WO2019127801A1 - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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disposed
forming
display panel
anode
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张良芬
任章淳
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present invention belongs to the field of display technologies, and in particular, to a display panel and a method of fabricating the same.
  • OLED display panels have become very popular emerging flat display panel products at home and abroad, because OLED display panels have self-luminous, wide viewing angle, short reaction time, high luminous efficiency, Wide color gamut, thin thickness, large size and flexible display panel, and simple process, it also has the potential for low cost.
  • the top emission structure can meet the aperture ratio requirement, but regardless of the fabrication process, there is a problem that the pixel (ie, the OLED functional layer) leaks light, so that the OLED display panel has display defects.
  • an object of the present invention is to provide a display panel that eliminates light leakage of an OLED functional layer and a method of fabricating the same.
  • a display panel includes: a substrate; a thin film transistor disposed on the substrate; a flat layer disposed on the thin film transistor; and an anode disposed on the flat layer and penetrating
  • the flat layer is connected to the thin film transistor; a pixel defining layer is disposed on the flat layer; a light shielding layer is disposed on the pixel defining layer, and the light shielding layer and the pixel defining layer have an exposed portion
  • the pixel of the anode defines a hole; an OLED functional layer is disposed on the exposed anode; and a cathode is disposed on the light shielding layer and the OLED functional layer.
  • the thin film transistor includes: an active layer disposed on the substrate; a first insulating layer disposed on the active layer; a gate disposed on the first insulating layer; and a second insulating layer a layer disposed on the gate, the active layer, and the substrate; a source and a drain disposed on the second insulating layer and penetrating through the second insulating layer respectively to be active
  • the layer is connected, the flat layer is disposed on the source, the drain and the second insulating layer, and the anode penetrates the flat layer to be connected to the drain.
  • the OLED functional layer sequentially includes a hole generating layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer from the anode to the cathode.
  • the display panel further includes a cover plate disposed on the cathode on the light shielding layer.
  • the light shielding layer is made of a black resin material.
  • a method of fabricating a display panel including: forming a thin film transistor on a substrate; forming a flat layer on the thin film transistor; forming a through-the-flat on the flat layer a layer having an anode connected to the thin film transistor; a pixel defining layer formed on the flat layer and the anode; a light shielding layer formed on the pixel defining layer; forming in the light shielding layer and the pixel defining layer A pixel that exposes the anode defines a hole; an OLED functional layer is formed on the exposed anode; and a cathode is formed on the light shielding layer and the OLED functional layer.
  • a method of forming a thin film transistor on a substrate includes: forming an active layer on the substrate; forming a first insulating layer on the active layer; forming a gate on the first insulating layer; a second insulating layer is formed on the gate electrode, the active layer and the substrate; and a source and a drain respectively penetrating the second insulating layer to be connected to the active layer are formed on the second insulating layer
  • the flat layer is disposed on the source, the drain, and the second insulating layer, and the anode extends through the flat layer to be connected to the drain.
  • a method of forming an OLED functional layer on the exposed anode includes sequentially forming a stacked hole-generating layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron on the exposed anode Inject the layer.
  • the manufacturing method further includes forming a cover plate on the cathode on the light shielding layer.
  • the light shielding layer is formed on the pixel defining layer using a black resin material.
  • the invention has the beneficial effects that the light shielding layer is formed on the pixel defining layer, so that the light leakage from the side of the OLED functional layer in the pixel defining hole can be shielded, thereby eliminating the problem of pixel leakage in the prior art. Improve the display of the display panel.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a display panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A through 2K are process diagrams of a display panel in accordance with an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a display panel according to an embodiment of the present invention.
  • Fig. 1 two anodes are shown, but only one thin film transistor of one anode connection is shown, but it should be noted that each anode in the display panel needs to be connected to at least one thin film transistor.
  • a display panel includes a substrate 100, an active layer 210, a first insulating layer 220, a gate 230, a second insulating layer 240, a source 250, a drain 260, and a flat layer 300.
  • the substrate 100 may be, for example, a flexible substrate, but the invention is not limited thereto.
  • the active layer 210 is disposed on the substrate 100.
  • the active layer 210 may be formed of, for example, amorphous silicon, low temperature polysilicon, IGZO, or the like, but the present invention is not limited thereto.
  • the first insulating layer 220 is disposed on the active layer 210.
  • the gate 230 is disposed on the first insulating layer 220.
  • the second insulating layer 240 is disposed on the gate electrode 230, the active layer 210, and the substrate 100.
  • the source 250 and the drain 260 are disposed on the second insulating layer 240, and the source 250 and the drain 260 respectively penetrate the second insulating layer 240 to be connected to the active layer 210.
  • the thin film transistor according to an embodiment of the present invention is constituted by the active layer 210, the first insulating layer 220, the gate electrode 230, the second insulating layer 240, the source 250, and the drain 260, and the thin film transistor thus structured is only It is an embodiment of the present invention, and the structure of the thin film transistor of the present invention is not limited thereto.
  • the planarization layer 300 is disposed on the second insulating layer 240, the source 250, and the drain 260.
  • the anode 400 is disposed on the flat layer 300 and penetrates the flat layer 300 to be connected to the drain 260.
  • the anode 400 has a high reflectance.
  • the pixel defining layer 500 is disposed on the anode 400 and the flat layer 300.
  • the light shielding layer 600 is disposed on the pixel defining layer 500.
  • the OLED functional layer 700 is disposed on the exposed anode 400.
  • the OLED functional layer 700 includes a hole generating layer, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer from bottom to top; however, the OLED functional layer 700 of the present invention The structure is not limited to this.
  • the cathode 800 is disposed on the pixel defining layer 500, the light shielding layer 600, and the OLED functional layer 700.
  • the cathode 800 has high light transmittance, but the present invention is not limited thereto.
  • FIGS. 2A through 2K are process diagrams of a display panel in accordance with an embodiment of the present invention.
  • a method of fabricating a display panel according to an embodiment of the present invention includes steps 1 through 11.
  • step 1 Referring to FIG. 2A, an active layer 210 is formed on the substrate 100.
  • the active layer 210 may be formed of, for example, amorphous silicon, low temperature polysilicon, IGZO, or the like, but the present invention is not limited thereto.
  • Step 2 Referring to FIG. 2B, a first insulating layer 220 is formed on the active layer 210.
  • Step 3 Referring to FIG. 2C, a gate electrode 230 is formed on the first insulating layer 220.
  • Step 4 Referring to FIG. 2D, a second insulating layer 240 is formed on the gate 230, the active layer 210, and the substrate 100.
  • Step 5 Referring to FIG. 2E, a source 250 and a drain 260 are formed on the second insulating layer 240, wherein the source 250 and the drain 260 respectively penetrate the second insulating layer 240 to be connected to the active layer 210.
  • the method of fabricating the thin film transistor according to the embodiment of the present invention is constituted by the first step to the fifth step, and the method for fabricating the thin film transistor is only one embodiment of the present invention, and the method for fabricating the thin film transistor of the present invention is not limited. herein.
  • Step 6 Referring to FIG. 2F, a flat layer 300 is formed on the second insulating layer 240, the source 250, and the drain 260.
  • Step 7 Referring to FIG. 2G, an anode 400 is formed on the flat layer 300 to form a through-flat layer 300 to be connected to the drain 260.
  • the anode 400 has a high reflectance.
  • Step 8 Referring to FIG. 2H, a stacked pixel defining layer 500 and a light shielding layer 600 are formed on the anode 400 and the flat layer 300.
  • Step 9 Referring to FIG. 2I, a pixel defining hole 510 forming the exposed anode 400 is formed in the pixel defining layer 500 and the light shielding layer 600.
  • Step 10 Referring to FIG. 2J, an OLED functional layer 700 is formed on the exposed anode 400.
  • a method of forming the OLED functional layer 700 includes sequentially forming a stacked hole-generating layer, a hole transporting layer, an organic light-emitting layer, an electron transporting layer, and the like on the exposed anode 400.
  • the electron injecting layer however, the method of fabricating the OLED functional layer 700 of the present invention is not limited thereto.
  • Step 11 Referring to FIG. 2K, a cathode 800 is formed on the pixel defining layer 500, the light shielding layer 600, and the OLED functional layer 700.
  • the cathode 800 has high light transmittance, but the present invention is not limited thereto.
  • the embodiment of the present invention by forming the light shielding layer on the pixel defining layer, the light leaking from the side of the OLED functional layer in the pixel defining hole can be shielded, thereby eliminating the prior art pixel light leakage. The problem, which in turn improves the display of the display panel.

Abstract

一种显示面板及其制作方法。显示面板包括基板（100）；薄膜晶体管，设置于基板（100）上；平坦层（300），设置于薄膜晶体管上；阳极（400），设置于平坦层（300）上且贯穿平坦层（300）以与薄膜晶体管连接；像素限定层（500），设置于平坦层（300）上；遮光层（600），设置于像素限定层（500）上，遮光层（600）和像素限定层（500）中具有暴露阳极（400）的像素限定孔（510）；OLED功能层（700），设置于暴露出的阳极（400）上；阴极（800），设置于遮光层（600）和OLED功能层（700）上。通过在像素限定层（500）上形成遮光层（600），从而可以遮蔽掉像素限定孔（510）中的OLED功能层（700）由侧边漏出的光线，这样可以消除像素漏光的问题，进而提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板及其制作方法 技术领域
本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
近年来，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板成为国内外非常热门的新兴平面显示面板产品，这是因为OLED显示面板具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、薄厚度、可制作大尺寸与可挠曲的显示面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。
对于大尺寸高解析度的OLED显示面板，顶发射结构能满足开口率要求，但是无论采用何种制作工艺，都存在像素(即OLED功能层)漏光的问题，从而使OLED显示面板存在显示瑕疵。
发明内容
为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种消除OLED功能层漏光的显示面板及其制作方法。
根据本发明的一方面，提供了一种显示面板，其包括：基板；薄膜晶体管设置于所述基板上；平坦层，设置于所述薄膜晶体管上；阳极，设置于所述平坦层上且贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接；像素限定层，设置于所述平坦层上；遮光层，设置于所述像素限定层上，所述遮光层和所述像素限定层中具有暴露所述阳极的像素限定孔；OLED功能层，设置于暴露出的所述阳极上；阴极，设置于所述遮光层和所述OLED功能层上。
进一步地，所述薄膜晶体管包括：有源层，设置于所述基板上；第一绝缘层，设置于所述有源层上；栅极，设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置于所述栅极、所述有源层和所述基板上；源极和漏极，设置于所述第二绝缘层上且分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接，所述平坦层设置于所述 源极、所述漏极和所述第二绝缘层上，所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
进一步地，所述OLED功能层从所述阳极到所述阴极顺序包括：空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
进一步地，所述显示面板还包括盖板，所述盖板设置于所述遮光层上的所述阴极上。
进一步地，所述遮光层由黑色树脂材料制成。
根据本发明的另一方面，还提供了一种显示面板的制作方法，其包括：在基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成平坦层；在所述平坦层上形成贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接的阳极；在所述平坦层和所述阳极上形成像素限定层；在所述像素限定层上形成遮光层；在所述遮光层和所述像素限定层中形成暴露所述阳极的像素限定孔；在暴露出的所述阳极上形成OLED功能层；在所述遮光层和所述OLED功能层上形成阴极。
进一步地，在基板上形成薄膜晶体管的方法包括：在所述基板上形成有源层；在所述有源层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；在所述栅极、所述有源层和所述基板上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接的源极和漏极；其中，所述平坦层设置于所述源极、所述漏极和所述第二绝缘层上，所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
进一步地，在暴露的所述阳极上形成OLED功能层的方法包括：在暴露的所述阳极上依序形成叠层的空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
进一步地，所述制作方法还包括：在所述遮光层上的所述阴极上形成盖板。
进一步地，利用黑色树脂材料在所述像素限定层上形成所述遮光层。
本发明的有益效果：本发明通过在像素限定层上形成遮光层，从而可以遮蔽掉像素限定孔中的OLED功能层由侧边漏出的光线，这样可以消除现有技术 的像素漏光的问题，进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的显示面板的结构示意图；
图2A至图2K是根据本发明的实施例的显示面板的制程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底等的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。可选择地，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
图1是根据本发明的实施例的显示面板的结构示意图。在图1中，示出了两个阳极，但是仅示出了一个阳极连接的一个薄膜晶体管，但是需要说明的是，显示面板中的每个阳极都需要与至少一个薄膜晶体管连接。
参照图1，根据本发明的实施例的显示面板包括：基板100、有源层210、第一绝缘层220、栅极230、第二绝缘层240、源极250、漏极260、平坦层300、阳极400、像素限定层500、遮光层600、OLED功能层700、阴极800和盖板900。
具体地，基板100可例如是柔性基板，但本发明并不限制于此。
有源层210设置于基板100上。有源层210可例如由非晶硅、低温多晶硅、IGZO等材料形成，但本发明并不限制于此。第一绝缘层220设置于有源层210上。栅极230设置于第一绝缘层220上。第二绝缘层240设置于栅极230、有源层210和基板100上。源极250和漏极260设置于第二绝缘层240上，并且源极250和漏极260分别贯穿第二绝缘层240以与有源层210连接。
这里，由有源层210、第一绝缘层220、栅极230、第二绝缘层240、源极250、漏极260构成了根据本发明的实施例的薄膜晶体管，并且这样结构的薄膜晶体管仅是本发明的一种实施方式，本发明的薄膜晶体管的结构并不限制于此。
平坦层300设置于第二绝缘层240、源极250和漏极260上。阳极400设置于平坦层300上且贯穿平坦层300以与漏极260连接。在本实施例中，阳极400具有高反射率。
像素限定层500设置于阳极400和平坦层300上。遮光层600设置于像素限定层500上。像素限定层500和遮光层600中具有暴露阳极400的像素限定孔510。
OLED功能层700设置于暴露的阳极400上。作为本发明的一种实施方式，OLED功能层700从下至上顺序包括：空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层；但本发明的OLED功能层700的结构并不限制于此。
阴极800设置于像素限定层500、遮光层600和OLED功能层700上。在本实施例中，阴极800具有高透光率，但本发明并不限制于此。
图2A至图2K是根据本发明的实施例的显示面板的制程图。
根据本发明的实施例的显示面板的制作方法包括步骤一至步骤十一。
具体地，步骤一：参照图2A，在基板100上制作形成有源层210。有源层210可例如由非晶硅、低温多晶硅、IGZO等材料形成，但本发明并不限制于此。
步骤二：参照图2B，在有源层210上制作形成第一绝缘层220。
步骤三：参照图2C，在第一绝缘层220上制作形成栅极230。
步骤四：参照图2D，在栅极230、有源层210和基板100上制作形成第二绝缘层240。
步骤五：参照图2E，在第二绝缘层240上制作形成源极250和漏极260，其中源极250和漏极260分别贯穿第二绝缘层240以与有源层210连接。
这里，由步骤一至步骤五构成了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的制作方法，并且这样制作薄膜晶体管的方法仅是本发明的一种实施方式，本发明的薄膜晶体管的制作方法并不限制于此。
步骤六：参照图2F，在第二绝缘层240、源极250和漏极260上制作形成平坦层300。
步骤七：参照图2G，在平坦层300上制作形成贯穿平坦层300以与漏极260连接的阳极400。在本实施例中，阳极400具有高反射率。
步骤八：参照图2H，在阳极400和平坦层300上制作形成叠层的像素限定层500和遮光层600。
步骤九：参照图2I，在像素限定层500和遮光层600中制作形成暴露阳极400的像素限定孔510。
步骤十：参照图2J，在暴露的阳极400上制作形成OLED功能层700。作为本发明的一种实施方式，制作形成OLED功能层700的方法包括：在暴露的阳极400上依序制作形成叠层的空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层；但本发明的制作OLED功能层700的方法并不限制于此。
步骤十一：参照图2K，在像素限定层500、遮光层600和OLED功能层700上制作形成阴极800。在本实施例中，阴极800具有高透光率，但本发明并不限制于此。
综上所述，根据本发明的实施例，通过在像素限定层上形成遮光层，从而可以遮蔽掉像素限定孔中的OLED功能层由侧边漏出的光线，这样可以消除现有技术的像素漏光的问题，进而提高显示面板的显示效果。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (12)

  1. 一种显示面板，其中，包括：
    基板；
    薄膜晶体管设置于所述基板上；
    平坦层，设置于所述薄膜晶体管上；
    阳极，设置于所述平坦层上且贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接；
    像素限定层，设置于所述平坦层上；
    遮光层，设置于所述像素限定层上，所述遮光层和所述像素限定层中具有暴露所述阳极的像素限定孔；
    OLED功能层，设置于暴露出的所述阳极上；
    阴极，设置于所述遮光层和所述OLED功能层上。
  2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述薄膜晶体管包括：
    有源层，设置于所述基板上；
    第一绝缘层，设置于所述有源层上；
    栅极，设置于所述第一绝缘层上；
    第二绝缘层，设置于所述栅极、所述有源层和所述基板上；
    源极和漏极，设置于所述第二绝缘层上且分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接，所述平坦层设置于所述源极、所述漏极和所述第二绝缘层上，所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
  3. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述OLED功能层从所述阳极到所述阴极顺序包括：空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、 电子注入层。
  4. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述OLED功能层从所述阳极到所述阴极顺序包括：空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
  5. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括盖板，所述盖板设置于所述遮光层上的所述阴极上。
  6. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述遮光层由黑色树脂材料制成。
  7. 一种显示面板的制作方法，其中，包括：
    在基板上形成薄膜晶体管；
    在所述薄膜晶体管上形成平坦层；
    在所述平坦层上形成贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接的阳极；
    在所述平坦层和所述阳极上形成像素限定层；
    在所述像素限定层上形成遮光层；
    在所述遮光层和所述像素限定层中形成暴露所述阳极的像素限定孔；
    在暴露出的所述阳极上形成OLED功能层；
    在所述遮光层和所述OLED功能层上形成阴极。
  8. 根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其中，在基板上形成薄膜晶体管的方法包括：
    在所述基板上形成有源层；
    在所述有源层上形成第一绝缘层；
    在所述第一绝缘层上形成栅极；
    在所述栅极、所述有源层和所述基板上形成第二绝缘层；
    在所述第二绝缘层上形成分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接的源极和漏极；其中，所述平坦层设置于所述源极、所述漏极和所述第二绝缘层上，所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
  9. 根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其中，在暴露的所述阳极上形成OLED功能层的方法包括：在暴露的所述阳极上依序形成叠层的空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
  10. 根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其中，在暴露的所述阳极上形成OLED功能层的方法包括：在暴露的所述阳极上依序形成叠层的空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
  11. 根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其中，所述制作方法还包括：在所述遮光层上的所述阴极上形成盖板。
  12. 根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其中，利用黑色树脂材料在所述像素限定层上形成所述遮光层。
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