WO2019240368A1 - 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2019240368A1
WO2019240368A1 PCT/KR2019/004712 KR2019004712W WO2019240368A1 WO 2019240368 A1 WO2019240368 A1 WO 2019240368A1 KR 2019004712 W KR2019004712 W KR 2019004712W WO 2019240368 A1 WO2019240368 A1 WO 2019240368A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
formula
independently
Prior art date
Application number
PCT/KR2019/004712
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
강동민
김준석
원종우
이병관
이상신
류진현
유은선
이남헌
장진석
정호국
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사, 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to CN201980039096.3A priority Critical patent/CN112292767A/zh
Priority to US16/972,705 priority patent/US20210273176A1/en
Publication of WO2019240368A1 publication Critical patent/WO2019240368A1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • Organic optoelectronic devices compositions, organic optoelectronic devices and display devices
  • An organic optoelectronic device composition An organic optoelectronic device and a display device.
  • Organic optoelectronic diodes are devices that can switch electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which excitons formed by light energy are separated into electrons and holes and electrons and holes are transferred to different electrodes to generate electrical energy, and the other is electrical energy by supplying voltage or current to the electrodes.
  • It is a light emitting device for generating light energy from the.
  • organic optoelectronic devices include organic photoelectric devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photo conductor drums.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • An organic light emitting device is a device that converts electrical energy into light, and the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by organic materials located between the electrodes.
  • composition for an organic optoelectronic device is provided.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device comprising the composition for an organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • composition for an organic optoelectronic device comprising a compound for a first organic optoelectronic device represented by a combination of Formula 1 and Formula 2, and a compound for a second organic optoelectronic device represented by the following Formula 3. . 2019/240368 2 1 »(: 1/10 ⁇ 019/004712
  • X 1 is 0 or
  • And II 1 to II 6 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group or a combination thereof,
  • At least one of II 1 to Fig. 4 is a group represented by the following formula,
  • a substituted or unsubstituted C6 to 020 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof, ⁇ and 11 ° are independently substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl, respectively Group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group or a combination thereof,
  • ⁇ 1 to are each independently X or 0, where # is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, a substituted or unsubstituted 03 to 030 heterocycle Group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted amine group, halogen, cyano group or a combination thereof,
  • At least two of 7 ⁇ to 7 ⁇ are> 1,
  • 1 / to 17 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 020 arylten group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • II 7 to II 9 each independently represent a substituted or unsubstituted C6 to 030 aryl group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • At least one of the parent 7 to II 9 is a group represented by the following general formula (1),
  • X 2 is 0 or
  • ⁇ To 0 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted (from 1 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, substituted or unsubstituted Silyl group, substituted or unsubstituted amine group, halogen, cyano group or a combination thereof,
  • Exhibits 11 are each independently present or are substituted by adjacent groups 2019/240368 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712 or form an unsubstituted aliphatic, aromatic to heteroaromatic ring,
  • an organic optoelectronic device comprising an anode and a cathode facing each other, at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, the organic layer comprising the composition for the organic optoelectronic device.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • 1 and 2 are cross-sectional views illustrating organic light emitting diodes according to one embodiment, respectively. ⁇ Description of the sign>
  • substituted unless otherwise defined, at least one hydrogenated hydrogen, halogen group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted 01 to 030 amine group, nitro group, substituted or Unsubstituted (the 1 to 040 silyl group, To
  • 030 alkyl group 01 to (: 10 alkylsilyl group, 06 to 030 arylsilyl group, [3 to 030 cycloalkyl group, 03 to 030 heterocycloalkyl group, 6 to 030 aryl group, 02 to 030 heteroaryl group, It means what was substituted by the 020 alkoxy group, (: 1-010 trifluoroalkyl group, a cyano group, or a combination thereof.
  • substituted is at least one of a substituent or a compound Substituted hydrogen deuterium, Cl to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C6 to C30 arylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group It means.
  • substituted means that at least one hydrogen of the substituent or compound is deuterium, C1 to C20 alkyl group, C6 to C30 aryl group, or C2 to C30
  • Substituted is a hydrogenated hydrogen, C1 to C5 alkyl group, C6 to C18 aryl group, pyridinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group,
  • substituted is at least one hydrogen-deuterated hydrogen of the substituent or compound, C1 to C5 By an alkyl group, a C6 to C18 aryl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • substituted is at least one hydrogen substituted hydrogen, methyl group, ethyl group, propaneyl group, butyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, triphenyl group, di Mean substituted by a benzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • hetero means one to three hetero atoms selected from the group consisting of N, 0, S, P, and Si in one functional group, and the remainder is carbon unless otherwise defined.
  • aryl (aryl) group refers to a group of groups having at least one hydrocarbon aromatic moiety, wherein all of the elements of the hydrocarbon aromatic moiety have a p-orbital, and these P-orbitals are conjugated (conjugation). ), Including a phenyl group, a naphthyl group, and the like, and two or more hydrocarbon aromatic moieties connected through a sigma bond, such as a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like. Tees can include non-aromatic fused rings, such as fluorenyl groups, fused directly or indirectly.
  • Aryl groups are monocyclic, polycyclic or fused polycyclic (i.e.
  • Ring groups that share adjacent pairs of carbon atoms that share adjacent pairs of carbon atoms.
  • heterocyclic group is a higher concept including a heteroaryl group, and instead of carbon (C) in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof, N, O, Selected from the group consisting of S, P and Si 2019/240368 6 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712 means containing at least one hetero atom.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for all or each ring.
  • heteroaryl (1 ⁇ 0 1) group means containing at least one hetero atom selected from the group consisting of and and in the aryl group. Two or more heteroaryl groups are directly connected through a sigma bond or When the heteroaryl group includes two or more rings, the two or more rings may be fused to each other When the heteroaryl group is a fused ring, each ring may include 1 to 3 heteroatoms.
  • the heterocyclic group may include, for example, a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and the like.
  • the substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group and / or the substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted I) -terphenyl group, substituted or Unsubstituted 111-terphenyl group, substituted or unsubstituted 0-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substitute
  • Thiadiazolyl group substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted Or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted Quinazolinyl group, substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, substituted or unsubstituted 2019/240368 7 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019
  • Acridinyl group substituted or unsubstituted phenazineyl group, substituted or unsubstituted phenthiazineyl group, substituted or unsubstituted phenoxazineyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or substituted or unsubstituted dibenzo Thiophenyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.
  • the hole characteristic is an electric field When it is applied, it refers to a characteristic that can form holes by donating electrons. It has conductivity characteristics along the HOMO level, and thus injection of holes formed from the anode into the light emitting layer, movement of holes formed from the light emitting layer into the anode, and movement in the light emitting layer It means the property which facilitates.
  • the electron characteristic refers to a characteristic in which electrons can be received when an electric field is applied, and has conductivity characteristics along the 01 0 level, and the electrons formed in the cathode are injected into the light emitting layer, the electrons formed in the light emitting layer move to the cathode, and in the light emitting layer It means a property that facilitates the movement of.
  • composition for an organic optoelectronic device includes a compound for a first organic optoelectronic device having hole characteristics and a compound for a second organic optoelectronic device having electronic characteristics.
  • the compound for a first organic optoelectronic device is represented by a combination of the following Chemical Formulas 1 and 2 below. 2019/240368 8 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • V and 4 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 20 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • ⁇ And II 1 to 6 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted Ring is 02 to 030 heterocyclic group or a combination thereof,
  • At least one of II 1 to Figure 4 is a group represented by the following formula (3),
  • a substituted or unsubstituted 06 to 020 arylene group, a substituted or unsubstituted 01 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof, ⁇ and 11 ° are each independently substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl Or substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group or a combination thereof,
  • the first compound for an organic optoelectronic device is an aryl group and / or a hetero fused heterocyclic ring in which a 6-membered ring, 5-membered ring, 6-membered ring, 5-membered ring, 6-membered ring are fused.
  • a 6-membered ring, 5-membered ring, 6-membered ring, 5-membered ring, 6-membered ring are fused.
  • the fused heterocycle in which the 6-membered ring, 5-membered ring, 6-membered ring, 5-membered ring, and 6-membered ring are fused has a structure in which an amine is linked to the fused heterocycle because it has relatively high HOMO energy compared to bicarbazole and indolocarbazole.
  • bicarbazole and indolocarbazole have high II energy and are therefore not suitable as 1 (1 110), whereas the fused heterocyclic amine-linked structure has a suitable II energy as 1 (1 110).
  • the intramolecular symmetry may be reduced by including the fused heterocycle, intercrystallization crystallization may be suppressed, dark spot formation caused by the crystallization of the compound during material deposition in the device fabrication process may be suppressed.
  • the lifetime of the device can be improved.
  • the device to which the compound for the first organic optoelectronic device according to the present invention is applied may realize high efficiency / long life characteristics.
  • the compound for the second organic optoelectronic device exhibits good interfacial properties and the ability to transport holes and electrons to lower the driving voltage of the device to which it is applied.
  • It may be independently a single bond or a substituted or unsubstituted 06 to 012 arylene group.
  • Each may independently be a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group.
  • ⁇ are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted
  • Anthracenyl group substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted triphenyltene group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or Unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group or the number of fused ring represented by a combination of the above formulas (1) and (2) 2019/240368 10 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • and 11 ° are each independently substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted carbazole It may be a diary, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a fused ring represented by a combination of the above Chemical Formulas 1 and 2.
  • ⁇ and ⁇ may each independently be a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
  • 1 / and to may each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted 06 to 020 arylene group.
  • [/ and to 1 / may each independently be a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group or a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • 1 / and to may each independently be a single bond or a substituted or unsubstituted diphenylene group.
  • II 1 to II 4 may be each hydrogen, but is not limited thereto.
  • II 5 and parent 6 may each independently be a substituted or unsubstituted 01 to 010 alkyl group or a substituted or unsubstituted 06 to 020 aryl group.
  • II 5 and parent 6 may each independently be a substituted or unsubstituted 0 to 04 alkyl group or a substituted or unsubstituted 06 to 012 aryl group.
  • the compound for the first organic optoelectronic device may be represented by any one of, for example, the following Chemical Formula 1 to Chemical Formula, depending on the fusion position of Chemical Formula 1 and Chemical Formula 2.
  • the chemical formula 1 show may be represented by the chemical formula 1 show-1 or the chemical formula 1 show-2 according to the substitution place of the group represented by the chemical formula &.
  • Chemical Formula -1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 1show-1-1 to 1show-1-4 according to the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula & . 2019/240368 12 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • Parents 1 to II 6 , and ⁇ and 11 ° are as described above.
  • Chemical Formula 1 Show-2 may be represented by any one of the following Chemical Formulas 1 Show-2-1 to 1 Show-2-4 according to the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula & .
  • Formula 1 shows _ 2 _ 3 [formula (I) show 2 _ 4;
  • Formula 1 shows Formula 1 Show-1-1, Formula 1 Show-2-2, and Formula 1
  • Formula 1 1 may be represented by any one of the following Formulas (1-1) to (16-1-4) according to the specific substitution position of the group represented by Formula &. 2019/240368 14 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • Formula-2 may be represented by any one of the following Formulas 2-1-1 to 16-2-4 according to the substitution position of the group represented by Formula 3.
  • Chemical Formula 1 (:) may be represented by the following Chemical Formula 10-1 or Chemical Formula 1 (: -2) according to the substitution position of the group represented by Chemical Formula (X).
  • Chemical Formula 1 is the following Chemical Formula 101-1 to Chemical Formula depending on the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula. It can be expressed as one.
  • Formula 1 may be represented by any one of Formulas 101-1, 102-2 and 10-2-3.
  • Chemical Formula 1 £ may be represented by Chemical Formula 11) -1 or Chemical Formula 11) -2 according to the substitution position of the group represented by Chemical Formula VII.
  • Chemical Formula 11) 4 may be represented by the following Chemical Formula according to the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula & . It may be represented by any one of formula (11) -1-4. 2019/240368 17 1 »(: 1/10 ⁇ 019/004712
  • Chemical Formula 11) -2 may be represented by the following chemical formula according to the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula & . It may be represented by any one of formula (11) -2-4.
  • Formula II) is represented by the above formula Formula 11) -2-2 and Formula
  • the formula -1 may be represented by any one of the following formulas (1-1) to (1-1) in the formula according to the specific substitution position of the group represented by the formula & . 2019/240368 19 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • Chemical Formula 1 2 may be represented by any one of the following Chemical Formulas-2-1 to-2-4 in Chemical Formulas according to the specific substitution position of the group represented by Chemical Formula & .
  • the formula may be represented by any one of Formula 1 1-1 to Formula vie-1-4 and Formula 2-1-1 to Formula-2-4. '
  • the chemical formula may be represented by Chemical Formula-1 or Chemical Formula-2 according to the substitution position of the group represented by Chemical Formula &. 2019/240368 20 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • the formula -1 may be represented by any one of the following formulas -1-1 to ⁇ ⁇ -1-4 depending on the specific substitution position of the group represented by the formula (3).
  • the formula may be represented by any one of formula -1-1, formula 2-2 and formula 2-3.
  • the compound for the first organic optoelectronic device may be represented by the formula -1-1 or the formula (2-2), for example represented by the formula (2-2). .
  • the compound for the first organic optoelectronic device may be, for example, one selected from compounds listed in Group 1, but is not limited thereto.
  • the compound for an optoelectronic device is represented by the following formula (3).
  • the second organic optoelectronic device compound is a compound having electronic properties, and may be included together with the above-described first organic optoelectronic device compound to exhibit bipolar ( ⁇ ) 301 characteristics.
  • 1 to ⁇ are each independently X or 00, where Deuterium, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 03 to 030 heterocyclic group, substituted or unsubstituted silyl group, substituted or unsubstituted amine group , Halogen, cyano or a combination thereof, 2019/240368 31 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • 7 ⁇ to 7 ⁇ are at least two
  • II 7 to II 9 are each independently substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • At least one of II 7 to II 9 is a group represented by the following formula (13),
  • X 2 is 0 or
  • ⁇ are each independently present or combine with each other to form a substituted or unsubstituted aliphatic, aromatic or heteroaromatic ring,
  • the second compound for an organic optoelectronic device is a compound capable of receiving electrons when an electric field is applied, that is, a compound having electronic properties, and specifically, at least one of the above-mentioned Formula 1 in a ring containing nitrogen, that is, a pyrimidine or triazine ring.
  • a fused ring represented by? Can be an electron-accepting structure when an electric field is applied, it can be included together with the compound for a first organic optoelectronic device described above, and thus has good interfacial properties and a good ability to transport holes and electrons.
  • By lowering the driving voltage of the organic optoelectronic device is applied.
  • Bay and 2: 3 are nitrogen and may be 00.
  • 7 ⁇ and 3 may be nitrogen and 2: 2 may be.
  • the method 7 may be nitrogen).
  • 1 / to I each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted
  • 1 / to may each independently be a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenyltene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthyltene group.
  • 1 / I may each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted «1-phenylene group, a substituted or unsubstituted phenylene group, or a substituted or unsubstituted biphenylene group.
  • the substitution may be, for example, substituted with at least one hydrogen deuterium, di-020 alkyl group, 06 to 020 aryl group, halogen, cyano group or a combination thereof, but is not limited thereto.
  • II 7 to Mo 9 each independently represent a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quarterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group , A substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group or a group represented by the formula (3 ⁇ 4).
  • ⁇ to II 9 may be an independently substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, or a group represented by Formula 1? .
  • Chemical Formula 15 may be represented by Chemical Formula or Chemical Formula 1) -4 2019/240368 33 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712 can be expressed.
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be represented by, for example, one of Chemical Formula 3 and Chemical Formula 3, depending on the number of groups represented by Chemical Formula 15.
  • X 2 to X 4 are each independently ⁇ or yaw
  • X 2 and X 3 may be the same as or different from each other.
  • X 2 and X 3 may be the same and X 2 and X 3 may be each 0.
  • X 2 and X 3 may be the same and X 2 and X 3 may be yaw, respectively.
  • X 2 and X 3 may be different from each other, X 2 is urine, and X 3 is 2019/240368 34 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • X 2 may be 0 and X 3 may be day.
  • X 2 to X 4 may be the same as or different from each other.
  • X 2 to X 4 may be the same and X 2 to X 4 may each be ⁇ .
  • X 2 to X 4 may be the same and X 2 to X 4 may be 8, respectively.
  • formula (3) (: any one of X 2 to X 4 in may be different from one or the other of X 2 to X 4 is I and X 2 to X 4 are ⁇ either of X 2 to X 4 both are 0 and X 2 One of X to 4 may be.
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be represented by Formula 3 or Formula 3
  • Formula 3 show may be represented by Formula 3 show-1 or Formula 3 show-2. [Formula 3 Show-1] [Formula 3 Show-2]
  • X 2 of Formulas 3 ⁇ - ⁇ and Formula 38-1 are 0, ⁇ to are each, II 8 and II 9 are each independently substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted Or an unsubstituted terphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group, 1 is a single bond, and I; are each independently a single bond or a phenylene group, 1 ,, 1 , and Independently hydrogen or a phenyl group.
  • Chemical Formula 3 may be represented by the following Chemical Formula 3. 2019/240368 00 1 » (: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712
  • X 2 and X 3 of Formula 3Mo-1 are each 0, ⁇ to are each X
  • Fig. 9 is a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group
  • 1 / to 17 are each Independently a single bond or a phenylene group, 1 ,! 2 ,! ,! ⁇ ,! 1 ,! 2 , and Independently hydrogen or a phenyl group.
  • the compound for the second organic optoelectronic device represented by Chemical Formula 38-1 may have a structure that is easily subject to electrons upon full application by effectively expanding the 1 ⁇ ⁇ 10 energy band and increasing the planarity of the molecular structure.
  • the driving voltage of the organic optoelectronic device to which the compound for an organic optoelectronic device is applied can be further lowered.
  • the expansion of 1 ′ 0 and the fusion of the ring increase the stability of the pyrimidine or triazine ring to the electrons, which is more effective in improving the life of the device to which the compound for the second organic optoelectronic device is applied.
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be, for example, one selected from compounds listed in Group 2, but is not limited thereto.
  • the compound for the low 11 organic optoelectronic device and the compound for the second organic optoelectronic device may be included, for example, in a weight ratio of 1:99 to 99: 1.
  • the transport capacity can be used to achieve a bipolar characteristic with an appropriate weight ratio to improve efficiency and longevity.
  • it may be included, for example, in a weight ratio of about 90:10 to 10:90, about 80:20 to 20:80 or about 70:30 to 30:70.
  • it may be included in the weight ratio of 70:30 to 40:60 or 70:30 to 50:50 for example, may be included in the weight ratio of 70:30, 60:40 or 50:50.
  • the organic optoelectronic device composition according to an embodiment of the present invention includes the compound represented by Chemical Formula 1 2-2 as the first organic optoelectronic device compound, and the compound represented by Chemical Formula 3 or Formula 3 It may contain as a compound for a 2nd organic optoelectronic device.
  • the chemical formula Independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl tengi, or a substituted or unsubstituted naphthylene group ring, II 1, mu 2 and Mo 4 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof, ⁇ And 11 ° each independently represent a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group,
  • ⁇ to are each, 1 to 7 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenyl Ten groups, or substituted or unsubstituted
  • Naphthylene group, X 2 and X 3 are each independently
  • II 8 and II 9 of Formula 3 show each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quarterphenyl group or a substituted or unsubstituted group.
  • Chemical Formula 38 may be a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, or a substituted or unsubstituted terphenyl group.
  • Formula 3 show may be represented by Formula 3 show-1 or Formula 3 show-2.
  • Formula 3B may be represented by Formula 3B-1.
  • composition for an organic optoelectronic device may further include at least one compound in addition to the compound for the first organic optoelectronic device and the second organic optoelectronic device.
  • the composition for an organic optoelectronic device may further include a dopant.
  • the dopant may be, for example, a phosphorescent dopant, for example a red, green or blue phosphorescent dopant, for example a red phosphorescent dopant.
  • the dopant is a substance which is mixed with the first organic optoelectronic device compound and the second organic optoelectronic device compound in a small amount to emit light.
  • the dopant is a metal complex that emits light by multiple excitation which excites above a triplet state. Materials such as metal complexes can be used.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic or organic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • a dopant is a phosphorescent dopant
  • examples of the phosphorescent dopant include Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof.
  • An organic metal compound containing it is mentioned.
  • the phosphor dopant may be, for example, a compound represented by the following formula T, but is not limited thereto.
  • M is a metal
  • L 8 and X 5 are the same or different and are ligands that form a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof, wherein L 8 and X 4 are, for example, bi Dentate ligands.
  • the composition for an organic optoelectronic device may be formed by a dry film forming method such as chemical vapor deposition.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is an element capable of mutually converting electrical energy and light energy, and examples thereof include organic photoelectric devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photosensitive drums.
  • FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting diode according to an embodiment.
  • an organic light emitting device 100 according to an embodiment includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 1 positioned between the anode 120 and the cathode 110. It includes.
  • the anode 120 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide, and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 120 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ) ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (12: 0); Combinations of metals and oxides; poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene- 1,2-dioxy) Conductive polymers such as uripyrrole and delianiline, and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode 110 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer, for example.
  • the cathode 110 may be, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; Substances, but are not limited thereto.
  • the organic layer 105 includes a light emitting layer 130 containing the composition for organic optoelectronic devices described above.
  • the light emitting layer 130 may include, for example, the organic optoelectronic device composition described above.
  • the aforementioned organic optoelectronic device composition may be, for example, a red light emitting composition.
  • the light emitting layer 130 may include, for example, the first organic optoelectronic device compound and the second organic optoelectronic device compound, respectively, as phosphorescent hosts.
  • the organic light emitting device 200 further includes a hole auxiliary layer 140 in addition to the light emitting layer 130.
  • the hole auxiliary layer 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the hole auxiliary layer 140 is, for example, at least among the compounds listed in the following group seedlings. 2019/240368 47 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712 It may contain one.
  • the mall hole auxiliary layer 140 may include a hole transport layer between the anode 120 and the light emitting layer 130, and a hole transport auxiliary layer between the light emitting layer 130 and the hole transport layer, and may be listed in the following group. At least one of the compounds may be included in the hole transport auxiliary layer.
  • the hole transport auxiliary layer may also be used in the well-known compounds described in 1185061569 Person ⁇ 1993-009471 Person 01995-009147 Show 1, 1995-126615 ⁇ 1998-095973 and the like. 2019/240368 49 1 »(: 1/10 ⁇ 019/004712
  • an electron transport layer, an electron injection layer, a major injection layer, and the like are further added. It may also be an organic light emitting device.
  • the organic light emitting diodes 100 and 200 form an anode or a cathode on a substrate, and then form an organic layer by a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating, and then thereon. It can be prepared by forming a cathode or an anode.
  • the organic light emitting device described above may be applied to an organic light emitting display device.
  • Hay was filtered over anhydrous magnesium sulfate, and the filtrate was concentrated under reduced pressure.
  • the product was purified by silica gel column chromatography with normal nucleic acid / dichloromethane (2: 1 volume ratio) to obtain 10.7 g (yield 87%) of the target compound A-76 as a white solid.
  • Compound A-94 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, using Intermediate M-6 and Intermediate K in a 1: 1 equivalent ratio.
  • Compound B-124 was synthesized in the same manner as the ratio of 22.
  • Compound B-133 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 5, 22 using Intermediate B-17-1 and Intermediate B-129-2, respectively, in equivalent amounts.
  • the glass substrate coated with ITO (Indium tin oxide) to a thickness of 1500A was washed with distilled water ultrasonic waves. After washing the distilled water, ultrasonic washing with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol and the like, dried and transferred to a plasma cleaner, and then washed the substrate using oxygen plasma for 10 minutes and then transported the substrate to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum deposited on the ITO substrate using the prepared ITO transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A, and then Compound B was deposited to a thickness of 50 A on the injection layer, and then Compound C was A thickness was deposited to form a hole transport layer.
  • Compound C-1 was deposited to a thickness of 400 A on the hole transport layer to form a hole transport auxiliary layer.
  • Compound A-52 and B-135 were simultaneously used as hosts on the hole transport auxiliary layer and doped with 2 wt% of [Ir (piq) 2 acac] with a dopant to form a light emitting layer having a thickness of 400 A by vacuum deposition.
  • Compound A-52 and Compound B-135 were used in a 7: 3 weight ratio, and the ratios were described separately for the following examples.
  • the compound D and Liq are simultaneously deposited on the light emitting layer in a 1: 1 ratio to form an electron transport layer having a thickness of 300 A, and the Liq 15 A and A1 U00A are sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • a light emitting device was manufactured.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, 2019/240368 72 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/004712 Specifically:
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for changing the composition of Table 1. evaluation
  • the voltage The current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (3 ⁇ 4 2400), and the measured current value was divided by the area.
  • the voltage The result was obtained by measuring the luminance at that time using a luminance meter (Minolta Cs-1000A) while increasing from 10 to 10.
  • Luminance (1/111 second) to 90000 (1/111 maintained at 2 and by measuring the time to decrease in current efficiency (1 / Shi 97% to obtain a result.
  • the driving voltage of each device was measured at 15111 011 2 using a current-voltmeter (3 ⁇ 4 ⁇ 2400).
  • the organic light emitting device according to Examples 1 to 16 is in Comparative Examples 1 and 2 2019/240368 74 Compared with the organic light emitting device according to 1 »

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 (COMPOSITION FOR ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE, ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE)에 관한 것이다. 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제1 유기 광전자 소자용 화합물, 그리고 화학식 3으로 표현되는 제2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1 내지 화학식 3에 관한 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

【명세세
【발명의 명칭】
유기 광전자소자용조성물，유기 광전자소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자소자용조성물，유기 광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와광 에너지를 상호 전환할수 있는소자이다.
유기 광전자소자는동작원리에 따라크게 두가지로나눌수 있다. 하나는 광에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와정공으로분리되고 전자와 정공이 각각다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광소자이다.
유기 광전자소자의 예로는유기 광전 소자，유기 발광소자，유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum)등을들수 있다.
이 중,유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는근래 평판표시 장치 (flat panel display device)의 수요증가에 따라크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는소자로서，유기 발광소자의 성능은 전극 사이에 위치하는유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.
【발명의 상세한설명】
【기술적 과제】
일 구현예는고효율 및 장수명 유기 광전자소자를구현할수 있는
유기광전자소자용조성물을 제공한다.
다른구현예는상기 유기 광전자소자용조성물을포함하는유기 광전자 소자를 제공한다.
또다른구현예는상기 유기 광전자소자를 포함하는표시 장치를 제공한다. 【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면， 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제 1 유기 광전자소자용화합물，그리고 하기 화학식 3으로표현되는 제 2유기 광전자 소자용화합물을포함하는유기 광전자소자용조성물을 제공한다. 2019/240368 2 1»（：1/10公019/004712
［화학식 1］ ［화학식 2］
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1 ¾ 화학식 2에서,
X1은 0또는 이고，
연결되고,
Figure imgf000003_0002
머지는각각독립적으로 0-^- ^이고,
1/및 내지 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06내지 020아릴텐기,치환또는비치환된 02 내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
및 II1 내지 II6은각각독립적으로수소,중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기，치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기， 치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II1 내지 묘4중 적어도하나는 하기 화학식 로 표현되는 기이고,
［화학식 리
Figure imgf000003_0003
상기 화학식 3에서,
Figure imgf000003_0004
독립적으로 단일 결합,치환또는 비치환된 C6 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, ^및 11。는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06내지 030아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
*은 내지 와의 연결 지점이고; 2019/240368 3 1»（：1^1{2019/004712
［화학식 3］
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 3에서，
å1 내지 는 각각 독립적으로 X또는 0이고, 여기서 #는 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기， 치환또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
7} 내지 7} 중 적어도 둘은 >1이고,
1/ 내지 17은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기， 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II7 내지 II9는 각각 독립작으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
모7 내지 II9중 적어도 하나는 하기 화학식 1?로 표현되는 기이고,
［화학식 비
Figure imgf000004_0002
상기 화학식 15에서,
X2는 0또는 이고，
^내지 0는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 （그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
Figure imgf000004_0003
독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고，
과묘11는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 2019/240368 1»（：1^1{2019/004712 또는 비치환된 지방족， 방향족또느헤테로 방향족의 고리를 형성하고,
*는 ^내지 I；중 어느하나와의 연결 지점이다.
다른구현예에 따르면,서로마주하는 양극과 음극，상기 양극과상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을포함하고，상기 유기층은상기 유기 광전자 소자용조성물을포함하는유기 광전자소자를 제공한다.
또 다른구현예에 따르면,상기 유기 광전자소자를포함하는표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】
고효율 장수명 유기 광전자소자를구현할수 있다.
【도면의 간단한설명】
도 1 및 도 2는 각각 일구현예에 따른유기 발광소자를도시한단면도이다. <부호의 설명 >
100, 200: 유기 발광소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하,본 발명의 구현예를상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로， 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환”이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도하나의 수소가중수소， 할로겐기，히드록실기， 아미노기， 치환또는 비치환된 01 내지 030아민기,니트로기, 치환또는 비치환된 （그1 내지 040실릴기,
Figure imgf000005_0001
내지
030 알킬기, 01 내지 （：10 알킬실릴기， 06내지 030 아릴실릴기,〔3 내지 030 시클로알킬기, 03 내지 030헤테로시클로알킬기， 6 내지 030아릴기, 02 내지 030 헤테로아릴기,
Figure imgf000005_0002
020 알콕시기,（：1 내지 010트리플루오로알킬기, 시아노기， 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서，”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, Cl 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기,、 C6내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30시클로알킬기， C3 내지 C30헤테로시클로알킬기, C6내지 C30아릴기, C2 내지 C30헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한,본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6내지 C30아릴기，또는 C2내지 C30
헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.또한,본 발명의 구체적인 일 예에서,
"치환’’은 치환기 또는 화합물 중의 적어도하나의 수소가중수소, C1 내지 C5 알킬기， C6내지 C18 아릴기，피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기,
디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다.또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서，”치환”은 치환기 또는 화합물중의 적어도 하나의 수소가중수소， C1 내지 C5 알킬기， C6내지 C18 아릴기， 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을의미한다. 또한，본발명의 구체적인 일 예에서， "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, 메틸기， 에틸기， 프로판일기,부틸기, 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기，나프틸기,트리페닐기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로”란 별도의 정의가 없는 한，하나의 작용기 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기’’는 탄화수소 방향족모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을포함하고 , 2 이상의 탄화수소 방향족모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기,쿼터페닐기 등을포함하며， 2 이상의 탄화수소 방향족모이어티들이 직접 또는 간접적으로융합된 비방향족융합 고리, 예컨대 플루오레닐기 등을포함할수 있다.
아릴기는모노시클릭，폴리시클릭 또는융합고리 폴리시클릭 (즉,
탄소원자들의 인접한쌍들을나눠 가지는고리) 작용기를포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group) "는 헤테로아릴기를포함하는 상위 개념으로서， 아릴기,시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 2019/240368 6 1»（：1^1{2019/004712 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상포함할수 있다.
일 예로 "헤테로아릴（1戒 0 1）기”는 아릴기 내에 의 및 와로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다 . 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나， 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다구체적으로, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 및/또는 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기는, 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환또는 비치환된 피레닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 I） -터페닐기, 치환또는 비치환된 111-터페닐기, 치환또는 비치환된 0 -터페닐기， 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환또는 비치환된 페릴레닐기， 치환또는 비치환된 플루오레닐기， 치환또는 비치환된 인데닐기, 치환또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환또는 비치환된 피라졸릴기, 치환또는 비치환된 이미다졸일기, 치환또는 비치환된 트리아졸일기， 치환또는 비치환된 옥사졸일기， 치환또는 비치환된 티아졸일기， 치환또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환또는 비치환된
티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 벤조퓨라닐기， 치환또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환또는 비치환된 인돌일기, 치환또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환또는 비치환된 2019/240368 7 1»（：1^1{2019/004712 벤즈옥사진일기， 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기 , 치환또는 비치환된
아크리디닐기, 치환또는 비치환된 페나진일기, 치환또는 비치환된 페노티아진일기， 치환또는 비치환된 페녹사진일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장
Figure imgf000008_0001
가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로， 01 0준위를 따라전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
본 명세서에서 "서로 결합하여 고리를 형성’’이란 인접한 기끼리 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 지방족 고리, 치환또는 비치환된 방향족 고리 또는 치환또는 비치환된 헤테로방향족 고리를 형성하는 것을 의미한다.
일 예로,” 서로 결합하여 고리를 형성’’이란 인접한 기끼리 서로 연결되어 치환또는 비치환된 방향족 고리를 형성하는 것을 의미하고,
더욱 구체적으로, 있접한 기끼리 서로 연결되어 치환또는 비치환된 페닐기 등을 형성하는 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물은 정공 특성을 가진 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 전자 특성을 가진 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함한다.
제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현된다. 2019/240368 8 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
은 0또는요이고,
연결되고,
Figure imgf000009_0002
머지는 각각독립적으로 0 ^ 이고，
V및 내지 4는 각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06내지  20 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
^및 II1 내지 모6은각각독립적으로수소,중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기，치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II1 내지 묘4중 적어도하나는 하기 화학식 3로표현되는 기이고，
[화학식 ¾]
Figure imgf000009_0003
상기 화학식 ᄅ에서,
Figure imgf000009_0004
독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06내지 020 아릴렌기， 치환또는 비치환된 01내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， ^및 11。는각각독립적으로 치환또는 비치환된 06내지 030아릴기，치환 또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
*은 내지 ： 와의 연결 지점이다. 2019/240368 9 1»（：1^1{2019/004712 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 6원환- 5원환- 6원환- 5원환- 6원환이 융합된 융합헤테로고리에 아릴기 및/또는 헤테로아릴기가 치환된 아민이 연결된 구조를 가짐으로써 HOMO 전자 구름이 아민으로부터 융합헤테로고리로 확장됨으로써 높은 HOMO 에너지를 갖게 되어 정공 주입 및 전달 특성이 우수하다.
또한 6원환- 5원환- 6원환- 5원환- 6원환이 융합된 융합헤테로고리는 바이카바졸 및 인돌로카바졸에 비하며 상대적으로 높은 HOMO 에너지를 갖기 때문에 상기 융합헤테로고리에 아민이 연결된 구조를 적용함으로써 낮은 구동 전압을 갖는 소자를 구현할 수 있다.
뿐만 아니라 바이카바졸 및 인돌로카바졸은 높은 II 에너지를 가지므로 1 （1 110 로서 적합하지 않은 반면에, 상기 융합헤테로고리에 아민이 연결된 구조는 1 （1 110 로서 적합한 II 에너지를 갖는다.
한편, 상기 융합헤테로고리를 포함함에 따라 분자 내 대칭성이 감소되어 화합물 간 결정화가 억제될 수 있으므로, 소자 제작 과정에서 재료의 증착 시 화합물의 결정화로 인해 발생되는 암점 형성이 억제될 수 있고, 이에 따라소자의 수명이 개선될 수 있다.
이에 따라 본 발명에 따른 제 1 유기 광전자 소자용 화합물이 적용된 소자는 고효율/장수명 특성끼 구현될 수 있다.
한편 제 2 유기 광전자소자용 화합물과 함께 포함되어 양호한 계면 특성 및 정공과 전자의 수송 능력을 나타내어 이를 적용한 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
일 예로,
Figure imgf000010_0001
독립적으로 단일결합이거나 치환또는 비치환된 06 내지 012 아릴렌기일 수 있다.
예컨대,： 및
Figure imgf000010_0002
각각 독립적으로 단일결합, 치환또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기일 수 있다.
일 예로， 및 ^는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된
안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 2019/240368 10 1»（：1^1{2019/004712 있다.
구체적인 일 예로, 및 11。는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 있다.
예컨대, ^ 및 ^는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있다.
일 예로， 1/ 및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기일 수 있다.
구체적인 일 예로, : [/ 및 내지 1/는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.
예컨대, 1/ 및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 伊페닐렌기일 수 있다.
Figure imgf000011_0001
독립적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 0\ 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있다.
예컨대， 및 II1 내지 II4는 각각 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, II5 및 모6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있다.
예컨대, II5 및 모6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 0\ 내지 04 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 012 아릴기일 수 있다.
일 예로, 상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 화학식 1 및 화학식 2의 융합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1쇼 내지 화학식 내 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 11 1»（：1^1{2019/004712
［화학식 1시 ［화학식 1미 ［화학식 1어
Figure imgf000012_0003
상기 화학식 1쇼 내지 화학식 내에서,
Figure imgf000012_0001
내지 모6은 전술한 바와 같다.
일 예로， 상기 화학식 1쇼는 화학식 &로 표현되는 기의 치환 위처에 따라 하기 화학식 1쇼-1 또는 화학식 1쇼-2로 표현될 수 있다.
［화학식 1쇼-1］ ［화학식 1쇼-2］
Figure imgf000012_0002
상기 화학식 1쇼-1 및 화학식 1쇼-2에서， X1, 1/, ，1^ 및 내지 , 및 II1 내지 묘6, 그리고 0 및 는 전술한 바와 같다.
예컨대， 상기 화학식 -1은 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-1-1 내지 화학식 1쇼-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 12 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 1 ，1 -1] [화학식 1쇼-1-2]
Figure imgf000013_0003
상기 화학식 1쇼-1-1 내지 화학식
Figure imgf000013_0001
모1 내지 II6,그리고妙및 11。는 전술한바와같다.
예컨대,상기 화학식 1쇼-2는화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 1쇼-2-1 내지 화학식 1쇼-2-4중 어느하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1쇼-2-1] [화학식 1쇼-2-2]
Figure imgf000013_0002
2019/240368 13 1»（：1^1{2019/004712
［화학식 1쇼_2_3］ ［화학식 1쇼-2_4］
Figure imgf000014_0001
상기 화학식 1쇼-2-1 내지 화학식 1쇼-2-4에서， ，1/, ，1/ 및 내지 4 및 모1 내지 II6, 그리고
Figure imgf000014_0002
전술한 바와 같다.
일 실시예에서， 화학식 1쇼는 상기 화학식 1쇼-1-1, 화학식 1쇼-2-2 및 화학식
1쇼-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식
Figure imgf000014_0003
화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 -1 또는 화학식 내-2로 표현될 수 있다.
［화학식 내-1］ ［화학식 내-지
Figure imgf000014_0004
내지 II6, 그리고
Figure imgf000014_0005
전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1 1은 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 16-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 14 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 내-1-1] [화학식 16-1-2]
Figure imgf000015_0002
상기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4에서, , 1/, 1 丄1； 및 내지 및 내지 묘6,그리고
Figure imgf000015_0001
전술한바와 같다.
일 예로,상기 화학식 내-2는 화학식 3로 표현되는 기의 치환위치에 따라 하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 16-2-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 내-2-1] [화학식 내-2-2]
Figure imgf000015_0003
상기 화학식 16-2-1 내지 화학식 112-4에서,； , 1/, 1 1^ 및 내지 1 113및 II1 내지 II6,그리고 ^ 및 11。는 전술한바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 내는상기 화학식 16-1-1, 화학식 16-2-2 및 화학식 2019/240368 15 1»（：1^1{2019/004712
16-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1（：는 화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 10-1 또는 화학식 1（：-2로 표현될 수 있다.
［화학식 1 1］ ［화학식 10-2］
Figure imgf000016_0001
내지 모6, 그리고
Figure imgf000016_0002
전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1이은 화학식 로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 101-1 내지 화학식
Figure imgf000016_0003
하나로 표현될 수 있다.
Figure imgf000016_0004
2019/240368 16 1»（：1^1{2019/004712 상기 화학식 101-1 내지 화학식 에서,
Figure imgf000017_0001
II1 내지 II6,그리고
Figure imgf000017_0002
전술한바와 같다.
예컨대,상기 화학식 1(：-2는화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식
Figure imgf000017_0003
화학식 1己2-4중 어느하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1(：-2-1] [화학식 1(：-2-2] [화학식 1(>2-3] [화학식 1 -2_4]
Figure imgf000017_0007
일 실시예에서, 화학식 1(：는 상기 화학식 101-1, 화학식 102-2 및 화학식 10-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
일 예로， 상기 화학식 1£)는 화학식 ᄅ로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 11)-1 또는 화학식 11)-2로 표현될 수 있다.
[화학식 11)-1] [화학식 11>2]
Figure imgf000017_0004
상기 화학식 10-1 및 화학식 11)-2에서，； , 1/, 1 1? 및 내지 1 내지 묘6, 그리고
Figure imgf000017_0005
전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 11)4은 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식
Figure imgf000017_0006
화학식 11)-1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 17 1»（：1/10公019/004712
[화학식 10-1-1] [화학식 10-1-2]
Figure imgf000018_0001
및 내지 내지 II6,그리고
Figure imgf000018_0002
전술한바와같다.
예컨대,상기 화학식 11)-2는화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식
Figure imgf000018_0003
화학식 11)-2-4중 어느하나로표현될 수 있다.
[화학식 113-2-1] [화학식 113-2-2]
Figure imgf000018_0004
2019/240368 18 1»(：1^1{2019/004712
[화학식 1[>-2-3] [화학식 II)-2-4]
Figure imgf000019_0001
내지 모6,그리고
Figure imgf000019_0002
전술한바와같다.
일 실시예에서，화학식 II)는상기 화학식
Figure imgf000019_0003
화학식 11)-2-2 및 화학식
10-2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
일 예로,상기 화학식 내는화학식 &로표현되는 기의 치환위치에 따라하기 화학식 내-1 또는 화학식 내-2중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 내-1] [화학식 내_2]
Figure imgf000019_0004
상기 화학식 내-1 및 화학식 내 에서 1, ]?, !?，]^및 내지 1 내지 묘6, 그리고
Figure imgf000019_0005
전술한바와같다.
예컨대,상기 화학식 내-1은화학식 &로표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4중 어느하나로 표현될 수 있다. 2019/240368 19 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 1 1-1] [화학식 1見1-2] [화학식 1 1-3] [화학식 내-1_4]
Figure imgf000020_0001
예컨대, 상기 화학식 1 2는 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 내-2_1] [화학식 1比2_2] [화학식 내-2-3] [화학식 1&2_4]
Figure imgf000020_0002
내지 II6, 그리고
Figure imgf000020_0003
전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 내는 상기 화학식 1 1-1 내지 화학식 比-1-4 및 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다. '
일 예로， 상기 화학식 내는 화학식 &로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 내-1 또는 화학식 내-2로 표현될 수 있다. 2019/240368 20 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 내-1] [화학식 II7-2]
Figure imgf000021_0001
그리고
Figure imgf000021_0002
전술한바와 같다.
예컨대,상기 화학식 내-1은화학식 3로표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-1-1 내지 화학식 \¥-1-4중 어느하나로표현될 수 있다.
[화학식 내-1-1] [화학식 내-1-2]
Figure imgf000021_0004
상기 화학식 내-1-1 내지 화학식 내-1-4에서,
Figure imgf000021_0003
내지 II6, 그리고 및 ： 는 전술한바와같다. 2019/240368 21 1»〔"^0技019/004712 예컨대,상기 화학식 내-2는 화학식 &로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 내-2-1 내지 화학식 내-2-4중 어느하나로표현될 수 있다.
[화학식 내-2-1] [화학식 내-2-2]
Figure imgf000022_0001
내지 ,그리고 ^및 ： 는 전술한바와같다.
일 실시예에서, 화학식 내는상기 화학식 내-1-1,화학식 내-2-2 및 화학식 내- 2-3 중 어느하나로표현될 수 있다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서， 제 1 유기 광전자소자용 화합물은상기 화학식 내-1-1 또는화학식 내-2-2로표현될 수 있고, 예컨대 상기 화학식 내-2-2로 표현될 수 있다.
제 1 유기 광전자소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1] [A-l] [A-2] [A-3] [A-4]
Figure imgf000023_0001
[A- 19] [A-20] [A-21]
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000026_0001
[A-74] [A-75] [A-76] [A-77]
Figure imgf000027_0001
[A-78] [A-79] [A-80] [A-81]
Figure imgf000027_0002
[A-82] [A-83] [A-84]
Figure imgf000027_0003
[A-85] [A-86] [A-87]
Figure imgf000027_0004
[A-88] [A-89] [A-90]
Figure imgf000027_0005
[A-91] [A-92] [A-93] [A-94]
Figure imgf000028_0001
[A-lll] [A- 112] [A-113] [A- 114]
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000030_0001
0 2019/240368 30 1»（：1^1{2019/004712
0-155] [쇼-156] [쇼-157] [쇼-158]
Figure imgf000031_0001
제 2 유기 .광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 3으로 표현된다.
제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 전자 특성을 가지는 화합물로， 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 함께 포함되어 바이폴라（뱌］301따） 특성을 나타낼 수 있다.
[화학식 3]
Figure imgf000031_0002
상기 화학식 3에서,
2：1 내지 方는 각각 독립적으로 X또는 00이고, 여기서
Figure imgf000031_0003
중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기， 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노가 또는 이들의 조합이고, 2019/240368 31 1»（：1^1{2019/004712
7} 내지 7} 중 적어도 둘은 이고，
17은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, II7 내지 II9는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
II7 내지 II9 중 적어도 하나는 하기 화학식 13로 표현되는 기이고,
［화학식 비
Figure imgf000032_0001
상기 화학식 1?에서,
X2는 0 또는 이고，
^내지 는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
과 는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,
과 ^는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,
*는 1/ 내지丄7중 어느 하나와의 연결 지점이다.
제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 전기장을 걸었을 때 전자를 받을 수 있는 특성, 즉 전자 특성을 가지는 화합물로， 구체적으로 질소를 함유하는 고리， 즉 피리미딘 또는 트리아진 고리에 적어도 하나의 상기 화학식 1?로 표현되는 융합 고리가 결합된 구조를 가짐으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고 이에 따라 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 함께 포함되어 양호한 계면 특성 및 정공과 전자의 수송 능력을 나타내어 이를 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
일
Figure imgf000032_0002
）이고 나머지 하나는 일 수 있다. 2019/240368 32 1»（：1^1{2019/004712 예컨대 方 및 는 질소이고 는 0 일 수 있다.
예컨대 만 및 2：3는 질소이고 은 00일 수 있다.
예컨대 7} 및 3는 질소이고 2：2는 일 수 있다.
일 예로，方 내지 7}은각각 질소 )일 수 있다.
일 예로, 1/내지 I；은각각독립적으로 단일 결합또는 치환또는 비치환된
06내지 020아릴렌기일수 있다.
예컨대, 1/내지 은 각각독립적으로 단일 결합，치환또는 비치환된 페닐렌기,치환또는 비치환된 바이페닐텐기, 치환또는 비치환된 터페닐렌기,또는 치환또는 비치환된 나프틸텐기일 수 있다.
예컨대， 1/내지 I；은 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 «1- 페닐텐기， 치환또는 비치환된 페닐렌기 또는 치환또는 비치환된 바이페닐렌기일 수 있다. 여기서 치환은 예컨대 적어도하나의 수소가중수소，이 내지 020 알킬기, 06내지 020아릴기, 할로겐,시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은아니다.
일 예로， II7내지 모9는각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기， 치환또는 비치환된 쿼터페닐기,치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기 또는상기 화학식 ¾»로 표현되는 기일 수 있다.
예컨대 ^내지 II9는각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸가 또는상기 화학식 1?로표현되는 기일 수 있다.
일 예로,상기 화학식 I?로 표현되는 기는 결합위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1)-1 내지 화학식 1)-4중 어느하나로표현될 수 있다.
[화학식 1>1] [화학식 I)-2] [화학식 1>3] [화학식 4]
Figure imgf000033_0001
와같다. 일 예로,상기 화학식 15로 표현되는 기는상기 화학식 또는 화학식 1)-4로 2019/240368 33 1»（：1^1{2019/004712 표현될 수 있다.
제 2 유기 광전자소자용 화합물은 화학식 15로 표현되는 기의 개수에 따라 예컨대 화학식 3쇼내지 화학식 3（： 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
［화학삭 3시 ［화학식 3미
Figure imgf000034_0001
상기 화학식 3쇼 내지 3（：에서， 내지 方, !/ 내지 V, ^ 및 II9는 전술한 바와 같고,
X2 내지 X4는 각각 독립적으로 ◦ 또는 요이고,
Figure imgf000034_0002
독립적으로 수소， 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환 또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기 , 치환또는 비치환된 아민기， 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이다.
일 예로, 화학식 3묘에서, X2및 X3은 서로 같거나 다를 수 있다.
예컨대 화학식 3요에서 X2와 X3은 같을 수 있고 X2와 X3은 각각 0 일 수 있다.
예컨대 화학식 38에서 X2와 X3은 같을 수 있고 X2와 X3은 각각 요 일 수 있다. 예컨대 화학식 38에서 X2와 X3은 서로 다를 수 있고 X2는 요이고 X3은 2019/240368 34 1»（：1^1{2019/004712
0이거나 X2는 0이고 X3은 요일 수 있다.
일 예로, 화학식 3（：에서, X2내지 X4는 서로 같거나 다를 수 있다.
예컨대 화학식 3（：에서 X2내지 X4는 같을 수 있고 X2내지 X4는 각각◦ 일 수 있다.
예컨대 화학식 3（：에서 X2내지 X4는 같을 수 있고 X2내지 X4는 각각 8 일 수 있다.
예컨대 화학식 3（：에서 X2내지 X4 중 어느 하나는 다를 수 있고 X2내지 X4 중 둘은 요이고 X2내지 X4중 하나는 ◦이거나 X2내지 X4중 둘은 0이고 X2내지 X4중 하나는 일 수 있다.
일 예로, 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 3쇼또는 화학식
38로 표현될 수 있다.
일 예로, 화학식 3쇼는 하기 화학식 3쇼-1 또는 화학식 3쇼-2로 표현될 수 있다. [화학식 3쇼-1] [화학식 3쇼-2]
Figure imgf000035_0001
，好1， 그리고 는 전술한 바와 같다.
예컨대 상기 화학식 3\-\ 및 화학식 38-1의 X2는 0이고,方 내지 은 각각 이고， II8 및 II9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환또는 비치환된 터페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이고, 1 는 단일 결합이고, 및 I；은 각각 독립적으로 단일결합 또는 페닐렌기이고, 1, ， 1, 그리고
Figure imgf000035_0002
독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.
일 예로, 화학식 3묘는 하기 화학식 3 로 표현될 수 있다. 2019/240368 00 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 36-1]
Figure imgf000036_0001
^2, 그리고
Figure imgf000036_0002
전술한 바와 같다.
예컨대 상기 화학식 3모-1의 X2 및 X3은 각각 0이고，方 내지 은 각각 X이고, 묘9는 치환또는 비치환된 페닐기 또는 치환또는 비치환된 바이페닐기이고， 1/ 내지 17은 각각 독립적으로 단일 결합또는 페닐렌기이며, 1，! 2，! , !^，! 1，! 2, 그리고
Figure imgf000036_0003
독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있다.
화학식 38-1로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 1^\10 에너지 밴드가 효과적으로 확장되고 분자 구조의 평면성이 커짐으로써 전가장 인가 시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고, 이에 따라 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 더욱 낮출 수 있다. 또한 이러한 1刀 0의 확장과 고리의 융합은 피리미딘 또는 트리아진 고리의 전자에 대한 안정성을 증가시켜 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 소자의 수명 개선에도 더욱 효과적이다.
제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure imgf000036_0004
Figure imgf000037_0001
WO 2019/240368
Figure imgf000038_0001
Figure imgf000039_0001
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
5
Figure imgf000043_0001
\¥0 2019/240368 1 1/10公019/004712
Figure imgf000044_0001
저 11 유기 광전자소자용화합물과 제 2유기 광전자소자용화합물은 예컨대 1:99 내지 99:1의 중량비로포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 제 1 유기 광전자소자용화합물의 정공수송 능력과 제 2유기 광전자소자용화합물의 전자 2019/240368 44 1»（：1^1{2019/004712 수송 능력을 이용해 적절한 중량비를 맞추어 바이폴라 특성을 구현하여 효율과 수명을 개선할 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 90:10 내지 10:90, 약 80:20 내지 20:80또는 약 70:30 내지 30:70의 중량비로 포함될 수 있다. 일 예로, 70:30 내지 40:60또는 70:30 내지 50:50의 중량비로 포함될 수 있으며， 예컨대, 70:30, 60:40 또는 50:50의 중량비로 포함될 수 있다.
일 예로 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 광전자 소자용조성물은 상기 화학식 1 2-2로 표현되는 화합물을 제 1 유기 광전자 소자용 화합물로서 포함하고, 상기 화학식 3쇼또는 화학식 3묘로 표현되는 화합물을 제 2 유기 광전자 소자용 화합물로서 포함할 수 있다.
예컨대， 상기 화학식
Figure imgf000045_0001
독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 페닐렌기, 치환또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 또는 치환또는 비치환된 나프틸렌기이고， ， II1,묘2 및 모4는 각각 독립적으로수소， 중수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， ^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기，치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 융합고리일 수 있으며,
상기 화학식 3쇼 및 화학식 3묘에서,方 내지 는 각각 이고, 1 내지 7은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기， 치환또는 비치환된 바이페닐렌기， 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 또는 치환또는 비치환된
나프틸렌기이고， X2 및 X3은 각각 독립적으로
Figure imgf000045_0002
Figure imgf000045_0003
독립적으로 수소 또는 페닐기일 수 있으며，
상기 화학식 3쇼의 II8 및 II9은 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환또는 비치환된 나프틸기이고,
상기 화학삭 38의 II9은 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기일 수 있다.
예컨대, 화학식 3쇼는 화학식 3쇼-1 또는 화학식 3쇼-2로 표현될 수 있다. 예컨대, 화학식 3B는상기 화학식 3B-1로 표현될 수 있다.
유기 광전자소자용조성물은 전술한제 1 유기 광전자소자용화합물 및 제 2 유기 광전자소자용화합불외에 1종 이상의 화합물을더 포함할수 있다.
유기 광전자소자용조성물은도펀트를 더 포함할수 있다. 도펀트는 예컨대 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색，녹색 또는 청색의 인광도펀트일 수 있고， 예컨대 적색 인광도펀트일 수 있다.
도펀트는 제 1 유기 광전자소자용 화합물과 제 2유기 광전자소자용 화합물에 미량혼합되어 발광을 일으키는물질로, 일반적으로삼중항상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는금속착체 (metal complex)와같은물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기,유기，유무기 화합물일 수 있으며， 1종또는 2종 이상포함될 수 있다.
도펀트의 일 예로 인광도펀트를들수 있으며， 인광도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합을포함하는유기 금속화합물을들수 있다. 인광도펀트는 예컨대 하기 화학식 T로 표현되는 화합물을사용할수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L8MX5
상기 화학식 Z에서, M은금속이고, L8 및 X5는서로 같거나다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합일 수 있고,상기 L8 및 X4는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 유기 광전자소자용조성물은화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.
이하상술한유기 광전자소자용조성물을 적용한유기 광전자소자를 설명한다.
유기 광전자소자는 전기 에너지와광에너지를상호 전환할수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자，유기 발광소자，유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을들수 있다.
여기서는유기 광전자소자의 일 예인 유기 발광소자를 도면을 참고하여 설명한다. 2019/240368 46 1»（：1^1{2019/004712 도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른유기 발광소자를보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면， 일 구현예에 따른유기 발광소자 (100)는서로 마주하는 양극 (120)과음극 (110)，그리고 양극 (120)과음극 (110)사이에 위치하는유기층 (1야)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공주입이 원활하도록 일 함수가높은도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속，금속산화물 및/또는도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금， 바나듐，크롬,구리, 아연,금과 같은금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 ( )),
인듐아연산화물 (12：0)과 같은금속산화물;
Figure imgf000047_0001
금속과 산화물의 조합;폴리 (3 -메틸티오펜)，폴리 (3,4-(에틸렌- 1,2- 디옥시)
Figure imgf000047_0002
늘리피롤 및 들리아닐린과 같은 도전성 고분자등을들수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (110)은 예컨대 전자주입이 원활하도록 일 함수가낮은도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속,금속산화물 및/또는도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리륨,가돌리늄, 알루미늄，은，주석,납，세슘, 바륨등과 같은금속또는 이들의 합금;
Figure imgf000047_0003
물질을들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 전술한유기 광전자소자용조성물을포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
발광층 (130)은 예컨대 전술한유기 광전자소자용조성물을포함할수 있다. 전술한유기 광전자소자용조성물은 예컨대 적색 발광조성물일 수 있다. 발광층 (130)은 예컨대 전술한제 1 유기 광전자소자용화합물과 제 2유기 광전자소자용화합물을각각 인광호스트로서 포함할수 있다.
도 2를 참고하면,유기 발광소자 (200)는 발광층 (130)외에 정공보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과발광층 (130)사이의 정공주입 및/또는 정공 이동성을더욱높이고 전자를 차단할수 있다. 정공보조층 (140)은 예컨대 정공수송층, 정공주입층 및/또는 전자차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할수 있다.
상기 정공보조층 (140)은 예컨대 하기 그룹묘에 나열된 화합물 중 적어도 2019/240368 47 1»（：1^1{2019/004712 하나를 포함할 수 있다.
구체적으로 상가 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공 수송층, 및 상기 발광층 (130)과 상기 정공 수송층 사이의 정공 수송 보조층을 포함할 수 있고, 하기 그룹 에 나열된 화합물 중 적어도 하나는 상기 정공 수송 보조층에 포함될 수 있다.
［그룹미
Figure imgf000048_0001
2019/240368 48 1»（：1/10公019/004712
Figure imgf000049_0001
상기 정공수송보조층에는 전술한화합물 외에도 1185061569人付1993- 009471人 01995-009147쇼1， 1995-126615成 1998-095973쇼등에 기재된 공지의 화합물 및 이와유사한구조의 화합물도사용될 수 있다. 2019/240368 49 1»（：1/10公019/004712 또한,본 발명의 일 구현예에서는도 1 또는도 2에서 유기층 (105)으로서 추가로 전자수송층, 전자주입층， 전공주입층등을 더 포함한유기발광소자일 수도 있다.
유기 발광소자 (100, 200)는 기판위에 양극또는 음극을 형성한후, 진공증착법 (evaporation),스퍼터링 (sputtering),플라즈마도금 및 이온도금과같은 건식성막법 등으로유기층을 형성한후，그 위에 음극또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한유기 발광소자는유기 발광표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하실시예를통하여 상술한구현예를보다상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는단지 설명의 목적을위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
이하,실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은특별한 언급이 없는 한, Sigma- Aldrich /Tit, TCI It, tokyo chemical industry또는 P&H tech에서 구입하였거나,공지된 방법을통해 합성하였다.
하기 합성 중간체의 경우 KR10-1423173 B1 특허 등을 참고하여 합성하였다.
Figure imgf000050_0001
(제 1 유기 광전자소자용화합물의 제조)
합성예 1: 화합물쇼-52의 제조 \¥0 2019/240368 50 꾜 뼤 에과
[반응식 1]
Figure imgf000051_0001
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 A 5.04 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이드 (sodium t-butoxide) 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 (butylphosphine) 0.1g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd (加 a)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과 증류수로추출후유기층을무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 : 1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-52를 흰색 고체로 7.8g (수율 82.3%)을 수득 하였다.
계산값: C, 89.52; H, 5.51; N, 2.32; 0, 2.65
분석값: C, 89.51; H, 5.52; N, 2.32; 0, 2.65 합성예 2: 화합물 A-82의 제조
[반응식 2]
Figure imgf000051_0002
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 B 4.63 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이—(sodium t-butoxide) 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 O.lg (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류 교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후 유기층을무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 2019/240368 51 1»(：1/10公019/004712 정제하여 목적 화합물인쇼-82를 흰색 고체로 7.3은 (수율 80.5%)을수득 하였다. 계산값: 0, 89.40; II, 5.41;外 2.42; 0, 2.77
분석값: 0, 89.42; ¾ 5.39;此 2.42; 0, 2.77 합성예 3: 화합물쇼_83의 제조
[반응식 3]
Figure imgf000052_0001
중간체 -3 5.0은 (15.68 11111101)과중간체 0 6.23은 (15.68 11111101),소디움 I 부톡사이드 4.52 § (47.95 11111101)， ¾ 11 -부틸포스핀 0.1용 (0.47 11111101)을톨루엔 200 에 용해 시키고, ? 加句2 0.2걔 (0.47 «111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유가층을
무수황산마그네슘으로 건초, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-83을 흰색 고체로 9.2§ (수율 86.2%)을수득 하였다. 계산값: 0, 90.10; 5.49;代 2.06; 0, 2.35
분석값: (그, 90.12;뙤 5.47;此 2.06; 0, 2.35 합성예 4: 화합물쇼-56의 제조
[반응식 4]
Figure imgf000052_0002
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)4중간체 0 5.67용 (15.68 1111x101),소디움 2019/240368 52 1»（：1/10公019/004712 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고， Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol) 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 톨루엔과 증류수로 주줄 투 유기증을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-56을 흰색 고체로 8.6g (수율 85.1%) 을 수득 하였다. 계산값: C, 89.55; H, 5.79; N, 2.18; 0, 2.49
분석값: C, 89.56; H, 5.78; N, 2.18; 0, 2.49 합성예 5: 화합물쇼-70의 제조
[반응식 5]
Figure imgf000053_0001
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과 중간체 E 7.63 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을 톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol) 을 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반응 종료 투 톨루엔과 증류수로 주줄 푸 유기증을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-70을 흰색 고체로 10.5g (수율 87%) 을 수득 하였다. 계산값: C, 89.03; H, 5.24; N, 3.64; 0, 2.08
분석값: 0, 89.01; ¾ 5.26; 3.64; 0, 2.08 합성예 6: 화합물쇼-76의 제조 \¥0 2019/240368 53 1»（：1/10公019/004712
[반응식 6]
Figure imgf000054_0001
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 F 7.87 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에. 용해 시키고， Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소 분위기 하에서 12시간동안 환류 교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-76을 흰색 고체로 10.7g (수율 87%)을수득 하였다.
계산값: C, 87.33; H, 4.76; N， 1.79; 0, 6.12
분석값: C, 87.31; H， 4.78; N， 1.79;◦， 6.12 합성예 7: 화합물쇼-78의 제조
[반응식 7]
중
Figure imgf000054_0002
부톡사이드 4.52은 (47.95 11111101)， 1¾나 -부틸포스핀 0.1은 (0.47 11111101)을톨루엔 200 에 용해 시키고, ? 此句2 0.2 (0:47 «111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 2019/240368 54 1»(：1/10公019/004712 정제하여 목적 화합물인쇼-78을 흰색 고체로 10 (수율 81.2%)을수득 하였다. 계산값: 0, 83.89; ¾ 4.57;凡 1.72; 0, 1.96; 8, 7.86
분석값: 0, 83.86; ¾ 4.59; 1.72; 0, 1.96; 7.86
합성예 8: 화합물쇼-80의 제조
[반응식 8]
Figure imgf000055_0001
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 H 8.12 g (15.68 mmol),소디움 t- 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로주줄푸유기증을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-80을 흰색 고체로 10.8g (수율 86%)을수득 하였다. 계산값: C, 85.58; H, 4.66; N, 1.75; 0, 4.00; S, 4.01
분석값:〔〕, 85.59; ¾ 4.67;代 1.75; 0, 4.00;民 4.01
합성예 9:화합물쇼-84의 제조
[반응식 9]
Figure imgf000055_0002
중간체 3 5.0은 (15.68 11111101)과중간체 1 7.08 § (15.68 11111101),소디움ᄂ 2019/240368 55 1»（：1/10公019/004712 부톡사이드 4.52 g (47.95 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.1 g (O.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 I2시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-84을 흰색 고체로 9.4g (수율 81.6%)을수득 하였다. 계산값: C, 88.37; H, 5.36; N, 1.91 ; 0, 4.36
분석값: C, 88.35; H, 5.38; N, 1.91 ; 0, 4.36
합성예 10:화합물쇼-85의 제조
［반응식 1이
Figure imgf000056_0001
중간체 M-3 5.0 g (15.68 mmol)과중간체 J 9.12 g (15.68 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.52 47.95 11111101)/1¾4 -부틸포스핀 0.1 g (0.47 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고， Pd(dba)2 0.27g (0.47 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안 환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로 주출후유기증을
무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-85을 흰색 고체로 10.4g (수율 76.7%)을수득 하였다. 계산값: C, 87.57; H, 5.25; N, 1.62; 0, 5.56
분석값: 0, 87.59; ¾ 5.23; 1.62; 0, 5.56
합성예 11:화합물쇼-53의 제조 2019/240368 56 1»(：1/10公019/004712
[반응식 11]
Figure imgf000057_0001
중간체 M-405.0 g (11.29 mmol)과중간체 A 3.63 g (11.29 mmol),소디움 t- 부톡사이드 3.25 g (33.87 mmol)，Tri-tert-부틸포스핀 0.07g (0.34 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.19g (0.34 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서
12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-53을 흰색 고체로 7.3g (수율 88.8%)을수득 하였다. 계산값: C, 90.75; H， 5.12; N, 1.92; 0, 2.20
분석값: C, 90.73; H, 5.14; N, 1.92; 0, 2.20 합성예 12:화합물쇼-54의 제조
[반응식 12]
Figure imgf000057_0002
12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-54을 흰색 고체로 7.5§ (수율 81%)을수득 하였다. 계산값: 0, 87.20; ¾ 5.37; 2.26; 5.17
분석값: 0, 87.22; ¾ 5.35;札 2.26; 8, 5.17 합성예 13:화합물쇼-87의 제조
[반응식 13]
Figure imgf000058_0001
중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)과중간체 B 4.41 g (14.93 mmol),소디움 t- 부톡사이드 4.31 g (44.79 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.09g (0.45 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.26g (0.45 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응 종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 A-87을 흰색 고체로 7.6g (수율 85.7%) 을수득 하였다. 계산값: C, 86.98; H, 5.26; N, 2.36; S, 5.40
분석값: C, 86.99; H, 5.25; N, 2.36; S, 5.40 합성예 14:화합물 A-88의 제조
[반응식 14]
Figure imgf000058_0002
중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)과중간체 C 5.94 g (14.93 mmol), 소디움 t- 부톡사이드 4.31 g (44.79 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.09g (0.45 mmol)을톨루엔 200 ml에 용해 시키고, Pd(dba)2 0.26g (0.45 mmol)을 넣은후 질소분위기 하에서
12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다. 2019/240368 58 1»(：1/10公019/004712 생성물을노말핵산/디클로로메탄（2 :1부피비）으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-88을흰색 고체로 8.2용（수율 78.9%）을수득 하였다. 계산값: 0, 88.02; ¾ 5.36;札 2.01; \ 4.61
분석값: 0, 88.00; ¾ 5.38;代 2.01; 4.61 합성예 15:화합물 159의 제조
[반응식 15]
Figure imgf000059_0001
중간체 M-6 5.0 g (14.93 mmol)4중간체 0 5.4 § (14.93 ^01), 소디움 부특사이드 4.31은（44.79 11111101）, 1¾나6« -부틸포스핀 0.09§（0.45 11111101）을톨루엔
200 에 용해 시키고, ?（1（（« ）2 0.26용（0.45 11111101）을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류 교반시킨다. 반응종료투톨루엔과증류수로주줄후유기증을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄（2 :1부피비）으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-59을 흰색 고체로 8 （수율 85.2%）을수득 하였다. 계산값: 0, 87.37; ¾ 5.65;代 2.12; 4.86
분석값: 0, 87.35;돠 5.67;外 2.12; , 4.86 합성예 16:화합물쇼-28의 제조
[반응식 16]
Figure imgf000059_0002
중간체 M-11 5.0 g (12.66 mmol)과중간체 A 4.07 g (12.66 mmol),소디움 t- 부톡사이드 3.65 g (37.99 mmol), Tri-tert-부틸포스핀 0.08g (0.38 mmol)을톨루엔 2019/240368 59 1»（：1^1{2019/004712
200 1111에 용해 시키고, ?{1( 句2 0.22§ (0.38 11111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로주줄후유기증을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 요-28을 흰색 고체로 7.3§ (수율 84.8%)을수득 하였다. 계산값: 0, 90.10; ¾ 5.49;此 2.06; 0, 2.35
분석값: (그， 90.12; ¾ 5.47;外 2.06; 0, 2.35 합성예 17:화합물쇼-30의 제조
[반응식 17]
Figure imgf000060_0001
중간체 M-16 5.0은 (12.17 11111101)과중간체 쇼 3.91은 (12.17 11111101)，소디움 1 부톡사이드 3.65은 (37.99 11111101), 나 -부틸포스핀 0.0걔 (0.36 11111101)을톨루엔
200 에 용해 시키고, (1 (此句2 0.22§ (0.38 11111101)을 넣은후 질소분위기 하에서 12시간동안환류교반시킨다. 반응종료후톨루엔과증류수로추출후유기층을 무수황산마그네슘으로 건조， 여과하고 여과액을 감압농축하였다.
생성물을노말핵산/디클로로메탄 (2 :1부피비)으로 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인쇼-30을 흰색 고체로 7. (수율 83.8%)을수득 하였다. 계산값: 0, 88.02; II, 5.36;此 2.01; , 4.61
분석값: 0, 88.04;氏 5.34;此 2.01 ;요, 4.61 합성예 18:화합물 93의 합성 2019/240368 60 1»(：1/10公019/004712
[반응식 18]
Figure imgf000061_0001
상기 중간체 M-3, 중간체 K를 1 : 1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 A-93을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C43H31NO Exact Mass: 577.24 found for 577.77 [M+H] 합성예 19: 화합물쇼-94의 합성
[반응식 19]
Figure imgf000061_0002
상기 중간체 M-6, 중간체 K를 1 :1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 A-94을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C43H31NS Exact Mass: 593.22 found for 593.78 [M+H] 비교합성예 1： 화합물 V-1의 합성
[반응식 20]
Figure imgf000061_0003
질소 환경에서 상기 화합물 Biphenylcarbazolyl bromide (12.33 g, 30.95 mmol)을 2019/240368 61 1»(：1/10公019/004712
Toluene 200 mL에 녹인 투, biphenylcarbazolylboronic acid (12.37 g, 34.05 mmol) 와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(12.83 g, 92.86 mmol)을 넣고 90 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 V-1 (18.7 g, 92 %)을 얻었다.
LC/MS calculated for: C48H32N2 Exact Mass: 636.26 found for 636.30 [M+H] 비교합성예 2: 화합물 V-2의 합성
[반응식 21]
Figure imgf000062_0001
둥근바닥플라스크에 중간체 V-2-l(5,8-dihydro-indolo[2,3- C]carbazole) 8g(31 2mmol), 4 -아이오도바이페닐 20.5g(73.32mmol), Cul 1.19g(6.24mmol), 1,10-phenanthroline 1.12g(6.Mmmol), ¾C03 12.9g(93.6mmol)을 넣고 DMF 50ml-i: 가하여 질소 분위기 하에서 24시간 동안환류 교반 시킨다. 반응 종료 후 증류수로 가하여 결정을 석출시키고, 여과하였다. 고체를 xylene 250ml에 녹여 실리카 겔로 여과한후, 백색 고체로 석출시켜 화합물 V-2 16.2g (수율 93%)을 얻었다.
LC/MS calculated for: C42H28N2 Exact Mass: 560.23 found for 560.27 [M+H]
(제 2유기 광전자소자용화합물의 제조)
합성예 20: 화합물 1의 합성
[반응식 22]
Figure imgf000062_0002
중간체 8-1-1의 합성 500 mL둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 g(81.34 mmol)을무수 테트라하이드로퓨란 200 mL에 녹이고, 질소 대기 하에서 3 -바이페닐
마그네슘브로마이드용액 (0.5M 테트라하이드로퓨란 ) 1 당량을 0°C에서 적가하고 서서히 상온으로올린다. 상온에서 1 시간동안교반한후, 반응액을 얼음물 500 mL에 넣고층분리시킨다.유기층을분리하고무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다.농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 B-1- 1을 17.2 g얻었다.
b)화합물 B-1의 합성
500 mL의 둥근 바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 B-1-1 17.2g (56.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 100 mL를 넣고, 다이벤조퓨란- 3 -보론산 (cas:
395087-89-5) 2당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고， 석출된 고체를 여과하고,물 500 mL로씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-14: 12.87 g얻었다.
LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.1790 found for: 566.18 [M+H] 합성예 21: 화합물 3의 합성
[반응식 23]
Figure imgf000063_0001
幻중간체 8-3-1의 합성
질소환경에서 magnesium(7.86 g, 323 mmol)과 iodine(1.64 g, 6.46 mmol)욜 tetrahydrofliran(THF) 0.1 L에 넣고 30분간교반시킨 후, 여기에 THF 0.3 L에 녹아있는 l-bromo-3,5-diphenylbenzene(100 g， 323 mmol)을 0 °C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 이렇게 만들어진 혼합액을 THF 0.5 L에 녹아있는 시아누릭클로라이드 64.5 g (350 mmol)용액에 0°C에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 반응완료후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로주줄한다음무수 MgSC>4로수분을 제거한후， 필터하고 감압농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-3-l(79.4 g, 65 %)을 얻었다.
b) 화합물 B-3의 합성
중간체 B-3-1을사용하여 상기 합성예 20의 비와같은방법으로 화합물 B-3를 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.2103 found for 642.21 [M+H] 합성예 22:화합물 B-17의 합성
[반응식 24]
Figure imgf000064_0001
a)중간체 B-17-1의 합성
500 mL의 둥근 바닥플라스크에 2, 4 -디클로로- 6 -페닐트리아진 22.6g (100 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL,톨루엔 100 mL, 증류수 100 mL를 넣고， 다이벤조퓨란- 3 -보론산 (CAS No.: 395087-89-5) 0.9 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 6시간 후 반응액을 냉각시키고,물층을 제거한후,유기층을 감압하에서 건조시킨다. 얻어진 고체를물과 핵산으로씻어준후，고체를톨루엔 200 mL로 재결정하여 중간체 B-17-1을 21.4 g(60%수율) 얻었다.
b)화합물 B-17의 합성
500 mL의 둥근 바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 B-17-1 (56.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL,증류수 100 mL를 넣고, 3,5 -다이페닐벤젠보론산 (CAS No.: 128388-54-5) 1.1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고,물 500 mL로씻는다. 고체를모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-17을 얻었다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 555.19多 8 found for 556.21 [M+H] 합성예 23:화합물 B-20의 합성 [반응식 25]
Figure imgf000065_0001
No.: 491612-72-7)을사용하여 상기 합성예 22의 비와같은 방법으로 화합물 B-20을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 24: 화합물 B-23의 합성
[반응식 26]
Figure imgf000065_0002
幻중간체 123-1의 합성
500 II止둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 81.34 _01）을무수 테트라하이드로퓨란 20011止에 녹이고, 질소대기하에서 4 -바이페닐
마그네슘브로마이드용액 （0.5M 테트라하이드로퓨란）1 당량을 0°（그에서 적가하고 서서히 상온으로올린다.상온에서 1 시간동안교반한후, 반응액을 얼음물 500 1!止에 넣고층분리시킨다.유기층을분리하고무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다.농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 3 23 1을 17 2 g얻었다.
비중간체 요-23-2의 합성
중간체 23-1을사용하여 상기 합성예 22의 句와 같은 방법을사용하여 중간체 3-23-2을합성하였다.
화합물 8-23의 합성
중간체 123-2와 1.1 당량의 3, 5 -다이페닐벤젠보론산을사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-23을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 25: 화합물 B-24의 합성
[반응식 27]
Figure imgf000066_0001
중간체 묘-23-2와 1.1 당량의 8-[1,1’:4’,1"-16 1½11 1]-3-541）01'011止 （1을 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 24를 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 26: 화합물 B- 의 합성
[반응식 28]
Figure imgf000066_0002
幻 중간체 8-71-1의 합성
500：1止의 둥근 바닥 플라스크에 3 -브로모-디벤조퓨란 14.06 56.9011111101）， 테트라하이드로퓨란 20011止, 증류수 10011止를 넣고, 3'-클로로-페닐보론산 1 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간후 반응액을 냉각시키고， 석출된 고체를 여과하고, 물 50011止로 씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 11止로 재결정하여 중간체 기- 1을 12.05 § 얻었다.（수율 76%）
비 중간체 171-2의 합성
500 II止둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 8-71-1 24.53용（88.02 _01）을 디엠에프 250 !1止에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량，초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간동안가열 환류시켰다. 반응액을 냉각시키고,물 1 L에 적하시켜 고체를 잡는다. 얻어진 고체를 끓는톨루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후실리카겔에서 여과한후 여액을농축한다. 농축된 고체를소량의 핵산과교반후，고체를
여과하여 중간체 B-71-2를 22.81g얻었다.（수율 70%）
c）화합물 B-기의 합성
중간체 B-71-2와 2,4-Bis（[l，r-biphenyl]-4-yl）-6-chloro-l,3,5-triazine을각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 b）와같은방법으로 화합물 B-기을합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.25 [M+H] 합성예 27: 화합물 B-124의 합성
[반응식 29]
Figure imgf000067_0001
중간체 8-124-1의 합성
1 -브로모- 3 -클로로- 5 -페닐벤젠과비페닐- 4 -보론산 1.1 당량을사용하여 상기 합성예 22의 句와 같은 방법으로 중간체 124-1을 합성하였다. 이때 재결정 대신 핵산을 이용한플래쉬컬럼을통해 생성물을 정제하였다.
비중간체 8-124-2의 합성
50011止둥근 바닥플라스크에 상기
Figure imgf000067_0002
0 250 11止에 넣고, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량,
비스피나콜라도다이보론 1.2 당량,초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간동안가열 환류시켰다. 반응액을 냉각시키고,물 1느에 적하시켜 고체를잡는다. 얻어진 고체를끓는톨루엔에 녹여 활성탄소를 처리 후실리카겔에서 여과한후 여액을농축한다.농축된 고체를 소량의 핵산과교반후, 고체를 여과하여 중간체 묘-124-2를 28.5 70%수율） 얻었다.
화합물 124의 합성
중간체 8-124-2 및 중간체 7-1을각각 1.0당량씩 사용하여 상기 합성예 2019/240368 67 1»（：1/10公019/004712
22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-124를 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.22 [M+H] 합성예 28: 화합물 B-129의 합성
[반응식 3이
Figure imgf000068_0001
句 중간체 129-1의 합성
1~81*01110-4-（：11101：0 61126116과 3-（¾61120¾1 11）¾01011 （1를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 26의 a)와 같은 방법으로 중간체 B-129-1을 합성하였다.
b) 중간체 B-129-2의 합성
중간체 B-129-1와 비스피나콜라도 다이보론 1 :1.2 당량비를 사용하여 상기 합성예 26의 비와 같은 방법으로 중간체 B-129-2을 합성하였다.
c) 화합물 B-129의 합성
중간체 B-129-2와 2-chloro-4-(biphenyl-4-yl)6-phenyl-l，3,5-triazine을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-129을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H] 합성예 29: 화합물 B-131의 합성
[반응식 31]
Figure imgf000068_0002
중간체 6-23-2 및 중간체 135-2을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 B-131을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C43H27N30 Exact Mass: 601.22 found for 601.26 [M+H] 2019/240368 68 1»(：1/10公019/004712 합성예 30: 화합물 8-133의 합성
[반응식 32]
Figure imgf000069_0001
중간체 B-17-1 및 중간체 B-129-2을각각 1.0당량씩 사용하여 상기 합성예 ,5 22의 비와 같은 방법으로화합물 B-133을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.18 found for 565.22 [M+H] 합성예 31: 화합물 B-135의 합성
[반응식 33]
Figure imgf000069_0002
0 幻중간체 8-135-1의 합성
1~81*01110-4-011101*0 611761伯과 2-1 |)111:1 161½ ¾>01'011 를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 26의 句와 같은 방법으로중간체 135-1을합성하였다.
비중간체 묘-135-2의 합성
중간체 135-1와비스피나콜라도다이보론 1:1.2 당량비를사용하여 상기5 합성예 26의 비와 같은 방법으로 중간체 135-2을 합성하였다
화합물묘-135의 합성
중간체 135-2와 3-17-1을각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와 같은 방법으로 화합물 8-135을합성하였다.
LC/MS calculated for: C37H23N30 Exact Mass: 525.18 found for 525.22 [M+H]0 합성예 32: 화합물 D-25의 합성 2019/240368 1»（：1^1{2019/004712
[반응식 34]
Figure imgf000070_0001
a) 중간체 Int-1의 합성
1 -Bromo-4-chloro-2-fluorobenzene (61g, 291 mmol), 2,6-Dimethoxyphenylboronic Acid (50.4g, 277mmol), K2C03 (60.4g, 437mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (lO.lg, 8.7mmol)을
환저플라스크에 넣고 THF(500ml) 와 증류수 (200ml) 에 녹인 후 60°C에서 12시간 동안 환류교반시킨다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후
컬럼크로마토그래피 (Hexane:DCM(20%))를 이용하여 중간체 Int-1를 38g(51%) 수득하였다.
b) 중간체 Int-2의 합성
중간체 Int-1 (38g, 142mmol)와 Pyridine Hydrochloride(165g, 1425mmol) 을 환저플라스크에 넣고 200°C에서 24시간 동안 환류교반시킨다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후 증류수에 천천히 붓고 1시간 동안 교반시킨다. 고형물을 필터하여 중간체 Int-2를 23g(68%) 수득하였다.
c) 중간체 Int-3의 합성
중간체 Int-2 (23g, 96mmol)와 K2C03 (20g, 144mmol)을 환저플라스크에 넣고 NMP(lOOml)에 녹인 후 180°C에서 12시간 동안환류교반시킨다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓는다. 고형물을 필터한후 에틸아세테이트에 녹인 후 MgS04로 건조하고 유기층 감압 하에 제거한다.
컬럼크로마토그래피 (Hexane:EA(30%))를 이용하여 중간체 Int_3를 16g(76%)
수득하였다.
d) 중간체 Int-4의 합성
중간체 Int-3 (16g, 73mmol), Pyridine (12ml, 146mmol)을 환저플라스크에 넣고 DCM(200ml)에 녹인다. 온도를 0°C로 낮준 후 Trifluoromethanesulfonic Anhydride (14.7 , 8811111101)을 천천히 적가한다. 6시간 동안 교반한 후 반응이 종료되면 과량의 증류수를 넣어 30분간 교반한 후 DCM으로 추출한다. 유기용매를 감압하에 제거하고 진공건조하여 중간체 -4를 22.5就88%) 수득하였다.
중간체 1付-5의 합성
중간체 ¾1;-4 (22.5¾ 6½111101) 와 ¾태 ¾¥0 。 (1 (7.8生 641110101)， ¾(그()3 (13.3生
9611111101) 그리고 ?크 1¾3)4 (3.7¾ 3.211111101)을 이용하여 합성예 26의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 1付-5룰 14.4^81%) 수득하였다.
f) 중간체 Int-6의 합성
중간체 Int-5 (22.5g, 80mmol), Bis(pinacolato)diboron (24.6g, 97mmol), Pd(dppf)Cl2 (2g? 2.4mmol)? Tricyclohexylphosphine (3.9g, 16mmol) 그리고 Potassium acetate (16g,
161mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(320ml)으로 녹인다. 혼합물을 120°C에서 10시간 동안 환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간 동안 교반한다. 고형물을 필터한후 DCM에 녹인다. MgS04로 수분을 제거한후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한 후 감압 하에 제거한다. 고형물을 EA와 Hexane으로 재결정하여 중간체 Int-6를 26.9g(90%) 수득하였다.
g) 화합물 D-25의 합성
질소 조건에서 환저플라스크에 중간체 B-23-2 (15g, 35mmol), 중간체 Int-6 (12.8g, 35mmol), K2C03 (7.2g, 52mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (2g, 1.7mmol)을 이용하여 합성예 22의 비와 같은 방법으로 합성하여 화합물 D-25 15.5g(70%) 수득하였다.
LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.21 found for 641.25 [M+H] 합성예 33: 화합물 D-3의 합성
［반응식 35]
Ac
Figure imgf000071_0001
句 중간체 1)-3-1의 합성
2~61：01110-1-(：11101*0-3-£11101*0 - 과 2-11 (110 1)11611711)01011 표(^(1를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 30의 a)와 같은 방법으로 중간체 D-3-1을 합성하였다. b)중간체 D-3-2의 합성
중간체 D-3-1와 K2C03를 1:1.5 당량비를사용하여 상기 합성예 32의 이와 같은 방법으로 중간체 D-3-2를 합성하였다.
c)중간체 D-3-3의 합성
중간체 D-3-2와 Bis(pinacolato)diboron를 1:1.2 당량비를사용하여 상기 합성예 32의 와같은 방법으로 중간체 D-3-3를 합성하였다.
d)화합물 D-3의 합성
중간체 D-3-3와 2,4-Bis([l，l’-biphenyl]-4-yl)-6-chloro-l,3,5-triazine을각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 22의 비와같은 방법으로 화합물 D-3을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H]
(유기 발광소자의 제작)
실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500A 두께로 박막코팅된 유리 기판을증류수 초음파로세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄올 등의 용제로초음파세척을 하고 건조시킨 후플라즈마세정기로 이송 시킨 다음 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간세정 한후진공증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO투명 전극을 양극으로사용하여 ITO기판상부에 화합물 A을진공 증착하여 700A 두께의 정공주입층을 형성하고상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한후, 화합물 C를 700A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다.상기 정공수송층상부에 화합물 C-1을 400 A의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송보조층상부에 화합물 A-52 및 B- 135을 동시에 호스트로사용하고 도판트로 [Ir(piq)2acac] 2wt%로도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-52와화합물 B- 135은 7:3 중량비로사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층상부에 화합물 D와 Liq를동시에 1 :1 비율로진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층상부에 Liq 15 A과 A1 U00A을 순차적으로진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을가지는구조로 되어 있으며, 2019/240368 72 1»(：1^1{2019/004712 구체적으로 다음과 같다.
押0/화합물사700入)/화합물 50入)/화합물이700ᅀ)/화합물 0-1(400
A)/EML [화합물쇼-52 : 8-135 : [1 )2 떠 (2 %)] (400入) /화합물 0 : 1과(300ᅀ) / 1句(15시/신(1200入)의 구조로 제작하였다.
화합물 쇼: N4,N4'-diphenyl-N4,N4,-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4,-
(¾班 1난1比
화합물 6: 154,558 9,1 l-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN)
화합물 0: N-(biphenyl-4-yl)-9?9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl) -
911-£山0 11-2-죠111 16
화합물 0-1 : N,N-di([l,l,-biphenyl]-4-yl)-757-diInethyl-7H-fluoreno[453 - b]benzofuran-
10-크11난116
화합물 I): 8-(4-(456-di(naphthalen-2-yl)-l?3?5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline
실시예 2내지 실시예 16,비교예 1 및 비교예 2
표 1에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 평가
실시예 1 내지 16와 비교예 1 및 2에 따른 유기발광소자의 전력효율을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을
Figure imgf000073_0001
부터 10¥까지 상승시키면서 전류- 전압계 (¾ 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을
Figure imgf000073_0002
부터 10¥까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 전력효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 111쇼/¥12)의 전력 효율 /쇼) 을 계산하였다. 2019/240368 73 1»(：1^1{2019/004712
(4)수명 측정
휘도 (1/1112)를 90000(1/1112로유지하고 전류효율 (1/시이 97%로 감소하는 시간을측정하여 결과를 얻었다.
(5)구동전압측정
전류-전압계 (¾他 2400)를 이용하여 15111 0112에서 각소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다.
[표 1]
Figure imgf000074_0001
표 1을 참고하면，실시예 1 내지 16에 따른유기발광소자는 비교예 1 및 2에 2019/240368 74 1»（：1^1{2019/004712 따른유기발광소자와비교하여 구동 전압,효율 및 수명이 현저히 개선된 것을 확인할수 있다. 이상에서 본 발명의 바람직한실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims

2019/240368 75 1»（：1/10公019/004712
【청구의 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1 및 하기 화학식 2의 조합으로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용화합물, 그리고
하기 화학식 3으로표현되는 제 2유기 광전자소자용 화합물
을포함하는유기 광전자소자용조성물:
［화학식 1］ ［화학식 2］
Figure imgf000076_0001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서，
X1은 0또는요이고，
연결되고,
Figure imgf000076_0002
머지는 각각독립적으로 0-^- 이고,
V및 내지 1^ 4는각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 C6내지 020 아릴텐기， 치환또는 비치환된 02 내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
및 II1 내지 II6은각각독립적으로수소,중수소， 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기, 치환또는비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
II1 내지 II4중 적어도하나는 하기 화학식 3로표현되는 기이고，
［화학식 리
Figure imgf000076_0003
2019/240368 76 1»（：1^1{2019/004712 상기 화학식 ᄅ에서,
^ 및 느。는 각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, ^ 및 11。는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기， 치환 또는비치환된 01내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
*은 내지 1/와의 연결 지점이고;
［화학식 3］
Figure imgf000077_0001
상기 화학식 3에서,
7) 내지 方는 각각독립적으로
Figure imgf000077_0002
이고, 여기서 #는수소,중수소, 치환또는 비치환된 Cl 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 03 내지 030헤테로고리기, 치환또는비치환된 실릴기,치환 또는 비치환된 아민기， 할로겐,시아노기 또는 이들의 조합이고，
å1 내지 å3 중 적어도둘은 X이고,
5내지 17은각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II7내자 II9는각각독립적으로 치환또는 비치환된 06내지 030아릴기, 치환또는 비치환된 02내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II7내지 II9중 적어도하나는 하기 화학식 1?로 표현되는 기이고,
［화학식 비
Figure imgf000077_0003
상기 화학식 1?에서,
X2는 ◦ 또는 이고,
내지 는 각각독립적으로수소, 중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 2019/240368 77 1»（：1^1{2019/004712
030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기， 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
과 는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족, 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,
Figure imgf000078_0001
독립적으로 존재하거나 인접한 기가서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족， 방향족 또는 헤테로 방향족의 고리를 형성하고,
*는 ^ 내지 I； 중 어느 하나와의 연결 지점이다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서,
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1쇼 내지 화학식 내 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
［화학식 1시 ［화학식 1미 ［화학식 1이
Figure imgf000078_0002
상기 화학식 1쇼내지 화학식 내에서,
X1은 0또는 요이고，
V 및 내지 느4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기， 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 2019/240368 78 1»（：1^1{2019/004712 조합이고,
및 내지 #은 각각 독립적으로수소，중수소, 시아노기， 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 （그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
II1 내지 II4 중 적어도 하나는 하기 화학식 3로 표현되는 기이고,
［화학식 리
Figure imgf000079_0001
상기 화학식 에서，
Figure imgf000079_0002
독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 6 내지 020 아릴렌기， 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, ^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
*은 V 및 내지 와의 연결 지점이다.
【청구항 3】
제 1항에 있어서,
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 내-1-1 또는 화학식 내- 2-2로 표현되는 유기 광전자소자용 조성물:
［화학식 내-1-1］ ［화학식 \E-2-2］
Figure imgf000079_0003
상기 화학식 내-1-1 및 화학식 내-2-2에서, 2019/240368 79 1»（：1^1{2019/004712
X1은 0또는 요이고,
V및 내지 느4는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
및 II1 내지 II6은 각각 독립적으로 수소， 중수소, 시아노기， 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
Figure imgf000080_0001
독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 2의 조합으로 표현되는 융합고리이다.
【청구항 4】
제 1항에 있어서,
상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 3쇼 내지 화학식 30 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
［화학식 3시 ［화학식 3미
Figure imgf000080_0002
2019/240368 80 1»（：1^1{2019/004712
[화학식 30]
Figure imgf000081_0001
이고, 여기서
Figure imgf000081_0002
수소, 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기， 치환또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
å1 내지 玄 중 적어도 둘은 X이고,
1/ 내지 17은 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II8 및 II9는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환 또는 비치환된  2 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
X2 내지 X4는 각각 독립적으로 0또는名이고,
Figure imgf000081_0003
적으로 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 （그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐， 시아노기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 5]
제 4항에 있어서,
II8 및 II9는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 2019/240368 81 1»（：1^1{2019/004712 디벤조퓨람일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 는 하기 화학식 ^1 내지 화학식 ¾>-4 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
[화학식 1] [화학식 1>2] [화학식 1>3] [화학식 1>4]
Figure imgf000082_0001
상기 화학식 1)-1 내지 화학식 1)-4에서,
X2는 ◦ 또는 이고,
내지 II11는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 03 내지 030 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기， 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
과 는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 형성하고,
Figure imgf000082_0002
각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 형성하고,
*는 I5 내지 V 중 어느 하나와의 연결 지점이다.
【청구항 7】
제 1항에 있어서,
II7 내지 II9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 상기 화학식 1)로 표현되는 기 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 8】
제 1항에 있어서，
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1 2-2로 표현되고, 상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 3쇼 또는 화학식 38로 2019/240368 82 1»（：1^1{2019/004712 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
［화학식 내-2-2］
Figure imgf000083_0001
독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기， 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고，
， , !^2 및 II4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기， 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고라기 또는 이들의 조합이고,
^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 융합고리이고;
［화학식 3시 ［화학식 3미
Figure imgf000083_0002
상기 화학식 3쇼 및 화학식 38에서, 2019/240368 83 1»（：1^1{2019/004712 이고,
Figure imgf000084_0001
립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 페닐텐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐텐기， 치환또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환또는 비치환된 나프틸렌기이고，
II8 및 II9는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환또는 비치환된 나프틸기이고，
X2 및 X3은 각각 독립적으로 0또는 요이고,
Figure imgf000084_0002
독립적으로 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기， 할로겐， 시아노기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 9]
제 8항에 있어서,
상기 화학식 3쇼는 하기 화학식 3요-1 또는 화학식 3쇼-2로 표현되고， 상기 화학식 38는 하기 화학식 3 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
[화학식 3쇼-1] [화학식 3쇼_2]
Figure imgf000084_0003
화학식 3쇼-1 및 화학식 3쇼-2에서,
X1 내지 3는 각각 X이고,
Figure imgf000084_0004
독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기， 치환또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고,
모8 및 II9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 쿼터페닐기 또는 치환또는 비치환된 나프틸기이고, 2019/240368 84 1»（：1^1{2019/004712
X2는 0또는 이고,
1, #, 1 및 1 는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이며;
[화학식 36-1]
Figure imgf000085_0001
상기 화학식 3^1에서,
만 내지 方는 각각 X이고,
1/ 내지 I；은 각각 독립적으로 단일 결합， 치환主는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 또는 치환또는 비치환된 나프틸렌기이고，
II9는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환또는 비치환된 터페닐기이고, ’
X2 및 X3은 각각 독립적으로 0또는 요이고,
1 및 2, 및 11 1 및 好2 및 1 및 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환또는 비치환된 （그1 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 30 아릴기， 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 10】
제 1항에 있어서,
도펀트를 더 포함하는 유기 광전자소자용 조성물.
【청구항 11】
서로 마주하는 양극과 음극, 2019/240368 85 1»（：1^1{2019/004712 상기 양극과상기 음극사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을포함하고, 상기 유기층은 제 1항내지 제 10항중 어느 한항에 따른유기 광전자소자용 조성물을포함하는유기 광전자소자.
【청구항 12】
제 11항에 있어서，
상기 유기층은 발광층을포함하고，
상기 발광층은상기 유기 광전자소자용조성물을포함하는유기 광전자 소자.
【청구항 13】
제 12항에 있어서，
상기 제 1 유기 광전자소자용화합물과상기 제 2유기 광전자소자용 화합물은각각상기 발광층의 인광호스트로서 포함되는유기 광전자소자.
【청구항 14】
제 11항에 있어서,
상기 유기 광전자소자용조성물은 적색 발광조성물인 유기 광전자소자. 【청구항 15】
제 11항에 따른유기 광전자소자를포함하는표시 장치.
PCT/KR2019/004712 2018-06-12 2019-04-18 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 WO2019240368A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980039096.3A CN112292767A (zh) 2018-06-12 2019-04-18 用于有机光电装置的组成物、有机光电装置及显示装置
US16/972,705 US20210273176A1 (en) 2018-06-12 2019-04-18 Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device, and display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0067599 2018-06-12
KR1020180067599A KR102217250B1 (ko) 2018-06-12 2018-06-12 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019240368A1 true WO2019240368A1 (ko) 2019-12-19

Family

ID=68841824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/004712 WO2019240368A1 (ko) 2018-06-12 2019-04-18 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210273176A1 (ko)
KR (1) KR102217250B1 (ko)
CN (1) CN112292767A (ko)
TW (1) TWI796474B (ko)
WO (1) WO2019240368A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113948664A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件和显示设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120009761A (ko) * 2010-07-21 2012-02-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20130094903A (ko) * 2012-02-17 2013-08-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물
KR20170018276A (ko) * 2015-08-06 2017-02-16 에스에프씨 주식회사 고효율을 갖는 유기 발광 소자
KR20170023388A (ko) * 2015-08-21 2017-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170099231A (ko) * 2016-02-23 2017-08-31 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20180060619A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 에스에프씨 주식회사 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101423173B1 (ko) * 2010-11-04 2014-07-25 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
CN103709153B (zh) * 2012-09-29 2019-01-29 昆山维信诺显示技术有限公司 苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用
KR101627761B1 (ko) * 2013-07-10 2016-06-07 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101912107B1 (ko) * 2015-03-06 2018-10-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101849747B1 (ko) * 2016-07-20 2018-05-31 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102037817B1 (ko) * 2016-11-24 2019-10-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102393153B1 (ko) * 2017-07-27 2022-05-02 에스에프씨주식회사 저전압 구동이 가능하며, 고효율 및 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자
KR102258086B1 (ko) * 2018-09-04 2021-05-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102258085B1 (ko) * 2018-10-04 2021-05-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120009761A (ko) * 2010-07-21 2012-02-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20130094903A (ko) * 2012-02-17 2013-08-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물
KR20170018276A (ko) * 2015-08-06 2017-02-16 에스에프씨 주식회사 고효율을 갖는 유기 발광 소자
KR20170023388A (ko) * 2015-08-21 2017-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170099231A (ko) * 2016-02-23 2017-08-31 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20180060619A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 에스에프씨 주식회사 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113948664A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 三星Sdi株式会社 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件和显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20210273176A1 (en) 2021-09-02
CN112292767A (zh) 2021-01-29
KR20190140732A (ko) 2019-12-20
TW202000856A (zh) 2020-01-01
KR102217250B1 (ko) 2021-02-18
TWI796474B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6633793B2 (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
EP3575296B1 (en) Triazine compound, composition and organic optoelectronic device and display device
EP3643762B1 (en) Organic optoelectronic element and display device
KR102219645B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
TWI703203B (zh) 有機光電裝置以及顯示裝置
KR102275343B1 (ko) 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111162185B (zh) 有机光电器件及显示器件
JP2019522903A (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
KR102216472B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP2019527472A (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
WO2018093026A1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시장치
CN110872511A (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
CN112789740A (zh) 用于有机光电子元件的组合物、有机光电子元件及显示装置
CN114641479A (zh) 用于有机光电元件的化合物、用于有机光电元件的组合物、有机光电元件及显示装置
CN112079824A (zh) 用于有机光电器件的化合物、有机光电器件及显示器件
WO2019208937A1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP6478672B2 (ja) 有機化合物、組成物、有機光電子素子および表示装置
KR20190042989A (ko) 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190014472A (ko) 유기 전계 발광 소자
WO2017099155A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2019235857A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2019240352A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2019240368A1 (ko) 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP2023539094A (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
KR102008894B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19819440

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19819440

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1