WO2019212198A1 - 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2019212198A1
WO2019212198A1 PCT/KR2019/005050 KR2019005050W WO2019212198A1 WO 2019212198 A1 WO2019212198 A1 WO 2019212198A1 KR 2019005050 W KR2019005050 W KR 2019005050W WO 2019212198 A1 WO2019212198 A1 WO 2019212198A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
pressure sensor
forming
field effect
electric field
Prior art date
Application number
PCT/KR2019/005050
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
강문식
Original Assignee
주식회사 이너센서
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이너센서 filed Critical 주식회사 이너센서
Priority to US17/250,008 priority Critical patent/US11359984B2/en
Priority to CN201980028923.9A priority patent/CN112041650A/zh
Publication of WO2019212198A1 publication Critical patent/WO2019212198A1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
    • G01L1/148—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors using semiconductive material, e.g. silicon
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/26—Auxiliary measures taken, or devices used, in connection with the measurement of force, e.g. for preventing influence of transverse components of force, for preventing overload
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0005—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using variations in capacitance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G01L9/0048—Details about the mounting of the diaphragm to its support or about the diaphragm edges, e.g. notches, round shapes for stress relief

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a pressure sensor using a field effect and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a pressure sensor for detecting a pressure applied from the outside using an electric field effect and a manufacturing method of the pressure sensor.
  • the pressure sensor is a sensor capable of sensing the applied pressure, and is classified into a capacitive pressure sensor and a resistive pressure sensor.
  • the capacitive pressure sensor may detect a change in capacitance according to a test object located between electrodes and measure the pressure thereof. In this case, noise problems may occur due to gas or moisture present between the electrodes.
  • the resistive pressure sensor has a relatively large temperature variation depending on the operating temperature. Furthermore, when the resistance type temperature sensor is a high pressure type, the bonding between the metal and the silicon is required, and there is a problem in that the bonding strength and stability at the bonding surface between dissimilar materials are lowered.
  • Embodiments of the present invention provide a pressure sensor using a field effect that can have a relatively low temperature variation and improved sensitivity.
  • Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing a pressure sensor using a field effect that can have a relatively low temperature variation and improved sensitivity.
  • Pressure sensor using the electric field effect is a first electrode extending in the vertical direction and defining a core region, a second electrode disposed to surround the first electrode as a whole, A first insulating layer interposed between the first and second electrodes, a ground electrode electrically insulated from the second electrode, and disposed to surround the second electrode, and connected to the ground electrode and connected to the first and second electrodes And a membrane positioned to cover the two electrodes, together with the first and second electrodes, to form an electric field in an adjacent region, and to cause distortion of the electric field according to the approach of an object.
  • a second insulating layer interposed between the second electrode and the ground electrode may be additionally provided.
  • the ground electrode has a protrusion on the outermost, the protrusion may be connected to the outer portion of the membrane.
  • the membrane may be made of a silicon or metal material.
  • the first and second electrodes and the ground electrode may have a core cell structure.
  • the first electrode may include a central portion and a plurality of extensions extending in a radial direction with respect to the central portion.
  • a first electrode extending in the vertical direction and defining a core region, disposed to surround the first electrode and with the first electrode
  • a second electrode forming an electric field in an adjacent region, a first insulating layer interposed between the first and second electrodes, and a ground electrode electrically insulated from the second electrode and disposed to surround the second electrode.
  • the lower structure is provided. On the other hand, it is connected to the ground electrode and positioned to cover the first and second electrodes, and together with the first and second electrodes to form an electric field in the adjacent area, causing the electric field distortion due to the approach of the object To form an upper structure with a membrane provided. Thereafter, the lower structure and the lower structure are combined.
  • the lower structure is formed by forming an epitaxial layer on a substrate, then patterning the epitaxial layer to form an electrode pattern, and forming an insulating layer to cover the electrode pattern.
  • an epitaxial layer on a substrate
  • an electrode pattern to form an electrode pattern
  • an insulating layer to cover the electrode pattern.
  • the lower structure a photoresist pattern is formed on the substrate, and the electrode pattern is formed in the exposed region exposed to the upper surface of the substrate except the photoresist pattern through an electroplating process After removing the photoresist pattern, the insulating layer may be formed to cover the electrode pattern.
  • the lower structure may be formed by forming at least one via hole on a substrate, forming a polysilicon film in the via hole, and then patterning the polysilicon film.
  • an anodic bonding process or a bonding bonding process may be performed.
  • the pressure sensor according to the embodiments of the present invention as described above includes a membrane causing distortion of the electric field by the approach or contact of an object.
  • the change in the capacitance of the capacitor between the first and second electrodes and the membrane may be measured by the distorted electric field to detect a change in distance between the pressure sensor and the object.
  • the measured value according to the distance change can measure the pressure value applied to the membrane by the object.
  • a change in impedance or a change in voltage can be measured together. As a result, the pressure sensor can secure excellent sensitivity.
  • a hollow is formed between the electrodes and the membrane, and as the hollow is sealed, a noise problem may be suppressed by gas or moisture.
  • the resistive pressure sensor can effectively solve the problem of temperature deviation depending on the operating temperature.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a pressure sensor using a field effect according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an electric field of the pressure sensor of FIG. 1.
  • 3A to 3C are plan views illustrating the electrodes of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a pressure sensor using an electric field effect according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a manufacturing method of a pressure sensor using an electric field effect according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for describing another example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for describing another example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an example of a process of coupling the upper and lower structures of FIG. 5.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating another example of a process of coupling the upper and lower structures of FIG. 5.
  • the element when an element is described as being disposed or connected on another element, the element may be disposed or connected directly on the other element, with other elements interposed therebetween. May be Alternatively, if one element is described as being directly disposed or connected on another element, there may be no other element between them.
  • Terms such as first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or parts, but the items are not limited by these terms. Will not.
  • Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected sufficiently. Accordingly, embodiments of the invention are not to be described as limited to the particular shapes of the areas described as the illustrations, but include variations in the shapes, and the elements described in the figures are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the precise shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a pressure sensor using a field effect according to an embodiment of the present invention.
  • the pressure sensor 100 using the electric field effect may include a first electrode 110, a second electrode 130, a first insulating layer 120, and a ground electrode 150. ) And membrane 170.
  • the pressure sensor 100 using the electric field effect measures the change in capacitance using the distortion of the electric field according to the approach or contact of an object. As a result, pressure may be sensed by measuring a change in distance between the pressure sensor 100 and the object.
  • the first electrode 110 is provided in the core region of the pressure sensor 100.
  • the first electrode 110 may extend in the vertical direction.
  • the first electrode 110 may be made of a metal or a doped polysilicon material.
  • the second electrode 130 is provided to completely surround the first electrode 110. That is, the second electrode 130 may be provided along the outer circumferential surface of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 may be defined as one electrode of a capacitor having a capacitance together with the first electrode 110.
  • the second electrode 130 may extend in the vertical direction.
  • the second electrode 130 may be made of a metal or a doped polysilicon material.
  • the second electrode 130 may be made of the same material as the first electrode 110.
  • the first insulating layer 120 is interposed between the first and second electrodes 110 and 130. In other words, the first insulating layer 120 electrically insulates the first and second electrodes 110 and 130.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an electric field of the pressure sensor of FIG. 1.
  • the pressure sensor 100 including the first and second electrodes 110 and 130 and the membrane GND in a grounded state generates an electric field in the adjacent region.
  • an electric field is formed, and the magnetic flux constituting the electric field flows toward the membrane GND.
  • a fringing effect may occur at both ends of the first and second electrodes in which the magnetic flux is bent or spread inside the electromagnet. This time is defined as the electric field in a steady state.
  • the ground electrode 150 is provided to be electrically insulated from the second electrode 130.
  • the ground electrode 150 is provided to entirely surround the second electrode 130.
  • the ground electrode 150 forms an electric field in the adjacent region together with the first and second electrodes.
  • the ground electrode 150 may be limited to the electric field inside the adjacent area. do. That is, the ground electrode 150 functions as a guard ring, thereby suppressing the electric field from spreading to an undesired area and undesirably distorting the electric field by another member.
  • the membrane 170 is connected to the ground electrode 150. As such, the membrane 170 may be electrically grounded.
  • the membrane 170 is provided to cover the first and second electrodes 110 and 150. In addition, the membrane 170 is provided to be spaced apart from the first and second electrodes 110 and 130.
  • the membrane 170 causes distortion of the electric field by the approach or contact of an object. The change in the capacitance of the capacitor formed by the first and second electrodes 110 and 130 and the membrane 170 by the distorted electric field may be measured to detect a change in distance between the pressure sensor 100 and the object. have.
  • the pressure value applied to the membrane 170 may be measured. Furthermore, due to the distorted electric field, a change in impedance or a change in voltage can be measured together.
  • the membrane 170 may be made of silicon or a metal material. As such, the membrane 170 may have semiconductor or conductor properties.
  • a second insulating layer 140 interposed between the second electrode 130 and the ground electrode 150 may be additionally provided.
  • the second insulating layer 140 electrically insulates the second electrode 130 and the ground electrode 150.
  • the ground electrode 150 may have a protrusion 156 on the outermost.
  • the protrusion 156 is connected to the outer portion of the membrane 170, the hollow can be formed along the inner surface of the protrusion.
  • the protrusion 156 electrically connects the ground electrode 150 and the membrane 170 to each other. As a result, the membrane 170 may be electrically grounded.
  • the first and second electrodes 110 and 130 and the ground electrode 150 may have a core cell structure as a whole. As a result, the pressure sensor 100 may have a wider sensing area.
  • the pressure sensor 100 using the electric field effect according to the embodiments of the present invention may not only have excellent precision and high sensitivity, but may also reduce sensitivity variation due to temperature change.
  • the pressure sensor 100 may suppress the penetration of moisture or water between the first and second electrodes 110 and 130, thereby suppressing generation of noise due to moisture or water.
  • 3A to 3C are plan views illustrating the electrodes of FIG. 1.
  • the first and second electrodes 110 and 130 and the ground electrode 150 may have a core cell structure. That is, the first electrode 110 may have a cylindrical shape, the second electrode 130 and the ground electrode 150 may have a cylindrical shape having a hollow to surround the first electrode 150.
  • the first electrode 110 may include a central portion 110b and a plurality of extension portions 110a extending in a radial direction with respect to the central portion 110b.
  • the first electrode 110 may have a kanji shape in plan view.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a pressure sensor using an electric field effect according to an embodiment of the present invention. Since the pressure sensor using the electric field effect according to the embodiment of the present invention is the same as described above with reference to FIG. 1 except that the protrusion is replaced with the bonding unit 160, the bonding unit will be described.
  • the pressure sensor 100 using the electric field effect may include a first electrode 110, a second electrode 130, a first insulating layer 120, and a ground electrode 150. ), The membrane 170 and the bonding portion 160.
  • the bonding part 160 may be formed along the inner surface of the bonding part 160 by interconnecting the peripheral portion of the membrane 170 and the ground electrode 150.
  • the bonding unit 160 may be formed through, for example, an electroplating process or a bonding process. That is, the bonding part 160 may include an electroplating layer or a bonding layer.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a manufacturing method of a pressure sensor using an electric field effect according to an embodiment of the present invention.
  • the lower structure includes a first electrode, a second electrode, a first insulating layer, and a ground electrode.
  • the process of forming the lower structure will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 8.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • the epitaxial layer 210 is first formed on the substrate 20.
  • the epitaxial layer 210 may be formed through an epitaxial growth process.
  • a photoresist pattern (not shown) is formed on the epitaxial layer 210.
  • an etching process using the photoresist pattern as an etching mask is performed to form epitaxial layer patterns 210, 230, and 250 on the substrate 20.
  • the epitaxial layer patterns 210, 230, and 250 may function as electrode patterns such as a first electrode, a second electrode, and a ground electrode, respectively.
  • the first electrode, the second electrode, and the ground electrode are denoted by reference numerals 210, 230, and 250, respectively.
  • insulating layers 220 and 240 are formed to cover the epitaxial layer patterns 210, 230, and 250 as a whole.
  • the insulating layers 220 and 240 may be formed through an oxidation process or a deposition process for depositing silicon nitride.
  • a first insulating film 220 is formed between the first electrode 210 and the second electrode 230
  • a second insulating film 240 is formed between the second electrode 230 and the ground electrode 250. do.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for describing another example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • the metal film 25 is formed on the substrate 20. Thereafter, a photoresist film (not shown) is formed on the metal film 25. Subsequently, the photoresist film is patterned to form a photoresist pattern 27 exposing a part of the metal film. An electroplating process using the photoresist pattern 27 is performed to form electroplating layers 210, 230, and 250 on the exposed metal layer 25.
  • the electroplating layers 210, 230, and 250 form a first electrode, a second electrode, and a ground electrode.
  • the first electrode, the second electrode, and the ground electrode are denoted by reference numerals 210, 230, and 250, respectively.
  • an insulating film is formed to cover the electroplating layer. This forms a substructure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for describing another example of a manufacturing process of the lower structure of FIG. 5.
  • a plurality of via holes 29 penetrating the substrate 20 are formed.
  • the via holes 29 correspond to formation positions of the first electrode, the second electrode, and the ground electrode.
  • a polysilicon film 235 is formed to completely cover the inside of the via hole 29 and the substrate.
  • the polysilicon layer 235 is patterned to form polysilicon layer patterns 210, 230, and 250. That is, some of the polysilicon layer patterns 210, 230, and 250 embedded in the via holes among the polysilicon layer patterns correspond to a first electrode, a second electrode, and a ground electrode, respectively.
  • an insulating film (not shown) is formed to cover the polysilicon film patterns 210, 230, and 250 as a whole. As a result, the lower structure is formed.
  • the substructure is formed with a membrane.
  • the membrane is connected to the ground electrode and insulated from the first and second electrodes.
  • the membrane may be formed through an anisotropic etching process or a plasma etching process for the polysilicon film. Alternatively, the membrane may be formed through a welding process for the metal film.
  • the bonding part may be formed through an anodic bonding process.
  • the bonding part may be formed through an adhesive bonding process using an adhesive 280.
  • the pressure sensor and the manufacturing method of the pressure sensor according to the preferred embodiment of the present invention may be applied to a pressure sensor for detecting a pressure applied from the outside using an electric field effect.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

전계 효과를 이용한 압력 센서는 수직 방향으로 연장되고 코어 영역을 정의하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 전체적으로 둘러싸도록 배치된 제2 전극, 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 제1 절연층, 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연되고, 상기 제2 전극을 둘러싸도록 배치되는 접지 전극 및 상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들을 덮도록 위치하며, 상기 제1 및 제2 전극들과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하고, 물체의 접근에 따른 상기 전기장의 왜곡을 일으키도록 구비된 멤브레인을 포함한다.

Description

전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법
본 발명의 실시예들은 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 외부로부터 인가되는 압력을 전계 효과를 이용하여 감지하는 압력 센서 및 상기 압력 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
압력 센서는 인가되는 압력을 감지할 수 있는 센서로서, 정전용량형 압력 센서 및 저항형 압력 센서로 구분된다.
상기 정전용량형 압력 센서는 전극들 사이에 위치하는 피검사체에 따라 정전 용량의 변화를 감지하여 그 압력을 측정할 수 있다. 이때, 상기 전극들 사이에 존재하는 가스 또는 습기에 의하여 노이즈 문제가 발생할 수 있다. 또한 저항형 압력 센서는 가동 온도에 따라 온도 편차가 상대적으로 큰 문제를 가지고 있다. 나아가, 저항형 온도 센서는 고압형일 경우, 금속 및 실리콘 간의 접합이 요구되며 이종 물질 사이의 접합면에서의 접합 강도 및 안정이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 실시예들은 상대적으로 낮은 온도 편차 및 개선된 감도를 가질 수 있는 전계 효과를 이용한 압력 센서를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상대적으로 낮은 온도 편차 및 개선된 감도를 가질 수 있는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서는 수직 방향으로 연장되고 코어 영역을 정의하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 전체적으로 둘러싸도록 배치된 제2 전극, 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 제1 절연층, 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연되고, 상기 제2 전극을 둘러싸도록 배치되는 접지 전극 및 상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들을 덮도록 위치하며, 상기 제1 및 제2 전극들과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하고, 물체의 접근에 따른 상기 전기장의 왜곡을 일으키도록 구비된 멤브레인을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극 및 상기 접지 전극 사이에 개재된 제2 절연층이 추가적으로 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접지 전극은 최외각에 돌출부를 갖고, 상기 돌출부는 상기 멤브레인의 외곽부와 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 멤브레인은 실리콘 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 접지 전극은 코어 셀 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극은 중심부 및 상기 중심부를 기준으로 방사 방향으로 연장된 복수의 연장부들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법에 있어서, 수직 방향으로 연장되고 코어 영역을 정의하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 둘러싸도록 배치되며 상기 제1 전극과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하는 제2 전극, 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 제1 절연층 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연되고, 상기 제2 전극을 둘러싸도록 배치된 접지 전극을 구비하는 하부 구조물을 형성한다. 한편, 상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들을 덮도록 위치하며, 상기 제1 및 제2 전극들과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하고, 물체의 접근에 따른 상기 전기장의 왜곡을 일으키도록 구비된 멤브레인을 구비하는 상부 구조물을 형성한다. 이후, 상기 하부 구조물 및 상기 하부 구조물을 결합시킨다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 구조물은, 기판 상에 에피택셜층을 형성한 후, 상기 에피택셜층을 패터닝하여 전극 패턴을 형성하고, 상기 전극 패턴을 덮도록 절연층을 형성함으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 구조물은, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제외한 상기 기판의 상면이 노출된 노출 영역에 전기도금 공정을 통하여 전극 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 전극 패턴을 덮도록 절연층을 형성함으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 구조물은, 기판 상에 적어도 하나의 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀 내에 폴리실리콘막을 형성한 후, 상기 폴리실리콘막을 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 구조물 및 상기 하부 구조물을 결합시키기 위하여, 애노딕 본딩 공정 또는 접합 본딩 공정이 수행될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 압력 센서는 물체의 접근 또는 컨택에 의하여 전기장의 왜곡을 일으키는 멤브레인을 포함한다. 상기 왜곡된 전기장에 의하여 제1 및 제2 전극들과 멤브레인이 이루는 커패시터의 커패시턴스의 변화를 측정하여, 상기 압력 센서 및 물체 사이의 거리 변화를 감지할 수 있다. 이러한 거리 변화에 따른 측정값을 이용하여 상기 물체가 멤브레인에 가하는 압력값을 측정할 수 있다. 나아가, 상기 왜곡된 전기장에 의하여, 임피던스의 변화 또는 전압 변화가 함께 측정될 수 있다. 이로써, 상기 압력 센서는 우수한 감도를 확보할 수 있다.
상기 전극들 및 멤브레인 사이에 중공이 형성되며, 상기 중공이 밀봉됨에 따라 가스 또는 습기에 의하여 노이즈 문제가 억제될 수 있다. 또한 저항형 압력 센서는 가동 온도에 따라 온도 편차의 문제가 효과적으로 해결될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서를 설명하는 단면도이다.
도 2는 도 1의 압력 센서의 전계를 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 전극들을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서를 설명하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 6은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 다른 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 또 다른 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 도 5의 상부 및 하부 구조물들을 상호 결합하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 도 5의 상부 및 하부 구조물들을 상호 결합하는 공정의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서를 설명하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서(100)는 제1 전극(110), 제2 전극(130), 제1 절연층(120), 접지 전극(150) 및 멤브레인(170)을 포함한다. 상기 전계 효과를 이용한 압력 센서(100)는 물체의 접근 또는 컨택에 따른 전계의 왜곡을 이용하여 커패시턴스의 변화를 측정한다. 이로써, 압력 센서(100) 및 물체 사이의 거리 변화를 측정함으로써 압력을 감지할 수 있다.
상기 제1 전극(110)은 상기 압력 센서(100)의 코어 영역에 구비된다. 상기 제1 전극(110)은 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 전극(110)은, 금속, 도핑된 폴리실리콘 재질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 전극(130)은 상기 제1 전극(110)을 전체적으로 둘러싸도록 구비된다. 즉, 상기 제2 전극(130)을 상기 제1 전극(110)의 외주면을 따라 구비될 수 있다. 상기 제2 전극(130)은 상기 제1 전극(110)과 함께 커패시턴스를 갖는 커패시터의 일 전극으로 정의될 수 있다.
상기 제2 전극(130)은 수직 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(130)은, 금속, 도핑된 폴리실리콘 재질로 이루어질 수 있다. 상기 제2 전극(130)은 상기 제1 전극(110)과 같은 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 절연막(120)은 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130) 사이에 개재된다. 즉 상기 제1 절연막(120)은 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130)을 전기적으로 절연시킨다.
도 2는 도 1의 압력 센서의 전계를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130; sensor) 및 접지 상태의 멤브레인(GND)을 포함하는 압력 센서(100)는 상기 인접 영역에 전기장을 형성한다. 다시 말하면, 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130; sensor)에 교류 전압이 인가되면 전기장이 형성되고, 상기 전기장을 이루는 자속이 상기 멤브레인(GND)을 향하여 유입되도록 도시되어 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 전극들의 양 단부에는 자속이 전자석 내부에서 휘어지거나 퍼지는 프린징 효과가 발생할 수 있다. 이 때를 정상 상태의 전기장으로 정의한다.
한편, 상기 멤브레인을 향하여 전기전도성을 갖거나 자성을 갖는 물체가 접근할 경우, 정상 상태의 전기장에 대하여 왜곡이 발생한다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 접지 전극(150)은 상기 제2 전극(130)으로부터 전기적으로 절연될 수 있도록 구비된다. 상기 접지 전극(150)은 상기 제2 전극(130)을 전체적으로 둘러싸도록 구비된다. 상기 접지 전극(150)은 상기 제1 및 제2 전극과 함께 상기 인접 영역에 전기장을 형성한다.
또한, 상기 접지 전극(150)은 상기 전기장이 인접 영역 내부에 한정될 수 있다. 한다. 즉, 접지 전극(150)은 가드링(guard ring)으로서 기능함으로써, 상기 전기장이 원하지 않은 영역으로 퍼져서 상기 전기장이 다른 부재에 의하여 원하지 않게 왜곡되는 것을 억제할 수 있다.
상기 멤브레인(170)은 상기 접지 전극(150)과 연결된다. 이로써, 멤브레인(170)은 전기적으로 접지될 수 있다. 상기 멤브레인(170)은 상기 제1 및 제2 전극들(110, 150)을 덮도록 구비된다. 또한, 상기 멤브레인(170)은 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130)과 이격되도록 구비된다. 상기 멤브레인(170)은 물체의 접근 또는 컨택에 의하여 상기 전기장의 왜곡을 일으킨다. 상기 왜곡된 전기장에 의하여 제1 및 제2 전극들(110, 130)과 멤브레인(170)이 이루는 커패시터의 커패시턴스의 변화를 측정하여, 상기 압력 센서(100) 및 물체 사이의 거리 변화를 감지할 수 있다.
이러한 거리 변화에 따른 측정값을 이용하여 상기 물체가 멤브레인(170)에 가하는 압력값을 측정할 수 있다. 나아가, 상기 왜곡된 전기장에 의하여, 임피던스의 변화 또는 전압 변화가 함께 측정될 수 있다.
상기 멤브레인(170)은 실리콘 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 이로써, 상기 멤브레인(170)은 반도체 또는 도체 성질을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극(130) 및 상기 접지 전극(150) 사이에 개재된 제2 절연층(140)이 추가적으로 구비될 수 있다. 상기 제2 절연층(140)은 상기 제2 전극(130) 및 상기 접지 전극(150)을 전기적으로 절연시킨다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접지 전극(150)은 최외각에 돌출부(156)를 가질 수 있다. 이로써, 상기 돌출부(156)는 상기 멤브레인(170)의 외곽부와 연결됨으로써, 상기 돌출부의 내측면을 따라 중공이 형성될 수 있다. 또한, 상기 돌출부(156)는 상기 접지 전극(150) 및 상기 멤브레인(170)을 상호 전기적으로 연결시킨다. 이로써, 상기 멤브레인(170)이 전기적으로 접지 상태를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130)과 상기 접지 전극(150)은 전체적으로 코어셀 구조를 가질 수 있다. 이로써, 압력 센서(100)가 보다 넓은 감지 영역을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서(100)는 우수한 정밀도, 고감도 특성을 가질 뿐만 아니라, 온도 변화에 따른 감도 편차를 줄일 수 있다. 나아가, 상기 압력 센서(100)는 제1 및 제2 전극들(110, 130) 사이에 습기 또는 물의 침투가 억제됨으로서, 습기 또는 물에 의한 노이즈 발생이 억제될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 전극들을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 3a를 참조하면, 상기 제1 및 제2 전극들(110, 130)과 상기 접지 전극(150)은 코어셀 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(110)은 원기둥 형상, 제2 전극(130) 및 접지 전극(150)은 상기 제1 전극(150)을 감싸도록 중공을 갖는 원기둥 형상을 가질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 제1 전극(110)은 중심부(110b) 및 상기 중심부(110b)를 기준으로 방사 방향으로 연장된 복수의 연장부(110a)를 포함할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 제1 전극(110)은 평면에서 볼 때 한자 王 형상을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서를 설명하는 단면도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서는 돌출부를 본딩부(160)로 대체되는 점을 제외하는 도 1을 참고로 전술한 것과 동일하므로 본딩부를 중심으로 기술하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서(100)는 제1 전극(110), 제2 전극(130), 제1 절연층(120), 접지 전극(150), 멤브레인(170) 및 본딩부(160)를 포함한다.
상기 본딩부(160)는 상기 멤브레인(170)의 주변부 및 상기 접지 전극(150)을 상호 연결시킴으로써, 상기 본딩부(160)의 내측면을 따라 중공이 형성될 수 있다. 상기 본딩부(160)는 예를 들면, 전기도금 공정 또는 접합 공정을 통하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 본딩부(160)는 전기도금층 또는 접합층을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법을 설명하는 순서도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법에 있어서, 하부 구조물을 형성한다(S110). 상기 하부 구조물은 제1 전극, 제2 전극, 제1 절연층 및 접지 전극을 포함한다. 상기 하부 구조물을 형성하는 공정은 도 6 내지 도 8을 참고로 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(20) 상에 먼저 에피택셜층(210)은 형성한다. 상기 에피택셜층(210)은 에피택셜 성장 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이어서, 상기 에피택셜층(210) 상에 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하는 식각 공정을 수행하여 상기 기판(20) 상에 에피택셜층 패턴(210, 230, 250)을 형성한다. 상기 에피택셜층 패턴(210, 230, 250)이 각각 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극과 같은 전극 패턴으로 기능할 수 있다. 이하, 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극은 각각 참조번호 210, 230 및 250으로 표시된다. 이후, 상기 에피택셜층 패턴(210, 230, 250)을 전체적으로 덮도록 절연막(220, 240)을 형성한다. 상기 절연막(220, 240)은 산화 공정 또는 실리콘 질화물을 증착하는 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다.
이로써, 제1 전극(210) 및 제2 전극(230) 사이에는 제1 절연막(220)이 형성되고, 상기 제2 전극(230) 및 접지 전극(250) 사이에는 제2 절연막(240)이 형성된다.
도 7은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 다른 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 기판(20) 상에 금속막(25)을 형성한다. 이후, 상기 금속막(25) 상에 포토레지스트막(미도시)을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 상기 금속막의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴(27)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(27)을 이용하는 전기 도금 공정을 수행하여 상기 노출된 금속막(25)의 일부 상에 전기도금층(210, 230, 250)을 형성한다. 상기 전기 도금층(210, 230, 250)은, 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극을 형성한다. 이하, 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극은 각각 참조번호 210, 230 및 250으로 표시된다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후 상기 전기 도금층을 덮도록 절연막을 형성한다. 이로써 하부 구조물이 형성된다.
도 8은 도5의 하부 구조물의 제조 공정의 또 다른 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 및 도 8을 참조하면, 기판(20)을 관통하는 복수의 비아 홀들(29)을 형성한다. 상기 비아홀들(29)은 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극의 형성 위치에 대응된다.
이후, 상기 비아홀(29)의 내부 및 기판을 전체적으로 감싸는 폴리실리콘막(235)을 형성한다. 이후, 상기 폴리실리콘막(235)을 패터닝함으로써 폴리실리콘막 패턴(210, 230, 250)을 형성한다. 즉, 상기 폴리실리콘막 패턴 중 상기 비아홀들 내에 매립된 폴리실리콘막 패턴(210, 230, 250)의 일부는 각각 제1 전극, 제2 전극 및 접지 전극을 해당한다. 이어서, 상기 폴리실리콘막 패턴(210, 230, 250)을 전체적으로 덮도록 절연막(미도시)을 형성한다. 이로써, 하부 구조물이 형성된다.
도 5를 참조하면, 하부 구조물을 형성한다(S120). 상기 하부 구조물은 멤브레인을 갖도록 형성된다. 상기 멤브레인은 상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들로부터 절연된다. 상기 멤브레인은 폴리실리콘막에 대한 이방성 식각 공정 또는 플라즈마 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게 상기 멤브레인은, 금속막에 대한 웰딩 공정을 통하여 형성될 수 있다.
이어서, 상기 상부 구조물 및 상기 하부 구조물을 상호 본딩한다(S130). 이로써, 상기 상부 구조물 및 상기 하부 구조물 사이에는 본딩부가 형성된다.
도 5 및 도 9를 참조하면, 상기 본딩부는 애노딕 본딩 공정을 통하여 형성될 수 있다.
도 5 및 도 10을 참조하면, 상기 본딩부는 접착제(280)를 이용하는 접착 본딩 공정을 통하여 형성될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압력 센서 및 압력 센서의 제조 방법은 외부로부터 인가되는 압력을 전계 효과를 이용하여 감지하는 압력 센서에 적용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 수직 방향으로 연장되고 코어 영역을 정의하는 제1 전극;
    상기 제1 전극을 전체적으로 둘러싸도록 배치된 제2 전극;
    상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 제1 절연층;
    상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연되고, 상기 제2 전극을 둘러싸도록 배치되는 접지 전극; 및
    상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들을 덮도록 위치하며, 상기 제1 및 제2 전극들과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하고, 물체의 접근에 따른 상기 전기장의 왜곡을 일으키도록 구비된 멤브레인을 포함하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극 및 상기 접지 전극 사이에 개재된 제2 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접지 전극은 최외각에 돌출부를 갖고, 상기 돌출부는 상기 멤브레인의 외곽부와 연결된 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인은 실리콘 또는 금속 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극들과 상기 접지 전극은 코어 셀 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 중심부 및 상기 중심부를 기준으로 방사 방향으로 연장된 복수의 연장부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서.
  7. 수직 방향으로 연장되고 코어 영역을 정의하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 둘러싸도록 배치되며 상기 제1 전극과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하는 제2 전극, 상기 제1 및 제2 전극들 사이에 개재된 제1 절연층 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연되고, 상기 제2 전극을 둘러싸도록 배치된 접지 전극을 구비하는 하부 구조물을 형성하는 단계;
    상기 접지 전극과 연결되고 상기 제1 및 제2 전극들을 덮도록 위치하며, 상기 제1 및 제2 전극들과 함께 인접 영역에 전기장을 형성하고, 물체의 접근에 따른 상기 전기장의 왜곡을 일으키도록 구비된 멤브레인을 구비하는 상부 구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 하부 구조물 및 상기 하부 구조물을 결합시키는 단계를 포함하는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 하부 구조물을 형성하는 단계는.
    기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계;
    상기 에피택셜층을 패터닝하여 전극 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 전극 패턴을 덮도록 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 하부 구조물을 형성하는 단계는.
    기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 제외하고, 상기 기판의 상면이 노출된 노출 영역에 전기도금 공정을 통하여 전극 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 전극 패턴을 덮도록 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 하부 구조물을 형성하는 단계는.
    기판 상에 적어도 하나의 비아홀을 형성하는 단계;
    상기 비아홀 내에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 및
    상기 폴리실리콘막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 하부 구조물 및 상기 하부 구조물을 결합시키는 단계는 애노딕 본딩 공정 또는 접합 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전계 효과를 이용한 압력 센서의 제조 방법.
PCT/KR2019/005050 2018-04-30 2019-04-26 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법 WO2019212198A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/250,008 US11359984B2 (en) 2018-04-30 2019-04-26 Pressure sensor with improved detection sensitivity
CN201980028923.9A CN112041650A (zh) 2018-04-30 2019-04-26 利用电场效应的压力传感器及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0049615 2018-04-30
KR1020180049615A KR102044627B1 (ko) 2018-04-30 2018-04-30 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019212198A1 true WO2019212198A1 (ko) 2019-11-07

Family

ID=68386355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/005050 WO2019212198A1 (ko) 2018-04-30 2019-04-26 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11359984B2 (ko)
KR (1) KR102044627B1 (ko)
CN (1) CN112041650A (ko)
WO (1) WO2019212198A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894698A (en) * 1985-10-21 1990-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Field effect pressure sensor
KR20070004812A (ko) * 2004-04-01 2007-01-09 인피니언 테크놀로지스 아게 힘센서, 압력 센서, 위치 센서 및 지문센서
KR101291745B1 (ko) * 2012-05-11 2013-07-31 포항공과대학교 산학협력단 전계 효과 트랜지스터형 센서
KR20150091298A (ko) * 2012-08-21 2015-08-10 로베르트 보쉬 게엠베하 다수의 멤브레인 전극을 포함하는 mems 압력 센서
KR20160002489A (ko) * 2014-06-30 2016-01-08 서울시립대학교 산학협력단 전계효과트랜지스터형 압력 센서 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4538466A (en) * 1984-02-06 1985-09-03 Kerber George L Capacitance pressure transducer and method of fabrication therefor
JPS6294988A (ja) * 1985-10-21 1987-05-01 Sharp Corp 電界効果型圧力センサ
JPH11334710A (ja) * 1998-05-21 1999-12-07 Jooben Denki Kk 密封包装物の検査方法
JP5087032B2 (ja) 2009-02-26 2012-11-28 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ 電子部品装着装置
US8141430B2 (en) * 2009-07-01 2012-03-27 Brooks Instrument, Llc Monolithic vacuum manometer utilizing electrostatic interference as a means of detection
JP2012047725A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Canon Anelva Corp 静電容量圧力センサ
DE102013113843A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor
CN204808275U (zh) * 2015-06-10 2015-11-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 压力感测装置
CN107589312B (zh) * 2017-08-19 2019-08-20 东北电力大学 一种基于电场畸变程度的电缆绝缘故障监测机器人

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894698A (en) * 1985-10-21 1990-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Field effect pressure sensor
KR20070004812A (ko) * 2004-04-01 2007-01-09 인피니언 테크놀로지스 아게 힘센서, 압력 센서, 위치 센서 및 지문센서
KR101291745B1 (ko) * 2012-05-11 2013-07-31 포항공과대학교 산학협력단 전계 효과 트랜지스터형 센서
KR20150091298A (ko) * 2012-08-21 2015-08-10 로베르트 보쉬 게엠베하 다수의 멤브레인 전극을 포함하는 mems 압력 센서
KR20160002489A (ko) * 2014-06-30 2016-01-08 서울시립대학교 산학협력단 전계효과트랜지스터형 압력 센서 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102044627B1 (ko) 2019-11-13
KR20190125610A (ko) 2019-11-07
CN112041650A (zh) 2020-12-04
US20210239557A1 (en) 2021-08-05
US11359984B2 (en) 2022-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0973012B1 (en) Transducer
WO2010056049A2 (ko) 정전용량형 습도센서 및 그 제조방법
WO2016072598A1 (en) Touch panel, method of manufacturing the same and touch panel integrated organic light emitting display device
KR101532151B1 (ko) 습도센서 및 그 제조방법
CN103474418B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2012033338A2 (ko) 프로브 카드 및 이의 제조 방법
CN106289039A (zh) 薄膜厚度的检测装置
US11631619B2 (en) Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display device
US6081040A (en) Semiconductor device having alignment mark
WO2019212198A1 (ko) 전계 효과를 이용한 압력 센서 및 이의 제조 방법
JPH049727A (ja) 容量型圧力センサ
WO2020080655A1 (ko) 히터 내장형 습도센서 및 그 제조방법
CN106371661A (zh) 阵列基板以及触控显示面板
WO2019103328A1 (ko) 수직 적층된 온습도 복합 센서 및 그 제조방법
WO2022030932A1 (ko) 가스 센서
WO2019216493A1 (ko) 플라즈마 공정 측정 센서 및 그 제조 방법
WO2019221413A1 (ko) 플라즈마 측정용 웨이퍼
CN209087832U (zh) 电容器和系统
WO2018117655A1 (ko) 압력센서 및 그 제조방법
WO2012128593A2 (ko) 매립형 전극을 구비한 센서 및 그 제조방법
JPH08278216A (ja) 静電容量式圧力センサ
CN212034439U (zh) 单面跨线式导通电路薄膜
WO2022177296A1 (ko) 대면적 압력 센싱을 위한 압력 센싱 장치
WO2019235690A1 (ko) 플라즈마 측정 방법 및 플라즈마 공정 측정 센서
CN105529367B (zh) 薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19796312

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19796312

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1