WO2019145431A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

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optoelectronic semiconductor
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Brendan HOLLAND
Markus BRÖLL
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor component which has an improved
  • the optoelectronic component comprises
  • the first barrier layer is between the first region of the semiconductor layer sequence and the Passivation layer arranged and the second
  • Barrier layer is disposed between the passivation layer and the reflective layer.
  • Semiconductor layer sequence a plurality of epitaxially grown semiconductor layers.
  • the first region has a first conductivity type, which is generated in particular by means of a doping with foreign atoms.
  • the reflection layer comprises, for example, a
  • the passivation layer can also be used as a substrate.
  • Multilayer layer be designed in the form of a Bragg reflector.
  • a multilayer layer may comprise a plurality of layers of different composition.
  • a Bragg reflector has an alternating sequence of
  • the second barrier layer protects the material arranged in the reflection layer, for example from the contaminants enriched in the passivation layer.
  • undesirable reactions for example, in bulges or
  • process gases such as H 2 , N 2 , NO 2 , NH 3 , O 2 , H 2 O may contaminate the passivation layer in the passivating layer manufacturing process. These contaminants may be present at a later stage of manufacture or during operation of the component
  • Semiconductor layers diffuse and thereby trigger unwanted effects.
  • doping atoms introduced into other layers can be inadvertently passivated or bulges of layers due to undesired chemical
  • the first barrier layer reduces or eliminates this diffusion process and thus also the associated negative consequences for the surrounding layers.
  • the optoelectronic component comprises
  • first barrier layer which is arranged between the first region of the semiconductor layer sequence and the passivation layer, and / or a second barrier layer, which is arranged between the passivation layer and the reflection layer, wherein
  • the first barrier layer reduces or prevents diffusion of contaminants from the passivation layer into the semiconductor layer sequence
  • the second barrier layer reduces or eliminates diffusion of contaminants from the passivation layer into the reflective layer.
  • Semiconductor component include the following:
  • Optoelectronic semiconductor devices often require the use of high temperature annealing steps. These healing steps serve, possibly with a
  • Annealing steps for opto-electronic semiconductor devices an additional burden, for example, due to thermally induced stresses represent, or an undesirable diffusion of elements in the semiconductor device favor. Furthermore, an oxidation of a metallic mirror layer can be caused by an annealing step, whereby the reflectivity of the
  • the first and / or the second barrier layer reduces or prevents the diffusion of H 2 , Cg, N 2 , NH 3 from the passivation layer into the first region of the semiconductor layer sequence and / or out of the
  • the first and / or the second barrier layer have a thickness of at most 100 nm, preferably of at most 20 nm, particularly preferably of at most 10 nm.
  • a thinner first and / or second barrier layer advantageously has less influence on the total reflection
  • the first and / or the second barrier layer are provided as an ALD layer (ALD: Atomic Layer
  • ALD layers can be made by an ALD deposition process in which a monolayer of atoms is deposited.
  • the deposition of the monolayer can be done by deposition of several submonolations, for example by means of an organometallic precursor, such as trimethylaluminum.
  • This cycle can be repeated several times until a monolayer is formed from several submonolayers, so that no stacked atomic layers are formed, but only one atomic monolayer is formed Layer deposited on a surface.
  • Monolayer deposition is a very good coverage and the deformation of even the smallest particles and bumps.
  • the first and / or the second barrier layer contain at least one of the compounds Al 2 O 3, AlN or TaC or are formed from at least one of the compounds Al 2 O 3, AlN or Ta 2 0s. These compounds are particularly suitable because of their good separability in an ALD process and their low optical absorption. Likewise, advantageously, improved adhesion of the
  • Passivation layer can be achieved.
  • the passivation layer contains or consists of at least one of the following materials: silicon oxide, niobium oxide, titanium oxide and / or
  • Magnesium fluoride have a very low optical absorption in a visible spectral range, are at the same time electrically insulating and easy to produce.
  • the passivation layer is as
  • the passivation layer can also be formed as a Bragg reflector (DBR, Distributed Bragg Reflector). With such designed as a Bragg reflector
  • At least one layer of the optoelectronic semiconductor component is based on a phosphide compound semiconductor material and / or a nitride compound semiconductor material and / or an arsenide compound semiconductor material.
  • composition according to the above formula may contain one or more dopants as well as additional
  • the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al or As, Ga, In, P), even if these may be partially replaced by small amounts of other substances.
  • nitride compound semiconductor material in this context means that the semiconductor layer sequence or at least part thereof, preferably Al n Ga m-nm N comprises or consists of, where 0 dn ⁇ 1, 0 dm ⁇ 1 and n + m ⁇ 1, however, this material does not necessarily have to have a mathematically exact composition according to the above formula, but rather it may have one or more dopants and additional constituents, however, for the sake of simplicity, the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al, Ga, In,
  • the reflection layer comprises a transparent, conductive layer in combination with a gold layer or a transparent, conductive layer in conjunction with a silver layer.
  • Conductivity type and, for example, with an n-type doping
  • Semiconductor layer sequence provided with a first region of a first conductivity type.
  • the reflection layer on the side facing away from the first region of the passivation layer.
  • the reflection layer comprises, for example, a transparent, conductive oxide and a metal layer which in particular has a noble metal and / or a noble metal alloy.
  • the reflection layer has a high reflectivity for electromagnetic radiation.
  • layers produced advantageously better shape over a given surface, thus providing a denser layer.
  • the method is free from annealing steps.
  • Optoelectronic semiconductor component according to a first exemplary embodiment
  • Figure 2 is a schematic cross section through a
  • Figure 4 shows a schematic cross section through a
  • Opto-electronic semiconductor device according to a fifth embodiment.
  • the same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals.
  • the figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not as
  • Figure 1A shows a first embodiment of a
  • Optoelectronic semiconductor component 1 comprises a
  • the reflection layer 140 is on a side facing away from the first barrier layer 131 of FIG.
  • the first barrier layer 131 contains, for example, an Al 2 O and reduces or prevents diffusion of contaminants from the passivation layer 120 into the first area 101 of the semiconductor layer sequence 10.
  • Region 101 comprises, for example, an InGaAlP and is preferably p-doped by means of magnesium.
  • Optoelectronic semiconductor device is emitted or detected during operation.
  • FIG. 1B shows a second exemplary embodiment of a
  • Figure 3 shows a fourth embodiment of a
  • the reflection layer 140 reflects a part of the

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einer Reflexionsschicht (140) einer zwischen der Halbleiterschichtenfolge (10) und der Reflexionsschicht (140) angeordneten Passivierungsschicht (120) angegeben. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) eine erste Barriereschicht (131), die zwischen dem ersten Bereich (101) der Halbleiterschichtenfolge (10) und der Passivierungsschicht (120) angeordnet ist, und/oder eine zweite Barriereschicht (132), die zwischen der Reflexionsschicht (140) und der Passivierungsschicht (120) angeordnet ist. Die erste Barriereschicht (131) vermindert oder unterbindet eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die Halbleiterschichtenfolge (10)und die zweite Barriereschicht (132) vermindert oder unterbindet eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die Reflexionsschicht (140).

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements angegeben. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement kann es sich insbesondere um ein
strahlungsemittierendes oder strahlungsdetektierendes
optoelektronisches Halbleiterbauelement handeln, das im
Betrieb elektromagnetische Strahlung, zum Beispiel Licht, emittiert oder detektiert.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das eine verbesserte
Haltbarkeit aufweist.
Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements anzugeben, das eine vereinfachte
Herstellung ermöglicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische
Halbleiterbauelement eine Halbleiterschichtenfolge mit einem ersten Bereich eines ersten Leitungstyps , eine
Reflexionsschicht, eine Passivierungsschicht, eine erste Barriereschicht und/oder eine zweite Barriereschicht. Die Passivierungsschicht ist zwischen der
Halbleiterschichtenfolge und der Reflexionsschicht
angeordnet. Die erste Barriereschicht ist zwischen dem ersten Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht angeordnet und die zweite
Barriereschicht ist zwischen der Passivierungsschicht und der Reflexionsschicht angeordnet. Vorzugsweise umfasst die
Halbleiterschichtenfolge eine Mehrzahl von epitaktisch aufgewachsenen Halbleiterschichten. Der erste Bereich weist einen ersten Leitungstyp auf, der insbesondere mittels einer Dotierung mit Fremdatomen erzeugt ist.
Die Reflexionsschicht umfasst beispielsweise eine
Metallschicht aus einem Edelmetall und/oder einer
Edelmetalllegierung und weist insbesondere eine hohe
Reflektivität für elektromagnetische Strahlung auf, die von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement im Betrieb emittiert oder detektiert wird.
Die Passivierungsschicht ist vorzugsweise elektrisch
isolierend und optisch durchlässig ausgeführt. Sie dient insbesondere als Spiegelschicht, vorzugsweise unter
Ausnutzung von Totalreflexion an ihren Grenzflächen.
Weitergehend kann die Passivierungsschicht auch als
Multilayerschicht in Form eines Bragg-Reflektors ausgeführt sein. Eine Multilayerschicht kann insbesondere eine Mehrzahl von Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung umfassen. Ein Bragg-Reflektor weist eine alternierende Abfolge von
dielektrischen Einzelschichten unterschiedlicher
Brechungsindizes auf, deren Schichtdicken auf den
Wellenlängenbereich der zu reflektierenden Strahlung
abgestimmt sind. Zudem kann die Passivierungsschicht weitere Halbleiterschichten vor äußeren Umweltweinflüssen schützen.
Die erste Barriereschicht und die zweite Barriereschicht sind insbesondere Diffusionsschutzschichten, die die Diffusion von
Kontaminanten vermindern oder unterbinden. Die erste Barriereschicht schützt beispielsweise die
Halbleiterschichtenfolge insbesondere vor den Kontaminanten aus der Passivierungsschicht, um eine unerwünschte
Passivierung der Dotierung der Halbleiterschichtenfolge zu vermindern oder zu unterbinden. Die zweite Barriereschicht schützt insbesondere das in der Reflexionsschicht angeordnete Material beispielsweise vor den in der Passivierungsschicht angereicherten Kontaminanten. Somit lassen sich unerwünschte Reaktionen, die beispielsweise in Aufwölbungen oder
Ablösungen innerhalb der Reflexionsschicht resultieren würden, vermindern oder unterbinden.
Beim Herstellungsprozess der Passivierungsschicht können beispielsweise Prozessgase wie H2, N2, N02, NH3, 02, H20 die Passivierungsschicht kontaminieren. Diese Kontaminanten können zu einem späteren Zeitpunkt der Herstellung oder auch während des Betriebs des Bauteils in umliegende
Halbleiterschichten diffundieren und dadurch unerwünschte Effekte auslösen. Beispielsweise können in andere Schichten eingebrachte Dotieratome ungewollt passiviert werden oder Aufwölbungen von Schichten durch unerwünschte chemische
Reaktionen entstehen. Die erste Barriereschicht vermindert oder unterbindet diesen Diffusionsprozess und damit auch die damit einhergehenden negativen Folgen für die umliegenden Schichten .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das optoelektronische
Halbleiterbauelement
- eine Halbleiterschichtenfolge mit einem ersten Bereich eines ersten Leitungstyps ,
- eine Reflexionsschicht, - eine zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der
Reflexionsschicht angeordnete Passivierungsschicht,
- eine erste Barriereschicht, die zwischen dem ersten Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht angeordnet ist, und/oder eine zweite Barriereschicht, die zwischen der Passivierungsschicht und der Reflexionsschicht angeordnet ist, wobei
- die erste Barriereschicht eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht in die Halbleiterschichtenfolge vermindert oder unterbindet, und wobei
- die zweite Barriereschicht eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht in die Reflexionsschicht vermindert oder unterbindet.
Einem hier beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauelement liegen unter anderem die folgenden
Überlegungen zugrunde. Bei der Herstellung von
optoelektronischen Halbleiterbauelementen ist es oftmals notwendig, Hochtemperaturausheilschritte auszuführen. Diese Ausheilschritte dienen dazu, eventuell bei einem
vorhergehenden Prozessschritt in den aufgewachsenen
Halbleiterschichten eingelagerte Kontaminationen, wie Gase oder sonstige unerwünschte Fremdatome, auszutreiben. Dadurch wird eine weitere Kontamination der nachfolgenden
Halbleiterschichten vermieden und unerwünschte durch die Kontaminanten hervorgerufene Effekte, wie beispielsweise eine Sekundenalterung, Schwankungen in der Flussspannung oder Schwankungen des Lichtstroms, werden vermindert oder
unterbunden. Allerdings können die beschriebenen
Ausheilschritte für optoelektronische Halbleiterbauelemente eine zusätzliche Belastung, beispielsweise aufgrund thermisch induzierter Verspannungen, darstellen oder eine unerwünschte Diffusion von Elementen in dem Halbleiterbauelement begünstigen. Ferner kann auch eine Oxidation einer metallischen Spiegelschicht durch einen Ausheilschritt verursacht werden, wodurch die Reflektivität der
Spiegelschicht abnimmt.
Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement macht unter anderem von der Idee Gebrauch, eine oder mehrere Barriereschichten zwischen den empfindlichen
Halbleiterschichten und den mit den Kontaminanten belasteten Schichten einzubringen. Dadurch wird eine Diffusion von
Kontaminanten in die Halbleiterschichten vermindert oder unterbunden. So kann vorteilhaft auf eine Entfernung der Kontaminanten durch einen Hochtemperaturausheilschritt verzichtet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die erste Barriereschicht zwischen dem ersten Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht angeordnet, und die zweite
Barriereschicht zwischen der Reflexionsschicht und der
Passivierungsschicht angeordnet. Mit anderen Worten, das optoelektronische Halbleiterbauelement weist sowohl die erste Barriereschicht als auch die zweite Barriereschicht auf.
Damit ist sowohl die Passivierungsschicht als auch die
Reflexionsschicht vor der Diffusion von etwaigen
Kontaminationen aus der Halbleiterschichtenfolge geschützt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements vermindert oder unterbindet die erste und/oder die zweite Barriereschicht die Diffusion von H2, Cg, N2, NH3 aus der Passivierungsschicht in den ersten Bereich der Halbleiterschichtenfolge und/oder aus der
Passivierungsschicht in die Reflexionsschicht. Diese Kontaminanten können unerwünschte Effekte in der Halbleiterschichtenfolge hervorrufen, wie beispielsweise eine unerwünschte Passivierung von Dotierstoffen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weisen die erste und/oder die zweite Barriereschicht eine Dicke von höchstens 100 nm, bevorzugt von höchstens 20 nm, besonders bevorzugt von höchstens 10 nm auf. Eine dünnere erste und/oder zweite Barriereschicht hat vorteilhaft weniger Einfluss auf die Totalreflexion
beziehungsweise die Einkopplung von elektromagnetischer
Strahlung in die Reflexionsschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die erste und/oder die zweite Barriereschicht als eine ALD-Schicht (ALD: Atomic Layer
Deposition) ausgeführt. ALD-Schichten können mittels eines ALD-Abscheideverfahren, bei dem eine Monolage von Atomen abgeschieden wird, hergestellt werden. Die Abscheidung der Monolage kann durch Abscheidung von mehreren Submonolagen, beispielsweise mittels eines metallorganischen Prekursors, wie Trimethylaluminium, erfolgen. Dabei verhindern die
Methylgruppen mittels „sterischer Hinderung" der einzelnen Liganden eine vollständige Monolage und bilden so zunächst eine Submonolage. Dieser Zyklus kann mehrere Male wiederholt werden, bis aus mehreren Submonolagen eine Monolage entsteht. Somit werden keine sich übereinander stapelnde Atomlagen ausgebildet, sondern es wird nur eine einatomare Schicht auf einer Fläche abgeschieden. Der Vorteil einer solchen
monolagigen Abscheidung ist eine sehr gute Bedeckung und die Überformung selbst kleinster Partikel und Unebenheiten.
Dadurch entsteht eine sehr dichte Schicht, die vorteilhaft eine gute Diffusionsbarriere darstellen kann. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements enthalten die erste und/oder die zweite Barriereschicht mindestens eine der Verbindungen AI2O3, A1N oder TaC oder sind aus mindestens einer der Verbindungen AI2O3, A1N oder Ta20s gebildet. Diese Verbindungen eignen sich insbesondere aufgrund ihrer guten Abscheidbarkeit in einem ALD-Prozess und ihrer geringen optischen Absorption. Ebenso kann vorteilhaft eine verbesserte Haftung der
Reflexionsschicht auf der Passivierungsschicht und der transparenten, leitfähigen Schicht auf der
Passivierungsschicht erreicht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements enthält die Passivierungsschicht mindestens eines der folgenden Materialien oder besteht daraus: Siliziumoxid, Nioboxid, Titanoxid und/oder
Magnesiumfluorid. Vorteilhaft weisen diese Materialien in einem sichtbaren Spektralbereich eine sehr geringe optische Absorption auf, sind gleichzeitig elektrisch isolierend und einfach herzustellen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Passivierungsschicht als
Multilayerschicht ausgebildet, die mindestens zwei der im vorherigen Absatz genannten Materialien enthält. Insbesondere kann die Passivierungsschicht auch als Bragg-Reflektor (DBR, Distributed Bragg Reflector) ausgebildet sein. Mit einer derartigen als Bragg-Reflektor ausgestalteten
Passivierungsschicht wird eine vorteilhaft hohe Reflektivität erzielt . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements basiert zumindest eine Schicht des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einem Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial und/oder einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial und/oder einem Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial .
„Auf Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die
Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, vorzugsweise AlnGamIni_n-mP oder AsnGamIni-n-mP umfasst, wobei 0 < n < 1, 0 d m < 1 und n+m < 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte
Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al bzw. As, Ga, In, P) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können .
„Auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, vorzugsweise AlnGamIni-n-mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 d n < 1, 0 d m < 1 und n+m < 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In,
N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. „Auf Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die
Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, vorzugsweise AlnGamIni-n-mAs umfasst, wobei 0 d n < 1,
0 < m < 1 und n+m < 1 ist. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al bzw. As,
Ga, In) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist der erste Leitungstyp p-leitend und vorzugsweise durch eine p-Dotierung mit Magnesium gebildet. Alternativ kann die p-Dotierung auch mit Zink oder
Kohlenstoff gebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist zwischen der Passivierungsschicht und dem ersten Bereich vorzugsweise zwischen der ersten
Barriereschicht und dem ersten Bereich eine transparente, leitfähige Schicht angeordnet. Eine transparente, leitfähige Schicht kann beispielsweise als Indiumzinnoxidschicht
ausgebildet sein. Die transparente, leitfähige Schicht dient einer homogenen Stromverteilung insbesondere bei der
Verwendung von einem Halbleitermaterial wie beispielsweise InGaN, dessen Querleitfähigkeit dafür nicht ausreicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst die Reflexionsschicht eine transparente, leitfähige Schicht in Verbindung mit einer Goldschicht oder eine transparente, leitfähige Schicht in Verbindung mit einer Silberschicht. Die transparente,
leitfähige Schicht kann in Kombination mit einer Goldschicht insbesondere die Haftung der Reflexionsschicht auf der
Passivierungsschicht verbessern. Vorteilhaft kann auch die zweite Barriereschicht die Haftung zwischen einer Goldschicht und der Passivierungsschicht verbessern. Mit anderen Worten, die zweite Barriereschicht kann vorteilhaft die transparente, leitfähige Schicht zwischen einer Gold- oder Silberschicht als Reflexionsschicht und der Passivierungsschicht ersetzen. Unter einer Goldschicht ist dabei eine Gold enthaltende, mit Gold gebildete oder aus Gold bestehende Schicht zu verstehen. Unter einer Silberschicht ist entsprechend eine Silber enthaltende, mit Silber gebildete oder aus Silber bestehende Schicht zu verstehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die Halbleiterschichtenfolge auf einer der Passivierungsschicht abgewandten Seite einen zweiten Bereich eines zweiten Leitungstyps auf. Zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich ist ein aktiver
Bereich ausgebildet, der zur Emission oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der aktive Bereich umfasst vorzugsweise einen pn-Übergang, eine
Doppelheterostruktur, einen Einfachquantentopf (SQW, single quantum well) oder, besonders bevorzugt, eine
MehrfachquantentopfStruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung oder zur Strahlungsdetektion. Der zweite Leitungstyp ist insbesondere verschieden vom ersten
Leitungstyp und beispielsweise mit einer n-Dotierung
insbesondere mittels Phosphor gebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die erste und/oder die zweite Barriereschicht für die aus dem aktiven Bereich im Betrieb emittierte oder detektierte elektromagnetische Strahlung durchlässig, insbesondere transparent oder transluzent ausgebildet .
Es wird weiter ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes
optoelektronisches Halbleiterbauelement hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das optoelektronische
Halbleiterbauelement offenbarte Merkmale sind für das
Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird zunächst in einem Schritt A) eine
Halbleiterschichtenfolge mit einem ersten Bereich eines ersten Leitungstyps bereitgestellt.
Danach folgt in einem Schritt B) das Abscheiden einer
Passivierungsschicht mittels PVD oder PECVD auf dem ersten Bereich. Als PVD (physical vapour deposition) wird ein
Abscheideverfahren bezeichnet, bei dem das Ausgangsmaterial, welches abgeschieden werden soll, mittels physikalischer Verfahren in die Gasphase überführt wird. Anschließend kondensiert das Material an der zu beschichtenden Oberfläche. Der Ausdruck PECVD (plasma-enhanced Chemical vapour
deposition) beschreibt ein Abscheideverfahren bei dem die chemische Abscheidung von Substanzen durch ein Plasma
unterstützt wird. Bei beiden Verfahren können
nachteiligerweise Prozessgase oder sonstige Verunreinigungen in der Prozesskammer die abgeschiedenen Schichten kontaminieren. Vorteilhaft können große Wachstumsraten bei relativ niedrigen Temperaturen erzielt werden.
Dem folgt in einem Schritt C) das Anordnen einer
Reflexionsschicht auf der dem ersten Bereich abgewandten Seite der Passivierungsschicht. Die Reflexionsschicht umfasst beispielsweise ein transparentes, leitfähiges Oxid und eine Metallschicht die insbesondere ein Edelmetall und/oder eine Edelmetalllegierung aufweist. Die Reflexionsschicht besitzt eine hohe Reflektivität für elektromagnetische Strahlung.
Zwischen Schritt A) und Schritt B) wird eine erste
Barriereschicht zwischen dem ersten Bereich und der
Passivierungsschicht ausgebildet und/oder zwischen Schritt B) und Schritt C) wird eine zweite Barriereschicht zwischen der Passivierungsschicht und der Reflexionsschicht ausgebildet. Die erste Barriereschicht und die zweite Barriereschicht können beispielsweise mittels Sputtern oder eines ALD- Verfahrens aufgebracht werden. Sputtern ist
kosteneffizienter, während die mittels ALD-Verfahren
erzeugten Schichten eine gegebene Oberfläche vorteilhaft besser überformen und somit eine dichtere Schicht ergeben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements ist das Verfahren frei von Ausheilschritten. Ein
Ausheilschritt umfasst dabei eine Temperaturbehandlung des optoelektronischen Halbleiterbauelements, bei der
beispielsweise die Temperatur auf 400°C bis 450°C gesteigert wird. Dadurch sollen unerwünschte Kontaminanten aus der
Halbleiterschichtenfolge sowie der Passivierungsschicht ausgetrieben werden. Durch eine Vermeidung dieses Ausheilschrittes ist das optoelektronische
Halbleiterbauelement vorteilhaft einer geringeren
Temperaturbelastung ausgesetzt. Dadurch ergibt sich eine vorteilhaft erhöhte Freiheit bei der Auswahl der zu
verwendenden Materialien für das optoelektronische
Halbleiterbauelement .
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des optoelektronischen Halbleiterbauelements ergeben sich aus den folgenden, in Zusammenhang mit den in den Figuren dargestellten, Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Figur 1A einen schematischen Querschnitt durch ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Figur 1B einen schematischen Querschnitt durch ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
Figur 2 einen schematischen Querschnitt durch ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,
Figur 3 einen schematischen Querschnitt durch ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, und
Figur 4 einen schematischen Querschnitt durch ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel. Gleiche, gleichartige oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Figur 1A zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Das
optoelektronische Halbleiterbauelement 1 umfasst eine
Halbleiterschichtenfolge 10 mit einem ersten Bereich 101 eines ersten Leitungstyps , eine Passivierungsschicht 120, eine Reflexionsschicht 140 sowie eine erste Barriereschicht 131. Die erste Barriereschicht 131 ist zwischen der
Passivierungsschicht 120 und dem ersten Bereich 101
angeordnet. Die Reflexionsschicht 140 ist auf einer der ersten Barriereschicht 131 abgewandten Seite der
Passivierungsschicht 120 angeordnet.
Die erste Barriereschicht 131 enthält beispielsweise ein AI O und vermindert oder unterbindet eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht 120 in den ersten Bereich 101 der Halbleiterschichtenfolge 10. Der erste
Bereich 101 umfasst beispielweise ein InGaAlP und ist vorzugsweise p-dotiert mittels Magnesium. Die
Querleitfähigkeit von InGaAlP ist ausreichend groß, sodass auf eine Stromaufweitungsschicht aus beispielsweise einem transparenten leitfähigen Oxid vorteilhaft verzichtet werden kann. Die Reflexionsschicht 140 umfasst insbesondere eine Kombination eines transparenten leitfähigen Oxids mit einer Edelmetalllegierung oder einem Edelmetall wie beispielsweise Gold oder Silber und weist eine hohe Reflektivität für elektromagnetische Strahlung auf, die von dem
optoelektronischen Halbleiterbauelement im Betrieb emittiert oder detektiert wird.
Figur 1B zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Das zweite
Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem ersten Ausführungsbeispiel. Das in Figur 1B dargestellte
optoelektronische Halbleiterbauelement 1 verfügt jedoch anstelle der ersten Barriereschicht 131 über eine zweite Barriereschicht 132, die zwischen der Passivierungsschicht 120 und der Reflexionsschicht 140 angeordnet ist. Die zweite Barriereschicht 132 vermindert oder unterbindet eine
Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht 120 in die Reflexionsschicht 140. Die Reflexionsschicht 140 reagiert insbesondere bei der Verwendung von Silber auf die in der Passivierungsschicht 120 enthaltenen Kontaminanten. Dadurch können Aufwölbungen oder unerwünschte Einfärbungen der Reflexionsschicht 140 entstehen, die durch die zweite Barriereschicht 132 vermindert oder unterbunden werden.
Figur 2 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Das dritte
Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem ersten Ausführungsbeispiel und ist lediglich um eine transparente leitfähige Schicht 150 ergänzt. Die transparente leitfähige Schicht 150 ist zwischen der ersten Barriereschicht 131 und dem ersten Bereich 101 angeordnet und gewährleistet eine homogene Stromverteilung in dem ersten Bereich 101. Der erste Bereich 101 umfasst ein Halbleitermaterial wie beispielsweise ein InGaN und kann zum Anschluss eines pn-Übergangs
vorgesehen sein. Da die Querleitfähigkeit von InGaN nicht ausreichend hoch ist, sorgt die transparente leitfähige
Schicht 150 für eine lateral homogene Stromverteilung.
Figur 3 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Das vierte
Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem dritten Ausführungsbeispiel und ist zusätzlich um eine zweite
Barriereschicht 132 ergänzt. Dadurch ist vorteilhaft sowohl die Reflexionsschicht 140 als auch die
Halbleiterschichtenfolge 10 vor den Auswirkungen der
Kontaminanten in der Passivierungsschicht 120 geschützt.
Figur 4 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Das fünfte
Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem vierten Ausführungsbeispiel und ist lediglich um einen aktiven
Bereich 103, einen zweiten Bereich 102 eines zweiten
Leitungstyps und eine weitere transparente, leitfähige
Schicht 150 ergänzt. Der zweite Leitungstyp ist vom ersten Leitungstyp verschieden, weist insbesondere eine n- Leitfähigkeit auf und ist beispielsweise mittels einer
Phosphor Dotierung hergestellt. Der aktive Bereich 103 umfasst beispielsweise einen pn-Übergang, eine
Doppelheterostruktur, einen Einfachquantentopf (SQW, single quantum well) oder, besonders bevorzugt, eine
MehrfachquantentopfStruktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung oder zur Strahlungsdetektion.
Elektromagnetische Strahlung, die in dem aktiven Bereich 103 im Betrieb erzeugt wird kann das optoelektronischen
Halbleiterbauelement 1 auf der dem aktiven Bereich 103 abgewandten Seite des zweiten Bereichs 102 verlassen. Die Reflexionsschicht 140 reflektiert einen Teil der
elektromagnetischen Strahlung und erhöht so die Effizienz des Halbleiterbauelements 1. Die erste Barriereschicht 131 und die zweite Barriereschicht 132 sind optisch durchlässig ausgeführt und beeinflussen die elektromagnetische Strahlung somit nicht.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination an Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102018101700.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauelement
10 Halbleiterschichtenfolge
101 erster Bereich
102 zweiter Bereich
103 aktiver Bereich
120 PassivierungsSchicht
131 erste Barriereschicht
132 zweite Barriereschicht
140 ReflexionsSchicht
150 transparente, leitfähige Schicht

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit
- einer Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem ersten
Bereich (101) eines ersten Leitungstyps ,
- einer Reflexionsschicht (140),
- einer zwischen der Halbleiterschichtenfolge (10) und der Reflexionsschicht (140) angeordneten Passivierungsschicht (120) , und
- einer ersten Barriereschicht (131), die zwischen dem ersten Bereich (101) der Halbleiterschichtenfolge (10) und der
Passivierungsschicht (120) angeordnet ist, und/oder einer zweiten Barriereschicht (132), die zwischen der
Passivierungsschicht (120) und der Reflexionsschicht (140) angeordnet ist, wobei
- die erste Barriereschicht (131) eine Diffusion von
Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die
Halbleiterschichtenfolge (10) vermindert oder unterbindet, und wobei
- die zweite Barriereschicht (132) eine Diffusion von
Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die
Reflexionsschicht (140) vermindert oder unterbindet.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem Anspruch 1, das die erste Barriereschicht (131) und die zweite Barriereschicht (132) aufweist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem Anspruch 1, bei dem die erste Barriereschicht (131) und/oder die zweite Barriereschicht (132) die Diffusion von H2, 02, N2, NH3 aus der Passivierungsschicht (120) in den ersten Bereich (101) der Halbleiterschichtenfolge (10) und/oder aus der Passivierungsschicht (120) in die Reflexionsschicht (140) vermindern oder unterbinden.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem Anspruch 1, bei dem die erste Barriereschicht (131) und/oder die zweite Barriereschicht (132) eine Dicke von höchstens 100 nm, bevorzugt von höchstens 20 nm, besonders bevorzugt von höchstens 10 nm aufweisen.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem Anspruch 1, bei dem die erste Barriereschicht (131) und/oder die zweite Barriereschicht (132) als eine ALD-Schicht
ausgeführt sind.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem Anspruch 1, bei dem die erste Barriereschicht (131) und/oder die zweite Barriereschicht (132) mindestens eine der
Verbindungen AI2O3, A1N oder Ta20s enthalten oder aus
mindestens einer der Verbindungen AI2O3, A1N oder Ta20s gebildet sind.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die
Passivierungsschicht (120) mindestens eines der folgenden Materialien enthält oder daraus besteht: Siliziumoxid,
Nioboxid, Titanoxid und/oder Magnesiumfluorid.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Passivierungsschicht (120) als Multilayerschicht ausgebildet ist, die mindestens zwei der im vorherigen Anspruch genannten Materialien
enthält .
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine Schicht des optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial und/oder einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial und/oder einem Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial basiert .
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der erste Leitungstyp p-leitend ist und vorzugsweise durch eine p-Dotierung mit Magnesium gebildet ist.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der
Passivierungsschicht (120) und dem ersten Bereich (101) eine transparente, leitfähige Schicht (150) angeordnet ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Reflexionsschicht (140) eine transparente, leitfähige Schicht mit einer
Goldschicht oder eine transparente, leitfähige Schicht mit einer Silberschicht umfasst.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die
Halbleiterschichtenfolge (10) auf einer der
Passivierungsschicht (120) abgewandten Seite einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps aufweist, und zwischen dem ersten Bereich (101) und dem zweiten Bereich (102) ein aktiver Bereich (103) ausgebildet ist, der zur Emission oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die erste Barriereschicht (131) und/oder die zweite Barriereschicht (132) für die aus dem aktiven Bereich (103) im Betrieb emittierte oder
detektierte elektromagnetische Strahlung durchlässig,
insbesondere transparent oder transluzent ausgebildet sind.
15. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) umfassend die folgenden Schritte:
A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps ,
B) Abscheiden einer Passivierungsschicht (120) auf dem ersten Bereich (101) mittels PECVD oder PVD,
C) Anordnen einer Reflexionsschicht (140) auf der dem ersten Bereich (101) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (120), wobei zwischen Schritt A) und Schritt B) eine erste Barriereschicht (131) zwischen dem ersten Bereich (101) und der Passivierungsschicht (120) ausgebildet wird, und/oder wobei zwischen Schritt B) und Schritt C) eine zweite
Barriereschicht (132) zwischen der Passivierungsschicht (120) und der Reflexionsschicht (140) ausgebildet wird.
16. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem das Verfahren frei von Ausheilschritten ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115498088B (zh) * 2022-11-16 2023-01-31 镭昱光电科技(苏州)有限公司 微型发光二极管及制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120913A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JP2009088299A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Nichia Corp 発光素子及びこれを備える発光装置
JP2014093509A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
EP2782147A1 (de) * 2012-07-18 2014-09-24 Semicon Light Co. Ltd. Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterelements
DE102015118041A1 (de) * 2015-10-22 2017-04-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100969126B1 (ko) * 2009-03-10 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101769075B1 (ko) * 2010-12-24 2017-08-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 칩 및 그것을 제조하는 방법
CN103700735B (zh) * 2012-09-28 2016-09-28 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管及其制造方法
WO2015065709A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc. Adhesion improvements for oxide-silicon stack
DE102015103494B4 (de) * 2015-03-10 2020-07-16 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren zur Herstellung eines Reflektorelements und Reflektorelement
KR102419890B1 (ko) * 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
JP2017139266A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 株式会社東芝 複合基板、半導体装置、およびこれらの製造方法
EP3635788A1 (de) * 2017-05-30 2020-04-15 SABIC Global Technologies B.V. Mehrschichtige optische konstruktion von quantenpunktfilmen für verbesserte konversionseffizienz und farbskala
US10505082B2 (en) * 2018-02-06 2019-12-10 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot light emitting diode and manufacturing method
EP3937267A4 (de) * 2019-03-05 2023-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Graphenhaltiger film, herstellungsverfahren dafür, graphenhaltiges filmlaminat und fotoelektrisches umwandlungselement

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120913A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JP2009088299A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Nichia Corp 発光素子及びこれを備える発光装置
EP2782147A1 (de) * 2012-07-18 2014-09-24 Semicon Light Co. Ltd. Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterelements
JP2014093509A (ja) * 2012-11-07 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
DE102015118041A1 (de) * 2015-10-22 2017-04-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips

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