WO2019077980A1 - 固体撮像装置 - Google Patents

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WO2019077980A1
WO2019077980A1 PCT/JP2018/036629 JP2018036629W WO2019077980A1 WO 2019077980 A1 WO2019077980 A1 WO 2019077980A1 JP 2018036629 W JP2018036629 W JP 2018036629W WO 2019077980 A1 WO2019077980 A1 WO 2019077980A1
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WO
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solid
state imaging
imaging device
sealing resin
main substrate
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PCT/JP2018/036629
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清一 糸井
健 玉利
大輔 櫻井
正三 越智
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
    • A61B1/04—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B23/00—Telescopes, e.g. binoculars; Periscopes; Instruments for viewing the inside of hollow bodies; Viewfinders; Optical aiming or sighting devices
    • G02B23/24—Instruments or systems for viewing the inside of hollow bodies, e.g. fibrescopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith

Definitions

  • the present disclosure relates to a small solid-state imaging device provided in an electronic endoscope or the like.
  • an endoscope is provided.
  • an industrial endoscope which can observe or inspect flaws, corrosion and the like inside boilers, turbines, engines, chemical plants and the like.
  • Such an endoscope includes, for example, a solid-state imaging device including a solid-state imaging device such as a charge coupled device (abbreviated as CCD) or an electronic component at the tip of the insertion portion is there.
  • the solid-state imaging device receives the reflected light from the object to be imaged, performs photoelectric conversion, and transmits the photoelectrically converted signal to the information processing device including the monitor device via the signal cable.
  • the information processing apparatus processes a signal received from the solid-state imaging device, and displays an imaging target object imaged by the solid-state imaging device in color on the monitor device.
  • an endoscope incorporating a solid-state imaging device is inserted into, for example, a narrow and winding lumen or the like, it is desirable to reduce the diameter of the insertion portion. Further, in order to realize an endoscope having a small size and good operability, the solid-state imaging device is desired to be downsized and reduced in diameter.
  • Patent Document 1 discloses a solid-state imaging device disposed at the tip of an endoscope.
  • Patent Document 1 discloses a solid-state imaging device in which the entire configuration is miniaturized by minimizing the sealing fixing portion formed of the sealing resin.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device of Patent Document 1
  • FIG. 26 is a plan view of the solid-state imaging device of Patent Document 1.
  • the transparent member 101 is adhered on the light receiving surface of the solid-state imaging element 103, and the lead 112 of the FPC (flexible circuit board) is connected to the protruding electrode 110 formed on the light receiving surface.
  • the peripheral portion of the transparent member 101 and the connection portion of the solid-state imaging element 103 and the lead 112 are sealed with a sealing resin 104.
  • An object of the present application is to provide a more miniaturized solid-state imaging device.
  • a solid-state imaging device and a substrate fixed to the solid-state imaging device by a sealing resin on the surface opposite to the light-receiving surface of the solid-state imaging device are provided.
  • the outer edge of the substrate viewed from the surface side is contained within the outer edge of the solid-state imaging device, and the outer edge of the sealing resin viewed from the light-receiving surface side of the solid-state imaging device is within the outer edge of the solid-state imaging device.
  • Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a first embodiment A plan view showing a configuration of a solid-state imaging device according to Embodiment 1. Sectional drawing which shows the formation process of the solid-state imaging device in Embodiment 1. Sectional drawing which shows the formation process of the solid-state imaging device in Embodiment 2.
  • Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a third embodiment Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a fourth embodiment
  • Side view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device according to a fifth embodiment A plan view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device in a fifth embodiment
  • Sectional drawing which shows typically the shape of the main board
  • Sectional drawing which shows typically the structure of the solid-state imaging device of Embodiment 5
  • Sectional drawing which shows typically the shape of the main board
  • Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a sixth embodiment
  • Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a sixth embodiment
  • Top view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a sixth embodiment
  • Top view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a sixth embodiment
  • Sectional view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a seventh embodiment Top view showing the configuration of a solid-state imaging device according to a seventh embodiment
  • Embodiment 1 The first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present disclosure
  • FIG. 2 is a plan view of the solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present disclosure.
  • the solid-state imaging device includes a solid-state imaging device 3 in the shape of a rectangular parallelepiped.
  • the solid-state imaging device 3 has a light receiving surface 3a and a back surface 3c.
  • a rectangular parallelepiped transparent member 1 (for example, a cover glass) is disposed on the light receiving surface 3 a of the solid-state imaging device 3.
  • the transparent member 1 is fixed to the solid-state imaging device 3 by an adhesive 2.
  • a plurality of first connection terminals 9 are formed on the back surface 3 c of the solid-state imaging device 3.
  • the wiring on the light receiving surface 3a and the first connection terminal 9 on the back surface 3c are electrically connected. This is the same as the transparent member 1 of the fifth embodiment.
  • a convex main substrate 8 is disposed on the back surface 3c.
  • the solid-state imaging device 3 is fixed to the main substrate 8 by the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5.
  • a plurality of second connection terminals 11 are formed on the upper surface of the protrusion of the main substrate 8.
  • a protruding electrode 10 is provided between the second connection terminal 11 of the main substrate 8 and the first connection terminal 9 formed on the back surface 3c.
  • the bump electrode 10 electrically connects the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • a plurality of third connection terminals 17 are formed on the upper surface of the base portion of the main substrate 8.
  • a plurality of electronic components 6 having connection terminals 32 are disposed in the cavity 7 between the back surface 3 c and the base portion of the main substrate 8.
  • a protruding electrode 13 is provided between the third connection terminal 17 and the connection terminal 32.
  • the bump electrode 13 electrically connects the main substrate 8 and the electronic component 6.
  • the second sealing resin 5 is filled in the cavity 7 and covers the electronic component 6.
  • Connection terminals 15 for a cable are formed on the side surface of the base portion of the main substrate 8.
  • the area of the transparent member 1 and the adhesive 2 in plan view is smaller than the area of the solid-state imaging device 3 in plan view (see FIG. 2).
  • the outer edges of the transparent member 1 and the adhesive 2 are disposed so as to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 3 in a plan view.
  • the area of the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 and the main substrate 8 in plan view is smaller than the area of the solid-state imaging device 3 in plan view.
  • the outer edges of the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 and the outer edge of the main substrate 8 are disposed so as to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 3 in plan view.
  • the element that maximizes the width dimension of the solid-state imaging device that is, the dimension in the vertical and horizontal directions in FIG.
  • the solid-state imaging device can be miniaturized to the size of the solid-state imaging device 3.
  • the area of the transparent member 1 and the adhesive 2 in plan view may be the same as the area of the solid-state imaging device 3 in plan view.
  • the transparent member 1 and the adhesive 2 may have the same shape in plan view as the shape in plan view of the solid-state imaging device 3.
  • first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 and the main substrate 8 in plan view may be the same as the areas of the solid-state imaging device 3 in plan view.
  • the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 and the main substrate 8 may have the same shape in plan view as the shape in plan view of the solid-state imaging device 3.
  • the solid-state imaging device can be produced by the process shown in FIG.
  • the first connection terminal 9 is formed on the back surface 3c. Further, the transparent member 1 is disposed on the light receiving surface 3 a of the solid-state imaging device 3, and is fixed by the adhesive 2.
  • the second connection terminal 11 and the third connection terminal 17 are formed on the main substrate 8, and the bump electrode 10 is formed on the second connection terminal 11.
  • the connection terminal 32 is formed on the electronic component 6, and the protruding electrode 13 is formed on the connection terminal 32.
  • the electronic component 6 is disposed on the electronic component 6, and the bump electrode 13 is connected to the third connection terminal 17 on the main substrate 8. Thereby, the electronic component 6 and the main substrate 8 are electrically connected.
  • the electronic component 6 is filled with the second sealing resin 5.
  • the main substrate 8 is singulated by dicing.
  • the first sealing resin 4 is applied to the surface of the main substrate 8 on which the protruding electrodes 10 are formed.
  • the surface of the main substrate 8 on which the protruding electrodes 10 are formed and the surface on which the first connection terminals 9 of the solid-state imaging device 3 are formed are disposed facing each other. . Then, the protruding electrode 10 is connected to the first connection terminal 9, and the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3 are fixed by the first sealing resin 4. Thereby, the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8 are electrically connected.
  • the solid-state imaging device is completed through the above steps.
  • the solid-state imaging device 3 receives the light reflected by the object to be imaged through the transparent member 1 at the light receiving surface 3a, and converts the received light into an electric signal.
  • the electrical signal is transmitted to the main substrate 8 electrically connected to the solid-state imaging device 3.
  • the electrical signal is transmitted to the electronic component 6 electrically connected to the main substrate 8.
  • the electronic component 6 performs predetermined signal processing on the transmitted electrical signal and transmits the signal to the main substrate 8.
  • An electrical signal transmitted to the main substrate 8 via the electronic component 6 is transmitted from the cable connection terminal 15 to an external device (for example, an information processing apparatus including a monitor device).
  • Main board 8 1 mm x 1 mm x thickness 0.6 mm
  • Electronic component 6 0.6 mm ⁇ 0.3 mm ⁇ 0.3 mm or less
  • Transparent member 1 1 mm ⁇ 1 mm ⁇ 0.3 mm thickness
  • Solid-state imaging device 3 1 mm ⁇ 1 mm ⁇ thickness 0.1 mm
  • the area of the transparent member 1 in plan view and the area of the main substrate 8 in plan view may be smaller than the area of the solid-state imaging device 3 in plan view as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the electronic component 6 is, for example, a capacitor, but may be a resistor. Moreover, the electronic component 6 is provided with the connection terminal 32 for transmitting and receiving an electric signal. In a plan view, the electronic component 6 is disposed to fit within the outer edge of the solid-state imaging device 3.
  • the transparent member 1 is a transparent rectangular solid optical member.
  • the width of the transparent member 1 is the same as that of the solid-state imaging device 3 in order to make the width of the solid-state imaging device 3 smaller and smaller than that of the solid-state imaging device 3. Or less than the width dimension of.
  • the solid-state imaging device 3 is a CCD image sensor or a CMOS image sensor that detects light and converts it into an electric signal.
  • the solid-state imaging device 3 may incorporate a circuit that performs signal processing. Alternatively, the solid-state imaging device 3 may be stacked with an element having a function of performing signal processing.
  • the solid-state imaging device 3 includes a first connection terminal 9 for transmitting and receiving electric signals.
  • the first connection terminal 9, the second connection terminal 11, and the connection terminals 32, 14 are formed of, for example, aluminum or the like.
  • a metal such as copper having a higher conductivity than aluminum may be used.
  • copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • connection terminal 15 for the cable is formed of, for example, aluminum or the like.
  • a metal such as copper having higher conductivity than aluminum may be used.
  • the copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • the protruding electrodes 10 and 13 are formed of, for example, solder.
  • a metal such as copper or gold may be used.
  • the main substrate 8 is formed of, for example, a ceramic substrate or the like.
  • a buildup substrate, an aramid epoxy substrate, a glass epoxy substrate, or the like may be used.
  • the main substrate 8 is formed with cavities 7 (electronic components 6) for mounting the electronic components 6 on the left and right in a plan view.
  • the size of the electronic component 6 is, for example, 0.6 mm ⁇ 0.3 mm ⁇ thickness 0.3 mm.
  • the width dimension of the solid-state imaging device can be kept the same as the width dimension of the solid-state imaging device 3.
  • Two electronic components 6 are formed symmetrically in the left-right direction with the protruding portion of the main substrate 8 as a boundary. Thereby, the heat dissipation of the solid-state imaging device 3 becomes symmetrical and it is possible to suppress the in-plane variation such as the electrical characteristics.
  • the electronic component 6 may be formed on the base portion 8b (see FIG. 1) of the main substrate 8 to be four-point symmetric.
  • the adhesive 2 is a transparent adhesive such as an ultraviolet curing type.
  • the width dimension of the adhesive 2 is equal to or less than the width dimension of the transparent member 1.
  • the first sealing resin 4 is an epoxy adhesive.
  • the width dimension of the first sealing resin 4 is equal to or less than the width dimension of the solid-state imaging device 3.
  • the first sealing resin 4 covers the protruding electrodes 10 connecting the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8.
  • the width dimension of the second sealing resin 5 is equal to or less than the width dimension of the solid-state imaging device 3.
  • the second sealing resin 5 is a resin having a low elastic modulus and high heat dissipation as compared to the first sealing resin 4.
  • the surface of the second sealing resin 5 in contact with the first sealing resin 4 is tapered from the outside to the inside as in the tapered portion 5 a of FIG. 1.
  • the interface between the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 is inclined from the inside to the outside of the solid-state imaging device in the direction in which the thickness of the first sealing resin 4 becomes thinner.
  • the width dimension of the solid-state imaging device can be determined by stacking and connecting the transparent member 1, the solid-state imaging device 3, the main substrate 8, and the electronic component 6 constituting the solid-state imaging device. And can be miniaturized. Further, since the width dimension of the solid-state imaging device can be reduced, for example, the diameter reduction of the insertion portion of the endoscope can be achieved.
  • the structure is symmetrical.
  • Second Embodiment Separation of First Sealing Resin 4 and Second Sealing Resin 5
  • the second embodiment differs from the first embodiment in that the shape of the second sealing resin 5 after sealing is different. Matters not described are the same as in the first embodiment.
  • the adhesive 2 is applied to the light receiving surface 3a side of the solid-state imaging device 3, and then the transparent member 1 is disposed to spread the adhesive over the entire light receiving surface 3a. After that, fix with ultraviolet light or heat.
  • the main substrate 8 has the second connection terminal 11 and the third connection terminal 17, and heating and pressing are performed on the second connection terminal 11.
  • the bump electrode 10 is formed by ultrasonic waves or the like.
  • the electronic component 6 has a connection terminal 32, and the projection electrode 13 is formed on the connection terminal 32.
  • the electronic component 6 is disposed on the electronic component 6, and the bump electrode 13 is connected to the third connection terminal 17 on the main substrate 8 by heat treatment such as reflow. Thereby, the electronic component 6 and the main substrate 8 are electrically connected.
  • the electronic component 6 on the main substrate 8 on which the electronic component 6 is mounted is filled with the second sealing resin 5.
  • the main substrate 8 is cut into pieces by dicing using a cutting blade or the like.
  • the periphery of the electronic component 6 mounted on the main substrate 8 is filled with a sealing resin by potting or the like.
  • the second sealing resin 5 is filled so as not to extend to the side portions of the adjacent electronic components 6, so that only the main substrate 8 is not cut at the time of singulation dicing without cutting the second sealing resin 5. Can be separated into pieces, and substrate size after cutting and quality improvement and stabilization of the cutting portion can be realized.
  • the second sealing resin 5 is filled up to a position where it does not cover the upper surface of the electronic component 6, and after applying the first sealing resin 4 as shown in (e) of FIG. As shown in (f), when the solid-state imaging device 3 is mounted, the wetting and spreading of the first sealing resin 4 can be stopped at the end of the electronic component 6.
  • Third Embodiment First Sealing Resin 4 has a Drum-Shaped Form
  • a third embodiment will be described with reference to FIG.
  • the third embodiment is different from the second embodiment in the shape of the first sealing resin 4. Matters that are not described are the same as in the first and second embodiments.
  • the shape of the first sealing resin 4 varies depending on the wettability of the first sealing resin 4 and the solid-state imaging device 3.
  • the shape of the first sealing resin 4 is not limited to the fillet shape as shown in FIG. 4F of the second embodiment, but may be a drum shape as shown in FIG.
  • the wettability of the first sealing resin 4 to the surfaces of the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3 is reduced.
  • the viscosity of the first sealing resin 4 is increased.
  • the central portion of the first sealing resin 4 is pushed out to form a drum shape. Thereby, the stress applied in the heat treatment and the reliability test in the post process can be absorbed more.
  • Embodiment 4 Third Sealing Resin 26
  • the outflow prevention function of the first sealing resin 4 in the second and third embodiments is improved, and a second connection between the electronic component 6 and the solid-state imaging device 3 is added. Matters not described are the same as in the first to third embodiments.
  • the third sealing resin 26 is a material different from the first sealing resin 4, and is a resin having a low elastic modulus and high heat dissipation as compared to the first sealing resin 4.
  • the third sealing resin 26 is applied on the electronic component 6 by potting or the like after the main substrate 8 is singulated, and is temporarily cured by heating at a temperature of about 100 ° C. to 150 ° C. After that, when the first sealing resin 4 is applied and the solid-state imaging device 3 is mounted, the first sealing resin 4 wets and spreads, but the wetted and spread portion contacts the third sealing resin 26 and stops. It prevents spilling to the outside of the substrate 8.
  • first sealing resin 4 and the third sealing resin 26 are cured by heating at about 170 ° C. to 200 ° C.
  • the solid-state imaging device 3 is only connected by the metal bumps formed on the central protrusion of the main substrate 8 and the first sealing resin 4.
  • the space part on the electronic component 6 was filled with the 3rd sealing resin 26, and the main substrate 8 and the solid-state image sensor 3 were connected.
  • the third sealing resin 26 not only a thermosetting resin but also an ultraviolet ray curable resin which can be cured for a short time or a heat and ultraviolet ray curable resin may be used.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a solid-state imaging device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 7 is a side view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device according to a fifth embodiment.
  • a light receiving surface 3a is provided on one surface of the solid-state imaging device 3 and a rewiring layer is provided on the other surface 3c.
  • the wirings on both sides of the solid-state imaging device 3 are electrically connected by the through vias 3 b.
  • rewiring is performed so that the wiring on the back surface 3c side matches the through via 3b.
  • the wiring on the back surface 3c is aligned with the wiring on the light receiving surface 3a side. The same applies to the other embodiments.
  • the solid-state imaging device 3 is an element that detects light and converts it into an electric signal and an image, and is, for example, a CCD image sensor or a CMOS image sensor.
  • the solid-state imaging device 3 is made of, for example, a base material such as Si, InGaAs, InP, InAs or the like.
  • the number of pixels of the light receiving surface 3a is, for example, 100 to 4,000,000 pixels, and the pixel size is, for example, 1 to 2 ⁇ m.
  • the through via 3 b is made of metal film or metal plating, and for example, Cu, W, Au or the like is used.
  • the inside of the back surface 3c is wired in three dimensions, and the through via 3b and the plurality of first connection terminals 9 on the surface of the back surface 3c are electrically connected. Therefore, after processing the electric signal of one pixel or plural pixels received by the light receiving surface 3a, it can be transmitted to the first connection terminal 9 through the back surface 3c via the through via 3b.
  • the back surface 3c is made of, for example, a wiring layer made of a metal film such as Cu, Al, Au or the like and an insulating layer such as epoxy, polyimide, acrylic, SiN, SiO2, etc.
  • the first connection terminal 9 is formed of a circular or polygonal metal film such as Au, Al, Cu or the like.
  • a transparent rectangular parallelepiped transparent member 1 is disposed on the light receiving surface 3 a of the solid-state imaging device 3, and the transparent member 1 is fixed to the solid-state imaging device 3 by an adhesive 2.
  • a transparent material having a refractive index of 1.3 to 1.8 such as borosilicate, quartz, sapphire, or quartz is used.
  • the adhesive 2 is, for example, a transparent material such as acrylic, epoxy, silicone, which has a transmittance of at least 90% and a refractive index of 1.3 to 1.8, such as ultraviolet curing or thermal curing or a combination of ultraviolet and thermal curing.
  • the main substrate 8 is disposed to face the back surface 3 c of the solid-state imaging device 3.
  • the main substrate 8 is, for example, a multistage substrate consisting of two stages.
  • the main substrate 8 is composed of a projection 8a of a rectangular parallelepiped and a base 8b of a rectangular parallelepiped larger than the projection 8a. Both are a laminated body or an integral body.
  • a third connection terminal 17, a connection terminal 15, and a connection terminal 16 are provided on the upper surface, the upper surface and the side surface of the base 8b, and the back surface of the protrusion 8a, respectively. It is electrically connected by three-dimensional wiring and vias.
  • the main substrate 8 is a relay substrate for connecting a capacitor, a coil, and a resistor to the electric signal terminal output from the solid-state imaging device 3 and a cable for connecting the external connection device (not shown).
  • the main substrate 8 is, for example, a ceramic multilayer substrate made of alumina, glass or the like, or an organic multilayer substrate made of glass epoxy, aramid or the like.
  • the connection terminals on the main substrate 8 are made of a fired conductive adhesive, a plating film on a sputter film, and the like.
  • a plurality of second connection terminals 11 are provided on the upper surface of the protrusion 8 a of the main substrate 8 at a position facing the first connection terminals 9 of the solid-state imaging device 3.
  • the connection terminal 9 is electrically connected by the protruding electrode 10.
  • the bump electrode 10 is made of, for example, Au, Cu, solder, AuSn, a conductive adhesive, nano paste, plating or the like.
  • a first sealing resin 4 is provided between the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8, and is sealed so as to cover the bump electrode 10.
  • the first sealing resin 4 is a thermosetting or ultraviolet curable one-component adhesive composed of a base resin, a curing agent, an inorganic filler and the like, and for example, an epoxy, an acrylic, or a silicone resin is used.
  • a plurality of third connection terminals 17 are formed on the upper surface of the base portion 8 b of the main substrate 8, the electronic component 6 is mounted on the third connection terminals 17, and the third connection terminals 17 and the electronic components 6 is electrically connected by a bonding material 23.
  • the electronic component 6 is, for example, a capacitor, a resistor, or a coil, and for example, a component having a size of 0603, 0402, 0201 or the like is used.
  • the bonding material 23 is made of, for example, solder, AuSn, a conductive adhesive, or the like.
  • a plurality of cable connection terminals 15 are formed on the side surface of the base portion 8 b of the main substrate 8.
  • the connection terminal 15 for the cable is made of, for example, Au-Ni, Au-Pd-Ni, Cu or the like, and can be electrically connected to the wiring of the connection cable (not shown) via a solder or a conductive adhesive. .
  • FIG. 9 is a plan view schematically showing the configuration of the solid-state imaging device 3 according to the embodiment of the present disclosure.
  • a light receiving surface 3a formed on the solid-state imaging device 3 is provided in a rectangular shape, and a plurality of through vias 3b are disposed in the outer peripheral portion so as to surround the light receiving surface 3a.
  • the pitch interval of the through vias 3b is, for example, 10 to 100 ⁇ m. Since the adhesive 2 and the transparent member 1 provided so as to cover the light receiving surface 3a of the solid-state imaging device 3 are transparent materials, they can be transmitted and the electrode pad on the light receiving surface and the through via 3b can be observed.
  • the solid-state imaging device of small size and high image quality can be stacked in a three-dimensional direction while maintaining the external dimensions within the projection area of the solid-state imaging device. And the external shape of the endoscope tip can be reduced.
  • FIG. 10 are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a solid-state imaging device in a fifth embodiment of the present invention.
  • the bump electrode 10 is formed on the second connection terminal 11 of the bump portion 8a of the main substrate 8 using bump forming means such as a stud bump bonder.
  • a bump forming process may be performed after the electronic component process.
  • the first sealing resin 4 is applied to the projection 8a of the main substrate 8 using a material supply means such as a dispenser or a needle transfer device.
  • the second sealing resin 5 may be applied in advance so as to fill the gap between the projection 8 a of the main substrate 8 and the electronic component 6. Since the bonding area is increased by the second sealing resin 5, the reliability can be improved.
  • the first sealing resin 4 is cured while bonding the bump electrode 10 and the first connection terminal 9 using a heating / pressurizing device.
  • the junction temperature may be 120 to 180 ° C.
  • ultrasonic waves may be applied simultaneously with heating and pressurizing. It is possible to apply to a solid-state imaging device 3 that can be joined at low temperature and has low heat resistance.
  • heating may be performed using heating means such as a curing furnace or a reflow furnace. A plurality of solid-state imaging devices can be cured at one time, and the production lead time can be shortened.
  • FIG. 10 are side views of (a1) to (d1) in FIG. 10 respectively.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the shape of the main substrate 8 of the fifth embodiment.
  • a first notch 8 c is provided in the vicinity of at least one vertex of the protrusion 8 a of the main substrate 8.
  • a second notch 8 d is provided near at least one vertex of the base portion of the main substrate 8.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a solid-state imaging device according to a fifth embodiment.
  • the first first sealing resin 4 between the solid-state imaging device 3 and the projection 8a of the main substrate 8 wets and spreads along the first notch 8c before it wets and spreads to the outer peripheral portion of the back surface 3c. .
  • the first notch 8 c is filled with the first sealing resin 4.
  • the first sealing resin 4 does not wet and spread on the side surface of the solid-state imaging device 3.
  • the second sealing resin 5 between the base 8 b of the main substrate 8 and the projection 8 a wets and spreads in the second notch 8 d.
  • the side surface of the main substrate 8 is not wetted.
  • the adhesion strength between the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8 is The influence of the bonding strength of the bump electrode 10 becomes dominant. Therefore, the bonding strength between the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8 is so low that it can not withstand the vibration during transportation in the assembly process or the impact when the solid-state imaging device is dropped, and a failure occurs. Will occur.
  • the number of terminals of the second connection terminal 11 on the projection 8a of the main substrate 8 is as small as, for example, several to several tens of pins, or the second connection terminal 11 is biased to the central portion of the main substrate 8 only. In the case, this problem becomes noticeable.
  • the sealing resin it is necessary for the sealing resin not to protrude from the outer shape of the solid-state imaging device 3 and to sufficiently fill the void with the sealing resin.
  • the notch shape is a concave shape and has a semi-dome shape.
  • the width may be equal to the width direction and the depth direction in FIGS. 11 and 12, and the depth may be equal to half of the width.
  • the end face of the notched portion may have a smooth dome shape, and it is more preferable that the end face have a minute unevenness and a certain surface roughness. Since the surface area is increased, the surface tension of the sealing resin is increased, which is effective in suppressing the spread of wetting on the side surface.
  • the width of the main substrate 8 is w1
  • the width of the top of the head is w2
  • the width of the first notch 8c is w4
  • the width of the second notch 8d is w3
  • the width w4 of the first notch 8c is preferably 5% or more and 50% or less of the width w2 of the top of the head. If it is less than 5%, the first first sealing resin 4 wets and spreads over the entire back surface of the back surface 3c, and the problem of protruding to the side surface occurs. On the other hand, if it is 50% or more, the first notch 8c can be provided only on one side of the top of the head, and the left and right non-uniform filling resin of the sealing resin is formed.
  • the wider the width w4 of the first notch portion is, the larger the effect of inducing the first sealing resin 4 in the direction of the base portion 8b increases, and the flow of sealing resin to the side surface of the solid-state imaging device 3 is suppressed. it can. Furthermore, it is more preferable that an angle between the first notch 8c and the top of the head be 30 degrees or more and 60 degrees or less. It becomes possible to flow the first sealing resin 4 to the base portion 8b side.
  • the width w3 of the second notch be 2% or more and 30% or less of the width w1 of the main substrate 8. If it is less than 2%, the second sealing resin 5 protrudes from the main substrate 8, and the projected size from the top surface of the cover glass exceeds the solid-state imaging device 3, which causes a problem that miniaturization can not be achieved. If it is more than 30%, the mounting area can not be secured, and the sealing resin may flow out to the end face of the main substrate 8.
  • first notches 8c and the second notches 8d are provided at the corners of the four corners, the spread shape can be made uniform and there is also an effect of relaxing the stress distribution after bonding.
  • a plurality of notches may be provided in the middle part of the side, and the whole side may have a notch.
  • main substrate 8 made of ceramic into pieces After firing and separating the main substrate 8 made of ceramic into pieces, it is collectively loaded into a chemically resistant net, and vibration is applied for a predetermined time. As the adjacent main substrates 8 collide with each other, stress is concentrated at the corner and an impact exceeding the breaking strength is applied.
  • the corner is dropped and a first notch 8c and a second notch 8d are formed. Thereafter, the whole net is put into a plating bath and subjected to electroless plating, whereby the connection terminals can be plated.
  • the notch may be formed by applying vibration when the plating bath is charged or when cleaning. Production time can be shortened.
  • a ceramic substrate having a thickness of 0.90 to 0.98 mm ⁇ 0.90 to 0.98 mm and a height of 0.85 to 0.95 mm is formed, and as a result, a notch is formed.
  • the width of the notch 8c and the second notch 8d was 0.05 to 0.20 mm.
  • Two 0603 are mounted as the electronic component 6 and the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 are applied on the top of the main substrate 8 to obtain a 1.0 mm ⁇ 1.0 mm ⁇ 0.4 mm solid-state imaging device 3
  • the first sealing resin 4 and the second sealing resin 5 can be sealed without any void without protruding from the main substrate 8, and a solid-state imaging device was able to be suppressed within 1.0 ⁇ 1.0 mm, which is equivalent to the size of the solid-state imaging device 3.
  • a partition may be provided inside the mesh so that the main substrate 8 can be stored one by one, and a projection or a grinding blade may be provided inside the partition. According to this method, the shape of the notch can be further stabilized.
  • the notch portion may be formed by using a machining means such as grinding or luteter. Even if the material of the main substrate 8 is an organic substrate such as glass epoxy having high breaking strength, it is possible to form the notch.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing the shape of the main substrate 8 of the fifth embodiment of the present invention. This embodiment differs from the above embodiment in that the side surface of the main substrate 8 is inclined.
  • the angle between the upper surface and the side surface of the top of the main substrate 8 is ⁇ 1, and the angle between the upper surface of the base portion 8b of the main substrate 8 and the side surface is ⁇ 2.
  • ⁇ 1 and ⁇ 2 may be less than 90 °. If the angle is less than 90 °, it is possible to suppress the outflow of the first sealing resin 4 in a liquid state to the side surface after the wetting and spreading to the outer peripheral portion.
  • connection terminal 15 for cable is hindered.
  • ⁇ 2 is set to less than 90 °, when connecting a cable to the connection terminal 15 for cable, it becomes easy to keep within the projection area of the solid-state imaging device 3 even if the amount of fillet of solder is increased. There is also an effect that the miniaturization and the reliability of the cable connection terminal can be compatible.
  • Sixth Embodiment 14 and 15 are cross-sectional views of a solid-state imaging device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 and 17 are plan views of the solid-state imaging device taken along the dotted line A in FIG. 14 in the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a view before sealing
  • FIG. 17 is a view after sealing.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing wetting and spreading of the sealing resin in region B of FIG. 14 in the sixth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 14 and 15 As the structure of the solid-state imaging device according to the sixth embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 14 and 15, there is a solid-state imaging device 3, one side of the solid-state imaging device 3 has a light receiving surface 3 a A plurality of first connection terminals 9 are arranged on the surface.
  • the transparent member 1 is disposed to face the light receiving surface 3 a, and the solid-state imaging device 3 and the transparent member 1 are fixed by an adhesive 2.
  • the main substrate 8 is disposed to face the back surface 3 c of the solid-state imaging device 3, and the first connection terminal 9 of the solid-state imaging device 3 and the second connection terminal 11 of the main substrate 8 are disposed via the projecting electrodes 10.
  • the connection portion between the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8 is fixed by the first sealing resin 4.
  • the first sealing resin 4 is wet and spread without flowing down to the outside of the first conductor pattern 25a formed at the end of the joint.
  • the first conductor pattern 25 a is also used as a recognition mark of alignment in the mounting machine used when connecting the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • the first conductor pattern 25 a has a shape different from that of the second connection terminal 11.
  • a plurality of electronic components 6 are arranged in cavities 7 formed on both sides of the junction of the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • the electronic component 6 is electrically connected to the third connection terminal 17 of the main substrate 8 via the bonding material 12.
  • a plurality of second connection terminals 14 for cables are formed on the main substrate 8.
  • Such a solid-state imaging device can be manufactured by the process of FIG.
  • the first connection terminal 9 is formed on the solid-state imaging device 3, the transparent member 1 is disposed on the light receiving surface of the solid-state imaging device, and fixed with the adhesive 2.
  • the first conductor pattern 25a, the second connection terminal 11, the third connection terminal 17, and the second connection terminal 14 for the cable are formed on the main substrate 8 on which the cavity 7 is formed.
  • the first conductor pattern 25a is formed in the same process together with the second connection terminal 11, the third connection terminal 17, and the second connection terminal 14 for the cable.
  • the bump electrode 10 is formed on the second connection terminal 11, and the electronic component 6 and the bonding material 12 are disposed on the third connection terminal 17 of the cavity 7.
  • the bonding material 12 is melted by heating, and the electronic component 6 and the third connection terminal 17 are electrically connected via the bonding material 12.
  • the surface of the main substrate 8 on which the protruding electrodes 10 are formed and the surface on which the first connection terminals 9 of the solid-state imaging device 3 are formed face each other.
  • the connection terminal 9 and the second connection terminal 11 are electrically connected via the protruding electrode 10.
  • the first sealing resin 4 is sealed at the joint portion of the first connection terminal 9 and the second connection terminal 11 to fix the connection portion, and the solid-state imaging device Is completed.
  • the solid-state imaging device 3 receives light by the light receiving surface 3 a through the transparent member 1 and is converted into an electric signal.
  • the converted electrical signal is transmitted to the main substrate 8 electrically connected to the solid-state imaging device 3.
  • the electrical signal transmitted to the main substrate 8 is transmitted to the electronic component 6 electrically connected to the main substrate 8.
  • the electronic component 6 performs processing incorporated in the electronic component 6 on the transmitted electric signal, and transmits the signal to the main substrate 8 again.
  • an electrical signal is transmitted from the second connection terminal 14 for the cable to the external device.
  • each member the main substrate 8 is 1 mm ⁇ 1 mm ⁇ thickness 0.6 mm, the electronic component 6 is 0.6 mm ⁇ 0.3 mm ⁇ thickness 0.3 mm or less, and the transparent member 1 is 1 mm ⁇ 1 mm ⁇ The thickness is 0.3 mm, and the solid-state imaging device 3 is 1 mm ⁇ 1 mm ⁇ thickness 0.1 mm. These dimensions are exemplary.
  • the electronic component 6 is, for example, a capacitor, but may be a resistor.
  • the transparent member 1 is a transparent rectangular solid optical member.
  • the width dimension of the transparent member 1 is equal to or less than the solid-state imaging device 3.
  • the solid-state imaging device 3 is a CCD image sensor or a CMOS image that detects light and converts it into an electric signal.
  • a circuit that performs signal processing may be incorporated. It may be stacked with an element having a function of performing signal processing.
  • a first connection terminal 9 is provided to transmit and receive electrical signals.
  • the first connection terminal 9 and the second connection terminal 11 are formed of, for example, aluminum or the like, but metals such as copper having higher conductivity than aluminum or tungsten may be used. Furthermore, copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • connection terminal 14 for cable is formed of, for example, aluminum or the like, but a metal such as copper having higher conductivity than aluminum or tungsten may be used. Furthermore, copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • the bump electrode 10 is formed of, for example, solder, but a metal such as copper or gold may be used.
  • the main substrate 8 is formed of, for example, a ceramic substrate or the like, but a buildup substrate, an aramid epoxy substrate, a glass epoxy substrate or the like may be used.
  • ⁇ Cavity 7> The size of the cavity 7 is 1.0 mm ⁇ 0.35 mm ⁇ 0.35 mm in thickness, and the electronic component 6 is accommodated in the cavity 7 so that the width dimension of the solid-state imaging device is the same as the width dimension of the solid-state imaging device 3 You can keep
  • Two cavities 7 are formed symmetrically on the surface of the main substrate 8 connected to the solid-state imaging device 3, and the heat dissipation of the solid-state imaging device 3 is symmetrical so that the in-plane variation of characteristics is realized. You can hold it down.
  • the adhesive 2 is a transparent adhesive such as an ultraviolet curing type, and the width dimension is equal to or less than that of the solid-state imaging device.
  • the first sealing resin 4 is an epoxy-based adhesive, and the width dimension is the same as or smaller than that of the solid-state imaging device 3.
  • the first sealing resin 4 is formed at the end of the bonding portion. It is prevented from flowing to the outside of the formed first conductor pattern 25a. Furthermore, by subjecting the first conductor pattern 25a to a plating treatment, the first sealing resin 4 wets and spreads to the end of the first conductor pattern 25a, and a fillet C is formed.
  • first sealing resin 4 may be formed in the area of the cavity 7 as long as the first sealing resin 4 does not flow to the outside of the main substrate 8.
  • the first conductor pattern 25a is formed of, for example, aluminum or the like, but a metal such as copper having a higher conductivity than aluminum or tungsten may be used. Furthermore, copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • the first conductor pattern 25a is also used as a recognition mark for alignment in the mounting machine used when connecting the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • the shape of the first conductor pattern 25 a is preferably different from that of the second connection terminal 11 and is preferably such a shape that the first sealing resin 4 does not flow to the outside of the main substrate 8. It becomes a corner mark of 0.3 mm ⁇ 0.1 mm, and the width direction is 0.15 mm ⁇ 0.1 mm.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a seventh embodiment of the present invention
  • FIGS. 21 and 22 are plan views of the solid-state imaging device taken along the dotted line A in FIG. FIG. 21 is before sealing, and FIG. 22 is after sealing. Matters not described are the same as in the sixth embodiment.
  • the solid-state imaging device 3 As the structure of the solid-state imaging device according to the seventh embodiment of the present invention, as shown in FIG. 20, the solid-state imaging device 3 is provided, the light receiving surface 3a is provided on one side of the solid state imaging device 3, A plurality of first connection terminals 9 are arranged.
  • the transparent member 1 is disposed to face the light receiving surface 3 a, and the solid-state imaging device 3 and the transparent member 1 are fixed by an adhesive 2.
  • the main substrate 8 is disposed to face the back surface 3 c of the solid-state imaging device 3, and the first connection terminal 9 of the solid-state imaging device 3 and the second connection terminal 11 of the main substrate 8 are disposed via the projecting electrodes 10.
  • the connection portion between the solid-state imaging device 3 and the main substrate 8 is fixed by the first sealing resin 4.
  • a plurality of electronic components 6 are disposed in a cavity 7 formed on one side of the joint portion between the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3 and electrically connected to the third connection terminal 17 of the main substrate 8 via the joint material 12. doing.
  • a plurality of second connection terminals 14 for cables are formed on the main substrate 8.
  • ⁇ Cavity 7> The size of the cavity 7 is 1.0 mm ⁇ 0.7 mm ⁇ 0.35 mm in thickness, and the electronic component 6 is accommodated in the cavity 7 so that the width dimension of the solid-state imaging device is the same as the width dimension of the solid-state imaging device 3 You can keep
  • One cavity 7 is formed on one side of the second connection terminal 11 of the solid-state imaging device 3 of the main substrate 8.
  • the first sealing resin 4 is an epoxy-based adhesive, and the width dimension is equal to or less than that of the solid-state imaging device 3.
  • the first conductor patterns 25 a and 25 b are formed at the end of the second connection terminal 11 of the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3, and the second conductor pattern 25 c is formed at the end of the cavity 7.
  • the first sealing resin 4 is prevented from flowing down to the outside of the main substrate 8.
  • the second conductor pattern 25 c has a shape different from that of the third connection terminal 17.
  • the resin covering the electronic component 6 is the second sealing resin 5.
  • the resin whose expansion is prevented by the second conductor pattern 25 c is the second sealing resin 5 in another embodiment.
  • the first conductor patterns 25a and 5b and the second conductor pattern 25c are formed of, for example, aluminum or the like, but a metal such as copper having a higher conductivity than aluminum or tungsten may be used. Furthermore, copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • the first conductor patterns 25a and 25b and the second conductor pattern 25c are preferably formed in the same process as the second connection terminal 11 and the third connection terminal 17.
  • the first conductor patterns 25a and 5b and the second conductor pattern 25c are also used as recognition marks for alignment in the mounting machine used when connecting the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • the shapes of the first conductor patterns 25a and 25b and the second conductor pattern 25c are different from those of the second connection terminal 11, and are such that the first sealing resin 4 does not flow to the outside of the main substrate 8
  • the size of the first conductor patterns 25a and 5b is a corner mark of 0.3 mm ⁇ 0.1 mm in the longitudinal direction and 0.15 mm ⁇ 0.1 mm in the width direction, and the size of the first conductor pattern 25b is 0
  • the size of the second conductor pattern 25c is 0.7 mm ⁇ 0.08 mm.
  • the second conductor pattern 25c may be provided without the first conductor patterns 25a and 25b of the sixth embodiment.
  • the first conductor patterns 25a and 5b and the second conductor pattern 25c surround an end around the cross section of the solid-state imaging device. Sealing resin is surrounding.
  • Eighth Embodiment 23 and 24 are plan views of the solid-state imaging device according to the eighth embodiment of the present invention, in which FIG. 23 is before sealing and FIG. 24 is after sealing. Matters not described are the same as in the sixth and seventh embodiments.
  • the first sealing resin 4 is an epoxy-based adhesive, and the width dimension is the same as or smaller than that of the solid-state imaging device 3.
  • the first sealing resin 4 is formed at the end of the joint portion. It prevents the flow down to the outside of the first conductor pattern 25a.
  • the first sealing resin 4 wets and spreads to the end of the conductor pattern 25 to form a fillet.
  • the first conductor pattern 25 a is also used as a recognition mark of alignment in a mounting machine used when connecting the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3.
  • the shape of the first conductor pattern 25 a is a circle larger than the second connection terminal 11.
  • first sealing resin 4 may be formed in the area of the cavity 7 as long as the first sealing resin 4 does not flow to the outside of the main substrate 8.
  • the first conductor pattern 25a is formed of, for example, aluminum or the like, but a metal such as copper having a higher conductivity than aluminum or tungsten may be used. Furthermore, copper may be plated with nickel / gold to make it difficult to oxidize.
  • the first conductor pattern 25a is also used as a recognition mark for alignment in the mounting machine used when connecting the main substrate 8 and the solid-state imaging device 3. It is preferable that the shape of the first conductor pattern 25 a be a circle larger than the second connection terminal 11 and have a shape such that the first sealing resin 4 does not flow to the outside of the main substrate 8.
  • the diameter of the first conductor pattern 25a is 0.2 mm while the diameter of the first conductor pattern 25a is 0.1 mm.
  • connection terminal By forming the connection terminal on the back surface of the light receiving surface as in the above structure, the light receiving surface occupancy of the solid-state imaging device is increased, and the performance efficiency of solid-state imaging is not impaired.
  • the fillet By forming the fillet to the end of the main substrate without the sealing resin flowing down to the side surface of the main substrate by the formed conductor pattern, it is possible to provide a small-sized, high-performance solid-state imaging device with high reliability. .
  • the solid-state imaging device of the present disclosure is widely used as a small-sized solid-state imaging device.
  • it is used as an endoscope solid-state imaging device.

Abstract

固体撮像素子と、上記固体撮像素子の受光面とは反対側の面で、封止樹脂により上記固体撮像素子に固定される基板とを備え、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記基板の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっており、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記封止樹脂の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっている固体撮像装置を用いる。また、上記封止樹脂は、第１封止樹脂であり、上記第１封止樹脂とは非接触で、上記部品を封止する第２封止樹脂を有する上記固体撮像装置を用いる。

Description

固体撮像装置
　本開示は、電子内視鏡等に設けられる小型の固体撮像装置に関するものである。
　従来から医療分野において、細長い挿入部を体腔内に挿入することにより、体腔内臓器等を観察したり、処置具チャンネル内に挿通された処置具を用いて各種治療処置したりできる医療用の内視鏡が提供されている。また、工業分野において、ボイラ、タービン、エンジン、化学プラントなどの内部の傷や腐蝕などを観察又は検査できる工業用の内視鏡が提供されている。
　このような内視鏡（電子内視鏡）には、例えば、挿入部の先端部に電荷結合素子（ＣＣＤと略記）などの固体撮像素子や電子部品を備えた固体撮像装置を内蔵したものがある。固体撮像装置は、撮像対象物からの反射光を受光して光電変換し、光電変換した信号を、信号ケーブルを介して、モニタ装置を備えた情報処理装置に伝送する。情報処理装置は、固体撮像装置から受信した信号を処理し、固体撮像装置で撮像された撮像対象物を、モニタ装置にカラー表示する。
　固体撮像装置を内蔵した内視鏡は、例えば、狭く曲がりくねった管腔内等に挿入されるため、挿入部の細径化が望まれている。また、固体撮像装置は、小回りがきき、操作性の良い内視鏡を実現するため、小型化、小径化が望まれている。
　特許文献１には、内視鏡の先端部に配置される固体撮像装置が開示されている。特許文献１には、封止樹脂によって形成される封止固定部をできるだけ小さくして全体の構成を小型化した固体撮像装置が開示されている。
特開２００１－１７３８９号公報
　図２５は、特許文献１の固体撮像装置の断面図であり、図２６は、特許文献１の固体撮像装置の平面図である。特許文献１の固体撮像装置では、固体撮像素子１０３の受光面上に透明部材１０１が接着され、受光面に形成された突起電極１１０に、ＦＰＣ（フレキシブル回路基板）のリード１１２が接続されている。また、特許文献１の固体撮像装置では、透明部材１０１の周辺部と、固体撮像素子１０３及びリード１１２の接続部分とが、封止樹脂１０４で封止されている。
　このため、特許文献１では、封止樹脂１０４の部分が余分に周囲にでている。このため、固体撮像装置の小型化が阻まれていた。
　本願の課題は、より小型化された固体撮像装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、固体撮像素子と、上記固体撮像素子の受光面とは反対側の面で、封止樹脂により上記固体撮像素子に固定される基板とを備え、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記基板の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっており、上記固体撮像素子の受光面側から見た上記封止樹脂の外縁は、上記固体撮像素子の外縁内に収まっている固体撮像装置を用いる。
　本開示によれば、より小型化した固体撮像装置を提供することができる。
実施の形態１における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態１における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態１における固体撮像装置の形成工程を示す断面図 実施の形態２における固体撮像装置の形成工程を示す断面図 実施の形態３における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態４における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態５における固体撮像装置の構成を模式的に示す断面図 実施の形態５における固体撮像装置の構成を模式的に示す側面図 実施の形態５における固体撮像装置の構成を模式的に示す平面図 実施の形態５における固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図 実施の形態５のメイン基板の形状を模式的に示す断面図 実施の形態５の固体撮像装置の構造を模式的に示す断面図 実施の形態５のメイン基板の形状を模式的に示す断面図 実施の形態６における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態６における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態６における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態６における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態６における封止樹脂の濡れ広がりを示す断面図 実施の形態６における固体撮像装置の形成工程を示す断面図 実施の形態７における固体撮像装置の構成を示す断面図 実施の形態７における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態７における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態８における固体撮像装置の構成を示す平面図 実施の形態８における固体撮像装置の構成を示す平面図 従来の固体撮像装置の構成を示す断面図 従来の固体撮像装置の構成を示す平面図
　（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態１、図面を参照して説明する。
　図１は、本開示の実施の形態１における固体撮像装置の断面図であり、図２は、本開示の実施の形態１における固体撮像装置の平面図である。
　＜構造＞
　図１に示すように、本発明の実施の形態１における固体撮像装置は、直方体形状の固体撮像素子３を有している。固体撮像素子３は、受光面３ａと裏面３ｃを有している。
　固体撮像素子３の受光面３ａには、直方体形状の透明部材１（例えば、カバーガラス）が配置されている。透明部材１は、接着剤２によって、固体撮像素子３に固定されている。固体撮像素子３の裏面３ｃには、第１接続端子９が複数形成されている。
　なお、受光面３ａ上の配線と裏面３ｃの第１接続端子９とは電気的に接続されている。これは、実施の形態５の透明部材１と同様である。
　裏面３ｃには、凸形状のメイン基板８が配置されている。固体撮像素子３は、第１封止樹脂４と第２封止樹脂５によって、メイン基板８に固定されている。
　メイン基板８の突起部上面には、第２接続端子１１が複数形成されている。メイン基板８の第２接続端子１１と、裏面３ｃに形成された第１接続端子９との間には、突起電極１０が設けられている。突起電極１０は、メイン基板８と固体撮像素子３とを電気的に接続している。
　メイン基板８のベース部上面には、第３接続端子１７が複数形成されている。裏面３ｃとメイン基板８のベース部との間のキャビテイ７には、接続端子３２を有した電子部品６が複数配置されている。
　第３接続端子１７と、接続端子３２との間には、突起電極１３が設けられている。突起電極１３は、メイン基板８と電子部品６とを電気的に接続している。第２封止樹脂５は、キャビテイ７に充填され、電子部品６を覆っている。メイン基板８のベース部の側面には、ケーブル用の接続端子１５が形成されている。
　平面視における透明部材１及び接着剤２の面積は、平面視における固体撮像素子３の面積より小さい（図２を参照）。平面視において、透明部材１及び接着剤２の外縁は、固体撮像素子３の外縁内に収まるように配置されている。
　また、平面視における第１封止樹脂４と第２封止樹脂５及びメイン基板８の面積は、平面視における固体撮像素子３の面積より小さい。平面視において、第１封止樹脂４と第２封止樹脂５の外縁及びメイン基板８の外縁は、固体撮像素子３の外縁内に収まるように配置されている。
　これにより、固体撮像装置の幅寸法、つまり、図２の縦横方向の寸法が、最大となる要素は、固体撮像素子３となる。固体撮像装置は、固体撮像素子３の大きさまで小型化されることができる。
　なお、平面視における透明部材１及び接着剤２の面積は、平面視における固体撮像素子３の面積と同じであってもよい。そして、透明部材１及び接着剤２は、平面視における形状が、固体撮像素子３の平面視における形状と同じであってもよい。
　また、平面視における第１封止樹脂４と第２封止樹脂５及びメイン基板８の面積は、平面視における固体撮像素子３の面積と同じであってもよい。そして、第１封止樹脂４と第２封止樹脂５及びメイン基板８は、平面視における形状が、固体撮像素子３の平面視における形状と同じであってもよい。
　＜製法＞
　固体撮像装置は、図３に示す工程により作成することができる。
　まず図３の（ａ）に示すように、裏面３ｃに第１接続端子９を形成する。また、固体撮像素子３の受光面３ａに透明部材１を配置し、接着剤２で固定する。
　一方で、図３の（ｂ）に示すように、メイン基板８に第２接続端子１１と第３接続端子１７とを形成し、第２接続端子１１上に突起電極１０を形成する。また、電子部品６に接続端子３２を形成し、接続端子３２上に突起電極１３を形成する。また、電子部品６を電子部品６に配置し、突起電極１３をメイン基板８上の第３接続端子１７に接続する。これにより、電子部品６とメイン基板８は、電気的に接続される。
　次に、図３の（ｃ）に示すように、第２封止樹脂５で電子部品６を充填する。次に、図３の（ｄ）に示すように、メイン基板８をダイシングで個片化する。次、図３の（ｅ）に示すように、メイン基板８の突起電極１０が形成された面に、第１封止樹脂４を塗布する。
　次に、図３の（ｆ）に示すように、メイン基板８の突起電極１０が形成された面と、固体撮像素子３の第１接続端子９が形成された面とを向かい合わせで配置する。そして、突起電極１０を第１接続端子９に接続し、メイン基板８と固体撮像素子３とを第１封止樹脂４で固定する。これにより、固体撮像素子３とメイン基板８は、電気的に接続される。以上の工程により、固体撮像装置が完成する。
　＜動作＞
　固体撮像素子３は、撮像対象物で反射された光を、透明部材１を通して受光面３ａで受光し、受光した光を電気信号に変換する。
　電気信号は、固体撮像素子３と電気的に接続されているメイン基板８に伝わる。電気信号は、メイン基板８と電気的に接続されている電子部品６に伝わる。電子部品６は、伝えられた電気信号に対して所定の信号処理を行い、メイン基板８に伝える。電子部品６を経由し、メイン基板８に伝えられた電気信号は、ケーブル用の接続端子１５から外部機器（例えば、モニタ装置を備えた情報処理装置）に伝えられる。
　＜各要素＞
　それぞれの部材のサイズの一例を下記に示す。
　メイン基板８：１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．６ｍｍ
　電子部品６：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ以下
　透明部材１：１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ
　固体撮像素子３：１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．１ｍｍ
　なお、透明部材１の平面視における面積及びメイン基板８の平面視における面積は、図１及び図２で示したように、固体撮像素子３の平面視における面積より小さくてもよい。
　＜電子部品６＞
　電子部品６は、例えば、コンデンサであるが、抵抗器であっても良い。また、電子部品６は、電気信号の授受を行うための接続端子３２を備えている。平面視において、電子部品６は、固体撮像素子３の外縁内に収まるように配置されている。
　＜透明部材１＞
　透明部材１は、透明な直方体形状の光学部材である。固体撮像装置の幅寸法（固体撮像装置を平面視したときの縦と横の寸法）を、固体撮像素子３の幅寸法にして小型化するため、透明部材１の幅寸法は、固体撮像素子３の幅寸法以下とする。
　＜固体撮像素子３＞
　固体撮像素子３は、光を検出して電気信号に変換するＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどである。固体撮像素子３には、信号処理を行う回路が組み込まれていても良い。または、固体撮像素子３は、信号処理を行う機能を持つ素子と積層されていても良い。固体撮像素子３は、電気信号の授受を行うための第１接続端子９を備えている。
　＜第１接続端子９，第２接続端子１１，接続端子３２，１４＞
　第１接続端子９，第２接続端子１１，接続端子３２，１４は、例えばアルミニウムなどによって形成される。第１接続端子９，第２接続端子１１，接続端子３２，１４には、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属を用いても良い。第１接続端子９，第２接続端子１１，接続端子３２，１４に銅を用いた場合、銅にニッケル／金めっき処理を施して、酸化しにくい状態にしても良い。
　＜ケーブル用の接続端子１５＞
　ケーブル用の接続端子１５は、例えばアルミニウムなどによって形成される。ケーブル用の接続端子１５には、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属を用いても良い。ケーブル用の接続端子１５に銅を用いた場合、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　＜突起電極１０，１３＞
　突起電極１０，１３は、例えば半田などによって形成される。突起電極１０，１３には、銅や金のような金属を用いても良い。
　＜メイン基板８＞
　メイン基板８は、例えばセラミック基板などによって形成される。メイン基板８には、ビルドアップ基板、アラミドエポキシ基板、ガラスエポキシ基板などを用いてもよい。メイン基板８は、平面視において、左右に電子部品６が実装されるためのキャビテイ７（電子部品６）が形成されている。
　＜電子部品６＞
　電子部品６のサイズは、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×厚さ０．３ｍｍである。電子部品６が電子部品６内に収まることにより、固体撮像装置の幅寸法を、固体撮像素子３の幅寸法と同じに保つことができる。
　電子部品６は、メイン基板８の突起部を境に２個、左右対称に形成されている。これにより、固体撮像素子３の放熱性が左右対称となり、電気的特性等の面内バラつきを押さえることができる。
　また、メイン基板８のベース部８ｂ（図１参照）にも、電子部品６を形成し、４個点対称にしても良い。
　＜接着剤２＞
　接着剤２は、紫外線硬化型等の透明な接着剤である。接着剤２の幅寸法は、透明部材１の幅寸法以下である。
　＜第１封止樹脂４＞
　第１封止樹脂４は、エポキシ系の接着剤である。第１封止樹脂４の幅寸法は、固体撮像素子３の幅寸法以下である。第１封止樹脂４は、固体撮像素子３とメイン基板８とを接続する突起電極１０を覆っている。
　＜第２封止樹脂５＞
　第２封止樹脂５の幅寸法は、固体撮像素子３の幅寸法以下である。第２封止樹脂５は、第１封止樹脂４と比較して、弾性率が低く、放熱性の高い樹脂である。第２封止樹脂５の第１封止樹脂４と接している面は、図１のテーパー部５ａのように、外側から内側に向かってテーパーが形成される。例えば、第１封止樹脂４と第２封止樹脂５との境界面は、固体撮像装置の内部から外部へ、第１封止樹脂４の厚みが薄くなる方向へ傾斜している。このように、テーパー部５ａを設けることで、製造時、第１封止樹脂４が漏れることを防ぐことが可能となる。
　＜効果＞
　上記の構造のように、固体撮像装置を構成する透明部材１、固体撮像素子３、メイン基板８、電子部品６を積層して接続することにより、固体撮像装置の幅寸法は、固体撮像素子３の幅寸法にすることができ、小型化できる。また、固体撮像装置の幅寸法を小さくできるので、例えば、内視鏡の挿入部の細径化を図ることができる。
　また、固体撮像装置を固定する封止樹脂に、密着性の高い第１封止樹脂４、放熱性の高い第２封止樹脂５の２種類を使用し、かつ左右対称の構造とすることで、信頼性の高い固体撮像装置を提供することができる。
　（第２の実施の形態）：第１封止樹脂４と第２封止樹脂５とが分離
　次に、図４の（ａ）～図４の（ｄ）を用いて第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、実施の形態１と異なり、第２封止樹脂５の封止後の形状が異なる。説明しない事項は、実施の形態１と同様である。
　＜プロセス＞
　まず図４の（ａ）に示すように、固体撮像素子３の受光面３ａ側に接着剤２を塗布した後、透明部材１を配置して、前記受光面３ａ全面に接着剤を濡れ広がらせてから紫外線もしくは熱などにより固定する。
　また一方で、図４の（ｂ）に示すように、メイン基板８には第２接続端子１１と第３接続端子１７とを有しており、第２接続端子１１上には加熱、加圧、超音波などにより突起電極１０を形成する。また、電子部品６は接続端子３２を有し、前記接続端子３２上には突起電極１３が形成されている。
　電子部品６を電子部品６に配置し、突起電極１３をメイン基板８上の第３接続端子１７にリフローなどの熱処理により接続する。これにより、電子部品６とメイン基板８は、電気的に接続される。
　次に図４の（ｃ）に示すように、電子部品６が搭載されたメイン基板８上の電子部品６を第２封止樹脂５で充填する。その後、図４の（ｄ）に示すように、切断ブレードなどを用いてメイン基板８をダイシングで切断し個片化する。
　図４の（ｃ）および、図４の（ｄ）に示す樹脂封止工程では、ポッティングなどによりメイン基板８上に実装された電子部品６の周辺に封止樹脂を充填していく。
　その際に第２封止樹脂５は隣り合わせた電子部品６の側面部まではみ出さないように充填させることで、個片化ダイシング時は第２封止樹脂５を切断せずにメイン基板８のみを切断すれば個片化することが可能となり、切断後の基板サイズおよび切断部の品質向上および安定化が実現できる。
　また、第２封止樹脂５は電子部品６上面に被らない位置までの充填とすることにより、図４の（ｅ）に示すように第１封止樹脂４を塗布した後に、図４の（ｆ）に示すように固体撮像素子３を実装した際に、第１封止樹脂４の濡れ広がりを電子部品６の端部で止めることが可能となる。
　＜構造＞
　実施の形態２の構造では、第１封止樹脂４と第２封止樹脂５とが分離している。このことにより、電子部品６の外側およびメイン基板８の外側へ第１封止樹脂４が流れ出すことを防止することで、固体撮像装置の小型化構造を実現している。
　（実施の形態３）第１封止樹脂４が太鼓形状
　次に図５を用いて実施の形態３について説明する。実施の形態３は、実施の形態２に対して、第１封止樹脂４の形状が異なる。説明しない事項は、実施の形態１、２と同様である。
　第１封止樹脂４の形状は、第１封止樹脂４と固体撮像素子３との濡れ性によって異なってくる。第１封止樹脂４の形状は、実施の形態２の図４の（ｆ）に示されるようなフィレット形状だけでなく、図５に示されるような太鼓形状であってもよい。
　メイン基板８および固体撮像素子３の表面に対する第１封止樹脂４との濡れ性を低下させる。また、第１封止樹脂４の粘性を上げる。これらのことにより、メイン基板８へ固体撮像素子３を実装する際に、第１封止樹脂４の中央部が押し出され太鼓形状を形成する。これにより、後工程における熱処理や信頼性試験においてかかる応力をより吸収する事ができる。
　（実施の形態４）：第３封止樹脂２６
　次に、図６を用いて、実施の形態４について説明する。実施の形態４は、実施の形態２および３における、第１封止樹脂４の流れ出し防止機能の向上および、電子部品６と固体撮像素子３との第２の接続を付加したものである。説明しない事項は、実施の形態１～３と同様である。
　第１封止樹脂４の流れ出し防止機能を、さらに向上させるとともに、メイン基板８と固体撮像素子３との接続信頼性向上を図る手法として、第１封止樹脂４とは別の第３封止樹脂２６を電子部品６上に形成した構造である。
　第３封止樹脂２６は第１封止樹脂４とは異なった材料であり、第１封止樹脂４と比較して、弾性率が低く、放熱性の高い樹脂である。
　第３封止樹脂２６は、メイン基板８が個片化された後に電子部品６上にポッティングなどにより塗布され、１００℃～１５０℃程度の温度で加熱し仮硬化させる。その後、第１封止樹脂４を塗布し固体撮像素子３を実装すると第１封止樹脂４が濡れ広がっていくが、濡れ広がった部分が第３封止樹脂２６に接触し止まることで、メイン基板８の外側へこぼれることを防止する。
　その後、１７０℃～２００℃程度で加熱することで第１封止樹脂４および第３封止樹脂２６を硬化させる。
　これにより、第１封止樹脂４の流れ出しを第３封止樹脂２６により確実に止めることが可能となる。
　さらに、実施の形態２，３では、固体撮像素子３はメイン基板８の中央突起部に形成された金属バンプおよび第１封止樹脂４により接続されているだけであったが、本実施の形態４では、より高品質な接続を確保するために、電子部品６上の空間部分を第３封止樹脂２６で埋め、メイン基板８と固体撮像素子３を接続した。
　第３封止樹脂２６は熱硬化型樹脂だけでなく、短時間硬化が可能な紫外線硬化型樹脂もしくは、熱と紫外線併用硬化型の樹脂を使用してもよい。
　（実施の形態５）
　（固体撮像装置の構造）
　図７は、実施の形態５における固体撮像装置の構成を模式的に示す断面図である。
　＜固体撮像素子３＞
　図７に示すように、実施の形態５における固体撮像装置は、矩形の固体撮像素子３を有している。図８は、実施の形態５における固体撮像装置の構成を模式的に示す側面図である。
　固体撮像素子３の一方の表面には、受光面３ａを、もう一方の裏面３ｃとして再配線層を有している。
　固体撮像素子３の両面の配線同士は、貫通ビア３ｂによって電気的に接続されている。受光面３ａと裏面３ｃとを、貫通ビア３ｂで繋ぐ時、裏面３ｃ側の配線を貫通ビア３ｂに合わせるように再配線する。受光面３ａ側の配線に、裏面３ｃの配線を合わせる。他の実施の形態でも同様である。
　ここで、固体撮像素子３とは、光を検出して電気信号、画像に変換する素子であり、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどである。固体撮像素子３は、例えば、Ｓｉ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどの基材から成る。
　受光面３ａの画素数は、例えば１００～４００万画素であり、画素サイズは例えば１～２μｍである。
　貫通ビア３ｂは、金属膜または金属めっきなどから成り、例えばＣｕ、Ｗ、Ａｕなどが用いられる。
　ここで、裏面３ｃの内部は、３次元に配線され、貫通ビア３ｂと裏面３ｃ表面の複数個の第１接続端子９とは電気的に接続されている。そのため、受光面３ａで受けた１画素ないしは複数画素の電気信号を処理した後、貫通ビア３ｂを介して、裏面３ｃを通り、第１接続端子９に伝えることができる。ここで、裏面３ｃは例えばＣｕ、Ａｌ、Ａｕなどの金属膜から成る配線層と例えばエポキシ、ポリイミド、アクリル、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などの絶縁層とから成る。
　第１接続端子９は、円または多角形形状の例えばＡｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜から成る。
　固体撮像素子３の受光面３ａには、透明かつ直方体形状の透明部材１が配置されており、透明部材１は接着剤２によって固体撮像素子３に固定されている。ここで、透明部材１は、例えば、ホウケイ酸、石英、サファイア、水晶などの屈折率が１．３～１．８の透明材料が用いられる。
　接着剤２は、例えばアクリル、エポキシ、シリコーンなどの紫外線硬化ないしは熱硬化または紫外線・熱硬化併用の透過率９０％以上かつ屈折率が１．３～１．８の透明材料である。固体撮像素子３に透明部材１を貼り付けることにより、組立工程において、埃や異物が直接受光面に付着するのを防ぐことができるだけでなく、使用環境下において水分の侵入、異物の付着を防ぐことができる。
　＜メイン基板８＞
　また、固体撮像素子３の裏面３ｃに対向するように、メイン基板８が配置されている。メイン基板８は、例えば、２段から成る多段基板である。メイン基板８には、直方体の突起部８ａと、突起部８ａより大きな直方体のベース部８ｂとから成る。両者は積層体、または、一体物である。突起部８ａ上面、ベース部８ｂの上面と側面、と裏面には、それぞれ第３接続端子１７、接続端子１５、接続端子１６を備え、それぞれの接続端子間は、メイン基板８の内部や表面の３次元配線・ビアにより電気的に接続されている。
　ここで、メイン基板８は、固体撮像素子３から出力された電気信号端子と図示しない外部接続機器に繋ぐためのケーブルとを、コンデンサ、コイル、抵抗とを接続するための中継基板である。
　メイン基板８は、例えば、アルミナ、ガラスなどから成るセラミック多層基板または、ガラスエポキシ、アラミドなどから成る有機多層基板である。メイン基板８上の接続端子は、焼成導電接着剤やスパッタ膜へのめっき膜などから成る。
　メイン基板８の突起部８ａ上面には複数個の第２接続端子１１が、固体撮像素子３の第１接続端子９と対向する位置に複数個設けられており、第２接続端子１１と第１接続端子９とは突起電極１０によって電気的に接続されている。ここで、突起電極１０は、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、はんだ、ＡｕＳｎ、導電性接着剤、ナノペースト、めっきなどから成る。
　さらに、固体撮像素子３とメイン基板８との間には第１封止樹脂４が設けられ、突起電極１０を覆うように封止されている。第１封止樹脂４は、ベース樹脂、硬化剤、無機フィラーなどから成る熱硬化性または紫外線硬化性の一液接着剤であり、例えば、エポキシ、アクリル、シリコーン樹脂が用いられる。
　一方、メイン基板８のベース部８ｂの上面には、第３接続端子１７が複数形成されており、第３接続端子１７の上には電子部品６が搭載され、第３接続端子１７と電子部品６とは接合材料２３によって電気的に接続されている。
　電子部品６は、例えば、コンデンサ、抵抗、コイルであり、例えば０６０３、０４０２、０２０１などの寸法の部品が用いられる。また、接合材料２３は、例えば、はんだ、ＡｕＳｎ、導電性接着剤などから成る。
　メイン基板８のベース部８ｂの側面には、ケーブル用の接続端子１５が複数個形成されている。ケーブル用の接続端子１５は、例えば、Ａｕ－Ｎｉ、Ａｕ－Ｐｄ－Ｎｉ、Ｃｕなどから成り、図示しない接続ケーブルの配線と、はんだや導電性接着剤を介して電気的に接続することができる。
　図９は、本開示の実施の形態における固体撮像素子３の構成を模式的に示す平面図である。
　固体撮像素子３上に形成された受光面３ａが矩形上に設けられており、受光面３ａを取り囲むように外周部に貫通ビア３ｂが複数個配置されている。貫通ビア３ｂのピッチ間隔は、例えば１０～１００μｍで設けられる。固体撮像素子３の受光面３ａを覆うように設けられた接着剤２および透明部材１は透明材料のため、透過して受光面及び貫通ビア３ｂ上の電極パッドを観察することができる。
　＜効果＞
　本発明の実施の形態の構造によれば、小型かつ高画質の固体撮像素子において、固体撮像素子の投影面積内の外形寸法を保ったまま、立体方向に積層できるため、固体撮像装置を小型化することができ、内視鏡先端部の外形を小さくすることができる。
　＜固体撮像装置の製造方法＞
　図１０の（ａ１）～（ｄ２）は本発明の実施の形態５における固体撮像装置の製造工程を模式的に示す断面図である。
　まず、図１０の（ａ１）に示すバンプ形成工程において、スタッドバンプボンダなどのバンプ形成手段を用いて、メイン基板８の突起部８ａの第２接続端子１１に突起電極１０を形成する。
　また、図１０の（ｂ１）に示す電子部品搭載工程において、第３接続端子１７にディスペンサやニードル転写装置などの材料供給手段を用いて、はんだペーストである接合材料２３を塗布した後、電子部品６を搭載し、リフロー炉などのはんだ溶融手段を用いてはんだ接合させる。
　なお、バンプ形成工程後に電子部品工程で説明したが順序はこれに限られない。電子部品工程後にバンプ形成工程を行っても構わない。
　さらに、図１０の（ｃ１）に示す封止樹脂塗布工程において、メイン基板８の突起部８ａにディスペンサやニードル転写装置などの材料供給手段を用いて、第１封止樹脂４を塗布する。ここで、予めメイン基板８の突起部８ａと電子部品６との間の空隙を充填するように第２封止樹脂５を塗布しておいても構わない。第２封止樹脂５によって接着面積が増えるため、信頼性を向上することができる。
　次に、図１０の（ｄ１）に示す固体撮像素子実装工程において、加熱・加圧手段を用いて突起電極１０と第１接続端子９を接合させながら、第１封止樹脂４を硬化させる。例えば、接合部温度は１２０～１８０℃にするとよい。また、加熱・加圧と同時に超音波を印加してもよい。低温で接合でき、弱耐熱の固体撮像素子３にも適用できるようになる。さらに、硬化炉やリフロー炉などの加熱手段を用いて加熱してもよい。複数個の固体撮像装置を一括で硬化できるようになり、生産リードタイムを短縮することができるようになる。
　図１０の（ａ２）～（ｄ２）は、それぞれ、以上の図１０の（ａ１）～（ｄ１）の側面図である。
　＜メイン基板８の形状、切り欠き、面取り＞
　図１１は実施の形態５のメイン基板８の形状を模式的に示す断面図である。メイン基板８の突起部８ａの少なくとも１箇所の頂点近傍には、第１切り欠き部８ｃが設けられている。さらに、メイン基板８のベース部の少なくとも１か所の頂点近傍には第２切り欠き部８ｄが設けるのが好ましい。
　図１２は、実施の形態５の固体撮像装置の構造を模式的に示す断面図である。固体撮像素子３とメイン基板８の突起部８ａ間にある第１の第１封止樹脂４は、裏面３ｃの外周部へ濡れ拡がるよりも先に、第１切り欠き部８ｃに沿って濡れ拡がる。このため、第１切り欠き部８ｃは、第１封止樹脂４で充填される。結果、第１封止樹脂４は、固体撮像素子３の側面に濡れ拡がらない。
　一方、メイン基板８のベース部８ｂと突起部８ａの間にある第２封止樹脂５は、第２切り欠き部８ｄ内に濡れ拡がる。しかし、メイン基板８側面には濡らさない。
　ここで、第１封止樹脂４および第２封止樹脂５の塗布量が少なく、固体撮像素子３とメイン基板８の間に空隙が多い場合、固体撮像素子３とメイン基板８の接着強度は、突起電極１０の接合強度の影響が支配的になる。そのため、固体撮像素子３とメイン基板８との間の接合強度は、組み立て工程における搬送における振動や、固体撮像装置を落下させた時の衝撃に耐えられないほど低くなり、破壊不良が発生する問題が生じる。特に、メイン基板８の突起部８ａ上の第２接続端子１１の端子数が例えば数ピンから数十ピンと少ない場合や、第２接続端子１１がメイン基板８の中央部のみに偏って配置された場合において、この問題は顕著にみられるようになる。
　以上の理由から、固体撮像素子３の外形から、封止樹脂は、はみ出さず、かつ、封止樹脂で空隙を十分満たす必要がある。
　＜形状＞
　ここで、図１１、図１２における第１切り欠き部８ｃ、第２切り欠き部８ｄの形状について説明する。切り欠き部形状は、凹部形状であり、半ドーム形状を有する。図１１、図１２の幅方向及び奥行き方向に対して幅は同等であり、深さは幅の１／２から同等であるとよい。
　欠け部の端面は滑らかなドーム形状であってもよく、微小の凹凸や一定の表面粗さを有しているとなおよい。表面積が増えるため封止樹脂の表面張力が大きくなり、側面への濡れ拡がりを抑える効果がある。
　さらに、深さは、メイン基板８の幅をｗ１、頭頂部の幅をｗ２、第１切り欠き部８ｃの幅をｗ４、第２切り欠き部８ｄの幅をｗ３とし、それぞれの関係を説明する。
　第１切り欠き部８ｃの幅ｗ４は、頭頂部の幅ｗ２の５％以上５０％以下であることが望ましい。５％未満であると第１の第１封止樹脂４は裏面３ｃの裏面全面に濡れ拡がり、側面まではみ出す問題が発生する。一方５０％以上であると頭頂部の片側にしか第１切り欠き部８ｃを設けることができなくなり、左右不均一な封止樹脂のフィレット形状となる。
　一方、第１切り欠き部の幅ｗ４は、広いほど第１封止樹脂４をベース部８ｂの方向に誘導する効果が増し、固体撮像素子３の側面への封止樹脂流動を抑制することができる。さらに、第１切り欠き部８ｃと頭頂部とのなす角度は３０度以上６０度以下であるとなおよい。第１封止樹脂４をベース部８ｂ側に流動することが可能になる。
　一方、第２切り欠き部の幅ｗ３は、メイン基板８の幅ｗ１の２％以上、３０％以下であることが望ましい。２％未満であると第２封止樹脂５はメイン基板８からはみ出し、カバーガラス上面からの投影寸法が固体撮像素子３を上回り、小型化できない問題が発生する。３０％より大きい場合、実装面積が確保できず、さらにメイン基板８の端面に封止樹脂が流出する問題が生じる。
　＜効果＞
　以上のような第１切り欠き部８ｃ、第２切り欠き部８ｄが少なくとも１つの角に形成されることにより、封止樹脂の拡がり、端面への濡れを防ぐことができろ。結果、固体撮像素子３の投影面積の範囲内に、第１封止樹脂４、５の拡がりを抑えられ、小型化に対応できるようになる。
　さらに、４隅の角に第１切り欠き部８ｃ、第２切り欠き部８ｄを設けることにより、拡がり形状を均一化することができ、接合後の応力分布を緩和する効果もある。また、第１切り欠き部８ｃ、第２切り欠き部８ｄだけでなく、辺の中間部に複数個切り欠き部を有してもよく、辺全体に切り欠きを有していても構わない。
　＜切り欠き部の形成方法＞
　次に、第１切り欠き部８ｃ及び第２切り欠き部８ｄの形成方法について述べる。
　セラミックから成るメイン基板８を、焼成し個片化した後、耐薬品性の網に一括投入し、振動を所定の時間加える。隣接するメイン基板８が衝突し合うことにより、角部に応力が集中し破壊強度を上回る衝撃が加わる。
　そのために、角部が脱落し第１切り欠き部８ｃ及び第２切り欠き部８ｄが形成される。その後、網ごとめっき浴に投入し、無電解めっきを施すことにより、接続端子にめっき形成することができる。なお、めっき浴投入時あるいは洗浄時に振動を与えて切り欠き部を形成しても構わない。生産時間を短時間化することができる。
　以上の実施の形態５により、０．９０～０．９８ｍｍ×０．９０～０．９８ｍｍ、高さ０．８５～０．９５ｍｍのセラミック基板を形成し、切り欠き部を形成した結果、第１切り欠き部８ｃ及び第２切り欠き部８ｄの幅は、０．０５～０．２０ｍｍで形成された。
　電子部品６として０６０３を２個搭載し、メイン基板８の頭頂部に第１封止樹脂４および第２封止樹脂５を塗布し１．０ｍｍ×１．０ｍｍ×０．４ｍｍの固体撮像素子３を熱圧着で実装精度±５μｍで実装した結果、第１封止樹脂４および第２封止樹脂５はメイン基板８からはみ出すことなく、かつ空孔部なく封止することができ、固体撮像措置の投影面積を固体撮像素子３の寸法と同等の１．０×１．０ｍｍ以内に抑えることができた。
　上記の実施の形態における網は、複数個のメイン基板８が収納できるものとして説明したがこれに限られない。網の内部にメイン基板８が１個ずつ収納できるような間仕切りを設け、さらに間仕切りの内側に突起部や研削刃を設けてもよい。この方法によれば切り欠き部の形状をさらに安定化することができる。
　また、網を用いずに、個片のメイン基板８を固定した後、研削、リューターなどの機械加工手段を用いて、切り欠き部を形成しても構わない。メイン基板８の材質が、破壊強度の高いガラスエポキシなどの有機基板であっても切り欠き部を形成することが可能になる。
　＜傾斜形状のメイン基板８＞
　図１３は本発明の実施の形態５のメイン基板８の形状を模式的に示す断面図である。メイン基板８の側面が傾斜している点で上記の実施の形態とは異なる。
　メイン基板８の頭頂部の上面と側面のなす角をθ１、メイン基板８のベース部８ｂの上面と側面のなす角をθ２とする。
　ここで、θ１およびθ２は９０°未満であるとよい。９０°未満であれば、液体状態の第１封止樹脂４が外周部まで濡れ拡がった後側面に流出するのを抑制することができる。
　一方、９０°以上の場合、側面まで濡れ拡がり、外形が大きくなるだけでなく、ケーブル用の接続端子１５のはんだ接合を妨げる問題を生じる。
　さらにθ２を９０°未満にすることにより、ケーブル用の接続端子１５にケーブルを接続する場合、はんだのフィレット量を多くしても、固体撮像素子３の投影面積内に抑えることが容易になり、小型化とケーブル接続端子の信頼性を両立できる効果もある。
　（実施の形態６）
　図１４、図１５は、本発明の実施の形態６における固体撮像装置の断面図である。
　図１６、図１７は、本発明の実施の形態６において図１４の波線Ａでの固体撮像装置の平面図である。図１６が封止前、図１７が封止後の図である。
　図１８は本発明の実施の形態６において図１４の領域Ｂでの封止樹脂の濡れ広がりを示す断面図である。
　＜構造＞
　本発明の実施の形態６における固体撮像装置の構造は、図１４、図１５に示すように、固体撮像素子３があり、固体撮像素子３の一方の面には受光面３ａが、もう一方の面には、第１接続端子９が複数個配置されている。
　受光面３ａに対向するように透明部材１が、配置されており、接着剤２で固体撮像素子３と透明部材１を固定している。
　固体撮像素子３の裏面３ｃに対向するように、メイン基板８を配置しており、固体撮像素子３の第１接続端子９とメイン基板８の第２接続端子１１とを突起電極１０を介して、電気的に接続しており、第１封止樹脂４で固体撮像素子３とメイン基板８の接続部を固定している。
　そして、図１７に示すように、第１封止樹脂４は、接合部の端部に形成された第１導体パターン２５ａの外側に流れ落ちることなく濡れ広がっている。
　ここで第１導体パターン２５ａは、メイン基板８と固体撮像素子３を接続する際に使用する実装機において、位置合わせの認識マークとしても使用される。第１導体パターン２５ａは、第２接続端子１１とは異なる形状である。
　さらに、図１５に示すように、メイン基板８と固体撮像素子３の接合部の両側に形成したキャビテイ７に電子部品６が複数個配置されている。電子部品６は、メイン基板８の第３接続端子１７と接合材１２を介して電気的に接続されている。
　また、メイン基板８には複数のケーブル用の第２接続端子１４が形成されている。
　＜製法＞
　このような固体撮像装置は図１９の工程により作製することができる。
　はじめに、図１９の（ａ）に示すように、固体撮像素子３に第１接続端子９を形成し、固体撮像素子の受光面に透明部材１を配置し、接着剤２で固定する。
　一方で図１９の（ｂ）に示すように、キャビテイ７が形成されたメイン基板８に第１導体パターン２５ａ、第２接続端子１１、第３接続端子１７、ケーブル用の第２接続端子１４を形成する。
　第１導体パターン２５ａは、第２接続端子１１、第３接続端子１７、ケーブル用の第２接続端子１４とともに同じプロセスで形成される。
　次に図１９の（ｃ）に示すように、第２接続端子１１上に突起電極１０を形成し、キャビテイ７の第３接続端子１７上に電子部品６、接合材１２を配置する。
　次に図１９の（ｄ）に示すように、加熱によって接合材１２を溶融して、電子部品６と第３接続端子１７を、接合材１２を介して電気的に接続する。
　次に図１９の（ｅ）に示すように、メイン基板８の突起電極１０が形成された面と固体撮像素子３の第１接続端子９が形成された面を向かいあわせで配置し、第１接続端子９と第２接続端子１１とを突起電極１０を介して電気的に接続する。
　最後に次に図１９の（ｆ）に示すように、第１接続端子９と第２接続端子１１の接合部に第１封止樹脂４を封止して接続部を固定し、固体撮像装置が完成する。
　＜動作＞
　図１４において、透明部材１を介して固体撮像素子３が受光面３ａで受光し、電気信号に変換される。
　変換された電気信号は、固体撮像素子３と電気的に接続されているメイン基板８に伝送される。
　メイン基板８に伝送された電気信号は、メイン基板８と電気的に接続されている電子部品６に伝送される。
　電子部品６は、伝送された電気信号に対して電子部品６に組み込まれた処理を行い、再びメイン基板８に伝送する。
　全ての電子部品６を経由した後、電気信号をケーブル用の第２接続端子１４から外部機器に伝送する。
　＜各要素＞
　なお、それぞれの部材のサイズは、メイン基板８が１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．６ｍｍ、電子部品６が０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ以下、透明部材１が１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ、固体撮像素子３が１ｍｍ×１ｍｍ×厚さ０．１ｍｍである。これらの寸法は、例示である。
　＜電子部品６＞
　電子部品６は、例えば、コンデンサであるが、抵抗器でも良い。
　＜透明部材１＞
　透明部材１は、透明な直方体形状の光学部材である。
　また、固体撮像装置の幅寸法を固体撮像素子３と同じにし、小型化するため、透明部材１の幅寸法は固体撮像素子３以下である。
　＜固体撮像素子３＞
　固体撮像素子３は、光を検出して電気信号に変換するＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージなどのことである。信号処理を行う回路が組み込まれていても良い。信号処理を行う機能を持つ素子と積層されていても良い。電気信号の授受を行うための第１接続端子９を備えている。
　＜第１接続端子９，第２接続端子１１＞
　第１接続端子９、第２接続端子１１は、例えばアルミニウムなどによって形成されているが、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属やタングステンを用いても良い。さらに、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　＜ケーブル用の第２接続端子１４＞
　ケーブル用の第２接続端子１４は、例えばアルミニウムなどによって形成されているが、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属やタングステンを用いても良い。さらに、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　＜突起電極１０＞
　突起電極１０は、例えば半田などによって形成されているが、銅や金のような金属を用いても良い。
　＜メイン基板８＞
　メイン基板８は、例えばセラミック基板などによって形成されているが、ビルドアップ基盤、アラミドエポキシ基板、ガラスエポキシ基板などを用いても良い。
　＜キャビテイ７＞
　キャビテイ７のサイズは、１．０ｍｍ×０．３５ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍであり、電子部品６がキャビテイ７内に収まることにより、固体撮像装置の幅寸法を固体撮像素子３の幅寸法と同じに保つことができる。
　キャビテイ７はメイン基板８の固体撮像素子３と接続されている面に２個、左右対称に形成されており、固体撮像素子３の放熱性が左右対称となることで、特性の面内バラつきを押さえることができる。
　＜接着剤２＞
　接着剤２は、紫外線硬化型等の透明な接着剤であり、幅寸法は固体撮像素子と同じかそれ以下である。
　＜第１封止樹脂４＞
　第１封止樹脂４は、エポキシ系の接着剤であり、幅寸法は固体撮像素子３よりと同じかそれ以下である。
　また、図１６に示すように、メイン基板８の端部に第１導体パターン２５ａを形成することによって、図１７と図１８に示すように、第１封止樹脂４は接合部の端部に形成された第１導体パターン２５ａの外側に流れ落ちることを防いでいる。さらに第１導体パターン２５ａにめっき処理を施すことにより、第１導体パターン２５ａの端部まで第１封止樹脂４が濡れ広がり、フィレットＣを形成している。
　また、第１封止樹脂４はメイン基板８の外側に流れ落ちなければ、キャビテイ７の領域に形成されていても良い。
　＜第１導体パターン２５ａ＞
　第１導体パターン２５ａは、例えばアルミニウムなどによって形成されているが、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属やタングステンを用いても良い。さらに、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　また、第１導体パターン２５ａは、メイン基板８と固体撮像素子３を接続する際に使用する実装機において、位置合わせの認識マークとしても使用される。第１導体パターン２５ａの形状は第２接続端子１１と異なる形状で、かつ、第１封止樹脂４がメイン基板８の外側に流れ落ちないような形状であることが望ましく、サイズは、長手方向が０．３ｍｍ×０．１ｍｍ、短手方向が０．１５ｍｍ×０．１ｍｍのコーナーマークとなる。
　（実施の形態７）
　図２０は、本発明の実施の形態７における固体撮像装置の断面図であり、図２１、図２２は本発明の実施の形態７において図２０の波線Ａでの固体撮像装置の平面図で、図２１が封止前、図２２が封止後である。説明しない事項は実施の形態６と同様である。
　＜構造＞
　本発明の実施の形態７における固体撮像装置の構造は、図２０に示すように、固体撮像素子３があり、固体撮像素子３の一方の面には受光面３ａが、もう一方の面には、第１接続端子９が複数個配置されている。
　受光面３ａに対向するように透明部材１が、配置されており、接着剤２で固体撮像素子３と透明部材１を固定している。
　固体撮像素子３の裏面３ｃに対向するように、メイン基板８を配置しており、固体撮像素子３の第１接続端子９とメイン基板８の第２接続端子１１とを突起電極１０を介して、電気的に接続しており、第１封止樹脂４で固体撮像素子３とメイン基板８の接続部を固定している。
　メイン基板８と固体撮像素子３の接合部の片側に形成したキャビテイ７に電子部品６が複数個配置されており、メイン基板８の第３接続端子１７と接合材１２を介して電気的に接続している。
　また、メイン基板８には複数のケーブル用の第２接続端子１４が形成されている。
　＜キャビテイ７＞
　キャビテイ７のサイズは、１．０ｍｍ×０．７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍであり、電子部品６がキャビテイ７内に収まることにより、固体撮像装置の幅寸法を固体撮像素子３の幅寸法と同じに保つことができる。
　キャビテイ７は、メイン基板８の固体撮像素子３の第２接続端子１１の片側に１個、形成されており、キャビテイ７の個数を減らすことでメイン基板８の製造工程を短縮することができる。
　＜第１封止樹脂４＞
　第１封止樹脂４は、エポキシ系の接着剤であり、幅寸法は固体撮像素子３と同じかそれ以下である。
　また、図２１に示すように、メイン基板８と固体撮像素子３の第２接続端子１１の端部に第１導体パターン２５ａ、２５ｂを形成し、キャビテイ７の端部に第２導体パターン２５ｃを形成することによって、図２２に示すように、第１封止樹脂４がメイン基板８の外側に流れ落ちることを防いでいる。第２導体パターン２５ｃは、第３接続端子１７と異なる形状である。
　なお、上記の実施の形態では、電子部品６を覆う樹脂は、第２封止樹脂５としている。第２導体パターン２５ｃにより、広がりを防止される樹脂は、別の実施の形態では、第２封止樹脂５である。
　＜第１導体パターン２５ａ、２５ｂ、第２導体パターン２５ｃ＞
　第１導体パターン２５ａ、５ｂ、第２導体パターン２５ｃは、例えばアルミニウムなどによって形成されているが、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属やタングステンを用いても良い。さらに、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　第１導体パターン２５ａ、２５ｂ、第２導体パターン２５ｃは、第２接続端子１１、第３接続端子１７と同じ工程で形成するのが好ましい。
　また、第１導体パターン２５ａ、５ｂ、第２導体パターン２５ｃは、メイン基板８と固体撮像素子３を接続する際に使用する実装機において、位置合わせの認識マークとしても使用される。第１導体パターン２５ａ、２５ｂ、第２導体パターン２５ｃの形状は第２接続端子１１と異なる形状で、かつ、第１封止樹脂４がメイン基板８の外側に流れ落ちないような形状であることが望ましく、第１導体パターン２５ａ、５ｂのサイズは、長手方向が０．３ｍｍ×０．１ｍｍ、短手方向が０．１５ｍｍ×０．１ｍｍのコーナーマークとなり、第１導体パターン２５ｂのサイズは、０．１ｍｍ×０．０８ｍｍの長方形となり、第２導体パターン２５ｃのサイズは、０．７ｍｍ×０．０８ｍｍの長方形となる。
　なお、実施の形態６の第１導体パターン２５ａ，２５ｂがなく、第２導体パターン２５ｃだけ設けてもよい。
　なお、第１導体パターン２５ａ、５ｂ、第２導体パターン２５ｃにより、固体撮像装置のある断面の周囲の端部を囲んでいる。封止樹脂が囲んでいる。
　（実施の形態８）
　図２３、図２４は、本発明の実施の形態８における固体撮像装置の平面図であり、図２３が封止前、図２４が封止後である。説明しない事項は実施の形態６、７と同様である。
　＜第１封止樹脂４＞
　第１封止樹脂４は、エポキシ系の接着剤であり、幅寸法は固体撮像素子３よりと同じかそれ以下である。
　また、図２３に示すように、メイン基板８の端部に第１導体パターン２５ａを形成することによって、図２４に示すように、第１封止樹脂４は接合部の端部に形成された第１導体パターン２５ａの外側に流れ落ちることを防いでいる。
　さらに第１導体パターン２５ａにめっき処理を施すことにより、導体パターン２５の端部まで第１封止樹脂４が濡れ広がり、フィレットを形成している。
　ここで、第１導体パターン２５ａはメイン基板８と固体撮像素子３を接続する際に使用する実装機において、位置合わせの認識マークとしても使用される。第１導体パターン２５ａの形状は、第２接続端子１１よりも大きな円形としている。
　また、第１封止樹脂４はメイン基板８の外側に流れ落ちなければ、キャビテイ７の領域に形成されていても良い。
　＜第１導体パターン２５ａ＞
　第１導体パターン２５ａは、例えばアルミニウムなどによって形成されているが、銅のようにアルミニウムよりも導電率が高い金属やタングステンを用いても良い。さらに、銅にニッケル／金めっき処理を施して酸化しにくい状態にしても良い。
　また、第１導体パターン２５ａは、メイン基板８と固体撮像素子３を接続する際に使用する実装機において、位置合わせの認識マークとしても使用される。第１導体パターン２５ａの形状は第２接続端子１１よりも大きな円形で、かつ、第１封止樹脂４がメイン基板８の外側に流れ落ちないような形状であることが望ましく、第２接続端子１１のサイズが直径０．１ｍｍであるのに対し、第１導体パターン２５ａのサイズは、直径０．２ｍｍとなる。
　＜効果＞
　上記の構造のように、接続端子を受光面の裏面に形成することで、固体撮像素子の受光面占有率が上がり、固体撮像の性能効率を損なうことがなく、更に、接続端子の端部に形成された導体パターンによって封止樹脂がメイン基板の側面に流れ落ちることなくメイン基板の端部までフィレットを形成することで、信頼性が高く、小型で高性能な固体撮像装置を提供することができる。
　（全体として）
　実施の形態１～８は組み合わせできる。
　本開示の固体撮像装置は、小型の固体撮像装置として広く利用される。例えば、内視鏡固体撮像装置として利用される。
１　透明部材
２　接着剤
３　固体撮像素子
３ａ　受光面
３ｂ　貫通ビア
３ｃ　裏面
４　第１封止樹脂
５　第２封止樹脂
５ａ　テーパー部
６　電子部品
７　キャビテイ
８　メイン基板
８ａ　突起部
８ｂ　ベース部
８ｃ　第１切り欠き部
８ｄ　第２切り欠き部
９　第１接続端子
Ａ　波線
Ｂ　領域
Ｃ　フィレット
１０　突起電極
１１　第２接続端子
１２　接合材
１３　突起電極
１４　第２接続端子
１７　第３接続端子
１５　接続端子
１６　接続端子
２３　接合材料
２５　導体パターン
２５ａ　第１導体パターン
２５ｂ　第１導体パターン
２５ｃ　第２導体パターン
２６　第３封止樹脂
３２　接続端子
ｗ１　幅
ｗ２　幅
ｗ３　幅
ｗ４　幅
１０１　透明部材
１０３　固体撮像素子
１０４　封止樹脂
１１０　突起電極
１１２　リード

Claims (26)

  1. 固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子の受光面とは反対側の面に接続されたメイン基板と、
    前記メイン基板に実装された電子部品と、
    前記固体撮像素子と前記メイン基板間に位置する封止樹脂と、を含む固体撮像装置。
  2. 前記固体撮像素子の受光面側から見た前記メイン基板の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
    前記固体撮像素子の受光面側から見た前記封止樹脂の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっている請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 前記固体撮像素子の受光面に接着材で固定される透明部材をさらに備え、
    前記固体撮像素子の受光面側から見た前記透明部材の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっており、
    前記固体撮像素子の受光面側から見た前記接着材の外縁は、前記固体撮像素子の外縁内に収まっている請求項１または２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記メイン基板は、前記固体撮像素子と接続される突起部と、前記突起部を支え、前記電子部品が実装されたベース部とを有する請求項１～３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記受光面に形成された配線と、前記反対側の面に形成された配線とは、電気的に繋がっている請求項１～４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記メイン基板には、前記固体撮像素子の受光面側から見て、左右に前記電子部品が実装されるための空間であるキャビテイが形成されている請求項１～５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記封止樹脂は、第１封止樹脂と第２封止樹脂との積層体であり、
    前記固体撮像素子側の前記第１封止樹脂と前記メイン基板の側の前記第２封止樹脂とを有し、
    前記第１封止樹脂と前記第２封止樹脂との境界面は、前記固体撮像装置の内部から外部へ、前記第１封止樹脂の厚みが薄くなり、傾斜している請求項１～６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記封止樹脂は、第１封止樹脂と第２封止樹脂との積層体であり、
    前記固体撮像素子側の前記第１封止樹脂と前記メイン基板の側の前記第２封止樹脂とを有し、
    前記第１封止樹脂と前記第２封止樹脂とは非接触である請求項１～６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記第１封止樹脂は、前記固体撮像素子と前記メイン基板とを接続する接続電極を覆っている請求項７または８記載の固体撮像装置。
  10. 前記第２封止樹脂は、前記部品を封止している請求項７～９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  11. 前記第２封止樹脂は、前記第１封止樹脂より放熱性が高い、請求項７～１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  12. 前記第２封止樹脂は、前記第１封止樹脂より柔軟である、請求項７～１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  13. 前記第１封止樹脂は、太鼓形状である請求項７～１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  14. 前記電子部品と前記固体撮像素子とを接続する第３封止樹脂がある請求項１～１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  15. 前記突起部のコーナに凹形状の第１切り欠き部がある請求項５～１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  16. 前記封止樹脂は、前記第１切り欠き部より前記固体撮像装置の側面へはみ出さない請求項１５記載の固体撮像装置。
  17. 前記ベース部のコーナに凹形状の第２切り欠き部がある請求項１５または１６に記載の固体撮像装置。
  18. 前記電子部品は、前記ベースに配置され、前記電子部品を封止する第２封止樹脂があり、前記第２封止樹脂は、前記第２切り欠き部より固体撮像装置の側面へはみ出さない請求項１７に記載の固体撮像装置。
  19. 　前記突起部の上面と側面のなす角と、前記ベース部の上面と側面のなす角との少なくとも１方が９０°未満である請求項５～１８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  20. 前記固体撮像素子は、電気信号の授受を行うための第１接続端子を受光面に対して裏面に有し、
    前記メイン基板は、前記固体撮像素子との電気的接続をするための第２接続端子を有し、
    前記第２接続端子の端部に形成された第１導体パターンと、
    を含む請求項１～１９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  21. 前記第２接続端子と、前記第１導体パターンとの形状が異なる請求項２０記載の固体撮像装置。
  22. 前記封止樹脂が、前記第１導体パターン上に濡れ広がっているが、前記固体撮像装置の側面にはみ出していない請求項２０または２１記載の固体撮像装置。
  23. 前記第１導体パターンは、前記メイン基板と固体撮像素子との位置合わせの認識マークである請求項２０～２２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  24. 前記電子部品が実装される前記メイン基板に位置する第３接続端子の端部に形成された第２導体パターンと、
    前記電子部品を覆う封止樹脂と、
    を含む請求項１～２３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  25. 前記封止樹脂が、前記第２導体パターン上に濡れ広がっている請求項２４記載の固体撮像装置。
  26. 前記封止樹脂が、前記第２導体パターン上に濡れ広がっているが、前記固体撮像装置の側面にはみ出していない請求項２４または２５記載の固体撮像装置。
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