WO2019069788A1 - はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板 - Google Patents

はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板 Download PDF

Info

Publication number
WO2019069788A1
WO2019069788A1 PCT/JP2018/035932 JP2018035932W WO2019069788A1 WO 2019069788 A1 WO2019069788 A1 WO 2019069788A1 JP 2018035932 W JP2018035932 W JP 2018035932W WO 2019069788 A1 WO2019069788 A1 WO 2019069788A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solder
mass
alloy
content
solder alloy
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/035932
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
剛優 和田
Original Assignee
株式会社弘輝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社弘輝 filed Critical 株式会社弘輝
Priority to EP18864183.1A priority Critical patent/EP3590652B1/en
Priority to PL18864183.1T priority patent/PL3590652T3/pl
Priority to US16/608,917 priority patent/US11607752B2/en
Priority to CN201880018424.7A priority patent/CN110430967A/zh
Priority to KR1020197025799A priority patent/KR102242388B1/ko
Publication of WO2019069788A1 publication Critical patent/WO2019069788A1/ja

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • B23K35/025—Pastes, creams, slurries
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262—Sn as the principal constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C13/00—Alloys based on tin
    • C22C13/02—Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits

Definitions

  • the composition of the solder alloy contains tin (hereinafter also referred to as Sn) as a main component, and contains silver (hereinafter also referred to as Ag) and copper (hereinafter also referred to as Cu) (hereinafter referred to as SAC-based alloy) Also known).
  • SAC-based alloys may contain antimony (hereinafter also referred to as Sb). By containing Sb, it is possible to improve the heat resistance, the joint strength, and the joint reliability of the solder joint.
  • the reflow temperature needs to be set high. As described above, when the reflow temperature is set high, there is a possibility that the quality of the electronic circuit substrate may be degraded by damaging the low heat-resistant electronic component constituting the electronic circuit by the heat of the reflow temperature.
  • a through-hole bonding method in which a bonding component (for example, a lead terminal) is inserted into a through hole formed in a substrate and soldered as one of the methods for soldering the bonding component such as an electronic component to the substrate. .
  • the joint component inserted in the through hole is connected to the substrate through the solder fillet formed between the land of the substrate and the joint component.
  • through-hole bonding is performed using the SAC-based alloy containing Sb and Bi described above, there is a problem that the solder fillet peels off from the lands of the substrate (hereinafter, also referred to as lift-off) in the solder joint. there were.
  • lift-off occurs, the bonding area between the solder fillets and the lands of the substrate is reduced, so the bonding strength at the solder joints is reduced, which leads to the deterioration of the quality of the electronic circuit board.
  • the present invention has been made to solve such problems, and is capable of soldering at the same reflow temperature (eg, peak temperature of 240 ° C.) as conventional SAC-based alloys, and has severe temperature cycles.
  • Solder alloy having excellent durability under conditions (eg, temperature cycle of ⁇ 30 ° C. to 120 ° C.) and capable of forming a solder joint capable of suppressing occurrence of lift-off
  • An object of the present invention is to provide a bonding material and an electronic circuit board.
  • the present inventors have found that Bi contained in the SAC-based alloy is a factor of occurrence of lift-off in the solder joint.
  • the present inventors have found that the reflow temperature (for example, the peak temperature is 240) similar to that of the conventional SAC-based alloy by containing a predetermined amount of indium (hereinafter also referred to as In) in place of Bi.
  • In indium
  • Can be soldered in ° C has excellent durability even under severe temperature cycle conditions (eg, temperature cycle of -30 ° C to 120 ° C), and can suppress the occurrence of lift-off It has been found that a good solder joint can be formed.
  • the gist of the present invention is as follows.
  • the solder alloy according to the present invention is used for soldering, and the chemical composition is, by mass%, silver (hereinafter also referred to as Ag): 2.0 to 4.0%, copper (hereinafter also referred to as Cu): 0 .6 to 1.2%, antimony (hereinafter referred to as Sb): 2.0 to 5.0%, indium (hereinafter referred to also as In): 1.1 to 3.5%, nickel (hereinafter referred to as Ni) Marked: 0 to 0.20%, cobalt (hereinafter also referred to as Co): 0 to 0.20%, germanium (hereinafter also referred to as Ge): 0 to 0.05%, and the rest: tin (hereinafter referred to as Also referred to as Sn) and impurities.
  • silver hereinafter also referred to as Ag
  • Cu copper
  • Sb antimony
  • Sb antimony
  • indium hereinafter referred to also as In
  • Ni nickel
  • Co cobalt
  • germanium here
  • the total content of Ni and Co is preferably 0.01 to 0.20% by mass.
  • the solder alloy according to the present invention preferably satisfies the following formula (ii). -1.5 Sb Sb-In 2.0 2.0 (ii) However, each element symbol in a formula represents content (mass%) of each element contained in an alloy.
  • the solder alloy according to the present invention preferably satisfies the following formula (iii). 7.5 ⁇ Ag + Cu + Sb + In ⁇ 13.5 (iii) However, each element symbol in a formula represents content (mass%) of each element contained in an alloy.
  • the solder alloy according to the present invention preferably has a melting temperature range of 20 ° C. or less.
  • the solder bonding material according to the present invention contains the solder alloy and a flux.
  • the electronic circuit board according to the present invention is bonded using the solder bonding material.
  • solder alloy a solder bonding material, and an electronic circuit board according to an embodiment of the present invention will be described.
  • solder alloy used for soldering, and the chemical composition is, by mass%, Ag: 2.0 to 4.0%, Cu: 0.6 to 1.2%, Sb: 2.0 5.0 5.0%, In: 1.1 to 3.5%, Ni: 0 to 0.20%, Co: 0 to 0.20%, Ge: 0 to 0.05%, and the balance: Sn and It is an impurity.
  • the form of the solder alloy include bar solder, solder wire, solder powder, solder foil, molded solder and the like.
  • the content of Ag is a component that must be contained, and the content is 2.0 to 4.0 mass%. If the content of Ag is within the above range, it has excellent durability even under severe temperature cycle conditions (for example, temperature cycle of -30 ° C to 120 ° C), and suppresses the occurrence of lift-off. Possible solder joints can be formed.
  • the content of Ag is preferably 2.5% by mass or more, and more preferably 3.0% by mass or more. Further, the content of Ag is preferably 3.8% by mass or less, and more preferably 3.4% by mass or less.
  • the solder alloy preferably satisfies the following formula (i). Both Ag and Cu are elements contained to lower the melting point of the solder alloy. Furthermore, Ag is an element that improves the wettability of the solder more than Cu. Therefore, the solder alloy can improve the wettability of the solder when the ratio of Ag to Cu satisfies the following equation (i). Ag / Cu ⁇ 2.8 (i) However, each element symbol in a formula represents content (mass%) of each element contained in an alloy.
  • Sb is a component that must be contained, and the content is 2.0 to 5.0 mass%. If the content of Sb is within the above range, it has excellent durability even under severe temperature cycle conditions (for example, temperature cycle of -30 ° C to 120 ° C), and suppresses the occurrence of lift-off. Possible solder joints can be formed.
  • the content of Sb is preferably 2.2% by mass or more, and more preferably 2.5% by mass or more.
  • the content of Sb is preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less.
  • the solder alloy preferably satisfies the following formula (ii).
  • Sb and In are elements that both improve solid solution by dissolving in Sn, but if Sb is contained excessively, it raises the melting point of the solder alloy and lowers the wettability of the solder. May be In addition, when contained in excess, although it lowers the melting point of the solder alloy, it may lower the wettability of the solder. Therefore, when the difference between Sb and In satisfies the following equation (ii), the solder can be sufficiently melted even at a low reflow temperature, and the wettability of the solder can be improved. -1.5 Sb Sb-In 2.0 2.0 (ii) However, each element symbol in a formula represents content (mass%) of each element contained in an alloy.
  • Co is a component optionally contained, and the content is 0.20% by mass or less.
  • the content of Co is in the above range, a compound containing Co, Sn and Cu can be precipitated in a finely dispersed state in the Sn matrix. As a result, the heat resistance and strength of the solder joint can be improved.
  • the Co content exceeds 0.20% by mass, the precipitated compound is coarsened to cause stress concentration of thermal stress generated during the temperature cycle. As a result, there is a possibility that a crack may occur due to the point at which stress concentration occurs.
  • the content of Co is preferably 0.01% by mass or more, and more preferably 0.03% by mass or more. Further, the content of Co is preferably 0.15% by mass or less.
  • the balance is Sn and impurities.
  • impurity means a component which is inevitably mixed in the manufacturing process, and is allowed within a range which does not affect the effect of the present invention.
  • the melting temperature range of the solder alloy is preferably 20 ° C. or less, and more preferably 15 ° C. or less. Lift-off occurs due to segregation of a small amount of Bi or a large amount of In contained in the solder alloy in the process of solidification of the solder. Here, segregation progresses from the start of solidification of the solder to the completion of solidification. Therefore, by setting the melting temperature range to 20 ° C. or less, the occurrence of lift-off can be suppressed.
  • the melting temperature range refers to the difference between the initial melting temperature of the solder and the extrapolated melting end temperature, and a differential scanning calorimetry (DSC) curve obtained at a heating rate of 5 ° C./min. It can be calculated using.
  • the solder alloy according to this embodiment can be soldered at the same reflow temperature (for example, the peak temperature is 240 ° C.) as the conventional SAC-based alloy, and also under severe temperature cycle conditions (for example, -30 ° C. to 120) It is possible to form a solder joint which has excellent durability even in a temperature cycle) and can suppress the occurrence of lift-off.
  • the peak temperature is 240 ° C.
  • severe temperature cycle conditions for example, -30 ° C. to 120
  • the solder bonding material according to the present embodiment contains the above-described solder alloy and a flux.
  • the solder bonding material is a material in which a flux or the like is mixed with a solder alloy to facilitate soldering.
  • the solder bonding material may be a solder paste containing the powder of the above-mentioned solder alloy and a flux, or it may be a solder filled with flux in the core of a solder wire using the above-mentioned solder alloy, It is also good.
  • a well-known flux for example, rosin type, a synthetic resin type
  • rosin type for example, rosin type, a synthetic resin type
  • the content of the powder of the solder alloy in the solder paste is not particularly limited, and can be, for example, 80 to 92% by mass. Further, the content of the flux in the solder paste is not particularly limited, and can be, for example, 8 to 20% by mass.
  • the content of the solder alloy in the core solder is not particularly limited, and can be, for example, 95 to 99.5 mass%.
  • the content of the flux in the core solder is not particularly limited, and may be, for example, 0.5 to 5% by mass.
  • the solder bonding material according to the present embodiment can be soldered at the same reflow temperature (for example, the peak temperature is 240 ° C.) as the conventional SAC-based alloy, and severe temperature cycle conditions (for example, -30 ° C. to It is possible to form a solder joint which has excellent durability even at a temperature cycle of 120 ° C. and can suppress the occurrence of lift-off.
  • the solder bonding material is a core solder, the temperature of the soldering tip can be reduced, so that thermal damage to the electronic component can be suppressed.
  • the electronic circuit board according to the present embodiment is soldered using the solder bonding material according to the present embodiment.
  • the electronic circuit board is manufactured by soldering a bonding component such as an electronic component and a substrate using the solder bonding material according to the present embodiment.
  • the electronic component is not particularly limited, and, for example, known electronic components such as chip components (IC chip etc.), resistors, diodes, capacitors, transistors and the like can be used.
  • the electronic circuit board according to the present embodiment is soldered at the same reflow temperature (for example, the peak temperature is 240 ° C.) as that of the conventional SAC-based alloy, it is possible to suppress the deterioration in quality.
  • the electronic circuit board according to the present embodiment has excellent durability even under severe temperature cycle conditions (for example, a temperature cycle of ⁇ 30 ° C. to 120 ° C.) and suppresses the occurrence of lift-off. It is possible to have possible solder joints.
  • the melting temperature range was calculated by determining the difference between the initial melting temperature of the solder and the extrapolated melting end temperature using a differential scanning calorimetry (DSC) curve acquired at a heating rate of 5 ° C./min.
  • DSC differential scanning calorimetry
  • the melting initial temperature was calculated by a method of obtaining a solder solid line defined in JIS Z 319-1 using the above-mentioned DSC curve.
  • the extrapolated melting end temperature was calculated by a method of obtaining the extrapolated melting end temperature defined in JIS Z 3188-1 using the above-mentioned DSC curve.
  • each test substrate was put into a heat cycle tester (TSA-73EL manufactured by ESPEC Corp.), held at -30 ° C. for 20 minutes, and then subjected to 2000 cycles of cold heat cycles held at 120 ° C. for 20 minutes. Thereafter, each test substrate taken out of the heat cycle tester was cut at the center of the chip part in a direction perpendicular to the top surface of the test substrate, and mechanical precision polishing was performed. Then, the solder structure in the cross section was observed at a magnification of 350 using an optical microscope (KH-8700, manufactured by Hirox Co., Ltd.).
  • the durability was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Tables 1 and 2. According to the following criteria, it was judged that the test substrates corresponding to A to C have good durability, and the test substrates corresponding to D and E have poor durability.
  • D The average value of the total crack length is 200 ⁇ m or more and less than 300 ⁇ m.
  • E The average value of the crack total length is 300 ⁇ m or more, or a crack (penetration crack) crossing the solder structure occurs.
  • solder alloys of Examples 1 to 20 satisfying all the constituent requirements of the present invention have good solderability at the same reflow temperature (peak temperature: 240 ° C.) as the conventional SAC-based alloy. Forming a solder joint having excellent durability under severe temperature cycle conditions (temperature cycle of -30 ° C. to 120 ° C.) and capable of suppressing the occurrence of lift-off did it.
  • solder alloy of Comparative Example 1 does not contain Sb, the development of cracks in the solder joint is large under severe temperature cycle conditions (temperature cycle of -30 ° C. to 120 ° C.). Since the solder alloys of Comparative Examples 2 to 5 and 7 to 13 contain Bi, lift-off occurred at the solder joints. In the solder alloys of Comparative Examples 4 to 6, 14, 15 and 17 to 19, since the content of In exceeds 3.5% by mass, lift-off occurs in the solder joint. The solder alloy of Comparative Example 16 had poor solderability at a reflow temperature (240 ° C.) similar to that of the conventional SAC-based alloy because the content of In is less than 1.1% by mass.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

はんだ合金は、はんだ付けに用いられ、化学組成が、質量％で、Ａｇ：２．０～４．０％、Ｃｕ：０．６～１．２％、Ｓｂ：２．０～５．０％、Ｉｎ：１．１～３．５％、Ｎｉ：０～０．２０％、Ｃｏ：０～０．２％、Ｇｅ：０～０．０５％、並びに、残部：Ｓｎ及び不純物である。

Description

はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板 関連出願の相互参照
　本願は、日本国特願２０１７－１９３４６７号の優先権を主張し、引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。
　本発明は、はんだ付けに用いられるはんだ合金、該はんだ合金の粉末を含むはんだ接合材料、及び、該はんだ接合材料を用いて接合された電子回路基板に関する。
　従来、電子部品等の接合部品と基板とをはんだ付けして電子回路基板を作製する際には、はんだ合金の粉末とフラックスとを含むはんだペーストが使用されている。該はんだペーストは、基板表面の電極部に塗布されると共に、該電極部に接合部品の電極部を接触させた状態で、所定温度（リフロー温度）で加熱される。これにより、はんだ合金が溶融してはんだ接合部が形成され、該はんだ接合部を介して基板と接合部品とが接合される。
　前記はんだ合金の組成としては、錫（以下、Ｓｎとも記す）を主成分とし、銀（以下、Ａｇとも記す）、及び、銅（以下、Ｃｕとも記す）を含有するもの（以下、ＳＡＣ系合金とも記す）が知られている。斯かるＳＡＣ系合金には、アンチモン（以下、Ｓｂとも記す）が含有される場合がある。Ｓｂを含有することで、前記はんだ接合部の耐熱性、接合強度、及び、接合信頼性を向上させることが可能となる。
　しかしながら、ＳＡＣ系合金は、Ｓｂを含有することにより融点が高くなるため、リフロー温度を高く設定する必要がある。このように、リフロー温度が高く設定されると、電子回路を構成する耐熱性の低い電子部品がリフロー温度の熱で損傷することにより、電子回路基板の品質が低下する虞がある。
　そこで、Ｓｂと共にビスマス（以下、Ｂｉとも記す）を含有させたＳＡＣ系合金が提案されている（例えば、特許文献１）。このようなＳｂ及びＢｉを含有するＳＡＣ系合金は、Ｂｉを含有することにより融点が低くなるため、リフロー温度を低く設定することができ（例えば、２３５±５℃）、その結果、電子回路基板の品質の低下を抑制することができる。
　近年、例えば自動車のエンジン近傍には、多くの電子回路基板が設置されている。このような電子回路基板は、エンジンの運転及び停止が繰り返されることにより、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）に曝される。上述のＳｂ及びＢｉを含有するＳＡＣ系合金を用いてはんだ付けされた電子回路基板は、このような厳しい温度サイクル条件下においても、前記はんだ接合部が優れた耐熱疲労特性を示すことが知られている（例えば、特許文献２）。
日本国特開２０１４－５７９７４号公報 日本国特開２０１７－６０９９７号公報
　電子部品等の接合部品と基板とをはんだ付けする方法の一つとして、基板に形成されたスルーホールに接合部品（例えば、リード端子）を挿入してはんだ付けを行う、スルーホール接合方法がある。このような方法では、スルーホールに挿入された接合部品が、基板のランドと接合部品との間に形成されるはんだフィレットを介して基板に接続される。上述のＳｂ及びＢｉを含有するＳＡＣ系合金を用いてスルーホール接合を行うと、前記はんだ接合部において、はんだフィレットが基板のランドから剥離する現象（以下、リフトオフとも記す）が発生するという問題があった。リフトオフが発生すると、はんだフィレットと基板のランドとの接合面積が減少するため、前記はんだ接合部における接合強度が低下し、電子回路基板の品質の低下につながる。
　本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けが可能であると共に、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができるはんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板を提供することを課題とする。
　本発明者らは、ＳＡＣ系合金に含有されるＢｉが、はんだ接合部におけるリフトオフ発生の要因であることを見出した。そして、本発明者らは、ＳＡＣ系合金がＢｉの代わりに所定量のインジウム（以下、Ｉｎとも記す）を含有することにより、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けが可能であると共に、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができることを見出した。本発明の要旨は、以下の通りである。
　本発明に係るはんだ合金は、はんだ付けに用いられ、化学組成が、質量％で、銀（以下、Ａｇとも記す）：２．０～４．０％、銅（以下、Ｃｕとも記す）：０．６～１．２％、アンチモン（以下、Ｓｂとも記す）：２．０～５．０％、インジウム（以下、Ｉｎとも記す）：１．１～３．５％、ニッケル（以下、Ｎｉとも記す）：０～０．２０％、コバルト（以下、Ｃｏとも記す）：０～０．２０％、ゲルマニウム（以下、Ｇｅとも記す）：０～０．０５％、並びに、残部：錫（以下、Ｓｎとも記す）及び不純物である。
　Ｎｉ及びＣｏの合計含有量は、質量％で、０．０１～０．２０％であることが好ましい。
　前記化学組成として、質量％で、Ｇｅ：０．００１～０．０５％を含有することが好ましい。
　本発明に係るはんだ合金は、下記（ｉ）式を満足することが好ましい。
　Ａｇ／Ｃｕ≧２．８・・・（ｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　本発明に係るはんだ合金は、下記（ｉｉ）式を満足することが好ましい。
　－１．５≦Ｓｂ－Ｉｎ≦２．０　・・・（ｉｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　本発明に係るはんだ合金は、下記（ｉｉｉ）式を満足することが好ましい。
　７．５≦Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｓｂ＋Ｉｎ≦１３．５　・・・（ｉｉｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　本発明に係るはんだ合金は、溶融温度幅が２０℃以下であることが好ましい。
　本発明に係るはんだ接合材料は、前記はんだ合金とフラックスとを含有する。
　本発明に係る電子回路基板は、前記はんだ接合材料を用いて接合されたものである。
　以下、本発明の実施形態に係るはんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板について説明する。
　＜はんだ合金＞
　本実施形態に係るはんだ合金は、はんだ付けに用いられ、化学組成が、質量％で、Ａｇ：２．０～４．０％、Ｃｕ：０．６～１．２％、Ｓｂ：２．０～５．０％、Ｉｎ：１．１～３．５％、Ｎｉ：０～０．２０％、Ｃｏ：０～０．２０％、Ｇｅ：０～０．０５％、並びに、残部：Ｓｎ及び不純物である。はんだ合金の形態としては、例えば、棒はんだ、はんだワイヤ、はんだ粉末、はんだ箔、成型はんだ等が挙げられる。
　前記はんだ合金において、Ａｇは必ず含有される成分であり、その含有量は２．０～４．０質量％である。Ａｇの含有量が上記範囲内であると、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。Ａｇの含有量は、２．５質量％以上であることが好ましく、３．０質量％以上であることがより好ましい。また、Ａｇの含有量は、３．８質量％以下であることが好ましく、３．４重量％以下であることがより好ましい。
　前記はんだ合金において、Ｃｕは必ず含有される成分であり、その含有量は０．６～１．２質量％である。Ｃｕの含有量が上記範囲内であると、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。Ｃｕの含有量は、０．７質量％以上であることが好ましい。また、Ｃｕの含有量は、０．９質量％以下であることが好ましく、０．８重量％以下であることがより好ましい。
　前記はんだ合金は、下記（ｉ）式を満足することが好ましい。Ａｇ及びＣｕは、いずれも前記はんだ合金の融点を低下させるために含有される元素である。さらに、Ａｇは、Ｃｕよりもはんだの濡れ広がり性を向上させる元素である。そのため、前記はんだ合金は、Ｃｕに対するＡｇの比が下記（ｉ）式を満足することにより、はんだの濡れ広がり性を向上させることができる。
　Ａｇ／Ｃｕ≧２．８　・・・（ｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　前記はんだ合金において、Ｓｂは必ず含有される成分であり、その含有量は２．０～５．０質量％である。Ｓｂの含有量が上記範囲内であると、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。Ｓｂの含有量は、２．２質量％以上であることが好ましく、２．５質量％以上であることがより好ましい。また、Ｓｂの含有量は、４．５質量％以下であることが好ましく、４．０重量％以下であることがより好ましい。
　前記はんだ合金において、Ｉｎは必ず含有される成分である。Ｉｎは、Ｓｎに固溶されることによりはんだ接合部の延性を低下させることなく、接合強度を向上させる元素である。また、Ｉｎは、はんだ合金の融点を降下させる元素である。前記はんだ合金において、Ｉｎの含有量は１．１～３．５質量％である。Ｉｎの含有量が１．１質量％以上であると、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けが可能であると共に、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有することが可能なはんだ接合部を形成することができる。また、Ｉｎの含有量が３．５質量％以下であると、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。Ｉｎの含有量は、１．３質量％以上であることが好ましく、１．５質量％以上であることがより好ましい。また、Ｉｎの含有量は、３．２質量％以下であることが好ましく、３．０重量％以下であることがより好ましい。
　前記はんだ合金は、下記（ｉｉ）式を満足することが好ましい。Ｓｂ及びＩｎは、いずれもＳｎに固溶して強度を向上させる元素であるが、Ｓｂは、過剰に含有されると、前記はんだ合金の融点を上昇させ、かつ、はんだの濡れ広がり性を低下させる場合がある。また、Ｉｎは、過剰に含有されると、前記はんだ合金の融点を低下させるものの、はんだの濡れ広がり性を低下させる場合がある。よって、ＳｂとＩｎとの差が下記（ｉｉ）式を満足することにより、低いリフロー温度でも充分にはんだを溶融し、かつ、はんだの濡れ広がり性を向上させることができる。
　－１．５≦Ｓｂ－Ｉｎ≦２．０　・・・（ｉｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　前記はんだ合金は、下記（ｉｉｉ）式を満足することが好ましい。Ｓｎ，Ｃｕ，Ｓｂ及びＩｎは、強度向上及び融点調整のために含有される元素であるが、これらの元素を過剰に含有すると、はんだ合金の溶融温度幅が広がり、リフトオフの発生要因となる偏析が発生する場合がある。よって、これらの元素の合計含有量が下記（ｉｉｉ）式を満足することにより、リフトオフの発生をより抑制し、接合信頼性を向上させることができる。
　７．５≦Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｓｂ＋Ｉｎ≦１３．５　・・・（ｉｉｉ）
　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
　前記はんだ合金において、Ｎｉは必要に応じて含有される成分であり、その含有量は、０．２０質量％以下である。Ｎｉの含有量が上記範囲内であると、Ｎｉ，Ｓｎ及びＣｕを含む化合物を、Ｓｎ母相中に微細に分散させた状態で析出させることができる。その結果、はんだ接合部の耐熱性及び強度を向上させることができる。Ｎｉ含有量が０．２０質量％を超えると、析出された化合物が粗大化することにより、温度サイクル中に発生する熱応力の応力集中が起こる。その結果、応力集中を起こす部分が起点となって、クラックが発生する恐れがある。Ｎｉの含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０３質量％以上であることがより好ましく、０．０７質量％以上であることが特に好ましい。また、Ｎｉの含有量は、０．１５質量％以下であることが好ましい。
　前記はんだ合金において、Ｃｏは必要に応じて含有される成分であり、その含有量は、０．２０質量％以下である。Ｃｏの含有量が上記範囲内であると、Ｃｏ，Ｓｎ及びＣｕを含む化合物を、Ｓｎ母相中に微細に分散させた状態で析出させることができる。その結果、はんだ接合部の耐熱性及び強度を向上させることができる。Ｃｏ含有量が０．２０質量％を超えると、析出された化合物が粗大化することにより、温度サイクル中に発生する熱応力の応力集中が起こる。その結果、応力集中を起こす部分が起点となって、クラックが発生する恐れがある。Ｃｏの含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０３質量％以上であることがより好ましい。また、Ｃｏの含有量は、０．１５質量％以下であることが好ましい。
　前記はんだ合金において、Ｎｉ及びＣｏの合計含有量は、質量％で、０．０１～０．２０％であることが好ましい。Ｎｉ及びＣｏの合計含有量が上記範囲内であると、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｓｎ及びＣｕを含む化合物を、Ｓｎ母相中に微細に分散させた状態で析出させることができる。その結果、はんだ接合部の耐熱性及び強度を向上させることができる。Ｎｉ及びＣｏ含有量が０．２０質量％を超えると、析出された化合物が粗大化することにより、温度サイクル中に発生する熱応力の応力集中が起こる。その結果、応力集中を起こす部分が起点となって、クラックが発生する恐れがある。Ｎｉ及びＣｏの合計含有量は、０．０３質量％以上であることがより好ましく、０．１５質量％以下であることがより好ましい。なお、前記はんだ合金がＮｉ又はＣｏのいずれか一方を含む場合、前記合計含有量は、Ｎｉ又はＣｏのいずれか一方の含有量を意味する。
　前記はんだ合金において、Ｇｅは必要に応じて含有される成分であり、その含有量は、０．０５質量％以下である。Ｇｅの含有量が上記範囲内であると、はんだ合金の酸化を抑制することができる。これにより、溶融したはんだ合金表面の酸化物量を低減させることができるため、はんだの濡れ広がり性を向上させることができる。Ｇｅの含有量が０．０５質量％を超えると、溶融したはんだ合金表面でＧｅが優先的に酸化されることにより、はんだの濡れ広がり性が低下する。Ｇｅの含有量は、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましい。また、Ｇｅの含有量は、０．０３質量％以下であることが好ましい。
　前記はんだ合金において、残部はＳｎ及び不純物である。ここで、不純物とは、製造過程において不可避的に混入する成分であって、本発明の効果に影響を与えない範囲で許容されるものを意味する。
　前記はんだ合金は、溶融温度幅が２０℃以下であることが好ましく、１５℃以下であることがより好ましい。リフトオフは、はんだの凝固過程において、はんだ合金に含まれる僅かなＢｉ又は多量のＩｎが偏析することにより発生する。ここで、偏析は、はんだの凝固開始から凝固完了にかけて進行する。そのため、溶融温度幅を２０℃以下にすることにより、リフトオフの発生を抑制することができる。なお、本明細書において、溶融温度幅とは、はんだの溶融初期温度と外挿した溶融終端温度との差をいい、５℃／ｍｉｎの加熱速度で取得した示差走査熱量測定（ＤＳＣ）曲線を用いて算出することができる。
　本実施形態に係るはんだ合金は、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けが可能であると共に、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。
　＜はんだ接合材料＞
　本実施形態に係るはんだ接合材料は、上述のはんだ合金とフラックスとを含有する。前記はんだ接合材料とは、はんだ合金にフラックス等を混ぜてはんだ付けしやすくした材料である。前記はんだ接合材料は、上述のはんだ合金の粉末とフラックスとを含有するはんだペーストであってもよいし、上述のはんだ合金を用いたはんだワイヤの芯にフラックスを入れたやに入りはんだであってもよい。
　前記フラックスとしては、特に限定されるものではなく、公知のフラックス（例えば、ロジン系、合成樹脂系）を用いることができる。
　前記はんだ接合材料がはんだペーストである場合、前記はんだペースト中の前記はんだ合金の粉末の含有量は、特に限定されるものではなく、例えば、８０～９２質量％とすることができる。また、前記はんだペースト中の前記フラックスの含有量は、特に限定されるものではなく、例えば、８～２０質量％とすることができる。
　前記はんだ接合材料がやに入りはんだである場合、前記やに入りはんだ中の前記はんだ合金の含有量は、特に限定されるものではなく、例えば、９５～９９．５質量％とすることができる。また、前記やに入りはんだ中の前記フラックスの含有量は、特に限定されるものではなく、例えば、０．５～５質量％とすることができる。
　本実施形態に係るはんだ接合材料は、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けが可能であると共に、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができる。また、前記はんだ接合材料がやに入りはんだである場合、こて先の温度を低下させることができるため、電子部品の熱損傷を抑制することができる。
　＜電子回路基板＞
　本実施形態に係る電子回路基板は、本実施形態に係るはんだ接合材料を用いてはんだ付けされたものである。
　前記電子回路基板は、本実施形態に係るはんだ接合材料を用いて、電子部品等の接合部品と基板とをはんだ付けすることにより作製される。前記電子部品としては、特に限定されるものではなく、例えば、チップ部品（ＩＣチップ等）、抵抗器、ダイオード、コンデンサ、トランジスタ等の公知の電子部品を用いることができる。
　本実施形態に係る電子回路基板は、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（例えば、ピーク温度が２４０℃）ではんだ付けされるため、品質の低下を抑制することができる。また、本実施形態に係る電子回路基板は、厳しい温度サイクル条件下（例えば、－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を有することができる。
　以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
　＜溶融温度幅の算出＞
　溶融温度幅は、５℃／ｍｉｎの加熱速度で取得した示差走査熱量測定（ＤＳＣ）曲線を用いて、はんだの溶融初期温度と外挿した溶融終端温度との差を求めることにより算出した。ここで、溶融初期温度は、上述のＤＳＣ曲線を用いて、ＪＩＳ　Ｚ　３１９８－１で規定されたはんだ固相線を求める手法によって算出した。また、外挿した溶融終端温度は、上述のＤＳＣ曲線を用いて、ＪＩＳ　Ｚ　３１９８－１で規定された外挿溶融終了温度を求める手法によって算出した。なお、ＤＳＣでは、一方のアルミニウム製容器ホルダーに、表１及び表２に示す化学組成を有する各はんだ合金のインゴット片約１０ｍｇを詰めて蓋を載せ、密閉した。また、他方のアルミニウム製容器ホルダーには何も入れずに蓋を載せ、密閉した。測定条件は、測定温度範囲を室温～３００℃、窒素（不活性ガス）流量を４０ｍＬ／ｍｉｎとした。算出した溶融温度幅を表１及び２に示す。
　＜はんだ箔の作製＞
　表１及び表２に示す化学組成を有する各はんだ合金インゴットを作製し、圧延機により所定の厚さの箔に圧延することにより、実施例１～２０及び比較例１～１９のはんだ箔を作製した。
　＜冷熱サイクル後の耐久性評価＞
　厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ基板（ＦＲ－４，Ｃｕ－ＯＳＰ）上に、実施例１～２０及び比較例１～１９の各はんだ箔（長さ３．２ｍｍ×幅１．６ｍｍ×厚さ８０μｍ；以下、はんだプリフォームと記す）にフラックスを塗布したもの及びチップ抵抗（幅６．３ｍｍ×奥行３．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ）をリフロー法によって４チップ実装することにより、実施例１～２０及び比較例１～１９の各試験基板を作製した。リフローは、窒素をフローすることにより酸素濃度を１０００ｐｐｍに制御した雰囲気下で、ピーク温度が２４０℃、ピーク保持時間が２０秒の条件で行った。その後、各試験基板をヒートサイクル試験機（エスペック株式会社製、ＴＳＡ－７３ＥＬ）に投入し、－３０℃で２０分間保持した後、１２０℃で２０分間保持する冷熱サイクルを２０００サイクル行った。その後、ヒートサイクル試験機から取り出した各試験基板を、該試験基板の上面に垂直な方向にチップ部品の中央部で切断し、機械式の精密研磨を行った。そして、その断面におけるはんだ組織を光学顕微鏡（株式会社ハイロックス社製、ＫＨ－８７００）を用いて３５０倍で観察した。各試験基板で各チップに接合されているはんだ組織中に進展しているクラックの全長を測定し、全４チップにおける平均値を算出した後、下記基準に基づき耐久性の評価を行った。結果を表１及び２に示す。なお、下記基準において、Ａ～Ｃに該当する試験基板については耐久性が良好、Ｄ及びＥに該当する試験基板については耐久性が劣ると判断した。
　Ａ：クラック全長の平均値が１００μｍ未満。
　Ｂ：クラック全長の平均値が１００μｍ以上１５０μｍ未満。
　Ｃ：クラック全長の平均値が１５０μｍ以上２００μｍ未満。
　Ｄ：クラック全長の平均値が２００μｍ以上３００μｍ未満。
　Ｅ：クラック全長の平均値が３００μｍ以上、又は、はんだ組織を横切るクラック（貫通クラック）が発生。
　＜リフトオフの評価＞
　ガラスエポキシ基板（ＦＲ－４，Ｃｕ－ＯＳＰ）に形成されたスルーホールにＬ字型ヘッダーピン（ピン数：２０ピン、ピン径：０．６４ｍｍ、ピッチ：２．５４ｍｍ）と、フラックスを塗布した実施例１～２０及び比較例１～１９の各はんだプリフォーム（幅７ｍｍ×長さ５６ｍｍ×厚さ１００μｍ）を挿入し、リフロー法にてスルーホール接合を行うことにより、実施例１～２０及び比較例１～１９の各試験基板を作製した。リフローは、ピーク温度：２４０℃、ピーク温度での保持時間：２０秒の条件で行った。その後、１５０倍の光学顕微鏡（株式会社ハイロックス社製、ＫＨ－８７００）を用いて、各試験基板のはんだフィレットと基板ランドとの間におけるリフトオフの有無を外観で観察した。結果を表１及び２に示す。
　＜はんだ付け性の評価＞
　はんだ付け性の評価は、冷熱サイクル後の耐久性評価に用いた実施例１～２０及び比較例１～１９の各試験基板を用いて行った。そして、各試験基板のチップ抵抗の電極部における基板と平行な上面において、はんだの濡れ広がった面積率を算出することにより、はんだ付け性を評価した。なお、全４チップのはんだの濡れ広がった面積率の平均値が８０％以上である試験基板を良好、前記面積率の平均値が８０％未満である試験基板を不良であると判断し、結果を表１及び表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１及び２に示すように、本発明の構成要件をすべて満たす実施例１～２０のはんだ合金では、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（ピーク温度：２４０℃）ではんだ付け性が良好であると共に、厳しい温度サイクル条件下（－３０℃～１２０℃の温度サイクル）においても優れた耐久性を有し、かつ、リフトオフの発生を抑制することが可能なはんだ接合部を形成することができた。
　一方、比較例１のはんだ合金は、Ｓｂを含有しないため、厳しい温度サイクル条件下（－３０℃～１２０℃の温度サイクル）において、はんだ接合部のクラックの進展が大きかった。比較例２～５及び７～１３のはんだ合金は、Ｂｉを含有するため、はんだ接合部においてリフトオフが発生した。比較例４～６，１４，１５及び１７～１９のはんだ合金は、Ｉｎの含有量が３．５質量％を超えるため、はんだ接合部においてリフトオフが発生した。比較例１６のはんだ合金は、Ｉｎの含有量が１．１質量％未満であるため、従来のＳＡＣ系合金と同様のリフロー温度（２４０℃）ではんだ付け性が不良であった。

Claims (9)

  1. 　はんだ付けに用いられ、
    　化学組成が、質量％で、
    　Ａｇ：２．０～４．０％、
    　Ｃｕ：０．６～１．２％、
    　Ｓｂ：２．０～５．０％、
    　Ｉｎ：１．１～３．５％、
    　Ｎｉ：０～０．２０％、
    　Ｃｏ：０～０．２０％、
    　Ｇｅ：０～０．０５％、並びに、
    　残部：Ｓｎ及び不純物
    　である、はんだ合金。
  2. 　Ｎｉ及びＣｏの合計含有量が、質量％で、０．０１～０．２０％である、請求項１に記載のはんだ合金。
  3. 　前記化学組成として、質量％で、
    　Ｇｅ：０．００１～０．０５％
    　を含有する、請求項１又は２に記載のはんだ合金。
  4. 　下記（ｉ）式を満足する、請求項１～３のいずれか一つに記載のはんだ合金。
    　Ａｇ／Ｃｕ≧２．８　・・・（ｉ）
    　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
  5. 　下記（ｉｉ）式を満足する、請求項１～４のいずれか一つに記載のはんだ合金。
    　－１．５≦Ｓｂ－Ｉｎ≦２．０　・・・（ｉｉ）
    　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
  6. 　下記（ｉｉｉ）式を満足する、請求項１～５のいずれか一つに記載のはんだ合金。
    　７．５≦Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｓｂ＋Ｉｎ≦１３．５　・・・（ｉｉｉ）
    　ただし、式中の各元素記号は、合金中に含まれる各元素の含有量（質量％）を表す。
  7. 　溶融温度幅が２０℃以下である、請求項１～６のいずれか一つに記載のはんだ合金。
  8. 　請求項１～７のいずれか一つに記載のはんだ合金とフラックスとを含有する、はんだ接合材料。
  9. 　請求項８に記載のはんだ接合材料を用いて接合された、電子回路基板。
PCT/JP2018/035932 2017-10-03 2018-09-27 はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板 WO2019069788A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18864183.1A EP3590652B1 (en) 2017-10-03 2018-09-27 Solder alloy, solder junction material, and electronic circuit substrate
PL18864183.1T PL3590652T3 (pl) 2017-10-03 2018-09-27 Stop lutowniczy, materiał złącza lutowniczego i podłoże obwodu elektronicznego
US16/608,917 US11607752B2 (en) 2017-10-03 2018-09-27 Solder alloy, solder joint material, and electronic circuit board
CN201880018424.7A CN110430967A (zh) 2017-10-03 2018-09-27 软钎料合金、钎焊接合材料和电子电路基板
KR1020197025799A KR102242388B1 (ko) 2017-10-03 2018-09-27 땜납 합금, 땜납 접합 재료 및 전자회로 기판

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017193467A JP6349615B1 (ja) 2017-10-03 2017-10-03 はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板
JP2017-193467 2017-10-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019069788A1 true WO2019069788A1 (ja) 2019-04-11

Family

ID=62779776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/035932 WO2019069788A1 (ja) 2017-10-03 2018-09-27 はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11607752B2 (ja)
EP (1) EP3590652B1 (ja)
JP (1) JP6349615B1 (ja)
KR (1) KR102242388B1 (ja)
CN (1) CN110430967A (ja)
PL (1) PL3590652T3 (ja)
WO (1) WO2019069788A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6700568B1 (ja) * 2019-08-09 2020-05-27 千住金属工業株式会社 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手
CN117480029A (zh) * 2021-06-11 2024-01-30 铟泰公司 混合焊料合金粉末的高可靠性无铅焊膏
JP7161133B1 (ja) 2021-09-30 2022-10-26 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、はんだプリフォーム、はんだペースト及びはんだ継手
JP7161140B1 (ja) * 2022-07-22 2022-10-26 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、はんだペーストおよびはんだ継手

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1398697A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 邓和升 无铅焊料
JP2014057974A (ja) 2012-09-14 2014-04-03 Senju Metal Ind Co Ltd はんだ合金
JP2016179498A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、電子回路基板および電子制御装置
US20160325384A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Indium Corporation High reliability lead-free solder alloys for harsh environment electronics applications
JP2017060997A (ja) 2015-07-24 2017-03-30 ハリマ化成株式会社 はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP2017170465A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、電子回路基板および電子制御装置
JP6230737B1 (ja) * 2017-03-10 2017-11-15 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4242364A (en) 1978-12-19 1980-12-30 R.G.B. Laboratories, Inc. Dry powdered non-dairy food composition containing liquid fat
US4670217A (en) * 1985-07-26 1987-06-02 J. W. Harris Company Solder composition
US5837191A (en) * 1996-10-22 1998-11-17 Johnson Manufacturing Company Lead-free solder
US7029542B2 (en) * 2002-07-09 2006-04-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
WO2014013632A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 ハリマ化成株式会社 はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
US10076808B2 (en) 2013-08-05 2018-09-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
CN106660153A (zh) * 2014-07-21 2017-05-10 阿尔法装配解决方案公司 用于焊接的低温高可靠性锡合金
CN106001978B (zh) 2015-03-24 2020-02-07 株式会社田村制作所 无铅软钎料合金、电子电路基板和电子控制装置
JP6892568B2 (ja) * 2015-12-21 2021-06-23 ニホンハンダ株式会社 表面性に優れたＳｎを主成分とするはんだ合金の選別方法
JP6828880B2 (ja) 2016-10-06 2021-02-10 株式会社弘輝 はんだペースト、はんだ合金粉
JP6275305B2 (ja) * 2017-04-03 2018-02-07 株式会社タムラ製作所 はんだ接合体の形成方法、並びに当該形成方法により形成されたはんだ接合体を有する電子回路基板および電子制御装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1398697A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 邓和升 无铅焊料
JP2014057974A (ja) 2012-09-14 2014-04-03 Senju Metal Ind Co Ltd はんだ合金
JP2016179498A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、電子回路基板および電子制御装置
US20160325384A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Indium Corporation High reliability lead-free solder alloys for harsh environment electronics applications
JP2017060997A (ja) 2015-07-24 2017-03-30 ハリマ化成株式会社 はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板
JP2017170465A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、電子回路基板および電子制御装置
JP6230737B1 (ja) * 2017-03-10 2017-11-15 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト及び電子回路基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3590652A4

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190113903A (ko) 2019-10-08
EP3590652A1 (en) 2020-01-08
PL3590652T3 (pl) 2024-05-06
EP3590652A4 (en) 2020-03-11
JP6349615B1 (ja) 2018-07-04
CN110430967A (zh) 2019-11-08
EP3590652C0 (en) 2023-12-20
US20210114146A1 (en) 2021-04-22
JP2019063830A (ja) 2019-04-25
EP3590652B1 (en) 2023-12-20
KR102242388B1 (ko) 2021-04-19
US11607752B2 (en) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102242388B1 (ko) 땜납 합금, 땜납 접합 재료 및 전자회로 기판
KR101738841B1 (ko) Ｂｉ-Ｓｎ계 고온 땜납 합금으로 이루어진 고온 땜납 이음
WO2013132942A1 (ja) 接合方法、接合構造体およびその製造方法
JP2006035310A (ja) 無鉛はんだ合金
KR20200036948A (ko) 땜납 합금, 땜납 페이스트, 땜납 볼, 수지 내장 땜납 및 땜납 이음매
KR101165426B1 (ko) 무연 솔더 합금
CN113677477B (zh) 焊料合金、焊膏、预成型焊料、焊料球、线状焊料、带芯焊料、焊接接头、电子电路基板和多层电子电路基板
JP3991788B2 (ja) はんだおよびそれを用いた実装品
JP3782743B2 (ja) ハンダ用組成物、ハンダ付け方法および電子部品
CN115397605A (zh) 无铅且无锑的软钎料合金、焊料球和钎焊接头
CN105834611B (zh) 一种适用于电子封装的高电导高可靠性Ce‑Sn‑Ag‑Cu焊料
KR100904651B1 (ko) 웨이브 및 디핑용 무연 솔더 조성물과 이를 이용한 전자기기 및 인쇄회로기판
JP2008221330A (ja) はんだ合金
KR101630935B1 (ko) 전자부품 실장용 무연땜납
US10329642B2 (en) Solder alloy and joint thereof
JP6427752B1 (ja) はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板
JP2018047499A (ja) Ｂｉ基はんだ合金及びその製造方法、並びに、そのはんだ合金を用いた電子部品及び電子部品実装基板
WO2014115699A1 (ja) ダイボンド接合用はんだ合金
KR100904652B1 (ko) 웨이브 및 디핑용 무연 솔더 조성물과 이를 이용한 전자기기 및 인쇄회로기판
JPH0422595A (ja) クリームはんだ
JP7068370B2 (ja) はんだ合金、はんだボールおよびはんだ継手
JP4673860B2 (ja) Ｐｂ・Ｓｂフリーはんだ合金、プリント配線基板および電子機器製品
WO2016157971A1 (ja) はんだペースト
JP2003205388A (ja) パッケージ用無鉛はんだ製法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18864183

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197025799

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018864183

Country of ref document: EP

Effective date: 20190930

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE