WO2020003653A1 - 実装方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a mounting method.
  • An object of the present invention is to provide a mounting method capable of preventing an insufficient adherence of an adherend to a support.
  • the present invention has adopted the configuration described in the claims.
  • an expandable particle is expanded and the contact area of the adhesive layer with respect to a support body is increased, it can prevent that the adhesive force of a to-be-adhered body with respect to a support body runs short.
  • the adhesive layer is brought into a non-contact state or a non-contact portion excess state, so that the thickness of the adhesive layer becomes a barrier and the protrusions and the support are not in contact with each other. Can be prevented.
  • the removing step it is possible to prevent foreign matter from intervening between the convex portion and the support, and to ensure the contact therebetween.
  • the singulation step the individual body formed by singulating the adherend can be attached to the support. Furthermore, if the peeling step is performed, it can correspond to an adhesive layer in which another sheet is temporarily attached to one surface.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other, the X axis and the Y axis are axes within a predetermined plane, and the Z axis is an axis orthogonal to the predetermined plane. I do. Furthermore, in the present embodiment, when the direction is indicated without specifying the figure, “up” is “down” in the direction of the arrow of the Z axis, based on the case of viewing from the near side in FIG. 1 parallel to the Y axis.
  • the projection-forming surface WF1 of the semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) WF as an adherend having the projection-forming surface WF1 on which the bump BP as the projection is formed is provided.
  • a removing step PC2 for removing foreign matter adhering to the contact portion BP1 where the bump BP contacts the lead frame LF is performed.
  • a singulation process PC3 is performed in which the wafer WF is singulated to form chips CP as an individual body.
  • the thickness of the adhesive layer AL is set to be equal to or less than the height of the bump BP.
  • the pressing roller 11 (pressing means) is rolled on the adhesive layer AL, and the adhesive layer AL is pressed against the bump BP and the projection forming surface WF1. This is the step of attaching.
  • the rolling pressing roller 11 and the wafer WF are controlled by moving one of the rolling pressing roller 11 and the wafer WF, or the other is moved to move the pressing roller 11 and the wafer WF.
  • the adhesive layer AL can be attached to the wafer WF.
  • the bump BP is sunk into the adhesive layer AL by the pressing of the pressing roller 11, and the contact portion BP1 is exposed from the adhesive layer AL, or the adhesive layer AL is applied to the contact portion BP1. Becomes a thin film state and is covered.
  • the rotating brush 21 (removing means) is rotated, and the rotating rotating brush is brought into contact with the contact portion BP1, for example, a thin film is formed on the contact portion BP1.
  • This is a step of removing the adhesive layer AL that has been covered in a state as a foreign substance.
  • the rotating rotary brush 21 and the wafer WF are moved relative to each other by restricting the movement of one of the rotating brush 21 and the wafer WF, or by moving both of them.
  • the foreign matter can be removed from the contact part BP1 by moving.
  • the singulation process PC3 rotates the rotating blade 31 (cutting means) and moves the rotating rotating blade 31 along a line to cut the wafer WF, thereby obtaining the wafer.
  • This is a step of forming a chip CP by singulating the wafer WF.
  • the rotating rotary blade 31 and the wafer WF are controlled by moving one of the rotating rotary blade 31 and the wafer WF while controlling the other, or by moving both of them. Are relatively moved to singulate the wafer WF.
  • the mounting step PC4 is a step of attaching the chip CP on which the adhesive layer AL is laminated to the lead frame LF. That is, as shown in FIG. 1D, the mounting process PC4 sucks and holds the chip CP by the holding plate 41 (holding means) and moves the contact portion BP1 of the sucked and held chip CP to a predetermined position of the lead frame LF. After the contact, the chip CP is vibrated by an ultrasonic vibration unit (not shown) to perform a bonding process by ultrasonic bonding. As a result, the chip CP is attached to a predetermined position of the lead frame LF only by joining the protrusions via the bumps BP.
  • the adhesive layer AL before the application of the heat HT to the adhesive layer AL in the energy applying step PC5, the adhesive layer AL is not in contact with the lead frame LF in a non-contact state (see FIG. 1D).
  • the non-contact portion is in an excessively contacted state (see FIGS. 1 (D1) and (D2)).
  • the non-contact portion excess state means that the adhesive layer AL is in contact with the lead frame LF with respect to the entire area of the adhesive layer AL that is stacked on the chip CP and exposed on the lead frame LF side. It means a state where the ratio of the initial contact area is less than 50%.
  • the energy applying step PC5 is a step of generating heat HT by the coil heater 51 (heating means) and applying the heat HT to the adhesive layer AL to expand the expandable particles SG, as shown in FIG. is there.
  • the expandable particles SG added to the adhesive layer AL expand, and the adhesive layer AL comes into contact with the lead frame LF, so that the contact area is larger than before the expandable particles SG are expanded.
  • the chip CP which has been attached to the lead frame LF in the state of only the convex joint or the convex joint and the non-contact portion excessively adheres to the lead frame LF even with most of the adhesive layer AL.
  • the expandable particles SG are expanded and the contact area of the adhesive layer AL with the lead frame LF is increased, it is possible to prevent the adhesive strength of the chip CP with the lead frame LF from being insufficient. can do.
  • the means and steps in the present invention are not limited in any way as long as they can perform the operations, functions, or steps described for the means and steps, much less the constituents of only one embodiment shown in the above embodiment and There is no limitation to the process at all.
  • the mounting step is a step of bringing the convex portion into contact with the support and attaching the adherend on which the adhesive layer is laminated to the support, in light of the common general knowledge at the time of filing the application, it is within the technical scope thereof. They are not limited at all (the same applies to other means and steps).
  • a release sheet RL as another sheet is temporarily attached to one surface AL1 of the adhesive layer AL, and in the laminating step PC1, the other surface AL2 of the adhesive layer AL is connected to the convex portion forming surface WF1.
  • the adhesive layer AL is brought into contact with the adhesive layer AL to be laminated on the convex part forming surface WF1, and a peeling step PC6 for peeling the peeling sheet RL from the wafer WF on which the adhesive layer AL is laminated is performed before the mounting step PC4. Is also good. That is, in the laminating process PC1, as shown in FIG.
  • Step PC6 is performed.
  • the peeling sheet RL may be peeled from the adhesive layer AL by sucking and holding the peeling sheet RL with the suction holding member 61 (holding means).
  • the peeling sheet RL is sucked by moving one of the suction holding member 61 holding the peeling sheet RL and the wafer WF while regulating the other, or moving both of them.
  • the release sheet can be released from the adhesive layer AL by relatively moving the held suction holding member 61 and the wafer WF.
  • the laminating process PC1 holds the adhesive layer AL by a holding member that is supported by an output shaft of a linear motion motor (drive device) and that can be held by suction by a decompression means such as a decompression pump or a vacuum ejector.
  • a decompression means such as a decompression pump or a vacuum ejector.
  • a process of attaching the adhesive layer AL to the convex portion forming surface WF1 by a known sticking device or manually may be used. .
  • the removal process PC2 may be performed, for example, after the singulation process PC3, may be performed at any stage between the lamination process PC1 and the mounting process PC4, or may be performed by, for example, a plasma process.
  • the foreign matter may be removed from the contact portion BP1 by a device that removes foreign matter from the portion BP1, a removing device that removes foreign matter from the contact portion BP1 by applying hot air or a cleaning liquid, or a known removing device or a device that removes foreign matter from the contact portion BP1 by hand.
  • other than the above-mentioned removal means for example, sandpaper, spraying of gas, or the like may be employed, or may not be performed in the mounting method of the present invention.
  • examples of the foreign matter to be removed from the contact portion BP1 include dirt and dust attached to the contact portion BP1 in addition to the adhesive layer AL.
  • the singulation process PC3 may be performed, for example, before the lamination process PC1, may be performed between the lamination process PC1 and the removal process PC2, or may be performed when the removal process PC2 is not performed.
  • the process may be performed between the PC1 and the mounting process PC4, may be performed at any stage before the mounting process PC4, and the singulation process PC3 may be performed, for example, as a modified portion forming unit.
  • the laser irradiator (modified unit forming means) emits a laser, and the laser irradiator that emits the laser is moved along a line to cut the wafer WF, thereby forming a modified portion on the wafer WF and forming the modified portion.
  • a singulation device that applies an external force such as tension or vibration to the wafer WF on which the quality part is formed to form the chip CP
  • a known singulation device or a device in which the wafer WF is singulated by hand may be used. Good and book May not be performed in the implementation of light.
  • the individualization process PC3 is a process of forming a chip CP by forming a reformed portion on the wafer WF, an external force is applied to the wafer WF on which the reformed portion is formed, and the reformed layer is started.
  • the external force applying step of forming a crack may be performed in the singulation step PC3.
  • the modified portion forming means in addition to laser light, imparts electromagnetic waves, vibration, heat, chemicals, chemical substances, and the like, and adjusts the characteristics, characteristics, properties, materials, compositions, configurations, dimensions, and the like of the wafer WF.
  • the wafer WF may be weakened, pulverized, liquefied, or hollowed out to form a reformed portion.
  • Such a reformed portion separates the adherend into individual pieces.
  • Any material that can form a body may be used.
  • the wafer WF may be divided into two or three or more, and the shape of the chip CP formed by singulation may be circular, elliptical, triangular or square. Any shape such as the above polygons may be used.
  • the mounting process PC4 grips the chip CP with a chuck cylinder (driving device), and mounts the contact portion BP1 of the chip CP gripped by the chuck cylinder in contact with a predetermined position of the lead frame LF, as well as a known mounting device.
  • the chip CP may be attached to the lead frame LF by a mounting device or manually, or the adhesive layer AL and the lead frame LF may not be brought into a non-contact state or a non-contact part excess state.
  • the ratio of the initial contact area may be, for example, 50% or more, such as 51%, 75%, 99%, etc.
  • the bonding process performed in the mounting process PC4 uses any method such as bonding with an adhesive (adhesive) agent, an adhesive (adhesive) sheet, an adhesive (adhesive) tape, and the like, as well as joining with melting, seizure, solder, or the like. It may be a joining process.
  • a heat HT is generated by an infrared heater, and the heat HT is applied to the adhesive layer AL to expand the expandable particles SG.
  • a heat HT may be applied to the AL to expand the expandable particles SG, or a heating means other than the above, such as a heating side of a heat pipe or a hot water heater may be used.
  • the heat HT may be applied to the entire adhesive layer AL at one time, the heat HT may be applied partially to the adhesive layer AL, or the expansion may be performed.
  • the time in which the heat HT is applied to the adhesive layer AL may be arbitrarily determined in consideration of the characteristics, characteristics, properties, materials, compositions, configurations, and the like of the conductive particles SG, or the wafer WF or chip
  • the heat HT may be gradually applied from one end to the other end of the CP, the heat HT may be applied to the adhesive layer AL from the wafer WF or the chip CP, or the heat HT may be applied from the lead frame LF.
  • the heat HT may be applied to the adhesive layer AL, or the heat HT may be applied to the adhesive layer AL from the side of the wafer WF or the chip CP or the lead frame LF.
  • Layer A Thermal HT may be one applied to.
  • the energy applying process PC5 may be performed in the mounting process PC4.
  • the wafer WF on which the adhesive layer AL is laminated is attached to the lead frame LF in the mounting process PC4 (in this case, The bonding process may or may not be performed), and the heating means incorporated in the holding plate 41 is driven to apply heat HT to the adhesive layer AL to expand the expandable particles SG. Then, the contact area of the adhesive layer AL with the lead frame LF may be increased.
  • the separation step 6 may be performed between the singulation step PC3 and the mounting step PC4 when the removal step PC2 is not performed.
  • the adhesive layer with the release sheet RL is used in the singulation step PC3. It is sufficient that the wafer WF on which the AL is laminated is divided into individual pieces by the rotary blade 31, and the peeling step 6 may be performed at any stage before the mounting step PC4.
  • a strip-shaped or single-wafer peeling tape is attached to the peeling sheet RL, and the peeling tape attached to the peeling sheet RL is gripped by a chuck cylinder (driving device).
  • the release sheet RL may be peeled off from the adhesive layer AL by a known peeling device or manually.
  • Other sheets to be peeled in the peeling step 6 may be an adhesive sheet in which a predetermined adhesive layer is laminated on a predetermined base material, a cover sheet for protecting the adhesive layer AL, or the like.
  • electromagnetic waves such as ultraviolet rays, visible light, sound waves, X-rays or gamma rays, hot water or hot air may be used depending on the characteristics, characteristics, properties, materials, compositions, configurations, and the like of the expandable particles SG. Any energy, such as heat, may be used as the predetermined energy.
  • the expandable particles SG include, for example, fine particles in which a substance that easily gasifies and expands by heating, such as isobutane, propane, and pentane, is included in an elastic shell.
  • the expandable particles and the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-254580, Japanese Patent Application No. 2011-212528, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-261842 are not limited.
  • a foaming agent which generates carbon dioxide gas and nitrogen and has an effect similar to that of the expandable particles may be employed. 15.
  • a gas generating agent such as an azo compound which generates a gas by ultraviolet rays disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-278333 may be used to expand the shell.
  • rubber or resin which expands by heating may be used.
  • Etc. may be employed, and in addition, baking soda, sodium hydrogen carbonate, baking powder and the like may be employed.
  • the wafer WF or the chip CP is set to a predetermined thickness in a stage before or after the stacking process PC1, the removing process PC2, the singulation process PC3, the mounting process PC4, the energy applying process PC5, or the peeling process PC6.
  • a grinding (polishing) step of grinding (polishing) up to may be performed.
  • the adhesive layer AL may be in an adhesive form such as pressure-sensitive adhesive property and heat-sensitive adhesive property. When the heat-sensitive adhesive layer AL is employed, an appropriate heating of the adhesive layer AL is performed. The bonding may be performed by an appropriate method such as providing a heating means such as a coil heater or a heating side of a heat pipe.
  • the adhesive layer AL may be, for example, a single layer having only an adhesive layer, a double-sided adhesive type having one or more intermediate layers, or a single layer or a multilayer having no intermediate layer.
  • the shape may be a circle, an ellipse, a polygon such as a triangle or a quadrangle, or any other shape.
  • the expandable particles SG may be added only to the adhesive layer AL, may be added only to the intermediate layer, or may be added to the adhesive layer AL. It may be added to both of the intermediate layer.
  • Adherends and supports are, for example, foods, resin containers, semiconductor wafers such as silicon semiconductor wafers and compound semiconductor wafers, circuit boards, information recording substrates such as optical disks, glass plates, glassware, steel plates, metal products, pottery, It may be a simple substance such as a wooden board, a wooden product or a resin, or may be a composite formed by two or more of them, and may be a member or an article of any form.
  • the material, type, shape, and the like are not particularly limited, and the protrusions formed on such adherends include, for example, fasteners such as bolts and nuts, and resin-molded protrusions.
  • the shape of the adherend, the support, and the projections may be, for example, a circle, an ellipse, a polygon such as a triangle or a quadrangle, a cube, a cuboid, a sphere, a cylinder, a prism, or a cone. Shape, pyramid, etc. Whatever the shape may be.
  • the driving devices in the above embodiment include a rotating motor, a linear motion motor, a linear motor, a single-axis robot, an electric device such as a multi-joint robot having two or three or more joints, an air cylinder, a hydraulic cylinder, and a rod.
  • Actuators and the like such as a less cylinder and a rotary cylinder can be employed, and a combination of them directly or indirectly can be employed.
  • a rotating member such as a roller
  • a driving device for rotating the rotating member may be provided, or the surface of the rotating member or the rotating member itself may be deformable such as rubber or resin.
  • It may be constituted by a member, may be constituted by a member that does not deform the surface of the rotating member or the rotating member itself, or adopts another member such as a shaft or a blade that rotates or does not rotate instead of the roller
  • a pressing means such as a pressing roller or a pressing head or a pressing member such as a pressing member that presses an object to be pressed
  • rollers, round bars, blades A member such as a material, rubber, resin, sponge, or the like, or a configuration in which the material is pressed by blowing a gas such as air or gas, or a deformable portion such as rubber or resin may be used.
  • a member that supports or holds a supported member such as a supporting (holding) means or a supporting (holding) member.
  • the supported member with gripping means such as a chuck or chuck cylinder, Coulomb force, adhesive (adhesive sheet, adhesive tape), adhesive (adhesive sheet, adhesive tape), magnetic force, Bernoulli suction, suction suction, drive equipment, etc. ) May be adopted, or when a member to be cut, such as a cutting means or a cutting member, is cut or a cut or a cutting line is formed in the member to be cut, the above-described example is used.
  • a cutter blade, laser cutter, ion beam, thermal power, heat, water pressure, heating wire, a device that cuts by spraying gas or liquid, etc. was adopted, or an appropriate driving device was combined In things May be or so as to cut by moving the one that disconnection.

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Abstract

被着体の支持体に対する接着力が不足することを防止することができる実装方法は、凸部ＢＰが形成された凸部形成面ＷＦ１を有する被着体ＷＦの当該凸部形成面ＷＦ１に、所定のエネルギーＨＴが付与されることで膨張する膨張性粒子ＳＧが添加された接着剤層ＡＬを積層する積層工程ＰＣ１と、凸部ＢＰを支持体ＬＦに接触させ、接着剤層ＡＬが積層された被着体ＷＦを当該支持体ＬＦに取り付ける実装工程ＰＣ４と、接着剤層ＡＬにエネルギーＨＴを付与して膨張性粒子ＳＧを膨張させることで、当該膨張性粒子ＳＧを膨張させる前に比べ、支持体ＬＦに対する接着剤層ＡＬの接触領域を増大させるエネルギー付与工程ＰＣ５とを実施する方法である。

Description

実装方法
　本発明は、実装方法に関する。
　従来、凸部が形成された被着体を所定の支持体に取り付ける実装方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
日本国特開２０１７－１０３３６２号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された従来の半導体装置の製造方法（実装方法）では、樹脂層１３（接着剤層）が基板４（支持体）に積極的に接着されないので、バンプ付チップ２ａ（被着体）は、バンプ２２（凸部）を介した凸部接合が主となって支持体に接合されるだけなので、被着体の支持体に対する接着力が不足する可能性がある。
　本発明の目的は、被着体の支持体に対する接着力が不足することを防止することができる実装方法を提供することにある。
　本発明は、請求項に記載した構成を採用した。
　本発明によれば、膨張性粒子を膨張させ、支持体に対する接着剤層の接触領域を増大させるので、被着体の支持体に対する接着力が不足することを防止することができる。
　また、被着体を支持体に取り付けた際、接着剤層を未接触状態または未接触部過多状態とすることで、接着剤層の厚みが障壁となって凸部と支持体とが未接触となることを防止することができる。
　さらに、除去工程を実施することで、凸部と支持体との間に異物が介在することを防止し、それらの接触を確実なものとすることができる。
　また、個片化工程を実施すれば、被着体を個片化して形成した個片体を支持体に取り付けることができる。
　さらに、剥離工程を実施すれば、一方の面に他のシートが仮着された接着剤層の態様のものに対応することができる。
（Ａ）～（Ｇ）は、本発明の実施形態に係る実装方法の説明図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Ｙ軸と平行な図１中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向で「後」がその逆方向とする。
　本発明の実装方法は、凸部としてのバンプＢＰが形成された凸部形成面ＷＦ１を有する被着体としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう）ＷＦの当該凸部形成面ＷＦ１に、所定のエネルギーとしての熱ＨＴが付与されることで膨張する膨張性粒子ＳＧが添加された接着剤層ＡＬを積層する積層工程ＰＣ１と、バンプＢＰを支持体としてのリードフレームＬＦに接触させ、接着剤層ＡＬが積層されたウエハＷＦを当該リードフレームＬＦに取り付ける実装工程ＰＣ４と、接着剤層ＡＬに熱ＨＴを付与して膨張性粒子ＳＧを膨張させることで、当該膨張性粒子ＳＧを膨張させる前に比べ、リードフレームＬＦに対する接着剤層ＡＬの接触領域を増大させるエネルギー付与工程ＰＣ５とを実施する方法である。
　なお、本実施形態では、積層工程ＰＣ１と実装工程ＰＣ４との間で、バンプＢＰがリードフレームＬＦに接触する接触部ＢＰ１に付着している異物を除去する除去工程ＰＣ２が実施され、さらに、実装工程ＰＣ４の前段で、ウエハＷＦを個片化して個片体としてのチップＣＰを形成する個片化工程ＰＣ３が実施される。また、接着剤層ＡＬの厚みは、バンプＢＰの高さ以下に設定されている。
　積層工程ＰＣ１は、図１（Ａ）に示すように、押圧ローラ１１（押圧手段）を接着剤層ＡＬ上で転動させ、当該接着剤層ＡＬをバンプＢＰおよび凸部形成面ＷＦ１に押圧して貼付する工程である。この積層工程ＰＣ１では、転動する押圧ローラ１１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、転動する押圧ローラ１１とウエハＷＦとを相対移動させてウエハＷＦに接着剤層ＡＬを貼付することができる。
　なお、積層工程ＰＣ１を終えると、バンプＢＰは、押圧ローラ１１の押圧によって接着剤層ＡＬにめり込み、接触部ＢＰ１が接着剤層ＡＬから表出した状態、または、接触部ＢＰ１に接着剤層ＡＬが薄膜状態となって覆い被さった状態となる。
　除去工程ＰＣ２は、図１（Ｂ）に示すように、回転ブラシ２１（除去手段）を回転させ、当該回転する回転ブラシを接触部ＢＰ１に接触させることで、例えば、当該接触部ＢＰ１上に薄膜状態となって覆い被さっている接着剤層ＡＬを異物として除去する工程である。この除去工程ＰＣ２では、回転する回転ブラシ２１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、回転する回転ブラシとウエハＷＦとを相対移動させて接触部ＢＰ１から異物を除去することができる。
　個片化工程ＰＣ３は、図１（Ｃ）に示すように、回転ブレード３１（切断手段）を回転させ、当該回転する回転ブレード３１をウエハＷＦの切断予定ラインに沿って移動させることで、当該ウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成する工程である。この個片化工程ＰＣ３では、回転する回転ブレード３１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、回転する回転ブレード３１とウエハＷＦとを相対移動させてウエハＷＦを個片化することができる。
　実装工程ＰＣ４は、接着剤層ＡＬが積層されたチップＣＰをリードフレームＬＦに取り付ける工程である。すなわち、実装工程ＰＣ４は、図１（Ｄ）に示すように、保持プレート４１（保持手段）でチップＣＰを吸着保持し、吸着保持したチップＣＰの接触部ＢＰ１をリードフレームＬＦの所定の位置に接触させた後、図示しない超音波振動手段でチップＣＰを振動させ、超音波接合による接合処理を行う工程である。これにより、チップＣＰは、バンプＢＰを介した凸部接合のみによってリードフレームＬＦの所定の位置に取り付けられる。
　なお、本実施形態では、エネルギー付与工程ＰＣ５で接着剤層ＡＬに熱ＨＴを付与する前段で、接着剤層ＡＬがリードフレームＬＦに接触していない未接触状態（図１（Ｄ）参照）、または、部分的に接触した未接触部過多状態（図１（Ｄ１）、（Ｄ２）参照）とする。
　ここで、未接触部過多状態とは、チップＣＰに積層されてリードフレームＬＦ側に表出している接着剤層ＡＬ全体の領域に対し、当該接着剤層ＡＬがリードフレームＬＦに接触している初期接触領域の割合が５０％未満の状態のことをいう。
　エネルギー付与工程ＰＣ５は、図１（Ｅ）に示すように、コイルヒータ５１（加熱手段）によって熱ＨＴを発し、当該熱ＨＴを接着剤層ＡＬに付与して膨張性粒子ＳＧを膨張させる工程である。これにより、接着剤層ＡＬに添加されている膨張性粒子ＳＧが膨張し、当該接着剤層ＡＬがリードフレームＬＦに当接することで、膨張性粒子ＳＧを膨張させる前に比べてその接触領域が増大する。この結果、凸部接合のみ、または、凸部接合および未接触部過多状態でリードフレームＬＦに取り付けられていたチップＣＰは、接着剤層ＡＬの大部分によってもリードフレームＬＦに接着する。
　以上のような実施形態によれば、膨張性粒子ＳＧが膨張され、リードフレームＬＦに対する接着剤層ＡＬの接触領域が増大されるので、チップＣＰのリードフレームＬＦに対する接着力が不足することを防止することができる。
　本発明における手段および工程は、それら手段および工程について説明した動作、機能または工程を果たすことができる限りなんら限定されることはなく、まして、前記実施形態で示した単なる一実施形態の構成物や工程に全く限定されることはない。例えば、実装工程は、凸部を支持体に接触させ、接着剤層が積層された被着体を当該支持体に取り付ける工程であれば、出願当初の技術常識に照らし合わせ、その技術範囲内のものであればなんら限定されることはない（その他の手段および工程も同じ）。
　例えば、接着剤層ＡＬの一方の面ＡＬ１には、他のシートとしての剥離シートＲＬが仮着されており、積層工程ＰＣ１では、接着剤層ＡＬの他方の面ＡＬ２が凸部形成面ＷＦ１に接触させられて当該接着剤層ＡＬが凸部形成面ＷＦ１に積層され、実装工程ＰＣ４の前段で、接着剤層ＡＬが積層されたウエハＷＦから剥離シートＲＬを剥離する剥離工程ＰＣ６が実施されてもよい。
　すなわち、積層工程ＰＣ１では、図１（Ｆ）に示すように、剥離シートＲＬを介して押圧ローラ１１により接着剤層ＡＬがウエハＷＦの凸部形成面ＷＦ１に押圧されて貼付され、その後に剥離工程ＰＣ６が実施される。
　剥離工程ＰＣ６は、図１（Ｇ）に示すように、吸着保持部材６１（保持手段）で剥離シートＲＬを吸着保持することにより、接着剤層ＡＬから剥離シートＲＬを剥離するものでもよい。この剥離工程は、剥離シートＲＬを吸着保持した吸着保持部材６１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、剥離シートＲＬを吸着保持した吸着保持部材６１とウエハＷＦとを相対移動させて剥離シートを接着剤層ＡＬから剥離することを可能にする。
　積層工程ＰＣ１は、直動モータ（駆動機器）の出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって吸着保持が可能な保持部材で接着剤層ＡＬを吸着保持し、当該保持部材で保持した接着剤層ＡＬを凸部形成面ＷＦ１に押圧して貼付する貼付装置の他、公知の貼付装置や人手によって接着剤層ＡＬを凸部形成面ＷＦ１に貼付するという工程であってもよい。
　除去工程ＰＣ２は、例えば、個片化工程ＰＣ３の後段で実施されてもよく、積層工程ＰＣ１と実装工程ＰＣ４との間であればどの段階で実施されてもよいし、例えば、プラズマ処理によって接触部ＢＰ１から異物を除去するものでもよいし、熱風や洗浄液を付与し、接触部ＢＰ１から異物を除去する除去装置の他、公知の除去装置や人手によって接触部ＢＰ１から異物を除去するものでもよいし、除去手段として、上記のもの以外に、例えば、サンドペーパや気体の吹付等が採用されてもよいし、本発明の実装方法において実施されなくてもよい。
　なお、接触部ＢＰ１から除去する異物としては、接着剤層ＡＬの他、当該接触部ＢＰ１に付着した汚れや塵埃等が例示できる。
　個片化工程ＰＣ３は、例えば、積層工程ＰＣ１の前段で実施されてもよいし、積層工程ＰＣ１と除去工程ＰＣ２との間で実施されてもよいし、除去工程ＰＣ２が実施されない場合の積層工程ＰＣ１と実装工程ＰＣ４との間で実施されてもよいし、実装工程ＰＣ４の前段であればどの段階で実施されてもよいし、個片化工程ＰＣ３は、例えば、改質部形成手段としてのレーザ照射器（改質部形成手段）によってレーザを発し、当該レーザを発するレーザ照射器をウエハＷＦの切断予定ラインに沿って移動させることで、当該ウエハＷＦに改質部を形成し、当該改質部が形成されたウエハＷＦに張力や振動等の外力を付与してチップＣＰを形成する個片化装置の他、公知の個片化装置や人手によってウエハＷＦが個片化されるものでもよいし、本発明の実装方法において実施されなくてもよい。
　なお、個片化工程ＰＣ３が、ウエハＷＦに改質部を形成してチップＣＰを形成する工程である場合、当該改質部が形成されたウエハＷＦに外力を付与し、改質層を起点とした亀裂を形成するという外力付与工程を個片化工程ＰＣ３で行ってもよい。
　改質部形成手段として用いられるものは、レーザ光の他に、電磁波、振動、熱、薬品、化学物質等を付与し、ウエハＷＦの特性、特質、性質、材質、組成、構成、寸法等を変更することで、ウエハＷＦを脆弱化、粉砕化、液化または空洞化して改質部を形成するものであってもよく、このような改質部は、被着体を個片化して個片体を形成することができるものであればどのようなものでもよい。
　個片化工程ＰＣ３では、ウエハＷＦが２分割にされてもよいし、３分割以上にされてもよいし、個片化によって形成されるチップＣＰの形状は、円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形等、どのような形状であってもよい。
　実装工程ＰＣ４は、チャックシリンダ（駆動機器）でチップＣＰを把持し、当該チャックシリンダで把持したチップＣＰの接触部ＢＰ１をリードフレームＬＦの所定の位置に接触させて取り付ける実装装置の他、公知の実装装置や人手によってチップＣＰをリードフレームＬＦに取り付けるものでもよいし、接着剤層ＡＬとリードフレームＬＦとが未接触状態または、未接触部過多状態にされないものでもよく、例えば、エネルギー付与工程ＰＣ５で接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与される前段で、初期接触領域の割合が、例えば、５１％、７５％、９９％等のような５０％以上の割合であってもよく、要はエネルギー付与工程ＰＣ５で膨張性粒子ＳＧを膨張させたときに、当該膨張性粒子ＳＧを膨張させる前に比べ、リードフレームＬＦに対する接着剤層ＡＬの接触領域を増大させることが可能であればよい。
　実装工程ＰＣ４で実施される接合処理は、接着（粘着）剤、接着（粘着）シート、接着（粘着）テープ等による接合の他、溶融、焼き付き、はんだ等による接合等、どのような方法を用いる接合処理であってもよい。
　エネルギー付与工程ＰＣ５は、赤外線ヒータによって熱ＨＴを発し、当該熱ＨＴを接着剤層ＡＬに付与して膨張性粒子ＳＧを膨張させるエネルギー付与装置の他、公知のエネルギー付与装置や人手によって接着剤層ＡＬに熱ＨＴを付与して膨張性粒子ＳＧを膨張させるものでもよいし、加熱手段として、上記のもの以外に、例えば、ヒートパイプの加熱側や温水給湯器等が採用されるものでもよい。
　エネルギー付与工程ＰＣ５は、接着剤層ＡＬに対して全体に一括で熱ＨＴが付与されるものでもよいし、接着剤層ＡＬに対して部分的に熱ＨＴが付与されるものでもよいし、膨張性粒子ＳＧの特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して、接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与される時間を任意に決定できる工程であってもよいし、ウエハＷＦまたはチップＣＰの一端から他端に向けて徐々に熱ＨＴが付与されるものでもよいし、ウエハＷＦまたはチップＣＰ側から接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与されるものでもよいし、リードフレームＬＦ側から接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与されるものでもよいし、ウエハＷＦまたはチップＣＰやリードフレームＬＦの側方から接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与されるものでもよく、何れの位置から接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与されるものでもよい。
　エネルギー付与工程ＰＣ５は、実装工程ＰＣ４内で実施されてもよく、この場合、例えば、実装工程ＰＣ４で、接着剤層ＡＬが積層されたウエハＷＦがリードフレームＬＦに取り付けされた際（この際、接合処理は実施されてもよいし、実施されなくてもよい）、保持プレート４１に内蔵した加熱手段が駆動され、接着剤層ＡＬに熱ＨＴが付与されて膨張性粒子ＳＧが膨張されることで、リードフレームＬＦに対する接着剤層ＡＬの接触領域が増大されればよい。
　剥離工程６は、除去工程ＰＣ２が実施されない場合の個片化工程ＰＣ３と実装工程ＰＣ４との間で実施されてもよく、この場合、個片化工程ＰＣ３では、剥離シートＲＬ付の接着剤層ＡＬが積層されたウエハＷＦが回転ブレード３１で個片化されればよく、実装工程ＰＣ４の前段であればどの段階で剥離工程６が実施されてもよい。
　また、剥離工程６は、帯状または枚葉の剥離用テープを剥離シートＲＬに貼付し、剥離シートＲＬに貼付した剥離用テープをチャックシリンダ（駆動機器）で把持し、当該チャック部材とウエハＷＦとを相対移動させて剥離シートＲＬを接着剤層ＡＬから剥離する剥離装置の他、公知の剥離装置や人手によって剥離シートＲＬが接着剤層ＡＬから剥離されるものでもよい。
　剥離工程６において剥離の対象とする他のシートは、所定の基材に所定の接着剤層が積層された接着シートや、接着剤層ＡＬを保護するカバーシート等であってもよい。
　接着剤層ＡＬには、紫外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波や、熱湯や熱風等の熱等、どのようなエネルギーで膨張する膨張性粒子ＳＧが添加されているものが採用されてもよく、エネルギー付与工程ＰＣ５では、それら膨張性粒子ＳＧの特性、特質、性質、材質、組成および構成等によって、紫外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波や、熱湯や熱風等の熱等、どのようなエネルギーを所定のエネルギーとしてもよく、膨張性粒子ＳＧを膨張させることで、当該膨張性粒子ＳＧを膨張させる前に比べ、支持体に対する接着剤層ＡＬの接触領域を増大させることができれば何でもよい。
　膨張性粒子ＳＧには、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱によって容易にガス化して膨張する物質が弾性を有する殻内に内包された微粒子等を例示することができ、日本国特許出願の特願２０１７－７３２３６、日本国特開２０１３－１５９７４３、日本国特開２０１２－１６７１５１、日本国特開２００１－１２３００２等で開示されている熱発泡性微粒子や、日本国特開２０１３－４７３２１、日本国特開２００７－２５４５８０、日本国特開２０１１－２１２５２８、日本国特開２００３－２６１８４２等で開示されている膨張性粒子等、何ら限定されるものではなく、例えば、熱分解して、水、炭酸ガス、窒素を発生させて膨張性粒子と類似の効果を奏する発泡剤を採用してもよいし、日本国特開２０１６－５３１１５、日本国特開平７－２７８３３３で開示されている紫外線により気体を発生するアゾ化合物等の気体発生剤で殻を膨張させるものを採用してもよいし、例えば、加熱によって膨張するゴムや樹脂等を採用してもよいし、その他、重曹、炭酸水素ナトリウム、ベーキングパウダ等を採用してもよい。
　本発明の実装方法では、積層工程ＰＣ１、除去工程ＰＣ２、個片化工程ＰＣ３、実装工程ＰＣ４、エネルギー付与工程ＰＣ５または剥離工程ＰＣ６の前段や後段等で、ウエハＷＦまたはチップＣＰを所定の厚みにまで研削（研磨）する研削（研磨）工程が実施されてもよい。
　接着剤層ＡＬは、感圧接着性、感熱接着性等の接着形態のものであってもよく、感熱接着性の接着剤層ＡＬが採用された場合、当該接着剤層ＡＬを加熱する適宜なコイルヒータやヒートパイプの加熱側等の加熱手段を設けるといった適宜な方法で接着すればよい。また、接着剤層ＡＬは、例えば、接着剤層だけの単層のもの、単数または複数の中間層を有する両面接着型のものや、中間層のない単層又は複層のものであってよいし、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、その他どのような形状であってもよい。なお、接着剤層ＡＬが中間層を有する場合、膨張性粒子ＳＧは、接着剤層ＡＬのみに添加されていてもよいし、中間層のみに添加されていてもよいし、接着剤層ＡＬと中間層との両方に添加されていてもよい。
　被着体および支持体は、例えば、食品、樹脂容器、シリコン半導体ウエハや化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハ、回路基板、光ディスク等の情報記録基板、ガラス板、ガラス器具、鋼板、金属製品、陶器、木板、木製品または樹脂等の単体物であってもよいし、それら２つ以上で形成された複合物であってもよく、任意の形態の部材や物品なども対象とすることができるし、その材質、種別、形状等は、特に限定されることはないし、そのような被着体に形成された凸部は、例えば、ボルトやナット等の留め具によるものや、樹脂成型された突出部等、どのようなものでもよいし、被着体、支持体および凸部の形状は、例えば、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、立方体、直方体、球形、円柱形、角柱形、円錐形、角錐形等、その他どのような形状であってもよい。
　前記実施形態における駆動機器には、回動モータ、直動モータ、リニアモータ、単軸ロボット、２軸または３軸以上の関節を備えた多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダ及びロータリシリンダ等のアクチュエータ等を採用することができる上、それらを直接的又は間接的に組み合せたものを採用することもできる。
　前記実施形態において、ローラ等の回転部材が採用されている場合、当該回転部材を回転駆動させる駆動機器を備えてもよいし、回転部材の表面や回転部材自体をゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、回転部材の表面や回転部材自体を変形しない部材で構成してもよいし、ローラの代わりに回転するまたは回転しないシャフトやブレード等の他の部材を採用してもよいし、押圧ローラや押圧ヘッド等の押圧手段や押圧部材といった被押圧物を押圧するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、ローラ、丸棒、ブレード材、ゴム、樹脂、スポンジ等の部材を採用したり、大気やガス等の気体の吹き付けにより押圧する構成を採用したりしてもよいし、押圧するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、支持（保持）手段や支持（保持）部材等の被支持部材を支持または保持するものが採用されている場合、メカチャックやチャックシリンダ等の把持手段、クーロン力、接着剤（接着シート、接着テープ）、粘着剤（粘着シート、粘着テープ）、磁力、ベルヌーイ吸着、吸引吸着、駆動機器等で被支持部材を支持（保持）する構成を採用してもよいし、切断手段や切断部材等の被切断部材を切断または、被切断部材に切込や切断線を形成するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、カッター刃、レーザカッタ、イオンビーム、火力、熱、水圧、電熱線、気体や液体等の吹付け等で切断するものを採用したり、適宜な駆動機器を組み合わせたもので切断するものを移動させて切断するようにしたりしてもよい。
　　ＡＬ…接着剤層
　　ＢＰ…バンプ（凸部）
　　ＢＰ１…接触部
　　ＰＣ１…積層工程
　　ＰＣ２…除去工程
　　ＰＣ３…個片化工程
　　ＰＣ４…実装工程
　　ＰＣ５…エネルギー付与工程
　　ＰＣ６…剥離工程
　　ＬＦ…支持体（リードフレーム）
　　ＳＧ…膨張性粒子
　　ＷＦ…半導体ウエハ（被着体）
　　ＷＦ１…凸部形成面

Claims (5)

  1. 　凸部が形成された凸部形成面を有する被着体の当該凸部形成面に、所定のエネルギーが付与されることで膨張する膨張性粒子が添加された接着剤層を積層する積層工程と、
    　前記凸部を支持体に接触させ、前記接着剤層が積層された前記被着体を当該支持体に取り付ける実装工程と、
    　前記接着剤層に前記エネルギーを付与して前記膨張性粒子を膨張させることで、当該膨張性粒子を膨張させる前に比べ、前記支持体に対する前記接着剤層の接触領域を増大させるエネルギー付与工程とを実施することを特徴とする実装方法。
  2. 　前記接着剤層の厚みは、前記凸部の高さ以下に設定され、前記エネルギー付与工程で前記接着剤層に前記エネルギーを付与する前段で、前記接着剤層が前記支持体に接触していない未接触状態、または、部分的に接触した未接触部過多状態とすることを特徴とする請求項１に記載の実装方法。
  3. 　前記積層工程と実装工程との間で、前記凸部が前記支持体に接触する接触部に付着している異物を除去する除去工程を実施することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の実装方法。
  4. 　前記実装工程の前段で、前記被着体を個片化して個片体を形成する個片化工程を実施し、前記実装工程では、前記接着剤層が積層された前記個片体を支持体に取り付けることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の実装方法。
  5. 　前記接着剤層の一方の面には、他のシートが仮着され、
    　前記積層工程では、前記接着剤層の他方の面を前記凸部形成面に接触させて当該接着剤層を前記凸部形成面に積層し、
    　前記実装工程の前段で、前記接着剤層が積層された前記被着体から前記他のシートを剥離する剥離工程を実施することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の実装方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7676839B2 (ja) * 2021-03-15 2025-05-15 日産化学株式会社 積層体の製造方法、及び半導体基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282629A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Nippon Avionics Co Ltd 超音波フリップチップ実装方法
KR20120119059A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 한국생산기술연구원 부피팽창제가 포함된 접착제를 사용한 플립 칩 패키지 및 그 접합방법
JP2013115185A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6404643B1 (en) * 1998-10-15 2002-06-11 Amerasia International Technology, Inc. Article having an embedded electronic device, and method of making same
JP4180206B2 (ja) * 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
KR100801945B1 (ko) * 2000-10-17 2008-02-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 플립칩 접착을 위한 선-언더필드된 땜납 범프형 웨이퍼의 용매를 이용한 연마
JP2005332970A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Hitachi Ltd 半導体装置の実装構造体および実装方法
JP2006261529A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Lintec Corp フリップチップ実装用アンダーフィルテープおよび半導体装置の製造方法
JPWO2006118033A1 (ja) * 2005-04-27 2008-12-18 リンテック株式会社 シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
JP6328987B2 (ja) * 2014-04-22 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2017103362A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282629A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Nippon Avionics Co Ltd 超音波フリップチップ実装方法
KR20120119059A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 한국생산기술연구원 부피팽창제가 포함된 접착제를 사용한 플립 칩 패키지 및 그 접합방법
JP2013115185A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法

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