WO2019129109A1 - 黑色矩阵的制作方法 - Google Patents

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substrate
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photoresist
alignment
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邱军辉
宋江江
沈顺杰
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Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G—PHYSICS
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark

Definitions

  • the present application relates to the field of display technologies, and in particular, to a method for fabricating a black matrix.
  • a black matrix (BM, BlackMatrix) is usually formed on the side of the color filter substrate to divide adjacent color resists, block color gaps, prevent light leakage or color mixing, and prepare a black matrix.
  • the technology of the TFT array substrate is called BOA (BM On Array, the black matrix is attached to the array substrate), and the BOA can solve the problem that the upper and lower substrates are misaligned and the shading area is not matched.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a black matrix formed on a color filter substrate 1 in the prior art.
  • the black matrix 13 is a first process of the color filter substrate 1, so that no reference is needed in the preparation process of the black matrix.
  • the alignment mark of the process In the liquid crystal display panel of the BOA architecture, since the black matrix is fabricated on the side of the TFT array substrate, other patterns have been processed before the black matrix is prepared. Therefore, it is necessary to refer to the alignment mark of the pre-process when preparing the black matrix.
  • FIG. 2 is a schematic view of the black matrix film 23 coated on the TFT array substrate 21. After the black matrix film 23 is coated on the TFT array substrate 21, the black matrix film 23 completely blocks the alignment mark 22. Therefore, there is a need for a method of fabricating a black matrix to solve the above problems.
  • a method for fabricating a black matrix including the following steps:
  • Step S10 providing a substrate, and the substrate is provided with a registration mark
  • Step S20 coating a black matrix film on the substrate, the black matrix film being prepared by a black photoresist;
  • Step S30 placing the substrate coated with the black matrix film into an exposure machine, pre-aligning the substrate, and then moving the marking device of the exposure machine to above the alignment mark Marking the black photoresist corresponding to the upper of the alignment mark to obtain a photoresist mark;
  • Step S40 Identify the position of the alignment mark according to the photoresist mark, perform accurate alignment, and pattern the black matrix film to form a black matrix.
  • the marking device is a laser head having a predetermined illumination.
  • the step 30 includes: moving the laser head over the alignment mark, and illuminating a black photoresist corresponding to the alignment mark, and the alignment is performed.
  • the black photoresist corresponding to the upper side of the mark is thinned or removed to obtain a photoresist mark.
  • the substrate is a rectangular structure
  • the alignment mark is divided into four sets of alignment marks, which are respectively disposed at four corners of the rectangle.
  • each set of alignment marks includes at least one alignment mark body having a side length in the range of 60 microns to 140 microns.
  • the projection spot size of the high illumination laser on the black photoresist is from 150 micrometers to 200 micrometers.
  • the illumination of the high illumination laser is from 10 5 to 10 6 megawatts per square centimeter.
  • the substrate is pre-aligned to pre-align the substrate with the photomask of the exposure machine, and the alignment accuracy is ⁇ 30 micrometers.
  • the vacuuming process is performed on the placement environment of the substrate.
  • the step S40 specifically includes:
  • Step S41 Identify the position of the alignment mark according to the photoresist mark, and perform accurate alignment
  • Step S42 adjusting a distance between the photomask of the exposure machine and the substrate, and exposing the black matrix film
  • Step S43 taking out the substrate, and developing and baking the black matrix film to complete patterning of the black matrix film to form the black matrix.
  • a method for fabricating a black matrix including the following steps:
  • Step S10 providing an array substrate, wherein the array substrate is provided with an alignment mark
  • Step S20 coating a black matrix film on the array substrate, wherein the black matrix film is prepared by a black photoresist;
  • Step S30 placing the array substrate coated with the black matrix film into an exposure machine, pre-aligning the array substrate, and then moving the marking device of the exposure machine to the alignment mark Upper, the black photoresist corresponding to the upper of the alignment mark is marked to obtain a photoresist mark;
  • Step S40 Identify the position of the alignment mark according to the photoresist mark, perform accurate alignment, and pattern the black matrix film to form a black matrix.
  • the marking device is a laser head having a predetermined illumination.
  • the step 30 includes: moving the laser head over the alignment mark, and illuminating a black photoresist corresponding to the alignment mark, and the alignment is performed.
  • the black photoresist corresponding to the upper side of the mark is thinned or removed to obtain a photoresist mark.
  • the array substrate has a rectangular structure, and the alignment mark is divided into four sets of alignment marks, which are respectively disposed at four corners of the rectangle.
  • each set of alignment marks includes at least one alignment mark body having a side length in the range of 60 microns to 140 microns.
  • the projection spot size of the high illumination laser on the black photoresist is from 150 micrometers to 200 micrometers.
  • the illumination of the high illumination laser is from 10 5 to 10 6 megawatts per square centimeter.
  • pre-aligning the array substrate is: pre-aligning the array substrate and the photomask of the exposure machine, and the alignment accuracy is ⁇ 30. Micron.
  • the vacuuming process is performed on the placement environment of the array substrate.
  • the step S40 specifically includes:
  • Step S41 Identify the position of the alignment mark according to the photoresist mark, and perform accurate alignment
  • Step S42 adjusting a distance between the photomask of the exposure machine and the array substrate, and exposing the black matrix film
  • Step S43 taking out the array substrate, and developing and baking the black matrix film to complete patterning of the black matrix film to form the black matrix.
  • the beneficial effect is that the thickness of the black photoresist above the alignment mark is thinned or removed by the marking device before the substrate is pre-aligned, thereby facilitating the identification of the alignment mark, thereby improving the fabrication of the black matrix. effectiveness.
  • 1 is a schematic view showing a black matrix formed on a color filter substrate
  • FIG. 2 is a schematic view of a black matrix film coated on an array substrate
  • FIG. 3 is a flow chart of a method for fabricating a black matrix in the present application.
  • 4a-4e are process diagrams of a method for fabricating a black matrix in the present application.
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for fabricating a black matrix in the present application.
  • FIG. 4a-4e are process diagrams of a method for fabricating a black matrix in the present application.
  • step S10 a substrate 31 is provided, and the substrate 31 is provided with an alignment mark 32.
  • the substrate 31 is a thin film transistor array substrate 31. Before the black matrix is prepared on the thin film transistor array substrate 31, other patterns have been processed, so that a reference to the pre-process is required in preparing the black matrix. Alignment mark.
  • the substrate 31 is a rectangular structure
  • the alignment mark 32 is divided into four sets of alignment marks 32, and each set of alignment marks 32 is respectively disposed at four corners of the rectangle.
  • the alignment mark is preferably square, but is not limited to a square, but may be a cross, a circle, a diamond, or the like.
  • the alignment mark 32 can be either a very thin layer or a region that is prominently protruding from the alignment mark 32; when the alignment mark 32 is a thin layer The film formation of the black matrix film 33 can be facilitated; when the alignment mark 32 is clearly projected in the vicinity of the alignment mark 32, the acquisition of the alignment mark 32 can be facilitated.
  • each set of alignment marks includes at least one alignment mark body, the side length of the alignment mark body being in the range of 60 micrometers to 140 micrometers, such an arrangement being made possible to perform substrate 31 In the pre-alignment, the pre-alignment operation of the substrate 31 can be performed using only one set of alignment marks 32.
  • a black matrix film 33a is coated on the substrate 31, and the black matrix film 33 is prepared by a black photoresist;
  • the black matrix film 33a covers the surface of the substrate 31 and the alignment mark 32.
  • step S30 the substrate 31 coated with the black matrix film 33a is placed in an exposure machine, and the substrate 31 is pre-aligned, and then the exposure machine is
  • the marking device 4 is moved above the alignment mark 32, and the black photoresist corresponding to the upper surface of the alignment mark 32 is marked to obtain a photoresist mark 34.
  • the marking device 4 has a predetermined illumination Laser head.
  • the step S30 includes: moving the laser head above the alignment mark 32 to illuminate a black photoresist corresponding to the alignment mark 32, The black photoresist corresponding to the upper surface of the bit mark 32 is thinned or removed, thereby obtaining a photoresist mark 34 that is easy to capture.
  • the transmission spot of the laser head on the black photoresist has a diameter of 150 micrometers to 200 micrometers, and the side length of the alignment mark 32 is in the range of 60 micrometers to 140 micrometers.
  • the transmission range of the high illumination laser head can completely cover the alignment mark 32, thereby enabling the photoresist mark 34 to be intuitively transmitted in addition to the complete alignment mark information.
  • the illumination of the high illumination laser is from 10 5 to 10 6 megawatts per square centimeter.
  • pre-alignment of the substrate 31 means that the substrate 31 and the photomask of the exposure machine are pre-aligned with a registration accuracy of ⁇ 30 ⁇ m.
  • the photomask of the exposure machine has a pattern corresponding to the alignment mark 32, and the alignment marks the alignment mark 32 with a corresponding pattern of the photomask of the exposure machine, the pair
  • the difference between the bit mark 32 and the corresponding pattern geometric center of the photomask of the exposure machine is the alignment accuracy. This process is controlled by mechanical structure.
  • step S30 before pre-aligning the substrate, the method further includes vacuuming the placement environment of the substrate, thereby preventing impurities in the air from affecting the operation process.
  • step S40 the position of the alignment mark 32 is recognized based on the photoresist mark 34, and after accurate alignment, the black matrix film 33a is patterned to form a black matrix 33b.
  • step S40 includes:
  • Step S41 identifying the position of the alignment mark 32 according to the photoresist mark 34, and performing accurate alignment
  • Step S42 adjusting a distance between the photomask of the exposure machine and the substrate 31, and exposing the black matrix film 33a;
  • Step S43 the substrate 31 is taken out, and the black matrix film 33a is developed and baked to complete the patterning of the black matrix film 33a to form a black matrix 33b.
  • the process of adjusting the distance between the photomask of the exposure machine and the substrate 31 is such that the distance from the lower surface of the photomask of the exposure machine to the upper surface of the substrate 31 is gradually controlled by controlling the rise of the substrate 31. Decrease until the preset distance is reached.
  • the collective size of the exposure pattern of the black matrix film 33a is controlled by controlling the distance between the photomask of the exposure machine and the substrate 31.
  • the present application provides a method for fabricating a black matrix. Before the substrate is pre-aligned, the black photoresist above the alignment mark is thinned or removed by a marking device, thereby facilitating the alignment mark. Identification, which in turn improves the production efficiency of the black matrix.

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Abstract

一种黑色矩阵(33b)的制作方法，包括如下步骤：提供一基板(31)，基板(31)上设置有对位标记(32)；在基板(31)上涂覆黑色矩阵薄膜(33a)；将基板(31)放入曝光机中，并对基板(31)进行预对位，标记装置(4)对基板(31)进行标记处理，得到光阻标记(34)；识别对位标记(32)的位置并进行精确对位，图案化黑色矩阵薄膜(33a)，形成黑色矩阵(33b)。

Description

黑色矩阵的制作方法 技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种黑色矩阵的制作方法。
 背景技术
传统的液晶显示面板中，通常会在彩膜基板一侧制作一层黑色矩阵(BM，BlackMatrix)，用于分割相邻色阻，遮挡色彩的空隙，防止漏光或者混色；而将黑色矩阵制备在TFT阵列基板的技术叫做BOA(BM On Array，黑色矩阵贴附于阵列基板)，BOA可以解决上下基板错位导致遮光区域不匹配的问题。
请参阅图1，图 1 为现有技术中在彩膜基板1上制作黑色矩阵后的示意图，黑色矩阵13为彩膜基板1的第一道制程，因此在黑色矩阵的制备过程中无需参考前制程的对位标记(mark)。而在 BOA 架构的液晶显示面板中，由于黑色矩阵制作于 TFT 阵列基板一侧，在制备黑色矩阵之前，已经进行了其它图案的制程，因此在制备黑色矩阵时需要参考前制程的对位标记。
图 2 为在 TFT 阵列基板21上涂布黑色矩阵薄膜23后的示意图，在TFT阵列基板21上涂布黑色矩阵薄膜23后，所述黑色矩阵薄膜23将对位标记22完全遮挡。因此目前亟需一种黑色矩阵的制作方法以解决上述问题。
 技术问题
黑色矩阵制备过程中基板的对位标记难以识别的问题。
 技术解决方案
为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：
根据本申请的一个方面，提供了一种黑色矩阵的制作方法，包括如下步骤：
步骤S10、提供一基板，所述基板上设置有对位标记；
步骤S20、在所述基板上涂覆一黑色矩阵薄膜，所述黑色矩阵薄膜由黑色光阻制备；
步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜的所述基板放入曝光机中，并对所述基板进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记；
步骤S40、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。
根据本申请一优选实施例，所述标记装置为具有预定照度的镭射头。
根据本申请一优选实施例，所述步骤30包括：将所述镭射头移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，获得光阻标记。
根据本申请一优选实施例，所述基板为矩形结构，所述对位标记分为四组对位标记，分别设置于所述矩形的四个角。
根据本申请一优选实施例，每一组对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内。
根据本申请一优选实施例，所述高照度镭射头在所述黑色光阻上的投射光斑直径为150微米至200微米。
根据本申请一优选实施例，所述高照度镭射头的照度为10 5至10 6兆瓦每平方厘米。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S30中，对所述基板进行预对位为：将所述基板与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S30中，在对所述基板进行预对位前，还包括对所述基板的放置环境进行吸真空处理。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S40具体包括：
步骤S41、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位；
步骤S42、调整所述曝光机的光掩模版与所述基板的距离，对所述黑色矩阵薄膜进行曝光；
步骤S43、取出所述基板，并对所述黑色矩阵薄膜进行显影及烘烤，完成所述黑色矩阵薄膜的图案化，形成所述黑色矩阵。
根据本申请的另一个方面，提供了一种黑色矩阵的制作方法，包括如下步骤：
步骤S10、提供一阵列基板，所述阵列基板上设置有对位标记；
步骤S20、在所述阵列基板上涂覆一黑色矩阵薄膜，所述黑色矩阵薄膜由黑色光阻制备；
步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜的所述阵列基板放入曝光机中，并对所述阵列基板进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记；
步骤S40、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。
根据本申请一优选实施例，所述标记装置为具有预定照度的镭射头。
根据本申请一优选实施例，所述步骤30包括：将所述镭射头移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，获得光阻标记。
根据本申请一优选实施例，所述阵列基板为矩形结构，所述对位标记分为四组对位标记，分别设置于所述矩形的四个角。
根据本申请一优选实施例，每一组对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内。
根据本申请一优选实施例，所述高照度镭射头在所述黑色光阻上的投射光斑直径为150微米至200微米。
根据本申请一优选实施例，所述高照度镭射头的照度为10 5至10 6兆瓦每平方厘米。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S30中，对所述阵列基板进行预对位为：将所述阵列基板与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S30中，在对所述阵列基板进行预对位前，还包括对所述阵列基板的放置环境进行吸真空处理。
根据本申请一优选实施例，所述步骤S40具体包括：
步骤S41、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位；
步骤S42、调整所述曝光机的光掩模版与所述阵列基板的距离，对所述黑色矩阵薄膜进行曝光；
步骤S43、取出所述阵列基板，并对所述黑色矩阵薄膜进行显影及烘烤，完成所述黑色矩阵薄膜的图案化，形成所述黑色矩阵。
 有益效果
有益效果：通过在对基板进行预对位之前，通过标记装置将对位标记上方的黑色光阻进行厚度薄化或去除，从而方便了所述对位标记的识别，进而提高了黑色矩阵的制作效率。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为在彩膜基板上制作黑色矩阵后的示意图；
图2为在阵列基板上涂布黑色矩阵薄膜后的示意图；
图3为本申请中黑色矩阵制作方法的流程图；
图4a-4e为本申请中黑色矩阵制作方法的工艺图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明：
请参阅图3，图3为本申请中黑色矩阵制作方法的流程图。
请参阅图4a-4e，图4a-4e为本申请中黑色矩阵制作方法的工艺图。
如图4a所示，步骤S10、提供一基板31，所述基板31上设置有对位标记32。
在本申请中，所述基板31为薄膜晶体管阵列基板31，在对所述薄膜晶体管阵列基板31上制备黑色矩阵之前，已经进行了其他图案的制程，因此在制备黑色矩阵时需要参考前制程的对位标记。
在一种实施例中，基板31为矩形结构，所述对位标记32分为四组对位标记32，每一组对位标记32分别设置于所述矩形的四个角。
在一种实施例中，所述对位标记优选为正方形，但并不仅限于正方形，也可以为十字形、圆形、菱形等。
在一种实施例中，所述对位标记32既可以为很薄的一层，也可以为明显突出于所述对位标记32的附近区域；当对位标记32为很薄的一层时，能够有利于黑色矩阵薄膜33的成膜；当对位标记32明显凸起于所述对位标记32的附近区域时，能够方便对位标记32的获取。
在一种实施例中，每一组对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内，这样的设置可以使得在进行基板31的预对位时，仅使用一组对位标记32便可进行基板31的预对位操作。
如图4b所示，步骤S20、在所述基板31上涂覆一黑色矩阵薄膜33a，所述黑色矩阵薄膜33由黑色光阻制备；
其中，所述黑色矩阵薄膜33a覆盖于所述基板31和所述对位标记32的表面。
如图4c、4d所示，步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜33a的所述基板31放入曝光机中，并对所述基板31进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置4移动到所述对位标记32的上方，对所述对位标记32上方所对应的黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记34；优选的，所述标记装置4为具有预定照度的镭射头。
在一种实施例中，所述步骤S30的包括，将所述镭射头移动到所述对位标记32的上方，对所述对位标记32上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记32上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，进而获得便于捕捉的光阻标记34。
在一种实施例中，所述镭射头在所述黑色光阻上的透射光斑直径为150微米至200微米，对位标记32的边长处于60微米至140微米的范围内，这样设计的使得所述高照度镭射头的透射范围能够完全覆盖所述对位标记32，进而使得所述光阻标记34能够直观的传递除完整的对位标记信息。
在一种实施例中，所述高照度镭射头的照度为10 5至10 6兆瓦每平方厘米。
需要解释的是，在步骤S30中，对所述基板31进行预对位指的是：将所述基板31与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。
所述曝光机的光掩模版上有与所述对位标记32相对应的图案，对位即将所述对位标记32与所述曝光机的光掩模版的对应图案进行对位，所述对位标记32与所述曝光机的光掩模版的对应图案几何中心的差为对位精度。这一工艺是通过机械结构进行控制的。
步骤S30中，在对所述基板进行预对位前，还包括对所述基板的放置环境进行吸真空处理，从而避免空气中的杂质影响操作工艺。
如图4e所示，步骤S40、根据所述光阻标记34识别所述对位标记32的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜33a，形成黑色矩阵33b。
在一种实施例中，所述步骤S40包括：
步骤S41、根据所述光阻标记34识别所述对位标记32的位置，进行精确对位；
步骤S42、调整所述曝光机的光掩模版与所述基板31的距离，对所述黑色矩阵薄膜33a进行曝光；
步骤S43、取出所述基板31，并对所述黑色矩阵薄膜33a进行显影及烘烤，完成所述黑色矩阵薄膜33a的图案化，形成黑色矩阵33b。
其中，调整所述曝光机的光掩模版与所述基板31的距离的工艺为，通过控制所述基板31的上升，使所述曝光机的光掩模版下表面到基板31上表面的距离逐渐减小，直到达到预设距离为止。在本申请中，通过控制所述曝光机的光掩模版与所述基板31的距离进而控制所述黑色矩阵薄膜33a曝光图案的集合尺寸。
本申请提供了一种黑色矩阵的制作方法，在对基板进行预对位之前，通过标记装置将对位标记上方的黑色光阻及进行厚度薄化或去除，从而方便了所述对位标记的识别，进而提高了黑色矩阵的制作效率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种黑色矩阵的制作方法，其包括如下步骤：
    步骤S10、提供一基板，所述基板上设置有对位标记；
    步骤S20、在所述基板上涂覆一黑色矩阵薄膜，所述黑色矩阵薄膜由黑色光阻制备；
    步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜的所述基板放入曝光机中，并对所述基板进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的所述黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记；
    步骤S40、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。
  2. 根据权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述标记装置为具有预定照度的镭射头。
  3. 根据权利要求2所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30包括：将所述镭射头移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，获得光阻标记。
  4. 根据权利要求2所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述基板为矩形结构，四组所述对位标记分别设置于所述矩形的四个角。
  5. 根据权利要求4所述的黑色矩阵的制作方法，其中，每一组所述对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内。
  6. 根据权利要求5所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述镭射头在所述黑色光阻上的投射光斑直径为150微米至200微米。
  7. 根据权利要求2所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述镭射头的照度为10 5至10 6兆瓦每平方厘米。
  8. 根据权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30中，对所述基板进行预对位包括：
    将所述基板与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。
  9. 根据权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30中，在对所述基板进行预对位前，还包括：
    对所述基板的放置环境进行吸真空处理。
  10. 根据权利要求1所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S40包括：
    步骤S41、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位；
    步骤S42、调整所述曝光机的光掩模版与所述基板的距离，对所述黑色矩阵薄膜进行曝光；
    步骤S43、取出所述基板，并对所述黑色矩阵薄膜进行显影及烘烤，完成所述黑色矩阵薄膜的图案化，形成所述黑色矩阵。
  11. 一种黑色矩阵的制作方法，其包括如下步骤：
    步骤S10、提供一阵列基板，所述阵列基板上设置有对位标记；
    步骤S20、在所述阵列基板上涂覆一黑色矩阵薄膜，所述黑色矩阵薄膜由黑色光阻制备；
    步骤S30、将涂覆有所述黑色矩阵薄膜的所述阵列基板放入曝光机中，并对所述阵列基板进行预对位，然后将所述曝光机的标记装置移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的所述黑色光阻进行标记处理，得到光阻标记；
    步骤S40、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。
  12. 根据权利要求11所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述标记装置为具有预定照度的镭射头。
  13. 根据权利要求12所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30包括：将所述镭射头移动到所述对位标记的上方，对所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行照射，将所述对位标记上方所对应的黑色光阻进行厚度薄化或去除，获得光阻标记。
  14. 根据权利要求12所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述阵列基板为矩形结构，四组所述对位标记分别设置于所述矩形的四个角。
  15. 根据权利要求14所述的黑色矩阵的制作方法，其中，每一组所述对位标记包括至少一个对位标记主体，所述对位标记主体的边长处于60微米至140微米的范围内。
  16. 根据权利要求15所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述镭射头在所述黑色光阻上的投射光斑直径为150微米至200微米。
  17. 根据权利要求12所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述镭射头的照度为10 5至10 6兆瓦每平方厘米。
  18. 根据权利要求11所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30中，对所述阵列基板进行预对位包括：
    将所述阵列基板与所述曝光机的光掩模版进行预对位，对位精度为±30微米。
  19. 根据权利要求11所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S30中，在对所述阵列基板进行预对位前，还包括：
    对所述阵列基板的放置环境进行吸真空处理。
  20. 根据权利要求11所述的黑色矩阵的制作方法，其中，所述步骤S40包括：
    步骤S41、根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位；
    步骤S42、调整所述曝光机的光掩模版与所述阵列基板的距离，对所述黑色矩阵薄膜进行曝光；
    步骤S43、取出所述阵列基板，并对所述黑色矩阵薄膜进行显影及烘烤，完成所述黑色矩阵薄膜的图案化，形成所述黑色矩阵。
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