WO2019150438A1

WO2019150438A1 - 表示デバイス

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Publication number: WO2019150438A1
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Inventors: 大和　朝日; 亮荒木; 剛史川口
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Publication date: 2019-08-08
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Abstract

狭額縁化を図った場合においても、配線の低抵抗化を可能とする表示デバイスを提供する。有機ＥＬ表示装置（１Ａ）は、表示領域（４１）と、折り曲げ部（４２ａ）を有し、かつ表示領域（４１）の周囲に形成された額縁領域（４２）と、額縁領域（４２）において、折り曲げ部（４２ａ）よりも表示領域（４１）側とは反対側である外側に表示領域（４１）側から順に設けられた第１外側端子部（ＴＭ）及びコネクタ（６２）を有する外側端子部と、第１外側端子部（ＴＭ）と表示領域（４１）の内部配線とを、折り曲げ部（４２ａ）と交差して電気的に接続する第１引き回し配線（４３）と、額縁領域（４２）における折り曲げ部（４２ａ）の内側に設けられた内側端子部（４４）と、第１外側端子部（ＴＭ）及びコネクタ６２のうち、少なくともコネクタ（６２）と内側端子部（４４）とを折り曲げ部（４２ａ）を通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線（６３）とを備えている。

Description

表示デバイス

　本発明は、狭額縁化のために額縁領域に折り曲げ部を有する表示デバイスに関するものである。

　例えば、特許文献１に開示された表示装置１００は、図７に示すように、表示領域Ａと周辺領域Ｂとを有している。周辺領域Ｂには狭額縁化のために折り曲げ部１０１が設けられており、これによって、周辺領域Ｂは折り曲げ部１０１にて折り曲げられている。

日本国公開特許公報「特開２０１６－１７０２６６号（２０１６年９月２３日公開）」

　しかしながら、従来の表示装置においては、折り曲げ部での断線を防ぐため、周知のように、該折り曲げ部に設けられる配線において、単純な直線の配線ではなく、例えば抜き形状などを設ける必要があり、結果として配線の高抵抗化に繋がっている。

　本発明の一態様は、前記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、狭額縁化を図った場合においても、配線の低抵抗化を可能とする表示デバイスを提供することにある。

　本発明の一態様における表示デバイスは、前記の課題を解決するために、表示領域と、折り曲げ部を有し、かつ前記表示領域の周囲に形成された額縁領域と、前記額縁領域において、前記折り曲げ部よりも前記表示領域側とは反対側である外側に、前記表示領域側から順に設けられた第１外側端子部及び第２外側端子部を有する外側端子部と、前記第１外側端子部と前記表示領域の内部配線とを、前記折り曲げ部と交差して電気的に接続する第１引き回し配線と、前記額縁領域における折り曲げ部の内側に設けられた内側端子部と、前記第１外側端子部及び前記第２外側端子部のうち、少なくとも前記第２外側端子部と前記内側端子部とを前記折り曲げ部を通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線とを備えていることを特徴としている。

　本発明の一態様によれば、狭額縁化を図った場合においても、配線の低抵抗化を可能とする表示デバイスを提供するという効果を奏する。

本発明の実施形態１における表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置の全体構成を模式的に示す平面図である。前記表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。前記有機ＥＬ表示装置における額縁領域の端部の構成を示す断面図である。（ａ）～（ｌ）は、前記有機ＥＬ表示装置の第１引き回し配線の形状を示す平面図である。本発明の実施形態２における表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置の全体構成を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態３における表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置の全体構成を模式的に示す平面図である。従来の表示装置の構成を示す断面図である。

　〔実施の形態１〕
　本発明の一実施形態について図１～図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

　本実施の形態の表示デバイスとしての例えば有機ＥＬ表示装置１Ａの全体構成について、図１に基づいて説明する。図１は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａの全体構成を模式的に示す平面図である。

　本実施の形態の表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置１Ａは、上方に向けて発光するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、図１に示すように、表示パネル４０と、表示パネル４０に接続されたフレキシブル基板からなる電子回路基板５０とを備えている。尚、有機ＥＬ表示装置１Ａは、必ずしもトップエミッション型でなく、ボトムエミッション型であってもよい。

　表示パネル４０は、表示領域４１と、該表示領域４１の周囲に設けられた額縁領域４２とを有している。額縁領域４２は、例えば、方形の表示領域４１の一辺側において一部が張り出すように形成されている。また、本実施の形態では、狭額縁化のため、張り出された額縁領域４２の一部が折り曲げ部４２ａにて、表示領域４１の裏面側に折り返されるようになっている。

　有機ＥＬ表示装置１Ａの表示パネル４０の断面構造について、図２及び図３に基づいて説明する。図２は、有機ＥＬ表示装置１Ａの構成を示す断面図である。図３は、有機ＥＬ表示装置１Ａにおける額縁領域４２の端部の構成を示す断面図である。

　図２に示すように、表示パネル４０の表示領域４１は、下側から順に、基材２、樹脂層３、バリア層４（アンダーコート層）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）層１０、発光素子層２０、封止層３０、接着層５及び機能フィルム６を備えている。

　基材２の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。また、樹脂層３の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。

　バリア層４は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層１０や発光素子層２０に到達することを防ぐ層である。バリア層４は、例えば、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法)により形成される酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、若しくは酸窒化シリコン膜、又はこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層１０は、半導体膜１１と、半導体膜１１よりも上層に形成される無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜１２よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成される無機絶縁膜１３と、無機絶縁膜１３よりも上層に形成される図示しない容量配線と、容量配線よりも上層に形成される無機絶縁膜１４と、無機絶縁膜１４よりも上層に形成されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄよりも上層に形成される平坦化膜１５とを含んでいる。

　前記半導体膜１１、ゲート絶縁膜である無機絶縁膜１２及びゲート電極Ｇによって、発光制御トランジスタとして機能する薄膜トランジスタＴｄが構成されている。ソース電極Ｓは半導体膜１１のソース領域に接続され、ドレイン電極Ｄは半導体膜１１のドレイン領域に接続されている。

　半導体膜１１は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）又は酸化物半導体で構成される。尚、図２では、半導体膜１１をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合である。

　無機絶縁膜１２・１３・１４は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜若しくは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜又はこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜１５は、層間絶縁膜として機能し、例えばポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜又は積層膜によって構成されている。

　発光素子層２０は、本実施の形態では、例えば有機発光ダイオード層にてなり、平坦化膜１５よりも上層に形成されるアノード電極２１と、発光素子層２０と重なる領域である表示領域４１のサブ画素を規定する画素バンク２２と、アノード電極２１よりも上層に形成される発光層２３と、発光層２３よりも上層に形成されるカソード電極２４とを含み、アノード電極２１、発光層２３、及びカソード電極２４を含むように、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が構成される。

　画素バンク２２はアノード電極２１のエッジを覆っており、発光層２３は、蒸着法又はインクジェット法によって、画素バンク２２で囲まれた領域である発光領域に形成される。発光素子層２０が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、画素バンク２２の底面つまりアノード電極２１が露出した部分上には、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層２３、電子輸送層及び電子注入層が積層される。ここでは、発光層２３以外を共通層とすることができる。

　アノード（陽極）電極２１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と銀（Ａｇ）を含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード電極２４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　発光素子層２０がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２１及びカソード電極２４の間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層２３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２４が透光性であり、アノード電極２１が光反射性であるため、発光層２３から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　発光素子層２０は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオード又は量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。

　前記発光素子層２０の上側には、封止層３０が形成されている。封止層３０は透光性であり、発光素子層２０のカソード電極２４を覆う無機封止膜３１と、無機封止膜３１よりも上層に形成される有機封止膜３２と、有機封止膜３２を覆う無機封止膜３３とを含む。

　無機封止膜３１・３３は、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される酸化シリコン膜、窒化シリコン膜若しくは酸窒化シリコン膜、又はこれらの積層膜で構成することができる。

　有機封止膜３２は、無機封止膜３１・３３よりも厚い透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを無機封止膜３１上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。

　これにより、封止層３０は、発光素子層２０を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層２０への浸透を防いでいる。

　機能フィルム６は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有するフィルムであり、接着層５により接着される。

　次に、表示パネル４０における額縁領域４２の端部には、図３に示すように、表示領域４１の内部配線から延びる第１引き回し配線４３が配されている。第１引き回し配線４３は、引き出し配線ＤＷ、中継配線ＬＷ及び端子配線ＴＷを含む。

　引き出し配線ＤＷは、図２に示すＴＦＴ層１０の各種の内部配線と電気的に接続される。具体的には、引き出し配線ＤＷは、表示領域４１の内部配線、例えば、表示領域４１に設けられかつソース電極Ｓに接続されたソース配線（データ配線）に接続されている。尚、ゲート電極Ｇに接続された図示しないゲート配線が第１外側端子部ＴＭを介して後述するＩＣチップ５１に接続される場合には、該ゲート配線は表示領域４１の内部配線に含まれる。

　中継配線ＬＷは、例えばソース電極Ｓと同一工程で形成される。このため、中継配線ＬＷは、無機絶縁膜１４上にソース電極Ｓと同材料にて形成される。具体的には、中継配線ＬＷ及びソース電極Ｓは、例えば、２層のチタン膜及びこれらにサンドされたアルミニウム膜にて形成される。また、中継配線ＬＷは、平坦化膜１５で覆われている。本実施の形態では、中継配線ＬＷが配されている部分に折り曲げ部４２ａが存在する。

　端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷからさらに額縁領域４２の末端に延びる配線であり、末端には第１外側端子部ＴＭが接続されている。第１外側端子部ＴＭの上側における一部には、平坦化膜１５が覆っている。したがって、第１外側端子部ＴＭの他の一部は露出している。

　また、額縁領域４２では、折り曲げ部４２ａよりも表示領域４１側とは反対側である外側に、表示領域４１側から順に設けられた上記第１外側端子部ＴＭ及び後述の第２外側端子部を有する外側端子部が設けられており、第１引き回し配線４３及び後述の第２引き回し配線６３が接続されている。

　図１に示すように、本実施の形態では、額縁領域４２の端部には、電子回路基板５０とフレキシブルプリント回路（Flexible Printed Circuits：ＦＰＣ）６０（以下、「ＦＰＣ６０」という。）とが接続されている。ＦＰＣ６０が額縁領域４２の端部における最も外側に設けられていると共に、ＦＰＣ６０における折り曲げ部４２ａ側の端部の上側を一部覆うようにして電子回路基板５０が設けられている。前記電子回路基板５０とＦＰＣ６０とは、接続部６１ａにて接続されている。

　電子回路基板５０には、例えばＩＣチップ５１が搭載されている。ＩＣチップ５１の端子は、図示しない異方性導電接着剤（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film)を介して外側端子部の一部である上記第１外側端子部ＴＭに接続されている。この結果、電子回路基板５０は、所謂ＣＯＦ（Chip On Film）の構成を有している。

　ＦＰＣ６０には、第２外側端子部としてのコネクタ６２が設けられており、このコネクタ６２は、第２引き回し配線６３に接続されている。尚、第２引き回し配線６３の詳細については後述する。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａでは、表示パネル４０が可撓性を有している。そして、狭額縁化のため、表示パネル４０の周囲部である額縁領域４２に折り曲げ部４２ａが設けられており、この折り曲げ部４２ａにて表示パネル４０の額縁領域４２を折曲している。折り曲げ部４２ａでは、折り曲げ加工を容易に行うために、図３に示すように、無機絶縁膜１３・１４等が除去され、有機膜である平坦化膜１５が充填されている。さらに、表示パネル４０における折り曲げ部４２ａよりも外側には、前述したように、電子回路基板５０及びＦＰＣ６０が接続されている。

　上記電子回路基板５０には、前述したように、表示パネル４０の表示領域４１を駆動する集積回路素子としてのＩＣチップ５１が設けられていると共に、図示しない電源供給用半導体素子等が実装されている。

　この結果、表示パネル４０の表示領域４１とＩＣチップ５１との間に配される第１引き回し配線４３は、表示パネル４０の折り曲げ部４２ａを交差して配されている。この理由は、第１引き回し配線４３では、該第１引き回し配線４３に接続されたデータ配線における出力端子の数が多いので、折曲しないと狭額縁化できないためである。

　ここで、第１引き回し配線４３の配線形状について、図４の（ａ）～（ｌ）に基づいて説明する。図４の（ａ）～（ｌ）は、有機ＥＬ表示装置１Ａの第１引き回し配線４３の形状を示す平面図である。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第１引き回し配線４３は、折り曲げ部４２ａでの断線を防ぐため、配線形状に制約が多い。このため、図４の（ａ）～（ｌ）に示すように、単純な直線配線ではなく、例えば、幅広、網目状又は抜き形状の配線４３ａに形成されている。この結果、第１引き回し配線４３の高抵抗化を招くものとなっている。つまり、第１引き回し配線４３は、高インピーダンス配線となっている。また、ＣＯＦ（Chip On Film）の構成を有する電子回路基板５０においては、圧着端子部において高抵抗になる傾向がある。

　一方、端子数が少なくてもよい電源供給線等は接続領域が小さくて済むため、折り曲げ部４２ａを介さなくても狭額縁化を損なわない。また、電源供給線は、抵抗が大きいと電力を特に消費する。

　そこで、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａにおいては、図１に示すように、ＦＰＣ６０と、額縁領域４２の折り曲げ部４２ａよりも内側に設けられた内側端子部４４との間を、直接的に配される第２引き回し配線６３にて接続している。すなわち、第２引き回し配線６３は、額縁領域４２の折り曲げ部４２ａを通さずに、ＦＰＣ６０に搭載された図示しない電源供給用半導体素子から第２外側端子部としてのコネクタ６２を経て内側端子部４４まで接続されている。第２引き回し配線６３は、第１引き回し配線４３の近傍に配されており、かつ第１引き回し配線４３よりも低インピーダンスの配線となっている。また、第２引き回し配線６３は、ＦＰＣ６０の一部の配線を用いて構成されており、フレキシブル性を有している。尚、第２引き回し配線６３は、必ずしもフレキシブルプリント基板からなっている必要はなく、フレキシブル性を有する例えば被覆配線からなっていてもよい。これにより、額縁領域４２を折り曲げ部４２ａにて折り曲げたときに、第２引き回し配線６３も絶縁性を保持して柔軟に曲げることができる。

　また、第２引き回し配線６３が電源電圧線（電源供給線）である場合には、第２引き回し配線６３は、例えば、電子回路基板５０上のＩＣチップ５１に接続される。

　この結果、狭額縁化のために表示パネル４０の額縁領域４２に折り曲げ部４２ａを有する有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、断線の発生を防止すると共に、配線のトータル的な低抵抗化を図ることが可能となる。延いては、消費電力の低減、及び表示品質の低下を防止し得る有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。すなわち、高抵抗の場合、電圧低下幅が大きくなり、発光量変動が大きい。この結果、表示品質の低下を招く。

　また、本実施の形態では、第１引き回し配線４３と電源供給線等の第２引き回し配線６３とは別ルートの配線となる。この結果、第１引き回し配線４３にノイズが混入することを防止することができる。

　また、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａでは、集積回路素子としてのＩＣチップ５１は、ＣＯＦからなる電子回路基板５０に設けられている。これにより、ＩＣチップ５１が電子回路基板５０に設けられている場合に、狭額縁化のために表示パネル４０の額縁領域４２に折り曲げ部４２ａを有する有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、配線のトータル的な低抵抗化を図り、延いては、消費電力の低減、及び表示品質の低下を防止し得る有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。

　尚、本実施の形態では、第２引き回し配線６３は、電源供給線に適用されるとして説明した。しかし、本発明の一態様においては、必ずしもこれに限らず、第２引き回し配線６３は、端子数が少ない他の配線に使用することが可能である。例えば、第２引き回し配線６３は、前述した高電源電圧又は低電源電圧を伝達する電源供給配線、クロック信号を伝達する配線、スタートパルス信号を伝達する配線、及び時分割駆動の切替信号を伝達する配線の少なくとも一つに適用することが可能である。或いは、検査端子と共用することも可能である。例えばクロック信号を伝達する配線は、大きな電流が流れるので、低抵抗化が望ましい。尚、電源供給線以外に適用された第２引き回し配線６３は、例えばＩＣチップ５１に接続されることなく、ＦＰＣ６０から図示しない外部回路に接続される。

　このように、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ａでは、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に設けられた内側端子部４４と、第１外側端子部ＴＭ及び第２外側端子部としてのコネクタ６２のうち、少なくともコネクタ６２と内側端子部４４とを折り曲げ部４２ａを通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線６３とを備えている。すなわち、本実施の形態では、第２引き回し配線６３は、少なくともコネクタ６２と、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に設けられた内側端子部４４との間を、折り曲げ部４２ａを介さずに直接接続される。

　この結果、狭額縁化を図った場合においても、配線の低抵抗化を可能とする有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、表示領域４１には、複数の薄膜トランジスタＴｄと、発光素子層２０と、複数の薄膜トランジスタＴｄよりも上層かつ発光素子層２０よりも下層に形成された平坦化膜１５とが設けられている。そして、第１引き回し配線４３は、薄膜トランジスタＴｄのゲート電極Ｇよりも上層かつ平坦化膜１５よりも下層に形成されているか、又は前記ゲート電極Ｇと同層に形成されている。これにより、第１引き回し配線４３を表示領域４１の内部配線と同一工程で形成することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第２引き回し配線６３は、折り曲げ部４２ａの近傍に設けられている。これにより、折り曲げ部４２ａには第１引き回し配線４３が引き回されているので、第２引き回し配線６３及び第１引き回し配線４３を互いの近傍位置にまとめて配設することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第２引き回し配線６３は、フレキシブルプリント基板を用いて構成されている。これにより、第２引き回し配線６３にフレキシブル性を持たせることができ、折り曲げが容易となる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側には、ＣＯＦ（Chip On Film）にて構成される電子回路基板５０とＦＰＣ６０とが設けられている。第１引き回し配線４３の第１外側端子部ＴＭは、電子回路基板５０に搭載された集積回路素子としてのＩＣチップ５１に接続されており、ＦＰＣ６０は、第２引き回し配線６３に接続される外側端子部の一部である第２外側端子部としてのコネクタ６２を有している。

　これにより、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側に、ＣＯＦにて構成される電子回路基板５０とＦＰＣ６０とが設けられている場合に、第１引き回し配線４３及び第２引き回し配線６３をそれぞれ目的に応じて適切に分別して配設することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第２引き回し配線６３は、高電源電圧又は低電源電圧を供給するとすることができる。

　高電源電圧又は低電源電圧は、低インピーダンスに供給することが好ましい。この結果、高電源電圧又は低電源電圧を第２引き回し配線６３にて供給することによって、トータル的な配線の断線防止、及びトータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減、及び表示品質の低下を防止し得る有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第２引き回し配線６３は、クロック信号、スタートパルス信号及び時分割駆動の切替信号のいずれか少なくとも１つを伝達するとすることができる。

　クロック信号を伝達する信号線、スタートパルス信号を伝達する信号線、及び時分割駆動の切替信号を伝達する信号線は、それぞれ、表示領域４１の画素毎の薄膜トランジスタＴｄへの信号線に比べて本数が少なく、第２引き回し配線６３とは別経路とすることが可能である。この結果、クロック信号、スタートパルス信号及び時分割駆動の切替信号のいずれか少なくとも１つを第２引き回し配線６３にて伝達することによって、トータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。

　また、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、第２引き回し配線６３は、第１引き回し配線４３よりも低抵抗である。これにより、トータル的な配線の断線防止、及びトータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る有機ＥＬ表示装置１Ａを提供することができる。また、これにより、狭額縁と低抵抗化とを両立することができる。

　〔実施の形態２〕
　本発明の他の実施の形態について図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　前記実施の形態１における有機ＥＬ表示装置１Ａでは、集積回路素子としてのＩＣチップ５１は、電子回路基板５０に設けられていた。これに対して、本実施の形態における有機ＥＬ表示装置１Ｂでは、集積回路素子としてのＩＣチップ７１は、表示パネル４０の額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側に設けられている点が異なっている。

　本実施の形態の表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置１Ｂの構成について、図５に基づいて説明する。図５は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ｂの構成を模式的に示す平面図である。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ｂでは、図５に示すように、集積回路素子としてのＩＣチップ７１は、表示パネル４０の額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側に設けられている。具体的には、ＩＣチップ７１は、第１外側端子部ＴＭに直接的に実装されている。この結果、ＩＣチップ７１は、所謂ＣＯＰ（Chip On Panel）となっている。

　また、本実施の形態では、コネクタ６２を有するＦＰＣ６０は、接続部６１ｂにて額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側で接続されており、第２引き回し配線６３はコネクタ６２に電気的に接続されている。

　この構成により、ＩＣチップ７１が、表示パネル４０の額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側に設けられている場合に、狭額縁化のために表示パネル４０の額縁領域４２に折り曲げ部４２ａを有する有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいて、配線のトータル的な低抵抗化を図り、延いては、消費電力の低減を図り得る有機ＥＬ表示装置１Ｂを提供するものとなっている。

　〔実施の形態３〕
　本発明のさらに他の実施の形態について図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１及び実施の形態２と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。

　本実施の形態における表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置１Ｃは、実施の形態１の有機ＥＬ表示装置１Ａの構成に加えて、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に内側端子部４４が複数設けられ、第２引き回し配線６３が複数設けられている点が異なっている。

　本実施の形態における表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置１Ｃの構成について、図６に基づいて説明する。図６は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ｃの構成を模式的に示す平面図である。

　本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１Ｃは、図６に示すように、額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に内側端子部４４が複数設けられ、かつ第２引き回し配線６３が複数設けられている。換言すれば、第２引き回し配線６３は、ＦＰＣ６０の複数箇所から複数の内側端子部４４に接続されている。具体的には、ＦＰＣ６０の左右の両側から表示パネル４０の額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に形成された２つの内側端子部４４ａ・４４ｂに向けて額縁領域４２の折り曲げ部４２ａを通さずに配される第２引き回し配線６３・６３が設けられている。一方の第２引き回し配線６３はＦＰＣ６０の第２外側端子部であるコネクタ６２から内側端子部４４ａまで電気的に接続されており、他方の第２引き回し配線６３はＦＰＣ６０のコネクタ６２から内側端子部４４ｂまで電気的に接続されている。第２引き回し配線６３・６３は、第１引き回し配線４３よりも低インピーダンスの配線となっていると共に、フレキシブル性を有している。

　このように２つの内側端子部４４ａ・４４ｂと、対応する内側端子部４４ａ・４４ｂに接続された第２引き回し配線６３・６３が設けられているので、配線のトータル的な低抵抗化を容易に図り、延いては、消費電力の低減を簡単に図り得る有機ＥＬ表示装置１Ｃを提供することができる。また、複数の内側端子部４４ａ・４４ｂを設ける場合には、例えば、第２引き回し配線６３・６３に接続される配線のレイアウトについての設計自由度を大きくすることができる。このため、配線の引き回しを容易に行うことができるというメリットがある。

　尚、本実施の形態では、実施の形態１の有機ＥＬ表示装置１Ａにおいて、第２引き回し配線６３が複数設けられている点について説明した。しかし、本発明の一態様においては、必ずしもこれに限らず、実施の形態２の有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいても、内側端子部４４及び第２引き回し配線６３を複数設けることが可能である。すなわち、ＩＣチップ７１が、表示パネル４０の額縁領域４２に直接設けられているタイプにおいても、第２引き回し配線６３・６３のように第２引き回し配線６３を複数設けることが可能である。

　また、実施の形態１～３では、表示デバイスとしての有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃを例示して説明した。しかし、本発明の一態様における表示デバイスは、表示素子を備えた表示パネルであれば、特に限定されるものではない。前記表示素子には、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。電流制御の表示素子としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）表示装置若しくは無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬ表示装置等のＥＬ表示装置、又はＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤ表示装置等がある。また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）は、表示領域４１と、折り曲げ部４２ａを有し、かつ前記表示領域４１の周囲に形成された額縁領域４２と、前記額縁領域４２において、前記折り曲げ部４２ａよりも前記表示領域４１側とは反対側である外側に、前記表示領域４１側から順に設けられた第１外側端子部ＴＭ及び第２外側端子部（コネクタ６２）を有する外側端子部と、前記第１外側端子部ＴＭと前記表示領域４１の内部配線とを、前記折り曲げ部４２ａと交差して電気的に接続する第１引き回し配線４３と、前記額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの内側に設けられた内側端子部４４と、前記第１外側端子部ＴＭ及び第２外側端子部（コネクタ６２）のうち、少なくとも前記第２外側端子部（コネクタ６２）と前記内側端子部４４とを前記折り曲げ部４２ａを通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線６３とを備えていることを特徴としている。

　前記構成によれば、表示デバイスは、狭額縁化のため、額縁領域に折り曲げ部を設けて額縁領域を折り曲げ部にて折り曲げている。また、表示領域の内部配線と第１外側端子部との間に配される第１引き回し配線は、額縁領域の折り曲げ部を交差して配されている。

　この種の表示デバイスでは、第１引き回し配線は、折り曲げ部での断線を防ぐため、配線形状に制約が多く幅広等に形成するので、結果として配線の高抵抗化に繋がっている。

　一方、端子数が少なくてもよい電源供給線等は接続領域が小さくて済むため、折り曲げ部を介さなくても狭額縁化を損なわない。

　そこで、本発明の一態様においては、額縁領域における折り曲げ部の内側には内側端子部が設けられていると共に、第１外側端子部及び第２外側端子部のうち、少なくとも第２外側端子部と内側端子部とを折り曲げ部を通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線を備えている。すなわち、第２引き回し配線は、少なくとも第２外側端子部と、額縁領域における折り曲げ部の内側に設けられた内側端子部との間を、折り曲げ部を介さずに直接接続される。

　この結果、狭額縁化を図った場合においても、配線の低抵抗化を可能とする表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様２における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記表示領域４１には、複数の薄膜トランジスタＴｄと、複数の発光素子（発光素子層２０）と、前記複数の薄膜トランジスタＴｄよりも上層かつ前記複数の発光素子（発光素子層２０）よりも下層に形成された平坦化膜１５とが設けられていると共に、前記第１引き回し配線４３は、前記薄膜トランジスタＴｄのゲート電極Ｇよりも上層かつ前記平坦化膜１５よりも下層に形成されているか、又は前記ゲート電極Ｇと同層に形成されているとすることができる。

　これにより、第１引き回し配線を表示領域の内部配線と同一工程で形成することができる。

　本発明の態様３における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、前記折り曲げ部４２ａの近傍に設けられていることが好ましい。

　これにより、折り曲げ部には第１引き回し配線が引き回されているので、第２引き回し配線及び第１引き回し配線を互いの近傍位置にまとめて配設することができる。

　本発明の態様４における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、フレキシブルプリント基板を用いて構成されているとすることができる。

　これにより、第２引き回し配線にフレキシブル性を持たせることができ、折り曲げが容易となる。

　本発明の態様５における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ）では、前記額縁領域４２における折り曲げ部４２ａの外側には、ＣＯＦ（Chip On Film）にて構成される電子回路基板５０とフレキシブルプリント回路６０とが設けられていると共に、前記第１外側端子部ＴＭは、電子回路基板５０に搭載された集積回路素子（ＩＣチップ５１）に接続されており、前記フレキシブルプリント回路６０には、前記第２外側端子部（コネクタ６２）が設けられているとすることができる。

　これにより、額縁領域における折り曲げ部の外側に、ＣＯＦにて構成される電子回路基板とフレキシブルプリント回路とが設けられている場合に、第１引き回し配線及び第２引き回し配線をそれぞれ目的に応じて適切に分別して配設することができる。

　本発明の態様６における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ｃ）では、前記内側端子部４４は、複数設置されているとすることができる。

　これにより、複数の内側端子部に対応する複数の第２引き回し配線を設けることができる。この結果、配線のトータル的な低抵抗化を容易に図り、延いては、消費電力の低減を簡単に図り得る有機ＥＬ表示装置を提供することができる。また、第２引き回し配線に接続される配線のレイアウトについての設計自由度を大きくすることができ、第２引き回し配線の引き回しを容易に行うことができる。

　本発明の態様７における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、第２引き回し配線６３は、高電源電圧又は低電源電圧を供給するとすることができる。

　高電源電圧又は低電源電圧は、低インピーダンスに供給することが好ましい。この結果、高電源電圧又は低電源電圧を第２引き回し配線にて供給することによって、トータル的な配線の断線防止、及びトータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様８における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、クロック信号を伝達するとすることができる。

　クロック信号を伝達する信号線は、表示領域の画素毎の薄膜トランジスタへの信号線に比べて本数が少なく、第１引き回し配線とは別経路とすることが可能である。この結果、クロック信号を第２引き回し配線にて伝達することによって、トータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様９における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、スタートパルス信号を伝達するとすることができる。

　スタートパルス信号を伝達する信号線は、表示領域の画素毎の薄膜トランジスタへの信号線に比べて本数が少なく、第１引き回し配線とは別経路とすることが可能である。この結果、スタートパルス信号を第２引き回し配線にて伝達することによって、トータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様１０における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、時分割駆動の切替信号を伝達するとすることができる。

　時分割駆動の切替信号を伝達する信号線は、表示領域の画素毎の薄膜トランジスタへの信号線に比べて本数が少なく、第１引き回し配線とは別経路とすることが可能である。この結果、時分割駆動の切替信号を第２引き回し配線にて伝達することによって、トータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様１１における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第２引き回し配線６３は、前記第１引き回し配線４３よりも低抵抗であることが好ましい。

　これにより、トータル的な配線の断線防止、及びトータル的な配線の低抵抗化を図ることができる。延いては、消費電力の低減を図り得る表示デバイスを提供することができる。

　本発明の態様１２における表示デバイス（有機ＥＬ表示装置１Ａ～１Ｃ）では、前記第１引き回し配線４３は、データ信号を伝達するとすることができる。

　これにより、表示領域の画素へのデータ信号を第１引き回し配線にて伝達することができる。

　１Ａ～１Ｃ　　有機ＥＬ表示装置（表示デバイス）
１０　　　　　　ＴＦＴ層
１５　　　　　　平坦化膜
２０　　　　　　発光素子層（複数の発光素子）
２３　　　　　　発光層
３０　　　　　　封止層
４０　　　　　　表示パネル
４１　　　　　　表示領域
４２　　　　　　額縁領域
４２ａ　　　　　折り曲げ部
４３　　　　　　第１引き回し配線
４４　　　　　　内側端子部
４４ａ・４４ｂ　内側端子部
５０　　　　　　電子回路基板
５１　　　　　　ＩＣチップ
６０　　　　　　フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）
６１ａ　　　　　接続部
６１ｂ　　　　　接続部
６２　　　　　　コネクタ（第２外側端子部）
６３　　　　　　第２引き回し配線
７１　　　　　　ＩＣチップ
ＤＷ　　　　　　引き出し配線（第１引き回し配線）
ＬＷ　　　　　　中継配線（第１引き回し配線）
ＴＷ　　　　　　端子配線（第１引き回し配線）
ＴＭ　　　　　　第１外側端子部（外側端子部、第１引き回し配線）
Ｔｄ　　　　　　薄膜トランジスタ

Claims

　表示領域と、
　折り曲げ部を有し、かつ前記表示領域の周囲に形成された額縁領域と、
　前記額縁領域において、前記折り曲げ部よりも前記表示領域側とは反対側である外側に、前記表示領域側から順に設けられた第１外側端子部及び第２外側端子部を有する外側端子部と、
　前記第１外側端子部と前記表示領域の内部配線とを、前記折り曲げ部と交差して電気的に接続する第１引き回し配線と、
　前記額縁領域における折り曲げ部の内側に設けられた内側端子部と、
　前記第１外側端子部及び前記第２外側端子部のうち、少なくとも前記第２外側端子部と前記内側端子部とを前記折り曲げ部を通ることなく電気的に接続した可撓性を有する第２引き回し配線とを備えていることを特徴とする表示デバイス。
　前記表示領域には、複数の薄膜トランジスタと、複数の発光素子と、前記複数の薄膜トランジスタよりも上層かつ前記複数の発光素子よりも下層に形成された平坦化膜とが設けられていると共に、
　前記第１引き回し配線は、前記薄膜トランジスタのゲート電極よりも上層かつ前記平坦化膜よりも下層に形成されているか、又は前記ゲート電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、前記折り曲げ部の近傍に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、フレキシブルプリント基板を用いて構成されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記額縁領域における折り曲げ部の外側には、ＣＯＦにて構成される電子回路基板とフレキシブルプリント回路とが設けられていると共に、
　前記第１外側端子部は、前記電子回路基板に搭載された集積回路素子に接続されており、
　前記フレキシブルプリント回路には、前記第２外側端子部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の表示デバイス。
　前記内側端子部は、複数設置されていることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、高電源電圧又は低電源電圧を供給することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、クロック信号を伝達することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、スタートパルス信号を伝達することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、時分割駆動の切替信号を伝達することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第２引き回し配線は、前記第１引き回し配線よりも低抵抗であることを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　前記第１引き回し配線は、データ信号を伝達することを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載の表示デバイス。