Nichols Sputter deposition masking and methods
KR20160069573A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 막 형성 방법
KR20160115783A (ko) * 2015-03-27 2016-10-06 순천향대학교 산학협력단 스퍼터 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63145765A (ja) * 1986-12-08 1988-06-17 Fuji Electric Co Ltd 酸化物薄膜の形成方法
JPH04289166A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Fujitsu Ltd スパッタリング装置
JPH09213634A (ja) * 1996-02-02 1997-08-15 Sony Corp 薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置
JPH1026698A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Nikon Corp 真空薄膜形成装置及び反射鏡の製造方法
JP3569133B2 (ja) * 1997-10-29 2004-09-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP3749383B2 (ja) * 1998-08-25 2006-02-22 株式会社昭和真空 スパッタ装置における膜厚分布制御方法とその装置
JP2002146527A (ja) * 2000-11-02 2002-05-22 Nec Kyushu Ltd スパッタ装置
JP4128770B2 (ja) * 2001-11-26 2008-07-30 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置
JP5059430B2 (ja) * 2007-01-26 2012-10-24 株式会社大阪真空機器製作所 スパッタ方法及びスパッタ装置
JP4473342B1 (ja) * 2008-12-24 2010-06-02 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置および成膜方法
JP2010144247A (ja) * 2009-06-17 2010-07-01 Canon Anelva Corp スパッタリング装置および成膜方法
CN102782182B (zh) * 2010-03-01 2015-09-09 株式会社爱发科 溅射装置
JP6224677B2 (ja) * 2012-05-09 2017-11-01 シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ スパッタリング装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06219783A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Central Glass Co Ltd スパツタ法による成膜方法
JPH08239759A (ja) * 1995-02-28 1996-09-17 Victor Co Of Japan Ltd 薄膜の製造方法
US20050006223A1 (en) * 2003-05-07 2005-01-13 Robert Nichols Sputter deposition masking and methods
KR20160069573A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 막 형성 방법
KR20160115783A (ko) * 2015-03-27 2016-10-06 순천향대학교 산학협력단 스퍼터 장치

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